JP2020111821A - Film deposition apparatus, apparatus for manufacturing electronic device, film deposition method, and method for manufacturing electronic device - Google Patents

Film deposition apparatus, apparatus for manufacturing electronic device, film deposition method, and method for manufacturing electronic device Download PDF

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Abstract

To provide a technique for improving the precision of positioning between a substrate and a mask while reducing contamination of particles or lubricant.SOLUTION: A film deposition apparatus for depositing a film deposition material onto a substrate via a mask, includes a vacuum vessel, substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting the substrate, mask support means provided within the vacuum vessel for supporting the mask, magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel and capable of positioning the substrate support means in a rotation direction including, as centers, a first direction parallel to a support face made by substrate support means, a second direction intersecting with the first direction and parallel to the support face in the substrate support means, and a third direction intersecting with both of the first direction and the second direction, and a film deposition source provided within the vacuum vessel and storing a film deposition material for making particles of the film deposition material and discharging them.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus, an electronic device manufacturing apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.

有機EL表示装置(有機ELディスプレイ)は、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイだけでなく、VR−HMD(Virtual Reality Head Mount Display)などにその応用分野が広がっており、特に、VR−HMDに用いられるディスプレイは、ユーザーのめまいを低減するために画素パターンを高精度で形成することが求められる。 The organic EL display device (organic EL display) is used not only for smartphones, televisions, and automobile displays, but also for VR-HMD (Virtual Reality Head Mount Display) and the like, and its application field is expanding. In particular, it is used for VR-HMD. The display is required to form a pixel pattern with high accuracy in order to reduce dizziness of the user.

有機EL表示装置の製造においては、有機EL表示装置を構成する有機発光素子(有機EL素子:OLED)を形成する際に、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。 In the manufacture of an organic EL display device, when forming an organic light emitting element (organic EL element: OLED) that constitutes the organic EL display device, a film forming material released from a film forming source of a film forming device is used as a pixel pattern. The organic material layer and the metal layer are formed by forming a film on the substrate through the mask on which the film is formed.

このような成膜装置においては、成膜精度を高めるために、成膜工程の前に、基板とマスクの相対位置を測定し、相対位置がずれている場合には、基板および/またはマスクを相対的に移動させて位置を調整(アライメント)する。 In such a film forming apparatus, in order to improve the film forming accuracy, the relative position between the substrate and the mask is measured before the film forming step, and if the relative position is deviated, the substrate and/or the mask is moved. The position is adjusted (aligned) by moving it relatively.

このため、従来の成膜装置は、基板支持ユニットおよび/またはマスク支持ユニットに連結されたアライメントステージ機構を含む。アライメントステージ機構は、複数のモータ(例えば、2つのX方向のモータ及び1つのY方向のモータ)と、これらのモータからの回転駆動力を直線駆動力に変換してアライメントステージに伝達するボールねじ、リニアガイド等とを含む。 Therefore, the conventional film forming apparatus includes an alignment stage mechanism connected to the substrate supporting unit and/or the mask supporting unit. The alignment stage mechanism includes a plurality of motors (for example, two X-direction motors and one Y-direction motor), and a ball screw that converts the rotational driving force from these motors into a linear driving force and transmits the linear driving force to the alignment stage. , Linear guides, etc.

特開2012−72478号公報JP 2012-72478 A

このように、従来の成膜装置では、アライメントステージ機構として、機械的な動力源と動力変換手段が用いられており、アライメントステージの位置決めの精度をさらに高めることが容易ではなかった。 As described above, in the conventional film forming apparatus, the mechanical power source and the power converting means are used as the alignment stage mechanism, and it is not easy to further improve the positioning accuracy of the alignment stage.

また、従来のアライメントステージ機構は、機械的な動力源と動力変換手段からのパーティクルや潤滑剤による汚染を低減するために、成膜装置の真空容器の外側(大気側)に設置されるが、これによって、アライメントステージと基板支持ユニット/マスク支持ユニットとの間の距離が長くなり、アライメントステージの機械的駆動時の揺動が基板支持ユニット/マスク支持ユニットに増幅して伝わり、アライメント精度が低下していた。 Further, the conventional alignment stage mechanism is installed outside (atmosphere side) of the vacuum container of the film forming apparatus in order to reduce contamination by particles and lubricant from a mechanical power source and power conversion means. As a result, the distance between the alignment stage and the substrate support unit/mask support unit becomes longer, and the oscillation during mechanical driving of the alignment stage is amplified and transmitted to the substrate support unit/mask support unit, which lowers the alignment accuracy. Was.

本発明は、パーティクルや潤滑剤による汚染を低減しつつ、基板とマスクとの間の位置調整の精度をさらに改善するための技術を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a technique for further improving the accuracy of position adjustment between a substrate and a mask while reducing contamination by particles and lubricant.

本発明の第1態様による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含むことを特徴とする。 A film forming apparatus according to a first aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate through a mask, and is provided in a vacuum container and the vacuum container, and supports the substrate. Substrate supporting means for supporting the mask, the mask supporting unit for supporting the mask provided in the vacuum container, the first direction provided in the vacuum container and parallel to the supporting surface by the substrate supporting means, A rotation direction centered on a second direction which intersects the first direction and is parallel to the supporting surface of the substrate supporting means, and a third direction which intersects both the first direction and the second direction. And a magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting the position of the substrate supporting means, and a film forming source provided in the vacuum container for accommodating a film forming material and for atomizing and releasing the film forming material. And are included.

本発明の第2態様による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、前記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含むことを特徴とする。 A film forming apparatus according to a second aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate through a mask, and is provided in a vacuum container and the vacuum container, and supports the substrate. Substrate supporting means for supporting the mask, the mask supporting means for supporting the mask in the vacuum container, the first direction provided in the vacuum container and parallel to the supporting surface by the mask supporting means, A rotation direction centered on a second direction which intersects the first direction and is parallel to the supporting surface of the substrate supporting means, and a third direction which intersects both the first direction and the second direction. And a magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting the position of the mask supporting means, and a film forming source provided in the vacuum container for accommodating a film forming material and for atomizing and releasing the film forming material. And are included.

本発明の第3態様による電子デバイスの製造装置は、本発明の第1態様による成膜装置と、マスクを収納するためのマスクストック装置と、基板又はマスクを搬送するための搬送装置とを含むことを特徴とする。 An electronic device manufacturing apparatus according to a third aspect of the present invention includes a film forming apparatus according to the first aspect of the present invention, a mask stock apparatus for accommodating a mask, and a transfer apparatus for transferring a substrate or a mask. It is characterized by

本発明の第4態様による成膜方法は、基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、マスクを成膜装置の真空容器内に搬入する段階と、基板を前記真空容器内に搬入する段階と、前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持する段階と、前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動させることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整する段階と、前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させる段階と、前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜する段階と、を含むことを特徴とする。 A film forming method according to a fourth aspect of the present invention is a film forming method for forming a film forming material on a substrate through a mask, wherein the mask is carried into a vacuum container of a film forming apparatus. Bringing the substrate into the vacuum container, supporting the substrate by the substrate supporting device in the vacuum container, and moving the substrate supporting device by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum container. Thus, the step of adjusting the relative position of the substrate and the mask, the step of bringing the mask into close contact with the film-forming surface of the substrate, and the film-forming material that has been granulated by the film-forming source in the vacuum container. Is formed on the substrate through the mask.

本発明の第5態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第3態様による成膜方法を使用して電子デバイスを製造することを特徴とする。 A method of manufacturing an electronic device according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the third aspect of the present invention.

本発明によれば、パーティクルや潤滑剤による汚染を低減しつつ、基板とマスクとの間の位置調整の精度をさらに改善するための技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique for further improving the accuracy of the position adjustment between the substrate and the mask while reducing the contamination by particles and lubricant.

図1は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of a part of an electronic device manufacturing apparatus. 図2は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. 図3Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式平面図である。FIG. 3A is a schematic plan view of a magnetic levitation stage mechanism according to an embodiment of the present invention. 図3Bは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、位置測定手段を説明する。FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the magnetic levitation stage mechanism according to the embodiment of the present invention, which illustrates the position measuring means. 図3Cは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、原点位置決め手段を説明する。FIG. 3C is a schematic cross-sectional view of the magnetic levitation stage mechanism according to the embodiment of the present invention, and illustrates the origin positioning means. 図3Dは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、自重補償手段を説明する。FIG. 3D is a schematic cross-sectional view of the magnetic levitation stage mechanism according to the embodiment of the present invention, which explains the self-weight compensation means. 図4Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。FIG. 4A is a schematic diagram showing the structure of a magnetic levitation linear motor according to an embodiment of the present invention. 図4Bは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。FIG. 4B is a schematic view showing the structure of the magnetic levitation linear motor according to the embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態による自重補償手段の構造を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of the weight compensation means according to an embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態による成膜方法により製造される電子デバイスを示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing an electronic device manufactured by the film forming method according to the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の一実施形態によるアライメント及び成膜工程を説明するフロー図である。FIG. 7 is a flow diagram illustrating an alignment and film forming process according to an embodiment of the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に表すものであり、本発明の範囲は、これらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に限定的な記載がない限り、本発明の範囲をこれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples exemplify preferable configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. Further, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the apparatus, the processing flow, the manufacturing conditions, the dimensions, the material, the shape, and the like are intended to limit the scope of the present invention to these unless otherwise specified. Not the one.

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好適に適用することができる。
基板の材料としては、半導体(例えば、シリコン)、ガラス、樹脂、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選ぶことができ、基板は、例えば、シリコンウエハ、又はガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選ぶことができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to an apparatus that deposits various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be suitably applied to an apparatus that forms a thin film (material layer) having a desired pattern by vacuum evaporation. ..
As the material of the substrate, any material such as a semiconductor (for example, silicon), glass, resin, a film of a polymer material, metal, or the like can be selected, and the substrate is, for example, a silicon wafer or a polyimide on a glass substrate. It may be a substrate in which the film of (1) is laminated. Further, as the film forming material, any material such as an organic material and a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected.

なお、本発明は、加熱蒸発による真空蒸着装置の以外にも、スパッタ装置やCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を含む成膜装置にも、適用することができる。本発明の技術は、具体的には、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造装置に適用可能である。電子デバイスの具体例としては、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどが挙げられる。本発明は、中でも、OLEDなどの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造装置に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。 The present invention can be applied to a film forming apparatus including a sputtering apparatus and a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, as well as a vacuum vapor deposition apparatus by heating and evaporation. Specifically, the technique of the present invention can be applied to various electronic devices such as semiconductor devices, magnetic devices, and electronic parts, and manufacturing devices for optical parts and the like. Specific examples of the electronic device include a light emitting element, a photoelectric conversion element, and a touch panel. Among others, the present invention is preferably applicable to an apparatus for manufacturing an organic light emitting element such as an OLED or an organic photoelectric conversion element such as an organic thin film solar cell. The electronic device in the present invention includes a display device (for example, an organic EL display device) including a light emitting element, a lighting device (for example, an organic EL lighting device), and a sensor (for example, an organic CMOS image sensor) including a photoelectric conversion element. It is a waste.

<電子デバイスの製造装置>
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図1の製造装置は、例えば、VR−HMD用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。VR−HMD用の表示パネルの場合、例えば、所定のサイズのシリコンウエハに有機EL素子の形成のための成膜を行った後、素子形成領域の間の領域(スクライブ領域)に沿って該シリコンウエハを切り出して、複数の小さなサイズのパネルに製作する。
<Electronic device manufacturing equipment>
FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a part of an electronic device manufacturing apparatus.
The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for VR-HMD. In the case of a display panel for VR-HMD, for example, after forming a film for forming an organic EL element on a silicon wafer of a predetermined size, the silicon is formed along an area (scribe area) between element forming areas. The wafer is cut out and made into a plurality of small-sized panels.

本実施形態に係る電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置1と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置1は、基板Wに対する処理(例えば、成膜)を行う成膜装置11と、使用前後のマスクを収納するマスクストック装置12と、その中央に配置される搬送室13(搬送装置)と、を備える。搬送室13は、図1に示したように、成膜装置11およびマス
クストック装置12のそれぞれと接続される。
The electronic device manufacturing apparatus according to the present embodiment generally includes a plurality of cluster apparatuses 1 and a relay apparatus that connects the cluster apparatuses.
The cluster apparatus 1 includes a film forming apparatus 11 that performs a process (for example, film forming) on a substrate W, a mask stock apparatus 12 that stores masks before and after use, and a transfer chamber 13 (transfer apparatus) arranged in the center thereof. , Is provided. As shown in FIG. 1, the transfer chamber 13 is connected to each of the film forming device 11 and the mask stock device 12.

搬送室13内には、基板Wおよびマスクを搬送する搬送ロボット14が配置される。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板W又はマスクを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。 A transfer robot 14 that transfers the substrate W and the mask is disposed in the transfer chamber 13. The transfer robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand holding a substrate W or a mask is attached to an articulated arm.

成膜装置11では、成膜源から放出された成膜材料がマスクを介して基板W上に成膜される。搬送ロボット14との基板W/マスクの受け渡し、基板Wとマスクの相対的位置の調整(アライメント)、マスク上への基板Wの固定、成膜などの一連の成膜プロセスは、成膜装置11によって行われる。
有機EL表示装置を製造するための製造装置において、成膜装置11は、成膜される材料の種類によって、有機膜の成膜装置と金属性膜の成膜装置に分けることができ、有機膜の成膜装置は、有機物の成膜材料を蒸着又はスパッタリングによって基板Wに成膜し、金属性膜の成膜装置は、金属性の成膜材料を蒸着またはスパッタリングにより基板Wに成膜する。
In the film forming apparatus 11, the film forming material released from the film forming source is formed on the substrate W through the mask. A series of film forming processes such as transfer of the substrate W/mask to/from the transfer robot 14, adjustment of the relative position of the substrate W and the mask (alignment), fixing of the substrate W on the mask, and film formation are performed by the film forming apparatus 11 Done by
In the manufacturing apparatus for manufacturing an organic EL display device, the film forming apparatus 11 can be divided into an organic film forming apparatus and a metallic film forming apparatus according to the type of material to be formed. The film forming apparatus of (1) forms a film forming material of an organic material on the substrate W by vapor deposition or sputtering, and the film forming apparatus of a metallic film forms a film forming material of metal on the substrate W by vapor deposition or sputtering.

有機EL表示装置を製造するための製造装置において、どの成膜装置をどの位置に配置するかは、製造される有機EL素子の積層構造によって異なり、有機EL素子の積層構造に応じてこれを成膜するための複数の成膜装置が配置される。 In the manufacturing apparatus for manufacturing the organic EL display device, which film forming device is arranged at which position depends on the laminated structure of the organic EL element to be manufactured, and the film forming apparatus is formed according to the laminated structure of the organic EL element. A plurality of film forming devices for film formation are arranged.

有機EL素子の場合、通常、アノードが形成されている基板W上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、カソードがこの順に積層される構造を有し、これらの層を順次成膜できるように基板の流れ方向に沿って適切な成膜装置が配置される。
例えば、図1において、成膜装置11aは、正孔注入層HILおよび/または正孔輸送層HTLを成膜し、成膜装置11b、11fは、青色の発光層を、成膜装置11cは、赤色の発光層を、成膜装置11d、11eは、緑色の発光層を、成膜装置11gは、電子輸送層ETLおよび/または電子注入層EILを、成膜装置11hは、カソード金属膜を成膜するように配置される。図1に示した実施例では、素材の特性上、青色の発光層と緑色の発光層の成膜速度が赤色の発光層の成膜速度より遅いので、処理速度のバランスを取るために青色の発光層と緑色の発光層とをそれぞれ2つの成膜装置で成膜するようにしているが、本発明はこれに限定されず、他の配置構造を有しても良い。
An organic EL device usually has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are laminated in this order on a substrate W on which an anode is formed. An appropriate film forming apparatus is arranged along the flow direction of the substrate so that these layers can be sequentially formed.
For example, in FIG. 1, the film forming device 11a forms a hole injection layer HIL and/or a hole transporting layer HTL, the film forming devices 11b and 11f form a blue light emitting layer, and the film forming device 11c forms a film. The red light emitting layer, the film forming devices 11d and 11e form the green light emitting layer, the film forming device 11g forms the electron transport layer ETL and/or the electron injection layer EIL, and the film forming device 11h forms the cathode metal film. Arranged to form a membrane. In the embodiment shown in FIG. 1, due to the characteristics of the material, the film formation rate of the blue light emitting layer and the green light emitting layer is slower than the film forming rate of the red light emitting layer. Although the light emitting layer and the green light emitting layer are formed by two film forming devices, respectively, the present invention is not limited to this and may have another arrangement structure.

マスクストック装置12には、成膜装置11での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、複数のカセットに分けて収納される。搬送ロボット14は、使用済みのマスクを成膜装置11からマスクストック装置12のカセットに搬送し、マスクストック装置12の他のカセットに収納されている新しいマスクを成膜装置11に搬送する。 The mask stock device 12 stores a new mask used in the film forming process in the film forming device 11 and a used mask separately in a plurality of cassettes. The transfer robot 14 transfers a used mask from the film forming apparatus 11 to a cassette of the mask stock apparatus 12, and transfers a new mask stored in another cassette of the mask stock apparatus 12 to the film forming apparatus 11.

複数のクラスタ装置1の間を連結する中継装置は、クラスタ装置1の間で基板Wを搬送するパス室15を含む。
搬送室13の搬送ロボット14は、上流側のパス室15から基板Wを受け取って、当該クラスタ装置1内の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11a)に搬送する。また、搬送ロボット14は、当該クラスタ装置1での成膜処理が完了した基板Wを複数の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11e)から受け取って、下流側に連結されたパス室15に搬送する。
The relay device that connects the plurality of cluster devices 1 includes a pass chamber 15 that transports the substrate W between the cluster devices 1.
The transfer robot 14 in the transfer chamber 13 receives the substrate W from the upstream pass chamber 15 and transfers it to one of the film forming apparatuses 11 in the cluster apparatus 1 (for example, the film forming apparatus 11 a ). In addition, the transfer robot 14 receives the substrate W for which the film forming process is completed in the cluster apparatus 1 from one of the plurality of film forming apparatuses 11 (for example, the film forming apparatus 11e) and connects the downstream path. It is conveyed to the chamber 15.

中継装置は、パス室15の他に、上下流側のクラスタ装置1での基板Wの処理速度の差を吸収するためのバッファ室(不図示)、及び基板Wの方向を変えるための旋回室(不図示)をさらに含むことができる。例えば、バッファ室は、複数の基板Wを一時的に収納する基板積載部を含み、旋回室は、基板Wを180度回転させるための基板回転機構(例え
ば、回転ステージまたは搬送ロボット)を含む。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Wの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。
本発明の一実施形態によるパス室15は、複数の基板Wを一時的に収納するための基板積載部(不図示)や基板回転機構を含んでもよい。つまり、パス室15が、バッファ室や旋回室の機能を兼ねても良い。
The relay device includes, in addition to the pass chamber 15, a buffer chamber (not shown) for absorbing a difference in processing speed of the substrate W in the upstream and downstream cluster devices 1, and a swirl chamber for changing the direction of the substrate W. (Not shown) may be further included. For example, the buffer chamber includes a substrate loading unit that temporarily stores a plurality of substrates W, and the swirl chamber includes a substrate rotation mechanism (for example, a rotation stage or a transfer robot) that rotates the substrates W by 180 degrees. As a result, the orientation of the substrate W is the same in the upstream cluster device and the downstream cluster device, and substrate processing is facilitated.
The pass chamber 15 according to the embodiment of the present invention may include a substrate loading unit (not shown) for temporarily storing a plurality of substrates W and a substrate rotating mechanism. That is, the pass chamber 15 may also have the functions of a buffer chamber and a swirl chamber.

クラスタ装置1を構成する成膜装置11、マスクストック装置12、搬送室13などは、有機発光素子の製造過程で、高真空状態に維持される。中継装置のパス室15は、通常、低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されても良い。 The film forming device 11, the mask stocking device 12, the transfer chamber 13 and the like that constitute the cluster device 1 are maintained in a high vacuum state during the manufacturing process of the organic light emitting device. The pass chamber 15 of the relay device is normally maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state if necessary.

有機EL素子を構成する複数の層の成膜が完了した基板Wは、有機EL素子を封止するための封止装置(不図示)や基板を所定のパネルサイズに切断するための切断装置(不図示)などに搬送される。 The substrate W on which the plurality of layers forming the organic EL element have been formed is a sealing device (not shown) for sealing the organic EL element or a cutting device (for cutting the substrate into a predetermined panel size). (Not shown) or the like.

本実施例では、図1を参照し電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置が変わっても良い。 In the present embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1. However, the present invention is not limited to this, and may have other types of apparatuses and chambers. The arrangement between may change.

例えば、本発明の一実施形態による電子デバイス製造装置は、図1に示したクラスタタイプではなく、インラインタイプであっても良い。つまり、基板WとマスクMをキャリアに搭載して、一列に並んだ複数の成膜装置内を搬送させながら成膜を行う構成を有してもよい。また、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせたタイプの構造を有しても良い。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層(カソード層)の成膜工程から封止工程及び切断工程などは、インラインタイプの製造装置で行ってよい。 For example, the electronic device manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention may be an in-line type instead of the cluster type shown in FIG. That is, the substrate W and the mask M may be mounted on a carrier, and the film may be formed while being transported in a plurality of film forming apparatuses arranged in a line. Further, it may have a structure of a type in which a cluster type and an inline type are combined. For example, a cluster-type manufacturing apparatus may be used until the organic layer is formed, and an in-line-type manufacturing apparatus may be used from the electrode layer (cathode layer) forming step to the sealing step and the cutting step.

以下、成膜装置11の具体的な構成について説明する。
<成膜装置>
図2は、本発明の一実施形態による成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とし、水平面をXY平面とするXYZ直交座標系を用いる。また、X軸まわりの回転角をθ、Y軸まわりの回転角をθ、Z軸まわりの回転角をθで表す。
図2は、成膜材料を加熱することによって蒸発または昇華させ、マスクMを介して基板Wに成膜する成膜装置11の一例を示している。
Hereinafter, a specific configuration of the film forming apparatus 11 will be described.
<Film forming device>
FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z direction and the horizontal plane is the XY plane is used. Further, a rotation angle around the X axis is represented by θ X , a rotation angle around the Y axis is represented by θ Y , and a rotation angle around the Z axis is represented by θ Z.
FIG. 2 shows an example of a film forming apparatus 11 that evaporates or sublimes a film forming material by heating and forms a film on the substrate W through the mask M.

成膜装置11は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器21と、真空容器21内に設けられ、基板Wの位置を少なくともX方向、Y方向、及びθ方向に調整するための磁気浮上ステージ機構22と、真空容器21内に設けられ、マスクMを支持するマスク支持ユニット23と、真空容器21内に設けられ、基板Wを吸着して保持する基板吸着手段24と、真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、成膜時にこれを粒子化して放出する成膜源25とを含む。
本発明の一実施形態による成膜装置11は、磁気力によってマスクMを基板W側に密着させるための磁力印加手段26をさらに含むことができる。
The film forming apparatus 11 is provided in a vacuum container 21 that is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, and is provided in the vacuum container 21 so that the position of the substrate W is at least in the X direction, the Y direction, and the θ Z direction. Magnetic levitation stage mechanism 22 for adjusting the above, a mask support unit 23 provided in the vacuum container 21 for supporting the mask M, and a substrate adsorption means for adsorbing and holding the substrate W provided in the vacuum container 21. 24, and a film-forming source 25 that is provided in a vacuum container, stores a film-forming material, and atomizes and discharges the film-forming material during film-forming.
The film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention may further include magnetic force applying means 26 for bringing the mask M into close contact with the substrate W side by a magnetic force.

本発明の一実施形態による成膜装置10の真空容器21は、磁気浮上ステージ機構22が配置される第1真空容器部211と、成膜源25が配置される第2真空容器部212とを含み、例えば、第2真空容器部212に接続された真空ポンプ(不図示)によって真空容器21全体の内部空間が高真空状態に維持される。 The vacuum container 21 of the film forming apparatus 10 according to the embodiment of the present invention includes a first vacuum container part 211 in which a magnetic levitation stage mechanism 22 is arranged and a second vacuum container part 212 in which a film forming source 25 is arranged. Including, for example, the internal space of the entire vacuum container 21 is maintained in a high vacuum state by a vacuum pump (not shown) connected to the second vacuum container part 212.

また、少なくとも第1真空容器部211と第2真空容器部212との間には、伸縮可能
部材213が設置される。伸縮可能部材213は、第2真空容器部212に連結される真空ポンプからの振動や、成膜装置11が設けられた床又はフロアからの振動が、第2真空容器部212を通して第1真空容器部211に伝わることを低減する。伸縮可能部材213は、例えば、ベローズであり得るが、本発明はこれに限定されず、第1真空容器部211と第2真空容器部212との間で振動の伝達を低減することができる限り、他の部材を使用してもよい。
An expandable member 213 is installed at least between the first vacuum container part 211 and the second vacuum container part 212. The stretchable member 213 receives vibration from the vacuum pump connected to the second vacuum container section 212 or vibration from the floor or floor where the film forming apparatus 11 is installed through the second vacuum container section 212. The transmission to the part 211 is reduced. The expandable member 213 may be, for example, a bellows, but the present invention is not limited thereto, and as long as it is possible to reduce the transmission of vibration between the first vacuum container part 211 and the second vacuum container part 212. , Other members may be used.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11は、真空容器21を複数の容器部(例えば、第1真空容器部211と第2真空容器部212)に分け、その間に伸縮可能部材213を設けることによって、磁気浮上ステージ機構22が設置される第1真空容器部211に外部振動が伝わることを低減することができる。 As described above, in the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention, the vacuum container 21 is divided into a plurality of container parts (for example, the first vacuum container part 211 and the second vacuum container part 212), and the expandable member is provided therebetween. By providing 213, it is possible to reduce the transmission of external vibration to the first vacuum container part 211 in which the magnetic levitation stage mechanism 22 is installed.

真空容器21は、磁気浮上ステージ機構22が固定連結される基準プレート214と、基準プレート214を所定の高さに支持するための基準プレート支持部215とをさらに含む。本発明の一実施例においては、図2に示したように、基準プレート214と第1真空容器部211との間にも伸縮可能部材213をさらに設置してもよい。これにより、基準プレート214を介して磁気浮上ステージ機構22に外部振動が伝わることをさらに低減することができる。 The vacuum container 21 further includes a reference plate 214 to which the magnetic levitation stage mechanism 22 is fixedly connected, and a reference plate support portion 215 for supporting the reference plate 214 at a predetermined height. In one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a stretchable member 213 may be further installed between the reference plate 214 and the first vacuum container part 211. Thereby, it is possible to further reduce the transmission of external vibration to the magnetic levitation stage mechanism 22 via the reference plate 214.

基準プレート支持部215と成膜装置11の設置架台217との間には、床又はフロアから成膜装置11の設置架台217を通して基準プレート支持部215に振動が伝わることを低減するための除振ユニット216が設置される。 Between the reference plate support portion 215 and the installation base 217 of the film forming apparatus 11, vibration isolation for reducing the transmission of vibration from the floor or floor to the reference plate support portion 215 through the installation base 217 of the film forming apparatus 11 is performed. The unit 216 is installed.

磁気浮上ステージ機構22は、磁気浮上リニアモータによって基板Wまたは基板吸着手段24の位置を調整するためのステージ機構であって、少なくともX方向、Y方向、及びθ方向、好ましくは、X方向、Y方向、Z方向、θ方向、θ方向、θ方向の6つの方向における基板Wまたは基板吸着手段24の位置を調整する。
X方向およびY方向は、基板吸着手段24の吸着面に平行な方向であり、X方向およびY方向の一方が第1の方向に対応し、他方が第1の方向と交差する第2の方向に当たる。Z方向はX方向およびY方向の両方と交差する方向であり、第3の方向に当たる。θ方向は、Z方向を中心とした回転方向に当たる。例えばX方向が第1の方向のとき、θ方向は第1の方向を中心とした回転方向に当たり、θ方向は第2の方向を中心とした回転方向に当たる。
磁気浮上ステージ機構22は、固定台として機能するステージ基準プレート部221(第1のプレート部)と、可動台として機能する微動ステージプレート部222(第2のプレート部)と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対し磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット223とを含む。磁気浮上ステージ機構22の具体的な構成については、図3A〜図3Dを参照して、後述する。
The magnetic levitation stage mechanism 22 is a stage mechanism for adjusting the position of the substrate W or the substrate suction means 24 by a magnetic levitation linear motor, and is at least the X direction, the Y direction, and the θ Z direction, preferably the X direction. The position of the substrate W or the substrate suction means 24 in the six directions of the Y direction, the Z direction, the θ X direction, the θ Y direction, and the θ Z direction is adjusted.
The X direction and the Y direction are directions parallel to the suction surface of the substrate suction means 24, one of the X direction and the Y direction corresponds to the first direction, and the other direction is the second direction intersecting with the first direction. Hit The Z direction is a direction intersecting with both the X direction and the Y direction, and corresponds to the third direction. The θ Z direction corresponds to the rotation direction around the Z direction. For example, when the X direction is the first direction, the θ X direction corresponds to the rotation direction around the first direction, and the θ Y direction corresponds to the rotation direction around the second direction.
The magnetic levitation stage mechanism 22 includes a stage reference plate portion 221 (first plate portion) that functions as a fixed base, a fine movement stage plate portion 222 (second plate portion) that functions as a movable base, and a fine movement stage plate portion 222. And a magnetic levitation unit 223 for magnetically levitating and moving the stage reference plate portion 221. The specific configuration of the magnetic levitation stage mechanism 22 will be described later with reference to FIGS. 3A to 3D.

マスク支持ユニット23は、搬送室13に設けられた搬送ロボット14が搬送してくるマスクMを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
マスク支持ユニット23は、少なくとも鉛直方向に昇降可能に設置される。これにより、基板WとマスクMとの間の鉛直方向における間隔を容易に調節することができる。本発明の一実施例のように、基板Wの位置を磁気浮上ステージ機構22によって調整する場合は、マスクMを支持するマスク支持ユニット23は、モータ(不図示)及びボールねじ/ガイド(不図示)によって機械的に昇降駆動することが好ましい。
The mask support unit 23 is means for receiving and holding the mask M transported by the transport robot 14 provided in the transport chamber 13, and is also called a mask holder.
The mask support unit 23 is installed so that it can move up and down at least in the vertical direction. This makes it possible to easily adjust the vertical distance between the substrate W and the mask M. When the position of the substrate W is adjusted by the magnetic levitation stage mechanism 22 as in the embodiment of the present invention, the mask support unit 23 that supports the mask M includes a motor (not shown) and a ball screw/guide (not shown). It is preferable to mechanically drive up and down.

また、本発明の一実施例によれば、マスク支持ユニット23は、水平方向(つまり、XYθ方向)に移動可能に設置してもよい。これにより、マスクMがアライメント用カメラの視野から外れた場合にも、迅速にこれを視野内に移動させることができる。 In addition, according to an embodiment of the present invention, the mask support unit 23 may be installed so as to be movable in the horizontal direction (that is, the XYθ Z direction). Thereby, even when the mask M is out of the field of view of the alignment camera, it can be quickly moved into the field of view.

また、本発明の一実施例によれば、アライメント工程でマスクMと基板Wを相対的に位置合わせする際に、マスクMをマスク支持ユニットごと、基板Mに対して移動可能としても良い。あるいは、マスクMを支持するマスク支持ユニットと、基板Wを支持する基板支持ユニットの両方を、互いに対して移動可能としても良い。このようにマスク支持ユニットを移動可能とする場合、その駆動源として、上述の磁気浮上ステージ機構22と同様の磁気浮上機構を採用しても良い。マスク用の磁気浮上機構は、例えば、マスク面に平行な面内における第1の方向(X方向)および第1の方向と交差する第2の方向(Y方向)と、マスク面に交差する方向(第1の方向および第2の方向の両方と交差する第3の方向)を中心とした回転方向(θ方向)にマスク支持ユニットを移動させるものである。マスク用の磁気浮上機構は、より好ましくは、Z方向、θ方向、およびθ方向に、マスク支持ユニットを駆動させる。 Further, according to the embodiment of the present invention, the mask M may be movable with respect to the substrate M for each mask supporting unit when the mask M and the substrate W are relatively aligned in the alignment process. Alternatively, both the mask support unit that supports the mask M and the substrate support unit that supports the substrate W may be movable with respect to each other. When the mask support unit is movable in this way, a magnetic levitation mechanism similar to the magnetic levitation stage mechanism 22 described above may be adopted as a drive source thereof. The magnetic levitation mechanism for a mask has, for example, a first direction (X direction) in a plane parallel to the mask surface, a second direction (Y direction) intersecting the first direction, and a direction intersecting the mask surface. The mask support unit is moved in a rotation direction (θ Z direction) around a (third direction intersecting with both the first direction and the second direction). More preferably, the magnetic levitation mechanism for the mask drives the mask support unit in the Z direction, the θ X direction, and the θ Y direction.

マスク支持ユニット23は、搬送ロボット14によって真空容器21内に搬入されたマスクMを一時的に受け取るためのマスクピックアップ231をさらに含む。
マスクピックアップ231は、マスク支持ユニット23のマスク支持面に対して相対的に昇降できるように構成される。例えば、図2に示したように、マスクピックアップ昇降機構232によって、マスクピックアップ231がマスク支持ユニット23のマスク支持面に対して相対的に昇降可能に構成することができる。ただし、本発明はこれに限定されず、マスクピックアップ231とマスク支持ユニット23のマスク支持面とが相対的に昇降可能な限り、他の構成を有しても良い。例えば、マスクピックアップ231が基準プレート214又は磁気浮上ステージ機構22のステージ基準プレート部221に固定され、マスク支持ユニット23が昇降可能に構成してもよい。あるいは、マスクピックアップ231及びマスク支持ユニット23の両方が昇降可能に構成してもよい。
The mask support unit 23 further includes a mask pickup 231 for temporarily receiving the mask M carried into the vacuum container 21 by the transfer robot 14.
The mask pickup 231 is configured to be able to move up and down relatively to the mask support surface of the mask support unit 23. For example, as shown in FIG. 2, the mask pickup elevating mechanism 232 can be configured to move the mask pickup 231 up and down relatively to the mask supporting surface of the mask supporting unit 23. However, the present invention is not limited to this, and may have other configurations as long as the mask pickup 231 and the mask support surface of the mask support unit 23 can be moved up and down relatively. For example, the mask pickup 231 may be fixed to the reference plate 214 or the stage reference plate portion 221 of the magnetic levitation stage mechanism 22 so that the mask support unit 23 can be moved up and down. Alternatively, both the mask pickup 231 and the mask support unit 23 may be configured to be able to move up and down.

搬送ロボット14のハンドからマスクMを受け取ったマスクピックアップ231は、マスク支持ユニット23のマスク支持面に対し相対的に下降し、マスクMをマスク支持ユニット23に載置する。逆に、使用済みのマスクMを搬出する場合には、マスクMをマスク支持ユニット23のマスク支持面から持ち上げ、搬送ロボット14のハンドがマスクMを受け取ることができるようにする。 Upon receiving the mask M from the hand of the transfer robot 14, the mask pickup 231 descends relatively to the mask supporting surface of the mask supporting unit 23, and mounts the mask M on the mask supporting unit 23. On the contrary, when carrying out the used mask M, the mask M is lifted from the mask supporting surface of the mask supporting unit 23 so that the hand of the transfer robot 14 can receive the mask M.

マスクMは、基板W上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット23によって支持される。例えば、VR−HMD用の有機EL表示パネルを製造するのに使われるマスクMは、有機EL素子の発光層のRGB画素パターンに対応する微細な開口パターンが形成された金属製マスクであるファインメタルマスク(Fine Metal Mask)と、有機EL素子の共通層(正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など)を形成するのに使われるオープンマスク(open mask)とを含む。
マスクMの開口パターンは、成膜材料の粒子を通過させない遮断パターンによって定義される。
The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate W, and is supported by the mask supporting unit 23. For example, the mask M used to manufacture the organic EL display panel for VR-HMD is a fine metal mask having a fine opening pattern corresponding to the RGB pixel pattern of the light emitting layer of the organic EL element. It includes a mask (Fine Metal Mask) and an open mask used for forming a common layer (hole injection layer, hole transport layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.) of the organic EL device. ..
The opening pattern of the mask M is defined by a blocking pattern that does not allow particles of the film-forming material to pass through.

基板吸着手段24は、搬送室13に設置された搬送ロボット14が搬送してきた、被成膜体としての基板Wを吸着して保持する手段である。基板吸着手段24は、磁気浮上ステージ機構22の可動台である微動ステージプレート部222に設置される。
基板吸着手段24は、例えば、誘電体/絶縁体(例えば、セラミック材質)マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する静電チャックである。
The substrate adsorbing means 24 is means for adsorbing and holding the substrate W as a film-forming target, which is conveyed by the transfer robot 14 installed in the transfer chamber 13. The substrate suction means 24 is installed on the fine movement stage plate portion 222 which is a movable base of the magnetic levitation stage mechanism 22.
The substrate suction means 24 is, for example, an electrostatic chuck having a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded in a dielectric/insulator (for example, ceramic material) matrix.

基板吸着手段24としての静電チャックは、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘
電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。
The electrostatic chuck as the substrate attracting means 24 has a dielectric having a relatively high resistance between the electrode and the attracting surface, and the Coulomb force is applied by the Coulomb force between the electrode and the attracted body. Type electrostatic chuck, or a dielectric material having a relatively low resistance is interposed between the electrode and the attracting surface, and Johnson generated between the attracting surface of the dielectric material and the attracted object. It may be a Johnson-Rahbek force type electrostatic chuck in which adsorption is performed by the Rahbeck force, or a gradient force type electrostatic chuck in which an object to be attracted is attracted by a non-uniform electric field.

被吸着体が導体または半導体(シリコンウエハ)である場合には、クーロン力タイプの静電チャックまたはジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましく、被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。
静電チャックは、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されても良い。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を有し、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御しても良い。
When the object to be attracted is a conductor or a semiconductor (silicon wafer), it is preferable to use a Coulomb force type electrostatic chuck or a Johnson-Rahbek force type electrostatic chuck, and the object to be attracted is an insulator such as glass. When it is, it is preferable to use a gradient force type electrostatic chuck.
The electrostatic chuck may be formed of one plate or may be formed to have a plurality of sub plates. Further, even when it is formed by one plate, a plurality of electric circuits may be provided inside and the electrostatic attraction may be controlled to be different depending on the position in one plate.

また、本発明の一実施例によれば、基板を支持面において支持する基板支持手段として、基板吸着手段24に代えて、クランプ機構による挟持や受け爪への載置などの吸着以外の方法で基板を支持する基板支持手段を用いることもできる。 Further, according to one embodiment of the present invention, as the substrate supporting means for supporting the substrate on the supporting surface, instead of the substrate suction means 24, a method other than suction such as clamping by a clamp mechanism or placement on a receiving claw is used. Substrate supporting means for supporting the substrate can also be used.

図2には図示しなかったが、成膜装置11は、搬送ロボット14によって真空容器21内に搬入された基板Wを基板吸着手段24が吸着して保持する前に、一時的に基板Wを保持する基板支持ユニットをさらに含んでもよい。例えば、基板支持ユニットは、マスク支持ユニット23に別途の基板支持面を有するように設置され、マスク支持ユニット23の昇降によって昇降するように設置されても良い。 Although not shown in FIG. 2, the film forming apparatus 11 temporarily holds the substrate W before the substrate sucking means 24 sucks and holds the substrate W loaded into the vacuum container 21 by the transfer robot 14. It may further include a substrate support unit for holding. For example, the substrate support unit may be installed on the mask support unit 23 so as to have a separate substrate support surface, and may be installed so as to move up and down as the mask support unit 23 moves up and down.

また、図2には図示しなかったが、基板吸着手段24の吸着面とは反対側に基板Wの温度上昇を抑制するための冷却手段(例えば、冷却板)を設けて、基板W上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成にしてもよい。 Although not shown in FIG. 2, cooling means (for example, a cooling plate) for suppressing a temperature rise of the substrate W is provided on the side opposite to the suction surface of the substrate suction means 24, and the cooling means is provided on the substrate W. A structure that suppresses alteration or deterioration of the deposited organic material may be adopted.

成膜源25は、基板Wに成膜される成膜材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、成膜源25からの蒸発レートが一定になるまで成膜材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。成膜源25は、点(point)成膜源や線状(linear)成膜源など、用途に従って多様な構成を有することができる。
成膜源25は、互いに異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを含んでもよい。このような構成においては、真空容器21を大気開放せずに成膜材料を変更できるように、異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを成膜位置に移動可能に設置してもよい。
The film forming source 25 is a crucible (not shown) in which a film forming material to be formed on the substrate W is stored, a heater (not shown) for heating the crucible, and the evaporation rate from the film forming source 25 is constant. Also includes a shutter (not shown) that prevents the film forming material from scattering on the substrate. The film forming source 25 may have various configurations such as a point film forming source and a linear film forming source according to the application.
The film forming source 25 may include a plurality of crucibles containing different film forming materials. In such a configuration, a plurality of crucibles containing different film forming materials may be movably installed at the film forming position so that the film forming material can be changed without opening the vacuum container 21 to the atmosphere.

磁力印加手段26は、成膜工程時に磁力によってマスクMを基板W側に引き寄せて密着させるための手段であって、鉛直方向に昇降可能に設置される。例えば、磁力印加手段26は、電磁石および/または永久磁石で構成される。なお、基板吸着手段24が、基板WだけでなくマスクMも吸着する構成としても良い。例えば、基板吸着手段24としてグラジエント力タイプの静電チャックを用いる場合、静電チャックに印加する電圧を制御することで、基板WとマスクMの吸着/非吸着を制御できる。 The magnetic force applying means 26 is a means for attracting the mask M to the substrate W side by a magnetic force during the film forming process to bring the mask M into close contact, and is installed so as to be vertically movable. For example, the magnetic force applying means 26 is composed of an electromagnet and/or a permanent magnet. The substrate suction means 24 may be configured to suck not only the substrate W but also the mask M. For example, when a gradient force type electrostatic chuck is used as the substrate suction means 24, the suction/non-suction of the substrate W and the mask M can be controlled by controlling the voltage applied to the electrostatic chuck.

成膜装置11は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含んでも良い。 The film forming apparatus 11 may include a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculating unit (not shown) for measuring the thickness of the film deposited on the substrate.

真空容器21の上部外側(大気側)、すなわち、基準プレート214上には、マスクピックアップ231を昇降させるためのマスクピックアップ昇降機構232、磁力印加手段26を昇降させるための磁力印加手段昇降機構261などが設置される。マスク支持ユニ
ット23を昇降させるためのマスク支持ユニット昇降機構(不図示)を基準プレート214上に設置してもよいが、本発明はこれに限定されず、例えば、マスク支持ユニット昇降機構(不図示)を、第1真空容器(211)の下部の大気側に設置してもよい。
On the upper outside (atmosphere side) of the vacuum container 21, that is, on the reference plate 214, a mask pickup elevating mechanism 232 for elevating the mask pickup 231 and a magnetic force applying means elevating mechanism 261 for elevating the magnetic force applying means 26. Is installed. A mask support unit elevating mechanism (not shown) for elevating the mask support unit 23 may be installed on the reference plate 214, but the present invention is not limited to this, and, for example, a mask supporting unit elevating mechanism (not shown). ) May be installed on the atmosphere side below the first vacuum container (211).

本発明の一実施形態による成膜装置11は、真空容器21の上部外側(大気側)に設置され、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラユニット27をさらに含む。
本実施例において、アライメント用カメラユニット27は、基板WとマスクMの相対的位置を大まかに調整するのに用いられるラフアライメント用カメラと、基板WとマスクMの相対的位置を高精度に調整するのに用いられるファインアライメント用カメラとを含むことができる。ラフアライメント用カメラは、相対的に視野角が広く、低解像度であり、ファインアライメント用カメラは、相対的に視野角は狭いが、高解像度を有するカメラである。
The film forming apparatus 11 according to an embodiment of the present invention further includes an alignment camera unit 27 installed outside the upper part (atmosphere side) of the vacuum container 21 for photographing the alignment marks formed on the substrate W and the mask M. Including.
In the present embodiment, the alignment camera unit 27 adjusts the relative position of the substrate W and the mask M with the rough alignment camera used to roughly adjust the relative position of the substrate W and the mask M with high accuracy. And a fine alignment camera used for scanning. The rough alignment camera has a relatively wide viewing angle and low resolution, and the fine alignment camera has a relatively narrow viewing angle but high resolution.

ラフアライメント用カメラとファインアライメント用カメラは、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークに対応する位置に設置される。例えば、ファインアライメント用カメラは、4つのカメラが矩形の4つのコーナー部をなすように設置され、ラフアライメント用カメラは、該矩形の対向する二つの辺の中央に設置される。ただし、本発明はこれに限定されず、基板W及びマスクMのアライメントマークの位置に応じて他の配置を有しても良い。 The rough alignment camera and the fine alignment camera are installed at positions corresponding to the alignment marks formed on the substrate W and the mask M. For example, the fine alignment camera is installed so that four cameras form four corners of a rectangle, and the rough alignment camera is installed at the center of two opposite sides of the rectangle. However, the present invention is not limited to this, and may have another arrangement depending on the positions of the alignment marks on the substrate W and the mask M.

図2に示したように、本発明の一実施形態による成膜装置11のアライメント用カメラユニット27は、真空容器21の上部大気側から基準プレート214を通して真空容器21の内側に入り込むように設置される。このため、アライメント用カメラユニット27は、大気側に配置されるアライメント用カメラを囲んで密封する真空対応筒(不図示)を含む。
このように、アライメント用カメラが真空対応筒を介して真空容器21の内側に入り込むように設置することによって、磁気浮上ステージ機構22の動作によって基板WとマスクMが基準プレート214から比較的遠く離れて支持されても、基板WとマスクMに形成されたアライメントマークに焦点を合わせることができる。真空対応筒の下端の位置は、アライメント用カメラの焦点深度と、基板W/マスクMが基準プレート214から離れたときの距離に応じて、適切に決めることができる。
図2には図示しなかったが、成膜工程中に密閉される真空容器21の内部は暗いので、真空容器21の内側に入り込んでいるアライメント用カメラによりアライメントマークを撮影するために、アライメントマークを照らす照明光源を設置してもよい。
As shown in FIG. 2, the alignment camera unit 27 of the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention is installed so as to enter the inside of the vacuum container 21 through the reference plate 214 from the upper atmosphere side of the vacuum container 21. It Therefore, the alignment camera unit 27 includes a vacuum-compatible tube (not shown) that surrounds and seals the alignment camera arranged on the atmosphere side.
In this way, the alignment camera is installed so as to enter the inside of the vacuum container 21 via the vacuum-compatible tube, whereby the operation of the magnetic levitation stage mechanism 22 causes the substrate W and the mask M to be relatively far from the reference plate 214. Even if it is supported by the substrate W, it is possible to focus on the alignment marks formed on the substrate W and the mask M. The position of the lower end of the vacuum-compatible tube can be appropriately determined according to the depth of focus of the alignment camera and the distance when the substrate W/mask M is separated from the reference plate 214.
Although not shown in FIG. 2, since the inside of the vacuum container 21 that is closed during the film forming process is dark, the alignment mark may be captured by the alignment camera that is inside the vacuum container 21. You may install the illumination light source which illuminates.

成膜装置11は、制御部100を備える。制御部は、基板W/マスクMの搬送及びアライメントの制御、成膜の制御などの機能を有する。また、制御部は、静電チャックへの電圧印加を制御する機能を有しても良い。
制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、I/Oなどを持つコンピューターによって構成することができる。この場合、制御部の機能は、メモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
The film forming apparatus 11 includes a control unit 100. The control unit has functions such as control of transport and alignment of the substrate W/mask M, control of film formation, and the like. Further, the control unit may have a function of controlling voltage application to the electrostatic chuck.
The control unit can be configured by, for example, a computer having a processor, a memory, a storage, an I/O and the like. In this case, the function of the control unit is realized by the processor executing the program stored in the memory or the storage. A general-purpose personal computer may be used as the computer, or an embedded computer or a programmable logic controller (PLC) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit may be configured by a circuit such as an ASIC or FPGA. In addition, a control unit may be installed for each film forming apparatus, and one control unit may be configured to control a plurality of film forming apparatuses.

<磁気浮上ステージ機構>
以下、図3A−図3D、図4A、図4B、図5を参照して、本発明の一実施形態による
磁気浮上ステージ機構22について説明する。
図3Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構22の模式的平面図であり、図3B〜図3Dは模式的断面図である。
<Magnetic levitation stage mechanism>
Hereinafter, the magnetic levitation stage mechanism 22 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3D, 4A, 4B, and 5.
FIG. 3A is a schematic plan view of the magnetic levitation stage mechanism 22 according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 3B to 3D are schematic sectional views.

磁気浮上ステージ機構22は、前述したように、固定台として機能するステージ基準プレート部221と、可動台として機能する微動ステージプレート部222と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット223とを含む。 As described above, the magnetic levitation stage mechanism 22 includes the stage reference plate portion 221 that functions as a fixed base, the fine movement stage plate portion 222 that functions as a movable base, and the fine movement stage plate portion 222 with respect to the stage reference plate portion 221. A magnetic levitation unit 223 for magnetic levitation and movement.

ステージ基準プレート部221は、微動ステージプレート部222の移動の基準となる部材であって、その位置が固定されるように設置される。例えば、図2に示したように、ステージ基準プレート部221は、XY平面に平行に、真空容器21の基準プレート214に固定されるように設置される。ただし、本発明はこれに限定されず、ステージ基準プレート部221は、その位置が固定できる限り、基準プレート214に直接固定されず、他の部材(例えば、別の基準フレーム)に固定されてもよい。
ステージ基準プレート部221は、微動ステージプレート部222の移動の基準となる部材であるため、伸縮可能部材213及び除振ユニット216などにより、真空ポンプまたは床からの振動のような外乱から影響を受けないように設置されるのが好ましい。
The stage reference plate portion 221 is a member that serves as a reference for movement of the fine movement stage plate portion 222, and is installed so that its position is fixed. For example, as shown in FIG. 2, the stage reference plate portion 221 is installed parallel to the XY plane so as to be fixed to the reference plate 214 of the vacuum container 21. However, the present invention is not limited to this, and the stage reference plate portion 221 may not be directly fixed to the reference plate 214 as long as its position can be fixed, but may be fixed to another member (for example, another reference frame). Good.
Since the stage reference plate portion 221 is a member that serves as a reference for the movement of the fine movement stage plate portion 222, the stage reference plate portion 221 is affected by disturbances such as vibrations from the vacuum pump or the floor by the expandable member 213 and the vibration isolation unit 216. It is preferably installed so as not to exist.

微動ステージプレート部222は、ステージ基準プレート部221に対して移動可能に設置され、微動ステージプレート部222の一主面(例えば、下面)には、静電チャックのような基板吸着手段24が設置される。したがって、微動ステージプレート部222の移動により、基板吸着手段24及びこれに吸着された基板Wの位置を調整することができる。 The fine movement stage plate portion 222 is installed movably with respect to the stage reference plate portion 221, and a substrate suction means 24 such as an electrostatic chuck is provided on one main surface (for example, a lower surface) of the fine movement stage plate portion 222. To be done. Therefore, by moving the fine movement stage plate portion 222, the positions of the substrate suction means 24 and the substrate W sucked by the means can be adjusted.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223は、可動台である微動ステージプレート部222を固定台であるステージ基準プレート部221に対して移動させる駆動力を発生させるための磁気浮上リニアモータ31と、微動ステージプレート部222の位置を測定するための位置測定手段と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対して浮上させる浮上力を提供することで微動ステージプレート部222にかかる重力を補償する自重補償手段33と、微動ステージプレート部222の原点位置を決める原点位置決め手段34とを含む。 A magnetic levitation unit 223 according to an embodiment of the present invention includes a magnetic levitation linear motor 31 for generating a driving force for moving a fine movement stage plate portion 222, which is a movable table, with respect to a stage reference plate portion 221 that is a fixed table. By providing a position measuring means for measuring the position of the fine movement stage plate portion 222 and a levitation force for levitating the fine movement stage plate portion 222 with respect to the stage reference plate portion 221, the gravity applied to the fine movement stage plate portion 222 is reduced. The self-weight compensating means 33 for compensating and the origin positioning means 34 for determining the origin position of the fine movement stage plate portion 222 are included.

磁気浮上リニアモータ31は、微動ステージプレート部222を移動させるための駆動力を発生させる駆動源であって、例えば、図3Aに示したように、微動ステージプレート部222をX方向に移動させるための駆動力を発生させる2つのX方向磁気浮上リニアモータ311と、微動ステージプレート部222をY方向に移動させるための駆動力を発生させる2つのY方向磁気浮上リニアモータ312と、微動ステージプレート部222をZ方向に移動させるための駆動力を発生させる3つのZ方向磁気浮上リニアモータ313とを含む。 The magnetic levitation linear motor 31 is a drive source that generates a driving force for moving the fine movement stage plate portion 222, and for moving the fine movement stage plate portion 222 in the X direction as shown in FIG. 3A, for example. X-direction magnetic levitation linear motors 311 for generating the driving force, two Y-direction magnetic levitation linear motors 312 for generating the driving force for moving the fine movement stage plate part 222 in the Y direction, and the fine movement stage plate part. It includes three Z-direction magnetic levitation linear motors 313 that generate a driving force for moving 222 in the Z-direction.

これらの複数の磁気浮上リニアモータ31を用いて、微動ステージプレート部222を6つの自由度に(X方向、Y方向、Z方向、θ方向、θ方向、θ方向に)移動させることができる。
例えば、X方向、Y方向、Z方向への並進移動は、X方向磁気浮上リニアモータ311、Y方向磁気浮上リニアモータ312、およびZ方向磁気浮上リニアモータ313のそれぞれを同じ方向に駆動することによって具現できる。
Using the plurality of magnetic levitation linear motors 31 to move the fine movement stage plate portion 222 in six degrees of freedom (X direction, Y direction, Z direction, θ X direction, θ Y direction, θ Z direction). You can
For example, the translational movement in the X direction, the Y direction, and the Z direction is performed by driving each of the X-direction magnetic levitation linear motor 311, the Y-direction magnetic levitation linear motor 312, and the Z-direction magnetic levitation linear motor 313 in the same direction. Can be realized.

θ方向への回転移動は、2つのX方向磁気浮上リニアモータ311と2つのY方向磁気浮上リニアモータ312の駆動方向を調整することによって具現できる。例えば、X方
向磁気浮上リニアモータ311aは+X方向に、X方向磁気浮上リニアモータ311bは−X方向に、Y方向磁気浮上リニアモータ312aは+Y方向に、Y方向磁気浮上リニアモータ312bは−Y方向に駆動することにより、微動ステージプレート部222をZ軸を中心に反時計まわりに回転移動させることができる。
同様に、θ方向、θ方向への移動は、3つのZ方向磁気浮上リニアモータ313のそれぞれの駆動方向を調整することによって具現できる。
図3Aに示した磁気浮上リニアモータ31の数や配置は、例示的なものであり、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222を所望の方向に移動させることができる限り、他の数や配置を有しても良い。
The rotational movement in the θ Z direction can be realized by adjusting the driving directions of the two X-direction magnetic levitation linear motors 311 and the two Y-direction magnetic levitation linear motors 312. For example, the X-direction magnetic levitation linear motor 311a is in the +X direction, the X-direction magnetic levitation linear motor 311b is in the -X direction, the Y-direction magnetic levitation linear motor 312a is in the +Y direction, and the Y-direction magnetic levitation linear motor 312b is in the -Y direction. The fine movement stage plate portion 222 can be rotated counterclockwise about the Z-axis by driving it.
Similarly, the movement in the θ X direction and the θ Y direction can be realized by adjusting the driving directions of the three Z-direction magnetic levitation linear motors 313.
The number and arrangement of the magnetic levitation linear motors 31 shown in FIG. 3A are mere examples, and the present invention is not limited to this, and as long as it is possible to move the fine movement stage plate portion 222 in a desired direction, other May have any number or arrangement.

本発明においては、機械的モータとボールねじ/リニアガイドを使うアライメントステージの代わりに、磁気浮上ステージ機構22を採用することによって、基板Wの位置調整の精度をさらに向上させることができる。
また、機械的ステージ機構とは違って、磁気浮上ステージ機構22は、パーティクルによる汚染や潤滑剤の蒸発による汚染の恐れが少なく、磁気浮上ステージ機構22を真空容器21内に設置することが可能となる。これにより、基板Wの保持手段(基板吸着手段24)とステージ機構との間の距離が小さくなるので、ステージ機構の駆動時の揺動や外乱が基板吸着手段24に及ぼす影響が増幅することを抑制することができる。
In the present invention, by using the magnetic levitation stage mechanism 22 instead of the alignment stage using the mechanical motor and the ball screw/linear guide, the accuracy of the position adjustment of the substrate W can be further improved.
Further, unlike the mechanical stage mechanism, the magnetic levitation stage mechanism 22 is less likely to be contaminated by particles or by evaporation of the lubricant, and the magnetic levitation stage mechanism 22 can be installed in the vacuum container 21. Become. As a result, the distance between the holding means (the substrate suction means 24) for holding the substrate W and the stage mechanism becomes small, so that the influence of the swing or disturbance during driving of the stage mechanism on the substrate suction means 24 is amplified. Can be suppressed.

図4Aは、Z方向磁気浮上リニアモータ313の構造を示す模式図であり、図4bは、X方向磁気浮上リニアモータ311またはY方向磁気浮上リニアモータ312の構造を示す模式図である。 FIG. 4A is a schematic diagram showing the structure of the Z-direction magnetic levitation linear motor 313, and FIG. 4B is a schematic diagram showing the structure of the X-direction magnetic levitation linear motor 311 or the Y-direction magnetic levitation linear motor 312.

磁気浮上リニアモータ31は、ステージ基準プレート部221に設置される固定子314と、微動ステージプレート部222に設置される可動子315とを含む。なお、ステージ基準プレート部221および微動ステージプレート部222の一方に固定子314を設置し、他方に可動子315を設置すれば良い。
図4Aおよび図4Bに示すように、磁気浮上リニアモータ31の固定子314は、磁界発生手段、例えば、電流が流れるコイル3141を含み、可動子315は、磁性体、例えば、永久磁石3151を含む。
The magnetic levitation linear motor 31 includes a stator 314 installed on the stage reference plate part 221 and a mover 315 installed on the fine movement stage plate part 222. The stator 314 may be installed on one of the stage reference plate 221 and the fine movement stage plate 222, and the mover 315 may be installed on the other.
As shown in FIGS. 4A and 4B, the stator 314 of the magnetic levitation linear motor 31 includes magnetic field generating means, for example, a coil 3141 through which a current flows, and the mover 315 includes a magnetic body, for example, a permanent magnet 3151. ..

磁気浮上リニアモータ31は、固定子314のコイル3141に電流を流すことで発生した磁界によって、可動子315の永久磁石3151に駆動力を加える。磁気浮上リニアモータ31は、固定子314に流れる電流の方向を調整することによって、可動子315である永久磁石3151に加えられる力の方向を調整することができる。
例えば、図4Aの(b)に示したように、固定子314のコイル3141に流れる電流の方向を、紙面上で反時計回りにすると、図4Aの(a)において、コイル3141の左側(−X側)にN極が誘導され、右側(+X側)にはS極が誘導されるので、可動子315は、下方(−Z)方向に力を受ける。逆に、コイル3141に流れる電流の方向を時計回りにすると、可動子315を上方(+Z)方向に移動させることができる。
The magnetic levitation linear motor 31 applies a driving force to the permanent magnet 3151 of the mover 315 by the magnetic field generated by passing a current through the coil 3141 of the stator 314. The magnetic levitation linear motor 31 can adjust the direction of the force applied to the permanent magnet 3151 which is the mover 315 by adjusting the direction of the current flowing through the stator 314.
For example, as shown in (b) of FIG. 4A, when the direction of the current flowing through the coil 3141 of the stator 314 is counterclockwise on the paper surface, the left side of the coil 3141 (− Since the N pole is guided to the X side) and the S pole is guided to the right side (+X side), the mover 315 receives a force in the downward (−Z) direction. On the contrary, if the direction of the current flowing through the coil 3141 is clockwise, the mover 315 can be moved in the upward (+Z) direction.

同様に、図4Bに示したX方向磁気浮上リニアモータ311、又はY方向磁気浮上リニアモータ312も、固定子314のコイル3141に流れる電流の方向を制御することによって、可動子315をそれぞれX方向、Y方向に移動させることができる。 Similarly, in the X-direction magnetic levitation linear motor 311 or the Y-direction magnetic levitation linear motor 312 shown in FIG. 4B, the mover 315 is moved in the X-direction by controlling the direction of the current flowing through the coil 3141 of the stator 314. , Y direction.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の位置測定手段は、微動ステージプレート部222の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計32と、これと対向するように微動ステージプレート部222に設置された反射部324とを含む。反射部324は、例えば、平面鏡であり得る。
レーザー干渉計32は、測定ビームを微動ステージプレート部222に設置された反射
部324に照射し、その反射ビームを検出することで、反射部324の位置(微動ステージプレート部222の位置)を測定する。より具体的には、レーザー干渉計32は、測定ビームの反射光と参照ビームの反射光との干渉光に基づいて、微動ステージプレート部222の位置を測定することができる。
The position measuring unit of the magnetic levitation unit 223 according to the embodiment of the present invention is a unit for measuring the position of the fine movement stage plate unit 222, and includes the laser interferometer 32 and the fine movement stage plate unit so as to face the laser interferometer 32. And a reflector 324 installed at 222. The reflector 324 can be, for example, a plane mirror.
The laser interferometer 32 irradiates the measurement beam to the reflection section 324 installed on the fine movement stage plate section 222, and detects the reflection beam to measure the position of the reflection section 324 (the position of the fine movement stage plate section 222). To do. More specifically, the laser interferometer 32 can measure the position of the fine movement stage plate part 222 based on the interference light between the reflected light of the measurement beam and the reflected light of the reference beam.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の位置測定手段は、微動ステージプレート部222のX方向における位置を測定するためのX方向位置測定部と、Y方向における位置を測定するためのY方向位置測定部と、Z方向における位置を測定するためのZ方向位置測定部とを含む。 The position measuring unit of the magnetic levitation unit 223 according to the embodiment of the present invention includes an X-direction position measuring unit for measuring the position of the fine movement stage plate unit 222 in the X direction and a Y direction for measuring the position in the Y direction. It includes a position measuring unit and a Z direction position measuring unit for measuring a position in the Z direction.

図3Aに示したように、本発明の一実施形態による位置測定手段のレーザー干渉計32は、微動ステージプレート部222のX軸方向の位置を検出するための二つのX方向レーザー干渉計321と、微動ステージプレート部222のY軸方向の位置を検出するための一つのY方向レーザー干渉計322と、微動ステージプレート部222のZ軸方向の位置を検出するための3つのZ方向レーザー干渉計323とを含む。 As shown in FIG. 3A, the laser interferometer 32 of the position measuring means according to the embodiment of the present invention includes two X-direction laser interferometers 321 for detecting the position of the fine movement stage plate portion 222 in the X-axis direction. , One Y-direction laser interferometer 322 for detecting the position of the fine movement stage plate part 222 in the Y-axis direction, and three Z-direction laser interferometers for detecting the position of the fine movement stage plate part 222 in the Z-axis direction. 323 and.

微動ステージプレート部222には、これらのレーザー干渉計32からの測定ビームを反射させる反射部324が、レーザー干渉計32に対向するように設置される。例えば、反射部324は、X方向レーザー干渉計321に対向するように設置されたX方向反射部3241と、Y方向レーザー干渉計322に対向するように設置されたY方向反射部3242と、Z方向レーザー干渉計323に対向するように設置されたZ方向反射部3243とを含む。 On the fine movement stage plate part 222, a reflecting part 324 for reflecting the measurement beam from these laser interferometers 32 is installed so as to face the laser interferometers 32. For example, the reflection unit 324 includes an X-direction reflection unit 3241 installed to face the X-direction laser interferometer 321; a Y-direction reflection unit 3242 installed to face the Y-direction laser interferometer 322; The directional laser interferometer 323 and a Z-direction reflecting portion 3243 installed so as to face the directional laser interferometer 323.

X方向位置測定部は、X方向レーザー干渉計321とX方向反射部3241とを含み、Y方向位置測定部は、Y方向レーザー干渉計322とY方向反射部3242とを含み、Z方向位置測定部は、Z方向レーザー干渉計323とZ方向反射部3243とを含む。
図3Aに示した実施例では、X方向反射部3241とZ方向反射部3243は、一つの部材の側面と上面に設置された平面鏡であるが、本発明はこれに限定されず、それぞれの反射部324が、これに対向するレーザー干渉計32からの測定ビームを反射してレーザー干渉計32に戻すことができる限り、他の構造及び配置であっても良い。
The X direction position measurement unit includes an X direction laser interferometer 321 and an X direction reflection unit 3241, and the Y direction position measurement unit includes a Y direction laser interferometer 322 and a Y direction reflection unit 3242, and a Z direction position measurement unit. The section includes a Z-direction laser interferometer 323 and a Z-direction reflecting section 3243.
In the embodiment shown in FIG. 3A, the X-direction reflection portion 3241 and the Z-direction reflection portion 3243 are plane mirrors installed on the side surface and the top surface of one member, but the present invention is not limited to this, and the reflection of each reflection member is different. Other structures and arrangements are possible as long as the section 324 is capable of reflecting the measurement beam from the opposing laser interferometer 32 back to the laser interferometer 32.

このような位置測定手段の構成により、6つの自由度(degree of freedom)で、微動ステージプレート部222の位置を精密に測定することができる。つまり、X方向レーザー干渉計321、Y方向レーザー干渉計322、及びZ方向レーザー干渉計323によって、微動ステージプレート部222のX方向位置、Y方向位置、及びZ方向位置を測定することができる。また、X方向レーザー干渉計321を複数設置することによって、Z軸を中心とした回転(θ)方向の位置も測定することができる。また、Z方向レーザー干渉計323を複数設置することによって、X軸および/またはY軸を中心とした回転方向(θまたはθ)の位置(つまり、微動ステージプレート部222の傾斜角度)も測定することができる。 With such a structure of the position measuring means, the position of the fine movement stage plate part 222 can be precisely measured with six degrees of freedom. That is, the X-direction laser interferometer 321, the Y-direction laser interferometer 322, and the Z-direction laser interferometer 323 can measure the X-direction position, the Y-direction position, and the Z-direction position of the fine movement stage plate portion 222. Further, by installing a plurality of X-direction laser interferometers 321, the position in the rotation (θ Z ) direction around the Z axis can also be measured. In addition, by installing a plurality of Z-direction laser interferometers 323, the position in the rotation direction (θ X or θ Y ) about the X-axis and/or the Y-axis (that is, the tilt angle of the fine movement stage plate portion 222) is also determined. Can be measured.

ただし、本発明は、図3A及び図3Bに示したレーザー干渉計32と反射部324の数や配置に限定されず、微動ステージプレート部222の6つの自由度(X、Y、Z、θ、θ、θ)における位置を測定することができる限り、他の数や配置を有しても良い。例えば、X方向レーザー干渉計の設置数を2つから1つだけにするとともに、Y方向レーザー干渉計の設置数を1つから2つにしてもよい。 However, the present invention is not limited to the number and arrangement of the laser interferometer 32 and the reflecting portion 324 shown in FIGS. 3A and 3B, and the six degrees of freedom (X, Y, Z, θ X of the fine movement stage plate portion 222). , Θ Y , θ Z ), other numbers or arrangements may be provided. For example, the number of X-direction laser interferometers installed may be only two to one, and the number of Y-direction laser interferometers installed may be one to two.

本発明の一実施形態による成膜装置11の制御部は、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222(またはこれに設置された基板吸着手段24)の位置情報に基づいて、磁気浮上リニアモータ31を制御する。例えば、成膜装置11の制御
部は、微動ステージプレート部222または基板吸着手段24を、レーザー干渉計32で測定された微動ステージプレート部222または基板吸着手段24の位置と、アライメント用カメラユニット27で測定された基板WとマスクM間の相対的位置ずれ量とによって決められる位置決め目標位置に移動させる。これにより、微動ステージプレート部222または基板吸着手段24の位置をナノメートル単位で高精度に制御することができる。
The control unit of the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention uses the magnetic levitation based on the position information of the fine movement stage plate unit 222 (or the substrate suction unit 24 installed therein) measured by the laser interferometer 32. The linear motor 31 is controlled. For example, the control unit of the film forming apparatus 11 controls the fine movement stage plate unit 222 or the substrate suction unit 24, the position of the fine movement stage plate unit 222 or the substrate suction unit 24 measured by the laser interferometer 32, and the alignment camera unit 27. The substrate W and the mask M are moved to a positioning target position determined by the relative positional deviation amount measured in. Thereby, the position of the fine movement stage plate part 222 or the substrate suction means 24 can be controlled with high precision in the unit of nanometer.

本実施例では、微動ステージプレート部222の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計を用いる構成を説明したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222の位置が測定できる限り、他の位置測定手段を用いても良い。 In this embodiment, the structure for measuring the position of the fine movement stage plate part 222 and using the laser interferometer has been described, but the present invention is not limited to this, and the position of the fine movement stage plate part 222 is Other position measuring means may be used as long as measurement is possible.

自重補償手段33は、微動ステージプレート部222の重量を補償するための手段である。例えば、本発明の一実施形態による自重補償手段33は、図3D及び図5に示したように、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332との間の反発力または吸引力を利用して、微動ステージプレート部222にかかる重力に相応する大きさの浮上力を、重力と反対方向に、発生させる。
第1の磁石部331と第2の磁石部332は、電磁石または永久磁石で構成することができる。図3Dおよび図5に示された第1の磁石部331と第2の磁石部332において、右下がりの線でハッチングされた部分と、右上がり線でハッチングされた部分は、それぞれ別の磁極(S極またはN極)を示している。
The self-weight compensation means 33 is means for compensating for the weight of the fine movement stage plate portion 222. For example, as shown in FIGS. 3D and 5, the self-weight compensation unit 33 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first magnet unit 331 provided on the stage reference plate unit 221 side and a fine movement stage plate unit 222 side. By using the repulsive force or the attractive force between the second magnet portion 332 provided on the second magnet portion 332, a levitation force having a magnitude corresponding to the gravity applied to the fine movement stage plate portion 222 is generated in the direction opposite to the gravity. ..
The first magnet portion 331 and the second magnet portion 332 can be composed of electromagnets or permanent magnets. In the first magnet portion 331 and the second magnet portion 332 shown in FIG. 3D and FIG. 5, the portion hatched by the downward-rightward line and the portion hatched by the upward-rightward line have different magnetic poles ( (S pole or N pole) is shown.

例えば、図3Dに示したように、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332を、逆極性の磁極が対向するように配置することによって、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331が微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332を上方に吸引し、微動ステージプレート部222にかかる重力を相殺することができる。 For example, as shown in FIG. 3D, the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side and the second magnet portion 332 provided on the fine movement stage plate portion 222 side have magnetic poles of opposite polarities. By arranging them so as to face each other, the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side attracts the second magnet portion 332 provided on the fine movement stage plate portion 222 side upward, and the fine movement stage is formed. The gravity applied to the plate portion 222 can be canceled.

または、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332との間の反発力によって、微動ステージプレート部222の重力を相殺することもできる。
例えば、図5に示したように、第1の磁石部331と第2の磁石部332を同じ極性の磁極が対向するように配置するとともに、微動ステージプレート部222と第2の磁石部332との間にZ方向に延びるスペーサー333を介在させ、第2の磁石部332の下端(端部)が第1の磁石部331の下端(端部)よりも高くなるように設置してもよい。つまり、スペーサー333のZ方向の長さを、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332の下端がステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331の下端よりも高くなるように(つまり、微動ステージプレート部222から、より遠くなるように)する。
図5のような構成によって、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332は、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331により上方に反発力を受け、微動ステージプレート部222にかかる重力を相殺することができる。
Alternatively, due to the repulsive force between the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side and the second magnet portion 332 provided on the fine movement stage plate portion 222 side, the gravity of the fine movement stage plate portion 222 is reduced. Can be offset.
For example, as shown in FIG. 5, the first magnet portion 331 and the second magnet portion 332 are arranged so that the magnetic poles of the same polarity face each other, and the fine movement stage plate portion 222 and the second magnet portion 332. A spacer 333 extending in the Z direction may be interposed between the first magnet part 331 and the second magnet part 332 so that the lower end (end part) of the second magnet part 332 is higher than the lower end (end part) of the first magnet part 331. That is, the length of the spacer 333 in the Z direction is set such that the lower end of the second magnet portion 332 provided on the fine movement stage plate portion 222 side is lower than the lower end of the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side. Is also higher (that is, farther from the fine movement stage plate portion 222).
With the configuration as shown in FIG. 5, the second magnet portion 332 provided on the fine movement stage plate portion 222 side receives a repulsive force upward by the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side, The gravity applied to the fine movement stage plate portion 222 can be offset.

微動ステージプレート部222をより安定的に支持することができるように、図3Aに示したように、自重補償手段33を、XY平面内で少なくとも3つの位置に設置することが好ましい。例えば、微動ステージプレート部222の重心の周りに対称になるように設置することが好ましい。 As shown in FIG. 3A, it is preferable to install the self-weight compensating means 33 at at least three positions in the XY plane so that the fine movement stage plate part 222 can be supported more stably. For example, it is preferable that the fine movement stage plate portion 222 is installed symmetrically around the center of gravity.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11においては、自重補償手段33を
採用することによって、磁気浮上リニアモータ31の負荷を低減させ、磁気浮上リニアモータ31から発生する熱を低減することができる。これにより基板Wに成膜された有機材料が熱変性することを抑制することができる。
As described above, in the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention, the load of the magnetic levitation linear motor 31 is reduced and the heat generated from the magnetic levitation linear motor 31 is reduced by adopting the self-weight compensation means 33. can do. This can prevent the organic material formed on the substrate W from being thermally denatured.

つまり、自重補償手段33を使わず、Z方向磁気浮上リニアモータ313のみで微動ステージプレート部222の重量を支持しようとすると、Z方向磁気浮上リニアモータ313に過度な負荷がかかり、相当な熱が発生し、これが基板W上に成膜された有機材料の変性をもたらす恐れがある。本実施例では、微動ステージプレート部222にかかる重力は自重補償手段33によって相殺されるので、Z方向磁気浮上リニアモータ313は、自重補償手段33によって浮上された微動ステージプレート部222にZ方向の微動のための駆動力のみを提供すれば良く、よって、負荷が低減される。 That is, if the weight of the fine movement stage plate portion 222 is to be supported only by the Z-direction magnetic levitation linear motor 313 without using the self-weight compensating means 33, an excessive load is applied to the Z-direction magnetic levitation linear motor 313 and considerable heat is generated. Occurs, which may cause the organic material deposited on the substrate W to be modified. In this embodiment, the gravity applied to the fine movement stage plate portion 222 is canceled by the self-weight compensation means 33, so that the Z-direction magnetic levitation linear motor 313 moves in the Z direction on the fine movement stage plate portion 222 levitated by the self-weight compensation means 33. Only the driving force for the fine movements needs to be provided, thus reducing the load.

本発明の一実施例においては、自重補償手段33を磁石で具現したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222の重力を相殺して浮上させることができる限り、他の構成を有しても良い。 In one embodiment of the present invention, the self-weight compensating means 33 is embodied by a magnet, but the present invention is not limited to this, and as long as the gravity of the fine movement stage plate portion 222 can be canceled and the surface can be lifted, another structure can be used. May have.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の原点位置決め手段34は、微動ステージプレート部222の原点位置を決める手段であって、三角錐状の凹部341と半球状の凸部342とを含むキネマティックカップリング(kinematic coupling)で構成することができる。
例えば、図3Cに示したように、ステージ基準プレート部221側に三角錐状の凹部341を設置し、微動ステージプレート部222側に半球状の凸部342を設置する。半球状の凸部342が三角錐状の凹部341に挿入されると、半球状の凸部342が3つの支点で三角錐状の凹部341の内面に接触し、微動ステージプレート部222の位置が決められる。
The origin positioning means 34 of the magnetic levitation unit 223 according to one embodiment of the present invention is means for determining the origin position of the fine movement stage plate part 222, and includes a kinema including a triangular pyramidal concave portion 341 and a hemispherical convex portion 342. It can be configured with a tic coupling.
For example, as shown in FIG. 3C, a triangular pyramidal concave portion 341 is provided on the stage reference plate portion 221 side, and a hemispherical convex portion 342 is provided on the fine movement stage plate portion 222 side. When the hemispherical convex portion 342 is inserted into the triangular pyramidal concave portion 341, the hemispherical convex portion 342 contacts the inner surface of the triangular pyramidal concave portion 341 at three fulcrums, and the position of the fine movement stage plate portion 222 is changed. Can be decided

このようなキネマティックカップリングタイプの原点位置決め手段34を、図3Aに示したように、微動ステージプレート部222の中心の周りに、X方向とY方向を含む平面上で、3つを等間隔(例えば、120°間隔)に設置することで、微動ステージプレート部222の中心の位置を一定に決めることができる。つまり、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に接近させて3つの原点位置決め手段の凸部342が凹部341内に着座したときの、微動ステージプレート部222の位置を、レーザー干渉計32により測定し、これを原点位置とする。
本発明の一実施形態による成膜装置11によると、3つのキネマティックカップリングを原点位置決め手段34として採用することで、微動ステージプレート部222の原点位置を一定に決めることができ、微動ステージプレート222の位置制御をより精密に行うことができる。
As shown in FIG. 3A, three such kinematic coupling type origin positioning means 34 are equally spaced around the center of the fine movement stage plate portion 222 on a plane including the X direction and the Y direction. By installing them at intervals of 120°, for example, the center position of the fine movement stage plate portion 222 can be fixed. In other words, the position of the fine movement stage plate portion 222 when the fine movement stage plate portion 222 is brought close to the stage reference plate portion 221 and the convex portions 342 of the three origin positioning means are seated in the concave portion 341 is determined by the laser interferometer 32. Measure and use this as the origin position.
According to the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention, by adopting three kinematic couplings as the origin positioning means 34, the origin position of the fine movement stage plate part 222 can be fixed and the fine movement stage plate can be determined. The position control of 222 can be performed more precisely.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11によれば、機械的な駆動機構を使わずに、磁気浮上駆動機構(磁気浮上リニアモータ)を使うことによって、ステージ及びその駆動機構を成膜装置11の真空容器21内に配置することができ、外乱による振動の影響を効果的に低減することができる。また、機械的駆動による揺動を低減することができ、その結果、基板の位置調整の精度を向上させることができる。さらに、レーザー干渉計32を含む位置測定手段、自重補償手段33、及びキネマティックカップリングからなる原点位置決め手段34を採用することによって、基板の位置調整の精度をさらに向上させることができる。 As described above, according to the film forming apparatus 11 according to the embodiment of the present invention, the stage and its driving mechanism can be formed by using the magnetic levitation driving mechanism (magnetic levitation linear motor) without using a mechanical driving mechanism. It can be arranged in the vacuum container 21 of the film forming apparatus 11, and the influence of vibration due to disturbance can be effectively reduced. Further, it is possible to reduce the swing due to mechanical driving, and as a result, it is possible to improve the accuracy of the position adjustment of the substrate. Further, by adopting the position measuring means including the laser interferometer 32, the self-weight compensating means 33, and the origin positioning means 34 composed of a kinematic coupling, the accuracy of the position adjustment of the substrate can be further improved.

<アライメント方法>
以下、図7のフローチャートを参照しつつ、本発明の磁気浮上ステージ機構22を用いて、基板WとマスクMの相対的位置の調整を行うアライメント方法を説明する。
<Alignment method>
Hereinafter, an alignment method for adjusting the relative position of the substrate W and the mask M using the magnetic levitation stage mechanism 22 of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. 7.

まず、マスクMと基板Wが真空容器21内に搬入され、各々マスク支持ユニット23と基板支持ユニットによって支持される(ステップS101)。 First, the mask M and the substrate W are loaded into the vacuum container 21 and supported by the mask supporting unit 23 and the substrate supporting unit, respectively (step S101).

基板支持ユニットによって支持された基板Wを磁気浮上ステージ機構22の微動ステージプレート部222に設置された基板吸着手段24に向かって移動させる。
基板Wが基板吸着手段24に十分に近づくと、基板吸着手段24に基板吸着電圧を印加し、静電引力により基板Wを基板吸着手段24に吸着させる。基板Wを基板吸着手段24に吸着させる際に、基板吸着手段24の吸着面全体に基板Wの全面を同時に吸着させてもよく、基板吸着手段24の複数の領域のうち一領域から他の領域に向かって順次に基板Wを吸着させてもよい(ステップS102)。
The substrate W supported by the substrate supporting unit is moved toward the substrate suction means 24 installed on the fine movement stage plate portion 222 of the magnetic levitation stage mechanism 22.
When the substrate W is sufficiently close to the substrate attracting means 24, a substrate attracting voltage is applied to the substrate attracting means 24 and the substrate W is attracted to the substrate attracting means 24 by electrostatic attraction. When adsorbing the substrate W to the substrate adsorbing means 24, the entire surface of the substrate W may be adsorbed to the entire adsorbing surface of the substrate adsorbing means 24 at the same time. The substrates W may be sequentially adsorbed toward (step S102).

次いで、成膜装置11の制御部は、マスク支持ユニット昇降機構を駆動して、基板吸着手段24とマスク支持ユニット23を相対的に接近させる。この際、制御部は、基板吸着手段24に吸着された基板Wとマスク支持ユニット23によって支持されたマスクMとの間の距離が、予め設定されたラフアライメント計測距離になるまで、基板吸着手段24とマスク支持ユニット23を相対的に接近(例えば、マスク支持ユニット23を上昇)させる。
基板WとマスクMとの間の距離がラフアライメント計測距離になると、ラフアライメント用カメラにより、基板W及びマスクMのアライメントマークを撮像して、XYθ方向における基板WとマスクMの相対位置を測定し、これに基づき、これらの相対的位置ずれ量を算出する(ステップS103)。
Next, the control unit of the film forming apparatus 11 drives the mask support unit lifting mechanism to bring the substrate suction means 24 and the mask support unit 23 relatively close to each other. At this time, the control unit controls the substrate suction means until the distance between the substrate W suctioned by the substrate suction means 24 and the mask M supported by the mask support unit 23 reaches a preset rough alignment measurement distance. 24 and the mask support unit 23 are relatively approached (for example, the mask support unit 23 is raised).
When the distance between the substrate W and the mask M becomes the rough alignment measurement distance, the rough alignment camera captures an image of the alignment marks of the substrate W and the mask M, and the relative position of the substrate W and the mask M in the XYθ Z direction is determined. The measurement is performed, and based on this, the relative positional deviation amount is calculated (step S103).

制御部は、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)の位置と、ラフアライメント用カメラによって算出された位置ずれ量とに基づいて、微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)の移動目標位置の座標を算出する。
移動目標位置の座標に基づいて、微動ステージプレート部222の位置をレーザー干渉計32で測定しながら、磁気浮上リニアモータ31によってXYθ方向に微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)を移動目標位置まで駆動することによって、基板WとマスクMの相対位置を調整する。ラフアライメントでは、微動ステージプレート部222を磁気浮上リニアモータ31によって移動させると説明したが、基板WとマスクMの位置ずれ量の大きさに応じてマスク支持ユニット23をXYθ方向に移動させ、ラフアライメントを行ってもよい(ステップS104)。
The control unit controls the fine movement stage plate unit 222 (or the fine movement stage plate unit 222) based on the position of the fine movement stage plate unit 222 (or the substrate suction unit 24) measured by the laser interferometer 32 and the position shift amount calculated by the rough alignment camera. Alternatively, the coordinates of the target movement position of the substrate suction means 24) are calculated.
The position of the fine movement stage plate portion 222 is measured by the laser interferometer 32 based on the coordinates of the movement target position, and the fine movement stage plate portion 222 (or the substrate suction means 24) is moved in the XYθ Z direction by the magnetic levitation linear motor 31. The relative position between the substrate W and the mask M is adjusted by driving to the target position. In the rough alignment, it has been described that the fine movement stage plate portion 222 is moved by the magnetic levitation linear motor 31, but the mask support unit 23 is moved in the XYθ Z directions according to the amount of positional displacement between the substrate W and the mask M. Rough alignment may be performed (step S104).

ラフアライメントが完了すると、マスク支持ユニット昇降機構によってマスク支持ユニット23をさらに上昇させ、マスクMが基板Wに対してファインアライメント計測位置まで来るようにする。
マスクMが基板Wに対してファインアライメント計測位置に来ると、ファインアライメント用カメラで基板W及びマスクMのアライメントマークを撮像し、XYθ方向における基板WとマスクMの相対的位置ずれ量を測定する(ステップS105)。
When the rough alignment is completed, the mask support unit 23 is further raised by the mask support unit lifting mechanism so that the mask M reaches the fine alignment measurement position with respect to the substrate W.
When the mask M comes to the fine alignment measurement position with respect to the substrate W, the fine alignment camera captures an image of the alignment marks of the substrate W and the mask M and measures the amount of relative displacement between the substrate W and the mask M in the XYθ Z directions. Yes (step S105).

ファインアライメント計測位置における基板WとマスクMとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より大きければ、マスクMを再度下降させ、基板WとマスクMを離間させた後、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222の位置と、基板WとマスクMの相対的位置ずれ量に基づいて、微動ステージプレート部222の移動目標位置を算出する。
算出された移動目標位置に基づいて、微動ステージプレート部222の位置をレーザー干渉計32で測定しながら、磁気浮上リニアモータ31によってXYθ方向に微動ステージプレート部222を移動目標位置まで駆動することによって、基板WとマスクMの相
対位置を調整する(ステップS106)。
If the relative displacement amount between the substrate W and the mask M at the fine alignment measurement position is larger than a predetermined threshold value, the mask M is lowered again, the substrate W and the mask M are separated, and then the laser interferometer 32 is used. The movement target position of the fine movement stage plate portion 222 is calculated based on the measured position of the fine movement stage plate portion 222 and the relative positional deviation amount between the substrate W and the mask M.
Driving the fine movement stage plate 222 in the XYθ Z direction to the movement target position by the magnetic levitation linear motor 31 while measuring the position of the fine movement stage plate part 222 with the laser interferometer 32 based on the calculated movement target position. The relative position between the substrate W and the mask M is adjusted by (step S106).

このような過程を、基板WとマスクMの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなるまで繰り返す。
基板WとマスクMの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、基板吸着手段24に吸着された基板Wの被成膜面がマスクMの上面と接触する蒸着位置になるように、マスク支持ユニット23を上昇させる。
基板WとマスクMが接触した蒸着位置に達すると、磁力印加手段261を下降させ、基板W越しにマスクMを引き寄せることで、基板WとマスクMを密着させる(ステップS107)。
Such a process is repeated until the amount of relative displacement between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value.
When the relative positional displacement amount between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value, the mask is moved so that the film formation surface of the substrate W adsorbed by the substrate adsorbing means 24 comes to the vapor deposition position where the upper surface of the mask M contacts. The support unit 23 is raised.
When the vapor deposition position where the substrate W and the mask M are in contact with each other is reached, the magnetic force applying unit 261 is lowered to draw the mask M over the substrate W, thereby bringing the substrate W and the mask M into close contact (step S107).

この過程で、基板WとマスクMのXYθ方向における位置ずれが生じたかを確認するために、ファインアライメント用カメラを用いて、基板WとマスクMの相対的位置の計測を行い、計測された相対的位置のずれ量が所定の閾値の以上である場合、基板WとマスクMを所定の距離まで再び離間(例えば、マスク支持ユニット23を下降)させた後、基板WとマスクMとの間の相対位置を調整し、同じ過程を繰り返す(ステップS108)。 In this process, in order to confirm whether the positional displacement between the substrate W and the mask M in the XYθ Z direction occurred, the relative position between the substrate W and the mask M was measured using the fine alignment camera, and the measurement was performed. If the relative positional deviation amount is equal to or larger than a predetermined threshold value, the substrate W and the mask M are separated from each other to a predetermined distance again (for example, the mask support unit 23 is lowered), and then the substrate W and the mask M are separated from each other. The relative position of is adjusted and the same process is repeated (step S108).

基板WとマスクMが蒸着位置に位置する状態で、基板WマスクMとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、アライメント工程を完了し、成膜工程を開始する(ステップS109)。 When the relative displacement amount between the substrate W and the mask M is smaller than a predetermined threshold value while the substrate W and the mask M are located at the vapor deposition position, the alignment process is completed and the film forming process is started (step S109). ).

<成膜プロセス>
以下、本実施形態によるアライメント方法を採用した成膜方法について説明する。
前述の本実施形態によるアライメント方法に従ってアライメントを行い、基板WとマスクMとの間の相対位置のずれ量が所定の閾値より小さくなると、制御部は、成膜源25のシャッタを開け、成膜材料をマスクを介して基板Sに成膜する。
<Film forming process>
The film forming method adopting the alignment method according to the present embodiment will be described below.
When the alignment is performed according to the alignment method according to the present embodiment described above and the displacement amount of the relative position between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value, the control unit opens the shutter of the film formation source 25 and forms the film. The material is deposited on the substrate S through the mask.

膜が所望の厚さになるよう蒸着した後、磁力印加手段26を上昇させてマスクMを分離してマスク支持ユニット23に支持させたのち、マスク支持ユニット23を下降させる。
次いで、搬送ロボット14のハンドが成膜装置11の真空容器21内に進入し、基板吸着手段24の電極部にゼロ(0)または逆極性の基板分離電圧が印加し、基板Wを基板吸着手段24から分離する。分離された基板を搬送ロボット14によって真空容器21から搬出する。
After vapor-depositing the film to a desired thickness, the magnetic force applying means 26 is raised to separate the mask M so that the mask M is supported by the mask supporting unit 23, and then the mask supporting unit 23 is lowered.
Then, the hand of the transfer robot 14 enters into the vacuum container 21 of the film forming apparatus 11 and a substrate separation voltage of zero (0) or reverse polarity is applied to the electrode part of the substrate adsorption means 24, so that the substrate W is adsorbed on the substrate adsorption means. Separate from 24. The separated substrate is carried out of the vacuum container 21 by the transfer robot 14.

なお、上述の説明では、成膜装置11は、基板Wの被成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式(デポアップ)の構成としたが、本発明はこれに限定はされず、基板Wが真空容器21の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Wの被成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。 In the above description, the film forming apparatus 11 has a so-called upward vapor deposition method (deposition up) in which film formation is performed with the film formation surface of the substrate W facing vertically downward. The invention is not limited to this, and the substrate W is arranged vertically on the side surface of the vacuum container 21, and the film formation is performed with the film formation surface of the substrate W parallel to the direction of gravity. May be

<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Method of manufacturing electronic device>
Next, an example of a method of manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, a configuration and a manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated as an example of an electronic device.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図6(a)は有機EL表示装置60の全体図、図6(b)は1画素の断面構造を表している。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. 6A shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 6B shows a sectional structure of one pixel.

図6(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。
本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
As shown in FIG. 6A, in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. It should be noted that the pixel here refers to a minimum unit that enables display of a desired color in the display area 61.
In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel 62 is configured by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B that emit different lights. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element. It is not limited.

図6(b)は、図6(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、陽極64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、陰極68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、陽極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と陰極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極64と陰極68とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。 FIG. 6B is a schematic partial sectional view taken along the line AB of FIG. The pixel 62 has an organic EL element including an anode 64, a hole transport layer 65, any one of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a cathode 68 on a substrate 63. There is. Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layers. In the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in a pattern corresponding to light emitting elements that emit red, green, and blue (sometimes described as organic EL elements). Further, the anode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the cathode 68 may be formed commonly to the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the anodes 64 to prevent the anodes 64 and the cathodes 68 from being short-circuited by foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

図6(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極64と正孔輸送層65との間には陽極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極68と電子輸送層67の間にも電子注入層が形成されことができる。 Although the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown as one layer in FIG. 6B, they are formed as a plurality of layers including a hole block layer and an electron block layer depending on the structure of the organic EL display element. May be done. Further, between the anode 64 and the hole transport layer 65, a hole injection layer having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the anode 64 to the hole transport layer 65 is provided. It can also be formed. Similarly, an electron injection layer may be formed between the cathode 68 and the electron transport layer 67.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および陽極64が形成された基板63を準備する。
Next, an example of a method of manufacturing the organic EL display device will be specifically described.
First, a circuit 63 (not shown) for driving the organic EL display device and the substrate 63 on which the anode 64 is formed are prepared.

陽極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the anode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by a lithographic method so that an opening is formed in a portion where the anode 64 is formed to form an insulating layer 69. .. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の陽極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by the electrostatic chuck, and the hole transport layer 65 is a common layer on the anode 64 in the display area. As a film. The hole transport layer 65 is formed by vacuum vapor deposition. Since the hole transport layer 65 is actually formed to have a size larger than that of the display region 61, a high-definition mask is unnecessary.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 has been formed is carried into the second organic material film forming apparatus and held by the electrostatic chuck. The substrate and the mask are aligned, and the light emitting layer 66R that emits red light is formed on the portion of the substrate 63 where the element that emits red light is arranged.
Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G emitting green is formed by the third organic material film forming apparatus, and the light emitting layer 66B emitting blue is formed by the fourth organic material film forming apparatus. .. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display region 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極68を成膜する。金属性蒸着材料成膜装置は、蒸発加熱方式の成膜装置であってもよく、スパッタリング方式の成膜装置であっても良い。 The substrate on which the electron transport layer 67 has been formed is moved by a metal vapor deposition material film forming apparatus to form the cathode 68. The metallic vapor deposition material film forming apparatus may be an evaporation heating type film forming apparatus or a sputtering type film forming apparatus.

本発明によると、機械的なステージ機構の代わりに磁気浮上ステージ機構を用いることで、基板とマスクとの間のアライメントの精度をさらに向上させることができる。
その後、プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
According to the present invention, by using the magnetic levitation stage mechanism instead of the mechanical stage mechanism, it is possible to further improve the accuracy of alignment between the substrate and the mask.
After that, the organic EL display device 60 is completed by moving to a plasma CVD device and forming a protective layer 70.

絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film forming apparatus until the film formation of the protective layer 70 is completed, if the substrate 63 is exposed to an atmosphere containing water and oxygen, the light emitting layer made of an organic EL material will be formed. It may be deteriorated by water or oxygen. Therefore, in this example, loading and unloading of the substrate between the film forming apparatuses is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

前記実施例は本発明の一例を現わしたものであり、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。 The above-mentioned embodiment represents an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above-mentioned embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea thereof.

11:成膜装置
21:真空容器
22:磁気浮上ステージ機構
23:マスク支持ユニット
24:基板吸着手段
11: film forming apparatus 21: vacuum container 22: magnetic levitation stage mechanism 23: mask support unit 24: substrate adsorption means

Claims (24)

基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、
を含むことを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate through a mask,
A vacuum container,
Substrate supporting means for supporting the substrate provided in the vacuum container,
Mask support means provided in the vacuum container for supporting the mask,
A first direction that is provided in the vacuum container and that is parallel to the supporting surface of the substrate supporting means, and a second direction that intersects the first direction and that is parallel to the supporting surface of the substrate supporting means; A magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting the position of the substrate supporting means in a rotation direction around a third direction intersecting both the first direction and the second direction;
A film forming source provided in the vacuum container for accommodating a film forming material, and for forming the film forming material into particles and releasing the particles;
A film forming apparatus comprising:
前記磁気浮上ステージ機構は、前記第3の方向、前記第1の方向を中心とした回転方向、及び前記第2の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
The magnetic levitation stage mechanism can adjust the position of the substrate supporting means in the third direction, the rotation direction about the first direction, and the rotation direction about the second direction. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming apparatus can be formed.
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、
前記基板支持手段は、前記第2のプレート部に設置される
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
The magnetic levitation stage mechanism has a position fixed with respect to the vacuum container, and a first plate portion installed parallel to the first direction and the second direction; and a first plate portion with respect to the first plate portion. And a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate supporting unit is installed on the second plate unit.
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して駆動することができる磁気浮上リニアモータを含む
ことを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 3, wherein the magnetic levitation unit includes a magnetic levitation linear motor that can drive the second plate portion with respect to the first plate portion.
前記磁気浮上リニアモータは、前記第2のプレート部を前記第1の方向に駆動することができる第1の磁気浮上リニアモータと、前記第2のプレート部を前記第2の方向に駆動することができる第2の磁気浮上リニアモータと、前記第2のプレート部を前記第3の方向に駆動することができる第3の磁気浮上リニアモータとを含む
ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
The magnetic levitation linear motor includes a first magnetic levitation linear motor that can drive the second plate portion in the first direction, and a second magnetic plate levitation motor that drives the second plate portion in the second direction. 5. A magnetically levitated linear motor capable of performing the above, and a third magnetically levitated linear motor capable of driving the second plate portion in the third direction. Deposition apparatus.
前記磁気浮上リニアモータは、前記第1のプレート部および前記第2のプレート部の一方に設置された固定子と、他方に設置された可動子とを含み、
前記固定子は、前記可動子を駆動するための磁界発生手段を含み、
前記可動子は、磁性体を含む
ことを特徴とする請求項4または5に記載の成膜装置。
The magnetic levitation linear motor includes a stator installed on one of the first plate part and the second plate part, and a mover installed on the other,
The stator includes magnetic field generating means for driving the mover,
The film forming apparatus according to claim 4, wherein the mover includes a magnetic material.
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の位置を測定するための位置測定手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項3から6のいずれか1項に記載の成膜装置。
7. The film forming apparatus according to claim 3, wherein the magnetic levitation unit further includes position measuring means for measuring the position of the second plate portion.
前記位置測定手段は、前記第1のプレート部に対して固定されるレーザー干渉計と、前記レーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる反射部とを含む
ことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
The position measuring means includes a laser interferometer fixed to the first plate portion, and a reflecting portion provided on the second plate portion so as to face the laser interferometer. The film forming apparatus according to claim 7.
前記位置測定手段は、前記第1の方向における前記第2のプレート部の位置を測定するための第1の位置測定部と、前記第2の方向における前記第2のプレート部の位置を測定するための第2の位置測定部と、前記第3の方向における前記第2のプレート部の位置を測定するための第3の位置測定部とを含む
ことを特徴とする請求項7または8に記載の成膜装置。
The position measuring means measures a position of the second plate portion in the first direction and a position of the second plate portion in the second direction. 9. A second position measuring unit for measuring the position of the second plate unit in the third direction, and a third position measuring unit for measuring the position of the second plate unit in the third direction. Film forming equipment.
前記第1の位置測定部は、前記第1の方向に測定ビームを照射するように設置される第1のレーザー干渉計と、前記第1のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる第1の反射部とを含み、
前記第2の位置測定部は、前記第2の方向に測定ビームを照射するように設置される第2のレーザー干渉計と、前記第2のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる第2の反射部とを含み、
前記第3の位置測定部は、前記第3の方向に測定ビームを照射するように設置される複数の第3のレーザー干渉計と、前記第3のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる複数の第3の反射部とを含み、
前記第1のレーザー干渉計または前記第2のレーザー干渉計のうちの少なくとも一つは、複数である
ことを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
The first position measuring unit includes a first laser interferometer installed to irradiate a measurement beam in the first direction, and the second plate so as to face the first laser interferometer. A first reflecting portion provided in the section,
The second position measuring unit includes a second laser interferometer installed so as to irradiate a measurement beam in the second direction, and the second plate so as to face the second laser interferometer. A second reflecting portion provided in the section,
The third position measuring unit includes a plurality of third laser interferometers installed so as to irradiate the measurement beam in the third direction, and the second laser interferometers so as to face the third laser interferometers. A plurality of third reflecting portions provided on the plate portion of
10. The film forming apparatus according to claim 9, wherein at least one of the first laser interferometer and the second laser interferometer is plural.
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項3から10のいずれか1項に記載の成膜装置。
11. The film forming apparatus according to claim 3, wherein the magnetic levitation unit further includes self-weight compensation means for compensating for gravity applied to the second plate portion.
前記自重補償手段は、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む
ことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
12. The self-weight compensating means includes a first magnet part installed on the first plate part and a second magnet part installed on the second plate part. The film forming apparatus described.
前記第1の磁石部と前記第2の磁石部は、前記第2のプレート部にかかる重力の方向と反対方向に浮上力を発生させるように配置される
ことを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。
The first magnet part and the second magnet part are arranged so as to generate a levitation force in a direction opposite to a direction of gravity applied to the second plate part. Film forming equipment.
前記第2の磁石部は、前記第3の方向に延びるスペーサーを介して前記第2のプレート部に設置され、
前記スペーサーは、前記第3の方向において、前記第2の磁石部の前記第2のプレート部に近い端部が前記第1の磁石部の前記第2のプレート部に近い端部よりも前記第2のプレート部からより遠くなる長さを有する
ことを特徴とする請求項12または13に記載の成膜装置。
The second magnet portion is installed on the second plate portion via a spacer extending in the third direction,
In the third direction, the spacer has the end portion of the second magnet portion closer to the second plate portion than the end portion of the first magnet portion closer to the second plate portion. The film forming apparatus according to claim 12 or 13, wherein the film forming apparatus has a length farther from the second plate portion.
前記自重補償手段は、前記第1の方向と前記第2の方向を含む平面内で少なくとも3つの位置に設けられる
ことを特徴とする請求項11から14のいずれか1項に記載の成膜装置。
15. The film forming apparatus according to claim 11, wherein the self-weight compensation unit is provided at at least three positions within a plane including the first direction and the second direction. ..
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項3から15のいずれか1項に記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 3, wherein the magnetic levitation unit further includes an origin positioning unit for determining an origin position of the second plate portion.
前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含む
ことを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 16, wherein the origin positioning unit includes at least three kinematic couplings.
前記キネマティックカップリングは、前記第1の方向及び前記第2の方向を含む平面上
での前記第2のプレート部の中心の周りに等間隔で配置される
ことを特徴とする請求項17に記載の成膜装置。
18. The kinematic couplings are arranged at equal intervals around a center of the second plate portion on a plane including the first direction and the second direction. The film forming apparatus described.
前記基板は、シリコンウエハ、ガラス、樹脂、高分子材料のフィルム、もしくは、金属、または、これらの材料にフィルムが積層されたものである
ことを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載の成膜装置。
19. The substrate is a silicon wafer, glass, resin, a film of a polymer material, or a metal, or a film obtained by laminating a film of any of these materials. The film forming apparatus according to.
前記基板支持手段は、前記基板を吸着して支持する
ことを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の成膜装置。
20. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate supporting unit adsorbs and supports the substrate.
基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、
を含むことを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate through a mask,
A vacuum container,
Substrate supporting means for supporting the substrate provided in the vacuum container,
Mask support means provided in the vacuum container for supporting the mask,
A first direction provided in the vacuum container and parallel to a supporting surface by the mask supporting means, and a second direction intersecting the first direction and parallel to a supporting surface by the substrate supporting means; A magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting the position of the mask supporting means in a rotation direction around a third direction intersecting both the first direction and the second direction;
A film forming source provided in the vacuum container for accommodating a film forming material, and for forming the film forming material into particles and releasing the particles;
A film forming apparatus comprising:
請求項1から21のいずれか1項に記載の成膜装置と、
マスクを収納するためのマスクストック装置と、
基板またはマスクを搬送するための搬送装置と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造装置。
A film forming apparatus according to any one of claims 1 to 21,
A mask stock device for storing masks,
A transfer device for transferring a substrate or a mask,
An apparatus for manufacturing an electronic device, comprising:
基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、
マスクを成膜装置の真空容器内に搬入するステップと、
基板を前記真空容器内に搬入するステップと、
前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持するステップと、
前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動させることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整するステップと、
前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させるステップと、
前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜するステップと、
を含むことを特徴とする成膜方法。
A film forming method for forming a film forming material on a substrate through a mask, comprising:
Loading the mask into the vacuum container of the film forming apparatus;
Loading the substrate into the vacuum container;
Supporting the substrate by substrate support means in the vacuum container,
Adjusting the relative position of the substrate and the mask by moving the substrate supporting means by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum container;
Adhering the mask to the film formation surface of the substrate,
Forming a film-forming material, which has been made into particles by a film-forming source in the vacuum container, on the substrate through the mask;
A film forming method comprising:
請求項23に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
An electronic device manufacturing method comprising: manufacturing an electronic device using the film forming method according to claim 23.
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