KR102263066B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

발광 소자가 개시된다. 발광 소자는, 발광 구조체; 발광 구조체 상에 위치하며, 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부; 발광 구조체 상에 위치하며, 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부; 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고, 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 연결층을 통해 각각 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며, 제1 패드 전극의 수평 면적은 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 제2 패드 전극의 수평 면적은 제2 전극의 수평 면적보다 크다.A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes: a light emitting structure; a first contact electrode and a second contact electrode positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively; first and second insulating portions partially covering the first contact electrode and the second contact electrode; first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode; a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer, wherein the first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively; The horizontal area of the pad electrode is smaller than the horizontal area of the first electrode, and the horizontal area of the second pad electrode is larger than the horizontal area of the second electrode.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 발광 소자의 열적 특성, 전기적 특성 및 발광 특성을 향상시킬 수 있는 전극을 포함하는 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device including an electrode capable of improving thermal, electrical, and light emitting characteristics of the light emitting device.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 직접 2차 기판에 접합되며, 또한 플립칩형 발광 소자에 외부 전원을 공급하기 위한 와이어를 이용하지 않으므로, 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 매우 높다. 따라서 고밀도 전류를 인가하더라도 효과적으로 열을 2차 기판 측으로 전도시킬 수 있어서, 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 적합하다.Recently, as the demand for a small high-power light emitting device increases, the demand for a large area flip-chip type light emitting device having excellent heat dissipation efficiency is increasing. The electrode of the flip chip light emitting device is directly bonded to the secondary substrate, and since a wire for supplying external power to the flip chip light emitting device is not used, heat dissipation efficiency is very high compared to that of the horizontal light emitting device. Therefore, even when a high-density current is applied, heat can be effectively conducted to the secondary substrate side, and thus the flip-chip type light emitting device is suitable as a high output light emitting source.

또한, 발광 소자의 소형화를 위하여, 발광 소자를 별도의 하우징 등에 패키징하는 공정을 생략하고, 발광 소자 자체를 패키지로서 이용하는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 패키지의 리드와 유사한 기능을 할 수 있어서, 이러한 칩 스케일 패키지에 있어서도 유용하게 플립칩형 발광 소자가 적용될 수 있다.In addition, in order to reduce the size of the light emitting device, a process of packaging the light emitting device in a separate housing is omitted, and the demand for a chip scale package using the light emitting device itself as a package is increasing. Since the electrode of the flip-chip type light emitting device can function similarly to the lead of the package, the flip chip type light emitting device can be usefully applied also in such a chip scale package.

이러한 칩 스케일 패키지 형태의 소자를 고출력 발광 장치로서 이용하는 경우, 상기 칩 스케일 패키지에 고밀도의 전류가 인가된다. 그 경우, 고출력 칩 스케일 패키지의 구동 시, N형 전극이 형성된 영역으로 전류 쏠림 현상이 발생한다. 따라서 상기 칩 스케일 패키지의 발광은 N형 전극이 형성된 영역에 집중되며, 또한 이 부분에 발열도 심화된다. 이와 같이, 발광 소자의 특정 영역에서 발광 및 발열이 집중적으로 발생하게 되어, 발광이 불균일하며, 발광 소자로부터 열 방출 효율이 저하되어 발광 소자의 신뢰성 및 수명에 악영향을 끼친다.When such a chip-scale package type device is used as a high-power light emitting device, a high-density current is applied to the chip scale package. In this case, when the high-output chip scale package is driven, a current concentration phenomenon occurs in the region where the N-type electrode is formed. Accordingly, the light emission of the chip scale package is concentrated in the region where the N-type electrode is formed, and heat is also deepened in this region. As described above, light emission and heat generation are intensively generated in a specific region of the light emitting device, so that light emission is non-uniform, and heat dissipation efficiency from the light emitting device is lowered, which adversely affects reliability and lifespan of the light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 소자 전체적으로 균일한 발광 특성을 갖고, 열 방출 효율이 뛰어난 발광 소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device having uniform light emitting characteristics as a whole and excellent heat dissipation efficiency.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부; 상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부; 상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및 상기 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고, 상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 상기 연결층을 통해 각각 상기 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 패드 전극의 수평 면적은 상기 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 상기 제2 전극의 수평 면적보다 크다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. structure; first and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively; first and second insulating portions partially covering the first and second contact electrodes; first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively; a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode; a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer, wherein the first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively and a horizontal area of the first pad electrode is smaller than a horizontal area of the first electrode, and a horizontal area of the second pad electrode is larger than a horizontal area of the second electrode.

이에 따라, 발광 소자의 열 방출 효율이 향상되어 신뢰성 및 수명이 향상될 수 있고, 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자가 제공될 수 있다.Accordingly, the heat dissipation efficiency of the light emitting device may be improved to improve reliability and lifetime, and a light emitting device having uniform light emitting characteristics may be provided.

상기 제1 전극은 상기 제1 컨택 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 오믹 컨택하는 부분 상에 위치할 수 있다.The first electrode may be positioned on a portion in which the first contact electrode and the first conductivity-type semiconductor layer are in ohmic contact.

또한, 상기 제2 전극의 아래에는, 상기 제1 컨택 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 오믹 컨택하는 부분이 위치하지 않을 수 있다.Also, a portion in which the first contact electrode and the first conductivity-type semiconductor layer are in ohmic contact may not be located under the second electrode.

상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함할 수 있고, 상기 제1 전극은 상기 제1 컨택 전극의 상기 복수의 오믹 컨택 영역 전부와 접촉될 수 있다.The first contact electrode may include a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer, wherein the first electrode contacts all of the plurality of ohmic contact regions of the first contact electrode. can be

또한, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함할 수 있고, 상기 복수의 오믹 컨택 영역 중 일부만 상기 제1 전극과 접촉할 수 있다.In addition, the first contact electrode may include a plurality of ohmic contact regions that come into contact with the first conductivity type semiconductor layer to make ohmic contact, and only some of the plurality of ohmic contact regions may contact the first electrode.

나아가, 상기 발광 소자는, 상기 제1 전극의 아래에 위치하는 제1 배선층; 및 상기 제2 전극의 아래에 위치하는 제2 배선층을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 배선층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 접촉할 수 있고, 상기 제2 배선층의 일부는 상기 제2 컨택 전극과 접촉할 수 있다.Furthermore, the light emitting device may include: a first wiring layer positioned under the first electrode; and a second wiring layer positioned under the second electrode, wherein a portion of the first wiring layer may be in contact with the first contact electrode, and a portion of the second wiring layer may be in contact with the second contact electrode. can come into contact with

상기 제2 절연부의 일부는 상기 제1 배선층과 상기 제1 컨택 전극의 사이에 위치할 수 있다.A portion of the second insulating part may be positioned between the first wiring layer and the first contact electrode.

상기 제1 전극의 수평 단면적은, 상기 제1 전극과 제2 전극 각각의 수평 단면적의 합의 0.8배 이상 1배 미만일 수 있다.The horizontal cross-sectional area of the first electrode may be 0.8 times or more and less than 1 time of the sum of the horizontal cross-sectional areas of each of the first electrode and the second electrode.

또한, 상기 제1 패드 전극의 수평 면적과 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 동일할 수 있다.In addition, the horizontal area of the first pad electrode and the horizontal area of the second pad electrode may be the same.

상기 연결층은, 절연물질층; 상기 제1 전극과 상기 제1 패드 전극을 전기적으로 연결하며, 상기 절연물질층을 관통하는 제1 연결층; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 패드 전극을 전기적으로 연결하며, 상기 절연물질층을 관통하는 제2 연결층을 포함할 수 있다.The connection layer may include an insulating material layer; a first connection layer electrically connecting the first electrode and the first pad electrode and penetrating the insulating material layer; and a second connection layer electrically connecting the second electrode and the second pad electrode and penetrating the insulating material layer.

상기 제2 전극은 복수 개로 형성될 수 있으며, 상기 제2 전극들은 상기 제2 패드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode may be formed in plurality, and the second electrodes may be electrically connected to the second pad electrode.

나아가, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함할 수 있고, 상기 복수의 오믹 컨택 영역들 중 일부는 상기 제2 전극들 사이에 배치될 수 있다.Furthermore, the first contact electrode may include a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer, and some of the plurality of ohmic contact regions are disposed between the second electrodes. can be

상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수 있다.Each of the first and second electrodes may include metal particles and a non-metallic material interposed between the metal particles.

나아가, 상기 금속 입자들과 상기 비금속성 물질은 금속 입자 소결체 형태로 형성될 수 있다.Furthermore, the metal particles and the non-metallic material may be formed in the form of a metal particle sintered body.

상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 경사진 측면을 포함할 수 있고, 상기 경사진 측면은 제1 전극 및 제2 전극 각각의 수직 단면의 접선 기울기가 변화하는 측면을 포함할 수 있다.Each of the first electrode and the second electrode may include an inclined side surface, and the inclined side surface may include a side surface in which a tangential slope of a vertical cross-section of each of the first electrode and the second electrode changes.

또한, 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 80 내지 98 wt%의 금속 입자들을 포함할 수 있다.In addition, each of the first electrode and the second electrode may include 80 to 98 wt% of metal particles.

몇몇 실시예들에서 상기 발광 소자는, 상기 발광 구조체는 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층이 부분적으로 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 컨택할 수 있다.In some embodiments, in the light emitting device, the light emitting structure may further include a region in which the active layer and the second conductivity type semiconductor layer are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed. The first contact electrode may be in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer through a region where the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역은 복수의 홀 형태로 형성될 수 있다.In addition, a region in which the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed may be formed in the form of a plurality of holes.

나아가, 상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치할 수 있고, 상기 제1 절연부는 상기 제2 컨택 전극 및 발광 구조체를 덮되, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역의 일부 및 상기 제2 컨택 전극의 일부를 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연부를 적어도 부분적으로 덮되, 상기 제1 개구부를 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉할 수 있으며, 상기 제2 절연부는 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 덮되, 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 상기 제2 개구부의 위치에 대응하여 배치되어 상기 제2 컨택 전극의 일부를 노출시키는 제4 개구부를 포함할 수 있다.Furthermore, the second contact electrode may be positioned on the second conductivity-type semiconductor layer, and the first insulating portion may cover the second contact electrode and the light emitting structure, in a region where the first conductivity-type semiconductor layer is exposed. and a first opening and a second opening exposing a portion and a portion of the second contact electrode, respectively, wherein the first contact electrode at least partially covers the first insulating portion, and through the first opening may be in contact with the first conductivity type semiconductor layer, wherein the second insulating part partially covers the first contact electrode, and is disposed to correspond to positions of a third opening partially exposing the first contact electrode and the second opening and a fourth opening exposing a portion of the second contact electrode.

상기 제1 전극은 상기 제3 개구부를 통해 상기 제1 컨택 전극과 접촉할 수 있고, 상기 제2 전극은 상기 제4 개구부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 접촉할 수 있으며, 상기 복수의 홀은 모두 상기 제3 개구부의 영역 아래에 위치할 수 있다.The first electrode may contact the first contact electrode through the third opening, the second electrode may contact the second contact electrode through the fourth opening, and all of the plurality of holes It may be located under the area of the third opening.

본 발명에 따르면, 제2 전극에 비해 상대적으로 큰 수평 단면적을 갖는 제1 전극을 포함함으로써, 발광 소자의 열 방출 효율이 향상되어 신뢰성 및 수명이 향상될 수 있다. 또한, 발광 소자에서 제1 전극이 차지하는 영역의 비율이 증가되어, 발광 소자 전체적으로 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자가 제공될 수 있다.According to the present invention, by including the first electrode having a relatively large horizontal cross-sectional area compared to the second electrode, the heat dissipation efficiency of the light emitting device is improved, so that reliability and lifespan can be improved. In addition, the ratio of the area occupied by the first electrode in the light emitting device is increased, so that a light emitting device having uniform light emitting characteristics as a whole can be provided.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.1 and 2 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
4 and 5 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
6 and 7 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 and 9 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. In addition, when one component is described as being “on” or “on” another component, each component is different from each component, as well as when each component is “immediately above” or “directly on” the other component. It includes the case where another component is interposed between them. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.1 and 2 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1의 (a)는 발광 소자(100a)의 평면도이고, (b)는 홀(120h)의 위치 및 제3 개구부(153a)와 제4 개구부(153b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 2는 도 1의 (a)와 (b)의 A-A선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.1 (a) is a plan view of the light emitting device 100a, (b) is a plan view for explaining the position of the hole (120h) and the third opening (153a) and the fourth opening (153b), Fig. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to line AA in FIGS. 1A and 1B.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100a)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 발광 구조체(120), 제1 컨택 전극(130), 제2 컨택 전극(140), 제1 및 제2 절연부(151, 153), 제1 전극(161), 제2 전극(163), 및 제3 절연부(170)를 포함할 수 있다. 나아가, 발광 소자(100a)는 제1 및 제2 패드 전극(미도시), 성장 기판(미도시) 및 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다.1 and 2 , the light emitting device 100a includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 121 , an active layer 123 , and a second conductivity type semiconductor layer 125 , a first The contact electrode 130 , the second contact electrode 140 , the first and second insulating parts 151 and 153 , the first electrode 161 , the second electrode 163 , and the third insulating part 170 are connected to each other. may include Furthermore, the light emitting device 100a may further include first and second pad electrodes (not shown), a growth substrate (not shown), and a wavelength converter (not shown).

발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 제1 도전형 반도체층(121) 상에 위치하는 활성층(123), 및 활성층(123) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(125)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 n형 불순물 (예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 불순물 (예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(123)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다.The light emitting structure 120 includes a first conductivity type semiconductor layer 121 , an active layer 123 located on the first conductivity type semiconductor layer 121 , and a second conductivity type semiconductor layer ( 125) may be included. The first conductivity type semiconductor layer 121 , the active layer 123 , and the second conductivity type semiconductor layer 125 may include a III-V series compound semiconductor, for example, (Al, Ga, In)N and The same nitride-based semiconductor may be included. The first conductivity-type semiconductor layer 121 may include an n-type impurity (eg, Si), and the second conductivity-type semiconductor layer 125 may include a p-type impurity (eg, Mg). have. Also, vice versa. The active layer 123 may include a multiple quantum well structure (MQW).

또한, 발광 구조체(120)는 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 발광 구조체(120)는 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(121)을 노출시키는 적어도 하나의 홀(120h)을 포함할 수 있다. Also, the light emitting structure 120 may include a region in which the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer 121 is partially exposed. For example, as shown, the light emitting structure 120 penetrates through the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 and exposes the first conductivity type semiconductor layer 121 through at least one hole 120h. ) may be included.

홀(120h)은 복수 개로 형성될 수 있으며, 복수의 홀(120h)들은 대체로 규칙적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 홀(120h)들은 일정한 간격으로 일정한 패턴을 갖도록 배치될 수 있다. 홀(120h)들이 발광 구조체의 전반에 걸쳐 규칙적으로 배치됨으로써, 발광 소자(100a) 구동 시, 전류가 수평방향으로 고르게 분산될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 홀(120h)의 배치 형태 및 개수는 다양하게 변형될 수 있다.A plurality of holes 120h may be formed, and the plurality of holes 120h may be generally regularly arranged. For example, as shown in FIG. 1 , the holes 120h may be arranged to have a uniform pattern at regular intervals. Since the holes 120h are regularly arranged throughout the light emitting structure, current may be evenly distributed in the horizontal direction when the light emitting device 100a is driven. However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement shape and number of the holes 120h may be variously modified.

또한, 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 형태는 홀(120h) 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(121) 노출되는 영역은 라인 형태, 홀 및 라인이 복합된 형태 등으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)이 노출되는 영역이 복수의 라인 형태로 형성되는 경우, 발광 구조체(120)는 상기 라인을 따라 형성되며, 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 하나 이상의 메사를 포함할 수도 있다. 따라서, 본 실시예에서는 복수의 홀(120h)을 포함하는 발광 구조체(120)를 기준으로 본 발명에 대해 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the shape in which the first conductivity type semiconductor layer 121 is exposed is not limited to the shape of the hole 120h. For example, the exposed region of the first conductivity-type semiconductor layer 121 may be formed in a line shape, a combination of holes and lines, or the like. When the region where the first conductivity-type semiconductor layer 121 is exposed is formed in the form of a plurality of lines, the light emitting structure 120 is formed along the line, and the active layer 123 and the second conductivity-type semiconductor layer 125 are formed along the line. It may include one or more mesa comprising Accordingly, in the present embodiment, the present invention will be described with reference to the light emitting structure 120 including the plurality of holes 120h, but the present invention is not limited thereto.

발광 구조체(120)는 그 하면에 형성된 러프니스(120R)를 더 포함할 수 있다. 러프니스(120R)는 습식 식각, 건식 식각, 전기화학 식각 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, PEC 식각 또는 KOH 및 NaOH를 포함하는 식각 용액을 이용한 식각 방법 등을 이용하여 러프니스(120R)를 형성할 수 있다. 러프니스(120R)가 형성됨에 따라, 제1 도전형 반도체층(121)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 발광 구조체(120)의 표면에 러프니스를 형성함으로써, 발광 소자의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting structure 120 may further include a roughness 120R formed on a lower surface thereof. The roughness 120R may be formed by using at least one of wet etching, dry etching, and electrochemical etching, for example, using PEC etching or an etching method using an etching solution containing KOH and NaOH. Thus, the roughness 120R may be formed. As the roughness 120R is formed, it may include protrusions and/or concavities in a μm to nm scale formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 121 . By forming roughness on the surface of the light emitting structure 120 , extraction efficiency of the light emitting device may be improved.

또한, 발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121)의 아래에 위치하는 성장 기판(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 성장 기판은 발광 구조체(120)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 성장 기판은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 이러한 성장 기판은 공지의 기술을 이용하여 발광 구조체(120)로부터 분리되어 제거될 수 있다.In addition, the light emitting structure 120 may further include a growth substrate (not shown) positioned under the first conductivity type semiconductor layer 121 . The growth substrate is not limited as long as it is a substrate capable of growing the light emitting structure 120 . For example, the growth substrate may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like. The growth substrate may be separated and removed from the light emitting structure 120 using a known technique.

제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125) 상에 위치한다. 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 적어도 부분적으로 덮고, 제2 도전형 반도체층(125)과 오믹 컨택할 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 발광 구조체(120)의 홀(120h)이 형성된 위치를 제외한 나머지 영역에서 단일체로 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(120)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다.The second contact electrode 140 is positioned on the second conductivity-type semiconductor layer 125 . The second contact electrode 140 may at least partially cover the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 125 and may be in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 125 . Also, the second contact electrode 140 may be disposed to entirely cover the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 125 . That is, the light emitting structure 120 may be formed to cover the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 125 as a single body in the remaining region except for the position where the hole 120h is formed. Accordingly, current may be uniformly supplied to the entire light emitting structure 120 , and current dispersion efficiency may be improved.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 컨택 전극(140)이 일체로 형성되지 않고, 서로 이격된 복수의 단위 반사 전극층들이 제2 도전형 반도체층(125)의 상면 상에 배치될 수도 있다. 이 경우, 상기 단위 반사 전극층들은 소정의 연결부들을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrode 140 is not integrally formed, and a plurality of unit reflective electrode layers spaced apart from each other may be disposed on the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 125 . have. In this case, the unit reflective electrode layers may be electrically connected to each other through predetermined connection parts.

제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)에 오믹 컨택할 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질 및/또는 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The second contact electrode 140 may include a material capable of ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 125 , for example, a metal material and/or a conductive oxide.

제2 컨택 전극(140)이 금속 물질을 포함하는 경우, 제2 컨택 전극(140)은 반사층 및 상기 반사층을 덮는 커버층을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)과 오믹 컨택되는 것과 더불어, 광을 반사시키는 기능을 할 수 있다. 따라서, 상기 반사층은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(125)과 오믹 접촉을 형성할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.When the second contact electrode 140 includes a metal material, the second contact electrode 140 may include a reflective layer and a cover layer covering the reflective layer. As described above, the second contact electrode 140 may be in ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 125 and may function to reflect light. Accordingly, the reflective layer may include a metal capable of forming an ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 125 while having high reflectivity. For example, the reflective layer may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag, and Au. In addition, the reflective layer may include a single layer or multiple layers.

상기 커버층은 상기 반사층과 다른 물질 간의 상호 확산을 방지할 수 있고, 외부의 다른 물질이 상기 반사층에 확산하여 상기 반사층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 커버층은 상기 반사층의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 커버층은 상기 반사층과 함께 제2 도전형 반도체층(125)과 전기적으로 연결될 수 있어서, 상기 반사층과 함께 일종의 전극 역할을 할 수 있다. 상기 커버층은, 예를 들어, Au, Ni, Ti, Cr 등을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층을 포함할 수도 있다. The cover layer may prevent mutual diffusion between the reflective layer and other materials, and may prevent other materials from diffusing into the reflective layer from damaging the reflective layer. Accordingly, the cover layer may be formed to cover a lower surface and a side surface of the reflective layer. The cover layer may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 125 together with the reflective layer, and thus may serve as a kind of electrode together with the reflective layer. The cover layer may include, for example, Au, Ni, Ti, Cr, or the like, and may include a single layer or multiple layers.

한편, 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 상기 도전성 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO 등일 수 있다. 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 금속을 포함하는 경우에 비해 더 넓은 영역의 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 커버할 수 있다. 즉, 홀(120h)의 상부 테두리로부터 제2 컨택 전극(140)까지의 이격 거리는 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물로 형성된 경우에 상대적으로 더 짧게 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 컨택 전극(140)과 제2 도전형 반도체층(125)이 접촉하는 부분에서 제1 컨택 전극(130)과 제1 도전형 반도체층(121)이 접촉하는 부분까지의 최단 거리가 상대적으로 더 짧아질 수 있어서, 발광 소자(100a)의 순방향 전압(Vf)이 감소될 수 있다.Meanwhile, when the second contact electrode 140 includes a conductive oxide, the conductive oxide may be ITO, ZnO, AZO, IZO, or the like. When the second contact electrode 140 includes the conductive oxide, it may cover the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 125 having a larger area than when the second contact electrode 140 includes a metal. That is, the separation distance from the upper edge of the hole 120h to the second contact electrode 140 may be relatively shorter when the second contact electrode 140 is formed of a conductive oxide. In this case, the shortest distance from the portion where the second contact electrode 140 and the second conductivity type semiconductor layer 125 contact to the portion where the first contact electrode 130 and the first conductivity type semiconductor layer 121 contact Since can be relatively shorter, the forward voltage (V f ) of the light emitting device 100a can be reduced.

제1 및 제2 절연부(151, 153)는 제1 및 제2 컨택 전극(130, 140)을 부분적으로 덮을 수 있다. 이하, 제1 절연부(151)에 관하여 먼저 설명하며, 제2 절연부(153)와 관련된 내용은 후술하여 설명한다.The first and second insulating portions 151 and 153 may partially cover the first and second contact electrodes 130 and 140 . Hereinafter, the first insulating part 151 will be described first, and the contents related to the second insulating part 153 will be described later.

제1 절연부(151)는 발광 구조체(120)의 상면 및 제2 컨택 전극(140)을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 절연부(151)는 복수의 홀(120h)들의 측면을 덮되, 홀(120h)에 노출된 제1 도전형 반도체층(121)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. The first insulating part 151 may partially cover the upper surface of the light emitting structure 120 and the second contact electrode 140 . In addition, the first insulating part 151 may cover side surfaces of the plurality of holes 120h and partially expose the first conductivity type semiconductor layer 121 exposed to the holes 120h.

나아가, 제1 절연부(151)는 발광 구조체(120)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다. 제1 절연부(151)가 발광 구조체(120)의 측면을 덮는 정도는, 발광 소자의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있다. 즉, 본 실시예와 같이 제1 절연부(151)는 발광 구조체(120)의 상면만 덮도록 형성될 수도 있고, 발광 소자(100a)의 제조 과정에서 웨이퍼를 칩 단위로 개별화한 후에 제1 절연부(151)를 형성하는 경우에는 발광 구조체(120)의 측면까지 제1 절연부(151)에 덮일 수 있다.Furthermore, the first insulating part 151 may further cover at least a portion of the side surface of the light emitting structure 120 . The degree to which the first insulating part 151 covers the side surface of the light emitting structure 120 may vary depending on whether chip unit isolation is performed in the manufacturing process of the light emitting device. That is, as in the present embodiment, the first insulating part 151 may be formed to cover only the upper surface of the light emitting structure 120 , and after individualizing the wafer into chip units during the manufacturing process of the light emitting device 100a , the first insulation When the portion 151 is formed, the first insulating portion 151 may cover up to the side surface of the light emitting structure 120 .

제1 절연부(151)는 복수의 홀(120h)들에 대응하는 부분에 위치하는 제1 개구부와 제2 컨택 전극(140)의 일부를 노출시키는 제2 개구부를 포함할 수 있다. 제1 개구부 및 홀(120h)들을 통해 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출될 수 있고, 제2 개구부를 통해 제2 컨택 전극(140)이 부분적으로 노출될 수 있다. The first insulating part 151 may include a first opening positioned at a portion corresponding to the plurality of holes 120h and a second opening exposing a portion of the second contact electrode 140 . The first conductivity-type semiconductor layer 121 may be partially exposed through the first opening and the holes 120h , and the second contact electrode 140 may be partially exposed through the second opening.

이때, 제1 개구부들과 제2 개구부들은 일정한 패턴을 갖도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 개구부들은 발광 소자(100a)의 일 측면에 인접하여 배치될 수 있고, 제1 개구부들은 상기 제2 개구부들이 배치되지 않은 영역에서 규칙적으로 배치될 수 있다.In this case, the first openings and the second openings may be arranged to have a predetermined pattern. For example, as shown in FIG. 1 , the second openings may be arranged adjacent to one side of the light emitting device 100a, and the first openings may be regularly arranged in a region where the second openings are not arranged. can

제1 절연부(151)는 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연부(151)는 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 특히, 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연부(151)가 분포 브래그 반사기를 포함하여 발광 소자(100a)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The first insulating part 151 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or the like. Furthermore, the first insulating part 151 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. In particular, when the second contact electrode 140 includes a conductive oxide, the first insulating part 151 includes a distributed Bragg reflector to improve the luminous efficiency of the light emitting device 100a.

제1 컨택 전극(130)은 발광 구조체(120)를 부분적으로 덮을 수 있으며, 복수의 홀(120h) 및 제1 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(121)과 직접적으로 접촉하여 오믹 컨택하는 오믹 컨택 영역(131)을 포함할 수 있다. 발광 구조체(120)가 복수의 홀(120h)을 포함하는 경우, 상기 오믹 컨택 영역(131) 역시 홀(120h)의 개수에 대응하는 개수로 복수로 형성될 수 있다.The first contact electrode 130 may partially cover the light emitting structure 120 and may be in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 121 through the plurality of holes 120h and the first openings. Accordingly, the first contact electrode 130 may include an ohmic contact region 131 that directly contacts the first conductivity-type semiconductor layer 121 to make an ohmic contact. When the light emitting structure 120 includes a plurality of holes 120h, a plurality of the ohmic contact regions 131 may also be formed to correspond to the number of holes 120h.

제1 컨택 전극(130)은 제1 절연부(151)의 일부 영역을 제외한 다른 부분을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(130)은 발광 구조체(120)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다. 제1 컨택 전극(130)이 발광 구조체(120)의 측면에도 형성되는 경우, 활성층(123)으로부터 측면으로 방출되는 광을 상부로 반사시켜 발광 소자(100a)의 상면으로 방출되는 광의 비율을 증가시킬 수 있다. 한편, 제1 컨택 전극(130)은 제1 절연부(151)의 제2 개구부에 대응하는 영역에는 형성되지 않고, 제2 컨택 전극(140)과 이격되어 절연된다.The first contact electrode 130 may be formed to entirely cover a portion other than a partial region of the first insulating portion 151 . In addition, the first contact electrode 130 may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 120 . When the first contact electrode 130 is also formed on the side surface of the light emitting structure 120, the light emitted from the side surface from the active layer 123 is reflected upward to increase the ratio of light emitted to the upper surface of the light emitting device 100a. can Meanwhile, the first contact electrode 130 is not formed in a region corresponding to the second opening of the first insulating part 151 , but is spaced apart from and insulated from the second contact electrode 140 .

제1 컨택 전극(130)이 일부 영역을 제외하고 발광 구조체(120)의 상면을 전반적으로 덮도록 형성됨으로써, 전류 분산 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(140)에 의해 덮이지 않는 부분을 제1 컨택 전극(130)이 커버할 수 있으므로, 광을 더욱 효과적으로 반사시켜 발광 소자(100a)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the first contact electrode 130 is formed to entirely cover the upper surface of the light emitting structure 120 except for a partial region, current dissipation efficiency may be further improved. In addition, since the first contact electrode 130 may cover a portion not covered by the second contact electrode 140 , light may be reflected more effectively to improve the luminous efficiency of the light emitting device 100a.

제1 컨택 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택함과 아울러, 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(130)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있고, Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있다. 상기 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 컨택 전극(130)은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.The first contact electrode 130 may make ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 121 and may serve to reflect light. Accordingly, the first contact electrode 130 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include a highly reflective metal layer such as an Al layer. The highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni. However, the present invention is not limited thereto, and the first contact electrode 130 may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag, and Au.

제1 컨택 전극(130)은 홀(120h)들을 통해서 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택되므로, 제1 도전형 반도체층(121)과 연결된 전극 등을 형성하기 위하여 활성층(123)이 제거되는 영역이 복수의 홀(120h)들에 대응하는 영역과 동일하다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(121)과 금속층의 오믹 컨택을 위한 영역이 최소화될 수 있고, 전체 발광 구조체의 수평 면적에 대한 발광 영역의 면적 비율이 상대적으로 큰 발광 소자가 제공될 수 있다.Since the first contact electrode 130 is in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 121 through the holes 120h, the active layer 123 is formed to form an electrode connected to the first conductivity-type semiconductor layer 121 . The area to be removed is the same as the area corresponding to the plurality of holes 120h. Accordingly, an area for ohmic contact between the first conductivity type semiconductor layer 121 and the metal layer may be minimized, and a light emitting device having a relatively large area ratio of the light emitting area to the horizontal area of the entire light emitting structure may be provided.

제2 절연부(153)는 제1 컨택 전극(130)을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제2 절연부(153)는 제1 컨택 전극(130)을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부(153a), 및 제2 컨택 전극(140)을 부분적으로 노출시키는 제4 개구부(153b)를 포함할 수 있다. 이때, 제4 개구부(153b)는 제2 개구부에 대응하는 위치에 형성될 수 있다.The second insulating part 153 may partially cover the first contact electrode 130 . In addition, the second insulating part 153 includes a third opening 153a partially exposing the first contact electrode 130 and a fourth opening 153b partially exposing the second contact electrode 140 . can do. In this case, the fourth opening 153b may be formed at a position corresponding to the second opening.

제3 및 제4 개구부(153a, 153b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 제4 개구부(153b)는 발광 소자(100a)의 일 측 모서리에 인접하도록 위치할 수 있고, 제3 개구부(153a)는 적어도 일부의 복수의 홀(120h)이 형성된 위치를 노출시키도록 형성될 수 있다. 나아가, 제3 개구부(153a)는 모든 홀(120h)이 형성된 위치가 노출되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 오믹 컨택 영역(131)들이 제3 개구부(153a)를 통해 노출될 수 있다.One or more of the third and fourth openings 153a and 153b may be formed, respectively. In addition, as shown in FIG. 1B , the fourth opening 153b may be positioned adjacent to one edge of the light emitting device 100a, and the third opening 153a may include at least some of the plurality of openings. The hole 120h may be formed to expose the formed position. Furthermore, the third opening 153a may be formed so that positions where all the holes 120h are formed are exposed. Accordingly, the ohmic contact regions 131 may be exposed through the third opening 153a.

제2 절연부(153)는 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연부(153)는 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다.The second insulating part 153 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , or MgF 2 . Furthermore, the second insulating part 153 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 발광 구조체(120) 상에 위치할 수 있고, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 각각 제1 컨택 전극(130) 및 제2 컨택 전극(140)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 각각은 제1 및 제2 컨택 전극(130, 140)과 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163 may be positioned on the light emitting structure 120 , and the first electrode 161 and the second electrode 163 are the first contact electrode 130 and the second electrode 163 , respectively. It may be electrically connected to the second contact electrode 140 . In particular, each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may directly contact the first and second contact electrodes 130 and 140 to be electrically connected to each other.

또한, 적어도 일부의 홀(120h)들은 제1 전극(161)의 아래에 위치할 수 있고, 나아가, 모든 홀(120h)들이 제1 전극(161)의 아래에 위치할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(130)의 오믹 컨택 영역(131)은 제1 전극(161)과 제1 도전형 반도체층(121)의 사이에 개재될 수 있으며, 또한, 모든 오믹 컨택 영역(131)이 제1 전극(161)과 직접적으로 접촉될 수 있다. In addition, at least some of the holes 120h may be located under the first electrode 161 , and further, all of the holes 120h may be located under the first electrode 161 . Accordingly, the ohmic contact region 131 of the first contact electrode 130 may be interposed between the first electrode 161 and the first conductivity-type semiconductor layer 121 , and also all ohmic contact regions 131 . It may be in direct contact with the first electrode 161 .

한편, 제2 전극(163)의 아래에는 홀(120h)이 위치하지 않을 수 있다. 즉, 제2 전극(163)이 형성되는 영역의 아래에는 제1 컨택 전극(130)과 제1 도전형 반도체층(121)이 오믹 컨택하는 부분이 위치하지 않을 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 구조체(120)의 홀(120h)들은 발광 소자(100a)의 일 측면에 인접하는 영역을 제외한 나머지 부분에만 형성될 수 있다.Meanwhile, the hole 120h may not be located under the second electrode 163 . That is, a portion in which the first contact electrode 130 and the first conductivity-type semiconductor layer 121 make ohmic contact may not be located under the region where the second electrode 163 is formed. Accordingly, as shown in FIG. 1 , the holes 120h of the light emitting structure 120 may be formed only in the remaining portions except for a region adjacent to one side of the light emitting device 100a.

제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 서로 다른 부피를 가질 수 있고, 제1 전극(161)의 부피는 제2 전극(163)의 부피에 비해 클 수 있다. 또한, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)의 두께는 약 70 내지 80㎛ 이상으로 형성될 수 있으며, 대체로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 전극(161)의 수평 단면적은 제2 전극(163)의 수평 단면적에 비해 클 수 있고, 예를 들어, 제1 전극(161)의 수평 단면적은, 제1 및 제2 전극(161, 163)의 수평 단면적을 합한 값의 0.8배 이상 1배 미만의 크기를 가질 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163 may have different volumes, and the volume of the first electrode 161 may be larger than that of the second electrode 163 . Also, the thickness of the first electrode 161 and the second electrode 163 may be about 70 to 80 μm or more, and may be formed to have substantially the same thickness. Accordingly, the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 may be larger than the horizontal cross-sectional area of the second electrode 163 . For example, the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 may be equal to that of the first and second electrodes 161 . , 163) may have a size of 0.8 times or more and less than 1 times the sum of the horizontal cross-sectional areas.

즉, 상기 발광 소자(100a)는 수평 단면적이 제2 전극(163)의 수평 단면적보다 비교적 매우 큰 제1 전극(161)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(121)이 N형 반도체층인 경우 제1 전극(161) 역시 N형 전극으로 기능할 수 있으며, 상술한 바와 같이, 발광 소자(100a)의 구동 시, 발광 및 발열이 제1 전극(161)이 위치하는 영역에서 집중된다. 따라서, 본 실시예와 같이 제1 전극(161)의 수평 단면적을 제2 전극(163)의 수평 단면적에 비해 월등히 크게 형성함으로써, 발광 소자(100a)의 전체 발광 영역에서 발광을 균일하게 하여 발광 특성을 향상시킬 수 있고, 제1 전극(161)을 통해 효과적으로 열을 방출시켜 발광 소자(100a)의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. That is, the light emitting device 100a includes the first electrode 161 having a horizontal cross-sectional area that is relatively larger than that of the second electrode 163 . When the first conductivity-type semiconductor layer 121 is an N-type semiconductor layer, the first electrode 161 may also function as an N-type electrode, and as described above, when the light emitting device 100a is driven, light emission and heat are generated. It is concentrated in a region where the first electrode 161 is located. Therefore, as in the present embodiment, by forming the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 to be significantly larger than the horizontal cross-sectional area of the second electrode 163 , the light emission is uniform in the entire light-emitting area of the light-emitting device 100a and light emitting characteristics can be improved, and the heat dissipation efficiency of the light emitting device 100a can be improved by effectively dissipating heat through the first electrode 161 .

더욱이, 제1 전극(161)은 제1 컨택 전극(130)과 직접적으로 접촉하고, 나아가, 제1 컨택 전극(130)의 오믹 컨택 영역(131)들과도 직접적으로 접촉할 수 있다. 이때, 오믹 컨택 영역(131)들은 복수의 홀(120h)의 위치에 대응하고, 홀(120h)들이 대체로 규칙적으로 발광 구조체(120)에 전반적으로 배치된다. 이에 따라, 전류를 수평 방향으로 고르게 분산시켜 발광 소자(100a)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있고, 발광 구조체(120)로부터 발생하는 열을 오믹 컨택 영역(131) 및 제1 전극(161)을 통해 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있다.Furthermore, the first electrode 161 may directly contact the first contact electrode 130 , and further, may directly contact the ohmic contact regions 131 of the first contact electrode 130 . In this case, the ohmic contact regions 131 correspond to positions of the plurality of holes 120h , and the holes 120h are generally regularly arranged in the light emitting structure 120 . Accordingly, the electric characteristics of the light emitting device 100a may be improved by evenly distributing the current in the horizontal direction, and heat generated from the light emitting structure 120 may be transferred through the ohmic contact region 131 and the first electrode 161 . It can be effectively discharged to the outside.

덧붙여, 제2 전극(163)이 형성되는 영역의 아래에는 제1 컨택 전극(130)과 제1 도전형 반도체층(121)이 오믹 컨택하는 부분이 위치하지 않도록 하여, 제1 도전형 반도체층(121)과 제1 컨택 전극(130)이 오믹 컨택하는 부분에서 발생하는 열을 모두 제1 전극(161)을 통해 방출되도록 할 수 있다. 따라서, 발광 소자(100a)의 열 방출 효율이 더욱 향상될 수 있다.In addition, under the region where the second electrode 163 is formed, a portion where the first contact electrode 130 and the first conductivity type semiconductor layer 121 are in ohmic contact is not located, so that the first conductivity type semiconductor layer ( Heat generated at a portion in which the 121 and the first contact electrode 130 are in ohmic contact may be discharged through the first electrode 161 . Accordingly, the heat dissipation efficiency of the light emitting device 100a may be further improved.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 발광 소자(100a)의 발광 효율 및 방열 효율이 향상되어, 신뢰성 및 수명이 향상될 수 있다.As described above, according to the present invention, the luminous efficiency and heat dissipation efficiency of the light emitting device 100a are improved, so that reliability and lifespan can be improved.

한편, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각은 상기 금속 입자들과 비금속성 물질을 포함하는 금속 입자 소결체를 포함할 수 있다. 상기 금속 입자 소결체 내에서, 금속 입자들은 소결되어 복수의 그레인(grain)이 배치된 형태로 형성될 수 있고, 금속 입자들 사이의 적어도 일부 영역에는 비금속성 물질이 개재될 수 있다. 이러한 비금속성 물질은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)에 발생할 수 있는 스트레스를 완화시켜주는 버퍼 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 기계적 안정성이 향상되어, 전극들(161, 163)로부터 발광 구조체(120)에 인가될 수 있는 스트레스가 감소될 수 있다.Meanwhile, the first electrode 161 and the second electrode 163 may include metal particles and a non-metallic material interposed between the metal particles. In addition, each of the first and second electrodes 161 and 163 may include a metal particle sintered body including the metal particles and a non-metallic material. In the metal particle sintered body, metal particles may be sintered to form a plurality of grains disposed therein, and a non-metallic material may be interposed in at least some regions between the metal particles. The non-metallic material may serve as a buffer for alleviating stress that may occur in the first electrode 161 and the second electrode 163 . Accordingly, mechanical stability of the first electrode 161 and the second electrode 163 may be improved, and stress that may be applied to the light emitting structure 120 from the electrodes 161 and 163 may be reduced.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각의 금속 입자들은 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각의 질량 대비 80 내지 98wt%의 비율로 포함될 수 있다. 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 상술한 비율의 금속 입자를 포함함으로써, 우수한 열전도성 및 전기 전도성을 가질 수 있고, 전극들(161, 163)에 발생할 수 있는 스트레스를 효과적으로 완충시켜 전극들(161, 163)의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.The metal particles of each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may be included in a ratio of 80 to 98 wt% based on the mass of each of the first and second electrodes 161 and 163 . Since the first electrode 161 and the second electrode 163 contain the metal particles in the above-described ratio, excellent thermal and electrical conductivity may be obtained, and stress that may occur in the electrodes 161 and 163 is effectively buffered. Thus, the mechanical stability of the electrodes 161 and 163 may be improved.

금속 입자들은 열전도성 및 전기적 도전성을 갖는 물질이면 한정되지 않으며, 예를 들어, Cu, Au, Ag, Pt 등을 포함할 수 있다. 비금속성 물질은 전극을 형성하기 위한 소결 대상이 되는 물질로부터 유래된 것일 수 있고, 예를 들어, C를 포함하는 폴리머 물질일 수 있다.The metal particles are not limited as long as they are materials having thermal conductivity and electrical conductivity, and may include, for example, Cu, Au, Ag, Pt, and the like. The non-metallic material may be derived from a material to be sintered for forming an electrode, and may be, for example, a polymer material containing C.

상술한 실시예에서 금속 입자는 금속 입자 소결체 형태로 제1 및 제2 전극(161, 163)에 포함된 것으로 설명되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 달리, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 금속의 증착 및/또는 도금을 통해 형성된 것일 수도 있다. 이 경우 제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 다중층으로 이루어질 수 있다.In the above embodiment, the metal particles are described as being included in the first and second electrodes 161 and 163 in the form of a sintered body of metal particles, but the present invention is not limited thereto. Alternatively, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be formed through metal deposition and/or plating. In this case, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be formed of multiple layers.

본 실시예에서, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 제2 절연부(153)의 상면에 대해 대체로 수직인 측면을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각은 경사진 측면을 가질 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the first electrode 161 and the second electrode 163 may have sides that are substantially perpendicular to the top surface of the second insulating part 153 . However, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. 3 , each of the first electrode 261 and the second electrode 263 may have an inclined side surface.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자(100b)를 설명하기 위한 단면도이며, 도 1 및 도 2의 발광 소자(100a)와 비교하여 전극들(261, 263)은 경사진 측면을 갖는다.3 is a cross-sectional view for explaining a light emitting device 100b according to another embodiment of the present invention, and compared with the light emitting device 100a of FIGS. 1 and 2 , the electrodes 261 and 263 have inclined sides. have

도 3을 참조하면, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각은 경사진 측면을 포함할 수 있다. 특히, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선(TL)의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각의 수직 단면의 측면에 대한 접선(TL)의 기울기는 하부에서 상부를 향하는 방향으로 증가하다가, 소정의 변곡점을 지나 다시 기울기가 증가할 수 있다. 따라서, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각의 경사진 측면은 상기 접선(TL)의 기울기가 증가하는 영역과 상기 접선(TL)의 기울기가 감소하는 영역을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , each of the first electrode 261 and the second electrode 263 may include an inclined side surface. In particular, as shown in FIG. 3 , each of the first electrode 261 and the second electrode 263 may include an inclined side surface in which the slope of the tangent line TL with respect to the side surface of the vertical cross-section changes. Specifically, the slope of the tangent line TL with respect to the side surface of the vertical section of each of the first electrode 261 and the second electrode 263 increases in a direction from the bottom to the top, and then passes a predetermined inflection point and the slope increases again. can do. Accordingly, each inclined side surface of the first electrode 261 and the second electrode 263 may include a region in which the slope of the tangent line TL increases and a region in which the slope of the tangent line TL decreases.

제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선(TL)의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함함으로써, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각의 수평 단면적이 상하 방향으로 변화할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각의 수평 단면적은 발광 구조체(120)의 상면에서 멀어지는 방향으로 작아질 수 있다.Each of the first electrode 261 and the second electrode 263 includes an inclined side surface in which the slope of the tangent line TL with respect to the side surface of the vertical cross-section is changed, so that the first electrode 261 and the second electrode 263 are respectively included. ) each horizontal cross-sectional area can be changed in the vertical direction. For example, as illustrated, the horizontal cross-sectional area of each of the first electrode 261 and the second electrode 263 may decrease in a direction away from the upper surface of the light emitting structure 120 .

따라서, 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 각각은 상술한 형태의 측면을 갖도록 그 형상이 결정될 수 있고, 예컨대, 절두아치형과 유사한 형태로 형성될 수 있다. 제1 전극(261) 및 제2 전극(263)이 그 수직 단면의 측면에 대한 접선(TL)의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함하여, 제1 및 제2 전극(261, 263)과 제3 절연부(170)의 계면에서의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.Accordingly, the shape of each of the first electrode 261 and the second electrode 263 may be determined to have the side surface of the above-described shape, and, for example, may be formed in a shape similar to a truncated arch shape. The first and second electrodes 261 and 263 and the first and second electrodes 261 and 263 include inclined sides of the first electrode 261 and the second electrode 263 in which the slope of the tangent line TL with respect to the side surface of the vertical cross-section changes. 3 Mechanical stability at the interface of the insulating part 170 may be improved.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 각각 제1 컨택 전극(130)과 제2 컨택 전극(140)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 즉, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 각각 제1 및 제2 컨택 전극 상에 직접적으로 접촉되도록 형성될 수 있어, 도금법을 이용하는 경우 필요한 시드층(seed layer) 또는 솔더를 이용하는 경우 필요한 웨팅층(wetting)과 같은 별도의 추가적인 구성이 생략될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Referring back to FIGS. 1 and 2 , the first electrode 161 and the second electrode 163 may directly contact the first contact electrode 130 and the second contact electrode 140 , respectively. That is, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be formed to be in direct contact with the first and second contact electrodes, respectively, so that a seed layer or solder required when using a plating method is used. In this case, a separate additional configuration such as a necessary wetting layer may be omitted. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)의 간의 간격 중 최단 거리는 약 10 내지 80㎛일 수 있다. 이에 따라, 전극들 간의 간격이 멀어져 발광 소자(100a)의 순방향 전압(Vf)이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 전극들 간의 간격을 줄인 만큼 전극들(161, 163)의 수평 단면적을 크게 할 수 있어서 발광 소자(100a)의 열 방출 효율이 향상될 수 있다.Meanwhile, the shortest distance among the intervals between the first electrode 161 and the second electrode 163 may be about 10 to 80 μm. Accordingly, it is possible to prevent an increase in the forward voltage (V f ) of the light emitting device 100a due to the distance between the electrodes increasing, and the horizontal cross-sectional area of the electrodes 161 and 163 by reducing the distance between the electrodes. Since it can be enlarged, the heat dissipation efficiency of the light emitting device 100a can be improved.

제3 절연부(170)는 발광 구조체(120) 상에 전극들(161, 163)의 측면을 적어도 부분적으로 덮도록 형성될 수 있다. 제3 절연부(170)의 상면에는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 노출될 수 있다.The third insulating part 170 may be formed on the light emitting structure 120 to at least partially cover side surfaces of the electrodes 161 and 163 . The first electrode 161 and the second electrode 163 may be exposed on the upper surface of the third insulating part 170 .

제3 절연부(170)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 제3 절연부(170)는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 제3 절연부(170)의 상면은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 상면들과 대체로 동일한 높이로 나란하게 형성될 수 있다. The third insulating part 170 has electrical insulating properties and covers side surfaces of the first electrode 161 and the second electrode 163 to effectively insulate them from each other. At the same time, the third insulating part 170 may serve to support the first electrode 161 and the second electrode 163 . The top surface of the third insulating part 170 may be formed to be substantially the same height as the top surfaces of the first electrode 161 and the second electrode 163 and to be parallel to each other.

제3 절연부(170)는 절연성 폴리머 및/또는 절연성 세라믹을 포함할 수 있고, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제3 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. The third insulating part 170 may include an insulating polymer and/or insulating ceramic, for example, a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or a Si resin. In addition, the third insulating part 170 may include light reflective and light scattering particles such as TiO 2 particles.

또한, 도시된 바와 달리, 제3 절연부(170)는 발광 구조체(120) 측면까지 덮을 수도 있으며, 이 경우, 발광 구조체(120)에서 방출된 광의 발광 각도가 달라질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연부(170)가 발광 구조체(120) 측면의 적어도 일부까지 더 덮는 경우, 발광 구조체(120)의 측면으로 방출된 광 중 일부가 발광 구조체(120)의 하면으로 반사될 수 있다. 이와 같이, 제3 절연부(170)가 배치되는 영역을 조절함으로써, 발광 소자(100a)의 발광 각도를 조절할 수 있다.Also, unlike illustrated, the third insulating part 170 may cover the side surface of the light emitting structure 120 , and in this case, the light emission angle of the light emitted from the light emitting structure 120 may vary. For example, when the third insulating part 170 further covers at least a portion of the side surface of the light emitting structure 120 , some of the light emitted to the side of the light emitting structure 120 may be reflected to the lower surface of the light emitting structure 120 . can In this way, by adjusting the region in which the third insulating part 170 is disposed, the light emission angle of the light emitting device 100a can be adjusted.

또한, 발광 소자(100a)는 제1 패드 전극(미도시) 및 제2 패드 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 패드 전극은 제3 절연부(170)의 상에 위치할 수 있고, 각각 제1 및 제2 전극(161, 163)에 전기적으로 접촉될 수 있다.In addition, the light emitting device 100a may further include a first pad electrode (not shown) and a second pad electrode (not shown). The first and second pad electrodes may be positioned on the third insulating part 170 , and may be in electrical contact with the first and second electrodes 161 and 163 , respectively.

발광 소자(100a)를 모듈 등에 적용하는 경우, 제1 및 제2 패드 전극은 발광 소자(100a)가 별도의 추가적인 기판 등에 더욱 안정적으로 실장될 수 있도록 한다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(161, 163)이 Cu 또는 Ag 입자 소결체를 포함하는 경우, 제1 및 제2 전극(161, 163)은 솔더 등에 대한 젖음성이 좋지 않다. 따라서 제1 및 제2 패드 전극을 제3 절연부(170) 상에 더 배치함으로써, 발광 소자(100a)가 안정적으로 실장될 수 있도록 할 수 있다.When the light emitting device 100a is applied to a module or the like, the first and second pad electrodes allow the light emitting device 100a to be more stably mounted on a separate additional substrate or the like. For example, when the first and second electrodes 161 and 163 include a sintered body of Cu or Ag particles, the first and second electrodes 161 and 163 have poor wettability with respect to solder or the like. Accordingly, by further disposing the first and second pad electrodes on the third insulating part 170 , the light emitting device 100a can be stably mounted.

제1 및 제2 전극 패드는 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극 패드 각각은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first and second electrode pads may include a conductive material such as metal, for example, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn. , Sb, Mg, Pb, and the like. In addition, each of the first and second electrode pads may be formed of a single layer or multiple layers.

파장변환부는 발광 구조체(120)의 하면 상에 위치할 수 있다.The wavelength converter may be located on the lower surface of the light emitting structure 120 .

파장변환부는 발광 구조체(120)에서 방출된 광의 파장을 변환시켜, 발광 소자가 원하는 파장대의 광을 방출할 수 있도록 한다. 파장변환부는 형광체 및 상기 형광체가 담지되는 담지체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 담지체 역시 통상의 기술자에게 널리 알려진 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지, 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 또한, 파장변환부는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The wavelength converter converts the wavelength of light emitted from the light emitting structure 120 so that the light emitting device can emit light in a desired wavelength band. The wavelength conversion unit may include a phosphor and a carrier on which the phosphor is supported. The phosphor may include various phosphors well known to those skilled in the art, and may include at least one of a garnet-type phosphor, an aluminate phosphor, a sulfide phosphor, an oxynitride phosphor, a nitride phosphor, a fluoride-based phosphor, and a silicate phosphor. The carrier may also use a material well known to those skilled in the art, and may include, for example, a polymer resin such as an epoxy resin or an acrylic resin, or a silicone resin. In addition, the wavelength conversion unit may be formed of a single layer or multiple layers.

상기 파장변환부는 발광 구조체(120)의 하면을 덮을 수 있고, 나아가 발광 구조체(120)의 측면까지 덮을 수 있으며, 더 나아가 제3 절연부(170)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있다.The wavelength conversion unit may cover the lower surface of the light emitting structure 120 , and may further cover the side surface of the light emitting structure 120 , and further may be formed to cover the side surface of the third insulating unit 170 .

본 실시예에서, 복수의 홀(120h)을 포함하는 발광 구조체(120)를 갖는 발광 소자(100a)에 대해서 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 구조체(120), 제1 및 제2 컨택 전극(130, 140), 제1 및 제2 절연부(151, 153)의 상호 결합·배치 관계는 다양하게 변형될 수 있으며, 이러한 변형된 형태의 발광 소자 역시 본 발명의 범위에 포함된다.In the present embodiment, the light emitting device 100a having the light emitting structure 120 including the plurality of holes 120h has been described, but the present invention is not limited thereto. The mutual coupling and arrangement relationship of the light emitting structure 120 , the first and second contact electrodes 130 and 140 , and the first and second insulating portions 151 and 153 may be variously modified. A light emitting device is also included in the scope of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.4 and 5 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5의 실시예에 따른 발광 소자(100c)는 도 1 및 도 2의 발광 소자(100a)와 대체로 유사하나, 제3 개구부(153a)에서 차이가 있고, 또한, 제1 및 제2 배선층(181, 183)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자(100c)에 대해 설명하며, 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The light emitting device 100c according to the embodiment of FIGS. 4 and 5 is substantially similar to the light emitting device 100a of FIGS. 1 and 2 , but there is a difference in the third opening 153a, and the first and second There is a difference in that wiring layers 181 and 183 are further included. Hereinafter, the light emitting device 100c of the present embodiment will be described focusing on differences, and detailed descriptions of the same configuration will be omitted.

도 4의 (a)는 발광 소자(100c)의 평면도이고, (b)는 홀(120h)의 위치 및 제3 개구부(153a)와 제4 개구부(153b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 5는 도 4의 (a)와 (b)의 B-B선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.4 (a) is a plan view of the light emitting device 100c, (b) is a plan view for explaining the position of the hole (120h) and the position of the third opening (153a) and the fourth opening (153b), Fig. 5 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to line BB in FIGS. 4A and 4B.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자(100c)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 발광 구조체(120), 제1 컨택 전극(130), 제2 컨택 전극(140), 제1 및 제2 절연부(151, 153), 제1 전극(161), 제2 전극(163), 제3 절연부(170), 제1 배선층(181) 및 제2 배선층(183)을 포함할 수 있다. 나아가, 발광 소자(100c)는 제1 및 제2 패드 전극(미도시), 성장 기판(미도시) 및 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다.4 and 5 , the light emitting device 100c includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 121 , an active layer 123 , and a second conductivity type semiconductor layer 125 , a first Contact electrode 130 , second contact electrode 140 , first and second insulating parts 151 and 153 , first electrode 161 , second electrode 163 , third insulating part 170 , It may include a first wiring layer 181 and a second wiring layer 183 . Furthermore, the light emitting device 100c may further include first and second pad electrodes (not shown), a growth substrate (not shown), and a wavelength converter (not shown).

제2 절연부(153)의 제3 개구부(153a)는 제1 컨택 전극(130)을 덮되, 제1 컨택 전극(130)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 이때, 제3 개구부(153a)는 전체 홀(120h)들 중 일부의 홀(120h)들이 위치하는 영역 상에만 형성될 수 있다. 따라서, 일부의 오믹 컨택 영역(131)들 만이 제3 개구부(153a)에 노출되고, 나머지 오믹 컨택 영역(131)들은 제2 절연부(153)에 덮일 수 있다.The third opening 153a of the second insulating part 153 may cover the first contact electrode 130 and partially expose the first contact electrode 130 . In this case, the third opening 153a may be formed only on a region in which some of the holes 120h are located. Accordingly, only a portion of the ohmic contact regions 131 may be exposed to the third opening 153a , and the remaining ohmic contact regions 131 may be covered by the second insulating portion 153 .

제3 개구부(153a)는 제4 개구부(153b)의 위치에 반대하여 위치할 수 있고, 구체적으로, 제4 개구부(153b)가 발광 소자(100c)의 일 측면에 인접하여 위치하는 경우, 제3 개구부(153a)는 상기 일 측면에 반대하여 위치하는 타 측면에 인접하여 위치할 수 있다.The third opening 153a may be positioned opposite to the position of the fourth opening 153b. Specifically, when the fourth opening 153b is positioned adjacent to one side of the light emitting device 100c, the third opening 153a may be positioned opposite to the position of the fourth opening 153b. The opening 153a may be located adjacent to the other side opposite to the one side.

한편, 본 실시예의 발광 소자(100c)는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각의 아래에 위치하는 제1 배선층(181) 및 제2 배선층(183)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 100c of the present embodiment may further include a first wiring layer 181 and a second wiring layer 183 positioned under the first electrode 161 and the second electrode 163 , respectively.

제1 배선층(181)은 제1 컨택 전극(130)과 제1 전극(161)을 전기적으로 연결할 수 있고, 제2 배선층(183)은 제2 컨택 전극(140)과 제2 전극(163)을 전기적으로 연결할 수 있다.The first wiring layer 181 may electrically connect the first contact electrode 130 and the first electrode 161 , and the second wiring layer 183 may connect the second contact electrode 140 and the second electrode 163 to each other. It can be electrically connected.

나아가, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)이 증착 또는 도금 방식을 통해 형성되는 경우, 제1 및 제2 배선층(181, 183)은 시드층 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 소결 방식을 통해 형성되는 경우에도, 웨팅층의 역할을 하여 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 안정적으로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 배선층(181, 183)에 의해 제1 및 제2 전극(161, 163)이 안정적으로 발광 구조체(120)에 접착될 수 있다.Furthermore, when the first electrode 161 and the second electrode 163 are formed through deposition or plating, the first and second wiring layers 181 and 183 may serve as seed layers. In addition, even when the first electrode 161 and the second electrode 163 are formed through the sintering method, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be stably formed by serving as a wetting layer. can play a role in helping Accordingly, the first and second electrodes 161 and 163 may be stably adhered to the light emitting structure 120 by the first and second wiring layers 181 and 183 .

따라서, 배선층들(181, 183)은 시드층 또는 웨팅층 역할을 할 수 있도록, 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 배선층들(181, 183)은 Cu, Au, Ag, Ni, Pt 등을 포함할 수 있다.Accordingly, the wiring layers 181 and 183 may include a metal material to function as a seed layer or a wetting layer. For example, the wiring layers 181 and 183 may include Cu, Au, Ag, Ni, Pt, or the like.

배선층들(181, 183)은 본 실시예에 한정되어 적용되는 것은 아니며, 다른 실시예들에 대해서도 적용될 수 있다.The wiring layers 181 and 183 are not limited to this embodiment and may be applied to other embodiments.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.6 and 7 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7의 실시예에 따른 발광 소자(100d)는 도 1 및 도 2의 발광 소자(100a)와 대체로 유사하나, 연결층(210) 및 패드 전극들(231, 233)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자(100d)에 대해 설명하며, 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The light emitting device 100d according to the embodiment of FIGS. 6 and 7 is substantially similar to the light emitting device 100a of FIGS. 1 and 2 , but further includes a connection layer 210 and pad electrodes 231 and 233 . There is a difference in point. Hereinafter, the light emitting device 100d of the present embodiment will be described focusing on the differences, and detailed description of the same configuration will be omitted.

도 6의 (a)는 발광 소자(100d)의 평면도이고, (b)는 홀(120h)의 위치 및 제3 개구부(153a)와 제4 개구부(153b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 7은 도 6의 (a)와 (b)의 C-C선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.(a) of FIG. 6 is a plan view of the light emitting device 100d, (b) is a plan view for explaining the position of the hole 120h and the position of the third opening 153a and the fourth opening 153b, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to line CC in FIGS. 6A and 6B.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자(100d)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 발광 구조체(120), 제1 컨택 전극(130), 제2 컨택 전극(140), 제1 및 제2 절연부(151, 153), 제1 전극(161), 제2 전극(163), 제3 절연부(170), 연결층(210), 및 패드 전극들(231, 233)을 포함할 수 있다. 나아가, 발광 소자(100d)는 성장 기판(미도시) 및 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다.6 and 7 , the light emitting device 100d includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 121 , an active layer 123 , and a second conductivity type semiconductor layer 125 , a first Contact electrode 130 , second contact electrode 140 , first and second insulating parts 151 and 153 , first electrode 161 , second electrode 163 , third insulating part 170 , connection It may include a layer 210 and pad electrodes 231 and 233 . Furthermore, the light emitting device 100d may further include a growth substrate (not shown) and a wavelength converter (not shown).

연결층(210)은 제1 전극(161), 제2 전극(163) 및 제3 절연부(170) 상에 위치할 수 있다.The connection layer 210 may be disposed on the first electrode 161 , the second electrode 163 , and the third insulating part 170 .

연결층(210)은 제1 연결층(211), 제2 연결층(213) 및 절연물질층(215)을 포함할 수 있다. 제1 연결층(211) 및 제2 연결층(213)은 각각 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 상에 위치하며, 전기적으로 연결될 수 있다. 절연물질층(215)은 제1 연결층(211)과 제2 연결층(213)을 절연시킨다. 절연물질층(215), 제1 연결층(211) 및 제2 연결층(213)의 상면들은 대체로 동일한 평면을 이루도록, 나란하게 형성될 수 있다.The connection layer 210 may include a first connection layer 211 , a second connection layer 213 , and an insulating material layer 215 . The first connection layer 211 and the second connection layer 213 may be disposed on the first electrode 161 and the second electrode 163 , respectively, and may be electrically connected to each other. The insulating material layer 215 insulates the first connection layer 211 and the second connection layer 213 . Top surfaces of the insulating material layer 215 , the first connection layer 211 , and the second connection layer 213 may be formed in parallel to form substantially the same plane.

제1 연결층(211) 및 제2 연결층(213)은 전기적 전도성을 갖는 금속 또는 도전성 산화물, 도전성 질화물 등을 포함할 수 있으며, 특히, 전기전도도가 높은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt 등을 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 절연물질층(215)은 SiO2, SiNx, 또는 절연성 고분자 등을 포함할 수 있다.The first connection layer 211 and the second connection layer 213 may include a metal having electrical conductivity, a conductive oxide, a conductive nitride, and the like, and in particular, Au, Ag, Cu, Ni, Pt, etc. having high electrical conductivity. It may be formed of a metal containing. The insulating material layer 215 may include SiO 2 , SiN x , or an insulating polymer.

제1 패드 전극(231) 및 제2 패드 전극(233)은 연결층(210) 상에 위치하되, 연결층(210)에 의해 전극들(161, 163)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 패드 전극(231, 233)은 각각 제1 연결층(211) 및 제2 연결층(213)에 의해 제1 및 제2 전극(161, 163)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first pad electrode 231 and the second pad electrode 233 are disposed on the connection layer 210 , and may be electrically connected to the electrodes 161 and 163 by the connection layer 210 . Specifically, the first and second pad electrodes 231 and 233 may be electrically connected to the first and second electrodes 161 and 163 by the first connecting layer 211 and the second connecting layer 213 , respectively. have.

제1 패드 전극(231) 및 제2 패드 전극(233)은 발광 소자(100d)가 별도의 추가적인 기판 등에 더욱 안정적으로 실장될 수 있도록 한다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(161, 163)이 Cu 또는 Ag 입자 소결체를 포함하는 경우, 제1 및 제2 전극(161, 163)은 솔더 등에 대한 젖음성이 좋지 않다. 따라서 제1 및 제2 패드 전극을 제3 절연부(170) 상에 더 배치함으로써, 발광 소자(100d)가 안정적으로 실장될 수 있도록 할 수 있다.The first pad electrode 231 and the second pad electrode 233 allow the light emitting device 100d to be more stably mounted on a separate additional substrate or the like. For example, when the first and second electrodes 161 and 163 include a sintered body of Cu or Ag particles, the first and second electrodes 161 and 163 have poor wettability with respect to solder or the like. Accordingly, by further disposing the first and second pad electrodes on the third insulating part 170 , the light emitting device 100d can be stably mounted.

나아가, 제1 패드 전극(231)의 수평 단면적은 제1 전극(161)의 수평 단면적에 비해 더 작을 수 있고, 제2 패드 전극(233)의 수평 단면적은 제2 전극(163)의 수평 단면적에 비해 더 클 수 있다. 특히, 제1 패드 전극(231)의 수평 단면적과 제2 패드 전극(233)의 수평 단면적은 대체로 동일할 수 있다.Furthermore, the horizontal cross-sectional area of the first pad electrode 231 may be smaller than the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 , and the horizontal cross-sectional area of the second pad electrode 233 is equal to the horizontal cross-sectional area of the second electrode 163 . may be larger than In particular, the horizontal cross-sectional area of the first pad electrode 231 and the horizontal cross-sectional area of the second pad electrode 233 may be substantially the same.

제1 전극(161)의 수평 단면적이 제2 전극(163)의 수평 단면적에 비해 훨씬 클 경우, 발광 소자를 PCB와 같은 2차 기판에 실장하는 경우 불량이 발생할 수도 있다. 또한, 이러한 발광 소자를 2차 기판에 안정적으로 실장시키기 위해서 상기 2차 기판에서 발광 소자가 실장되는 부분의 도전 패턴을 변경해야 한다. 그러나, 본 실시예의 발광 소자(100d)는 제1 패드 전극(231)과 제2 패드 전극(233)을 더 포함함으로써, 발광 소자(100d)가 2차 기판에 실장되는 면의 전극들이 일반적인 발광 소자(100d)와 유사하게 형성될 수 있다. 따라서, 공정의 추가나 변경없이 일반적인 발광 소자 실장 방법을 통해 본 발명의 발광 소자(100d)를 다양한 어플리케이션에 적용할 수 있으며, 실장 공정에서의 불량률도 감소시킬 수 있다.When the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 is much larger than the horizontal cross-sectional area of the second electrode 163 , a defect may occur when the light emitting device is mounted on a secondary substrate such as a PCB. In addition, in order to stably mount the light emitting device on the secondary substrate, the conductive pattern of the portion where the light emitting device is mounted on the secondary substrate should be changed. However, since the light emitting device 100d of the present embodiment further includes a first pad electrode 231 and a second pad electrode 233 , electrodes on the surface on which the light emitting device 100d is mounted on the secondary substrate are general light emitting devices. It can be formed similarly to (100d). Accordingly, the light emitting device 100d of the present invention can be applied to various applications through a general light emitting device mounting method without adding or changing processes, and the defect rate in the mounting process can be reduced.

제1 및 제2 패드 전극(231, 233)은 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. The first and second pad electrodes 231 and 233 may include a conductive material such as metal, for example, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb and the like may be included.

한편, 절연물질층(215)은 약 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있고, 이에 따라, 절연물질층(215)에 의해 제1 및 제2 전극(161, 163)으로부터 방출되는 열이 외부로 방출되는 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the insulating material layer 215 may have a thickness of about 10 μm or less, and accordingly, heat emitted from the first and second electrodes 161 and 163 by the insulating material layer 215 is radiated to the outside. It is possible to prevent the efficiency from being lowered.

도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.8 and 9 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9의 실시예에 따른 발광 소자(100e)는 도 6 및 도 7의 발광 소자(100d)와 대체로 유사하나, 복수의 제2 전극(163)을 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 소자(100e)에 대해 설명하며, 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The light emitting device 100e according to the embodiment of FIGS. 8 and 9 is substantially similar to the light emitting device 100d of FIGS. 6 and 7 , but is different in that it includes a plurality of second electrodes 163 . Hereinafter, the light emitting device 100e of the present embodiment will be described focusing on differences, and detailed descriptions of the same configuration will be omitted.

도 8의 (a)는 발광 소자(100e)의 평면도이고, (b)는 홀(120h)의 위치 및 제3 개구부(153a)와 제4 개구부(153b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 9는 도 8의 (a)와 (b)의 D-D선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.(a) of FIG. 8 is a plan view of the light emitting device 100e, (b) is a plan view for explaining the position of the hole 120h and the position of the third opening 153a and the fourth opening 153b, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to the line DD in FIGS. 8A and 8B.

도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자(100e)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 발광 구조체(120), 제1 컨택 전극(130), 제2 컨택 전극(140), 제1 및 제2 절연부(151, 153), 제1 전극(161), 제2 전극(163), 제3 절연부(170), 연결층(210), 및 패드 전극들(231, 233)을 포함할 수 있다. 나아가, 발광 소자(100e)는 성장 기판(미도시) 및 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다.8 and 9 , the light emitting device 100e includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 121 , an active layer 123 , and a second conductivity type semiconductor layer 125 , a first Contact electrode 130 , second contact electrode 140 , first and second insulating parts 151 and 153 , first electrode 161 , second electrode 163 , third insulating part 170 , connection It may include a layer 210 and pad electrodes 231 and 233 . Furthermore, the light emitting device 100e may further include a growth substrate (not shown) and a wavelength converter (not shown).

제2 전극(163)은 복수 개로 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 6 및 도 7의 발광 소자(100d)에 비해 홀(120h)의 개수가 증가될 수 있고, 제3 개구부(153a)의 면적이 더 커질 수 있으며, 제1 전극(161)의 수평 단면적 역시 증가될 수 있다. 제2 전극(163)들은 서로 이격될 수 있고, 일부 홀(120h)들은 제2 전극(163)들 사이에 배치될 수 있다.The second electrode 163 may be formed in plurality. Accordingly, compared to the light emitting device 100d of FIGS. 6 and 7 , the number of holes 120h may be increased, the area of the third opening 153a may be increased, and the horizontal surface of the first electrode 161 may be increased. The cross-sectional area can also be increased. The second electrodes 163 may be spaced apart from each other, and some holes 120h may be disposed between the second electrodes 163 .

본 실시예에 따르면, 제1 전극(161)의 수평 단면적이 더 증가되어, 발광 소자(100e)의 열 방출 효율이 더욱 증가할 수 있고, 발광 특성 역시 향상될 수 있다.According to the present embodiment, the horizontal cross-sectional area of the first electrode 161 is further increased, so that the heat dissipation efficiency of the light emitting device 100e can be further increased, and the light emitting characteristic can be improved.

한편, 패드 전극들(231, 233)은 생략될 수도 있다.Meanwhile, the pad electrodes 231 and 233 may be omitted.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 각각의 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 실시예들에서 설명하는 기술적 특징들의 결합 및 치환을 통하여 변경된 발명 역시 본 발명의 범위에 모두 포함되며, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
In the above, various embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to each of the above-described embodiments and features. The invention changed through the combination and substitution of technical features described in the embodiments is also included in the scope of the present invention, and various modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the claims of the present invention.

Claims (23)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극의 아래에 위치하는 제1 배선층;
상기 제2 전극의 아래에 위치하는 제2 배선층;
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부;
상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및
상기 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 상기 연결층을 통해 각각 상기 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며,
상기 제1 패드 전극의 수평 면적은 상기 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 상기 제2 전극의 수평 면적보다 크고,
상기 제1 전극은 상기 제1 컨택 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 오믹 컨택하는 부분 상에 위치하며,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함하고,
상기 복수의 오믹 컨택 영역 중 일부만 상기 제1 전극과 접촉하며,
상기 제1 배선층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 접촉하고, 상기 제2 배선층의 일부는 상기 제2 컨택 전극과 접촉하는 발광 소자.a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
first and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively;
first and second insulating portions partially covering the first and second contact electrodes;
first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively;
a first wiring layer positioned under the first electrode;
a second wiring layer positioned under the second electrode;
a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode;
a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and
a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer;
The first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively;
a horizontal area of the first pad electrode is smaller than a horizontal area of the first electrode, and a horizontal area of the second pad electrode is larger than a horizontal area of the second electrode;
the first electrode is positioned on a portion where the first contact electrode and the first conductivity-type semiconductor layer are in ohmic contact;
the first contact electrode includes a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer;
only a portion of the plurality of ohmic contact regions is in contact with the first electrode;
A portion of the first wiring layer is in contact with the first contact electrode, and a portion of the second wiring layer is in contact with the second contact electrode. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부;
상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및
상기 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 상기 연결층을 통해 각각 상기 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며,
상기 제1 패드 전극의 수평 면적은 상기 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 상기 제2 전극의 수평 면적보다 크고,
상기 제1 전극의 수평 단면적은, 상기 제1 전극과 제2 전극 각각의 수평 단면적의 합의 0.8배 이상 1배 미만인 발광 소자.a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
first and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively;
first and second insulating portions partially covering the first and second contact electrodes;
first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively;
a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode;
a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and
a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer;
The first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively;
a horizontal area of the first pad electrode is smaller than a horizontal area of the first electrode, and a horizontal area of the second pad electrode is larger than a horizontal area of the second electrode;
The horizontal cross-sectional area of the first electrode is 0.8 times or more and less than 1 time of the sum of the horizontal cross-sectional areas of each of the first electrode and the second electrode. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부;
상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및
상기 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 상기 연결층을 통해 각각 상기 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며,
상기 제1 패드 전극의 수평 면적은 상기 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 상기 제2 전극의 수평 면적보다 크고,
상기 제2 전극은 복수 개로 형성되며, 상기 제2 전극들은 상기 제2 패드 전극에 전기적으로 연결된 발광 소자.a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
first and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively;
first and second insulating portions partially covering the first and second contact electrodes;
first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively;
a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode;
a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and
a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer;
The first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively;
a horizontal area of the first pad electrode is smaller than a horizontal area of the first electrode, and a horizontal area of the second pad electrode is larger than a horizontal area of the second electrode;
The second electrode is formed in plurality, and the second electrodes are electrically connected to the second pad electrode. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮는 제1 및 제2 절연부;
상기 발광 구조체 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면을 덮는 제3 절연부;
상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 절연부 상에 위치하는 연결층; 및
상기 연결층 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 포함하고,
상기 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극은 상기 연결층을 통해 각각 상기 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결되며,
상기 제1 패드 전극의 수평 면적은 상기 제1 전극의 수평 면적보다 작고, 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 상기 제2 전극의 수평 면적보다 크고,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함하는 발광 소자.a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer positioned between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
first and second contact electrodes positioned on the light emitting structure and in ohmic contact with the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively;
first and second insulating portions partially covering the first and second contact electrodes;
first and second electrodes positioned on the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively;
a third insulating part covering side surfaces of the first electrode and the second electrode;
a connection layer disposed on the first electrode, the second electrode, and the third insulating part; and
a first pad electrode and a second pad electrode positioned on the connection layer;
The first pad electrode and the second pad electrode are electrically connected to the first electrode and the second electrode through the connection layer, respectively;
a horizontal area of the first pad electrode is smaller than a horizontal area of the first electrode, and a horizontal area of the second pad electrode is larger than a horizontal area of the second electrode;
Each of the first and second electrodes includes a light emitting device including metal particles and a non-metallic material interposed between the metal particles. 청구항 2 내지 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제1 컨택 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 오믹 컨택하는 부분 상에 위치하는 발광 소자.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
The first electrode is a light emitting device positioned on a portion where the first contact electrode and the first conductivity-type semiconductor layer are in ohmic contact. 청구항 5에 있어서,
상기 제2 전극의 아래에는, 상기 제1 컨택 전극과 상기 제1 도전형 반도체층이 오믹 컨택하는 부분이 위치하지 않는 발광 소자.6. The method of claim 5,
A light emitting device in which a portion in which the first contact electrode and the first conductivity-type semiconductor layer are in ohmic contact is not located under the second electrode. 청구항 5에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제1 컨택 전극의 상기 복수의 오믹 컨택 영역 전부와 접촉된 발광 소자.6. The method of claim 5,
the first contact electrode includes a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer;
The first electrode is in contact with all of the plurality of ohmic contact regions of the first contact electrode. 청구항 5에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함하고,
상기 복수의 오믹 컨택 영역 중 일부만 상기 제1 전극과 접촉하는 발광 소자.6. The method of claim 5,
the first contact electrode includes a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer;
A light emitting device in which only a portion of the plurality of ohmic contact regions is in contact with the first electrode. 청구항 8에 있어서,
상기 제1 전극의 아래에 위치하는 제1 배선층; 및
상기 제2 전극의 아래에 위치하는 제2 배선층을 더 포함하고,
상기 제1 배선층의 일부는 상기 제1 컨택 전극과 접촉하고, 상기 제2 배선층의 일부는 상기 제2 컨택 전극과 접촉하는 발광 소자.9. The method of claim 8,
a first wiring layer positioned under the first electrode; and
Further comprising a second wiring layer located under the second electrode,
A portion of the first wiring layer is in contact with the first contact electrode, and a portion of the second wiring layer is in contact with the second contact electrode. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 절연부의 일부는 상기 제1 배선층과 상기 제1 컨택 전극의 사이에 위치하는 발광 소자.The method according to claim 1,
A portion of the second insulating portion is positioned between the first wiring layer and the first contact electrode. 청구항 1, 청구항 3, 및 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극의 수평 단면적은, 상기 제1 전극과 제2 전극 각각의 수평 단면적의 합의 0.8배 이상 1배 미만인 발광 소자.5. The method of any one of claims 1, 3, and 4,
The horizontal cross-sectional area of the first electrode is 0.8 times or more and less than 1 times the sum of the horizontal cross-sectional areas of each of the first electrode and the second electrode. 청구항 1 내지 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 패드 전극의 수평 면적과 상기 제2 패드 전극의 수평 면적은 동일한 발광 소자.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A horizontal area of the first pad electrode and a horizontal area of the second pad electrode are the same. 청구항 1 내지 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 연결층은,
절연물질층;
상기 제1 전극과 상기 제1 패드 전극을 전기적으로 연결하며, 상기 절연물질층을 관통하는 제1 연결층; 및
상기 제2 전극과 상기 제2 패드 전극을 전기적으로 연결하며, 상기 절연물질층을 관통하는 제2 연결층을 포함하는 발광 소자.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The connection layer is
insulating material layer;
a first connection layer electrically connecting the first electrode and the first pad electrode and penetrating the insulating material layer; and
and a second connection layer electrically connecting the second electrode and the second pad electrode and penetrating the insulating material layer. 청구항 1, 청구항 2, 및 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전극은 복수 개로 형성되며, 상기 제2 전극들은 상기 제2 패드 전극에 전기적으로 연결된 발광 소자.5. The method of any one of claims 1, 2, and 4,
The second electrode is formed in plurality, and the second electrodes are electrically connected to the second pad electrode. 청구항 3에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하여 오믹 컨택하는 복수의 오믹 컨택 영역을 포함하고,
상기 복수의 오믹 컨택 영역들 중 일부는 상기 제2 전극들 사이에 배치된 발광 소자.4. The method according to claim 3,
the first contact electrode includes a plurality of ohmic contact regions in ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer;
A portion of the plurality of ohmic contact regions is disposed between the second electrodes. 청구항 1 내지 청구항 3의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함하는 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 3,
Each of the first and second electrodes includes a light emitting device including metal particles and a non-metallic material interposed between the metal particles. 청구항 4에 있어서,
상기 금속 입자들과 상기 비금속성 물질은 금속 입자 소결체 형태로 형성된 발광 소자.5. The method according to claim 4,
The metal particles and the non-metallic material are formed in the form of a metal particle sintered light emitting device. 청구항 17에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 경사진 측면을 포함하고, 상기 경사진 측면은 제1 전극 및 제2 전극 각각의 수직 단면의 접선 기울기가 변화하는 측면을 포함하는 발광 소자.18. The method of claim 17,
Each of the first electrode and the second electrode includes an inclined side surface, and the inclined side surface includes a side surface in which a tangential slope of a vertical section of each of the first electrode and the second electrode changes. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 80 내지 98 wt%의 금속 입자들을 포함하는 발광 소자.5. The method according to claim 4,
Each of the first electrode and the second electrode includes a light emitting device comprising 80 to 98 wt% of metal particles. 청구항 1 내지 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 구조체는 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층이 부분적으로 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 더 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역을 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 컨택하는 발광 소자.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The light emitting structure further includes a region in which the active layer and the second conductivity-type semiconductor layer are partially removed and the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed,
The first contact electrode is in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer through a region where the first conductivity type semiconductor layer is partially exposed. 청구항 20에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역은 복수의 홀 형태로 형성되는 발광 소자.21. The method of claim 20,
A region in which the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed is formed in the form of a plurality of holes. 청구항 21에 있어서,
상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하고,
상기 제1 절연부는 상기 제2 컨택 전극 및 발광 구조체를 덮되, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역의 일부 및 상기 제2 컨택 전극의 일부를 각각 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연부를 적어도 부분적으로 덮되, 상기 제1 개구부를 통해 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하며,
상기 제2 절연부는 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 덮되, 상기 제1 컨택 전극을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부 및 상기 제2 개구부의 위치에 대응하여 배치되어 상기 제2 컨택 전극의 일부를 노출시키는 제4 개구부를 포함하는 발광 소자.22. The method of claim 21,
The second contact electrode is located on the second conductivity type semiconductor layer,
The first insulating portion covers the second contact electrode and the light emitting structure, and includes a first opening and a second opening exposing a portion of a region exposed to the first conductivity-type semiconductor layer and a portion of the second contact electrode, respectively. and,
The first contact electrode at least partially covers the first insulating portion, and is in contact with the first conductivity-type semiconductor layer through the first opening,
The second insulating part partially covers the first contact electrode, and is disposed to correspond to positions of a third opening partially exposing the first contact electrode and a position of the second opening to expose a portion of the second contact electrode. A light emitting device including a fourth opening. 청구항 22에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제3 개구부를 통해 상기 제1 컨택 전극과 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 제4 개구부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 접촉하며,
상기 복수의 홀은 모두 상기 제3 개구부의 영역 아래에 위치하는 발광 소자.

23. The method of claim 22,
the first electrode contacts the first contact electrode through the third opening, and the second electrode contacts the second contact electrode through the fourth opening;
All of the plurality of holes are located under the area of the third opening.
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