KR102216854B1 - 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법 - Google Patents

마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로파 전력으로 생성된 고밀도의 전자를 갖는 마이크로파 플라즈마에 DC 바이어스(Bias)를 인가하여 낮은 전압에서 아크를 발생시키고, 아크에 의한 마이크로파 전극의 마모를 최소화할 수 있는 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하며 마이크로파 플라즈마에서 생성된 전자들은 방전에 필요한 충격 이온화 또는 2차 전자 방출 등의 전자 생성 과정에서 DC 방전에 요구되는 전압을 획기적으로 낮추어 줌으로써, 마이크로파 전극의 마모를 최소화할 수 있으며, 아크방전 기술의 적용이 제한적이었던 바이오 재료, 플라스틱, 고무와 같은 연질 물질 등의 바이오 메디컬 분야로의 적용 가능성을 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법{APPARATUS AND METHOD FOR ARC DISCHARGE USING THE MICROWAVE PLASMA}
본 발명은 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마이크로파 전력으로 생성된 고밀도의 전자를 갖는 마이크로파 플라즈마에 DC 바이어스(Bias)를 인가하여 낮은 전압에서 아크를 발생시키고, 아크에 의한 전극의 마모를 최소화할 수 있는 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 관한 것이다.
종래로부터 여러 가지 형태의 전력원을 이용하여 대기압 플라즈마를 발생시키는 장치들이 사용되어 왔으며, 주파수 900MHz나 2.05GHZ 등의 마이크로파 신호의 공진을 이용하여 저전력의 열적 효과가 없는 저온 플라즈마 제트(Plasma jet)를 발생시키는 장치들이 개발되어 왔다.
이러한 플라즈마 발생장치에서 생성된 플라즈마는 1019m-3 내지 1021m-3 수준의 전자밀도를 가지며, 이는 플라즈마상 전극으로 이용될 수 있다.
한편, 아크 방전기술은 용접, 금속 표면처리, 가스화(gasification), 점화플러그, 수(水)처리 등의 산업분야에서 다양하게 활용되며, 이때 아크 전극의 마모는 시스템의 수명과 직결되는 주요한 요인이다. 용융, 스퍼터링(Sputtering) 등의 현상은 아크 방전에서 필연적으로 발생하는 전극 마모의 원인이며 이를 억제하기 위한 다양한 시도들이 연구되고 있다.
대기압 조건에서 공기 아크 방전은 높은 절연파괴전압(DC 전기장 기준으로 약 30kV/cm)이 요구되어 그 운용에 많은 제약이 따른다. 높은 절연파괴전압으로 인하여 전극 간극의 조절은 아크 방전의 발생 유무를 결정하는 주요 요소로 작용하며, 제한적인 디자인의 전극 구조 또는 고전압 파워 시스템이 요구되는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 마이크로파 플라즈마를 가상 전극으로 활용하여 낮은 DC 전압에서 아크 방전을 발생시키고, 아크에 의한 전극의 마모를 최소화할 수 있는 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치는, 마이크로파 전극과, 상기 마이크로파 전극의 내부에 구비된 내부도체, 상기 내부도체를 둘러싸는 방전용 기체 공급관, DC 바이어스 전원 및 DC 바이어스 전극을 포함하며 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치에 있어서, 상기 방전용 기체 공급관을 통해 방전기체를 공급하고 상기 내부도체에 마이크로파를 인가하여 생성된 마이크로파 플라즈마로 형성된 플라즈마상 전극을 더 포함하며, 상기 DC 바이어스 전극에 상기 DC 바이어스 전원을 인가하여 상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이에 아크를 발생시키는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전방법은, 마이크로파 플라즈마 발생기의 마이크로파 전극에 전력을 인가하여 마이크로파 플라즈마를 발생시켜 플라즈마상 전극을 생성하는 플라즈마상 전극 생성 단계; 및 상기 플라즈마상 전극과 이격 배치되는 DC 바이어스 전극에 DC 바이어스를 인가하여 상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이에서 아크를 발생시키는 아크 발생단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 의하면 마이크로파 플라즈마 발생기에서 플라즈마를 생성하고, 마이크로파 플라즈마와 소정의 간격으로 이격된 DC 바이어스 전극에 DC 바이어스를 인가함으로써, 아크를 생성시킬 수 있다. 이러한 마이크로파 플라즈마에서 생성된 전자들은 방전에 필요한 충격 이온화(impact ionization), 2차 전자 방출(secondary emission) 등의 전자 생성 과정에 대한 요구치를 줄여주어 DC 방전에 요구되는 전압을 획기적으로 낮추어 줄 수 있는 장점이 있다.
이로써, 고전압, 고온 등의 이유로 아크방전 기술의 적용이 제한적이었던 바이오 재료, 플라스틱, 고무와 같은 연질(軟質) 물질 등의 바이오 메디컬 분야로의 적용 가능성을 높일 수 있는 효과가 있다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 의하면 용접, 금속 표면처리, 가스화(gasification), 점화플러그, 수(水)처리 등의 산업 분야에서 다양하게 활용 가능하며, 이때 고밀도 플라즈마가 가상의 전극으로 작용하여 아크 채널이 마이크로파 전극 표면과 직접적으로 닿지 않으므로 용융, 스퍼터링 등에 의한 전극의 마모를 억제할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치에서 아크를 생성한 것을 종래의 기술과 비교하여 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치의 플라즈마상 전극 구조를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전방법의 공정 흐름도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 본문에 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1의 (a)는 비교예에 따른 마이크로파 플라즈마 발생기 단독으로 아르곤 마이크로파 플라즈마를 발생시킨 사진이고, 도 1의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치에서 플라즈마를 내마모성 플라즈마상 전극으로 활용하여 아크를 발생시킨 것을 나타내는 사진이다.
도 1의 (b)는 내마모성 플라즈마상 전극을 공기 중에서 적용하였지만, 플라즈마상 전극과 DC 바이어스 전극 사이의 매질은 기체에 한정되지 않는다. 그리고 DC 바이어스 전극 또한 그 형태나 구성이 특정 실시예에 한정되지 않는다.
한편, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치의 개략도이다.
도 2를 참고하면 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치(200)는 마이크로파 전극(211)과, 마이크로파 전극(211)의 내부에 구비된 내부도체(212) 및 내부도체(212)를 둘러싸는 방전용 기체 공급관(213)을 구비한다. 마이크로파 플라즈마 발생기(200)는 방전용 기체 공급관(213)을 통해 방전기체를 공급하고 내부도체(212)에 0.4 내지 11GHz의 마이크로파를 인가하고 마이크로파 신호의 공진을 이용하여 고밀도의 마이크로파 플라즈마를 생성하는 장치이다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치(200)에 의하면 마이크로파 플라즈마를 가상의 플라즈마상 전극(216)으로 이용하고, DC 바이어스 전극(214)에 DC 전원(215)을 인가하여 줌으로써, 전기적으로 분리되어 있는 플라즈마상 전극(216)과 DC 바이어스 전극(214) 사이에서 아크(217)를 발생시키는 것으로 종래의 DC 아크 대비 방전에 요구되는 전압이 낮으며 아크로 인한 전극의 마모를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치(200)는 종래의 반도체 처리용 플라즈마 장비 등에서 활용되고 있는 종래의 DC 바이어스 결합 플라즈마 기술과는 구성상 차이가 있다. 종래의 고주파수 플라즈마와 DC 바이어스를 결합한 장비(PIII, Plasma-immersion ion implantation)는 대기압 이하의 저압에서 운용되며, DC 바이어스는 주로 기재(substrate)의 표면으로 유입되는 이온을 제어하기 위하여 기재의 하부면에서 인가된다.
이에 비해 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치는 마이크로파로 생성된 대기압 플라즈마를 가상의 전극으로 활용하여 낮은 전압에서 DC 아크를 발생시키고 이를 통해 플라즈마 전극을 보호하는 것을 구성상의 특징으로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전방법의 공정 흐름도이다.
도 3을 참고하면 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전방법은 플라즈마상 전극 생성 단계(S100) 및 아크 발생 단계(S200)를 포함한다.
플라즈마상 전극 생성 단계(S100)에서는 상기 마이크로파 플라즈마 발생기에 0.4 내지 11GHz의 전력을 인가하여, 대기압 조건에서 1020/m3 수준의 전자 밀도를 갖는 고밀도 플라즈마를 생성하여 플라즈마상 전극을 생성한다. 상기 플라즈마상 전극 생성 단계(S100)에서는 마이크로파 플라즈마 발생기 외주로 방전 가스를 공급하고 마이크로파를 인가하여 고밀도 플라즈마를 생성한다. 상기 마이크로파는 GHz 주파수 영역대에 해당하며, 고밀도 플라즈마를 생성하고 유지하는 역할을 한다. 플라즈마상 전극 생성 단계(S100)에 공급되는 방전용 가스는 종류 및 유량에서 특별히 한정되지 않으며, 일 실시예에서는 아르곤 가스를 사용하였다.
아크 발생 단계(S200)에서는 도 2에 도시된 바와 같이 마이크로파 플라즈마와 소정의 간격으로 이격된 DC 바이어스 전극에 DC 바이어스를 인가하여 마이크로파 전극에서 생성되는 마이크로파 플라즈마로 인한 가상전극인 플라즈마상 전극(216)과 DC 바이어스 전극(214) 사이에서 아크(217)를 발생시킨다.
플라즈마 방전의 중요 메커니즘 중 하나인 전자사태(electron avalanche)에서는 전자의 수가 늘어나기 위해 충돌 이온화(Impact ionization) 과정이나 2차 전계방출(Secondary electron emission) 과정이 요구된다. 상기 마이크로파 플라즈마로부터 생성된 전자들은 공간적으로 확산되어 마이크로파 플라즈마와 공간적으로 이격되어 있는 DC 바이어스 전극 사이의 공간에서의 전자 밀도를 높이게 되는데, 이들은 상기 DC 바이어스 전극 사이의 공간에서의 전자사태를 가속화시켜 낮은 전압에서 DC 방전을 가능하게 한다.
일례를 들면 마이크로파 전극에 인가되는 마이크로파는 0.4~11GHz 영역대를 포함하며, DC 바이어스 전극에 인가되어야 할 전압의 세기는 플라즈마상 전극과 DC 바이어스 전극 사이의 간격에 따라 달라지게 되는데 설정 간격 1cm당 약 수백 볼트의 수치가 요구된다. 그리고 가상전극으로 활용되는 고밀도의 마이크로파 플라즈마는 방전 가스의 종류와 유량, 압력, 입력 전력, 입력 주파수 및 전극의 기하학적 구조 등에 따라 달라질 수 있으나, 아크 발생에 충분한 전자 밀도를 갖는다면 고밀도 플라즈마의 형성 조건은 특별히 한정되지 않는다.
하지만 플라즈마상 전극이 아크의 발생 및 유지에 필요한 수준의 전자 밀도를 갖지 못했거나, DC 바이어스 전극에 인가되는 DC 전압이 지나치게 높은 경우 마이크로파 전극과 DC 바이어스 전극 사이의 전체 영역에 아크가 형성되어, 플라즈마상 전극이 갖는 내마모 효과를 상실하게 된다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전방법은, 상기 플라즈마상 전극 생성 단계(S100)에서 생성된 상기 플라즈마상 전극을 아크를 이용한 용접이나 표면처리 및 수처리 과정에 적용하는 플라즈마상 전극 적용단계(S300)를 더 포함할 수 있다.
살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 의하면 마이크로파 플라즈마 발생기에서 플라즈마를 생성하고, 마이크로파 플라즈마와 소정의 간격으로 이격된 DC 바이어스 전극에 DC 바이어스를 인가함으로써, 아크를 생성시킬 수 있으며, 이로 인해 DC 방전에 요구되는 전압을 획기적으로 낮추어 줄 수 있으며, 아크방전 기술의 적용이 제한적이었던 바이오 재료, 플라스틱, 고무와 같은 연질(軟質) 물질 등의 바이오 메디컬 분야로의 적용 가능성을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 마이크로파 플라즈마를 이용한 아크 방전장치 및 아크 방전방법에 적용된 플라즈마상 내마모 전극 기술에 의해 발생한 아크를 이용하여 용접, 금속 표면처리, 가스화(gasification), 점화플러그, 수(水)처리 등의 산업 분야에서 다양하게 활용할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 상술한 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 마이크로파 전극과, 상기 마이크로파 전극의 내부에 구비된 내부도체, 상기 내부도체를 둘러싸는 방전용 기체 공급관, DC 바이어스 전원 및 DC 바이어스 전극;을 포함하며 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치에 있어서,
    상기 방전용 기체 공급관을 통해 방전기체를 공급하고 상기 내부도체에 마이크로파를 인가하여 생성된 마이크로파 플라즈마로 형성된 플라즈마상 전극을 더 포함하며,
    상기 DC 바이어스 전극에 상기 DC 바이어스 전원을 인가하여 상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이에 아크를 발생시키되,
    상기 DC 바이어스 전극에 인가되는 전압은
    상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이의 간격에 비례하여 설정되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로파 전극에 인가되는 전력은 0.4~11 GHz 영역 내의 주파수를 갖는 마이크로파인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마이크로파 플라즈마 발생기는
    상기 방전용 기체 공급관을 통해 방전기체를 공급하고 상기 내부도체에 0.4 내지 11GHz의 마이크로파를 인가하고 마이크로파 신호의 공진을 이용하여 상기 마이크로파 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 아크는
    상기 마이크로파 전극과 직접적으로 닿지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전장치.
  6. 마이크로파 플라즈마 발생기의 마이크로파 전극에 전력을 인가하여 마이크로파 플라즈마를 발생시켜 플라즈마상 전극을 생성하는 플라즈마상 전극 생성 단계; 및
    상기 플라즈마상 전극과 이격 배치되는 DC 바이어스 전극에 DC 바이어스를 인가하여 상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이에서 아크를 발생시키는 아크 발생단계;를 포함하되,
    상기 DC 바이어스 전극에 인가되는 전압은
    상기 플라즈마상 전극과 상기 DC 바이어스 전극 사이의 간격에 비례하여 설정되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 마이크로파 전극에 인가되는 전력은 0.4~11 GHz 영역 내의 주파수를 갖는 마이크로파인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전방법.
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서, 상기 아크 발생단계는
    상기 아크 발생단계에서 발생된 아크가 상기 마이크로파 전극과 직접적으로 닿지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마상 전극 생성 단계에서 생성된 상기 플라즈마상 전극을 아크를 이용한 용접, 표면처리 및 수처리 과정에 적용하는 플라즈마상 전극 적용단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 발생기를 이용한 아크 방전방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113552208A (zh) * 2021-07-08 2021-10-26 浙江大学 一种有机爆炸物质的检测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101359320B1 (ko) * 2012-12-27 2014-02-10 한국기초과학지원연구원 전자파-고주파 혼성 플라즈마 토치
KR20160007169A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 한국기계연구원 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
KR20190065854A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 포항공과대학교 산학협력단 이중의 고주파수를 이용한 플라즈마의 시스와 벌크의 확장방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE503141C2 (sv) * 1994-11-18 1996-04-01 Ladislav Bardos Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning
KR101012345B1 (ko) * 2008-08-26 2011-02-09 포항공과대학교 산학협력단 저 전력 휴대용 마이크로파 플라즈마 발생기
KR101032836B1 (ko) * 2008-12-16 2011-05-06 부산대학교 산학협력단 직류 펄스형 대기압 글로우 플라즈마 발생장치
US10354845B2 (en) * 2016-02-18 2019-07-16 Southwest Research Institute Atmospheric pressure pulsed arc plasma source and methods of coating therewith

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101359320B1 (ko) * 2012-12-27 2014-02-10 한국기초과학지원연구원 전자파-고주파 혼성 플라즈마 토치
KR20160007169A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 한국기계연구원 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
KR20190065854A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 포항공과대학교 산학협력단 이중의 고주파수를 이용한 플라즈마의 시스와 벌크의 확장방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113552208A (zh) * 2021-07-08 2021-10-26 浙江大学 一种有机爆炸物质的检测方法
CN113552208B (zh) * 2021-07-08 2023-06-09 浙江大学 一种有机爆炸物质的检测方法

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