KR102285334B1 - 재료의 물성 측정 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면 재료의 물성을 측정 할 수 있는 장치 및 방법이 제공된다.
본 발명의 장치는, 2종류의 금속이 접합된 접합부를 갖는 열전대; 상기 열전대에 공급되는 전원을 제어하는 동시에 상기 열전대의 온도를 측정하는 제어부; 및 상기 접합부에 위치하는 측정 대상물의 거동을 촬영하는 촬영장치를 포함하며, 상기 열전대는 상기 제어부에서 전력을 공급받아 상기 접합부에서 발열이 일어남으로써 측정 대상물을 가열하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명의 방법은, 측정 대상물을 채취하는 측정 대상물 취득 단계; 채취된 측정 대상물을 열전대에 위치시키고, 상기 열전대에 전력을 공급하여 측정 대상물을 소정 온도까지 가열하여 용해시키는 측정 대상물 용해 단계; 열전대에의 전력 공급을 중지하여 측정 대상물을 냉각시키는 냉각 단계; 및 상기 용해 및 냉각 단계에서 측정 대상물의 용해과정 및 냉각과정을 관찰하는 측정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 간단한 구조와 방법으로 재료의 물성을 측정할 수 있다.

Description

재료의 물성 측정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TESTING PROPERTIES OF MATERIALS}
본 발명은 재료의 물성을 측정 할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이며, 보단 구체적으로는 상전에 메모리 물질의 용해 및 냉각 특성을 간단하면서도 효과적으로 측정할 수 있는 물성 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
현재 반도체 메모리의 주류는 DRAM과 플래시 메모리이나, 이들은 미세화에 한계가 있어 더 이상 집적도를 높이기가 어려운 시점이 도래하고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 다양한 형태의 차세대 메모리가 연구되고 있으며, 상전이 메모리, 스핀주입메모리, 저항변화메모리 등이 대표적인 대안으로서 개발되고 있다.
이 가운데 상전이 메모리(Phase Change Memories, PCM)는, 기존 메모리에서 전류가 흐르는지(1) 또는 흐르지 않는지(0) 차이를 응용해 데이터를 저장하는 것과 달리, 레이저가 비춰지는 점이 결정인지 아니면 비결정인지에 따라 1 또는 0이 되는 방식으로 데이터를 저장한다.
상전이 메모리는 플래시메모리보다 빠르고 소비전력이 작으며 쓰기 횟수의 제한도 없어 관심을 모으고 있다. 특히, 잘 알려진 재료를 사용하는 점에서 개발이 용이한 장점이 있는데, 게르마늄, 안티몬, 텔루륨 등의 칼코지나이드계 금속은 결정과 비정질 사이에서 상전이를 일으키는 것이 알려져 있다.
대표적인 PCM 재료의 예로서는 GST(Ge2Sb2Te2)가 있는데, 최근에 [Sb2Te3/GeTe]를 다층 적층한 초격자(superlattice)가 GST보다 효율적인 메모리 특성을 나타냄이 확인되었다. Sb2Te3와 GeTe는 온도에 따라 다양한 상과 결정면을 형성한다.
이러한 상전이 메모리의 상용화를 위해서는 물질의 상전이 특성을 원하는 대로 제어할 수 있어야 하며, 이를 위해서는 우선 상전이 특성에 대한 명확한 규명이 필요하다.
Sb2Te3와 GeTe의 경우 현재는 공정 중에 증착하는 in-situ 조건에서 온도별로 상변화를 연구한 사례가 있다. 그러나 보다 정확한 물성을 확인하기 위해서는 초격자 제작 후 온도에 따른 상의 안정성 평가를 위한 연구가 필요한데, 이러한 연구는 아직 미미한 상황이다.
더욱이 GeTe에 대해서는 아직도 비평형 TTT diagram(Temperature-Time Transformation diagram)이 도출되지 않은 상태여서 이를 구축할 필요가 있고, 이를 위해서는 정확한 용해 특성을 파악할 수 있는 장치와 방법이 요구되고 있다.
또한 종래에는 재료의 용해 및 냉각 특성을 측정하기 위해서 크루서블 등의 용기 내에서 측정 대상물을 넣고 가열 및 냉각하는 방식을 주로 사용하는데, 이 경우 고가의 복잡한 설비가 필요한 실정이다. 더욱이, 측정 대상물이 크루서블 내면 전체와 접하게 되어 반응 생성물이 형성될 가능성이 높아 측정을 부정확하게 한다.
대한민국 특허출원 2003-0007541(2003.02.06) 대한민국 특허출원 2007-0027335(2007.03.20)
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 간단한 구성으로 재료의 물성을 평가하는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한 본 발명은 재료의 용해 및 냉각 특성을 안정적이고 효과적으로 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한 본 발명은 측정 대상물의 용해 및 냉각 시 온도와 시간에 따른 상변화 과정을 촬영하는 공정을 통해 TTT 다이아그램을 구축할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한 본 발명은 재료의 용해 및 냉각 특성 측정 시 열전대와 측정 대상물의 반응을 방지하여 정확한 실험 결과를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또 본 발명은 재료의 용해 및 냉각 특성 측정 시 챔버 내 분위기와의 반응을 차단하여 정확한 실험 결과를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에서는 아래와 같은 구성으로 이루어지는 재료의 물성 측정 장치를 제공한다.
2종류의 금속이 접합된 접합부를 갖는 열전대;
상기 열전대에 공급되는 전원을 제어하는 동시에 상기 열전대의 온도를 측정하는 제어부; 및
상기 접합부에 위치하는 측정 대상물의 거동을 촬영하는 촬영장치를 포함하며,
상기 열전대는 상기 제어부에서 전력을 공급받아 상기 접합부에서 발열이 일어남으로써 측정 대상물을 가열하는 것을 특징으로 하는 재료의 물성 측정 장치.
본 발명의 물성 측정 장치는 열전대의 발열 특성과 온도 측정 특성을 동시에 이용하는 것이 특징이며, 이에 따라 간단한 구조로도 측정 대상물을 가열하여 용해시키는 동시에 온도를 유지 및 측정할 수 있도록 구성함으로써, 측정 대상물에 대한 특정 물질의 용해도 및 용해 거동을 용이하게 관찰할 수 있다.
제어부는 열전대에 전력을 공급하여 열전대를 가열함과 동시에, 온도에 따라 상기 열전대의 접합부에서 발생하는 열기전력을 측정하여 온도를 측정한다.
열전대는 백금(platinum)을 주성분으로 하는 B 타입 열전대를 사용하는 것이 바람직하다. 이는 융점이 높은 측정 대상물의 용해 시에도 열전대의 손상이 없어야 하기 때문이다.
그러나 이 경우 백금의 반응성이 문제가 될 수 있다. 백금은 반응성이 상당히 낮은 안정된 금속이지만 일부 물질, 예를 들어 상전이 메모리 물질인 GeTe의 게르마늄(Ge)과는 반응을 하여 Pt-Ge를 형성한다. 따라서 Pt-Ge가 형성되면 물질의 용해 및 냉각 특성을 정확히 측정하는데 문제를 유발하게 된다.
본 발명에서는 열전대에 코팅을 형성함으로써 이러한 문제를 해결할 수 있다. 코팅은 고온 공정에서도 유지될 수 있도록 내열성이 우수한 질화티탄(TiN)이나 텅스텐(W)이 바람직하다. 질화티탄의 융점은 2,930℃, 텅스텐의 융점은 3,422℃로서 매우 높다. 무엇보다, 질화티탄이나 텅스텐은 백금 또는 게르마늄과 반응하지 않기 때문에 화합물 또는 합금을 형성하지 않는다.
한편 재료의 용해 특성 파악을 위한 용해 공정에서는 챔버 내에서 산소와의 반응 우려가 있다. 특히 측정 대상물이 휘발성이 강한 물질일 경우에 특히 문제가 된다. 이를 위해 본 발명에서는 챔버 내에 게터(getter)를 설치하여 공정 분위기를 제어한다.
또 본 발명에서는 상기 물성 측정 장치를 이용하여 측정 대상물의 특성을 측정하기 위해 아래와 같은 단계로 이루어지는 물성 측정 방법을 제공한다.
상기 물성 측정 장치를 이용하여 물성을 측정하는 방법으로서,
측정 대상물을 채취하는 측정 대상물 취득 단계;
채취된 측정 대상물을 열전대에 위치시키고, 열전대에 전력을 공급하여 측정 대상물을 소정 온도까지 가열하여 용해시키는 측정 대상물 용해 단계;
열전대에의 전력 공급을 중지하여 측정 대상물을 냉각시키는 냉각 단계; 및
상기 용해 및 냉각 단계에서 측정 대상물의 용해과정 및 냉각과정을 관찰하는 측정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 물성 측정 방법은, 측정 대상물을 소정의 온도로 용해시킬 때의 온도 변화에 따른 상변화 및 냉각시킬 때의 온도 변화에 따른 상변화를 측정함으로써 이루어진다.
이러한 측정을 통해 용해가 진행되는 메커니즘 및 생성 또는 소멸되는 상을 확인할 수 있을 뿐만 아니라, 냉각 속도, 냉각 온도 등에 따른 상변화 역시 파악할 수 있다. 따라서 온도, 시간 등의 조건을 바꾸어가면서 실험을 반복함으로써 재료의 용해 및 냉각 거동 파악이 가능하며, 이를 근거로 TTT 다이아그램을 작성할 수 있다. 그 결과 상전이 메모리 제조에 활용할 수 있는 재료의 물성 자료를 구축할 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 장치 및 방법에 의하면, 간단한 구조로 상전이 메모리 물질과 같은 재료를 가열하여 용해시키는 동시에 온도를 유지하고 냉각시킬 수 있도록 구성함으로써 용해 및 냉각 거동을 용이하게 측정할 수 있다.
또 본 발명에 의하면 재료의 용해 및 냉각 과정을 실시간으로 촬영함으로써 상전이 거동의 연속적인 측정이 가능하다.
또 본 발명에 의하면 재료의 용해 및 냉각 특성 측정 시 열전대와 측정 대상물의 반응을 방지하여 정확한 실험 결과를 얻을 수 있다.
또 본 발명에 의하면 재료의 용해 및 냉각 특성 측정 시 챔버 내 분위기와의 반응을 차단하여 정확한 실험 결과를 얻을 수 있다.
또 본 발명에 의하면 상전이 메모리 물질을 소량만 채취하여 가열 및 냉각하여 특성을 측정하기 때문에 실험이 용이하고 재료 비용도 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 물성 측정 장치의 구조를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 물성 측정 장치에 사용되는 열전대의 사진이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에서 측정 대상물인 상전이 메모리 물질을 용해시키는 과정을 나타내는 사진이다.
도 4는 비교예에 따라 코팅되지 않은 열전대를 사용할 경우 측정 대상물과 열전대의 조직 상태를 나타내는 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 물성 측정 장치의 구조를 나타낸 모식도이다.
본 실시예의 측정 장치(10)는 열전대(100)와 제어부(200) 및 촬영장치(300)를 포함하여 구성된다. 열전대(100)는 챔버(C) 내에 위치하며 제어부(200)는 챔버(C) 외부에 위치한다. 촬영장치(300)는 도면에서는 챔버(C) 내에 위치하는 것으로 나타났으나, 챔버(C) 외부에 위치하면서 챔버(C)에 형성된 관찰구를 통해 챔버(C) 내부를 촬영할 수도 있다.
열전대(thermocouple)는 두 종류의 금속이 접합된 장치로서, 두 종류의 금속이 접합된 접합부에서 온도 차이에 비례하여 열기전력이 발생하는 제벡효과를 이용하여 온도를 측정하는 용도로 많이 사용된다. 본 실시예의 열전대(100)는 전류를 인가하면 접합부에서 열이 발생하는 특성을 이용하여 측정 대상물을 가열하는 히터로서 사용되는 동시에, 온도를 측정하는 기능을 함께 수행한다. 이러한 열전대(100)의 기능은 제어부(200)로부터 교류를 인가함으로써 얻어지며, 교류 중 정방향으로 인가되는 전류에 의해서 열전대(100)의 접점부에 열이 발생하고, 역방향으로 인가되는 전류에 대하여 열기전력이 미치는 영향을 검출함으로써 온도를 측정할 수 있다.
열전대(100)에서 열이 발생하고 온도를 측정하는 접합부 위에 측정 대상물(S)을 위치시킨 상태에서 측정 대상물의 특성을 평가하게 된다. 이때, 열전대(100)는 말발굽 모양 또는 U자 형상으로 휘어지도록 구성하되, U자 형상의 가운데에 접합부가 위치하도록 구성한다.
측정 대상물(S)은 U자형 접합부 위에 놓인 상태에서 용해된다. U자 형상의 구조에 의해서 측정 대상물(S)은 액화된 경우에도, 별도의 고정 장치 없이 표면장력에 의해서 열전대(100)의 U자 부위에 계속 유지될 수 있다.
열전대(100)의 측정부분 이외 부분은 구리로 감싸서 구성하였으며, 간격 유지를 위하여 알루미나 홀더로 고정하였다. 본 실시예에서는 열전대(100)로서 +선에 Pt70/Rh30 합금을 사용하고 -선에 Pt94/Rh6 합금을 사용한 B 타입 열전대를 사용하였다.
열전대(100)가 가열 기능과 온도 측정 기능을 동시에 수행하도록 인가되는 교류 전류를 제어 및 측정하는 것은 제어부(200)에서 이루어진다. 제어부(200)는 열전대(100)에 인가되는 전류를 제어하는 동시에, 인가되는 전류에 대하여 열기전력이 미치는 영향을 평가하여 온도를 측정한다. 제어부(200)는 열전대(100)에 인가되는 전류를 통해서 열전대(100)의 온도를 제어할 수 있으며, 이때 열전대(100)에 측정된 온도를 기준으로 제어를 수행한다.
제어부(200)에는 데이터 로거(210)를 함께 구성하여, 측정되는 데이터를 저장한다.
촬영장치(300)는 열전대(100)에 위치된 측정 대상물(S)을 촬영하여 특성을 분석하기 위하여 포함된다. 촬영장치(300)는 광학식 장치일 수 있고, 연속 촬영 또는 원하는 시점에서 주기적인 촬영 등이 모두 가능하다.
본 발명의 물성 측정 장치는 측정 대상물을 채취하여 열전대(100)의 U자형 부위에 놓고 가열하면서 특성을 측정하기 때문에, 매우 적은 양의 재료만 채취하여도 특성을 측정할 수 있다. 따라서 고가의 상전이 메모리 물질을 소량만 사용해도 되는 장점이 있다.
적은 양의 측정 대상물에 대한 특성 평가를 위하여, 촬영장치(300)에 확대경(310)을 부착하여 측정을 수행할 수 있으며, 지지대(320)를 이용하여 열전대(100)에 위치하는 측정 대상물(S)을 촬영하는 위치를 고정한다.
한편 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 장치에 사용되는 열전대의 사진이다.
도 2의 열전대의 U자형 단부에는 시료가 용해되는 부위에만 약 4-5㎛m 두께로 질화티탄(TiN)이 코팅되어 있다. 질화티탄을 코팅하는 방법은 특히 한정되지 않는다. 본 실시예에서는 마그네트론 스퍼터링에 의해 코팅하였으나, 다른 방법을 사용할 수도 있다.
이하 전술한 구성으로 이루어진 물성 측정 장치에 의해 측정 대상물의 용해 및 냉각 거동을 측정하는 과정을 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에서 측정 대상물로서 상전이 메모리 물질인 GeTe를 용해시키는 과정을 나타내는 사진이다.
먼저 벌크 GeTe에서 실험을 위해 소량을 절단, 채취하여 취득한다.
취득된 GeTe편은 도 3의 (a)에서와 같이 열전대(100)의 U자형 단부에 올려 놓는다. 그리고 제어부(200)에서 전력을 공급하여 열전대(100)의 온도를 높이면, 도 3의 (b)에서와 같이 열전대(100)가 가열되고 열이 GeTe편에 전달되기 시작한다. GeTe의 융점인 725℃에 이르면 용융이 시작된다.
이때, 열전대(100)는 온도 측정을 동시에 수행하기 때문에 측정 대상물을 원하는 온도로 가열하고, 그 온도에서 유지할 수 있다. 본 실시예에서는 500℃/min의 속도로 900℃까지 가열하여 유지하였다. 열전대(100)의 온도를 900℃로 유지한 상태에서 GeTe는 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 용융된 상태에서 열전대의 U자형 부분에 위치한다.
그리고 이러한 과정을 장치 상부에 위치하는 촬영장치(300)를 이용하여 일정 시간 간격으로 촬영함으로써 용해 과정의 상변화를 확인한다.
한편, 열전대(100) 단부의 U자형 부분은 질화티탄으로 코팅이 되어 있다.
이에 따라 GeTe를 구성하는 게르마늄이 열전대를 구성하는 백금과 반응을 하여 Pt-Ge가 생성되는 일이 없게 된다.
비교를 위해, 코팅되지 않은 열전대를 사용할 경우의 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4는 열전대가 코팅되지 않은 경우, 측정 대상물과 열전대의 반응 상태를 나타내는 사진이다.
열전대가 코팅된 본 발명의 실시예와 비교하여 볼 때, 도 4에서는 GeTe의 용해 과정에서 백금과 게르마늄이 반응하여 Pt-Ge가 생성된 것을 확인할 수 있다. 즉 도면에 표시된 1번 위치는 열전대이고 2번 위치는 열전대와 GeTe의 계면이고 3번 위치는 GeTe인데, 1번 위치에서는 백금만 존재하나 열전대와 측정 대상물이 접하는 2번 위치에서는 게르마늄 및 텔루륨 외에 백금이 54.52wt% 혼재되어 있음이 확인되었다. 3번 위치에서도 적기는 하지만 백금이 2.49wt% 존재함을 알 수 있다. 즉 2번 및 3번 위치에서는 백금의 확산이 이루어져 Pt-Ge 합금이 형성된 것을 확인할 수 있다.
따라서 열전대를 코팅함으로써 Pt-Ge가 생성됨이 없이 순수한 GeTe의 용해 및 냉각 거동을 정확히 측정할 수 있음을 확인하였다.
이러한 사실은 아래 표 1에서 보다 구체적으로 알 수 있는데, 열전대(100)가 코팅되지 않았을 경우에도 일반적인 산화물이나 일부 혼합산화물에 대해서는 용해 및 냉각 거동 측정에 문제가 없다. 그러나 혼합산화물 중 일부, 반도체, 합금, 금속 등에 대해서는 용해 시 열전대 전극과의 반응이 일어나 측정의 정확성을 떨어뜨릴 수 있어 사용이 곤란하다.
따라서 본 발명에서와 같이 열전대를 코팅함으로써 측정 대상물이 반도체, 합금, 금속인 경우에도 용해 및 냉각 거동 측정을 정확하게 할 수 있다.
물질계 산화물
(GeO2 등)		 혼합산화물1(CaO-SiO2-Al2O3 등) 혼합산화물2(CaO-SiO2-Al2O3-FeO 등) 반도체계
(Ge)		 합금계
(GeTe 등)		 금속계
(Fe)
Pt 전극 o o x x x x
Pt/코팅전극 o o o o o o
다음으로 측정 대상물을 냉각하는 공정을 설명한다.
냉각은 제어부(200)로부터의 전력 공급을 중단 또는 낮춤으로써 이루어질 수 있다. 전력을 낮출 경우 측정 대상물은 서냉될 수 있고, 전력 공급을 완전히 차단하면 열전대(100)의 온도가 급격히 하강하여 담금질(quenching)되는 효과를 얻을 수 있다.
그리고 이러한 냉각 과정에서 측정 대상물을 촬영하고 분석함으로써 상변태가 이루어지는 온도와 시간, 그리고 그에 따른 조성 변화 등을 측정할 수 있다.
한편 본 실시예의 용해 및 냉각은 불활성 가스, 구체적으로 순도 6N의 Ar 가스 분위기에서 이루어지나, Ar 가스가 반응 챔버(C)에 도달하기 전에 또는 공정 중에 챔버(C)에 존재하는 산소 등이 게르마늄이나 텔루륨이 반응하여 산화물 등을 만들 수 있다. 따라서 순수한 GeTe의 용해 및 냉각 거동 측정을 부정확하게 할 수 있다. 특히 텔루륨(Te)은 휘발성이 강하기 때문에 증발하여 챔버(C) 내 산소와 반응함으로써 TeO2를 형성하여 분위기를 오염시킴으로써 GeTe 물성 특성 결과를 방해하는 요인이 된다.
이를 방지하기 위해 측정 대상물의 용해 전 1시간 동안 Ar 가스 퍼징(purging)을 통해 챔버 내부 분위기를 안정화하였다. 또한 용해 반응 시에도 지속적인 퍼징으로 GeTe와 분위기의 반응을 최소화하였다.
아울러 챔버(C) 내에 게터(getter)를 설치하여 공정 분위기를 제어하였다.
게터는 Ar 가스 배관에 설치하여 Ar 가스가 공급되면서부터 불순물이 제거되도록 하였다. 게터의 종류는 특히 한정되지 않으며, 지르코늄 게터 등 상용화된 다양한 종류 중에서 선택하여 사용할 수 있다.
게터에 의해 6N Ar 가스가 반응 챔버에 투입되기 전에 O2, H2O, CO, CO2, CH2 등의 농도를 10 ppb 이하가 되도록 감소시켰다.
이상 설명한 바와 같이 용해 및 냉각 시 측정 대상물의 온도와 시간에 따른 상변화 과정을 촬영하는 공정을 통해 아직 완전히 구축되지 않은 GeTe의 TTT 다이아그램을 도출할 수 있다. 특히, GeTe가 573K에서 β상 능면계(rhombohedral) 구조이고, 온도 상승에 따라 700K에서 γ상 능면계 구조로 변태하며, 873K에서는 β상 입방형(cubic) 구조로 상변태하는 것을 확인하였다.
이와 같이 본 발명을 통해 재료의 거동, 예를 들어 비정질을 형성 조건 등을 파악할 수 있고, 이를 통해 재료의 제조 및 제어에 활용할 수 있는 기반을 구축할 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 측정 장치
100: 열전대
200: 제어부
210: 데이터 로거
300: 촬영장치
310: 확대경
320: 지지대
c: 챔버
S: 측정 대상물

Claims (4)

  1. 반도체 재료의 물성 측정 장치로서,
    Pt70/Rh30 합금 및 Pt94/Rh6 합금으로 이루어지며 상기 Pt70/Rh30 합금과 Pt94/Rh6 합금이 접합되는 접합부를 가지는 열전대가 구비된 챔버;
    상기 챔버 외부에 위치하며, 챔버 내의 열전대에 공급되는 전원을 제어하는 동시에 상기 열전대의 온도를 측정하는 제어부; 및
    상기 챔버 외부에 위치하며, 상기 접합부에 위치하는 측정 대상물의 거동을 촬영하는 촬영장치를 포함하며,
    상기 열전대는,
    U자 형상으로 휘어지고, 상기 U자 형상의 가운데에 상기 접합부가 위치하도록 구성되며,
    상기 제어부에서 전력을 공급받아 상기 접합부에서 발열이 일어남으로써 측정 대상물을 가열하며;
    측정 대상물이 용해되는 상기 U자형 부분에는 측정 대상물과 반응하지 않는 질화티탄이 4~5㎛ 두께로 마그네트론 스퍼터링에 의해 코팅되어 있으며,
    상기 챔버 내에는 불순물을 제거하기 위한 게터가 설치되는 것을 특징으로 하는 재료의 물성 측정 장치.
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