KR102244994B1 - AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법 및 AlN을 함유한 압전막 - Google Patents

AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법 및 AlN을 함유한 압전막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 진공 챔버(1) 내에서 적어도 2개의 타깃(4; 5)의 마그네트론 스퍼터링을 이용해서 기판(2) 위에 AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 상기 타깃들 중 적어도 하나의 타깃(4; 5)은 알루미늄을 포함하고, 진공 챔버(1) 내로 가스 혼합물이 유입되고, 상기 가스 혼합물은 적어도 반응 가스 질소와 불활성 가스를 포함하고, 마그네트론 스퍼터링 동안 단극성 플러스 모드와 양극성 플러스 모드가 교대로 이용된다. 또한 본 발명은 (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1)인, 화학식 AlXNYOZ의 AlN을 함유한 막에 관한 것이다.

Description

AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법 및 AlN을 함유한 압전막{METHOD FOR DEPOSITING A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN, AND A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN}
본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용해서 기판 위에 압전 AlN 막을 증착하는 방법 및 AlN을 함유한 압전막에 관한 것이다.
센서들의 제조 시 압전 효과가 이용될 수 있는 재료들이 점점 중요해지고 있다. 즉 상기 재료들은 전압의 인가 시 변형된다. 압전 효과에 중요한 재료 파라미터는 압전 전하 상수 d이다. 상기 압전 전하 상수는 인가된 전계 강도와 그에 따른 압전 효과 재료의 팽창 사이의 함수 관계를 나타낸다. 따라서 예를 들어 압전 전하 상수 d33은 인가된 전계와 동시에 압전 재료의 팽창 또는 수축을 나타낸다.
압전 특성에 대해 질화알루미늄(AlN)을 함유한 막이 공개되어 있다. 양호한 압전 특성을 달성하기 위해 작은 오차 범위만을 허용하는 특정한 공정 파라미들에 의한 소수의 공정만이 이러한 AlN을 함유한 막들의 증착에 적합하다. 0보다 큰 압전 전하 상수 d33을 갖는 AlN 막이 증착되어야 하는 경우에, AlN 막의 결정 성장 동안 소위 c-축 배향이라고 하는 AlN결정의 특수한 결정 배향을 필요로 한다.
마그네트론 스퍼터링을 이용해서 AlN을 함유한 압전 효과 막들이 증착될 수 있는 것이 공개되어 있다. Interface study of AlN grown on Si substrates by radiofrequency magnetron reactive sputtering(J.X. Zang, Y.Z. Chen, H. Cheng, A. Uddin, Shu Yuan, K. Pita, T.G. Andersson, Thin Solid Films 471(2005) 336-341)에 반응성 RF-스퍼터링을 이용해서 c-축 배향을 갖는 AlN 막들을 증착하는 것이 제안된다. RF-스프터링 시 바람직하지 않게, 압전 AlN 막들의 증착 시 약 10 nm/min의 낮은 증착률만이 달성될 수 있다.
US 2009/0246385 A1호에, 압전 AlN 막들이 반응성 RF-스퍼터링 외에 반응성 펄스 마그네트론 스퍼터링(20 kHz 내지 200 kHz)을 이용해서도 증착 가능한 것이 공개되어 있다. DC-에너지 공급에 의한 스퍼터링 방법은 기생 아크 방전으로 인해 공정 안정성과 관련해서 매우 바람직하지 않다.
전술한 방법에 의해 기본적으로 압전 AlN 막들의 증착을 위한 몇 가지 가능성이 공개되어 있더라도, 이는 상기 방법에서 막 두께가 증가함에 따라 증착된 막 내에 막의 손상을 야기할 수 있는 기계적 응력이 발생하는 점과 관련해서 제한된다. 따라서 Deposition of ultrathin AlN films for high frequency electroacoustic devices(Valery V. Felmestger, Pavel N. Laptev, Roger J. Graham, J. Vac. Sci. Technol. A 29(2), 2011년 2월 14일)에 40 kHz의 펄스 마그네트론 스퍼터링을 이용해서 약 2 ㎛의 막 두께까지만 충분히 작은 기계적 응력을 갖는 압전 AlN 막들을 증착할 수 있는 것이 공개되어 있다.
본 발명의 과제는 선행기술의 단점들을 극복하는 방법을 제공하는 것이다. 특히 본 발명에 따른 방법에 의해 100 nm/min 이상의 증착률에서 c-축 배향과 압전 전하 상수 d33을 갖고, 2 ㎛의 막 두께 이상에서도 500 MPa보다 작은 크기의 충분히 작은 기계적 막응력을 갖는 AlN를 함유한 압전막이 증착될 수 있어야 한다. 또한 AlN을 함유한 압전 효과 막이 제공되어야 한다.
상기 과제는 청구범위 제1항 및 제9항의 특징을 포함하는 대상들에 의해 해결된다. 본 발명의 다른 바람직한 실시예들은 종속 청구항에 제시된다.
높은 증착률의 요구로 인해 본 발명에 따른 방법에서 반응성 펄스 마그네트론 스퍼터링이 이용된다. 이로써 적어도 하나의 스퍼터링 마그네트론을 이용해서 적어도 하나의 불활성 가스와 가스 질소를 포함하는 가스 혼합물의 적어도 2개의 타깃이 무화됨으로써, 진공 챔버 내에서 기판 위에 AlN을 함유한 막이 증착된다. 이 경우 2개의 타깃 중 적어도 하나의 타깃은 원소 알루미늄을 포함하고, 즉 타깃은 알루미늄만으로 이루어지거나 알루미늄 외에 적어도 하나의 다른 화학 원소의 성분도 포함한다. 불활성 가스로서 바람직하게 아르곤이 사용된다. 10 kHz 내지 300 kHz의 주파수 범위에서 마그네트론 내로 펄스식 에너지 공급에 의해 방전의 충분한 안정성이 보장된다. 본 발명에 따른 방법에서 출력 밀도는 적어도 11 W/㎠이다. 특히 단극성 펄스 모드가 50% 이상의 비율을 차지하는 펄스 혼합 모드가 이용되면, 적어도 18 W/㎠의 출력 밀도가 이용될 수도 있다. 출력 밀도란 이 경우 타깃 내로 도입되는 타깃 면적 단위당 전력이다. 다수의 타깃 또는 다수의 마그네트론을 포함하는 장치에서, 모든 마그네트론의 전체 출력이 모든 타깃의 전체 면적으로 분배됨으로써 출력 밀도가 형성된다.
막 내의 낮은 기계적 응력과 동시에 증착된 AlN 막의 양호한 압전 효과의 요구는 고에너지 입자에 의한 성장하는 AlN 막의 매우 균형적인 충격을 필요로 하는데, 그 이유는 입자에 의한 매우 강한 기판 충격은 확실한 c-축 배향과 높은 압전 효과를 갖는 막들의 형성에 바람직하지만, 다른 한편으로는 막 내에 높은 압축 응력의 형성도 야기하기 때문이다. 본 발명에 따라 이러한 기술적인 문제들은, 펄스 혼합 모드가 이용됨으로써, 즉 AlN을 함유한 막의 증착 동안에 마그네트론이 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드에서 교대로 작동됨으로써 해결된다. 이 경우 하나의 펄스 모드로부터 다른 펄스 모드로 및 반대로 교대는 AlN을 함유한 막의 개별 원자층의 증착에 필요한 주기보다 짧은 주기 내에 이루어진다.
본 발명은 하기에서 실시예를 참고로 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 실시하는 데 적합한 장치를 개략적으로 도시한 도면.
진공 챔버(1) 내에서 기판(2) 위에 AlN을 함유한 압전 효과 막이 증착되어야 한다. 증착 공정은 정지 상태에서, 즉 기판(2)의 이동 없이 실시된다. 또한 플라즈마 스크린(3)으로 둘러싸인 마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 알루미늄으로 이루어진 2개의 타깃(4, 5)이 무화된다. 전극(6) 또한 플라즈마 스크린(3)으로 둘러싸인다.
AlN을 함유한 막의 본 발명에 따른 증착은, 코팅될 기판이 코팅 중에 마그네트론 스퍼터링 장치에 대해 상대 이동을 실시하는 경우에 동적으로도 실시될 수 있는 것에 주목해야 한다.
기판(2) 위에 AlN을 함유한 막의 증착은, 타깃(4, 5)의 무화 동안 유입구(7)를 통해 진공 챔버(1) 내로 불활성 가스와 반응 가스 질소로 이루어진 혼합물이 유입됨으로써, 반응성으로 이루어진다. 대안 실시예에서 불활성 가스와 반응 가스는 별도의 유입부들을 통해 진공 챔버(1) 내로 유입될 수 있다. 불활성 가스로서 실시예에서 아르곤이 사용되었다. 그러나 예를 들어 크립톤 또는 크세논도 대안적인 불활성 가스로서 사용될 수 있다. 다른 실시예에서 전술한 적어도 2개의 불활성 가스로 이루어진 불활성 가스 혼합물이 사용된다.
반응성 증착 공정은 반응성 방전의 소위 전이 영역에서 공정 조절에 의해 실시된다. 즉, 반응 가스의 조량된 공급에 의해, 타깃은 부분적으로만 연결막으로 커버되는 것이 보장된다. 이러한 공정 조절의 실시를 위한 방법 단계들이 공개되어 있다. 이로 인해 타깃의 금속 영역들의 높은 스퍼터율에 따라 높은 스퍼터- 및 증착률이 보장된다.
타깃(4, 5)은 펄스 마그네트론 스퍼터링에 의해 무화되고, 이 경우 전류 공급 장치(8)는 이를 위해 필요한 전기 펄스를 제공한다. 전류 공급 장치(8)는 단극성 직류 전압 펄스를 형성하는 부품(9), 양극성 펄스를 형성하는 부품(10) 및, 전환 장치로서 작동하고 부품(9)에 의해 형성된 단극성 펄스 또는 부품(10)에 의해 형성된 양극성 펄스를 타깃(4, 5)으로 스위칭하는 부품(11)을 포함한다.
양극성 펄스 모드에서 부품(10)에 의해 형성된 양극성 펄스는 교대하는 극성에 따라 타깃(4)과 타깃(5) 사이에서 스위칭되므로, 2개의 타깃(4, 5)은 교대로 및 반대로 캐소드 또는 애노드로서 작동한다. 부품(9)에 의해 형성된 단극성 직류 전압 펄스가 한편으로는 타깃(4, 5)과 다른 한편으로는 마크네트론 방전의, 애노드로서 작동하는 전극(6) 사이에서 스위칭됨으로써, 단극성 펄스 모드에서 2개의 타깃(4, 5)은 동시에 캐소드로서 작용한다.
참고적으로 본 발명에 따른 방법은 정확히 2개의 타깃 또는 2개의 스퍼터링 마그네트론과 관련되는 것은 아니다. 오히려 본 발명에 따른 방법은 2개 이상의 마그네트론 또는 타깃에 의해서도 실시될 수 있다.
본 발명에 따라 타깃(4, 5)의 무화 동안 부품(11)에 의한 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드 사이에서 일정하게 스위칭이 이루어진다. 이 경우 증착할 막의 원자층의 증착을 위해 필요한 시간 범위보다 짧은 시간 범위 내에서 스위칭의 전체 사이클이 실행된다. 본 발명에 따른 방법에서 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드 사이의 교대는 50 Hz 내지 10 kHz의 주파수로 실시된다. 실시예에서 단극성 펄스 모드로부터 양극성 펄스 모드로 및 반대로 교대는 예를 들어 1 kHz의 주파수로 실시되었다. 단극성 펄스 모드에서 타깃(4, 5)이 무화되는 위상의 백분율과 양극성 펄스 모드에서 타깃(4, 5)이 무화되는 위상의 백분율은 본 발명에 따른 방법에서 동일하지 않아도 된다.
전술한 바와 같이, 특히 압전 막들의 증착 시 막 두께의 증가에 따른 기계적 막 응력이 문제가 된다. 막 두께가 증가할수록 이러한 막들은 인장 응력을 형성하는 경향을 보인다. 본 발명에 따라 예를 들어 고정적인 증착 공정 동안 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드의 백분율의 비 및/또는 진공 챔버(1) 내부의 압력이 변경되는 것은 저지될 수 있다. 코팅 과정 시 단극성 펄스 모드로부터 양극성 펄스 모드로 백분율은 전류 공급 장치(8)에 의해 일정한 값으로 설정될 수 있거나 코팅 동안 일정하게 또는 갑작스럽게 변경될 수 있다. 진공 챔버(1) 내부의 압력은 공개된 조절 공정에 의해 조절 가능하거나 변경 가능하다.
50 ㎛ 두께의 AlN을 함유한 압전 효과 막의 증착 시 도 1에 관해 설명된 실험 구성에 의해 다음과 같이 진행되었다: 펄스 혼합 모드는, 양극성 펄스 모드가 코팅 중에 전체적으로 90%의 비율을 차지하고 단극성 펄스 모드는 따라서 10% 비율을 차지하도록 설정되었다. 또한 12 W/㎠의 출력 밀도가 설정되었다. 진공 챔버(1)의 내부는 코팅 과정의 시작 시 0.7 Pa의 압력을 갖는다. 기판(2) 위에 증착된 AlN 막이 10 ㎛의 두께를 가진 후에, 진공 챔버(1) 내부의 압력은 0.6 Pa로 감소하였다. 0.5 Pa로 진공 챔버 내부 압력의 추가 감소는 40 ㎛의 막 두께에서 이루어졌다. 이로 인해 매우 작은 기계적 막 응력을 갖는 50 ㎛ 두께의, AlN을 함유한 압전 막이 증착될 수 있었다. 따라서 막성장의 증가에 따른 진공 챔버(1) 내부의 압력의 감소는 AlN을 함유한 막들의 증착 시 기계적 막응력을 감소시키기 위한 대안적 조치이고, 이는 다른 코팅 실시예에 의해서도 증명될 수 있었다. 기판 온도와 관련해서 본 발명에 따른 방법은 20℃ 내지 600℃의 범위가 제공된다.
제2 코팅 과정 시 기판(2) 위에 10 ㎛ 두께의 압전 효과 AlN 막이 증착되어야 한다. 증착 공정은 진공 챔버 내부의 0.7 Pa의 압력과 펄스 혼합 모드로 시작되었고, 상기 혼합 모드에서 단극성 펄스 모드는 1%의 비율만을 차지했다. 막 코팅 중에 단극성 펄스 모드의 비율은 전류 공급 장치에 의해 일정하게, 10 ㎛의 목표 막 두께에서 펄스 혼합 모드 중 80%의 비율을 차지할 때까지만 증가하였다. 막 증착의 시작 시 타깃(4, 5) 내로 11.5 W/㎠의 출력 밀도가 공급되었다. 단극성 펄스 모드의 비율이 높아질수록 타깃(4, 5) 내로 공급되는 출력 밀도도 10 ㎛의 목표 막 두께의 달성 시 20 W/㎠의 최종 출력 밀도까지 계속해서 증가한다. 동시에 진공 챔버(1) 내부의 압력은 코팅 중에 0.2 Pa의 압력 최종값까지 일정하게 감소하였다. 이러한 조치에 의해서도 양호한 압전 특성과 작은 기계적 막응력을 갖는 AlN 막이 증착될 수 있었다.
진공 챔버(1) 내로 유입된 불활성 가스 혼합물의 조성이 막의 증착 동안 변경됨으로써, AlN을 함유한 막 내부의 기계적 응력도 감소할 수 있다. 즉 예를 들어 막 증착의 시작 시 불활성 가스 혼합물은 전체적으로 아르곤으로 이루어질 수 있고, 이 경우 막성장이 증가할수록 아르곤의 양은 감소하고, 그대신 불활성 가스 크세논 또는 크립톤의 점점 더 많은 양이 유입구(7)를 통해 진공 챔버(1) 내로 유입된다. 명료함을 위해 한 번 더 언급하면, 이 경우 진공 챔버(1) 내로 유동하는 각각의 가스는 대안으로서 별도의 유입구를 통해 진공 챔버(1) 내로 유입될 수 있다.
본 발명에 따른 방법과 관련해서 전술한 방법 파라미터에 의해 100 nm/min 이상의 증착률과 500 MPa보다 작은 크기의 기계적 막응력을 갖는 압전 효과 AlN 막들이 증착될 수 있다.
막을 형성하는 입자들의 상당분이 가능한 한 수직으로 코팅될 기판 위에 부딪히는 경우에, AlN을 함유한 막의 증착 시 c-축 배향의 형성에 바람직하다. 이 경우 코팅될 기판 표면 위의 각각의 지점과 타깃의 도전 트랙 위의 지점 사이의 법선의 각도는 코팅 간격이 ≤ 100 mm인 경우에 ≤ 30˚일 수 있다. 타깃-도전 트랙이란 가장 많은 재료 제거가 이루어지는 타깃의 표면 영역이다. 상기 영역은 대개 "레이스 트랙"이라고도 한다. 고정적인 기판 코팅 시, 즉 스퍼터 타깃과 기판(선택적인 기판 회전은 이 경우 배제됨) 사이의 상대 이동 없이 대형 기판(d = 100 mm 이상)의 코팅 시, 이를 위해 다수의 동심 방전링을 갖는 마그네트론 스퍼터 장치가 사용되는 경우에 특히 바람직하다. 동적 기판 코팅 시(스퍼터 타깃과 기판 사이의 상대 이동이 이루어지는), 법선에 대한 각도와 관련해서 전술한 조건이 충족되는 것을 보장하는 증기 유동 개구로 가공되는 경우에 바람직하다.
AlN을 함유한 막에 원소 스칸듐의 성분도 혼합되는 경우에, 상기 막의 압전 효과가 개선되는 것이 공개되어 있다. 따라서 다른 실시예에서 원소 알루미늄 외에 원소 스칸듐도 포함하는 2개의 타깃(4, 5)이 무화되므로, 기판(2) 위에 ScAlN-막이 증착된다. 이는, 예를 들어 스칸듐과 알루미늄으로 이루어진 합금 타깃이 무화됨으로써 이루어질 수 있다. 대안으로서 적어도 하나의 타일은 알루미늄으로 이루어지고 적어도 하나의 타일은 스칸듐으로 이루어지는 개별 타일들로 구성된 타깃이 무화될 수도 있다. 다른 대안예에서 ScAlN-막의 증착은 코스퍼터링(Co-Sputtering)을 이용해서 이루어질 수도 있고, 즉 타깃들(4, 5) 중 하나의 타깃은 순수 알루미늄 타깃이고, 다른 타깃은 순수 스칸듐 타깃이다.
전술한 증착 변형예에 의해 AlN을 함유한 압전 효과 막들은 특정한 전기 극성으로 증착될 수 있다. 극성은 이 경우 재료 상의 전계의 방향과 재료의 변형의 방향 사이의 관련성을 나타낸다. 압전 재료에서 극성은, 한편으로는 미리 정해진 전기 극성을 갖는 전압이 재료에 인가되면, 어떤 방향으로 재료가 변형되는지를 제시하고, 그리고 다른 한편으로 이로써 압전 재료에 의해 특정한 방향으로 기계적 변형이 실행되면, 압전 재료에 어떤 전기 극성이 형성되는지 제시된다.
놀랍게도, AlN을 함유한 압전 효과 막이 소량의 원소 산소를 더 포함하는 경우에, 상기 막의 전기 극성은 역전되는 것이 확인될 수 있었다. 따라서 압전 전하 상수 d33을 갖는 AlN을 함유한 본 발명에 따른 압전 효과 막은, AlN을 함유한 막이 (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1)인, 화학식 AlXNYOZ에 상응하도록 원소 산소도 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 따른 막은 예를 들어 도 1에 개략적으로 도시된 장치에 의해, 그리고 예를 들어 2개의 Al-타깃(4, 5)이 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드로 이루어진 펄스 혼합 모드에 의해 반응성으로 무화되는 본 발명에 따른 방법을 이용해서 증착될 수 있고, 이 경우 불활성 가스와 반응 가스 질소 외에 반응 가스 산소도 유입구(7)를 통해 진공 챔버(1) 내로 유입된다. 유입된 산소의 최소량은, 산소를 포함하지 않는 AlN을 함유한 압전 효과 막과 달리 AlN을 함유한 압전 효과 막의 전기 극성이 역전되어 형성되게 한다. AlN을 함유한 막 내의 산소 함량이 증가할수록 압전 특성의 품질이 떨어지기 때문에, 진공 챔버(1) 내로 유입되는 산소의 양은 진공 챔버(1) 내로 유입되는 질소의 양의 최대 5%에 상응하도록 조절되어야 한다. 역전된 전기 극성을 갖는 본 발명에 따른 막에 의해 AlN을 함유한 압전 효과 막들의 이용 범위가 확대될 수 있다.
본 발명에 따른 대안적인 막에서 AlN을 함유한 막은 추가로 원소 스칸듐을 포함하고, 이 경우 상기 AlN을 함유한 막은 화학식 AlXScUNYOZ에 해당한다. 이 경우 변수들 X, Y, U, Z는 하기 값들을 갖는다: (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ U ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1). 실시예에서 U/X의 비는 > 0.5이고, 즉 원소 스칸듐 및 알루미늄에 대해서 스칸듐 비율은 50% 이상이다. 막 내의 매우 높은 스칸듐 비율은 또한, AlN을 함유한 막 내의 기계적 응력을 감소시키는데 적합하다. 압전 효과 AlXScUNYOZ-막의 증착은 전술한 본 발명에 따른 방법에 의해 가능하고, 이 경우 스칸듐- 및 알루미늄을 함유한 타깃은 펄스 혼합 모드에서 무화되는 한편, 질소와 산소로 이루어진 가스 혼합물과 불활성 가스가 진공 챔버(1) 내로 유입된다. 이 경우 사용된 타깃은 순수 알루미늄 타깃과 순수 스칸듐 타깃일 수 있고, 2개의 알루미늄-스칸듐 합금 타깃 또는 전술한 알루미늄-스칸듐 타일 구조를 갖는 타깃일 수 있다.

Claims (10)

  1. 진공 챔버(1) 내에서 적어도 2개의 타깃(4; 5)의 마그네트론 스퍼터링을 이용해서 기판(2) 위에 AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법으로서, 상기 타깃들 중 적어도 하나의 타깃(4; 5)은 알루미늄을 포함하고, 상기 진공 챔버(1) 내로 가스 혼합물이 유입되고, 상기 가스 혼합물은 적어도 반응성 질소 가스와 불활성 가스를 포함하며,
    마그네트론 스퍼터링 동안 단극성 펄스 모드와 양극성 펄스 모드가 교대로 이용되며,
    AlN을 함유한 압전막의 증착 동안 단극성 펄스 모드의 위상 백분율과 양극성 펄스 모드의 위상 백분율이 변경되며,
    타깃(4; 5)내로 적어도 11 W/㎠의 출력 밀도가 공급되고, 증착률이 100 nm/min 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 불활성 가스로서 원소 아르곤, 크립톤 또는 크세논 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 추가로 반응성 산소 가스가 상기 진공 챔버(1) 내로 유입되고, 유입된 산소의 양은 유입된 질소의 양의 최대 5%인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 스칸듐을 포함하는 적어도 하나의 타깃이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 스칸듐 타깃과 알루미늄 타깃이 코스퍼터링에 의해 무화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 단극성 펄스 모드와 상기 양극성 펄스 모드 사이의 교대는 50 Hz 내지 10 kHz 범위의 주파수로 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, AlN을 함유한 압전막의 증착 동안 상기 진공 챔버(1) 내의 압력이 변경되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 압전 전하 상수 d33을 갖는 AlN을 함유한 압전막으로서,
    AlN을 함유한 막은 제1항에 따른 방법에 의해 증착되며,
    AlN을 함유한 막이 화학식 AlXNYOZ에 상응하도록, AlN을 함유한 막은 원소 산소를 더 포함하며, 여기서 (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1)이고, 막응력이 500 MPa 보다 작은 것을 특징으로 하는 AlN을 함유한 압전막.
  10. 제9항에 있어서, 추가로 화학식 AlXScUNYOZ에 따라 원소 스칸듐을 포함하고, 여기서 (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ U ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1)인 것을 특징으로 하는 AlN을 함유한 압전막.
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