KR102264320B1 - 터치센서 모듈 - Google Patents

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KR102264320B1
KR102264320B1 KR1020190024170A KR20190024170A KR102264320B1 KR 102264320 B1 KR102264320 B1 KR 102264320B1 KR 1020190024170 A KR1020190024170 A KR 1020190024170A KR 20190024170 A KR20190024170 A KR 20190024170A KR 102264320 B1 KR102264320 B1 KR 102264320B1
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Abstract

본 발명은 터치센서 모듈에 관한 것으로서, 상기 터치센서 모듈은 상부막, 상기 상부막 하부에 정해진 거리만큼 이격되게 위치하고 코일부를 구비하는 권선층과 보호층을 교번하여 반복 적층되어 있는 MEMS 코일부 및 상기 MEMS 코일부와 연결되어 있는 회로 기판을 포함한다.

Description

터치센서 모듈{TOUCH SENSOR MODULE}
본 발명은 터치센서 모듈에 관한 것이다.
일반적으로 스마트폰(smart phone), MP3와 같은 휴대용 전자 기기나 냉장고 등의 가전 기기에는 터치(touch) 동작을 이용하여 명령어의 입력이나 스위칭 동작을 실시하는 터치센서패널(touch panel)이 부착되어 있다.
이러한 터치센서 모듈은 X축과 Y축의 좌표를 이용하여 터치 지점을 감지하는 2차원 터치 감지 방식뿐만 아니라 Z축 방향으로 인가되는 터치 강도를 추가로 감지하는 3차원 터치 감지 방식이 이용되고 있다.
이러한 3차원 터치 감지 방식을 위해, 종래에는 해당 지점에 인가되는 압력의 크기를 감지하거나 이미지를 터치의 강도를 감지하였으나 터치 강도 변화를 정확하게 감지하지 못하는 문제점이 존재한다.
또한, 터치 동작에 따른 전기적인 신호를 생성하는 감지 패턴 등의 형성을 위해 많은 영역이 요구되어, 터치센서 모듈의 설치 위치가 제한적이었다.
대한민국 등록특허 제10-1777733호(등록일자: 2017년09월06일, 발명의 명칭: 이미지센서와 불투명 부재를 이용한 3D 터치 장치)
본 발명이 해결하려는 과제는 터치센서 모듈의 크기를 감소시키기 위한 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 터치센서 모듈의 감도를 향상시키기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 터치센서 모듈은 상부막, 상기 상부막 하부에 정해진 거리만큼 이격되게 위치하고 코일부를 구비하는 권선층과 보호층을 교번하여 반복 적층되어 있는 MEMS 코일부 및 상기 MEMS 코일부와 연결되어 있는 회로 기판을 포함한다.
상기 권선층은 반도체 기판 및 상기 반도체 기판에서 서로 중첩되지 않게 권선되어 있는 코일부를 포함할 수 있다.
상기 보호층은 상기 코일부와의 전기적 및 물리적 연결을 위한 비아홀을 포함할 수 있다.
서로 다른 층에 인접하게 위치하는 서로 다른 보호층에 위치하는 비아홀의 위치는 서로 상이할 수 있다.
상기 비아홀은 상기 보호층을 중심으로 하여 서로 다른 층에 위치하고 있는 코일부를 서로 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 MEMS 코일부는 베이스 기판을 더 포함할 수 있고, 상기 권선층과 상기 보호층은 상기 베이스 기판 위에 위치할 수 있다.
상기 베이스 기판은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
상기 특징에 다른 터치센서 모듈은 EMI 차폐층을 더 포함할 수 있다.
상기 EMI 차폐층은 페라이트나 나노 크리스탈로 이루어질 수 있다.
상기 특징에 따른 터치센서 모듈은 상기 상부막과 상기 회로 기판 사이에 위치하는 간격재를 더 포함할 수 있다.
상기 상부막은 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 본 발명의 특징에 따르면, 보빈(bobbin)에 코일을 권선하는 대신, 반도체 공정을 이용하여 반도체 기판에 코일부를 형성한 권선층을 제작하고 또한 높이 방향으로의 권선층 제작을 위해 반도체 기판에 보호층을 적층하는 방식을 통해, 원하는 층 수의 권선층을 구비한 MEMS 구조물로서 코일부가 제작된다.
따라서, MEMS 구조물인 MEMS 코일부의 가로, 세로 및 높이의 크기가 대폭 감소하여, 터치센서 모듈의 소형화가 이루어진다.
또한, 높이 방향으로의 적층 방식에 의해 코일의 권선 횟수가 크게 증가하므로 MEMS 코일부의 인덕턴스 값 역시 크게 증가되므로, 터치센서 모듈의 터치 감도가 크게 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서 모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 터치센서 모듈 일부에 대한 분해 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서 모듈의 MEMS 코일부의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 권선층의 평면도에 대한 한 예를 도시한 도면이다.
본 발명을 설명하는데 있어서, 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명의 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함하는’의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서 모듈에 대해서 설명하도록 한다.
본 예에 따른 터치센서 모듈(100)은 인덕턴스 포스 터치 센서(inductive force touch sensor)의 개념을 이용하는 터치센서 모듈이다.
인덕턴스 포스 터치 센서는 나선형으로 감겨 있는 나선형 코일을 구비하고 코일 위에 위치하는 도전체 사이의 간격 변화에 대응되게 생성되는 와전류의 크기에 대응하게 인덕턴스(inductance)가 생성되며, 이 생성된 인덕턴스를 이용하여 터치 지점에 발생하는 압력(즉 터치 여부)을 감지하는 촉각 센서이다.
즉, 나선형 코일에 교류 전류가 인가되면, 나선형 코일 주변에 자기장이 형성되며, 이때, 나선형 코일과 이격하여 도전체(예, 금속막)가 위치하면 나선형 코일에 인가되는 전류 방향과 대칭되게 유도 전류인 와전류가 생성된다.
이때, 유도 전류는 자기장의 세기 변화에 대응하여 가변되며, 공진 주파수의 발진에 따라 해당 부위에 인가되는 힘의 세기가 감지된다.
따라서, 이러한 원리를 이용하는 본 예에 따른 터치센서 모듈(100)은 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 상부막(11), 상부막(11) 하부에 위치하는 간격재(13), 간격재(13) 하부에 위치하는 적어도 하나의 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems) 코일부(15), 및 적어도 하나의 MEMS 코일부(15) 하부에 위치하는 회로 기판(17)을 구비한다.
상부막(11)은 터치 여부에 따라 변하는 MEMS 코일부(15) 간의 간격 변화에 따라 인덕턴스의 변화를 초래하기 위한 것이다.
이러한 상부막(11)은 알루미늄(Al)이나 구리(Cu)와 같은 금속과 같은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 간격재(13) 전체를 덮기 위한 판 형태로 이루어져 있다.
간격재(13)는 역시 대략 사각형 등의 평면 형상을 갖는 하나의 판 형태를 갖고 있고, MEMS 코일부(15)의 상부면과 접하게 위치하고 있다.
따라서, 간격재(13)는 MEMS 코일부(15)의 상부면뿐만 아니라 인접한 두 MEMS 코일부(15) 사이의 빈 공간 위에도 위치한다.
이러한 간격재(13)로 인해, 각 MEMS 코일부(15)는 간격재(13)의 두께에 따라 정해지는 일정 간격만큼 상부막(11)과 이격되게 위치한다.
본 예에서, 간격재(13)는 복원력과 압축율이 우수한 탄성을 갖는 재료, 예를 들어, 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리우레탄(polyurethane), 또는 폴리오레핀(polyolefin) 등 방수 및 방진용으로 사용되는 발포체 폼 형태(단차나 휨에 물이 투입되는 틈이 없으며, 기재가 물에 통과하지 않고 높은 수압에 견딤)의 테이프(Tape) 등으로 이루어질 수 있다.
따라서, MEMS 코일부(15)와 상부막(111)은 터치센서 모듈(100)이 미동작 시 즉, 터치 동작이 이루어지지 않을 때 간격재(13)에 의해 일정한 간격을 유지하게 되고, 상부막(11)의 어느 한 지점에서 터치 동작이 발생하여 상부막(11) 쪽으로 물리적인 힘이 가해질 때 해당 지점은 힘의 크기에 비례하게 눌러진다.
이러한 터치 동작에 따른 터치 지점의 MEMS 코일부(15)와 상부막(11) 간의 간격 변화가 이루어지고, MEMS 코일부(15)와 상부막(11) 간의 간격 변화에 따라 해당 MEMS 코일부(15)의 인덕턴스가 변화한다. 따라서, 터치 동작 시 발생하는 인덕턴스 변화를 신호처리 장치(도시하지 않음)에 의해 감지하여, 해당 지점에서의 터치 동작이 감지된다.
이때, 해당 지점에서의 터치 동작이 해제되면, 간격재(13)의 우수한 복원력에 의해 상부막(11)과 해당 MEMS 코일부(15) 간의 간격은 초기 상태로 신속하게 되돌아간다.
본 예의 경우, 간격재(13)는 MEMS 코일부(15) 위의 전체면에 위치하는 판 형상이다. 하지만, 이와는 달리, 터치센서 모듈(100)의 가장자리 부분에 위치할 수 있다. 이런 경우, 간격재는 벽 형태로 회로 기판(17)과 상부막(11) 사이에 위치할 수 있어, 각 MEMS 코일부(15)의 상부에는 간격재가 존재하지 않을 수 있다. 이런 경우, 복수 개의 MEMS 코일부(15)와 상부막(11) 사이는 간격재(13)의 높이에 따라 정해진 간격만큼 이격되어 있지만, 본 예와 달리, 각 MEMS 코일부(15)와 상부막(11) 사이에는 공기가 존재하는 공기층(air gap)이 된다.
MEMS 코일부(15)의 개수는 이미 기술한 것처럼 적어도 하나이고, MEMS 코일부(15)가 복수 개인 경우, 도 1에 도시한 것처럼, 회로 기판(17)의 연장 방향을 따라 정해진 간격으로 이격되어 있다.
복수 개의 MEMS 코일부(15)는 서로 동일한 구조를 갖고 있다.
즉, 각 MEMS 코일부(15)는 베이스 기판(151), 베이스 기판(151) 위에 위치하는 EMI(electromagnetic interference, 전자 방해 잡음) 차폐층(152), 그리고 EMI 차폐층(152) 위에 교대하여 반복 위치하는 복수 개의 권선층(153)과 적어도 하나의 보호층(154)을 구비한다.
베이스 기판(151)은 플라스틱 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 베이스 기판(151)에는 회로 기판(17)과 MEMS 코일부(15) 간의 전기적인 연결을 위해 개구부(511)를 구비할 수 있다.
베이스 기판(151) 위에 위치한 EMI 차폐층(152)은 MEMS 코일부(15)의 영향으로 회로 기판(17) 하부에 위치한 부분[예, 터치센서 모듈(100)이 적용되는 제품의 금속 프레임(frame)]의 표면에 와전류의 생성을 방지하는 기능을 수행한다.
또한, EMI 차폐층(152)는 터치센서 모듈(100)에서 발생하는 전자 방해 잡음파가 하부에 위치하는 전기전자 구성요소나 전기전자 회로에 영향을 미치지 않도록 전자기파 간섭을 차폐한다.
이러한 EMI 차폐부(152)는 투자율이 높은 재료로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 바인더 수지(binder resin) 내에 페라이트(ferrite) 나노 입자(nano particle)를 구비하는 페라이트 또는 나노 크리스탈(nano crystal) 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 EMI 차폐층(152)으로 인해, 베이스 기판(151) 하부에 위치한 전기전자 구성요소나 전자전자 회로의 동작은 안정적으로 동작한다.
MEMS 코일부(15)는 복수 개의 권선층(153)과 적어도 하나의 보호층(154)을 구비하고 있고, 이미 기술한 것처럼, 복수 개의 권선층(153)과 복수 개의 보호층(154)은 높이 방향(즉, Z 방향)을 따라 교대로 번갈아 위치한다.
이때, 권선층(153)의 개수(n개, n=자연수)는 보호층(154)의 개수보다(예, n-1) 작을 수 있다.
도 3 및 도 4을 참고로 하여, 이러한 MEMS 코일부(15)의 구조를 상세히 설명한다.
도 3은 MEMS 코일부(15)의 단면을 도시한 것이고, 도 4는 MEMS 코일부(15)를 구성하는 하나의 권선층(153)에 대한 평면도이다.
도 3에 도시한 것처럼, 복수 개의 권선층(153)과 보호층(154)이 서로 교대로 높이 방향으로 적층되어 있고, 하나의 보호층(154)에는 비아홀(via hole)(V531)이 위치하고 있다.
따라서, 해당 보호층(154)을 중심으로 하여 상부와 하부에 각각 위치한 권선층(153)은 도 3에 도시한 것처럼 보호층(154)의 비아홀(V531)을 통해 서로 전기적 및 물리적으로 연결되어 있다.
도 4에 도시한 도면을 참고하면, 하나의 권선층(153)은 실리콘(silicon) 등으로 이루어진 반도체 기판(531)과 반도체 기판(531)에 위치하고 도전성 물질(예, 구리)로 이루어진 코일부(532)를 위치한다.
이때, 코일부(532)는 원형이나 사각형과 같은 원하는 형상의 코일 형태로 정해진 횟수만큼 반도체 기판(531)의 평면 방향(즉, X 방향과 Y 방향)으로 감겨 있다. 이러한 코일부(532)의 각 부분은 자신이 위치하는 반도체 기판(531)의 해당 부분을 완전히 관통해 위치할 수 있으며, 또한 코일부(532)의 각 부분은 코일부(532)의 인접한 다른 부분과 정해진 거리만큼 이격되어 있다.
따라서, 하나의 권선층(153)에 위치하는 코일부(532)는 끊김없이 이어진 하나의 선 형태를 이루고 있고 중첩되는 부분 없이 정해진 간격을 유지한다.
반도체 기판(531)에 코일부(532)를 형성하기 위한 한 방법으로, 반도체 기판(531)의 정해진 위치에 마스크(mask)를 위치시킨 후 식각 동작을 실시한다. 다음, 식각된 부분이 노출되도록 마스크를 위치시킨 후 도전성 물질로 이루어진 코일부 재료를 적층하여 코일부(532)를 형성할 수 있다.
이때, 하나의 반도체 기판(531)에 권선되는 즉, 권선 형태로 형성되는 코일부(532)의 권선 횟수와 권선 간격(즉, 인접한 코일부 부분 간의 이격 거리)은 코일부(532)의 폭과 두께 중 적어도 하나에 따라 정해질 수 있다.
다음, 코일부(532)가 형성된 반도체 기판(531) 위에 비아홀(V531)이 형성된 보호층(154)을 적층한다. 이때, 보호층(154)은 폴리이미드(polyimide)나 폴리에틸렌(polyethylene) 등으로 이루어질 수 있다.
도 3에 도시한 것처럼, 인접하게 적층된 두 보호층(154)에 각각 형성된 비아홀(V531)의 위치는 서로 상이한다. 예를 들어, 하나의 보호층(154)에 형성된 비아홀(V531)은 바로 하부와 상부에 위치한 코일부(532)의 일측 단부(T1)와 대응되어 마주볼 수 있는 위치에 위치할 수 있고, 나머지 보호층(154)에 형성된 비아홀(V531)은 바로 하부와 상부에 위치한 코일부(532)의 타측 단부(T2)와 대응되어 마주볼 수 있는 위치에 위치할 수 있다.
이러한 동작을 반복하여, 반도체 기판(531)에 코일부(532)가 위치한 권선층(153)과 보호층(154)을 번갈아 원하는 층수만큼 형성하여 MEMS 코일부(15)를 완성한다.
이미 기술한 것처럼, 비아홀(V531)에 의해, 보호층(154)을 중심으로 하여 서로 다른 층에 위치하고 있는 권선층(153)의 코일부(532)는 서로 물리적 및 전기적으로 연결된다.
이로 인해, 결국 MEMS 코일부(15)의 복수 개의 권선층(153)에 형성된 코일부(532)는 해당 부분[즉, 각 반도체 기판(531)]에서 정해진 횟수만큼 권선되는 동작을 반복하는 하나의 금속선이고, 이러한 하나의 금속선은 평면 방향뿐만 아니라 높이 방향으로도 권선되어 상부막(11)의 터치 여부에 따라 인덕턴스를 생성하는 하나의 코일(coil)로서 기능한다.
따라서, 코일의 동일한 권선 횟수를 획득하기 위해, 본 예의 MEMS 코일부(15)는 하나의 기판에 원하는 권선 횟수만큼 코일을 권선하는 경우에 비해, 기판의 크기를 크게 줄일 수 있다.
또한, 보빈(bobbin)에 코일을 권선하는 대신, 반도체 공정을 이용하여 반도체 기판(151)에 코일부(532)를 형성한 권선층(153)을 제작하고 또한 높이 방향으로의 권선층 제작을 위해 반도체 기판(151)에 보호층(154)을 적층하는 방식을 통해, 원하는 층 수의 권선층(153)을 구비한 MEMS 구조물로서 본 예의 코일부(15)가 제작된다.
따라서, MEMS 구조물인 본 예의 MEMS 코일부(15)의 가로, 세로 및 높이의 크기가 대폭 감소하여, 터치센서 모듈의 소형화가 이루어진다.
또한, 높이 방향으로의 적층 방식에 의해 코일의 권선 횟수가 크게 증가하므로 MEMS 코일부(15)의 인덕턴스 값 역시 크게 증가한다. 이로 인해, 터치센서 모듈(100)의 터치 감도가 크게 향상된다.
회로 기판(17)은 터치센서 모듈(100)의 동작에 필요한 신호와 전원 등을 공급하며, 신호처리 장치와 같이 터치 동작 판정 동작에 필요한 전기전자 소자들이 실장되어 있다.
따라서, 회로 기판(17)을 통해, 해당 장치는 터치센서 모듈(100)의 접촉물인 손가락 등의 터치 동작에 따라 발생하는 신호를 수신하여 터치센서 모듈(100)의 상부막(11)에 접촉물의 터치 동작이 발생했는 지의 여부를 판정한다.
또한, 회로 기판(17)에는 실장된 전기전자 소자들로의 신호 입출력 및 전원 공급 등을 위해 배선과 패드(pad)(P13) 등이 인쇄되어 있으며, 외부 장치와의 전기적인 연결을 위해 단부에도 배선 등이 인쇄되어 있다. 여기서 패드(P13)는 회로 기판(17)의 상면에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 각 MEMS 코일부(15)는 해당 패드(P13)를 통해 필요한 신호를 회로 기판(17)으로부터 입력 받는다.
이러한 패드(P13)는 MEMS 코일부(15)의 개구부(511)와 대응되어 마주보게 위치할 수 있고, 이 경우, 패드(P13)는 개구부(511)에 삽입되어 MEMS 코일부(15)와의 전기적인 연결이 이루어지도록 한다.
하지만, 이와는 달리 회로 기판(17)과 MEMS 코일부(15) 간의 전기적인 연결은 와이어 본딩 등과 같은 다양한 전기적인 연결 방식을 통해 행해진다.
이러한 회로 기판(17)은 가요성 인쇄회로기판(FPCB, flexible printed circuit board)이나 경성 인쇄회로기판(rigid printed circuit board)으로 이루어질 수 있다.
따라서, 회로기판(11)에 연결된 각 MEMS 코일부(15)의 코일부(532)로 교류 전류가 인가되어 각 MEMS 코일부(15)에 자기장이 발생하면, 발생된 자기장에 따라 상부막(11)에는 MEMS 코일부(15)에 인가되는 전류 방향과 대칭되게 와전류인 유도 전류가 발생하며, 이때, 발생되는 유도 전류의 세기는 인접한 MEMS 코일부(15)와 상부막(11)의 해당 부분 간의 거리에 따라 달라진다.
이때, 해당하는 MEMS 코일부(15)와 상부막(11) 간의 거리가 감소할수록 상부막(11)의 해당 지점에 형성되는 와전류의 세기는 증가한다.
따라서, 상부막(11)의 표면을 사용자가 누르게 되면, 상부막(11)의 터치 지점은 인가되는 힘의 세기에 비례하게 휘게 되어 상부막(11)과 해당 MEMS 코일부(15) 간의 거리가 감소한다. 이로 인해, 터치 동작이 발생한 상부막(11)의 해당 지점에서의 유도 전류의 크기는 증가하고, 증가하는 유도 전류의 영향에 의해 해당 지점의 MEMS 코일부(15)에서 발생하는 자기장이 감소한다.
이러한 자기장의 감소는 MEMS 코일부(15)의 실효 인덕턴스를 감소시키게 된다.
이러한 터치 동작에 따른 인덕턴스 변화를 신호처리 장치 등에서 감지하여, 상부막(11)의 터치 지점에 가해지는 힘의 정도 즉, Z축 방향으로의 눌림 정도가 감지되어, 상부막(11)의 터치 여부가 판정된다.
이상, 본 발명의 터치센서 모듈의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 터치센서 모듈 11: 상부막
13: 간격재 15: MEMS 코일부
17: 회로 기판 151: 베이스 기판
152: EMI 차폐층 153: 권선층
154: 보호층 531: 반도체 기판
532: 코일부

Claims (11)

  1. 상부막;
    상기 상부막 하부에 정해진 거리만큼 이격되게 위치하고, 코일부를 구비하는 권선층과 보호층을 교번하여 반복 적층되어 있는 MEMS 코일부; 및
    상기 MEMS 코일부와 연결되어 있는 회로 기판
    을 포함하고,
    상기 권선층은,
    반도체 기판; 및
    상기 반도체 기판에서 서로 중첩되지 않게 상기 반도체 기판을 관통하게 권선되어 있는 코일부
    를 포함하고,
    상기 보호층은 상기 코일부와의 전기적 및 물리적 연결을 위한 비아홀을 포함하여, 상기 비아홀을 통해 상기 보호층을 중심으로 하여 서로 다른 층에 위치하고 있는 코일부를 서로 전기적 및 물리적으로 연결하는
    터치센서 모듈.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    서로 다른 층에 인접하게 위치하는 서로 다른 보호층에 위치하는 비아홀의 위치는 서로 상이한 터치센서 모듈.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 MEMS 코일부는 베이스 기판을 더 포함하고,
    상기 권선층과 상기 보호층은 상기 베이스 기판 위에 위치하는
    터치센서 모듈.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 절연 물질로 이루어져 있는 터치센서 모듈.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 MEMS 코일부는 EMI 차폐층을 더 포함하는 터치센서 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 EMI 차폐층은 페라이트나 나노 크리스탈로 이루어져 있는 터치센서 모듈.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 상부막과 상기 회로 기판 사이에 위치하는 간격재를 더 포함하는 터치센서 모듈.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 상부막은 도전성 물질로 이루어져 있는 터치센서 모듈.
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