KR102252441B1 - Method for manufacturing film formation mask and film formation mask - Google Patents

Method for manufacturing film formation mask and film formation mask Download PDF

Info

Publication number
KR102252441B1
KR102252441B1 KR1020167020500A KR20167020500A KR102252441B1 KR 102252441 B1 KR102252441 B1 KR 102252441B1 KR 1020167020500 A KR1020167020500 A KR 1020167020500A KR 20167020500 A KR20167020500 A KR 20167020500A KR 102252441 B1 KR102252441 B1 KR 102252441B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal material
magnetic metal
film
material layer
film layer
Prior art date
Application number
KR1020167020500A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160117449A (en
Inventor
미치노부 미즈무라
Original Assignee
브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 filed Critical 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
Publication of KR20160117449A publication Critical patent/KR20160117449A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102252441B1 publication Critical patent/KR102252441B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

본 발명은 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴(4)을 형성한 수지제의 필름층(1)과, 상기 개구 패턴(4)이 내재할 수 있는 크기의 틈(7)을 형성한 자성 금속 재료층(2)을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 개구 패턴(4)은 상기 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 상기 필름층(2)를 관통시켜 형성되는 것이다. The present invention is a resin film layer 1 in which an opening pattern 4 of a predetermined predetermined shape is formed, and a magnetic metal material layer in which a gap 7 having a size that can be contained in the opening pattern 4 is formed. In the method of manufacturing a film-forming mask having a laminated structure of (2), the opening pattern (4) is irradiated with laser light from both sides to the portion of the film layer (1) corresponding to the gap (7), It is formed by penetrating the layer (2).

Description

성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크{METHOD FOR MANUFACTURING FILM FORMATION MASK AND FILM FORMATION MASK}A film-forming mask manufacturing method and a film-forming mask TECHNICAL FIELD

본 발명은 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 레이저 가공에 의해 개구 패턴을 형성할 때에, 개구 패턴의 가장자리부에 버(burr)가 발생하는 것을 억제할 수 있는 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a film forming mask having a structure in which an opening pattern is formed of a resin film layer and a magnetic metal material layer. In particular, when forming an opening pattern by laser processing, the edge portion of the opening pattern is The present invention relates to a method of manufacturing a film-forming mask capable of suppressing the occurrence of burrs, and to a film-forming mask.

종래의 이러한 종류의 마스크의 제조 방법은 패턴화된 마스크를 사용하여 수지제의 필름, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저의 약 248nm의 단파장의 광의 빔을 조사하고, 상기 수지제 필름을 어브레이션하여 개구 패턴을 형성하는 것으로 되어 있었다 (예컨대, 특허 문헌 1 참조).The conventional method for manufacturing this kind of mask is to use a patterned mask to irradiate a resin film, for example, a beam of light with a short wavelength of about 248 nm of a KrF excimer laser, and ablate the resin film to form an aperture pattern. Was supposed to form (for example, see Patent Document 1).

선행 기술 문헌Prior art literature

특허 문헌Patent literature

특허 문헌 1 : 일본공표특허공보 특표2005-517810호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2005-517810

그러나, 이와 같은 종래의 마스크의 제조 방법에 있어서는, 일반적으로 수지제 필름의 한쪽의 면측에 레이저 광을 조사하여 개구 패턴을 형성하기 위하여, 개구 패턴의 레이저 광의 조사측과는 반대측의 개구 가장자리부에 잘리지 않고 남은 부분 (이하 "버(burr)"라고 한다)이 발생한다는 문제가 있다.However, in such a conventional method for manufacturing a mask, in general, in order to form an opening pattern by irradiating laser light onto one side of a resin film, the opening edge portion of the opening pattern opposite to the irradiation side of the laser light is There is a problem that a portion that is left uncut (hereinafter referred to as "burr") occurs.

이러한 버는 성막의 그늘을 형성하여 성막되는 박막 패턴의 가장자리부의 형상 흐트러짐을 발생시키거나, 성막 마스크와 피성막 기판의 사이에 틈이 생기게 하여 성막 재료가 마스크의 아래쪽에 들어가기 쉽게 하여, 박막 패턴의 가장자리부를 흐릿하게 하는 등의 문제의 발생 원인이 될 염려가 있다.Such burrs form a shade of the film formation to cause shape irregularities at the edge of the film pattern to be formed, or create a gap between the film formation mask and the film formation target substrate, so that the film formation material can easily enter the bottom of the mask, and the edge of the thin film pattern There is a fear that it may cause problems such as blurring of wealth.

이에, 본 발명은 이러한 문제점에 대처하여, 레이저 가공에 의하여 개구 패턴을 형성할 때에 개구 패턴의 가장자리부에 버가 발생하는 것을 억제할 수 있는 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a film forming mask and a film forming mask capable of suppressing the occurrence of burrs at the edge of the opening pattern when forming the opening pattern by laser processing in response to these problems. do.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법은 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 형성한 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법으로서, 상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층의 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 상기 필름층을 관통시켜 형성되는 것이다.In order to achieve the above object, the method of manufacturing a film forming mask according to the present invention includes a resin film layer having an opening pattern having a predetermined shape and a magnetic metal having a gap having a size that can be embedded in the opening pattern. A method of manufacturing a film forming mask having a structure in which material layers are laminated, wherein the opening pattern is formed by irradiating laser light from both sides to a portion of a film layer corresponding to the gap, and penetrating the film layer.

본 발명에 의하면, 필름층의 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 개구 패턴을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층의 자성 금속 재료층과는 반대측(피성막 기판과의 밀착면측)의 개구 패턴의 가장자리부에 버가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 개구 패턴의 상기 버가 성막의 그늘이 되는 것을 방지할 수 있는 동시에, 버의 존재에 의해 필름층과 피성막 기판 사이에 틈이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이에 의하면, 형상 및 위치 정밀도를 포함하는 박막 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the opening pattern is formed by irradiating laser light from both sides of the film layer, the edge of the opening pattern on the side opposite to the magnetic metal material layer of the film layer (the side in close contact with the film-forming substrate) It is possible to suppress the occurrence of burrs on the part. Accordingly, it is possible to prevent the burr of the opening pattern from becoming a shade of the film formation, and at the same time, it is possible to prevent a gap between the film layer and the substrate to be formed due to the presence of the burr. According to this, it is possible to improve the formation accuracy of the thin film pattern including the shape and position accuracy.

[도 1] 본 발명에 따른 성막 마스크의 하나의 실시예를 나타내는 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 O-O선 단면 화살 방향에서 본 도면이고, (c)는 (a)의 P-P선 단면 화살표 방향에서 본 도면이며, (d)는 (c)의 일부 확대 단면도이다.
[도 2] 본 발명에 따른 성막 마스크의 자성 금속 재료층의 변형예를 나타내는 평면도이다.
[도 3] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성예를 설명하는 도면으로, 제1의 오목부의 형성 공정을 나타내는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 제1의 오목부의 확대 단면도이다.
[도 4] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성예를 설명하는 도면으로, 제2의 오목부의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 제2의 오목부의 확대 단면도이다.
[도 5] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면으로, 관통공의 형성 공정을 나타내는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 관통공의 확대 단면도이다.
[도 6] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면으로 오목부의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 오목부의 확대 단면도이다.[Fig. 1] A diagram showing an embodiment of a film forming mask according to the present invention, (a) is a plan view, (b) is a view viewed from the direction of the OO line cross section of (a), and (c) is (a) It is a view seen from the direction of the cross section of the PP line in ), and (d) is a partially enlarged cross-sectional view of (c).
Fig. 2 is a plan view showing a modified example of the magnetic metal material layer of the film forming mask according to the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of formation of an opening pattern by the method of manufacturing a film forming mask according to the present invention, and is a cross-sectional view showing a step of forming a first concave portion, (a) shows the start of laser processing, and (b) Denotes the end of laser processing, and (c) is an enlarged cross-sectional view of the first concave portion.
[Fig. 4] A diagram for explaining an example of formation of an opening pattern by the method of manufacturing a film forming mask according to the present invention, and is a cross-sectional view showing a step of forming a second concave portion, (a) shows the start of laser processing, and (b) Denotes the end of laser processing, and (c) is an enlarged cross-sectional view of the second concave portion.
[Fig. 5] A diagram for explaining a modified example of the formation of an opening pattern by the method of manufacturing a film-forming mask according to the present invention, a cross-sectional view showing a process of forming a through hole, (a) shows the start of laser processing, and (b) Denotes the end of laser processing, and (c) is an enlarged cross-sectional view of the through hole.
[FIG. 6] A cross-sectional view showing a process of forming a concave portion, (a) showing the start of laser processing, and (b) showing the start of laser processing as a diagram illustrating a modification of the formation of an opening pattern by the method of manufacturing a film forming mask according to the present invention. It shows the end of processing, and (c) is an enlarged sectional view of a concave part.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 성막 마스크의 하나의 실시예를 나타내는 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 O-O선 단면 화살표 방향에서 바라본 도면, (c)는 (a)의 P-P선 단면 화살표 방향에서 바라본 도면, (d)는 (c)의 일부 확대 단면도이다. 이 성막 마스크는 피성막 기판 위에 미리 정해진 형상의 복수의 박막 패턴을 형성하기 위한 것으로, 필름층(1)과 자성 금속 재료층(2), 프레임(3)를 구비하여 구성되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail on the basis of the accompanying drawings. 1 is a view showing an embodiment of a film-forming mask according to the present invention, (a) is a plan view, (b) is a view viewed from the direction of the OO line cross-sectional arrow of (a), (c) is (a) A view viewed from the direction of the cross section of the PP line, (d) is a partially enlarged cross-sectional view of (c). This film forming mask is for forming a plurality of thin film patterns having a predetermined shape on a substrate to be formed, and is configured with a film layer 1, a magnetic metal material layer 2, and a frame 3.

상기 필름층(1)은 피성막 기판 위에 박막 패턴을 성막하기 위한 메인 마스크가 되는 것으로, 예를 들면 두께가 5㎛ 내지 30㎛ 정도인, 예컨대 폴리이미드 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 가시광을 투과하는 수지제의 필름에, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 미리 정해진 형상의 개구 패턴(4)을 구비한 것이다. 좋기로는 선 팽창 계수가 피성막 기판(이하, 단지 "기판"이라 한다)으로서의 유리의 선 팽창 계수에 근사한 3×10-6 내지 5×10-6/℃ 정도의 폴리이미드가 바람직하다.The film layer 1 serves as a main mask for forming a thin film pattern on a substrate to be formed, and, for example, has a thickness of about 5 µm to 30 µm, and provides visible light such as polyimide and polyethylene terephthalate (PET). As shown in Fig. 1(a), the permeable resin film is provided with an opening pattern 4 having a predetermined shape. Preferably, a polyimide having a linear expansion coefficient of about 3×10 -6 to 5×10 -6 /°C is preferable, which is close to the linear expansion coefficient of glass as the substrate to be formed (hereinafter, simply referred to as “substrate”).

상세하게는, 상기 개구 패턴(4)은, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 상기 박막 패턴과 동일한 형상을 가지며, 박막 패턴에 대응하여 가로세로 매트릭스 형상으로 배치하여, 도 1(d)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)의 한 면(1a)에 형성된, 예를 들면 4㎛ 내지 5㎛ 정도 깊이의 제1의 오목부(5)와, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 제1의 오목부(5)에 도달하는 깊이로 형성된 제2의 오목부(6)로 이루어진다. 이 경우, 좋기로는 제2의 오목부(6)의 개구 면적은 제1 오목부(5)의 개구 면적보다 넓은 것이 좋다. 또한, 제1 오목부(5)는, 후술하는 바와 같이, 필름층(1)을 관통하는 관통공(13)(도 5 참조) 이어도 좋다. Specifically, the opening pattern 4 has the same shape as the thin film pattern, as shown in Fig. 1(a), and is arranged in a horizontal and vertical matrix shape corresponding to the thin film pattern, and Fig. 1(d) As shown in FIG. 1, a first recess 5 formed on one side 1a of the film layer 1, for example, having a depth of about 4 μm to 5 μm, and the other side 1b of the film layer 1 ) Is formed with a second concave portion 6 formed to a depth reaching the first concave portion 5. In this case, preferably, the opening area of the second concave portion 6 is larger than that of the first concave portion 5. Moreover, the 1st concave part 5 may be the through hole 13 (refer FIG. 5) which penetrates the film layer 1, as mentioned later.

상기 필름층(1)의 다른 면(1b)측에 자성 금속 재료층(2)이 적층하여 형성되어있다. 이 자성 금속 재료층(2)은 개구 패턴(4)이 내재할 수 있는 크기의 틈(7)을 형성한, 예를 들면 두께가 10㎛ 내지 50㎛ 정도인, 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료로 이루어지는 것으로, 성막시에 기판의 뒷면에 배치된 자석에 의해 흡인되어 상기 필름층(1) 기판의 성막면에 밀착시키기 위한 기능을 수행하는 것이다.A magnetic metal material layer 2 is laminated and formed on the other side 1b of the film layer 1. The magnetic metal material layer 2 is formed with a gap 7 having a size that can be embedded in the opening pattern 4, for example, having a thickness of about 10 μm to 50 μm, for example, nickel, nickel alloy, It is made of a magnetic metal material such as Invar or Invar alloy, and is attracted by a magnet disposed on the back side of the substrate during film formation to perform a function of intimate contact with the film-forming surface of the film layer (1) substrate.

이 경우, 상기 틈(7)은 도 1(a) 내지 1(c)에 도시한 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)를 관통하여 형성된 슬릿이다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이 자성 금속 재료층(2)의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴(8)으로, 인접하는 상기 섬 패턴(8) 사이의 부분일 수 있다. 자성 금속 재료층(2)이, 도 2에 도시하는 바와 같은 섬 패턴(8)을 포함하는 구성인 경우에는, 자성 금속 재료층(2)와 필름층(1)과의 사이의 선팽창 계수의 차이에 기인하여 필름층(1)에 발생하는 내부 응력이 작아지고, 적층 후에 레이저 가공하여 형성되는 개구 패턴(4)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 따라서, 자성 금속 재료의 선택 범위가 넓어지는 효과가 있다. 또한, 상기 섬 패턴(8)은 그 장축 방향으로 길이가 짧은 복수 단위의 섬 패턴으로 분할되어도 좋다. 이렇게 하면, 필름층(1)에 발생하는 내부 응력을 더 작게 할 수 있다. 도 2에 있어서, 부호 9는 상기 복수의 섬 패턴(8)을 내포하는 크기의 개구를 가지고, 필름층(1)의 주변부에 적층된 자성 금속 재료층(2)의 일부를 이루는 틀 모양의 패턴이다.In this case, the gap 7 is a slit formed through the magnetic metal material layer 2 as shown in Figs. 1(a) to 1(c). In addition, as shown in FIG. 2, a plurality of elongated island patterns 8 forming a part of the magnetic metal material layer 2 may be portions between adjacent island patterns 8. In the case where the magnetic metal material layer 2 includes an island pattern 8 as shown in FIG. 2, the difference in the linear expansion coefficient between the magnetic metal material layer 2 and the film layer 1 As a result, the internal stress generated in the film layer 1 is reduced, and positional displacement of the opening pattern 4 formed by laser processing after lamination can be suppressed. Therefore, there is an effect of widening the selection range of the magnetic metal material. Further, the island pattern 8 may be divided into a plurality of units of island patterns having a short length in the long axis direction. In this way, the internal stress generated in the film layer 1 can be made smaller. In FIG. 2, reference numeral 9 is a frame-shaped pattern having an opening of a size containing the plurality of island patterns 8 and forming a part of the magnetic metal material layer 2 laminated on the periphery of the film layer 1 to be.

상기 자성 금속 재료층(2)의 상기 필름층(1)과는 반대측의 면(2a)에는 프레임(3)이 설치되어 있다. 이 프레임(3)은 상기 자성 금속 재료층(2)의 주연부를 고정하여 지지하는 것으로, 예를 들면 인바 또는 철-니켈 합금 등으로 이루어지는 자성 금속 재료로 형성되어 있으며, 상기 자성 금속 재료층(2)의 복수의 틈(7)을 내포하는 크기의 개구(10)를 가진 테두리 모양을 이루고 있다. 또한 프레임(3)은 자성 금속 재료로 이루어지는 것에 한정되지 않고, 비자성 금속 재료 또는 경질 수지로 이루어진 것으로 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 프레임(3)은 자성 금속 재료로 형성되어 있다.A frame 3 is provided on a surface 2a of the magnetic metal material layer 2 opposite to the film layer 1. The frame 3 is formed of a magnetic metal material made of, for example, an Invar or an iron-nickel alloy, by fixing and supporting the peripheral portion of the magnetic metal material layer 2, and the magnetic metal material layer 2 It has a rim shape having an opening 10 of a size to contain a plurality of gaps 7 of ). Further, the frame 3 is not limited to being made of a magnetic metal material, but is made of a non-magnetic metal material or a hard resin. In this embodiment, the frame 3 is made of a magnetic metal material.

다음으로, 이와 같이 구성된 성막 마스크의 제조 방법을 설명한다.Next, a method of manufacturing a film forming mask configured as described above will be described.

먼저, 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등으로 이루어지는 두께가 10㎛ 내지 50㎛ 정도인 자성 금속 재료의 금속 시트를, 성막 대상인 기판의 표면적에 맞추어 잘라내고, 이 금속 시트의 한 면에, 예를 들면 폴리이미드 수지액을 도포하고, 이를 200℃ 내지 300℃ 정도의 온도에서 건조시켜 두께가 5㎛ 내지 30㎛ 정도인 가시광을 투과하는 필름층(1)을 형성한다.First, a metal sheet of a magnetic metal material having a thickness of about 10 μm to 50 μm made of, for example, nickel, nickel alloy, Invar or Invar alloy is cut out according to the surface area of the substrate to be formed, and one side of the metal sheet For example, a polyimide resin solution is applied and dried at a temperature of about 200° C. to 300° C. to form a film layer 1 that transmits visible light having a thickness of about 5 μm to 30 μm.

이어서, 금속 시트의 다른 면에 레지스트를 예를 들면 스프레이 도포한 후, 이를 건조시켜 레지스트 필름을 형성하고, 다음으로, 포토 마스크를 사용하여 레지스트 필름을 노광한 후, 현상하고 복수 열의 슬릿의 형성 위치에 대응시켜 세장형의 복수의 개구를 갖는 레지스트 마스크를 형성한다.Subsequently, after spraying, for example, a resist on the other side of the metal sheet, drying it to form a resist film, and then, after exposing the resist film using a photo mask, developing and forming a plurality of rows of slits Corresponding to that, a resist mask having a plurality of elongated openings is formed.

이어서, 상기 레지스트 마스크를 사용하여 금속 시트를 웨트 에칭하고, 레지스트 마스크의 개구에 대응하는 부분의 금속 시트를 제거하여 금속 시트를 관통하는 슬릿을 형성하고 자성 금속 재료층(2)를 형성한 후, 레지스트 마스크를 예를 들면 유기 용제에 용해시켜 제거한다. 따라서 필름층(1)과 자성 금속 재료층(2)을 적층시킨 마스크용 부재(11)(도 3 참조)가 형성된다. 또한, 금속 시트를 에칭하기 위한 에칭액은 사용하는 금속 시트의 재료에 따라 적절하게 선택되고, 공지의 기술을 적용할 수 있다.Subsequently, the metal sheet is wet etched using the resist mask, the metal sheet in the portion corresponding to the opening of the resist mask is removed to form a slit penetrating the metal sheet, and a magnetic metal material layer 2 is formed, The resist mask is removed by dissolving it in an organic solvent, for example. Accordingly, a mask member 11 (see Fig. 3) in which the film layer 1 and the magnetic metal material layer 2 are laminated is formed. Further, the etching solution for etching the metal sheet is appropriately selected according to the material of the metal sheet to be used, and a known technique can be applied.

또한, 금속 시트를 에칭하여 슬릿을 형성할 때에, 복수의 슬릿의 형성 영역 외의 미리 정해진 위치에 기판에 미리 형성된 기판측 얼라인먼트 마크에 대하여 위치 결정하기 위한 마스크측 얼라인먼트 마크(12)(도 1,2 참조)를 동시에 형성하여도 좋다. 이 경우 레지스트 마스크를 형성할 때에, 마스크측 얼라인먼트 마크(12)에 대응한 위치에 얼라인먼트 마크용 개구를 형성하면 좋다.In addition, when forming slits by etching a metal sheet, a mask side alignment mark 12 for positioning with respect to a substrate side alignment mark previously formed on the substrate at a predetermined position outside the formation region of the plurality of slits (Figs. 1 and 2) Reference) may be formed at the same time. In this case, when forming the resist mask, an opening for alignment marks may be formed at a position corresponding to the alignment mark 12 on the mask side.

마스크용 부재(11)는 상기 방법에 의하지 않고, 다른 방법으로 형성되어도 좋다. 예를 들면, 필름의 일면에 시드층을 예를 들면 무전해 도금에 의해 형성하고, 그 위에 포토 레지스트를 도포하고 이를 노광 및 현상하여, 복수 열의 슬릿의 형성 위치에 대응시켜 복수 열의 섬 모양 수지 패턴을 형성한 후, 이 섬 모양 수지 패턴의 외측 영역에 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료를 도금 형성한다. 또한, 섬 모양 수지 패턴을 제거한 후, 이 섬 모양 수지 패턴의 형성 위치의 시드층을 에칭하여 제거함으로써 마스크용 부재(11)를 형성하고 있다.The mask member 11 may not be formed by the above method, but may be formed by another method. For example, a seed layer is formed on one side of the film by, for example, electroless plating, and a photoresist is applied thereon, exposed and developed, and corresponds to the formation position of a plurality of rows of slits, and a plurality of rows of island-like resin patterns After forming, a magnetic metal material such as nickel, nickel alloy, Invar or Invar alloy is plated on the outer region of the island-like resin pattern. Further, after the island-like resin pattern is removed, the seed layer at the formation position of the island-like resin pattern is etched and removed to form the mask member 11.

이에 의하여, 도 1(a)에 도시한 바와 같은 복수의 슬릿을 그 장축과 교차하는 방향으로 병설한 자성 금속 재료층(2)를 구비한 마스크용 부재(11)를 형성할 수 있다.Thereby, it is possible to form the mask member 11 provided with the magnetic metal material layer 2 in which a plurality of slits as shown in Fig. 1(a) are arranged in parallel in a direction crossing the long axis thereof.

또한, 도 2에 도시한 바와 같은 틀 모양 패턴(9) 및 이 틀 모양 패턴(9)의 안쪽에 복수의 섬 패턴(8)을 형성한 자성 금속 재료층(2)를 구비한 마스크용 부재(11)의 형성은 다음과 같이 할 수 있다. 예를 들면, 필름의 한 면에 시드층을 예를 들면 무전해 도금에 의해 형성하고, 그 위에 포토 레지스트를 도포하고 이를 노광 및 현상하고, 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치의 외측의 시드층을 덮는 수지 패턴을 형성한 후, 상기 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치에 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료를 도금 형성한다. 그리고, 수지 패턴을 제거한 후, 상기 수지 패턴의 형성 위치의 시드층을 에칭하여 제거한다.In addition, a mask member provided with a magnetic metal material layer 2 in which a plurality of island patterns 8 are formed inside the frame pattern 9 and the two frame pattern 9 as shown in FIG. 2 ( 11) can be formed as follows. For example, a seed layer is formed on one side of the film by, for example, electroless plating, a photoresist is applied thereon, exposed and developed, and a frame pattern 9 and a plurality of island patterns 8 After forming a resin pattern covering the seed layer outside the location where you want to form, nickel, nickel alloy, Invar or Invar alloy, etc. at the location where you want to form the frame pattern 9 and the plurality of island patterns 8 It is formed by plating a magnetic metal material. Then, after removing the resin pattern, the seed layer at the position where the resin pattern is formed is etched to remove it.

또는, 전술한 바와 동일하게 하여, 금속 시트의 한 면에 수지액을 도포하여 필름층(1)을 형성하고, 금속 시트의 다른 면에는 레지스트를 도포하여, 이것을 건조시킨 후, 포토 마스크를 사용하여 레지스트를 노광 및 현상하여, 상기 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치의 외측에 개구를 가진 레지스트 마스크를 형성하고, 상기 레지스트 마스크를 사용하여 상기 자성 금속 시트를 에칭함으로써, 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 가진 자성 금속 재료층(2)을 구비하는 마스크용 부재(11)를 형성하여도 좋다.Alternatively, in the same manner as described above, a resin solution is applied to one side of the metal sheet to form the film layer 1, and a resist is applied to the other side of the metal sheet, dried, and then using a photomask. By exposing and developing a resist, a resist mask having an opening is formed outside the position where the frame pattern 9 and the plurality of island patterns 8 are to be formed, and the magnetic metal sheet is formed using the resist mask. By etching, a mask member 11 including a magnetic metal material layer 2 having a frame pattern 9 and a plurality of island patterns 8 may be formed.

다음으로, 상기 마스크용 부재(11)의 자성 금속 재료층(2)에 대면시켜서, 자성 금속 재료로 이루어지는 프레임(3)을 배치하고, 상기 마스크용 부재(11)를 상기 프레임(3)에 팽팽하게 걸친 상태에서, 마스크용 부재(11)의 주연부에 레이저 광을 조사하여 자성 금속 재료층(2)을 프레임(3)의 단면에 용접한다.Next, by facing the magnetic metal material layer 2 of the mask member 11, a frame 3 made of a magnetic metal material is disposed, and the mask member 11 is tightened to the frame 3 In the state of being covered, the magnetic metal material layer 2 is welded to the end face of the frame 3 by irradiating laser light to the periphery of the mask member 11.

이어서, 본 발명의 특징인 개구 패턴 형성 공정으로 넘어간다. 이하, 개구 패턴 형성 공정에 대하여 도 3-4을 참조하여 설명한다.Next, the process proceeds to the process of forming an opening pattern, which is a feature of the present invention. Hereinafter, a process of forming an opening pattern will be described with reference to FIGS. 3-4.

먼저, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 필름층(1)의 자성 금속 재료층(2)의 반대측의 면(이하 "한 면(1a)"이라 한다)에, 예를 들면 KrF248nm의 엑시머 레이저 또는 YAG 레이저의 제3 고조파나 제4 고조파를 사용하여, 파장이 400nm 이하인 레이저 광(L)을 조사하고, 필름층(1)을 어브레이션하여, 도 3(c)에 도시하는 바와 같이 일정한 깊이의 제1의 오목부(5)를 형성한다.First, as shown in Fig. 3(a), on the side opposite to the magnetic metal material layer 2 of the film layer 1 (hereinafter referred to as "one side 1a"), for example, KrF248 nm excimer Using the third or fourth harmonic of a laser or YAG laser, a laser light L having a wavelength of 400 nm or less is irradiated, and the film layer 1 is ablated, and as shown in Fig. 3(c), a constant The first recess 5 of the depth is formed.

상세하게는, 예를 들면 미리 형성된 마스크측 얼라인먼트 마크(12)를 기준으로 하여 레이저 광을 마스크용 부재(11)의 면에 평행한 면 내에서 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 이동하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에서 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 부분에 레이저 광(L)을 조사하고, 제1 오목부(5)를 형성한다.In detail, for example, the laser light is moved by a predetermined distance in a two-dimensional direction in a plane parallel to the plane of the mask member 11 based on the previously formed mask-side alignment mark 12, and the film layer ( A laser light L is irradiated to a portion corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 on one side 1a of 1), and a first recess 5 is formed.

또는, 형성하고자 하는 개구 패턴(4)에 대응한 위치에 레이저 광(L)의 조사 목표가 되는 기준 패턴을 형성한 기준 기판 위에 마스크용 부재(11)를 위치 결정하여 장착하고, 필름층(1)을 투과하여 상기 기준 패턴을 이차원 카메라로 관찰하여, 상기 기준 패턴의 위치 좌표를 검출한 후, 레이저 광(L)의 조사 목표를 상기 기준 패턴의 상기 위치 좌표로 설정하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하고, 제1 오목부(5)를 형성하여도 좋다.Alternatively, the mask member 11 is positioned and mounted on a reference substrate on which a reference pattern to be irradiated with the laser light L is formed at a position corresponding to the opening pattern 4 to be formed, and the film layer 1 After passing through and observing the reference pattern with a two-dimensional camera, after detecting the position coordinates of the reference pattern, the irradiation target of the laser light L is set as the position coordinates of the reference pattern, One surface 1a may be irradiated with laser light L to form the first concave portion 5.

상기한 두 경우 모두 제1의 오목부(5)와 상사형의 복수의 개구부를 형성한 섀도우 마스크를 이용하는 투사형 레이저 가공 장치를 사용하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 상기 복수의 개구부를 축소 투영하여, 복수의 제1의 오목부(5)를 한꺼번에 형성하면 좋다. 또한, 도 3은 예를 들면 도 1(a)에 파선으로 둘러서 도시한 복수의 제1의 오목부(5)를 한꺼번에 형성하는 경우를 도시하고 있다.In both of the above cases, a projection type laser processing apparatus using a shadow mask having a first concave portion 5 and a plurality of similar openings is used, and the plurality of openings are provided on one side 1a of the film layer 1. It is good to reduce the projection to form a plurality of first concave portions 5 at once. In addition, FIG. 3 shows a case in which a plurality of first concave portions 5 shown surrounded by a broken line in FIG. 1(a) are formed at once.

이후, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 한 면(1a) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 한 면(1a)를 어브레이션하고, 도 3(b)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)의 한 면(1a)에 복수의 제1의 오목부(5)를 가로세로 매트릭스 형태로 배치하여 형성한다.Thereafter, as shown in Fig. 3(a), the film layer 1 while moving the laser light L by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on one side 1a of the film layer 1 And a plurality of first concave portions 5 are arranged in a horizontal and vertical matrix form on one surface 1a of the film layer 1 as shown in Fig. 3(b). To form.

이어서, 마스크용 부재(11)의 상하를 반전시켜, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)측으로부터 필름층(1)의 자성 금속 재료층(2)측의 면(이하 "다른 면(1b)"이라 한다)에 레이저 광(L)을 조사하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 상기 제1 오목부(5)에 도달하는 제2의 오목부(6)를 형성한다. 이에 의하여, 이 도4(c)에 도시한 바와 같이, 제1 오목부(5)와 제2의 오목부(6)가 연결되어, 필름층(1)을 관통하는 개구 패턴(4)이 형성된다. 바람직하게는, 제2의 오목부(6)의 개구 면적은 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 넓은 것이 바람직하다.Next, the top and bottom of the mask member 11 are reversed, and as shown in Fig. 4(a), the surface of the film layer 1 on the magnetic metal material layer 2 side from the magnetic metal material layer 2 side (Hereinafter referred to as “the other side (1b)”) is irradiated with laser light (L), and the first concave portion is formed in the portion of the film layer (1) corresponding to the gap (7) of the magnetic metal material layer (2). A second concave portion 6 reaching (5) is formed. Thereby, as shown in Fig. 4(c), the first concave portion 5 and the second concave portion 6 are connected to form an opening pattern 4 penetrating the film layer 1 do. Preferably, the opening area of the second concave portion 6 is larger than that of the first concave portion 5.

이 경우, 전술한 바와 마찬가지로, 제2의 오목부(6)와 상사형의 복수의 개구부를 형성한 섀도우 마스크를 이용하는 투사형 레이저 가공 장치를 사용하여, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 상기 복수의 개구부를 축소 투영하여, 복수의 제2의 오목부(6)을 한꺼번에 형성하면 좋다.In this case, as described above, by using a projection type laser processing apparatus using a shadow mask having a second concave portion 6 and a plurality of similar openings, the other surface 1b of the film layer 1 is described above. A plurality of openings may be reduced and projected to form a plurality of second concave portions 6 at once.

또는, 조사 면적이 복수의 제1의 오목부(5)를 내포하는 영역의 면적에 상당하는 레이저 광(L)을 사용하여 제2의 오목부(6)를 형성하고 있다. 이 경우, 자성 금속 재료층(2)이 마스크로서 기능하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분이 어브레이션되어 제2의 오목부(6)가 형성된다.Alternatively, the second concave portion 6 is formed using laser light L whose irradiation area corresponds to the area of the region including the plurality of first concave portions 5. In this case, the magnetic metal material layer 2 functions as a mask, and the portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 in the magnetic metal material layer 2 is abrasion to form a second recess 6 Is formed.

이후, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 다른 면(1b) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 다른 면(1b)을 어브레이션하고, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 도4(b)에 도시하는 바와 같이 복수의 제2의 오목부(6)를 형성한다. 이로써, 도 1 또는 도 2에 도시하는 성막 마스크가 형성된다.Thereafter, as shown in Fig. 4(a), the film layer 1 while moving the laser light L by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on the other side 1b of the film layer 1 The other side 1b of the film layer 1 is abraded, and a plurality of second concave portions 6 are formed on the other side 1b of the film layer 1 as shown in Fig. 4(b). Thereby, the film forming mask shown in FIG. 1 or 2 is formed.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 필름층(1)의 양면측으로부터 레이저 광(L)을 조사하여, 개구 패턴(4)을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층(1)의 한 면(기판과의 밀착면) (1a)측 개구 패턴(4)의 가장자리에 버가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 개구 패턴(4)의 버가 성막의 그늘이 되는 것을 방지할 수 있는 동시에, 버의 존재에 의하여 필름층(1)과 기판 사이에 틈이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이로써 형상 및 위치 정밀도를 포함한 박막 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, since the opening pattern 4 is formed by irradiating the laser light L from both sides of the film layer 1, Contact surface) It is possible to suppress the occurrence of burrs at the edge of the opening pattern 4 on the (1a) side. Accordingly, it is possible to prevent the burr of the opening pattern 4 from becoming a shade of the film formation, and at the same time, it is possible to prevent a gap between the film layer 1 and the substrate due to the presence of the burr. Accordingly, it is possible to improve the accuracy of forming a thin film pattern including shape and position accuracy.

이 경우, 제 1 오목부(5)를 형성한 후, 이 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 면적이 큰 제2의 오목부(6)를 형성하면, 상기 버의 발생을 더 억제할 수 있다. 또한, 제2의 오목부(6)의 개구 면적이 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 크므로 제2의 오목부(6)의 가공 위치 결정 정밀도는 필요하지 않게 할 수 있다.In this case, after forming the first concave portion 5, if a second concave portion 6 having an area larger than the opening area of the first concave portion 5 is formed, the occurrence of the burr is further suppressed. can do. In addition, since the opening area of the second concave portion 6 is larger than the opening area of the first concave portion 5, the precision of machining positioning of the second concave portion 6 can be made unnecessary.

다음으로, 상기 개구 패턴(4)의 형성에 대하여 다른 형성예를 설명한다.Next, another example of formation of the opening pattern 4 will be described.

도 5는 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면이고, 관통공의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 관통공의 확대 단면도이다. 도 6은 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법에서 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면이고, 오목부의 형성 공정을 도시하는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 오목부의 확대 단면도이다. 5 is a diagram illustrating a modified example of formation of an opening pattern by a method of manufacturing a film forming mask according to the present invention, a cross-sectional view showing a process of forming a through hole, (a) shows the start of laser processing, and (b) is It shows the end of laser processing, and (c) is an enlarged sectional view of a through hole. 6 is a diagram for explaining a modified example of the formation of an opening pattern in the method for manufacturing a film forming mask according to the present invention, is a cross-sectional view showing a step of forming a concave portion, (a) shows the start of laser processing, and (b) is It shows the end of laser processing, and (c) is an enlarged sectional view of a concave part.

먼저, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하여, 필름층(1)을 어브레이션하고, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)을 관통하는 관통공(13)을 형성한다.First, as shown in Fig. 5(a), a laser light L is irradiated on one side 1a of the film layer 1 to ablate the film layer 1, and then to Fig. 5(c). As shown, a through hole 13 penetrating the film layer 1 is formed.

상세하게는, 전술한 바와 같이 하여, 예를 들면 미리 형성된 마스크측 얼라인먼트 마크(12)를 기준으로 하여 레이저 광을 마스크용 부재(11)의 면에 평행한 면 내에서 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 이동하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에서 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 부분에 레이저 광(L)을 조사하여 박막 패턴과 동일한 형상의 관통 공(13)을 형성한다.In detail, as described above, for example, based on the previously formed mask-side alignment mark 12, the laser light is transmitted by a predetermined distance in the two-dimensional direction within a plane parallel to the plane of the mask member 11. After moving, laser light L is irradiated to the portion corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 on one side 1a of the film layer 1, and the through hole 13 having the same shape as the thin film pattern. ) To form.

또는, 형성하려고 하는 개구 패턴(4)에 대응한 위치에 레이저 광(L)의 조사 목표가 되는 기준 패턴을 형성한 기준 기판 위에 마스크용 부재(11)를 위치 결정하여 장착하고, 필름층(1)을 투과하여 상기 기준 패턴을 이차원 카메라로 관찰하고, 상기 기준 패턴의 위치 좌표를 검출한 후, 레이저 광(L)의 조사 목표를 상기 기준 패턴의 상기 위치 좌표로 설정하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하여, 관통 공(13)을 형성하고 있다.Alternatively, the mask member 11 is positioned and mounted on a reference substrate on which a reference pattern to be irradiated with the laser light L is formed at a position corresponding to the opening pattern 4 to be formed, and the film layer 1 After passing through and observing the reference pattern with a two-dimensional camera, and after detecting the position coordinates of the reference pattern, the irradiation target of the laser light L is set as the position coordinates of the reference pattern, One surface 1a is irradiated with laser light L to form a through hole 13.

이후, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 한 면(1a) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 한 면(1a)를 어브레이션하고, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 필름층(1)의 한 면(1a)에 복수의 관통 공(13)을 가로세로 매트릭스 형태로 배치하여 형성한다.Thereafter, as shown in Fig. 5(a), the film layer 1 while moving the laser light L by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on one side 1a of the film layer 1 And a plurality of through holes 13 are arranged in a horizontal and vertical matrix form on one surface 1a of the film layer 1, as shown in Fig. 5(b). do.

이어서, 마스크용 부재(11)의 상하를 반전시켜, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)측으로부터 필름층(1)의 다른 면(1b)에 레이저 광(L)을 조사하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 필름층(1)의 한 면(1a)측에, 예를 들면 1㎛ 내지 4㎛ 정도의 얇은 층을 남기고 상기 관통 공(13)의 개구 면적보다 넓은 개구부를 가진 오목부(14)를 형성한다. 이로써, 필름층(1)에는, 이 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 관통 공(13)과 오목부(14)로 구성된 개구 패턴(4)이 형성된다.Subsequently, the top and bottom of the mask member 11 are reversed, and as shown in Fig. 6(a), the laser light (L) is applied from the magnetic metal material layer 2 side to the other surface 1b of the film layer 1. ) Is irradiated, and the portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 is placed on one side 1a side of the film layer 1, for example, 1 μm to 4 μm. A concave portion 14 having an opening area wider than the opening area of the through hole 13 is formed while leaving a thin layer of about the same. Thereby, in the film layer 1, as shown in this FIG. 6(c), the opening pattern 4 which consists of the through hole 13 and the concave part 14 is formed.

이후, 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 다른 면(1b) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 다른 면(1b)를 어브레이션하고, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 복수의 오목부(14)를 형성한다. 이로써, 도 1 또는 도 2에 도시된 성막 마스크가 형성된다.Thereafter, as shown in Fig. 6(a), the film layer 1 while moving the laser light L by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on the other side 1b of the film layer 1 The other side 1b of the film layer 1 is abraded, and a plurality of concave portions 14 are formed on the other side 1b of the film layer 1 as shown in Fig. 6(b). As a result, the film forming mask shown in FIG. 1 or 2 is formed.

이 경우에도 필름층(1)의 양면측으로부터 레이저 광(L)을 조사하여, 개구 패턴(4)을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층(1)의 한 면(기판과의 밀착면)(1a) 측의 개구 패턴(4)의 가장자리에 버가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In this case as well, since the opening pattern 4 is formed by irradiating laser light L from both sides of the film layer 1, one side of the film layer 1 (a close contact surface with the substrate) 1a The occurrence of burrs at the edge of the opening pattern 4 on the) side can be suppressed.

따라서, 본 발명에 따른 성막 마스크는 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있으며, 예를 들면 유기 EL 표시용 기판의 발광층을 포함하는 유기 EL층의 증착 형성에 적합하다.Accordingly, the film-forming mask according to the present invention can improve adhesion to the substrate, and is suitable for deposition and formation of an organic EL layer including, for example, a light emitting layer of an organic EL display substrate.

이상의 설명에서는, 성막 마스크가 프레임(3)을 구비한 것인 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 프레임(3)은 없어도 좋다.In the above description, the case where the film forming mask is provided with the frame 3 has been described, but the present invention is not limited thereto, and the frame 3 may not be present.

1 필름층
2 자성 금속 재료층
4 개구 패턴
5 제1의 오목부
6 제2의 오목부
7 틈
8 섬 패턴
13 관통 공
14 오목부1 film layer
2 magnetic metal material layer
4 opening pattern
5 first recess
6 second recess
7 break
8 island pattern
13 through hole
14 recess

Claims (20)

제1면과 상기 제1면의 반대면인 제2면을 가지고, 상기 제1면과 제2면의 사이를 관통시켜 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 필름층의 상기 제2면에 적층되어 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 형성한 자성 금속 재료층을 구비한 구조의 성막 마스크의 제조 방법으로서,
상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측의 상기 제1면에 레이저 광을 조사하여 피성막 기판 위에 성막되는 박막 패턴과 동일한 형상의 제1의 오목부를 형성한 후, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 레이저광을 조사하여 상기 제1의 오목부보다 개구 면적이 넓은 제2의 오목부를 형성함으로써, 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법. A resin film layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and penetrating between the first surface and the second surface to form an opening pattern of a predetermined shape; and the film A method of manufacturing a film forming mask having a structure including a magnetic metal material layer stacked on the second surface of the layer to form a gap having a size that can be embedded in the opening pattern,
The opening pattern is formed by irradiating laser light on the first surface of the film layer corresponding to the gap opposite to the magnetic metal material layer to form a first concave portion having the same shape as the thin film pattern formed on the substrate to be formed. Thereafter, the second surface of the film layer on the side of the magnetic metal material layer is irradiated with laser light to form a second concave portion having an opening area larger than that of the first concave portion. Manufacturing method. 제1항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측의 상기 제1면에 레이저 광을 조사하여 일정한 깊이의 상기 제1의 오목부를 형성한 후, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 레이저 광을 조사하여 상기 제1의 오목부에 도달하는 깊이의 상기 제2의 오목부를 만들어서 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.The method of claim 1,
The opening pattern is formed on the first surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer by irradiating laser light to form the first concave portion of a predetermined depth, and then on the side of the magnetic metal material layer of the film layer. And forming the second concave portion having a depth reaching the first concave portion by irradiating the second surface with laser light. 제1항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 물질층과는 반대측의 상기 제1면에 레이저 광을 조사하여 상기 필름층을 관통하는 상기 제1의 오목부로서의 관통 공을 형성한 후, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 레이저 광을 조사하여 상기 제2의 오목부로서의 일정 깊이의 오목부를 만들어서 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.The method of claim 1,
The opening pattern is formed by irradiating laser light on the first surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer to form a through hole as the first concave portion penetrating the film layer, and then the film layer And forming a concave portion having a predetermined depth as the second concave portion by irradiating a laser light onto the second surface on the side of the magnetic metal material layer. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The gap is a method of manufacturing a film forming mask, wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴으로, 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법. The method according to any one of claims 1 to 3,
The gap is a plurality of elongated island patterns forming a part of the magnetic metal material layer, and is a portion between the adjacent island patterns. 제1면과 상기 제1면의 반대면인 제2면을 가지고, 상기 제1면과 상기 제2면의 사이를 관통시켜 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 필름층의 상기 제2면에 적층되어 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 형성한 자성 금속 재료층을 구비한 구조의 성막 마스크로서,
상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측의 상기 제1면에 레이저 광을 조사하여 형성되는, 피성막 기판 위에 성막되는 박막 패턴과 동일한 형상의 제1의 오목부와, 상기 제1의 오목부를 형성한 후에 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 레이저광을 조사하여 형성되는, 상기 제1의 오목부보다 개구 면적이 넓은 제2의 오목부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크. A resin film layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and penetrating between the first surface and the second surface to form an opening pattern having a predetermined shape; and A film formation mask having a structure including a magnetic metal material layer stacked on the second surface of the film layer to form a gap in which the opening pattern can exist,
The opening pattern is formed by irradiating laser light on the first surface of the film layer corresponding to the gap opposite to the magnetic metal material layer, a first concave having the same shape as the thin film pattern formed on the substrate to be formed. A second concave having a larger opening area than the first concave part, which is formed by irradiating a laser light onto the second surface of the film layer on the side of the magnetic metal material layer after forming the first concave part A film forming mask comprising a portion. 제6항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측의 상기 제1면에 형성된 일정 깊이의 상기 제1의 오목부와, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 상기 제1의 오목부에 도달하는 깊이로 형성된 상기 제2의 오목부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막 마스크. The method of claim 6,
The opening pattern includes the first concave portion having a predetermined depth formed on the first surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer, and the second surface of the film layer on the magnetic metal material layer side. And the second concave portion formed to a depth reaching the first concave portion. 제6항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 물질층과는 반대측의 상기 제1면에 레이저 광을 조사하여 상기 필름층을 관통시켜 형성된 상기 제1의 오목부로서의 관통공과, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 상기 제2면에 레이저 광을 조사하여 형성된 상기 제2 오목부로서의 일정 깊이의 오목부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막 마스크. The method of claim 6,
The opening pattern includes a through hole as the first concave portion formed by irradiating laser light on the first surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer to penetrate the film layer, and the magnetic property of the film layer. A film forming mask comprising a concave portion having a predetermined depth as the second concave portion formed by irradiating the second surface on the side of the metal material layer with laser light. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크. The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.The method according to any one of claims 6 to 8,
The gap is a portion between the adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns forming a part of the magnetic metal material layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020167020500A 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask KR102252441B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014018651A JP6240960B2 (en) 2014-02-03 2014-02-03 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask
JPJP-P-2014-018651 2014-02-03
PCT/JP2015/050227 WO2015115136A1 (en) 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160117449A KR20160117449A (en) 2016-10-10
KR102252441B1 true KR102252441B1 (en) 2021-05-14

Family

ID=53756714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167020500A KR102252441B1 (en) 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6240960B2 (en)
KR (1) KR102252441B1 (en)
CN (1) CN105940138B (en)
TW (1) TWI642805B (en)
WO (1) WO2015115136A1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102481383B1 (en) 2016-02-02 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 Laser processing apparatus
US11233199B2 (en) 2016-02-10 2022-01-25 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask manufacturing method, vapor deposition mask, and organic semiconductor element manufacturing method
TWI678824B (en) * 2016-07-29 2019-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 Mask and method for making same
JP6949507B2 (en) * 2016-08-05 2021-10-13 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 Thin-film mask and its manufacturing method, and laminated body for thin-film mask and its manufacturing method
KR20180034771A (en) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 Mask assembly, deposition apparatus including the same, and fabrication method of the mask assembly
CN113463018A (en) * 2016-09-30 2021-10-01 大日本印刷株式会社 Frame-integrated vapor deposition mask, production body and production method therefor, and vapor deposition pattern formation method
CN210711709U (en) * 2018-09-07 2020-06-09 凸版印刷株式会社 Intermediate for vapor deposition mask and vapor deposition mask

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101200484B1 (en) 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 Mask for projection ablation and manufacturing method thereof
JP5288072B2 (en) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask device manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379515A (en) * 1989-12-11 1995-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing electrical connecting member
JP2909639B2 (en) * 1990-03-16 1999-06-23 キヤノン株式会社 Manufacturing method of electrical connection member
JPH10154322A (en) * 1996-09-30 1998-06-09 Sony Corp Method and device to eliminate burrs of disk and disk
JP3348283B2 (en) * 2000-01-28 2002-11-20 住友重機械工業株式会社 Laser processing apparatus, laser processing mask, and method of manufacturing the same
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
JP2008121060A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd Method for producing resin-fitted mask for vacuum film deposition, and resin-fitted mask for vacuum film deposition
JP5553397B2 (en) * 2007-07-19 2014-07-16 日東電工株式会社 Laser processing method
JP2009068082A (en) * 2007-09-14 2009-04-02 Sony Corp Method for manufacturing vapor-deposition mask, and vapor-deposition mask
JP5228586B2 (en) * 2008-04-09 2013-07-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ Vapor deposition mask, vapor deposition pattern production method using the same, semiconductor wafer evaluation sample production method, semiconductor wafer evaluation method, and semiconductor wafer production method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5288072B2 (en) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask device manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
KR101200484B1 (en) 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 Mask for projection ablation and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP6240960B2 (en) 2017-12-06
TW201533266A (en) 2015-09-01
TWI642805B (en) 2018-12-01
JP2015145525A (en) 2015-08-13
CN105940138B (en) 2018-12-21
KR20160117449A (en) 2016-10-10
CN105940138A (en) 2016-09-14
WO2015115136A1 (en) 2015-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102252441B1 (en) Method for manufacturing film formation mask and film formation mask
KR102236893B1 (en) Method for manufacturing film forming mask and film forming mask
KR102155259B1 (en) Production method for film formation mask and film formation mask
KR102148970B1 (en) Deposition mask production method and laser processing apparatus
JP5958824B2 (en) Manufacturing method of vapor deposition mask
KR20190089074A (en) Deposition mask apparatus and method of manufacturing deposition mask apparatus
US20160115580A1 (en) Deposition mask and method for producing deposition mask
KR102155258B1 (en) Film forming mask
JP2013245392A (en) Vapor deposition mask and method for manufacturing the same
JP2008102360A (en) Exposure mask, method for manufacturing electronic device, and method for inspecting exposure mask
TWI682825B (en) Method for manufacturing deposition mask
KR101023396B1 (en) Manufacturing Method of Shadow Mask for Organic Electroluminicent Device
KR20190130056A (en) Vapor-deposition mask manufacturing method, vapor- deposition mask manufacturing device, laser mask, and organic semiconductor element manufacturing method
KR100700660B1 (en) Mask and method for fabricating thereof
CN111485194A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, method for manufacturing vapor deposition mask device, intermediate, vapor deposition method, and method for manufacturing organic E L display device
JP4761934B2 (en) Semiconductor substrate with alignment mark and method of manufacturing alignment mark
JP2019184742A (en) Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element
US8703611B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor structure
JP6645534B2 (en) Deposition mask with frame
KR20100010696A (en) Photomask having alignment pattern for inspecting photomask and method for fabricating the same
JP5409177B2 (en) Pattern formation method using lift-off method
KR20090044545A (en) Photo mask and method for fabricating semiconductor device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant