KR101024504B1 - Aapparatus for collecting remaining chemicals and by-products in semiconductor processing using particle inertia - Google Patents

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Abstract

본 발명은 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치에 관한 것으로 특히, 공지된 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 프로세서 챔버와 진공펌프를 연결시켜 주고 있는 진공배관 상에 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집하되, 그 내부 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 우회로 배출되게 하는 트랩을 설치한 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for collecting residual chemicals and by-products in a semiconductor process using particle inertia. Particularly, in known residual chemicals and by-products exhaust apparatuses, in the exhaust gas on a vacuum pipe connecting a processor chamber and a vacuum pump. It collects the particles of a certain mass or more in the form of a powder, but when the internal conductance is reduced below a predetermined value, a trap is installed so that a part of the exhaust gas is bypassed through the gas bypass discharge space formed between the inner and outer cylinders. It is done.

따라서, 트랩 내부에 파우더 포집량이 증가하면서 내통과 진공배관의 컨덕턴스가 감소될 경우 그 감소량에 대응하는 가스의 일부가 내통과 외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 진공펌프 측으로 지속해서 공급되도록 함으로써 트랩 내의 파우더 포집량 증가에 따른 진공배관의 컨덕턴스 감소로 생산공정 챔버에 영향을 주거나, 트랩이 교체되기 전 원래 진공배관 내의 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있어 진공펌프의 펌핑 능력을 대폭 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장비의 가동률을 대폭 향상시킬 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 것이다. Therefore, if the conductance of the inner cylinder and the vacuum pipe is reduced while the powder collection amount is increased in the trap, a part of the gas corresponding to the decrease amount is continuously supplied to the vacuum pump side through the gas bypass discharge space formed between the inner cylinder and the outer cylinder. The reduced conductance of the vacuum pipe due to the increase of powder collection in the chamber can affect the production process chamber or lower the conductance in the original vacuum pipe before the trap is replaced. Not only can the pumping capacity of vacuum pumps be greatly improved, but also the equipment utilization rate can be greatly improved, resulting in a significant reduction in the production cost of semiconductor manufacturing.

반도체, 트랩, 케미칼, 부산물, 포집, 입자 Semiconductors, Traps, Chemicals, By-Products, Capture, Particles

Description

입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치{Aapparatus for collecting remaining chemicals and by-products in semiconductor processing using particle inertia}Apparatus for collecting remaining chemicals and by-products in semiconductor processing using particle inertia}

본 발명은 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 부산물을 진공펌프와 스크러버를 통해 배기시킬 때 프로세서 챔버와 진공펌프 사이에 설치된 진공배관 상에 내,외통을 구비한 트랩을 설치하여 트랩 내부에 파우더 포집량이 증가하면서 내통의 컨덕턴스(가스 흐름을 원활하게 하는 정도)가 감소될 경우 그 감소량에 대응하는 가스의 일부는 내통과 외통 사이에 형성된 공간부를 통해 진공펌프 측으로 지속해서 공급되도록 하는 방식을 통해 트랩 내의 파우더 포집량 증가에 따른 진공배관의 컨덕턴스 감소로 생산공정 챔버에 영향을 주거나, 트랩이 교체되기 전 원래 진공배관 내의 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 발명한 것이다.The present invention relates to a device for trapping residual chemicals and by-products in a semiconductor process using particle inertia, and more particularly, by-products such as toxic, corrosive, and flammable gases that are fatal to the human body including chemicals discharged after being used in a semiconductor manufacturing process. When exhausting through the vacuum pump and scrubber, a trap with inner and outer cylinders is installed on the vacuum pipe installed between the processor chamber and the vacuum pump to increase the amount of powder trapped inside the trap, thereby improving the conductance of the inner cylinder. In the case of decrease of), part of the gas corresponding to the reduction amount is continuously supplied to the vacuum pump through the space formed between the inner cylinder and the outer cylinder to reduce the conductance of the vacuum pipe due to the increase in the powder collection amount in the trap. Before the trap is replaced or the trap is replaced Is the conductance in the lower state to a ball piping invention to be prevented from being influenced in the long term production processes.

다시 말해서 반도체 제조공정에서 사용되는 프로세서 챔버와 진공펌프 사이의 진공배관 상에 설치되어 부산물을 포집하는 트랩의 내부의 파우더 포집량이 증 가하면서 컨덕턴스가 감소하면 그 컨덕턴스의 감소량에 대응하는 가스의 일부가 트랩의 내통과 외통 사이에 형성된 공간부를 통해 진공펌프 측으로 공급될 수 있도록 하여 트랩 내 전체 컨덕턴스 유지 및 컨덕턴스 감소로 인한 펌핑 능력의 감소를 미연에 방지시킬 수 있도록 발명한 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치에 관한 것이다.In other words, if the conductance decreases as the amount of powder collected inside the trap collecting by-products is increased on the vacuum pipe between the processor chamber and the vacuum pump used in the semiconductor manufacturing process, a portion of the gas corresponding to the decrease in the conductance In the semiconductor process using the particle inertia invented so that it can be supplied to the vacuum pump side through the space formed between the inner and outer cylinder of the trap to prevent the reduction in pumping capacity due to the maintenance of the overall conductance in the trap and the reduced conductance. The present invention relates to a residual chemical and by-product collecting device.

일반적으로 반도체 제조 공정에서 사용되고 있는 프로세서 챔버는 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정이 이루어지고, 진공펌프는 진공상태에서 공정을 진행하기 위하여 프로세서 챔버로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하며, 스크러버는 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스 등을 거르거나 집진하는 장치를 말한다.In general, the processor chamber used in the semiconductor manufacturing process is actually a wafer process in the entire semiconductor process, the vacuum pump sucks gas from the processor chamber to maintain the vacuum in the chamber to proceed the process in a vacuum state, the scrubber It refers to a device that filters or collects toxic gases that require filtering before exhausting.

그런데 이와 같은 반도체 제조장치를 이용하여 반도체를 제조하는 공정에서는 인체에 치명적인 각종 유독성, 부식성, 인화성 가스를 다량으로 사용한다.However, in the process of manufacturing a semiconductor using such a semiconductor manufacturing apparatus, a large amount of various toxic, corrosive, and flammable gases that are fatal to the human body are used.

예를 들어 화학기상성장법(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정에서는 다량의 실란, 디클로로 실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포스핀, 디보론, 보론, 트리클로라이드 등을 사용하는바, 이들은 반도체 공정 중 미량만이 소비되고, 잉여 배출되는 폐가스는 비교적 고농도의 유독물질을 함유하고 있다.For example, in the chemical vapor deposition (CVD) process, a large amount of silane, dichloro silane, ammonia, nitrogen oxide, arsine, phosphine, diboron, boron, trichloride, etc. are used. Only a small amount is consumed, and the surplus waste gas contains a relatively high concentration of toxic substances.

또한, 저압 CVD공정, 플라즈마 강화 CVD, 플라즈마 에칭, 에피택시 증착 등과 같은 여러 반도체 공정들에서도 각종의 유독성 폐가스인 부산물이 생성된다.In addition, various semiconductor processes, such as low pressure CVD, plasma enhanced CVD, plasma etching, epitaxy deposition, etc., generate various by-products of toxic waste gases.

이러한 부산물인 폐가스처리는 최근 들어 환경에 대한 관심이 증대됨에 따라, 중요문제로 대두 되고 있으며 현재 이러한 폐가스를 대기중에 방출하기 전에 폐가스의 유독성 물질을 제거하는 것이 환경적으로 법적으로 의무화되었다.Waste gas treatment, a by-product, has recently become an important issue as environmental concerns have increased, and it is now legally mandatory to remove toxic substances from waste gas before it is released into the atmosphere.

이러한 차원에서 반도체 제조공정으로부터 유출되는 폐가스를 처리하기 위한 다양한 방법들이 연구되고 실용화되어 오긴 했으나, 현재까지 개발된 폐가스 처리장치는 그다지 만족할만한 성능과 효과를 거두지 못하였을 뿐만 아니라 많은 결함을 안고 있다.At this level, various methods for treating waste gas emitted from semiconductor manufacturing process have been studied and put to practical use, but the developed waste gas treatment device has not only achieved satisfactory performance and effects but also has many defects.

한편, 반도체의 제조에 따른 프로세서를 위하여 챔버로 유입된 가스는 일부만 공정에 사용되고 나머지는 배기되는데, 이때 상기 프로세서 챔버로 유입되어 공정 케미칼로 사용되는 가스는 상온에서 기체로 존재하여 프로세서 챔버 내부로 가스상태로 쉽게 유입시켜 공정에 사용하기도 하나, 액체 상태의 케미칼은 공정에 사용하기 위하여 기체 상태로 변환된다. 용기압력을 낮추거나 히팅을 하여 기체상태로 만든 후 챔버로 유입시켜 공정에 사용하는 것이며, 챔버로 유입된 후 남은 케미칼은 기체 상태로 혹은 액체상태로 진공펌프로 유입되어 반응하거나 파우더를 형성하면 문제를 일으킬 수 있는 것이다.On the other hand, only a portion of the gas introduced into the chamber for the processor according to the manufacturing of the semiconductor is used in the process and the rest is exhausted, wherein the gas introduced into the processor chamber and used as the process chemical is present as a gas at room temperature to the gas into the processor chamber Although easily introduced into the state for use in the process, the liquid chemical is converted to gaseous state for use in the process. If the pressure is lowered or heated to make it into a gaseous state and then flowed into the chamber to be used for the process, the remaining chemical after entering the chamber is introduced into the gaseous or liquid state by a vacuum pump and reacts or forms a powder. It can cause.

즉, 반도제 제조공정에서 사용된 가스는 배기과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 파우더를 형성하면 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제로 이어지고 있음은 물론 진공펌프의 불시정지 등의 문제가 발생할 수 있는데, 특히 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동률 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있다.In other words, when the gas used in the semiconductor manufacturing process reacts in the exhaust line, the vacuum pump and the scrubber during the exhaust process, the powder is formed, which leads to the problem of pipe clogging or the efficiency decrease of the vacuum pump and the scrubber. In particular, problems such as an unexpected stop of the vacuum pump may cause a large economic loss such as disposal due to a defective product and a decrease in equipment utilization rate.

이를 막기 위하여, 종래에는 현재 진공펌프가 멈추기 전에 주기적으로 펌프 자체를 교체하는 작업이 이루어지고 있고, 사용 후의 진공펌프에 대하여서는 세정이나 수리가 실시되고 있는데, 이와 같은 과정이 반도체의 제조 중 자주 발생되고 있다보니 결국 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 증대시키게 되는 문제점으로 대두되고 있는 실정이다.In order to prevent this, conventionally, the pump itself is periodically replaced before the vacuum pump stops, and the vacuum pump after use is cleaned or repaired, and such a process is frequently performed during the manufacture of semiconductors. As a result, the situation is emerging as a problem that will significantly increase the production cost of semiconductor manufacturing.

따라서, 최근에는 도 1과 같이 프로세서 챔버(1)와 진공펌프(2) 사이의 진공배관(6) 상에 포집기인 트랩(4)을 설치하여 진공펌프(2)에서 프로세서 챔버(1) 내의 가스를 강제로 흡입하여 스크러버(3) 측으로 송출시킬 때 미반응 가스(부산물)나 케미칼의 일부를 액상 또는 파우더로 상기 트랩(4) 내에 포집할 수 있도록 하고 있다.Therefore, in recent years, as shown in FIG. 1, a trap 4, which is a collector, is installed on the vacuum pipe 6 between the processor chamber 1 and the vacuum pump 2 so that the gas in the processor chamber 1 in the vacuum pump 2 is installed. Is forcibly sucked and sent to the scrubber 3 side so that a part of the unreacted gas (by-product) or chemical can be collected in the trap 4 in the form of liquid or powder.

이와 같이 프로세서 챔버(1)의 가스 배출구와 진공펌프(2)의 입구 사이에서 트랩(4)을 설치하여 주게 되면 프로세서 챔버(1)로부터 진공펌프(2) 측으로 유입되는 부산물이 트랩(4) 내에서 반응하여 그 일부가 액상 또는 파우더 형태로 포집되므로 프로세서 챔버(1)로부터 배출되는 모든 부산물이 진공펌프(2)로 그대로 유입됨으로 인해 발생될 수 있는 진공펌프(2) 및 스크러버(3) 자체의 효율저하와 짧은 주기로 불시에 정지되는 등의 문제를 대폭 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 진공펌프(2)가 짧은 주기를 갖고 불시에 정지됨으로 인해 반도체 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동률 저하 등으로 인한 경제적 손실도 어느 정도 방지할 수 있었다.In this way, when the trap 4 is installed between the gas outlet of the processor chamber 1 and the inlet of the vacuum pump 2, the by-product flowing from the processor chamber 1 toward the vacuum pump 2 is in the trap 4. Part of the vacuum pump (2) and the scrubber (3) itself, which can be generated by all the by-products from the processor chamber (1) as it is introduced into the vacuum pump (2) as it is collected in the form of liquid or powder Not only can it solve the problems such as efficiency decrease and sudden stop in a short period of time, but also when the vacuum pump 2 stops in a short period of time and happens during semiconductor production, it can be discarded due to product defects and equipment utilization rate is lowered. Economic loss due to the back was also prevented to some extent.

그런데, 종래 트랩(4)은 도 2에 도시된 바와 같이 상,하면에 각각 부산물 유입구(411)와 폐가스 배출구(412)가 구비된 속이 빈 사각 또는 원통형의 함체(41)와; 상기 함체(41)를 통과한 가스가 폐가스 배출구(412)를 통해 원활히 배출될 수 있도록 수개의 지지체(421)를 통해 상기 함체(41)의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되는 폐가스 배기 유도판(42)과; 상기 폐가스 배기 유도판(42)의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉(431)의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치된 수개의 갓형 부산물 포집판(43);으로 구성되어 있다.By the way, the conventional trap (4) is a hollow rectangular or cylindrical housing 41 having a by-product inlet 411 and waste gas outlet 412 on the upper and lower surfaces, respectively, as shown in FIG. The waste gas exhaust induction plate is installed to maintain a certain height at the bottom surface of the enclosure 41 through several supports 421 so that the gas passing through the enclosure 41 can be smoothly discharged through the waste gas outlet 412. (42); It consists of a number of fresh by-product collecting plate 43 is fixed to the outer periphery of the support rod 431 installed in the vertical direction in the center of the waste gas exhaust induction plate 42 at a fixed interval.

따라서, 진공펌프(2)의 진공 작동에 의해 프로세서 참버(1) 내로부터 배출되어 진공배관(6)와 부산물 유입구(411)을 통해 트랩(4) 내부로 유입된 미반응 가스 중 일부는 함체(41)의 배부를 통과하는 과정에서 수개의 갓형 부산물 포집판(43)에 파우더 형태로 포집되고 나머지 미반응 가스는 함체(41)의 바닥면과 폐가스 배기 유도판(42) 사이에 설치되어 있는 지지체(421)들의 틈새와 폐가스 배출구(412)를 통해 진공배관(6)으로 배기된 후 진공펌프(2) 측으로 배출된다.Accordingly, some of the unreacted gas discharged from the processor chamber 1 by the vacuum operation of the vacuum pump 2 and introduced into the trap 4 through the vacuum pipe 6 and the by-product inlet 411 are contained in the enclosure ( In the process of passing through the distribution of 41, a plurality of fresh by-product collecting plate 43 is collected in a powder form, and the remaining unreacted gas is supported between the bottom surface of the housing 41 and the waste gas exhaust induction plate 42. Through the gaps 421 and the waste gas discharge port 412, the exhaust gas is discharged to the vacuum pipe 6 and then discharged to the vacuum pump 2.

그런데, 종래의 트랩은 별도의 가스 유도로가 구비되어 있지 않고 단순히 함체의 내부에 수개의 갓형 부산물 포집판을 수직방향으로 일정거리를 두고 다단으로 설치한 구성으로 되어 있어 반도체의 제조가 계속해서 이루어지는 과정에서 트랩의 내부에 파우더의 포집량이 증가하게 됨은 물론 시간이 흐를수록 포집량이 많아 짐에 대응하여 컨덕턴스가 점점 감소하게 되므로 결국 이와 같은 컨덕턴스의 감소가 생산공정 챔버에 까지 영향을 주게 된다.By the way, the conventional trap is not provided with a separate gas induction path, and simply consists of a plurality of fresh by-product collecting plate in the multi-stage at a certain distance in the vertical direction in the interior of the enclosure to continue the manufacture of the semiconductor In the process, the amount of powder collected in the trap increases as well as the amount of conductance decreases over time, and thus the conductance decreases and thus affects the production process chamber.

물론 컨덕턴스가 너무 낮아져 고진공을 유지하기가 힘들게 되면 트랩을 교체 하면 되지만, 트랩이 교체되기 전까지 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 줄 수 있게 된다.Of course, if the conductance becomes too low to maintain high vacuum, you can replace the trap, but the reduced conductance can affect the production process for a long time until the trap is replaced.

즉, 프로세서 참버(1)와 진공펌프(2) 사이의 진공배관(6) 상에 트랩(4)을 직렬로 설치하게 될 경우, 트랩을 설치한 초기에는 별문제가 없으나 반도체 제조 공정이 장기간 진행되다 보면 상기 트랩이 공정 케미칼에 의해 서서히 막혀지게 됨은 물론 트랩 자체의 내부 구조가 장비의 펌핑 능력에 지장을 주게 되어 트랩에 부산물이 포집되는 량이 많아질수록 트랩 내의 컨덕턴스가 감소하며 전체 배관의 펌핑 능력이 현저히 저하되는 문제점이 있다.That is, when the trap 4 is installed in series on the vacuum pipe 6 between the processor chamber 1 and the vacuum pump 2, there is no problem at the beginning of the trap installation, but the semiconductor manufacturing process proceeds for a long time. As the trap is blocked by the process chemical, the internal structure of the trap itself interferes with the pumping capacity of the equipment. As the amount of by-products is collected in the trap, the conductance in the trap decreases and the pumping capacity of the entire pipe is reduced. There is a problem that is significantly reduced.

본 발명은 이와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위하여 안출한 것으로, 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 부산물을 진공펌프와 스크러버를 통해 배기시킬 때 프로세서 챔버와 진공펌프 사이에 설치된 진공배관 상에 내,외통을 갖고 부산물을 포집하는 트랩을 설치하여 트랩 내부에 파우더 포집량이 증가하면서 내통과 진공배관의 컨덕턴스(가스 흐름을 원활하게 하는 정도)가 감소될 경우 그 감소량에 대응하는 가스의 일부가 내통과 외통 사이에 형성된 공간부를 통해 진공펌프 측으로 지속해서 공급되도록 함으로써 트랩 내의 파우더 포집량 증가에 따른 진공배관의 컨덕턴스 감소로 생산공정 챔버에 영향을 주거나, 트랩이 교체되기 전 원래 진공배관 내의 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있어 진공펌프의 펌핑 능력을 대폭 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장비의 가동률을 대폭 향상시킬 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve such a conventional problem, and by-products such as toxic, corrosive, flammable gases that are fatal to the human body, including chemicals discharged after being used in the semiconductor manufacturing process to exhaust through the vacuum pump and scrubber When the trap is installed on the vacuum pipe installed between the processor chamber and the vacuum pump to collect the by-product and the internal and external cylinders, the powder collection amount increases inside the trap, and the conductance of the inner and vacuum pipes is increased. If reduced, a portion of the gas corresponding to the reduction amount is continuously supplied to the vacuum pump through a space formed between the inner cylinder and the outer cylinder, thereby affecting the production process chamber by reducing the conductance of the vacuum pipe due to the increase in the amount of powder trapped in the trap. In the original vacuum line before the trap is replaced It can prevent the low state affecting the production process for a long time, which can greatly improve the pumping capacity of the vacuum pump and can greatly improve the operation rate of the equipment, which greatly reduces the production cost of semiconductor manufacturing. It is an object of the present invention to provide a device for collecting residual chemicals and by-products in a semiconductor process using capable particle inertia.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명 장치는, 공정 케미칼을 유입 받아 반도체 전 공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와, 프로세서 챔 버로부터 진공배관을 통해 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지시켜 주는 진공펌프 및 진공펌프를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버를 구비한 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 상기 프로세서 챔버와 진공펌프를 연결시켜 주고 있는 진공배관 상에 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집하되, 그 내부 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 우회로 배출되게 하는 트랩을 설치한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a processor chamber that receives process chemicals and actually processes wafers in the entire semiconductor process, and sucks gas from the processor chamber through a vacuum pipe to maintain vacuum in the chamber. A main chemical and by-product exhaust device generated in a semiconductor manufacturing process including a vacuum pump and a scrubber that filters or collects toxic gases that need to be filtered before exhausting the gas discharged through the vacuum pump, wherein the processor chamber and the vacuum pump are connected to each other. Particles of a certain mass or more contained in the exhaust gas are collected in the form of powder on the vacuum pipe, and when the internal conductance is reduced below a predetermined value, a portion of the exhaust gas is formed through the gas bypass discharge space formed between the inner and outer cylinders. Traps are installed to bypass the discharge The.

이때, 상기 트랩은 상면과 바닥면 중앙부에 각각 진공배관이 연결되는 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 형성된 외통과; 바닥면 중앙에는 폐가스 배출구가 천공되고 상면은 개방된 상태에서 상기 외통의 내부에서 자체의 바닥면과 외통의 바닥면 사이에서 일정간격을 두고 수직하게 설치되는 수개의 지지체에 의해 외주면 전체와 상기 외통의 내면 사이가 서로 일정간격을 유지하는 가스 우회배출 공간부를 구비하도록 설치되는 내통과; 상기 내통을 통과한 가스가 폐가스 배출구를 통해 원활히 배출될 수 있도록 수개의 지지체를 통해 상기 내통의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되는 폐가스 배기 유도판과; 상기 폐가스 배기 유도판의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치되는 수개의 갓형 부산물 포집판;으로 구성한 것을 특징으로 한다.At this time, the trap is an outer passage in which a by-product inlet and a waste gas outlet are respectively connected to the upper and bottom central vacuum pipe; In the state where the waste gas outlet is drilled in the center of the bottom surface and the top surface is open, the entire outer circumference and the outer cylinder of the outer cylinder are formed by several supports installed vertically at regular intervals between the bottom surface of the outer cylinder and the bottom surface of the outer cylinder. An inner passage provided between the inner surfaces to provide a gas bypass discharge space that maintains a predetermined distance from each other; A waste gas exhaust induction plate installed to maintain a predetermined height at the bottom surface of the inner cylinder through several supports so that the gas passing through the inner cylinder can be smoothly discharged through the waste gas outlet; Characterized in that it consists of a number of fresh by-product collecting plate which is fixed at a predetermined interval on the outer periphery of the support rod installed in the vertical direction in the center of the waste gas exhaust induction plate.

또, 상기 내통의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구의 상방부로는 내통의 내부로 유입된 부산물 중 액상 또는 파우더 형태를 갖는 부산물이 진공배관을 통해 진 공펌프 측으로 직접 배출되지 않도록 하는 부산물 입자 유출 방지관을 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, the upper portion of the waste gas outlet perforated on the bottom surface of the inner cylinder by-product particle leakage prevention pipe to prevent the by-products having a liquid or powder form of the by-products introduced into the inner cylinder is discharged directly to the vacuum pump side through the vacuum pipe Characterized in that further installed.

또한, 상기 내통의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구의 하방부로는 내통을 통과한 가스가 모두 외통의 폐가스 배출구를 통해 진공배관으로 유입되지 않고 그 일부가 내,외통 의 바닥면 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 역류하는 것을 방지하고 배출가스의 속도를 증강시켜 주는 깔때기 형 노즐을 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, all of the gas passing through the inner cylinder is not introduced into the vacuum pipe through the waste gas outlet of the outer cylinder, and a part of the gas bypass discharge is formed between the bottom surfaces of the inner and outer cylinders. It is characterized in that it further installed a funnel nozzle to prevent backflow through the space portion and to increase the speed of the exhaust gas.

또, 상기 외통에는 트랩 내의 압력을 표시해 주는 압력계를 더 설치한 것을 특징으로 한다.The outer cylinder may be further provided with a pressure gauge for displaying the pressure in the trap.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 장치에 의하면, 프로세서 챔버와 진공펌프 사이에 설치된 진공배관 상에 내,외통을 갖고 부산물을 포집하는 트랩을 설치하여 트랩 내부에 파우더 포집량이 증가하면서 내통과 진공배관의 컨덕턴스(가스 흐름을 원활하게 하는 정도)가 감소될 경우 그 감소량에 대응하는 가스의 일부가 내통과 외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 진공펌프 측으로 지속해서 공급되도록 함으로써 트랩 내의 파우더 포집량 증가에 따른 진공배관의 컨덕턴스 감소로 생산공정 챔버에 영향을 주거나, 트랩이 교체되기 전 원래 진공배관 내의 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있어 진공펌프의 펌핑 능력을 대폭 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장비의 가 동률을 대폭 향상시킬 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 등 매우 유용한 발명인 것이다. As described above, according to the apparatus of the present invention, a trap having inner and outer cylinders and collecting by-products is installed on a vacuum pipe installed between the processor chamber and the vacuum pump, thereby increasing the amount of powder collected inside the trap and conductance of the inner and vacuum pipes. When the gas flow is reduced, a portion of the gas corresponding to the decrease is continuously supplied to the vacuum pump through the gas bypass discharge space formed between the inner cylinder and the outer cylinder, thereby increasing the amount of powder trapped in the trap. The reduced conductance of the vacuum pipe can prevent the effect of affecting the production chamber or lowering the conductance in the original vacuum pipe for a long time before the trap is replaced, thus greatly reducing the pumping capacity of the vacuum pump. Not only can you improve it, It is a very useful invention, such as to significantly reduce the production cost of semiconductor manufacturing.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치의 개략 구성도를 나타낸 것이고, 도 3은 본 발명 장치에서 사용된 트랩의 반 단면 사시도를 나타낸 것이며, 도 4는 본 발명 장치에서 사용된 트랩의 정 단면도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows a schematic configuration diagram of a general residual chemical and by-product collecting device, Figure 3 shows a half cross-sectional perspective view of the trap used in the device of the present invention, Figure 4 is a front cross-sectional view of the trap used in the device of the present invention It is shown.

이에 따르면 본 발명 장치는, 공정 케미칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버(1)와, 상기 프로세서 챔버(1)로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 진공펌프(2) 및, 진공펌프(2)를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버(3)를 구비한 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서,According to the present invention, the apparatus includes a processor chamber 1 that receives process chemicals and actually processes wafers in the entire semiconductor process, and a vacuum pump that sucks gas from the processor chamber 1 to maintain vacuum in the chamber ( 2) and the residual chemical and by-product exhaust device generated in the semiconductor manufacturing process having a scrubber (3) for filtering or collecting the toxic gas that needs to be filtered before the exhaust of the gas discharged through the vacuum pump (2),

상기 프로세서 참버(1)와 진공펌프(2)를 연결시켜 주고 있는 진공배관(6) 상에 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집하되, 그 내부의 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통(40)(44) 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 통해 우회로 배출되게 하는 트랩(4)을 설치한 것을 특징으로 한다.While collecting the particles of a certain mass or more contained in the exhaust gas in the form of powder on the vacuum pipe (6) connecting the processor chamber (1) and the vacuum pump (2), the conductance therein is reduced below a predetermined value When the exhaust gas is part of the inner, outer cylinders 40, 44 characterized in that the trap 4 is installed to bypass the bypass through the gas bypass discharge space portion 45 formed between.

이때, 상기 트랩(4)은 상면과 바닥면 중앙부에 각각 진공배관(6)이 연결되는 부산물 유입구(441)와 폐가스 배출구(442)가 형성된 외통(44)과;At this time, the trap 4 has an outer cylinder 44 formed with a by-product inlet 441 and a waste gas outlet 442 to which the vacuum pipe 6 is connected to the top and bottom centers, respectively;

바닥면 중앙에는 폐가스 배출구(402)가 천공되고 상면은 개방된 상태에서 상기 외통(44)의 내부에서 자체의 바닥면과 외통(44)의 바닥면 사이에서 일정간격을 두고 수직하게 설치되는 수개의 지지체(403)에 의해 외주면 전체와 상기 외통(44)의 내면 사이가 서로 일정간격을 유지하는 가스 우회배출 공간부(45)를 구비하도록 설치되는 내통(40)과;In the center of the bottom surface, the waste gas outlet 402 is drilled and the top surface is opened, and several vertically installed at regular intervals between the bottom surface of the outer cylinder 44 and its bottom surface within the outer cylinder 44 are opened. An inner cylinder (40) installed by the support (403) to have a gas bypass discharge space (45) which maintains a predetermined distance between the entire outer circumferential surface and the inner surface of the outer cylinder (44);

상기 내통(40)을 통과한 가스가 폐가스 배출구(402)를 통해 원활히 배출될 수 있도록 수개의 지지체(421)를 통해 상기 내통(40)의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되는 폐가스 배기 유도판(42)과;The waste gas exhaust induction plate is installed to maintain a predetermined height at the bottom surface of the inner cylinder 40 through several supports 421 so that the gas passing through the inner cylinder 40 can be smoothly discharged through the waste gas outlet 402. (42);

상기 폐가스 배기 유도판(42)의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉(431)의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치되는 수개의 갓형 부산물 포집판(43);으로 구성한 것을 특징으로 한다.Characterized in that it consists of a number of fresh by-product collecting plate 43 is fixed at a predetermined interval on the outer periphery of the support rod 431 installed in the vertical direction in the center of the waste gas exhaust induction plate 42.

또, 상기 내통(40)의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)의 상방부로는 내통(40)의 내부로 유입된 부산물 중 액상 또는 파우더 형태를 갖는 부산물이 진공배관(6)을 통해 진공펌프(2) 측으로 직접 배출되지 않도록 하는 부산물 입자 유출 방지관(46)을 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, the upper portion of the waste gas outlet 402 perforated on the bottom surface of the inner cylinder 40 is a by-product having a liquid or powder form of the by-products introduced into the inner cylinder 40 through the vacuum pipe (6) (2) It is characterized in that the by-product particle outflow prevention pipe 46 is further installed so as not to be discharged directly to the side.

또한, 상기 내통(40)의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)의 하방부로는 내통(40)을 통과한 배기가스가 모두 외통(44)의 폐가스 배출구(441)를 통해 진공배관(6)으로 유입되지 않고 그 일부가 내,외통(40)(44) 의 바닥면 사이에 형성된 가 스 우회배출 공간부(45)를 통해 역류하는 것을 방지하고 배출가스의 속도를 증강시켜 주는 깔때기 형 노즐(47)을 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, all of the exhaust gas passing through the inner cylinder 40 through the waste gas outlet 441 of the outer cylinder 44 is a lower portion of the waste gas outlet 402 drilled on the bottom surface of the inner cylinder 40. A funnel-type nozzle that prevents a part of the backflow through the gas bypass discharge space 45 formed between the bottom surfaces of the inner and outer cylinders 40 and 44 without increasing the flow rate and increases the velocity of the exhaust gas. 47) is further installed.

또, 상기 외통(44)에는 트랩(4) 내의 압력을 표시해 주는 압력계(48)를 더 설치한 것을 특징으로 한다.Moreover, the outer cylinder 44 is further provided with the pressure gauge 48 which displays the pressure in the trap 4, It is characterized by the above-mentioned.

이와 같이 구성된 본 발명 장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.  Referring to the operation and effect of the device of the present invention configured as described above are as follows.

먼저, 본 발명 장치는 공지된 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 상기 프로세서 참버(1)와 진공펌프(2)를 연결시켜 주고 있는 진공배관(6) 상에 내,외통(40)(44) 사이에 가스 우회배출 공간부(45)를 구비한 트랩(4)을 설치하여, 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집할 수 있도록 함은 물론 그 내부의 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통(40)(44) 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 통해 우회로 배출되도록 한 것을 주요기술 구성요소로 한다.First, the apparatus of the present invention is an internal and external cylinder on the vacuum pipe 6 connecting the processor lever 1 and the vacuum pump 2 in the residual chemical and by-product exhaust device generated in a known semiconductor manufacturing process. A trap 4 having a gas bypass discharge space 45 is provided between the 40 and 44 to collect particles of a certain mass or more contained in the exhaust gas in the form of powder, as well as the inside thereof. When the conductance is reduced below a predetermined value, the main technical component is to allow a part of the exhaust gas to be bypassed through the gas bypass discharge space 45 formed between the inner and outer cylinders 40 and 44.

이때, 상기 프로세서 챔버(1)는 종래 기술에서 설명한 바와 같이 공정 케미칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하게 되고, 상기 진공펌프(2)는 프로세서 챔버(1)로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 기능을 수행하며, 상기 스크러버(3)는 진공펌프(2)를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 기능을 수행하게 된다.At this time, the processor chamber 1 receives the process chemical as described in the prior art and actually performs the wafer process in the entire semiconductor process, and the vacuum pump 2 sucks gas from the processor chamber 1 It performs a function of maintaining the vacuum of the chamber, the scrubber (3) is to filter or collect the toxic gas that needs to be filtered before the exhaust of the gas discharged through the vacuum pump (2).

한편, 상기와 같이 프로세서 챔버(1)의 가스 배출구와 진공펌프(2)의 입구 사이에 설치되는 진공배관(6)에 트랩(4)을 설치하게 되면 상기 프로세서 챔버(1)에서 배출되어 진공펌프(2) 측으로 이동중인 배기가스가 트랩(4)를 통과할 때 그 내 부에서 부산물이 반응하여 일부가 액상 또는 파우더 형태로 내통(40) 내에 포집된다.Meanwhile, when the trap 4 is installed in the vacuum pipe 6 installed between the gas outlet of the processor chamber 1 and the inlet of the vacuum pump 2 as described above, the vacuum pump is discharged from the processor chamber 1. When the exhaust gas moving to the side (2) passes through the trap 4, by-products react therein, and some are collected in the inner cylinder 40 in the form of liquid or powder.

이때 상기 트랩(4)은 외통(44)과 내통(40), 폐가스 배기 유도판(42) 및 수개의 갓형 부산물 포집판(43)으로 구성한 것을 주요기술 구성요소로 한다.At this time, the trap 4 is composed of the outer cylinder 44, the inner cylinder 40, the waste gas exhaust guide plate 42 and several fresh by-product collecting plate 43 as the main technical components.

상기에 있어서, 외통(44)는 상면과 바닥면 중앙부에 각각 진공배관(6)이 연결되는 부산물 유입구(441)와 폐가스 배출구(442)가 형성된 구성을 갖고, 상기 내통(40)은 바닥면 중앙에 폐가스 배출구(402)가 천공되고 상면은 개방된 상태에서 상기 외통(44)의 내부에서 자체의 바닥면과 외통(44)의 바닥면 사이에서 일정간격을 두고 수직하게 설치되는 수개의 지지체(403)에 의해 외주면 전체와 상기 외통(44)의 내면 사이에는 서로 일정간격을 유지하는 가스 우회배출 공간부(45)를 구비된 형태를 갖는다.In the above, the outer cylinder 44 has a configuration in which the by-product inlet 441 and the waste gas outlet 442 to which the vacuum pipe 6 is connected to the top and bottom centers, respectively, and the inner cylinder 40 is the bottom center In the state in which the waste gas outlet 402 is drilled and the upper surface is opened, several supports 403 are installed vertically at regular intervals between the bottom surface of the outer cylinder 44 and its bottom surface in the interior of the outer cylinder 44. The gas bypass discharge space portion 45 is provided between the entire outer circumferential surface and the inner surface of the outer cylinder 44 by maintaining a predetermined distance from each other.

또, 상기 폐가스 배기 유도판(42)은 수개의 지지체(421)를 통해 상기 내통(40)의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되어 내통(40)을 통과한 가스가 폐가스 배출구(402)를 통해 원활히 배출될 수 있도록 하고, 상기 갓형 부산물 포집판(43)들은 폐가스 배기 유도판(42)의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉(431)의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치되어 내통(40) 내로 유입된 배기가스들이 내통을 통과하는 과정에서 부산물이 반응하며 일부가 파우더 형태로 상기 갓형 부산물 포집판(43)들에 달라붙어 포집된다.In addition, the waste gas exhaust induction plate 42 is installed to maintain a constant height at the bottom surface of the inner cylinder 40 through several supports 421 so that the gas passing through the inner cylinder 40 passes through the waste gas outlet 402. In order to be smoothly discharged through, the fresh by-product collecting plate 43 is fixed to the outer periphery of the support rod 431 which is installed in the vertical direction in the center of the waste gas exhaust induction plate 42 at a fixed interval in the inner cylinder ( 40) By-products react in the course of the exhaust gases introduced into the inner cylinder, and some of the by-products are attached to the fresh by-product collecting plates 43 in the form of powder.

따라서, 상기 트랩(4) 내의 컨덕턴스가 정해진 값 이상일 경우에는 상기 진공펌프(2)의 흡입 작동에 의해 프로세서 챔버(1)로부터 진공배관(6)을 통해 배출되 어 트랩(4) 내로 유입된 배기가스는 내통(40)을 통과하며 그 일부가 상기 내통(40) 내의 갓형 부산물 포집판(43)들에 파우더 형태로 달라붙어 포집되고, 나머지 배기가스는 상기 폐가스 배기 유도판(42)과 지지체(421)들 사이에 형성된 공간와 폐가스 배출구(402) 및 외통(44)의 폐가스 배출구(442)를 통해 진공펌프(2) 측으로 흘러가는 형태를 갖게 된다.Therefore, when the conductance in the trap 4 is greater than or equal to a predetermined value, the exhaust gas is discharged from the processor chamber 1 through the vacuum pipe 6 by the suction operation of the vacuum pump 2 and flowed into the trap 4. The gas passes through the inner cylinder 40, a part of which sticks to the fresh by-product collecting plates 43 in the inner cylinder 40 in the form of a powder, and the remaining exhaust gas is collected from the waste gas exhaust induction plate 42 and the support ( A space formed between the 421 and the waste gas outlet 402 and the waste gas outlet 442 of the outer cylinder 44 flows to the vacuum pump 2 side.

그런데, 반도체 제조공정의 장기간 진행으로 인해 상기 트랩(4)의 내통(40)에 설치되어 있는 갓형 부산물 포집판(43)들에 많은 량의 파우더가 포집되어 트랩(4) 내의 컨덕턴스가 감소하게 되므로 내통(40)을 통과하는 배기가스의 량이 적어지게 되는데, 이와 같이 트랩(4)의 내통(40) 내 컨덕턴스가 감소하게 되면 상기 트랩(4)의 내부로 유입된 배기가스의 일부는 감소된 컨덕턴스를 갖는 내통(40)을 통과하고 나머지 일부는 상기 내통(40)의 외주면과 외통(44)의 내부면 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 통해 진공펌프(2) 측으로 배출된다.However, due to the long-term progress of the semiconductor manufacturing process, a large amount of powder is collected in the fresh by-product collecting plates 43 installed in the inner cylinder 40 of the trap 4, thereby reducing the conductance in the trap 4. The amount of exhaust gas passing through the inner cylinder 40 is reduced. When the conductance in the inner cylinder 40 of the trap 4 is reduced in this way, a part of the exhaust gas introduced into the trap 4 is reduced in conductance. Passing through the inner cylinder 40 having the remaining portion is discharged to the vacuum pump 2 side through the gas bypass discharge space portion 45 formed between the outer peripheral surface of the inner cylinder 40 and the inner surface of the outer cylinder 44.

즉, 진공펌프(2)와 스크러버(3)를 통해 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 폐가스를 배기시킬 때 상기 트랩(4)의 내통(40) 내에 설치되어 있는 갓형 부산물 포집판(43)들에 포집되는 파우더의 량이 증가하면서 내통(40)과 진공배관(6)의 컨덕턴스가 감소하게 되면 그 감소량에 대응하는 배기가스의 일부가 상기 내통(40)과 외통(44) 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 통해 진공펌프(2) 측으로 지속적으로 공급되므로 트랩(4) 내의 파우더 포집량 증가에 따른 진공배관(6)의 컨덕턴스 감소로 생산공정 챔버에 영향을 주거나, 트랩(4)이 교체되기 전 원래 진공배 관 내의 컨덕턴스가 낮아진 상태가 장시간 생산공정에 영향을 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있어 진공펌프(2)의 펌핑 능력을 대폭 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장비의 가동률을 대폭 향상시킬 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 것이다. That is, when the waste gas such as toxic, corrosive or flammable gas, which is fatal to the human body, including the chemicals discharged after being used in the semiconductor manufacturing process through the vacuum pump 2 and the scrubber 3, the inner cylinder of the trap 4 ( If the conductance of the inner cylinder 40 and the vacuum pipe 6 decreases while the amount of powder collected in the fresh by-product collecting plates 43 installed in the 40 increases, a portion of the exhaust gas corresponding to the decrease amount is reduced. Since the gas bypass discharge space 45 formed between the 40 and the outer cylinder 44 is continuously supplied to the vacuum pump 2 side, the conductance of the vacuum pipe 6 is reduced according to the increase in the amount of powder collected in the trap (4) It is possible to prevent the impact on the production process chamber or the low conductance in the original vacuum pipe before the trap 4 is replaced, which affects the production process for a long time. Not only can the pumping capacity be greatly improved, but also the equipment utilization rate can be greatly improved, which greatly reduces the production cost of semiconductor manufacturing.

한편, 상기 프로세서 챔버(1)로부터 배출되는 모든 부산물이 진공펌프(2)로 그대로 유입되지 않고 상기 프로세서 챔버(1)에서 배출되어 진공배관(6)을 따라 진공펌프(2) 측으로 이동하던 중 트랩(4)을 통과하며 내통(40)의 내부에 설치되어 있는 갓형 부산물 포집판(43)들에 포집될 때 그 일부는 파우더 형태를 갖지만 또 일부는 액상의 형태를 가질 수 있다.Meanwhile, all by-products discharged from the processor chamber 1 are discharged from the processor chamber 1 without moving into the vacuum pump 2 as they are and are moved to the vacuum pump 2 along the vacuum pipe 6. When it passes through (4) and is collected in the fresh by-product collecting plate 43 installed in the inner cylinder 40, a part thereof may have a powder form, but another part may have a liquid form.

그런데, 상기 내통(40)의 바닥면에 폐가스 배출구(402)만 뚫어 놓은 경우 액상 또는 파우더의 일부가 내,외통(40)(44)의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)(442)를 통해 그대로 진공펌프(2) 측으로 유입되어 진공펌프(2)의 성능을 저하시킬 우려가 있을 뿐만 아니라 심할 경우에는 고장으로 이어질 우려가 있다.However, when only the waste gas outlet 402 is drilled on the bottom surface of the inner cylinder 40, a portion of the liquid or powder is disposed in the waste gas outlets 402 and 442 perforated on the bottom surface of the inner and outer cylinders 40 and 44. Through the vacuum pump (2) intact as it is through not only may reduce the performance of the vacuum pump (2), but in severe cases may lead to failure.

따라서, 본 발명에서는 상기 내통(40)의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)의 상방부로 부산물 입자 유출 방지관(46)을 더 설치하여 줌으로써 내통(40)의 내부로 유입된 부산물 중 액상 또는 파우더 형태를 갖는 부산물이 트랩(4)을 통과한 후 진공배관(6)을 통해 진공펌프(2) 측으로 직접 배출되는 것을 방지할 수 있어 이들로 인해 진공펌프(2)의 성능이 저하되는 것을 미연에 방자할 수 있을 뿐만 아니라 그로 인해 진공펌프(2) 자체가 고장나게 되는 것을 미연에 방지할 수 있게 된다.Therefore, in the present invention, by installing the by-product particle outflow prevention pipe 46 further above the waste gas outlet 402 perforated on the bottom surface of the inner cylinder 40, the liquid phase or It is possible to prevent the by-products having a powder form from being discharged directly to the vacuum pump 2 through the vacuum pipe 6 after passing through the trap (4), thereby degrading the performance of the vacuum pump (2) Not only can it be prevented but also prevents the vacuum pump 2 itself from failing.

또한, 상기 내통(40)의 바닥면에 단순히 폐가스 배출구(402)만 천공해 줄 경우 상기 내통(40)을 통과한 배기가스의 배출속도가 낮아져 내통(40)을 통과한 배출가스가 모두 외통(44)의 폐가스 배출구(442)를 통해 진공배관(6)으로 유입되지 않고 그 일부가 상기 내,외통(40)(44)의 바닥면 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 트랩(4)의 상방부로 역류될 우려가 있다.In addition, when only the waste gas outlet 402 is punctured on the bottom surface of the inner cylinder 40, the discharge speed of the exhaust gas passing through the inner cylinder 40 is lowered, so that all the exhaust gases passing through the inner cylinder 40 are all the outer cylinder ( A portion of the gas bypass discharge space 45 formed between the bottom surfaces of the inner and outer cylinders 40 and 44 without being introduced into the vacuum pipe 6 through the waste gas outlet 442 of the trap 4 There is a risk of flow back to the upper part of the).

따라서, 본 발명에서는 상기 내통(40)의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)의 하방부로는 깔때기 형 노즐(47)을 더 설치하여 줌으로써 상기 내통(40)을 통과한 후 바닥면에 천공된 폐가스 배출구(402)를 통해 진공배관(6)에 연결된 외통(44)의 폐가스 배출구(442) 측으로 배출될 때 폐가스 배출구(402)의 하방부로 돌출되게 설치되어 있는 깔때기 형 노즐(47)에 의해 배출가스의 속도를 증강되므로 상기 내통(40)을 통과한 배기가스가 내,외통(40)(44)의 바닥면 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부(45)를 통해 역류되지 않고 모두 외통(44)의 폐가스 배출구(442)를 통해 진공배관(6)으로 정확히 배출시켜 줄 수 있는 것이다.Therefore, in the present invention, the funnel-type nozzle 47 is further provided as a lower portion of the waste gas outlet 402 perforated on the bottom surface of the inner cylinder 40 and then drilled on the bottom surface after passing through the inner cylinder 40. When discharged to the waste gas discharge port 442 side of the outer cylinder 44 connected to the vacuum pipe 6 through the waste gas discharge port 402 is discharged by a funnel-type nozzle 47 which is installed to protrude to the lower portion of the waste gas discharge port 402. Since the velocity of the gas is increased, the exhaust gas passing through the inner cylinder 40 does not flow back through the gas bypass discharge space 45 formed between the bottom surfaces of the inner and outer cylinders 40 and 44. Through the waste gas outlet 442 of the vacuum pipe (6) will be able to be discharged correctly.

또, 본 발명에서는 상기 외통(44)에 트랩(4) 내의 압력을 표시해 주는 압력계(48)를 더 설치하여 줌으로써 사용자가 상기 압력계(48)를 통해 트랩(4) 내의 압력을 정확히 파악할 수 있을 뿐만 아니라 부산물의 포집 정도를 인식하고 트랩(4)의 교체시기 등을 정확히 파악할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, by further installing a pressure gauge 48 for displaying the pressure in the trap 4 in the outer cylinder 44, the user can accurately grasp the pressure in the trap 4 through the pressure gauge 48. Instead, the degree of collection of by-products can be recognized and the timing of replacement of the trap 4 can be accurately determined.

상술한 실시 예는 본 발명의 가장 바람직한 예에 대하여 설명한 것이지만, 상기 실시 예에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범 위 내에서 다양한 변형이 가능하다는 것은 당업자에게 있어서 명백한 것이다.Although the above-described embodiments have been described with respect to the most preferred embodiments of the present invention, it is not limited to the above embodiments, and it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention.

도 1은 일반적인 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치의 개략 구성도.1 is a schematic configuration diagram of a general residual chemical and by-product collecting device.

도 2는 종래 트랩의 확대 단면도.2 is an enlarged cross-sectional view of a conventional trap.

도 3은 본 발명 장치에서 사용된 트랩의 반 단면 사시도.3 is a half cross-sectional perspective view of a trap used in the device of the present invention.

도 4는 본 발명 장치에서 사용된 트랩의 정 단면도.4 is a cross-sectional view of a trap used in the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 프로세서 챔버 2 : 진공펌프1 processor chamber 2 vacuum pump

3 : 스크러버 4 : 트랩3: scrubber 4: trap

6 : 진공배관 40 : 내통6: vacuum piping 40: inner cylinder

402, 442 : 폐가스 배출구 403, 421 : 지지체402, 442: waste gas outlets 403, 421: support

42 : 폐가스 배기 유도판 43 : 갓형 부산물 포집판42: waste gas exhaust guide plate 43: fresh by-product collection plate

431 : 지지봉 44 : 외통431 support bar 44 outer cylinder

441 : 부산물 유입구 45 : 가스 우회배출 공간부441: by-product inlet 45: gas bypass discharge space

46 : 부산물 입자 유출 방지관 47 : 깔때기 형 노즐46: by-product particle outflow prevention pipe 47: funnel nozzle

48 : 압력계48: pressure gauge

Claims (5)

공정 케미칼을 유입 받아 반도체 전 공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와, 프로세서 챔버로부터 진공배관을 통해 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지시켜 주는 진공펌프 및 진공펌프를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버를 구비한 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서,The process chamber receives the process chemical and actually processes the wafer in the entire semiconductor process, and the vacuum pump and the exhaust of the gas discharged through the vacuum pump, which suck the gas from the processor chamber through the vacuum pipe and maintain the vacuum in the chamber. In the residual chemical and by-product exhaust device generated in the semiconductor manufacturing process having a scrubber to filter or collect the toxic gas that needs to be filtered before, 상기 프로세서 챔버와 진공펌프를 연결시켜 주고 있는 진공배관 상에 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집하되, 그 내부 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 우회로 배출되게 하는 트랩을 설치하되,On the vacuum pipe connecting the processor chamber and the vacuum pump, particles of a certain mass or more contained in the exhaust gas are collected in a powder form. Install a trap to discharge the bypass through the gas bypass discharge space formed in the, 상기 트랩은,The trap is, 상면과 바닥면 중앙부에 각각 진공배관이 연결되는 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 형성된 외통과;An outer passage in which a by-product inlet and a waste gas outlet are formed at the top and bottom centers, respectively, with a vacuum pipe connected thereto; 바닥면 중앙에는 폐가스 배출구가 천공되고 상면은 개방된 상태에서 상기 외통의 내부에서 자체의 바닥면과 외통의 바닥면 사이에서 일정간격을 두고 수직하게 설치되는 수개의 지지체에 의해 외주면 전체와 상기 외통의 내면 사이가 서로 일정간격을 유지하는 가스 우회배출 공간부를 구비하도록 설치되는 내통과;In the state where the waste gas outlet is drilled in the center of the bottom surface and the top surface is open, the entire outer circumference and the outer cylinder of the outer cylinder are formed by several supports installed vertically at regular intervals between the bottom surface of the outer cylinder and the bottom surface of the outer cylinder. An inner passage provided between the inner surfaces to provide a gas bypass discharge space that maintains a predetermined distance from each other; 상기 내통을 통과한 가스가 폐가스 배출구를 통해 원활히 배출될 수 있도록 수개의 지지체를 통해 상기 내통의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되는 폐가스 배기 유도판과;A waste gas exhaust induction plate installed to maintain a predetermined height at the bottom surface of the inner cylinder through several supports so that the gas passing through the inner cylinder can be smoothly discharged through the waste gas outlet; 상기 폐가스 배기 유도판의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치되는 수개의 갓형 부산물 포집판과;A plurality of fresh by-product collecting plates fixedly installed at predetermined intervals on the outer periphery of the support rods installed in the vertical direction at the center of the waste gas exhaust guide plate; 상기 내통의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구의 상방부에 설치되어 내통의 내부로 유입된 부산물 중 액상 또는 파우더 형태를 갖는 부산물이 진공배관을 통해 진공펌프 측으로 직접 배출되지 않도록 하는 부산물 입자 유출 방지관;으로 구성한 것을 특징으로 하는 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.A by-product particle leakage prevention pipe installed at an upper portion of the waste gas outlet perforated on the bottom surface of the inner cylinder to prevent the by-products having a liquid or powder form from the by-products introduced into the inner cylinder from being discharged directly to the vacuum pump through the vacuum pipe; Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process using the particle inertia, characterized in that consisting of. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내통의 바닥면에 천공된 폐가스 배출구의 하방부로는 내통을 통과한 가스가 모두 외통의 폐가스 배출구를 통해 진공배관으로 유입되지 않고 그 일부가 내,외통 의 바닥면 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 역류하는 것을 방지하고 배출가스의 속도를 증강시켜 주는 깔때기 형 노즐을 설치한 것을 특징으로 하는 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.The gas bypass discharge space portion formed between the bottom surface of the inner and outer cylinders is not partially introduced into the vacuum pipe through the waste gas outlet of the outer cylinder to the lower portion of the waste gas outlet bored in the bottom surface of the inner cylinder. A device for collecting residual chemicals and by-products in a semiconductor process using particle inertia, wherein a funnel-type nozzle is installed to prevent backflow and increase the speed of exhaust gas. 공정 케미칼을 유입 받아 반도체 전 공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와, 프로세서 챔버로부터 진공배관을 통해 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지시켜 주는 진공펌프 및 진공펌프를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버를 구비한 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서,The process chamber receives the process chemical and actually processes the wafer in the entire semiconductor process, and the vacuum pump and the exhaust of the gas discharged through the vacuum pump, which suck the gas from the processor chamber through the vacuum pipe and maintain the vacuum in the chamber. In the residual chemical and by-product exhaust device generated in the semiconductor manufacturing process having a scrubber to filter or collect the toxic gas that needs to be filtered before, 상기 프로세서 챔버와 진공펌프를 연결시켜 주고 있는 진공배관 상에 배기가스 내에 포함된 일정 질량이상의 입자들을 파우더 형태로 포집하되, 그 내부 컨덕턴스가 정해진 값 이하로 감소되면 배기가스의 일부가 내,외통 사이에 형성된 가스 우회배출 공간부를 통해 우회로 배출되게 하는 트랩을 설치하되,On the vacuum pipe connecting the processor chamber and the vacuum pump, particles of a certain mass or more contained in the exhaust gas are collected in a powder form, and when the internal conductance is reduced to a predetermined value or less, a part of the exhaust gas is between the inner and outer cylinders. Install a trap to discharge the bypass through the gas bypass discharge space formed in the, 상기 트랩은,The trap is, 상면과 바닥면 중앙부에 각각 진공배관이 연결되는 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 형성된 외통과;An outer passage in which a by-product inlet and a waste gas outlet are formed at the top and bottom centers, respectively, with a vacuum pipe connected thereto; 바닥면 중앙에는 폐가스 배출구가 천공되고 상면은 개방된 상태에서 상기 외통의 내부에서 자체의 바닥면과 외통의 바닥면 사이에서 일정간격을 두고 수직하게 설치되는 수개의 지지체에 의해 외주면 전체와 상기 외통의 내면 사이가 서로 일정간격을 유지하는 가스 우회배출 공간부를 구비하도록 설치되는 내통과;In the state where the waste gas outlet is drilled in the center of the bottom surface and the top surface is open, the entire outer circumference and the outer cylinder of the outer cylinder are formed by several supports installed vertically at regular intervals between the bottom surface of the outer cylinder and the bottom surface of the outer cylinder. An inner passage provided between the inner surfaces to provide a gas bypass discharge space that maintains a predetermined distance from each other; 상기 내통을 통과한 가스가 폐가스 배출구를 통해 원활히 배출될 수 있도록 수개의 지지체를 통해 상기 내통의 바닥면에서 일정 높이를 유지하게 설치되는 폐가스 배기 유도판과;A waste gas exhaust induction plate installed to maintain a predetermined height at the bottom surface of the inner cylinder through several supports so that the gas passing through the inner cylinder can be smoothly discharged through the waste gas outlet; 상기 폐가스 배기 유도판의 중심부에서 수직방향으로 설치되어 있는 지지봉의 외주연에 정해진 간격을 두고 고정 설치되는 수개의 갓형 부산물 포집판과;A plurality of fresh by-product collecting plates fixedly installed at predetermined intervals on the outer periphery of the support rods installed in the vertical direction at the center of the waste gas exhaust guide plate; 상기 외통에 설치되어 트랩 내의 압력을 표시해 주는 압력계;로 구성한 것을 특징으로 하는 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process using particle inertia, characterized in that the pressure gauge is installed in the outer cylinder to display the pressure in the trap.
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