KR102277988B1 - Organic light emitting display device and method for fabricating thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치 제조방법은, 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역, 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역 및 화소 영역(Pixel)이 구획된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 금속층, 제2 금속층, 버퍼층 및 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 반도체층이 형성된 기판 상에 마스크 공정을 이용하여, 상기 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역 및 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 각각 제1 및 제2 금속패턴들이 적층된 제1 광차단층, 제3 및 제4 금속패턴들이 적층된 제2 광차단층, 제1 채널층 및 제2 채널층을 형성하는 단계; 상기 제1 채널층과 제2 채널층에 각각 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 형성하여 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 완성하는 단계; 상기 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터가 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고, 상기 화소 영역과 대응되는 보호막 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 및 상기 컬러필터층이 형성된 기판 상에 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.The present invention discloses an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same. The disclosed method of manufacturing an organic light emitting display device of the present invention includes: providing a substrate in which a switching transistor (SW-TFT) region, a driving transistor (DR-TFT) region, and a pixel region are partitioned; sequentially forming a first metal layer, a second metal layer, a buffer layer, and a semiconductor layer on the substrate; A first light blocking layer in which first and second metal patterns are stacked on the substrate on which the semiconductor layer is formed, respectively, in the switching transistor (SW-TFT) region and the driving transistor (DR-TFT) region using a mask process; forming a second light blocking layer, a first channel layer, and a second channel layer on which third and fourth metal patterns are stacked; forming a gate electrode, a source and a drain electrode on the first channel layer and the second channel layer, respectively, to complete a switching transistor and a driving transistor; forming a passivation layer on the substrate on which the switching transistor and the driving transistor are formed, and forming a color filter layer on the passivation layer corresponding to the pixel region; and forming an organic light emitting diode including a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode on the substrate on which the color filter layer is formed.
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 박막 트랜지스터에 배치되는 광차단층이 잔막 없이 패터닝될 수 있도록 한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device in which a light blocking layer disposed on a thin film transistor can be patterned without a residual film, and a method for manufacturing the same.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, as interest in information display is rising and the demand to use portable information media is increasing, a lightweight and thin flat panel display (FPD) replacing the conventional display element, cathode ray tube (CRT), has been developed. Research and commercialization are focused on.
이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시소자(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 소자였지만, 상기 액정표시소자는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD) that is light and low power consumption has been the most popular display device until now, but the liquid crystal display device is a light receiving device, not a light emitting device, and has brightness, contrast ratio) and viewing angle, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed.
새로운 디스플레이 소자 중 하나인 유기전계발광표시장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시소자에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 그리고 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점이 있다.Since the organic light emitting display device, one of the new display devices, is a self-luminous type, it has superior viewing angle and contrast ratio compared to the liquid crystal display device, and since it does not require a backlight, it is lightweight and thin, and it is advantageous in terms of power consumption. Do. And it has the advantage of being able to drive at a low DC voltage and having a fast response speed, and in particular, there is an advantage in terms of manufacturing cost.
이하, 상기 유기전계발광표시장치의 각 화소 영역에 형성되는 유기발광다이오드의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a basic structure and operational characteristics of an organic light emitting diode formed in each pixel region of the organic light emitting display device will be described with reference to the drawings.
도 1은 일반적으로 유기전계발광표시장치에 형성되는 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram illustrating a light emitting principle of an organic light emitting diode generally formed in an organic light emitting display device.
일반적인 유기전계발광표시장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소 전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 유기 화합물층(30a, 30b,30c, 30d, 30e)을 구비한다.A typical organic light emitting display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. 1 . The organic light emitting diode includes
이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.In this case, the
상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the
유기전계발광표시장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting display device displays an image by arranging pixels having the organic light emitting diodes having the above-described structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.
도 2는 일반적인 유기전계발광표시장치의 화소 영역에 대한 등가회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of a pixel area of a general organic light emitting display device.
도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기전계발광표시장치에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 예를 들어 나타내고 있다.Referring to FIG. 2 , an equivalent circuit diagram of a pixel of a typical 2T1C (including two transistors and one capacitor) in an active matrix organic light emitting display device is shown as an example.
능동 매트릭스 방식의 유기전계발광표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 게이트라인(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.The pixels of the active matrix organic light emitting display device include an organic light emitting diode (OLED), a data line (DL) and a gate line (GL) crossing each other, a switching TFT (SW), a driving TFT (DR), and a storage capacitor (Cst). ) is provided.
이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 캐패시터(Cst)에 인가된다.At this time, the switching TFT SW is turned on in response to a scan pulse from the gate line GL to conduct a current path between its source electrode and its drain electrode. During the on-time period of the switching TFT (SW), the data voltage from the data line (DL) passes through the source electrode and the drain electrode of the switching TFT (SW) to the gate electrode of the driving TFT (DR) and the storage capacitor (Cst) is authorized to
이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고 스토리지 캐패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.At this time, the driving TFT DR controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED according to the data voltage applied to its gate electrode. In addition, the storage capacitor Cst stores a voltage between the data voltage and the low-potential power supply voltage VSS, and then maintains it constant for one frame period.
상기 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR)에는 하부에 광차단층이 배치되는데, 상기 광차단층은 외부로 부터 입사되는 광을 흡수하여 광차단층 상부에 배치되어 있는 TFT의 채널층에 영향을 주는 것을 방지하기 위함이다.A light blocking layer is disposed below the switching TFT (SW) and the driving TFT (DR), and the light blocking layer absorbs light incident from the outside and affects the channel layer of the TFT disposed above the light blocking layer. is to prevent
하지만, 상기 광차단층은 티타늄(Ti) 계열의 금속으로 형성되기 때문에 상부에 형성되는 버퍼층의 산소(Ｏ2) 성분과 결합하여 상기 광차단층과 버퍼층 사이에 TiＯ2 막을 형성하는 문제가 있다.However, since the light-blocking layer is formed of a titanium (Ti)-based metal, it combines with the oxygen (O 2 ) component of the buffer layer formed thereon to form a TiO 2 film between the light-blocking layer and the buffer layer.
이러한 TiO2 막은 빛을 받으면 화학 반응이 촉진되는 성질을 갖고 있기 때문에 유기전계발광표시장치의 소자들의 성능에 영향을 미칠수 있는 문제가 있다.
Since the TiO 2 film has a property of promoting a chemical reaction when exposed to light, there is a problem that may affect the performance of the elements of the organic light emitting display device.
본 발명은, 유기전계발광표시장치의 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층을 이중 금속층으로 형성하여, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량이 발생되는 것을 방지한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.According to the present invention, an organic light emitting diode (OLED) light blocking layer disposed in a thin film transistor region of an organic light emitting display device is formed as a double metal layer to prevent residual film defects when the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are simultaneously patterned. An object of the present invention is to provide a display device and a method for manufacturing the same.
또한, 본 발명은, 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층이 식각 공정 중 결정화되어 식각 특성이 저하되는 것을 방지한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device in which a light blocking layer disposed in a thin film transistor region is crystallized during an etching process to prevent deterioration of etching characteristics, and a method for manufacturing the same.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광표시장치 제조방법은, 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역, 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역 및 화소 영역(Pixel)이 구획된 기판을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 기판 상에 제1 금속층, 제2 금속층, 버퍼층 및 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반도체층이 형성된 기판 상에 마스크 공정을 이용하여, 상기 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역 및 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 각각 제1 및 제2 금속패턴들이 적층된 제1 광차단층, 제3 및 제4 금속패턴들이 적층된 제2 광차단층, 제1 채널층 및 제2 채널층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 채널층과 제2 채널층에 각각 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 형성하여 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 완성하는 단계를 포함하며, 상기 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터가 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고, 상기 화소 영역과 대응되는 보호막 상에 컬러필터층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 컬러필터층이 형성된 기판 상에 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함함으로써, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량을 방지할 수 있다.The method of manufacturing an organic light emitting display device of the present invention for solving the problems of the prior art as described above is a substrate in which a switching transistor (SW-TFT) region, a driving transistor (DR-TFT) region and a pixel region are partitioned. and sequentially forming a first metal layer, a second metal layer, a buffer layer, and a semiconductor layer on the substrate, and using a mask process on the substrate on which the semiconductor layer is formed, the switching A first light-blocking layer in which first and second metal patterns are stacked, a second light-blocking layer in which third and fourth metal patterns are stacked, a first in the transistor SW-TFT region and the driving transistor DR-TFT region, respectively Forming a channel layer and a second channel layer, and forming a gate electrode, a source and a drain electrode on the first channel layer and the second channel layer, respectively, to complete a switching transistor and a driving transistor, forming a passivation layer on the substrate on which the switching transistor and the driving transistor are formed, and forming a color filter layer on the passivation film corresponding to the pixel region, a first electrode, an organic light emitting layer and By including the step of forming the organic light emitting diode composed of the second electrode, when the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are patterned at the same time, it is possible to prevent a residual film defect.
또한, 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역, 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역 및 화소 영역(Pixel)이 구획된 기판을 포함하고, 상기 스위칭 트랜지스터 영역과 구동 트랜지스터 영역에 각각 배치된 제1 및 제2 금속패턴들이 적층된 제1 광차단층과 제3 및 제4 금속패턴들이 적층된 제2 광차단층을 포함하며, 상기 제1 광차단층 상에 배치된 스위칭 트랜지스터와 상기 제2 광차단층 상에 배치된 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 기판의 화소 영역에 배치된 컬러필터층을 포함하며, 상기 컬러필터층과 대응되도록 배치되고, 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 포함함으로써, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량을 방지할 수 있다.
In addition, the organic light emitting display device of the present invention includes a substrate in which a switching transistor (SW-TFT) region, a driving transistor (DR-TFT) region, and a pixel region are partitioned, the switching transistor region and the driving transistor a first light-blocking layer in which first and second metal patterns are stacked, respectively, and a second light-blocking layer in which third and fourth metal patterns are stacked, the switching transistor disposed on the first light-blocking layer; a driving transistor disposed on the second light blocking layer, a color filter layer disposed in a pixel region of the substrate, disposed to correspond to the color filter layer, and comprising a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode By including the organic light emitting diode, when the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are simultaneously patterned, it is possible to prevent a residual film defect.
본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 유기전계발광표시장치의 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층을 이중 금속층으로 형성하여, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량이 발생되는 것을 방지한 효과가 있다.In the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the light blocking layer disposed in the thin film transistor region of the organic light emitting display device is formed as a double metal layer, and when the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are simultaneously patterned, It has the effect of preventing the occurrence of a residual film defect.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층이 식각 공정 중 결정화되어 식각 특성이 저하되는 것을 방지한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device and the method for manufacturing the same according to the present invention have an effect of preventing deterioration of etching characteristics due to crystallization of the light blocking layer disposed in the thin film transistor region during the etching process.
도 1은 일반적으로 유기전계발광표시장치에 형성되는 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.
도 2는 일반적인 유기전계발광표시장치의 화소 영역에 대한 등가회로도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 광차단층 영역에서 콘택홀 또는 식각 공정을 진행하는 모습을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a light emitting principle of an organic light emitting diode generally formed in an organic light emitting display device.
2 is an equivalent circuit diagram of a pixel area of a general organic light emitting display device.
3A to 3G are diagrams illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.
4 and 5 are views illustrating a state in which a contact hole or an etching process is performed in the light blocking layer region of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, and thus the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless ' is used, cases that are not continuous may be included.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. And in the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.3A to 3G are diagrams illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device of the present invention.
도 3a 내지 도 3g를 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치는 표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에는 복수의 화소 영역이 매트릭스 형태로 정의된다.3A to 3G , the organic light emitting display device of the present invention is divided into a display area and a non-display area, and a plurality of pixel areas is defined in a matrix form in the display area.
상기 화소 영역은 데이터 라인, 게이트 라인 및 전원라인(미도시)에 의해 정의되고, 상기 데이터 라인, 게이트 라인 및 전원라인들이 교차하는 영역에는 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 및 구동 트랜지스터(DR-TFT)들이 배치된다. 또한, 화소 영역에는 유기발광다이오드(OLED)가 구동 트랜지스터(DR-TFT)와 전기적으로 연결된다.The pixel area is defined by a data line, a gate line, and a power line (not shown), and a switching transistor SW-TFT and a driving transistor DR-TFT are formed in a region where the data line, the gate line, and the power line cross each other. are placed In addition, in the pixel area, the organic light emitting diode OLED is electrically connected to the driving transistor DR-TFT.
따라서, 여기서는 유기전계발광표시장치의 화소 영역에서 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역, 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역 및 유기발광다이오드(OLED)가 배치된 화소 영역(Pixel)을 중심으로 설명한다.Therefore, in the pixel region of the organic light emitting display device, the description will be mainly focused on the pixel region in which the switching transistor SW-TFT region, the driving transistor DR-TFT region, and the organic light emitting diode OLED are disposed.
먼저, 상기 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역, 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역 및 화소 영역(Pixel)이 구획된 기판(100) 상에 제1 금속층(101) 및 제2 금속층(102)을 순차적으로 적층한다.First, the
상기 제1 금속층(101)은 투명성 도전물질로 된 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 ITZO일 수 있다.The
또한, 상기 제2 금속층(102)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 제2 금속층(102)은 접촉하는 산화물 절연막과 반응하지 않는 물질이 바람직하다.In addition, the
그런 다음, 상기 제2 금속층(102) 상에 버퍼층(104)과 반도체층(105)을 연속으로 형성한다.Then, the
상기 버퍼층(104)은 실리콘 산화물(SiOx, SiO2)의 단일층으로 형성하거나, 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx)을 연속으로 증착하여 형성할 수 있다.The
상기 반도체층(105)은 산화물 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga) 또는 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 예컨대 스퍼터링 (sputtering) 공정으로 Ga-In-Zn-O 산화물 반도체를 형성할 경우, In2O3, Ga2O3 및 ZnO 로 형성된 각각의 타겟을 이용하거나, Ga-In-Zn 산화물의 단일 타겟을 이용할 수 있다. 또한, 스퍼터링 (sputtering) 공정으로 hf-In-Zn-O 산화물 반도체를 형성할 경우, HfO2, In2O3 및 ZnO로 형성된 각각의 타겟을 이용하거나, Hf-In-Zn 산화물의 단일 타겟을 이용할 수 있다.The
상기와 같이, 기판(100) 상에 반도체층(105)이 형성되면, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(105), 버퍼층(104), 제2 금속층(102) 및 제1 금속층(101)을 일괄적으로 식각하여 스위칭 트랜지스터 영역(SW-TFT)과 구동 트랜지스터 영역(DR-TFT)에 각각 제1광차단층(120), 제1버퍼패턴(112a) 및 제1 채널층(114)과, 제2광차단층(110), 제2버퍼패턴(112b) 및 제2 채널층(214)을 동시에 형성한다.As described above, when the
이때, 상기 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)와 구동 트랜지스터(DR-TFT)가 바텀 게이트 구조일 때, 하프톤 마스크 또는 회절 마스크를 이용할 수 있다.In this case, when the switching transistor SW-TFT and the driving transistor DR-TFT have a bottom gate structure, a halftone mask or a diffraction mask may be used.
하지만, 경우에 따라서는 상기 제1 광차단층(120)과 제2 광차단층(110)을 하나의 마스크로 형성한 후, 상기 제1 광차단층(120)과 제2 광차단층(110) 상에 제1 및 제 2 채널층들(114, 214)을 형성할 수 있다.
However, in some cases, after the first light-
따라서, 본 발명의 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)에 배치되는 제1 광차단층(120)은 제1 금속패턴(120a)과 제2 금속패턴(120b)으로 구성되고, 구동 트랜지스터(DR-TFT)에 배치되는 상기 제2 광차단층(110)은 제3 금속패턴(110a)과 제4 금속패턴(110b)으로 구성된다.Accordingly, the first
위에서 언급한 바와 같이, 상기 제1 금속패턴(120a)와 제3 금속패턴(110a)은 투명성 도전물질인 ITO, IZO 또는 ITZO로 형성되고, 상기 제2 금속패턴(120b)과 제4 금속패턴(110b)은 상부의 버퍼패턴과 접촉시 산화막이 형성되지 않는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성한다.As mentioned above, the
따라서, 본 발명에서는 트랜지스터 영역(SW-TFT, DR-TFT)에서 버퍼패턴과 광차단층 사이에 산화막이 형성되지 않아, 박막 트랜지스터의 소자 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, an oxide film is not formed between the buffer pattern and the light blocking layer in the transistor regions (SW-TFT, DR-TFT), thereby preventing deterioration of device characteristics of the thin film transistor.
또한, 본 발명의 트랜지스터 영역(SW-TFT, DR-TFT)에 배치된 광차단층은 하부층은 ITO, IZO 또는 ITZO 중 어느 하나로 형성되고, 상부층은 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)으로 형성되기 때문에 상부층이 식각 선택비가 좋지 않더라도 하부층에 의해 선택적 식각이 가능한 효과가 있다.In addition, in the light blocking layer disposed in the transistor region (SW-TFT, DR-TFT) of the present invention, the lower layer is formed of any one of ITO, IZO, or ITZO, and the upper layer is formed of molybdenum (Mo) or tungsten (W). Even if the upper layer has a poor etch selectivity, selective etching is possible by the lower layer.
특히, 상기 광차단층의 하부층을 IZO와 같은 물질을 사용할 경우, IZO는 고온에서 결정화가 되지 않기 때문에 식각 진행시 잔막 불량이 발생되지 않는 이점이 있다. In particular, when a material such as IZO is used for the lower layer of the light-blocking layer, there is an advantage that a residual film defect does not occur during etching because IZO does not crystallize at a high temperature.
상기와 같이, 스위칭 트랜지스터 영역(SW-TFT)과 구동 트랜지스터 영역(DR-TFT)에 제1 채널층(114)과 제2 채널층(214)이 형성되면, 도 3d에 도시한 바와 같이, 기판(100) 전면에 게이트 절연막과 게이트 금속막을 순차적으로 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 상기 제1 채널층(114) 상부에 제1 게이트 전극(115)을 형성하고, 상기 제2 채널층(214) 상부에 제2 게이트 전극(215)을 형성한다.As described above, when the
상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물(SiOx)의 단일층으로 형성하거나, 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx)을 연속으로 증착하여 형성할 수 있다.The gate insulating layer may be formed as a single layer of silicon oxide (SiOx) or by successively depositing silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).
상기 제1 게이트 전극(115)과 제1 채널층(114) 사이에는 제1 게이트 절연막 패턴(113a)이 형성되고, 상기 제2 게이트 전극(215)과 제2 채널층(214) 사이에는 제2 게이트 절연막 패턴(113b)이 형성된다.A first gate insulating
상기 게이트 금속막은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta) 등과 같은 저저항 불투명 도전물질중 어느 하나의 금속막 또는 이들 물질의 합금을 포함한 이중막 구조 또는 적어도 2개 이상의 금속막이 적층된 구조로 형성될 수 있다.The gate metal layer may include aluminum (Al), an aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum; Mo), titanium (Ti), platinum (Pt), tantalum (tantalum; Ta), such as any one metal film of low-resistance opaque conductive material or a double-layer structure including an alloy of these materials, or at least two The above metal films may be formed in a stacked structure.
상기와 같이, 기판(100) 상에 제1 및 제2 게이트 전극(115, 215)이 형성되면, 도 3e에 도시한 바와 같이, 기판(100) 전면에 층간절연막(116)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 상기 제1 채널층(114)과 제2 채널층(214)의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다.As described above, when the first and
그런 다음, 상기 기판(100)의 전면에 소스/드레인 금속막을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 제1 소스전극(117a), 제2 소스전극(217a), 제2 드레인 전극(117b) 및 제2 드레인전극(217b)들을 형성하여 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 및 구동 트랜지스터(DR-TFT)를 완성한다.Then, a source/drain metal layer is formed on the entire surface of the
상기 소스/드레인 금속막은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리,니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투명한 도전물질과 불투명 도전물질이 적층된 다층 구조로 형성할 수 있다.
The source/drain metal layer may be formed of a low-resistance opaque conductive material such as aluminum, aluminum alloy, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, or tantalum. In addition, indium-tin-oxide (Indium Tin Oxide; ITO), indium-zinc-oxide (Indium Zinc Oxide; IZO), such as a transparent conductive material and an opaque conductive material may be formed in a multi-layered structure stacked.
상기 제1 게이트 전극(115), 제1 채널층(114), 제1 게이트 절연막패턴(113a), 제1 소스전극(117a) 및 제1 드레인전극(117b)들은 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)를 구성하고, 상기 제2 게이트 전극(215), 제2 채널층(214), 제2 게이트 절연막패턴(113b), 상기 제2 소스전극(217a) 및 제2 드레인 전극(217b)들은 구동 트랜지스터(DR-TFT)를 구성한다.The
상기와 같이, 기판(100) 상에 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터가 완성되면, 도 3f 및 도 3g에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 전면에 보호막(216)을 형성한다. 또한, 상기 화소 영역(Pixel)의 보호막(216) 상에는 컬러필터 레진을 이용하여 컬러필터층(CF)을 형성한다.As described above, when the switching transistor and the driving transistor are completed on the
그런 다음, 상기 기판(100) 전면에 오버코트층(227)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 상기 제2 드레인 전극(217b)과 대응되는 층간절연막(116) 및 오버코트층(227)을 식각하여 상기 제2 드레인 전극(217b)의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다.Then, an
그런 다음, 기판(100) 전면에 투명성 도전물질을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 상기 컬러필터층(CF)과 대응되는 오버코트층(227) 상에 제1전극(353)을 형성한다. 상기 제1 전극(353)은 콘택홀에 의해 노출된 제2 드레인 전극(217b)과 전기적으로 연결된다.Then, a transparent conductive material is formed on the entire surface of the
또한, 하부발광 방식 유기발광표시장치의 경우에는 상기 제1 전극(353)은 유기발광다이오드의 캐소드 전극(Cathode)일 수 있다.In addition, in the case of a bottom light emitting type organic light emitting display device, the
상기와 같이, 제 1 전극(353)이 화소 영역에 형성되면, 절연층을 기판(100) 전면에 형성하고, 마스크 공정에 따라 각각의 화소 영역이 노출된 뱅크층(228)을 형성한다.As described above, when the
상기와 같이, 뱅크층(228)이 기판(100) 상에 형성되면, 상기 기판(100) 전면에 유기발광층(354)과 제2 전극(355)을 형성하여, 유기발광다이오드(OLED)를 완성한다.As described above, when the
상기 유기발광층(354)은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 상기 정공수송층에는 전자차단층(EBL)을 더 포함할 수 있고, 상기 전자수송층(ETL)은 PBD, TAZ, Alq3, BAlq, TPBI, Bepp2와 같은 저분자재료를 사용하여 형성할 수 있다.The
상기 유기발광층(354)의 발광층은 유기물에 따라 발광하는 색이 달라지므로, 각각의 화소 영역별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광층을 형성하여, 풀컬러(Full color)를 구현하거나, 상기 발광층을 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 유기물질들이 적층된 백색 발광층으로 구현할 수 있다.Since the emission color of the emission layer of the
본 발명에서는 기판(100)의 화소 영역에 컬러필터들이 형성되기 때문에 발광층(EML)은 백색광을 발생하는 것이 바람직하다. In the present invention, since color filters are formed in the pixel area of the
이와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 유기전계발광표시장치의 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층을 이중 금속층으로 형성하여, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량이 발생되는 것을 방지한 효과가 있다.As described above, in the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the light blocking layer disposed in the thin film transistor region of the organic light emitting display device is formed as a double metal layer, and the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are simultaneously patterned. When it is done, there is an effect of preventing a residual film defect from occurring.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층이 식각 공정 중 결정화되어 식각 특성이 저하되는 것을 방지한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device and the method for manufacturing the same according to the present invention have an effect of preventing deterioration of etching characteristics due to crystallization of the light blocking layer disposed in the thin film transistor region during the etching process.
도 4 및 도 5는 본 발명의 광차단층 영역에서 콘택홀 또는 식각 공정을 진행하는 모습을 도시한 도면이다.4 and 5 are views illustrating a state in which a contact hole or an etching process is performed in the light blocking layer region of the present invention.
도 3c와 함께 도 4를 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치의 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에서는 제2 채널층(214), 제2 버퍼패턴(112b) 및 제2 광차단층(110)을 제1 감광막패턴(400)을 이용하여 일괄적으로 식각하였다.Referring to FIG. 4 together with FIG. 3C , in the driving transistor (DR-TFT) region of the organic light emitting diode display according to the present invention, the
상기 제1 감광막패턴(400)은 하프톤 마스크 또는 회절 마스크를 이용하여 형성할 수 있다.The
본 발명의 제2 광차단층(110)은 제3금속패턴(110a)과 제4금속패턴(110b)의 이중층 구조로 형성되기 때문에 제4금속패턴(110b)과 제2 버퍼패턴(112b)의 식각 선택비가 우수하지 않더라도 제3금속패턴(110a)에 의해 제2 광차단층(110)은 선택적 식각이 가능하다.Since the second
예를 들어, 상기 제2 광차단층(110)을 구동 트랜지스터(DR-TFT)의 듀얼(Dual) 게이트 전극으로 사용할 경우 또는 제2 광차단층(110)을 그라운드 또는 전원단자와 연결하는 경우, 상기 제2 광차단층(110)의 측면이 완만한 테이퍼를 유지하면서 식각되기 때문에 전기적 접촉 특성이 우수해진다.For example, when the second light-
또한, 상기 제2 광차단층(110)을 다른 배선과 연결하기 위해 콘택홀을 형성하는 경우, 제2 광차단층(110)의 제4 금속패턴(110b)은 식각되고, 제3 금속패턴(110a)은 남길 수 있다.In addition, when a contact hole is formed to connect the second light-
즉, 종래와 같이, 광차단층으로 티타늄(Ti)을 사용하면 버퍼패턴과 화학적 반응을 일으켜 광차단층 표면에 산화막(Oxide layer)이 형성되어 트랜지스터 성능을 저하시킨다.That is, as in the prior art, when titanium (Ti) is used as the light blocking layer, a chemical reaction occurs with the buffer pattern to form an oxide layer on the surface of the light blocking layer, thereby reducing transistor performance.
하지만, 본 발명에서는 버퍼패턴과 화학 반응을 일으키지 않는 몰리브덴(Mo) 또는 텅스턴(W)으로 제4 금속패턴(110b)을 형성하고, 상기 제4 금속패턴(110b)의 낮은 식각 선택비를 보완하기 위해 상기 제4 금속패턴(110b) 하부에 투명성 도전물질로된 제3 금속패턴(110a)을 배치하였다.However, in the present invention, the
따라서, 본 발명의 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)와 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 배치되는 광차단층은 버퍼패턴과 화학 반응에 의해 산화막을 형성하지 않으면서 식각시 선택적 식각이 가능한 효과가 있다.
Accordingly, the light-blocking layer disposed in the switching transistor (SW-TFT) and driving transistor (DR-TFT) regions of the present invention has an effect of enabling selective etching during etching without forming an oxide layer by a chemical reaction with the buffer pattern.
도 5는 본 발명의 다른 실시예로써, 유기전계발광표시장치의 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)와 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 배치되는 광차단층(310)을 이중 금속패턴 구조로 형성한다.5 is another embodiment of the present invention, wherein the
상기 광차단층(310)의 제1광차단층패턴(310a)은 고온에서 결정화가 되지 않는 투명성 도전물질(IZO)을 사용하고, 상기 제2광차단층패턴(310b)은 버퍼패턴(315)과의 사이에서 산화막이 형성되지 않는 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)을 사용한 경우이다.The first light-
따라서, 기판(G) 상에 형성된 트랜지스터의 채널층(314), 버퍼패턴(315) 및 광차단층(310)을 일괄적으로 식각할 경우, 식각 영역에서 상기 광차단층(310)의 제1 광차단패턴(310a)이 잔막 없이 식각되는 것을 볼 수 있다.Accordingly, when the
즉, 본 발명에서는 스위칭 트랜지스터(SW-TFT)와 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 이중층 구조를 갖는 광차단층을 배치하되, 기판과 접촉하는 하부의 광차단패턴을 고온에서 결정화되지 않는 물질을 사용하여 식각시 잔막 불량을 개선하였다.That is, in the present invention, a light blocking layer having a double-layer structure is disposed in the switching transistor (SW-TFT) and driving transistor (DR-TFT) regions, and a material that does not crystallize at a high temperature for the lower light blocking pattern in contact with the substrate is used. Thus, the residual film defect during etching was improved.
본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 유기전계발광표시장치의 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층을 이중 금속층으로 형성하여, 박막 트랜지스터의 채널층과 광차단층이 동시에 패터닝될 때, 잔막 불량이 발생되는 것을 방지한 효과가 있다.In the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the light blocking layer disposed in the thin film transistor region of the organic light emitting display device is formed as a double metal layer, and when the channel layer and the light blocking layer of the thin film transistor are simultaneously patterned, It has the effect of preventing the occurrence of a residual film defect.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은, 박막 트랜지스터 영역에 배치되는 광차단층이 식각 공정 중 결정화되어 식각 특성이 저하되는 것을 방지한 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device and the method for manufacturing the same according to the present invention have an effect of preventing deterioration of etching characteristics due to crystallization of the light blocking layer disposed in the thin film transistor region during the etching process.
100: 기판 115: 제1 게이트 전극
215: 제2 게이트 전극 114: 제1 채널층
214: 제2 채널층 120: 제1 광차단층
110: 제2 광차단층 353: 제1 전극
354: 유기발광층 355: 제2 전극100: substrate 115: first gate electrode
215: second gate electrode 114: first channel layer
214: second channel layer 120: first light blocking layer
110: second light blocking layer 353: first electrode
354: organic light emitting layer 355: second electrode
Claims (6)
상기 기판 상에 제1 금속층, 제2 금속층, 버퍼층 및 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 반도체층이 형성된 기판 상에 마스크 공정을 이용하여, 상기 스위칭 트랜지스터(SW-TFT) 영역 및 구동 트랜지스터(DR-TFT) 영역에 각각 제1 및 제2 금속패턴들이 적층된 제1 광차단층, 제3 및 제4 금속패턴들이 적층된 제2 광차단층, 제1 채널층 및 제2 채널층을 형성하는 단계;
상기 제1 채널층과 제2 채널층에 각각 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 형성하여 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 완성하는 단계;
상기 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터가 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고, 상기 화소 영역과 대응되는 보호막 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 및
상기 컬러필터층이 형성된 기판 상에 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
providing a substrate in which a switching transistor (SW-TFT) region, a driving transistor (DR-TFT) region, and a pixel region are partitioned;
sequentially forming a first metal layer, a second metal layer, a buffer layer, and a semiconductor layer on the substrate;
A first light blocking layer in which first and second metal patterns are stacked on the substrate on which the semiconductor layer is formed, respectively, in the switching transistor (SW-TFT) region and the driving transistor (DR-TFT) region using a mask process; forming a second light blocking layer, a first channel layer, and a second channel layer on which third and fourth metal patterns are stacked;
forming a gate electrode, a source and a drain electrode on the first channel layer and the second channel layer, respectively, to complete a switching transistor and a driving transistor;
forming a passivation layer on the substrate on which the switching transistor and the driving transistor are formed, and forming a color filter layer on the passivation layer corresponding to the pixel region; and
and forming an organic light emitting diode including a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode on the substrate on which the color filter layer is formed.
The method of claim 1 , wherein the first metal pattern of the first light-blocking layer and the third metal pattern of the second light-blocking layer are formed of any one of ITO, IZO, and ITZO.
The organic electroluminescence of claim 1, wherein the second metal pattern of the first light blocking layer and the fourth metal pattern of the second light blocking layer are formed of molybdenum (Mo), tungsten (W), or an alloy thereof. A method for manufacturing a display device.
The method of claim 1 , wherein a halftone mask or a diffraction mask is used in the mask process for forming the first and second light blocking layers.
상기 스위칭 트랜지스터 영역에 배치되고 제1 금속패턴 및 제2 금속패턴이 적층된 제1 광차단층;
상기 구동 트랜지스터 영역에 배치되고 제3 금속패턴 및 제4 금속패턴이 적층된 제2 광차단층;
상기 제1 광차단층 상에 배치된 스위칭 트랜지스터;
상기 제2 광차단층 상에 배치된 구동 트랜지스터;
상기 기판의 화소 영역에 배치된 컬러필터층; 및
상기 컬러필터층과 대응되도록 배치되고, 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 포함하고,
상기 제1 광차단층의 제1 금속패턴과 상기 제2 광차단층의 제3 금속패턴은 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 형성되는 유기전계발광표시장치.
a substrate in which a switching transistor (SW-TFT) region, a driving transistor (DR-TFT) region, and a pixel region are partitioned;
a first light blocking layer disposed in the switching transistor region and having a first metal pattern and a second metal pattern stacked thereon;
a second light blocking layer disposed in the driving transistor region and having a third metal pattern and a fourth metal pattern stacked thereon;
a switching transistor disposed on the first light-blocking layer;
a driving transistor disposed on the second light blocking layer;
a color filter layer disposed in the pixel region of the substrate; and
and an organic light emitting diode disposed to correspond to the color filter layer and comprising a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode,
The first metal pattern of the first light blocking layer and the third metal pattern of the second light blocking layer are formed of indium-zinc-oxide (IZO).
상기 제1 광차단층의 제1 금속패턴의 측면과 제1 버퍼패턴의 측면은 공면을 이루고, 상기 제2 광차단층의 제3 금속패턴의 측면과 제2 버퍼패턴의 측면은 공면을 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 5, wherein a first buffer pattern and a first channel layer of a switching transistor are stacked on the first light blocking layer, and a second buffer pattern and a second channel layer of the driving transistor are stacked on the second light blocking layer,
A side surface of the first metal pattern of the first light blocking layer and a side surface of the first buffer pattern form a coplanar surface, and a side surface of the third metal pattern of the second light blocking layer and a side surface of the second buffer pattern form a coplanar surface. organic light emitting display device.
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