KR102269436B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은, 기판의 상면 전역에 약액을 공급하면서, 기판의 중앙역에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 그 목적을 달성하기 위해, 제 1 노즐이 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 제 1 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상류측으로 향하는 성분과, 접선과 직교하는 기판의 직경 방향을 따라 제 1 착액 위치로부터 회전축으로 향하는 성분을 갖는 방향이고, 제 1 노즐에 의한 약액의 토출 속도의 접선 방향의 속도 성분은, 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 토출 속도의 직경 방향의 속도 성분은, 원심력을 이겨내고 당해 약액이 회전축측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 제 2 노즐이 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 제 2 노즐의 상방으로부터 보아, 제 2 착액 위치에 있어서의 접선의 방향을 따라 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.An object of the present invention is to improve the uniformity of the film thickness of the chemical solution supplied to the central region of the substrate while supplying the chemical solution to the entire upper surface of the substrate. In order to achieve that object, the discharge direction when the first nozzle discharges the chemical is a component directed upstream along the tangent direction at the first liquid landing position, and the first along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line. It is a direction having a component from the liquid landing position toward the rotational axis, and the velocity component in the tangential direction of the discharge speed of the chemical by the first nozzle has a size that overcomes the force in the downstream direction and allows the chemical liquid to flow in the upstream side, and the discharge speed The speed component in the radial direction of has a size that overcomes the centrifugal force and allows the chemical to flow toward the rotation axis, and the discharge direction when the second nozzle discharges the chemical is at the second liquid landing position as viewed from above the second nozzle. It is a direction having a component directed to the downstream side along the direction of the tangent line.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 태양 전지용 기판 등 (이하, 간단히 「기판」이라고 한다) 에 처리를 실시하는 기판 처리 기술에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, glass substrates for photomasks, substrates for solar cells, and the like (hereinafter simply referred to as “substrates”). It is related to a substrate processing technology for processing the .

특허문헌 1 에는, 기판을 세정하는 세정 장치가 개시되어 있다. 당해 세정 장치는, 회전하고 있는 기판의 상면을 향하여 기판의 상방의 외측으로부터 세정액을 각각 토출하는 제 1 노즐과 제 2 노즐을 구비한다. 제 1 노즐은, 기판을 위에서 봤을 때에 기판의 중심을 통과하는 기울어진 하향의 토출 방향을 따라, 기판의 중심보다 제 1 노즐측의 착액 위치에 닿도록 액기둥상의 제 1 세정액을 토출한다. 기판의 중심 부근에서는 원심력이 약하다. 이 때문에, 제 1 세정액은, 기판을 위에서 봤을 때에 토출 방향과 겹치는 기판 상의 직선을 따라, 착액 위치로부터 기판의 중심을 향하여 흘러 기판의 중심 상을 통과하고, 또한 기판의 중심을 넘어간 위치까지 액기둥상의 형상을 유지하면서 도달한다. 기판의 둘레 가장자리측은 원심력이 강하기 때문에, 기판의 중심을 넘어간 제 1 세정액은, 액막상으로 확산되어 감과 함께, 기판의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판의 둘레 가장자리를 향하여 흐른다.Patent Document 1 discloses a cleaning apparatus for cleaning a substrate. The cleaning apparatus includes a first nozzle and a second nozzle for discharging the cleaning liquid from the upper and outer sides of the substrate toward the upper surface of the rotating substrate, respectively. The first nozzle ejects the liquid column-shaped first cleaning liquid so as to reach a liquid landing position on the side of the first nozzle rather than the center of the substrate along the inclined downward ejection direction passing through the center of the substrate when the substrate is viewed from above. Centrifugal force is weak near the center of the substrate. For this reason, the first cleaning liquid flows from the liquid landing position toward the center of the substrate along a straight line on the substrate that overlaps the discharge direction when the substrate is viewed from above, passes through the center of the substrate, and extends beyond the center of the substrate. Reach while maintaining the shape of the top. Since the centrifugal force is strong on the peripheral side of the substrate, the first cleaning liquid that has passed over the center of the substrate diffuses into the liquid film and flows toward the peripheral edge of the substrate while changing its direction downstream of the rotational direction of the substrate.

제 2 노즐이 기판의 외측으로부터 토출한 액기둥상의 제 2 세정액은, 기판의 중심의 상방을 통과하여, 기판 상에 있어서의 제 1 세정액의 액기둥 및 액막에 닿지 않는 위치에 착액된다. 제 2 세정액의 착액 위치는, 제 1 세정액의 착액 위치보다 기판의 회전 방향의 하류측의 위치로서, 제 1 세정액의 착액 위치보다 기판의 중심으로부터 멀어, 강한 원심력이 작용하는 위치이다. 착액 후의 제 2 세정액은, 원심력의 영향을 받아 액막상으로 확산되면서 기판 상에 있어서의 제 1 세정액의 유동을 방해하지 않고 기판의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판의 둘레 가장자리를 향하여 흐른다.The liquid column-shaped second cleaning liquid discharged from the outside of the substrate by the second nozzle passes above the center of the substrate and lands on the substrate at a position where it does not contact the liquid column and liquid film of the first cleaning liquid. The liquid landing position of the second cleaning liquid is a position on the downstream side in the rotational direction of the substrate from the liquid landing position of the first cleaning liquid, and is farther from the center of the substrate than the liquid landing position of the first cleaning liquid, and is a position where a strong centrifugal force acts. After the liquid landing, the second cleaning liquid diffuses onto the liquid film under the influence of centrifugal force and flows toward the periphery of the substrate while changing its direction downstream of the rotational direction of the substrate without obstructing the flow of the first cleaning liquid on the substrate.

특허문헌 1 의 세정 장치는, 상기의 구성에 의해, 기판의 중심부를 제 1 세정액에 의해 세정하고, 기판의 중심부보다 외측의 주변부를 제 2 세정액에 의해 세정하는 것을 도모하고 있다. 또, 당해 세정 장치는, 제 1 세정액과 제 2 세정액이 기판 상에서 서로의 유동을 방해하지 않도록 함으로써, 세정도를 향상시키는 것도 도모하고 있다.In the cleaning apparatus of Patent Document 1, according to the above configuration, the central portion of the substrate is cleaned with the first cleaning liquid, and the peripheral portion outside the central portion of the substrate is cleaned with the second cleaning liquid. In addition, the cleaning apparatus is also aimed at improving the cleaning degree by preventing the first cleaning liquid and the second cleaning liquid from interfering with each other's flow on the substrate.

일본 공개특허공보 2015-201627호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-201627

특허문헌 1 의 세정 장치에 있어서는, 기판 상에 있어서의 제 1 세정액의 유동을, 제 2 노즐이 토출하는 제 2 세정액이 방해하지 않게 할 필요가 있다. 이를 위해서는, 제 2 노즐이 토출하는 액기둥상의 제 2 세정액은, 기판의 상방의 외측으로부터 기판 상에서 유동하고 있는 제 1 처리액의 액기둥상의 부분의 상방을 기울어진 하향으로 횡단하여, 기판의 중심에 대해 제 2 노즐과는 반대측의 착액 위치에 도달할 필요가 있다. 한편, 제 2 세정액의 착액 위치가 기판의 중심으로부터 지나치게 멀면, 제 2 세정액에 의해 세정할 수 있는 범위가 좁아져 버린다. 이 때문에, 제 2 세정액은, 기판의 중심으로부터의 거리가, 기판의 반경의 4 분의 1 이하가 되는 위치로 설정되는 착액 위치에 정확하게 도달할 필요가 있다. 또, 제 1 세정액도, 제 2 세정액의 착액 위치보다 더욱 내측의 착액 위치에, 제 2 세정액과 부딪치지 않도록 정확하게 토출될 필요가 있다. 이 때문에, 제 1, 제 2 노즐이 토출하는 제 1, 제 2 세정액의 각 유량 (각 유속) 은, 각 토출구의 구경 등에 따라 엄밀하게 설정할 필요가 있다.In the cleaning apparatus of Patent Document 1, it is necessary to prevent the second cleaning liquid discharged from the second nozzle from interfering with the flow of the first cleaning liquid on the substrate. For this purpose, the liquid column-shaped second cleaning liquid discharged from the second nozzle crosses the upper portion of the liquid column-shaped portion of the first treatment liquid flowing on the substrate from the outside of the upper side of the substrate in an inclined downward direction, and the center of the substrate It is necessary to reach the liquid landing position on the opposite side to the second nozzle. On the other hand, if the liquid landing position of the second cleaning liquid is too far from the center of the substrate, the range that can be cleaned by the second cleaning liquid becomes narrow. For this reason, it is necessary for the 2nd cleaning liquid to reach|attain accurately the liquid landing position which is set to the position where the distance from the center of a board|substrate becomes 1/4 or less of the radius of a board|substrate. In addition, the first cleaning liquid also needs to be accurately discharged to the liquid landing position further inside than the second cleaning liquid so as not to collide with the second cleaning liquid. For this reason, it is necessary to strictly set the respective flow rates (each flow velocity) of the first and second cleaning liquids discharged by the first and second nozzles according to the diameter of each discharge port and the like.

여기에서, 에칭액 등의 약액을 사용하여 기판의 표면의 처리를 실시하는 경우에는, 온도에 따라 약액의 반응성이 변동되기 때문에, 기판 표면의 각 부의 처리 레이트는, 기판의 표면의 온도 분포에 따라 변동된다. 이 때문에, 정해진 온도로 미리 가열된 약액을 기판의 전역에 공급함으로써, 기판 표면의 전역의 온도 분포를 원하는 온도 분포가 되도록 제어하면서, 기판의 처리를 실시하는 것이 도모된다.Here, when a chemical liquid such as an etchant is used to treat the surface of the substrate, the reactivity of the chemical varies depending on the temperature, so the treatment rate of each part of the substrate surface fluctuates depending on the temperature distribution of the surface of the substrate. do. For this reason, by supplying the chemical|medical solution heated in advance to the predetermined temperature to the whole area|region of a board|substrate, it is intended to process a board|substrate while controlling the temperature distribution over the whole area|substrate surface to become a desired temperature distribution.

그러나, 특허문헌 1 의 세정 장치는, 제 1, 제 2 세정액의 각 유속이 원하는 값으로부터 약간이라도 어긋나 있는 경우, 제 1 세정액과 제 2 세정액이 기판 상에서 충돌하여, 각 세정액이 유동하는 방향이 변화하기 때문에, 세정액을 기판의 중심 상에 공급할 수 없다. 즉, 특허문헌 1 의 장치에는, 제 1, 제 2 노즐이 토출하는 각 약액의 각 유량의 제어가 엄밀하게 이루어지지 않는 경우에는, 기판의 상면 전역에 약액을 공급할 수 없다고 하는 문제나, 기판의 중앙역에 공급되는 약액의 균일성이 악화된다고 하는 문제가 발생한다.However, in the cleaning apparatus of Patent Document 1, when the respective flow rates of the first and second cleaning liquids deviate even slightly from the desired values, the first and second cleaning liquids collide on the substrate, and the flow directions of the respective cleaning liquids change. Therefore, the cleaning liquid cannot be supplied onto the center of the substrate. That is, in the apparatus of Patent Document 1, if control of each flow rate of each chemical solution discharged by the first and second nozzles is not strictly controlled, there is a problem that the chemical solution cannot be supplied to the entire upper surface of the substrate, and The problem that the uniformity of the chemical|medical solution supplied to a central station deteriorates arises.

본 발명은, 이와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 회전하는 기판의 표면에 약액을 토출하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 상면 전역에 약액을 공급하면서, 기판의 중앙역에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve such a problem, and in a substrate processing apparatus for processing a substrate by discharging a chemical solution to the surface of a rotating substrate, while supplying the chemical solution to the entire upper surface of the substrate, it is supplied to the central area of the substrate An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the uniformity of the film thickness of a chemical solution.

상기의 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 상기 기판보다 상방으로부터 약액을 토출하는 제 1 노즐과, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 토출하는 제 2 노즐을 구비하고, 상기 제 1 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 1 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 1 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 1 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축으로 향하는 성분을 갖는 방향이고, 상기 제 1 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 속도의 상기 접선 방향의 속도 성분은, 상기 기판의 회전에 의해 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 상기 토출 속도의 상기 직경 방향의 속도 성분은, 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액이 상기 회전축측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to a first aspect includes: a holding member rotatable while holding a substrate in a substantially horizontal posture; a rotation mechanism for rotating the holding member about a rotation axis; A first nozzle for discharging the chemical from above the substrate so as to reach the first liquid landing position in the intermediate region between the central station and the peripheral region among the rotation trajectories, and from the substrate to reach the second liquid landing position in the intermediate region a second nozzle for discharging the chemical solution from above, wherein a discharge direction when the first nozzle discharges the chemical solution is viewed from above the first nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate, the rotation axis being the center A component directed upstream of the rotational direction of the substrate along a tangent direction at the first liquid landing position of a circle passing through the first liquid landing position, and the second along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line a direction having a component from the first liquid landing position toward the rotation axis, and the tangential velocity component of the ejection velocity when the first nozzle ejects the chemical liquid is the velocity component in the tangential direction on the first liquid landing position due to rotation of the substrate. The chemical solution has a size that overcomes a force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate acting on the chemical and the chemical can flow in the upstream side of the rotational direction of the substrate, and the radial velocity component of the discharge speed is the first The second nozzle has a size that overcomes the centrifugal force caused by rotation of the substrate acting on the chemical solution on the liquid landing position and that the chemical can flow toward the rotation shaft side, and the discharge direction when the second nozzle discharges the chemical solution is the second nozzle Viewed from above in the direction of the rotation axis of the substrate, along the tangential direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as the center, the component directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate direction to have

제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 회전축으로부터 동일한 거리이다.A substrate processing apparatus according to a second aspect is a substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second liquid depositing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle The liquid landing position is the same distance from the rotation shaft.

제 3 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 기판의 둘레 가장자리 중 상기 제 1 착액 위치에 가장 가까운 점의 중점 (中點) 에 의해 주목 중점을 정의했을 때, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 착액 위치보다 상기 회전축으로부터 멀고, 상기 주목 중점보다 상기 회전축에 가깝다.A substrate processing apparatus according to a third aspect is a substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the first liquid landing position among the peripheral edges of the substrate are the most When the midpoint of interest is defined by the midpoint of a near point, the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle is farther from the rotation axis than the first liquid landing position, and is higher than the notable midpoint close to the axis of rotation.

제 4 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 3 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 기판의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 상기 회전축을 서로의 사이에 두고 각각 위치한다.A substrate processing apparatus according to a fourth aspect is a substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second nozzle are discharged The second liquid landing positions of the chemical liquid are respectively located on the same straight line forming the diameter of the substrate with the rotation axis between each other.

제 5 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 3 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 노즐이 토출한 상기 약액이 상기 제 1 착액 위치로부터 주위로 확산되어 상기 기판 상에 형성되어 있는 액막 위에 위치한다.A substrate processing apparatus according to a fifth aspect is a substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle is provided by the first nozzle. The chemical liquid is diffused from the first liquid landing position to the surroundings and is positioned on the liquid film formed on the substrate.

제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 약액을 토출하는 제 1 노즐과, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 토출하는 제 2 노즐을 구비하고, 상기 제 1 노즐은, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축측으로 향하는 상기 약액의 양이, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 상기 약액의 양보다 많아지도록, 상기 약액을 토출하고, 상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.A substrate processing apparatus according to a sixth aspect includes a holding member rotatable while holding a substrate in a substantially horizontal posture, a rotation mechanism for rotating the holding member about a rotation axis, and between a central region and a peripheral region of a rotation trajectory of the substrate a first nozzle for discharging the chemical solution from above the substrate so as to reach the first liquid landing position in the intermediate region of , and a second nozzle for discharging the chemical liquid from above the substrate so as to reach the second liquid landing position in the intermediate region a nozzle; wherein the first nozzle is at the first liquid landing position immediately after the amount of the chemical directed from the first liquid landing position to the rotational shaft side immediately after reaching the first liquid landing position The chemical solution is discharged so as to be greater than the amount of the chemical solution directed to the opposite side from the rotation axis, and the discharge direction when the second nozzle discharges the chemical solution is the direction of the rotation axis of the substrate from above the second nozzle It is a direction having a component directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate along a tangential direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as the center.

제 7 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 유량이, 상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 유량보다 많다.A substrate processing apparatus according to a seventh aspect is a substrate processing apparatus according to the first or sixth aspect, wherein a flow rate of the chemical liquid discharged by the second nozzle is greater than a flow rate of the chemical liquid discharged by the first nozzle.

제 8 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 2 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.A substrate processing apparatus according to an eighth aspect is a substrate processing apparatus according to the first or sixth aspect, wherein a discharge direction when the second nozzle discharges the chemical liquid is a rotation axis of the substrate from above the second nozzle a component directed downstream of the rotational direction of the substrate along a tangent direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as a center, and the component orthogonal to the tangent It is a direction which has a component which goes to the opposite side to the said rotation axis from the said 2nd liquid landing position along the radial direction of a board|substrate.

제 9 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 각 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 각 토출 방향은, 상기 각 노즐에 대해 상기 회전축과는 반대측의 각 위치로부터 상기 기판의 직경 방향으로 보아, 상기 기판의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향이다.A substrate processing apparatus according to a ninth aspect is a substrate processing apparatus according to the first or sixth aspect, wherein each discharge direction when each nozzle of the first nozzle and the second nozzle discharges the chemical liquid is each It is a downward direction inclined from the upper side of the said board|substrate as seen in the radial direction of the said board|substrate from each position opposite to the said rotation axis with respect to a nozzle.

제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 스텝과, 상기 회전 스텝과 병행하여, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 상기 기판보다 상방으로부터 약액을 토출하는 제 1 토출 스텝과, 상기 회전 스텝 및 상기 제 1 토출 스텝과 병행하여, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 토출하는 제 2 토출 스텝을 구비하고, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 1 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 1 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분과, 상기 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축으로 향하는 성분을 갖는 방향이고, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 속도의 상기 접선 방향의 속도 성분은, 상기 기판의 회전에 의해 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 상기 토출 속도의 상기 직경 방향의 속도 성분은, 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액이 상기 회전축측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 토출 방향으로 상기 약액을 토출하는 스텝이다.A substrate processing method according to a tenth aspect includes a rotation step of rotating a substrate about a rotation axis while maintaining a substantially horizontal posture, and in parallel with the rotation step, in an intermediate region between a central station and a peripheral station of the rotation trajectory of the substrate A first discharging step of discharging the chemical from above the substrate so as to reach the first liquid landing position in the substrate, and in parallel with the rotating step and the first discharging step, to reach the second liquid landing position in the intermediate region a second discharging step for discharging the chemical solution from above the substrate, wherein the discharging direction of the chemical solution discharged in the first discharging step is about the rotation axis as the chemical solution is viewed from above in the direction of the rotation axis A component directed upstream of the rotational direction of the substrate along the tangent direction at the first liquid landing position of a circle passing through the first liquid landing position, and the first liquid landing along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line a direction having a component from a position to the rotational axis, and the tangential speed component of the discharge speed of the chemical liquid discharged in the first discharging step is in the chemical liquid on the first liquid landing position due to rotation of the substrate has a size that overcomes the acting force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate and allows the chemical to flow upstream in the rotational direction of the substrate, and the radial velocity component of the discharge velocity is the first liquid landing position The chemical solution has a size that overcomes the centrifugal force caused by rotation of the substrate acting on the chemical solution on the phase and allows the chemical solution to flow toward the rotation shaft side, and the discharge direction of the chemical solution discharged in the second discharging step is: When viewed in the direction of the rotation axis, the chemical liquid in a discharge direction having a component directed downstream of the rotation direction of the substrate along a tangential direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotational axis as the center. is a step for discharging

제 11 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 회전축으로부터 동일한 거리이다.A substrate processing method according to an eleventh aspect is a substrate processing method according to the tenth aspect, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the chemical liquid discharged in the second discharging step The second liquid landing position of is the same distance from the rotation shaft.

제 12 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 기판의 둘레 가장자리 중 상기 제 1 착액 위치에 가장 가까운 점의 중점에 의해 주목 중점을 정의했을 때, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 착액 위치보다 상기 회전축으로부터 멀고, 상기 주목 중점보다 상기 회전축에 가깝다.A substrate processing method according to a twelfth aspect is a substrate processing method according to a tenth aspect, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the first liquid landing position among the peripheral edges of the substrate When the midpoint of interest is defined by the midpoint of the point closest to , the second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step is farther from the rotation axis than the first liquid landing position, and is higher than the notable midpoint close to the axis of rotation.

제 13 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 내지 제 12 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 기판의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 상기 회전축을 서로의 사이에 두고 각각 위치한다.A substrate processing method according to a thirteenth aspect is a substrate processing method according to any one of the tenth to twelfth aspects, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the second discharging position are The second liquid landing positions of the chemical liquid discharged in the step are respectively located on the same straight line forming the diameter of the substrate with the rotation shaft interposed therebetween.

제 14 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 내지 제 12 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액이 상기 제 1 착액 위치로부터 주위로 확산되어 상기 기판 상에 형성되어 있는 액막 위에 위치한다.A substrate processing method according to a fourteenth aspect is a substrate processing method according to any one of the tenth to twelfth aspects, wherein the second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step is the first discharging position. The chemical liquid discharged in the step diffuses from the first liquid landing position to the surroundings and is positioned on the liquid film formed on the substrate.

제 15 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 스텝과, 상기 회전 스텝과 병행하여, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 약액을 토출하는 제 1 토출 스텝과, 상기 회전 스텝 및 상기 제 1 토출 스텝과 병행하여, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 토출하는 제 2 토출 스텝을 구비하고, 상기 제 1 토출 스텝은, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축측으로 향하는 상기 약액의 양이, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 상기 약액의 양보다 많아지도록, 상기 약액을 토출하는 스텝이고, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.A substrate processing method according to a fifteenth aspect includes a rotation step of rotating a substrate about a rotation axis while maintaining a substantially horizontal posture, and in parallel with the rotation step, in an intermediate region between a central station and a peripheral station of the rotation trajectory of the substrate a first discharging step of discharging the chemical from above the substrate so as to reach the first liquid landing position in the substrate, and in parallel with the rotating step and the first discharging step, the substrate so as to reach the second liquid landing position in the intermediate region and a second discharging step for discharging the chemical liquid from above, wherein the first discharging step comprises: an amount of the chemical liquid directed from the first liquid landing position to the rotation shaft side immediately after the first liquid landing position is reached; a step of discharging the chemical so as to exceed the amount of the chemical directed to the side opposite to the rotation axis from the first liquid landing position immediately after the first liquid landing position is reached, and the discharging direction of the chemical liquid discharged in the second discharging step is directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate along the tangential direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotational axis as the center of the chemical liquid when viewed from above in the direction of the rotation axis It is the direction with the component.

제 16 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 또는 제 15 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 유량이, 상기 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 유량보다 많다.A substrate processing method according to a sixteenth aspect is a substrate processing method according to the tenth or fifteenth aspect, wherein the flow rate of the chemical liquid discharged in the second discharging step is higher than the flow rate of the chemical liquid discharged in the discharging step. many.

제 17 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 또는 제 15 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 2 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.A substrate processing method according to a seventeenth aspect is a substrate processing method according to the tenth or fifteenth aspect, wherein the discharge direction of the chemical liquid discharged in the second discharge step is viewed from above in the direction of the rotation axis, A component directed downstream of the rotational direction of the substrate along a tangent direction at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as the center, and a radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line It is a direction having a component directed to the opposite side from the second liquid landing position along the axis of rotation.

제 18 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 10 또는 제 15 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 토출 스텝과 상기 제 2 토출 스텝의 각 토출 스텝에 있어서 상기 약액이 토출될 때의 각 토출 방향은, 상기 각 토출 스텝에 있어서 토출되고 있는 각 약액에 대해 상기 회전축과는 반대측으로부터 상기 기판의 직경 방향으로 상기 각 약액을 보아, 상기 기판의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향이다.A substrate processing method according to an eighteenth aspect is a substrate processing method according to the tenth or fifteenth aspect, wherein each discharge direction when the chemical is discharged in each discharge step of the first discharge step and the second discharge step In each of the discharging steps, the respective chemical solutions are viewed from the opposite side to the rotation axis in the radial direction of the substrate, and are inclined downward from the top of the substrate.

제 1 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 노즐로부터 토출된 약액의 적어도 일부는, 제 1 착액 위치에 닿은 직후에, 당해 약액에 작용하는 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘과 원심력의 쌍방의 힘을 이겨내고, 제 1 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 회전 방향의 상류측, 또한, 회전축측으로 흐르고, 그 후, 기판의 중앙역을 통과하여 기판의 둘레 가장자리에 도달한다. 이로써, 제 1 착액 위치에는 다량의 약액이 공급되고, 기판의 중앙 부분의 각 위치에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급된다. 기판의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판의 각 위치에 공급된 약액은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 따라서, 제 1 착액 위치에는 기판의 중앙역보다 다량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 기판의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판의 중앙역에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 제 1 착액 위치에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 표면 중 제 1 착액 위치보다 기판의 중심측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 제 2 노즐로부터 토출된 약액의 대부분은, 제 2 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 주변역을 기판의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 제 1 노즐과 제 2 노즐에 의해 기판의 표면 전체에 약액을 공급하면서, 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분, 즉 기판의 중앙역과, 기판의 중간역 중 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다.According to the invention according to the first aspect, at least a portion of the chemical liquid discharged from the first nozzle immediately after contacting the first liquid landing position is a force of both a force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate and a centrifugal force acting on the chemical liquid. It overcomes the force and flows from the first liquid landing position onto the liquid film while flowing upstream in the rotational direction of the substrate and toward the rotational axis, and then passes through the central region of the substrate to reach the peripheral edge of the substrate. Thus, a large amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position, and a smaller amount of the chemical is supplied to each position of the central portion of the substrate than at the first liquid landing position. The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the substrate increases from the rotational axis toward the peripheral edge of the substrate. Further, the chemical solution supplied to each position of the substrate is elongated in the circumferential direction as the rotational speed of each position in the circumferential direction increases, and the film thickness decreases. Therefore, although a larger amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position than in the central region of the substrate, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate, while a smaller amount of the chemical is supplied to the central region of the substrate than in the first liquid landing position, but the film thickness does not thin well compared to the first liquid landing position. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution in the center side part of the board|substrate rather than the 1st liquid landing position on the board|substrate surface can be improved by the 1st nozzle. Further, most of the chemical liquid discharged from the second nozzle reaches the peripheral edge of the substrate while spreading from the second liquid landing position onto the liquid film and flowing in the peripheral region of the substrate downstream in the rotational direction of the substrate. Accordingly, while supplying the chemical to the entire surface of the substrate by the first and second nozzles, the portion on the rotational axis side from the first liquid landing position, that is, the central region of the substrate and the intermediate region of the substrate, the portion on the rotational axis side rather than the first liquid landing position. The uniformity of the film thickness of the supplied chemical can be improved by the first nozzle.

제 2 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 노즐이 토출하는 약액의 제 1 착액 위치와, 제 2 노즐이 토출하는 약액의 제 2 착액 위치는, 회전축으로부터 동일한 거리이다. 따라서, 쌍방의 노즐로부터 각각 토출된 약액을 기판의 표면 전체에 공급하는 것이 보다 용이해진다.According to the invention according to the second aspect, the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle are the same distance from the rotation shaft. Therefore, it becomes easier to supply the chemical liquid respectively discharged from both nozzles to the entire surface of the substrate.

제 4 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 노즐이 토출하는 약액의 제 1 착액 위치와, 제 2 노즐이 토출하는 약액의 제 2 착액 위치는, 기판의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 회전축을 서로의 사이에 두고 각각 위치한다. 따라서, 예를 들어, 쌍방의 노즐이 토출하는 약액이, 기판의 상방으로부터 보아, 서로 평행하고, 또한 동일한 방향으로 토출된 경우에는, 제 2 노즐이 토출한 약액의 토출 방향을, 기판의 상방으로부터 보아, 기판의 중심측으로 향하는 성분을 갖지 않는 방향으로 할 수 있다. 따라서, 제 2 노즐로부터 기판의 주변역으로 약액을 효율적으로 공급할 수 있다.According to the invention according to the fourth aspect, the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle are on the same straight line forming the diameter of the substrate, and the rotation shafts are mutually placed between each of them. Therefore, for example, when the chemical liquids discharged by both nozzles are parallel to each other and discharged in the same direction as viewed from above the substrate, the discharge direction of the chemical liquid discharged by the second nozzle is from above the substrate. As can be seen, it can be set in a direction that does not have a component directed toward the center side of the substrate. Therefore, the chemical liquid can be efficiently supplied from the second nozzle to the peripheral area of the substrate.

제 5 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 2 노즐이 토출하는 약액의 제 2 착액 위치는, 제 1 노즐이 토출한 약액이 제 1 착액 위치로부터 주위로 확산되어 기판 상에 형성하고 있는 액막 위에 위치한다. 이로써, 제 2 착액 위치가, 기판 상에 있어서 제 1 노즐로부터 토출된 약액이 형성하는 액막 이외의 부분에 위치하는 경우에 비해, 제 2 노즐로부터 토출된 약액의 액 튕김을 저감시킬 수 있다.According to the invention according to the fifth aspect, the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle is located on the liquid film formed on the substrate by diffusing the chemical liquid ejected by the first nozzle to the surroundings from the first liquid landing position. . Accordingly, compared to the case where the second liquid landing position is located on the substrate other than the liquid film formed by the chemical liquid discharged from the first nozzle, it is possible to reduce the liquid bounce of the chemical liquid discharged from the second nozzle.

제 6 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 노즐로부터 토출된 약액이, 제 1 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 중심을 향하여 흐르고, 또한 기판의 중심에 대해 제 1 착액 위치와는 반대측 기판의 둘레 가장자리에 도달하는 것이 용이해진다. 이로써, 제 1 착액 위치에는 다량의 약액이 공급되고, 기판의 중앙 부분의 각 위치에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급된다. 기판의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판의 각 위치에 공급된 약액은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 따라서, 제 1 착액 위치에는 기판의 중앙역보다 다량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 기판의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판의 중앙역에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 제 1 착액 위치에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 표면 중 제 1 착액 위치보다 기판의 중심측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 제 2 노즐로부터 토출된 약액의 일부는, 제 2 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 주변역을 기판의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 제 1 노즐과 제 2 노즐에 의해 기판의 표면 전체에 약액을 공급하면서, 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분, 즉 기판의 중앙역과, 기판의 중간역 중 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the sixth aspect, the chemical liquid discharged from the first nozzle flows toward the center of the substrate while being diffused from the first liquid landing position onto the liquid film, and also flows toward the center of the substrate on the side opposite to the first liquid landing position. It becomes easier to reach the perimeter edge. Thus, a large amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position, and a smaller amount of the chemical is supplied to each position of the central portion of the substrate than at the first liquid landing position. The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the substrate increases from the rotational axis toward the peripheral edge of the substrate. Further, the chemical solution supplied to each position of the substrate is elongated in the circumferential direction as the rotational speed of each position in the circumferential direction increases, and the film thickness decreases. Therefore, although a larger amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position than in the central region of the substrate, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate, while a smaller amount of the chemical is supplied to the central region of the substrate than in the first liquid landing position, but the film thickness does not thin well compared to the first liquid landing position. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution in the center side part of the board|substrate rather than the 1st liquid landing position on the board|substrate surface can be improved by the 1st nozzle. In addition, a part of the chemical liquid discharged from the second nozzle reaches the peripheral edge of the substrate while it diffuses from the second liquid landing position onto the liquid film and flows in the peripheral region of the substrate to the downstream side in the rotation direction of the substrate. Accordingly, while supplying the chemical to the entire surface of the substrate by the first and second nozzles, the portion on the rotational axis side from the first liquid landing position, that is, the central region of the substrate and the intermediate region of the substrate, the portion on the rotational axis side rather than the first liquid landing position. The uniformity of the film thickness of the supplied chemical can be improved by the first nozzle.

제 7 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 2 노즐이 토출하는 약액의 유량이, 제 1 노즐이 토출하는 약액의 유량보다 많기 때문에, 기판의 주변역에 대해, 제 2 노즐로부터 보다 많은 약액을 공급할 수 있다.According to the invention according to the seventh aspect, since the flow rate of the chemical solution discharged by the second nozzle is greater than the flow rate of the chemical solution discharged by the first nozzle, more chemical solution can be supplied from the second nozzle to the peripheral area of the substrate have.

제 8 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 2 노즐이 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 제 2 노즐의 상방으로부터 기판의 회전축 방향으로 보아, 회전축을 중심으로 하여 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 기판의 직경 방향을 따라 제 2 착액 위치로부터 회전축과는 반대측으로 향하는 성분을 갖는 방향이다. 따라서, 제 2 노즐로부터 기판의 주변역에 대해 효율적으로 약액을 공급할 수 있다.According to the invention according to the eighth aspect, the discharge direction when the second nozzle discharges the chemical is that of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as the center of the rotation axis, viewed from above the second nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate. It is a direction having a component facing downstream of the rotational direction of the substrate along the tangent direction at the second liquid landing position, and a component facing the opposite side from the rotation axis from the second liquid landing position along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent. Therefore, the chemical liquid can be efficiently supplied from the second nozzle to the peripheral area of the substrate.

제 9 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 노즐과 제 2 노즐의 각 노즐이 약액을 토출할 때의 각 토출 방향은, 각 노즐에 대해 회전축과는 반대측의 각 위치로부터 기판의 직경 방향으로 보아, 기판의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향이다. 제 1 노즐, 제 2 노즐은, 제 1 착액 위치, 제 2 착액 위치를 향하여, 보다 정확하게 약액을 토출할 수 있다.According to the invention related to the ninth aspect, when each nozzle of the first nozzle and the second nozzle discharges the chemical, each discharge direction is viewed from each position on the opposite side to the rotation axis for each nozzle in the radial direction of the substrate, It is a downward direction inclined from the top of the board|substrate. The first nozzle and the second nozzle can more accurately discharge the chemical toward the first liquid landing position and the second liquid landing position.

제 10 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 토출 스텝에 있어서 토출된 약액의 적어도 일부는, 제 1 착액 위치에 닿은 직후에, 당해 약액에 작용하는 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘과 원심력의 쌍방의 힘을 이겨내고, 제 1 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 회전 방향의 상류측, 또한, 회전축측으로 흐르고, 그 후, 기판의 중앙역을 통과하여 기판의 둘레 가장자리에 도달한다. 이로써, 제 1 착액 위치에는 다량의 약액이 공급되고, 기판의 중앙 부분의 각 위치에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급된다. 기판의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판의 각 위치에 공급된 약액은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 따라서, 제 1 착액 위치에는 기판의 중앙역보다 다량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 기판의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판의 중앙역에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 제 1 착액 위치에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 표면 중 제 1 착액 위치보다 기판의 중심측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 제 1 토출 스텝에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 제 2 토출 스텝에 있어서 토출된 약액의 대부분은, 제 2 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 주변역을 기판의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 제 1 토출 스텝과 제 2 토출 스텝에 의해 기판의 표면 전체에 약액을 공급하면서, 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분, 즉 기판의 중앙역과, 기판의 중간역 중 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 제 1 토출 스텝에 의해 향상시킬 수 있다.According to the invention according to the tenth aspect, at least a part of the chemical liquid discharged in the first discharging step immediately after contacting the first liquid landing position is a force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate and centrifugal force acting on the chemical liquid. It overcomes both forces and flows from the first liquid landing position onto the liquid film while flowing upstream in the rotational direction of the substrate and toward the rotational axis, and then passes through the central region of the substrate to reach the peripheral edge of the substrate. Thus, a large amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position, and a smaller amount of the chemical is supplied to each position of the central portion of the substrate than at the first liquid landing position. The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the substrate increases from the rotational axis toward the peripheral edge of the substrate. Further, the chemical solution supplied to each position of the substrate is elongated in the circumferential direction as the rotational speed of each position in the circumferential direction increases, and the film thickness decreases. Therefore, although a larger amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position than in the central region of the substrate, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate, while a smaller amount of the chemical is supplied to the central region of the substrate than in the first liquid landing position, but the film thickness does not thin well compared to the first liquid landing position. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution in the center side part of a board|substrate rather than the 1st liquid landing position on the board|substrate surface can be improved by a 1st discharging step. In addition, most of the chemical liquid discharged in the second discharging step reaches the peripheral edge of the substrate while diffusing from the second liquid landing position onto the liquid film and flowing in the peripheral region of the substrate downstream in the rotational direction of the substrate. Therefore, while supplying the chemical solution to the entire surface of the substrate by the first discharging step and the second discharging step, the portion on the rotational axis side from the first liquid landing position, that is, the central region of the substrate and the intermediate region of the substrate on the rotational axis side from the first liquid landing position The uniformity of the film thickness of the chemical liquid supplied to the portion can be improved by the first discharging step.

제 15 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 토출 스텝에 있어서 토출된 약액이, 제 1 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 중심을 향하여 흐르고, 또한 기판의 중심에 대해 제 1 착액 위치와는 반대측 기판의 둘레 가장자리에 도달하는 것이 용이해진다. 이로써, 제 1 착액 위치에는 다량의 약액이 공급되고, 기판의 중앙 부분의 각 위치에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급된다. 기판의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판의 각 위치에 공급된 약액은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 따라서, 제 1 착액 위치에는 기판의 중앙역보다 다량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 기판의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판의 중앙역에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 제 1 착액 위치에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 표면 중 제 1 착액 위치보다 기판의 중심측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 제 1 토출 스텝에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 제 2 토출 스텝에 있어서 토출된 약액의 일부는, 제 2 착액 위치로부터 액막상으로 확산되면서 기판의 주변역을 기판의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 제 1 토출 스텝과 제 2 토출 스텝에 의해 기판의 표면 전체에 약액을 공급하면서, 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분, 즉 기판의 중앙역과, 기판의 중간역 중 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 제 1 토출 스텝에 의해 향상시킬 수 있다.According to the invention according to the fifteenth aspect, the chemical liquid discharged in the first discharging step flows toward the center of the substrate while diffusing from the first liquid landing position onto the liquid film, and on the opposite side to the center of the substrate from the first liquid landing position It becomes easy to reach the peripheral edge of the substrate. Thus, a large amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position, and a smaller amount of the chemical is supplied to each position of the central portion of the substrate than at the first liquid landing position. The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the substrate increases from the rotational axis toward the peripheral edge of the substrate. Further, the chemical solution supplied to each position of the substrate is elongated in the circumferential direction as the rotational speed of each position in the circumferential direction increases, and the film thickness decreases. Therefore, although a larger amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position than in the central region of the substrate, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate, while a smaller amount of the chemical is supplied to the central region of the substrate than in the first liquid landing position, but the film thickness does not thin well compared to the first liquid landing position. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution in the center side part of a board|substrate rather than the 1st liquid landing position on the board|substrate surface can be improved by a 1st discharging step. In addition, a part of the chemical liquid discharged in the second discharging step reaches the peripheral edge of the substrate while spreading from the second liquid landing position onto the liquid film and flowing in the peripheral region of the substrate downstream in the rotational direction of the substrate. Therefore, while supplying the chemical solution to the entire surface of the substrate by the first discharging step and the second discharging step, the portion on the rotational axis side from the first liquid landing position, that is, the central region of the substrate and the intermediate region of the substrate on the rotational axis side from the first liquid landing position The uniformity of the film thickness of the chemical liquid supplied to the portion can be improved by the first discharging step.

도 1 은 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 측면 모식도이다.
도 2 는 도 1 의 기판 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 3 은 기판의 상면의 중간역의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 는 기판 상에 토출된 약액의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는 기판의 반경과 열 손실의 관계의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다.
도 6 은 약액의 토출 양태와, 기판의 온도 분포의 관계의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다.
도 7 은 2 개의 노즐의 배치의 다른 예를 나타내는 상면 모식도이다.
도 8 은 2 개의 노즐의 배치의 다른 예를 나타내는 상면 모식도이다.
도 9 는 2 개의 노즐의 배치의 다른 예를 나타내는 상면 모식도이다.
도 10 은 2 개의 노즐이 토출하는 약액의 기판의 직경 방향에 있어서의 막두께 분포의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다.
도 11 은 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a side schematic diagram for demonstrating the structural example of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment.
FIG. 2 is a schematic top view for explaining a configuration example of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
It is a figure for demonstrating an example of the intermediate area of the upper surface of a board|substrate.
4 is a view showing an example of a flow of a chemical liquid discharged on a substrate.
Fig. 5 is a graph showing an example of the relationship between the radius of the substrate and the heat loss.
Fig. 6 is a diagram showing an example of the relationship between the discharge mode of the chemical and the temperature distribution of the substrate in a graph format.
It is a top surface schematic diagram which shows the other example of arrangement|positioning of two nozzles.
It is a top surface schematic diagram which shows the other example of arrangement|positioning of two nozzles.
It is a top surface schematic diagram which shows the other example of arrangement|positioning of two nozzles.
Fig. 10 is a diagram showing an example of the film thickness distribution in the radial direction of the substrate of the chemical liquid discharged by two nozzles in a graph format.
11 is a flowchart showing an example of operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment.

이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대하여 설명한다. 이하의 실시형태는, 본 발명을 구체화한 일례이며, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 또, 이하에 참조하는 각 도면에서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다. 상하 방향은 연직 방향이고, 스핀 척에 대해 기판측이 위이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described, referring drawings. The following embodiment is an example which embodied this invention, and is not an example which limits the technical scope of this invention. In addition, in each drawing referenced below, in order to make understanding easy, the dimension and number of each part may be exaggerated or simplified in illustration. The up-down direction is a vertical direction, and the substrate side is up with respect to the spin chuck.

＜실시형태에 대하여＞<About the embodiment>

＜1. 기판 처리 장치 (1) 의 전체 구성＞<1. Overall configuration of substrate processing apparatus 1>

기판 처리 장치 (1) 의 구성에 대하여, 도 1, 도 2 를 참조하면서 설명한다. 도 1, 도 2 는, 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 1, 도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 측면 모식도, 상면 모식도이다.The structure of the substrate processing apparatus 1 is demonstrated, referring FIGS. 1 and 2 . 1 and 2 are diagrams for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. 1 and 2 are schematic side views and upper surface schematic views of the substrate processing apparatus 1 .

도 1, 도 2 에서는, 노즐 (51, 52) 이 기판 (9) 의 상방의 처리 위치에 배치된 상태에서, 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 에 의해 회전축 (a1) 둘레로 소정의 회전 방향 (화살표 AR1 의 방향) 으로 회전하고 있는 상태가 나타나 있다. 노즐 (51) (52) 은, 액기둥상의 약액 (L1) (L2) 을 기판 (9) 의 상면에 토출하고 있다. 도 2 에서는, 기판 처리 장치 (1) 의 구성 요소 중 제어부 (130) 등의 일부의 구성 요소의 기재는 생략되어 있다.1 and 2 , in the state where the nozzles 51 and 52 are disposed at the processing positions above the substrate 9 , the substrate 9 is rotated by the spin chuck 21 to a predetermined rotation around the rotation axis a1 . A state of rotation in the direction (direction of arrow AR1) is shown. The nozzles 51 and 52 discharge the liquid column-shaped chemical liquids L1 and L2 onto the upper surface of the substrate 9 . In FIG. 2 , description of some components such as the control unit 130 among components of the substrate processing apparatus 1 is omitted.

기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 기판 처리 장치 (1) 에 대한 반입 반출은, 노즐 (51, 52) 이 도시가 생략된 노즐 이동 기구에 의해 대피 위치에 배치된 상태에서, 로봇 등에 의해 실시된다. 기판 처리 장치 (1) 에 반입된 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 에 의해 자유롭게 착탈할 수 있게 유지된다.The surface shape of the substrate 9 is substantially circular. Carrying-in/out of the substrate 9 to and from the substrate processing apparatus 1 is performed by a robot or the like in a state in which the nozzles 51 and 52 are disposed at the evacuation position by a nozzle moving mechanism (not shown). The substrate 9 loaded into the substrate processing apparatus 1 is freely detachably held by the spin chuck 21 .

기판 처리 장치 (1) 는 회전 유지 기구 (2), 처리부 (5), 및 제어부 (130) 를 구비한다. 이들 각 부 (2, 5) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있어, 제어부 (130) 로부터의 지시에 따라 동작한다. 제어부 (130) 로는, 예를 들어, 일반적인 컴퓨터와 동일한 것을 채용할 수 있다. 즉, 제어부 (130) 는, 예를 들어, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 판독 입력할 수 있는 메모리인 RAM, 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (130) 에 있어서는, 프로그램에 기술된 순서에 따라 주제어부로서의 CPU 가 연산 처리를 실시함으로써, 기판 처리 장치 (1) 의 각 부를 제어한다.The substrate processing apparatus 1 includes a rotation holding mechanism 2 , a processing unit 5 , and a control unit 130 . Each of these units 2 , 5 is electrically connected to the control unit 130 , and operates according to an instruction from the control unit 130 . As the control unit 130, for example, the same thing as a general computer can be employed. That is, the control unit 130 includes, for example, a CPU that performs various arithmetic processing, a ROM that is a read/output memory dedicated to storing basic programs, a RAM that is a freely read/input memory that stores various information, and software for control. A magnetic disk or the like for storing data or the like is provided. In the control unit 130 , each unit of the substrate processing apparatus 1 is controlled by the CPU as the main control unit performing arithmetic processing according to the procedure described in the program.

＜2. 기판 (9)＞<2. Substrate (9)>

기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 반경은, 예를 들어, 150 ㎜ 이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 노즐 (51, 52) 로부터 기판 (9) 의 상면에 처리액을 공급하여 기판 (9) 의 처리를 실시한다.The surface shape of the substrate 9 to be processed in the substrate processing apparatus 1 is substantially circular. The radius of the substrate 9 is, for example, 150 mm. The substrate processing apparatus 1 processes the substrate 9 by supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate 9 from the nozzles 51 and 52 .

도 3 은, 기판 (9) 의 상면의 중간역 (K2) 의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 중간역 (K2) 은, 기판 (9) 의 회전 궤적 중 중앙역 (K1) 과 주변역 (K3) 사이의 영역이다. 기판 (9) 의 중심 (c1) 에서부터 중앙역 (K1) 과 중간역 (K2) 의 경계까지의 길이는, 예를 들어, 기판 (9) 의 반경의 3 분의 1 이다. 또, 주변역 (K3) 의 폭, 즉, 중간역 (K2) 과 주변역 (K3) 의 경계에서부터 기판 (9) 의 둘레 가장자리까지의 길이는, 예를 들어, 기판 (9) 의 반경의 3 분의 1 이다. 따라서, 이 경우에는, 중간역 (K2) 의 폭, 즉, 중앙역 (K1) 과 중간역 (K2) 의 경계에서부터 중간역 (K2) 과 주변역 (K3) 의 경계까지의 길이는, 기판 (9) 의 반경의 3 분의 1 이다.3 : is a figure for demonstrating an example of the intermediate area K2 of the upper surface of the board|substrate 9. As shown in FIG. The intermediate station K2 is a region between the central station K1 and the peripheral station K3 among the rotation trajectories of the substrate 9 . The length from the center c1 of the substrate 9 to the boundary between the central station K1 and the intermediate station K2 is, for example, a third of the radius of the substrate 9 . In addition, the width of the peripheral region K3 , ie, the length from the boundary between the intermediate region K2 and the peripheral region K3 to the peripheral edge of the substrate 9 is, for example, 3 of the radius of the substrate 9 . is one-third. Accordingly, in this case, the width of the intermediate region K2, that is, the length from the boundary between the central region K1 and the intermediate region K2 to the boundary between the intermediate region K2 and the peripheral region K3 is equal to the width of the substrate 9 ) is one-third of the radius of

＜3. 기판 처리 장치 (1) 의 각 부의 구성＞<3. Configuration of each part of substrate processing apparatus 1>

＜회전 유지 기구 (2)＞<Rotation holding mechanism (2)>

회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 그 일방의 주면 (主面) 을 상방을 향하게 한 상태에서, 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 기구이다. 회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 주면의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시킨다. 회전 유지 기구 (2) 는, 노즐 (51, 52) 이 약액 (L1, L2) 을 토출하고 있을 때에는, 예를 들어, 200 rpm ∼ 400 rpm 의 회전 속도로 기판 (9) 을 회전시킨다.The rotation holding mechanism 2 is a mechanism which can rotate, holding the board|substrate 9 in the substantially horizontal attitude|position in the state which made the one main surface upward. The rotation holding mechanism 2 rotates the board|substrate 9 centering around the vertical rotation shaft a1 passing through the center c1 of a main surface. The rotation holding mechanism 2 rotates the substrate 9 at a rotation speed of 200 rpm to 400 rpm, for example, when the nozzles 51 and 52 are discharging the chemical liquids L1 and L2.

회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 보다 작은 원판상의 부재인 스핀 척 (「유지 부재」, 「기판 유지부」) (21) 을 구비한다. 스핀 척 (21) 은, 그 상면이 대략 수평이 되고, 그 중심축이 회전축 (a1) 에 일치하도록 형성되어 있다. 스핀 척 (21) 의 하면에는, 원통상의 회전축부 (22) 가 연결되어 있다. 회전축부 (22) 는, 그 축선을 연직 방향으로 따르게 하는 자세로 배치된다. 회전축부 (22) 의 축선은, 회전축 (a1) 과 일치한다. 또, 회전축부 (22) 에는, 회전 구동부 (예를 들어, 서보모터) (23) 가 접속된다. 회전 구동부 (23) 는, 회전축부 (22) 를 그 축선 둘레로 회전 구동시킨다. 따라서, 스핀 척 (21) 은, 회전축부 (22) 와 함께 회전축 (a1) 을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동부 (23) 와 회전축부 (22) 는, 스핀 척 (21) 을, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시키는 회전 기구 (231) 이다. 회전축부 (22) 및 회전 구동부 (23) 는, 도시가 생략된 통상의 케이싱 내에 수용되어 있다.The rotation holding mechanism 2 includes a spin chuck (“holding member”, “substrate holding part”) 21 which is a disk-shaped member smaller than the substrate 9 . The spin chuck 21 is formed so that its upper surface becomes substantially horizontal, and its central axis coincides with the rotating shaft a1. A cylindrical rotating shaft portion 22 is connected to the lower surface of the spin chuck 21 . The rotating shaft part 22 is arrange|positioned in the attitude|position which makes the axis line along a vertical direction. The axis line of the rotating shaft part 22 coincides with the rotating shaft a1. Moreover, the rotation drive part (for example, servomotor) 23 is connected to the rotation shaft part 22. As shown in FIG. The rotation drive part 23 rotationally drives the rotation shaft part 22 around its axis line. Therefore, the spin chuck 21 is rotatable about the rotation shaft a1 together with the rotation shaft part 22 . The rotation drive part 23 and the rotation shaft part 22 are rotation mechanisms 231 which rotate the spin chuck 21 centering around the rotation shaft a1. The rotation shaft part 22 and the rotation drive part 23 are accommodated in the normal casing of which illustration was abbreviate|omitted.

스핀 척 (21) 의 중앙부에는, 도시가 생략된 관통공이 형성되어 있으며, 회전축부 (22) 의 내부 공간과 연통되어 있다. 내부 공간에는, 도시가 생략된 배관, 개폐 밸브를 개재하여 도시가 생략된 펌프가 접속되어 있다. 당해 펌프, 개폐 밸브는, 제어부 (130) 에 전기적으로 접속되어 있다. 제어부 (130) 는, 당해 펌프, 개폐 밸브의 동작을 제어한다. 당해 펌프는, 제어부 (130) 의 제어에 따라, 부압과 정압을 선택적으로 공급 가능하다. 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 의 상면에 대략 수평 자세로 놓여진 상태에서 펌프가 부압을 공급하면, 스핀 척 (21) 은, 기판 (9) 을 하방으로부터 흡착 유지한다. 펌프가 정압을 공급하면, 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 의 상면으로부터 떼어낼 수 있게 된다.A through hole (not shown) is formed in the central portion of the spin chuck 21 , and communicates with the inner space of the rotating shaft portion 22 . A pump (not illustrated) is connected to the internal space via a piping (not illustrated) and an on-off valve. The pump and the on/off valve are electrically connected to the control unit 130 . The control unit 130 controls the operation of the pump and the on/off valve. The pump can selectively supply negative pressure and positive pressure under the control of the control unit 130 . When the pump supplies a negative pressure while the substrate 9 is placed on the upper surface of the spin chuck 21 in a substantially horizontal position, the spin chuck 21 adsorbs and holds the substrate 9 from below. When the pump supplies a positive pressure, the substrate 9 can be removed from the upper surface of the spin chuck 21 .

이 구성에 있어서, 스핀 척 (21) 이 기판 (9) 을 흡착 유지한 상태에서, 회전 구동부 (23) 가 회전축부 (22) 를 회전시키면, 스핀 척 (21) 이 연직 방향을 따른 축선 둘레에서 회전된다. 이로써, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 이, 그 면 내의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 화살표 AR1 방향으로 회전된다. 스핀 척 (21) 으로서, 기판 (9) 의 둘레 가장자리부를 파지하기 위한 복수 개 (3 개 이상) 의 척 핀이, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전하는 원판상의 스핀 베이스의 둘레 가장자리부로부터 세워 형성된 것이 채용되어도 된다.In this configuration, when the rotation drive unit 23 rotates the rotation shaft portion 22 in a state where the spin chuck 21 adsorbs and holds the substrate 9 , the spin chuck 21 rotates around the axis along the vertical direction. rotated Thereby, the substrate 9 held on the spin chuck 21 is rotated in the direction of the arrow AR1 about the vertical axis of rotation a1 passing through the center c1 in the plane thereof. As the spin chuck 21, a plurality (three or more) chuck pins for gripping the peripheral edge of the substrate 9 are formed upright from the peripheral edge of the disk-shaped spin base rotated about the rotation axis a1. may be employed.

＜처리부 (5)＞<Processing unit (5)>

처리부 (「약액 공급 기구」) (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 에 대한 처리를 실시한다. 구체적으로는, 처리부 (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 상면에 약액을 공급한다. 처리부 (5) 는, 노즐 (51, 52) 및 약액 공급부 (53) 를 구비하고 있다.The processing unit (“chemical liquid supply mechanism”) 5 processes the substrate 9 held on the spin chuck 21 . Specifically, the processing unit 5 supplies the chemical solution to the upper surface of the substrate 9 held on the spin chuck 21 . The processing unit 5 includes nozzles 51 and 52 and a chemical liquid supply unit 53 .

노즐 (51, 52) 은, 예를 들어, 도시가 생략된 노즐 이동 기구가 구비하는 장척 (長尺) 의 아암의 선단에 장착되어 있다. 당해 노즐 이동 기구는, 노즐 (51, 52) 을, 각각의 처리 위치와 퇴피 위치 사이에서 이동시키는 기구이다.The nozzles 51 and 52 are attached, for example, to the tip of a long arm provided in a nozzle moving mechanism (not shown). The said nozzle moving mechanism is a mechanism which moves the nozzles 51 and 52 between each processing position and a retracted position.

처리부 (5) 는, 기판 (9) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 상면 (표면) 에 약액 (L1) (L2) 을 토출하는 노즐 (51) (52) 을 구비한다. 노즐 (51) (52) 은, 예를 들어, 기판 (9) 의 상면을 향하여 연장되는 통상의 선단측 부분을 각각 구비하고 있으며, 당해 선단측 부분의 선단에 형성된 토출구로부터, 기판 (9) 의 상면에 닿도록 약액 (L1) (L2) 을 토출한다.The processing unit 5 includes nozzles 51 and 52 that discharge chemical liquids L1 and L2 from above the substrate 9 to the upper surface (surface) of the substrate 9 . The nozzles 51 and 52 each have, for example, a normal tip-side portion extending toward the upper surface of the substrate 9, and from a discharge port formed at the tip of the tip-side portion, the substrate 9 is The chemical liquids L1 and L2 are discharged so as to touch the upper surface.

노즐 (51) 은, 기판 (9) 의 중간역 (K2) 에 있어서의 착액 위치 (P1) 에 닿도록 기판 (9) 보다 상방으로부터 약액 (L1) 을 토출한다. 노즐 (52) 은, 중간역 (K2) 에 있어서의 착액 위치 (P2) 에 닿도록 기판 (9) 보다 상방으로부터 약액 (L2) 을 토출한다. 노즐 (51, 52) 이 약액 (L1, L2) 을 토출할 때의 각 토출 방향 (u1, v1) 은, 각 노즐 (51, 52) 에 대해 회전축 (a1) 과는 반대측의 각 위치로부터 기판 (9) 의 직경 방향으로 보아, 기판 (9) 의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향이다.The nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 from above the substrate 9 so as to reach the liquid landing position P1 in the intermediate region K2 of the substrate 9 . The nozzle 52 discharges the chemical liquid L2 from above the substrate 9 so as to reach the liquid landing position P2 in the intermediate region K2. When the nozzles 51 and 52 discharge the chemical liquids L1 and L2, the respective discharge directions u1 and v1 are from respective positions on the opposite side to the rotation axis a1 with respect to the respective nozzles 51 and 52 to the substrate ( 9), it is a downward direction inclined from the upper direction of the board|substrate 9 when viewed in the radial direction.

약액 공급부 (53) 는, 노즐 (51, 52) 에 약액 (L1, L2) 을 공급한다. 약액 공급부 (53) 는, 구체적으로는, 약액 공급원 (531, 532), 배관 (541, 542), 및 개폐 밸브 (521, 522) 를 조합하여 구성되어 있다. 약액 공급원 (531) (532) 은, 배관 (541) (542) 을 통해 노즐 (51) (52) 에 약액 (L1) (L2) 을 공급한다. 배관 (541) (542) 의 경로 도중에는, 개폐 밸브 (521) (522) 가 형성되어 있다. 약액 (L1, L2) 으로서, 예를 들어, SPM, SC-1, DHF, SC-2 등이 사용된다. 약액 (L1) 과 약액 (L2) 은, 동일한 종류의 약액이다.The chemical liquid supply unit 53 supplies the chemical liquids L1 and L2 to the nozzles 51 and 52 . The chemical liquid supply unit 53 is specifically configured by combining the chemical liquid supply sources 531 and 532 , the pipes 541 and 542 , and the on-off valves 521 and 522 . The chemical liquid supply source 531 ( 532 ) supplies the chemical liquid L1 ( L2 ) to the nozzles 51 ( 52 ) through the pipes 541 , 542 . In the middle of the path of the pipes 541 and 542 , on-off valves 521 and 522 are formed. As the chemical liquids L1 and L2, for example, SPM, SC-1, DHF, SC-2 and the like are used. The chemical liquid (L1) and the chemical liquid (L2) are the same kind of chemical liquid.

약액 공급원 (531) (532) 으로부터 약액 (L1) (L2) 이 노즐 (51) (52) 에 공급되면, 노즐 (51) (52) 은 약액 (L1) (L2) 을 액기둥상의 액류로서 토출한다. 단, 약액 공급부 (53) 가 구비하는 개폐 밸브 (521) (522) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있는 도시가 생략된 밸브 개폐 기구에 의해, 제어부 (130) 의 제어하에서 개폐된다. 보다 상세하게는, 개폐 밸브 (521) (522) 는, 그 개도를 제어부 (130) 의 제어에 따라, 변경함으로써, 약액 공급원 (531) (532) 으로부터 배관 (541) (542) 을 통해 노즐 (51) (52) 에 공급되는 약액 (L1) (L2) 의 유량을 변경할 수 있다. 밸브 개폐 기구는, 제어부 (130) 의 제어하에서, 개폐 밸브 (521, 522) 의 개도를 독립적으로 변경할 수 있다. 이로써, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 유량과, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 유량은, 서로 독립적으로 제어된다. 요컨대, 노즐 (51) (52) 로부터의 약액 (L1) (L2) 의 토출 양태 (구체적으로는, 토출되는 약액의 토출 개시 타이밍, 토출 종료 타이밍, 토출 유량 등) 는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다. 즉, 처리부 (5) 의 노즐 (51) (52) 은, 제어부 (130) 의 제어에 의해, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전하고 있는 기판 (9) 의 상면에 닿도록 약액 (L1) (L2) 의 액류를 토출한다.When the chemical liquid L1 (L2) is supplied to the nozzle 51 (52) from the chemical liquid supply source 531 (532), the nozzle 51 (52) discharges the chemical liquid (L1) (L2) as a liquid column-like liquid stream. do. However, the opening/closing valves 521 and 522 included in the chemical liquid supply unit 53 are opened and closed under the control of the control unit 130 by a valve opening/closing mechanism (not shown) electrically connected to the control unit 130 . More specifically, the opening/closing valves 521 and 522 change their opening degree under the control of the control unit 130 from the chemical liquid supply source 531 (532) through the pipe (541) (542) to the nozzle ( 51) The flow rates of the chemical liquids L1 and L2 supplied to 52 can be changed. The valve opening/closing mechanism can independently change the opening degrees of the opening/closing valves 521 and 522 under the control of the control unit 130 . Accordingly, the flow rate of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 and the flow rate of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 are controlled independently of each other. In other words, the discharge mode of the chemical liquids L1 and L2 from the nozzles 51 and 52 (specifically, the discharge start timing of the discharged chemical, the discharge end timing, the discharge flow rate, etc.) is controlled by the control unit 130 . Controlled. That is, the nozzles 51 and 52 of the processing unit 5, under the control of the control unit 130, contact the upper surface of the substrate 9 rotating about the rotation shaft a1 so as to contact the chemical liquid L1 (L2). ) of the liquid is discharged.

또, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 노즐 (51) 이 약액 (L1) 을 토출할 때의 토출 방향 (u1) 은, 노즐 (51) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P1) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P1) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분 (「방향 성분」) (u2) 과, 접선과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 으로 향하는 성분 (「방향 성분」) (u3) 을 갖는 방향이다. 노즐 (51) 이 약액 (L1) 을 토출할 때의 토출 속도의 수평 방향의 속도 성분은, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P1) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P1) 에 있어서의 접선 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향하는 당해 접선 방향의 속도 성분과, 당해 접선 방향과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 으로 향하는 당해 직경 방향의 속도 성분을 합성한 속도 성분이다. 노즐 (51) 이 약액 (L1) 을 토출할 때의 토출 속도의 당해 접선 방향의 속도 성분은, 기판 (9) 의 회전에 의해 착액 위치 (P1) 상의 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 약액 (L1) 이 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖는다. 당해 토출 속도의 당해 직경 방향의 속도 성분은, 착액 위치 (P1) 상의 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액 (L1) 이 회전축 (a1) 측으로 흐를 수 있는 크기를 갖는다. 이 때문에, 노즐 (51) 로부터 토출된 약액 (L1) 의 적어도 일부는, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 당해 약액에 작용하는 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘과 원심력의 쌍방의 힘을 이겨내고, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측, 또한, 회전축 (a1) 측으로 흐르고, 그 후, 기판의 중앙역을 통과하여 기판의 둘레 가장자리에 도달한다. 보다 상세하게는, 당해 약액 (L1) 의 적어도 일부는, 착액 위치 (P1) 로부터, 일단, 기판 (9) 의 중심측으로 방향을 바꾸면서, 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향한 후, 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판 (9) 의 중심 (c1) 으로 향하는 호상의 경로를 따라, 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 중심 (c1) 에 이른다. 그리고, 당해 약액 (L1) 은, 기판 (9) 의 중심을 넘어가면, 원심력의 영향에 의해 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서, 기판 (9) 의 둘레 가장자리로 향하는 호상의 경로를 따라, 확산되면서 흘러간다 (도 4 참조).In addition, as shown in FIG. 2 , the discharge direction u1 when the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 is viewed from above the nozzle 51 in the direction of the rotation axis a1 of the substrate 9, A component directed upstream of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent line at the liquid landing position P1 of a circle passing through the liquid landing position P1 with the rotation axis a1 as the center ("direction component") ( It is a direction having u2) and a component (“direction component”) u3 directed from the liquid landing position P1 to the rotation axis a1 along the radial direction of the substrate 9 orthogonal to the tangent line. The speed component in the horizontal direction of the discharge speed when the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 is a circle passing through the liquid landing position P1 centered on the rotating shaft a1 at the liquid landing position P1. A velocity component in the tangential direction directed to the upstream side of the rotational direction of the substrate 9 along the tangential direction, and the liquid landing position P1 in the radial direction of the substrate 9 orthogonal to the tangential direction toward the rotation axis a1 It is a velocity component synthesize|combining the velocity component in the said radial direction. The speed component in the tangential direction of the discharge speed when the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 is a substrate 9 that acts on the chemical liquid L1 on the liquid landing position P1 by rotation of the substrate 9 . It has a size that overcomes the force in the downstream direction of the rotational direction and allows the chemical liquid L1 to flow upstream in the rotational direction of the substrate 9 . The speed component in the radial direction of the discharge speed overcomes the centrifugal force caused by the rotation of the substrate 9 acting on the chemical solution L1 on the liquid landing position P1, so that the chemical solution L1 can flow toward the rotation shaft a1. have a size For this reason, at least a part of the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51 exerts both a force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate and a centrifugal force acting on the chemical liquid immediately after contacting the liquid landing position P1. It flows through the liquid film phase from the liquid landing position P1 upstream of the rotational direction of the substrate 9 and flows toward the rotational axis a1 side, and then passes through the central region of the substrate to reach the peripheral edge of the substrate. More specifically, at least a part of the chemical liquid L1 is turned from the liquid landing position P1 to the center side of the substrate 9, and is directed to the upstream side of the rotation direction of the substrate 9, then the substrate ( 9) along the arc-shaped path toward the center c1 of the substrate 9 while changing the direction to the downstream side of the rotational direction of 9), and reaches the center c1 of the substrate 9 while diffusing into the liquid film phase. Then, when the chemical liquid L1 passes over the center of the substrate 9 , the direction is changed to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 under the influence of centrifugal force, and an arc-shaped path toward the periphery of the substrate 9 . It flows while spreading (see FIG. 4).

따라서, 도 2 에 나타내는 노즐 (51) 은, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 측으로 향하는 약액 (L1) 의 양이, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 과는 반대측으로 향하는 약액 (L1) 의 양보다 많아지도록, 약액 (L1) 을 토출하고 있다. 또, 착액 위치 (P1) 에 토출된 직후의 약액 (L1) 에는, 기판 (9) 의 회전에 의한 원심력이 강하게 작용하지 않기 때문에 약액 (L1) 의 온도가 잘 내려가지 않는다는 이점도 있다.Accordingly, in the nozzle 51 shown in FIG. 2 , the amount of the chemical L1 directed from the liquid landing position P1 to the rotational shaft a1 side immediately after touching the liquid landing position P1 is immediately after touching the liquid landing position P1. The chemical liquid L1 is discharged so that it becomes larger than the quantity of the chemical|medical solution L1 which goes from the liquid landing position P1 to the side opposite to the rotation shaft a1. Moreover, since the centrifugal force due to rotation of the substrate 9 does not act strongly on the chemical liquid L1 immediately after being discharged to the liquid landing position P1, there is also an advantage that the temperature of the chemical liquid L1 does not decrease easily.

노즐 (52) 이 약액 (L2) 을 토출할 때의 토출 방향 (v1) 은, 노즐 (52) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분 (「방향 성분」) (v2) 을 갖는 방향이다. 이 때문에, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 은, 착액 위치 (P2) 에 닿은 직후부터 원심력의 영향을 강하게 받아, 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리로 향하는 호상의 경로를 따라, 액막상으로 확산되면서 흘러간다 (도 4 참조).When the nozzle 52 discharges the chemical liquid L2, the discharge direction v1 is viewed from above the nozzle 52 in the direction of the rotation axis a1 of the substrate 9, and the liquid arrives centered on the rotation axis a1. A direction having a component (“direction component”) v2 directed downstream of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent at the liquid landing position P2 of the circle passing through the position P2. For this reason, the chemical liquid L2 discharged from the nozzle 52 is strongly influenced by the centrifugal force immediately after it touches the liquid landing position P2, and changes the direction to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 while changing the direction of the substrate 9. It flows while spreading to the liquid film along the arc-shaped path toward the periphery (refer to FIG. 4).

따라서, 노즐 (51) 로부터 토출된 약액 (L1) 의 일부는, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서, 기판 (9) 의 중앙 부분을 통과하여 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 도달하고, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 의 일부는, 착액 위치 (P2) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 주변역 (K3) 을 기판 (9) 의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리부에 도달한다.Accordingly, a part of the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51 passes through the central portion of the substrate 9 and reaches the peripheral edge of the substrate 9 while spreading from the liquid landing position P1 to the liquid film phase, A part of the chemical liquid L2 discharged from the nozzle 52 diffuses from the liquid landing position P2 onto the liquid film while flowing through the peripheral area K3 of the substrate 9 to the downstream side in the rotational direction of the substrate 9, ) to reach the edge of the perimeter.

도 2 의 예에서는, 가상원 (201) 은, 기판 (9) 의 중심 (c1) (회전축 (a1)) 을 중심으로 하여, 착액 위치 (P1, P2) 의 쌍방을 통과하고 있다. 즉, 착액 위치 (P1) 와 착액 위치 (P2) 는, 회전축 (a1) 으로부터 동일한 거리의 위치이다. 또, 약액 (L1, L2) 은, 액막상으로 확산되면서 흐르고 있다. 따라서, 약액 (L1) 이 착액 위치 (P1) 의 근방에 형성하는 액막과, 약액 (L2) 이 착액 위치 (P2) 의 근방에 형성하는 액막은, 기판 (9) 의 직경 방향에 있어서 대략 동일한 범위로 확산된다. 따라서, 쌍방의 노즐로부터 각각 토출된 약액 (L1, L2) 을 기판 (9) 의 표면 전체에 공급하는 것이 보다 용이해진다.In the example of FIG. 2 , the virtual circle 201 passes through both of the liquid landing positions P1 and P2 centering on the center c1 (rotation shaft a1) of the substrate 9 . That is, the liquid landing position P1 and the liquid landing position P2 are positions at the same distance from the rotation shaft a1. In addition, the chemical liquids L1 and L2 flow while being diffused in the liquid film phase. Therefore, the liquid film formed by the chemical liquid L1 near the liquid landing position P1 and the liquid film formed by the chemical liquid L2 near the liquid landing position P2 are substantially the same in the radial direction of the substrate 9 . spread to Accordingly, it becomes easier to supply the chemical liquids L1 and L2 respectively discharged from both nozzles to the entire surface of the substrate 9 .

도 5 는, 기판 (9) 의 반경과 열 손실의 관계의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다. 도 5 에 나타내는 예에서는, 반경 150 ㎜ 의 기판 (9) 에 있어서, 열 손실은, 기판 (9) 의 중심 (c1) 으로부터 둘레 가장자리를 향함에 따라 증가하고 있다. 중심 (c1) 에서부터 반경 약 130 ㎜ 이내의 범위에서는, 열 손실의 증가율은 비교적 낮지만, 반경 약 130 ㎜ 이상의 범위에서는, 둘레 가장자리를 향하여 열 손실이 지수 함수적으로 증가하고 있다. 따라서, 기판의 상면에 공급되는 약액에 의해, 기판의 온도 분포를 균일화하기 위해서는, 기판의 주변 부분에 공급되는 약액의 양을, 기판의 중앙 부분에 공급되는 약액에 비해 늘릴 필요가 있다.5 : is a figure which shows an example of the relationship between the radius of the board|substrate 9, and a heat loss in a graph form. In the example shown in FIG. 5, in the board|substrate 9 with a radius of 150 mm, the heat loss is increasing from the center c1 of the board|substrate 9 toward the peripheral edge. In a range within a radius of about 130 mm from the center c1, the rate of increase in heat loss is relatively low, but in a range of about 130 mm or more in a radius, the heat loss increases exponentially toward the periphery. Accordingly, in order to uniform the temperature distribution of the substrate by the chemical solution supplied to the upper surface of the substrate, it is necessary to increase the amount of the chemical solution supplied to the peripheral portion of the substrate compared to the chemical solution supplied to the central portion of the substrate.

도 6 은, 도 2 에 나타내는 구성의 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 약액의 토출 양태와, 기판의 온도 분포의 관계의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다. 사각형으로 나타나는 온도 분포는, 노즐 (51, 52) 중 노즐 (「제 1 노즐」) (51) 만으로부터 약액 (L1) 을 토출했을 때의 기판 (9) 의 온도 분포를 나타내고 있다. 검은 색으로 칠한 마름모꼴로 나타나는 온도 분포는, 노즐 (51, 52) 의 쌍방으로부터 약액 (L1, L2) 을 토출했을 때의 기판 (9) 의 온도 분포를 나타내고 있다. 기판 (9) 의 회전 속도는 200 rpm 이고, 착액 위치 (P1) 로부터 일부가 중심 (c1) 측으로 흐르는 약액 (L1) 의 토출 유량은 2 ℓ/min. 이고, 착액 위치 (P2) 로부터 주로 기판 (9) 의 둘레 가장자리측으로 흐르는 약액 (L2) 의 토출 유량은 3 ℓ/min. 이다. 즉, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 유량이, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 유량보다 많다.FIG. 6 is a graph showing an example of the relationship between the discharge mode of the chemical in the substrate processing apparatus 1 having the configuration shown in FIG. 2 and the temperature distribution of the substrate in a graph format. The temperature distribution shown by the rectangle has shown the temperature distribution of the board|substrate 9 when the chemical|medical solution L1 is discharged from only the nozzle ("first nozzle") 51 among the nozzles 51 and 52 . The temperature distribution represented by the black diamond-shaped has shown the temperature distribution of the board|substrate 9 when the chemical|medical solutions L1, L2 are discharged from both of the nozzles 51 and 52. The rotational speed of the substrate 9 is 200 rpm, and the discharge flow rate of the chemical liquid L1 partially flowing from the liquid landing position P1 to the center c1 side is 2 L/min. and the discharge flow rate of the chemical liquid L2 flowing mainly from the liquid landing position P2 to the peripheral edge side of the substrate 9 is 3 L/min. to be. That is, the flow rate of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 is greater than the flow rate of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 .

여기에서, 약액 (L1) 의 토출 유량 (X) 과 약액 (L2) 의 토출 유량 (Y) 의 관계는, 기판 (9) 에 있어서, 가상원 (201) (도 2 참조) 보다 중심 (c1) 측 부분의 면적을 A ㎠, 둘레 가장자리측 부분의 면적을 B ㎠ 로 하면, (1) 식에 의해 나타난다. α 는, 기판 처리 장치 (1) 를 수용하는 도시가 생략된 챔버 내의 분위기가 챔버로부터 배기될 때의 풍속과, 기판 (9) 의 회전수 등에 따라 값이 변동되는 변수이다.Here, the relationship between the discharge flow rate X of the chemical liquid L1 and the discharge flow rate Y of the chemical liquid L2 is at the center c1 of the substrate 9 rather than the imaginary circle 201 (refer to FIG. 2 ). Assuming that the area of the side portion is A cm 2 and the area of the peripheral side portion is B cm 2 , it is expressed by Equation (1). α is a variable whose value fluctuates depending on the wind speed when the atmosphere in the chamber (not shown) accommodating the substrate processing apparatus 1 is exhausted from the chamber, the rotation speed of the substrate 9, and the like.

Figure 112019072093904-pct00001
Figure 112019072093904-pct00001

도 6 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 노즐 (51) 에 의한 약액 (L1) 의 토출만이 실시되는 경우에는, 많은 약액 (L1) 이 공급되는 기판 (9) 의 중앙역 (K1), 중간역 (K2) 에 있어서, 기판 (9) 의 직경 방향의 온도 분포는, 비교적 균일한 분포로 되어 있지만, 주변역 (K3) 에 있어서는, 공급되는 약액 (L1) 이 부족하기 때문에, 기판 (9) 의 온도는, 기판의 둘레 가장자리를 향하여 급격하게 저하되고 있다. 그러나, 기판 (9) 의 회전 속도 혹은 약액 (L1, L2) 이 토출되는 영역의 크기 등에 따라, 약액 (L1, L2) 의 토출 유량을 적절히 조정하여, 노즐 (51, 52) 의 쌍방으로부터 약액 (L1, L2) 을 토출함으로써, 기판의 상면 전역에 걸쳐 비교적 균일한 온도 분포를 실현할 수 있다.As shown in the graph of FIG. 6 , in the case where only the discharge of the chemical liquid L1 by the nozzle 51 is performed, the central area K1 and the intermediate area K2 of the substrate 9 to which a large amount of the chemical liquid L1 is supplied. ), the temperature distribution in the radial direction of the substrate 9 is a relatively uniform distribution, but in the peripheral region K3, since the supplied chemical L1 is insufficient, the temperature of the substrate 9 is , decreases rapidly toward the peripheral edge of the substrate. However, according to the rotational speed of the substrate 9 or the size of the area where the chemical liquids L1 and L2 are discharged, the discharge flow rates of the chemical liquids L1 and L2 are appropriately adjusted, and the chemical liquids ( By discharging L1 and L2), it is possible to realize a relatively uniform temperature distribution over the entire upper surface of the substrate.

또한, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 는, 바람직하게는, 약액 (L1) 이 착액 위치 (P1) 로부터 주위로 확산되어 기판 (9) 상에 형성하고 있는 액막 위에 위치한다.In addition, as shown in FIG. 2 , in the substrate processing apparatus 1 , the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 is preferably such that the chemical liquid L1 diffuses from the liquid landing position P1 to the periphery of the substrate. (9) It is located on the liquid film formed on it.

도 10 은, 노즐 (51, 52) 이 토출하는 약액 (L1, L2) 의 기판 (9) 의 직경 방향에 있어서의 막두께 분포의 일례를 그래프 형식으로 나타내는 도면이다. 상기 서술한 바와 같이, 노즐 (51) 로부터 착액 위치 (P1) 에 토출된 약액 (L1) 은, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측, 또한, 회전축 (a1) 측으로 흐르고, 그 후, 기판 (9) 의 중앙역 (K1) 을 통과하여 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 도달한다. 이로써, 착액 위치 (P1) 에는 다량의 약액이 공급되고, 기판 (9) 의 중앙 부분의 각 위치에는 소량의 약액 (L1) 이 공급된다.10 is a diagram illustrating an example of the film thickness distribution in the radial direction of the substrate 9 of the chemical liquids L1 and L2 discharged by the nozzles 51 and 52 in a graph format. As described above, the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51 to the liquid landing position P1 is diffused from the liquid landing position P1 to the liquid film phase, on the upstream side of the rotation direction of the substrate 9, and the rotation shaft It flows to the (a1) side, and then passes through the central station K1 of the substrate 9 to reach the peripheral edge of the substrate 9 . As a result, a large amount of the chemical is supplied to the liquid landing position P1, and a small amount of the chemical L1 is supplied to each position of the central portion of the substrate 9 .

기판 (9) 의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축 (a1) 으로부터 기판 (9) 의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판 (9) 의 각 위치에 공급된 약액 (L1, L2) 은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 그리고, 착액 위치 (P1) 에 있어서의 기판 (9) 의 둘레 방향의 회전 속도는 높고, 중앙역 (K1) 에 있어서의 기판 (9) 의 둘레 방향의 회전 속도는 낮다.The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the board|substrate 9 increases toward the peripheral edge of the board|substrate 9 from the rotation axis a1. Further, the chemical liquids L1 and L2 supplied to each position of the substrate 9 are elongated in the circumferential direction as the rotational speed with respect to the circumferential direction of each position increases, and the film thickness decreases. And the rotation speed of the circumferential direction of the board|substrate 9 in the liquid landing position P1 is high, and the rotation speed of the circumferential direction of the board|substrate 9 in the central station K1 is low.

따라서, 착액 위치 (P1) 에는 기판 (9) 의 중앙역 (K1) 보다 다량의 약액 (L1) 이 노즐 (51) 로부터 공급되지만, 그 막두께는 중앙역 (K1) 보다 얇아지기 쉽다. 중앙역 (K1) 에는 착액 위치 (P1) 보다 소량의 약액 (L1) 이 노즐 (51) 로부터 공급되지만, 그 막두께는 착액 위치 (P1) 에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 기판 (9) 의 표면 중 착액 위치 (P1) 보다 기판 (9) 의 중심측 부분에 있어서의 약액 (L1) 의 막두께의 균일성을, 노즐 (51) 에 의해 향상시킬 수 있다.Therefore, although a larger amount of the chemical L1 than the central area K1 of the substrate 9 is supplied from the nozzle 51 to the liquid landing position P1, the film thickness tends to be thinner than the central area K1. Although the chemical liquid L1 in a smaller amount than the liquid landing position P1 is supplied to the central station K1 from the nozzle 51, the film thickness is not easily reduced compared to the liquid landing position P1. For this reason, as shown in FIG. 10, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution L1 in the center side part of the board|substrate 9 rather than the liquid landing position P1 on the surface of the board|substrate 9 is the nozzle 51. can be improved by

또, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 의 대부분은, 착액 위치 (P2) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 주변역을 기판 (9) 의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 노즐 (51) 과 노즐 (52) 에 의해 기판 (9) 의 상면 전역에 약액 (L1, L2) 을 공급하면서, 착액 위치 (P1) 보다 회전축 (a1) 측 부분, 즉 기판 (9) 의 중앙역 (K1) 과, 기판 (9) 의 중간역 (K2) 중 착액 위치 (P1) 보다 회전축 (a1) 측 부분에 공급되는 약액 (L1) 의 막두께의 균일성을 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 기판 (9) 의 회전에 의해, 기판 (9) 의 중심측으로부터 둘레 가장자리측을 향하여 기판 (9) 의 열 손실이 급격하게 증가하지만, 제 2 노즐로부터 토출된 약액 (L2) 은, 주로 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되기 때문에, 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되는 약액 (L1, L2) 을, 기판 (9) 의 중앙부에 공급되는 약액 (L1) 에 비해 늘릴 수 있다. 따라서, 기판 (9) 의 표면의 온도 분포의 균일성을 개선할 수 있다.In addition, most of the chemical liquid L2 discharged from the nozzle 52 diffuses from the liquid landing position P2 to the liquid film, and flows in the peripheral area of the substrate 9 to the downstream side in the rotational direction of the substrate 9, reach the edge of the perimeter of Therefore, while supplying the chemical liquids L1 and L2 to the entire upper surface of the substrate 9 by the nozzle 51 and the nozzle 52, the portion on the side of the rotation axis a1 rather than the liquid landing position P1, that is, the The uniformity of the film thickness of the chemical liquid L1 supplied to the central station K1 and the intermediate station K2 of the substrate 9 to the portion on the side of the rotation shaft a1 than the liquid landing position P1 is improved by the first nozzle. can Moreover, although the heat loss of the board|substrate 9 abruptly increases from the center side of the board|substrate 9 toward the peripheral side by rotation of the board|substrate 9, the chemical|medical solution L2 discharged from the 2nd nozzle mainly Since it is supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 , the chemical liquids L1 and L2 supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 are applied to the chemical liquid L1 supplied to the central portion of the substrate 9 . can be increased compared to Accordingly, the uniformity of the temperature distribution on the surface of the substrate 9 can be improved.

＜4. 노즐 (51, 52) 의 배치 관계의 예＞<4. Example of arrangement relationship of nozzles 51 and 52>

도 7 ∼ 도 9 는, 기판 처리 장치 (1) 의 노즐 (51, 52) 의, 도 2 에 나타낸는 배치 관계와는 상이한 다른 배치 관계의 예를 각각 나타내는 도면이다. 도 7 ∼ 도 9 에 있어서, 노즐 (51) 은, 도 2 에 기재된 노즐 (51) 과 동일한 위치로부터 동일한 토출 양태로 약액 (L1) 을 착액 위치 (P1) 에 토출하고 있다.7 to 9 are views each showing examples of different arrangement relationships of the nozzles 51 and 52 of the substrate processing apparatus 1 different from the arrangement relationship shown in FIG. 2 . 7 to 9 , the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 to the liquid landing position P1 in the same discharge manner from the same position as the nozzle 51 described in FIG. 2 .

도 7 에 나타내는 배치 관계에 있어서는, 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 가, 약액 (L1) 의 착액 위치 (P1) 보다 회전축 (a1) 으로부터 멀고, 또한 착액 위치 (P1) 와, 기판 (9) 의 둘레 가장자리 중 착액 위치 (P1) 에 가장 가까운 점의 중점 (「주목 중점」) 보다 회전축 (a1) 에 가깝다. 가상원 (202) 은, 중심 (c1) 을 중심으로 하여 당해 중점을 통과하고, 가상원 (201) 은, 중심 (c1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P1) 를 통과하고 있다. 이 경우에는, 착액 위치 (P1) 와 착액 위치 (P2) 사이에는, 기판 (9) 의 직경 방향에 있어서 간격이 벌어져 있지만, 약액 (L1) (L2) 은, 착액 위치 (P1) (P2) 로부터 주위로 확산되면서 흘러간다. 이 때문에, 기판 (9) 의 직경 방향에 있어서, 약액 (L1) 이 착액 위치 (P1) 의 근방에 형성하는 액막과, 약액 (L2) 이 착액 위치 (P2) 의 근방에 형성하는 액막 사이에 간극이 발생하는 것이 억제된다.In the arrangement relationship shown in FIG. 7 , the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 is farther from the rotation axis a1 than the liquid landing position P1 of the chemical liquid L1, and the liquid landing position P1 and the substrate 9 ) is closer to the rotation axis a1 than the midpoint of the point closest to the liquid landing position P1 among the peripheral edges (“attention midpoint”). The virtual circle 202 passes through the midpoint centering on the center c1, and the virtual circle 201 passes through the liquid landing position P1 centering on the center c1. In this case, there is a gap between the liquid landing position P1 and the liquid landing position P2 in the radial direction of the substrate 9, but the chemical liquid L1 (L2) is separated from the liquid landing position P1 (P2). It flows as it spreads around. For this reason, in the radial direction of the substrate 9, there is a gap between the liquid film formed by the chemical liquid L1 near the liquid landing position P1 and the liquid film formed by the chemical liquid L2 near the liquid landing position P2. This occurrence is suppressed.

도 8 에 나타내는 배치 관계에 있어서는, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 착액 위치 (P1) 와, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 는, 기판 (9) 의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 회전축 (a1) 을 서로의 사이에 두고 각각 위치하고 있다.In the arrangement relationship shown in FIG. 8 , the liquid landing position P1 of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 and the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 are the substrate 9 ) on the same straight line constituting the diameter of each of the rotation shafts a1 between each other.

도 9 에 나타내는 배치 관계에 있어서는, 노즐 (52) 이 약액 (L2) 을 토출할 때의 토출 방향 (v1) 은, 노즐 (52) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분 (v2) 과, 당해 접선과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P2) 로부터 회전축 (a1) 과는 반대측으로 향하는 성분 (「방향 성분」) (v3) 을 갖는 방향이다. 따라서, 당해 접선과 토출 방향 (v1) 이 이루는 각도는, 예각이 된다. 따라서, 노즐 (52) 로부터 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 대해 효율적으로 약액 (L2) 을 공급할 수 있다.In the arrangement relationship shown in FIG. 9 , the discharge direction v1 when the nozzle 52 discharges the chemical liquid L2 is viewed from above the nozzle 52 in the direction of the rotation axis a1 of the substrate 9, The component (v2) directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent line at the liquid landing position P2 of a circle passing through the liquid landing position P2 with the rotation axis a1 as the center, and the tangent line It is a direction having a component (“direction component”) v3 directed from the liquid landing position P2 to the side opposite to the rotation axis a1 along the radial direction of the substrate 9 orthogonal to it. Accordingly, the angle formed between the tangent line and the discharge direction v1 is an acute angle. Therefore, the chemical liquid L2 can be efficiently supplied from the nozzle 52 to the peripheral area K3 of the substrate 9 .

＜5. 기판 처리 장치의 동작＞<5. Operation of Substrate Processing Apparatus>

도 11 은, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 이 플로 차트를 따라, 약액 (L1, L2) 에 의해 기판 (9) 을 처리한다. 이 플로 차트에 관련된 동작의 개시에 앞서, 기판 (9) 은 스핀 척 (21) 에 의해 미리 유지되고 있다.11 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 1 . The substrate processing apparatus 1 processes the substrate 9 with the chemical liquids L1 and L2 according to this flowchart. Prior to the start of the operation related to this flowchart, the substrate 9 is held in advance by the spin chuck 21 .

먼저, 회전 기구 (231) 가, 제어부 (130) 의 제어에 따라, 스핀 척 (21) 의 회전을 개시시킴으로써, 스핀 척 (21) 에 유지된 기판 (9) 의 회전을 개시시킨다 (도 11 의 스텝 S10).First, the rotation mechanism 231 starts the rotation of the spin chuck 21 under the control of the control unit 130 to start the rotation of the substrate 9 held by the spin chuck 21 (see FIG. 11 ). step S10).

다음으로, 처리부 (5) 의 밸브 개폐 기구가, 제어부 (130) 의 제어하에서, 개폐 밸브 (521) 를 소정의 개도로 개방함으로써, 노즐 (51) 은, 기판 (9) 의 회전 궤적 중 중간역 (K2) 에 있어서의 착액 위치 (P1) 에 닿도록 약액 (L1) 의 토출을 개시하고 (스텝 S20), 밸브 개폐 기구가, 제어부 (130) 의 제어하에서, 개폐 밸브 (522) 를 소정의 개도로 개방함으로써, 노즐 (52) 은, 중간역 (K2) 에 있어서의 착액 위치 (P2) 에 닿도록 약액 (L2) 의 토출을 개시한다 (스텝 S30).Next, the valve opening/closing mechanism of the processing unit 5 opens the opening/closing valve 521 to a predetermined opening degree under the control of the control unit 130 , so that the nozzle 51 moves in the middle of the rotation trajectory of the substrate 9 . Discharge of the chemical liquid L1 is started so as to reach the liquid landing position P1 at (K2) (step S20), and the valve opening/closing mechanism opens the on-off valve 522 to a predetermined degree under the control of the control unit 130. By opening to , the nozzle 52 starts discharging the chemical liquid L2 so as to reach the liquid landing position P2 in the intermediate area K2 (step S30).

스텝 S20 에 있어서 토출되는 약액 (L1) 의 토출 방향은, 당해 약액 (L1) 을 상방으로부터 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P1) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P1) 에 있어서의 접선 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 으로 향하는 성분을 갖는 방향이다.As for the discharge direction of the chemical liquid L1 discharged in step S20, the chemical liquid L1 is viewed from above in the direction of the rotation axis a1, and the liquid landing circle passes through the liquid landing position P1 with the rotation axis a1 as the center. A component directed upstream of the rotational direction of the substrate 9 along the tangent direction at the position P1 and the liquid landing position P1 along the radial direction of the substrate 9 orthogonal to the tangent to the rotation axis a1 It is the direction with the component facing.

스텝 S20 에 있어서 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 토출 속도의 당해 접선 방향의 속도 성분은, 기판 (9) 의 회전에 의해 착액 위치 (P1) 상의 약액에 작용하는 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖는다. 약액 (L1) 의 토출 속도의 직경 방향의 속도 성분은, 착액 위치 (P1) 상의 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액 (L1) 이 회전축 (a1) 측으로 흐를 수 있는 크기를 가지고 있다. 스텝 S20 에 있어서, 노즐 (51) 은, 바람직하게는, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 측으로 향하는 약액 (L1) 의 양이, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 과는 반대측으로 향하는 약액 (L1) 의 양보다 많아지도록, 약액 (L1) 을 토출한다. 스텝 S30 에 있어서 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 토출 방향은, 당해 약액 (L2) 을 상방으로부터 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 토출 방향이다.The speed component in the tangential direction of the discharge speed of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 in step S20 is the rotation of the substrate 9, which acts on the chemical liquid on the liquid landing position P1. It has a size that overcomes the force in the downstream direction of the rotational direction and allows the chemical to flow upstream in the rotational direction of the substrate 9 . The speed component in the radial direction of the discharge speed of the chemical solution L1 overcomes the centrifugal force caused by the rotation of the substrate 9 acting on the chemical solution L1 on the liquid landing position P1, and the chemical solution L1 moves toward the rotation shaft a1 side. It has a size that can flow. In step S20, the nozzle 51 preferably directs the amount of the chemical L1 from the liquid landing position P1 toward the rotation shaft a1 to the liquid landing position P1 immediately after touching the liquid landing position P1. The chemical liquid L1 is discharged so that it becomes larger than the quantity of the chemical|medical solution L1 which goes from the liquid landing position P1 to the side opposite to the rotating shaft a1 immediately after contact. The discharge direction of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 in step S30 is determined by viewing the chemical liquid L2 from above in the direction of the rotation axis a1, and the liquid landing position P2 with the rotation axis a1 as the center. It is a discharge direction which has a component which goes to the downstream side of the rotation direction of the board|substrate 9 along the tangent direction in the liquid landing position P2 of a passing circle.

제어부 (130) 는, 약액 (L1, L2) 에 의한 처리의 소요 시간이 경과하는 것을 기다려, 처리부 (5) 의 밸브 개폐 기구에 개폐 밸브 (521, 522) 를 폐쇄하게 하여, 노즐 (51, 52) 에 의한 약액 (L1, L2) 의 토출을 정지시키고 (스텝 S40), 그 후, 회전 기구 (231) 에 스핀 척 (21) 의 회전을 정지시켜 기판 (9) 의 회전을 정지시킨다 (스텝 S50). 도 11 에 나타나는 기판 처리 장치 (1) 의 처리 동작이 종료된다.The control unit 130 waits for the required time for the treatment with the chemical liquids L1 and L2 to pass, and causes the valve opening/closing mechanism of the processing unit 5 to close the opening/closing valves 521 and 522, and the nozzles 51 and 52 ) to stop the discharge of the chemical liquids L1 and L2 (step S40), and then stop the rotation of the spin chuck 21 by the rotation mechanism 231 to stop the rotation of the substrate 9 (step S50) ). The processing operation of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 11 is complete|finished.

이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (51) 이 약액 (L1) 을 토출할 때의 토출 방향 (u1) 은, 노즐 (51) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P1) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P1) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분 (u2) 과, 당해 접선과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 으로 향하는 성분 (u3) 을 갖는 방향이다. 노즐 (51) 이 약액 (L1) 을 토출할 때의 토출 속도의 접선 방향의 속도 성분은, 기판 (9) 의 회전에 의해 착액 위치 (P1) 상의 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 약액 (L1) 이 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖는다. 당해 토출 속도의 당해 직경 방향의 속도 성분은, 착액 위치 (P1) 상의 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액 (L1) 이 회전축 (a1) 측으로 흐를 수 있는 크기를 갖는다. 이 때문에, 제 1 노즐로부터 토출된 약액 (L1) 의 적어도 일부는, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에, 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고, 착액 위치 (P1) 로부터, 일단, 기판 (9) 의 중심측으로 방향을 바꾸면서, 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측으로 향한 후, 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판 (9) 의 중심 (c1) 으로 향하는 호상의 경로를 따라, 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 중심 (c1) 에 이른다. 그리고, 당해 약액 (L1) 은, 기판 (9) 의 중심을 넘어가면, 원심력의 영향에 의해 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리로 향하는 호상의 경로를 따라, 확산되면서 흘러간다. 노즐 (52) 이 약액 (L2) 을 토출할 때의 토출 방향 (v1) 은, 노즐 (52) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분 (v2) 을 갖는 방향이다. 이 때문에, 약액 (L2) 은, 착액 위치 (P2) 에 닿은 직후부터 원심력의 영향을 강하게 받아, 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 방향을 바꾸면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리로 향하는 호상의 경로를 따라, 액막상으로 확산되면서 흘러간다. 따라서, 노즐 (51) 로부터 토출된 약액 (L1) 의 일부는, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서, 기판 (9) 의 중앙 부분을 통과하여 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 도달하고, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 의 일부는, 착액 위치 (P2) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 주변역 (K3) 을 기판 (9) 의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리부에 도달한다. 이 때문에, 노즐 (51, 52) 로부터 토출된 약액 (L1, L2) 은, 전체적으로 기판 (9) 의 표면 전체에 공급된다. 또, 기판 (9) 의 회전에 의해, 기판 (9) 의 중심측으로부터 둘레 가장자리측을 향하여 기판 (9) 의 열 손실이 급격하게 증가하지만, 제 2 노즐로부터 토출된 약액 (L2) 은, 주로 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되기 때문에, 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되는 약액 (L1, L2) 의 양을 늘릴 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the discharge direction u1 when the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 is the rotation axis ( ) of the substrate 9 from above the nozzle 51 . a1), a component directed to the upstream side of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent line at the liquid landing position P1 of a circle passing through the liquid landing position P1 with the rotation axis a1 as the center ( It is a direction which has u2) and the component (u3) which goes to the rotation axis a1 from the liquid landing position P1 along the radial direction of the board|substrate 9 orthogonal to the said tangent line. The speed component in the tangential direction of the discharge speed when the nozzle 51 discharges the chemical liquid L1 is the rotation of the substrate 9, which acts on the chemical liquid L1 on the liquid landing position P1. It has a size that overcomes the force in the downstream direction of the rotational direction and allows the chemical liquid L1 to flow upstream in the rotational direction of the substrate 9 . The speed component in the radial direction of the discharge speed overcomes the centrifugal force caused by the rotation of the substrate 9 acting on the chemical solution L1 on the liquid landing position P1, so that the chemical solution L1 can flow toward the rotation shaft a1. have a size For this reason, at least a part of the chemical liquid L1 discharged from the first nozzle overcomes the force in the downstream direction of the rotational direction of the substrate 9 acting on the chemical liquid L1 immediately after contacting the liquid landing position P1. , from the liquid landing position P1, while changing the direction to the center side of the substrate 9 once, toward the upstream side of the rotation direction of the substrate 9, and then changing the direction to the downstream side of the rotation direction of the substrate 9 while changing the direction to the substrate 9 ) along the arc-shaped path toward the center c1, while spreading into the liquid film, reaching the center c1 of the substrate 9. Then, when the chemical liquid L1 crosses the center of the substrate 9, the direction is changed to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 under the influence of centrifugal force, and the arc-shaped path toward the periphery of the substrate 9 is It flows as it spreads. When the nozzle 52 discharges the chemical liquid L2, the discharge direction v1 is viewed from above the nozzle 52 in the direction of the rotation axis a1 of the substrate 9, and the liquid arrives centered on the rotation axis a1. It is a direction having the component v2 directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent line at the liquid landing position P2 of the circle passing through the position P2. For this reason, the chemical|medical solution L2 is strongly influenced by the centrifugal force immediately after contacting the liquid landing position P2, and an arc-shaped path toward the periphery of the substrate 9 while changing its direction downstream in the rotational direction of the substrate 9 . It flows as it diffuses into the liquid film phase. Accordingly, a part of the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51 passes through the central portion of the substrate 9 and reaches the peripheral edge of the substrate 9 while spreading from the liquid landing position P1 to the liquid film phase, A part of the chemical liquid L2 discharged from the nozzle 52 diffuses from the liquid landing position P2 onto the liquid film while flowing through the peripheral area K3 of the substrate 9 to the downstream side in the rotational direction of the substrate 9, ) to reach the edge of the perimeter. For this reason, the chemical liquids L1 and L2 discharged from the nozzles 51 and 52 are supplied to the entire surface of the substrate 9 as a whole. Moreover, although the heat loss of the board|substrate 9 abruptly increases from the center side of the board|substrate 9 toward the peripheral side by rotation of the board|substrate 9, the chemical|medical solution L2 discharged from the 2nd nozzle mainly Since they are supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 , the amounts of the chemical liquids L1 and L2 supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 can be increased.

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 착액 위치 (P1) 와, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 는, 회전축 (a1) 으로부터 동일한 거리이다. 따라서, 쌍방의 노즐로부터 각각 토출된 약액 (L1, L2) 을 기판 (9) 의 표면 전체에 공급하는 것이 보다 용이해진다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the liquid landing position P1 of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 and the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 are , the same distance from the axis of rotation (a1). Accordingly, it becomes easier to supply the chemical liquids L1 and L2 respectively discharged from both nozzles to the entire surface of the substrate 9 .

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 착액 위치 (P1) 와, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 는, 기판 (9) 의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 회전축 (a1) 을 서로의 사이에 두고 각각 위치한다. 따라서, 예를 들어, 쌍방의 노즐이 토출하는 약액 (L1, L2) 이, 기판 (9) 의 상방으로부터 보아, 서로 평행하고, 또한 동일한 방향으로 토출된 경우에는, 노즐 (52) 이 토출한 약액 (L2) 의 토출 방향 (v1) 을, 기판 (9) 의 상방으로부터 보아, 기판 (9) 의 중심측으로 향하는 성분을 갖지 않는 방향으로 할 수 있다. 따라서, 노즐 (52) 로부터 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 약액 (L2) 을 효율적으로 공급할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the liquid landing position P1 of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 and the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 are , respectively positioned on the same straight line forming the diameter of the substrate 9 with the rotation axis a1 interposed therebetween. Therefore, for example, when the chemical liquids L1 and L2 discharged by both nozzles are parallel to each other and discharged in the same direction as viewed from above the substrate 9, the chemical liquids discharged by the nozzles 52 are discharged, for example. The discharge direction v1 of (L2) can be made into the direction which does not have the component which goes toward the center side of the board|substrate 9 as seen from above of the board|substrate 9. As shown in FIG. Therefore, the chemical liquid L2 can be efficiently supplied from the nozzle 52 to the peripheral area K3 of the substrate 9 .

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 착액 위치 (P2) 는, 노즐 (51) 이 토출한 약액 (L1) 이 착액 위치 (P1) 로부터 주위로 확산되어 기판 (9) 상에 형성하고 있는 액막 위에 위치한다. 이로써, 착액 위치 (P2) 가, 기판 (9) 상에 있어서 노즐 (51) 로부터 토출된 약액 (L1) 이 형성하는 액막 이외의 부분에 위치하는 경우에 비해, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 의 액 튕김을 저감시킬 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the liquid landing position P2 of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 is determined from the liquid landing position P1 where the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 is discharged. It spreads to the surroundings and is located on the liquid film formed on the substrate 9 . Accordingly, compared to the case where the liquid landing position P2 is located on the substrate 9 other than the liquid film formed by the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51, the chemical liquid discharged from the nozzle 52 ( L2) liquid splashing can be reduced.

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (51) 은, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 측으로 향하는 약액 (L1) 의 양이, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에 착액 위치 (P1) 로부터 회전축 (a1) 과는 반대측으로 향하는 약액 (L1) 의 양보다 많아지도록, 약액 (L1) 을 토출하고, 노즐 (52) 이 약액 (L2) 을 토출할 때의 토출 방향 (v1) 은, 노즐 (52) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분 (v2) 을 갖는 방향이다. 따라서, 노즐 (51) 로부터 토출된 약액 (L1) 이, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 중심을 향하여 흐르고, 또한 기판 (9) 의 중심에 대해 착액 위치 (P1) 와는 반대측 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 도달하는 것이 용이해진다. 이로써, 제 1 착액 위치에는 다량의 약액이 공급되고, 기판의 중앙 부분의 각 위치에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급된다. 기판의 각 지점의 둘레 방향에 대한 회전 속도는, 회전축으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하여 증가한다. 또, 기판의 각 위치에 공급된 약액은, 각 위치의 둘레 방향에 대한 회전 속도가 증가함에 따라 둘레 방향으로 길게 늘어져 막두께가 감소한다. 따라서, 제 1 착액 위치에는 기판의 중앙역보다 다량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 기판의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판의 중앙역에는 제 1 착액 위치보다 소량의 약액이 공급되지만, 그 막두께는 제 1 착액 위치에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 표면 중 제 1 착액 위치보다 기판의 중심측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 노즐 (52) 로부터 토출된 약액 (L2) 의 일부는, 착액 위치 (P2) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 주변역 (K3) 을 기판 (9) 의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 제 1 노즐과 제 2 노즐에 의해 기판의 표면 전체에 약액을 공급하면서, 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분, 즉 기판의 중앙역과, 기판의 중간역 중 제 1 착액 위치보다 회전축측 부분에 공급되는 약액의 막두께의 균일성을 제 1 노즐에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 기판 (9) 의 회전에 의해, 기판 (9) 의 중심측으로부터 둘레 가장자리측을 향하여 기판 (9) 의 열 손실이 급격하게 증가하지만, 제 2 노즐로부터 토출된 약액 (L2) 은, 주로 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되기 때문에, 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 공급되는 약액 (L1, L2) 을, 기판 (9) 의 중앙부에 공급되는 약액 (L1) 에 비해 늘릴 수 있다. 따라서, 기판 (9) 의 표면의 온도 분포의 균일성을 개선할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the amount of the chemical L1 directed from the liquid landing position P1 to the rotation shaft a1 side immediately after the nozzle 51 touches the liquid landing position P1 is the liquid landing position Immediately after contacting (P1), the chemical liquid L1 is discharged so that the amount of the chemical liquid L1 directed from the liquid landing position P1 to the opposite side to the rotation shaft a1 is greater than the amount of the chemical liquid L1, and the nozzle 52 releases the chemical liquid L2 The discharging direction v1 at the time of discharging is viewed from above the nozzle 52 in the direction of the rotational axis a1 of the substrate 9, the liquid landing of a circle passing through the liquid landing position P2 with the rotational axis a1 as the center. It is a direction having the component v2 directed downstream of the rotational direction of the substrate 9 along the tangential direction at the position P2. Accordingly, the chemical liquid L1 discharged from the nozzle 51 flows toward the center of the substrate 9 while being diffused from the liquid landing position P1 to the liquid film phase, and also at the liquid landing position P1 with respect to the center of the substrate 9 . It becomes easy to reach the peripheral edge of the board|substrate 9 on the opposite side. Thus, a large amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position, and a smaller amount of the chemical is supplied to each position of the central portion of the substrate than at the first liquid landing position. The rotational speed with respect to the circumferential direction of each point of the substrate increases from the rotational axis toward the peripheral edge of the substrate. Further, the chemical solution supplied to each position of the substrate is elongated in the circumferential direction as the rotational speed of each position in the circumferential direction increases, and the film thickness decreases. Therefore, although a larger amount of the chemical is supplied to the first liquid landing position than in the central region of the substrate, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate, while a smaller amount of the chemical is supplied to the central region of the substrate than in the first liquid landing position, but the film thickness does not thin well compared to the first liquid landing position. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution in the center side part of the board|substrate rather than the 1st liquid landing position on the board|substrate surface can be improved by the 1st nozzle. In addition, a part of the chemical liquid L2 discharged from the nozzle 52 diffuses from the liquid landing position P2 to the liquid film phase while flowing through the peripheral area K3 of the substrate 9 to the downstream side in the rotation direction of the substrate 9 . (9) reaches the peripheral edge of Accordingly, while supplying the chemical to the entire surface of the substrate by the first and second nozzles, the portion on the rotational axis side from the first liquid landing position, that is, the central region of the substrate and the intermediate region of the substrate, the portion on the rotational axis side rather than the first liquid landing position. The uniformity of the film thickness of the supplied chemical can be improved by the first nozzle. Moreover, although the heat loss of the board|substrate 9 rapidly increases from the center side of the board|substrate 9 toward the peripheral side by rotation of the board|substrate 9, the chemical|medical solution L2 discharged from the 2nd nozzle mainly Since it is supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 , the chemical liquids L1 and L2 supplied to the peripheral region K3 of the substrate 9 are applied to the chemical liquid L1 supplied to the central portion of the substrate 9 . can be increased compared to Accordingly, the uniformity of the temperature distribution on the surface of the substrate 9 can be improved.

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (52) 이 토출하는 약액 (L2) 의 유량이, 노즐 (51) 이 토출하는 약액 (L1) 의 유량보다 많기 때문에, 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 대해, 노즐 (52) 로부터 보다 많은 약액 (L2) 을 공급할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, since the flow rate of the chemical liquid L2 discharged by the nozzle 52 is greater than the flow rate of the chemical liquid L1 discharged by the nozzle 51 , With respect to the peripheral area K3, more chemical liquid L2 can be supplied from the nozzle 52.

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (52) 이 약액 (L2) 을 토출할 때의 토출 방향 (v1) 은, 노즐 (52) 의 상방으로부터 기판 (9) 의 회전축 (a1) 방향으로 보아, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여 착액 위치 (P2) 를 통과하는 원의 착액 위치 (P2) 에 있어서의 접선의 방향을 따라 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분 (v2) 과, 접선과 직교하는 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 착액 위치 (P2) 로부터 회전축 (a1) 과는 반대측으로 향하는 성분 (v3) 을 갖는 방향이다. 따라서, 노즐 (52) 로부터 기판 (9) 의 주변역 (K3) 에 대해 효율적으로 약액 (L2) 을 공급할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the discharge direction v1 when the nozzle 52 discharges the chemical liquid L2 is the rotation axis a1 of the substrate 9 from above the nozzle 52 . The component (v2) directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate 9 along the direction of the tangent line at the liquid landing position P2 of a circle passing through the liquid landing position P2 with the rotation axis a1 as the center. And it is a direction which has the component v3 which goes to the opposite side to the rotation axis a1 from the liquid landing position P2 along the radial direction of the board|substrate 9 orthogonal to a tangent. Therefore, the chemical liquid L2 can be efficiently supplied from the nozzle 52 to the peripheral area K3 of the substrate 9 .

또, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 (51, 52) 이 약액 (L1, L2) 을 토출할 때의 각 토출 방향 (u1, v1) 은, 노즐 (51, 52) 에 대해 회전축 (a1) 과는 반대측의 각 위치로부터 기판 (9) 의 직경 방향으로 보아, 기판 (9) 의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향이다. 노즐 (51, 52) 은, 착액 위치 (P1, P2) 를 향하여, 보다 정확하게 약액 (L1, L2) 을 토출할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the respective discharge directions u1 and v1 when the nozzles 51 and 52 discharge the chemical liquids L1 and L2 are rotational axes with respect to the nozzles 51 and 52 . Viewed in the radial direction of the substrate 9 from each position on the opposite side to (a1), it is a direction inclined downward from above the substrate 9 . The nozzles 51 and 52 can more accurately discharge the chemical liquids L1 and L2 toward the liquid landing positions P1 and P2.

또, 이상과 같은 본 실시형태에 관련된 기판 처리 방법에 의하면, 약액 (L1) 의 적어도 일부는, 착액 위치 (P1) 에 닿은 직후에, 당해 약액 (L1) 에 작용하는 기판 (9) 의 회전 방향의 하류측 방향의 힘과 원심력의 쌍방의 힘을 이겨내고, 착액 위치 (P1) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 회전 방향의 상류측, 또한, 회전축 (a1) 측으로 흐르고, 그 후, 기판 (9) 의 중앙역을 통과하여 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 도달한다. 이로써, 착액 위치 (P1) 에는 다량의 약액 (L1) 이 공급되고, 기판 (9) 의 중앙 부분의 각 위치에는 착액 위치 (P1) 보다 소량의 약액 (L1) 이 공급된다. 착액 위치 (P1) 에는 기판 (9) 의 중앙역보다 다량의 약액 (L1) 이 공급되지만, 그 막두께는 기판 (9) 의 중앙역보다 얇아지기 쉬운 한편, 기판 (9) 의 중앙역에는 착액 위치 (P1) 보다 소량의 약액 (L1) 이 공급되지만, 그 막두께는 착액 위치 (P1) 에 비해 잘 얇아지지 않는다. 이 때문에, 기판 (9) 표면 중 착액 위치 (P1) 보다 기판 (9) 의 중심 (c1) 측 부분에 있어서의 약액의 막두께의 균일성을, 착액 위치 (P1) 에 대한 약액 (L1) 의 토출에 의해 향상시킬 수 있다. 또, 착액 위치 (P2) 에 토출된 약액 (L2) 의 대부분은, 착액 위치 (P2) 로부터 액막상으로 확산되면서 기판 (9) 의 주변역을 기판 (9) 의 회전 방향 하류측으로 흐르면서 기판 (9) 의 둘레 가장자리부에 도달한다. 따라서, 기판 (9) 의 표면 전체에 약액 (L1, L2) 을 공급하면서, 착액 위치 (P1) 보다 회전축 (a1) 측 부분, 즉 기판 (9) 의 중앙역과, 기판 (9) 의 중간역 중 착액 위치 (P1) 보다 회전축 (a1) 측 부분에 공급되는 약액 (L1) 의 막두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the substrate processing method according to the present embodiment as described above, at least a part of the chemical liquid L1 in the direction of rotation of the substrate 9 acts on the chemical liquid L1 immediately after it touches the liquid landing position P1. overcomes both the force of the downstream direction and the centrifugal force, and while spreading from the liquid landing position P1 to the liquid film phase, flows to the upstream side of the rotation direction of the substrate 9 and the rotation axis a1 side, and then to the substrate It passes through the central station of (9) to reach the peripheral edge of the substrate (9). Thereby, a large amount of the chemical liquid L1 is supplied to the liquid landing position P1, and a small amount of the chemical liquid L1 is supplied to each position of the central portion of the substrate 9 than the liquid landing position P1. Although a larger amount of the chemical L1 is supplied to the liquid landing position P1 than in the central region of the substrate 9, the film thickness tends to be thinner than the central region of the substrate 9, while the liquid landing position P1 in the central region of the substrate 9 ), although a smaller amount of the chemical liquid L1 is supplied, the film thickness is not easily reduced compared to the liquid landing position P1. For this reason, the uniformity of the film thickness of the chemical liquid at the center (c1) side portion of the substrate 9 rather than the liquid landing position P1 on the surface of the substrate 9 is the same as that of the chemical liquid L1 with respect to the liquid landing position P1. It can be improved by discharging. In addition, most of the chemical liquid L2 discharged to the liquid landing position P2 diffuses from the liquid landing position P2 to the liquid film phase and flows in the peripheral area of the substrate 9 to the downstream side in the rotation direction of the substrate 9 while flowing to the substrate 9 ) to reach the edge of the perimeter. Accordingly, while supplying the chemical liquids L1 and L2 to the entire surface of the substrate 9 , the portion on the side of the rotation axis a1 from the liquid landing position P1 , that is, between the central region of the substrate 9 and the intermediate region of the substrate 9 . The uniformity of the film thickness of the chemical|medical solution L1 supplied to the part on the side of the rotation shaft a1 rather than the liquid landing position P1 can be improved.

본 발명은 상세하게 나타내어지고 기술되었지만, 상기의 기술은 모든 양태에 있어서 예시로서 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 실시형태를 적절히, 변형, 생략하는 것이 가능하다.While the present invention has been shown and described in detail, the foregoing description is illustrative in all respects and not restrictive. Accordingly, the present invention can appropriately modify and omit the embodiments within the scope of the invention.

1 : 기판 처리 장치
9 : 기판
21 : 스핀 척
231 : 회전 기구
K1 : 중앙역
K2 : 중간역
K3 : 주변역
P1 : 착액 위치 (제 1 착액 위치)
P2 : 착액 위치 (제 2 착액 위치)
L1, L2 : 약액
51 : 노즐 (제 1 노즐)
52 : 노즐 (제 2 노즐)
u1, v1 : 토출 방향
u2, u3, v2, v3 : 성분
a1 : 회전축
c1 : 중심1: Substrate processing device
9: substrate
21: spin chuck
231: rotation mechanism
K1 : Central Station
K2: middle station
K3 : Nearby Station
P1: liquid landing position (first liquid landing position)
P2: liquid landing position (second liquid landing position)
L1, L2: Chemical solution
51: nozzle (first nozzle)
52: nozzle (second nozzle)
u1, v1 : discharge direction
u2, u3, v2, v3: component
a1 : axis of rotation
c1 : center

Claims (18)

기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 유지 부재와,
상기 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 상기 기판보다 상방으로부터 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 1 노즐과,
상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 2 노즐을 구비하고,
상기 제 1 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 1 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 1 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 1 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축으로 향하는 성분을 갖는 방향이고,
상기 제 1 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 속도의 상기 접선 방향의 속도 성분은, 상기 기판의 회전에 의해 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고,
상기 토출 속도의 상기 직경 방향의 속도 성분은, 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액이 상기 회전축측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고,
상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향인, 기판 처리 장치.a holding member rotatable while maintaining the substrate in a substantially horizontal posture;
a rotating mechanism for rotating the holding member about a rotating shaft;
a first nozzle for discharging the chemical as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a first liquid landing position in an intermediate region between a central station and a peripheral station among the rotational trajectories of the substrate;
a second nozzle for discharging the chemical liquid as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a second liquid landing position in the intermediate region;
The discharge direction when the first nozzle discharges the chemical is the first of a circle passing through the first liquid landing position with the rotation axis as a center, as viewed from above the first nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate. A direction having a component facing upstream of the rotational direction of the substrate along the tangent direction at the first liquid landing position and a component facing the rotation axis from the first liquid landing position along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line;
The speed component in the tangential direction of the discharge speed when the first nozzle discharges the chemical liquid is in the downstream direction of the rotation direction of the substrate acting on the chemical liquid on the first liquid landing position due to the rotation of the substrate. It has a size that overcomes the force and allows the chemical to flow upstream of the rotational direction of the substrate,
The speed component in the radial direction of the discharge speed has a size that overcomes the centrifugal force caused by rotation of the substrate acting on the chemical solution on the first liquid landing position and allows the chemical solution to flow toward the rotation shaft side,
When the second nozzle discharges the chemical liquid, the discharge direction is the second of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as a center, as viewed from above the second nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate. The substrate processing apparatus is a direction having a component directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate along the tangential direction at the liquid landing position. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 회전축으로부터 동일한 거리인, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
and the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle are the same distance from the rotation axis. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 기판의 둘레 가장자리 중 상기 제 1 착액 위치에 가장 가까운 점의 중점에 의해 주목 중점을 정의했을 때,
상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 착액 위치보다 상기 회전축으로부터 멀고, 상기 주목 중점보다 상기 회전축에 가까운, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
When the midpoint of interest is defined by the midpoint of the first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and a point closest to the first liquid landing position among the peripheral edges of the substrate,
The second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle is further from the rotation axis than the first liquid landing position and closer to the rotation axis than the central point of interest. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 기판의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 상기 회전축을 서로의 사이에 두고 각각 위치하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first liquid landing position of the chemical liquid discharged by the first nozzle and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle are on the same straight line forming the diameter of the substrate, and the rotation shafts are mutually Substrate processing apparatus positioned between each other. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 노즐이 토출한 상기 약액이 상기 제 1 착액 위치로부터 주위로 확산되어 상기 기판 상에 형성되어 있는 액막 위에 위치하는, 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged by the second nozzle is located on a liquid film formed on the substrate in which the chemical liquid ejected by the first nozzle diffuses from the first liquid landing position to the surroundings. processing unit. 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 유지 부재와,
상기 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 1 노즐과,
상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 2 노즐을 구비하고,
상기 제 1 노즐은, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축측으로 향하는 상기 약액의 양이, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 상기 약액의 양보다 많아지도록, 상기 약액을 토출하고,
상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향인, 기판 처리 장치.a holding member rotatable while maintaining the substrate in a substantially horizontal posture;
a rotating mechanism for rotating the holding member about a rotating shaft;
a first nozzle for discharging a chemical liquid as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a first liquid landing position in an intermediate region between a central station and a peripheral station among the rotation trajectories of the substrate;
a second nozzle for discharging the chemical liquid as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a second liquid landing position in the intermediate region;
The first nozzle is configured such that the amount of the chemical directed from the first liquid landing position to the rotational shaft side immediately after touching the first liquid landing position is from the first liquid landing position to the rotational shaft immediately after touching the first liquid landing position. Discharging the chemical solution so as to be greater than the amount of the chemical solution directed to the opposite side,
When the second nozzle discharges the chemical liquid, the discharge direction is the second of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as a center, as viewed from above the second nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate. The substrate processing apparatus is a direction having a component directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate along the tangential direction at the liquid landing position. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 노즐이 토출하는 상기 약액의 유량이, 상기 제 1 노즐이 토출하는 상기 약액의 유량보다 많은, 기판 처리 장치.7. The method of claim 1 or 6,
The substrate processing apparatus, wherein a flow rate of the chemical liquid discharged by the second nozzle is greater than a flow rate of the chemical liquid discharged by the first nozzle. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 토출 방향은, 상기 제 2 노즐의 상방으로부터 상기 기판의 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 2 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 성분을 갖는 방향인, 기판 처리 장치.7. The method of claim 1 or 6,
When the second nozzle discharges the chemical liquid, the discharge direction is the second of a circle passing through the second liquid landing position with the rotation axis as a center, as viewed from above the second nozzle in the direction of the rotation axis of the substrate. A direction having a component directed downstream of the rotational direction of the substrate along the tangent direction at the liquid landing position and a component facing the opposite side from the rotation axis from the second liquid landing position along the radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line Phosphorus, substrate processing apparatus. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 각 노즐이 상기 약액을 토출할 때의 각 토출 방향은, 상기 기판의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향인, 기판 처리 장치.7. The method of claim 1 or 6,
Each discharge direction when each nozzle of the first nozzle and the second nozzle discharges the chemical is a direction inclined downward from the upper side of the substrate. 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 스텝과,
상기 회전 스텝과 병행하여, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 상기 기판보다 상방으로부터 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 1 토출 스텝과,
상기 회전 스텝 및 상기 제 1 토출 스텝과 병행하여, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 2 토출 스텝을 구비하고,
상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 1 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 1 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 향하는 성분과, 상기 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축으로 향하는 성분을 갖는 방향이고,
상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 속도의 상기 접선 방향의 속도 성분은, 상기 기판의 회전에 의해 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전 방향의 하류측 방향의 힘을 이겨내고 당해 약액이 상기 기판의 회전 방향의 상류측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고,
상기 토출 속도의 상기 직경 방향의 속도 성분은, 상기 제 1 착액 위치 상의 상기 약액에 작용하는 상기 기판의 회전에 의한 원심력을 이겨내고 당해 약액이 상기 회전축측으로 흐를 수 있는 크기를 갖고,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 토출 방향으로 상기 약액을 토출하는 스텝인, 기판 처리 방법.a rotation step of rotating the substrate about a rotation axis while maintaining the substrate in a substantially horizontal posture;
a first discharging step of discharging the chemical as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a first liquid landing position in an intermediate region between a central station and a peripheral station among the rotation trajectories of the substrate in parallel with the rotation step; ,
a second discharging step of discharging the chemical as a liquid column-like liquid stream from above the substrate so as to reach a second liquid landing position in the intermediate region in parallel with the rotating step and the first discharging step;
The discharging direction of the chemical liquid discharged in the first discharging step is at the first liquid landing position of a circle passing through the first liquid landing position with the rotational axis as a center when the chemical is viewed from above in the direction of the rotation axis. A direction having a component directed upstream of the rotational direction of the substrate along a tangent direction of the tangent and a component directed from the first liquid landing position to the rotation axis along a radial direction of the substrate orthogonal to the tangent line,
The speed component in the tangential direction of the discharge speed of the chemical liquid discharged in the first discharge step is in the downstream direction of the rotation direction of the substrate acting on the chemical liquid on the first liquid landing position due to the rotation of the substrate. It has a size that overcomes the force and allows the chemical to flow upstream of the rotational direction of the substrate,
The speed component in the radial direction of the discharge speed has a size that overcomes the centrifugal force caused by rotation of the substrate acting on the chemical solution on the first liquid landing position and allows the chemical solution to flow toward the rotation shaft side,
The discharging direction of the chemical liquid discharged in the second discharging step is at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotational axis as a center when the chemical is viewed from above in the direction of the rotation axis. and discharging the chemical in a discharging direction having a component directed downstream of a rotational direction of the substrate along a tangential direction of the substrate. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 회전축으로부터 동일한 거리인, 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The substrate processing method, wherein the first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step are the same distance from the rotation axis. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 기판의 둘레 가장자리 중 상기 제 1 착액 위치에 가장 가까운 점의 중점에 의해 주목 중점을 정의했을 때,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 착액 위치보다 상기 회전축으로부터 멀고, 상기 주목 중점보다 상기 회전축에 가까운, 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
When the midpoint of interest is defined by the midpoint of the first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the point closest to the first liquid landing position among the peripheral edges of the substrate,
The substrate processing method, wherein the second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step is further from the rotation axis than the first liquid landing position and closer to the rotation axis than the central point of interest. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 1 착액 위치와, 상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 기판의 직경을 이루는 동일 직선 상에, 상기 회전축을 서로의 사이에 두고 각각 위치하는, 기판 처리 방법.13. The method according to any one of claims 10 to 12,
The first liquid landing position of the chemical liquid discharged in the first discharging step and the second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step are on the same straight line forming the diameter of the substrate, A method of processing a substrate, each of which is positioned with a rotation axis between each other. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 상기 제 2 착액 위치는, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액이 상기 제 1 착액 위치로부터 주위로 확산되어 상기 기판 상에 형성되어 있는 액막 위에 위치하는, 기판 처리 방법.13. The method according to any one of claims 10 to 12,
The second liquid landing position of the chemical liquid discharged in the second discharging step is located on the liquid film formed on the substrate in which the chemical liquid discharged in the first discharging step diffuses from the first liquid landing position to the surroundings. Positioned, substrate processing method. 기판을 대략 수평 자세로 유지하면서 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 스텝과,
상기 회전 스텝과 병행하여, 상기 기판의 회전 궤적 중 중앙역과 주변역 사이의 중간역에 있어서의 제 1 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 1 토출 스텝과,
상기 회전 스텝 및 상기 제 1 토출 스텝과 병행하여, 상기 중간역에 있어서의 제 2 착액 위치에 닿도록 기판보다 상방으로부터 상기 약액을 액기둥상의 액류로서 토출하는 제 2 토출 스텝을 구비하고,
상기 제 1 토출 스텝은, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축측으로 향하는 상기 약액의 양이, 상기 제 1 착액 위치에 닿은 직후에 상기 제 1 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 상기 약액의 양보다 많아지도록, 상기 약액을 토출하는 스텝이고,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분을 갖는 방향인, 기판 처리 방법.a rotation step of rotating the substrate about a rotation axis while maintaining the substrate in a substantially horizontal posture;
a first discharging step of discharging the chemical as a columnar liquid stream from above the substrate so as to reach a first liquid landing position in an intermediate region between a central station and a peripheral station among the rotation trajectories of the substrate in parallel with the rotating step;
a second discharging step of discharging the chemical as a liquid column-like liquid stream from above the substrate so as to reach a second liquid landing position in the intermediate region in parallel with the rotating step and the first discharging step;
In the first discharging step, immediately after reaching the first liquid landing position, the amount of the chemical directed from the first liquid landing position to the rotation shaft side reaches the first liquid landing position, immediately after touching the first liquid landing position, from the first liquid landing position to the rotation shaft. is a step of discharging the chemical solution so as to be greater than the amount of the chemical solution directed to the opposite side,
The discharging direction of the chemical liquid discharged in the second discharging step is at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotational axis as a center when the chemical is viewed from above in the direction of the rotation axis. A direction having a component directed downstream of the rotational direction of the substrate along a tangential direction of the substrate processing method. 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 유량이, 상기 제 1 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 유량보다 많은, 기판 처리 방법.16. The method of claim 10 or 15,
and a flow rate of the chemical solution discharged in the second discharging step is greater than a flow rate of the chemical solution discharged in the first discharging step. 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 제 2 토출 스텝에 있어서 토출되는 상기 약액의 토출 방향은, 당해 약액을 상방으로부터 상기 회전축 방향으로 보아, 상기 회전축을 중심으로 하여 상기 제 2 착액 위치를 통과하는 원의 상기 제 2 착액 위치에 있어서의 접선 방향을 따라 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 향하는 성분과, 당해 접선과 직교하는 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 제 2 착액 위치로부터 상기 회전축과는 반대측으로 향하는 성분을 갖는 방향인, 기판 처리 방법.16. The method of claim 10 or 15,
The discharging direction of the chemical liquid discharged in the second discharging step is at the second liquid landing position of a circle passing through the second liquid landing position with the rotational axis as a center when the chemical is viewed from above in the direction of the rotation axis. A direction having a component directed to the downstream side of the rotational direction of the substrate along a tangent direction of the substrate and a component facing the opposite side from the rotation axis from the second liquid landing position along a radial direction of the substrate orthogonal to the tangent. Way. 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 토출 스텝과 상기 제 2 토출 스텝의 각 토출 스텝에 있어서 상기 약액이 토출될 때의 각 토출 방향은, 상기 기판의 상방으로부터 기울어진 하향으로 향하는 방향인, 기판 처리 방법.16. The method of claim 10 or 15,
In each of the discharging steps of the first discharging step and the second discharging step, each discharging direction when the chemical is discharged is a direction inclined downward from the upper side of the substrate.
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