KR102228954B1 - Debonding Method of Semiconductor Wafer - Google Patents

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Abstract

본딩된 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼간의 디본딩이 프리디본딩과 메인디본딩의 2단계에 걸쳐 진행되는 본딩 및 디본딩 방법이 개시된다. 반도체 웨이퍼에 발포에 의해 접착력이 약화되는 발포접착층을 구비한 접착테이프로 캐리어 웨이퍼를 접착시킨다. 반도체 웨이퍼의 그라인딩과 스퍼터링 후에 발포접착층을 발포시키고, 반도체 웨이퍼를 링프레임에 실장한다. 그리고 나서, 발포접착층을 가열하여 접착력을 약화시키고 캐리어 웨이퍼를 반도체 웨이퍼로부터 분리한다.Disclosed is a bonding and debonding method in which debonding between a bonded semiconductor wafer and a carrier wafer is performed in two stages of pre-debonding and main debonding. The carrier wafer is adhered to the semiconductor wafer with an adhesive tape having a foamed adhesive layer whose adhesive strength is weakened by foaming. After grinding and sputtering of the semiconductor wafer, the foamed adhesive layer is foamed, and the semiconductor wafer is mounted on a ring frame. Then, the foamed adhesive layer is heated to weaken the adhesive force and separate the carrier wafer from the semiconductor wafer.

Description

반도체 웨이퍼의 디본딩 방법 {Debonding Method of Semiconductor Wafer}Debonding Method of Semiconductor Wafer

본 발명은 반도체 웨이퍼의 디본딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for debonding a semiconductor wafer.

반도체 칩을 제작하기 위해서는, 먼저 반도체 웨이퍼 상에 포토마스크를 이용한 노광 공정 등을 포함한 회로 형성 과정을 통해 수십 개의 반도체 칩을 제작하고, 이러한 개개의 반도체 칩을 잘라내는 SAW(또는 Dicing) 공정을 수행한다. SAW 공정이 수행된 후의 개개의 반도체 칩에 대해서 별도의 패키징 공정이 수행된다.In order to manufacture a semiconductor chip, dozens of semiconductor chips are first manufactured on a semiconductor wafer through a circuit formation process including an exposure process using a photomask, and then a SAW (or dicing) process is performed to cut out individual semiconductor chips. do. A separate packaging process is performed for each semiconductor chip after the SAW process is performed.

SAW 공정을 수행하기 전에, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 요구되는 사양에 따라 가공을 하여야 하며, 이를 위하여 반도체 웨이퍼는 가공 전에 캐리어 웨이퍼를 본딩하는 공정 및 가공 후에 캐리어 웨이퍼를 디본딩하는 공정을 거친다.Before performing the SAW process, a semiconductor wafer with circuits must be processed according to required specifications. For this purpose, the semiconductor wafer undergoes a process of bonding a carrier wafer before processing and a process of debonding the carrier wafer after processing.

도 1 은 종래의 반도체 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 과정을 설명하는 순서도이고, 도 2 내지 도 6 은 도 1 의 각 과정에 따른 반도체 웨이퍼의 상태를 순차 도시한 도면이다.1 is a flowchart illustrating a conventional bonding and debonding process of a semiconductor wafer, and FIGS. 2 to 6 are views sequentially showing states of a semiconductor wafer according to each process of FIG. 1.

먼저, 도 2 에 도시된 바와 같이 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(10)와 캐리어 웨이퍼(30)를 접합하는 본딩(bonding) 과정이 수행된다.(S10). 접합을 위해서, 반도체 웨이퍼(10)와 캐리어 웨이퍼(20) 사이에는 양면에 접착층을 구비한 접착테이프(30)가 개재된다.First, as shown in FIG. 2, a bonding process of bonding the semiconductor wafer 10 on which the circuit is formed and the carrier wafer 30 is performed (S10). For bonding, an adhesive tape 30 having an adhesive layer on both sides is interposed between the semiconductor wafer 10 and the carrier wafer 20.

캐리어 웨이퍼(20)가 본딩된 반도체 웨이퍼(10)는 후속되는 반도체 웨이퍼(10)의 가공 공정을 겪는다.(S20) 후속되는 가공은 예컨대 반도체 웨이퍼(10)의 두께를 원하는 두께로 박막화하는 그라인딩(grinding) 공정을 포함한다. 그라인딩된 반도체 웨이퍼(10)는 도 3 에 도시된 바와 같이 원래의 두께보다 얇은 두께가 된다. 그라인딩 공정 후에는 추가의 후속 공정으로서, 예컨대 도 4 에 도시된 바와 같이, 시드메탈 스퍼터링(Seed Metal Sputtering) 공정에 의해 NiV 또는 Ti/Cu 재질의 메탈층(40)이 반도체 웨이퍼(10)의 후면에 도포되고, 또한 플레이팅(Plating) 공정에 의해 Cu 박막과 Ni 박막의 도금층(51, 52)이 메탈층(40)상에 형성된다. 본딩 과정(S10)에서 본딩된 캐리어 웨이퍼(20)는 이와 같은 후속 가공 공정을 위한 이송 과정에서, 그리고 후속 공정이 수행되는 동안 반도체 웨이퍼(10)의 물리적 강도를 유지하는 기능을 한다.The semiconductor wafer 10 to which the carrier wafer 20 is bonded undergoes a subsequent processing process of the semiconductor wafer 10. (S20) The subsequent processing is, for example, grinding to reduce the thickness of the semiconductor wafer 10 to a desired thickness ( grinding) process. The ground semiconductor wafer 10 becomes thinner than the original thickness as shown in FIG. 3. After the grinding process, as an additional subsequent process, for example, as shown in FIG. 4, the metal layer 40 made of NiV or Ti/Cu material is formed on the rear surface of the semiconductor wafer 10 by a seed metal sputtering process. And plating layers 51 and 52 of a Cu thin film and a Ni thin film are formed on the metal layer 40 by a plating process. The carrier wafer 20 bonded in the bonding process S10 functions to maintain the physical strength of the semiconductor wafer 10 during the transfer process for the subsequent processing process and during the subsequent process.

그리고 나서, 반도체 웨이퍼(10)는 도 5 에 도시된 바와 같이 링프레임(60) 상의 접착성 멤브레인(70)에 올려져 링프레임(60) 상에 실장되고(S30), 실장된 상태로 후속되는 SAW 공정을 위해 이송된다. SAW 공정을 수행하기 전에, 반도체 웨이퍼(10)상에 본딩되어 있던 캐리어 웨이퍼(20)를 제거하는 디본딩(deboding) 과정이 수행된다.(S40) 디본딩 과정(S40)은 접착테이프(30)의 접착력을 약화시켜 캐리어 웨이퍼(20)를 제거하기 쉽게 만드는 과정을 포함한다. 접착테이프(30)의 접착력을 약화시키기 위해서는 접착테이프(30)의 종류에 따라 예컨대 열을 가하거나 UV 광을 가하는 방법 등이 사용된다.Then, the semiconductor wafer 10 is mounted on the adhesive membrane 70 on the ring frame 60 as shown in FIG. 5 and mounted on the ring frame 60 (S30), followed by a mounted state. Transported for the SAW process. Before performing the SAW process, a deboding process is performed to remove the carrier wafer 20 bonded on the semiconductor wafer 10 (S40). The debonding process (S40) is performed by the adhesive tape 30. It includes a process of making it easier to remove the carrier wafer 20 by weakening the adhesion of the carrier wafer 20. In order to weaken the adhesive force of the adhesive tape 30, depending on the type of the adhesive tape 30, for example, a method of applying heat or UV light is used.

디본딩 과정(S40)을 거침에 따라, 도 6 에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(10) 상의 캐리어 웨이퍼(20)와 접착테이프(30)가 제거된다. 이와 같이 캐리어 웨이퍼(20)와 접착테이프(30)가 제거된 상태에서 레이저를 이용한 SAW 공정(S50)이 수행되어 반도체 웨이퍼(10)가 개개의 반도체 칩으로 절단된다.According to the debonding process (S40), the carrier wafer 20 and the adhesive tape 30 on the semiconductor wafer 10 are removed as shown in FIG. 6. In this way, in a state in which the carrier wafer 20 and the adhesive tape 30 are removed, the SAW process (S50) using a laser is performed, so that the semiconductor wafer 10 is cut into individual semiconductor chips.

본딩/디본딩 과정에서 사용되는 접착테이프(30)는, 본딩(S10) 후에는 캐리어 웨이퍼(20)에 대해 일정 이상의 접착력을 유지하여야 하며, 디본딩(S40)을 위해서는 접착력이 약해져야 한다. 접착테이프(30)의 접착력을 약화시키기 위해서, 접착테이프(30)는 UV 또는 열에 의해 발포되는 접착층을 포함하도록 제작된다.The adhesive tape 30 used in the bonding/debonding process must maintain a certain or more adhesive force to the carrier wafer 20 after bonding (S10), and the adhesive force must be weakened for debonding (S40). In order to weaken the adhesive force of the adhesive tape 30, the adhesive tape 30 is manufactured to include an adhesive layer foamed by UV or heat.

UV 경화형 접착제는 아크릴계 접착 수지가 경화되어 접착력이 약화되는 방식으로서, 일반적으로 강도가 높은 캐리어 웨이퍼(20)와 반도체 웨이퍼(10)의 본딩 후 반도체 웨이퍼(10)를 그라인딩에 의해 얇은 박막으로 만든 후에 디본딩하기에는 적합하지 않다. 또한 장비가 복잡하고 디본딩에 많은 시간이 소요된다는 단점이 있다.The UV-curable adhesive is a method in which the adhesive strength is weakened by curing the acrylic adhesive resin. In general, after bonding the carrier wafer 20 with high strength and the semiconductor wafer 10, the semiconductor wafer 10 is made into a thin film by grinding. Not suitable for debonding. In addition, there is a disadvantage in that the equipment is complex and debonding takes a lot of time.

열 발포형 접착제는 가열에 의해 발포시켜 접착력을 약화시키는 방식이므로, 디본딩 과정 전에 높은 온도에서 수행되는 스퍼터링이나 플레이팅 공정에서 발포가 유발될 우려가 있다는 단점이 있다.Since the thermally foamable adhesive is a method of weakening adhesion by foaming by heating, there is a disadvantage in that there is a concern that foaming may be induced in sputtering or plating performed at a high temperature before the debonding process.

또한 열 발포형 접착제는 디본딩 과정에서 높은 온도로 가열하므로, 링프레임(60)과 반도체 웨이퍼(10)간을 접착시키는 접착제에 손상이 발생할 수 있다. 즉, 링프레임(60)에는 일반적으로 UV 경화형 접착층이 구비된 멤브레인(70)이 그 내부에 마련되고, 이 멤브레인(70) 상에 반도체 웨이퍼(10)가 실장되는데, 디본딩을 위해 높은 온도로 접착테이프(30)를 가열하는 경우 멤브레인(70)의 변형이나 손상이 발생할 수 있다. 이는 후속되는 SAW 공정이 불가능하게 하거나 SAW 공정에서의 정밀도에 영향을 미치게 된다.In addition, since the thermally foamable adhesive is heated to a high temperature during the debonding process, damage may occur to the adhesive bonding between the ring frame 60 and the semiconductor wafer 10. In other words, the ring frame 60 is generally provided with a membrane 70 provided with a UV-curable adhesive layer therein, and the semiconductor wafer 10 is mounted on the membrane 70, at a high temperature for debonding. When the adhesive tape 30 is heated, the membrane 70 may be deformed or damaged. This makes the subsequent SAW process impossible or affects the precision in the SAW process.

나아가 디본딩 과정에서 열 발포형 접착제에 발포가 유발되기에 충본한 정도의 고온이 가해지므로, 반도체 웨이퍼(10)를 후속 작업에 적합한 상온으로 냉각시키는 과정의 소요 시간이 증가한다는 단점이 있다.Furthermore, there is a disadvantage in that the time required for the process of cooling the semiconductor wafer 10 to room temperature suitable for subsequent work is increased because a high temperature sufficient to cause foaming is applied to the thermally foamable adhesive during the debonding process.

- 한국특허출원 제10-2010-7010414호-Korean Patent Application No. 10-2010-7010414 - 한국특허출원 제10-1999-0032549호-Korean Patent Application No. 10-1999-0032549 - 한국특허출원 제10-2008-0125461호-Korean Patent Application No. 10-2008-0125461 - 한국특허출원 제10-2011-7011823호-Korean Patent Application No. 10-2011-7011823 - 한국특허출원 제10-2009-7009552호-Korean Patent Application No. 10-2009-7009552 - 한국특허출원 제10-2014-0061150호-Korean Patent Application No. 10-2014-0061150 - 한국특허출원 제10-2007-0062512호-Korean Patent Application No. 10-2007-0062512

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 디본딩되기 전에 높은 온도에서 수행되는 스퍼터링이나 플레이팅 공정 등에서 접착제의 발포가 유발되지 않고, 디본딩 과정에서 링프레임의 접착용 멤브레인에 손상이 발생하지 않으며, 또한 디본딩 후의 냉각에 소요되는 시간을 줄여 패키징 공정 전체의 시간을 줄일 수 있는 방안을 제공하는 것이다.The present invention was conceived to solve the above problems, and an object of the present invention is that the foaming of the adhesive is not caused in sputtering or plating processes performed at a high temperature before the semiconductor wafer and the carrier wafer are debonded, In the debonding process, there is no damage to the bonding membrane of the ring frame, and the time required for cooling after the debonding is reduced, thereby providing a way to reduce the overall packaging process time.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 웨이퍼의 패키징을 위한 본딩 및 디본딩 방법으로서, a) 반도체 웨이퍼 상의 회로 형성 면인 제1면에, 발포에 의해 접착력이 약화되는 발포접착층을 구비한 접착테이프로 캐리어 웨이퍼를 접착시키는 단계; b) 상기 캐리어 웨이퍼가 접착된 상기 반도체 웨이퍼에 소정의 가공을 가하는 단계; c) 상기 발포접착층을 발포시키는 단계; d) 상기 반도체 웨이퍼의 상기 제1면의 배면인 제2면이 링프레임에 접하도록 상기 반도체 웨이퍼를 상기 링프레임에 실장하는 단계; e) 상기 발포접착층을 소정의 온도로 가열하는 단계; 및 f) 상기 캐리어 웨이퍼를 상기 반도체 웨이퍼로부터 분리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 및 디본딩 방법을 제시한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a bonding and debonding method for packaging a semiconductor wafer, comprising: a) an adhesive tape having a foamed adhesive layer on a first surface, which is a circuit formation surface on a semiconductor wafer, weakened by foaming Bonding the furnace carrier wafer; b) applying a predetermined processing to the semiconductor wafer to which the carrier wafer is adhered; c) foaming the foamed adhesive layer; d) mounting the semiconductor wafer on the ring frame such that a second surface, which is a rear surface of the first surface of the semiconductor wafer, contacts the ring frame; e) heating the foamed adhesive layer to a predetermined temperature; And f) separating the carrier wafer from the semiconductor wafer. It presents a bonding and debonding method comprising a.

상기 발포접착층은 제1온도 이상으로 가열 시 발포되는 열 발포형 접착제로 구성되며, 상기 c) 단계에서는 상기 접착테이프를 상기 제1온도로 가열하여 발포시키고, 상기 e) 단계에서의 상기 소정의 온도는 상기 제1온도보다 낮은 제2온도이다.The foamed adhesive layer is composed of a thermally foamable adhesive that is foamed when heated above a first temperature, and in the step c), the adhesive tape is heated to the first temperature to foam, and the predetermined temperature in the step e) Is a second temperature lower than the first temperature.

본 발명은 g) 상기 c) 단계 후에 상기 d) 단계를 수행하기 전에 상기 접착테이프를 냉각시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.The present invention may further include: g) cooling the adhesive tape after step c) and before performing step d).

상기 발포접착층은 상기 접착테이프의 기재와 상기 캐리어 웨이퍼 사이에 배치된다.The foamed adhesive layer is disposed between the substrate of the adhesive tape and the carrier wafer.

상기 b) 단계에서, 상기 소정의 가공은 그라인딩, 시드메탈 스퍼터링, 및 백사이드 플레이팅 중 적어도 어느 하나 이상을 포함힌디/In the step b), the predetermined processing includes at least one or more of grinding, seed metal sputtering, and backside plating.

상기 c) 단계에서의 상기 제1온도는 상기 b) 단계에서 가공 시 상기 접착테이프에 가해지는 온도 이상이다.The first temperature in step c) is equal to or higher than the temperature applied to the adhesive tape during processing in step b).

상기 제1온도는 90℃ 이상이다.The first temperature is 90°C or higher.

상기 제1온도는 상기 접착테이프의 손상이 발생하는 온도 이하이다.The first temperature is less than or equal to a temperature at which the adhesive tape is damaged.

상기 제2온도는 상기 링프레임의 접착용 멤브레인에 손상이 발생되는 온도 이하이다.The second temperature is equal to or less than a temperature at which damage to the adhesive membrane of the ring frame occurs.

상기 제2온도는 45~60℃ 이다.The second temperature is 45 ~ 60 ℃.

상기 c) 단계와 상기 g) 단계는 동시에 수행되며, 상기 c) 단계에서는 상기 캐리어 웨이퍼 측으로부터 상기 접착테이프가 가열되고, 상기 g) 단계에서는 상기 반도체 웨이퍼 측으로부터 상기 접착테이프가 냉각된다.Step c) and step g) are performed simultaneously, and in step c), the adhesive tape is heated from the side of the carrier wafer, and in step g), the adhesive tape is cooled from the side of the semiconductor wafer.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 접착테이프에 의해 본딩된 케리어 웨이퍼를 반도체 웨이퍼로부터 디본딩하는 공정에 사용되는 프리디본딩 장치로서, 상기 접착테이프는 소정의 온도로 가열 시 발포에 의해 접착력이 약화되는 발포접착층을 구비하며, 상기 접착테이프를 상기 소정의 온도로 가열하여 상기 발포접착층을 발포시키는 가열부; 및 상기 가열부가 가열하는 동안 상기 반도체 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 상호 접촉되는 방향으로 가압하는 가압부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리디본딩 장치가 제시된다.According to another aspect of the present invention, as a pre-debonding device used in a process of debonding a carrier wafer bonded by an adhesive tape from a semiconductor wafer, the adhesive tape is foaming in which the adhesive strength is weakened by foaming when heated to a predetermined temperature. A heating unit having an adhesive layer and heating the adhesive tape to the predetermined temperature to foam the foam adhesive layer; And a pressing unit for pressing the semiconductor wafer and the carrier wafer in a direction in which the semiconductor wafer and the carrier wafer are in contact with each other while the heating unit is heating.

상기 가열부는 상기 캐리어 웨이퍼 측에서 상기 접착테이프를 가열한다.The heating unit heats the adhesive tape at the side of the carrier wafer.

본 발명은 상기 접착테이프를 냉각시키는 냉각부;를 더 포함할 수 있다.The present invention may further include a cooling unit for cooling the adhesive tape.

상기 냉각부는 상기 반도체 웨이퍼 측을 냉각시킨다.The cooling unit cools the semiconductor wafer side.

상기 가열부와 상기 냉각부는 동시에 동작한다.The heating unit and the cooling unit operate simultaneously.

상기 소정의 온도는 상기 반도체 웨이퍼에 대해 가해지는 후속 가공 공정에서 상기 접착테이프에 가해지는 공정온도보다 높다.The predetermined temperature is higher than a process temperature applied to the adhesive tape in a subsequent processing process applied to the semiconductor wafer.

상기 소정의 온도는 90℃ 이상이다.The predetermined temperature is 90°C or higher.

상기 소정의 온도는 상기 접착테이프의 손상이 발생하는 온도 이하이다.The predetermined temperature is less than or equal to a temperature at which the adhesive tape is damaged.

본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 제 1 항의 본딩 및 디본딩 방법에 사용되는 접착테이프로서, 테이프의 외형을 이루는 박막 형상의 기재; 및 상기 기재의 적어도 어느 한 면에 형성되며, 발포 전에는 상온에서 접착력이 가장 강하고, 소정의 온도로 가열 시 발포에 의해 접착력이 약화되고, 발포된 후에는 온도가 낮을수록 접착력이 증가하되 상온에서 발포 전에 비해 접착력이 약한 특성을 갖는 발포접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디본딩용 접착테이프가 제시된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an adhesive tape used in the bonding and debonding method of claim 1, comprising: a thin film-shaped substrate forming the outer shape of the tape; And formed on at least one side of the substrate, the adhesive strength is strongest at room temperature before foaming, the adhesive strength is weakened by foaming when heated to a predetermined temperature, and after foaming, the adhesive strength increases as the temperature decreases, but foaming at room temperature An adhesive tape for debonding, comprising: a foam adhesive layer having a weaker adhesive force than before.

상기 발포접착층 상기 기재의 어느 한 면에 형성되며, 상기 기재의 상기 발포접착층이 형성된 면의 이면에는, 상기 발포접착층보다 낮은 접착력을 갖는 저접착층이 형성된다.The foamed adhesive layer is formed on one side of the substrate, and a low adhesive layer having a lower adhesive strength than the foamed adhesive layer is formed on the rear surface of the surface of the substrate on which the foamed adhesive layer is formed.

상기 저접착층은 상기 발포접착층이 발포된 후에 가열된 상태에서의 접착력에 비해 높은 접착력을 갖는다.The low-adhesion layer has a higher adhesive strength than the adhesive strength in a heated state after the foamed adhesive layer is foamed.

본 발명에 따르면, 프리디본딩과 메인디본딩의 두 단계에 걸쳐 디본딩 공정이 수행된다. 이때 프리디본딩에서는 발포에 충분한 온도로 가열함으로써 접착테이프 접착력이 약화되므로, 메인디본딩에서는 낮은 온도로 가열하는 것만으로도 접착테이프의 접착력을 디본딩에 충분한 정도로 약화시킬 수 있다. 메인디본딩에서는 낮은 온도로 가열하므로, 캐리어 웨이퍼의 분리가 쉽게 이루어지면서도 링프레임의 접착용 멤브레인에 손상이 발생하지 않으며 또한 SAW 공정 전의 냉각에 소요되는 시간이 짧아진다.According to the present invention, a debonding process is performed in two steps of pre-debonding and main debonding. At this time, since the adhesive tape adhesive strength is weakened by heating at a temperature sufficient for foaming in the free-di-bonding, only heating at a low temperature in the main de-bonding can weaken the adhesive force of the adhesive tape to a sufficient degree for de-bonding. In main de-bonding, since it is heated to a low temperature, the carrier wafer can be separated easily, and there is no damage to the bonding membrane of the ring frame, and the time required for cooling before the SAW process is shortened.

도 1 은 종래의 반도체 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 과정을 도시한 순서도.
도 2 내지 도 6 은 도 1 의 각 과정을 순차 도시한 도면.
도 7 은 본 발명에 따른 접착테이프의 단면 구조를 도시한 도면.
도 8 및 도 9 는 도 7 의 접착테이프의 가열 전과 가열 후의 상태를 도시한 도면.
도 10 은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 과정을 도시한 순서도.
도 11 내지 도 17 은 도 10 의 각 과정에 따른 반도체 웨이퍼의 상태를 순차 도시한 도면.
도 18 은 본 발명에 따른 프리디본딩 장치를 개략적으로 도시한 블록도.
도 19 는 도 18 의 프리디본딩 장치에 의해 수행되는 동작을 도식적으로 보여주는 도면.1 is a flow chart showing a bonding and debonding process of a conventional semiconductor wafer.
2 to 6 are views sequentially showing each process of FIG. 1.
7 is a view showing a cross-sectional structure of an adhesive tape according to the present invention.
8 and 9 are views showing states before and after heating the adhesive tape of FIG. 7.
10 is a flow chart showing a bonding and debonding process of a semiconductor wafer according to the present invention.
11 to 17 are views sequentially showing a state of a semiconductor wafer according to each process of FIG. 10.
18 is a block diagram schematically showing a pre-debonding apparatus according to the present invention.
19 is a diagram schematically showing an operation performed by the pre-debonding device of FIG. 18;

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 대한 설명에서, "접착"이라는 용어는 점착과 접착 모두를 포함하는 포괄적인 용어로서 사용되었다. 점착과 접착은 엄밀한 의미에서는 차이가 있으며, 일반적으로 점착제는 물리적으로 붙어있는 상태를 의미하며 영어로 adhesive, 일상생활에서 tape(스카치 테이프)/글루 건 등을 의미하고, 접착제는 화학적 변화가 있어　붙어 있는 상태를 의미하며 영어로 bond 로 표현하고, 　경화형 수지, 오공 본드 등으로 구분된다. 그러나 본 발명에서는 엄밀한 의미에서의 점착과 구분되는 접착의 의미로서 접착, 접착제, 접착층 등의 용어가 사용된 것이 아니며, 이러한 점착과 접착을 포괄하는 의미로 사용되었다.In the description of the present invention, the term “adhesion” has been used as a generic term including both adhesion and adhesion. There is a difference between adhesion and adhesion in the strict sense, and in general, adhesive means physically attached state, adhesive in English, tape (Scotch tape)/glue gun, etc. in everyday life, and adhesive has a chemical change. It means the state of being present and is expressed as a bond in English, and is classified into 　curable resin and hole bond. However, in the present invention, terms such as adhesion, adhesive, and adhesive layer are not used as a meaning of adhesion that is distinguished from adhesion in a strict sense, and it is used in a sense encompassing such adhesion and adhesion.

본 발명은, 발포접착층을 구비한 접착테이프를 이용하여 본딩한 캐리어 웨이퍼의 디본딩 공정을 반도체 웨이퍼를 링프레임에 실장시키는 공정 전에 수행되는 프리디본딩(pre-debonding)과 반도체 웨이퍼를 링프레임에 실장시키는 공정 후에 수행되는 메인디본딩(main debonding)의 두 단계로 구분하는 새로운 디본딩 방법을 제시한다.In the present invention, a debonding process of a carrier wafer bonded using an adhesive tape having a foamed adhesive layer is performed before the process of mounting the semiconductor wafer on the ring frame, and pre-debonding and mounting the semiconductor wafer on the ring frame We present a new debonding method that divides it into two steps, main debonding, which is performed after the process of making.

즉, 본딩 공정에서 접착테이프에 의해 접착된 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼는 2단계의 디본딩 공정을 통해 상호 분리되는데, 먼저 프리디본딩 공정에서는 높은 온도로 가열하여 접착테이프의 접착력을 열발포에 의해 약화시키고 냉각을 통해 다시 접착력을 강화시키며, 메인디본딩 공정에서는 접착테이프의 접착력을 다시 가열에 의해 약화시킨다.That is, in the bonding process, the semiconductor wafer and the carrier wafer bonded by the adhesive tape are separated from each other through a two-step debonding process.First, in the pre-debonding process, the adhesive strength of the adhesive tape is weakened by heat foaming by heating to a high temperature. The adhesive strength is reinforced through cooling, and in the main de-bonding process, the adhesive strength of the adhesive tape is weakened by heating again.

먼저, 본 발명에 따른 본딩 및 디본딩 과정을 상세하게 기술하기에 앞서, 본 발명의 방법에 사용되는 접착테이프의 구조에 대해 기술한다.First, prior to describing the bonding and debonding processes according to the present invention in detail, the structure of the adhesive tape used in the method of the present invention will be described.

도 7 은 본 발명에 따른 접착테이프의 단면 구조를 도시한 도면이다. 본 발명의 접착테이프(30)는 기재(132), 발포접착층(134), 저접착층(136), 및 라이너(138)를 포함하여 구성된다.7 is a view showing a cross-sectional structure of an adhesive tape according to the present invention. The adhesive tape 30 of the present invention includes a substrate 132, a foam adhesive layer 134, a low adhesive layer 136, and a liner 138.

기재(132)는 접착테이프(30)의 중간층에 배치되며, 테이프의 외형을 이루는 박막 형상으로 이루어져 그 양면에 접착층들(134, 136)이 도포되기 위한 물리적 틀을 구성한다. 기재(132)는 일반적인 PET 재질로 제작되며, 일 예로서 50㎛ 의 두께를 갖는다. 기재(132)의 재질은 공정 온도 조건 및 탄성율에 따라 선택이 가능하며, PI, PEN, PO 등의 재질로 제작될 수 있다.The substrate 132 is disposed on the intermediate layer of the adhesive tape 30 and is formed in a thin film shape forming the outer shape of the tape, and constitutes a physical frame for applying the adhesive layers 134 and 136 on both sides thereof. The substrate 132 is made of a general PET material, and has a thickness of 50 μm as an example. The material of the substrate 132 may be selected according to a process temperature condition and an elastic modulus, and may be made of a material such as PI, PEN, or PO.

발포접착층(134)은 기재(132)의 상면에 도포되고, 저접착층(136)은 기재(132)의 하면에 도포된다. 발포접착층(134)은 그 내부에 열에 의해 발포되는 발포입자가 포함되어 있으며, 발포입자의 열 발포에 의하여 변성되어 접착력이 약화된다. 저접착층(136)은 접착력이 발포접착층(134)보다 약한 접착제의 층이다. 이때 저접착층(136)은 발포접착층(134)이 발포된 후 다시 가열된 상태에서의 접착력에 비해서는 높은 접착력을 갖도록 구성된다. 일 예로서, 발포접착층(134)은 40㎛ 의 두께를 갖고 저접착층(136)은 30㎛ 의 두께를 갖는다. 도 7 에서는 발포접착층(134)과 저접착층(136)이 각각 기재(132)의 상면과 하면에 형성되는 것을 예시하고 있으나, 발포접착층(134)은 기재(132)의 양면에 형성될 수도 있고 하면에만 형성될 수도 있다.The foam adhesive layer 134 is applied to the upper surface of the substrate 132, and the low adhesive layer 136 is applied to the lower surface of the substrate 132. The foamed adhesive layer 134 contains foam particles that are foamed by heat therein, and is denatured by the thermal foaming of the foam particles to weaken the adhesive force. The low adhesive layer 136 is a layer of an adhesive whose adhesive strength is weaker than that of the foam adhesive layer 134. At this time, the low-adhesion layer 136 is configured to have a higher adhesive force than the adhesive force in the heated state after the foamed adhesive layer 134 is foamed. As an example, the foam adhesive layer 134 has a thickness of 40 μm and the low adhesive layer 136 has a thickness of 30 μm. 7 illustrates that the foam adhesive layer 134 and the low adhesive layer 136 are formed on the upper and lower surfaces of the substrate 132, respectively, but the foam adhesive layer 134 may be formed on both sides of the substrate 132 or the lower surface. It may only be formed.

라이너(138)는 발포접착층(134)과 저접착층(136)을 보호하기 위하여 발포접착층(134)의 상면과 저접착층(136)의 하면에 부착되는 일종의 커버이다. 라이너(138)는 일반적으로 PET 재질로 제작된다. 라이너(138)에 의해 발포접착층(134)과 저접착층(136)이 덮여 있으므로, 접착테이프(130)는 연속적으로 긴 띠의 형상으로 제작되어 롤 형태로 감긴 구조로 제작될 수 있다.The liner 138 is a type of cover attached to the upper surface of the foam adhesive layer 134 and the lower surface of the low adhesive layer 136 in order to protect the foam adhesive layer 134 and the low adhesive layer 136. The liner 138 is generally made of PET material. Since the foamed adhesive layer 134 and the low-adhesive layer 136 are covered by the liner 138, the adhesive tape 130 may be continuously manufactured in the shape of a long strip and wound in a roll shape.

이러한 구조의 접착테이프(130)는 라이너(138)가 제거된 후 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이에 개재되어 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 본딩하는 데에 사용된다. 도 8 및 도 9 는 도 7 의 접착테이프(130)에 의해 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120)가 본딩된 상태를 도시하고 있다. 도 8 은 본딩이 된 후에 디본딩을 위해 가열하기 전의 상태를 도시하며, 도 9 는 가열 후의 상태를 도시하고 있다. 가열 전에는 도 8 과 같이 발포접착층(134) 내의 발포입자가 팽창하지 않은 상태이고, 접착테이프(130)가 가열됨에 따라 도 9 와 같이 발포입자가 발포되어 발포접착층(134)의 두께가 증가함과 동시에 발포접착층(134)의 접착력이 약화된다. 이와 같이 발포접착층(134)의 접착력이 약화되므로, 가열 후에 캐리어 웨이퍼(120)를 반도체 웨이퍼(110)로부터 분리하기 쉬워진다.The adhesive tape 130 having this structure is interposed between the semiconductor wafer and the carrier wafer after the liner 138 is removed, and is used to bond the semiconductor wafer and the carrier wafer. 8 and 9 illustrate a state in which the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 are bonded by the adhesive tape 130 of FIG. 7. FIG. 8 shows a state after bonding and before heating for debonding, and FIG. 9 shows a state after heating. Before heating, the foamed particles in the foamed adhesive layer 134 are not expanded as shown in FIG. 8, and as the adhesive tape 130 is heated, the foamed particles are foamed as shown in FIG. 9 to increase the thickness of the foamed adhesive layer 134. At the same time, the adhesive force of the foam adhesive layer 134 is weakened. In this way, since the adhesive force of the foamed adhesive layer 134 is weakened, it becomes easy to separate the carrier wafer 120 from the semiconductor wafer 110 after heating.

본 발명에서 접착테이프(130)의 발포접착층(134)에 대해 요구되는 접착력은 전술한 바와 같은 프리디본딩과 메인디본딩 공정 전후에 각각 상이하다. 즉, 발포접착층(134)은, 발포 전에는 상온에서 접착력이 가장 강하고 소정의 온도로 가열 시 발포에 의해 접착력이 약화된다. 그리고, 발포된 후에는 온도가 낮을수록 접착력이 증가하되, 발포 후의 상온에서는 발포 전의 상온에서와 비교할 때 접착력이 약한 특성을 갖는다. 본 발명에서는 프리디본딩 공정에서는 상기한 소정의 온도로 가열하고, 메인디본딩 공정에서는 다시 그보다 낮은 온도로 재가열한다. 따라서 프리디본딩 공정에서의 가열에 의한 발포에 의해 발포접착층(134)은 가장 낮은 접착력을 갖는 상태가 되며, 본딩 공정에서의 낮은 온도의 가열에 의하여 발포접착층(134)은 두 번째로 낮은 접착력을 갖는 상태가 된다.In the present invention, the adhesive force required for the foamed adhesive layer 134 of the adhesive tape 130 is different before and after the pre-de-bonding and main de-bonding processes as described above. That is, the foamed adhesive layer 134 has the strongest adhesive strength at room temperature before foaming, and the adhesive strength is weakened by foaming when heated to a predetermined temperature. In addition, after foaming, the adhesive strength increases as the temperature decreases, but at room temperature after foaming, the adhesive strength is weaker than at room temperature before foaming. In the present invention, the pre-debonding process is heated to the predetermined temperature, and the main de-bonding process is reheated to a lower temperature. Therefore, the foam adhesive layer 134 is in a state of having the lowest adhesive strength due to foaming by heating in the free-di-bonding process, and the foam adhesive layer 134 has the second lowest adhesive strength by heating at a low temperature in the bonding process. State.

한편, 저접착층(136)은 접착력이 발포접착층(134)보다 약하다. 이때, 저접착층(136)의 접착력이 발포접착층(134)보다 낮은 것은 발포접착층(134)이 발포되기 전이거나 발포 후에 상온으로 냉각된 상태일 경우이다. 즉, 발포접착층(134)이 발포된 후이거나 발포 후에 재 가열된 상태에서는 저접착층(136)의 접착력이 발포접착층(134)보다 강하다.On the other hand, the low adhesive layer 136 has a weaker adhesive force than the foam adhesive layer 134. In this case, the low adhesive strength of the low adhesive layer 136 is lower than that of the foamed adhesive layer 134 when the foamed adhesive layer 134 is cooled to room temperature before or after foaming. That is, when the foamed adhesive layer 134 is foamed or reheated after foaming, the adhesive strength of the low adhesive layer 136 is stronger than that of the foamed adhesive layer 134.

본 발명에서 각각의 단계, 즉 본딩, 프리디본딩, 메인디본딩 단계에서 요구되는 접착력을 구현하기 위하여, 가열에 의한 발포에 의해 접착제의 유동성 높아져서 접착력 작아지는 원리를 이용한다. 프리디본딩 공정에서는 가열에 의해 발포입자를 발포시켜 접착제 표면에 엠보싱을 형성함으로써 접착 면적이 줄어들고, 이로 인하여 접착력이 1/2~1/5 수준 줄어든다. 메인디본딩 공정에서는 온도를 상온에서 작업 가능한 수준의 온도인 약 45~60℃ 로 상승시켜 접착력을 약화시켜 완전 디본딩한다. 이때, 본딩 조건을 좋게 하기 위하여 접착력을 너무 높일 경우(약 2000 gf/25mm 이상) 발포 입자가 발포되어도 표면에 엠보싱이 형성이 되지 않아 디본딩이 어려워질 수 있다.In the present invention, in order to realize the adhesive force required in each step, that is, bonding, pre-bonding, and main de-bonding, the principle of increasing the fluidity of the adhesive by foaming by heating and reducing the adhesive force is used. In the free-di-bonding process, the foamed particles are foamed by heating to form embossing on the adhesive surface, thereby reducing the adhesive area, thereby reducing the adhesive strength by 1/2 to 1/5. In the main debonding process, the temperature is raised to about 45~60℃, which is the level that can be worked at room temperature, to weaken the adhesive force and completely debond. At this time, if the adhesion is too high to improve bonding conditions (about 2000 gf/25mm or more), even if the expanded particles are foamed, embossing is not formed on the surface, and thus debonding may be difficult.

발포접착층(134)의 조성은, 일반적인 아크릴 점착제의 조성과 같이 알킬메타 아크릴레이트, 아크릴산(혹은 에스터)이 95~90 : 5~10 비율로 구성되고, 약 1000~2500gf/25mm 정도의 접착력을 갖도록 구성된다. 접착력은 아크릴산과 에스터의 양에 의하여 조절이 가능하지만, 약한 결합 구조로 인하여 알킬메타 아크릴레이트과 배합하여 사용한다. 여기에 기능성 첨가제인 가교제, 경화제, 대전방지제 등을 배합하여 접착제의 특성을 부여하게 된다.The composition of the foam adhesive layer 134 is composed of an alkyl meta acrylate and acrylic acid (or ester) in a ratio of 95 to 90: 5 to 10, as in the composition of a general acrylic adhesive, and has an adhesive strength of about 1000 to 2500 gf/25 mm. It is composed. Adhesion can be adjusted by the amount of acrylic acid and ester, but it is used in combination with alkyl meta acrylate due to its weak bonding structure. Functional additives such as a crosslinking agent, a curing agent, and an antistatic agent are blended to give the adhesive properties.

발포접착층(134)에 첨가되는 가교제는 발포제(입자)의 응집력을 높이는 기능을 하며, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제를 혼합하여 아크릴계 폴리머 100중량부에 대하여 약 10중량부 이하로 사용하는것이 바람직하다. 또한, 프리디본딩 시 발포 입자를 엠보싱 형태로 만들기 위하여 초기 점착력이 약 1000gf/25mm 정도가 되도록 아크릴 산의 중량을 줄여 점착력을 조정한다.The crosslinking agent added to the foamed adhesive layer 134 functions to increase the cohesiveness of the foaming agent (particles), and an isocyanate-based crosslinking agent, an epoxy-based crosslinking agent, and an oxazoline-based crosslinking agent are mixed to make the amount of about 10 parts by weight or less per 100 parts by weight of the acrylic polymer. It is desirable to use it. In addition, the adhesive strength is adjusted by reducing the weight of acrylic acid so that the initial adhesive strength is about 1000gf/25mm in order to make the expanded particles into an embossed form during pre-debonding.

반도체 웨이퍼(110)와 접착되는 면인 저접착층(136)은 낮은 접착력이 요구된다. 약 100gf/25mm 의 접착력을 갖기 위하여 접착력을 높이는 아크릴산 비중을 최소화하고 이형제 성분을 추가적으로 첨가한다. 이때, 접착력이 80gf/25mm 이하일 경우는 공정에서 반도체 웨이퍼(110)와 접착테이프(130)가 떨어지는 문제점이 발생되고, 약 200 gf/25mm 이상으로 높은 접착력을 가질 경우에는 반도체 웨이퍼(110)와 접착테이프(130)의 분리 시 반도체 웨이퍼(110)의 박막에 크랙이 발생할 수 있다.The low-adhesion layer 136, which is a surface adhered to the semiconductor wafer 110, is required to have low adhesion. In order to have an adhesion of about 100gf/25mm, the specific gravity of acrylic acid that increases adhesion is minimized, and a release agent component is additionally added. At this time, if the adhesion is 80 gf/25 mm or less, the semiconductor wafer 110 and the adhesive tape 130 fall off during the process, and if the adhesion is higher than about 200 gf/25 mm, it is adhered to the semiconductor wafer 110 When the tape 130 is separated, a crack may occur in the thin film of the semiconductor wafer 110.

이하에서는 본 발명에 따른 본딩 및 디본딩 과정에 대해 기술한다.Hereinafter, bonding and debonding processes according to the present invention will be described.

도 10 은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 과정을 도시한 순서도이고, 도 11 내지 도 17 은 도 10 의 각 과정에 따른 반도체 웨이퍼의 상태를 순차 도시한 도면이다.10 is a flowchart illustrating a process of bonding and debonding a semiconductor wafer according to the present invention, and FIGS. 11 to 17 are views sequentially showing states of a semiconductor wafer according to each process of FIG. 10.

먼저, 도 11 에 도시된 바와 같이 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(130)를 접합하는 본딩(bonding) 과정이 수행된다.(S110). 반도체 웨이퍼(110)는 회로가 형성된 면(도 11 의 상면)인 제1면 및 제1면의 이면인 제2면을 갖는다. 캐리어 웨이퍼(120)는 반도체 웨이퍼(110)의 제1면에 본딩된다.First, as shown in FIG. 11, a bonding process of bonding the semiconductor wafer 110 on which the circuit is formed and the carrier wafer 130 is performed (S110). The semiconductor wafer 110 has a first surface that is a surface (top surface of FIG. 11) on which a circuit is formed, and a second surface that is a rear surface of the first surface. The carrier wafer 120 is bonded to the first surface of the semiconductor wafer 110.

본딩을 위해서 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120) 사이에는 접착테이프(130)가 개재된다. 본딩에 의하여, 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120)는 그 단면이 도 9 에 도시된 바와 같은 상태로 접합된다. 이때, 접착테이프(130)의 발포접착층(134)이 상면에 위치되어 캐리어 웨이퍼(120)와 접착되고 저접착층(136)이 하면에 위치되어 반도체 웨이퍼(110)와 접착된다.For bonding, an adhesive tape 130 is interposed between the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120. By bonding, the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 are bonded in a state in which the cross section is as shown in FIG. 9. At this time, the foamed adhesive layer 134 of the adhesive tape 130 is positioned on the upper surface and adhered to the carrier wafer 120, and the low adhesive layer 136 is positioned on the lower surface to adhere to the semiconductor wafer 110.

캐리어 웨이퍼(120)가 본딩된 반도체 웨이퍼(110)는 후속되는 반도체 웨이퍼(110)의 가공 공정을 겪는다.(S120) 후속되는 가공은 예컨대 반도체 웨이퍼(10)의 두께를 원하는 두께로 박막화하는 그라인딩(grinding) 공정을 포함한다. 그라인딩된 반도체 웨이퍼(10)는 도 12 에 도시된 바와 같이 원래의 두께보다 얇은 두께가 된다. 그라인딩 공정 후에는 추가의 후속 공정으로서, 예컨대 도 13 에 도시된 바와 같이 시드메탈 스퍼터링(Seed Metal Sputtering) 공정에 의해 NiV 또는 Ti/Cu 재질의 메탈층(140)이 반도체 웨이퍼(110)의 후면에 도포되고, 또한 플레이팅(Plating) 공정에 의해 Cu 박막과 Ni 박막의 도금층(151, 152)이 메탈층(140)상에 형성된다. 본딩 과정(S110)에서 본딩된 캐리어 웨이퍼(120)는 이와 같은 후속 가공 공정을 위해 반도체 웨이퍼(110)가 이송되는 과정 및 후속 가공 공정 수행 중에 반도체 웨이퍼(110)의 물리적 강도를 유지하는 기능을 한다.The semiconductor wafer 110 to which the carrier wafer 120 is bonded undergoes a subsequent processing process of the semiconductor wafer 110. (S120) The subsequent processing is, for example, grinding to reduce the thickness of the semiconductor wafer 10 to a desired thickness ( grinding) process. The ground semiconductor wafer 10 becomes thinner than the original thickness as shown in FIG. 12. After the grinding process, as an additional subsequent process, a metal layer 140 made of NiV or Ti/Cu material is deposited on the rear surface of the semiconductor wafer 110 by, for example, a seed metal sputtering process as shown in FIG. 13. After being applied, plating layers 151 and 152 of a Cu thin film and a Ni thin film are formed on the metal layer 140 by a plating process. The carrier wafer 120 bonded in the bonding process (S110) functions to maintain the physical strength of the semiconductor wafer 110 during a process in which the semiconductor wafer 110 is transferred and a subsequent processing process is performed for such a subsequent processing process. .

그리고 나서, 본딩된 반도체 웨이퍼(110)에 대한 프리디본딩 공정이 수행된다.(S125) 프리디본딩 공정에서는 접착테이프(130)를 제1온도 이상으로 가열하여 발포접착층(134)을 발포시킨다. 도 14 는 발포접착층(134)이 발포에 의해 팽창된 상태를 도시하고 있다.Then, a pre-de-bonding process is performed on the bonded semiconductor wafer 110 (S125). In the pre-de-bonding process, the foamed adhesive layer 134 is foamed by heating the adhesive tape 130 to a first temperature or higher. 14 shows a state in which the foamed adhesive layer 134 is expanded by foaming.

여기에서 제1온도는 발포접착층(134)의 발포온도, 즉 발포가 일어나게 되는 온도이다. 따라서 제1온도 이상으로 가열함으로써 발포접착층(134)에 발포를 유발시킨다. 발포온도는 전술한 바와 같은 발포접착층(134)의 조성물들의 구성이나 각 조성물들의 조성비를 조절함으로써 조절될 수 있다. 이 발포온도는 후속되는 가공 공정을 고려하여 결정되고, 조성물이나 조성비는 결정된 발포온도를 고려하여 조절된다.Here, the first temperature is the foaming temperature of the foamed adhesive layer 134, that is, the temperature at which foaming occurs. Therefore, by heating above the first temperature, foaming is caused in the foamed adhesive layer 134. The foaming temperature may be adjusted by adjusting the composition of the compositions of the foamed adhesive layer 134 or the composition ratio of each composition as described above. This foaming temperature is determined in consideration of the subsequent processing process, and the composition or composition ratio is adjusted in consideration of the determined foaming temperature.

프리디본딩에서 발포를 일으키는 공정만을 고려할 때는 발포온도는 낮을수록 좋을 수 있다. 그러나, 만약 발포온도를 낮게 설정하면 프리디본딩 전에 수행되는 본딩 후의 가공 공정에서 의도하지 않은 발포가 유발될 수 있다. 따라서 발포접착층(134)의 발포온도는 프리디본딩 전의 가공 공정에서 접착테이프(130)에 가해지는 온도보다 높게 설정되는 것이 바람직하다. 예컨대 본딩 후의 시드메탈 스퍼터링(Seed Metal Sputtering) 공정에서의 반도체 웨이퍼(110)는 125℃ 정도의 온도에 노출될 수 있다. 따라서 이러한 가공 공정에서 발포가 일어나지 않도록 하기 위해서, 발포온도는 125℃ 이상이 되도록 설정된다. 경우에 따라서는 스퍼터링 공정에서의 온도는 150℃ 에 이를 수 있다. 따라서 이러한 경우에는 발포온도는 150℃ 이상이 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 냉각 칠러(chiller)가 설치된 저온 스퍼터링 장치의 경우 90℃ 이하에서 스퍼터링 공정을 할 수 있다. 이러한 경우 발포 온도는 90℃ 이상으로 설정할 수 있다.When considering only the process that causes foaming in free-di-bonding, the lower the foaming temperature, the better. However, if the foaming temperature is set low, unintended foaming may be caused in the post-bonding processing process performed before pre-debonding. Therefore, the foaming temperature of the foamed adhesive layer 134 is preferably set higher than the temperature applied to the adhesive tape 130 in the processing process before the pre-dibonding. For example, the semiconductor wafer 110 in the seed metal sputtering process after bonding may be exposed to a temperature of about 125°C. Therefore, in order to prevent foaming from occurring in this processing process, the foaming temperature is set to be 125°C or higher. In some cases, the temperature in the sputtering process may reach 150°C. Therefore, in this case, the foaming temperature is preferably set to be 150°C or higher. In addition, in the case of a low-temperature sputtering device equipped with a cooling chiller, a sputtering process can be performed at 90°C or less. In this case, the foaming temperature may be set to 90°C or higher.

한편, 이와 같이 본딩 후의 가공 공정에서의 원하지 않는 발포를 방지하기 위해서는 발포온도는 높을수록 좋을 수 있을 것이다. 그러나 발포온도가 지나치게 높은 경우 발포를 유발하기 위해 더욱 높은 온도로 가열하여야 하고, 이 경우 접착테이프(130)의 기재(132)가 과한 열에 의해 변형될 우려가 있다. 따라서 발포온도는 기재(132)에 변형이 유발되는 온도보다 낮은 것이 바람직하다. 기재(132)의 일반적인 PET 재질을 고려할 때 기재(132)는 통상적으로 160℃ 이상의 온도에서 변형이 유발되며, 따라서 발포온도는 160℃ 이하인 것이 바람직하다.On the other hand, in order to prevent unwanted foaming in the post-bonding processing process as described above, the higher the foaming temperature, the better. However, if the foaming temperature is too high, it must be heated to a higher temperature in order to induce foaming, and in this case, there is a concern that the substrate 132 of the adhesive tape 130 is deformed by excessive heat. Therefore, it is preferable that the foaming temperature is lower than the temperature at which deformation is induced in the substrate 132. When considering the general PET material of the substrate 132, the substrate 132 is generally deformed at a temperature of 160°C or higher, and therefore, it is preferable that the foaming temperature is 160°C or less.

이러한 점을 고려할 때, 발포접착층(134)은 150~160℃ 에서 발포되도록 조성 또는 조성비가 조절되는 것이 바람직하다.In consideration of this point, it is preferable that the foamed adhesive layer 134 is adjusted in composition or composition ratio so as to foam at 150 to 160°C.

그리고 나서, 가열된 반도체 웨이퍼(110)에 대한 냉각 공정이 수행된다. 프리디본딩 공정(S125)은 이러한 냉각 공정을 포함한다. 냉각 공정에 의하여 반도체 웨이퍼(110), 정확하게는 접착테이프(130)의 발포접착층(134)은 상온으로 냉각된다. 발포에 의해 약화되었던 발포접착층(134)의 접착력은 냉각 공정에 의해 다시 강화된다.Then, a cooling process is performed on the heated semiconductor wafer 110. The pre-debonding process (S125) includes such a cooling process. By the cooling process, the foamed adhesive layer 134 of the semiconductor wafer 110, specifically the adhesive tape 130, is cooled to room temperature. The adhesive force of the foamed adhesive layer 134, which was weakened by foaming, is reinforced by the cooling process.

냉각된 후에, 반도체 웨이퍼(110)는 도 15 에 도시된 바와 같이 링프레임(160) 상에 실장된다.(S130) 링프레임(160)은 그 내측에 접착용 멤브레인(170)을 구비하고 있으며, 이 멤브레인(170) 상에 반도체 웨이퍼(110)가 놓여짐으로써 반도체 웨이퍼(110)가 링프레임(160) 상에 실장된다. 이때, 반도체 웨이퍼(110)의 제2면, 즉 회로 형성면의 반대측 면이 링프레임(160) 내의 멤브레인(170)에 접촉된다.After cooling, the semiconductor wafer 110 is mounted on the ring frame 160 as shown in FIG. 15. (S130) The ring frame 160 has an adhesive membrane 170 therein, By placing the semiconductor wafer 110 on the membrane 170, the semiconductor wafer 110 is mounted on the ring frame 160. At this time, the second surface of the semiconductor wafer 110, that is, a surface opposite to the circuit formation surface, is in contact with the membrane 170 in the ring frame 160.

냉각 공정에 의하여 발포접착층(134)의 접착력이 강화되어 있는 상태이므로, 반도체 웨이퍼(110)를 링프레임(160)에 장착하는 공정, 즉 캐리어 웨이퍼(130)를 파지하여 반도체 웨이퍼(110)를 링프레임(160)의 상부로 이동하여 링프레임(160)과 반도체 웨이퍼(110)를 본딩하는 공정이, 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120)가 분리되는 문제점 없이 원활하게 이루어질 수 있다. 멤브레인(170)은 통상적으로 UV 경화형 접착제가 도포된 접착층을 구비하고 있다. UV 경화형 접착제는 UV 를 조사하면 경화되어 접착력이 약화되며, 이는 열경화형 접착제에 비하여 가열 공정 및 냉각 공정이 불필요하다는 장점이 있다.Since the adhesive strength of the foamed adhesive layer 134 is strengthened by the cooling process, the process of attaching the semiconductor wafer 110 to the ring frame 160, that is, holding the carrier wafer 130 to ring the semiconductor wafer 110 The process of moving to the top of the frame 160 and bonding the ring frame 160 and the semiconductor wafer 110 may be performed smoothly without a problem that the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 are separated. The membrane 170 typically includes an adhesive layer to which a UV-curable adhesive is applied. UV-curable adhesives cure when irradiated with UV and weaken adhesion, which has the advantage that heating and cooling processes are unnecessary compared to thermosetting adhesives.

반도체 웨이퍼(110)가 링프레임(160)에 장착된 후에, 반도체 웨이퍼(110)는 후속되는 SAW 공정을 위해 이송된다. SAW 공정을 수행하기 전에, 반도체 웨이퍼(110)상에 본딩되어 있던 캐리어 웨이퍼(120)를 제거하는 메인디본딩(main deboding) 공정이 수행된다.(S135) 메인디본딩 공정(S135)은 접착테이프(130)의 접착력을 약화시켜 캐리어 웨이퍼(120)를 제거하기 쉽게 만드는 공정을 포함한다. 접착테이프(130)의 접착력을 약화시키기 위해서, 메인디본딩 공정에서는 제2온도로 접착테이프(130)를 가열한다. 제2온도로 가열함으로써 발포접착층(134)의 접착력은 다시 약화된다.After the semiconductor wafer 110 is mounted on the ring frame 160, the semiconductor wafer 110 is transferred for a subsequent SAW process. Before performing the SAW process, a main deboding process of removing the carrier wafer 120 bonded on the semiconductor wafer 110 is performed. (S135) The main de-bonding process (S135) includes an adhesive tape. It includes a process of making the carrier wafer 120 easier to remove by weakening the adhesive force of the 130. In order to weaken the adhesive force of the adhesive tape 130, the adhesive tape 130 is heated to a second temperature in the main de-bonding process. By heating to the second temperature, the adhesive force of the foamed adhesive layer 134 is weakened again.

메인디본딩 공정(S135)에서 가열되는 제2온도는 제1온도보다 낮은 온도이다. 제2온도는 발포접착층(134)의 접착력이 약화되도록 하기 위한 충분한 온도로 설정된다. 아크릴계 접착제를 사용하는 발포접착층(134)의 접착력이 디본딩을 위해 충분히 약화되기 위해서, 제2온도는 45℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한 제2온도는 반도체 웨이퍼(110)와 링프레임(160) 사이의 UV 경화형 접착층을 구비한 멤브레인(170)에 손상이 가지 않도록 설정되어야 한다. 따라서 UV 경화형 접착제가 손상되는 일반적인 온도인 80℃ 보다 낮은 온도로 설정된다. 나아가, 제2온도는 메인디본딩 공정 후에 후속되는 공정에서 작업자에 의해 수작업으로 수행될 수 있는 작업의 발생을 고려하는 것이 바람직하다. 예컨대 불량 웨이퍼의 발생 시 작업자가 해당 웨이퍼를 수작업으로 공정에서 제거하는 경우가 있는데, 이때 작업자가 용이하게 작업하기 위해서는 가열된 상태에서 다시 냉각시키는 과정을 거치지 않아도 화상의 우려가 없는 온도의 설정이 필요하다. 이를 고려하여, 제2온도는 60℃ 이하로 설정된다. 따라서 제2온도는 45~60℃ 인 것이 바람직하다.The second temperature heated in the main debonding process S135 is a temperature lower than the first temperature. The second temperature is set to a temperature sufficient to weaken the adhesive force of the foamed adhesive layer 134. In order to sufficiently weaken the adhesive force of the foamed adhesive layer 134 using an acrylic adhesive for debonding, the second temperature is preferably 45° C. or higher. In addition, the second temperature should be set so that the membrane 170 including the UV-curable adhesive layer between the semiconductor wafer 110 and the ring frame 160 is not damaged. Therefore, it is set to a temperature lower than 80°C, which is a typical temperature at which UV-curable adhesives are damaged. Furthermore, it is preferable to consider the occurrence of a task that can be manually performed by an operator in a process subsequent to the main debonding process as the second temperature. For example, when a defective wafer occurs, the operator may manually remove the wafer from the process.In this case, in order for the operator to work easily, it is necessary to set a temperature that does not cause burns even without going through the process of cooling again in a heated state. Do. In consideration of this, the second temperature is set to 60°C or less. Therefore, the second temperature is preferably 45 ~ 60 ℃.

이와 같은 제2온도로 가열된 상태에서, 캐리어 웨이퍼(120)가 반도체 웨이퍼(110)로부터 분리되어 도 16 과 같은 상태가 된다. 캐리어 웨이퍼(120)를 분리할 때, 발포접착층(134)은 가열된 상태여서 저접착층(136)보다 접착력이 약하므로, 접착테이프(130)는 반도체 웨이퍼(110)에 접착된 상태가 유지되고 캐리어 웨이퍼(120)만 분리된다.In the heated state to the second temperature, the carrier wafer 120 is separated from the semiconductor wafer 110 to obtain a state as shown in FIG. 16. When separating the carrier wafer 120, since the foamed adhesive layer 134 is in a heated state and has a weaker adhesive strength than the low adhesive layer 136, the adhesive tape 130 remains adhered to the semiconductor wafer 110 and the carrier Only the wafer 120 is separated.

도 16 의 상태에서 접착테이프(130)를 추가로 제거함으로써(S145), 도 17 과 같은 상태가 된다. 접착테이프(130)의 추가 제거는 별도의 추가 제거 장비를 이용하거나 작업자의 수작업에 의해 수행될 수 있다.By additionally removing the adhesive tape 130 in the state of FIG. 16 (S145), the state as shown in FIG. 17 is obtained. The additional removal of the adhesive tape 130 may be performed using a separate additional removal equipment or manually by an operator.

접착테이프(130)가 제거된 반도체 웨이퍼(110)는 링프레임(160)에 실장된 상태로 SAW 공정으로 이송되어 개개의 반도체 칩으로 분할된다.(S150)The semiconductor wafer 110 from which the adhesive tape 130 has been removed is transferred to the SAW process while being mounted on the ring frame 160 and divided into individual semiconductor chips (S150).

한편, 상기 실시예에서는 접착테이프(130)가 기재(132)의 상부에 발포접착층(134)을 구비하고 하부에 저접착층(136)을 구비하고 있으나, 기재(132)의 양면에 모두 발포접착층(134)이 구비되도록 구성되거나 기재(132)의 하면에만 발포접착층(134)이 구비되도록 구성될 수 있다. 이 경우 캐리어 웨이퍼(120)를 분리하는 공정에서 접착테이프(130)가 캐리어 웨이퍼(120)와 함께 반도체 웨이퍼(110)로부터 분리될 수 있다.On the other hand, in the above embodiment, the adhesive tape 130 includes a foam adhesive layer 134 on an upper portion of the substrate 132 and a low adhesive layer 136 at the lower portion, but both foam adhesive layers ( It may be configured to be provided with 134, or may be configured to be provided with a foam adhesive layer 134 only on the lower surface of the substrate 132. In this case, in the process of separating the carrier wafer 120, the adhesive tape 130 may be separated from the semiconductor wafer 110 together with the carrier wafer 120.

또한, 상기 실시예에서는 접착테이프(130)의 발포접착층(134)이 열에 의해 발포되는 재질로 구성되어 있으나, 발포접착층(134)은 UV 에 의해 발포되는 UV 경화성 발포 재질로 구성될 수도 있다. 이 경우 프리디본딩 공정에서는 열을 가하는 것이 아니라 UV 를 조사하는 방식으로 발포접착층(134)의 접착력이 약화된다. UV 경화형 발포제의 경우 발포 후 냉각되는 공정이 생략되는 장점이 있다.In addition, in the above embodiment, the foamed adhesive layer 134 of the adhesive tape 130 is made of a material that is foamed by heat, but the foamed adhesive layer 134 may be made of a UV-curable foaming material that is foamed by UV. In this case, the adhesive strength of the foamed adhesive layer 134 is weakened by irradiating UV rather than applying heat in the pre-debonding process. In the case of the UV-curable foaming agent, there is an advantage in that the process of cooling after foaming is omitted.

또한, 상기 실시예에서는 프리디본딩 공정(S125)에서 접착테이프(130)의 가열 후 냉각시키는 예를 기술하였으나, 냉각시키는 공정은 예컨데 별도의 냉각 장치를 이용하여 적극적으로 냉각시키는 공정일 수 있고 단지 상온에서 일정 시간 이상 대기시킴으로써 자연 발열시키는 공정일 수 있다. 또한 가열 공정과 냉각 공정은 동시에 진행될 수도 있다. 이 경우에는 가열 공정은 캐리어 웨이퍼(120) 측으로부터 수행되고 냉각 공정은 반도체 웨이퍼(110) 측으로부터 수행되는 것이 바람직하다. 캐리어 웨이퍼(120) 측으로부터의 가열에 의해 발포접착층(134)이 발포됨과 동시에 반도체 웨이퍼(110) 측으로부터의 냉각 공정에 의해 열이 냉각된다. 이와 같이가열과 냉각이 동시에 진행되는 경우 공정 시간을 단축시킬 수 있다.In addition, in the above embodiment, an example of heating and cooling the adhesive tape 130 in the pre-debonding process (S125) has been described, but the cooling process may be, for example, a process of actively cooling using a separate cooling device. It may be a process of naturally generating heat by waiting for a certain period of time or more. In addition, the heating process and the cooling process may be performed at the same time. In this case, it is preferable that the heating process is performed from the carrier wafer 120 side and the cooling process is performed from the semiconductor wafer 110 side. The foamed adhesive layer 134 is foamed by heating from the carrier wafer 120 side, and heat is cooled by a cooling process from the semiconductor wafer 110 side. When heating and cooling are performed at the same time in this way, the process time can be shortened.

이하에서는, 이와 같은 본딩 및 디본딩 방법에서 프리디본딩 공정의 실행을 위해 사용되는 본 발명에 따른 프리디본딩 장치에 대해 기술한다.Hereinafter, a predebonding apparatus according to the present invention used for executing a predebonding process in such a bonding and debonding method will be described.

도 18 은 본 발명에 따른 프리디본딩 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.18 is a block diagram schematically showing a pre-debonding apparatus according to the present invention.

본 발명의 프리디본딩 장치(200)는 가열부(210), 냉각부(220), 및 가압부(230)를 구비한다.The predi-bonding apparatus 200 of the present invention includes a heating unit 210, a cooling unit 220, and a pressing unit 230.

가열부(210)는 접착테이프(130)를 전술한 제1온도로 가열하여 발포접착층(134)을 발포시킨다. 냉각부(22)는 가열된 접착테이프(130)를 상온에 이르도록 냉각시킨다. 가압부는 가열부(210)가 가열하는 동작이 진행되는 동안 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120)가 서로 접촉하는 방향으로 가압한다.The heating unit 210 heats the adhesive tape 130 to the above-described first temperature to foam the foam adhesive layer 134. The cooling unit 22 cools the heated adhesive tape 130 to room temperature. The pressing unit presses the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 in a direction in which the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 contact each other while an operation of heating by the heating unit 210 is in progress.

도 19 는 도 18 의 프리디본딩 장치에 의해 수행되는 동작을 도식적으로 보여주는 도면이다.FIG. 19 is a diagram schematically illustrating an operation performed by the pre-debonding device of FIG. 18.

가열부(210)는 캐리어 웨이퍼(120)가 본딩된 반도체 웨이퍼(110)의 상부, 즉 캐리어 웨이퍼(120)에 접촉되어 캐리어 웨이퍼(120) 측에서 접착테이프(130)를 제1온도로 가열한다. 가열부(210)가 발생시키는 열은 캐리어 웨이퍼(120)를 거쳐 접착테이프(130)에 전달되며, 이에 따라 접착테이프(130) 내의 발포접착층(134)이 발포된다. 가열부(210)는 외부 전원에 의해 열을 가하는 히터척(heater chuck)과 같은 것으로 구현될 수 있다.The heating unit 210 is in contact with the upper portion of the semiconductor wafer 110 to which the carrier wafer 120 is bonded, that is, the carrier wafer 120 to heat the adhesive tape 130 at a first temperature from the carrier wafer 120 side. . Heat generated by the heating unit 210 is transferred to the adhesive tape 130 via the carrier wafer 120, and accordingly, the foamed adhesive layer 134 in the adhesive tape 130 is foamed. The heating unit 210 may be implemented as a heater chuck that applies heat by an external power source.

냉각부(220)는 하부, 즉 반도체 웨이퍼(110)에 접촉되어 반도체 웨이퍼(110) 측에서 접착테이프(130)를 냉각시킨다. 냉각부(220)의 냉기는 반도체 웨이퍼(110)를 거쳐 접착테이프(130)에 전달되며, 이에 따라 접착테이프(130) 내의 발포접착층(134)이 상온으로 냉각된다. 가열부(210)는 외부 전원에 의해 냉기를 발생시키는 쿨링척(cooling chuck)과 같은 것으로 구현될 수 있다.The cooling unit 220 is in contact with the lower portion, that is, the semiconductor wafer 110 to cool the adhesive tape 130 from the side of the semiconductor wafer 110. The cold air of the cooling unit 220 is transmitted to the adhesive tape 130 via the semiconductor wafer 110, and accordingly, the foamed adhesive layer 134 in the adhesive tape 130 is cooled to room temperature. The heating unit 210 may be implemented as a cooling chuck that generates cool air by an external power source.

이때, 가열부(210)와 냉각부(220)는 동시에 동작하도록 구성될 수 있다. 가열부(210)와 냉각부(220)가 순차적으로 동작하는 경우 프리디본딩의 소요 시간이 증가하나, 동시에 동작하는 경우 가열부(210)의 열에 의해 발포접착층(134)의 발포가 이루어진 직후에 곧바로 냉각부(220) 측으로 발포접착층(134)의 열이 방출되므로, 공정에 소요되는 시간이 단축된다.In this case, the heating unit 210 and the cooling unit 220 may be configured to operate at the same time. If the heating unit 210 and the cooling unit 220 are sequentially operated, the time required for pre-debonding increases, but if they are operated simultaneously, immediately after the foaming adhesive layer 134 is foamed by the heat of the heating unit 210 Since the heat of the foamed adhesive layer 134 is radiated toward the cooling unit 220, the time required for the process is shortened.

한편, 가압부(230)는 가열부(210)가 동작하는 동안 반도체 웨이퍼(110)와 캐리어 웨이퍼(120)를 상호 접촉되는 방향으로 가압한다. 발포접착층(134)이 발포되는 과정에서 가해지는 열 때문에 발포접착층(134)의 접착력이 매우 약한 상태가 되며, 이로 인하여 캐리어 웨이퍼(120)와 반도체 웨이퍼(110)가 분리될 수 있다. 따라서 냉각부(220)에 의한 냉각이 완료될 때까지 가압부(230)를 이용하여 가압함으로써 캐리어 웨이퍼(120)가 반도체 웨이퍼(110)로부터 분리되는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 가압부(230)는 가압척(pressing chuck)과 같은 것으로 구현될 수 있다.Meanwhile, the pressing unit 230 presses the semiconductor wafer 110 and the carrier wafer 120 in a direction in which they are in contact with each other while the heating unit 210 is operating. Due to the heat applied during the foaming of the foamed adhesive layer 134, the adhesive strength of the foamed adhesive layer 134 is very weak, and thus the carrier wafer 120 and the semiconductor wafer 110 may be separated. Therefore, it is preferable to prevent the carrier wafer 120 from being separated from the semiconductor wafer 110 by pressing using the pressing unit 230 until cooling by the cooling unit 220 is completed. The pressing unit 230 may be implemented as a pressing chuck.

이상 설명한 본 발명에 따르면, 프리디본딩과 메인디본딩의 두 단계에 걸쳐 디본딩 공정이 수행된다. 이때 프리디본딩에서는 발포에 충분한 온도로 가열함으로써 접착테이프(130) 접착력이 약화되므로, 메인디본딩에서는 낮은 온도로 가열하는 것만으로도 접착테이프(130)의 접착력을 디본딩에 충분한 정도로 약화시킬 수 있다. 메인디본딩에서는 낮은 온도로 가열하므로, 캐리어 웨이퍼(120)의 분리가 쉽게 이루어지면서도 링프레임(160)의 접착용 멤브레인(170)에 손상이 발생하지 않으며 또한 SAW 공정 전의 냉각에 소요되는 시간이 짧아진다.According to the present invention described above, a debonding process is performed in two steps of pre-debonding and main debonding. At this time, since the adhesive strength of the adhesive tape 130 is weakened by heating at a temperature sufficient for foaming in the free-de-bonding, only heating at a low temperature in the main de-bonding can weaken the adhesive force of the adhesive tape 130 to a sufficient degree for debonding . Since the main de-bonding is heated to a low temperature, the carrier wafer 120 can be easily separated, but the adhesive membrane 170 of the ring frame 160 is not damaged, and the time required for cooling before the SAW process is reduced. It becomes shorter.

이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이며 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이며, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Above, the present invention is specifically described through the embodiments of the present invention with reference to the drawings, but the examples are used only for the purpose of illustrating and explaining the present invention, and It is not used to limit the scope. Therefore, those of ordinary skill in the technical field of the present invention will be able to understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible from the embodiments, and the true technical protection scope of the present invention is based on the technical matters of the claims. It will have to be decided by.

110 : 반도체 웨이퍼 120 : 캐리어 웨이퍼
130 : 접착테이프 134 : 발포접착층
160 : 링프레임 170 : 멤브레인
200 : 프리디본딩 장치 210 : 가열부
220 : 냉각부 230 : 가압부110: semiconductor wafer 120: carrier wafer
130: adhesive tape 134: foam adhesive layer
160: ring frame 170: membrane
200: free-di-bonding device 210: heating unit
220: cooling unit 230: pressurization unit

Claims (22)

반도체 웨이퍼의 패키징을 위한 디본딩 방법으로서,
a) 반도체 웨이퍼 상의 회로 형성 면인 제1면에, 발포에 의해 접착력이 약화되는 발포접착층을 구비한 접착테이프로 캐리어 웨이퍼를 접착시키는 단계;
b) 상기 캐리어 웨이퍼가 접착된 상기 반도체 웨이퍼에 소정의 가공을 가하는 단계;
c) 상기 발포접착층을 발포시키는 단계;
d) 상기 반도체 웨이퍼의 상기 제1면의 배면인 제2면이 링프레임에 접하도록 상기 반도체 웨이퍼를 상기 링프레임에 실장하는 단계;
e) 상기 발포접착층을 소정의 온도로 가열하는 단계; 및
f) 상기 캐리어 웨이퍼를 상기 반도체 웨이퍼로부터 분리하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
As a debonding method for packaging a semiconductor wafer,
a) adhering a carrier wafer with an adhesive tape having a foamed adhesive layer that is weakened by foaming to a first surface, which is a circuit formation surface on the semiconductor wafer;
b) applying a predetermined processing to the semiconductor wafer to which the carrier wafer is adhered;
c) foaming the foamed adhesive layer;
d) mounting the semiconductor wafer on the ring frame such that a second surface, which is a rear surface of the semiconductor wafer, is in contact with the ring frame;
e) heating the foamed adhesive layer to a predetermined temperature; And
f) separating the carrier wafer from the semiconductor wafer;
Debonding method comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 발포접착층은 제1온도 이상으로 가열 시 발포되는 열 발포형 접착제로 구성되며,
상기 c) 단계에서는 상기 접착테이프를 상기 제1온도로 가열하여 발포시키고,
상기 e) 단계에서의 상기 소정의 온도는 상기 제1온도보다 낮은 제2온도인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 1,
The foamed adhesive layer is composed of a thermally foamable adhesive that foams when heated to a first temperature or higher,
In the step c), the adhesive tape is heated to the first temperature to foam,
The debonding method, wherein the predetermined temperature in step e) is a second temperature lower than the first temperature.
 제 2 항에 있어서,
g) 상기 c) 단계 후에 상기 d) 단계를 수행하기 전에 상기 접착테이프를 냉각시키는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 2,
g) cooling the adhesive tape after step c) and before performing step d);
Debonding method comprising a further.
 제 1 항에 있어서,
상기 발포접착층은 상기 접착테이프의 기재와 상기 캐리어 웨이퍼 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 1,
The foamed adhesive layer is a debonding method, characterized in that disposed between the substrate of the adhesive tape and the carrier wafer.
 제 1 항에 있어서,
상기 b) 단계에서, 상기 소정의 가공은 그라인딩, 시드메탈 스퍼터링, 및 백사이드 플레이팅 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 1,
In step b), the predetermined processing includes at least one of grinding, seed metal sputtering, and backside plating.
 제 2 항에 있어서,
상기 c) 단계에서의 상기 제1온도는 상기 b) 단계에서 가공 시 상기 접착테이프에 가해지는 온도 이상인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 2,
The debonding method, wherein the first temperature in step c) is equal to or higher than a temperature applied to the adhesive tape during processing in step b).
 제 6 항에 있어서,
상기 제1온도는 90℃ 이상인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 6,
Debonding method, characterized in that the first temperature is 90 ℃ or more.
 제 6 항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 접착테이프의 손상이 발생하는 온도 이하인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 6,
The first temperature is a debonding method, characterized in that less than or equal to a temperature at which the adhesive tape is damaged.
 제 2 항에 있어서,
상기 제2온도는 상기 링프레임의 접착용 멤브레인에 손상이 발생되는 온도 이하인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 2,
The second temperature is a debonding method, characterized in that less than or equal to a temperature at which damage to the adhesive membrane of the ring frame occurs.
 제 9 항에 있어서,
상기 제2온도는 45~60℃ 인 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.
The method of claim 9,
Debonding method, characterized in that the second temperature is 45 ~ 60 ℃.
 제 3 항에 있어서,
상기 c) 단계와 상기 g) 단계는 동시에 수행되며,
상기 c) 단계에서는 상기 캐리어 웨이퍼 측으로부터 상기 접착테이프가 가열되고,
상기 g) 단계에서는 상기 반도체 웨이퍼 측으로부터 상기 접착테이프가 냉각되는 것을 특징으로 하는 디본딩 방법.The method of claim 3,
Step c) and step g) are performed simultaneously,
In the step c), the adhesive tape is heated from the side of the carrier wafer,
In the step g), the adhesive tape is cooled from the side of the semiconductor wafer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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