KR102245633B1 - 대기압 플라즈마 반응장치 - Google Patents

대기압 플라즈마 반응장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102245633B1
KR102245633B1 KR1020190108269A KR20190108269A KR102245633B1 KR 102245633 B1 KR102245633 B1 KR 102245633B1 KR 1020190108269 A KR1020190108269 A KR 1020190108269A KR 20190108269 A KR20190108269 A KR 20190108269A KR 102245633 B1 KR102245633 B1 KR 102245633B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric
refrigerant
electrode
plasma
cooling unit
Prior art date
Application number
KR1020190108269A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210026874A (ko
Inventor
최용남
Original Assignee
플람 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 플람 주식회사 filed Critical 플람 주식회사
Priority to KR1020190108269A priority Critical patent/KR102245633B1/ko
Publication of KR20210026874A publication Critical patent/KR20210026874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102245633B1 publication Critical patent/KR102245633B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2418—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H2001/2418—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00—Auxiliary systems
    • H05H2242/10—Cooling arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 대기압에서 DBD 방식의 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위한 대기압 플라즈마 반응장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치는, 고전압 전원이 인가되는 전극; 상기 전극의 하면 및 측면을 감싸도록 설치되는 유전체; 상기 유전체 하측에 상기 유전체와 일정 간격 이격되도록 접지되어 설치되며, 상기 유전체와 플라즈마 발생 공간을 형성하고 발생된 플라즈마를 하측으로 분사하는 접지판; 상기 플라즈마 발생 공간으로 원료 가스를 주입하며, 상기 유전체의 상면과 결합되어 설치되는 커버 부재; 상기 전극의 상면과 상기 커버 부재 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극을 냉각시키는 제1 냉각부; 상기 접지판의 가장자리와 상기 커버부재의 가장자리 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극 측부 및 플라즈마 발생공간을 냉각시키는 제2 냉각부;를 포함한다.

Description

대기압 플라즈마 반응장치{A APPARATUS FOR REACING PLASMA AT ATM}
본 발명은 대기압 플라즈마 반응장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기압에서 DBD 방식의 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위한 대기압 플라즈마 반응장치에 관한 것이다.
대기압에서 Plasma를 형성시켜 여러 산업 분야에서 세정 및 접착력 향상, 도장 전 처리 등에서 널리 사용하고 있다. 대기압에서 안정한 plasma를 형성하기 위해서는 전기적으로 충분한 절연과 세라믹과 금속과의 부분 방전현상에 의해 발생하는 열을 냉각을 고려한 기계 설계가 반영되어야 한다.
현재까지 나와 있는 반응기 구조 특성상 plasma 형성시 발생하는 열을 효율적으로 냉각시키지 못하고 있으며, 세라믹과 metal이 직접 노출된 상태에서 plasma가 형성되기 때문에 plasma 형성 시 부수적으로 발생하는 파티클에 영향을 받을 수밖에 없는 구조이다.
따라서 대기압 plasma 장치는 열에 의해 기계적인 문제를 발생시켜 파손되거나 파티클에 민감한 공정이나 산업 분야에 적용할 수 없는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 기생 플라즈마 발생 현상 없이 대기압에서 DBD 방식의 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위한 대기압 플라즈마 반응장치를 제공하는 것이다.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치는, 고전압 전원이 인가되는 전극; 상기 전극의 하면 및 측면을 감싸도록 설치되는 유전체; 상기 유전체 하측에 상기 유전체와 일정 간격 이격되도록 접지되어 설치되며, 상기 유전체와 플라즈마 발생 공간을 형성하고 발생된 플라즈마를 하측으로 분사하는 접지판; 상기 플라즈마 발생 공간으로 원료 가스를 주입하며, 상기 유전체의 상면과 결합되어 설치되는 커버 부재; 상기 전극의 상면과 상기 커버 부재 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극을 냉각시키는 제1 냉각부; 상기 접지판의 가장자리와 상기 커버부재의 가장자리 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극 측부 및 플라즈마 발생공간을 냉각시키는 제2 냉각부;를 포함한다.
그리고 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치에는, 상기 제1 냉각부와 제2 냉각부에 순차적으로 냉매를 순환시키는 냉매 순환부가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치에서 상기 유전체 상면과 상기 커버 부재 하면 사이에는 플라즈마 발생 가능 영역을 차단하는 차단부재가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 차단부재는 오링 또는 차단 패드인 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치에서 상기 커버부재 하면 가장자리에는, 상기 유전체의 측면 위치를 한정하는 유전체 고정부재가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응장치에서 상기 유전체 하면과 상기 접지판 상면 사이에는 상기 유전체와 접지판 사이의 간격을 유지하는 간격 유지부재가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 간격 유지부재는 금속 또는 PEEK 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 대기압 플라즈마 반응장치에 의하면, 대기압 plasma 전극의 열에 의한 파손 및 내구성 문제를 해결할 수 있으며, 대기압 plasma 장비의 파티클 발생 문제를 최소화할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명에 의하면 공정가스의 유속이 증가하여 세정에 영향을 미치는 활성입자들이 처리물질에 도달하는 시간을 줄이면서 표면에 활성입자의 양들이 많아져 세정효과를 향상시킬 수 있으며, 조립의 편의성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)의 구조를 도시하는 횡단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1, 2 냉각부와 냉매 순환부의 결합구조를 도시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1, 2 냉각부에서의 냉매 흐름을 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)의 구조를 도시하는 부분 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)의 구조를 도시하는 종단면도이다.
도 6, 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)의 구조를 도시하는 부분 종단면도들이다.
도 8은 본 발명과 종래 기술의 냉각 효과를 대비하는 그래프이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 전극(210), 유전체(220), 접지판(310), 커버 부재(100), 제1 냉각부(400) 및 제2 냉각부(500)를 포함하여 구성된다.
먼저 상기 전극(210)은 고전압 전원이 인가되는 구성요소이며, 상기 접지판(310)과 유전체(220)를 사이에 두고 설치되어, 플라즈마를 발생시키는 것이다. 따라서 상기 전극(210)에는 외부에 설치되는 고전압 전원 발생장치에 연결되어 고전압 전원을 공급하는 전원 공급선(도면에 미도시)이 연결되어 설치된다. 그리고 상기 전극(210)은 발생되는 플라즈마 영역의 형상에 따라서 다양한 형상으로 변화될 수 있다.
다음으로 상기 유전체(220)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전극(210)의 하면 및 측면을 감싸도록 설치되는 구성요소이다. 상기 유전체(220)는 세라믹 등으로 구성될 수 있다.
다음으로 상기 접지판(310)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 유전체(220) 하측에 상기 유전체(220)와 일정 간격 이격되도록 접지되어 설치되며, 상기 유전체(220)와 플라즈마 발생 공간(320)을 형성하고 발생된 플라즈마를 하측으로 분사하는 구성요소이다. 따라서 상기 접지판(310)에는 발생된 플라즈마가 통과하여 분사되는 플라즈마 분사구(312)가 상기 접지판(310)을 두께 방향으로 관통하여 형성되며, 상기 플라즈마 분사구(312)는 균일하게 분포된다.
한편 상기 접지판(310)과 상기 유전체(220) 사이의 이격 공간을 작을수록 플라즈마 밀도가 높아서 바람직하다. 따라서 상기 접지판(310)과 유전체(220) 사이의 간격은 매우 좁은 상태에서 일정하게 유지되어야 하는데, 이를 위하여 간격 유지부재(340)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 간격 유지부재(340)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 유전체(220) 하면과 상기 접지판(310) 상면 사이에 설치되어 상기 유전체(220)와 접지판(310) 사이의 간격을 유지하는 것이다. 따라서 상기 간격 유지부재(340)는 상기 접지판(310) 상면에 일체로 형성될 수도 있고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 접지판(310) 상면에 음각되어 형성되는 설치홈(314)에 삽입되어 설치될 수도 있다.
그리고 본 실시예에서 상기 간격 유지부재(340)는, 금속 또는 PEEK 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
다음으로 상기 커버 부재(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 유전체(220)의 상면과 결합되어 설치되며, 본 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)의 상면 전체를 덮어서 외부와 차단하는 구성요소이다. 따라서 상기 커버 부재(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 유전체(220) 상면, 제1, 2 냉각부(400, 500)과 각각 결합되어 설치된다.
그리고 상기 커버 부재(100)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생 공간(320) 내로 플라즈마 발생을 위한 원료 가스를 공급하는 원료가스 공급구(120)가 더 설치된다.
한편 이렇게 상기 원료가스 공급구(120)에 의하여 공급되는 원료가스는 상기 유전체(220)와 커버 부재(100) 사이의 틈으로 스며들어서 플라즈마 발생 가능 영역(S1) 내인 상기 전극(210) 상면과 제1 냉각부(400) 사이의 공간에서 기생 방전에 의해 파티클을 발생시키는 문제점이 있다.
따라서 본 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)에서 상기 유전체(220) 상면과 상기 커버 부재(100) 하면 사이에는 도 1, 4에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 가능 영역(S1)을 차단하는 차단부재(230)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 차단부재(230)는 상기 커버 부재(100)를 상기 유전체(220)에 결합시키는 과정에서 압축되면서 양자 사이의 공간을 완벽하게 차단시키는 것이며, 상기 커버 부재는 오링 또는 차단 패드로 구성될 수 있다.
다음으로 상기 제1 냉각부(400)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전극(210)의 상면과 상기 커버 부재(100) 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극(210)을 냉각시키는 구성요소이다. 따라서 상기 제1 냉각부(400)는 상기 전극(210)을 직접 냉각하기 위하여 상기 전극(210) 상면에 직접 접촉하도록 설치되며, 그 내부에 냉매가 순환할 수 있는 냉매 순환 유로가 형성된다.
다음으로 상기 제2 냉각부(500)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 접지판(310)의 가장자리와 상기 커버부재(100)의 가장자리 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극(210) 측부 및 플라즈마 발생공간(320)을 냉각시키는 구성요소이다. 따라서 상기 제2 냉각부(500)는 도 1, 2에 도시된 바와 같이, 상기 전극(210)을 사이에 두고 양측에 각각 설치되며, 그 내부에 냉매가 순환할 수 있는 냉매 순환 유로가 형성된다.
다음으로 본 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 냉각부(400)와 제2 냉각부(500)에 순차적으로 냉매를 순환시키는 냉매 순환부(600)가 더 구비된다. 본 실시예에서 상기 제1, 2 냉각부(400, 500)에 순차적으로 냉매를 순환시키기 위하여, 상기 냉매 순환부(600)는 도 2에 도시된 바와 같이, 구체적으로 냉매 도입부(610), 냉매 전달부(620) 및 냉매 회수부(630)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 냉매 도입부(610)는 외부에 설치되는 냉매 탱크(도면에 미도시)로부터 냉매를 공급받아 상기 제1 냉각부(400)로 최초로 도입하는 구성요소이다. 그리고 상기 냉매 전달부(620)는 상기 제1 냉각부(400)와 제2 냉각부(500) 사이에 설치되며, 상기 제1 냉각부(400)를 통과하고 배출되는 냉매를 다시 제2 냉각부(500)로 분할하여 전달하는 구성요소이다. 마지막으로 상기 냉매 회수부(630)는 도 2에 도시된 바와 같이, 양측의 제2 냉각부(500)를 각각 순환하고 배출되는 냉매를 회수하여 다시 냉매 탱크로 돌려 보내는 구성요소이다.
이러한 제1, 2 냉각부(400, 500)와 냉매 순환부(600)에 의하면 도 3에 도시된 바와 같은, 경로로 냉매가 순환되며, 이렇게 효과적인 냉매 순환 방식에 의하면 도 8에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 반응장치에 비하여 현저하게 효과적으로 냉각이 이루어지는 것을 확인할 수 있다.
한편 본 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치(1)에서 상기 커버부재(230) 하면 가장자리에는, 상기 유전체(220)의 측면 위치를 한정하는 유전체 고정부재(110)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 유전체(220)에 좌우 방향으로 흔들리는 경우에는 상기 전극 설치 공간의 밀폐가 어려울 수 있으므로, 상기 유전체 고정부재(110)가 상기 유전체(220)의 좌우측에서 밀착되어 상기 유전체(220)의 좌우 유동을 방지하는 것이다.
1 : 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 반응장치
100 : 커버 부재 210 : 전극
220 : 유전체 310 : 접지판
400 : 제1 냉각부 500 : 제2 냉각부
600 : 냉매 순환부

Claims (7)

  1. 고전압 전원이 인가되는 전극;
    상기 전극의 하면 및 측면을 감싸도록 설치되는 유전체;
    상기 유전체 하측에 상기 유전체와 일정 간격 이격되도록 접지되어 설치되며, 상기 유전체와 플라즈마 발생 공간을 형성하고 발생된 플라즈마를 하측으로 분사하는 접지판;
    상기 플라즈마 발생 공간으로 원료 가스를 주입하며, 상기 유전체의 상면과 결합되어 설치되는 커버 부재;
    상기 전극의 상면과 상기 커버 부재 사이에 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극을 냉각시키는 제1 냉각부;
    상기 접지판의 가장자리와 상기 커버부재의 가장자리 사이에 상기 전극을 사이에 두고 양측에 각각 설치되며, 외부에서 공급되는 냉매가 순환하여 상기 전극 측부 및 플라즈마 발생공간을 냉각시키는 한 쌍의 제2 냉각부;
    상기 제1 냉각부와 제2 냉각부에 순차적으로 냉매를 순환시키는 냉매 순환부;
    상기 유전체 상면과 상기 커버 부재 하면 사이에는 플라즈마 발생 가능 영역 내인 상기 전극 상면과 제1 냉각부 사이의 공간을 차단하는 차단부재;를 포함하며,
    상기 냉매 순환부는,
    외부에 설치되는 냉매 탱크로부터 냉매를 공급받아 상기 제1 냉각부로 최초로 도입하는 냉매 도입부;
    상기 제1 냉각부와 제2 냉각부 사이에 설치되며, 상기 제1 냉각부를 통과하고 배출되는 냉매를 다시 한 쌍의 제2 냉각부로 분할하여 전달하는 냉매 전달부;
    양측의 제2 냉각부를 각각 순환하고 배출되는 냉매를 회수하여 다시 냉매 탱크로 돌려 보내는 냉매 회수부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 반응장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 차단부재는,
    오링 또는 차단 패드인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 반응장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 커버부재 하면 가장자리에는, 상기 유전체의 측면 위치를 한정하는 유전체 고정부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 반응장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 하면과 상기 접지판 상면 사이에는 상기 유전체와 접지판 사이의 간격을 유지하는 간격 유지부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 반응장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 간격 유지부재는,
    금속 또는 PEEK 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 반응장치.
KR1020190108269A 2019-09-02 2019-09-02 대기압 플라즈마 반응장치 KR102245633B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190108269A KR102245633B1 (ko) 2019-09-02 2019-09-02 대기압 플라즈마 반응장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190108269A KR102245633B1 (ko) 2019-09-02 2019-09-02 대기압 플라즈마 반응장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210026874A KR20210026874A (ko) 2021-03-10
KR102245633B1 true KR102245633B1 (ko) 2021-04-29

Family

ID=75148487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190108269A KR102245633B1 (ko) 2019-09-02 2019-09-02 대기압 플라즈마 반응장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102245633B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073910A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2012038839A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Panasonic Corp プラズマ処理装置及び方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100805690B1 (ko) * 2006-07-11 2008-02-21 한국기계연구원 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기
KR20130032483A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 주식회사 에이비에스피 파티클 발생을 줄이고 세정효과를 향상시킨 대기압 플라즈마 전극 구조

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073910A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2012038839A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Panasonic Corp プラズマ処理装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210026874A (ko) 2021-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100552378B1 (ko) 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조
KR102394132B1 (ko) 활성 가스 생성 장치
KR100650094B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101974289B1 (ko) 성막 장치에의 가스 분사 장치
JPH0992493A (ja) 表面処理装置
KR101254342B1 (ko) 플라즈마 발생 장치
KR102245633B1 (ko) 대기압 플라즈마 반응장치
CN112334599B (zh) 活性气体生成装置及成膜处理装置
KR101098976B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101425495B1 (ko) 이오나이저용 접속 커넥터 및 연결형 이오나이저
KR20090125471A (ko) 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마표면처리장치
JP4296523B2 (ja) プラズマ発生装置
JP6482014B2 (ja) プラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理システム
KR20080074587A (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR20060001859A (ko) 상압 플라즈마 발생장치
JP2934852B1 (ja) プラズマ処理装置
KR101092963B1 (ko) 대기압 플라즈마 발생장치
CN112563110A (zh) 等离子体处理装置
JP6242946B2 (ja) 炭素繊維の表面処理方法
KR102002907B1 (ko) 플라즈마 발생 장치
KR101550272B1 (ko) 플라즈마 생성 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 에칭 장치
KR20140024709A (ko) 대기압 플라즈마 처리 장치
KR100541276B1 (ko) 대기압 플라즈마 발생장치
KR101909467B1 (ko) 안정적인 고속 표면처리가 가능한 선형 플라즈마 발생 장치
KR100820916B1 (ko) 리모트 저온 플라즈마 반응기

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right