KR102205540B1 - Substrate process apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크를 이용하여 기판에 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160) 및 기판(10)의 얼라인시 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching of a predetermined pattern on a substrate using a mask.
The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the process chamber 100 for forming a sealed processing space (S) and performing substrate processing using a mask 160 and ; A substrate support 140 installed in the process chamber 100 to support the rectangular substrate 10 when the mask 160 and the substrate 10 are aligned; A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 to support the mask 160; An alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align a relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10; Disclosed is a substrate processing apparatus comprising a vibration reducing unit 300 for reducing vibration of at least one of the substrate support 140 and the mask support using magnetic force.

Description

기판처리장치 {Substrate process apparatus} Substrate process apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크를 이용하여 기판에 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching of a predetermined pattern on a substrate using a mask.

비전 얼라인은, 피정렬체의 특정 포인트를 인식하여 피정렬체를 정확한 위치에 얼라인하기 위한 기술로, 반도체 기판처리장치에서 마스크를 기판의 정확한 위치에 정렬시키기 위해 사용된다.Vision alignment is a technique for recognizing a specific point of an object to be aligned and aligning the object to be aligned to an accurate position, and is used in a semiconductor substrate processing apparatus to align a mask to an exact position on a substrate.

한편, LCD(Liquid crystal display), OLED(Organic light emitting diode), 태양전지 및 반도체 등의 기판은, 대형화 되는 추세로 그에 따라 기판처리장치 또한 대형화 되고 있다. 대형화된 기판을 처리하는 기판처리장치는, 마스크를 지지하는 지지대의 크기 역시 대형화된 지지대를 사용할 수밖에 없어 결과적으로 대형화된 마스크지지부재에 외부의 진동이 전달될 경우 지지된 마스크의 위치에 보다 큰 영향을 미치게 된다. 즉, 종래의 기판처리장치는, 마스크지지부재에 전달된 진동의 영향으로 마스크 얼라인을 위한 영상 수집단계에서 마스크의 정확한 위치 좌표를 얻을 수 없고 이에 따라 오정렬을 발생시킬 수 있다는 문제점이 있다.Meanwhile, substrates such as liquid crystal displays (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs), solar cells, and semiconductors are becoming larger, and accordingly, substrate processing apparatuses are also becoming larger. In the substrate processing apparatus that handles large-sized substrates, the size of the support that supports the mask must also use a large-sized support. Goes crazy. That is, in the conventional substrate processing apparatus, there is a problem in that an accurate position coordinate of the mask cannot be obtained in the image collection step for mask alignment due to the effect of vibration transmitted to the mask support member, thereby causing misalignment.

이러한 진동문제는, 기판이 대형화 될수록 얼라인의 정확도에 미치는 영향이 커지므로 정확한 마스크 얼라인을 위해 마스크의 진동을 저감할 수 있는 기술이 요구되고 있다.Such a vibration problem has a greater effect on the accuracy of alignment as the substrate becomes larger, and thus a technology capable of reducing the vibration of the mask for accurate mask alignment is required.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판지지포스트 및 마스크지지부재 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하여 얼라인에 대한 정확도를 크게 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of greatly improving alignment accuracy by reducing vibration of at least one of a substrate support post and a mask support member by using magnetic force in order to solve the above problems. Have.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the process chamber 100 for forming a sealed processing space (S) and performing substrate processing using a mask 160 and ; A substrate support 140 installed in the process chamber 100 to support a rectangular substrate 10; A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 to support the mask 160; An alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align a relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10; Disclosed is a substrate processing apparatus comprising a vibration reducing unit 300 for reducing vibration of at least one of the substrate support 140 and the mask support using magnetic force.

상기 진동저감부(300)는, 상기 공정챔버(100)에 설치된 제1자력작용부재(310)와; 상기 기판지지부(140)에 설치되며, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 위치하여 상기 제1자력자용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 기판지지부(140)의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함할 수 있다.The vibration reducing unit 300 includes a first magnetic force acting member 310 installed in the process chamber 100; It is installed on the substrate support part 140, and is positioned at a point opposite to the first magnetic force acting member 310 when aligned by the alignment part 200, and mutually magnetically acts with the first magnetic force member 310 By this, it may include a second magnetic force acting member 320 for reducing the vibration of the substrate support 140.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 사이에 작용하는 수평방향 자력이 평형을 이루도록 배치될 수 있다.In the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320, the horizontal magnetic force acting between the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is balanced. It can be arranged to achieve.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 기판지지부(140)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 형성될 수 있다.At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be formed along a circumferential direction about a longitudinal axis of the substrate support part 140.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 기판지지부(140)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 등각으로 복수개로 배치될 수 있다.At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be disposed in a plurality of conformal angles along a circumferential direction centered on a longitudinal axis of the substrate support part 140.

상기 기판지지부(140)는, 상기 기판(10)의 가장자리를 지지하는 복수의 지지로드(143)와 연결되며, 상기 공정챔버(100)를 관통하는 하나 이상의 기판지지포스트(141)를 포함하고, 상기 진동저감부(300)는, 상기 기판지지포스트(141) 및 상기 공정챔버(100)의 관통지점에 설치될 수 있다.The substrate support part 140 is connected to a plurality of support rods 143 supporting an edge of the substrate 10 and includes one or more substrate support posts 141 passing through the process chamber 100, The vibration reducing unit 300 may be installed at a penetration point of the substrate support post 141 and the process chamber 100.

상기 진동저감부(300)는, 상기 공정챔버(100)에 설치되는 제1자력작용부재(310)와; 상기 마스크지지부재(170)에 설치되며, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력자용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 마스크지지부의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함할 수 있다.The vibration reducing unit 300 includes a first magnetic force acting member 310 installed in the process chamber 100; A second magnetic force acting member that is installed on the mask support member 170 and reduces vibration of the mask support unit by a mutual magnetic action with the first magnetic force member 310 when aligned by the alignment unit 200 It may include (320).

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 사이에 작용하는 수평방향 자력이 평형을 이루도록 배치될 수 있다.In the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320, the horizontal magnetic force acting between the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is balanced. It can be arranged to achieve.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 마스크지지부재(170)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 형성될 수 있다.At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be formed along a circumferential direction about a longitudinal axis of the mask support member 170.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 마스크지지부재(170)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 등각으로 복수개로 배치될 수 있다.At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be disposed in a plurality of equal angles along a circumferential direction centered on the longitudinal axis of the mask support member 170. .

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 서로 척력이 작용하도록 동일 극성이 서로 향하도록 설치되거나, 서로 인력이 작용하도록 반대 극성이 서로 향하도록 설치될 수 있다.The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be installed so that the same polarity faces each other so that the repulsive force acts on each other, or the opposite polarities face each other so that the attractive force acts. .

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이거나, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 어느 하나는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이고 나머지 하나는, 자력에 인력이 작용하는 재질을 가질 수 있다.The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 may be any one of a permanent magnet and an electromagnet, or among the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 One of the permanent magnets and electromagnets, and the other, may have a material in which attractive force acts on magnetic force.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인시 자력을 발생시키고, 상기 기판지지포스트(141) 및 상기 마스크지지부재(170) 중 적어도 하나의 상하이동시 자력을 발생시키지 않는 전자석을 포함할 수 있다.At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 generates magnetic force during alignment by the alignment unit 200, and the substrate support post 141 and the mask At least one of the support members 170 may include an electromagnet that does not generate magnetic force when moving up and down.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지포스트 및/또는 마스크지지부재의 진동을 자력을 이용하여 저감함으로써, 얼라인시 외부진동에 의한 영향을 최소화하여 얼라인에 대한 정확도를 크게 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention reduces the vibration of the substrate support post and/or the mask support member by using magnetic force, thereby minimizing the influence of external vibration during alignment and greatly improving the accuracy of alignment. There is an advantage.

구체적으로, 상호 자력이 작용하는 제1자력작용부재 및 제2자력작용부재를 각각 공정챔버 및 기판지지부 및/또는 마스크지지부재에 설치하여, 제1자력작용부재 및 제2자력작용부재 사이의 상호 자력작용에 의하여 기판지지부 및/또는 마스크지지부재의 진동을 자력을 이용하여 저감할 수 있게 된다.Specifically, by installing the first magnetic force acting member and the second magnetic force acting member to the process chamber and the substrate support and/or the mask support member, respectively, the mutual magnetic force is applied to the first magnetic force acting member and the second magnetic force acting member. The vibration of the substrate support portion and/or the mask support member can be reduced by using magnetic force by the magnetic force action.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 진동 저감을 위하여 비접촉방식인 자력을 이용함으로써, 별도 부재에 의한 마찰로 인한 파티클 문제를 방지할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage of preventing a particle problem due to friction caused by a separate member by using magnetic force, which is a non-contact method to reduce vibration.

도 1a은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 종단면도이다.
도 1b는, 도 1a의 기판처리장치의 평단면도이다.
도 2a는, 도 1a의 진동저감부를 확대한 확대 단면도이다.
도 2b는, 도 2a에서 B-B'방향 횡단면도이다.
도 3은, 도 1a의 기판처리장치에 설치되는 진동저감부의 다른 예를 보여주는 보여주는 횡단면도이다.1A is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
1B is a plan cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1A.
Fig. 2A is an enlarged cross-sectional view of the vibration reducing unit of Fig. 1A.
Fig. 2B is a cross-sectional view in the direction B-B' in Fig. 2A.
3 is a cross-sectional view showing another example of a vibration reducing unit installed in the substrate processing apparatus of FIG. 1A.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1a 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 for forming a sealed processing space S and performing a substrate treatment using a mask 160 as shown in FIGS. 1A to 3; A substrate support 140 installed in the process chamber 100 to support a rectangular substrate 10; A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 to support the mask 160; And an alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align the relative horizontal positions of the mask 160 and the substrate 10.

여기서 처리대상인 기판(10)은, 마스크(160)를 이용하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판으로서, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판 등 평면형상이 직사각형 형상을 가지는 기판이면 어떠한 기판도 가능하다.Here, the substrate 10 to be processed is a substrate that performs substrate processing such as deposition and etching using the mask 160, and any substrate having a rectangular shape such as an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, and a solar cell manufacturing substrate is used. Any substrate is possible.

그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 마스크(160)를 이용하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 PECVD 공정, 증발증착공정 등 어떠한 공정도 가능하다.In addition, the substrate treatment performed by the substrate treatment apparatus according to the present invention is a PECVD process, evaporation deposition, if a substrate treatment process such as deposition and etching is performed using the mask 160 in the enclosed treatment space S. Any process, such as a process, is possible.

한편 상기 마스크(160)는, 미리 설정된 패턴으로 증착, 식각 등의 기판처리의 수행을 위하여 기판(10)과 밀착되거나 간격을 두고 설치되는 구성으로서, 미리 설정된 패턴의 개구들이 형성되는 등 다양한 구성이 가능하다.Meanwhile, the mask 160 is a configuration that is in close contact with the substrate 10 or is installed at intervals for performing substrate processing such as deposition or etching in a preset pattern, and various configurations such as openings of a preset pattern are formed. It is possible.

여기서 상기 마스크(160)는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 직사각형 기판(10)의 평면형상에 대응되어 평면형상이 직사각형 형상을 가짐이 바람직하다.Here, it is preferable that the mask 160 has a rectangular shape corresponding to the planar shape of the rectangular substrate 10, as shown in FIG. 1B.

또한, 상기 마스크(160)는, 후술하는 복수의 마스크지지부재(170)에 의해 안정적으로 지지되기 위해 후술하는 복수의 마스크지지부재(170)와 대응되는 대응지점에 요홈(161)이 형성될 수 있다. In addition, in order to stably support the mask 160 by a plurality of mask support members 170 to be described later, a concave groove 161 may be formed at corresponding points corresponding to the plurality of mask support members 170 to be described later. have.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is configured to form a closed processing space (S) for processing a substrate, and various configurations are possible.

예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체와, 챔버본체의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체와 함께 밀폐된 처리공간을 형성하는 상부리드를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the process chamber 100 may include a chamber body having an upper opening and an upper lead detachably coupled to the opening of the chamber body to form a sealed processing space with the chamber body. .

그리고 상기 공정챔버(100)는, 측면에 형성된 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(101)가 형성될 수 있다.In addition, the process chamber 100 may have one or more gates 101 for introducing and discharging the substrate 10 formed on the side thereof.

또한 상기 공정챔버(100)는, 수행되는 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판처리의 수행을 위한 처리가스의 공급을 위한 가스공급부(130), 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다. In addition, the process chamber 100 can be configured in various ways according to the type of substrate processing to be performed, a gas supply unit 130 for supplying a processing gas for performing substrate processing, a power supply system for performing substrate processing, An exhaust system for pressure control and exhaust of the processing space S may be connected or installed.

한편 상기 공정챔버(100)는, 공정챔버(100)의 하부에 배치된 지지프레임(110)을 통해 지지되어 클린룸 등의 지면으로부터 미리 설정된 간격을 두고 설치된다.Meanwhile, the process chamber 100 is supported through a support frame 110 disposed under the process chamber 100 and is installed at a predetermined distance from the ground such as a clean room.

상기 지지프레임(110)은, 공정챔버(100)를 지지하여 공정챔버(100)가 클린룸 등의 지면으로부터 이격되어 설치되도록 함으로써, 기판지지부(140)의 상하이동, 후술하는 얼라인부(200) 등 부대설비가 설치될 수 있도록 한다.The support frame 110 supports the process chamber 100 so that the process chamber 100 is installed to be spaced apart from the ground such as a clean room, so that the substrate support part 140 moves up and down, and an alignment part 200 to be described later. So that additional facilities such as can be installed.

상기 지지프레임(110)은, 공정챔버(100)를 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 하나 이상의 프레임부재로 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The support frame 110 may have any configuration as long as it is configured to support the process chamber 100, and various configurations, such as being composed of one or more frame members, are possible.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 일면(121)에서 기판(10)을 지지하기 위한 서셉터(120)가 추가로 설치될 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a susceptor 120 for supporting the substrate 10 on one surface 121.

상기 서셉터(120)는, 기판(10)과 마스크(160)의 얼라인 과정에서 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The susceptor 120 is configured to support the substrate 10 in the process of aligning the substrate 10 and the mask 160, and various configurations are possible.

예로서, 상기 서셉터(120)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160) 및 기판(10)의 얼라인 수행시 직사각형 기판(10)을 지지하는 지지면(121)과 지지면(121)과 연결된 지지대(122)로 구성될 수 있다.For example, the susceptor 120 is installed in the process chamber 100 to support the rectangular substrate 10 when aligning the mask 160 and the substrate 10 as shown in FIG. 1. It may be composed of a support surface 121 and a support base 122 connected to the support surface 121.

상기 기판지지부(140)는, 도 1a에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIG. 1A, the substrate support 140 is installed in the process chamber 100 to support the substrate 10, and various configurations are possible.

예로서, 상기 기판지지부(140)는, 일단에서 기판(10)의 가장자리를 지지하는 복수의 지지로드(143), 지지로드(143)의 타단과 연결된 기판지지포스트(141) 및 기판(10)을 상하강 시키기 위해 지지로드(143) 및 기판지지포스트(141)를 상승 또는 하강시키는 상하구동부(144)로 구성될 수 있다. As an example, the substrate support 140 includes a plurality of support rods 143 supporting the edge of the substrate 10 at one end, a substrate support post 141 and a substrate 10 connected to the other end of the support rod 143 The support rod 143 and the substrate support post 141 may be configured with a vertical driving unit 144 for raising or lowering the support rod 143 and the substrate support post 141.

상기 복수의 지지로드(143)는, 마스크(160) 및 기판(10)의 얼라인시 기판(10)의 가장자리를 지지하며, 기판지지포스트(141)와 연결되어 상하이동될 수 있다.The plurality of support rods 143 support the edge of the substrate 10 when the mask 160 and the substrate 10 are aligned, and may be connected to the substrate support post 141 to move up and down.

상기 기판지지포스트(141)는, 복수의 지지로드(143)와 연결되어 공정챔버(100)에 설치되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support post 141 is connected to a plurality of support rods 143 and installed in the process chamber 100, and various configurations are possible.

예로서, 상기 기판지지포스트(141)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 하측 면을 관통하여 공정챔버(100)에 설치될 수 있다.For example, the substrate support post 141 may be installed in the process chamber 100 by penetrating the lower side of the process chamber 100 as shown in FIG. 1.

상기 상하구동부(144)는, 후술하는 얼라인부(200)의 얼라인 수행 전 또는 후에 기판지지포스트(141)를 상하 구동할 수 있는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 예로서, 상기 상하구동부(144)는, 공정챔버(100)의 저면 및 지지프레임(110)에 의해 형성된 공간에 설치된 구조물에 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The vertical drive unit 144 may be configured to vertically drive the substrate support post 141 before or after alignment of the alignment unit 200 to be described later. For example, the upper and lower driving parts 144 may have various configurations such as being installed on a structure installed in a space formed by the bottom surface of the process chamber 100 and the support frame 110.

상기 공정챔버(100) 저면(기판지지포스트(141)의 설치면)과 상하구동부(144) 사이에는, 기판지지포스트(141)의 승하강 중에도 처리공간(S)을 진공상태로 유지할 수 있도록 벨로우즈(142)가 추가로 설치될 수 있다.Between the bottom surface of the process chamber 100 (the mounting surface of the substrate support post 141) and the upper and lower driving portions 144, the bellows can maintain the processing space S in a vacuum state even while the substrate support post 141 is elevated and lowered. (142) may be additionally installed.

한편 상기 기판지지포스트(141)는, 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하다. Meanwhile, the substrate support post 141 may have various configurations according to the type of substrate treatment.

상기 기판지지포스트(141)재, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 하측 저면에 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 기판지지포스트(141)는, 공정챔버(100)의 하측에 설치되는 실시예 이외에도 공정챔버(100)의 상측에 설치되는 등 다양한 구성이 가능함을 물론이다.The substrate support post 141 material, as shown in FIG. 1, may be installed on the lower bottom of the process chamber 100, but is not limited thereto. That is, it goes without saying that the substrate support post 141 may have various configurations such as being installed on the upper side of the process chamber 100 in addition to the embodiment installed under the process chamber 100.

상기 마스크지지부는, 직사각형 기판(10)의 꼭지점에 대응되어 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The mask support part includes a plurality of mask support members 170 that correspond to the vertices of the rectangular substrate 10 and are installed in the process chamber 100 to support the mask 160 and may be configured in various ways.

여기서 상기 마스크지지부는, 마스크(160)의 지지방식 및 구조에 따라서 다양한 구성이 가능하다.Here, the mask support may have various configurations according to a support method and structure of the mask 160.

상기 마스크지지부재(170)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 하측 저면에 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 마스크지지부재(170)는, 공정챔버(100)의 하측에 설치되는 실시예 이외에도 공정챔버(100)의 상측에 설치되는 등 다양한 구성이 가능함을 물론이다.The mask support member 170 may be installed on the lower surface of the process chamber 100 as shown in FIG. 1, but is not limited thereto. That is, it goes without saying that the mask support member 170 may have various configurations such as being installed on the upper side of the process chamber 100 in addition to the embodiment installed below the process chamber 100.

일예로서, 상기 마스크지지부는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 4개의 꼭지점에 대응되어 직사각형 기판(10)의 꼭지점에 대응되어 4개의 마스크지지부재(170)를 포함할 수 있다.As an example, the mask support unit may include four mask support members 170 corresponding to four vertices of the substrate 10 and corresponding to the vertices of the rectangular substrate 10, as shown in FIG. 1B. .

상기 4개의 마스크지지부재(170) 각각은, 일단에서 마스크(160)를 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. Each of the four mask support members 170 may be configured in various ways by supporting the mask 160 at one end.

예로서, 상기 마스크지지부재(170)는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 일단이 마스크(160)의 저면에 형성된 4개의 요홈(161)와 접하여 마스크(160)을 지지할 수 있는 로드로 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.As an example, the mask support member 170, as shown in FIGS. 1A and 1B, has one end in contact with the four grooves 161 formed on the bottom surface of the mask 160 to support the mask 160 Various configurations are possible, such as being composed of a rod.

또한, 상기 4개의 마스크지지부재(170)는, 각각 타단이 마스크지지부재(170)를 상하방향, 즉 Z축 방향으로 이동시킬 수 있는 상하구동부(174)와 결합될 수 있다.In addition, each of the four mask support members 170 may be coupled to an up-and-down driving unit 174 that can move the mask support member 170 in an up-down direction, that is, in a Z-axis direction.

또한, 상기 4개의 마스크지지부재(170)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 하측 면을 관통하여 공정챔버(100)에 설치될 수 있다.In addition, the four mask support members 170 may be installed in the process chamber 100 by penetrating the lower surface of the process chamber 100 as shown in FIG. 1.

상기 상하구동부(174)는, 마스크지지부재(170)를 상하 구동할 수 있는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 예로서, 상기 상하구동부(174)는, 공정챔버(100)의 저면 및 지지프레임(110)에 의해 형성된 공간에 설치된 구조물에 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The vertical driving unit 174 may be configured to vertically drive the mask support member 170 and may have various configurations. For example, the vertical drive unit 174 may have various configurations such as being installed on a structure installed in a space formed by the bottom surface of the process chamber 100 and the support frame 110.

상기 공정챔버(100) 하측 면과(마스크지지부재(170)의 설치면) 상하구동부(174) 사이에는, 마스크지지부재(170)의 승하강 중에도 처리공간(S)이 진공상태로 유지할 수 있도록 벨로우즈(172)가 설치될 수 있다.Between the lower surface of the process chamber 100 (the installation surface of the mask support member 170) and the upper and lower driving parts 174, the processing space S can be maintained in a vacuum state even during the elevating and descending of the mask support member 170. Bellows 172 may be installed.

상기 얼라인부(200)는, 기판지지부(140) 및 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 마스크(160) 및 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 구성으로서, 얼라인방식 및 설치위치에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The alignment unit 200 is a configuration that is coupled to any one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align the relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10, depending on the alignment method and the installation position. Various configurations are possible.

일 예로서, 상기 얼라인부(200)는, 4개의 마스크지지부재(170) 중 적어도 2개 이상, 보다 바람직하게는 서로 대각선 방향에 위치된 2개의 마스크지지부재(170)에 결합되어 마스크(160) 및 기판(10)의 상대수평위치를 얼라인하도록 구성될 수 있다.As an example, the alignment part 200 is coupled to at least two or more of the four mask support members 170, more preferably, two mask support members 170 positioned diagonally to each other, and the mask 160 ) And the relative horizontal position of the substrate 10 may be configured to be aligned.

한편, 상기 기판처리장치는, 도 1a 내지 도 1b에 도시된 바와 같이, 얼라인부(200)에 의한 얼라인을 수행하기 위하여 마스크(160) 및 기판(10) 사이의 상대 위치를 획득할 수 있는 카메라부(190)를 포함할 수 있다. On the other hand, the substrate processing apparatus, as shown in FIGS. 1A to 1B, is capable of obtaining a relative position between the mask 160 and the substrate 10 in order to perform alignment by the alignment unit 200. A camera unit 190 may be included.

그리고 상기 카메라부(190)는, 마스크(160)에 표시된 얼라인 마크(미도시)에 대한 영상을 수집하여 얼라인을 위한 위치좌표를 획득하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.In addition, the camera unit 190 may be configured in various ways by collecting an image of an alignment mark (not shown) displayed on the mask 160 to obtain position coordinates for alignment.

이때, 종래 기판처리장치는, 얼라인을 위한 영상 수집단계에서 기판지지부(140) 또는 마스크지지부의 진동으로 인해 얼라인을 위한 위치좌표에 오차를 발생시켜 결과적으로 마스크(160) 및 기판(10)의 상대 수평위치에 미스 얼라인을 발생시킬 수 있다.At this time, the conventional substrate processing apparatus generates an error in the position coordinates for alignment due to vibration of the substrate support unit 140 or the mask support unit in the image collection step for alignment, and as a result, the mask 160 and the substrate 10 Mis-alignment may occur in the relative horizontal position of.

특히 기판처리공정이 정밀화되면서 미세진동에 의한 측정오차는, 기판처리의 불량의 원인으로서 작용할 수 있다.In particular, as the substrate processing process becomes more precise, measurement errors caused by microscopic vibrations may act as a cause of defects in substrate processing.

양호한 기판처리의 수행을 위해서는 공정챔버(100)에 가해지는 외부진동이 기판지지부(140) 및 마스크지지부 중 적어도 하나에 전달되는 것을 최소화할 필요가 있다.In order to perform satisfactory substrate processing, it is necessary to minimize the transmission of external vibration applied to the process chamber 100 to at least one of the substrate support 140 and the mask support.

이에, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100)에 가해지는 외부진동이 기판지지부(140) 및 마스크지지부 중 적어도 하나에 전달되는 것을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 추가로 포함한다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a vibration reduction unit 300 that reduces the external vibration applied to the process chamber 100 to at least one of the substrate support unit 140 and the mask support unit by using magnetic force. Includes additionally.

상기 진동저감부(300)는, 공정챔버(100)의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The vibration reducing unit 300 is configured to reduce the vibration of the process chamber 100 by using magnetic force, and various configurations are possible.

그리고, 상기 진동저감부(300)는, 기판지지부(140) 및 마스크지지부 중 어느 하나에 설치될 수 있으며, 기판지지부(140) 및 마스크지지부 중 어느 하나에 설치되는 것이 바람직하며, 기판지지부(140) 및 마스크지지부 모두에 설치되는 것이 보다 바람직하다.In addition, the vibration reducing unit 300 may be installed on any one of the substrate support unit 140 and the mask support unit, and is preferably installed at any one of the substrate support unit 140 and the mask support unit, and the substrate support unit 140 ) And it is more preferable to be installed on both the mask support.

또한, 상기 진동저감부(300)는, 서셉터(120)와 상하구동부(144, 174) 사이에 위치하는 지점에 설치되는 것이 바람직 하며, 그 중에서도 상기 기판지지부(140)의 기판지지포스트(141) 및 마스크지지부의 마스크지지부재(170)에 의해 공정챔버(100)가 관통된 지점에 설치되는 것이 보다 바람직하다.In addition, the vibration reducing unit 300 is preferably installed at a point located between the susceptor 120 and the upper and lower driving units 144 and 174, and among them, the substrate support post 141 of the substrate support unit 140 ) And the mask support member 170 of the mask support portion is more preferably installed at a point through which the process chamber 100 passes.

상기 진동저감부(300)가 기판지지부(140)에 설치된 예로서, 상기 진동저감부(300)는, 상기 기판지지포스트(141)가 설치된 상기 공정챔버(100)의 일면에 설치되는 제1자력작용부재(310)와; 상기 기판지지포스트(141)에 설치되며, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 위치하여 상기 제1자력자용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 기판지지부(140)의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함할 수 있다.As an example in which the vibration reduction unit 300 is installed on the substrate support unit 140, the vibration reduction unit 300 includes a first magnetic force installed on one surface of the process chamber 100 in which the substrate support post 141 is installed. An action member 310; It is installed on the substrate support post 141, and is positioned at a point opposite to the first magnetic force acting member 310 when aligned by the alignment unit 200 to mutually magnetic force with the first magnetic force member 310 It may include a second magnetic force acting member 320 for reducing the vibration of the substrate support 140 by the action.

상기 진동저감부(300)가 마스크지지부에 설치된 예로서, 진동저감부(300)는, 마스크지지부재(170)의 마스크(160)를 지지하는 끝단 및 공정챔버(100)의 내측면 사이에 위치된 자력작용영역에 대응되어 공정챔버(100)에 설치되는 제1자력작용부재(310)와; 마스크지지부재(170) 중 자력작용영역에 설치되어 제1자력작용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 외부진동이 마스크지지부재(170)에 전달되는 것을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함할 수 있다.As an example in which the vibration reducing unit 300 is installed on the mask supporting unit, the vibration reducing unit 300 is located between the end of the mask supporting member 170 supporting the mask 160 and the inner surface of the process chamber 100 A first magnetic force acting member 310 installed in the process chamber 100 corresponding to the magnetic force acting region; A second magnetic force acting member 320 installed in the magnetic force acting region of the mask support member 170 to reduce the transmission of external vibrations to the mask support member 170 by mutual magnetic force action with the first magnetic force acting member 310 It may include.

상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 인력, 척력 등 상호 자력작용에 의하여 외부진동이 기판지지부(140) 또는 마스크지지부에 전달되는 것을 방지하는 구성으로서, 상호 자력이 작용하도록 하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 are configured to prevent external vibration from being transmitted to the substrate support unit 140 or the mask support unit by mutual magnetic action such as attractive force and repulsive force, Any configuration is possible as long as the configuration allows mutual magnetic forces to act.

한편, 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320)는, 자력작용 구조에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.On the other hand, the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 can be various embodiments according to the magnetic force acting structure.

일 실시예로서, 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320)는, 서로 척력이 작용하도록 동일 극성이 서로 향하도록 설치되거나, 서로 인력이 작용하도록 반대 극성이 서로 향하도록 설치될 수 있다.In one embodiment, the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 are installed so that the same polarities are directed to each other so that repulsive forces act on each other, or opposite polarities are directed to each other so that attractive force acts. Can be installed.

다른 실시예로서, 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320)는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이거나, 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320) 중 어느 하나는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이고 나머지 하나는, 자력에 인력이 작용하는 재질을 가질 수 있다.In another embodiment, the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 are any one of a permanent magnet and an electromagnet, or the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 ) Any one of, one of a permanent magnet and an electromagnet, and the other one may have a material in which attractive force acts on magnetic force.

여기서, 자력에 인력이 작용하는 재질은, 철 등 자력에 인력이 작용하는 금속재질이 사용될 수 있다.Here, as a material in which attractive force acts on magnetic force, a metal material in which attractive force acts on magnetic force such as iron may be used.

한편, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나가 전자석을 포함할 때, 전자석은, 자력작용영역, 예로서 마스크지지부재(170)이 상하이동이 원활하도록, 얼라인부(200)에 의한 얼라인시 자력을 발생시키고 얼라인 전 또는 후 기판지지포스트(141) 및 마스크지지부재(170) 중 적어도 하나의 상하이동시 자력을 발생시키지 않도록 제어될 수 있다.On the other hand, when at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 includes an electromagnet, the electromagnet is a magnetic force acting region, for example, the mask support member 170 moves smoothly. Thus, it may be controlled so that magnetic force is generated during alignment by the alignment unit 200 and does not generate magnetic force when at least one of the substrate support post 141 and the mask support member 170 is moved up or down before or after alignment.

즉, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나가 전자석을 포함할 때, 전자석이 얼라인부(200)에 의한 얼라인시 자력을 발생시키고 얼라인 전 또는 후 자력을 발생시키지 않도록 제어되면, 기판지지부(140)(또는 마스크지지부재(170))의 상하이동시 자력에 의한 힘이 가해지지 않아 기판지지부(140)(또는 마스크지지부재(170))는 외력에 의한 장애없이 상하이동될 수 있다.That is, when at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 includes an electromagnet, the electromagnet generates magnetic force when aligned by the alignment unit 200 and before alignment. Alternatively, if it is controlled not to generate a magnetic force afterwards, the substrate support 140 (or the mask support member 170) is not applied when the force by the magnetic force is applied when the substrate support 140 (or the mask support member 170) moves up and down. It can be moved upside down without obstacles caused by external force.

이때, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 사이에 작용하는 자력이 평형을 이루도록 배치될 수 있다.At this time, the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320, the magnetic force acting between the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is balanced. It can be arranged to achieve.

예로서, 상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 상기 기판지지포스트(141) 및 상기 마스크지지부재(170) 중 적어도 하나의 길이방향 축을 중심으로 원주방향을 따라 형성될 수 있다.For example, at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is centered on a longitudinal axis of at least one of the substrate support post 141 and the mask support member 170 It can be formed along the circumferential direction.

또 다른 예로서, 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판지지포스트(141) 및 마스크지지부재(170) 중 적어도 하나의 길이방향 축을 중심으로 원주방향을 따라 등각으로 복수개로 배치될 수 있다.As another example, at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is, as shown in FIGS. 2B and 3, the substrate support post 141 and the mask support member It may be arranged in a plurality of equal angles along the circumferential direction about at least one longitudinal axis of the 170.

상기 진동저감부(300)가 기판지지부(140)에 설치된 경우, 상기와 같이 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나가 기판지지포스트(141)의 길이방향 축을 중심으로 원주방향을 따라서 등각으로 복수개로 배치되면, 기판지지포스트(141)를 중심으로 한 자력 평형이 이루어져 상호 자력 작용이 보다 안정적으로 이루어질 수 있다.When the vibration reducing unit 300 is installed on the substrate support unit 140, at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is the length of the substrate support post 141 as described above. When a plurality of are arranged at an equal angle along the circumferential direction about the directional axis, magnetic force balance is established around the substrate support post 141 so that mutual magnetic force action can be made more stably.

마찬가지로, 상기 진동저감부(300)가 마스크지지부에 설치된 경우, 상기와 같이 상기 제1자력작용부재(310) 및 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나가 마스크지지부재(170)의 길이방향 축을 중심으로 원주방향을 따라서 등각으로 복수개로 배치되면, 마스크지지부재(170)를 중심으로 한 자력 평형이 이루어져 상호 자력 작용이 보다 안정적으로 이루어질 수 있다.Likewise, when the vibration reducing unit 300 is installed on the mask support, at least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is in the longitudinal direction of the mask support member 170 as described above. When a plurality of equiangular arrangements are made along the circumferential direction about the axis, magnetic force balance is achieved around the mask support member 170 so that mutual magnetic force action can be made more stably.

먼저, 상기 제1자력작용부재(310)는, 상기 기판지지포스트(141)가 설치된 상기 공정챔버(100)의 일면(또는, 상기 마스크지지부재(170)가 설치된 공정챔버(100)의 일면)에 설치되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.First, the first magnetic force acting member 310 is one surface of the process chamber 100 in which the substrate support post 141 is installed (or one surface of the process chamber 100 in which the mask support member 170 is installed) Various configurations are possible as a configuration installed in the.

예로서, 상기 제1자력작용부재(310)는, 상기 기판지지포스트(141)가 설치된 상기 공정챔버(100)의 일면(또는, 상기 마스크지지부재(170)가 설치된 공정챔버(100)의 일면)에 형성된 요홈에 삽입되어 설치될 수 있다.As an example, the first magnetic force acting member 310 is one surface of the process chamber 100 in which the substrate support post 141 is installed (or one surface of the process chamber 100 in which the mask support member 170 is installed) It can be installed by being inserted into the groove formed in ).

그리고, 상기 제1자력작용부재(310)는, 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))와 기판지지부(140)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향에 수직한 반경방향으로 이격 배치될 수 있다.In addition, the first magnetic force acting member 310 has a radius perpendicular to the longitudinal direction of the substrate support post 141 (or mask support member 170) and the substrate support portion 140 (or mask support member 170) Can be arranged spaced apart in any direction.

보다 구체적으로, 상기 제1자력작용부재(310)는, 제2자력작용부재(320)로부터 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향에 수직한 반경방향으로 미리 설정된 거리만큼 이격되고 중심부가 생략된 원호형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. More specifically, the first magnetic force acting member 310 is preset in a radial direction perpendicular to the longitudinal direction of the substrate support post 141 (or mask support member 170) from the second magnetic force acting member 320 It may be formed in an arc shape that is spaced apart by a distance and the center portion is omitted, but is not limited thereto.

다른 예로서, 상기 제1자력작용부재(310)는, 도면에 도시되지는 않았으나, 제1자력작용부재(310)로부터 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향에 수직한 반경방향으로 미리 설정된 거리만큼 이격되고 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향 중심축을 중심으로 하는 링 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1자력작용부재(310)는, 배치중심이 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향 중심축과 일치하도록 형성됨이 바람직하다.As another example, the first magnetic force acting member 310, although not shown in the drawing, is in the longitudinal direction of the substrate support post 141 (or mask support member 170) from the first magnetic force acting member 310 It is spaced apart by a predetermined distance in the vertical radial direction and may be formed in a ring shape centered on a longitudinal central axis of the substrate support post 141 (or mask support member 170). In this case, the first magnetic force acting member 310 is preferably formed such that the center of the arrangement coincides with the center axis in the longitudinal direction of the substrate support post 141 (or the mask support member 170).

다음으로, 상기 제2자력작용부재(320)는, 상기 기판지지포스트(141)(또는 마스크지지부재(170))에 설치되며, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 위치하여 상기 제1자력자용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 기판지지부(140)(또는 마스크지지부)의 진동을 저감하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.Next, the second magnetic force action member 320 is installed on the substrate support post 141 (or the mask support member 170), and the first magnetic force action when aligned by the alignment unit 200 Various configurations are possible as a configuration that is located at a point opposite to the member 310 and reduces the vibration of the substrate support part 140 (or the mask support part) by mutual magnetic action with the first magnetic force member 310.

예로서, 상기 제2자력작용부재(310)는, 상기 기판지지포스트(141)(또는, 상기 마스크지지부재(170)의 외주면에 형성된 요홈에 삽입되어 설치될 수 있다.For example, the second magnetic force acting member 310 may be installed by being inserted into a groove formed on the outer peripheral surface of the substrate support post 141 (or the mask support member 170).

이때, 상기 제2자력작용부재(320)의 수평단면은, 기판지지부(140)(또는 마스크지지부재(170))의 길이방향 중심축과 동심을 가지는 원호 또는 링 형상으로 형성될 수 있다.In this case, the horizontal cross-section of the second magnetic force acting member 320 may be formed in an arc or ring shape concentric with the longitudinal central axis of the substrate support 140 (or mask support member 170).

다른 예로서, 상기 제2자력작용부재(320)는, 상기 기판지지포스트(141)(또는, 상기 마스크지지부재(170)의 외주면 둘레에 배치될 수 있다.As another example, the second magnetic force acting member 320 may be disposed around the outer circumferential surface of the substrate supporting post 141 (or the mask supporting member 170 ).

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

10 : 기판 100: 공정챔버
120: 서셉터 140: 기판지지부
160: 마스크 170: 마스크지지부재
190: 비전카메라 200: 얼라인부
300: 진동저감부 310: 제1자력작용부재
320: 제2자력작용부재 10: substrate 100: process chamber
120: susceptor 140: substrate support
160: mask 170: mask support member
190: vision camera 200: alignment unit
300: vibration reducing unit 310: first magnetic force acting member
320: second magnetic force acting member

Claims (13)

밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 포함하며,
상기 진동저감부(300)는,
상기 공정챔버(100)에 고정설치된 제1자력작용부재(310)와; 상기 기판지지부(140) 중 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 설치되며, 상기 제1자력작용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 기판지지부(140)의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber 100 for forming an enclosed processing space S and performing substrate processing using the mask 160;
A substrate support part 140 installed in the process chamber 100 so as to be able to move up and down to support the rectangular substrate 10;
A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 so as to be movable upwardly to support the mask 160;
An alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align a relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10;
And a vibration reducing unit 300 for reducing vibration of at least one of the substrate support 140 and the mask support using magnetic force,
The vibration reducing unit 300,
A first magnetic force acting member 310 fixedly installed in the process chamber 100; It is installed at a point of the substrate support part 140 facing the first magnetic force acting member 310 during alignment by the alignment part 200, and by mutual magnetic force action with the first magnetic force acting member 310 And a second magnetic force acting member (320) for reducing vibration of the substrate support part (140). 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 사이에 작용하는 수평방향 자력이 평형을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
And the horizontal magnetic force acting between the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is arranged to be balanced. 청구항 1 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는,
상기 기판지지부(140)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is formed along a circumferential direction about a longitudinal axis of the substrate support part 140. 청구항 1에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는,
상기 기판지지부(140)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 등각으로 복수개로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
A substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of the substrate support portions (140) are disposed at an equal angle along a circumferential direction about a longitudinal axis of the substrate support (140). 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판지지부(140)는,
상기 기판(10)을 지지하는 복수의 지지로드(143)와 연결되며, 상기 공정챔버(100)를 관통하는 하나 이상의 기판지지포스트(141)를 포함하고,
상기 진동저감부(300)는,
상기 기판지지포스트(141) 및 상기 공정챔버(100)의 관통지점에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5,
The substrate support 140,
It is connected to a plurality of support rods 143 supporting the substrate 10, and includes one or more substrate support posts 141 passing through the process chamber 100,
The vibration reducing unit 300,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is installed at a penetration point of the substrate support post (141) and the process chamber (100). 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 포함하며,
상기 진동저감부(300)는,
상기 공정챔버(100)에 설치되는 제1자력작용부재(310)와;
상기 마스크지지부재(170) 중 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 설치되며, 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인시 상기 제1자력작용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 마스크지지부재(170)의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber 100 for forming an enclosed processing space S and performing substrate processing using the mask 160;
A substrate support part 140 installed in the process chamber 100 so as to be able to move up and down to support the rectangular substrate 10;
A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 so as to be movable upwardly to support the mask 160;
An alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align a relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10;
And a vibration reducing unit 300 for reducing vibration of at least one of the substrate support 140 and the mask support using magnetic force,
The vibration reducing unit 300,
A first magnetic force acting member 310 installed in the process chamber 100;
It is installed at a point of the mask support member 170 that faces the first magnetic force acting member 310 when aligned by the alignment unit 200, and when aligned by the alignment unit 200, the first A substrate processing apparatus comprising a second magnetic force acting member (320) for reducing vibration of the mask support member (170) by a magnetic force action with the magnetic force acting member (310). 청구항 7에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 사이에 작용하는 수평방향 자력이 평형을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7,
The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
And the horizontal magnetic force acting between the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is arranged to be balanced. 청구항 7에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는,
상기 마스크지지부재(170)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7,
At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is formed along a circumferential direction about a longitudinal axis of the mask support member (170). 청구항 7에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는,
상기 마스크지지부재(170)의 길이방향 축을 중심으로 한 원주방향을 따라 등각으로 복수개로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7,
At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
A substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of the mask support members (170) are arranged at an equal angle along a circumferential direction about a longitudinal axis of the mask support member (170). 청구항 3 내지 청구항 5 및 청구항 7 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는,
서로 척력이 작용하도록 동일 극성이 서로 향하도록 설치되거나, 서로 인력이 작용하도록 반대 극성이 서로 향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 3 to 5 and 7 to 10,
The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
A substrate processing apparatus, characterized in that the same polarities are installed to face each other so that repulsive forces act on each other, or opposite polarities are installed to face each other so that attractive force acts on each other. 청구항 3 내지 청구항 5 및 청구항 7 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320)는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이거나,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 어느 하나는, 영구자석 및 전자석 중 어느 하나이고 나머지 하나는, 자력에 인력이 작용하는 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 3 to 5 and 7 to 10,
The first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 are any one of a permanent magnet and an electromagnet,
Any one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320 is one of a permanent magnet and an electromagnet, and the other is made of a material for which attractive force acts on magnetic force. Processing device. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(160)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(140)와;
상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되어 마스크(160)를 지지하는 복수의 마스크지지부재(170)를 포함하는 마스크지지부와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 어느 하나에 결합되어 상기 마스크(160) 및 상기 기판(10)의 상대 수평위치를 얼라인하는 얼라인부(200)와;
상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 자력을 이용하여 저감하는 진동저감부(300)를 포함하며,
상기 진동저감부(300)는, 상기 공정챔버(100)에 고정설치된 제1자력작용부재(310)와; 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인 시 상기 제1자력작용부재(310)와 대향하는 지점에 설치되며, 상기 제1자력작용부재(310)와의 상호 자력작용에 의하여 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 진동을 저감하는 제2자력작용부재(320)를 포함하며,
상기 제1자력작용부재(310) 및 상기 제2자력작용부재(320) 중 적어도 하나는,
상기 얼라인부(200)에 의한 얼라인시 자력을 발생시키고, 상기 기판지지부(140) 및 상기 마스크지지부 중 적어도 하나의 상하이동시 자력을 발생시키지 않는 전자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber 100 for forming an enclosed processing space S and performing substrate processing using the mask 160;
A substrate support part 140 installed in the process chamber 100 so as to be able to move up and down to support the rectangular substrate 10;
A mask support part including a plurality of mask support members 170 installed in the process chamber 100 so as to be movable upwardly to support the mask 160;
An alignment unit 200 coupled to one of the substrate support unit 140 and the mask support unit to align a relative horizontal position of the mask 160 and the substrate 10;
And a vibration reducing unit 300 for reducing vibration of at least one of the substrate support 140 and the mask support using magnetic force,
The vibration reducing unit 300 includes a first magnetic force acting member 310 fixedly installed in the process chamber 100; It is installed at a point facing the first magnetic force acting member 310 during alignment by the alignment unit 200 of the substrate support unit 140 and the mask support unit, and mutually with the first magnetic force acting member 310 And a second magnetic force acting member 320 for reducing vibration of at least one of the substrate support portion 140 and the mask support portion by magnetic force action,
At least one of the first magnetic force acting member 310 and the second magnetic force acting member 320,
And an electromagnet that generates magnetic force when aligned by the alignment unit 200, and does not generate magnetic force when at least one of the substrate support unit 140 and the mask support unit moves upward.
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