KR100676927B1 - Apparatus for caching products in semiconductor apparatus - Google Patents

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KR100676927B1
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조재효
홍정의
김태우
황인문
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주식회사 미래보
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Abstract

An apparatus for collecting by-products of a semiconductor device is provided to more quickly cool the by-products through a double cooling tube, thereby increasing collecting efficiency. An apparatus includes a housing(110) having a gas inlet port(114a) and a gas outlet port(116a), and a trap module(130) installed in the housing. The trap module has first plates(136) for guiding a flow of discharge gas in a curve pattern, and second plates(144) for guiding the flow of the discharge gas in a zigzag pattern. The first plates of the trap module are arranged in a radiation direction. The first trap is bent to guide the flow of the discharge gas in the curve pattern.

Description

반도체 장치의 부산물 포집장치{Apparatus for caching products in semiconductor apparatus}Apparatus for caching products in semiconductor apparatus

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 부산물 포집 장치를 보여주는 외관도이다.1 is an external view showing a by-product collecting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 부산물 포집 장치를 보여주는 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view showing a by-product collecting device.

도 3은 부산물 포집 장치를 보여주는 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view showing the by-product collecting device.

도 4는 부산물 포집 장치를 보여주는 측면도이다. 4 is a side view showing the by-product collecting device.

도 5는 도 4에 표시된 a-a선 단면도이다. 5 is a cross-sectional view taken along the line a-a shown in FIG. 4.

도 6은 트랩 모듈의 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view of the trap module.

도 7은 트랩 모듈의 측면도이다.7 is a side view of the trap module.

도 8은 변형된 제3트랩부를 보여주는 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a modified third trap part.

도 9는 변형된 제3트랩부를 갖는 트랩 모듈을 보여주는 사시도이다.9 is a perspective view illustrating a trap module having a modified third trap part.

도 10은 도 9의 트랩 모듈이 설치된 부산물 포집 장치를 보여주는 부분 단면도이다.FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a by-product collecting device in which the trap module of FIG. 9 is installed.

도 11은 도 10에서 제3트랩부의 제6플레이트들을 보여주는 도면이다.FIG. 11 is a view illustrating sixth plates of the third trap part in FIG. 10.

도 12는 본 발명의 트랩 모듈에 반응부산물이 포집된 상태를 보여주는 사진이다.12 is a photograph showing a state in which reaction by-products are collected in the trap module of the present invention.

도 13은 플레이트가 다단으로 배치된 트랩 모듈에서의 반응부산물 포집 상태 를 보여주는 사진이다. Figure 13 is a photograph showing the reaction by-product collection state in the trap module is arranged in a multi-stage plate.

도 14는 종래 부산물 포집 장치를 설명하기 위한 개념도이다.14 is a conceptual view illustrating a conventional by-product collecting device.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

110 : 하우징110: housing

120 : 가열수단120: heating means

130 : 트랩 모듈130: trap module

170 : 냉각부재170: cooling member

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 소자 제조 공정에서 프로세스 챔버로부터 배기되는 배기가스에 포함된 반응부산물을 효율적으로 포집하기 위한 부산물 포집장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a by-product collecting device for efficiently collecting the reaction by-products contained in the exhaust gas exhausted from the process chamber in the semiconductor device manufacturing process.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다. In general, a semiconductor manufacturing process is mainly composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process), the pre-process is to deposit a thin film on a wafer (wafer) in various process chambers (Chamber), the deposition It is a process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing a process of selectively etching the prepared thin film, and processing a specific pattern, and the post process refers to the chips manufactured in the previous process individually. After separating, refers to the process of assembling the finished product by combining with the lead frame.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다. At this time, the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer is a process gas such as hydrogen and toxic gases such as silane (Silane), arsine (Arsine) and boron chloride and a process gas such as hydrogen It is carried out at a high temperature by using, a large amount of harmful gases such as various ignitable gases, corrosive foreign substances and toxic components are generated in the process chamber during the process.

따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다. 하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다. Therefore, in the semiconductor manufacturing equipment, a scrubber is installed at the rear end of the vacuum pump that makes the process chamber vacuum and purifies the exhaust gas discharged from the process chamber and discharges it to the atmosphere. However, when the exhaust gas discharged from the process chamber contacts the atmosphere or the ambient temperature is low, the exhaust gas becomes solid and becomes powder. The powder adheres to the exhaust line to increase the exhaust pressure and at the same time the vacuum is introduced into the vacuum pump. There has been a problem of causing a failure of the pump and a backflow of the exhaust gas to contaminate the wafer in the process chamber.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 14에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30) 사이에 상기 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩 장치를 설치하고 있다. In order to solve the above problems, as shown in FIG. 14, between the process chamber 10 and the vacuum pump 30, a powder trap device for adhering the exhaust gas discharged from the process chamber 10 to a powder state is provided. I install it.

즉, 도 14에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(3)는 펌핑라인(5)으로 연결되고, 상기 펌핑라인(5)에는 상기 프로세스 챔버(1)에서 발생된 반응부산물을 파우더 형태로 트랩하여 적체하기 위한 트랩관(7)이 상기 펌핑라인(5)으로부터 분기되어 설치된다. That is, as shown in FIG. 14, the process chamber 1 and the vacuum pump 3 are connected to the pumping line 5, and the pumping line 5 includes reaction by-products generated in the process chamber 1. A trap tube 7 for trapping and accumulating in powder form is installed branched from the pumping line 5.

이와 같은 종래의 파우더 트랩 장치의 경우 상기 프로세스 챔버(1) 내부에서 박막의 증착이나 식각시 발생된 미반응 가스가 상기 프로세스 챔버(1)에 비해 상대적으로 낮은 온도 분위기를 갖는 펌핑라인(5)쪽으로 유입되면서 분말 상태의 파우더(9)로 고형화된 후, 상기 펌핑라인(5)으로부터 분기되어 설치된 트랩관(7)에 쌓이게 된다. In the conventional powder trap apparatus, the unreacted gas generated during deposition or etching of a thin film in the process chamber 1 is directed toward the pumping line 5 having a relatively lower temperature atmosphere than the process chamber 1. After being solidified into powder 9 in powder form, it is accumulated in the trap tube 7 branched from the pumping line 5.

그러나 상기와 같은 종래 기술의 파우더 트랩 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the powder trap apparatus of the prior art as described above had the following problems.

첫째, 프로세스 챔버 내부에서 발생된 반응부산물이 파우더 상태로 전환되어 트랩관에 적체되기까지의 시간이 오래 걸리므로 그 만큼 전체 공정시간이 길어지는 문제점이 있었다. 즉, 박막을 증착하거나 식각할 때 발생된 반응부산물이 신속하게 파우더로 전환되어 트랩관에 적체됨으로써, 상기 프로세스 챔버 내부에는 반응부산물이 존재하지 않게 될 때 비로소 다음의 박막 증착 또는 식각 공정이 이루어질 수가 있으나, 상기 반응부산물이 파우더로 전환되는데 많은 시간이 소요되므로 상기 프로세스 챔버는 반응부산물이 모두 제거될 때까지 공정을 진행하지 못하고 대기해야 하는 시간이 길어지게 되고, 그로 인해 장비 가동율이 저하되는 것은 물론, 프로세스 챔버의 오랜 대기시간으로 인하여 그 만큼 전체 공정 시간(TAT)이 길어지게 된다. First, since the reaction by-product generated in the process chamber takes a long time to be converted into a powder state and accumulated in the trap tube, the entire process time is long. That is, the reaction by-products generated when depositing or etching the thin film are rapidly converted into powder and accumulated in the trap tube, so that the next thin film deposition or etching process cannot be performed until the reaction by-products are not present in the process chamber. However, since it takes a long time for the reaction by-products to be converted into powder, the process chamber does not proceed with the process until the reaction by-products are removed. Due to the long waiting time of the process chamber, the total process time (TAT) is increased accordingly.

둘째, 파우더가 적체되는 트랩관의 포집 면적(공간)이 매우 협소한 관계로 상기 트랩관에 적체된 파우더를 자주 제거해 주어야 하는 불편함이 있었다. 특히, 파우더는 트랩관의 입구측에만 집중적으로 쌓이기 때문에 트랩관의 크리닝 주기가 짧은 단점이 있다. Second, since the trapping area (space) of the trap tube in which the powder is accumulated is very narrow, there is an inconvenience of frequently removing the powder accumulated in the trap tube. In particular, since powder is concentrated only on the inlet side of the trap tube, the cleaning cycle of the trap tube is short.

본 발명은 반응부산물들을 신속하게 포집할 수 있는 부산물 포집장치를 제공하는데 있다. The present invention is to provide a by-product collecting device that can quickly collect the reaction by-products.

또한, 본 발명은 교체 주기가 긴 부산물 포집장치를 제공하는데 있다. The present invention also provides a by-product collecting device with a long replacement cycle.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 부산물 포집장치는 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징; 및 상기 하우징 내부에 설치되는, 그리고 배기가스의 흐름을 곡선(curve) 또는 경사지게 유도하기 위하여 만곡 또는 경사지게 형상지어진 제1플레이트들을 가지는 트랩모듈을 포함한다.The by-product collecting device according to the present invention for achieving the above object comprises a housing having a gas inlet port and a gas discharge port; And a trap module installed inside the housing and having first or second curved plates that are curved or inclined to direct the flow of exhaust gas.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 트랩모듈은 상기 제1플레이트들이 방사상으로 배치된다.According to an embodiment of the present invention, the trap module has the first plates disposed radially.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 트랩모듈은 상기 하우징 내부에 설치되며, 상기 배기가스의 흐름을 지그재그(zigzag)로 안내하도록 형상지어진 다수의 제2플레이트들 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the trap module is installed inside the housing, and further includes a plurality of second plates configured to guide the flow of the exhaust gas to a zigzag.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 트랩모듈은 상기 제1플레이트들이 설치되는 제1트랩부; 및 일정 간격 이격되게 다단으로 배치되고, 배기가스가 흐르는 통로로 제공되는 다수의 개구들(opening)이 형성된 제2플레이트들이 설치되는 제2트랩부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the trap module includes: a first trap unit in which the first plates are installed; And a second trap part disposed in multiple stages at regular intervals and provided with second plates having a plurality of openings provided in a passage through which the exhaust gas flows.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2트랩부는 상기 제1트랩부에 비해 상기 가스배출포트에 인접한 위치에 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the second trap portion is provided at a position adjacent to the gas discharge port relative to the first trap portion.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트는 외측면이 상기 하우징의 내측면과 접하도록 제공되되; 상기 하우징의 내측면과 상기 제1플레이트의 외측면 사이로 배기가스가 통과할 수 있도록 상기 제1플레이트의 상기 외측면에는 절개부가 형성된다.According to an embodiment of the present invention, the first plate is provided such that an outer side is in contact with an inner side of the housing; A cutout is formed in the outer side of the first plate to allow exhaust gas to pass between the inner side of the housing and the outer side of the first plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트에는 복수의 관통공들이 형성되며, 상기 관통공들의 크기는 상기 가스유입포트로부터 멀어질수록 작아진다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of through holes are formed in the first plate, and the size of the through holes decreases as the distance from the gas inlet port increases.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 트랩모듈은 배기가스가 통과할 수 있는 내부통로를 가지며 외주면에 상기 제1플레이트들 및 상기 제2플레이트들이 고정되는 내부관과; 상기 내부관의 내부통로에 설치되며 상기 내부통로로 통과하는 배기가스의 반응부산물을 포집하는 제3트랩부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the trap module has an inner passage through which exhaust gas can pass, and an inner tube to which the first plates and the second plates are fixed on an outer circumferential surface thereof; A third trap unit is installed in the inner passage of the inner tube and collects the reaction by-products of the exhaust gas passing through the inner passage.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제3트랩부는 상기 내부관의 내부통로 중앙에 수직하게 위치되는 지지대와; 경사지게 제공되도록 상기 지지대에 설치되는 제3플레이트들과; 수평방향으로 제공되도록 상기 지지대에 설치되는 제4플레이트들을 포함한다. According to an embodiment of the invention, the third trap portion and the support is positioned perpendicular to the center of the inner passage of the inner tube; Third plates installed on the support to be inclined; Fourth plates are installed on the support to be provided in the horizontal direction.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포집장치는 상기 트랩모듈로부터 떨어져 나간 파우더 덩어리가 상기 가스배출포트를 통해 빠져나가는 것을 방지하는 차단부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the collecting device further includes a blocking member that prevents the powder mass separated from the trap module from escaping through the gas discharge port.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차단부재는 상기 가스배출포트가 제공된 상기 하우징의 일면으로부터 상기 하우징의 내부를 향하는 방향으로 돌출되게 형성되는 차단턱과, 상기 가스배출포트의 상부에 위치되는 차단판을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the blocking member includes a blocking jaw formed to protrude in a direction toward the inside of the housing from one surface of the housing provided with the gas discharge port, and a blocking plate positioned above the gas discharge port. It includes.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징은 상부와 하부가 개구된 통형상의 몸체와; 상기 몸체의 상부에 결합되고 상기 가스유입포트가 구비된 상판과; 상기 몸체의 하부에 결합되고 상기 가스배출포트가 구비된 하판으로 구성된다.According to an embodiment of the invention, the housing and the tubular body of the upper and lower openings; An upper plate coupled to an upper portion of the body and provided with the gas inlet port; The lower plate is coupled to the lower portion of the body and provided with the gas discharge port.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징을 냉각시키기 위한 제1냉각부; 및 상기 트랩모듈의 상기 내부관을 냉각시키기 위한 제2냉각부를 포함하는 냉각부재를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, a first cooling unit for cooling the housing; And a second cooling part for cooling the inner tube of the trap module.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1냉각부는 상기 하우징의 벽에 제공되는 제1냉각라인들을 포함하고, 상기 제2냉각부는 상기 내부관의 벽에 제공되는 제2냉각라인들을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the first cooling unit includes first cooling lines provided on the wall of the housing, and the second cooling unit includes second cooling lines provided on the wall of the inner tube.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포집장치는 상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스를 가열하기 위한 가열부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the collecting device further includes a heating member for heating the exhaust gas introduced into the housing.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 부산물 포집장치는 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되며 표면에 반응부산물을 포집하는 제1플레이트들이 설치된 제1트랩부와; 상기 하우징 내에 제공되며 표면에 반응부산물을 포집하는 제2플레이트들이 설치된 제2트랩부를 구비하되; 상기 제1플레이트들과 상기 제2플레이트들은 배기가스의 흐름을 서로 상이한 방향으로 안내하도록 형상지어진다.The by-product collecting device according to the present invention for achieving the above object comprises a housing having a gas inlet port and a gas discharge port; A first trap part provided in the housing and provided with first plates for collecting reaction by-products on a surface thereof; A second trap portion provided in the housing and provided with second plates for collecting reaction byproducts on a surface thereof; The first plates and the second plates are shaped to guide the flow of exhaust gas in different directions.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트들 각각은 배기가스의 흐름을 곡선으로 유도하도록 경사지게 형상지어지며, 각각의상기 제2플레이트는 상기 하우징의 길이방향과 수직하게 배치되며, 상기 제2플레이트들은 서로 마주보도록 일정 거리 이격되게 제공되며, 상기 제2플레이트에는 가스의 흐름 방향이 지그재그가 되도록 개구들이 형성된다.According to an embodiment of the present invention, each of the first plates is formed to be inclined to guide the flow of exhaust gas in a curve, each of the second plate is disposed perpendicular to the longitudinal direction of the housing, the second Plates are provided spaced apart from each other to face each other, the opening is formed in the second plate so that the flow direction of the gas is zigzag.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트는 배기가스가 하우징의 길이방향으로 흐를 때 수직방향의 흐름에서 벗어나게 안내하도록 형상 지어진다. According to an embodiment of the invention, the first plate is shaped to guide away from the vertical flow when the exhaust gas flows in the longitudinal direction of the housing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트는 배기가스가 하우징의 길이방향으로 흐를 때 유선형의 흐름으로 안내하도록 형상 지어진다. According to an embodiment of the invention, the first plate is shaped to guide the streamlined flow when the exhaust gas flows in the longitudinal direction of the housing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1플레이트들 각각은 하우징의 길이방향을 기준으로 50-60도 기울기를 갖고 설치된다.According to an embodiment of the present invention, each of the first plates is installed with an inclination of 50 to 60 degrees with respect to the longitudinal direction of the housing.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 파우더 포집 장치를 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating a preferred embodiment of the present invention, the powder collecting device of the present invention will be described in detail. In addition, in the drawings, the same reference numerals are denoted together for components that perform the same function.

본 발명의 포집 장치는 배기가스가 앞부분에서는 단순하고 넓은 이동 경로들을 통과하도록 하고 뒷부분에서는 복잡하고 좁은 이동 경로들을 통과하게 하여 파우더가 앞부분뿐만 아니라 뒷부분에도 균일하게 쌓이도록 하는 구조를 가진다. 또한 본 발명의 포집 장치는 배기가스의 온도를 보다 신속하게 떨어뜨리기 위하여 하우징의 외부와 내부에서 2중으로 냉각할 수 있는 구조를 가진다.  The collecting device of the present invention has a structure in which the exhaust gas passes through simple and wide movement paths in the front part and through complicated and narrow movement paths in the rear part so that the powder is uniformly accumulated not only in the front part but also in the rear part. In addition, the collecting device of the present invention has a structure capable of double cooling in the outside and inside of the housing in order to lower the temperature of the exhaust gas more quickly.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 부산물 포집 장치를 보여주는 외관도이며, 도 2는 부산물 포집 장치를 보여주는 부분 단면도이고, 도 3은 부산물 포집 장치를 보여주는 분해 사시도이고, 도 4는 부산물 포집 장치를 보여주는 측면도이다. 도 5는 도 4에 표시된 a-a선 단면도이다. 1 is an external view showing a by-product collecting device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a partial cross-sectional view showing a by-product collecting device, Figure 3 is an exploded perspective view showing a by-product collecting device, Figure 4 is a by-product collecting device Side view showing. 5 is a cross-sectional view taken along the line a-a shown in FIG. 4.

본 발명의 부산물 포집 장치는 반도체, LCD 제조공정 또는 기타 유사 공정에서 박막의 증착이나 식각시 반응부산물이 발생되는 프로세스 챔버의 배기라인상에 및 펌프 후단에 설치되는 것이다. The by-product collecting device of the present invention is installed on the exhaust line of the process chamber where the reaction by-products are generated during deposition or etching of a thin film in a semiconductor, LCD manufacturing process or other similar processes and at the rear of the pump.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 반도체장비의 부산물 포집장치(100)는 하우징(110), 가열수단(120), 트랩 모듈(130) 및 냉각부재(170)를 포함하여 구성된다. 1 to 5, the by-product collecting device 100 of the semiconductor device according to the present invention includes a housing 110, a heating means 120, a trap module 130, and a cooling member 170. .

하우징(110)은 분리 및 결합이 용이하도록 원통형의 몸체(112)와, 볼트 체결에 의해 몸체(112)의 상부에 결합되는 상판(114) 그리고 볼트 체결에 의해 몸체의 하부에 결합되는 하판(116)으로 구성된다. The housing 110 has a cylindrical body 112 to facilitate separation and coupling, an upper plate 114 coupled to an upper portion of the body 112 by bolting, and a lower plate 116 coupled to a lower portion of the body by bolting. It consists of

몸체는(112) 내측벽(112a)과 외측벽(112b)으로 이루어지는 이중벽 구조로써, 내측벽(112a)과 외측벽(112b) 사이에는 냉매가 순환되는 제1냉각라인(172)이 나선 형태로 설치된다. 몸체(112)의 표면온도와 하우징 내부 온도는 제1냉각라인(172)에 의해 떨어지게 된다. 상판(114)은 공정챔버로부터 배기가스가 유입되는 가스유입포트(114a)를 갖으며, 하판(116)은 배기가스가 배출되는 가스배출포트(116a)를 갖 는다. 가스유입포트(114a)에는 공정챔버와 연결되는 배기라인이 연결되고, 가스배출포트(116a)에는 진공펌프와 연결되는 배기라인이 연결된다. 참고로, 하우징(110)에는 배기가스의 누설을 방지하기 위한 실링수단인 오링(111)등이 설치되는 것이 바람직하다. The body 112 has a double wall structure including an inner wall 112a and an outer wall 112b, and a first cooling line 172 in which a refrigerant is circulated is installed in a spiral form between the inner wall 112a and the outer wall 112b. . The surface temperature of the body 112 and the internal temperature of the housing are dropped by the first cooling line 172. The upper plate 114 has a gas inlet port 114a through which the exhaust gas flows from the process chamber, and the lower plate 116 has a gas discharge port 116a through which the exhaust gas is discharged. An exhaust line connected to the process chamber is connected to the gas inlet port 114a, and an exhaust line connected to the vacuum pump is connected to the gas discharge port 116a. For reference, the housing 110 is preferably provided with an O-ring 111 and the like sealing means for preventing the leakage of the exhaust gas.

상술한 바와 같이, 하우징(110)은 분리 및 결합에 용이한 구조를 가짐으로써, 유지 및 보수에 따른 편이성이 제공된다. 예컨대, 하우징(110)의 유지 및 보수는 하우징(110) 내벽(몸체의 내측벽) 및 트랩 모듈에 증착되는 파우더를 제거하기 위해 실시된다. As described above, the housing 110 has a structure that is easy to detach and combine, thereby providing convenience in maintenance and repair. For example, maintenance and repair of the housing 110 is performed to remove powder deposited on the inner wall of the housing 110 (inner wall of the body) and the trap module.

가열수단(120)은 하우징(110)의 상판(114) 아래에 설치된다. 가열수단(120)은 히터(122)와 히터(122) 상면에 설치되는 다수의 히팅 플레이트(124)들을 포함한다. 히팅 플레이트(124)들은 중앙부로 유입되는 배기가스가 주변 바깥쪽, 즉 하우징(110) 내측벽(112a)쪽을 향하여 확산될 수 있도록 방사상으로 설치된다. 배기가스는 히터(122)의 상면에 방사상으로 설치된 히팅 플레이트(124)들에 의해 하우징(110) 내측벽이 있는 주변부로 균일하게 확산된다. 아울러, 히팅 플레이트(124)들은 배기가스가 히터(122)의 상면 중앙에 도달한 직후 가장자리로 확산되기까지 가열 경로를 제공하게 되며, 이로써 배기가스는 히팅 플레이트(124)들에 의해 충분히 가열되어 화학적 변화에 필요한 에너지를 공급받게 된다. The heating means 120 is installed below the upper plate 114 of the housing 110. The heating unit 120 includes a heater 122 and a plurality of heating plates 124 installed on the heater 122. The heating plates 124 are radially installed so that the exhaust gas flowing into the center portion can diffuse toward the outer side, that is, toward the inner wall 112a of the housing 110. The exhaust gas is uniformly diffused to the periphery of the inner wall of the housing 110 by the heating plates 124 radially installed on the upper surface of the heater 122. In addition, the heating plates 124 provide a heating path until the exhaust gas diffuses to the edge immediately after reaching the center of the upper surface of the heater 122, whereby the exhaust gas is sufficiently heated by the heating plates 124 to be chemically supplied. You get the energy you need to change.

히터(122)는 외부 전원부와 연결되며 그 내부에는 열선이 설치되고, 배기가스에 의한 부식이 일어나지 않도록 세라믹, 인코넬(inconel) 등의 소재로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 히터(122)에는 하우징(110) 외부로부터 열선을 인입하고 인출하기 위한 피복관(127)이 연결 설치된다. The heater 122 is connected to an external power source, and a heating wire is installed therein, and it is preferable that the heater 122 is made of a material such as ceramic, inconel, or the like so that corrosion by the exhaust gas does not occur. In addition, the heater 122 is connected to the covering pipe 127 for drawing in and out the hot wire from the outside of the housing 110.

한편, 가열수단(120)은 가스유입포트(114a)를 통해 하우징(110) 내부로 유입되는 배기가스가 히터(122)의 중앙부분을 향하도록 배기가스의 흐름을 안내하는 원통형 가이드(128)를 갖는다. 원통형 가이드(128)는 히팅 플레이트(124)들의 상부에 설치된다. 본 발명에 따른 상기 히팅 플레이트(124)들은 진공압 하에서 배기가스의 흐름을 최대한 보장받을 수 있도록 약간 변형되어 구성될 수 있다. On the other hand, the heating means 120 has a cylindrical guide 128 for guiding the flow of the exhaust gas so that the exhaust gas flowing into the housing 110 through the gas inlet port 114a toward the central portion of the heater 122 Have The cylindrical guide 128 is installed on top of the heating plates 124. The heating plate 124 according to the present invention may be configured to be slightly modified to ensure the maximum flow of the exhaust gas under vacuum pressure.

도 2, 도 5, 도 6 및 도 7을 참조하면, 트랩 모듈(130)은 파우더를 포집하는데 매우 중요한 구성이다. 트랩 모듈(130)은 제1트랩부(134), 제2트랩부(142), 제3트랩부(150) 그리고 내부관(132)으로 이루어진다. 2, 5, 6 and 7, the trap module 130 is a very important configuration for collecting the powder. The trap module 130 includes a first trap part 134, a second trap part 142, a third trap part 150, and an inner tube 132.

내부관(132)은 하우징(110)의 내부 중앙에 위치된다. 내부관(132)은 복수의 수평 지지핀(133)들에 의해 하우징(110)의 하판으로부터 이격되게 설치된다. 수평 지지핀(133)들은 하우징(110)의 플랜지 링(119)부분에 설치된다. 내부관(132)은 외주면에 제1트랩부(134)와 제2트랩부(142)가 설치되며, 내부 통로에는 제3트랩부(150)가 설치된다. 내부관(132)은 제2냉각라인(174)에 의해 냉각된다. 제2냉각라인(174)은 내부관(132)의 외측벽(132b)와 내측벽(132a) 사이의 공간에 나선형태로 설치된다. The inner tube 132 is located at the inner center of the housing 110. The inner tube 132 is installed to be spaced apart from the lower plate of the housing 110 by a plurality of horizontal support pins 133. The horizontal support pins 133 are installed in the flange ring 119 portion of the housing 110. The inner tube 132 is provided with a first trap portion 134 and a second trap portion 142 on the outer circumferential surface, the third trap portion 150 is installed in the inner passage. The inner tube 132 is cooled by the second cooling line 174. The second cooling line 174 is helically installed in the space between the outer wall 132b and the inner wall 132a of the inner tube 132.

즉, 하우징(110)의 내부공간은 내부관(132)에 의해서 내부관(132) 외측에 해당되는 환형 공간(a1)과, 내부관의 내측(내부통로)에 해당되는 중앙 공간(a2)으로 구획된다. 하우징(110)의 내부공간으로 유입된 배기가스의 일부는 환형공간(a1)으로 흐르고, 나머지 배기가스는 중앙공간(a2)으로 흐르게 된다. 환형공간(a1)에는 제1,2트랩부(134,142)가 위치되며, 중앙공간(a2)에는 제3트랩부(150)가 위치된다. 환형공간(a1)으로 흐르는 배기가스는 바깥쪽의 하우징(110)과 안쪽의 내부관(132)의 온도 영향을 받아 온도가 떨어지게 되고, 중앙공간(내부관의 내부 통로;a2)으로 흐르는 배기가스는 내부관(132)의 온도 영향을 받아 온도가 떨어지게 된다. 이처럼, 본 발명은 하우징(110)의 내부 공간을 통과하는 배기가스의 균일한 냉각이 이루어지기 때문에 반응부산물이 파우더 형태로 변환되어 트랩 모듈(130)에 포집되는 효율이 크게 향상된다. That is, the inner space of the housing 110 is an annular space a1 corresponding to the outer side of the inner tube 132 by the inner tube 132 and a central space a2 corresponding to the inner side (inner passage) of the inner tube. Compartment. A part of the exhaust gas introduced into the inner space of the housing 110 flows into the annular space a1, and the remaining exhaust gas flows into the central space a2. The first and second trap parts 134 and 142 are positioned in the annular space a1, and the third trap part 150 is located in the central space a2. Exhaust gas flowing into the annular space (a1) is affected by the temperature of the outer housing 110 and the inner inner tube 132, the temperature is reduced, the exhaust gas flowing into the central space (inner passage of the inner tube; a2) The temperature is lowered under the influence of the temperature of the inner tube (132). As such, in the present invention, since the uniform cooling of the exhaust gas passing through the internal space of the housing 110 is made, the reaction by-product is converted into a powder form, and the efficiency of collecting the trap module 130 is greatly improved.

이처럼, 본 발명의 파우더 포집 장치(130)는 하우징(110)과 하우징 내부의 내부관(132)으로 이루어지는 2중관 구조일 뿐만 아니라, 하우징(110)과 내부관(132)이 모두 냉각되는 다중 냉각 구조를 갖는데 그 구조적인 특징이 있다. As such, the powder collecting device 130 of the present invention is not only a double tube structure consisting of the housing 110 and the inner tube 132 inside the housing, but also the multiple cooling in which both the housing 110 and the inner tube 132 are cooled. It has a structure and its structural features.

제1트랩부(134)는 내부관(132)의 외주면에 방사상(60도 간격)으로 경사지게 설치되는 6개의 제1플레이트(136)들을 갖는다. 제1플레이트(136)들은 배기가스의 흐름을 곡선(curve)으로 유도하기 위하여 만곡지게 형상 되어지되, 제1플레이트(136)들 사이는 배기가스의 원활한 흐름을 위해 충분한 거리를 두고 위치된다. 즉, 제1플레이트들은 만곡진 형상으로 내부관의 외주면에 경사지게 설치된다. 이때, 제1플레이트(136)는 소정각도(50-60도)의 기울기를 갖고 설치될 수 있다. 예컨대, 제1플레이트(136)의 기울기가 크면(많이 눕혀지면) 파우더가 제1플레이트(136)들에만 집중적으로 쌓이게 되고, 반대로 제1플레이트(136)의 기울기자 작으면(많이 세워지면) 파우더가 제1플레이트에는 쌓이지 않고 제2플레이트에만 쌓이게 된다. 한편, 제1플레이트(136)들은 복수의 관통공(136a)들이 형성된다. 관통 공(136a)들은 가스유입포트(114a)로부터 멀어질수록 크기가 작아지는 것이 바람직하다. 제1플레이트(136)는 외측면(137)이 하우징의 내측면(몸체의 내측벽)(112a)과 접하게 되어 하우징(110)과의 열교환이 용이하게 이루어진다. 즉, 제1플레이트(136)들은 하우징(110)과 내부관(132)에 의해 냉각된다. 제1플레이트(136)들은 외측면(137)에 일부분이 잘려진 절개부(136b)를 갖는다. 예컨대, 제1플레이트(136)는 평평한 판 형상을 가지고 소정각도 기울어지게 내부관의 외주면에 설치될 수 있다. The first trap part 134 has six first plates 136 installed on the outer circumferential surface of the inner tube 132 so as to be inclined radially (60 degree intervals). The first plates 136 are curved to direct the flow of the exhaust gas into a curve, and the first plates 136 are positioned at a sufficient distance for the smooth flow of the exhaust gas. That is, the first plates are inclined on the outer circumferential surface of the inner tube in a curved shape. At this time, the first plate 136 may be installed with an inclination of a predetermined angle (50-60 degrees). For example, when the inclination of the first plate 136 is large (if it is laid down a lot), the powder concentrates only on the first plates 136, and conversely, when the inclination of the first plate 136 is small (a lot of standing), the powder is concentrated. Is not stacked on the first plate is stacked only on the second plate. Meanwhile, the first plates 136 are formed with a plurality of through holes 136a. The through holes 136a are preferably smaller in size as they move away from the gas inlet port 114a. The first plate 136 has an outer surface 137 in contact with the inner surface (inner wall of the body) 112a of the housing to facilitate heat exchange with the housing 110. That is, the first plates 136 are cooled by the housing 110 and the inner tube 132. The first plates 136 have cutouts 136b, which are partially cut off on the outer surface 137. For example, the first plate 136 may have a flat plate shape and may be installed on an outer circumferential surface of the inner tube to be inclined at a predetermined angle.

상술한 제1트랩부(134)에서의 배기가스 흐름은 다음과 같다. 배기가스는 제1플레이트(136)들 사이의 곡선 통로들을 따라 선회하면서 이동되고, 배기가스의 일부는 제1플레이트(136)의 관통공(136a)들 및 절개부(136b)를 통해 수직 하방향으로 이동된다. 이렇게 제1트랩부(134)는 배기가스의 원활한 흐름을 위해 경사진 메인 경로 이외에 다수의 수직한 보조 경로들을 제공한다. The exhaust gas flow in the first trap part 134 described above is as follows. The exhaust gas is moved while turning along the curved passages between the first plates 136, and a part of the exhaust gas is vertically downward through the through holes 136a and the cutout 136b of the first plate 136. Is moved to. Thus, the first trap part 134 provides a plurality of vertical auxiliary paths in addition to the inclined main path for the smooth flow of exhaust gas.

제2트랩부(142)는 제1트랩부(134)의 하단에 위치된다. 제2트랩부(142)는 내부관(132)의 외주면에 배기가스가 지그재그(zigzag)로 지나갈 수 있는 수평 및 수직 통로들을 제공하는 3단의 제2플레이트(144)들을 갖는다. 수평통로는 제2플레이트(144)들 사이에 제공되고, 수직통로는 제2플레이트(144)들에 형성된 다수의 개구(opening;144a)에 의해 제공된다. 제2플레이트(144)들의 개구(144a)들은 서로 다른 위치에 형성된다. 제1트랩부(134)와 인접한 최상단의 제2플레이트(144)는 제1트랩부(132)의 제1플레이트(136)들 사이를 통과한 배기가스가 제2트랩부(142)로 용이하게 유입되도록 상방으로 경사진 경사부분(144b)들을 갖는다. 만약, 경사부 분(144b)이 없다면 제1트랩부(134)와 제2트랩부(142) 사이 공간에서 와류가 발생되고, 이러한 와류는 파우더의 원활한 흐름을 방해하여 제2트랩부(142) 상단에만 파우더가 집중적으로 쌓이는 원인이 된다.The second trap part 142 is located at the lower end of the first trap part 134. The second trap portion 142 has three stages of second plates 144 on the outer circumferential surface of the inner tube 132 to provide horizontal and vertical passages through which exhaust gas can pass in a zigzag. The horizontal passage is provided between the second plates 144, and the vertical passage is provided by a plurality of openings 144a formed in the second plates 144. The openings 144a of the second plates 144 are formed at different positions. The second plate 144 at the uppermost end adjacent to the first trap part 134 has an easy exhaust gas passing between the first plates 136 of the first trap part 132 to the second trap part 142. The inclined portions 144b are inclined upwardly to be introduced therethrough. If there is no inclined portion 144b, vortices are generated in the space between the first trap portion 134 and the second trap portion 142, and these vortices prevent the smooth flow of powder and thus the second trap portion 142. This only causes powder to accumulate at the top.

도면에서 보여주는 바와 같이, 제1트랩부(134)의 길이는 제2트랩부(142)의 길이보다 길게 형성된다. 예컨대, 제1트랩부(134)와 제2트랩부(142)의 길이 비율은 7:3이 바람직하다. 예컨대, 제1트랩부와 제2트랩부의 길이 비율이 5:5로 조절할 경우, 반응부산물이 제1트랩부에 집중적으로 쌓이는 현상이 발생된다. 이러한 현상은 제1트랩부에서의 반응부산물 정체가 하나의 원인이 될 수 있으며, 반응부산물의 정체는 제1트랩부의 제1플레이트들의 경사각도 및 제2트랩부의 긴 이동 경로로 인해 야기될 수 있다. As shown in the figure, the length of the first trap portion 134 is formed longer than the length of the second trap portion 142. For example, the length ratio of the first trap part 134 and the second trap part 142 is preferably 7: 3. For example, when the length ratio of the first trap part and the second trap part is adjusted to 5: 5, a phenomenon in which reaction by-products are concentrated on the first trap part occurs. This phenomenon may be caused by the stagnation of the reaction byproduct in the first trap part, and the stagnation of the reaction byproduct may be caused by the inclination angle of the first plates of the first trap part and the long moving path of the second trap part. .

제3트랩부(150)는 내부관(132)의 내부통로(a2)에 설치된다. 제3트랩부(150)는 내부관(132)의 내부통로(a2)로 통과하는 배기가스의 반응부산물을 포집하기 위한 것이다. 제3트랩부(150)는 내부관(132)의 내부통로(a2) 중앙에 수직하게 위치되는 지지대(152)와, 지지대(152)에 경사지게 설치되는 4개의 제3플레이트(154)들 그리고 지지대(152)에 수평하게 설치되는 제4플레이트(156)들을 갖는다. 지지대(152)의 상부는 내부관(132)에 3개의 볼트에 의해 체결된다. 제4플레이트(154)들은 지지대(152)에 6단으로 설치되며, 최하단에 설치되는 제4플레이트(154)는 파우더 덩어리가 가스배출포트(116a)로 빠지지 않도록 원판으로 이루어지며, 외측면은 굴곡지게 형상지어서 배기가스의 배출이 용이하도록 하였다. The third trap part 150 is installed in the inner passage a2 of the inner tube 132. The third trap part 150 is for collecting the reaction by-products of the exhaust gas passing through the inner passage a2 of the inner tube 132. The third trap part 150 includes a support 152 positioned perpendicular to the center of the inner passage a2 of the inner tube 132, four third plates 154 installed to be inclined to the support 152, and a support. And fourth plates 156 installed horizontally at 152. The upper portion of the support 152 is fastened to the inner tube 132 by three bolts. The fourth plates 154 are installed in six stages on the support 152, the fourth plate 154 is installed at the bottom end is made of a disc so that the powder mass does not fall into the gas discharge port 116a, the outer surface is curved It was shaped like a fork so that the exhaust gas was easily discharged.

도 8 내지 도 11은 제3트랩부의 다양한 변형예를 보여주는 도면들이다.8 to 11 illustrate various modifications of the third trap part.

도 8에는 지지대(152)와, 지지대(152)에 다단으로 설치되는 제4플레이트(158)들로 구성되는 제3트랩부(150a)가 도시되어 있다. 그리고, 도 9 내지 도 11에는 관통공(159a)들이 형성된 6개의 제5플레이트(159)와 수평한 제6플레이트(160)로 구성된 제3트랩부(150a)가 도시되어 있다. 제5플레이트(159)는 내부관(132)의 내부통로(a2)에 경사지게 위치되며, 외측면이 내부관(132)의 내측벽(132a)과 접하도록 설치된다. 그리고 제6플레이트(160)들은 하판(116)의 상면으로부터 3개의 지지대(161)에 의해 지지된 상태로 다단으로 설치된다. 8 illustrates a third trap part 150a including a support 152 and fourth plates 158 installed in multiple stages on the support 152. 9 to 11 illustrate a third trap part 150a including six fifth plates 159 having through holes 159a formed therein and a horizontal sixth plate 160. The fifth plate 159 is disposed to be inclined in the inner passage a2 of the inner tube 132, and is installed such that the outer surface thereof contacts the inner wall 132a of the inner tube 132. The sixth plates 160 are installed in multiple stages while being supported by three support members 161 from the upper surface of the lower plate 116.

한편, 본 발명의 포집장치는 차단부재를 갖는다. 차단부재는 트랩모듈(130)로부터 떨어져 나간 파우더 덩어리가 가스배출포트(116a)를 통해 빠져나가지 않도록 차단하는 것이다. 차단부재는 하판(116)의 내면으로부터 상방향으로 돌출되어 형성되는 차단턱(162)으로 이루어진다. 이 차단턱(162)은 측방향으로부터 유입되는 파우더 덩어리를 차단하기 위함이다. 예컨대, 차단부재는 제3트랩부(130)에 설치될 수 있으며, 도 6에 도시된 제3트랩부(150)에서 최하단에 위치하는 제4플레이트(154)와, 도 10에 도시된 제3트랩부(150b)에서 최하단에 위치하는 제6플레이트(160)가 차단판 기능을 수행한다. On the other hand, the collecting device of the present invention has a blocking member. The blocking member blocks the powder mass separated from the trap module 130 so as not to escape through the gas discharge port 116a. The blocking member is formed of a blocking jaw 162 protruding upward from the inner surface of the lower plate 116. The blocking jaw 162 is for blocking the powder mass flowing from the side direction. For example, the blocking member may be installed in the third trap unit 130, the fourth plate 154 positioned at the lowermost end of the third trap unit 150 shown in FIG. 6, and the third plate illustrated in FIG. 10. The sixth plate 160 positioned at the bottom of the trap unit 150b performs a blocking plate function.

트랩모듈(130)에서 플레이트들의 설치 개수는 제한이 없으나, 너무 많은 경우 배기가스의 원활한 흐름을 방해하고, 플레이트들 간의 간격이 너무 좁아지게 되면 파우더 증착되었을 때 통로가 빨리 막히게 되는 결과를 초래할 수 있다. 따라서, 플레이트들의 설치 개수는 설치환경, 하우징의 내압, 이루어지고 있는 공정 등 다양한 요인들을 종합적으로 고려하여 적절하게 선택할 수 있다. Although the number of installation of the plates in the trap module 130 is not limited, too many blocks the smooth flow of exhaust gas, and if the spacing between the plates becomes too narrow, the passage may be quickly blocked when powder is deposited. . Therefore, the number of installation of the plates can be appropriately selected in consideration of various factors such as the installation environment, the internal pressure of the housing, the process being performed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 부산물 포집 장치는 배기가스가 앞에서는 단순하고 넓은 이동 경로들을 통과하도록 하고 뒷부분에서는 복잡한 좁은 이동 경로들을 통과하게 하여 파우더가 앞부분뿐만 아니라 뒷부분에도 균일하게 증착되도록 하는데 있다. 다시 말해서, 하우징(110)의 내부로 유입되는 배기가스의 반응부산물들은 하우징(110) 내부의 낮은 온도 분위기에 의해 파우더 형태로 변화된다. 이때 배기가스는 제1트랩부(134)의 경사진 그리고 넓은 이동 경로들을 통과하면서, 배기가스의 파우더 일부가 제1트랩부(134)의 제1플레이트(136)들 및 내부관(132)의 외주면에 쌓이게 된다. 그리고 제1트랩부(134)를 통과한 나머지 파우더는 제2트랩부(142)의 제2플레이트(144)들에 의해 제공되는 좁고 복잡한 통로를 통과하면서 제2플레이트(144)들의 표면과 내부관(132)의 외주면에 쌓이게 된다. As described above, the by-product collecting device of the present invention allows the exhaust gas to pass through simple and wide movement paths in the front and through complicated narrow movement paths in the rear part so that the powder is uniformly deposited not only in the front part but also in the rear part. In other words, the reaction by-products of the exhaust gas flowing into the housing 110 are changed into powder by the low temperature atmosphere inside the housing 110. At this time, the exhaust gas passes through the inclined and wide movement paths of the first trap part 134, and a part of powder of the exhaust gas is formed on the first plates 136 and the inner tube 132 of the first trap part 134. It is accumulated on the outer circumference. The remaining powder passing through the first trap part 134 passes through a narrow and complicated passage provided by the second plates 144 of the second trap part 142 and the surface and the inner tube of the second plates 144. On the outer circumferential surface of 132.

냉각부재(170)는 하우징(110) 내부로 유입되는 배기가스에 포함된 반응부산물을 트랩핑(trapping)하기 위해 하우징(110) 내부를 저온의 분위기로 만들기 위한 것이다. 도면에 도시된 바와 같이, 냉각부재(170)는 하우징(110)의 몸체(112)를 냉각시키기 위한 제1냉각라인(172)과, 트랩모듈(130)의 내부관(132)을 냉각시키기 위한 제2냉각라인(174) 그리고 제1,2냉각라인(172,174)으로 냉매를 공급하기 위한 공급관(176), 냉각라인을 통과한 냉매가 배출되는 배출관(177)을 포함한다.The cooling member 170 is for making the inside of the housing 110 into a low temperature atmosphere to trap the reaction by-products included in the exhaust gas flowing into the housing 110. As shown in the figure, the cooling member 170 is for cooling the first cooling line 172 for cooling the body 112 of the housing 110 and the inner tube 132 of the trap module 130. And a supply pipe 176 for supplying refrigerant to the second cooling line 174 and the first and second cooling lines 172 and 174, and a discharge pipe 177 through which the refrigerant passing through the cooling line is discharged.

여기서, 제1냉각라인(172)과 제2냉각라인(174)은 하우징(110)과 내부관(132)의 표면을 냉각시키는 것은 물론이고, 하우징(110)의 내부 온도 및 트랩 모듈(130)의 플레이트들의 온도를 떨어뜨리게 된다. 제1,2냉각라인(172,174)으로 냉매를 흘려 보내주면, 하우징(110), 내부관(132), 플레이트(136,144,154,156)들 및 하우징 내부 온도는 배기가스의 온도에 비해 상대적으로 현저하게 낮아지게 된다. Here, the first cooling line 172 and the second cooling line 174 cools the surfaces of the housing 110 and the inner tube 132, as well as the internal temperature and trap module 130 of the housing 110. Will lower the temperature of the plates. When the refrigerant is flowed into the first and second cooling lines 172 and 174, the temperature of the housing 110, the inner tube 132, the plates 136, 144, 154, 156, and the housing is significantly lower than the temperature of the exhaust gas. .

따라서, 배기가스(특히 반응부산물)는 하우징(110)으로 유입되면서 가열부재(120)에 의해 가열된 직후에, 증기상태에서 낮은 온도로 냉각되어진 하우징(110), 내부관(132) 그리고 플레이트(136,144,154,156)들의 표면에 접하게 되면 순간적으로 막질화되어 증착되면서 급속도의 포집이 이루어진다. 여기서, 트랩 모듈(130)의 표면에 증착되는 순간의 반응부산물은 증기(Vapor)상태에서 고형(Solid)상태로 전환되는 시점에서 막질화되면서 플레이트(136,144,154,156)들 표면 및 내부관(132)의 표면에 더욱 신속하고 균일하며 확고하게 증착되는 것이다. Therefore, the exhaust gas (especially the reaction by-product) enters the housing 110 and immediately after being heated by the heating member 120, the housing 110, the inner tube 132 and the plate (cooled to a low temperature in a vapor state). 136, 144, 154, 156 is in contact with the surface of the instantaneous film formation and deposition is rapidly captured. Here, the reaction by-products at the moment of being deposited on the surface of the trap module 130 are nitrided at the point of transition from the vapor state to the solid state, and the surfaces of the plates 136, 144, 154, 156 and the surface of the inner tube 132. Is deposited more quickly, uniformly and firmly.

특히, 본 발명은 하우징(110)의 내부 온도 및 플레이트(136,144,154,156)들의 표면 온도를 빠르게 낮출 수 있도록, 하우징(110)과 내부관(132)이 제1,2냉각라인(172,174)에 의해 냉각되며, 제1,2플레이트(136,144)들은 하우징(110)의 내측벽과 내부관(132)의 외측벽에 접촉되도록 설치되고 제3,4플레이트(154,156)들은 내부관(132)의 내측벽에 접촉되도록 설치되어 플레이트(136,144,154,156)들의 열교환 면적이 증가된다. 이로써, 하우징(110)에 유입되는 반응부산물을 보다 신속하게 고형화할 수 있는 분위기를 조성하게 된다. In particular, the present invention allows the housing 110 and the inner tube 132 to be cooled by the first and second cooling lines 172 and 174 to quickly lower the internal temperature of the housing 110 and the surface temperature of the plates 136, 144, 154 and 156. The first and second plates 136 and 144 may be installed to contact the inner wall of the housing 110 and the outer wall of the inner tube 132, and the third and fourth plates 154 and 156 may contact the inner wall of the inner tube 132. Installed to increase the heat exchange area of the plates 136,144,154,156. As a result, an atmosphere in which the reaction byproduct flowing into the housing 110 may be solidified more quickly may be formed.

이처럼, 본 발명의 부산물 포집 장치는 하우징으로 유입되는 반응부산물을 보다 빠르게 고형화할 수 있도록 하우징의 외부와 내부에서 2중으로 냉각할 수 있는 구조를 갖는데 있다. As described above, the by-product collecting device of the present invention has a structure capable of dual cooling in the outside and the inside of the housing so as to solidify the reaction by-product flowing into the housing more quickly.

이하에서는 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체장치의 부산물 포집장치의 동작을 도면을 참조하여 반응부산물의 흐름을 중심으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the operation of the by-product collecting device of the semiconductor device according to the present invention configured as described above will be described based on the flow of the reaction by-product with reference to the drawings.

먼저, 외부의 냉매탱크와 연결된 냉매 공급관(40)을 통해 제 1냉각라인(410) 및 제 2냉각라인(420)으로 냉매가 공급된다. 제1냉각라인과 제2냉각라인으로 냉매가 흐르면서 하우징, 내부관, 플레이트들 표면 및 하우징 내부 온도가 떨어지게 된다. 그리고, 가열부재의 히터 작동으로 고온의 열을 방출하면서 히터(220)와 접촉된 히팅 플레이트(210)들이 고온으로 가열된다. First, the refrigerant is supplied to the first cooling line 410 and the second cooling line 420 through the refrigerant supply pipe 40 connected to the external refrigerant tank. As the refrigerant flows into the first cooling line and the second cooling line, the temperature of the housing, the inner tube, the surfaces of the plates, and the inside of the housing drops. Then, the heating plate 210 in contact with the heater 220 is heated to a high temperature while releasing a high temperature heat by the heater operation of the heating member.

상기와 같이 본 발명의 포집장치가 가동되고 있는 상태에서 본 발명의 포집장치와 연결된 프로세스 챔버에서 발생되는 다량의 반응부산물을 포함한 배기가스는 가스유입포트를 통해 하우징 내부로 유입된다. 배기가스는 가열부재에 의해 가열된 후 하우징의 내부 공간으로 확산된다.As described above, the exhaust gas containing a large amount of reaction by-products generated in the process chamber connected to the collecting device of the present invention while the collecting device of the present invention is operating is introduced into the housing through the gas inlet port. The exhaust gas is heated by the heating member and then diffused into the interior space of the housing.

하우징(110)의 내부공간으로 확산되는 배기가스의 일부는 환형공간(a1)으로 흐르고, 나머지 배기가스는 중앙공간(a2)으로 흐르게 된다. 환형공간(a1)으로 흐르는 배기가스는 이미 저온으로 냉각된 하우징의 내측벽, 제1플레이트들, 내부관의 외측벽 표면과 접촉하게 되고, 하우징의 내측벽, 제1플레이트들, 내부관의 외측벽 표면과 접촉되는 순간 냉각되어 증기상태에서 급속도로 고형화가 진행되면서 각 표면에 증착 되어진다. A part of the exhaust gas diffused into the inner space of the housing 110 flows into the annular space a1, and the remaining exhaust gas flows into the central space a2. The exhaust gas flowing into the annular space a1 comes into contact with the inner wall, the first plates, and the outer wall surface of the housing that has already been cooled to a low temperature, and the inner wall of the housing, the first plates, and the outer wall surface of the inner tube. As soon as it comes into contact with it, it cools down and deposits on each surface as it rapidly solidifies in the vapor state.

또한, 중앙공간(내부관의 내부 통로;a2)으로 흐르는 배기가스는 이미 저온으로 냉각된 내부관의 내측벽 및 제3플레이트들 표면과 접촉하게 되고, 내부관의 내측벽 및 제3플레이트들 표면과 접촉되는 순간 냉각되어 증기상태에서 급속도로 고형화가 진행되면서 각 표면에 증착 되어진다.In addition, the exhaust gas flowing into the central space (inner passage of the inner tube; a2) comes into contact with the inner wall of the inner tube and the surfaces of the third plates that have already been cooled to low temperature, and the inner wall of the inner tube and the surfaces of the third plates. As soon as it comes into contact with it, it cools down and deposits on each surface as it rapidly solidifies in steam.

이처럼, 본 발명은 하우징의 외부와 내부에서 2중으로 냉각되는 구조이기 때 문에 하우징 내부 온도를 낮게 유지시킬 수 있고 따라서 반응부산물을 보다 빠르게 고형화할 수 있는 이점이 있다. 참고로, 기체상태의 반응부산물은 급격하게 온도가 저하되면 흡착성이 강한 파우더가 되며, 특히 반응부산물은 소정 온도 이하로 냉각되 부위에서 더욱 흡착성이 강한 특성을 갖게 된다. 따라서, 하우징(110)의 내부 공간을 통과하는 반응부산물의 냉각이 빠르게 이루어지기 때문에 반응부산물이 파우더 형태로 변환되어 트랩 모듈(130)에 포집되는 효율이 크게 향상된다. As such, the present invention has the advantage that the internal temperature of the housing can be kept low because the structure is double-cooled at the outside and the inside of the housing, and thus the reaction by-product can be solidified more quickly. For reference, when the temperature of the reaction by-products rapidly decreases the temperature becomes a strong adsorbent powder, in particular, the reaction by-products are cooled to a predetermined temperature or less to have a more adsorptive characteristic at the site. Therefore, since the reaction by-products passing through the inner space of the housing 110 are rapidly cooled, the efficiency of the reaction by-products converted into powder form and collected in the trap module 130 is greatly improved.

한편, 트랩 모듈의 제1트랩부에서 포집되지 않은 다른 반응부산물은 제2트랩부의 수평 수직 통로들을 지그재그로 통과하면서 소정 온도 이하로 냉각되면서 고형화되어 제2플레이트들 표면과 내부관의 외측벽 그리고 하우징의 내측벽에 쌓이게 된다. 그리고, 제3트랩부의 상단부에서 포집되지 않은 다른 반응부산물은 제3트랩부의 제4플레이트들을 지그재그로 통과하면서 고형화되어 제4플레이트들 표면과 내부관의 내측벽에 쌓이게 되면서, 도 12에서와 같이 트랩 모듈 전체적으로 균일하게 파우더가 증착된다. 도 13에서와 같이, 원판의 플레이트들이 다단으로 설치된 트랩 모듈의 경우에는 상부의 플레이트 상면에만 파우더가 쌓이기 때문에 교체 주기가 매우 짧을 뿐만 아니라 포집 효율이 현저하게 떨어지는 것을 알 수 있다.On the other hand, other reaction by-products not collected in the first trap portion of the trap module are solidified while being cooled below a predetermined temperature while passing through the vertical vertical passages of the second trap portion in a zigzag manner, so that the surface of the second plates and the outer wall of the inner tube and the housing It will accumulate on the inner wall. Then, other reaction by-products not collected at the upper end of the third trap part are solidified while passing through the fourth plates of the third trap part in a zigzag, and are accumulated on the surface of the fourth plates and the inner wall of the inner tube, as shown in FIG. 12. The powder is deposited uniformly throughout the module. As shown in FIG. 13, in the case of a trap module in which plates of the original plate are provided in multiple stages, since the powder is accumulated only on the upper plate upper surface, the replacement cycle is very short and the collection efficiency is remarkably decreased.

즉, 본 발명의 부산물 포집 장치는 배기가스가 앞에서는 단순하고 넓은 이동 경로들을 통과하도록 하고 뒷부분에서는 복잡한 좁은 이동 경로들을 통과하게 하여 파우더가 앞부분뿐만 아니라 뒷부분에도 균일하게 증착된다. 따라서, 포집 장치의 교체 주기가 획기적으로 연장되고 그에 따라 공정 지연의 감소에 따른 생산성 향상 및 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다. That is, the by-product collecting device of the present invention allows the exhaust gas to pass through simple and wide travel paths in the front and through the complicated narrow travel paths in the rear part so that the powder is uniformly deposited on the rear part as well as the front part. Therefore, the replacement cycle of the collecting device is significantly extended, thereby improving productivity and reducing costs by reducing process delay.

한편, 본 발명에 따른 부산물 포집 장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Meanwhile, the by-product collecting device according to the present invention may be variously modified and may take various forms. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms referred to in the above description, but rather includes all modifications, equivalents and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It should be understood to do.

상술한 바와 같이, 본 발명은 2중의 쿨링관 구조로 이루어지기 때문에 반응부산물을 보다 신속하게 냉각시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다. As described above, since the present invention has a double cooling tube structure, the present invention has a special effect of cooling the reaction byproduct more quickly.

본 발명은 반응부산물을 하우징의 외측과 내측에서 동시에 냉각시키기 때문에 반응 부산물의 포집 효율을 향상시킬 수 있다. The present invention can improve the collection efficiency of the reaction by-products because the reaction by-products are simultaneously cooled at the outside and the inside of the housing.

본 발명은 하우징의 내부 공간을 환형의 공간과 중앙 공간으로 구획하고, 각각의 공간에는 다양한 형상의 플레이트들을 배치함으로써 파우더 흡착 면적으로 더욱 넓혀 포집량을 극대화할 수 있는 이점이 있다.The present invention divides the inner space of the housing into an annular space and a central space, and by placing plates of various shapes in each space, there is an advantage of maximizing the collection amount by further widening the powder adsorption area.

본 발명은 트랩 모듈 전체적으로 균일하게 파우더가 포집되기 때문에, 포집 장치의 사용 주기를 연장시킬 수 있고, 잦은 교체에 따른 공정 중단 감소에 따른 생산성 향상 등의 효과를 얻을 수 있다. In the present invention, since the powder is uniformly collected throughout the trap module, the use cycle of the collecting device can be extended, and productivity can be obtained by reducing the process interruption due to frequent replacement.

본 발명은 포집 모듈로부터 떨어지는 파우더 덩어리들이 가스배출포트로 빠져나가지 못하게 함으로써 진공펌프의 손상등을 예방할 수 있다. The present invention can prevent damage to the vacuum pump by preventing the powder mass falling from the collecting module to escape to the gas discharge port.

Claims (25)

프로세스 챔버에서 발생하는 배기가스내의 반응부산물을 포집하기 위한 부산물 포집장치에 있어서:In the by-product collection device for collecting the reaction by-products in the exhaust gas generated in the process chamber: 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징; 및A housing having a gas inlet port and a gas outlet port; And 상기 하우징 내부에 설치되는, 그리고 배기가스의 흐름을 곡선(curve)으로 유도하기 위하여 상기 하우징 내부에 설치되는 제1플레이트들을 가지는 트랩모듈을 포함하되;A trap module installed inside the housing and having first plates installed inside the housing to direct the flow of exhaust gas into a curve; 상기 트랩 모듈은 상기 하우징 내부에 설치되며, 상기 배기가스의 흐름을 지그재재그(zigzag)로 안내하도록 형상지어진 다수의 제2플레이트들 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The trap module is installed inside the housing, the by-product collection device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it comprises a plurality of second plates shaped to guide the flow of the exhaust gas in a zigzag (zigzag). 프로세스 챔버에서 발생하는 배기가스내의 반응부산물을 포집하기 위한 부산물 포집장치에 있어서:In the by-product collection device for collecting the reaction by-products in the exhaust gas generated in the process chamber: 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징; 및A housing having a gas inlet port and a gas outlet port; And 상기 하우징 내부에 설치되는, 그리고 배기가스의 흐름을 곡선(curve)으로 유도하기 위하여 상기 하우징 내부에 설치되는 제1플레이트들을 가지는 트랩모듈을 포함하되;A trap module installed inside the housing and having first plates installed inside the housing to direct the flow of exhaust gas into a curve; 상기 트랩모듈은 The trap module 상기 제1플레이트들이 설치되는 제1트랩부; 및A first trap unit in which the first plates are installed; And 일정 간격 이격되게 다단으로 배치되고, 배기가스가 흐르는 통로로 제공되는 다수의 개구들(opening)이 형성된 제2플레이트들이 설치되는 제2트랩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치. And a second trap part disposed in multiple stages at regular intervals and provided with second plates having a plurality of openings provided in a passage through which the exhaust gas flows. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 트랩모듈은 상기 제1플레이트들이 방사상으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The trap module is a by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the first plate is disposed inclined radially. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1플레이트는 만곡진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the first plate is curved. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1트랩부의 길이는 상기 제2트랩부의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product trap device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the length of the first trap portion is longer than the length of the second trap portion. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2트랩부는 상기 제1트랩부에 비해 상기 가스배출포트에 인접한 위치에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치. And the second trap portion is provided at a position adjacent to the gas discharge port relative to the first trap portion. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1플레이트는 외측면이 상기 하우징의 내측면과 접하도록 제공되되;The first plate is provided such that its outer side is in contact with the inner side of the housing; 상기 하우징의 내측면과 상기 제1플레이트의 외측면 사이로 배기가스가 통과할 수 있도록 상기 제1플레이트의 상기 외측면에는 절개부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치. And a cutout is formed on the outer surface of the first plate to allow exhaust gas to pass between the inner surface of the housing and the outer surface of the first plate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1플레이트에는 복수의 관통공들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치. The by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that a plurality of through holes are formed in the first plate. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 관통공들의 크기는 상기 가스유입포트로부터 멀어질수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치. The by-product collection device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the size of the through-holes becomes smaller as the distance from the gas inlet port. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 트랩모듈은 The trap module 배기가스가 통과할 수 있는 내부통로를 가지며 외주면에 상기 제1플레이트들 및 상기 제2플레이트들이 고정되는 내부관과; An inner tube having an inner passage through which exhaust gas can pass, and fixed to the outer circumferential surface of the first plates and the second plates; 상기 내부관의 내부통로에 설치되며 상기 내부통로로 통과하는 배기가스의 반응부산물을 포집하는 제3트랩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And a third trap unit installed in the inner passage of the inner tube and collecting the reaction by-products of the exhaust gas passing through the inner passage. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제3트랩부는 The third trap part 상기 내부관의 내부통로 중앙에 수직하게 위치되는 지지대와;A support positioned perpendicular to the center of the inner passage of the inner tube; 경사지게 제공되도록 상기 지지대에 설치되는 제3플레이트들과;Third plates installed on the support to be inclined; 수평방향으로 제공되도록 상기 지지대에 설치되는 제4플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.By-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it comprises a fourth plate installed on the support to be provided in the horizontal direction. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 포집장치는The collecting device 상기 트랩모듈로부터 떨어져 나간 파우더 덩어리가 상기 가스배출포트를 통해 빠져나가는 것을 방지하는 차단부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.By-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it further comprises a blocking member for preventing the powder mass separated from the trap module to escape through the gas discharge port. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 차단부재는 The blocking member 상기 가스배출포트가 제공된 상기 하우징의 일면으로부터 상기 하우징의 내부를 향하는 방향으로 돌출되게 형성되는 차단턱을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And a blocking jaw formed to protrude in a direction toward the inside of the housing from one surface of the housing provided with the gas discharge port. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 차단부재는 The blocking member 상기 가스배출포트의 상부에 위치되는 차단판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.By-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it further comprises a blocking plate located on the upper portion of the gas discharge port. 프로세스 챔버에서 발생하는 배기가스내의 반응부산물을 포집하기 위한 부산물 포집장치에 있어서:In the by-product collection device for collecting the reaction by-products in the exhaust gas generated in the process chamber: 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징; 및A housing having a gas inlet port and a gas outlet port; And 상기 하우징 내부에 설치되는, 그리고 배기가스의 흐름을 곡선(curve)으로 유도하기 위하여 상기 하우징 내부에 설치되는 제1플레이트들을 가지는 트랩모듈을 포함하되;A trap module installed inside the housing and having first plates installed inside the housing to direct the flow of exhaust gas into a curve; 상기 하우징은 The housing is 상부와 하부가 개구된 원통형의 몸체와; A cylindrical body with upper and lower openings; 상기 몸체의 상부에 결합되고 상기 가스유입포트가 구비된 상판과; An upper plate coupled to an upper portion of the body and provided with the gas inlet port; 상기 몸체의 하부에 결합되고 상기 가스배출포트가 구비된 하판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the bottom plate is coupled to the lower portion of the body and provided with the gas discharge port. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 장치는 The device is 상기 하우징 내부를 통과하는 배기가스를 냉각시키기 위한 냉각부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product collection device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it further comprises a cooling member for cooling the exhaust gas passing through the housing. 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 냉각부재는 The cooling member 상기 하우징을 냉각시키기 위한 제1냉각부; 및 A first cooling unit for cooling the housing; And 상기 트랩모듈의 상기 내부관을 냉각시키기 위한 제2냉각부를 포함하며,It includes a second cooling unit for cooling the inner tube of the trap module, 상기 제1플레이트들 및 상기 제2플레이트들은 상기 냉각부재에 의해 냉각된 상기 하우징과 상기 내부관과 열교환이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And the first plates and the second plates exchange heat with the housing and the inner tube cooled by the cooling member. 제17항에 있어서, The method of claim 17, 상기 제1냉각부는 상기 하우징의 벽에 제공되는 제1냉각라인들을 포함하고,The first cooling unit includes first cooling lines provided on the wall of the housing, 상기 제2냉각부는 상기 내부관의 벽에 제공되는 제2냉각라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And the second cooling unit includes second cooling lines provided on the wall of the inner tube. 프로세스 챔버에서 발생하는 배기가스내의 반응부산물을 포집하기 위한 부산물 포집장치에 있어서:In the by-product collection device for collecting the reaction by-products in the exhaust gas generated in the process chamber: 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징; A housing having a gas inlet port and a gas outlet port; 상기 하우징 내부에 설치되는, 그리고 배기가스의 흐름을 곡선(curve)으로 유도하기 위하여 상기 하우징 내부에 설치되는 제1플레이트들을 가지는 트랩모듈; 및 A trap module installed inside the housing and having first plates installed inside the housing to direct the flow of exhaust gas into a curve; And 상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스를 가열하기 위한 가열부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.By-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it comprises a heating member for heating the exhaust gas flowing into the housing. 프로세스 챔버에서 발생하는 배기가스내의 반응부산물을 포집하기 위한 부산물 포집 장치에 있어서:In the by-product capture device for collecting the reaction by-products in the exhaust gas generated in the process chamber: 통형상으로 제공되며, 가스유입포트와 가스배출포트를 갖는 하우징과;A housing provided in a cylindrical shape and having a gas inlet port and a gas outlet port; 상기 하우징 내에 제공되며 표면에 반응부산물을 포집하는 제1플레이트들이 설치된 제1트랩부와;A first trap part provided in the housing and provided with first plates for collecting reaction by-products on a surface thereof; 상기 하우징 내에 제공되며 표면에 반응부산물을 포집하는 제2플레이트들이 설치된 제2트랩부를 구비하되;A second trap portion provided in the housing and provided with second plates for collecting reaction byproducts on a surface thereof; 상기 제1플레이트들과 상기 제2플레이트들은 배기가스의 흐름을 서로 상이한 방향으로 안내하도록 형상지어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And the first plates and the second plates are configured to guide the flow of exhaust gas in different directions from each other. 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 제1플레이트들 각각은 배기가스의 흐름을 곡선으로 유도하도록 경사지게 형상지어지고, Each of the first plates is shaped to be inclined to guide the flow of exhaust gas in a curve, 각각의 상기 제2플레이트는 상기 하우징의 길이방향과 수직하게 배치되며, 상기 제2플레이트들은 서로 마주보도록 일정거리 이격되게 제공되며, 상기 제2플레이트에는 가스의 흐름 방향이 지그재그가 되도록 개구들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.Each of the second plates is disposed perpendicular to the longitudinal direction of the housing, and the second plates are provided to be spaced apart by a predetermined distance to face each other, and the openings are formed in the second plate so that the flow direction of the gas is zigzag. By-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1플레이트들 각각은 하우징의 길이방향을 기준으로 50-60도 기울기를 갖고 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that each of the first plate is installed with an inclination of 50-60 degrees relative to the longitudinal direction of the housing. 제20항 또는 제21항에 있어서,The method of claim 20 or 21, 상기 제1플레이트는 배기가스가 하우징의 길이방향으로 흐를 때 수직방향의 흐름에서 벗어나게 안내하도록 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.And the first plate is inclined to guide away from the vertical flow when the exhaust gas flows in the longitudinal direction of the housing. 제20항 또는 제21항에 있어서,The method of claim 20 or 21, 상기 제1플레이트는 배기가스가 하우징의 길이방향으로 흐를 때 유선형의 흐름으로 안내하도록 만곡진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The first plate is a by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that curved to guide the streamlined flow when the exhaust gas flows in the longitudinal direction of the housing. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1플레이트는 경사진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부산물 포집장치.The by-product collecting device of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the first plate is inclined.
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