KR102200502B1 - 전도성 박막 - Google Patents

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KR102200502B1
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Abstract

하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하는 전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자에 대한 것이다:
[화학식 1]
MeCha
여기서, Me는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu이고, Ch는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움이고, a는 1 내지 3의 정수임.

Description

전도성 박막{ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILMS}
전도성 박막 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
LCD 또는 LED 등의 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양 전지, 투명 트랜지스터 등의 전자 소자는 전도성 박막 또는 투명 전도성 박막을 포함한다. 전도성 박막 재료는, 가시광 영역에서 예컨대 80% 이상의 높은 광투과도와 예컨대 100μ Ω*cm 이하의 낮은 비저항을 가지도록 요구될 수 있다. 현재 사용되고 있는 전도성 박막 재료로는, 산화물 재료 또는 전도성 고분자 재료를 들 수 있다, 산화물 재료로는, 인듐 주석 산화물 (ITO), 주석 산화물 (SnO2), 아연 산화물(ZnO) 등이 있다. 투명 전극 소재로서 널리 사용되고 있는 ITO는 유연성이 좋지 않고 인듐의 제한된 매장량으로 인해 가격 상승이 불가피하여 이를 대체할 소재의 개발이 절실히 요구되고 있다. 주석 산화물 및 아연 산화물은 역시 전도성이 높지 않고 유연성이 좋지 않다.
고분자계 전극 재료의 대표적 예로는 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌설포네이트))를 들 수 있다. 고분자 전극 재료는 유연성은 우수하지만 전도성 및 안정성이 낮다.
차세대 전자기기로 주목받고 있는 유연(Flexible) 전자 기기 (예컨대, 굽힘형 또는 접힘형 전자 소자)의 개발을 위해서는 높은 투명도와 우수한 전기 전도도를 가지면서 유연하고 안정한 투명 전극 소재의 개발이 선행되어야 한다.
(특허문헌 1) US6955940 B2
일 구현예는 높은 전도도 및 우수한 광투과도를 가지면서 유연한 전도성 박막에 대한 것이다.
다른 구현예는 상기 전도성 박막을 포함하는 전자 소자에 대한 것이다.
일구현예에서, 전도성 박막은, 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함한다:
[화학식 1]
MeCha
여기서, Me는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu이고, Ch는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움이고, a는 1 내지 3의 정수임.
상기 전도성 박막은, 두께 100 nm 에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상일 수 있다.
상기 전도성 박막은, 면 내 방향(in-plane)으로 측정된 전기 전도도가 면외(out of plane) 방향으로 측정된 전기 전도도보다 클 수 있다.
상기 화합물은, 트리텔루라이드 화합물일 수 있다.
상기 화합물은, YTe3, LaTe3, CeTe3, PrTe3, NdTe3, SmTe3, GdTe3, TbTe3, DyTe3, HoTe3, ErTe3, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 상기 화합물의 단결정을 포함할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 전기 전도도가 3000 S/cm 이상일 수 있다.
상기 화합물은, 25 도씨에서 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)의 곱이 30 Ω/□ 이하일 수 있다.
상기 층상 결정 구조는, Cmcm(63)스페이스 그룹을 가지는 사방정계 (orthorhombic system with Cmcm(63) space group), C2cm(40) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, 또는 P42/n(86) 스페이스 그룹을 가지는 정방정(tetragonal)계에 속할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들을 포함하고, 상기 나노 시트들은 접촉되어 전기적 연결을 제공할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 연속하는 증착막을 가질 수 있다.
다른 구현예는, 전술한 전도성 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 전자 소자는, 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 전기 변색 미러(electrochromic mirror), 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이일 수 있다.
일구현예에 따르면, ITO에 필적하거나 그보다 높은 수준의 전도도 및 가시광선 영역에서 향상된 광투과도를 가지면서 유연성이 우수한 전도성 박막을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예들에서 다결정 화합물을 제조하는 공정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 2는 일구현예에 따른 화합물의 단위 구조층 구조를 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3은 CeTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 4는 YTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 5는 LaTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 6은 ErTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 7은 NdTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 8은, SmTe3의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 9는, 실시예 2에서 단결정 화합물을 제조하는 공정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 10은, 일 구현예에 따른 전도성 박막을 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 구현예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 구현예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 구현예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 구현예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타낸다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 명세서에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
일구현예에서 전도성 박막은, 전도성 박막은, 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함한다:
[화학식 1]
MeCha
여기서, Me는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu이고, Ch는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움이고, a는 1 내지 3의 정수, 예컨대, 1, 2, 또는 3이다.
상기 전도성 박막은, 두께 100 nm 에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상, 예컨대 85% 이상, 또는 90% 이상일 수 있다.
상기 화합물은, YTe3, LaTe3, CeTe3, PrTe3, NdTe3, SmTe3, GdTe3, TbTe3, DyTe3, HoTe3, ErTe3, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 전도성 박막은, 상기 화합물의 단결정 또는 다결정을 포함할 수 있다.
화학식 1로 나타내어지는 희토류 금속 칼코게나이드 화합물은, 층상 결정 구조를 가지며, 우수한 전도성, 유연성, 및 투명성을 가진 전도성 박막을 제공할 수 있다. 이러한 전도성 박막은 하나의 연속막 (예컨대, 증착막 또는 코팅층)으로 제조될 수 있거나 혹은 박리(exfoliation)에 의해 제조된 나노 플레이크들을 포함하는 층으로 제조될 수 있다. 상기 층에서 나노 플레이크들은 적어도 일부가 서로 접촉되어 전기적 연결을 제공한다. 도 2를 참조하면, 일구현예에 따른 희토류 금속 칼코게나이드의 결정 구조에서, 칼코겐 원자는 단위 구조층의 최상부 및 저부에 존재하며 각각의 단위 구조층들은 반데르발스 (van der waals) 에너지에 의해 결합되어 있다. 반데르발스 에너지는 공유결합 또는 이온 결합에 비해 결합 에너지가 작다. 예컨대, 상기 화합물들의 층간 결합력은, 1.24 x 10-3 eV/옹스트롱 이하일 수 있다. 따라서 상기 단위 구조층들은 약한 층간 결합으로 인해 비교적 쉽게 박리되어 나노시트들 (혹은 나노플레이크들)을 얻을 수 있다. 박리된 나노시트들이 기판 상에 도포되어 예를 들어, 각각의 나노시트들이 다른 나노시트들과 접촉하는 박막 (예컨대, 모노레이어)를 형성할 수 있으며, 이러한 박막은 높은 전도도 및 투명성과 함께, 우수한 유연성을 나타낼 수 있다.
상기 전도성 박막은, 3000 S/cm 이상, 예를 들어, 3500 S/cm 이상, 4000 S/cm 이상, 5000 S/cm 이상, 6000 S/cm 이상, 7000 S/cm 이상의 전도도를 나타낼 수 있다. 몇몇 구현예에서, 희토류금속 트리텔루라이드 화합물을 포함하는 전도성 박막은 3000 내지 10,000 S/cm 정도의 높은 전도도를 나타낼 수 있다. 이러한 전도도는, 단결정 면내(in-plane) 방향으로 측정하게 되면 더 높은 값 (예컨대, 2 내지 3배 더 높은 값)을 나타낼 수 있다. 또, 상기 전도성 박막은, 면 내 방향으로 측정된 전기 전도도가 면외(out of plane) 방향으로 측정된 전기 전도도보다 클 수 있다.
가시광 영역에서 투명하고 높은 전도도를 가지며 유연한 투명 전극재료의 개발을 위해 다양한 연구가 진행되어 왔다. 일반적으로, 금속 전극 재료는 높은 전자밀도 및 높은 전기 전도도를 가질 수 있다. 그러나, 금속 박막은 대기 중의 산소와 쉽게 반응하여 표면에 산화물을 형성하며, 일부 금속들은 심각한 산화 현상을 겪을 수 있어 접촉 저항이 높아질 수 있다. 양호한 전도도를 가지면서 표면 산화가 감소된 세라믹 소재를 사용하여 표면 접촉저항의 감소시키고자 하는 시도도 있었다. 그러나, 현재 사용되고 있는 전도성 세라믹 소재 (예컨대, ITO)는 원재료 공급이 불안정할 뿐만 아니라 금속 수준의 전도도를 구현하기 어렵고, 특히 유연성이 좋지 않다. 이와 대조적으로, 일구현예에 따른 상기 희토류 칼코게나이드 함유 전도성 박막은, 금속 수준의 높은 전기 전도도 및 높은 투명성을 보장하면서 특히 유연성이 우수하여, 유연 전자 기기에서 유리하게 사용될 수 있다.
상기 전도성 박막의 상기 희토류 칼코게나이드 화합물은, 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)의 곱이 30 Ω/□ 이하, 예를 들어 30 Ω/□ 이하일 수 있다. 여기서, 상기 흡수 계수 및 비저항값은 컴퓨터 시뮬레이션으로부터 구해진 값이다. 즉, 비저항값(ρ)은, 해당 희토류 금속 칼코게나이드 화합물들의 결정 구조로부터 페르미 수준 부근에서의 상태밀도(density of state: DOS)와 밴드 구조를 계산하여 구한다. 또, 특정 파장에 대한 흡수계수(α)는 Drude 모델을 적용하고 인터밴드 트랜지션에 의한 전자 천이를 고려하여 구해지는 상기 화합물의 유전 상수로부터 계산된 값이다. 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)을 구하는 시뮬레이션 방법론에 대하여는, Vienna Ab-initio Simulation Package (written by Georg Kresse and Jurgen Furthmuller, Institut fur Materialphysik, Universitat Wien, Sensengasse 8, A-1130 Wien, Austria, August 24, 2005, http://cms.mpi.univie.ac.at/VASP/) 를 더 참조할 수 있으며 본 문헌은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 전술한 시뮬레이션 절차를 정리하면 아래 표 1과 같다.
계산
단계		 Simulation level Calculation / simulation
원자전자
구조		 DFT Structure optimization
Band structure calculation
전도특성 Semi-classical Boltzmann
transport (const. τ )		 Intra-band transition
σ ~ (e 2/4π3) τ ∫ dk v(k) v(k) (-∂f/∂ε)
= ne 2τ/meff = ne μ
ρ = 1/σ
유전특성 DFPT
+ Drude model		 Inter-band transition
ε(ω) = εD(ω) + εB(ω) = ε1(ω) + i ε2(ω)
광특성 Ray optics n(ω) + i k(ω) = ε(ω)½
Absorption coeff. α = 4πk/λ
Calculate ρα
DFT: density-functional theory
DFPT: density-functional perturbation theory
Drude model: free electron model for solid
σ, τ, meff, μ, ρ: electrical conductivity, relaxation time, effective mass, mobility, resistivity
ωp (ωp ') : (screened) plasma frequency
상기 표 1에 기재된 내용을 이하에서 더 상세히 설명한다.
소재의 양자역학적 상태를 계산해 내기 위하여 DFT기법 (density-functional-theory: 전자의 분포를 파동함수 대신 전자밀도함수를 이용하여 기술하여 양자역학 방정식을 푸는 방법)에 기반한 제일원리 계산(first-principles calculation: 외부 파라메터 없이 fundamental 방정식으로부터 하는 계산) 을 수행하여 전자의 양자역학적 상태를 계산한다. 제일원리 DFT 코드인 VASP(The Vienna Ab initio simulation package code)를 이용하여 전자상태를 계산한다. 2DEG 후보 소재군을 ICSD (Inorganic Crystal Structure Database)로부터 선정하여, 그 원자구조 정보를 입력, 전자들이 에너지 준위들을 모사하여 계산할 수 있으며, 그러한 전자들의 k-space 상에서의 에너지 밀도 함수 및 상태 밀도 함수를 구한다.
DFT 전산 모사를 통하여 계산된 전자구조는 E-k diagram (밴드구조)과 DOS (Density of State: 전자 상태밀도, 에너지 별 전자의 상태밀도 함수) 정보를 주며, 전자가 존재할 수 있는 최대 에너지 준위 (E) 상의 DOS 존재여부에 따라 금속 전도 재료 (DOS(E) >　0) 혹은 반도체성 전도 재료 (DOS(E) = 0) 여부를 판별할 수 있다. 금속 전도성 재료의 전도도(σ)를 예측하기 위하여, Semi-classical Boltzmann transport model을 도입하여 전도 특성을 예측하였다. 이때, 전자의 τ (relaxation time: 전자가 충돌을 하지 않고 움직일 수 있는 시간)은 일정하다고 가정하였다. (문헌: Ashcroft and Mermin, Solid State Physics)
Figure 112014050268189-pat00001
　
　τ는 전자의 relaxation time, k는 전자의 k-space에서의 상태, v(k)는 k 상태에서의 전자의 속도, f는 Fermi-Dirac distribution이고, E은 에너지이다.
이때, v(k)는 E-k diagram으로부터 구할 수 있다. 위의 관계식으로부터, σ/τ를 구할 수 있다.　
DFPT + Drude model 을 이용한 투과도 계산
전도성 재료의 투과도 흡수도를 결정하는 메커니즘은 크게 자유전자의 plasma-like oscillation에 의한 Intra-band 흡수와 속박전자의 band-to-band transition에 의한 Inter-band 흡수가 존재한다. 각 메커니즘을 방영한 양자전산모사 과정은 아래의 표 2 < Simulation table for Optical Properties >　와 같은 프로세스를 통해서 구할 수 있다. (참고문헌: Ashcroft and Mermin, Solid State Physics)
STEP Category Calculation Results Method (tool)
8 Optical simulation Inter-band transition ε　B(w)=
ε　B1(w)+i ε B2(w)		 DFT (VASP)
9 Optical simulation Plasma frequency
Intra-band transition		 ε D(w)=
ε D1(w)+i ε D2(w)		 Boltzmann transport
DFT (VASP) or Post-processing
10 Optical simulation Total dielectric constant
Refractive index		 　 Post-processing
11 Optical simulation Reflectance
Absorption coefficient		 Plasma freq.
Reflectance
Absorption co.
Transmittance		 Post-processing
B는 band, D는 Drude model을 나타냄.
　이 때 고체의 유전상수(ε)과 굴절률(n), 흡수계수(α)의 관계는 다음과 같다. 유전상수는 interband transtition에서 기인하는 부분(ε)과 intraband transtion 에서 기인하는 부분 (ε)을 모두 고려하여 주어야 한다.
ε(ω) = ε( Drude ) + ε( Band )
= ε1(ω) + i ε2(ω) 유전함수
( n + ik )2 = ε(ω) 굴절함수
α(ω) = 4πk/λ 흡수계수
앞선 전도도 계산과 같이, inter-band 흡수의 경우, 기 계산된 밴드 구조를 통하여 계산이 가능한 반면, 자유 전자에 의한 intra-band 흡수의 경우, Drude 모델링에 기반한 전도도 및 광학 계수 계산을 통하여 다음과 같이 모사를 수행하였다. [참고문헌: Jinwoong Kim, Journal of Applied Physics 110, 083501 (2011)]
　　
Figure 112014050268189-pat00002
ω : frequency
ωp: plasma frequency
k : extinction coefficient
　위와 같이, 계산된 inter-band 흡수와 intra-band 흡수를 종합하면, 계산된 물질의 유전 함수를 구할 수 있으며, 이를 통해 광학 상수들을 모사하고, 최종적으로 재료의 반사도(R), 흡수계수(a), 투과도(T)를 계산할 수 있다.
전술한 방법에 따라 구해진 다양한 희토류 칼코게나이드의 흡수계수(α), 비저항값(ρ) 값을 정리하면 아래 표 3과 같다.
조성 비저항 ρ
(Ω*cm)		 흡수계수 α
(1/cm)		 ρx α(Ω) 투명전극 면저항 Rs
(Ω/sq, 투명도 90%)
YTe3 1.01 x 10-5 2.7 x 105 2.73 25.8
LaTe3 1.11 x 10-5 2.3 x 105 2.55 24.7
CeTe3 1.08 x 10-5 2.2 x 105 2.38 22.5
상기 비저항(ρ)과 흡수 계수(α)의 곱은, 아래의 관계식에 의해, 면저항 (Rs)과 투과도(lnT)의 곱을 대표할 수 있다. 따라서, ρ*α 값이 작은 화합물일수록 전도성 박막의 재료로서 유리할 수 있다:
e-αt = T (즉, αt = ln T)
Rs = ρ/t
∴ ρ*α= Rs * (lnT)
α: 흡수계수,
ρ: 비저항,
T: 투과도 (at λ=550nm),
t: 두께,
Rs: 면저항
전술한 일구현예에 따른 전도성 박막에 포함된 상기 화합물은 흡수계수 및 비저항의 곱 (즉, Rs * (-lnT) 값)이 30 이하, 예를 들어 25이하, 또는 20 이하의 값을 가질 수 있으므로, 높은 전도도와 우수한 투명성 (즉, 낮은 면저항 및 높은 광투과율)을 가진 전도성 박막을 제공할 수 있다.
상기 일구현예에 따른 전도성 박막은 금속과 비금속 원소를 포함하는 무기 재료(inorganic material)를 포함하지만, 얇은 두께에서도 매우 높은 수준의 전도도를 나타낼 수 있다. 특정 이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 전술한 전도성 박막은 층상결정 구조 내에서 2차원으로 제한(confined)된 전자들을 포함하며, 이러한 전자들은 얇은 막두께에서도 높은 이동도를 가지고 이동할 수 있으므로, 높은 투명성과 함께 매우 높은 수준의 전도도를 구현할 수 있다고 생각된다. 또한, 층상 결정 구조를 가지는 전술한 화합물을 포함하는 상기 전도성 박막은, 층간 슬라이드가 가능하여 높은 유연성을 나타낼 수 있을 것으로 생각된다. 일구현예에서, 상기 화학식 1 로 나타내어지는 희토류금속 칼코게나이드 화합물의 층상 결정 구조는, 사방정계(orthorhombic system) 또는 정방정계 (tetragonal system)를 포함할 수 있으며, 하기 표 4와 같은 스페이스 그룹에 속할 수 있다.
조성 Space group
YTe3 Cmcm (63)
LaTe3 Cmcm (63)
CeTe3 Cmcm (63)
PrTe3 C2cm (40)
NdTe3 Cmcm (63)
SmTe3 C2cm (40)
GdTe3 C2cm (40)
TbTe3 P42/n (86)
DyTe3 P42/n (86)
HoTe3 Cmcm (63)
ErTe3 Cmcm (63)
일구현예에서, 상기 전도성 박막은, 화학식 1의 희토류 금속 칼코게나이드 화합물의 원료 물질, 이로부터 제조된 다결정 또는 단결정 벌크 재료, 또는 상기 벌크재료로부터 얻어진 분말을 준비하고, 원료분말, 제조된 벌크 재료 또는 그의 분말로부터 증착 등의 방법에 의해 얇은 전도성 박막 (예컨대, 투명 전도막)로 제조할 수 있다. 대안적으로, 상기 전도성 박막은, 상기 벌크 재료 분말을 액상 박리(liquid exfoliation) 에 의해 나노시트들로 제조하고 제조된 나노 시트들을 박막(thin film)으로 제조하여 얻을 수 있다.
상기 희토류 금속 칼코게나이드 화합물의 원료 물질은, 각각의 원소 및 각각의 원소를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 예컨대, 원료 물질은 Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 원료 물질은, 황, 셀레늄, 또는 텔루리움일 수 있다. 일구현예에서, 상기 원료 물질은, 전술한 금속과 황, 셀레늄, 또는 텔루리움의 화합물일 수 있다.
다결정 벌크 재료는, 석영 앰플(quartz ampoule)법, 아크 용융(arc melting)법, 고상 반응(solid state reaction)법) 등을 사용하여 전술한 원료 물질로부터 제조할 수 있다. 예컨대, 석영 앰플법은 원료 원소를 석영관(quartz tube) 또는 금속으로 만든 앰플에 넣고 진공으로 밀봉하고 열처리하여 고상반응 혹은 용융시키는 단계를 포함한다. 아크 용융법은 원료 원소를 챔버에 넣고 비활성 기체 (예컨대, 질소, 알곤, 등) 분위기 속에서 아크 방전을 수행하여 원료 원소를 용융시킨 다음 고화하는 단계를 포함한다. 고상 반응법은 원료 분말을 혼합하고 펠렛화하여, 얻어진 펠렛을 열처리하거나, 혹은 원료 분말 혼합물을 열처리하고, 팰렛화하여 소결(sintering)하는 단계를 포함할 수 있다.
제조된 다결정 벌크 재료는 소결 등에 의해 고밀도화될 수 있다. 고밀도화된 재료는 전기 전도도 측정을 위한 시편으로 사용될 수 있다. 고밀도화는 핫 프레스(hot press)법, 스파크 플라즈마 소결(spark plasma sintering)법, 핫 포징(hot posing)법 등에 의해 수행될 수 있다. 핫 프레스법은 분체 화합물을 소정 형상의 몰드에 가하고, 고온, 예를 들어 300℃ 내지 800℃ 및 고압, 예를 들어 30Pa 내지 300MPa에서 성형하는 방법이다. 스파크 플라즈마 소결법은 분체 화합물에 고압의 조건에서 고전압 전류, 예를 들어 약 30MPa 내지 약 300Mpa의 압력에서 50A 내지 500A의 전류를 흘려서 짧은 시간에 재료를 소결하는 것을 포함한다. 핫 포징법은 분체 화합물을 예를 들어 300℃ 내지 700℃의 고온에서 압출 및 소결하는 단계를 포함할 수 있다.
단결정 재료는 결정 잉곳(crystal ingot) 제조 또는 단결정 성장에 의해 얻을 수 있다. 결정 잉곳은, 정조성 용융(congruent melting)하는 재료를 녹는점보다 높은 온도로 가열한 후 서냉(slow cooling) 하여 얻을 수 있다. 예컨대, 원료 혼합물을 석영 앰플에 넣고, 상기 앰플을 진공 상태로 밀봉하여 원료 혼합물을 용융시킨 다음, 용융액을 서서히 냉각하여 결정 잉곳을 얻는다. 결정 입자의 크기는, 용융액의 냉각속도를 조절하여 제어할 수 있다. 단결정 성장은, 금속 플럭스(metal flux)법, 브릿지맨(bridgeman)법, 광학 유동 영역(optical floating zone)법, 증기 전송(vapor transport)법 등에 의해 수행될 수 있다. 금속 플럭스법은, 원료 분말을 별도의 융제(flux)와 함께 도가니에 넣고 고온에서 녹인 후 서서히 냉각시켜 일정 온도에서 결정이 성장하도록 제조하는 방법이다. 브릿지맨법은 원료 원소를 도가니에 넣고 도가니 끝쪽에서 원료 원소가 용해될 때까지 고온으로 가열한 다음, 고온영역을 천천히 이동시켜 시료를 국부적으로 용해시키면서 시료 전체를 고온영역으로 통과하게 하여 결정을 성장시키는 단계를 포함한다. 광학 유동 영역법은 원료 원소를 막대 형상으로 씨드 로드(seed rod)와 피드(feed rod)로 만든 다음 피드 로드를 램프의 빛을 한 초점에 모아 국부적으로 고온으로 시료를 용해시키면서 용해부분을 위쪽으로 천천히 끌어올려 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 방법이다. 증기 전송법은 원료 원소를 석영관 아래쪽에 넣고 원료 원소 부분을 가열하고 석영관 위쪽은 낮은 온도로 두어 원료 원소가 기화되면서 낮은 온도에서 고상반응을 일으키며 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 방법이다. 얻어진 단결정 재료의 전기 전도도는 직류 4단자법에 의해 측정할 수 있다.
제조된 다결정 또는 단결정 벌크재료를 미분화(pulverization)하여 결정 분말을 얻을 수 있다. 미분화는 특별한 제한 없이 볼밀(ball mill) 등 임의의 방법에 의해 수행될 수 있다. 미분화 후, 예를 들면 체(seive)를 이용하여 일정한 크기의 분말을 얻을 수 있다
제조된 다결정 또는 단결정 벌크 재료는 기상 증착의 타겟 등으로 사용되어 상기 화합물을 포함하는 얇은 연속 필름 (즉, 전도성 박막)를 제공할 수 있다. 기상 증착은, 열증착 (thermal evaporation), 스퍼터링 등의 물리증착(physical vapor deposition), 화학 증착 (CVD), 원자층 증착 (atomic layer deposition: ALD), 펄스형 레이저 증착(pulsed laser deposition)법에 의해 수행될 수 있다. 이러한 증착법은 공지된 혹은 상업적으로 입수 가능한 임의의 장치를 사용하여 수행될 수 있다. 증착 (deposition)의 조건은 화합물의 종류 및 증착 방식에 따라 달라질 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
다른 구현예에서, 전술한 화합물의 벌크 재료 또는 그의 분체는 액상 박리(liquid phase exfoliation)를 거쳐 복수개의 나노시트로 제조되고, 이들 복수개의 나노시트들을, 전기적 연결을 제공할 수 있도록 접촉시켜 전도성 박막을 제조할 수 있다.
액상 박리는, 적절한 용매 내에서 상기 벌크 재료 또는 분체를 초음파 처리(ultra-sonication)하여 수행될 수 있다. 사용 가능한 용매의 예는, 물, 알코올(이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올), N-메틸 피롤리돈 (NMP), 헥산, 벤젠, 디클로로벤젠, 톨루엔, 클로로포름, 디에틸에테르, 디클로로메탄(DCM), 테트라히드로퓨란 (THF), 에틸아세테이트 (EtOAc), 아세톤, 디메틸포름아미드(DMF), 아세토니트릴(MeCN), 디메틸설폭시드(DMSO), 에틸렌 카보네이트, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤(Valerolactone), 퍼플루오르화 방향족 용매 (e.g., 헥사플루오로벤젠, 옥타플루오로톨루엔, 펜타플루오로벤조니트릴, 펜타플루오로피리딘), 또는 이들의 조합을 포함하나, 이에 제한되지 않는다.
상기 용매는, 박리를 용이하게 하고 박리된 나노 시트들이 뭉치는 것을 방지하게 위해 계면 활성제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 계면활성제로서는, 소듐도데실설페이트(Sodium dodecyl sulfate: SDS), 소듐도데실벤젠설포네이트 (Sodium dodecylbenzenesulfonate: SDBS)를 사용할 수 있다.
초음파 처리는 공지된 또는 상업적으로 입수 가능한 임의의 초음파 처리 장치를 사용할 수 있으며, 그 조건 (초음파 처리 시간)도 특별히 제한되지 않고 사용된 용매 및 용매 내 분체의 농도 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 초음파 처리는 1 시간 이상, 예를 들어, 1 시간 내지 100 시간 동안 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 용매 내 분체의 농도는 0.01 g/ml 이상, 예컨대, 0.01 g/ml 내지 1 g/l 의 범위일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
박리를 촉진하기 위해, 리튬 원자를 층간 결정 구조의 상기 화합물 내로 인터칼레이션(intercalation) 할 수 있다. 일구현예에서, 상기 화합물을 헥산 등 지방족 탄화수소 용매 내의 알킬화리튬 화합물(예컨대, 부틸리튬) 용액에 함침하여 리튬 원자를 상기 화합물 내로 인터칼레이션시키고, 얻어진 생성물을 초음파 처리하여 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노시트를 얻을 수 있다. 예컨대, 얻어진 생성물을 물에 넣으면 물과 삽입된 리튬 이온의 반응에 의해 결정 구조의 층간에서 수소가 발생하여 층간 분리를 촉진할 수 있다. 이렇게 제조된 나노시트는 적절한 방법 (예컨대 원심분리)으로 분리하여 세정한다.
제조된 나노시트들(예를 들어, 나노플레이크들)을 포함하는 전도성 박막에서는, 나노시트들이 서로 물리적으로 접촉하여 전기적 연결을 제공한다. 나노시트들의 길이는 특히 제한되지 않으며 적절히 조절할 수 있다. 예를 들어, 나노시트는 500 마이크로미터 이하, 예를 들어, 10nm 내지 10㎛ 의 길이를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 나노시트들의 두께는 100 nm 이하일 수 있다. 나노시트들이 물리적으로 연결되어 가능한 얇은 막을 형성하는 경우 제조된 막이 더 향상된 투과도를 나타낼 수 있다. 이렇게 제조된 필름은, 커버리지가 20% 이상, 예컨대, 50% 이상일 수 있다. 이렇게 제조된 막은, 그 두께가 100 nm 이하, 예컨대 5 nm 이하일 경우, 높은 투과도 (예컨대, 80% 이상, 또는 85% 이상)를 나타낼 수 있다. 나노시트를 이용한 막(film)의 형성은 공지된 임의의 방법에 따라 수행될 수 있다. 예컨대, 막 형성은, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 잉크 또는 페이스트 형성 후 프린팅 등에 의해 수행될 수 있다.
일구현예에서, 제조된 나노시트들을 탈이온수에 부가한 다음, 분산액을 다시 초음파처리한다. 초음파 처리된 상기 분산액에 물과 비혼화성인 유기 용매 (예컨대, 자일렌, 톨루엔 등 방향족 탄화수소)를 부가한다. 얻어진 혼합물을 흔들어주면, 나노시트들을 포함한 박막이 물과 상기 유기 용매 사이의 계면에 형성된다. 습윤된, 깨끗한, 산소 플라즈마 처리된 유리 기판을 상기 계면에 살짝 담군 다음(dip) 서서히 꺼내면, 상기 계면에서 상기 나노시트들을 포함한 박막이 상기 기재 상에 펼쳐진다(spread). 물/유기 용매의 계면의 면적당 나노시트 농도 및 기판을 꺼낼 때의 속도/각도를 조절하여 제조되는 박막의 두께 등을 조절할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 높은 전도도, 높은 광투과도, 및 우수한 유연성을 나타낼 수 있으므로, ITO, ZnO 등의 투명 전도성 산화물을 포함한 전극 등과 Ag 나노 와이어 포함 투명 필름을 대체할 수 있다.
다른 구현예는, 전술한 전도성 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 전도성 박막에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. 상기 전자 소자는, 예를 들어, 평판 디스플레이 (예컨대, LCD, LED, OLED), 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이 (Flexible display) 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 10은, 일 구현예에 따른 전도성 박막을 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 기판(10), 하부 전극(20), 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함한다.
기판(10)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고 다른 하나는 애노드(anode)이다. 예컨대 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
상기 투명 전극은, 전술한 전도성 박막을 포함할 수 있다. 상기 전도성 박막에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. 상기 전도성 박막은 높은 전자밀도를 나타낼 수 있다. 상기 전도성 박막을 이용하여 기존의 LiF/Al 혹은 MgAg 얼로이(alloy) 를 단일 소재로 대체 가능하다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에는 발광층(30)의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층(50)을 포함한다. 도면에서는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에만 도시하였지만 이에 한정되지 않고 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치하거나 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이 및 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 모두 위치할 수도 있다.
보조층(50)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
여기서는 전도성 박막을 유기 발광 장치에 적용한 예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 투명 전극이 사용되는 모든 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있으며, 예컨대 액정 표시 장치의 화소 전극 및/또는 공통 전극, 유기 발광 장치의 애노드 및/또는 캐소드, 플라즈마 표시 장치의 표시 전극, 터치 패널 소자의 투명 전극에도 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
[ 실시예 ]
실시예 1: 다결정 소결체 제조
도 1에 도시한 바와 같이, 아래와 같은 방식으로 다결정 소결체를 제조한다:
글로브 박스 내에서 희토류 원소(순도: 99.9 %, 제조사:Sigma Aldrich) 0.01 몰과 텔루리움 원소(순도: 99.99 %, 제조사: Sigma Aldrich) 0.03 몰을 혼합하여 혼합물을 준비한다. 준비된 혼합물을 석영 유리관에 넣고 관 내부를 진공 조건 하에 밀봉한다. 상기 석영 유리관을 가열로(box furnace)에 넣고 승온속도 100 도씨/hr로 온도를 증가시켜 700도씨 내지 1000도씨로 가열하고, 이 온도에서 4 일간 유지한 다음 실온으로 서서히 냉각한다 (고상법 수행).
제조된 시료를 분쇄(pulverization)하고 Spark Plasma Sintering 장비 (제조사: Fuji Electronic Industrial Co.,Ltd. 모델명: Dr. Sinter)를 사용하여, 40 내지 80 MPa의 압력 및 500 내지 900도씨 하에 스파크 플라즈마 소결(Spark plasma sintering: SPS)을 수행한다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법으로 측정하고 그 결과를 표 5에 정리한다.
제조된 소결체 들 중 일부에 대하여, X선 회절 분석을 수행하고 그 결과를 도 3 내지 도 8에 나타낸다. 도 3 내지 도 8의 결과로부터, 층상 결정구조를 가지는 단일상의 희토류 트리텔루라이드 화합물이 합성되었음을 확인한다.
조성 σ (S/cm)
YTe3 9851
LaTe3 3546
CeTe3 7298
PrTe3 6690
NdTe3 6804
SmTe3 9180
GdTe3 7317
TbTe3 3500
DyTe3 8447
HoTe3 8420
ErTe3 9801
표 5의 결과로부터, 실시예의 희토류 칼코게나이드 화합물은 높은 전도도를 나타낼 수 있음을 확인한다.
실시예 2: 단결정 제조
글로브 박스 내에서 Ce 원소(순도: 99.9 %, 제조사: Sigma Aldrich) 1.40 그램(0.01 몰)와 Te 원소(순도: 99.99 %, 제조사: Sigma Aldrich) 3.828 그램(0.03 몰)를 혼합하여 혼합물을 준비한다. 준비된 혼합물을 석영 유리관에 넣고 관 내부를 진공 조건 하에 밀봉한다. 상기 석영 유리관을 가열로(box furnace)에 넣고 100도씨/시간의 속도로 850도씨까지 가열하고, 이 온도에서 5시간 동안 유지한다. 그리고 나서, 상기 용융물의 온도를 1도씨/시간의 속도로 550도씨까지 낮추면서 대형 그레인 결정 잉곳(200 내지 1000㎛)을 성장시킨다. 성장된 결정 잉곳을 실온으로 냉각한다. 이러한 공정의 온도 프로파일을 도 9에 나타낸다.
제조된 단결정의 전기 전도도를 ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법으로 측정하고 그 결과를 표 4에 정리한다. 그 결과, 제조된 단결정의 전기 전도도는 9700 S/cm 임을 확인한다. 이러한 전기 전도도는, 다결정 소결체에 비해 30% 이상 높은 값이다.
실시예 3: CeTe3 의 나노 플레이크 제조
실시예 1에서 제조된 소결체를 기계적 박리하여 두께 5nm 의 나노 플레이크를 얻는다. 기계적 박리는, Electric Field Effect in Atomically thin carbon films (Science 306, 666 (2004)) 에 설명된 박리 방법에 따른다.
실시예 4: CeTe3 박막 제조
실시예 1에서 제조된 소결체를 타겟으로 사용하여, Al2O3 기판 상에 Nd/YAG 레이저를 사용하여 아래 조건 하에 펄스형 레이저 증착(PLD)을 수행한다.
PLD 장치: PLD 5000 Deposition Systems, PVD Products
출력: 60 mJ/cm2
시간: 20분
기판 온도: 600도씨
진공도: 2* 10-6
제조된 CeTe3 증착막의 두께는 약 20nm 이다.
실시예 5: CeTe3 나노시트를 포함한 박막 제조
실시예 1에서 제조한 CeTe3 소결체를 분쇄한 후 얻어진 분말 중 0.1 그램을 부틸 리튬(butyl lithium)이 녹아 있는 헥산(hexane) 용매 100 ml 내에 분산시키고, 이 용액을 72 시간 동안 교반한다. 위 반응에 의해 층간 분리가 일어나 CeTe3 나노시트를 포함한 분산액을 얻는다.
얻어진 나노시트들은 원심분리하여 침전물들은 다시 물로 세정하고 원심분리한다.
얻어진 나노시트 침전물을 바이알에 담고 3 ml의 탈이온수를 부가하고 초음파 처리한다. 여기에 2-3 ml의 톨루엔을 부가하고, 바이알을 흔들어주면 물층과 톨루엔층 사이의 계면에 나노시트들을 포함한 박막이 형성된다. 산소 플라즈마 처리된 유리 기판을 상기 계면으로 살짝 담근 다음 꺼내 올리면. 계면의 CeTe3 나노시트 필름이 상기 유리 기판 상에 펼쳐진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하고,
    두께가 100 nm 이하이고,
    두께 100 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상인
    전도성 박막(conductive thin film):
    [화학식 1]
    MeCha
    여기서, Me는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu이고, Ch는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움이고, a는 1 내지 3의 정수임.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은, 트리텔루라이드 화합물인 전도성 박막.
  4. 제1항에 있어서,
    YTe3, LaTe3, CeTe3, PrTe3, NdTe3, SmTe3, GdTe3, TbTe3, DyTe3, HoTe3, ErTe3, 또는 이들의 조합을 포함하는 전도성 박막.
  5. 제1항에 있어서,
    전기 전도도가 3000 S/cm 이상인 전도성 박막.
  6. 제1항에 있어서,
    파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 30 Ω/□ 이하인 전도성 박막.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 층상 결정 구조는, Cmcm(63)스페이스 그룹을 가지는 사방정 계(Orthorhombic system with Cmcm(63) space group), C2cm(40) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, 또는 P42/n(86) 스페이스 그룹을 가지는 정방정(tetragonal) 계에 속하는 전도성 박막.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 화합물의 단결정을 포함하는 전도성 박막.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들을 포함하고, 상기 나노 시트들은 접촉되어 전기적 연결을 제공하는 전도성 박막.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 연속하는 증착막을 가지는 전도성 박막.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    면 내 방향(in-plane)으로 측정된 전기 전도도가 면외(out of plane) 방향으로 측정된 전기 전도도보다 큰 전도성 박막.
  13. 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하는 전도성 박막을 포함하고,
    상기 전도성 박막의 두께는 100 nm 이하이고,
    상기 전도성 박막은 두께 100 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상인
    전자 소자:
    [화학식 1]
    MeCha
    여기서, Me는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 또는 Lu이고, Ch는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움이고, a는 1 내지 3의 정수임.
  14. 삭제
  15. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막을 YTe3, LaTe3, CeTe3, PrTe3, NdTe3, SmTe3, GdTe3, TbTe3, DyTe3, HoTe3, ErTe3, 또는 이들의 조합을 포함하는 전자 소자.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은 전기 전도도가 3000 S/cm 이상이고, 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 30 Ω/□ 이하인 전자 소자.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들이 전기적 연결을 제공하도록 배열되어 있는 전자 소자.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 연속하는 증착막을 가지는 전자 소자.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 전자 소자는, 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 전기 변색 미러(electrochromic mirror), 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이인 전자 소자.
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