KR102273516B1 - Substrate treatment apparatus and temperature control method - Google Patents

Substrate treatment apparatus and temperature control method Download PDF

Info

Publication number
KR102273516B1
KR102273516B1 KR1020180164974A KR20180164974A KR102273516B1 KR 102273516 B1 KR102273516 B1 KR 102273516B1 KR 1020180164974 A KR1020180164974 A KR 1020180164974A KR 20180164974 A KR20180164974 A KR 20180164974A KR 102273516 B1 KR102273516 B1 KR 102273516B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
shower plate
gas
processing apparatus
heater
Prior art date
Application number
KR1020180164974A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190076872A (en
Inventor
세이지 다나카
츠토무 사토요시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190076872A publication Critical patent/KR20190076872A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102273516B1 publication Critical patent/KR102273516B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

샤워 플레이트와 베이스 부재를 제각기 온도 제어한다.
기판 처리 장치(10)는, 기판(S)이 적재되는 적재대(30)에 대향하여 처리 용기(20) 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드(40)를 갖는다. 샤워 헤드(40)는, 적재대(30)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되고, 히터(50)가 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)의 적재대(30)와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 유로(60)가 설치된 베이스 부재(42)를 갖는다.The shower plate and the base member are temperature controlled, respectively.
The substrate processing apparatus 10 is disposed in the processing container 20 opposite to the mounting table 30 on which the substrate S is mounted, and includes a shower head 40 that ejects processing gas. The shower head 40 is disposed to face the mounting table 30 , a plurality of gas holes 43 for ejecting processing gas are formed in the processing container 20 , and a shower plate 41 provided with a heater 50 . ) and the back side of the opposite surface of the shower plate 41 facing the mounting table 30 , a space for supplying the processing gas to the plurality of gas holes 43 is formed, and the flow path 60 is formed It has an installed base member (42).

Description

기판 처리 장치 및 온도 제어 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND TEMPERATURE CONTROL METHOD}SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND TEMPERATURE CONTROL METHOD

본 발명의 다양한 측면 및 실시 형태는, 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법에 관한 것이다.Various aspects and embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a temperature control method.

종래부터, 처리 용기 내에 배치된 유리 기판 등의 기판에 대해 처리 가스를 공급하여 에칭 처리 등의 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치로서는, 예를 들어 플라스마 처리 장치가 알려져 있다. 플라스마 처리 장치는, 기판과 대향하도록 배치된 샤워 헤드로부터 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the substrate processing apparatus which supplies processing gas with respect to substrates, such as a glass substrate arrange|positioned in a processing container, performs substrate processing, such as an etching process, is known. As such a substrate processing apparatus, a plasma processing apparatus is known, for example. The plasma processing apparatus ejects the processing gas from a shower head disposed to face the substrate and applies high-frequency power to convert the processing gas into a plasma, thereby performing the etching process.

그런데 플라스마 처리 장치에서는, 에칭 처리 등에 있어서 샤워 헤드의 표면에 퇴적물이 발생하면 파티클의 발생원이 된다. 이 때문에, 샤워 헤드를 고온으로 하여 퇴적물이 발생하지 않도록 하는 기술이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 샤워 헤드를, 가스 확산 공간이 형성된 베이스 부재와, 처리 가스를 분출시키기 위한 복수의 가스 구멍이 형성된 샤워 플레이트를 접합한 구성으로 하고, 베이스 부재에 칠러 유로를 형성하여 샤워 헤드의 온도 제어를 행하는 구조가 제안되어 있다.However, in a plasma processing apparatus, when a deposit is generated on the surface of a shower head in an etching process etc., it becomes a generation source of a particle. For this reason, a technique is known in which the shower head is heated to a high temperature so that deposits are not generated. For example, in Patent Document 1, the shower head has a structure in which a base member having a gas diffusion space is formed and a shower plate having a plurality of gas holes for ejecting processing gas are joined, and a chiller flow path is formed in the base member. Thus, a structure for controlling the temperature of the shower head has been proposed.

일본 특허 공개 제2008-177428호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2008-177428

그러나 특허문헌 1에 기재된 구조는, 베이스 부재와 샤워 플레이트 사이에는 가스 확산 공간이 있기 때문에, 샤워 플레이트 표면의 온도 제어라고 하는 점에서는 충분하지 않다. 또한, 퇴적물이 발생하지 않도록 전체적으로 고온으로 한 경우에는, 샤워 헤드 전체가 고온이 되어 팽창되어, 문제가 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 샤워 헤드 전체가 팽창된 경우, 샤워 헤드를 보유 지지하는 보유 지지 부재의 시일이 진공을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다. 또한, 금속막을 에칭하는 경우는, 염소 등의 할로겐계 가스를 처리 가스로 하여 플라스마 처리를 행한다. 이 경우, 알루미늄 등으로 구성되는 베이스 부재는 할로겐계 가스에 대해 내식성을 향상시키기 위해 알루마이트 처리가 실시된다. 금속막을 에칭하는 경우도 샤워 플레이트를 고온으로 함으로써 퇴적물을 억제할 수 있지만, 베이스 부재의 알루마이트는 고온이 되면 크랙을 발생하여 내식성이 현저하게 저하된다. 이 때문에, 금속막 에칭에 있어서 샤워 플레이트 표면에의 퇴적물 억제와 베이스 부재의 내식성을 양립시키는 것은 곤란하다.However, the structure described in Patent Document 1 is not sufficient in terms of temperature control of the shower plate surface because there is a gas diffusion space between the base member and the shower plate. In addition, when the overall temperature is set to a high temperature so as not to generate deposits, the entire shower head becomes high temperature and expands, which may cause a problem. For example, when the entire shower head is inflated, the seal of the holding member holding the shower head may not be able to maintain the vacuum. Moreover, when etching a metal film, plasma processing is performed using halogen-type gas, such as chlorine, as a process gas. In this case, the base member made of aluminum or the like is anodized to improve corrosion resistance to halogen-based gases. When the metal film is etched, deposits can be suppressed by heating the shower plate to a high temperature. However, when the alumite of the base member becomes high temperature, cracks occur and the corrosion resistance is remarkably reduced. For this reason, it is difficult to achieve both suppression of deposits on the shower plate surface and corrosion resistance of the base member in etching the metal film.

개시하는 기판 처리 장치는, 하나의 실시 양태에 있어서, 기판이 적재되는 적재대에 대향하여 처리 용기 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드를 갖는다. 샤워 헤드는, 적재대에 대향하여 배치되고, 처리 용기 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와, 샤워 플레이트의 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 갖는다.The disclosed substrate processing apparatus according to one embodiment includes a shower head disposed in a processing container opposite to a mounting table on which a substrate is mounted, and configured to eject a processing gas. The shower head is disposed to face the mounting table, a plurality of gas holes for ejecting the processing gas are formed in the processing container, and a shower plate provided with heating means, and a back surface of the shower plate opposite to the mounting table It has a base member joined, provided with a space for supplying a processing gas to the plurality of gas holes, and provided with a temperature adjusting means.

개시하는 기판 처리 장치의 하나의 양태에 의하면, 샤워 플레이트와 베이스 부재를 제각기 온도 제어할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.According to one aspect of the disclosed substrate processing apparatus, there is an effect that the temperature of the shower plate and the base member can be controlled separately.

도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다.
도 2b는 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3a는 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3b는 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 4는 절연막 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5는 메탈층 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematically the substrate processing apparatus which concerns on embodiment.
2A is a plan view showing the lower surface side of the shower plate according to the first embodiment.
2B is a cross-sectional view showing a cross section of the shower plate according to the first embodiment.
3A is a cross-sectional view showing the configuration of a power supply system for supplying electric power to a heater.
Figure 3b is a plan view showing the configuration of the power supply system for supplying electric power to the heater.
4 is a view for explaining an example of processing conditions for etching an insulating film.
It is a figure explaining an example of the process condition of metal layer etching.
6 is a plan view showing the lower surface side of the shower plate according to the second embodiment.
7 is a diagram schematically showing the configuration of a shower head according to the third embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다. 또한, 본 실시 형태에 의해 개시하는 발명이 한정되는 것은 아니다. 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the substrate processing apparatus and temperature control method disclosed by this application with reference to drawings is described in detail. In addition, in each figure, the same code|symbol shall be attached|subjected about the same or corresponding part. In addition, the invention disclosed by this embodiment is not limited. Each embodiment can be appropriately combined within a range that does not contradict the processing contents.

(제1 실시 형태)(First embodiment)

[기판 처리 장치의 구성][Configuration of substrate processing apparatus]

실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성에 대해 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(10)는, 기판에 대해 소정의 기판 처리를 행하는 장치이다. 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(10)를, 기판에 대해 플라스마 에칭을 행하는 플라스마 처리 장치로 한 경우를 예로 들어 설명한다. 이하에서는, 기판 처리 장치(10)에 대해, 주로 본 발명과 관련된 부분의 구성을 도시하여 설명한다. 도 1에는, 기판 처리 장치(10)의 종단면에 있어서의 구조가 개략적으로 나타나 있다.The structure of the substrate processing apparatus 10 which concerns on embodiment is demonstrated. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment. The substrate processing apparatus 10 is an apparatus that performs predetermined substrate processing on a substrate. In this embodiment, the case where the substrate processing apparatus 10 is a plasma processing apparatus which performs plasma etching with respect to a board|substrate is taken as an example and demonstrated. Hereinafter, about the substrate processing apparatus 10, the structure of the part mainly related to this invention is shown and demonstrated. 1 schematically shows a structure in a longitudinal section of the substrate processing apparatus 10 .

기판 처리 장치(10)는, 그 내부에 있어서 기판(S)에 대해, 에칭 처리를 실시하기 위한 각통 형상의 처리 용기(20)를 구비하고 있다. 이 기판(S)은, 예를 들어 FPD(Flat Panel Display) 등에 사용되는 각형의 유리 기판이다. 예를 들어, 기판(S)은, 제10세대의 기판 사이즈의 경우, 한 변이 2,880㎜, 다른 변이 3,080㎜ 정도인 크기의 직사각 형상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)의 사이즈에 대응하여 대형화되어 있다. 처리 용기(20)는, 평면 형상이 직사각 형상으로 구성되고, 천장부가 개구되는 용기 본체(21)와, 이 용기 본체(21)의 천장 개구부를 폐색하도록 설치된 상부 덮개(22)를 구비하고 있다. 용기 본체(21) 및 상부 덮개(22)는, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속에 의해 구성되고, 각각 접지되어 있다.The substrate processing apparatus 10 is provided with the processing container 20 in the shape of a square cylinder for performing an etching process with respect to the board|substrate S in the inside. This board|substrate S is a square glass substrate used for FPD(Flat Panel Display) etc., for example. For example, in the case of the substrate size of the 10th generation, the substrate S is formed in a rectangular shape having a size of about 2,880 mm on one side and about 3,080 mm on the other side. For this reason, the substrate processing apparatus 10 is enlarged corresponding to the size of the board|substrate S. The processing container 20 has a rectangular planar shape, and includes a container body 21 having an open ceiling, and an upper lid 22 provided to close the ceiling opening of the container body 21 . The container body 21 and the upper lid 22 are made of metal such as aluminum or stainless steel, and are grounded, respectively.

용기 본체(21) 내의 하부에는, 기판(S)을 적재하기 위한 적재대(30)가 설치되어 있다. 적재대(30)는, 용기 본체(21) 내의 저부에 배치된 지지부(31)를 통해 수평으로 지지되어 있다. 적재대(30)는, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속에 의해 구성되고, 도시하지 않은 고주파 전력 공급 부재에 의해 고주파 전력이 공급되고, 기판(S)에 대해 바이어스 전력을 인가하여, 소정의 플라스마 처리를 행한다.In the lower part in the container body 21, the mounting table 30 for mounting the board|substrate S is provided. The mounting table 30 is horizontally supported via the support part 31 arrange|positioned at the bottom in the container main body 21. As shown in FIG. The mounting table 30 is made of metal such as aluminum or stainless steel, and is supplied with high frequency power by a high frequency power supply member (not shown), and applies bias power to the substrate S to perform a predetermined plasma treatment. do

또한, 용기 본체(21)의 측벽 하부에는, 배기로(32)를 통해, 예를 들어 진공 펌프 등으로 이루어지는 진공 배기 수단이 접속되어 있다. 진공 배기 수단은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 진공 배기 수단이 그 신호에 따라서, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내가 원하는 진공도로 유지되도록 구성되어 있다.Further, a vacuum evacuation means such as a vacuum pump or the like is connected to a lower portion of the side wall of the container body 21 via an exhaust passage 32 . The evacuation means receives a control signal from the control unit 90 to be described later, and the evacuation means evacuates the inside of the processing container 20 according to the signal so that the inside of the processing container 20 is maintained at a desired vacuum level. has been

또한, 처리 용기(20)의 적재대(30)의 상방에는, 기판(S)에 처리 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드(40)가 설치되어 있다.In addition, a shower head 40 for supplying a processing gas to the substrate S is provided above the mounting table 30 of the processing container 20 .

샤워 헤드(40)는, 적재대(30)와 대향하도록 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)를 지지하는 베이스 부재(42)를 구비하고 있다.The shower head 40 includes a shower plate 41 provided to face the mounting table 30 and a base member 42 for supporting the shower plate 41 .

샤워 플레이트(41)는, 기판(S)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되어 있다.The shower plate 41 is disposed to face the substrate S, and a plurality of gas holes 43 for ejecting a processing gas are formed in the processing container 20 .

도 2a는, 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다. 도 2b는, 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2b는, 도 2a의 A-A선의 위치에서의 단면을 나타내고 있다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 샤워 플레이트(41)는, 각판 형상으로 형성되어 있고, 중앙 부분(41a)에, 두께 방향으로 다수의 가스 구멍(43)이 천공되어 있다. 가스 구멍(43)은, 기판(S)의 변을 따라, 중앙 부분(41a)에 소정의 간격으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 또한, 샤워 플레이트(41)는, 중앙 부분(41a)을 둘러싸는 주변 부분(41b)에, 복수의 관통 구멍(44)이 천공되어 있다. 샤워 플레이트(41)는, 각 관통 구멍(44)에 삽입된 나사(45)에 의해 베이스 부재(42)에 고정되어 있다.2A is a plan view showing the lower surface side of the shower plate according to the first embodiment. 2B is a cross-sectional view showing a cross section of the shower plate according to the first embodiment. Fig. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A in Fig. 2A. As shown in FIG. 2A , the shower plate 41 is formed in a rectangular plate shape, and a number of gas holes 43 are perforated in the central portion 41a in the thickness direction. The gas holes 43 are arranged in a matrix shape at predetermined intervals in the central portion 41a along the side of the substrate S. Further, in the shower plate 41 , a plurality of through holes 44 are perforated in the peripheral portion 41b surrounding the central portion 41a . The shower plate 41 is fixed to the base member 42 by screws 45 inserted into each through hole 44 .

샤워 플레이트(41)에는, 샤워 플레이트(41)를 원하는 온도로 가열 가능한 가열 수단이 설치되어 있다. 예를 들어, 샤워 플레이트(41)는, 히터(50)가 내부에 매설된 히터 플레이트로서 구성되어 있다. 히터(50)는, 가스 구멍(43)의 사이를 통과하고, 또한 배치 위치가 소정의 간격으로 망라적으로 배치되도록 중앙 부분(41a) 내를 만곡하여 배치되어 있다. 도 2a에는, 히터(50)의 배치의 일례가 나타나 있다. 또한, 히터(50)는, 샤워 플레이트(41)에 매설되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 히터(50)는 샤워 플레이트(41)의 이면에 설치해도 된다. 예를 들어, 샤워 플레이트(41)는 베이스 부재(42)측에, 히터(50)가 설치된 히터 유닛이 접촉 배치되어 있어도 된다.The shower plate 41 is provided with heating means capable of heating the shower plate 41 to a desired temperature. For example, the shower plate 41 is configured as a heater plate in which the heater 50 is embedded. The heater 50 passes between the gas holes 43 and is arranged in a curved manner in the central portion 41a so that the arrangement positions are comprehensively arranged at predetermined intervals. An example of the arrangement of the heater 50 is shown in FIG. 2A . In addition, the heater 50 does not need to be embedded in the shower plate 41 . For example, the heater 50 may be provided on the back surface of the shower plate 41 . For example, the shower plate 41 may have a heater unit provided with the heater 50 in contact with the base member 42 side.

히터(50)는, 처리 용기(20)의 외부에 설치된 후술하는 히터 전원에 전기적으로 접속되고, 히터 전원으로부터 공급되는 전력에 의해 발열한다.The heater 50 is electrically connected to a heater power supply installed outside the processing container 20 , which will be described later, and generates heat by electric power supplied from the heater power supply.

도 3a는, 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3b는, 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타낸 평면도이다.3A is a cross-sectional view showing the configuration of a power supply system for supplying electric power to a heater. 3B is a plan view showing the configuration of a power supply system for supplying electric power to a heater.

샤워 플레이트(41)의 주변부에는, 히터(50)의 단부가 노출된 단자부(50a)가 설치되어 있다. 또한, 상부 덮개(22)의 측벽에는, 단자부(50a)의 위치에 대응하는 위치에 급전 단자 도입 구멍(54)이 형성되고, 급전 단자 도입 구멍(54)에 급전 단자(51)가 설치되어 있다. 단자부(50a)와 급전 단자(51)는, 커넥터(52)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 3a는, 샤워 플레이트(41)의 단자부(50a)와 급전 단자(51)의 접속 부분의 단면을 나타내고 있다. 도 3b는, 샤워 플레이트(41)의 단자부(50a)와 급전 단자(51)의 접속 부분의 하면측을 나타내고 있다.A terminal portion 50a in which an end of the heater 50 is exposed is provided in the peripheral portion of the shower plate 41 . Further, on the side wall of the top cover 22, a power feeding terminal introduction hole 54 is formed at a position corresponding to the position of the terminal portion 50a, and a feeding terminal 51 is provided in the power feeding terminal introduction hole 54. . The terminal portion 50a and the power supply terminal 51 are electrically connected by a connector 52 . 3A shows a cross section of a connection portion between the terminal portion 50a of the shower plate 41 and the power supply terminal 51 . FIG. 3B shows the lower surface side of the connection portion between the terminal portion 50a of the shower plate 41 and the power supply terminal 51 .

급전 단자(51)는, 배선을 통해 히터 전원(53)에 전기적으로 접속되고, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 공급된다. 히터(50)는, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 급전 단자(51) 및 커넥터(52)를 통해 공급된다. 히터 전원(53)은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어함으로써, 히터(50)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다. 또한, 히터(50)의 온도 제어를 행하기 위해, 급전 단자 도입 구멍(54)과 마찬가지의 구성으로, 열전대나 측온 저항체 등의 온도 센서가 접속된다.The power supply terminal 51 is electrically connected to the heater power supply 53 via wiring, and electric power from the heater power supply 53 is supplied. The heater 50 is supplied with electric power from the heater power supply 53 through the power supply terminal 51 and the connector 52 . The heater power supply 53 is capable of controlling the electric power supplied to the heater 50 by receiving a control signal from the control unit 90 described later. The control unit 90 can control the temperature of the heater 50 by controlling the electric power supplied to the heater 50 . In addition, in order to control the temperature of the heater 50, a temperature sensor such as a thermocouple or a resistance thermometer is connected in the same configuration as that of the power supply terminal introduction hole 54 .

이와 같이, 샤워 플레이트(41)에 히터(50)를 설치하고, 상부 덮개(22)에 급전 단자(51)를 설치하여 급전 단자(51)로부터 히터(50)에 급전하는 구성으로 함으로써, 본 실시 형태의 구성이 도입되어 있지 않은 기존의 기판 처리 장치에 대해서도, 상부 덮개(22)에 급전 단자 도입 구멍(54)을 추가하고, 샤워 플레이트(41)를 교환함으로써, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(10)의 구성을 용이하게 도입할 수 있다.As described above, by providing a heater 50 on the shower plate 41 and a power supply terminal 51 on the top cover 22 to supply power from the power supply terminal 51 to the heater 50, this embodiment Also in the existing substrate processing apparatus to which the configuration of the form is not introduced, the substrate processing apparatus of the present embodiment ( by adding a power supply terminal introduction hole 54 to the top cover 22 and replacing the shower plate 41 ) 10) can be easily introduced.

여기서, 기판 처리 장치(10)에서는, 에칭을 행할 때, 샤워 헤드(40)로부터 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 샤워 플레이트(41)에 대해 도시하지 않은 배선을 통해 도시하지 않은 고주파 전원으로부터 소정의 주파수의 고주파 전력을 인가하여, 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)에 고주파 전력을 인가하여 플라스마화하는 용량 결합 플라스마원을 갖는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리 장치(10)에 채용 가능한 플라스마원으로서는, 예를 들어 안테나에 고주파 전력을 인가함으로써 플라스마를 생성하는 유도 결합 플라스마원 등을 들 수 있다.Here, in the substrate processing apparatus 10 , when etching is performed, the processing gas is ejected from the shower head 40 , and high-frequency power is applied to convert the processing gas into a plasma, thereby performing the etching process. For example, in the substrate processing apparatus 10 , a high-frequency power of a predetermined frequency is applied from a high-frequency power source (not shown) to the shower plate 41 via a wiring (not shown), and the processing gas is converted into a plasma, thereby performing an etching process. do In addition, although it is assumed that the substrate processing apparatus 10 has a capacitively coupled plasma source that generates plasma by applying high-frequency power to the shower plate 41 , it is not limited thereto. As a plasma source employable in the substrate processing apparatus 10, the inductively coupled plasma source etc. which generate|occur|produce a plasma by applying high frequency power to an antenna are mentioned, for example.

처리 가스를 플라스마화하기 위해 인가되는 고주파 전력은, 히터(50)의 배선에 고주파 노이즈로서 악영향을 미치는 경우가 있다.The high-frequency power applied to transform the processing gas into a plasma may have an adverse effect on the wiring of the heater 50 as high-frequency noise.

그래서 기판 처리 장치(10)에서는, 히터(50), 단자부(50a), 급전 단자(51), 커넥터(52)의 배선 주위에 도전성 실드를 설치하고 있다. 예를 들어, 히터(50), 단자부(50a), 급전 단자(51) 및 커넥터(52)는 도전성의 실드로서, 스테인리스 관을 사용하고 있고, 스테인리스 관의 내부를 절연하여 배선을 배치하고 있다. 또한, 도전성 실드의 부재는, 알루미늄이어도 된다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 10 , a conductive shield is provided around wirings of the heater 50 , the terminal portion 50a , the power supply terminal 51 , and the connector 52 . For example, the heater 50 , the terminal part 50a , the power supply terminal 51 , and the connector 52 use a stainless steel tube as a conductive shield, and insulate the inside of the stainless steel tube to arrange wiring. In addition, aluminum may be sufficient as the member of an electroconductive shield.

급전 단자(51)는, 상부 덮개(22)의 급전 단자 도입 구멍(54)과의 사이에, O링 등의 기밀 부재가 설치되어 처리 용기(20) 내의 기밀성을 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 급전 단자(51)는, 처리 용기(20)의 외부측에서 접지 전위로 된 부재에 접속되어 있다. 예를 들어, 상부 덮개(22)는, 접지되어 있는 용기 본체(21)와 접촉함으로써 접지 전위로 되어 있다. 급전 단자(51)는 처리 용기(20)의 외부측에서 도전성의 실드가 상부 덮개(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전력에 의해 발생하는 고주파 노이즈를 차단할 수 있어, 히터(50)로의 전력을 안정적으로 제어할 수 있다.An airtight member such as an O-ring is provided between the power feed terminal 51 and the feed terminal introduction hole 54 of the upper cover 22 to maintain airtightness in the processing container 20 . In addition, the power supply terminal 51 is connected to a member having a ground potential from the outside of the processing container 20 . For example, the upper lid 22 is brought into ground potential by contacting the container body 21 that is grounded. The electric power supply terminal 51 is electrically connected to the upper cover 22 by a conductive shield on the outer side of the processing container 20 . Thereby, the high-frequency noise generated by the high-frequency power can be blocked, and the power to the heater 50 can be controlled stably.

도 1로 되돌아간다. 베이스 부재(42)는, 샤워 플레이트(41)의 기판(S)과 대향하는 대향면의 이면측에 접합되어 있다. 베이스 부재(42)는, 상면의 외연에 설치된 보유 지지 부재(47)에 의해 상부 덮개(22)에 고정되어 있다. 보유 지지 부재(47)는, 처리 용기(20) 내의 진공의 유지나 파티클의 진입 억제를 위해, 기밀 부재에 의해 시일되어 있다. 베이스 부재(42)는, 샤워 플레이트(41)와 대향하는 대향면에 오목부가 형성되어 있고, 당해 오목부가 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 가스 확산 공간(46)으로 되어 있다. 가스 확산 공간(46)에는, 도시하지 않은 가스 공급관이 접속되고, 가스 공급관을 통해 가스 공급부로부터 처리 가스가 공급된다.Return to FIG. 1 . The base member 42 is joined to the back side of the opposite surface of the shower plate 41 facing the substrate S. The base member 42 is being fixed to the upper cover 22 by a holding member 47 provided on the outer edge of the upper surface. The holding member 47 is sealed by an airtight member in order to maintain a vacuum in the processing container 20 and to suppress entry of particles. The base member 42 has a concave portion formed on a surface opposite to the shower plate 41 , and the concave portion serves as a gas diffusion space 46 for supplying the processing gas to the plurality of gas holes 43 . . A gas supply pipe (not shown) is connected to the gas diffusion space 46 , and a process gas is supplied from the gas supply unit through the gas supply pipe.

베이스 부재(42)에는, 베이스 부재(42)를 원하는 온도로 조정하기 위한 온도 조정 수단이 설치되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)에는, 소정의 간격으로 내부를 왕복하도록 유로(60)가 형성되어 있다. 또한, 용기 본체(21)의 및 상부 덮개(22) 측벽 부분에는, 벽면 내를 주회하도록 유로(61)가 형성되어 있다. 또한, 적재대(30)에는, 소정의 간격으로 내부를 왕복하도록 유로(62)가 형성되어 있다. 유로(60, 61, 62)는, 각각 도시하지 않은 배관을 통해 처리 용기(20)의 외부에 설치된 칠러 유닛에 접속되고, 유동성 열매체가 개별로 순환된다. 즉, 베이스 부재(42)는, 온도 조정 수단으로서, 유로(60)나 배관, 칠러 유닛 등에 의한 열매체 순환 시스템이 구축되어 있다. 유동성 열매체로서는, 예를 들어 갈덴 등을 들 수 있지만, 제어 범위의 온도에 적합한 액체를 사용하면 된다. 칠러 유닛은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 유로(60, 61, 62)에 각각 흐르게 하는 유동성 열매체의 온도나 유량을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 흐르게 하는 유동성 열매체의 온도나 유량을 제어함으로써, 용기 본체(21), 적재대(30), 샤워 플레이트(41)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다.The base member 42 is provided with temperature adjusting means for adjusting the base member 42 to a desired temperature. For example, the flow path 60 is formed in the base member 42 so that the inside may reciprocate at predetermined intervals. Moreover, the flow path 61 is formed in the side wall part of the container main body 21 and the upper cover 22 so that it may go around the inside of a wall surface. Moreover, the flow path 62 is formed in the mounting table 30 so that the inside may reciprocate at predetermined intervals. The flow paths 60 , 61 , and 62 are respectively connected to a chiller unit installed outside the processing vessel 20 through piping (not shown), and the fluid heating medium is individually circulated. That is, in the base member 42, a heat medium circulation system by the flow path 60, piping, a chiller unit, etc. is built as a temperature adjustment means. As a fluid heating medium, although galden etc. are mentioned, for example, A liquid suitable for the temperature of a control range may be used. The chiller unit is capable of controlling the temperature and flow rate of the fluid heating medium to flow through the flow passages 60 , 61 , 62 , respectively, by receiving a control signal from the control unit 90 , which will be described later. The control unit 90 is capable of controlling the temperature of the container body 21 , the mounting table 30 , and the shower plate 41 by controlling the temperature and flow rate of the fluid heating medium flowing from the chiller unit.

본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 각각에 설정된 온도의 유동성 열매체가 개별로 칠러 유닛으로부터 유로(60, 61, 62)로 순환되는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 히터(50)로 가열함으로써 샤워 플레이트(41)의 제어가 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 용기 본체(21), 적재대(30), 샤워 플레이트(41), 베이스 부재(42)의 온도를 개별로 제어 가능하게 되어 있다. 또한, 도시하지 않지만, 샤워 플레이트(41)와 베이스 부재(42)의 접속면은 각각 독립된 온도 제어를 가능하게 하기 위한 단열 구조로 되어 있다. 구체적으로는 전기적인 접속을 유지하면서, 접촉 면적을 최소화하여 계면의 열전달을 억제하고 있다.In the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, it is possible to individually circulate a fluid heat medium having a temperature set to each from the chiller unit to the flow paths 60 , 61 , and 62 . In addition, in the substrate processing apparatus 10 , the shower plate 41 can be controlled by heating with the heater 50 . As a result, the substrate processing apparatus 10 can individually control the temperatures of the container body 21 , the mounting table 30 , the shower plate 41 , and the base member 42 . In addition, although not shown, the connection surface of the shower plate 41 and the base member 42 has a heat insulation structure for enabling independent temperature control, respectively. Specifically, while maintaining the electrical connection, the contact area is minimized to suppress heat transfer at the interface.

상기 구성의 기판 처리 장치(10)는, 제어부(90)에 의해, 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 제어부(90)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 기판 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 예를 들어, 제어부(90)에는, CPU를 구비하고 기판 처리 장치(10)의 각 부를 제어하는 프로세스 컨트롤러(91)와, 유저 인터페이스(92)와, 기억부(93)가 설치되어 있다.The operation of the substrate processing apparatus 10 having the above configuration is collectively controlled by the control unit 90 . The control unit 90 is, for example, a computer, and controls each unit of the substrate processing apparatus 10 . For example, the control unit 90 includes a process controller 91 that includes a CPU and controls each unit of the substrate processing apparatus 10 , a user interface 92 , and a storage unit 93 .

유저 인터페이스(92)는, 공정 관리자가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.The user interface 92 is constituted of a keyboard through which a process manager inputs commands to manage the substrate processing apparatus 10 , a display that visualizes and displays the operation status of the substrate processing apparatus 10 , and the like.

기억부(93)에는, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(91)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나, 기판 처리의 처리 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고 필요에 따라서, 유저 인터페이스(92)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(93)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(91)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(91)의 제어하에서, 기판 처리 장치(10)에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체(예를 들어, 하드 디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태인 것을 이용하거나, 또는 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 사용하거나 하는 것도 가능하다.The storage unit 93 stores a control program (software) for realizing various processes executed in the substrate processing apparatus 10 under the control of the process controller 91 and a recipe in which processing condition data for substrate processing, etc. are stored. has been Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 93 by an instruction from the user interface 92 or the like, and the process controller 91 executes it, so that the substrate processing apparatus 10 is controlled by the process controller 91 . ), the desired processing is performed. In addition, recipes such as control programs and processing condition data are stored in a computer-readable computer storage medium (eg, hard disk, CD, flexible disk, semiconductor memory, etc.) or from another device, For example, it is also possible to transmit the data from time to time through a dedicated line and use it online.

[동작의 흐름][Flow of Motion]

다음으로, 기판 처리 장치(10)의 구체적인 동작의 흐름에 대해 설명한다. 먼저, 기판 처리 장치(10)가 절연막 에칭을 행하는 경우의 동작의 흐름을 설명한다. 도 4는, 절연막 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.Next, the flow of the specific operation|movement of the substrate processing apparatus 10 is demonstrated. First, the flow of the operation in the case where the substrate processing apparatus 10 etches the insulating film will be described. 4 is a view for explaining an example of processing conditions for etching an insulating film.

기판 처리 장치(10)는, 절연막 에칭의 처리 대상이 된 기판(S)이 적재대(30)에 적재된다.In the substrate processing apparatus 10 , the substrate S to be subjected to the etching of the insulating film is mounted on the mounting table 30 .

제어부(90)는, 진공 배기 수단을 동작시켜, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내를 원하는 진공도로 유지한다. 또한, 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 각각 소정의 온도의 유동성 열매체를 개별로 유로(60, 61, 62)에 순환시켜, 용기 본체(21), 적재대(30), 베이스 부재(42)의 온도를 각각 소정의 온도로 제어한다. 또한, 제어부(90)는 히터 전원(53)으로부터 소정의 전력을 공급하여 샤워 플레이트(41)의 온도를 소정의 온도로 제어한다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 용기 본체(21)를 110℃로 제어하고, 적재대(30)를 25℃로 제어하고, 베이스 부재(42)를 110℃로 제어하고, 샤워 플레이트(41)를 150℃로 제어한다.The control unit 90 operates the evacuation means to evacuate the inside of the processing container 20 to maintain the inside of the processing container 20 at a desired vacuum level. In addition, the control unit 90 individually circulates the fluid heating medium having a predetermined temperature from the chiller unit to the flow passages 60 , 61 , 62 , and the container body 21 , the mounting table 30 , and the base member 42 . The temperature of each is controlled to a predetermined temperature. In addition, the controller 90 controls the temperature of the shower plate 41 to a predetermined temperature by supplying predetermined power from the heater power supply 53 . For example, as shown in FIG. 4 , the container body 21 is controlled at 110° C., the mounting table 30 is controlled at 25° C., the base member 42 is controlled at 110° C., and the shower plate ( 41) is controlled at 150°C.

그리고 제어부(90)는, 가스 공급부를 제어하여 샤워 헤드(40)로부터 플루오로카본을 포함한 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 처리 가스로서, CHF3/CF4/Ar을 샤워 헤드(40)로부터 분출시켜, 하층막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭을 행한다. 또한, Ar은, 처리 가스에 첨가하지 않아도 된다.Then, the control unit 90 controls the gas supply unit to eject a processing gas containing fluorocarbon from the shower head 40 , and applies high-frequency power to convert the processing gas into a plasma, thereby performing the etching process. For example, as shown in FIG. 4 , CHF 3 /CF 4 /Ar is ejected from the shower head 40 as a processing gas to etch the insulating film requiring a selectivity with the lower layer film. In addition, Ar does not need to be added to the process gas.

여기서, 일반적으로, 하층막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭에서는, 하층막의 에칭을 억제하기 위해, CF계 폴리머를 생성하는 플루오로카본 가스를 사용한 플라스마 처리를 행한다. 이들 CF계 폴리머의 일부는, 플라스마 처리 중에 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)의 표면에 생성물로서 퇴적된다. 종래, 기판 처리 장치(10)에서는, 연속 처리를 계속하면 샤워 플레이트(41)의 표면에 퇴적된 생성물이 박리되어 떨어지거나 하여 기판(S)에 낙하하여, 제품 불량을 야기하기 때문에, 소정의 처리 매수에 도달한 시점에서, 퇴적된 생성물을 제거하기 위해 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)의 교환, 세정 등의 메인터넌스를 행한다.Here, in general, in the insulating film etching that requires a selectivity with the lower layer film, plasma treatment is performed using a fluorocarbon gas for generating a CF-based polymer in order to suppress the etching of the lower layer film. Some of these CF-based polymers are deposited as products on the surface of the shower plate 41 of the shower head 40 during plasma treatment. Conventionally, in the substrate processing apparatus 10, when continuous processing is continued, the product deposited on the surface of the shower plate 41 peels off or falls on the substrate S, causing product failure. When the number of sheets is reached, maintenance is performed to remove the accumulated product. For example, in the substrate processing apparatus 10 , the upper cover 22 is removed to release the atmosphere in the processing container 20 , and maintenance such as replacement and cleaning of the shower plate 41 is performed.

그런데 플루오로카본 가스를 사용한 플라스마에서 생성되는 CF계 폴리머는, 저온에서는 용이하게 벽면에 부착되지만, 고온에서는 벽면에 부착되지 않게 되는 것이 경험적으로 알려져 있다. 또한, 벽면을 고온으로 유지함으로써 하지막과의 선택비가 향상되는 것이 알려져 있다. 즉, 하지막에 대해 원하는 선택비를 얻는 경우, 벽면의 온도에 의해 투입하는 플루오로카본 가스양을 조정할 필요가 있다. 구체적으로는, 벽면이 저온이면 플루오로카본 가스를 많게, 고온이면 플루오로카본 가스를 적게 함으로써, 요구되는 에칭 성능을 만족시킬 수 있다. 당연히, 플루오로카본 가스의 투입량이 적을수록, 샤워 플레이트(41) 등에 퇴적되는 생성물도 적어지기 때문에, 하지막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭에서는 100℃ 이상의 고온에서 처리된다.By the way, it is known empirically that CF-based polymers produced in plasma using fluorocarbon gas easily adhere to the wall surface at low temperatures, but do not adhere to the wall surfaces at high temperatures. It is also known that the selectivity with the underlying film is improved by maintaining the wall surface at a high temperature. That is, when obtaining a desired selectivity with respect to the underlying film, it is necessary to adjust the amount of the fluorocarbon gas injected according to the temperature of the wall surface. Specifically, the required etching performance can be satisfied by increasing the amount of fluorocarbon gas when the wall surface is low temperature and decreasing the amount of fluorocarbon gas when the wall surface is high temperature. Naturally, the smaller the amount of fluorocarbon gas injected, the less products are deposited on the shower plate 41, and therefore, the insulating film etching that requires a selectivity with the underlying film is processed at a high temperature of 100 DEG C or higher.

그래서 기판 처리 장치(10)에서는, 절연막 에칭의 경우, 샤워 플레이트(41)를 150℃로 제어한다. 이에 의해, 플루오로카본 가스의 투입량을 필요 최소한으로 억제하여 샤워 플레이트(41)의 표면에 CF계 폴리머가 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는, 이와 같이 CF계 폴리머의 퇴적이 억제됨으로써, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus 10 , the shower plate 41 is controlled to 150° C. in the case of etching the insulating film. Accordingly, it is possible to suppress the deposition of the CF-based polymer on the surface of the shower plate 41 by reducing the amount of the fluorocarbon gas to the required minimum. In the substrate processing apparatus 10 , since deposition of the CF-based polymer is suppressed in this way, the maintenance cycle can be lengthened.

그런데 샤워 플레이트(41)의 표면에 CF계 폴리머의 퇴적을 억제하려고 하는 경우, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 150℃로 제어하는 것을 생각할 수 있다.However, when trying to suppress the deposition of the CF-based polymer on the surface of the shower plate 41 , it is considered that the shower head 40 is controlled at a high temperature as a whole. For example, it is conceivable to control the shower head 40 as a whole at 150°C.

그러나 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 샤워 헤드(40) 전체가 고온으로 되어 팽창된다. 여기서, 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)의 사이즈에 대응하여 대형화되어 있고, 샤워 헤드(40)도 대형화되어 있다. 이 때문에, 샤워 헤드(40) 전체가 고온으로 되어 팽창되면, 팽창에 의한 사이즈의 변화도 크게 되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)가 수 밀리미터 내지 수십 밀리미터 팽창된다. 이와 같이 샤워 헤드(40) 전체가 팽창된 경우, 기판 처리 장치(10)에는, 문제가 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)를 보유 지지하는 보유 지지 부재(47)의 시일에 어긋남이 발생하여, 기밀성을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다.However, when the shower head 40 as a whole is controlled at a high temperature, the entire shower head 40 becomes high temperature and expands. Here, the substrate processing apparatus 10 is enlarged corresponding to the size of the substrate S, and the shower head 40 is also enlarged. For this reason, when the shower head 40 as a whole expands at a high temperature, the size change due to the expansion also increases. For example, the base member 42 is expanded by several millimeters to several tens of millimeters. In this way, when the entire shower head 40 is expanded, a problem may occur in the substrate processing apparatus 10 . For example, the seal of the holding member 47 holding the shower head 40 may be displaced, making it impossible to maintain airtightness.

그래서 본 실시 형태에서는, 베이스 부재(42)의 온도를 샤워 플레이트(41)의 온도보다 낮은 110℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 베이스 부재(42)의 열팽창을 억제할 수 있으므로, 보유 지지 부재(47)의 시일 등으로 기밀성을 유지할 수 없게 되는 것을 억제할 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the temperature of the base member 42 is controlled to be 110° C. lower than the temperature of the shower plate 41 . Thereby, since thermal expansion of the base member 42 can be suppressed, it can suppress that it becomes impossible to maintain airtightness by the sealing of the holding member 47, etc.

다음으로, 기판 처리 장치(10)가 메탈층 에칭을 행하는 경우의 동작의 흐름을 설명한다. 도 5는 메탈층 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.Next, the flow of an operation|movement in the case where the substrate processing apparatus 10 performs metal layer etching is demonstrated. It is a figure explaining an example of the process condition of metal layer etching.

기판 처리 장치(10)는, 메탈층 에칭의 처리 대상으로 된 기판(S)이 적재대(30)에 적재된다.In the substrate processing apparatus 10 , the substrate S used as the processing target of the metal layer etching is mounted on the mounting table 30 .

제어부(90)는, 진공 배기 수단을 동작시켜, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내를 원하는 진공도로 유지한다. 또한, 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 각각 소정의 온도의 유동성 열매체를 개별로 유로(60, 61, 62)에 순환시켜, 용기 본체(21), 적재대(30), 베이스 부재(42)의 온도를 각각 소정의 온도로 제어한다. 또한, 제어부(90)는, 히터 전원(53)으로부터 소정의 전력을 공급하여 샤워 플레이트(41)의 온도를 소정의 온도로 제어한다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 용기 본체(21)를 80℃로 제어하고, 적재대(30)를 25℃로 제어하고, 베이스 부재(42)를 40℃로 제어하고, 샤워 플레이트(41)를 80℃로 제어한다.The control unit 90 operates the evacuation means to evacuate the inside of the processing container 20 to maintain the inside of the processing container 20 at a desired vacuum level. In addition, the control unit 90 individually circulates the fluid heating medium having a predetermined temperature from the chiller unit to the flow passages 60 , 61 , 62 , and the container body 21 , the mounting table 30 , and the base member 42 . The temperature of each is controlled to a predetermined temperature. In addition, the control unit 90 supplies a predetermined electric power from the heater power supply 53 to control the temperature of the shower plate 41 to a predetermined temperature. For example, as shown in FIG. 5 , the container body 21 is controlled at 80° C., the mounting table 30 is controlled at 25° C., the base member 42 is controlled at 40° C., and the shower plate ( 41) is controlled at 80°C.

그리고 제어부(90)는, 가스 공급부를 제어하여 샤워 헤드(40)로부터 염소를 포함한 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 처리 가스로서, Cl2/Ar을 샤워 헤드(40)로부터 분출시켜, 메탈층 에칭을 행한다. 또한, Ar은, 처리 가스에 첨가하지 않아도 된다.Then, the control unit 90 controls the gas supply unit to eject a processing gas containing chlorine from the shower head 40 , and applies high-frequency power to convert the processing gas into a plasma, thereby performing the etching process. For example, as shown in FIG. 5 , Cl 2 /Ar is ejected from the shower head 40 as a processing gas to etch the metal layer. In addition, Ar does not need to be added to the process gas.

여기서, 일반적으로, 메탈층 에칭에서는, 염화알루미늄 등의 생성물이 생성되고, 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)의 표면에 생성물이 퇴적된다. 종래, 기판 처리 장치(10)에서는, 퇴적된 생성물의 제거나, 소모된 부품을 교환하기 위해, 정기적으로 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)의 교환 등의 메인터넌스를 행한다.Here, in general, in metal layer etching, a product such as aluminum chloride is generated, and the product is deposited on the surface of the shower plate 41 of the shower head 40 . Conventionally, in the substrate processing apparatus 10, maintenance is performed regularly in order to remove the accumulated product and to replace|exchange consumed components. For example, in the substrate processing apparatus 10 , the upper cover 22 is removed, the inside of the processing container 20 is released from the atmosphere, and maintenance such as replacement of the shower plate 41 is performed.

그런데 염화알루미늄은, 에칭 처리를 행하는 압력 영역에 있어서 증기압 곡선으로부터 60℃ 전후에서 기체가 된다.By the way, aluminum chloride becomes a gas at around 60 degreeC from a vapor pressure curve in the pressure range which performs an etching process.

그래서 본 실시 형태에서는, 샤워 플레이트(41)를 80℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(41)의 표면에 염화알루미늄이 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는, 이와 같이 염화알루미늄의 퇴적이 억제됨으로써, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the shower plate 41 is controlled at 80°C. Thereby, deposition of aluminum chloride on the surface of the shower plate 41 can be suppressed. The substrate processing apparatus 10 can lengthen the maintenance cycle by suppressing the deposition of aluminum chloride in this way.

그런데 염화알루미늄의 퇴적을 억제하려고 하는 경우, 염화알루미늄이 발생하지 않도록 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)를 포함한 샤워 헤드(40)를 전체적으로, 80℃로 제어하는 것을 생각할 수 있다.By the way, when trying to suppress the deposition of aluminum chloride, it is possible to control the overall high temperature of the shower head 40 so that aluminum chloride is not generated. For example, it is conceivable to control the shower head 40 including the base member 42 at 80°C as a whole.

여기서, 기판 처리 장치(10)에서는, 염소 등의 할로겐계 가스에 대해 내식성을 향상시키기 위해, 처리 용기(20) 내에 배치되는 부재에 알루마이트 처리 등의 산화 처리가 행해진다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)나 베이스 부재(42)는 표면에 알루마이트 처리가 실시된다.Here, in the substrate processing apparatus 10 , an oxidation treatment such as an anodizing treatment is performed on a member disposed in the processing container 20 in order to improve corrosion resistance to a halogen-based gas such as chlorine. For example, the surface of the shower plate 41 or the base member 42 of the shower head 40 is anodized.

기판 처리 장치(10)는, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 알루마이트 처리된 표면에 크랙이 발생한다. 그리고 처리 가스에 포함되는 염소가, 크랙 내에 침입한다. 특히, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 베이스 부재(42)는 처리 가스가 공급되는 가스 확산 공간(46)과 면하는 표면에 발생한 크랙에 염소가 많이 침입한다.In the substrate processing apparatus 10 , when the shower head 40 is controlled at a high temperature as a whole, cracks are generated on the anodized surface. And chlorine contained in the process gas penetrates into the crack. In particular, when the shower head 40 is controlled at a high temperature as a whole, a large amount of chlorine enters the cracks generated on the surface of the base member 42 facing the gas diffusion space 46 to which the processing gas is supplied.

기판 처리 장치(10)는, 이러한 상태에서, 메인터넌스를 위해, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방한 경우, 크랙 내에 침입한 염소가 대기 중의 수분과 반응하여 염산으로 됨으로써 부식이 발생하기 쉬워진다. 예를 들어, 베이스 부재(42)의 가스 확산 공간(46)과 면하는 표면에 부식이 발생한다. 즉, 기판 처리 장치(10)는, 처리 가스에 염소가 포함되는 경우, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 하면, 베이스 부재(42)의 부식을 유발하기 쉬워진다. 샤워 플레이트(41)도 마찬가지로 염산에 의한 부식이 우려되지만, 대기 해방 후, 신속하게 세정함으로써 염산에 의한 부식을 억제할 수 있다. 그러나 베이스 부재(42)는 떼어내기가 곤란하기 때문에, 통상의 메인터넌스로는 충분히 세정할 수 없다.In the substrate processing apparatus 10 in this state, when the inside of the processing container 20 is released from the atmosphere by removing the upper cover 22 for maintenance, chlorine entering the cracks reacts with moisture in the atmosphere to form hydrochloric acid. This makes it easier to cause corrosion. For example, corrosion occurs on the surface facing the gas diffusion space 46 of the base member 42 . That is, in the substrate processing apparatus 10 , if the shower head 40 as a whole is heated to a high temperature when chlorine is contained in the processing gas, corrosion of the base member 42 is easily induced. Corrosion by hydrochloric acid is similarly concerned about the shower plate 41, but corrosion by hydrochloric acid can be suppressed by washing|cleaning quickly after air release. However, since the base member 42 is difficult to remove, it cannot be sufficiently cleaned by normal maintenance.

그래서 본 실시 형태에서는, 베이스 부재(42)의 온도를 샤워 플레이트(41)의 온도보다 낮은 40℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 베이스 부재(42)의 알루마이트 크랙을 억제하여, 부식의 발생을 억제할 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the temperature of the base member 42 is controlled to be 40°C lower than the temperature of the shower plate 41 . Thereby, anodized cracks in the base member 42 can be suppressed, and corrosion can be suppressed.

[효과][effect]

이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)이 적재되는 적재대(30)에 대향하여 처리 용기(20) 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드(40)를 갖는다. 샤워 헤드(40)는, 적재대(30)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되고, 히터(50)가 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)의 적재대(30)와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 공간을 구성하는 오목부가 형성되고, 유로(60)가 설치된 베이스 부재(42)를 갖는다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)와 베이스 부재(42)를 제각기 온도 제어할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment is disposed in the processing container 20 opposite to the mounting table 30 on which the substrate S is mounted, and the shower head 40 ejects processing gas. has The shower head 40 is disposed to face the mounting table 30 , a plurality of gas holes 43 for ejecting processing gas are formed in the processing container 20 , and a shower plate 41 provided with a heater 50 . ) and a concave portion joined to the back side of the opposite surface of the shower plate 41 opposite to the mounting table 30 and constituting a space for supplying the processing gas to the plurality of gas holes 43 is formed, and a flow path is formed. It has a base member 42 provided with (60). Thereby, the substrate processing apparatus 10 can temperature-control the shower plate 41 and the base member 42 respectively.

또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에서는, 히터(50)는, 도전성의 외장을 갖는 급전 단자(51)에 의해 전력이 공급되고 있다. 급전 단자(51)는, 처리 용기(20)의 벽면에 설치되고, 접지 전위가 된 상부 덮개(22)에 외장을 접촉하여, 히터 전원(53)에 접속되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 고주파 전력에 의해 발생하는 고주파 노이즈를 도전성 외장으로 차단할 수 있어, 히터(50)에의 전력을 안정적으로 제어할 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, the heater 50 is supplied with electric power through a power supply terminal 51 having a conductive exterior. The power supply terminal 51 is provided on the wall surface of the processing container 20 , and is connected to the heater power supply 53 by contacting the exterior with the upper lid 22 that has reached the ground potential. Thereby, the substrate processing apparatus 10 can block the high-frequency noise generated by the high-frequency power with the conductive exterior, and can control the electric power to the heater 50 stably.

또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 제어부(90)를 갖는다. 제어부(90)는, 샤워 플레이트(41)의 온도가 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 히터(50)를 제어한다. 또한, 제어부(90)는, 베이스 부재(42)의 온도가 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 열매체 순환 시스템을 제어한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 플루오로카본을 포함한 처리 가스에 의해 기판(S)의 절연막 에칭을 행하는 경우, 플루오로카본 가스의 투입량을 최소화함으로써 CF계 폴리머의 퇴적을 억제할 수 있어, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 베이스 부재(42)의 열팽창을 억제할 수 있어, 베이스 부재(42)를 보유 지지하는 보유 지지 부재(47)의 시일 등으로 기밀성을 유지할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 염소계를 포함한 처리 가스에 의해 기판(S)의 메탈층 에칭을 행하는 경우, 염화알루미늄의 퇴적을 억제할 수 있어, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 베이스 부재(42)의 부식을 억제할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a control unit 90 . The controller 90 controls the heater 50 so that the temperature of the shower plate 41 becomes a first temperature higher than the evaporation temperature of a product generated by the process gas. In addition, the control unit 90 controls the heat medium circulation system so that the temperature of the base member 42 becomes a second temperature lower than the first temperature. Accordingly, the substrate processing apparatus 10 can suppress the deposition of the CF-based polymer by minimizing the input amount of the fluorocarbon gas when the insulating film is etched on the substrate S with the processing gas containing the fluorocarbon. , the maintenance cycle can be lengthened. In addition, the substrate processing apparatus 10 can suppress thermal expansion of the base member 42 , and can maintain airtightness by, for example, a seal of the holding member 47 holding the base member 42 . Further, in the substrate processing apparatus 10 , when the metal layer of the substrate S is etched with a chlorine-containing processing gas, deposition of aluminum chloride can be suppressed, and the maintenance cycle can be lengthened. In addition, the substrate processing apparatus 10 can suppress corrosion of the base member 42 .

(제2 실시 형태)(Second embodiment)

다음으로, 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성과 대략 마찬가지이므로 설명을 생략한다.Next, the second embodiment will be described. Since the substrate processing apparatus 10 according to the second embodiment is substantially the same as the configuration of the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 , the description thereof is omitted.

도 6은, 제2 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 샤워 플레이트(41)는, 복수의 분할 플레이트(70)로 분할되어 있다. 예를 들어, 도 6에 나타낸 샤워 플레이트(41)는, 6개의 분할 플레이트(70)로 분할되어 있고, 6개의 분할 플레이트(70)를 2×3으로 배치하여 구성되어 있다. 각 분할 플레이트(70)는, 각각 히터(50)를 설치하고 있다. 또한, 도 6의 예는 일례이며, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 분할 플레이트(70)의 매수, 배치는 이것에 한정되는 것은 아니다.6 is a plan view showing the lower surface side of the shower plate according to the second embodiment. As shown in FIG. 6 , the shower plate 41 is divided into a plurality of partition plates 70 . For example, the shower plate 41 shown in FIG. 6 is divided into six division plates 70 , and is configured by arranging the six division plates 70 in a 2×3 size. Each partition plate 70 is provided with a heater 50, respectively. In addition, the example of FIG. 6 is an example, and the number and arrangement|positioning of the division plate 70 which comprise the shower plate 41 are not limited to this.

샤워 플레이트(41)는, 복수의 분할 플레이트(70)가 복수의 그룹으로 나누어져 있다. 도 6에 나타낸 샤워 플레이트(41)는, 6개의 분할 플레이트(70)가 인접한 2개씩의 3개의 그룹(71a, 71b, 71c)으로 나누어져 있다. 샤워 플레이트(41)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 인접한 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 단자부(50a) 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터(72)로 접속되어 있다.In the shower plate 41 , a plurality of partition plates 70 are divided into a plurality of groups. The shower plate 41 shown in Fig. 6 is divided into three groups 71a, 71b, and 71c of two each in which the six partition plates 70 are adjacent. The shower plate 41 is connected to each of the groups 71a, 71b, and 71c by a connector 72 having a conductive exterior between the terminal portions 50a of the heaters 50 of the adjacent division plates 70 .

상부 덮개(22)의 측벽에는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 분할 플레이트(70)의 위치에 대응하는 위치에 급전 단자 도입 구멍이 형성되고, 급전 단자 도입 구멍에 급전 단자(51)가 설치되어 있다. 각 분할 플레이트(70)의 상부 덮개(22)의 측벽측에 위치하는 단자부(50a)는, 커넥터(52)에 의해 급전 단자(51)와 전기적으로 접속되어 있다.In the side wall of the upper cover 22, for each group 71a, 71b, 71c, a feed terminal introduction hole is formed at a position corresponding to the position of the dividing plate 70, and a feed terminal 51 is provided in the feed terminal introduction hole installed. The terminal portion 50a located on the side wall side of the upper cover 22 of each split plate 70 is electrically connected to the power supply terminal 51 by a connector 52 .

급전 단자(51)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 배선 계통을 나누어, 히터 전원(53)에 전기적으로 접속되어 있고, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 공급된다. 히터 전원(53)은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다 히터(50)로 공급하는 전력을 제어함으로써, 그룹(71a, 71b, 71c)마다 히터(50)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(41)는, 그룹(71a, 71b, 71c)의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다, 온도를 개별로 제어 가능하게 되어 있다.The power supply terminal 51 is electrically connected to the heater power supply 53 by dividing a wiring system for each group 71a, 71b, and 71c, and electric power from the heater power supply 53 is supplied. The heater power supply 53 can control the electric power supplied to the heater 50 for each group 71a, 71b, and 71c by receiving a control signal from the control unit 90 described later. The control unit 90 controls the electric power supplied to the heater 50 for each group 71a, 71b, 71c, so that the temperature of the heater 50 can be controlled for each group 71a, 71b, 71c. Thereby, the shower plate 41 can control the temperature individually for each area of the division plate 70 of the groups 71a, 71b, and 71c.

제어부(90)는, 에칭 처리 등의 기판 처리를 행할 때, 샤워 플레이트(41)의 그룹(71a, 71b, 71c)의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다 온도를 개별로 제어한다. 예를 들어, 중앙의 에어리어의 분할 플레이트(70)는, 주위로부터 열이 전달되어 고온이 되기 쉽다. 또한, 주변의 에어리어의 분할 플레이트(70)는, 주위로부터 열의 전달이 적어 저온이 되기 쉽다. 이 때문에, 제어부(90)는, 중앙의 에어리어의 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 온도를 낮게, 주변의 에어리어의 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 온도를 높게 제어한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)의 에어리어마다 온도차를 작게 할 수 있다.The control unit 90 individually controls the temperature for each area of the dividing plate 70 of the groups 71a , 71b and 71c of the shower plate 41 when substrate processing such as etching is performed. For example, the division plate 70 of the central area is liable to be high in temperature due to heat transfer from the periphery. Moreover, the division plate 70 of the peripheral area has little heat transfer from the surroundings, and it is easy to become low temperature. For this reason, the control part 90 controls the temperature of the heater 50 of the division plate 70 of the central area to be low, and the temperature of the heater 50 of the division plate 70 of a peripheral area is controlled to be high. Accordingly, the substrate processing apparatus 10 can reduce the temperature difference for each area of the shower plate 41 .

[효과][effect]

이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)가, 각각 히터(50)가 설치된 복수의 분할 플레이트(70)에 의해 구성되어 있다. 복수의 분할 플레이트(70)는, 히터(50) 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터(72)로 접속되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 복수의 분할 플레이트(70)를 조합함으로써, 큰 사이즈의 샤워 플레이트(41)를 구성할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, the shower plate 41 is configured by a plurality of split plates 70 provided with the heater 50 , respectively. The plurality of split plates 70 are connected between the heaters 50 by a connector 72 having a conductive exterior. As a result, the substrate processing apparatus 10 can configure the shower plate 41 of a large size by combining the plurality of division plates 70 .

또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 복수의 분할 플레이트(70)가, 복수의 그룹으로 나누어져, 그룹마다 히터로의 공급 전력을 조정 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 각 그룹의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다 온도를 개별로 제어할 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, the plurality of split plates 70 are divided into a plurality of groups, and the power supplied to the heater can be adjusted for each group. Thereby, the substrate processing apparatus 10 can control the temperature individually for each area of the division plate 70 of each group.

(제3 실시 형태)(Third embodiment)

다음으로, 제3 실시 형태에 대해 설명한다. 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성과 대략 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.Next, a third embodiment will be described. Since the substrate processing apparatus 10 according to the third embodiment is substantially the same as the configuration of the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 , the description thereof is omitted.

도 7은, 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드(40)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 관한 샤워 헤드(40)와 일부가 마찬가지의 구성이므로, 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략하고, 주로 상이한 부분에 대해 설명한다.7 is a diagram schematically showing the configuration of a shower head according to the third embodiment. The shower head 40 according to the third embodiment has the same configuration as the shower head 40 according to the first embodiment and the second embodiment shown in FIG. 1 , and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals. is omitted, and mainly different parts will be described.

제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)가, 히터 플레이트(80)와, 커버 플레이트(81)에 의해 구성되어 있다.In the substrate processing apparatus 10 according to the third embodiment, the shower plate 41 includes a heater plate 80 and a cover plate 81 .

히터 플레이트(80)는, 베이스 부재(42)에 면하고 있고, 복수의 가스 구멍(43a)이 천공되어 있다. 또한, 히터 플레이트(80)는, 가스 구멍(43a)의 사이를 통과하도록 히터(50)가 내부에 매설되어 있다.The heater plate 80 faces the base member 42 , and a plurality of gas holes 43a are perforated. Further, in the heater plate 80 , a heater 50 is embedded therein so as to pass between the gas holes 43a.

커버 플레이트(81)는, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측에 접합되어 있고, 히터 플레이트(80)의 각 가스 구멍(43a)에 대응하는 위치에, 각각 가스 구멍(43b)이 천공되어 있다. 가스 구멍(43a) 및 가스 구멍(43b)은 연통되어 있고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 가스 구멍(43)으로서 기능한다.The cover plate 81 is joined to the mounting table 30 side of the heater plate 80 , and gas holes 43b are drilled at positions corresponding to the respective gas holes 43a of the heater plate 80 , respectively. has been The gas hole 43a and the gas hole 43b communicate with each other, and function as the gas hole 43 for ejecting the processing gas into the processing container 20 .

커버 플레이트(81)는, 히터 플레이트(80)와 동일 정도의 사이즈, 또는 히터 플레이트(80)보다 큰 사이즈로 되어 있어, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측의 면을 덮고 있다. 이에 의해, 에칭 처리 등의 기판 처리를 행하였을 때에 생성되는 생성물(소위, 디포짓)은, 커버 플레이트(81)에 주로 퇴적된다. 또한, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 부품 중, 주로 커버 플레이트(81)가 플라스마에 의해 소모되는 등의 대미지를 받는다.The cover plate 81 has the same size as the heater plate 80 , or a size larger than the heater plate 80 , and covers the surface of the heater plate 80 on the mounting table 30 side. As a result, a product (so-called deposit) generated when a substrate treatment such as an etching treatment is performed is mainly deposited on the cover plate 81 . In addition, among the components constituting the shower plate 41 , the cover plate 81 mainly receives damage such as being consumed by the plasma.

기판 처리 장치(10)에서는, 퇴적된 생성물의 제거나, 소모된 부품을 교환하기 위해, 정기적으로 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 부품 중, 커버 플레이트(81)를 교환한다.In the substrate processing apparatus 10 , maintenance is performed periodically in order to remove the accumulated product and replace the consumed parts. For example, in the substrate processing apparatus 10 according to the third embodiment, the upper cover 22 is removed to release the inside of the processing container 20 to the atmosphere, and among the components constituting the shower plate 41 , the cover plate (81) is replaced.

히터 플레이트(80)는, 히터(50)의 배선 등이 있기 때문에, 교환에 수고를 요하는 데다가, 히터(50)를 내장하고 있기 때문에 비용이 든다. 이와 같이 샤워 헤드(40)에 커버 플레이트(81)를 설치함으로써, 히터 플레이트(80)는 생성물의 퇴적이 억제되고, 또한 플라스마에 의한 소모도 억제된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 히터 플레이트(80)의 교환 주기를 연장시킬 수 있으므로, 메인터넌스의 수고와 비용을 저감시킬 수 있다.Since the heater plate 80 has wiring for the heater 50, it requires labor and effort to replace, and since the heater 50 is built-in, it costs money. By providing the cover plate 81 on the shower head 40 in this way, the heater plate 80 suppresses product deposition and also suppresses consumption by plasma. Thereby, since the replacement period of the heater plate 80 can be extended in the substrate processing apparatus 10, the effort and cost of maintenance can be reduced.

[효과][effect]

이와 같이, 본 실시 형태에 관한 샤워 플레이트(41)는, 히터(50)가 설치된 히터 플레이트(80)와, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측에 접합된 커버 플레이트(81)를 갖는다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 메인터넌스의 수고와 비용을 저감시킬 수 있다.As described above, the shower plate 41 according to the present embodiment includes a heater plate 80 provided with a heater 50 and a cover plate 81 joined to the mounting table 30 side of the heater plate 80 . . Thereby, the substrate processing apparatus 10 can reduce the effort and cost of maintenance.

이상, 본 발명을 실시 형태를 사용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것이 당업자에게는 명백하다. 또한, 그러한 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 청구범위의 기재로부터 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range described in the said embodiment. It is clear to those skilled in the art that various changes or improvements can be added to the above embodiment. Moreover, it is clear from description of a claim that the form which added such a change or improvement can also be included in the technical scope of this invention.

예를 들어, 상기한 실시 형태에서는, 기판(S)을 유리 기판으로 하여 기판 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판(S)은, 반도체 웨이퍼 등이어도 된다. 그 경우, 샤워 헤드나 처리 용기의 단면의 형상은, 반도체 웨이퍼의 형상에 맞추어 원형으로 해도 된다.For example, in the above-described embodiment, the case where substrate processing is performed using the substrate S as a glass substrate was described as an example, but it is not limited thereto. The substrate S may be a semiconductor wafer or the like. In that case, the cross-sectional shape of the shower head or the processing container may be circular in conformity with the shape of the semiconductor wafer.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 기판 처리로서, 플라스마 에칭을 행하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리는, 성막 처리 등, 처리 가스에 의한 생성물의 축적이 샤워 헤드(40)에 발생하는 처리이면 어느 것이어도 된다.In addition, although the above-mentioned embodiment took the case where plasma etching was performed as an example and demonstrated as a substrate processing, it is not limited to this. The substrate processing may be any processing, such as a film forming process, in which accumulation of a product by the processing gas occurs in the shower head 40 .

10 : 기판 처리 장치
20 : 처리 용기
21 : 용기 본체
22 : 상부 덮개
30 : 적재대
31 : 지지부
40 : 샤워 헤드
41 : 샤워 플레이트
42 : 베이스 부재
43 : 가스 구멍
46 : 가스 확산 공간
47 : 보유 지지 부재
50 : 히터
50a : 단자부
51 : 급전 단자
52 : 커넥터
53 : 히터 전원
60 : 유로
70 : 분할 플레이트
72 : 커넥터
80 : 히터 플레이트
81 : 커버 플레이트
90 : 제어부
S : 기판10: substrate processing device
20: processing vessel
21: container body
22: top cover
30: loading stand
31: support
40 : shower head
41 : shower plate
42: base member
43 : gas hole
46: gas diffusion space
47: holding member
50: heater
50a: terminal part
51: power supply terminal
52: connector
53: heater power
60: Euro
70: split plate
72: connector
80: heater plate
81: cover plate
90: control unit
S: substrate

Claims (9)

기판이 적재되는 적재대에 대향하여 처리 용기 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드를 갖는 기판 처리 장치이며,
상기 샤워 헤드는,
상기 적재대에 대향하여 배치되고, 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와,
상기 샤워 플레이트의 상기 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 상기 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 상기 샤워 플레이트보다 낮은 온도로 조정하는 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 가지고,
상기 가열 수단은, 도전성 외장을 갖는 급전 단자에 의해 전력이 공급되고,
상기 급전 단자는, 상기 처리 용기의 벽면에 설치되고, 접지 전위로 된 부재에 외장이 접촉하여, 전력 공급부에 접속된 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus disposed in a processing container opposite to a loading table on which a substrate is loaded, and having a shower head for ejecting processing gas,
The shower head,
a shower plate disposed opposite to the mounting table, provided with a plurality of gas holes for ejecting the processing gas in the processing container, and provided with heating means;
a temperature adjusting means joined to the back side of the opposite surface of the shower plate opposite to the mounting table, provided with a space for supplying the processing gas to the plurality of gas holes, and adjusting a temperature lower than that of the shower plate; having an installed base member,
The heating means is powered by a power supply terminal having a conductive exterior,
The power supply terminal is provided on the wall surface of the processing vessel, the outer sheath is in contact with a member having a ground potential, and is connected to a power supply unit. 제1항에 있어서,
상기 가열 수단은, 내부에 히터가 매설된 히터 플레이트이며,
상기 샤워 플레이트는, 적어도 상기 히터 플레이트에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The heating means is a heater plate having a heater embedded therein,
The said shower plate is comprised by the said heater plate at least, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 온도 조정 수단은, 상기 베이스 부재의 내부에 형성된 유로에 유동성 열매체를 순환시키는 열매체 순환 시스템인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the temperature adjusting means is a heating medium circulation system for circulating a fluid heating medium in a flow path formed inside the base member. 제2항에 있어서,
상기 샤워 플레이트는, 각각 상기 가열 수단이 설치된 복수의 분할 플레이트에 의해 구성되고, 상기 복수의 분할 플레이트의 히터 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The shower plate is constituted by a plurality of split plates each provided with the heating means, and heaters of the plurality of split plates are connected by a connector having a conductive exterior. 제5항에 있어서,
상기 복수의 분할 플레이트는, 복수의 그룹으로 나누어지고, 그룹마다 히터에의 공급 전력을 조정 가능하게 된 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The plurality of split plates are divided into a plurality of groups, and power supplied to the heater can be adjusted for each group. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 샤워 플레이트의 온도가 상기 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 상기 가열 수단을 제어함과 함께, 상기 베이스 부재의 온도가 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 상기 온도 조정 수단을 제어하는 제어부를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.According to any one of claims 1, 2, 4 to 6,
while controlling the heating means so that the temperature of the shower plate becomes a first temperature higher than the evaporation temperature of a product generated by the processing gas, and the temperature of the base member becomes a second temperature lower than the first temperature The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a control unit for controlling the temperature adjusting means. 제2항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 샤워 플레이트는,
상기 히터 플레이트의 상기 적재대측에 접합된 커버 플레이트를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 2, 4 to 6,
The shower plate is
The substrate processing apparatus, characterized in that it further has a cover plate joined to the mounting base of the heater plate. 기판이 적재되는 적재대에 대향하여 배치되고, 처리 용기 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와, 샤워 플레이트의 상기 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 상기 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 상기 샤워 플레이트보다 낮은 온도로 조정하는 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 갖는 샤워 헤드로부터, 상기 기판에 대해 상기 처리 가스를 분출하여 기판 처리를 행할 때, 상기 샤워 플레이트의 온도가 상기 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 상기 가열 수단을 제어하고,
상기 베이스 부재의 온도가 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 상기 온도 조정 수단을 제어하고,
상기 가열 수단은, 도전성 외장을 갖는 급전 단자에 의해 전력이 공급되고,
상기 급전 단자는, 상기 처리 용기의 벽면에 설치되고, 접지 전위로 된 부재에 외장이 접촉하여, 전력 공급부에 접속된 것을 특징으로 하는, 온도 제어 방법.A shower plate disposed to face the mounting table on which the substrate is mounted, a plurality of gas holes for ejecting processing gas are formed in the processing container, and a shower plate provided with heating means, and the back side of the shower plate opposite to the mounting table from a shower head having a base member joined to, a space for supplying the processing gas to the plurality of gas holes, and provided with a temperature adjusting means for adjusting a temperature lower than that of the shower plate, to the substrate; controlling the heating means so that, when performing substrate processing by blowing gas, the temperature of the shower plate becomes a first temperature higher than an evaporation temperature of a product generated by the processing gas;
controlling the temperature adjusting means so that the temperature of the base member is a second temperature lower than the first temperature;
The heating means is powered by a power supply terminal having a conductive exterior,
wherein the power supply terminal is provided on a wall surface of the processing vessel, and the outer sheath is in contact with a member having a ground potential and is connected to a power supply unit.
KR1020180164974A 2017-12-22 2018-12-19 Substrate treatment apparatus and temperature control method KR102273516B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-246780 2017-12-22
JP2017246780A JP7008497B2 (en) 2017-12-22 2017-12-22 Substrate processing equipment and temperature control method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190076872A KR20190076872A (en) 2019-07-02
KR102273516B1 true KR102273516B1 (en) 2021-07-05

Family

ID=67165176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180164974A KR102273516B1 (en) 2017-12-22 2018-12-19 Substrate treatment apparatus and temperature control method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7008497B2 (en)
KR (1) KR102273516B1 (en)
CN (1) CN110010440B (en)
TW (1) TWI799480B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111509952B (en) * 2020-04-24 2021-09-28 江苏哈哈社信息科技有限公司 Intelligent switching power supply
WO2023054531A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 京セラ株式会社 Shower plate
JP2023097115A (en) 2021-12-27 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08157296A (en) * 1994-12-05 1996-06-18 Fujitsu Ltd Device for supplying raw material or gas
JP2005260251A (en) * 1999-04-06 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd Mounting stand, plasma processing apparatus, and manufacturing method for mounting stand
JP3668079B2 (en) * 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 Plasma process equipment
JP4664119B2 (en) * 2005-05-17 2011-04-06 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP4826483B2 (en) 2007-01-19 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP5224855B2 (en) * 2008-03-05 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 Electrode unit, substrate processing apparatus, and temperature control method for electrode unit
US9155134B2 (en) * 2008-10-17 2015-10-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices
KR101295794B1 (en) * 2011-05-31 2013-08-09 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
US8624168B2 (en) * 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
JP6010433B2 (en) * 2012-11-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate mounting table and substrate processing apparatus
JP6276919B2 (en) * 2013-02-01 2018-02-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing apparatus and sample stage
KR101994874B1 (en) * 2013-03-14 2019-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Drying apparatus and drying method
TWI508397B (en) * 2013-10-18 2015-11-11 Plug electrical connectors, wires and their components
JP6456601B2 (en) * 2014-05-07 2019-01-23 東京エレクトロン株式会社 Plasma deposition system
JP6478828B2 (en) * 2015-06-16 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 Film forming apparatus, film forming method, and substrate mounting table
JP6593004B2 (en) * 2015-07-22 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
TWI799480B (en) 2023-04-21
CN110010440A (en) 2019-07-12
JP2019114653A (en) 2019-07-11
JP7008497B2 (en) 2022-01-25
CN110010440B (en) 2022-06-07
KR20190076872A (en) 2019-07-02
TW201937590A (en) 2019-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102430205B1 (en) Plasma processing apparatus
KR102273516B1 (en) Substrate treatment apparatus and temperature control method
KR20180069774A (en) Inductively coupled plasma processing apparatus
JP5102500B2 (en) Substrate processing equipment
KR20060133485A (en) Upper electrode, plasma processing apparatus and method, and recording medium having a control program recorded therein
KR102391759B1 (en) organic film forming device
TW201606845A (en) Plasma treatment device and exhaust structure thereof
US20120037314A1 (en) Substrate processing apparatus and side wall component
TWI772430B (en) Plasma treatment device and gas shower head
JP6184760B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20120031966A (en) Plasma process apparatus
KR101768761B1 (en) High-frequency plasma processing apparatus and high-frequency plasma processing method
JP2019201086A (en) Processing device, component, and temperature control method
CN115722425B (en) Heating treatment device
KR102382926B1 (en) Water vapor processing apparatus and water vapor processing method
JP2008262968A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102192597B1 (en) Plasma process apparatus
TWI609990B (en) Enhanced productivity for an etch system through polymer management
KR20210131886A (en) Piping system and processing apparatus
JP6899697B2 (en) Gate valve device and board processing system
TW202119461A (en) Plasma processing device to suppress the plasma from becoming unstable
KR101342991B1 (en) Plasma etching apparatus and system for processing a substrate including the same
KR20220112197A (en) Heat treatment device
TW202242999A (en) Processing container, plasma processing apparatus and processing container manufacturing method which can suppress particle generation and realize discharge stabilization
JP2023097115A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant