KR102209662B1 - Trapping apparatus for cobalt-carbon gas - Google Patents

Trapping apparatus for cobalt-carbon gas Download PDF

Info

Publication number
KR102209662B1
KR102209662B1 KR1020190087539A KR20190087539A KR102209662B1 KR 102209662 B1 KR102209662 B1 KR 102209662B1 KR 1020190087539 A KR1020190087539 A KR 1020190087539A KR 20190087539 A KR20190087539 A KR 20190087539A KR 102209662 B1 KR102209662 B1 KR 102209662B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cobalt
housing
composite
carbon
chamber
Prior art date
Application number
KR1020190087539A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210010096A (en
Inventor
이승룡
Original Assignee
(주)제이솔루션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)제이솔루션 filed Critical (주)제이솔루션
Priority to KR1020190087539A priority Critical patent/KR102209662B1/en
Publication of KR20210010096A publication Critical patent/KR20210010096A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102209662B1 publication Critical patent/KR102209662B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/02—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using chambers or hoods covering the area
    • B08B15/026—Boxes for removal of dirt, e.g. for cleaning brakes, glove- boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

반도체 혹은 유사 제품의 제조장비에 관한 것으로, 특히 메탈공정에서 발생하는 부산물인 코발트-탄소 가스를 효과적으로 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집장치에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 내부에 형성된 챔버를 구비하고 상기 챔버와 통하는 유입구 및 유출구를 구비한 하우징; 상기 하우징에 설치되며 상기 하우징의 챔버로 유입된 코발트-탄소 가스가 유입 직후 온도보다 더 높은 온도로 가열되도록 상기 하우징의 챔버 내부 온도를 높여주어 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 분리되도록 유도하는 발열부재; 상기 하우징의 챔버를 가로질러 설치되며 상기 발열부재에 의해 가열된 상태에서 코발트복합체와 표면접촉하면서 코발트복합체를 산화시켜 증착하는 코발트 증착부재; 상기 하우징의 벽체를 냉각함으로써 상기 하우징의 내표면에 접촉하는 탄소복합체가 급랭하면서 고형화 및 증착되도록 유도하는 냉각부재;를 포함하여, 상기 발열부재에 의해 상기 하우징의 챔버 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하고, 분리된 코발트복합체와 탄소복합체에 대해서는 가열된 상기 코발트 증착부재와 냉각된 상기 하우징의 내표면에 구분하여 증착되도록 유도한다. The present invention relates to a semiconductor or similar product manufacturing equipment, and more particularly, to a cobalt-carbon gas collection device capable of effectively collecting cobalt-carbon gas, which is a by-product generated in a metal process.
The present invention is provided with a chamber formed therein, and a housing having an inlet and an outlet communicating with the chamber; It is installed in the housing, and the internal temperature of the chamber of the housing is increased so that the cobalt-carbon gas introduced into the chamber of the housing is heated to a temperature higher than the temperature immediately after the inflow, thereby inducing the cobalt-carbon gas to be separated into the cobalt complex and the carbon complex. A heating member; A cobalt deposition member installed across the chamber of the housing and in a heated state by the heat generating member to oxidize and deposit the cobalt composite while making surface contact with the cobalt composite; Including; a cooling member for inducing solidification and deposition while cooling the carbon composite material in contact with the inner surface of the housing by cooling the wall of the housing; Including, heating the inside of the chamber of the housing by the heating member and introduced into the chamber The cobalt-carbon gas is separated into a cobalt composite and a carbon composite, and the separated cobalt composite and carbon composite are separated and deposited on the heated cobalt deposition member and the cooled inner surface of the housing.

Description

코발트-탄소 가스 포집장치{TRAPPING APPARATUS FOR COBALT-CARBON GAS}Cobalt-carbon gas collection device {TRAPPING APPARATUS FOR COBALT-CARBON GAS}

본 발명은 반도체 혹은 유사 제품의 제조장비에 관한 것으로, 특히 메탈공정에서 발생하는 부산물인 코발트-탄소 가스를 효과적으로 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집장치에 관한 것이다. The present invention relates to equipment for manufacturing semiconductors or similar products, and more particularly, to a cobalt-carbon gas collection device capable of effectively collecting cobalt-carbon gas, which is a by-product generated in a metal process.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, the semiconductor manufacturing process is largely composed of a pre-process (fabrication process) and a post-process (assembly process), and the pre-process refers to depositing a thin film on a wafer in various process chambers and depositing It refers to the process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing the process of selectively etching the formed thin film to process a specific pattern, and the later process refers to the process of individually processing the chips manufactured in the previous process. It refers to the process of assembling a finished product by combining it with a lead frame after separation.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.At this time, in the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer, harmful gases such as silane, arsine, and boron chloride and process gases such as hydrogen are removed in the process chamber. It is carried out at a high temperature by using, and during the process, a large amount of ignitable gases, corrosive foreign substances, and harmful gases containing toxic components are generated inside the process chamber.

따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.Therefore, in the semiconductor manufacturing equipment, a scrubber is installed at the rear end of the vacuum pump that makes the process chamber into a vacuum state to purify the exhaust gas discharged from the process chamber and then discharge it to the atmosphere.

하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.However, the exhaust gas discharged from the process chamber is solidified into powder when it comes into contact with the atmosphere or when the ambient temperature is low.The powder is fixed to the exhaust line to increase the exhaust pressure and at the same time, when introduced into the vacuum pump, vacuum There is a problem of causing a failure of the pump and causing a reverse flow of exhaust gas to contaminate the wafer in the process chamber.

이에, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30) 사이에 상기 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩장치를 설치하고 있다.Thus, in order to solve the above problems, as shown in FIG. 1, a powder trap that adheres the exhaust gas discharged from the process chamber 10 between the process chamber 10 and the vacuum pump 30 in a powder state. The device is being installed.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30)는 펌핑라인(60)으로 연결되고, 상기 펌핑라인(60)에는 상기 프로세스 챔버(10)에서 발생된 반응부산물을 파우더 형태로 트랩하여 적체하기 위한 트랩관(70)이 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된다.That is, as shown in FIG. 1, the process chamber 10 and the vacuum pump 30 are connected to the pumping line 60, and the reaction by-products generated in the process chamber 10 are stored in the pumping line 60. A trap pipe 70 for trapping and accumulating in a powder form is branched from the pumping line 60 and installed.

이와 같은 종래의 파우더 트랩장치의 경우 상기 프로세스 챔버(10) 내부에서 박막의 증착이나 식각시 발생된 미반응 가스가 상기 프로세스 챔버(10)에 비해 상대적으로 낮은 온도 분위기를 갖는 펌핑라인(60)쪽으로 유입되면서 분말 상태의 파우더로 고형화된 후, 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된 트랩관(70)에 쌓이게 된다.In the case of such a conventional powder trap device, unreacted gas generated during deposition or etching of a thin film inside the process chamber 10 is directed toward the pumping line 60 having a relatively low temperature atmosphere compared to the process chamber 10. After being solidified into powdery powder as it flows in, it is branched from the pumping line 60 and accumulated in the installed trap pipe 70.

이때, 상기 트랩관(70)을 펌핑라인(60)으로부터 분기시켜 설치하는 이유는 상기 파우더가 진공펌프(30)쪽으로 유입되지 않도록 하기 위함이다. 참고로, 도 미설명 부호인 "9"는 파우더를 지시한다.At this time, the reason why the trap pipe 70 is branched from the pumping line 60 and installed is to prevent the powder from flowing into the vacuum pump 30. For reference, "9", which is also not described, indicates powder.

그러나 포집대상이 메탈공정에서 발생하는 코발트-탄소 가스의 경우 종래기술에 의한 반응부산물 파우더 트랩장치를 이용하는 경우 포집효율이 매우 떨어지는 문제가 있었다. 이는 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 이루어지는데 이들 코발트복합체와 탄소복합체는 서로 간의 증착 조건이 매우 다른데도 불구하고 이들을 코발트-탄소 가스 형태로 바로 증착하기 때문이었다. However, in the case of the cobalt-carbon gas generated in the metal process as the object to be collected, there is a problem that the collection efficiency is very low when the reaction by-product powder trap device according to the prior art is used. This is because cobalt-carbon gas is composed of a cobalt composite and a carbon composite, and these cobalt composites and carbon composites are directly deposited in the form of cobalt-carbon gas, although the deposition conditions are very different.

한국등록특허공보 제10-0862684호(2008.10.02)Korean Registered Patent Publication No. 10-0862684 (2008.10.02)

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 메탈공정에서 발생하는 부산물인 코발트-탄소 가스를 효과적으로 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집장치를 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a cobalt-carbon gas collection device capable of effectively collecting cobalt-carbon gas, which is a by-product generated in a metal process. There is.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치는, 반도체 제품을 포함하는 제품군 중 어느 하나의 물품을 제조할 때 진행되는 메탈공정에서 발생한 코발트-탄소 가스를 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집장치로서, 내부에 형성된 챔버를 구비하고 상기 챔버와 통하는 유입구 및 유출구를 구비한 하우징; 상기 하우징에 설치되며 상기 하우징의 챔버로 유입된 코발트-탄소 가스가 유입 직후 온도보다 더 높은 온도로 가열되도록 상기 하우징의 챔버 내부 온도를 높여주어 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 분리되도록 유도하는 발열부재; 상기 하우징의 챔버를 가로질러 설치되며 상기 발열부재에 의해 가열된 상태에서 코발트복합체와 표면접촉하면서 코발트복합체를 산화시켜 증착하는 코발트 증착부재; 상기 하우징의 벽체를 냉각함으로써 상기 하우징의 내표면에 접촉하는 탄소복합체가 급랭하면서 고형화 및 증착되도록 유도하는 냉각부재;를 포함하여, 상기 발열부재에 의해 상기 하우징의 챔버 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하고, 분리된 코발트복합체와 탄소복합체에 대해서는 각각 가열된 상기 코발트 증착부재와 냉각된 상기 하우징의 내표면에 증착되도록 유도하는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the cobalt-carbon gas collection device according to the technical idea of the present invention captures cobalt-carbon gas generated in the metal process that proceeds when manufacturing any one of the product groups including semiconductor products. A cobalt-carbon gas collecting device configured to be capable of, comprising: a housing having a chamber formed therein and having an inlet port and an outlet port communicating with the chamber; It is installed in the housing, and the internal temperature of the chamber of the housing is increased so that the cobalt-carbon gas introduced into the chamber of the housing is heated to a temperature higher than the temperature immediately after the inflow, thereby inducing the cobalt-carbon gas to be separated into the cobalt complex and the carbon complex. A heating member; A cobalt deposition member installed across the chamber of the housing and in a heated state by the heat generating member to oxidize and deposit the cobalt composite while making surface contact with the cobalt composite; Including; a cooling member for inducing solidification and deposition while cooling the carbon composite material in contact with the inner surface of the housing by cooling the wall of the housing; Including, heating the inside of the chamber of the housing by the heating member and introduced into the chamber The cobalt-carbon gas is separated into a cobalt composite and a carbon composite, and for the separated cobalt composite and carbon composite, it is characterized in that it is induced to be deposited on the heated inner surface of the cobalt deposition member and the cooled housing, respectively. do.

여기서, 상기 발열부재는 코발트복합체를 탄소복합체가 감싸고 있는 구조로 이루어진 코발트-탄소 가스 입자에 대하여 코발트복합체가 가열 팽창되는 온도로 가열함으로써 코발트복합체로부터 탄소복합체가 분리되도록 유도하고, 상기 코발트 증착부재는 코발트복합체를 산화시켜 증착하기 위해 상기 하우징의 챔버 내부의 온도보다 더 높은 온도로 가열되며, 상기 하우징의 내표면은 탄소복합체의 고형화 및 증착을 유도하기 위해 상기 하우징의 챔버에 유입된 직후의 코발트-탄소 가스 온도보다 급격히 낮아진 온도로 냉각되는 것을 특징으로 할 수 있다. Here, the heating member induces separation of the carbon composite from the cobalt composite by heating the cobalt composite to a temperature at which the cobalt composite heats and expands with respect to the cobalt-carbon gas particles having a structure surrounding the carbon composite, and the cobalt deposition member In order to oxidize and deposit the cobalt composite, it is heated to a temperature higher than the temperature inside the chamber of the housing, and the inner surface of the housing is cobalt immediately after entering the chamber of the housing to induce solidification and deposition of the carbon composite. It may be characterized in that it is cooled to a temperature sharply lower than the temperature of the carbon gas.

또한, 코발트 증착부재는 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)로 구비된 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the cobalt deposition member may be provided with a metal lath, which is a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and make surface contact.

또한, 상기 코발트 증착부재는 복수개가 인접하여 상하로 이격배치되고 그 이격된 사이에 상기 발열부재가 설치되어 상기 코발트 증착부재가 상기 발열부재의 인근에서 가열될 수 있도록 한 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, a plurality of the cobalt deposition members may be arranged adjacent to each other and spaced apart from each other up and down, and the heating member is installed between the spaced apart so that the cobalt deposition member can be heated in the vicinity of the heating member.

또한, 상기 발열부재는, 상기 코발트 증착부재를 따라 라인 형상으로 설치된 라인형 히터와, 상기 라인형 히터 외주면을 따라 날개 형상으로 설치되어 코발트복합체에 대한 가열 접촉면적을 넓혀주는 가열접촉핀으로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the heating member includes a line heater installed in a line shape along the cobalt deposition member, and a heating contact pin installed in a wing shape along the outer circumferential surface of the line heater to increase a heating contact area for the cobalt composite. It can be characterized.

또한, 상기 가열접촉핀은 상기 라인형 히터 외주면을 따라 나선형의 형태로 연속하여 휘감겨 설치된 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the heating contact pin may be installed by being continuously wound in a spiral shape along the outer peripheral surface of the line-type heater.

또한, 상기 코발트 증착부재의 하측으로 이격된 지점에는 상기 하우징의 챔버를 가로질러 설치되며, 상기 코발트 증착부재에 증착되지 않고 통과한 코발트복합체를 표면접촉하면서 산화시켜 증착하는 보조 증착부재를 더 포함하며, 상기 보조 증착부재는 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)로 구비되며, 복수개가 인접하여 상하로 이격배치되되 상기 코발트 증착부재의 간격보다 좁은 간격으로 조밀하게 배치되며 상기 코발트 증착부재의 표면온도보다 낮은 표면온도로 가열된 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the cobalt deposition member is installed across the chamber of the housing at a point spaced apart from the lower side of the cobalt deposition member, and further comprises an auxiliary deposition member for oxidizing and depositing the cobalt composite that has passed through without being deposited on the cobalt deposition member while in contact with the surface, and , The auxiliary deposition member is provided with a metal lath, which is a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and make surface contact, and a plurality of the cobalt composite and the carbon composite are disposed adjacent to each other and spaced vertically apart from each other. It may be densely arranged at intervals narrower than that of and heated to a surface temperature lower than the surface temperature of the cobalt deposition member.

또한, 상기 코발트 증착부재와 보조 증착부재는 상기 하우징의 챔버에서 교번하여 복수 설치된 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the cobalt deposition member and the auxiliary deposition member may be provided in a plurality of alternately in the chamber of the housing.

또한, 상기 유출구에 설치된 유출관은 상단부가 상기 하우징의 챔버 저면에서 상측으로 돌출되도록 하여 상기 하우징의 챔버에서 증착되지 않은 코발트복합체와 탄소복합체가 유출되지 않도록 억제하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the outlet pipe installed at the outlet may be characterized in that the upper end protrudes upward from the bottom of the chamber of the housing to prevent the cobalt composite and the carbon composite that are not deposited from the chamber of the housing from flowing out.

또한, 상기 하우징의 벽체는 내부에 이격공간을 갖는 이중벽 구조로 형성되며, 상기 냉각부재는 상기 하우징 벽체의 이격공간으로 냉각수를 유통시켜주는 냉각수 주입관과 냉각수 배출관인 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the wall of the housing is formed in a double wall structure having a spaced space therein, and the cooling member may be a cooling water injection pipe and a cooling water discharge pipe for circulating cooling water to the spaced space of the housing wall.

또한, 상기 하우징의 벽체 내부에 형성된 이격공간에는 수직하게 형성된 다수의 제1가이드격판과 제2가이드격판이 하우징의 둘레방향을 따라 교번하여 설치되되, 상기 제1가이드격판은 상측으로 치우쳐서 하측으로 냉각수가 흐르도록 허용하고 제2가이드격판은 하측으로 치우쳐서 상측으로 냉각수가 흐르도록 허용하여 냉각수가 상기 하우징의 벽체 내부 이격공간에서 지그재그를 그리면서 상기 하우징의 둘레방향을 따라 흐르도록 유도하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, in the spaced space formed inside the wall of the housing, a plurality of vertically formed first guide plates and second guide plates are alternately installed along the circumferential direction of the housing, and the first guide plate is skewed upward and the cooling water is lowered. And the second guide diaphragm is biased downward to allow the coolant to flow upward, thereby inducing the coolant to flow along the circumferential direction of the housing while drawing a zigzag in the spaced space inside the wall of the housing. I can.

또한, 상기 하우징의 상면은 개폐 가능하도록 한 상부 커버로 이루어지며, 상기 상부 커버의 내부에는 상기 냉각수 주입관에 의해 냉각수가 주입되어 둘레방향으로 순환한 후 상기 냉각수 배출관을 따라 배출되도록 한 냉각수 유통홀이 형성되어 상기 상부 커버의 하측 표면에 접촉하는 탄소복합체의 증착을 유도하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the upper surface of the housing is made of an upper cover capable of opening and closing, and a cooling water distribution hole in which cooling water is injected into the upper cover by the cooling water injection pipe to circulate in the circumferential direction and then discharged along the cooling water discharge pipe. It may be characterized in that it induces deposition of the carbon composite material in contact with the lower surface of the upper cover.

한편 본 발명의 코발트-탄소 가스 포집방법은, 반도체 제품을 포함하는 제품군 중 어느 하나의 물품을 제조할 때 진행되는 메탈공정에서 발생한 코발트-탄소 가스를 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집방법으로서, 밀폐된 챔버의 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 먼저 분리하고, 분리된 코발트복합체와 탄소복합체를 각각 구분하여 증착하는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다. Meanwhile, the cobalt-carbon gas collection method of the present invention is a cobalt-carbon gas collection method capable of collecting cobalt-carbon gas generated in a metal process performed when manufacturing any one of the product lines including semiconductor products. , The cobalt-carbon gas introduced into the chamber by heating the inside of the sealed chamber is first separated into a cobalt composite and a carbon composite, and the separated cobalt composite and carbon composite are separated and deposited.

여기서, 상기 챔버에서 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하기 위하여 탄소복합체가 감싸고 있는 코발트복합체를 가열 팽창시키는 것을 특징으로 할 수 있다. Here, in the chamber, in order to separate the cobalt-carbon gas into the cobalt composite and the carbon composite, the cobalt composite enclosed by the carbon composite is heated and expanded.

또한, 분리된 코발트복합체에 대해서는 챔버의 내부 온도보다 높은 온도로 가열된 코발트 증착부재의 표면에 접촉시켜 산화되어 증착되도록 하며, 분리된 탄소복합체에 대해서는 상기 코발트-탄소 가스가 챔버에 유입된 온도보다 낮은 온도로 냉각된 다른 부재의 표면에 접촉시켜 고형화 및 증착되도록 급랭하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the separated cobalt composite is oxidized and deposited by contacting the surface of the cobalt deposition member heated to a temperature higher than the internal temperature of the chamber, and the separated carbon composite is less than the temperature of the cobalt-carbon gas introduced into the chamber. It may be characterized in that rapid cooling so as to be solidified and deposited by contacting the surface of another member cooled to a low temperature.

본 발명에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치는 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리한 후 이들 분리된 코발트복합체와 탄소복합체를 별도 구분하여 증착함으로써 보다 효과적인 포집이 가능하다. The cobalt-carbon gas collection apparatus according to the present invention separates the cobalt-carbon gas into a cobalt complex and a carbon complex, and separates and deposits these separated cobalt complexes and carbon complexes, thereby enabling more effective collection.

도 1은 종래기술에 의한 포집장치를 설명하기 위한 참조도
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 사시도
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 정면도
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 평면도
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 측면도
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 저면도
도 7은 도 3의 A-A에 따른 단면도
도 8은 도 4의 B-B에 따른 단면도
도 9는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 내부구성을 설명하기 위한 단면사시도
도 10은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치에서 하우징 벽체의 외부 패널을 제거하여 벽체 내부의 구성을 보인 참조도1 is a reference diagram for explaining a collecting device according to the prior art
2 is a perspective view of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention
3 is a front view of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention
4 is a plan view of a cobalt-carbon gas collecting apparatus according to an embodiment of the present invention
5 is a side view of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention
6 is a bottom view of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention
7 is a cross-sectional view taken along AA of FIG. 3
8 is a cross-sectional view taken along BB in FIG. 4
9 is a cross-sectional perspective view for explaining the internal configuration of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention
FIG. 10 is a reference diagram showing the interior of the wall by removing the outer panel of the housing wall in the cobalt-carbon gas collecting device according to the embodiment of the present invention

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 이해하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다.A cobalt-carbon gas collecting apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the present invention can apply various changes and have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form of disclosure, and it should be understood that all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown to be enlarged from the actual one for clarity of the present invention or reduced from the actual one to understand the schematic configuration.

또한, 제1 및 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. Meanwhile, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

<실시예><Example>

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 정면도이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 평면도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 측면도, 도 6은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 저면도이며, 도 7은 도 3의 A-A에 따른 단면도이며, 도 8은 도 4의 B-B에 따른 단면도이며, 도 9는 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치의 내부구성을 설명하기 위한 단면사시도이며, 도 10은 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치에서 하우징 벽체의 외부 패널을 제거하여 벽체 내부의 구성을 보인 참조도이다. 2 is a perspective view of a cobalt-carbon gas collection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a front view of a cobalt-carbon gas collection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a A plan view of a cobalt-carbon gas collection device, FIG. 5 is a side view of a cobalt-carbon gas collection device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a bottom view of a cobalt-carbon gas collection device according to an embodiment of the present invention, 7 is a cross-sectional view taken along AA in FIG. 3, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along BB in FIG. 4, and FIG. 9 is a cross-sectional perspective view for explaining the internal configuration of a cobalt-carbon gas collecting device according to an embodiment of the present invention. , FIG. 10 is a reference diagram showing the internal structure of the wall by removing the outer panel of the housing wall in the cobalt-carbon gas collecting apparatus according to the embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치는 하우징(110)과, 발열부재(120)와, 코발트 증착부재(130)와, 보조 증착부재(140)와, 냉각부재(114a,114b)를 포함하여 이루어진다. As shown, the cobalt-carbon gas collection apparatus according to the embodiment of the present invention includes a housing 110, a heating member 120, a cobalt deposition member 130, an auxiliary deposition member 140, and a cooling member. It includes (114a, 114b).

본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치는 상기 발열부재(120)에 의해 상기 하우징(110)의 챔버 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하고, 분리된 코발트복합체와 탄소복합체에 대해서는 가열된 상기 코발트 증착부재(130)와 냉각된 상기 하우징(110)의 내표면에 별도로 증착되도록 하여 코발트-탄소 가스를 효과적으로 포집할 수 있도록 구성된다.The cobalt-carbon gas collection device according to the embodiment of the present invention separates the cobalt-carbon gas introduced into the chamber by heating the inside of the chamber of the housing 110 by the heating member 120 into a cobalt composite and a carbon composite. , For the separated cobalt composite and carbon composite, it is configured to be separately deposited on the inner surfaces of the heated cobalt deposition member 130 and the cooled housing 110 to effectively collect cobalt-carbon gas.

이하, 상기 각 구성요소들을 중심으로 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a cobalt-carbon gas collecting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to each of the above components.

상기 하우징(110)은 내부에는 넓은 공간인 챔버가 형성되고 상부에는 코발트-탄소 가스가 유입되는 유입구(110a)가 형성되며 하부에는 챔버 내부에서 증착되고 남은 나머지가 유출되는 유출구(110b)가 형성된다. 상기 하우징(110)의 벽체(111)는 내부에 이격공간(111a)을 갖는 이중벽 구조로 형성되어 냉각수가 주입되어 흐를 수 있도록 한다. The housing 110 has a chamber having a wide space therein, an inlet 110a through which cobalt-carbon gas is introduced is formed in the upper part, and an outlet 110b through which the remainder is discharged after being deposited in the chamber is formed in the lower part. . The wall 111 of the housing 110 is formed in a double-walled structure having a spaced space 111a therein to allow cooling water to be injected and flowed.

상기 이격공간(111a)에는 도 10에 도시된 것처럼 수직하게 형성된 다수의 제1가이드격판(113a)과 제2가이드격판(113b)이 하우징(110)의 둘레방향을 따라 교번하여 설치된다. 상기 제1가이드격판(113a)은 상기 이격공간(111a)에서 상측으로 치우쳐서 설치되어 하측으로 냉각수가 흐르도록 허용하고 제2가이드격판(113b)은 하측으로 치우쳐서 설치되어 상측으로 냉각수가 흐르도록 허용한다. 이로써 냉각수가 상기 하우징(110)의 벽체(111) 내부 이격공간(111a)에서 지그재그를 그리면서 하우징(110)의 둘레방향을 따라 흐르게 된다. In the separation space 111a, a plurality of first guide plates 113a and second guide plates 113b formed vertically as shown in FIG. 10 are alternately installed along the circumferential direction of the housing 110. The first guide diaphragm 113a is installed tilted upward in the spacing space 111a to allow cooling water to flow downward, and the second guide diaphragm 113b is installed tilted downward to allow cooling water to flow upward. . Accordingly, the coolant flows along the circumferential direction of the housing 110 while drawing a zigzag in the space 111a inside the wall 111 of the housing 110.

한편, 상기 하우징(110)의 상면은 개폐 가능하도록 한 상부 커버(112)로 이루어진다. 여기서 상기 상부 커버(112)에는 그 내부에 냉각수가 주입되어 둘레방향으로 순환한 후 배출되도록 한 냉각수 유통홀(112a)이 형성되고 그 상측을 보조커버(112b)가 덮도록 한다. 상기 하우징(110) 벽체(111) 내부에 형성된 이격공간(111a)과 상부 커버(112)의 냉각수 유통홀(112a)에 흐르는 냉각수는 도 2와 도 10에 도시된 것처럼 분기된 냉각수 주입관(114a)으로 연결되어 동시에 공급되며 역시 분기된 냉각수 배출관(114b)에 의해 동시에 배출된다. On the other hand, the upper surface of the housing 110 is made of an upper cover 112 that is open and closed. Here, in the upper cover 112, a cooling water distribution hole 112a is formed in which cooling water is injected and circulated in the circumferential direction, and then discharged, and the auxiliary cover 112b covers the upper side thereof. The cooling water flowing through the spaced space 111a formed inside the housing 110, the wall 111 and the cooling water distribution hole 112a of the upper cover 112 is divided into a branched cooling water injection pipe 114a as shown in FIGS. 2 and 10 ) Is connected and supplied at the same time, and is also discharged simultaneously by the branched cooling water discharge pipe 114b.

이처럼 하우징(110) 벽체(111) 내부 전체에 걸쳐 냉각수가 채워진 상태로 흐르도록 한 이격공간(111a)을 구비하고, 상부 커버(112)에까지 냉각수가 흐르도록 냉각수 유통홀(112a)을 구비하는 구성에 따르면 15℃ 전후의 온도를 갖는 신선한 냉각수를 이용하여 하우징(110) 내표면을 매우 효과적으로 냉각시킬 수 있게 된다. 이로써 하우징(110) 챔버에서 코발트복합체와 분리된 탄소복합체가 약 250℃의 온도로 설정된 챔버 내부의 고온분위기에서 이동하면서 그보다 높거나 유사한 표면온도를 갖는 코발트 증착부재(130)나 보조 증착부재(140)의 표면에는 증착되지 못하다가 냉각수에 의해 60℃ 미만의 온도로 냉각된 하우징(110) 내표면에 접촉하는 순간 급랭하여 고형화되면서 신속히 증착된다. In this way, the housing 110 is provided with a space 111a that allows cooling water to flow through the entire interior of the wall 111, and a cooling water distribution hole 112a to flow the cooling water to the upper cover 112 According to the method, it is possible to very effectively cool the inner surface of the housing 110 by using fresh cooling water having a temperature of about 15°C. As a result, the carbon composite separated from the cobalt composite in the housing 110 chamber moves in a high-temperature atmosphere inside the chamber set at a temperature of about 250°C, while the cobalt deposition member 130 or the auxiliary deposition member 140 having a surface temperature higher or similar thereto. ) Is not deposited on the surface, but is rapidly cooled and solidified as soon as it contacts the inner surface of the housing 110 cooled to a temperature of less than 60°C by the cooling water.

상기 하우징(110)의 상부 커버(112)에는 그 좌편과 우편에 한 쌍의 손잡이(116)가 설치되어 손잡이(116)를 잡고 간단히 운반할 수 있도록 하며, 상기 하우징(110)의 하측으로는 하우징(110) 저면과 이격되게 결합된 금속 타공판(150)이 더 설치된다. 이같은 금속 타공판(150)은 하우징(110) 저면이 바닥에 직접 닿지 않도록 함으로써 실내 바닥이 손상되지 않도록 보호한다. 도면과 같이 하우징(110)이 사각의 박스 형상으로 형성되고, 손잡이(116)를 구비하며, 거기에 더해 금속 타공판(150)이 더 설치된 구성에 따르면 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치가 매우 간단히 운반하고 설치할 수 있도록 최적화되었음을 알 수 있다. A pair of handles 116 are installed on the left and right sides of the upper cover 112 of the housing 110 so that it can be easily transported by holding the handle 116, and the lower side of the housing 110 (110) A metal perforated plate 150 coupled to be spaced apart from the bottom surface is further installed. Such perforated metal plate 150 protects the indoor floor from being damaged by preventing the bottom surface of the housing 110 from directly touching the floor. As shown in the figure, according to the configuration in which the housing 110 is formed in a square box shape, has a handle 116, and in addition to the metal perforated plate 150 is further installed, cobalt-carbon gas collection according to an embodiment of the present invention It can be seen that the device has been optimized to be very simple to transport and install.

상기 발열부재(120)는 하우징(110)에 설치되어 전원을 인가받아 발열하며 상기 하우징(110)의 챔버로 유입된 코발트-탄소 가스가 유입 직후 온도보다 더 높은 온도로 가열되도록 하우징(110) 챔버의 내부 온도를 높여주어 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 분리되도록 유도하는 역할을 한다. 여기서 상기 발열부재(120)의 가열온도는 코발트복합체를 탄소복합체가 감싸고 있는 구조로 이루어진 코발트-탄소 가스 입자에 대하여 코발트복합체가 가열 팽창되는 온도까지 이르도록 하는 수준이어야 한다. 상기 코발트복합체가 가열 팽창하면 그 주위를 감싸고 있던 탄소복합체가 활발하게 분리되면서 각각에 대하여 적정 조건을 가하기만 하면 효과적으로 증착될 수 있는 상태가 되는 것이다. 참고로 본 출원인이 의뢰를 받은 모기업의 반도제 제조 시 발생된 코발트-탄소 가스의 경우 약 235℃ 근처에서 코발트-탄소 가스 입자가 코발트복합체와 탄소복합체로 활발하게 분리되기 시작하였기 때문에 발열부재(120)의 발열에 의해 하우징(110)의 챔버 내부 온도를 약 250℃까지 상승시키도록 설정되었다. 이로써 약 100℃의 온도를 나타내는 코발트-탄소 가스가 250℃의 내부 온도를 유지하는 하우징(110)의 챔버 내부로 유입되었을 때 코발트복합체와 탄소복합체로 활발하게 분리되었다. 단, 코발트-탄소 가스를 이루고 있는 코발트복합체와 탄소복합체의 조성이 각 제조업체마다 일정하지 않기 때문에 코발트-탄소 가스 입자가 코발트복합체와 탄소복합체로 활발하게 분리되는데 필요한 온도와 그에 따른 하우징 챔버의 설정온도는 편차가 있으며 반복적인 실험을 통해 적정온도를 알아낼 수 있다. 중요한 것은 상기 발열부재(120)에 의해 하우징(110)의 챔버 내부 온도는 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 활발하게 분리되도록 유도하기 위한 온도로 설정도어야 한다는 점에 있다. The heating member 120 is installed in the housing 110 to receive power to generate heat, and the cobalt-carbon gas introduced into the chamber of the housing 110 is heated to a temperature higher than the temperature immediately after the inflow of the housing 110 chamber. It serves to induce the separation of cobalt-carbon gas into cobalt complex and carbon complex by raising the internal temperature of the unit. Here, the heating temperature of the heating member 120 should be at a level such that the cobalt composite is heated and expanded to a temperature at which the cobalt composite is heated and expanded with respect to the cobalt-carbon gas particles having a structure surrounding the carbon composite. When the cobalt composite is heated and expanded, the carbon composite surrounding the cobalt composite is actively separated, and it is in a state in which it can be effectively deposited by simply applying appropriate conditions for each. For reference, in the case of the cobalt-carbon gas generated during the production of the semiconducting agent of the parent company requested by the present applicant, the cobalt-carbon gas particles started to be actively separated into the cobalt composite and the carbon composite at about 235°C. ) Was set to increase the temperature inside the chamber of the housing 110 to about 250°C. Accordingly, when the cobalt-carbon gas having a temperature of about 100°C was introduced into the chamber of the housing 110 maintaining the internal temperature of 250°C, it was actively separated into a cobalt composite and a carbon composite. However, since the composition of the cobalt composite and carbon composite constituting the cobalt-carbon gas is not constant for each manufacturer, the temperature required for active separation of the cobalt-carbon gas particles into the cobalt composite and the carbon composite and the set temperature of the housing chamber accordingly There is a deviation, and the appropriate temperature can be found through repeated experiments. What is important is that the temperature inside the chamber of the housing 110 by the heating member 120 must be set to a temperature for inducing the cobalt-carbon gas to be actively separated into the cobalt composite and the carbon composite.

여기서 상기 발열부재(120)는 코발트 증착부재(130)를 따라 라인 형상으로 설치된 라인형 히터(121)와, 상기 라인형 히터(121) 외주면을 따라 날개 형상으로 설치된 면상의 가열접촉핀(122)으로 구성된다. 상기 가열접촉핀(122)은 라인형 히터(121)만으로는 부족한 표면적을 넓혀주는 역할을 한다. 이처럼 가열접촉핀(122)에 의해 표면적을 충분한 수준으로 넓혀주면 하우징(110)의 챔버 내부와 인근에 설치된 코발트 증착부재(130)를 보다 신속히 가열하는 것이 가능해진다. 나아가 상기 가열접촉핀(122)은 코발트복합체와 표면접촉하여 코발트복합체를 증착하는 기능도 함께 수행하게 된다. 상기 가열접촉핀(122)은 단순히 다수의 디스크가 라인형 히터(121)를 따라 연속하여 배치된 형태가 아니라, 도 8 및 도 9에 도시된 것처럼 라인형 히터(121) 외주면을 따라 나선형의 형태로 연속하여 휘감긴 형태(마치 회오리 감자칩과 같은)로 설치되었음에 주목할 수 있다. 이같이 가열접촉핀(122)이 나선형의 형태로 연속하여 휘감겨 설치되면 가열접촉핀(122)이 수직면이 아닌 비스듬히 경사진 면으로 형성된 상태에 있기 때문에 주로 상측에서 하측으로 이동하는 코발트복합체와 더욱 강렬한 접촉이 이루어지기 때문에 증착효율도 높아진다. 상기 발열부재(120)의 라인형 히터(121)에 전원을 인가하기 위해 전원박스(115)가 하우징(110)의 상부 커버(112)에 설치되며, 상기 전원박스(115)는 전원 인가를 위해 전원플러그를 꽂기 위한 전원단자(115a)를 구비하고 있다. Here, the heating member 120 includes a line heater 121 installed in a line shape along the cobalt deposition member 130, and a surface heating contact pin 122 installed in a wing shape along the outer peripheral surface of the line heater 121 Consists of The heating contact pin 122 serves to increase a surface area that is insufficient only by the line heater 121. If the surface area is increased to a sufficient level by the heating contact pin 122 as described above, it becomes possible to more quickly heat the cobalt deposition member 130 installed in and near the chamber of the housing 110. Furthermore, the heating contact pin 122 also performs a function of depositing the cobalt composite by making surface contact with the cobalt composite. The heating contact pin 122 is not simply a form in which a plurality of disks are continuously arranged along the line heater 121, but a spiral shape along the outer peripheral surface of the line heater 121 as shown in FIGS. 8 and 9 It can be noted that it was installed in a continuous winding shape (like tornado potato chips). In this way, when the heating contact pin 122 is continuously wound in a spiral shape, since the heating contact pin 122 is formed in an obliquely inclined surface rather than a vertical surface, the cobalt composite that moves from the top to the bottom is more intense. Since the contact is made, the deposition efficiency is also increased. A power box 115 is installed on the upper cover 112 of the housing 110 to apply power to the line heater 121 of the heating member 120, and the power box 115 is It has a power terminal 115a for plugging in the power plug.

상기 코발트 증착부재(130)는 하우징(110)의 챔버를 가로질러 설치되며 상기 발열부재(120)에 의해 가열된 상태에서 코발트복합체와 표면접촉하면서 코발트복합체를 산화시켜 증착하는 역할을 한다. 이를 위해 상기 코발트 증착부재(130)는 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)로 구비된다. 여기서 상기 코발트 증착부재(130)는 도 8 및 도 9에 도시된 것처럼 복수개가 인접하여 상하로 이격배치되고 그 이격된 사이에 발열부재(120)가 설치되도록 하여 모듈(M1)로 통합한다. 이로써 코발트 증착부재(130)가 발열부재(120)의 인근에서 직접적으로 가열될 수 있도록 한다. 상기 코발트 증착부재(130)는 코발트복합체를 산화시켜 증착하기 위해 상기 하우징(110)의 챔버 내부의 온도보다 더 높은 온도로 가열되어야 하는데 이처럼 코발트 증착부재(130)가 발열부재(120)를 중심으로 상측과 하측에 인접하여 설치되는 배치방식을 통하여 별도의 온도제어나 추가구성이 불필요해진다. The cobalt deposition member 130 is installed across the chamber of the housing 110 and serves to oxidize and deposit the cobalt composite while making surface contact with the cobalt composite while being heated by the heating member 120. To this end, the cobalt deposition member 130 is provided with a metal lath, which is a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and make surface contact. Here, as shown in FIGS. 8 and 9, the cobalt deposition member 130 is integrated into the module M1 so that a plurality of the cobalt deposition members 130 are disposed adjacent to each other and spaced apart vertically, and the heating member 120 is installed between the spaced apart. Accordingly, the cobalt deposition member 130 can be directly heated in the vicinity of the heating member 120. The cobalt deposition member 130 must be heated to a temperature higher than the temperature inside the chamber of the housing 110 in order to oxidize and deposit the cobalt composite. As such, the cobalt deposition member 130 is centered on the heating member 120. Separate temperature control or additional configuration is unnecessary through the arrangement method installed adjacent to the upper and lower sides.

상기 보조 증착부재(140)는 코발트 증착부재(130)의 하측으로 이격된 지점에서 하우징(110)의 챔버를 가로질러 설치되며 코발트 증착부재(130)에 증착되지 않고 통과한 코발트복합체를 표면접촉하면서 산화시켜 증착하는 역할을 하게 된다. 상기 보조 증착부재(140)는 코발트 증착부재(130)와 마찬가지로 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)가 상하로 이격배치된 형태로 구비된다. 하지만, 보조 증착부재(140)의 경우 도 8 및 도 9에서 볼 수 있는 것처럼 코발트 증착부재(130)의 메탈라스 이격거리보다 좁게 배치된다. 그리고 상기 보조 증착부재(140)는 코발트 증착부재(130)에 비해 좀더 조밀한 메쉬형태로 형성시켜 코발트복합체에 대한 접촉밀도를 코발트 증착부재(130)보다 더욱 높여 차별화하는 것이 바람직하다. 이같이 설치된 보조 증착부재(140)는 코발트 증착부재(130)와 차별화하여 코발트 증착부재(130)보다 낮은 표면온도를 갖도록 가열되었고 코발트복합체와 접촉하며 두 개가 좁은 간격으로 조밀하게 배치되었기 때문에 이같은 차별화 구성을 통해 코발트 증착부재(130)에서 증착되지 않은 코발트복합체를 보다 철저히 증착하는데 유리한 것이다. 상기 코발트 증착부재(130)와 보조 증착부재(140)는 하우징(110)의 챔버에서 교번하여 복수 설치되어 코발트복합체에 대한 포집량을 높일 수 있도록 한다. The auxiliary evaporation member 140 is installed across the chamber of the housing 110 at a point spaced from the lower side of the cobalt evaporation member 130 and makes surface contact with the cobalt composite that has passed through without being deposited on the cobalt evaporation member 130. It plays a role of oxidizing and depositing. The auxiliary evaporation member 140, like the cobalt evaporation member 130, is a metal lath, a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and are in contact with the surface. It is equipped with. However, the auxiliary deposition member 140 is disposed to be narrower than the metal lath separation distance of the cobalt deposition member 130 as shown in FIGS. 8 and 9. In addition, it is preferable that the auxiliary deposition member 140 is formed in a more dense mesh shape than the cobalt deposition member 130 to increase the contact density with respect to the cobalt composite material more than the cobalt deposition member 130 to differentiate it. The auxiliary evaporation member 140 installed in this way differentiates from the cobalt evaporation member 130 and is heated to have a lower surface temperature than the cobalt evaporation member 130, contacts the cobalt composite, and the two are densely arranged at narrow intervals. Through the cobalt deposition member 130, it is advantageous to more thoroughly deposit the cobalt composite that is not deposited. The cobalt deposition member 130 and the auxiliary deposition member 140 are alternately installed in the chamber of the housing 110 to increase the collection amount of the cobalt composite.

상기 냉각부재(114a,114b)는 상기 하우징(110)의 벽체(111)를 냉각하면서 상기 하우징(110)의 내표면 온도를 일정 미만의 온도로 낮추어 상기 하우징(110)의 내표면에 접촉하는 탄소복합체의 고형화 및 증착을 유도한다. 상기 냉각부재(114a,114b)는 도 2와 도 10에 도시된 것처럼 하우징(110) 벽체(111)의 이격공간(111a)으로 냉각수를 유통시켜주는 냉각수 주입관(114a)과 냉각수 배출관(114b)으로 구비된다. 여기서 상기 냉각수 주입관(114a)은 냉각수를 저장하고 있는 냉각수 탱크와 연결되어 냉각수 탱크로부터 공급되는 신선한 냉각수를 하우징(110) 벽체(111)의 이격공간(111a)과 상부 커버(112)의 냉각수 유통홀(112a)로 분기시켜 주입하게 된다. 상기 냉각수 주입관(114a)은 냉각수 탱크가 아닌 상수도와 직접 연결되어 냉각수를 공급받을 수도 있음은 물론이다. 이처럼 본 발명의 실시예에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치는 하우징(110) 벽체(111) 및 상부 커버(112)에 이격공간(111a)과 냉각수 유통홀(112a)을 갖도록 하고 냉각수를 주입하고 배출하기 위한 냉각수 주입관(114a) 및 냉각수 배출관(114b)을 구비한 간단한 구성만으로 하우징(110)의 내표면 거의 전체에 걸쳐 탄소복합체를 급랭시켜 증착시킬 수 있는 충분한 면적과 온도조건을 조성할 수 있도록 하였다는 점에 주목할 수 있다. 여기서 하우징(110)의 내표면에 탄소복합체를 증착하기 위한 동일한 조건을 조성하기 위하여 하우징(110) 벽체(111)에 펠티어소자를 연속적으로 설치하는 구성도 생각할 수 있었으나 펠티어소자를 사용하는 경우 저렴한 설치 및 유지비용만으로도 하우징(110) 벽체(111)를 냉각하여 벽체(111) 전체에 균일한 온도를 조성하는 것이 쉽지 않다는 단점이 있었다. The cooling members 114a and 114b cool the wall 111 of the housing 110 while lowering the inner surface temperature of the housing 110 to a temperature less than a certain amount of carbon contacting the inner surface of the housing 110. Induces solidification and deposition of the composite. The cooling members 114a and 114b are a cooling water injection pipe 114a and a cooling water discharge pipe 114b for distributing cooling water to the spaced space 111a of the housing 110 and the wall 111 as shown in FIGS. 2 and 10 It is equipped with. Here, the cooling water injection pipe 114a is connected to the cooling water tank storing the cooling water to supply fresh cooling water supplied from the cooling water tank to the space 111a of the housing 110 and the wall 111 and the cooling water distribution of the upper cover 112 It is injected by branching into the hole 112a. It goes without saying that the cooling water injection pipe 114a may be directly connected to a water supply other than a cooling water tank to receive cooling water. As described above, the cobalt-carbon gas collection device according to the embodiment of the present invention has a space 111a and a cooling water circulation hole 112a in the housing 110, the wall 111 and the upper cover 112, and injects and discharges cooling water. With only a simple configuration provided with a cooling water injection pipe 114a and a cooling water discharge pipe 114b for rapid cooling and deposition of the carbon composite over almost the entire inner surface of the housing 110, it is possible to create a sufficient area and temperature conditions for deposition. It can be noted that it did. Here, in order to create the same conditions for depositing the carbon composite on the inner surface of the housing 110, a configuration in which Peltier elements are continuously installed on the walls 111 of the housing 110 could be considered. And there is a disadvantage in that it is not easy to create a uniform temperature over the entire wall 111 by cooling the housing 110 and the wall 111 with only maintenance cost.

이처럼 본 발명에 의한 코발트-탄소 가스 포집장치를 이용하여 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리한 후 이들 분리된 코발트복합체와 탄소복합체를 별도 구분하여 증착함으로써 보다 효과적인 포집이 가능하다. 본 출원인의 자체 비교실험에 의하면 기존 포집장치에 의해 코발트-탄소 가스를 그대로 증착하는 경우와 비교하여 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리한 후 이들 분리된 코발트복합체와 탄소복합체를 별도 구분하여 증착하는 방법으로 2배 이상의 포집이 가능하다는 고무적인 결과를 얻을 수 있었다. As described above, more effective collection is possible by separating the cobalt-carbon gas into a cobalt composite and a carbon composite using the cobalt-carbon gas collecting device according to the present invention, and then depositing the separated cobalt composite and the carbon composite separately. According to the applicant's own comparative experiment, after separating the cobalt-carbon gas into cobalt complex and carbon complex compared to the case where cobalt-carbon gas is deposited as it is by the existing collection device, the separated cobalt complex and carbon complex are separated. Thus, it was possible to obtain encouraging results that more than twice the collection was possible by the deposition method.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다. Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention can use various changes, modifications, and equivalents. It is clear that the present invention can be applied in the same manner by appropriately modifying the above embodiments. Therefore, the above description does not limit the scope of the present invention determined by the limits of the following claims.

110 : 하우징 111 : 이격공간
112 : 상부 커버 112a : 냉각수 유통홀
114a : 냉각수 주입관 114b : 냉각수 배출관
120 : 발열부재 130 : 코발트 증착부재
140 : 보조 증착부재 150 : 금속 타공판110: housing 111: separation space
112: upper cover 112a: cooling water circulation hole
114a: cooling water injection pipe 114b: cooling water discharge pipe
120: heating member 130: cobalt deposition member
140: auxiliary evaporation member 150: metal perforated plate

Claims (15)

반도체 제품을 포함하는 제품군 중 어느 하나의 물품을 제조할 때 진행되는 메탈공정에서 발생한 코발트-탄소 가스를 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집장치로서,
내부에 형성된 챔버를 구비하고 상기 챔버와 통하는 유입구 및 유출구를 구비한 하우징;
상기 하우징에 설치되며 상기 하우징의 챔버로 유입된 코발트-탄소 가스가 유입 직후 온도보다 더 높은 온도로 가열되도록 상기 하우징의 챔버 내부 온도를 높여주어 코발트-탄소 가스가 코발트복합체와 탄소복합체로 분리되도록 유도하는 발열부재;
상기 하우징의 챔버를 가로질러 설치되며 상기 발열부재에 의해 가열된 상태에서 코발트복합체와 표면접촉하면서 코발트복합체를 산화시켜 증착하는 코발트 증착부재;
상기 하우징의 벽체를 냉각함으로써 상기 하우징의 내표면에 접촉하는 탄소복합체가 급랭하면서 고형화 및 증착되도록 유도하는 냉각부재;를 포함하여,
상기 발열부재에 의해 상기 하우징의 챔버 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하고, 분리된 코발트복합체와 탄소복합체에 대해서는 가열된 상기 코발트 증착부재와 냉각된 상기 하우징의 내표면에 구분하여 증착되도록 유도하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.This is a cobalt-carbon gas collection device capable of collecting cobalt-carbon gas generated in the metal process that proceeds when manufacturing any one of the product lines including semiconductor products,
A housing having a chamber formed therein and having an inlet port and an outlet port communicating with the chamber;
It is installed in the housing, and the internal temperature of the chamber of the housing is increased so that the cobalt-carbon gas introduced into the chamber of the housing is heated to a temperature higher than the temperature immediately after the inflow, thereby inducing the cobalt-carbon gas to be separated into the cobalt complex and the carbon complex. A heating member;
A cobalt deposition member installed across the chamber of the housing and in a heated state by the heat generating member to oxidize and deposit the cobalt composite while making surface contact with the cobalt composite;
Including; a cooling member for inducing the solidification and deposition while cooling the carbon composite material in contact with the inner surface of the housing by cooling the wall of the housing,
The heating member heats the inside of the chamber of the housing to separate the cobalt-carbon gas introduced into the chamber into a cobalt composite and a carbon composite, and for the separated cobalt composite and carbon composite, the heated cobalt deposition member and the cooled Cobalt-carbon gas trapping device, characterized in that inducing to be deposited separately on the inner surface of the housing. 제1항에 있어서,
상기 발열부재는 코발트복합체를 탄소복합체가 감싸고 있는 구조로 이루어진 코발트-탄소 가스 입자에 대하여 코발트복합체가 가열 팽창되는 온도로 가열함으로써 코발트복합체로부터 탄소복합체가 분리되도록 유도하고,
상기 코발트 증착부재는 코발트복합체를 산화시켜 증착하기 위해 상기 하우징의 챔버 내부의 온도보다 더 높은 온도로 가열되며,
상기 하우징의 내표면은 탄소복합체의 고형화 및 증착을 유도하기 위해 상기 하우징의 챔버에 유입된 직후의 코발트-탄소 가스 온도보다 급격히 낮아진 온도로 냉각되는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 1,
The heating member induces separation of the carbon composite from the cobalt composite by heating the cobalt composite to a temperature at which the cobalt composite heats and expands with respect to the cobalt-carbon gas particles having a structure surrounding the carbon composite,
The cobalt deposition member is heated to a temperature higher than the temperature inside the chamber of the housing in order to oxidize and deposit the cobalt composite,
The inner surface of the housing is cooled to a temperature sharply lower than the temperature of the cobalt-carbon gas immediately after entering the chamber of the housing in order to induce solidification and deposition of the carbon composite material. 제1항에 있어서,
코발트 증착부재는 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)로 구비된 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 1,
The cobalt deposition member is a cobalt-carbon gas collecting device, characterized in that it is provided with a metal lath, which is a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and make surface contact. 제3항에 있어서,
상기 코발트 증착부재는 복수개가 인접하여 상하로 이격배치되고 그 이격된 사이에 상기 발열부재가 설치되어 상기 코발트 증착부재가 상기 발열부재의 인근에서 가열될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 3,
Cobalt-carbon gas collection, characterized in that a plurality of the cobalt deposition members are disposed adjacent to each other, and the heating member is installed between the spaced apart so that the cobalt deposition member can be heated in the vicinity of the heating member. Device. 제4항에 있어서,
상기 발열부재는, 상기 코발트 증착부재를 따라 라인 형상으로 설치된 라인형 히터와, 상기 라인형 히터 외주면을 따라 날개 형상으로 설치되어 코발트복합체에 대한 가열 접촉면적을 넓혀주는 가열접촉핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 4,
The heating member comprises a line heater installed in a line shape along the cobalt deposition member, and a heating contact pin installed in a wing shape along the outer circumferential surface of the line heater to increase a heating contact area for the cobalt composite. Cobalt-carbon gas collection device. 제5항에 있어서,
상기 가열접촉핀은 상기 라인형 히터 외주면을 따라 나선형의 형태로 연속하여 휘감겨 설치된 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 5,
The heating contact pin is a cobalt-carbon gas collecting device, characterized in that it is continuously wound and installed in a spiral shape along the outer peripheral surface of the line-type heater. 제4항에 있어서,
상기 코발트 증착부재의 하측으로 이격된 지점에는 상기 하우징의 챔버를 가로질러 설치되며, 상기 코발트 증착부재에 증착되지 않고 통과한 코발트복합체를 표면접촉하면서 산화시켜 증착하는 보조 증착부재를 더 포함하며,
상기 보조 증착부재는 코발트복합체와 탄소복합체가 상측에서 하측으로 통과하면서 표면접촉되도록 메쉬 형상을 갖는 플레이트인 메탈라스(metal lath)로 구비되며, 복수개가 인접하여 상하로 이격배치되되 상기 코발트 증착부재의 간격보다 좁은 간격으로 조밀하게 배치되며 상기 코발트 증착부재의 표면온도보다 낮은 표면온도로 가열된 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 4,
The cobalt evaporation member further comprises an auxiliary evaporation member installed across the chamber of the housing at a point spaced apart from the cobalt evaporation member, and oxidizing and depositing the cobalt composite that has passed through without being deposited on the cobalt evaporation member while in contact with the surface,
The auxiliary deposition member is provided with a metal lath, which is a plate having a mesh shape so that the cobalt composite and the carbon composite pass from the top to the bottom and make surface contact, and a plurality of the cobalt deposition members are disposed adjacent to each other and spaced vertically. A cobalt-carbon gas collecting device, characterized in that it is densely arranged at intervals narrower than the interval and heated to a surface temperature lower than the surface temperature of the cobalt deposition member. 제7항에 있어서,
상기 코발트 증착부재와 보조 증착부재는 상기 하우징의 챔버에서 교번하여 복수 설치된 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 7,
The cobalt-carbon gas collection device, wherein a plurality of the cobalt deposition members and the auxiliary deposition members are alternately installed in the chamber of the housing. 제8항에 있어서,
상기 유출구에 설치된 유출관은 상단부가 상기 하우징의 챔버 저면에서 상측으로 돌출되도록 하여 상기 하우징의 챔버에서 증착되지 않은 코발트복합체와 탄소복합체가 유출되지 않도록 억제하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 8,
A cobalt-carbon gas collection device, characterized in that the outlet pipe installed at the outlet prevents the cobalt composite and the carbon composite that are not deposited from the chamber of the housing from leaking out by allowing the upper end of the outlet pipe to protrude upward from the bottom of the chamber of the housing. 제1항에 있어서,
상기 하우징의 벽체는 내부에 이격공간을 갖는 이중벽 구조로 형성되며,
상기 냉각부재는 상기 하우징 벽체의 이격공간으로 냉각수를 유통시켜주는 냉각수 주입관과 냉각수 배출관인 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 1,
The wall of the housing is formed in a double wall structure having a spaced space therein,
The cooling member is a cobalt-carbon gas collecting device, characterized in that the cooling water inlet pipe and the cooling water discharge pipe through which the cooling water flows into the spaced space of the housing wall. 제10항에 있어서,
상기 하우징의 벽체 내부에 형성된 이격공간에는 수직하게 형성된 다수의 제1가이드격판과 제2가이드격판이 하우징의 둘레방향을 따라 교번하여 설치되되, 상기 제1가이드격판은 상측으로 치우쳐서 하측으로 냉각수가 흐르도록 허용하고 제2가이드격판은 하측으로 치우쳐서 상측으로 냉각수가 흐르도록 허용하여 냉각수가 상기 하우징의 벽체 내부 이격공간에서 지그재그를 그리면서 상기 하우징의 둘레방향을 따라 흐르도록 유도하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 10,
In the spaced space formed inside the wall of the housing, a plurality of vertically formed first guide plates and second guide plates are alternately installed along the circumferential direction of the housing, but the first guide plate is skewed upward and cooling water flows downward. And the second guide diaphragm is biased downward to allow the coolant to flow upward, thereby inducing the coolant to flow along the circumferential direction of the housing while drawing a zigzag in the spaced space inside the wall of the housing. Carbon gas collection device. 제10항에 있어서,
상기 하우징의 상면은 개폐 가능하도록 한 상부 커버로 이루어지며, 상기 상부 커버의 내부에는 상기 냉각수 주입관에 의해 냉각수가 주입되어 둘레방향으로 순환한 후 상기 냉각수 배출관을 따라 배출되도록 한 냉각수 유통홀이 형성되어 상기 상부 커버의 하측 표면에 접촉하는 탄소복합체의 증착을 유도하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집장치.The method of claim 10,
The upper surface of the housing is made of an upper cover that can be opened and closed, and a cooling water circulation hole is formed in the upper cover to be discharged along the cooling water discharge pipe after cooling water is injected by the cooling water injection pipe and circulated in the circumferential direction Cobalt-carbon gas trapping device, characterized in that to induce the deposition of the carbon composite in contact with the lower surface of the upper cover. 반도체 제품을 포함하는 제품군 중 어느 하나의 물품을 제조할 때 진행되는 메탈공정에서 발생한 코발트-탄소 가스를 포집할 수 있도록 한 코발트-탄소 가스 포집방법으로서,
밀폐된 챔버의 내부를 가열하여 챔버에 유입된 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 먼저 분리하고,
분리된 코발트복합체와 탄소복합체를 각각 구분하여 증착하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집방법.As a cobalt-carbon gas collection method capable of collecting cobalt-carbon gas generated in a metal process in progress when manufacturing any one of the product lines including semiconductor products,
By heating the inside of the sealed chamber, the cobalt-carbon gas introduced into the chamber is first separated into a cobalt complex and a carbon complex,
The cobalt-carbon gas collection method, characterized in that the separated cobalt composite and carbon composite are separately deposited and deposited. 제13항에 있어서,
상기 챔버에서 코발트-탄소 가스를 코발트복합체와 탄소복합체로 분리하기 위하여 탄소복합체가 감싸고 있는 코발트복합체를 가열 팽창시키는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집방법.The method of claim 13,
In the chamber, in order to separate the cobalt-carbon gas into the cobalt composite and the carbon composite, the cobalt composite enclosed by the carbon composite is heated and expanded. 제13항에 있어서,
분리된 코발트복합체에 대해서는 챔버의 내부 온도보다 높은 온도로 가열된 코발트 증착부재의 표면에 접촉시켜 산화되어 증착되도록 하며,
분리된 탄소복합체에 대해서는 상기 코발트-탄소 가스가 챔버에 유입된 온도보다 낮은 온도로 냉각된 다른 부재의 표면에 접촉시켜 고형화 및 증착되도록 급랭하는 것을 특징으로 하는 코발트-탄소 가스 포집방법.The method of claim 13,
The separated cobalt composite is oxidized and deposited by contacting the surface of the cobalt deposition member heated to a temperature higher than the internal temperature of the chamber,
For the separated carbon composite, the cobalt-carbon gas collection method is quenched so that the cobalt-carbon gas is solidified and deposited by contacting the surface of another member cooled to a temperature lower than the temperature introduced into the chamber.
KR1020190087539A 2019-07-19 2019-07-19 Trapping apparatus for cobalt-carbon gas KR102209662B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190087539A KR102209662B1 (en) 2019-07-19 2019-07-19 Trapping apparatus for cobalt-carbon gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190087539A KR102209662B1 (en) 2019-07-19 2019-07-19 Trapping apparatus for cobalt-carbon gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210010096A KR20210010096A (en) 2021-01-27
KR102209662B1 true KR102209662B1 (en) 2021-02-01

Family

ID=74238389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190087539A KR102209662B1 (en) 2019-07-19 2019-07-19 Trapping apparatus for cobalt-carbon gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102209662B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11462422B2 (en) * 2019-10-30 2022-10-04 Milaebo Co., Ltd. Apparatus having cooling line for collecting by-product in semiconductor manufacturing process

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595010B1 (en) 2006-01-25 2006-06-30 이승룡 Trapping apparatus for semiconductor residual product
KR100676927B1 (en) 2006-05-04 2007-02-02 주식회사 미래보 Apparatus for caching products in semiconductor apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100930320B1 (en) * 2007-11-27 2009-12-08 주식회사 미래보 Residual Chemical and By-product Collector in Semiconductor Process
KR100862684B1 (en) 2008-02-19 2008-10-10 (주)화인 Apparatus for trapping by-product gas in semiconductor producing line
KR101761725B1 (en) * 2015-10-28 2017-08-04 (주)토스엔지니어링 Processing Apparatus for Semiconductor Process's By-producr
KR101806480B1 (en) * 2016-03-28 2018-01-10 주식회사 미래보 By-product collecting device caused during the semiconductor manufacturing process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595010B1 (en) 2006-01-25 2006-06-30 이승룡 Trapping apparatus for semiconductor residual product
KR100676927B1 (en) 2006-05-04 2007-02-02 주식회사 미래보 Apparatus for caching products in semiconductor apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210010096A (en) 2021-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105575855B (en) Substrate processing apparatus
KR101758213B1 (en) Side strage having a gas nozzle plate
JP7220537B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
TW202034429A (en) High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
KR100771285B1 (en) Sulfuric acid recycle apparatus
KR102209662B1 (en) Trapping apparatus for cobalt-carbon gas
KR20180059772A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7128099B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
WO2020123050A1 (en) Heat exchanger with multi stag ed cooling
KR101509858B1 (en) Heat treatment apparatus
JP4667256B2 (en) Substrate processing equipment
KR20060047678A (en) Apparatus of forming a film and system of forming a film using the same
JPH06224144A (en) Processing apparatus
CN101685270A (en) Decompression drying device and method
US11517847B2 (en) Cobalt-carbon gas collection apparatus
TWI777373B (en) Cobalt-carbon gas trapping device and method thereof
US6368371B1 (en) Trap device and trap system
US20220203299A1 (en) Waste Gas Separation and Treatment Apparatus and Control Method Thereof
TWI721595B (en) Apparatus for collecting by-product having cooling line of semiconductor manufacturing process
JP4342427B2 (en) Exhaust gas abatement system for semiconductor manufacturing equipment
KR102622343B1 (en) Apparatus for collecting reaction by-products for semiconductor processes through pyrolysis in the high temperature region and oxidation reaction in the low temperature region
JP4438683B2 (en) Shelf drying apparatus and cleaning method for shelf drying apparatus
CN114797360A (en) Cobalt-carbon gas trapping device
US20240222153A1 (en) Substrate processing apparatus and method of controlling the same
CN219099304U (en) Cleaning device for semiconductor equipment parts

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant