KR102217711B1 - Exhaust unit for side storage - Google Patents

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Abstract

개시되는 사이드 스토리지용 배기 유닛이 웨이퍼 수용 카세트 부재 중 상기 웨이퍼가 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 배기용 패널 부재 및 상기 배기용 패널 부재와 연통되어 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 배기용 덕트 부재를 포함하고, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀을 통해 상기 배기용 패널 부재로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기용 덕트 부재를 통해 외부로 배기되고, 상기와 같이 상기 배기 대상 가스의 비산을 방지하면서 효율적으로 배기시킴으로써 사이드 스토리지 내부에 상기 배기 대상 가스가 잔존하는 것이 방지될 수 있게 되는 장점이 있다.An exhaust unit for side storage to be started is disposed on a front portion of the wafer accommodating cassette member in the direction in which the wafer enters and exits, and a plurality of exhaust target gas inlet holes are formed on the upper surface of the wafer accommodating cassette member. And an exhaust duct member communicating with the exhaust panel member and the exhaust panel member to exhaust the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member to the outside, and formed inside the wafer receiving cassette member. The exhaust target gas is introduced into the exhaust panel member through the exhaust target gas inlet hole, and the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member is exhausted to the outside through the exhaust duct member, as described above. There is an advantage in that the exhaust target gas can be prevented from remaining inside the side storage by efficiently exhausting while preventing the scattering of the exhaust target gas.

Description

사이드 스토리지용 배기 유닛{Exhaust unit for side storage}Exhaust unit for side storage {Exhaust unit for side storage}

본 발명은 사이드 스토리지용 배기 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust unit for side storage.

웨이퍼 가공 설비는 반도체 등의 제조를 위한 웨이퍼를 증착, 노광, 식각, 세정 등 가공하기 위한 것으로, 이러한 웨이퍼 가공 설비에는 로드락 챔버 유닛(load lock chamber unit), 트랜스퍼 챔버 유닛(transfer chamber unit), 프로세스 챔버 유닛(process chamber unit), 이에프이엠(EFEM, Equipment front end module) 등과 함께 사이드 스토리지(side storage)가 적용된다.Wafer processing equipment is for processing wafers for manufacturing semiconductors, such as deposition, exposure, etching, cleaning, etc., and such wafer processing equipment includes a load lock chamber unit, a transfer chamber unit, and A side storage is applied along with a process chamber unit and an equipment front end module (EFEM).

상기 이에프이엠은 로드 포트가 설치되어, 상기 로드 포트를 통해 웨이퍼를 상기 웨이퍼 가공 설비 내로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 회수하여 외부로 반출할 수 있는 것이고, 상기 로드락 챔버 유닛은 상기 이에프이엠과 상기 트랜스퍼 챔버 유닛 사이에서 웨이퍼가 통과되는 것이고, 상기 트랜스퍼 챔버 유닛은 로봇 팔 등이 내장되어 있어서 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 투입된 웨이퍼를 상기 프로세스 챔버 유닛으로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 다시 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 상기 이에프이엠으로 되돌려주는 것이고, 상기 프로세스 챔버 유닛은 상기 트랜스퍼 챔버 유닛을 통해 들어온 웨이퍼에 대한 에칭 공정 등의 가공을 수행하는 것이다.The EPM is equipped with a load port, and through the load port, a wafer can be put into the wafer processing facility or a wafer that has been processed can be recovered and taken out, and the load lock chamber unit includes the EPM and the A wafer is passed between the transfer chamber units, and the transfer chamber unit has a built-in robot arm, so that the wafer input through the load lock chamber unit is put into the process chamber unit or the processed wafer is returned to the load lock chamber. It is returned to the FM through a unit, and the process chamber unit performs processing, such as an etching process, on the wafer received through the transfer chamber unit.

상기 사이드 스토리지는 상기 이에프이엠에 연결되어, 상기 로드락 챔버 유닛과 상기 이에프이엠에 연결되어 있는 로드 포트 사이를 오가는 웨이퍼가 잠시 머물고 그 웨이퍼에 대한 독소 제거 등을 수행하여, 상기 로드락 챔버 유닛과 상기 이에프이엠 사이에서 완충 역할 등을 수행하는 것이다.The side storage is connected to the FM, and the wafer traveling between the load lock chamber unit and the load port connected to the FM stays for a while and removes toxins from the wafer, and the load lock chamber unit and It performs a buffering role between the FMs.

이러한 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.One that can be presented as an example of such side storage is that of the patent literature presented below.

상기 이에프이엠의 상부에는 팬 유닛이 설치되어 있어서, 상기 팬 유닛에 의해 상기 이에프이엠의 상부에서 하강되는 질소 가스 등의 퍼지 가스가 상기 이에프이엠의 내부에 분사되고, 이러한 분사된 상기 퍼지 가스에 의해 상기 이에프이엠의 내부에 있는 웨이퍼에 묻은 퓸(fume) 등의 이물질이 웨이퍼로부터 이탈되고, 상기 웨이퍼에서 이탈된 상기 이물질은 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 혼합된 다음 사이드 스토리지의 전면부에 배치된 배기 유닛을 통해 외부로 배기된다.A fan unit is installed on the upper part of the FM, and a purge gas such as nitrogen gas, which is lowered from the upper part of the FM by the fan unit, is injected into the inside of the FM. Foreign substances such as fume deposited on the wafer inside the EPM are separated from the wafer, and the foreign substances released from the wafer are mixed with the purge gas passing through the wafer and then placed on the front side of the side storage. It is exhausted to the outside through the exhaust unit.

상기 배기 유닛의 상단에는 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성된 상태로 진공 펌프 등과 연결되어 그 내부에 부압(negative pressure)이 형성되고, 이러한 부압에 의해 상기 이물질과 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스가 혼합되면서 형성되는 배기 대상 가스가 상기 배기 대상 가스 유입 홀을 통해 상기 배기 유닛 내부로 유입된 다음 외부로 배기될 수 있다.At the upper end of the exhaust unit, a plurality of exhaust target gas inlet holes are formed and connected to a vacuum pump, and a negative pressure is formed therein, and the foreign matter and the purge gas passing through the wafer are An exhaust target gas formed while being mixed may be introduced into the exhaust unit through the exhaust target gas inlet hole and then exhausted to the outside.

그러나, 종래에는 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀 중 상기 사이드 스토리지에 상대적으로 근접된 것으로는 상기 부압에 의한 상기 배기 대상 가스의 유입이 용이하였으나, 상기 사이드 스토리지에 상대적으로 멀리 있는 것은 상기 배기 대상 가스에 대한 상기 부압의 영향이 상대적으로 작아지면서 상기 배기 대상 가스가 유입되지 못하고, 그에 따라 상기 배기 대상 가스가 상기 배기 유닛 주변에 잔존하게 될 뿐만 아니라, 그러한 잔존된 상기 배기 대상 가스가 비산되면서 웨이퍼를 재오염시키는 문제가 있었다.However, in the related art, among the plurality of exhaust target gas inlet holes, the exhaust target gas is easily introduced by the negative pressure, but the exhaust target gas is relatively far from the side storage. As the influence of the negative pressure on is relatively small, the exhaust target gas cannot be introduced, and accordingly, not only the exhaust target gas remains around the exhaust unit, but also the remaining exhaust target gas is scattered and the wafer There was a problem of recontaminating.

등록특허 제 10-1758213호, 등록일자: 2017.07.10., 발명의 명칭: 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지Registration Patent No. 10-1758213, Registration Date: 2017.07.10., Title of Invention: Side storage with gas nozzle plate 공개특허 제 10-2015-0091230호, 공개일자: 2015.08.10., 발명의 명칭: 로드 포트 및 ＥＦＥＭPublication No. 10-2015-0091230, Publication Date: 2015.08.10., Title of the invention: Load port and EFEM

본 발명은 웨이퍼에서 제거된 이물질과 상기 웨이퍼를 경유한 퍼지 가스가 혼합된 배기 대상 가스의 비산을 방지하면서 효율적으로 배기시킴으로써, 사이드 스토리지 내부에 상기 배기 대상 가스가 잔존하는 것이 방지될 수 사이드 스토리지용 배기 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention efficiently exhausts while preventing the scattering of the exhaust target gas in which the foreign matter removed from the wafer and the purge gas passing through the wafer are mixed, thereby preventing the exhaust target gas from remaining inside the side storage. One object is to provide an exhaust unit.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛은 이에프이엠(EFEM)에 연결되면서, 상기 이에프이엠의 내부에서 이동되는 웨이퍼가 일정 시간동안 수용될 수 있는 웨이퍼 수용 카세트 부재와, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 하부에서 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재를 지지하는 하부 케이스 부재를 포함하는 사이드 스토리지에 적용되고, 상기 웨이퍼가 수용된 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재 내부에 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 퓸(fume)이 제거됨으로써 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되고, 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되어 형성되는 배기 대상 가스를 외부로 배출시키기 위한 것으로서, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재 중 상기 웨이퍼가 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 배기용 패널 부재; 및 상기 배기용 패널 부재와 연통되어 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 배기용 덕트 부재;를 포함하고, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀을 통해 상기 배기용 패널 부재로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기용 덕트 부재를 통해 외부로 배기되고, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀의 길이는 상기 웨이퍼의 직경과 대응되는 길이로 서로 동일하게 형성되되, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀의 각 폭은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에 가까운 것에 비해 상기 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에서 먼 것이 상대적으로 더 크게 형성된 것을 특징으로 한다.An exhaust unit for side storage according to an aspect of the present invention includes a wafer receiving cassette member that is connected to an EFEM and capable of receiving a wafer that is moved inside the EPM for a predetermined period of time, and the wafer receiving cassette member. It is applied to a side storage including a lower case member supporting the wafer receiving cassette member from the bottom of the wafer, and a purge gas is sprayed into the wafer receiving cassette member in which the wafer is accommodated to remove fume from the wafer. The purge gas passing through a wafer and the fume are mixed, and an exhaust target gas formed by mixing the purge gas and the fume passing through the wafer is discharged to the outside, wherein the wafer in the wafer receiving cassette member is An exhaust panel member disposed on a front portion in a direction in which the exhaust target gas is introduced, and a plurality of exhaust target gas inlet holes are formed on an upper surface thereof, and the exhaust target gas is introduced from the wafer receiving cassette member; And an exhaust duct member communicating with the exhaust panel member to exhaust the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member to the outside, wherein the exhaust target gas formed inside the wafer accommodating cassette member is the The exhaust target gas introduced into the exhaust panel member through the exhaust target gas inlet hole, and the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member is exhausted to the outside through the exhaust duct member, and the length of the plurality of exhaust target gas inlet holes Is formed equal to each other with a length corresponding to the diameter of the wafer, and each width of the plurality of exhaust gas inlet holes is relatively larger than that of the wafer accommodation cassette member, compared to that of the wafer accommodation cassette member. It features.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛에 의하면, 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛이 웨이퍼 수용 카세트 부재 중 상기 웨이퍼가 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 배기용 패널 부재 및 상기 배기용 패널 부재와 연통되어 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 배기용 덕트 부재를 포함하고, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀을 통해 상기 배기용 패널 부재로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기용 덕트 부재를 통해 외부로 배기되고, 상기와 같이 상기 배기 대상 가스의 비산을 방지하면서 효율적으로 배기시킴으로써 사이드 스토리지 내부에 상기 배기 대상 가스가 잔존하는 것이 방지될 수 있게 되는 효과가 있다.According to the exhaust unit for side storage according to an aspect of the present invention, the exhaust unit for side storage is disposed on a front portion of the wafer receiving cassette member in a direction in which the wafer is entering and exiting, and a plurality of exhaust target gas inlet holes on the upper surface thereof An exhaust panel member through which the exhaust target gas is introduced from the wafer accommodation cassette member and an exhaust duct member communicating with the exhaust panel member to exhaust the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member to the outside. Including, wherein the exhaust target gas formed inside the wafer receiving cassette member is introduced into the exhaust panel member through the exhaust target gas inlet hole, and the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member is exhausted. The exhaust gas is exhausted to the outside through the duct member, and the exhaust target gas is efficiently exhausted while preventing scattering of the exhaust target gas as described above, thereby preventing the exhaust target gas from remaining inside the side storage.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛이 적용된 웨이퍼 가공 설비의 구성을 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛이 적용된 사이드 스트로지의 모습을 위에서 내려다본 사시도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛의 모습을 보이는 정면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 배기용 패널 부재에 형성된 배기 대상 가스 유입 홀의 일부를 확대한 확대도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 유동 안내부를 보이는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 유동 안내부에 적용된 제 1 유동 안내체에 형성된 제 1 상측 연통관과 제 1 하측 연통관의 모습을 보이는 단면도.1 is a view showing the configuration of a wafer processing facility to which an exhaust unit for side storage according to a first embodiment of the present invention is applied.
2 is a perspective view from above of a side storage device to which an exhaust unit for side storage according to the first embodiment of the present invention is applied.
Figure 3 is a front view showing the state of the side storage exhaust unit according to the first embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view of a part of an exhaust target gas inlet hole formed in an exhaust panel member constituting an exhaust unit for a side storage according to the first embodiment of the present invention.
5 is a view showing a flow guide constituting the exhaust unit for side storage according to the first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a state of a first upper communication pipe and a first lower communication pipe formed in a first flow guide member applied to a flow guide part constituting an exhaust unit for a side storage according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛에 대하여 설명한다.Hereinafter, an exhaust unit for side storage according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛이 적용된 웨이퍼 가공 설비의 구성을 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛이 적용된 사이드 스트로지의 모습을 위에서 내려다본 사시도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛의 모습을 보이는 정면도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 배기용 패널 부재에 형성된 배기 대상 가스 유입 홀의 일부를 확대한 확대도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 유동 안내부를 보이는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a wafer processing facility to which the exhaust unit for side storage according to the first embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a side straw to which the exhaust unit for side storage according to the first embodiment of the present invention is applied. Fig. 3 is a front view showing the state of the side storage exhaust unit according to the first embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a side storage exhaust unit according to the first embodiment of the present invention. It is an enlarged enlarged view of a part of the exhaust gas inlet hole formed in the exhaust panel member constituting the exhaust panel member, and FIG. 5 is a view showing a flow guide part constituting the exhaust unit for side storage according to the first embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 5를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)은 이에프이엠(EFEM)(20)에 연결되면서, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 이동되는 웨이퍼가(W) 일정 시간동안 수용될 수 있는 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 하부에서 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)를 지지하는 하부 케이스 부재(102)를 포함하는 사이드 스토리지(100)에 적용되고, 상기 웨이퍼가(W) 수용된 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 내부에 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 퓸(fume)이 제거됨으로써 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되고, 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되어 형성되는 배기 대상 가스를 외부로 배출시키기 위한 것으로서, 배기용 패널 부재(120) 및 배기용 덕트 부재(130)를 포함한다.1 to 5 together, while the side storage exhaust unit 110 according to the present embodiment is connected to the EFEM 20, the wafer that is moved in the inside of the FM 20 ( W) A side including a wafer receiving cassette member 101 that can be accommodated for a predetermined period of time, and a lower case member 102 supporting the wafer receiving cassette member 101 under the wafer receiving cassette member 101 The purge gas is applied to the storage 100 and is sprayed into the wafer receiving cassette member 101 in which the wafer (W) is accommodated to remove fume from the wafer, so that the purge gas passing through the wafer and the The fume is mixed, and the purge gas passing through the wafer and the fume are mixed to discharge the gas to be exhausted to the outside, and includes an exhaust panel member 120 and an exhaust duct member 130 .

본 실시예에서 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)은 유동 안내부(150)를 더 포함한다.In this embodiment, the exhaust unit 110 for side storage further includes a flow guide unit 150.

여기서, 상기 사이드 스토리지(100)는 상기 이에프이엠(20)에 연결되어 있는 로드 포트(50)와 로드락 챔버 유닛(60) 사이의 버퍼가 되는 것이다.Here, the side storage 100 becomes a buffer between the load port 50 connected to the FM 20 and the load lock chamber unit 60.

상기 로드 포트(50)는 상기 이에프이엠(20)에 형성되어, 웨이퍼(W)를 수용하여 이동시킬 수 있는 웨이퍼 캐리어가 얹히는 것이다.The load port 50 is formed on the FM 20 and a wafer carrier capable of receiving and moving the wafer W is mounted thereon.

상기 이에프이엠(20)은 상기 웨이퍼 캐리어가 상기 로드 포트(50)에 착탈 가능하게 결합되어, 상기 웨이퍼 캐리어 내의 웨이퍼를 상기 로드 포트(50)를 통해 웨이퍼 가공 설비(10) 내로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 회수하여 상기 웨이퍼 캐리어로 다시 넣어줌으로써 외부로 반출할 수 있도록 하는 것이다.In the FM 20, the wafer carrier is detachably coupled to the load port 50, so that the wafer in the wafer carrier is inserted into the wafer processing facility 10 through the load port 50 or the process is finished. The wafer is recovered and put back into the wafer carrier so that it can be taken out.

도면 번호 30은 트랜스퍼 챔버 유닛으로, 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)은 로봇 팔 등이 내장되어 있어서 상기 이에프이엠(20) 및 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 순차적으로 통해 투입된 웨이퍼를 프로세스 챔버 유닛(40)으로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 다시 상기 이에프이엠(20)으로 되돌려주는 것이다.Reference numeral 30 denotes a transfer chamber unit, and the transfer chamber unit 30 includes a robot arm, etc., so that the wafers sequentially inputted through the FM 20 and the load lock chamber unit 60 are transferred to the process chamber unit ( To return the wafer input to 40) or the process has been completed back to the FM (20).

상기 로드락 챔버 유닛(60)은 상기 이에프이엠(20)과 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30) 사이에서 웨이퍼가 통과되는 것이다.In the load lock chamber unit 60, a wafer is passed between the FM 20 and the transfer chamber unit 30.

상기 프로세스 챔버 유닛(40)은 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)에 연결되어, 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 통해 들어온 웨이퍼에 대한 가공 공정을 수행하는 것이다.The process chamber unit 40 is connected to the transfer chamber unit 30 to perform a processing process on the wafer received through the transfer chamber unit 30.

상기 이에프이엠(20)에 연결된 상기 웨이퍼 캐리어에 수용된 웨이퍼는 가공공정을 거치기 위해 상기 이에프이엠(20), 상기 로드락 챔버 유닛(60) 및 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 순차적으로 거치면서 상기 프로세스 챔버 유닛(40)으로 이동되고, 상기 프로세스 챔버 유닛(40)에 이동된 웨이퍼에 대한 가공 공정이 완료된 다음, 상기 웨이퍼가 외부 반출을 위해, 다시 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30), 상기 로드락 챔버 유닛(60) 및 상기 이에프이엠(20)을 순차적으로 거치게 된다.The wafer accommodated in the wafer carrier connected to the FM 20 is processed by sequentially passing through the FM 20, the load lock chamber unit 60, and the transfer chamber unit 30 in order to undergo a processing process. After the processing process for the wafer that has been moved to the chamber unit 40 and has been moved to the process chamber unit 40 is completed, the transfer chamber unit 30 and the load lock chamber unit are again for carrying the wafer to the outside. 60 and the FM 20 are sequentially passed.

이 때, 상기 프로세스 챔버 유닛(40)에서 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 통해 상기 이에프이엠(20)으로 이동된 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 캐리어에 수용되기 전에 상기 사이드 스토리지(100)를 경유하면서, 퓸 등의 이물질이 제거될 수 있다.At this time, while the wafer moved from the process chamber unit 40 to the FM 20 through the transfer chamber unit 30 passes through the side storage 100 before being accommodated in the wafer carrier, fume Foreign substances such as the back can be removed.

상세히, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)는 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 이동되는 상기 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용될 수 있는 것으로, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 상세 구조는 등록특허 제 10-1075171호, 등록특허 제 10-1682473호 등에서 이미 개시되고 있는 등 일반적인 것이므로, 여기서는 그 구체적인 설명 및 도시를 생략한다.In detail, the wafer receiving cassette member 101 is capable of receiving the wafer moved in the inside of the FM 20 for a predetermined period of time, and the detailed structure of the wafer receiving cassette member 101 is disclosed in Patent No. 10 Since it is already disclosed in No. -1075171, Patent No. 10-1682473, etc., a detailed description and illustration thereof are omitted here.

도면 번호 103은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)의 내부에 형성되어 상기 웨이퍼가 수용될 수 있는 공간인 웨이퍼 수용 홀이다.Reference numeral 103 denotes a wafer receiving hole formed inside the wafer receiving cassette member 110, which is a space in which the wafer can be accommodated.

상기 배기용 패널 부재(120)는 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 중 상기 웨이퍼가(W) 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀(121)이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 것이다.The exhaust panel member 120 is disposed on a front portion of the wafer receiving cassette member 101 in a direction in which the wafer (W) enters and exits, and a plurality of exhaust gas inlet holes 121 are formed on the upper surface thereof. The exhaust target gas is introduced from the wafer receiving cassette member 101.

본 실시예에서, 상기 배기용 패널 부재(120)는 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)이 형성되는 상부 하우징(122)과, 상기 상부 하우징(122)의 하부에 배치되면서 상기 배기용 덕트 부재(130)가 수용되는 하부 하우징(123)을 포함한다.In this embodiment, the exhaust panel member 120 is disposed under the upper housing 122 in which the exhaust target gas inlet hole 121 is formed, and the exhaust duct member ( It includes a lower housing 123 in which the 130 is accommodated.

상기 하부 하우징(123)은 일정 크기의 박스 형태로 형성되면서 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)이 설치되는 설치면에 배치된다.The lower housing 123 is formed in a box shape having a predetermined size and is disposed on an installation surface on which the exhaust unit 110 for side storage is installed.

상기 상부 하우징(122)은 상기 하부 하우징(123)의 상부에 적층되고, 일정 크기의 박스 형태로 형성되되, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)로부터 상기 배기 대상 가스가 용이하게 배기 가능하도록 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 높이에 14비해 상대적으로 낮게 형성된다.The upper housing 122 is stacked on the lower housing 123 and formed in a box shape having a predetermined size, and accommodates the wafer so that the exhaust target gas can be easily exhausted from the wafer receiving cassette member 101 It is formed relatively low compared to the height of the cassette member 101.

상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)은 관통 형태로 형성되어 상기 배기용 패널 부재(120), 더 정확하게는 상기 상부 하우징(122)의 내외부를 연통시키는 것이다.The exhaust target gas inlet hole 121 is formed in a through shape to communicate the exhaust panel member 120, more precisely, the interior and exterior of the upper housing 122.

상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 중 상기 웨이퍼가(W) 출입되는 전면 개구부에서 일렬로 복수 개가 서로 이격되어 배치된다.A plurality of the exhaust target gas inlet holes 121 are arranged in a row at a front opening of the wafer receiving cassette member 101 through which the wafers (W) enter and exit, spaced apart from each other.

상세히, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)의 길이는 상기 웨이퍼의 직경과 대응되는 길이로 서로 동일하게 형성되되, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)의 각 폭은 서로 이웃하는 것 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에 가까운 것에 비해 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에서 먼 것이 상대적으로 더 크게 형성된다.In detail, the lengths of the plurality of exhaust target gas inlet holes 121 are formed equal to each other with a length corresponding to the diameter of the wafer, but each width of the plurality of exhaust target gas inlet holes 121 is adjacent to each other Among them, ones farther from the wafer receiving cassette member 101 are formed relatively larger than those closer to the wafer receiving cassette member 101.

복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에 상대적으로 근접된 것은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와의 이격 거리가 상대적으로 짧아서 상대적으로 좁은 범위에 퍼진 상기 배기 대상 가스를 유입하게 된다.Among the plurality of exhaust target gas inlet holes 121, the ones that are relatively close to the wafer receiving cassette member 101 are the exhaust targets spreading in a relatively narrow range because the separation distance from the wafer receiving cassette member 101 is relatively short. Gas is introduced.

그러나, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에서 상대적으로 멀리 배치된 것은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와의 이격 거리가 상대적으로 멀어서 상대적으로 넓은 범위에 퍼진 상기 배기 대상 가스를 유입해야 하기에, 그 폭을 상대적으로 크게 형성한다.However, among the plurality of exhaust target gas inlet holes 121, those disposed relatively far from the wafer receiving cassette member 101 have a relatively large separation distance from the wafer receiving cassette member 101 and thus spread over a relatively wide range. Since the exhaust target gas must be introduced, its width is formed relatively large.

또한, 상기 각 배기 대상 가스 유입 홀(121)은 그 상면은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 상대적으로 근접되고, 그 저면은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에서 상대적으로 멀어지도록 기울어진 형태로 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 대면되되, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)에서 멀어질수록 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 대면되는 기울기가 상대적으로 작아지게 형성된다.In addition, each of the exhaust target gas inlet holes 121 has its upper surface relatively close to the wafer receiving cassette member 101, and its bottom surface is inclined so as to be relatively away from the wafer receiving cassette member 101. The wafer accommodation cassette member 101 faces the surface, but the farther away from the wafer accommodation cassette member 101, the inclination that faces the wafer accommodation cassette member 101 is relatively small.

상세히, 도 4에 도시된 바와 같이 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 최근접된 것과 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 사이의 각도는 Φ1이 되고, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 두 번째로 근접된 것과 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 사이의 각도는 Φ2가 되고, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)와 세 번째로 근접된 것과 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 사이의 각도는 Φ3가 되고, 이러한 세 개의 각도 중 상기 Φ1이 최대 각이 되고, 상기 Φ2가 가운데 각이 되고, 상기 Φ3가 최소 각으로 이루어진다.In detail, as shown in FIG. 4, an angle between the wafer receiving cassette member 101 and the wafer receiving cassette member 101 closest to the wafer receiving cassette member 101 among the plurality of exhaust target gas inlet holes 121 is Φ1, The angle between the wafer receiving cassette member 101 and the wafer receiving cassette member 101 second among the plurality of exhaust gas inlet holes 121 is Φ2, and the plurality of exhaust target gases are introduced Among the holes 121, the angle between the wafer receiving cassette member 101 and the third adjacent wafer receiving cassette member 101 is Φ3, and among these three angles, Φ1 is the maximum angle, and the Φ2 is the center angle, and Φ3 is the minimum angle.

그러면, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121) 중 상기 하부 케이스 부재(102)에서 상대적으로 멀리 위치된 것은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 내부와 상대적으로 선형 형태를 가지게 됨으로써, 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)에 대한 상기 배기 대상 가스의 유입 경로가 상대적으로 짧아지게 되고, 그에 따라 상기 배기 대상 가스의 유입이 신속하게 진행될 수 있게 된다.Then, one of the plurality of exhaust target gas inlet holes 121 located relatively far from the lower case member 102 has a relatively linear shape with the inside of the wafer receiving cassette member 101, so that the exhaust target The inflow path of the target gas to be exhausted to the gas inlet hole 121 is relatively short, and accordingly, the inflow of the target gas to be exhausted can proceed quickly.

상기 배기용 덕트 부재(130)는 상기 배기용 패널 부재(120)와 연통되어 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 것이다.The exhaust duct member 130 communicates with the exhaust panel member 120 and exhausts the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member 120 to the outside.

상세히, 상기 배기용 덕트 부재(130)는 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)의 하부에 일정 간격 이격되어 위치되고, 내부가 빈 원통형의 관 형태로 형성된다.In detail, the exhaust duct member 130 is positioned at a predetermined interval below the exhaust target gas inlet hole 121 and is formed in a cylindrical tube shape with an empty inside.

더 상세히, 상기 배기용 덕트 부재(130)는 일측 말단은 상기 배기용 패널 부재(120), 더 정확하게는 상기 상부 하우징(122)의 저면과 연결되고, 타측 말단은 진공 펌프(135)와 연결되고, 외부 전원에 상기 진공 펌프(135)가 작동되면, 상기 배기용 덕트 부재(130)에 부압(negative pressure)이 걸리게 되어 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입된 상기 배기 대상 가스가 외부로 이동하게 된다.In more detail, the exhaust duct member 130 has one end connected to the exhaust panel member 120, more precisely, the bottom surface of the upper housing 122, and the other end connected to the vacuum pump 135, , When the vacuum pump 135 is operated on an external power source, a negative pressure is applied to the exhaust duct member 130 so that the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member 120 is moved to the outside. Is done.

그러면, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)을 통해 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 진공 펌프(135)의 작동으로 형성된 부압에 의해 상기 배기용 덕트 부재(130)를 통해 외부로 배기된다.Then, the exhaust target gas formed inside the wafer receiving cassette member 101 flows into the exhaust panel member 120 through the exhaust target gas inlet hole 121, and the exhaust panel member 120 The exhaust target gas introduced into the gas is exhausted to the outside through the exhaust duct member 130 by the negative pressure formed by the operation of the vacuum pump 135.

도면 번호 124는 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)을 통한 상기 배기 대상 가스의 유입을 확인하기 위한 디스플레이 창이고, 도면 번호 125는 상기 진공 펌프(135)를 제어하기 위한 제어부로, 본 실시예에서는 상기 제어부(125)가 상기 하부 하우징(123)에 내장되는 것으로 설명한다.Reference numeral 124 is a display window for checking the inflow of the exhaust target gas through the side storage exhaust unit 110, and reference numeral 125 is a control unit for controlling the vacuum pump 135, in this embodiment It will be described that the control unit 125 is built into the lower housing 123.

상기 유동 안내부(150)는 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면에 배치되어 상기 배기용 덕트 부재(130)로 유입된 상기 배기 대상 가스가 일정한 방향으로 유동되면서 외부로 배기되도록 상기 배기 대상 가스의 유동을 안내하는 것이다.The flow guide unit 150 is disposed on the inner surface of the exhaust duct member 130 so that the exhaust target gas flowing in the exhaust duct member 130 flows in a certain direction and is exhausted to the outside. It guides the flow of gas.

상세히, 상기 유동 안내부(150)는 제 1 유동 안내체(151)와, 제 2 유동 안내체(154)를 포함한다.In detail, the flow guide unit 150 includes a first flow guide body 151 and a second flow guide body 154.

상기 제 1 유동 안내체(151)는 그 내측면이 일정 곡률로 형성되고, 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면에서 복수 개가 서로 다른 높이로 이격되어 배치되는 것이다.The first flow guide member 151 has an inner surface formed with a certain curvature, and a plurality of the first flow guide members 151 are disposed to be spaced apart from each other at different heights on the inner surface of the exhaust duct member 130.

상세히, 상기 제 1 유동 안내체(151)는 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면에 장착되면서 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내주면을 따라 일정 길이 길게 형성되는 제 1 유동 안내 몸체(153)와, 상기 제 1 유동 안내 몸체(153)의 내측면에서 일정 곡률을 가지면서 형성된 제 1 유동 안내 곡면(152)을 포함한다.In detail, the first flow guide body 151 is mounted on the inner surface of the exhaust duct member 130 and is formed to a predetermined length along the inner circumferential surface of the exhaust duct member 130. ), and a first flow guide curved surface 152 formed while having a predetermined curvature on the inner surface of the first flow guide body 153.

상기 제 1 유동 안내 곡면(152)의 곡률 중심은 상기 배기용 덕트 부재(130)의 중심과 동일하게 형성된다. The center of curvature of the first flow guide curved surface 152 is formed equal to the center of the exhaust duct member 130.

상기 제 2 유동 안내체(154)는 그 내측면이 일정 곡률로 형성되고, 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면 중 상기 제 1 유동 안내체(151)와 대면되는 위치에서 복수 개가 서로 다른 높이로 이격되어 배치되는 것이다.The second flow guide body 154 has an inner surface formed with a predetermined curvature, and a plurality of the second flow guide members 154 are different from each other at a position facing the first flow guide body 151 among the inner surfaces of the exhaust duct member 130. They are arranged spaced apart by height.

상세히, 상기 제 2 유동 안내체(154)는 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면에 장착되되, 상기 제 1 유동 안내 몸체(153)와 대면되도록 상기 제 1 유동 안내 몸체(153)와 일정 간격 이격되면서 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내주면을 따라 일정 길이 길게 형성되는 제 2 유동 안내 몸체(156)와, 상기 제 2 유동 안내 몸체(156)의 내측면에서 일정 곡률을 가지면서 형성된 제 2 유동 안내 곡면(155)을 포함한다.In detail, the second flow guide body 154 is mounted on the inner surface of the exhaust duct member 130, and is constant with the first flow guide body 153 to face the first flow guide body 153 A second flow guide body 156 that is formed at a predetermined length along the inner circumferential surface of the exhaust duct member 130 while being spaced apart, and a second flow guide body 156 formed while having a predetermined curvature on the inner surface of the second flow guide body 156 It includes 2 flow guide curved surfaces 155.

상기 제 2 유동 안내 곡면(155)의 곡률 중심은 상기 배기용 덕트 부재(130)의 중심과 동일하게 형성된다. The center of curvature of the second flow guide curved surface 155 is formed equal to the center of the exhaust duct member 130.

그러면, 상기 제 1 유동 안내 곡면(152) 및 상기 제 2 유동 안내 곡면(155)의 곡률 중심과 상기 배기용 덕트 부재(130)의 중심 위치가 모두 동일해짐으로써, 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내측면 중 일부는 상기 제 1 유동 안내 곡면(152) 및 상기 제 2 유동 안내 곡면(155)이 둘러싸게 되고, 상기 배기용 덕트 부재(130)의 중심부는 빈 형태가 된다.Then, the center of curvature of the first flow guide curved surface 152 and the second flow guide curved surface 155 and the center position of the exhaust duct member 130 are all the same, so that the exhaust duct member 130 Some of the inner surfaces of the first flow guide curved surface 152 and the second flow guide curved surface 155 are enclosed, and the central portion of the exhaust duct member 130 has an empty shape.

상기 제 1 유동 안내체(151)와 상기 제 2 유동 안내체(154)는 도 5에 도시된 바와 같이 각각 서로 어긋나도록 배치됨으로써, 상기 배기 대상 가스가 와류 형태로 유동되면서 하강된다.The first flow guide body 151 and the second flow guide body 154 are arranged to be shifted from each other as shown in FIG. 5, so that the exhaust target gas flows in a vortex shape and descends.

상세히, 상기 배기 대상 가스는 부압에 의해 상기 배기용 덕트 부재(130)의 내부로 유입된 후 상기 제 1 유동 안내체(151) 중 최상측에 있는 것의 내측면을 따라 유동되다가 상기 제 1 유동 안내체(151) 중 최상측에 있는 것에 비해 상대적으로 낮은 위치에 형성된 상기 제 2 유동 안내체(154) 중 최상측에 있는 것으로 이동되고, 상기 제 2 유동 안내체(154) 중 최상측에 있는 것으로 이동된 상기 배기 대상 가스는 상기 제 2 유동 안내체(154) 중 최상측에 있는 것의 내측면을 따라 유동되다가, 상기 제 2 유동 안내체(154) 중 최상측에 있는 것에 비해 상대적으로 낮은 위치에 형성된 상기 제 1 유동 안내체(151) 중 최상측에서 이격된 아래에 있는 것으로 이동되고, 상기 제 1 유동 안내체(151) 중 최상측에서 이격된 아래에 있는 것으로 이동된 상기 배기 대상 가스는 상기 제 1 유동 안내체(151) 중 최상측에서 이격된 아래에 있는 것으로 이동되고, 상기와 같이, 상기 배기 대상 가스가 상기 제 1 유동 안내체(151)와 상기 제 2 유동 안내체(154)를 지그재그로 번갈아 가며 회전 유동됨으로써 와류 형태로 하부로 이동하게 된다.In detail, the exhaust target gas is introduced into the interior of the exhaust duct member 130 by negative pressure and then flows along the inner surface of the uppermost one of the first flow guide members 151 to guide the first flow. It is moved to the top of the second flow guide body 154 formed at a relatively lower position than the top of the sieve 151, and is moved to the top of the second flow guide body 154. The moved exhaust target gas flows along the inner surface of the uppermost one of the second flow guide bodies 154, and then at a relatively lower position than the uppermost one of the second flow guide bodies 154. The exhaust target gas that is moved to the lower one spaced apart from the top of the formed first flow guide bodies 151 and is moved to the lower one spaced apart from the uppermost side of the first flow guide body 151 is the The first flow guide body 151 is moved to the lower one spaced apart from the uppermost side, and as described above, the exhaust target gas flows between the first flow guide body 151 and the second flow guide body 154. As it rotates alternately in zigzag, it moves downward in the form of a vortex.

상기와 같이 형성됨으로써, 상기 배기용 덕트 부재(130) 내부에서 선형 유동되면서 이동되는 것에 비해 상기 배기 대상 가스가 상대적으로 빠른 속도로 외부로 배기됨으로써 상기 배기 대상 가스의 배기가 효율적으로 이루어질 수 있게 된다.By being formed as described above, the exhaust target gas is exhausted to the outside at a relatively high speed compared to being moved while being linearly flowed inside the exhaust duct member 130, so that the exhaust target gas can be efficiently exhausted. .

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, an operation of the exhaust unit 110 for side storage according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

먼저, 상기 제어부(125)를 이용하여 상기 진동 펌프를 작동한다. 그러면, 상기 배기용 패널 부재(120)를 구성하는 상기 상부 하우징(122) 및 상기 배기용 덕트 부재(130) 내부에 부압이 형성된다.First, the vibration pump is operated using the control unit 125. Then, a negative pressure is formed in the upper housing 122 and the exhaust duct member 130 constituting the exhaust panel member 120.

그런 다음, 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)에 부압이 형성된 것을 확인한다.Then, it is confirmed that a negative pressure is formed in the exhaust target gas inlet hole 121.

그런 다음, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 전면부를 개구하여 상기 배기 대상 가스가 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)을 통해 유입되도록 한다.Then, the front portion of the wafer receiving cassette member 101 is opened so that the exhaust target gas is introduced through the exhaust target gas inlet hole 121.

상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)을 통한 상기 배기 대상 가스 유입은 상기 디스플레이 창(124)을 통해 확인한다.The inflow of the exhaust target gas through the exhaust target gas inlet hole 121 is checked through the display window 124.

상기와 같이, 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛(110)이 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101) 중 상기 웨이퍼가(W) 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 상기 배기용 패널 부재(120) 및 상기 배기용 패널 부재(120)와 연통되어 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 상기 배기용 덕트 부재(130)를 포함하고, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(101)의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀(121)을 통해 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재(120)로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기용 덕트 부재(130)를 통해 외부로 배기되고, 상기와 같이 상기 배기 대상 가스의 비산을 방지하면서 효율적으로 배기시킴으로써 상기 사이드 스토리지(100)의 내부에 상기 배기 대상 가스가 잔존하는 것이 방지될 수 있게 된다.As described above, the side storage exhaust unit 110 is disposed on the front side of the wafer receiving cassette member 101 in the direction in which the wafer is in and out (W), and a plurality of the exhaust target gas inlet holes on the upper surface thereof (121) is formed to communicate with the exhaust panel member 120 and the exhaust panel member 120 into which the exhaust target gas is introduced from the wafer receiving cassette member 101, and the exhaust panel member 120 And the exhaust duct member 130 for exhausting the exhaust target gas introduced into the outside, and the exhaust target gas formed inside the wafer receiving cassette member 101 is the exhaust target gas inlet hole 121 The exhaust target gas introduced into the exhaust panel member 120 through the exhaust panel member 120 and introduced into the exhaust panel member 120 is exhausted to the outside through the exhaust duct member 130, as described above, By efficiently exhausting the target gas while preventing scattering of the target gas, it is possible to prevent the gas to be exhausted from remaining inside the side storage 100.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛에 대하여 설명한다. Hereinafter, an exhaust unit for side storage according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.In carrying out this description, descriptions that are already described in the above-described first embodiment of the present invention and overlapping descriptions will be replaced therewith, and will be omitted herein.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛을 구성하는 유동 안내부에 적용된 제 1 유동 안내체에 형성된 제 1 상측 연통관과 제 1 하측 연통관의 모습을 보이는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a state of a first upper communication pipe and a first lower communication pipe formed on a first flow guide member applied to a flow guide part constituting an exhaust unit for side storage according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 함께 참조하면, 본 실시예에서 사이드 스토리지용 배기 유닛은 배기용 패널 부재와, 배기용 덕트 부재(230)와, 유동 안내부를 포함하고, 상기 유동 안내부는 제 1 유동 안내체(251)와 제 2 유동 안내체를 포함한다.6, in the present embodiment, the side storage exhaust unit includes an exhaust panel member, an exhaust duct member 230, and a flow guide, and the flow guide portion is a first flow guide 251. And a second flow guide.

상기 제 1 유동 안내체(251)에는 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 최상측의 것과 가운데 것을 서로 연통시키는 제 1 상측 연통관(257)과, 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 가운데 것과 최하측의 것을 서로 연통시키는 제 1 하측 연통관(258)이 형성된다.The first flow guide body 251 includes a first upper communication pipe 257 for communicating the uppermost and the middle of the three first flow guides 251 adjacent to each other, and the three adjacent first flow guides 251 A first lower communication pipe 258 for communicating the middle and the lowermost ones among the one flow guide 251 is formed.

상세히, 상기 제 1 상측 연통관(257) 및 상기 제 1 하측 연통관(258)은 상기 배기용 덕트 부재(230)의 중심을 향해 일정 곡률을 가지면서 형성된다.In detail, the first upper communication pipe 257 and the first lower communication pipe 258 are formed with a predetermined curvature toward the center of the exhaust duct member 230.

상기 제 1 유동 안내체(251)가 상기와 같이 형성되면, 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 최상측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스 중의 일부가 상기 제 1 상측 연통관(257)을 통해 이동되어 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스를 밀어 주어 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스의 속도를 상대적으로 상승시키게 된다.When the first flow guide body 251 is formed as described above, a part of the exhaust target gas flowing while being guided by the uppermost one of the three first flow guide bodies 251 adjacent to each other is the first Among the three first flow guides 251 by pushing the exhaust target gas flowing while being guided by the middle of the three first flow guide bodies 251 adjacent to each other by being moved through the upper communication pipe 257 The velocity of the exhaust target gas flowing while being guided by the middle one is relatively increased.

또한, 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스 중의 일부가 상기 제 1 하측 연통관(258)을 통해 이동되어 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 최하측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스를 밀어 주어 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 최하측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스의 속도를 상대적으로 상승시키게 된다.In addition, some of the exhaust target gas flowing while being guided by the middle of the three first flow guide members 251 that are adjacent to each other is moved through the first lower communication pipe 258, 1 The exhaust target gas that is guided while being guided by the lowermost one of the flow guide bodies 251 is pushed and the exhaust target gas flowing while being guided by the lowermost one of the three first flow guide bodies 251 It will increase the speed relatively.

그러면, 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체(251) 중 최상측의 것에서 가운데 것을 경유하여 최하측의 것으로 갈수록 상기 배기 대상 가스의 속도가 상대적으로 증가될 수 있게 된다.Then, the velocity of the exhaust target gas may be relatively increased from the uppermost one of the three first flow guide members 251 adjacent to each other to the lowermost one through the middle one.

상기 제 1 상측 연통관(257) 및 상기 제 1 하측 연통관(258)은 상기 제 1 유동 안내체(251)의 길이 방향으로 일정 거리 이격되면서 복수 개가 나란히 배치될 수도 있으나, 그럴 경우, 상기 제 1 유동 안내체(251)에서 유동되는 상기 배기 대상 가스의 양이 상대적으로 작아지면서 와류 형성이 작아질 수도 있으므로, 사익 제 1 유동 안내체(251)의 양측 말단부에 한 쌍으로 형성되는 것이 바람직하다.A plurality of the first upper communication pipe 257 and the first lower communication pipe 258 may be arranged side by side while being spaced apart by a predetermined distance in the longitudinal direction of the first flow guide body 251. In that case, the first flow Since the amount of the exhaust target gas flowing in the guide body 251 is relatively small, the formation of vortex may be reduced, and thus, it is preferable to form a pair at both ends of the first flow guide body 251.

본 실시예에서는 상기 제 1 상측 연통관(257) 및 상기 제 1 하측 연통관(258)이 상기 제 1 유동 안내체(251)에 형성된 것을 설명하였으나, 이는 단지 하나의 예시일 뿐, 상기 제 1 상측 연통관(257) 및 상기 제 1 하측 연통관(258)이 상기 제 2 유동 안내체에 형성되거나, 또는 상기 제 1 유동 안내체(251) 및 상기 제 2 유동 안내체에 모두 형성될 수도 있음은 물론이다.In this embodiment, it has been described that the first upper communication pipe 257 and the first lower communication pipe 258 are formed in the first flow guide body 251, but this is only an example, and the first upper communication pipe It goes without saying that the 257 and the first lower communication pipe 258 may be formed in the second flow guide body, or may be formed in both the first flow guide body 251 and the second flow guide body.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.In the above, the present invention has been shown and described with respect to specific embodiments, but those of ordinary skill in the art variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. And it will be appreciated that it can be changed. However, it is intended to clearly reveal that all of these modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 사이드 스토리지용 배기 유닛에 의하면, 상기 사이드 스토리지용 배기 유닛이 웨이퍼 수용 카세트 부재 중 상기 웨이퍼가 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 배기용 패널 부재 및 상기 배기용 패널 부재와 연통되어 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 배기용 덕트 부재를 포함하고, 상기 배기 대상 가스의 비산을 방지하면서 효율적으로 배기시킴으로써 사이드 스토리지 내부에 상기 배기 대상 가스가 잔존하는 것이 방지될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the exhaust unit for side storage according to an aspect of the present invention, the exhaust unit for side storage is disposed on a front portion of the wafer receiving cassette member in a direction in which the wafer is entering and exiting, and a plurality of exhaust target gas inlet holes are provided on the upper surface thereof. An exhaust panel member through which the exhaust target gas is introduced from the wafer accommodation cassette member and an exhaust duct member communicating with the exhaust panel member to exhaust the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member to the outside. Including, and efficiently exhausting while preventing the scattering of the exhaust target gas, it is possible to prevent the remaining gas to be exhausted in the side storage, so that the industrial applicability is high.

W : 웨이퍼 10 : 웨이퍼 가공 설비
20 : 이에프이엠 30 : 트랜스퍼 챔버 유닛
40 : 프로세스 챔버 유닛 50 : 로드 포트
60 : 로드락 챔버 유닛 100 : 사이드 스토리지
101 : 웨이퍼 수용 카세트 부재 102 : 하부 케이스 부재
110 : 사이드 스토리지용 배기 유닛 120 : 배기용 패널 부재
121 : 배기 대상 가스 유입 홀 130 : 배기용 덕트 부재
150 : 유동 안내부 151 : 제 1 유동 안내체
154 : 제 2 유동 안내체W: Wafer 10: Wafer processing equipment
20: FM 30: transfer chamber unit
40: process chamber unit 50: load port
60: load lock chamber unit 100: side storage
101: wafer accommodation cassette member 102: lower case member
110: side storage exhaust unit 120: exhaust panel member
121: exhaust target gas inlet hole 130: exhaust duct member
150: flow guide 151: first flow guide
154: second flow guide

Claims (4)

이에프이엠(EFEM)에 연결되면서, 상기 이에프이엠의 내부에서 이동되는 웨이퍼가 일정 시간동안 수용될 수 있는 웨이퍼 수용 카세트 부재와, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 하부에서 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재를 지지하는 하부 케이스 부재를 포함하는 사이드 스토리지에 적용되고,
상기 웨이퍼가 수용된 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재 내부에 퍼지 가스가 분사되어 상기 웨이퍼의 퓸(fume)이 제거됨으로써 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되고, 상기 웨이퍼를 경유한 상기 퍼지 가스와 상기 퓸이 혼합되어 형성되는 배기 대상 가스를 외부로 배출시키기 위한 것으로서,
상기 웨이퍼 수용 카세트 부재 중 상기 웨이퍼가 출입되는 방향인 전면부에 배치되고, 그 상면에 복수 개의 배기 대상 가스 유입 홀이 형성되어 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재로부터 상기 배기 대상 가스가 유입되는 배기용 패널 부재; 및
상기 배기용 패널 부재와 연통되어 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스를 외부로 배기시키는 배기용 덕트 부재;를 포함하고,
상기 웨이퍼 수용 카세트 부재의 내부에서 형성된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기 대상 가스 유입 홀을 통해 상기 배기용 패널 부재로 유입되고, 상기 배기용 패널 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스는 상기 배기용 덕트 부재를 통해 외부로 배기되고,
복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀의 길이는 상기 웨이퍼의 직경과 대응되는 길이로 서로 동일하게 형성되되, 복수 개의 상기 배기 대상 가스 유입 홀의 각 폭은 서로 이웃하는 것 중 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에 가까운 것에 비해 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에서 먼 것이 상대적으로 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지용 배기 유닛.While connected to the EFEM, a wafer receiving cassette member capable of accommodating a wafer that is moved inside the EPM for a certain period of time, and a lower case supporting the wafer receiving cassette member under the wafer receiving cassette member Applied to the side storage containing the member,
A purge gas is injected into the wafer receiving cassette member in which the wafer is accommodated to remove fume from the wafer, thereby mixing the purge gas and the fume passing through the wafer, and the purge gas passing through the wafer As for discharging the exhaust gas formed by mixing the fume to the outside,
An exhaust panel member disposed on a front portion of the wafer accommodating cassette member in a direction in which the wafer enters and exits, a plurality of exhaust target gas inlet holes formed on the upper surface thereof to allow the exhaust target gas to flow from the wafer accommodating cassette member; And
Including; an exhaust duct member communicating with the exhaust panel member to exhaust the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member to the outside,
The exhaust target gas formed inside the wafer accommodation cassette member is introduced into the exhaust panel member through the exhaust target gas inlet hole, and the exhaust target gas introduced into the exhaust panel member passes through the exhaust duct member. Exhausted to the outside through
The lengths of the plurality of exhaust gas inlet holes are formed equal to each other with a length corresponding to the diameter of the wafer, but each width of the plurality of exhaust gas inlet holes is closer to the wafer accommodation cassette member among neighboring ones. An exhaust unit for side storage, characterized in that the one farther from the wafer receiving cassette member is formed relatively larger. 제 1 항에 있어서,
상기 각 배기 대상 가스 유입 홀은
그 상면은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재와 상대적으로 근접되고, 그 저면은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에서 상대적으로 멀어지도록 기울어진 형태로 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재와 대면되되, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재에서 멀어질수록 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재와 대면되는 기울기가 상대적으로 작아지게 형성되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지용 배기 유닛.The method of claim 1,
Each of the exhaust target gas inlet holes
Its upper surface is relatively close to the wafer accommodation cassette member, and its bottom surface faces the wafer accommodation cassette member in an inclined shape so as to be relatively far away from the wafer accommodation cassette member, but the further away from the wafer accommodation cassette member, the An exhaust unit for side storage, characterized in that the inclination facing the wafer receiving cassette member is formed to be relatively small. 제 2 항에 있어서,
상기 사이드 스토리지용 배기 유닛은
상기 배기용 덕트 부재의 내측면에 배치되어 상기 배기용 덕트 부재로 유입된 상기 배기 대상 가스가 일정한 방향으로 유동되면서 외부로 배기되도록 상기 배기 대상 가스의 유동을 안내하는 유동 안내부;를 포함하고,
상기 유동 안내부는
그 내측면이 일정 곡률로 형성되고, 상기 배기용 덕트 부재의 내측면에서 복수 개가 서로 다른 높이로 이격되어 배치되는 제 1 유동 안내체와,
그 내측면이 일정 곡률로 형성되고, 상기 배기용 덕트 부재의 내측면 중 상기 제 1 유동 안내체와 대면되는 위치에서 복수 개가 서로 다른 높이로 이격되어 배치되는 제 2 유동 안내체를 포함하고,
상기 제 1 유동 안내체와 상기 제 2 유동 안내체는 각각 서로 어긋나도록 배치됨으로써, 상기 배기 대상 가스가 와류 형태로 유동되면서 하강되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지용 배기 유닛.The method of claim 2,
The side storage exhaust unit
A flow guide unit disposed on an inner surface of the exhaust duct member to guide the flow of the exhaust target gas so that the exhaust target gas flowing in a predetermined direction flows in a predetermined direction and is exhausted to the outside; and
The flow guide unit
A first flow guide body whose inner surface is formed with a certain curvature, and a plurality of them are spaced apart from each other at different heights on the inner surface of the exhaust duct member;
And a second flow guide body, the inner surface of which is formed with a predetermined curvature, and a plurality of the inside surface of the exhaust duct member facing the first flow guide body and arranged to be spaced apart from each other at different heights,
The exhaust unit for side storage, characterized in that the first flow guide and the second flow guide are disposed so as to deviate from each other, so that the gas to be exhausted flows in a vortex form and descends. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 유동 안내체에는
서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 최상측의 것과 가운데 것을 서로 연통시키는 제 1 상측 연통관과,
서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 가운데 것과 최하측의 것을 서로 연통시키는 제 1 하측 연통관이 형성되고,
서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 최상측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스 중의 일부가 상기 제 1 상측 연통관을 통해 이동되어 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스를 밀어 주어 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스의 속도를 상대적으로 상승시키고,
서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 가운데 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스 중의 일부가 상기 제 1 하측 연통관을 통해 이동되어 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 최하측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스를 밀어 주어 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 최하측의 것에 의해 안내되면서 유동되는 상기 배기 대상 가스의 속도를 상대적으로 상승시키고,
그에 따라, 서로 이웃하는 세 개의 상기 제 1 유동 안내체 중 최상측의 것에서 가운데 것을 경유하여 최하측의 것으로 갈수록 상기 배기 대상 가스의 속도가 상대적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 사이드 스토리지용 배기 유닛.The method of claim 3,
In the first flow guide body
A first upper communication tube for communicating with each other the uppermost and the middle of the three adjacent first flow guides,
A first lower communication tube for communicating the middle and the lowermost of the three adjacent first flow guides to each other is formed,
Some of the exhaust target gas, which flows while being guided by the uppermost one of the three adjacent first flow guides, is moved through the first upper communication pipe, and is among the three first flow guides that are adjacent to each other. The exhaust target gas flowing while guided by is pushed to relatively increase the velocity of the exhaust target gas flowing while guided by the middle of the three first flow guides,
Some of the exhaust target gas flowing while being guided by the middle of the three first flow guides adjacent to each other is moved through the first lower communication pipe and is at the lowest of the three first flow guides adjacent to each other. By pushing the exhaust target gas flowing while being guided by, the velocity of the exhaust target gas flowing while being guided by the lowermost one of the three first flow guides is relatively increased,
Accordingly, the exhaust unit for a side storage, characterized in that the velocity of the exhaust target gas is relatively increased from the uppermost one of the three first flow guide members adjacent to each other to the lowermost one via the middle one.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101444241B1 (en) 2013-01-14 2014-09-26 우범제 An air exhauster system of the equipment front end module
KR101962752B1 (en) 2018-10-08 2019-07-31 주식회사 싸이맥스 Side Storage Of Two-Way Exhaust Structure

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6291878B2 (en) 2014-01-31 2018-03-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 Load port and EFEM
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
KR101758214B1 (en) * 2015-09-25 2017-07-14 주식회사 싸이맥스 Exhaust device of wafer processing apparatus
KR101758213B1 (en) 2015-09-25 2017-07-14 주식회사 싸이맥스 Side strage having a gas nozzle plate
KR102113275B1 (en) * 2018-04-19 2020-05-20 주식회사 저스템 Wafer purge apparatus for buffer chamber

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101444241B1 (en) 2013-01-14 2014-09-26 우범제 An air exhauster system of the equipment front end module
KR101962752B1 (en) 2018-10-08 2019-07-31 주식회사 싸이맥스 Side Storage Of Two-Way Exhaust Structure

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