KR102245720B1 - 균일성 제어를 이용하는 플라즈마 스트립 도구 - Google Patents

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매슨 테크놀로지 인크
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Abstract

공정 균일성 제어를 이용하는 플라즈마 스트립 도구가 제공된다. 하나의 예시적인 구현에서, 플라즈마 처리 장치는 처리 챔버를 포함한다. 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제1 받침대를 포함한다. 제1 받침대는 제1 처리 스테이션을 획정할 수 있다. 플라즈마 처리 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제2 받침대를 포함할 수 있다. 제2 받침대는 제2 처리 스테이션을 획정할 수 있다. 장치는 제1 처리 스테이션 위에 배치된 제1 플라즈마 챔버를 포함할 수 있다. 제1 플라즈마 챔버는 제1 유도성 플라즈마 소스와 관련될 수 있다. 제1 플라즈마 챔버는 제1 분리 격자에 의해 처리 챔버로부터 분리될 수 있다. 장치는 제2 처리 스테이션 위에 배치된 제2 플라즈마 챔버를 포함할 수 있다. 제2 플라즈마 챔버는 제2 유도성 플라즈마 소스와 관련될 수 있다. 제2 플라즈마 챔버는 제2 분리 격자에 의해 처리 챔버로부터 분리될 수 있다.

Description

균일성 제어를 이용하는 플라즈마 스트립 도구
우선권 주장
본 출원은 미국 특허 가출원 제62/610,588호(발명의 명칭: "Plasma Strip Tool with Uniformity Control", 출원일: 2017년 12월 27일)의 우선권의 이득을 주장하고, 상기 기초출원은 참고로 본 명세서에 편입된다. 본 출원은 미국 특허 가출원 제62/517,365호(발명의 명칭: "Plasma Strip Tool with Uniformity Control", 출원일: 2017년 6월 9일)의 우선권의 이득을 주장하고, 상기 기초출원은 참고로 본 명세서에 편입된다. 본 출원은 미국 특허 출원 제15/888,257호(발명의 명칭: "Plasma Strip Tool with Uniformity Control", 출원일: 2018년 2월 5일)의 우선권의 이득을 주장하고, 상기 기초출원은 모든 목적을 위해 참고로 본 명세서에 편입된다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 플라즈마 소스를 사용하여 하나 이상의 기판을 처리하기 위한 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
플라즈마 처리는 반도체 웨이퍼, 및 다른 기판의 증착, 에칭, 레지스트 제거, 및 관련 처리를 위해 반도체 산업에서 광범위하게 사용된다. 플라즈마 소스(예를 들어, 마이크로파, ECR, 유도성 등)는 기판을 처리하기 위한 고밀도 플라즈마 및 반응성 종(reactive species)을 생성하는 플라즈마 처리를 위해 때때로 사용된다. 플라즈마 스트립 도구(plasma strip tool)는 포토레지스트 제거와 같은 스트립 공정에 사용될 수 있다. 플라즈마 스트립 도구는 플라즈마가 발생되는 하나 이상의 플라즈마 챔버, 및 하나 이상의 기판이 처리되는 하나 이상의 개별 처리 챔버를 포함할 수 있다. 하나 이상의 처리 챔버는 하나 이상의 기판이 플라즈마에 직접 노출되지 않도록 하나 이상의 플라즈마 챔버의 "하류"에 있을 수 있다. 분리 격자(들)는 하나 이상의 플라즈마 챔버로부터 하나 이상의 처리 챔버를 분리하도록 사용될 수 있다. 분리 격자는 중성 종에 대해 투과성일 수 있지만, 플라즈마로부터 대전된 입자에 대해 불투과성일 수 있다. 하나 이상의 분리 격자는 구멍을 갖는 재료의 시트를 포함할 수 있다.
플라즈마 스트립 도구에서의 균일성 제어는 개선된 성능(예를 들어, 개선된 회 비율 성능(ash rate performance))에 중요할 수 있다. 가스 압력 및 유동, 및 플라즈마를 발생시키도록 사용되는 유도 코일에 제공된 RF 전력과 같은 공정 파라미터를 조작함이 없이 플라즈마 스트립 도구에서 균일성을 조정하는 것은 어려울 수 있다. 균일성 제어는 트윈 챔버 플라즈마 스트립 도구와 같은 복수의 플라즈마 처리 헤드를 갖는 플라즈마 스트립 도구에서 별개의 플라즈마 처리 헤드의 성능 파라미터를 매칭시킬 때 특히 중요할 수 있다.
당업자를 대상으로 하는 실시형태의 상세한 설명이 첨부된 도면을 참조하는 본 명세서에 제시된다:
본 발명의 하나의 예시적인 양상은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 장치는 처리 챔버를 포함한다. 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제1 받침대를 포함한다. 제1 받침대는 제1 처리 스테이션을 획정할 수 있다. 플라즈마 처리 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제2 받침대를 포함할 수 있다. 제2 받침대는 제2 처리 스테이션을 획정할 수 있다. 장치는 제1 처리 스테이션 위에 배치된 제1 플라즈마 챔버를 포함할 수 있다. 제1 플라즈마 챔버는 제1 유도성 플라즈마 소스와 관련될 수 있다. 제1 플라즈마 챔버는 분리 격자에 의해 처리 챔버로부터 분리될 수 있다. 장치는 제2 처리 스테이션 위에 배치된 제2 플라즈마 챔버를 포함할 수 있다. 제2 플라즈마 챔버는 제2 유도성 플라즈마 소스와 관련될 수 있다. 제2 플라즈마 챔버는 분리 격자에 의해 처리 챔버로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 다른 예시적인 양상은 플라즈마 스트립 도구 균일성을 위한 시스템, 방법, 공정, 장치 및 디바이스에 관한 것이다.
다양한 실시형태의 이들 및 다른 특징, 양상 및 이점은 다음의 설명 및 첨부된 청구범위를 참조하여 더욱 잘 이해될 것이다. 본 명세서에 통합되어 본 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 실시형태를 예시하고, 상세한 설명과 함께 관련 원리를 설명하는 역할을 한다.
당업자를 대상으로 하는 실시형태의 상세한 설명은 첨부된 도면을 참조하여 만들어진 본 명세서에서 제시된다:
도 1은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치를 도시한 도면;
도 2는 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 예시적인 처리 챔버의 평면도;
도 3은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 예시적인 처리 챔버의 평면도;
도 4는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 평면도;
도 5는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 평면도;
도 6(a), 도 6(b) 및 도 6(c)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에서 분리 격자와 기판 사이의 거리를 조정하는 받침대의 예시적인 수직 위치 설정을 도시한 도면;
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에서 분리 격자와 기판 사이의 거리를 조정하는 하나 이상의 리프트 핀의 예시적인 수직 위치 설정을 도시한 도면;
도 8(a), 도 8(b) 및 도 8(c)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 독립형 가열 구역을 갖는 받침대를 도시한 도면;
도 9는 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치를 위한 상부 플레이트를 도시한 도면; 및
도 10은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치를 위한 상부 플레이트를 도시한 도면.
이제, 하나 이상의 예가 도면에 예시되는 실시형태를 보다 상세하게 참조할 것이다. 각각의 예는 본 발명의 제한이 아니라 실시형태를 설명하기 위해 제공된다. 실제로, 본 발명의 범위 또는 사상을 벗어남이 없이 실시형태에 대해 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 한 실시형태의 일부로서 도시되거나 설명된 특징은 다른 실시형태와 함께 사용되어 또 다른 실시형태를 산출할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 양상은 이러한 수정 및 변형을 포함하는 것으로 의도된다.
본 발명의 예시적인 양상은 플라즈마 스트립 도구와 같은 플라즈마 처리 장치에서의 균일성 제어에 관한 것이다. 일부 실시형태에서, 본 발명의 양상은 트윈 챔버 스트립 도구에서와 같이 (예를 들어, 다수의 피가공재를 처리할 수 있는) 다수의 처리 스테이션을 갖는 플라즈마 스트립 도구에서의 균일성을 개선하도록 사용될 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 처리 장치는 처리 챔버, 및 적어도 2개의 플라즈마 챔버(예를 들어, 제1 플라즈마 챔버 및 제2 플라즈마 챔버)를 포함할 수 있다. 처리 챔버는 피가공재를 위한 제1 처리 스테이션을 획정하는 제1 받침대(예를 들어, 받침대), 및 피가공재를 위한 제2 처리 스테이션을 획정하는 제2 받침대를 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 제1 받침대 및/또는 제2 받침대는 정전 척(electrostatic chuck)을 포함하지 않는다.
플라즈마를 발생시키기 위한 제1 플라즈마 챔버는 제1 처리 스테이션 위에 배치될 수 있다. 플라즈마를 발생시키기 위한 제2 플라즈마 챔버는 제2 처리 스테이션 위에 배치될 수 있다. 제1 플라즈마 챔버는 RF 에너지로 통전될 때 제1 플라즈마 챔버에 있는 공정 가스에서 플라즈마를 발생시키는 제1 유도성 플라즈마 소스(예를 들어, 유도 코일)와 관련될 수 있다. 제2 플라즈마 챔버는 RF 에너지로 통전될 때 제2 플라즈마 챔버에 있는 공정 가스에서 플라즈마를 발생시키는 제2 유도 플라즈마 소스(예를 들어, 유도 코일)와 관련될 수 있다.
제1 플라즈마 챔버에 있는 플라즈마에서 발생된 이온 및 라디칼은 분리 격자를 통과할 수 있다. 분리 격자는 이온을 필터링하여, 포토레지스트 제거와 같은 표면 처리 공정을 수행하도록 제1 처리 스테이션에서 피가공재에 노출시키기 위해 중성 입자의 통행을 가능하게 한다. 유사하게, 제2 플라즈마 챔버에 있는 플라즈마에서 발생된 이온 및 라디칼은 분리 격자를 통과할 수 있다. 분리 격자는 이온을 필터링하여, 포토레지스트 제거와 같은 표면 처리 공정을 수행하도록 제2 처리 스테이션에서 피가공재에 노출시키기 위해 중성 입자의 통행을 가능하게 한다.
본 발명의 예시적인 실시형태는 방사상 균일성, 방위각 균일성(azimuthal uniformity) 및/또는 수직 균일성의 조정 능력(tunability) 중 하나 이상을 제공할 수 있는 특징부를 사용하여 플라즈마 스트립 도구에서 균일성 조정 능력을 제공하도록 사용될 수 있다. 방사상 균일성은 플라즈마 처리 장치에서 처리된 피가공재의 중심 부분 사이로부터 플라즈마 처리 장치에서 처리된 피가공재의 주변 부분으로 연장되는 방사 방향으로의 균일성을 지칭할 수 있다. 방위각 균일성은 플라즈마 처리 장치에서 처리된 피가공재 주위의 상이한 방위각 위치에서의 공정 균일성을 지칭할 수 있다. 수직 조정 능력은 플라즈마 처리 장치의 처리 챔버에서 피가공재의 수직 움직임을 통해 공정 균일성에 영향을 미치는 능력을 지칭할 수 있다.
방위각 균일성은 특정 다중 챔버(예를 들어, 트윈 챔버) 플라즈마 처리 장치 설계에서 다루기 어려울 수 있다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치는 피가공재 온도 조절을 위한 2개의 상이한 처리 부분을 갖는 공통 받침대를 포함할 수 있다. 기판들 사이의 처리 부분 사이에서 여분의 열 질량체로 인해, 방위각 균일성은 조정하기 어려울 수 있다.
본 발명의 예시적인 양상에 따르면, 방위각 균일성은 기판을 위한 개별 받침대(예를 들어, 가열 받침대)를 사용하여 개선될 수 있다. 공통 압력 평형 배플이 방위각 균일성 개선을 위해 개별 가열 받침대와 함께 제공될 수 있다. 일부 실시형태에서, 공통 펌프를 이용한 저부 동심 개별 펌핑은 방위각 균일성 개선을 위해 개별 가열 받침대와 함께 사용될 수 있다. 일부 실시형태에서, 예를 들어, 방위각 균일성은 기판의 처리 동안(예를 들어, 스트립 공정 동안) 기판을 지지하는 받침대를 회전시키는 것에 의해 실시될 수 있다.
본 발명의 예시적인 양상에 따르면, 방사상 균일성은 예를 들어 복수의 독립형 온도 조절 구역을 갖는 받침대를 사용하여 조정될 수 있다. 각각의 온도 조절 구역은 피가공재를 가열하기 위한 하나 이상의 가열 요소를 포함할 수 있다. 추가적으로 및/또는 대안적으로, 각각의 온도 조절 구역은 피가공재를 냉각시키는 유체(예를 들어, 가스, 물, 냉각 유체 등)를 순환시키기 위한 하나 이상의 냉각 채널을 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 받침대는 정전 척을 포함하지 않을 수 있다.
일부 실시형태에서, 플라즈마 처리 장치의 처리 챔버에서 기판을 지지하도록 사용되는 받침대는 각각의 구역이 피가공재의 상이한 방사상 및/또는 방위각 부분의 가열 및/또는 냉각을 제어하도록 사용되는 다수의 온도 조절 구역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 구역 내에 위치된 가열 요소는 플라즈마 처리 장치에서 스트립 공정의 균일성에 영향을 미치기 위해 독립적으로 제어될 수 있다. 일부 실시형태에서, 받침대는 중심 온도 조절 구역 및 주변 온도 조절 구역을 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 받침대는 3개 이상의 방사상으로 분리된 온도 조절 구역을 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 받침대는 다수의 온도 조절 구역을 제공하기 위해 방위각으로 사분면 또는 다른 세분으로 분할될 수 있다. 보다 많거나 보다 적은 온도 조절 구역이 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 사용될 수 있다.
일부 실시형태에서, 균일성은 플라즈마 처리 장치에서 피가공재와 플라즈마 챔버 또는 분리 격자 사이의 거리를 조정하는 것에 의해 수직으로 조정될 수 있다. 예를 들어, 기판을 지지하는 받침대는 피가공재와 분리 격자 사이의 거리를 조정하도록 수직 방향으로 움직일 수 있다. 추가적으로 및/또는 대안적으로, 기판을 지지하는 하나 이상의 리프트 핀의 높이는 분리 격자와 피가공재 사이의 거리를 제어하도록 조정될 수 있다.
트윈 챔버 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 발생을 위해 2개의 별개의 플라즈마 챔버(예를 들어, 플라즈마 헤드) 위에 위치된 공통의 상부 플레이트를 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 상부 플레이트는 대칭 온도 조절 시스템을 포함할 수 있다. 대칭 온도 조절 시스템은 하나 이상의 가열 요소 및/또는 하나 이상의 냉각 채널을 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적인 양상에 따르면, 대칭 온도 조절 시스템은 2개의 플라즈마 챔버 사이의 상부 플레이트 온도 차이를 감소시키도록 구현될 수 있다. 일부 실시형태에서, 각각의 플라즈마 챔버는 플라즈마 소스 사이의 균일성을 향상시키기 위해 그 자체의 온도 조절 시스템과 관련될 수 있다.
본 발명의 하나의 예시적인 실시형태는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 장치는 처리 챔버를 포함한다. 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제1 받침대를 포함한다. 제1 받침대는 제1 처리 스테이션을 획정한다. 장치는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제2 받침대를 포함한다. 제2 받침대는 제2 처리 스테이션을 획정한다. 장치는 제1 처리 스테이션 위에 배치된 제1 플라즈마 챔버를 포함한다. 장치는 제2 처리 스테이션 위에 배치된 제2 플라즈마 챔버를 포함한다.
일부 실시형태에서, 처리 챔버는 제1 받침대를 제2 받침대로부터 분리하는 벽을 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 벽은 벽 온도 조절 시스템을 포함할 수 있다. 벽 온도 조절 시스템은 하나 이상의 가열 요소 및/또는 하나 이상의 냉각 채널을 포함할 수 있다. 제1 받침대 및 제2 받침대는 그 자체의 독립형 처리 챔버를 각각 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 플라즈마 처리 장치는 제1 처리 스테이션과 제2 처리 스테이션 사이에서 압력을 유지하도록 작동 가능한 압력 평형 배플을 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 장치는 제1 받침대 아래에 위치된 제1 동심 펌프 포트를 포함한다. 장치는 제2 받침대 아래에 위치된 제2 동심 펌프 포트를 포함한다. 플라즈마 처리 장치는 제1 동심 펌프 포트 및 제2 동심 펌프 포트에 결합된 공통 펌프를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 장치는 처리 챔버로부터 제1 플라즈마 챔버를 분리하는 제1 분리 격자를 포함한다. 장치는 처리 챔버로부터 제2 플라즈마 챔버를 분리하는 제2 분리 격자를 포함한다. 일부 실시형태에서, 장치는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 모두를 처리 챔버로부터 분리하는 공통 분리 격자를 포함한다.
일부 실시형태에서, 플라즈마 처리 장치는 제1 플라즈마 챔버 및 제2 플라즈마 챔버 위에 배치된 상부 플레이트를 포함한다. 상부 플레이트는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이의 대칭 온도 조절 시스템을 포함한다.
일부 실시형태에서, 제1 받침대 또는 제2 받침대 중 적어도 하나는 복수의 독립형 온도 조절 구역을 포함한다. 복수의 독립형 온도 조절 구역은 복수의 방사상으로 분할된 구역(예를 들어, 중심 구역 및 주변 구역)을 포함할 수 있다. 복수의 온도 조절 구역은 복수의 방위각으로 분할된 구역(예를 들어, 사분면)을 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 제1 받침대 또는 제2 받침대 중 적어도 하나는 분리 격자에 대한 피가공재의 수직 위치를 조정하기 위해 수직 방향으로 움직일 수 있다. 일부 실시형태에서, 제1 받침대 또는 제2 받침대 중 적어도 하나는 분리 격자에 대한 피가공재의 수직 위치를 조정하도록 작동 가능한 하나 이상의 리프트 핀을 포함한다.
본 발명의 다른 예시적인 실시형태는 제1 플라즈마 챔버 및 제2 플라즈마 챔버를 포함하는 플라즈마 스트립 도구를 위한 상부 플레이트에 관한 것이다. 상부 플레이트는 대칭 냉각 채널을 포함한다. 대칭 냉각 채널은 제1 플라즈마 챔버와 관련된 제1 부분과 제2 플라즈마 챔버와 관련된 상부 플레이트의 제2 부분 사이에서 상부 플레이트의 중심 부분에 있는 입구를 포함한다. 냉각 채널은 제1 부분과 제2 부분 사이에서 입구에 근접하여 위치된 하나 이상의 출구를 포함한다. 일부 실시형태에서, 대칭 냉각 채널은 상부 플레이트의 제1 부분과 상부 플레이트의 제2 부분 사이를 통과하는 공통 채널을 포함한다.
본 발명의 다른 예시적인 실시형태는 플라즈마 스트립 도구에 관한 것이다. 도구는 처리 챔버를 포함한다. 도구는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제1 받침대를 포함한다. 제1 받침대는 제1 처리 스테이션을 획정한다. 도구는 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능한 제2 받침대를 포함한다. 제2 받침대는 제2 처리 스테이션을 획정한다. 도구는 제1 처리 스테이션 위에 배치된 제1 플라즈마 챔버를 포함한다. 도구는 제2 처리 스테이션 위에 배치된 제2 플라즈마 챔버를 포함한다. 도구는 처리 챔버로부터 제1 플라즈마 챔버를 분리하는 제1 분리 격자를 포함한다. 도구는 처리 챔버로부터 제2 플라즈마 챔버를 분리하는 제2 분리 격자를 포함한다. 도구는 제1 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 발생시키도록 작동 가능한 제1 유도성 플라즈마 소스를 포함한다. 도구는 제2 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 발생시키도록 작동 가능한 제2 유도성 플라즈마 소스를 포함한다. 도구는 제1 받침대 아래에 위치된 제1 동심 펌프 포트를 포함한다. 도구는 제2 받침대 아래에 위치된 제2 동심 펌프 포트를 포함한다.
일부 실시형태에서, 도구는 제1 동심 펌프 포트 및 제2 동심 펌프 포트에 결합된 공통 펌프를 포함한다. 일부 실시형태에서, 도구는 제1 받침대 및 제2 받침대를 분리하는 벽을 포함한다. 벽은 온도 조절 시스템을 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 도구는 제1 플라즈마 챔버 및 제2 플라즈마 챔버에 결합된 상부 플레이트를 포함한다. 상부 플레이트는 대칭 냉각 채널을 포함할 수 있다.
본 발명의 양상은 예시 및 논의의 목적으로 "웨이퍼" 또는 반도체 웨이퍼를 참조하여 논의된다. 당업자는 본 명세서에 제공된 개시를 사용하여 본 발명의 예시적인 양상이 임의의 반도체 기판 또는 다른 적합한 기판과 관련하여 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 아울러, 수치값과 함께 용어 "약"의 사용은 언급된 수치값의 10% 이내를 의미하도록 의도된다. 또한, 용어 "플라즈마 챔버" 및 "플라즈마 헤드"는 본 명세서에서 상호 교환적으로 사용되도록 의도된다. 용어 "받침대"는 피가공재를 지지하도록 사용되는 임의의 구조를 의미한다. 일부 실시형태에서, 받침대는 정전 척을 포함하지 않는다.
이제 도면을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시형태가 설명될 것이다. 예시적인 실시형태는 2개의 받침대를 갖는 단일 처리 챔버에 연결된 2개의 플라즈마 챔버를 갖는 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치에 대하여 본 명세서에서 개시된다. 당업자는 플라즈마 처리 장치의 다양한 구성이 본 발명에 따라서 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 3개의 플라즈마 챔버, 4개의 플라즈마 챔버, 또는 임의의 다른 적합한 수의 플라즈마 챔버와 같은 2개 이상의 플라즈마 챔버를 갖는 플라즈마 처리 장치가 본 발명에 따라서 사용될 수 있다. 추가적으로 및/또는 대안적으로, 하나보다 많은 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 장치가 본 발명에 따라서 사용될 수 있다. 예를 들어, 관련된 플라즈마 챔버를 각각 갖는 복수의 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 장치가 본 발명에 따라서 사용될 수 있다. 다른 예로서, 복수의 관련 플라즈마 챔버를 각각 갖는 복수의 처리 챔버가 본 발명에 따라서 사용될 수 있다. 다른 예로서, 2개 이상을 갖는 처리 챔버가 본 발명에 따라서 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 다중 챔버 플라즈마 처리 장치(100)를 도시한다. 처리 장치(100)는 처리 챔버(110), 및 처리 챔버(110)로부터 분리된 제1 플라즈마 챔버(120)(예를 들어, 제1 플라즈마 헤드)를 포함한다. 플라즈마 처리 장치(100)는 제1 플라즈마 챔버(120)와 실질적으로 동일할 수 있는 제2 플라즈마 챔버(140)(예를 들어, 제2 플라즈마 헤드)를 포함할 수 있다. 상부 캡(124)은 제1 플라즈마 챔버(120) 및 제2 플라즈마 챔버(140) 위에 배치될 수 있다.
제1 플라즈마 챔버(120)는 유전체 측벽(122)을 포함할 수 있다. 상부 플레이트(124) 및 유전체 측벽(124)은 제1 플라즈마 챔버 내부(125)를 형성할 수 있다. 유전체 측벽(122)은 석영과 같은 임의의 적합한 유전체 재료로 형성될 수 있다.
플라즈마 처리 장치(100)는 제1 플라즈마 챔버 내부(125)에 제공된 공정 가스에서 플라즈마를 발생시키도록 구성된 제1 유도 결합 플라즈마 소스(135)를 포함할 수 있다. 제1 유도 결합 플라즈마 소스(135)는 유전체 측벽(122) 주위에 배치된 유도 코일(130)을 포함할 수 있다. 유도 코일(130)은 적합한 매칭 네트워크(132)를 통해 RF 전력 발생기(134)에 결합될 수 있다. 반응제 및/또는 캐리어 가스는 가스 공급부(도시되지 않음)로부터 챔버 내부로 제공될 수 있다. 유도 코일(130)이 RF 전력 발생기(134)로부터의 RF 전력으로 통전될 때, 실질적으로 유도성 플라즈마가 제1 플라즈마 챔버 내부(125)에서 유도된다. 일부 실시형태에서, 제1 플라즈마 챔버(120)는 플라즈마로의 유도 코일(130)의 용량성 결합을 감소시키기 위해 접지된 패러데이 차폐물(Faraday shield)을 포함할 수 있다.
제2 플라즈마 챔버(140)는 유전체 측벽(142)을 포함할 수 있다. 상부 플레이트(124) 및 유전체 측벽(142)은 제2 플라즈마 챔버 내부(145)를 형성할 수 있다. 유전체 측벽(142)은 석영과 같은 임의의 적합한 유전체 재료로 형성될 수 있다.
플라즈마 처리 장치(100)는 제2 플라즈마 챔버 내부(145)에 제공된 공정 가스에서 플라즈마를 발생시키도록 구성된 제2 유도 결합 플라즈마 소스(155)를 포함할 수 있다. 제2 유도 결합 플라즈마 소스(155)는 유전체 측벽(142) 주위에 배치된 유도 코일(150)을 포함할 수 있다. 유도 코일(150)은 적합한 매칭 네트워크(152)를 통해 RF 전력 발생기(154)에 결합될 수 있다. 반응제 및/또는 캐리어 가스는 가스 공급부(도시되지 않음)로부터 챔버 내부(145)로 제공될 수 있다. 유도 코일(150)이 RF 전력 발생기(154)로부터의 RF 전력으로 통전될 때, 실질적으로 유도성 플라즈마가 제2 플라즈마 챔버 내부(145)에서 유도된다. 일부 실시형태에서, 제2 플라즈마 챔버(150)는 플라즈마로의 유도 코일(150)의 용량성 결합을 감소시키기 위해 접지된 패러데이 차폐물을 포함할 수 있다.
제1 분리 격자(116)는 처리 챔버(110)로부터 제1 플라즈마 챔버(120)를 분리할 수 있다. 제1 분리 격자(116)는 제1 플라즈마 챔버(120)에서 플라즈마에 의해 발생된 입자의 이온 필터링을 수행하도록 사용될 수 있다. 분리 격자(116)를 통과하는 입자는 피가공재의 표면 처리(예를 들어, 포토레지스트 제거)를 위해 처리 챔버에서 피가공재(예를 들어, 반도체 웨이퍼)에 노출될 수 있다.
특히, 일부 실시형태에서, 제1 분리 격자(116)는 중성 종에 대해서는 투과성일 수 있지만, 플라즈마로부터 대전된 입자에 대해서는 불투과성일 수 있다. 예를 들어, 대전된 입자 또는 이온은 제1 분리 격자(116)의 벽에 재결합될 수 있다. 제1 분리 격자(116)는 각각의 시트 재료를 위한 구멍 패턴에 따라서 분포된 구멍을 갖는 재료의 하나 이상의 격자 플레이트를 포함할 수 있다. 구멍 패턴은 각각의 격자 플레이트에 대해 동일하거나 상이할 수 있다.
예를 들어, 구멍은 예를 들어 UV광을 감소시키거나 차단하도록 플라즈마 챔버와 처리 챔버 사이의 직접적인 시야를 구멍이 허용하지 않도록 실질적으로 평행한 구성으로 배열된 복수의 격자 플레이트 상의 복수의 구멍 패턴에 따라서 분포될 수 있다. 공정에 의존하여, 격자의 일부 또는 전부는 전도성 재료(예를 들어, Al, Si, SiC 등) 및/또는 비전도성 재료(예를 들어, 석영 등)로 만들어질 수 있다. 일부 실시형태에서, 격자(예를 들어, 격자 플레이트)의 일부가 전도성 재료로 만들어지면, 격자의 일부는 접지될 수 있다.
제2 분리 격자(166)는 처리 챔버(110)로부터 제2 플라즈마 챔버(140)를 분리할 수 있다. 제2 분리 격자(166)는 제2 플라즈마 챔버(140)에서 플라즈마에 의해 발생된 입자의 이온 필터링을 수행하도록 사용될 수 있다. 제2 분리 격자(166)를 통과한 입자는 피가공재의 표면 처리(예를 들어, 포토레지스트 제거)를 위해 처리 챔버에서 피가공재(예를 들어, 반도체 웨이퍼)에 노출될 수 있다.
특히, 일부 실시형태에서, 제2 분리 격자(166)는 중성 종에 대해 투과성일 수 있지만, 플라즈마로부터의 대전된 입자에 대해 불투과성일 수 있다. 예를 들어, 대전된 입자 또는 이온은 제2 분리 격자(166)의 벽에서 재결합될 수 있다. 제2 분리 격자(166)는 각각의 시트 재료를 위한 구멍 패턴에 따라서 분포된 구멍을 갖는 재료의 하나 이상의 격자 플레이트를 포함할 수 있다. 구멍 패턴은 각각의 격자 플레이트에 대해 동일하거나 상이할 수 있다.
예를 들어, 구멍은 예를 들어 UV광을 감소시키거나 차단하도록 플라즈마 챔버와 처리 챔버 사이의 직접적인 시야를 구멍이 허용하지 않도록 실질적으로 평행한 구성으로 배열된 복수의 격자 플레이트 상의 복수의 구멍 패턴에 따라서 분포될 수 있다. 공정에 의존하여, 격자의 일부 또는 전부는 전도성 재료(예를 들어, Al, Si, SiC 등) 및/또는 비전도성 재료(예를 들어, 석영 등)로 만들어질 수 있다. 일부 실시형태에서, 격자(예를 들어, 격자 플레이트)의 일부가 전도성 재료로 만들어지면, 격자의 일부는 접지될 수 있다.
처리 챔버(110)는 처리 동안 하나 이상의 피가공재를 홀딩하도록 작동 가능한 하나 이상의 받침대(예를 들어, 기판 홀더)를 포함할 수 있다. 도 2는 다중 챔버 플라즈마 처리 장치에 사용될 수 있는 공통 가열 받침대(112)의 평면도를 도시한다. 공통 가열 받침대(112)는 피가공재를 처리하기 위한 2개의 처리 스테이션(112a, 112b)을 포함할 수 있다. 공통 가열 받침대(112)는 처리 스테이션(112a 및 112b) 사이의 받침대(112)의 여분의 열 질량체(113)로 인해 처리 스테이션(112a 및 112b)에서 피가공재의 방위각 균일성을 조정하는 것을 어렵게 할 수 있다.
방위각 균일성을 개선하기 위해, 본 발명의 예시적인 양상에 따른 처리 챔버(110)는 제1 피가공재(214)를 처리하기 위해 제1 플라즈마 챔버(120) 아래에서 피가공재(214)를 지지하기 위한 제1 처리 스테이션을 획정하는 제1 받침대(212)(예를 들어, 가열된 받침대)를 포함할 수 있다. 처리 챔버(110)는 제2 처리 스테이션에서 제2 피가공재(224)를 처리하기 위해 제2 플라즈마 챔버(140) 아래에서 피가공재(224)를 지지하기 위한 제2 처리 스테이션을 형성하는 제2 받침대(222)(예를 들어, 가열된 받침대)을 포함할 수 있다. 제1 받침대(212)는 제1 받침대(212)와 제2 받침대(222)를 연결하는 중실형 질량체(solid mass)가 없도록 제2 받침대(222)로부터 분리된다.
일부 실시형태에서, 선택적 벽(240)은 제1 받침대(212)와 제2 받침대(222)를 분리할 수 있다. 벽(240)은 벽 온도 조절 시스템(242)을 포함할 수 있다. 벽 온도 조절 시스템(242)은 하나 이상의 가열 요소를 포함할 수 있다. 벽 온도 조절 시스템(242)은 벽을 통해 유체를 순환시키도록 작동 가능한 하나 이상의 냉각 채널을 포함할 수 있다.
독립형 받침대(212 및 222)의 사용은 공통 가열 받침대(112)의 사용으로부터 초래되는 방위각 불균일성을 감소시킬 수 있다. 일부 실시형태에서, 받침대(212 및 222)는 정전 척을 포함하지 않는다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 제1 받침대(212) 및 제2 받침대(222)를 포함하는 예시적인 처리 챔버(110)의 평면도를 도시한다. 제1 받침대(212)는 피가공재(214)를 위한 제1 처리 스테이션과 관련될 수 있다. 제2 받침대(222)는 피가공재(224)를 위한 제2 처리 스테이션과 관련될 수 있다. 제1 받침대(212) 및 제2 받침대(222)는 그 자체의 독립적인 각각의 플라즈마 챔버(예를 들어, 플라즈마 헤드)와 각각 관련될 수 있다. 제1 받침대(212) 및 제2 받침대(222)는 동일한 처리 챔버(110)에 위치될 수 있다. 공통 펌프 포트는 처리 챔버(110)와 관련될 수 있다. 압력 평형 배플(250)은 처리 챔버(110)에서 압력을 유지하기 위해 사용될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 독립형 받침대를 갖는 예시적인 플라즈마 처리 장치를 도시한다. 제1 받침대(212)는 제1 처리 스테이션과 관련될 수 있다. 제2 받침대(222)는 제2 처리 스테이션과 관련될 수 있다. 제1 받침대(212) 및 제2 받침대(222)는 그 자체의 독립적인 각각의 플라즈마 챔버(예를 들어, 플라즈마 헤드)와 각각 관련될 수 있다. 제1 받침대(212) 및 제2 받침대(222)는 별개의 처리 챔버에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 받침대(212)는 제1 처리 챔버(260)에 배치될 수 있다. 제2 받침대(222)는 제2 처리 챔버(270)에 배치될 수 있다. 제1 처리 챔버(260)는 제1 받침대(212) 상에 피가공재의 배치를 허용하기 위해 챔버 벽 및 슬릿 도어(262)를 가질 수 있다. 제2 처리 챔버(270)는 제2 받침대(222) 상에 기판의 배치를 허용하기 위해 챔버 벽 및 슬릿 도어(272)를 가질 수 있다.
제1 펌프 포트(310)(예를 들어, 동심 펌프 포트)는 제1 받침대(212) 아래에 위치될 수 있다. 제2 펌프 포트(320)(예를 들어, 동심 펌프 포트)는 제2 받침대(222) 아래에 위치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 펌프 포트(310) 및 제2 펌프 포트(320)는 펌프를 갖는 공통 플레넘(common plenum)(330)에 결합될 수 있다. 이러한 방식으로, 펌프 포트(310) 및 펌프 포트(320)는 공통 펌프에 결합될 수 있다.
일부 실시형태에서, 플라즈마 처리 장치는 공정 균일성의 수직 조정 능력을 위한 특징부를 가질 수 있다. 도 6(a) 내지 도 6(c)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에서 분리 격자/플라즈마 챔버와 피가공재 사이의 거리를 조정하기 위한 받침대의 예시적인 수직 위치 설정을 도시한다. 도 6(a)에서, 받침대(212)는 피가공재가 분리 격자(116)/플라즈마 챔버로부터 제1 거리(d1)가 되도록 제1 수직 위치에 위치된다. 도 6(a)에 도시된 받침대(212)의 위치는 피가공재 적재 작업과 관련될 수 있다. 도 6(b)에서, 받침대(212)는 피가공재가 분리 격자(116)/플라즈마 챔버로부터 제2 거리(d2)(예를 들어, 2 mm 이내)가 되도록 제2 수직 위치에 위치된다. 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)보다 작을 수 있다. 도 6(c)에서, 받침대(212)는 피가공재가 분리 격자로부터 제3 거리(d3)가 되도록 제3 수직 위치에 있다. 제3 거리(d3)는 제1 거리(d1) 및 제2 거리(d2)보다 클 수 있다. 다른 수직 위치도 본 발명의 범위 내이다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에서 분리 격자/플라즈마 소스와 피가공재 사이의 거리를 조정하기 위한 하나 이상의 리프트 핀의 예시적인 수직 위치 설정을 도시한다. 도 7(a)에서, 리프트 핀(들)(342)은 피가공재가 분리 격자(116)/플라즈마 소스로부터 제1 거리(d4)가 되도록 제1 수직 위치에 있을 수 있다. 도 7(a)에 도시된 피가공재의 위치는 피가공재 적재 작업과 관련될 수 있다. 도 7(b)에서, 리프트 핀(들)(342)은 피가공재가 분리 격자(116)/플라즈마 소스로부터 제2 거리(d2)가 되도록 제2 수직 위치에 있을 수 있다. 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)보다 작을 수 있다. 다른 수직 위치도 본 발명의 범위 내이다.
일부 실시형태에서, 각각의 받침대는 처리 동안 피가공재의 온도를 제어하도록 사용될 수 있다. 피가공재의 온도는 예를 들어 약 20℃ 내지 약 450℃의 범위에 있도록 제어될 수 있다.
일부 실시형태에서, 본 명세서에 기술된 받침대 중 임의의 것은 공정 균일성을 조정하기 위한 복수의 온도 조절 구역을 가질 수 있다. 각각의 온도 조절 구역은 하나 이상의 가열 요소 및/또는 하나 이상의 냉각 채널을 포함할 수 있다. 독립형 온도 조절 구역은 구역 사이의 온도 구배를 허용하도록 제어될 수 있다. 온도 구배는 예를 들어 약 30℃ 이하, 예를 들어 약 20℃ 이하, 예를 들어 약 10℃ 이하, 예를 들어 약 5℃ 이하, 예를 들어 약 2℃ 이하일 수 있다.
도 8(a) 내지 도 8(c)는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 예시적인 독립형 온도 조절 구역을 갖는 받침대(212)를 도시한다. 특히, 도 8(a)는 단일 온도 조절 구역을 갖는 받침대(212)를 도시한다. 도 8(b)는 3개의 방사상으로 분리된 독립형 온도 조절 구역을 갖는 받침대(212)를 도시한다. 특히, 받침대는 중심 온도 조절 구역(416) 및 주변 온도 조절 구역(414)을 포함한다. 아울러, 받침대는 주변 온도 조절 구역(414) 외부의 외부 온도 조절 구역(418)을 포함한다.
도 8(c)는 3개의 방사상으로 분리된 온도 조절 구역(예를 들어, 중심 온도 조절 구역(416), 주변 온도 조절 구역(414), 및 외부 온도 조절 구역(418))을 갖는 받침대(212)를 도시하며, 온도 조절 구역은 제1 사분면(422), 제2 사분면(424), 제3 사분면(426), 및 제4 사분면(428)과 같은 사분면으로 방위각으로 또한 분할된다. 도 8(c)에 도시된 바와 같은 온도 조절 구역의 분할은 12개의 상이한 독립형 온도 조절 구역을 초래할 수 있다. 방사상 형태 및/또는 방위각 형태 또는 다른 방식으로의 받침대의 다른 분할도 본 발명의 범위 내이다.
본 발명의 예시적인 양상은 보다 균일한 냉각을 갖는 다중 챔버 플라즈마 처리 장치를 위한 상부 캡에 관한 것이다. 상부 캡은 처리 챔버 사이의 개선된 균일성을 제공하기 위해 대칭 온도 조절 시스템(예를 들어, 냉각 채널)을 포함할 수 있다.
특히, 도 9는 제1 플라즈마 챔버(120) 및 제2 플라즈마 챔버(140)를 갖는 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 상부 플레이트(124)를 통해 냉각 유체를 순환시키기 위한 냉각 채널(520)을 도시한다. 도시된 바와 같이, 냉각 채널(520)의 입구(522) 및 출구(524)는 제2 플라즈마 챔버(140)에 근접하여 위치된다. 채널(520)을 통해 순환하는 냉각 유체(예를 들어, 물 또는 다른 냉각 유체)가 제1 플라즈마 챔버(120)와 관련된 상부 플레이트(124)의 일부에 도달하기 전에 제2 플라즈마 챔버(140)에 의해 예열될 수 있기 때문에, 제1 플라즈마 챔버(120)와 관련된 상부 플레이트(124)의 부분은 제2 플라즈마 챔버(140)와 관련된 상부 플레이트(124)의 부분보다 따뜻할 수 있다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 트윈 챔버 플라즈마 처리 장치의 상부 플레이트(124)를 통해 냉각 유체를 순환시키기 위한 냉각 채널(530)을 도시한다. 도시된 바와 같이, 상부 플레이트(124)는 대칭 냉각 채널(530)(예를 들어, 제1 플라즈마 챔버(120)와 제2 플라즈마 챔버(140) 사이를 통과하는 축을 중심으로 대칭)을 포함한다. 대칭 냉각 채널(530)은 제1 플라즈마 챔버(120)와 제2 플라즈마 챔버(140) 사이의 상부 플레이트(124)의 중심 부분에 위치된 입구(536)를 포함한다. 채널(530)은 제1 플라즈마 챔버(120)와 제2 플라즈마 챔버(140) 사이를 통과하는 공통 부분(537)을 포함한다. 채널(530)은 제1 플라즈마 챔버(120) 주위의 공통 부분(537)으로부터 제1 출구(542)로 연장되는 제1 분기부(538)를 포함한다. 제1 출구(542)는 제1 플라즈마 챔버(120)와 제2 플라즈마 챔버(140) 사이에 위치될 수 있다. 채널(530)은 제2 플라즈마 챔버(140) 주위의 공통 부분(537)으로부터 제2 출구(544)로 연장되는 제2 분기부(539)를 포함한다. 제2 출구(544)는 제1 플라즈마 챔버(120)와 제2 플라즈마 챔버(140) 사이에 위치될 수 있다. 제1 출구(542) 및/또는 제2 출구(544)는 채널(530)을 위한 입구(536)에 근접하여 위치될 수 있다.
본 발명이 그 특정의 예시적인 실시형태에 대하여 상세히 설명되었지만, 당업자는 전술한 내용을 이해할 때 이러한 실시형태에 대한 대안, 이러한 실시형태의 변형 및 등가물을 용이하게 만들 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것이며, 본 발명은 당업자에 의해 용이하게 예측되는 바와 같이 본 요지에 대한 이러한 수정, 변형 및/또는 추가를 포함하는 것을 배제하지 않는다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 처리 장치로서,
    처리 챔버;
    상기 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능하고, 제1 처리 스테이션을 획정하는 제1 받침대;
    상기 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능하고, 제2 처리 스테이션을 획정하는 제2 받침대;
    상기 제1 처리 스테이션 위에 배치되고, 제1 유도성 플라즈마 소스와 관련되며, 제1 분리 격자에 의해 상기 처리 챔버로부터 분리되는 제1 플라즈마 챔버;
    상기 제2 처리 스테이션 위에 배치되고, 제2 유도성 플라즈마 소스와 관련되며, 제2 분리 격자에 의해 상기 처리 챔버로부터 분리되는 제2 플라즈마 챔버; 및
    상기 제1 플라즈마 챔버 및 상기 제2 플라즈마 챔버 위에 배치되는 상부 플레이트를 포함하며,
    상기 상부 플레이트는 냉각 채널을 포함하는 대칭 온도 조절 시스템을 포함하고,
    상기 냉각 채널은 제1 플라즈마 챔버 주위로 연장되는 제1 분기부(branch) 및 제2 플라즈마 챔버 주위로 연장되는 제2 분기부를 가지며,
    상기 냉각 채널은 상기 제1 분기부 및 제2 분기부를 위한 입구를 가지며,
    상기 냉각 채널은 상기 제1 분기부를 위한 제1 출구 및 제2 분기부를 위한 제2 출구를 가지며,
    상기 상부 플레이트가 플라즈마 스트립 도구에 위치할 때, 상기 입구는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이에 위치하는, 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리 챔버는 상기 제2 받침대로부터 상기 제1 받침대를 분리하는 벽을 가지며, 상기 벽은 벽 온도 조절 시스템을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 벽 온도 조절 시스템은 하나 이상의 가열 요소를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 벽 온도 조절 시스템은 하나 이상의 냉각 채널을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 복수의 받침대에 연결되어 상기 제1 처리 스테이션과 상기 제2 처리 스테이션 사이에서 압력을 유지하도록 작동 가능한 압력 평형 배플을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 장치는 상기 제1 받침대 아래에 위치된 제1 동심 펌프 포트 및 상기 제2 받침대 아래에 위치된 제2 동심 펌프 포트를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 장치는 상기 제1 동심 펌프 포트 및 상기 제2 동심 펌프 포트에 결합된 공통 펌프를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 받침대 또는 상기 제2 받침대 중 적어도 하나는 복수의 독립형 온도 조절 구역을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 독립형 온도 조절 구역의 각각은 하나 이상의 가열 요소를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 복수의 독립형 온도 조절 구역의 각각은 하나 이상의 냉각 채널을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 복수의 독립형 온도 조절 구역은 복수의 방사상으로 분할된 구역을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 복수의 독립형 온도 조절 구역은 복수의 방위각으로 분할된 구역을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1 받침대 또는 상기 제2 받침대 중 적어도 하나는 피가공재의 수직 위치를 조정하도록 수직 방향으로 움직일 수 있는, 플라즈마 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제1 받침대 또는 상기 제2 받침대 중 적어도 하나는 피가공재의 수직 위치를 조정하도록 작동 가능한 하나 이상의 리프트 핀을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  16. 제1 플라즈마 챔버 및 제2 플라즈마 챔버를 포함하는 플라즈마 스트립 도구(plasma strip tool)를 위한 상부 플레이트로서,
    상기 상부 플레이트는 대칭 온도 조절 시스템을 포함하고,
    상기 상부 플레이트가 플라즈마 스트립 도구에 위치할 때, 상기 대칭 온도 조절 시스템은 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이를 통과하는 공통 채널을 가지는 냉각 채널을 포함하고,
    상기 냉각 채널은 제1 플라즈마 챔버 주위의 공통 채널로부터 연장되는 제1 분기부 및 제2 플라즈마 챔버 주위의 공통 채널로부터 연장되는 제2 분기부를 가지며,
    상기 냉각 채널은 공통 채널과 유체 연통(fluid communication)하는 입구를 가지며,
    상기 상부 플레이트가 플라즈마 스트립 도구에 위치할 때, 상기 입구는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이에 위치하고,
    상기 냉각 채널은 제1 분기부를 위한 제1 출구 및 제2 분기부를 위한 제2 출구를 가지며,
    상기 상부 플레이트가 플라즈마 스트립 도구에 위치할 때, 상기 제1 출구 및 상기 제2 출구는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이에 위치하는, 플라즈마 스트립 도구를 위한 상부 플레이트.
  17. 삭제
  18. 플라즈마 스트립 도구로서,
    처리 챔버;
    상기 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능하고, 제1 처리 스테이션을 획정하는 제1 받침대;
    상기 처리 챔버에서 피가공재를 지지하도록 작동 가능하고, 제2 처리 스테이션을 획정하는 제2 받침대;
    상기 제1 처리 스테이션 위에 배치된 제1 플라즈마 챔버;
    상기 제2 처리 스테이션 위에 배치된 제2 플라즈마 챔버;
    상기 처리 챔버로부터 상기 제1 플라즈마 챔버를 분리하는 제1 분리 격자;
    상기 처리 챔버로부터 상기 제2 플라즈마 챔버를 분리하는 제2 분리 격자;
    상기 제1 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 발생시키도록 작동 가능한 제1 유도성 플라즈마 소스;
    상기 제2 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 발생시키도록 작동 가능한 제2 유도성 플라즈마 소스;
    상기 제1 받침대 아래에 위치된 제1 동심 펌프 포트;
    상기 제2 받침대 아래에 위치된 제2 동심 펌프 포트; 및
    상기 제1 플라즈마 챔버 및 상기 제2 플라즈마 챔버 위에 배치되는 상부 플레이트를 포함하며,
    상기 상부 플레이트는 냉각 채널을 포함하는 대칭 온도 조절 시스템을 포함하고,
    상기 냉각 채널은 제1 플라즈마 챔버 주위로 연장되는 제1 분기부(branch) 및 제2 플라즈마 챔버 주위로 연장되는 제2 분기부를 가지며,
    상기 냉각 채널은 상기 제1 분기부 및 제2 분기부를 위한 입구를 가지며,
    상기 냉각 채널은 상기 제1 분기부를 위한 제1 출구 및 제2 분기부를 위한 제2 출구를 가지며,
    상기 상부 플레이트가 플라즈마 스트립 도구에 위치할 때, 상기 입구는 제1 플라즈마 챔버와 제2 플라즈마 챔버 사이에 위치하는, 플라즈마 스트립 도구.
  19. 제18항에 있어서, 상기 도구는 상기 제1 동심 펌프 포트 및 상기 제2 동심 펌프 포트에 결합된 공통 펌프를 더 포함하는, 플라즈마 스트립 도구.
  20. 제18항에 있어서, 상기 도구는 상기 제1 받침대와 상기 제2 받침대를 분리하는 벽을 더 포함하되, 상기 벽은 하나 이상의 가열 요소 또는 하나 이상의 냉각 채널을 포함하는, 플라즈마 스트립 도구.
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