KR102267532B1 - 레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법 - Google Patents

레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102267532B1
KR102267532B1 KR1020177000167A KR20177000167A KR102267532B1 KR 102267532 B1 KR102267532 B1 KR 102267532B1 KR 1020177000167 A KR1020177000167 A KR 1020177000167A KR 20177000167 A KR20177000167 A KR 20177000167A KR 102267532 B1 KR102267532 B1 KR 102267532B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
partial
partial beams
laser
optical element
Prior art date
Application number
KR1020177000167A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170019409A (ko
Inventor
요아킴 슐츠
Original Assignee
트럼프 레이저시스템즈 포 세미컨덕터 매뉴팩처링 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트럼프 레이저시스템즈 포 세미컨덕터 매뉴팩처링 게엠베하 filed Critical 트럼프 레이저시스템즈 포 세미컨덕터 매뉴팩처링 게엠베하
Publication of KR20170019409A publication Critical patent/KR20170019409A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102267532B1 publication Critical patent/KR102267532B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H01S3/1003—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors tunable optical elements, e.g. acousto-optic filters, tunable gratings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은, 레이저 빔(7)을 생성하는 빔 소스를 포함하고 레이저 빔(7)을 증폭하는 증폭기 배열체를 포함하는 드라이버 레이저 배열체와, 레이저 빔(7)을 모니터링하는 장치(15)를 포함하는 디바이스에 관련되는데, 레이저 빔(7)을 모니터링하는 장치(15)는, 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)에 대하여 투과성 광학 엘리먼트(12)의 법선 방향(12a)이 경사각(β)으로 정렬되는 상기 투과성 광학 엘리먼트(12), 특히 평면 판과, 광학 엘리먼트(12)에서 반사된 레이저 방사(13a, 13b)를 레지스터링하는 공간 분해 검출기(16)를 포함한다. 광학 엘리먼트(12)는, 웨지각(γ)으로 서로에 대하여 정렬되는 그리고 레이저 빔(7)이 통과하는 제 1 면(14a) 및 제 2 면(14b)을 갖고, 제 1 면(14a)은 입사하는 레이저 빔(7)의 제 1 부분 빔(13a)을 반사하고 제 2 면(14b)은 제 2 부분 빔(13b)을 반사한다. 장치(15)는 두 개의 반사된 부분 빔들 중 하나의 반사된 부분 빔(13b)이 검출기(16)에 도달하는 것을 방지하는 광 필터(20)를 갖는다. 본 발명은 또한 레이저 빔(7)을 모니터링하기 위한 대응 방법과 관련된다.

Description

레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법{DEVICE AND METHOD FOR MONITORING A LASER BEAM}
본 발명은 레이저 빔을 생성하는 빔 소스와 레이저 빔을 증폭하는 증폭기 배열체를 포함하는 드라이버 레이저 배열체(arrangement)를 갖는 디바이스에 관한 것이다. 그 디바이스는, 레이저 빔의 빔 축에 대하여 레이저 빔을 투과하는 광학 엘리먼트의 법선 방향이 어떤 경사각으로 정렬되는 상기 광학 엘리먼트, 특히 평면 판과, 광학 엘리먼트에서 반사된 레이저 방사를 레지스터링하는 공간 분해(spatially resolving) 검출기를 포함하는, 레이저 빔을 모니터링하는 장치를 또한 포함한다. 본 발명은 레이저 빔을 모니터링하는 연관된 방법에 또한 관련된다.
EUV 광원의 형태로 처음 언급된 디바이스가, WO 2010/059210 A2에 개시되어 있다. 이 디바이스에서, 광학적 컴포넌트들의 정렬을 테스트하기 위한 모니터링 레이저 빔이 모니터링 레이저 빔에 대해 어떤 각도로 정렬된 평면 판에서 반사되고 검출기에 의해 레지스터링되었다. 모니터링 레이저 빔의 파장은 진공 챔버에서의 윈도우를 형성하는 평면 판에 의해 투과되는 추가의 레이저 빔, 통상 CO2 레이저 빔의 파장과는 상이하다.
경사를 갖는 빔 경로 속으로 도입되는, 평면 판 상에 입사한 방사 전력의 작은 부분이, 심지어 평면 판에 의해 투과되는 레이저 빔의 경우에도, 빔 경로 외부의 로케이션으로 통상 반사된다. 여기서, 레이저 방사는 평면 판의 하나의 면에서만 반사되는 것이 아니라, 평면 판의 양쪽 면들 각각이 입사 레이저 빔의 부분 빔(partial beam)을 반사한다. 공간 분해 검출기, 예컨대, 카메라 상의 투과성 광학 엘리먼트에서 반사된 레이저 방사를 관찰하는 것에 의해 레이저 빔을 모니터링 또는 분석할 때 간섭 스트립(interference strip)들이 기록된 이미지들에서 나타나고, 그래서 아마도, 검출기 상에서 이미징된, 모니터링될 레이저 빔의 빔 단면의 단지 몇몇 세부사항들만이, 여전히 식별될 수 있다는 것이 발견되었다.
평면 판의 두 개의 면들의 반사도들 간의 차이는, 이러한 간섭 스트립들을 피하기 위하여, 예를 들어 그 면들 중 하나에 도포된 반사 코팅에 의해서 증가될 수 있다. 그러나, 이러한 코팅의 반사율은, 특히, 드라이버 레이저 배열체에 의해 생성된 것처럼, 예컨대 다수의 킬로와트의 높은 레이저 전력을 갖는 레이저 빔들의 경우에 너무 높게 선택되지 않을 수도 있다. 더구나, 두 개의 면들 중 하나의 면에서 반사된 부분 빔은, 그 부분 빔의 전력이 다른 면에서 반사된 부분 빔의 전력의 수 퍼센트를 갖는 것이며, 명백히 보이는 간섭 스트립들로 이미 이어질 수 있다. 대안적으로, 수치 이미지 프로세싱 알고리즘들의 도움으로 기록된 이미지들에서의 간섭 스트립들을 제거하려는 시도들이 이루어질 수도 있지만, 이는 일반적으로 완전히 성공적이지는 않다.
출원인에 의한 DE 10 2011 007 176 A1은, 워크피스(workpiece) 상에 레이저 빔을 포커싱하는 디바이스와, 레이저 빔의 수렴 빔 경로에서 레이저 빔의 빔 축에 대하여 어떤 경사각으로 배열된 평면 판의 형태의 투과성 광학 엘리먼트와, 투과성 광학 엘리먼트에서 반사된 레이저 방사를 레지스터링하는 공간 분해 검출기가 준비되는, 레이저 프로세싱을 모니터링하는 방법을 개시하였다. 검출기에 배정된 것들은 광학 엘리먼트의 제 1 면에서 반사된 레이저 방사를 광학 엘리먼트의 제 2 면에서 반사된 레이저 방사로부터 구별하는 수단이다. 그 수단은 투과성 광학 엘리먼트의 면들 중 하나의 면에서 반사된 레이저 방사를 마스킹하는 이미지 평가 장치 또는 다이어프램일 수 있다.
DE 10 2007 053 632 A1은, 정의된 백분율의 빔이 주광선(chief ray)에 수직인 광학적 앞면(face)에서 작은 각도로 또는 동축적으로 반사되는, 광학적 시스템들에서의 동축(coaxial) 빔 분석을 위한 방법을 설명한다. 반사된 부분 빔은 빔 스플리터에 의해 주광선으로부터 분리되는데, 그 반사된 부분 빔은 빔 분석을 위해 이용 가능하다. 후방 반사(back-reflecting) 표면을 갖는 광학 엘리먼트는 이미지 측에서 두 개의 표면들의 반사를 분리할 수 있기 위하여 웨지각(wedge angle)을 가질 수 있다.
본 발명은 처음에 언급된 유형의 디바이스와 레이저 빔이 가짜(spurious) 간섭 스트립들 없이 모니터링될 수 있도록 레이저 빔을 모니터링하는 방법을 개발하는 목적에 기초한다.
이 목적은, 광학 엘리먼트가 어떤 웨지각으로 서로에 대하여 정렬되는 그리고 레이저 빔이 통과하는 제 1 면과 제 2 면을 갖고, 제 1 면은 입사 레이저 빔의 제 1 부분 빔을 반사하고 제 2 면은 제 2 부분 빔을 반사하는, 처음에 언급된 유형의 디바이스에 의해 성취된다. 그 장치는 두 개의 반사된 부분 빔들 중 하나의 반사된 부분 빔이 검출기에 도달하는 것을 방지하는 광 필터를 갖는다.
광학 엘리먼트는 레이저 빔의 시준된(collimated) 빔 경로에서 통상 배열된다. 레이저 빔이 광학 엘리먼트에 들어가는 제 1 면과, 레이저 빔이 광학 엘리먼트로부터 나오는 제 2 면 사이의 일반적으로 매우 작은 웨지각의 결과로서, 두 개의 부분 빔들은 두 개의 부분 빔들이 광 필터에 의하여 서로로부터 분리될 수 있도록 약간 상이한 방향들로 반사된다. 예로서, 광학 엘리먼트의 평면에서 발생되는 레이저 빔들의 상이한 각도들 또는 상이한 방향들이, 공간적 분포로 변환되었던 광학적 필터링이 평면에서 구현될 수 있으며, 즉, 광학적 필터링이 푸리에 공간에서 구현될 수 있다.
통상적으로, 투과성 광학 엘리먼트가 배열되는 평면(대물 평면)은 검출기(예컨대, CCD 칩)의 이미지 면(image plane) 상에서 이미징 광학 유닛에 의하여 이미징된다. 이 경우, 광학적 필터링은 예컨대, 이미징 광학 유닛에서 착수될 수 있다. 투과 광학 엘리먼트의 법선 방향이 레이저 빔의 빔 축에 대하여 정렬되는 (그리고 광학 엘리먼트 상의 레이저 빔의 입사각에 대응하는) 경사각(tilt angle)은, 반사된 부분 빔들을 레이저 빔의 빔 경로 밖으로 디커플링하기 충분하게 크고 통상적으로 10°를 초과하며, 예를 들어 대략 20°이다. 입사 레이저 빔과 두 개의 반사된 부분 빔들은 경사각이 연장하는 공통 면을 형성한다. 광학 엘리먼트의 웨지각은 통상적으로 경사각의 평면에서 연장하지 않는다.
바람직하게는, 웨지각은 10 mrad 미만, 특히 5 mrad 미만이다. 투과성 광학 엘리먼트는 투과된 레이저 빔에 대한 최소의 가능한 영향을 가져야 한다. 이는 완전히 평면인 판(웨지각이 없음)의 경우인데, 완전히 평면인 판은 굴절력을 갖지 않고 레이저 빔의 최소 측방향 오프셋을 대응하는 작은 두께의 경우에만 생기게 하여서이다. 위에서 특정된 범위의 값들을 갖는 웨지각의 결과로서, 레이저 빔은 광학 엘리먼트를 통과할 때 무시할 수 있게 작은 편향만을 경험하며, 그런 편향은 - 필요한 경우 - 빔 경로에서 후속 광학 엘리먼트들을 정렬할 때 문제들 없이 고려될 수 있다.
유리한 개발에서, 광 필터는 반사된 부분 빔들을 포커싱하는 포커싱 장치를 갖고, 두 개의 부분 빔들을 분리하는 분리 엘리먼트가 초점면의 지역에서 또는 포커싱 장치의 초점면에서 배열된다. 광학 엘리먼트의 비교적 작은 웨지각의 결과로서, 반사된 부분 빔들의 반사의 방향들 간에는 최소 편차만이 존재하며, 즉, 반사된 부분 빔들은 서로로부터 매우 느리게만 분리되고 긴 거리에 걸쳐 공간적으로 중첩된 채로 유지된다. 상이한 입사각들을 갖는 포커싱 장치에 입사하는 두 개의 레이저 빔들은 포커싱 장치의 초점면에서 상이한 로케이션들에 포커싱된다. 두 개의 부분 빔들은, 예컨대, 편향된 부분 빔이 검출기 상에 입사하지 않도록 하는 분리 엘리먼트로서 역할을 하는 거울에 의하여 편향되어 있는, 예를 들어 두 개의 부분 빔들 중 하나의 부분 빔에 의하여 초점면에서 특히 쉽사리 서로로부터 분리될 수 있다. 초점면 뒤에서, 검출기로 전달되는 부분 빔은 다시 더 크게 되고 검출기 상에 간섭 스트립들 없이 레이저 빔의 이미지를 생성한다.
추가의 실시예에서, 분리 엘리먼트는 두 개의 부분 빔들의 중 하나의 부분 빔을 차단하는 다이어프램으로서 구현된다. 초점면에서 또는 초점면의 부근에 배열된 다이어프램에 의해, 두 개의 부분 빔들 중 차단되어 있는 하나의 부분 빔에 의하여 두 개의 부분 빔들을 분리하는 것이 가능하다. 다이어프램은 핀홀 다이어프램, 슬롯 다이어프램 또는 한쪽(one-sided) 다이어프램, 즉, 반사된 부분 빔의 하나의 면 상에만 배열된 다이어프램일 수 있다.
하나의 실시예에서, 포커싱 장치는 (수렴) 렌즈를 포함하거나 또는 그것은 (수렴) 렌즈로서 구현된다. 반사된, 시준된 부분 빔들은 렌즈 상에 상이한 입사각들로 입사하고 그러므로 렌즈의 초점면에서의 상이한 로케이션들에 포커싱된다. 렌즈는 검출기에서의 이미지 면 상에 투과 광학 엘리먼트를 이용하여 그 면을 이미징하는 이미징 광학 유닛으로서 동시에 역할을 할 수 있다. 렌즈 형상은 이미징 동안의 수차들이 가능한 한 작은 그런 방식으로 선택되어야 한다. 예로서, 렌즈는 양볼록 렌즈(biconvex lens)일 수 있다. 이미징하는 동안의 수차들을 가능한 한 작게 유지하기 위하여, 렌즈가 예컨대, 50 mm를 초과하는, 아마도 100 mm를 초과하는 비교적 큰 초점 거리를 갖는다면 유리하다는 것이 발견되었다. 렌즈는 또한, 대략 100 mm 이상, 바람직하게는 대략 200 mm 이상의 초점 거리를 일반적으로 가져야 하는 메니스커스(meniscus) 렌즈일 수 있다.
하나의 실시예에서, 부분 빔들의 두 개의 초점들은 초점면에서 간격(A)을 갖는데, 그 간격은 초점면에서의 초점들의 직경의 X-배에 해당하며, 여기서 X > 2, 바람직하게는 X > 5 이다. 두 개의 초점들 간의 간격(A)은 그러므로 초점면에서 두 개의 초점들 중 하나의 초점의 직경의 적어도 두 배, 바람직하게는 적어도 다섯 배에 해당하며, 즉, X > 2, 바람직하게는 X > 5로 하여, A > X*D 가 적용된다. 두 개의 초점들 간의 간격 A는 중심 포인트들 사이에서 또는 두 개의 초점들의 중심들 사이에서 측정된다. 두 개의 초점들의 직경들(D)은 초점면에서 통상적으로 동일한 사이즈이다.
바람직한 개발에서, 웨지각(γ), 레이저 빔의 파장(λ), 투과성 광학 엘리먼트의 굴절률(n), 렌즈 상의 레이저 빔의 빔 반경(wL), 레이저 빔의 빔 품질 인수(M2) 및 초점면에서의 초점들(Fa, Fb)의 직경의 X-배에 다음의 관계가 적용된다: γ > X λ/π M2/(n wL). 기존에서처럼, n은 투과된 레이저 빔의 파장(λ)에서의 투과성 광학 엘리먼트의 재료의 복소 굴절률의 실수 부분을 나타낸다. 곱 M2λ/π는 문헌에서는 빔 파라미터 곱(beam parameter product)(BPP)으로서 또한 지칭된다. 큰 시준된 레이저 빔에 대한 근축 근사(paraxial approximation)에서, 다음은 초점 거리(f)를 갖는 렌즈의 초점면에서의 초점의 직경(D)에 적용된다: D = 2f/wL λ/π M2. 다음은 초점면에서의 두 개의 초점들의 분리 또는 간격(A)에 적용된다: A = f 2nγ. 렌즈의 초점 거리(f)에 독립적인 위에서 특정된 관계는, 두 개의 부분 빔들의 분리성에 대한 다음의 기준에서 나온다: A > X*D.
바람직하게는, 초점면에서의 초점들의, 또는 그 초점들 중 하나의 초점의 직경의 X-배와 웨지각은 다음의 조건을 충족시킨다: γ > X*0.18 mrad (γ > X*0.6 arcmin에 대응함). 이 조건은 10.6 μm의 레이저 빔(CO2 레이저 빔)의 파장(λ), 빔 치수(wL) = 8 mm, M2 = 1 및 투과성 광학 엘리먼트의 재료(예컨대, ZnSe)의 굴절률인 n = 2.4에 대해 위의 수학식으로부터 나온다.
추가의 실시예에서, 두 개의 부분 빔들의 방사 강도를 제 1 및 제 2 관찰 빔 경로로 분리하는 빔 스플리터 장치가 포커싱된 부분 빔들의 빔 경로에서의 초점면의 상류 또는 초점면의 하류에 배열된다. 이 경우, 위에서 설명된 바와 같이, 예컨대, 제 1 관찰 빔 경로에서, 두 개의 부분 빔들 중 하나의 부분 빔이 분리 엘리먼트의 도움으로 초점면에서 분리되거나 또는 차단될 수 있는 반면, 제 2 부분 빔은 검출기에 도달한다. 예로서, 제 2 관찰 빔 경로는 부분 빔들을 빠른 전력 검출기, 예컨대, 초전성(pyroelectric) 전력 검출기로 안내하는데 사용될 수 있다. 빔 스플리터 장치가 레이저 빔의 니어 필드(near field) 및 파 필드(far field) 둘 다를 관찰하기 위해 초점면의 상류에 배열된다면 유리하다. 빔 스플리터 장치가 초점면의 하류에 배열된다면, 레이저 빔의 니어 필드는 관찰 빔 경로들 둘 다로 통상 관찰된다.
이 실시예의 개발로, 포커싱 장치에 의해 생성된 부분 빔의 초점 또는 양쪽 모두의 부분 빔들의 초점들을 검출기 상에 또는 추가의 검출기 상에 이미징하는 이미징 광학 유닛이 제 2 관찰 빔 경로에 배열된다. 제 2 관찰 빔 경로의 다른 부분 빔은, 아티팩트들을 피하기 위하여, 제 1 관찰 빔 경로에서처럼, 초점면에서 차단되거나 또는 분리될 수 있다. 그러나, 두 개의 부분 빔들의 광학적 필터링 또는 분리는 이 경우에 필수적인 것은 아닌데, 이미징되고 일반적으로 중첩되지 않는 두 개의 초점들(foci) 또는 초점들(focal points) 이 존재하여서이다. 초점(focus)(focal point) 또는 초점들(foci)(focal points)의 이미징이 하나의 동일한 검출기 상에서 제 2 관찰 빔 경로에 의하여 구현된다면, 제 2 관찰 빔 경로의 이미징된 부분 빔(들)은 제 1 관찰 빔 경로의 이미징된 부분 빔과는 상이한 검출기 상의 로케이션에 입사한다. 이 경우, 레이저 빔의 파 필드 및 니어 필드 둘 다는 하나의 동일한 검출기 상에서 검출 가능하다(서로에 대해 오프셋된다). 이미징 광학 유닛은 렌즈 또는, 예를 들어, 포커싱 거울일 수 있다.
부분 빔의 전파 방향에서 초점면 밖으로의 초점 포지션의 시프트를 검출할 수 있고 따라서 옵션적으로는 레이저 빔의 발산 변화들을 측정할 수 있기 위하여, 초점면 자체뿐만 아니라 검출기 상의 초점면 부근의 평면들을 이미징하는 것이 가능하다면 유리하다. 이는 예를 들어 제 2 관찰 빔 경로에 배열된 편향 거울들을 변위시킴으로써 성취될 수 있는, 이미징 광학 유닛과 초점면 사이에서 길게 또는 짧게 되어 있는 제 2 관찰 빔 경로의 빔 경로에 의하여 성취될 수 있다. 이미징 광학 유닛의 초점 거리는 이미징 광학 유닛과 포커싱 장치의 초점면 간의 거리에 통상 실질적으로 대응한다.
유리한 개발로, 디바이스는 검출기 상에 또는 추가의 검출기 상에 빔 스플리터 장치를 통해 제 2 관찰 빔 경로의 부분 빔 또는 부분 빔들을 이미징하도록 구성된다. 이 경우, 빔 스플리터 장치는 방사 전력의 제 1 부분이 반사되고 제 2 부분이 투과되는 통상적으로 평행한 면들에서 투과성 광학 엘리먼트로로서 통상 구현된다. 방사 전력의 투과된 부분은 예를 들어 편향 거울들에 의해 빔 스플리터 장치로 안내될 수 있어서, 상기 빔 스플리터 장치는 투과된 방사 부분에 의해 재차 통과된다. 이런 방식으로, 비-차단된 부분 빔 또는 제 2 관찰 빔 경로의 두 개의 부분 빔들은 제 1 관찰 빔 경로의 비-차단된 부분 빔과는 실질적으로 평행한 방식으로 검출기 상에 이미징될 수 있다.
추가의 개발로, 빔 스플리터 장치는, 제 1 관찰 빔 경로의 양쪽 모두의 부분 빔들을 반사하는 제 1 면과 제 2 관찰 빔 경로의 양쪽 모두의 부분 빔들을 반사하는 제 2 면을 갖는다. 이 경우, 빔 스플리터 장치에서의 두 개의 관찰 빔 경로들의 분리는, 예를 들어, 각각의 면에서 반사된 부분 빔들이 서로로부터 충분히 큰 거리를 갖도록 하는 크기로 선택되어, 그 부분 빔들이 검출기 상에서 또는 추가의 검출기 상에서 서로 따로따로 검출될 수 있는 정도로, 서로에 대하여 웨지각으로 배열되어 있는 빔 스플리터 장치의 제 1 면 및 제 2 면에 의하여 및/또는 그 부분 빔들이 공간적으로 분리되도록 하는 빔 스플리터 장치의 두 개의 면들 사이의 거리에 의하여 구현될 수 있다. 통상적으로, 광학적 필터링이 심지어 제 2 관찰 빔 경로에서 구현된다면, 각기 상이한 분리 엘리먼트들, 예컨대, 상이한 (핀홀) 다이어프램들이, 관찰 빔 경로들의 각각의 부분 빔을 차단하기 위해 요구된다.
유리한 개발로, 빔 스플리터 장치의 적어도 하나의 면은 제 1 또는 제 2 관찰 빔 경로의 반사된 부분 빔들 둘 다의 적어도 하나의 광학적 특성을 수정하는 코팅을 갖는다. 코팅(들)은 검출기 상의 레이저 빔의 상이한 특성을 평가할 수 있는 역할을 한다. 예로서, 코팅(들)은, 부분 빔들의 편광 방향을 수정하거나 또는 아마도 하나의 편광 방향(예컨대, s-편광된 방사 부분 또는 p-편광된 방사 부분)만을 반사하는 편광-선택적 코팅들일 수 있다. 코팅(들)은 또한 파장-선택적 코팅들일 수 있다. 예로서, 파장-선택적 코팅이, 레이저 빔 상에 아마도 중첩되는 파장들을 갖는 방사만이 코팅에서 반사되도록 레이저 빔의 기본 파장의 영역에서 파장들을 차단할 수 있다.
추가의 실시예에서, 디바이스는 덧붙여, EUV 방사를 생성하기 위해, 타겟 재료가 타겟 지역에 배열 가능한 진공 챔버와, 타겟 지역의 방향에서 드라이버 레이저 장치로부터의 레이저 빔을 안내하는 빔 안내 장치를 포함한다. 빔 안내 장치는 타겟 지역에서 레이저 빔을 포커싱하는 역할을 하는 포커싱 엘리먼트 또는 포커싱 배열체에 레이저 빔을 안내한다. 타겟 지역에서, 공정에서 레이저 빔에 의해 조사된 때 플라즈마 상(plasma phase)으로 전이하고 EUV 방사를 방출하는 타겟 재료(예컨대, 주석)가 준비된다. 디바이스는 그러므로 EUV 방사를 생성하기 위한 역할을 하거나 또는 그것은 EUV 광원으로서 구현된다.
본 발명은 투과 광학 엘리먼트, 특히 평면 판의 법선 방향이 레이저 빔의 빔 축에 대하여 경사각으로 정렬되는, 광학 엘리먼트의 제 1 면과 제 1 면에 대하여 웨지각으로 정렬된 제 2 면을 통과하는 레이저 빔을 모니터링하는 방법에 또한 관련되는데, 그 방법은, 광학 엘리먼트의 제 1 면에서 입사 레이저 빔의 제 1 부분 빔을 반사시키는 단계; 광학 엘리먼트의 제 2 면에서 입사 레이저 빔의 제 2 부분 빔을 반사시키는 단계; 두 개의 부분 빔들 중 하나의 부분 빔을 그 부분 빔이 검출기에 도달하기 전에 광학적 필터링에 의해 차단하는 단계; 및 비-차단된 부분 빔만이 입사하는 검출기를 사용하여 레이저 빔의 이미지를 기록하는 단계를 포함한다.
그 방법은, 특히, 위에서 설명된 바와 같이 구현되는 드라이버 레이저 배열체에 의해 생성되는 레이저 빔의 빔 분석에 사용될 수 있다. 이러한 레이저 빔은, 예컨대, 10 kW를 초과할 수도 있는 높은 방사 전력을 통상 갖는다. 광학 엘리먼트는 증폭된 레이저 빔을 분석 및 모니터링하기 위하여 드라이버 레이저 배열체의 증폭기 배열체의 출력에 배열될 수 있지만, 증폭기 배열체의 개개의 증폭기 스테이지들 사이의 빔 경로에 또는 레이저 빔을 모니터링하기 위하여 방사 안내 장치 내의 상이한 로케이션에 광학 엘리먼트를 배열하는 것이 또한 가능하다. 둘 이상의 투과 광학 엘리먼트들이 위에서 설명된 방식으로 레이저 빔을 모니터링하기 위하여 레이저 빔의 빔 경로에 또한 배열될 수 있다는 것이 이해된다.
본 발명의 추가의 장점들은 상세한 설명 및 도면에서 나타난다. 비슷하게, 위에서 언급된 그리고 여전히 아래에서 특정될 특징들은 그것들 자신들에 또는 임의의 조합에서 함께 각각 사용될 수 있다. 도시되고 설명되는 실시예들은 철저한 열거인 것으로 이해되지 않아야 하고, 오히려 본 발명을 설명하기 위한 예시적인 성격을 가짐을 이해되어야 한다.
세부적으로는:
도 1은 EUV 방사를 생성하는 디바이스의 매우 개략적인 예시를 도시하며,
도 2는 웨지각을 갖는 그리고 평면 판의 면들에서 반사되는 두 개의 부분 빔들의 평면 판의 예시를 도시하며,
도 3a 내지 도 3c는 도 2에 따르는 평면 판과, 또한 검출기와 광 필터를 갖는 레이저 빔을 모니터링하는 장치들의 예시들을 도시하며,
도 4a 내지 도 4c는 부분 빔들 중 하나의 부분 빔을 차단하는 핀홀 다이어프램 및 한쪽 다이어프램과 함께 또는 그것들 없이 렌즈의 초점면에서의 두 개의 반사된 부분 빔들의 초점들의 예시를 도시하며,
도 5a 내지 도 5c는, 검출기 상에 레이저 빔의 니어 필드 및 파 필드 둘 다를 이미징하기 위하여 두 개의 부분 빔들의 방사 강도를 분리하는 빔 스플리터 장치를 갖는, 도 3b와는 유사한 장치의 세부사항들의 세 개의 예시들을 도시하며, 그리고
도 6은 두 개의 편광-선택적 코팅들을 갖는 쐐기형 빔 스플리터 장치를 갖는 도 5와는 유사한 예시를 도시한다.
다음의 도면들의 설명에서, 동일한 참조 표시들이 동등한 또는 기능적으로 동등한 컴포넌트들을 위해 사용된다.
도 1은 EUV 방사를 생성하는 디바이스(1)를 매우 개략적으로 도시하는데, 그 디바이스는, 빔 소스(2), 세 개의 광 증폭기들 또는 증폭기 스테이지들(4a, 4b, 4c)을 갖는 증폭기 배열체(3), 빔 안내 장치(5)(더 상세하게 묘사되지는 않음) 및 포커싱 렌즈(6)를 가진다. 포커싱 렌즈(6)는 빔 소스(2)에 의해 생성된 그리고 증폭기 배열체(3)에 의해 증폭된 레이저 빔(7)을 타겟 재료(8)가 도입된 타겟 지역(T) 상에 포커싱하는 역할을 한다. 레이저 빔(7)에 의해 조사될 때, 타겟 재료(8)는 공정에서 플라즈마 상으로 전이하고 EUV 방사를 방출하는데, EUV 방사는 콜렉터 거울(collector mirror)(9)에 의해 포커싱된다.
도 1에 도시된 예에서, 콜렉터 거울(9)은 레이저 빔(7)을 통과시키는 개구부를 갖고, 포커싱 렌즈(6)는 타겟 재료(8)가 배열되는 진공 챔버(10)를 빔 안내 장치(5)로부터 분리시킨다. 빔 소스(2)는, 함께 증폭기 배열체(3)에서 증폭되고 타겟 재료(8) 상에 포커싱되는 사전-펄스(pre-pulse) 및 메인 펄스를 생성하기 위하여 도시된 예에서 두 개의 CO2 레이저들을 갖는다. 증폭기 배열체(3)와 함께, 빔 소스(2)는, 도시된 예에서 EUV 광원을 형성하는, 디바이스(1)의 드라이버 레이저 배열체(11)를 형성한다.
도시된 예에서, 증폭기 배열체(3)의 출력에서, 즉, 제 3 증폭기 스테이지(4c) 뒤에서, 레이저 빔(7)의 레이저 전력(PO)은 대략 10 kW를 초과한다. 레이저 빔(7)에 대한 빔 분석을 수행하기 위하여, 레이저 빔(7)의 빔 경로로부터, 예컨대, 다수의 와트 정도일 수 있는, 방사 전력의 작은 부분을 디커플링하는 것이 필요하다. 이를 위해, 판-형상 광학 엘리먼트(12)(평면 판)가 레이저 빔(7)의 빔 경로에 도입될 수 있는데, 그 광학 엘리먼트는 도 2에서 도시된 바와 같이 구현된다.
도 2에 도시된 평면 판(12)은 10.6 μm의 레이저 파장(λ)에서 레이저 빔(7)에 투명한 재료로부터 형성된다. 예로서, 그 재료는 셀렌화 아연(zinc selenide) 또는 다이아몬드일 수 있으며, 그것은 레이저 파장(λ)에 대해 대략 2.4의 굴절률(n)을 갖는다. 평면 판(12)은 제 1 면(14a)과 제 1 면에 대향하여 놓인 제 2 면(14b)을 갖고, 도 2의 예시에서 우측에서 좌측으로 전파하는 레이저 빔(7)은, 제 1 면을 통과한다. 제 1 면(14a)과 제 2 면(14b)은 서로에 대하여 웨지각(γ) 하에서 정렬되는데, 그 웨지각은 도시된 예에서 매우 작고(γ < 10 mrad, 바람직하게는 < 5 mrad)명확화 목적으로 도 2에서 과도하게 크게 묘사된다. 그러므로, 평면 판(12)의 두 개의 면들(14a, 14b)은 웨지각(γ)에도 불구하고, 광학 엘리먼트를 평면 판(12)으로서 지칭하는 것이 틀림이 없도록 서로 거의 평행하게 정렬된다.
도 2에 도시된 예에서, 레이저 빔(7)은 판-형상 광학 엘리먼트(12)의 제 1 면(14a)을 수직으로 통과한다. 레이저 빔(7)의 방사 전력의 작은 부분이 제 1 면(14a)에서 제 1 부분 빔(13a)으로서 반사되고 레이저 빔(7)의 전파의 방향에 대하여 후방으로 전파한다. 레이저 빔(7)은 판-형상 광학 엘리먼트(12)의 대향하는 제 2 면(14b)에서 나오는데, 방사 전력의 작은 일부가 제 2 면(14b)에서 부분 빔(13b)으로서 판-형상 광학 엘리먼트(12) 속에서 반사된다. 제 2 부분 빔(13b)은 판-형상 광학 엘리먼트(12)의 재료에서 제 1 반사된 부분 빔(13a)을 기준으로 웨지각(2γ)의 두 배의 각도로 전파한다.
제 2 부분 빔(13b)은 판-형상 광학 엘리먼트(12)의 제 1 면(14a)을 통과할 때 굴절되고 그것은 제 1 부분 빔(13a)을 기준으로 각도(α)로 전파하는데, 여기서 n sin(2γ) = sin(α) 이다. 결과적으로, 작은 각도들(γ)에 대해 α = 2nγ 이다. 이간거리(separation)(s)에 대해, 즉, 두 개의 부분 빔들(13a, 13b) 간의 거리에 대해, 다음이 적용되며: s = L/α, 여기서 α는 두 개의 부분 빔들(13a, 13b) 간의 경로 차이를 나타낸다. 양쪽 모두의 부분 빔들(13a, 13b)이 레이저 빔(7)을 모니터링하는 장치(15)의, 도 3a 내지 도 3c에 도시된, 검출기(16) 상에 빔 분석을 위해 입사하면, 도 2의 부분 빔들(13a, 13b)의 이간거리(s)에 대략적으로 대응하는 간격을 갖는 간섭 스트립들이 검출기(16)에 의해 기록된 이미지에서 발생된다.
부분 빔들(13a, 13b)을 레이저 빔(7)으로부터 디커플링하는 것을 가능하게 하기 위하여, 판-형상 광학 엘리먼트(12)의 법선 방향은 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)에 대하여 경사각(β)으로 정렬되는데, 그 경사 축은 도시된 예들에서 β = 대략 20°이지만, 또한 더 크거나 또는 더 작을 수 있다. 경사각(β)은 판-형상 광학 엘리먼트(12) 상의 레이저 빔(7)의 입사각에 대응한다. 도 2에서의 평면 판(12)의 예시는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 장치(15)의 ZY-평면을 따르는 단면(section)을 구성한다. 경사각(β)은 도면의 평면(ZX-평면)에 놓이는데, 그 ZX-평면에서 레이저 빔(7)과 반사된 부분 빔들(13a, 13b)이 전파한다. 결과적으로, 웨지각(γ)과 경사각(β)은 공통 평면에 놓이지 않는다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 웨지각(γ)은 오히려 그 도면의 면에 수직으로 정렬된 평면에서 연장하고, 평면 판(12)의 실제로 평행한 면들(14a, 14b)에 수직으로 연장한다. 그러나, 도면의 면에 수직인 평면에서의 웨지각(γ)의 정렬은 필수적이지 않고; 오히려, 웨지각(γ)을 갖는 평면은 경사각(β)을 갖는 평면에 대하여 임의의 배향을 가질 수 있다.
장치(15)에서, 평면 판(12)에 의해 반사된 부분 빔들(13a, 13b)은 처음에는 편향 거울(17)에 입사하고 그 뒤에 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(18)에 입사하는데, 그 광학 엘리먼트에서 부분 빔들(13a, 13b)의 방사 부분이 전력 검출기(19)로 편향되며, 그 전력 검출기는 부분 빔들(13a, 13b)의 입사 방사 부분의 방사 전력을 측정하고 모니터링한다.
간섭 스트립들의 발생을 방지하기 위하여, 레이저 빔(7)을 모니터링하는 장치(15)는, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 예들에서, 수렴 렌즈(21)와 수렴 렌즈(21)의 이미지-측 초점면(22)에 배열된 다이어프램(23)을 갖는 광 필터(20)를 가지고, 그 다이어프램은 도시된 예들에서 핀홀 다이어프램으로서 구현되지만 슬롯 다이어프램으로서 또는 한쪽 다이어프램으로서 또한 구현될 수 있다. 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)은, 두 개의 부분 빔들 중 하나의 부분 빔(13b)이 차단되는 반면 다른 부분 빔(13a)이 다이어프램(23)을 통과하고 검출기(16)에 입사하는 것에 의하여 그 두 개의 부분 빔들이 초점면(22)에서 분리될 수 있도록, 약간 상이한 정렬들을 갖고 그런고로 수렴 렌즈(21)의 초점면(22)에서의 상이한 로케이션들에서 포커싱되는 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)로 이어지는 입사각들(도 2 참조)을 가지고서 수렴 렌즈(21)에 입사한다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 예들에서, 추가의 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(24)가 레이저 빔(7)을 모니터링하는 장치(15) 내에 정렬되는데, 그 추가의 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트는 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)의 방사 부분을 초전성 검출기(25) 상으로 편향시킨다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 장치들(15)은, 다이어프램(23)을 통과하는 것이 허용되는 제 1 부분 빔(13a)이 도 3a에 도시된 장치(15)에서는 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)과는 동축적으로 전파하는 반면, 제 1 부분 빔(13a)은 도 3b 및 도 3c에서에서는 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)에 수직으로 검출기(16) 상에 입사한다는 점에서 실질적으로 상이하다. 도 3b 및 도 3c에 도시된 장치들(15)은, 도 3b의 장치(15)에서는 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)이 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(24)에서 검출기(16)로 편향되는 반면, 도 3c에 도시된 장치(15)에서는 검출기(16)로의 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)의 편향이 추가의 편향 거울(17a)에서 구현된다는 점에서 실질적으로 서로 상이하다.
도 4a 내지 도 4c는, 도 3a의 장치(15)의 초점면(22)을 예시적인 방식으로 도시하는데, (동일한) 직경(D)을 갖는 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)의 두 개의 원형 초점들(Fa, Fb)은 도 4a에서 식별 가능하고 Y-방향, 즉, 도 3a의 도면의 면에 수직인 방향에서 서로로부터 간격(A)을 갖게 배열된다. 도 4b는 핀홀 다이어프램(23)이 거기에 위치된 초점면(22)을 도시하는데, 핀홀 다이어프램은 제 1 부분 빔(13a)이 검출기(16)로 전달되는 것을 허용하지만 제 2 부분 빔(13b)을 차단한다. 도 4b에 도시된 핀홀 다이어프램(23)에 대한 대체예로서, 도 4c에 묘사된 바와 같이, 제 2 부분 빔(13b)을 차단하는 슬롯 다이어프램 또는 한쪽 다이어프램(23)으로 이루어진 것이 또한 사용될 수 있다. 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)을 서로로부터 깔끔하게 분리할 수 있기 위하여, A > X*D가 적용되며, 여기서 X > 2, 바람직하게는 X > 5인 초점면(22)에서의 간격을 두 개의 초점들(Fa, Fb)이 갖는다면 유리하다.
이를 성취하기 위하여, 광 필터(20), 더 정확하게는 다음의 조건이 충족되는, 수렴 렌즈(21) 상에 입사하는 부분 빔들(13a, 13b)의 반경(wL), 웨지각(γ) 및 레이저 빔(7)의 파라미터들(파장(λ) 및 빔 품질 인자(M2))을 적합한 방식으로 서로에게 채택하는 것이 도시된 예에서 필요하다:
γ > X λ/π M2/(n wL).
만일, 현재의 예에서처럼, 레이저 빔(7)이 10.6 μm의 파장(λ)을 가진다면, 렌즈(21)의 빔 반경(wL)이 8 mm이면, 레이저 빔(7)이 회절 제한된다면(즉, M2 = 1) 그리고 투과성 광학 엘리먼트(12)의 재료의 굴절률(n)이 n = 2.4이면, 조건 γ > X*0.18 mrad(또는 γ > X*0.6 arcmin)는 X > 2 또는 X > 5인 위의 공식에서 나온다. 이 조건이 전술한 파라미터 값들로 충족된다면, 부분 빔들(13a, 13b)은 가상적으로는 초점면(22)에서 문제들 없이 일반적으로 분리될 수 있고, 그래서 검출기(16)에 의해 기록된 레이저 빔(7)의 이미지 상의 간섭 스트립들의 발생은 회피될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 예들에서, 수렴 렌즈(21)는 검출기(16) 상의, 예컨대, 초전성 검출기 매트릭스 상의 이미지 면 상에 평면 판(12)으로 레이저 빔(7) 또는 그 면을 이미징하는데 또한 역할을 하며, 즉, 수렴 렌즈(21)는 이미징 광학 유닛으로서 역할을 한다. 평면 판(12)이 배열되는 대물 면(object plane)과 수렴 렌즈(21) 간의 거리와 수렴 렌즈(21)와 검출기(16) 간의 거리는 레이저 빔(7), 더 정확하게는 레이저 빔(7)의 빔 단면이 감소된 스케일로 검출기(16) 상에 이미징되는 식으로 수렴 렌즈(21)의 초점 거리(f)에 통상 적응된다. 수차들을 피하기 위하여, 수렴 렌즈(21)의 초점 거리(f)가 비교적 크고, 예를 들어, 대략 f > 50 mm(wL = 8 mm의 경우임) 이상이면 유리하다는 것이 발견되었다. 수렴 렌즈(21) 대신, 다른 렌즈들, 예컨대, 메니스커스 렌즈들, 또는 다른 포커싱 광학 엘리먼트들, 예컨대, 포커싱 거울들로 이루어진 것이 또한 사용될 수 있다.
위에서 설명된 방식으로 레이저 빔(7)의 빔 단면을 분석하는 것 외에도, 레이저 빔(7)의 파 필드를 동일한 검출기(16) 상에, 또는 아마도 추가의 검출기 상에 이미징 또는 레지스터링하는 것이 또한 가능하다. 이를 위해, 장치(15)는, 예를 들어, 도 5a 내지 도 5c를 기초로 아래에서 설명되는 방식으로 수정될 수 있다. 도 5a의 장치(15)에서, 양쪽 모두의 부분 빔들(13a, 13b)의 방사 강도를 제 1 및 제 2 관찰 빔 경로(26a, 26b) 상으로 분리하기 위한, 부분적으로 투과성의 엘리먼트 형태의 빔 스플리터 장치(27)가, 포커싱된 부분 빔들(13a, 13b)의 빔 경로에서 포커싱 렌즈(21)의 초점면(23)의 상류에 배열된다. 제 1 관찰 빔 경로(26a)는 도 3b에 도시된 빔 경로에 대응하고 레이저 빔(7)의 니어 필드를 검출기(16) 상으로 이미징하는 역할을 한다.
제 2 관찰 빔 경로(26b)는 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')을 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(24)를 통해 추가의 다이어프램(23')으로 안내하며, 추가의 다이어프램에서 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 2 부분 빔(13b')은 차단된다. 도 5a에서 도시된 것과는 달리, 제 2 부분 빔(13b')의 차단을 필요 없게 하는 것이 또한 가능한데, 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')이 심지어 차단 없이 검출기(16) 상에서 분리되어서이다.
도 5a에 도시된 예에서, 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 1 부분 빔(13a')은 추가의 편향 거울(29)에 의해 추가의 렌즈 형태의 이미징 광학 유닛(28)으로 편향되고 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 1 부분 빔(13a')의 초점(Fa)은 이 추가의 렌즈(28)에 의해 검출기(16) 상에 빔 스플리터 장치(27)를 통해 이미징된다. 대안적으로, 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 1 부분 빔(13a')의 이미징은, 도 5b에서 묘사된 바와 같이, 빔 스플리터 장치(27)를 지나서 구현될 수 있다. 이 경우, 도 5a의 추가의 편향 거울(29)은 필요 없게 될 수 있다. 도 5a에 도시된 장치(15)에서 포커싱 렌즈(21)를 향하는 방향으로 더 변위된 렌즈(28)와 함께, 추가의 편향 거울(29)에 의하여, 빔 스플리터 장치(27)를 지나 제 1 부분 빔(13a')의 이미징이 착수된다는 것이 마찬가지로 가능하다. 이 경우, 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 1 부분 빔(13a')의 이미징은 빔 스플리터 장치(27)의 하류가 아니라 상류에서 구현된다.
도 5c는 포커싱 거울(28')이 이미징 광학 유닛으로서 역할을 하는 장치(15)의 실시예를 도시한다. 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')은 이 경우, 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')의 전파의 방향에 수직으로 정렬된 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(24)에 의해 빔 스플리터 장치(27)로 반사되고, 부분 빔들(13a', 13b')의 각각의 방사 부분은 포커싱 거울(28')의 방향에서 빔 스플리터 엘리먼트(27)의 전방 쪽으로 편향되거나 또는 반사된다. 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 부분 빔들(13a', 13b')은 프로세스에서 포커싱된 포커싱 거울(28')로 반사되고 다시 한번 빔 스플리터 엘리먼트(27)를 통과하고 검출기(16) 상에 입사한다. 결과적으로, 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')은 도 5c에 도시된 예에서 빔 스플리터 엘리먼트(27)를 총 세 번 통과한다. 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 두 개의 부분 빔들(13a', 13b') 중 하나의 부분 빔의 필터링은 도 5c에 도시된 예에서는 이것이 필수적인 것이 아니라서 착수되지 않았다. 제 2 관찰 빔 경로(26b)에서의 광 필터링은 도 5a, 도 5b에 도시된 장치들(15)에서 필요 없게 될 수 있다. 빔 스플리터 엘리먼트(27)에서의 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')의 갱신된 반사에 대한 대체예로서, 도 5c에서 도시된 바와 같이, 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')을 포커싱 거울(28') 상으로 하나 이상의 편향 거울들에 의하여 편향시키는 것이 또한 가능하다. 도 5c에 도시된 장치(15)의 설정은 그러나 그것의 고도의 소형화 및 손쉬운 관리용이성(manageability)에 의해 구별된다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 장치들(15)에 의하여, 이미징되는 레이저 빔(7)의 니어 필드의 이미지 및 파 필드의 이미지가 검출기(16) 상에서 서로로부터 오프셋되는 그런 레이저 빔(7)의 니어 필드 및 그것의 파 필드 둘 다를 검출기(16) 상에서 관찰하는 것이 그러므로 가능하다. 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 제 1 부분 빔(13a')의(또는 양쪽 모두의 부분 빔들(13a', 13b')의) 초점(Fa)을 관찰함으로써, 평면 판(12)의 면에서의 레이저 빔(7)의 각도 분포, 특히 발산을 모니터링하는 것이 가능하다. 도 5a 내지 도 5c에 의해 나타낸 바와 같이, 추가의 렌즈(28) 또는 포커싱 거울(28')과 초점(Fa) 간의 빔 경로는 추가의 편향 거울(29), 부분적으로 투과성의 광학 엘리먼트(24) 또는아마도 추가의 편향 거울들을 변위시킴으로써 수정될 수 있다. 이런 방식으로, 이미징된 부분 빔(13a')의 초점 포지션에서의 아마도 발생하는 변화를 전파 방향에서, 즉, 초점면(22)에 수직인 방향에서 식별하고, 레이저 빔(7)의 발산에서의 변화를 유추하는 것이 가능하다.
도 6에 도시된 것인, 장치(15)의 대체 실시예에서, 제 1 관찰 빔 경로(26a)의 부분 빔들(13a,13b)과 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 부분 빔들(13a', 13b') 양쪽 모두는 빔 스플리터 장치(27)에서, 정확히 말하면, 빔 스플리터 장치(27)의 제 1 면(30a) 및 제 2 면(30b) 각각에서 반사된다. 빔 스플리터 장치(27)는 레이저 빔(7)에 투명한 재료로 형성되고 제 2 면(30b)에 반사 코팅(31)이 제공된다. 빔 스플리터 장치(27)의 제 1 면(30a) 및 제 2 면(30b)은 통상적으로 대략 각도(order of angle degrees)로 되는 비교적 큰 웨지각(δ)을 포함하고 그러므로 그 웨지각은 웨지각(γ)보다 상당히 더 크게 되어서 두 개의 관찰 빔 경로들(26a, 26b)은 상당히 상이한 각도들에서 반사되고 서로 옆으로 배열된 두 개의 검출기들(16, 16')에 입사한다. 각각 하나의 다이어프램(23, 23')이 각각의 제 2 부분 빔(13b, 13b')을 마스킹하기 위하여 제 1 관찰 빔 경로(26a) 및 제 2 관찰 빔 경로(26b) 둘 다에 배열된다. 두 개의 관찰 빔 경로들(26a, 26b)은 도 6의 장치(15)에서 공통의 검출기 상에 또한 입사될 수 있다는 것과, 두 개의 검출기들은 니어 필드 및 파 필드를 따로따로 검출하기 위하여 도 5의 장치(15)에 제공될 수 있다는 것이 이해된다.
도 6에 도시된 장치(15)에서, 빔 스플리터 장치(27)의 반사 코팅(31b)은 편광-선택 층으로서 구현되며, 즉, 반사 코팅(31b)은 입사하는 부분 빔들(13a, 13b)의 하나의 편광 방향(예컨대, s-편광)만을 반사한다. 따라서, (반사) 코팅(31a)이 빔 스플리터 장치(27)의 제 1 면(30a)에 마찬가지로 도포되고 그것은 제 2 코팅(31b)에 의해 반사되는 편광 방향에 직교하는 편광 방향(예컨대, p-편광)을 반사한다. 이런 방식으로, 레이저 빔(7)의 상이한 편광 방향들은 두 개의 검출기들(16, 16') 상에서 서로 따로따로 모니터링될 수 있다. 레이저 빔(7)의 다른 특성들에 대해 선택적인 하나 또는 두 개의 코팅들(31a, 31b)은 빔 스플리터 장치(27)에 또한 도포될 수 있다는 것이 이해된다. 예로서, 파장-선택적 코팅(31a, 31b)이 레이저 빔(7)의 특정 파장 부분들을 억제하기 위하여 빔 스플리터 장치(27)의 하나 또는 양쪽 모두의 면들(30a, 30b)에 도포될 수 있다. 이런 식으로, 레이저 빔(7)의 기본 파장(λ)에 대해 중첩된 파장들을 따로따로 검출하는 것이, 원한다면, 가능하다. 두 개의 관찰 빔 경로들(26a, 26b)을 서로로부터 분리하기 위하여 그리고 웨지각(δ)의 사용에 대한 대체예로서 또는 그러한 사용에 더하여, 빔 스플리터 장치(27)의 재료는 제 1 관찰 빔 경로(26a)의 두 개의 반사된 부분 빔들(13a, 13b)을 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 두 개의 부분 빔들(13a', 13b')로부터 공간적으로 분리하기에 충분한 두께를 가져서 그것들이 따로따로 검출될 수 있다.
레이저 빔(7)의 빔 분석 동안 확립된 레이저 빔(7)의 파라미터들은, 타겟 지역(T)에서 EUV 방사를 생성하기 위한 최적화된 파라미터들로 레이저 빔(7)을 생성하기 위하여, i레이저 빔(7)의 빔 가이드(5)로, 드라이버 레이저 배열체(11)에 또는 추가의 컴포넌트들, 예컨대, 광학 엘리먼트들에 작용하는 개방-루프 또는 폐쇄-루프 제어 장치(본원에서는 도시되지 않음)로 송신될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c의 맥락에서 설명되지 않았던 것과는 달리, 장치(15)는 증폭기 배열체(3)의 제 3 증폭기(4c)의 하류뿐만 아니라, 광학적 증폭기들(4a, 4b, 4c) 중 각각 두 개의 광학적 증폭기들 사이에, 제 1 광 증폭기(4a)와 빔 소스(2) 사이에 또는 빔 안내 장치(5)에서도 또한 배열될 수 있다. 특히, 위에서 추가로 설명된 복수의 장치들(15)은 타겟 지역(T)으로의 자신의 경로 상의 상이한 포지션들에서 레이저 빔(7)을 모니터링하는데 사용될 수 있다.
결론적으로, 레이저 빔(7)의 모니터링은, 검출기(16)에 의해 기록된 레이저 빔(7)의 이미지들에서 간섭 스트립들의 발생되는 일 없이, 위에서 설명된 바와 같이 실시간으로 수행될 수 있다.

Claims (15)

  1. 디바이스(1)에 있어서,
    레이저 빔(7)을 생성하기 위한 빔 소스(2)를 포함하고, 상기 레이저 빔(7)을 증폭하기 위한 증폭기 배열체(3)를 포함하는 드라이버 레이저 배열체(11); 및
    상기 레이저 빔(7)을 모니터링하기 위한 장치(15)
    를 포함하며,
    상기 레이저 빔(7)을 모니터링하기 위한 장치(15)는,
    상기 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)에 대한 법선 방향(12a)이 경사각(β)으로 정렬되는(aligned) 투과성 광학 엘리먼트(12); 및
    상기 광학 엘리먼트(12)에서 반사된 레이저 방사(13a, 13b)를 레지스터링하기 위한 공간 분해 검출기(16)
    를 포함하고,
    상기 광학 엘리먼트(12)는, 웨지각(wedge angle)(γ)으로 서로에 대하여 정렬되는 그리고 상기 레이저 빔(7)이 통과하는 제 1 면(14a) 및 제 2 면(14b)을 갖고, 상기 제 1 면(14a)은 입사하는 상기 레이저 빔(7)의 제 1 부분 빔(13a)을 반사하고 상기 제 2 면(14b)은 입사하는 상기 레이저 빔(7)의 제 2 부분 빔(13b)을 반사하고,
    상기 장치(15)는 두 개의 반사된 상기 부분 빔들 중 하나의 반사된 부분 빔(13b)이 상기 공간 분해 검출기(16)에 도달하는 것을 방지하는 광 필터(20)를 갖는 것인, 디바이스(1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨지각(γ)은 10 mrad 미만인 것인, 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 광 필터(20)는 상기 반사된 부분 빔들(13a, 13b)을 포커싱하기 위한 포커싱 장치(21)를 갖고, 상기 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)을 분리하기 위한 분리 엘리먼트(23)가 상기 포커싱 장치(21)의 초점면(22)에 배열되는 것인, 디바이스.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 분리 엘리먼트는 상기 두 개의 부분 빔들(13a, 13b) 중 하나의 부분 빔을 차단하는 다이어프램(23)으로서 구현되는 것인, 디바이스.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 포커싱 장치는 렌즈(21)를 포함하는 것인, 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 부분 빔들(13a, 13b)의 두 개의 초점들(Fa, Fb)은 상기 초점면(22)에서 간격(A)을 갖고, 상기 간격은 상기 초점들(Fa, Fb)의 직경(D)의 X-배에 대응하며, X > 2인 것인, 디바이스.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 웨지각(γ), 상기 레이저 빔(7)의 파장(λ), 상기 투과성 광학 엘리먼트(12)의 굴절률(n), 상기 렌즈(21) 상의 상기 레이저 빔(7)의 빔 반경(wL), 상기 레이저 빔(7)의 빔 품질 인수(M2) 및 상기 초점면(22)에서의 상기 초점들(Fa, Fb)의 상기 직경(D)의 X-배에 다음의 관계:
    γ > X λ/π M2/(n wL)
    가 적용되는 것인, 디바이스.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 초점면(22)에서의 상기 초점들(Fa, Fb)의 상기 직경(D)의 X-배와 상기 웨지각(γ)은, 다음의 조건:
    γ > X*0.18 mrad
    을 충족시키는 것인, 디바이스.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 두 개의 부분 빔들(13a, 13b)의 방사 강도들을 제 1 및 제 2 관찰 빔 경로들(26a, 26b)로 분리하기 위한 빔 스플리터 장치(27)가, 포커싱된 상기 부분 빔들(13a, 13b)의 빔 경로에서 상기 초점면(22)의 상류 또는 상기 초점면(22)의 하류에 배열되는 것인, 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 공간 분해 검출기(16) 상에 또는 추가의 검출기 상에 상기 포커싱 장치(21)에 의해 생성된 부분 빔(13a')의 초점(Fa) 또는 부분 빔들 양자 모두(13a', 13b')의 초점들(Fa, Fb)을 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛(28, 28')이 상기 제 2 관찰 빔 경로(26b)에 배열되는 것인, 디바이스.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 공간 분해 검출기(16) 상에 또는 추가의 검출기 상에 상기 빔 스플리터 장치(27)를 통해 상기 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 부분 빔(13a') 또는 부분 빔들(13a', 13b')을 이미징하도록 구성되는 것인, 디바이스.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 빔 스플리터 장치(27)는, 상기 제 1 관찰 빔 경로(26a)의 부분 빔들 양자 모두(13a, 13b)를 반사하기 위한 제 1 면(30a)과, 상기 제 2 관찰 빔 경로(26b)의 부분 빔들 양자 모두(13a', 13b')를 반사하기 위한 제 2 면(30b)을 갖는 것인, 디바이스.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 빔 스플리터 장치(27)의 적어도 하나의 면(30a, 30b)은, 양쪽 모두의 반사된 부분 빔들(13a, 13b; 13a', 13b')의 적어도 하나의 광 특성을 수정하는 코팅(31a, 31b)을 갖는 것인, 디바이스.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    EUV 방사를 생성하기 위해, 타겟 재료(8)가 타겟 지역(T)에 배열 가능한, 진공 챔버(10), 및
    드라이버 레이저 장치(11)로부터의 상기 레이저 빔(7)을 상기 타겟 지역(T)의 방향으로 안내하기 위한 빔 안내 장치(5)
    를 더 포함하는, 디바이스.
  15. 투과 광학 엘리먼트(12)의 제 1 면(14a)과 상기 제 1 면에 대하여 웨지각(γ)으로 정렬된 제 2 면(14b)을 통과하는 레이저 빔(7)을 모니터링하는 방법에 있어서,
    상기 광학 엘리먼트(12)의 법선 방향(12a)은 상기 레이저 빔(7)의 빔 축(7a)에 대하여 경사각(β)으로 정렬되고,
    상기 방법은,
    상기 광학 엘리먼트(12)의 상기 제 1 면(14a)으로부터 입사하는 상기 레이저 빔(7)의 제 1 부분 빔(13a)을 반사시키는 단계;
    상기 광학 엘리먼트(12)의 상기 제 2 면(14b)으로부터 입사하는 상기 레이저 빔(7)의 제 2 부분 빔(13b)을 반사시키는 단계;
    두 개의 부분 빔들 중 하나의 부분 빔(13b)을 그 부분 빔이 검출기(16)에 도달하기 전에 광학적 필터링에 의해 차단하는 단계; 및
    비-차단된 상기 부분 빔(13a)만이 입사하는 상기 검출기(16)를 사용하여 상기 레이저 빔(7)의 이미지를 기록하는 단계
    를 포함하는, 레이저 빔 모니터링 방법.
KR1020177000167A 2014-06-06 2014-06-06 레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법 KR102267532B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2014/061816 WO2015185152A1 (de) 2014-06-06 2014-06-06 Vorrichtung und verfahren zur überwachung eines laserstrahls

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170019409A KR20170019409A (ko) 2017-02-21
KR102267532B1 true KR102267532B1 (ko) 2021-06-18

Family

ID=50897619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177000167A KR102267532B1 (ko) 2014-06-06 2014-06-06 레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10044167B2 (ko)
EP (1) EP3152983A1 (ko)
KR (1) KR102267532B1 (ko)
TW (1) TWI571180B (ko)
WO (1) WO2015185152A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2944413A1 (de) * 2014-05-12 2015-11-18 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen
KR102386039B1 (ko) * 2017-07-12 2022-04-14 트럼프 레이저시스템즈 포 세미컨덕터 매뉴팩처링 게엠베하 편광기 장치 및 편광기 장치를 포함하는 euv 복사선 생성 디바이스
DE102018105319A1 (de) * 2018-03-08 2019-09-12 Precitec Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Bestimmung einer Fokuslage in einem Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage in einem Laserbearbeitungssystem
DE102018105364B4 (de) * 2018-03-08 2020-06-25 Precitec Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Bestimmung einer Fokuslage eines Laserstrahls in einem Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage eines Laserstrahls in einem Laserbearbeitungssystem
DE102019004337B4 (de) 2019-06-21 2024-03-21 Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung Optisches System und Strahlanalyseverfahren
DE102020134317A1 (de) 2020-12-18 2022-06-23 Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung Vorrichtung und Verfahren zur Fokuslagen-Bestimmung
DE102020134109B3 (de) 2020-12-18 2022-05-25 Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung Vorrichtung und Verfahren zur Fokuslagen-Bestimmung
JP2024515941A (ja) * 2021-04-29 2024-04-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． レーザビーム計測システム、レーザビームシステム、ｅｕｖ放射源及びリソグラフィ装置
EP4083570A1 (en) * 2021-04-29 2022-11-02 ASML Netherlands B.V. Laser beam metrology system, laser beam system, euv radiation source, and lithographic apparatus
CN113948947A (zh) * 2021-08-31 2022-01-18 武汉安扬激光技术股份有限公司 一种激光光束位置和角度控制系统及控制方法
DE102022207308A1 (de) * 2022-07-18 2024-01-18 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Messeinrichtung zur Justage eines Laserstrahls

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4952055A (en) * 1988-10-03 1990-08-28 Wyatt Technology Corporation Differential refractometer
US5040872A (en) * 1990-03-23 1991-08-20 Hewlett-Packard Company Beam splitter/combiner with path length compensator
US7230964B2 (en) * 2001-04-09 2007-06-12 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US6700916B1 (en) * 2001-09-26 2004-03-02 Lambda Physik Ag E-diagnostic, laser simulator, automated testing and deconvolution of spectra for lithographic exposure radiation generating systems such as excimer or molecular fluorine laser or EUV source systems
US6801299B2 (en) * 2002-07-31 2004-10-05 Asml Holding N.V. System for laser beam expansion without expanding spatial coherence
JP2009099390A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
DE102007053632B4 (de) 2007-11-08 2017-12-14 Primes Gmbh Verfahren zur koaxialen Strahlanalyse an optischen Systemen
NL1036272A1 (nl) * 2007-12-19 2009-06-22 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8009283B2 (en) * 2008-05-23 2011-08-30 Lawrence Livermore National Security, Llc Dichroic beamsplitter for high energy laser diagnostics
US8283643B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-09 Cymer, Inc. Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source
DE102011007176B4 (de) * 2011-04-12 2015-06-25 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Vorrichtung zur Fokussierung eines Laserstrahls und Verfahren zum Überwachen einer Laserbearbeitung
JP6165074B2 (ja) * 2013-03-25 2017-07-19 三菱電機株式会社 波長モニタ及び波長モニタリング方法
CN103434149B (zh) * 2013-08-30 2016-02-17 成都精密光学工程研究中心 并行扫描激光预处理装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015185152A1 (de) 2015-12-10
KR20170019409A (ko) 2017-02-21
TWI571180B (zh) 2017-02-11
TW201611663A (zh) 2016-03-16
US20170085054A1 (en) 2017-03-23
US10044167B2 (en) 2018-08-07
EP3152983A1 (de) 2017-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102267532B1 (ko) 레이저 빔을 모니터링하는 디바이스 및 방법
US8237922B2 (en) Laser beam analysis apparatus
JP6963680B2 (ja) レーザ加工システム内でレーザビームの焦点位置を決定するための装置、その装置を備えるレーザ加工システム及びレーザ加工システム内でレーザビームの焦点位置を決定するための方法
US11530946B2 (en) Method and device for detecting a focal position of a laser beam
KR102658287B1 (ko) 베셀 빔 가공 광학 시스템을 위한 정렬 장치 및 방법
TW201822704A (zh) 用於最佳化以成像為基礎之疊對度量之聚焦的系統及方法
US20130100461A1 (en) Methods and apparatuses for position and force detection
US20180292264A1 (en) Homogenization of light beam for spectral feature metrology
US11920977B2 (en) Metrology system and method for measuring an excitation laser beam in an EUV plasma source
WO2019187422A1 (ja) 測距ユニット及び光照射装置
JP7064606B2 (ja) レーザ加工システムの焦点位置を特定する装置、それを備えたレーザ加工システム、および、レーザ加工システムの焦点位置の特定方法
JP2009168519A (ja) 光を分割する光学素子の検査装置及び光を分割する光学素子の検査方法
CN110869825B (zh) 偏振器装置以及具有偏振器装置的euv辐射产生设备
JP6362495B2 (ja) レーザビーム評価装置
RU2482447C2 (ru) Интерферометр
US20240102855A1 (en) Device and Method for Determining a Focal Point
US20240009761A1 (en) Device and Method for Determining a Focal Point
KR20010033198A (ko) 공작물 조사 시스템
KR20220031891A (ko) 광 증폭 캐비티와의 사용을 위한 측정 시스템
KR20200053908A (ko) 광학 시편 표면 검사 장치 및 그 제어 방법
JP2009192620A (ja) レーザ照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant