KR102200499B1 - 전도성 박막 - Google Patents

전도성 박막 Download PDF

Info

Publication number
KR102200499B1
KR102200499B1 KR1020140080189A KR20140080189A KR102200499B1 KR 102200499 B1 KR102200499 B1 KR 102200499B1 KR 1020140080189 A KR1020140080189 A KR 1020140080189A KR 20140080189 A KR20140080189 A KR 20140080189A KR 102200499 B1 KR102200499 B1 KR 102200499B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
thin film
conductive thin
compound
space group
Prior art date
Application number
KR1020140080189A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160001515A (ko
Inventor
황성우
이기문
정도원
김상일
문경석
이우진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020140080189A priority Critical patent/KR102200499B1/ko
Priority to US14/740,583 priority patent/US9767936B2/en
Publication of KR20160001515A publication Critical patent/KR20160001515A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102200499B1 publication Critical patent/KR102200499B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C01P2004/24—Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/405—Iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/408—Noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565—Cooling rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하는 전도성 박막 및 이를 포함하는 전자 소자에 대한 것이다:
[화학식 1]
AxByChz
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, Ch는 S, Se, 또는 Te이고, x는 1 내지 3, y 는 1 내지 3, z는 2 내지 14임.

Description

전도성 박막{ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILMS}
전도성 박막 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
LCD 또는 LED 등의 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양 전지, 투명 트랜지스터 등의 전자 소자는 전도성 박막 또는 투명 전도성 박막을 포함한다. 전도성 박막 재료는, 가시광 영역에서 예컨대 80% 이상의 높은 광투과도와 예컨대 100μ Ω*cm 이하의 낮은 비저항을 가지도록 요구될 수 있다. 현재 투명 전도막 재료로는 산화물이 주로 사용되고 있으며, 인듐 주석 산화물 (ITO, Sn-doped In2O3), 주석 산화물 (SnO), 아연 산화물(ZnO) 등이 대표적이다.
인듐-주석 산화물 (ITO)은 3.75eV의 넓은 밴드갭을 가진 축퇴형 (degenerate) 반도체로서 스퍼터 공정을 통해 쉽게 대면적 제작이 가능하나, 유연성이 매우 좋지 않고 인듐의 제한된 매장량으로 인해 가격 상승이 불가피하여 이를 대체할 소재의 개발이 절실히 요구되고 있다.
최근 차세대 전자기기의 하나로, 유연(flexible) 전자기기에 대한 관심이높아지면서, 투명도 및 비교적 높은 전기 전도도를 가지면서도, 유연한 비산화물계 소재의 개발이 요청되고 있다. 여기서, 유연 전자기기는 굽힐 수 있거나(bendable) 접을 수 있는(foldable) 전자기기를 포함한다.
(특허문헌 1) US05236691
일 구현예는 높은 전도도 및 우수한 광투과도를 가지면서 유연한 전도성 박막에 대한 것이다.
다른 구현예는 상기 전도성 박막을 포함하는 전자 소자에 대한 것이다.
일구현예에서, 전도성 박막은 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함한다:
[화학식 1]
AxByChz
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, Ch는 S, Se, 또는 Te이고, x는 1 내지 3, y 는 1 내지 3, z는 2 내지 14임.
상기 화학식 1 로 나타내어지는 화합물은, 하기 화학식 2 내지 10 중 하나로 나타내어지는 화합물일 수 있다:
[화학식 2]
ABTez
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, z는 2 또는 5 임;
[화학식 3]
A3BTe6
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
[화학식 4]
A2BTe4
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
[화학식 5]
ABTe4
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, Rh, 또는 Ir 임;
[화학식 6]
AB2Te2
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, 또는 Fe 임;
[화학식 7]
A3B3Te14
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임;
[화학식 8]
ABxTe3
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, x는 1 또는 2임; 또는
[화학식 9]
A2B3Te5
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임; 및
[화학식 10]
A2BChz
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, Ch 는 S 또는 Se 이고, z는 5 또는 6임.
상기 전도성 박막은, 두께 50 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상일 수 있다.
상기 화합물은, NbPdTe5, NbNiTe5, TaPtTe5, TaNiTe5, NbCoTe2, NbNiTe2, NbFeTe2, TaCoTe2, TaNiTe2, Nb3SiTe6, Nb3GeTe6, Nb2SiTe4, Nb2GeTe4, TaRuTe4, TaRhTe4, TaIrTe4, NbIrTe4, TaCo2Te2, TaNi2Te2, Ta3Pd3Te14, TaFeTe3, TaNi2Te3, Ta2Pd3Te5, Ta2PdS6, Ta2PdSe6, Ta2NiSe6, Ta2NiS6, Nb2PdSe6, Nb2PdS6, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 전도성 박막은, 두께 50 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상일 수 있다.
상기 전도성 박막은, 상기 화합물의 단결정을 포함할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 전기 전도도가 1,000 S/cm 이상일 수 있다.
상기 전도성 박막은, 전기 전도도가 6,000 S/cm 이상일 수 있다.
상기 화합물은, 25 도씨에서 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)의 곱이 200 Ω/□ 이하일 수 있다.
상기 화합물은, 25 도씨에서 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)의 곱이 20 Ω/□ 이하일 수 있다.
상기 층상 결정 구조는, Cmcm(63) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계 (orthorhombic system), Pnma(62) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Cmca (64) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pma2(28) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pmna(53) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, P21/c(14) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, I12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정(monoclinic) 계, C12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, 또는 C12/c1(15) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계에 속할 수 있다
상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들을 포함하고, 상기 나노 시트들은 접촉되어 전기적 연결을 제공할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 연속하는 증착막을 가질 수 있다.
상기 전도성 박막은 두께가 100 nm 이하일 수 있다.
다른 구현예는, 전술한 전도성 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 전자 소자는, 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 전기 변색 미러(electrochromic mirror), 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이일 수 있다.
일구현예에 따른 상기 전도성 박막은, 층상 구조를 가지는 화학식 1의 삼성분 칼코게나이드를 포함하여, 높은 전도도 및 우수한 광투과도와 함께 유연성을 나타낼 수 있다. 상기 전도성 박막에 포함된 삼성분 칼코게나이드는, 층상구조를 가지면서 전극 재료로서 활용할 수 있는 수준의 전기전도도 (>103　S/cm)를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 전도성 박막은, 가시광선 영역에서 우수한 광투과도 (80%) 와 기계적인 유연성을 동시에 나타낼 수 있다.
도 1은, 화학식 2로 나타내어지는 삼원 텔루라이드 화합물(z = 5)의 결정 구조 모식적으로 나타낸 것이다.
도 2는, 화학식 2로 나타내어지는 삼원 텔루라이드 화합물(z = 2)의 결정 구조를 모식적으로 나타낸 것이다
도 3은 실시예 1에서 합성한 TaPtTe5의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 4는 실시예 2에서 합성한 TaNiTe5의 다결정 소결체의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 5는, 일 구현예에 따른 전도성 박막을 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은, 일 구현예에 따른 전도성 박막을 적용한 터치스크린 패널의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 구현예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 구현예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 구현예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 구현예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타낸다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 명세서에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
일구현예에서 전도성 박막은 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함한다:
[화학식 1]
AxByChz
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, Ch는 S, Se, 또는 Te이고, x는 1 내지 3, y 는 1 내지 3, z는 2 내지 14임.
상기 화학식 1로 나타내어지는 화합물은, 하기 화학식 2 내지 10 중 하나로 나타내어지는 화합물일 수 있다:
[화학식 2]
ABTez
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, z는 2 또는 5 임;
[화학식 3]
A3BTe6
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
[화학식 4]
A2BTe4
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
[화학식 5]
ABTe4
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, Rh, 또는 Ir 임;
[화학식 6]
AB2Te2
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, 또는 Fe 임;
[화학식 7]
A3B3Te14
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임;
[화학식 8]
ABxTe3
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, x는 1 또는 2임; 또는
[화학식 9]
A2B3Te5
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임; 및
[화학식 10]
A2BChz
여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, Ch 는 S 또는 Se 이고, z는 5 또는 6임.
상기 화합물은, NbPdTe5, NbNiTe5, TaPtTe5, TaNiTe5, NbCoTe2, NbNiTe2, NbFeTe2, Nb0 .89Fe0 .93Te2, Ta0 .77Fe0 .90Te2, TaCoTe2, TaNiTe2, Nb3SiTe6, Nb3GeTe6, Ta3SiTe6, Nb3Ge0 .898Te6, Nb2SiTe4, Nb2GeTe4, TaRuTe4, TaRhTe4, TaIrTe4, NbIrTe4, TaCo2Te2, TaNi2Te2, Ta3Pd3Te14, TaFeTe3, TaNi2Te3, Ta2Pd3Te5, Ta2PdS6, Ta2PdSe6, Ta2NiSe6, Ta2NiS6, Nb2PdSe6, Nb2PdS6, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 전도성 박막은, 상기 화합물의 단결정 또는 다결정을 포함할 수 있다.
대부분의 금속 칼코게나이드 물질은 반도체 수준의 전도도를 가지면서 불투명 소재인 반면, 전술한 삼원 칼코게나이드 화합물은, 후술하는 바와 같이 층상 결정 구조를 가지며, 높은 전도도를 나타낼 수 있고 특히 높은 광투과도를 가지는 박막으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 전술한 삼원 칼코게나이드 화합물을 포함하는 전도성 박막은, 전기 전도도가 1,000 S/cm 이상, 예를 들어, 2000 S/cm 이상, 5000 S/cm 이상, 6000 S/cm 이상, 심지어, 9,000 S/cm 이상일 수 있다. 통상 ITO 전극이 구현 가능한 전도도가 5000 S/cm 정도인 것을 고려하면, 상기 전도성 박막은, 매우 높은 수준의 전도도도 실현할 수 있다.
높은 전도도와 함께, 상기 전도성 박막은, 두께 50 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80 % 이상, 85% 이상, 또는 90% 이상일 수 있다. 따라서, 화학식 1의 화합물을 포함하는 전도성 박막은, 투명 전극 등 전도성 및 투명성이 동시에 요구되는 응용분야에서 유리하게 사용될 수 있다.
가시광 영역에서 투명하고 높은 전도도를 가지며 유연한 투명 전극재료의 개발을 위해 다양한 연구가 진행되어 왔다. 이와 관련하여, 금속은 높은 전자밀도 및 높은 전기 전도도를 가질 수 있다. 그러나, 대부분의 금속은 박막으로 제조되는 경우, 급격히 감소된 전기 전도도를 나타낸다. 한편, 현재 사용되고 있는 전도성 세라믹 소재 (예컨대, ITO)는 원재료 공급이 불안정할 뿐만 아니라 금속 수준의 전도도를 구현하기 어렵고, 유연성도 좋지 않다.
이와 대조적으로, 화학식 1의 화합물, 구체적으로는, 화학식 2 내지 화학식 10 중 어느 하나로 나타내어지는 삼성분 칼코게나이드 화합물을 포함하는 전도성 박막은, 금속에 필적할 수 있는 높은 전기 전도도와 우수한 투명성을 동시에 나타낼 수 있다. 다시 말해, 상기 전도성 박막은 금속과 비금속 원소를 포함하는 무기 재료를 포함함에도 불구하고, 얇은 두께에서도 매우 높은 수준의 전도도를 나타낼 수 있다. 특정 이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 전술한 전도성 박막은 층상결정 구조 내에서 2차원으로 제한(confined)된 전자들을 포함하며, 이러한 전자들은 얇은 막 두께에서도 높은 이동도를 가지고 이동할 수 있으므로, 높은 투명성과 함께 매우 높은 수준의 전도도를 구현할 수 있다고 생각된다.
일구현예에서, 전술한 삼성분 칼코게나이드 화합물은, 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)의 곱이 200 Ω/□ 이하, 예를 들어, 20 Ω/□ 이하일 수 있다. 여기서, 상기 흡수 계수 및 비저항값은 컴퓨터 시뮬레이션으로부터 구해진 값이다. 즉, 비저항값(ρ)은, 해당 금속 칼코게나이드 화합물들의 결정 구조로부터 페르미 수준 부근에서의 상태밀도(density of state: DOS)와 밴드 구조를 계산하여 구한다. 또, 특정 파장에 대한 흡수계수(α)는 Drude 모델을 적용하고 인터밴드 트랜지션에 의한 전자 천이를 고려하여 구해지는 상기 화합물의 유전 상수로부터 계산된 값이다. 흡수계수(α)와 그의 비저항값(ρ)을 구하는 시뮬레이션 방법론에 대하여는, Vienna Ab-initio Simulation Package (written by Georg Kresse and Jurgen Furthmuller, Institut fur Materialphysik, Universitat Wien, Sensengasse 8, A-1130 Wien, Austria, August 24, 2005, http://cms.mpi.univie.ac.at/VASP/) 를 더 참조할 수 있으며 본 문헌은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 전술한 시뮬레이션 절차를 정리하면 아래 표 1과 같다.
계산
단계		 Simulation level Calculation / simulation
원자전자
구조		 DFT Structure optimization
Band structure calculation
전도특성 Semi-classical Boltzmann
transport (const. τ )		 Intra-band transition
σ ~ (e 2/4π3) τ ∫ dk v(k) v(k) (-∂f/∂ε)
= ne 2τ/meff = ne μ
ρ = 1/σ
유전특성 DFPT
+ Drude model		 Inter-band transition
ε(ω) = εD(ω) + εB(ω) = ε1(ω) + i ε2(ω)
광특성 Ray optics n(ω) + i k(ω) = ε(ω)½
Absorption coeff. α = 4πk/λ
ρα 값 계산
DFT: density-functional theory
DFPT: density-functional perturbation theory
Drude model: free electron model for solid
σ, τ, meff, μ, ρ: electrical conductivity, relaxation time, effective mass, mobility, resistivity
ωp (ωp') : (screened) plasma frequency
표 1에 기재된 내용을 보다 상세히 설명하면 아래와 같다.
소재의 양자역학적 상태를 계산해 내기 위하여 DFT기법 (density-functional-theory: 전자의 분포를 파동함수 대신 전자밀도함수를 이용하여 기술하여 양자역학 방정식을 푸는 방법)에 기반한 제일원리 계산(first-principles calculation: 외부 파라메터 없이 fundamental 방정식으로부터 하는 계산) 을 수행하여 전자의 양자역학적 상태를 계산한다. 제일원리 DFT 코드인 VASP(The Vienna Ab initio simulation package code)를 이용하여 전자상태를 계산한다. 2DEG 후보 소재군을 ICSD (Inorganic Crystal Structure Database)로부터 선정하여, 그 원자구조 정보를 입력, 전자들이 에너지 준위들을 모사하여 계산할 수 있으며, 그러한 전자들의 k-space 상에서의 에너지 밀도 함수 및 상태 밀도 함수를 구한다.
DFT 전산 모사를 통하여 계산된 전자구조는 E-k diagram (밴드구조)과 DOS (Density of State: 전자 상태밀도, 에너지 별 전자의 상태밀도 함수) 정보를 주며, 전자가 존재할 수 있는 최대 에너지 준위 (E) 상의 DOS 존재여부에 따라 금속 전도 재료 (DOS(E) >　0) 혹은 반도체성 전도 재료 (DOS(E) = 0) 여부를 판별할 수 있다. 금속 전도성 재료의 전도도(σ)를 예측하기 위하여, Semi-classical Boltzmann transport model을 도입하여 전도 특성을 예측하였다. 이때, 전자의 τ (relaxation time: 전자가 충돌을 하지 않고 움직일 수 있는 시간)은 일정하다고 가정하였다. (문헌: Ashcroft and Mermin, Solid State Physics)
Figure 112014060897368-pat00001
　τ는 전자의 relaxation time, k는 전자의 k-space에서의 상태, v(k)는 k 상태에서의 전자의 속도, f는 Fermi-Dirac distribution이고, E은 에너지이다. 이때, v(k)는 E-k diagram으로부터 구할 수 있다. 위의 관계식으로부터, σ/τ를 구할 수 있다.　
전도성 재료의 투과도 흡수도를 결정하는 메커니즘은 크게 자유전자의 plasma-like oscillation에 의한 Intra-band 흡수와 속박전자의 band-to-band transition에 의한 Inter-band 흡수가 존재한다. 각 메커니즘을 반영한 양자전산모사 과정은 표 2 <Simulation table for Optical Properties >와 같은 프로세스를 통해서 구할 수 있다. (참고문헌: Ashcroft and Mermin, Solid State Physics)
STEP Category Calculation Results Method ( tool )
8 Optical simulation Inter-band transition ε　B(w)=
ε　B1(w)+i ε B2(w)		 DFT (VASP)
9 Optical simulation Plasma frequency
Intra-band transition		 ε D(w)=
ε D1(w)+i ε D2(w)		 Boltzmann transport
DFT (VASP) or Post-processing
10 Optical simulation Total dielectric constant
Refractive index		 　 Post-processing
11 Optical simulation Reflectance
Absorption coefficient		 Plasma freq.
Reflectance
Absorption co.
Transmittance		 Post-processing
B는 band, D는 Drude model을 나타냄.
　이 때 고체의 유전상수(ε)과 굴절률(n), 흡수계수(α)의 관계는 다음과 같다. 유전상수는 interband transtition에서 기인하는 부분(ε)과 intraband transtion 에서 기인하는 부분 (ε)을 모두 고려하여 주어야 한다.
ε(ω) = ε(Drude) + ε(Band)
= ε1(ω) + i ε2(ω) 유전함수
( n + ik )2 = ε(ω) 굴절함수
α(ω) = 4πk/λ 흡수계수
앞선 전도도 계산과 같이, inter-band 흡수의 경우, 기 계산된 밴드 구조를 통하여 계산이 가능한 반면, 자유 전자에 의한 intra-band 흡수의 경우, Drude 모델링에 기반한 전도도 및 광학 계수 계산을 통하여 다음과 같이 모사를 수행하였다. [참고문헌: Jinwoong Kim, Journal of Applied Physics 110, 083501 (2011)]
　
Figure 112014060897368-pat00002
ω: frequency
ωp: plasma frequency
k: extinction coefficient
　위와 같이, 계산된 inter-band 흡수와 intra-band 흡수를 종합하면, 계산된 물질의 유전 함수를 구할 수 있으며, 이를 통해 광학 상수들을 모사하고, 최종적으로 재료의 반사도(R), 흡수계수(a), 투과도(T)를 계산할 수 있다.
전술한 방법에 따라 구해진 화학식 2 내지 10 중 어느 하나로 표시될 수 있는 삼원 칼코게나이드 화합물의 흡수계수(α) x 비저항값(ρ) 값을 정리하면 아래 표 3 및 표 4와 같다.
조성 ρ(Ωm) α(cm-1) Rs=Cαρ
(Ω/□)
/ 투과도>0.90		 ρ·α
Ta1Ni1Te5 3.19E-05 529174 1.60E+02 16.88
Ta1Pt1Te5 2.90E-05 597065 1.64E+02 17.31
Nb1Pd1Te5 3.17E-05 588429 1.77E+02 18.65
Nb1Ni1Te5 3.26E-05 572296 1.77E+02 18.66
Ta2PdS6 7.46E-05 262462 1.86E+02 19.58
Ta2PdSe6 6.05E-05 357873 2.06E+02 21.65
Ta1Ni2Te2 4.30E-05 578550 2.36E+02 24.88
Ta1Ni2Te3 6.13E-05 515055 3.00E+02 31.57
Ta1Ru1Te4 6.87E-05 484356 3.16E+02 33.28
Ta1Ni1Te2 7.95E-05 501351 3.78E+02 39.86
Ta1Fe1Te3 7.80E-05 559154 4.14E+02 43.61
Ta3Pd3Te14 7.92E-05 599271 4.50E+02 47.46
Nb1Ni1Te2 9.44E-05 574674 5.15E+02 54.25
Ta0 .77 Fe0 .90 Te2 1.03E-04 575848 5.63E+02 59.31
Nb0 .89 Fe0 .93 Te2 9.90E-05 617920 5.81E+02 61.17
Nb1Fe1Te2 1.01E-04 617407 5.90E+02 62.36
Ta2NiSe5 1.71E-04 420448 6.83E+02 71.90
Nb1Co1Te2 1.18E-04 631830 7.09E+02 74.56
Ta1Co2Te2 1.18E-04 636484 7.16E+02 75.11
Ta1Ir1Te4 1.78E-04 501425 8.46E+02 89.25
Ta2Pd3Te5 2.72E-04 360248 9.29E+02 97.99
Nb1Ir1Te4 1.94E-04 573882 1.06E+03 111.33
Ta1Rh1Te4 1.93E-04 582941 1.07E+03 112.51
Ta2NiS5 2.75E-04 413337 1.08E+03 113.67
Ta1Co1Te2 2.16E-04 556058 1.14E+03 120.11
Ta3Si1Te6 2.86E-04 477068 1.29E+03 136.44
Nb3Ge1Te6 3.00E-04 537218 1.53E+03 161.17
Nb3Ge0 .898 Te6 2.97E-04 562643 1.59E+03 167.10
Nb3Si1Te6 3.44E-04 531015 1.73E+03 182.67
　조성 σ (S/cm) ρ(Ωm) α (1/cm) Rs=Cαρ(Ω/□) /
투과도>0.90		 ρ·α
Ta2PdS6 1.34E+04 7.46E-05 262462 1.86E+02 19.58
Ta2PdSe6 1.65E+04 6.05E-05 357873 2.06E+02 21.65
Ta2NiSe6 2.71E+04 3.69E-05 246433 8.63E+01 9.09
Ta2NiS6 2.50E+04 4.00E-05 274295 1.04E+02 10.97
Nb2PdSe6 1.55E+04 6.47E-05 420512 2.58E+02 27.21
Nb2PdS6 1.21E+04 8.25E-05 422350 3.31E+02 34.84
상기 표 3 및 표 4에서 면저항 (Rs)과 관련하여, 상기 비저항(ρ)과 흡수 계수(α)의 곱은, 아래의 관계식에 의해, 면저항 (Rs)과 투과도(lnT)의 곱을 대표할 수 있다. 따라서, ρ*α 값이 작은 화합물일수록 전도성 박막의 재료로서 유리할 수 있다:
e-αt = T (즉, αt = -ln T)
Rs = ρ/t
∴ ρ*α= Rs * (-lnT)
α: 흡수계수,
ρ: 비저항,
T: 투과도 (at λ=550nm),
t: 두께,
Rs: 면저항
화학식 1로 나타내어지는 삼원 칼코게나이드 화합물은 층상 결정 구조를 가진다. 상기 층상 결정 구조에서는, 단위 구조층들이 반복되며, 각각의 단위 구조층은 상하부층이 칼코겐 원소 (Te, Se, S 등)로 싸여져 있고 내부는 금속 또는 준금속 원소가 채워져 있다. 이러한 단위 구조층에서는, 높은 밀도의 전자 (1021/cm3　이상) 가 규칙적인 2차원 결정 구조 내에 구속되어 있어 높은 전기 전도도 (> 103 S/cm)를 가질 수 있다. 또한, 상기 삼원 칼코게나이드 화합물은, 시트 형태를 가지는 2차원 층상 재료이며, 층간 반데르발스 결합에 의해 단위 구조층들이 연결되어 있다. 따라서, Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP)에 의해 계산된 층간 결합 에너지값이 예를 들어, 0.008 eV/Å2 이하로 매우 낮은 수준이다. 따라서, 상기 화합물은 단위 구조층들의 층간 슬라이딩을 나타낼 수 있으며, 기계적 박리 또는 액상 박리 공정에 의해 쉽게 나노 시트 (즉, 나노플레이크) 형태로 제조될 수 있다. 제조된 나노플레이크들은, 유연성을 갖는 투명 필름에 코팅되어 박막으로 제조될 수 있는데, 이러한 박막은 높은 투명성을 가지며 유연하고 높은 전기 전도도를 나타낼 수 있다. 따라서, 전술한 삼원 칼코게나이드 화합물을 포함하는 전도성 박막은, 기존의 세라믹 전도성 박막에 비해, 우수한 유연성을 나타낼 수 있으므로, 차세대 전자 소자 중 하나인 유연 전자 기기에서 유리하게 사용될 수 있다.
상기 화학식 2 내지 화학식 10 중 어느 하나로 나타내어지는 삼원 칼코게나이드 화합물의 층상 결정 구조는, Cmcm(63) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계 (orthorhombic system), Pnma(62) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Cmca (64) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pma2(28) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pmna(53) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, P21/c(14) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, I12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정(monoclinic) 계, C12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, C12/c1(15) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계에 속할 수 있다. 이를 구체적으로 정리하면, 하기 표 5 및 표 6과 같다.
조성군 층상 3원 칼코게나이드 조성 스페이스 그룹 스페이스그룹 번호
화학식 2 (z = 5) Nb1Pd1Te5 Pnma 62
Nb1Ni1Te5 Cmcm 63
Ta1Pt1Te5 Cmcm 63
Ta1Ni1Te5 Cmcm 63
화학식 2 (z = 7) NbCoTe2 Cmca 64
NbNiTe2 Pma2 28
NbFeTe2 Pmna 53
TaCoTe2 P121/c1 14
TaNiTe2 Pmna 53
Nb0.89Fe0.93Te2 Pmna 53
Ta0.77Fe0.90Te2 Pmna 53
화학식 3 Nb3Si1Te6 Pnma 62
Nb3Ge1Te6 Pnma 62
Ta3Si1Te6 Pnma 62
Nb3Ge0.898Te6 Pnma 62
화학식 4 Nb2Si1Te4 P121/n1 14
Nb2Ge1Te4 P121/n1 14
화학식 5 Ta1Ru1Te4 Pmn21 31
Ta1Rh1Te4 Pmn21 31
Ta1Ir1Te4 Pmn21 31
Nb1Ir1Te4 Pmn21 31
화학식 6 Ta1Co2Te2 Pnma 62
Ta1Ni2Te2 Pnma 62
화학식 7 Ta3Pd3Te14 P121/m1 11
화학식 8 (x = 1) Ta1Fe1Te3 P121/m1 11
화학식 8 (x = 2 Ta1Ni2Te3 P121/m1 11
화학식 9 Ta2Pd3Te5 Pnma 62
조성 층상 3원 칼코게나이드 조성 스페이스 그룹 스페이스그룹 번호 결정 구조
화학식 10
(z = 6)		 Ta2PdS6 I12/m1 12 단사정(monoclinic)
Ta2PdSe6 I12/m1 12 monoclinic
Nb2PdS6 C12/m1 12 monoclinic
Nb2PdSe6 C12/m1 12 monoclinic
화학식 10
(z = 5		 Ta2NiS5 Cmcm 63 사방정(orthorhombic)
Ta2NiSe5 C12/c1 15 monoclinic
화학식 2로 나타내어지는 화합물의 결정 구조를 도 1 및 도 2 에 모식적으로 나타낸다. 도 1을 참조하면, 화학식 2 (z = 5) 의 화합물은 단위 구조층 내에서 층간 Te-Te 거리(interlayer Te-Te distance) 이 짧으며 (예컨대, 3.9 옹스트롱 이하이고), 전기 전도가 Te-Te 층을 통해 이루어질 수 있다. 또한, 층간 상호 작용이 감소되어 전도도가 더 향상될 수 있다. 도 2를 참조하면, 화학식 2 (z = 2) 의 화합물은 2개의 금속원소 A 및 B 간의 지그재그 경로 (A원자 - B 원자 - A 원자)를 통해 전기 전도가 이루어질 수 있다. 따라서, 금속 원소를 치환하여 전도 경로를 제어할 수 있다. 이러한 관점에서, 3성분 칼코게나이드는, 2성분계 칼코게나이드에 비해, 원자간 및 층간 결합을 더 미세하게 제어할 수 있으므로, 물성을 제어하는 것이 보다 용이할 수 있다
일구현예에서, 상기 전도성 박막은, 화학식 1의 삼원 칼코게나이드 화합물의 원료 물질, 이로부터 제조된 다결정 또는 단결정 벌크 재료, 또는 상기 벌크재료로부터 얻어진 분말을 준비하고, 원료분말, 제조된 벌크 재료 또는 그의 분말로부터 증착 등의 방법에 의해 얇은 전도성 박막 (예컨대, 투명 전도막)로 제조할 수 있다. 대안적으로, 상기 전도성 박막은, 상기 벌크 재료 분말을 액상 박리(liquid phase exfoliation:LPE) 에 의해 나노시트들로 제조하고 제조된 나노 시트들을 박막(thin film)으로 제조하여 얻을 수 있다.
상기 삼원 칼코게나이드 화합물의 원료 물질은, 각각의 원소 및 각각의 원소를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 예컨대, 원료 물질은 V, Nb, 또는 Ta인 A 금속과, Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 인 B 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 원료 물질은, 황, 셀레늄, 또는 텔루리움을 포함할 수 있다. 일구현예에서, 상기 원료 물질은, 전술한 금속을 포함하는 화합물 또는 황, 셀레늄, 또는 텔루리움을 포함하는 화합물일 수 있다.
다결정 벌크 재료는, 석영 앰플(quartz ampoule)법, 아크 용융(arc melting)법, 고상 반응(solid state reaction)법) 등을 사용하여 전술한 원료 물질로부터 제조할 수 있다. 예컨대, 석영 앰플법은 원료 원소를 석영관(quartz tube) 또는 금속으로 만든 앰플에 넣고 진공으로 밀봉하고 열처리하여 고상반응 혹은 용융시키는 단계를 포함한다. 아크 용융법은 원료 원소를 챔버에 넣고 비활성 기체 (예컨대, 질소, 알곤, 등) 분위기 속에서 아크 방전을 수행하여 원료 원소를 용융시킨 다음 고화하는 단계를 포함한다. 고상 반응법은 원료 분말을 혼합하고 펠렛화하여, 얻어진 펠렛을 열처리하거나, 혹은 원료 분말 혼합물을 열처리하고, 팰렛화하여 소결(sintering)하는 단계를 포함할 수 있다.
제조된 다결정 벌크 재료는 소결 등에 의해 고밀도화(densify)될 수 있다. 고밀도화된 재료는 전기 전도도 측정을 위한 시편으로 사용될 수 있다. 고밀도화는 핫 프레스(hot press)법, 스파크 플라즈마 소결(spark plasma sintering)법, 핫 포징(hot posing)법 등에 의해 수행될 수 있다. 핫 프레스법은 분체 화합물을 소정 형상의 몰드에 가하고, 고온, 예를 들어 300℃ 내지 800℃ 및 고압, 예를 들어 30Pa 내지 300MPa에서 성형하는 방법이다. 스파크 플라즈마 소결법은 분체 화합물에 고압의 조건에서 고전압 전류, 예를 들어 약 30MPa 내지 약 300Mpa의 압력에서 50A 내지 500A의 전류를 흘려서 짧은 시간에 재료를 소결하는 것을 포함한다. 핫 포징법은 분체 화합물을 예를 들어 300℃ 내지 700℃의 고온에서 압출 및 소결하는 단계를 포함할 수 있다.
제조된 벌크 소결체는, 균일화를 위한 후공정을 거칠 수 있다. 예를 들어, 제조된 벌크 소결체는, 합성 중 원소간의 밀도차이 등으로 인해 용융 및 냉각 과정 중 발생할 수 있는 국부적인 상분리 및 불균일성을 나타낼 수 있다. 이러한 상분리 및 불균일성을 해결하기 위해, 열처리를 통해 1차 합성된 다결정 소결체 (예컨대, 다결정 잉곳)을 분쇄하고 얻어진 분말을 패킹한 다음 석영관(Quartz Tube) 내에 넣고 진공 밀봉 (Vacuum Sealing)한다. 이렇게 준비된 재료를 합성 온도에서 재열처리 또는 어닐링 (annealing) 하면 더 향상된 균일성을 가지는 다결정 소결체를 얻을 수 있다.
단결정 재료는 결정 잉곳(crystal ingot) 제조 또는 단결정 성장에 의해 얻을 수 있다. 결정 잉곳은, 정조성 용융(congruent melting)하는 재료를 녹는점보다 높은 온도로 가열한 후 서냉(slow cooling) 하여 얻을 수 있다. 예컨대, 원료 혼합물을 석영 앰플에 넣고, 상기 앰플을 진공 상태로 밀봉하여 원료 혼합물을 용융시킨 다음, 용융액을 서서히 냉각하여 결정 잉곳을 얻는다. 결정 입자의 크기는, 용융액의 냉각속도를 조절하여 제어할 수 있다. 단결정 성장은, 금속 플럭스(metal flux)법, 브릿지맨(bridgmann)법, 광학 유동 영역(optical floating zone)법, 증기 전송(vapor transport)법 등에 의해 수행될 수 있다. 금속 플럭스법은, 원료 분말을 별도의 융제(flux)와 함께 도가니에 넣고 고온에서 녹인 후 서서히 냉각시켜 일정 온도에서 결정이 성장하도록 제조하는 방법이다. 브릿지맨법은 원료 원소를 도가니에 넣고 도가니 끝쪽에서 원료 원소가 용해될 때까지 고온으로 가열한 다음, 고온영역을 천천히 이동시켜 시료를 국부적으로 용해시키면서 시료 전체를 고온영역으로 통과하게 하여 결정을 성장시키는 단계를 포함한다. 광학 유동 영역법은 원료 원소를 막대 형상으로 씨드 로드(seed rod)와 피드(feed rod)로 만든 다음 피드 로드를 램프의 빛을 한 초점에 모아 국부적으로 고온으로 시료를 용해시키면서 용해부분을 위쪽으로 천천히 끌어올려 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 방법이다. 증기 전송법은 원료 원소를 석영관 아래쪽에 넣고 원료 원소 부분을 가열하고 석영관 위쪽은 낮은 온도로 두어 원료 원소가 기화되면서 낮은 온도에서 고상반응을 일으키며 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 방법이다. 얻어진 단결정 재료의 전기 전도도는 직류 4단자법에 의해 측정할 수 있다.
제조된 다결정 또는 단결정 벌크재료는 미분화(pulverization)하여 결정 분말을 얻을 수 있다. 미분화는 특별한 제한 없이 볼밀(ball mill) 등 임의의 방법에 의해 수행될 수 있다. 미분화 후, 예를 들면 체(seive)를 이용하여 일정한 크기의 분말을 얻을 수 있다.
제조된 다결정 또는 단결정 벌크 재료는 기상 증착의 타겟 등으로 사용되어 상기 화합물을 포함하는 얇은 연속 필름 (즉, 전도성 박막)를 제공할 수 있다. 기상 증착은, 열증착 (thermal evaporation), 스퍼터링 등의 물리증착(physical vapor deposition), 화학 증착 (CVD), 원자층 증착 (atomic layer deposition: ALD), 펄스형 레이저 증착(pulsed laser deposition)법에 의해 수행될 수 있다. 이러한 증착법은 공지된 혹은 상업적으로 입수 가능한 임의의 장치를 사용하여 수행될 수 있다. 증착 (deposition)의 조건은 화합물의 종류 및 증착 방식에 따라 달라질 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
다른 구현예에서, 전술한 화합물의 벌크 재료 또는 그의 분체는 액상 박리(liquid phase exfoliation: LPE)를 거쳐 복수개의 나노시트로 제조되고, 이들 복수개의 나노시트들을, 전기적 연결을 제공할 수 있도록 접촉시켜 전도성 박막을 제조할 수 있다.
액상 박리는, 적절한 용매 내에서 상기 벌크 재료 또는 분체를 초음파 처리(ultra-sonication)하여 수행될 수 있다. 사용 가능한 용매의 예는, 물, 알코올(이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올), N-메틸 피롤리돈 (NMP), 헥산, 벤젠, 디클로로벤젠, 톨루엔, 클로로포름, 디에틸에테르, 디클로로메탄(DCM), 테트라히드로퓨란 (THF), 에틸아세테이트 (EtOAc), 아세톤, 디메틸포름아미드(DMF), 아세토니트릴(MeCN), 디메틸설폭시드(DMSO), 에틸렌 카보네이트, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤(Valerolactone), 퍼플루오르화 방향족 용매 (e.g., 헥사플루오로벤젠, 옥타플루오로톨루엔, 펜타플루오로벤조니트릴, 펜타플루오로피리딘), 또는 이들의 조합을 포함하나, 이에 제한되지 않는다.
상기 용매는, 박리를 용이하게 하고 박리된 나노 시트들이 뭉치는 것을 방지하게 위해 계면 활성제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 계면활성제로서는, 소듐도데실설페이트 (Sodium dodecyl sulfate: SDS), 소듐도데실벤젠설포네이트(Sodium dodecylbenzenesulfonate: SDBS)를 사용할 수 있다.
초음파 처리는 공지된 또는 상업적으로 입수 가능한 임의의 초음파 처리 장치를 사용할 수 있으며, 그 조건 (초음파 처리 시간)도 특별히 제한되지 않고 사용된 용매 및 용매 내 분체의 농도 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 초음파 처리는 1 시간 이상, 예를 들어, 1 시간 내지 10 시간 혹은 1시간 내지 2시간 동안 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 용매 내 분체의 농도는 0.01 g/ml 이상, 예컨대, 0.01 g/ml 내지 1 g/l 의 범위일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
박리를 촉진하기 위해, 리튬 원자를 층간 결정 구조의 상기 화합물 내로 인터칼레이션(intercalation) 할 수 있다. 일구현예에서, 상기 화합물을 헥산 등 지방족 탄화수소 용매 내의 알킬화리튬 화합물(예컨대, 부틸리튬) 용액에 함침하여 리튬 원자를 상기 화합물 내로 인터칼레이션시키고, 얻어진 생성물을 초음파 처리하여 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노시트를 얻을 수 있다. 예컨대, 얻어진 생성물을 물에 넣으면 물과 삽입된 리튬 이온의 반응에 의해 결정 구조의 층간에서 수소가 발생하여 층간 분리를 촉진할 수 있다. 이렇게 제조된 나노시트는 적절한 방법 (예컨대 원심분리)으로 분리하여 세정한다.
제조된 나노시트들을 포함하는 전도성 박막에서는, 나노시트들이 서로 물리적으로 접촉하여 전기적 연결을 제공한다. 나노시트들이 물리적으로 연결되어 가능한 얇은 막을 형성하는 경우 제조된 막이 더 향상된 투과도를 나타낼 수 있다. 이렇게 제조된 필름은, 커버리지가 50% 이상일 수 있다. 이렇게 제조된 막은, 그 두께가 20 nm 이하, 예컨대 5 nm 이하일 경우, 매우 높은 투과도 (예컨대, 80% 이상, 또는 85% 이상)를 나타낼 수 있다. 나노시트를 이용한 막(film)의 형성은 공지된 임의의 방법에 따라 수행될 수 있다. 예컨대, 막 형성은, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 잉크 또는 페이스트 형성 후 프린팅 등에 의해 수행될 수 있다.
일구현예에서, 제조된 나노시트들을 탈이온수에 부가한 다음, 분산액을 다시 초음파처리한다. 초음파 처리된 상기 분산액에 물과 비혼화성인 유기 용매 (예컨대, 자일렌, 톨루엔 등 방향족 탄화수소)를 부가한다. 얻어진 혼합물을 흔들어주면, 나노시트들을 포함한 박막이 물과 상기 유기 용매 사이의 계면에 형성된다. 습윤된, 깨끗한, 산소 플라즈마 처리된 유리 기판을 상기 계면에 살짝 담군 다음(dip) 서서히 꺼내면, 상기 계면에서 상기 나노시트들을 포함한 박막이 상기 기재 상에 펼쳐진다(spread). 물/유기 용매의 계면의 면적당 나노시트 농도 및 기판을 꺼낼 때의 속도/각도를 조절하여 제조되는 박막의 두께 등을 조절할 수 있다.
상기 전도성 박막은, 높은 전도도, 높은 광투과도, 및 우수한 유연성을 나타낼 수 있으므로, ITO, ZnO 등의 투명 전도성 산화물을 포함한 전극 등과 Ag 나노 와이어 포함 투명 필름을 대체할 수 있다.
다른 구현예는, 전술한 전도성 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 전도성 박막에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. 상기 전자 소자는, 예를 들어, 평판 디스플레이 (예컨대, LCD, LED, OLED), 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이 (Flexible display) 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 5는, 일 구현예에 따른 전도성 박막을 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 기판(10), 하부 전극(20), 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함한다.
기판(10)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고 다른 하나는 애노드(anode)이다. 예컨대 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
상기 투명 전극은, 전술한 전도성 박막으로 만들어진다. 상기 전도성 박막에 대한 구체적 내용은 전술한 바와 같다. 상기 전도성 박막은 높은 전자밀도를 나타낼 수 있다. 상기 전도성 박막을 이용하여 기존의 LiF/Al 혹은 MgAg 얼로이(alloy) 를 단일 소재로 대체 가능하다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에는 발광층(30)의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층(50)을 포함한다. 도면에서는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에만 도시하였지만 이에 한정되지 않고 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치하거나 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이 및 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 모두 위치할 수도 있다.
보조층(50)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
일실시예에서, 상기 전기 소자는 터치스크린 패널(TSP)일 수 있다. 터치 스크린 패널의 상세한 구조는, 공지되어 있다. 터치스크린 패널의 간략화된 구조를 도 6에 모식적으로 나타낸다. 도 6을 참조하면, 상기 터치 스크린 패널은, 표시 장치용 패널 (예컨대, LCD 패널) 상에 제1 투명 전도막, 제1 투명 접착층 (예컨대, 광학용 접착제(Optical Clear Adhesive: OCA) 필름, 제2 투명 전도막, 제2 투명 접착층, 및 표시 장치용 윈도우(window)를 포함하는 구조를 가질 수 있다. 제1 투명 전도막 및/또는 제2 투명 전도막은 전술한 전도성 박막일 수 있다.
여기서는 전도성 박막을 유기 발광 장치 장치 또는 터치스크린 패널 (예컨대, TSP의 투명 전극)에 적용한 예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 투명 전극이 사용되는 모든 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있으며, 예컨대 액정 표시 장치의 화소 전극 및/또는 공통 전극, 유기 발광 장치의 애노드 및/또는 캐소드, 플라즈마 표시 장치의 표시 전극에도 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
[ 실시예 ]
실시예 1: NbPdTe5 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.9%, 제조사:Heraeus), 팔라듐 (Pd) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus)과 텔루리움 (순도:99.9 %, 제조사:5N Plus)을 1:1:5 몰비로 혼합하여 원료 혼합물을 준비한다. 준비된 원료 혼합물을 석영 유리관에 넣고 관 내부를 진공 조건 하에 밀봉한다. 상기 석영 유리관을 가열로(box furnace)에 넣고 승온속도 100 도씨/hr로 온도를 증가시켜, 1200 도씨로 가열하고, 이 온도에서 24시간 유지한 다음 실온으로 2도씨/hr의 속도로 냉각하여 NbPdTe5 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 2: NbNiTe5 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.9%, 제조사:Heraeus), 니켈 (Ni) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 1:1:5 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 NbNiTe5 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 3: TaPtTe5 다결정 소결체 제조 I
글로브 박스 내에서 탄탈륨(Ta) (순도:99.5%, 제조사:Aldrich ), 백금 (Pt) (순도:99.5%, 제조사:Heraeus)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 1:1:5 몰비로 혼합하여 준비한다. 준비된 혼합물을 석영 유리관에 넣고 관 내부를 진공 조건 하에 밀봉한다. 상기 석영 유리관을 가열로에 넣고 승온속도 100 도씨/hr로 온도를 증가시켜, 1100 도씨로 가열하고, 이 온도에서 24시간 유지한 다음 실온으로 2도씨/hr의 속도로 냉각한다. 제조된 생성물은 1000 도씨에서 48 시간 동안 추가 열처리를 하여 TaPtTe5 다결정 소결체를 얻는다. 제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다. 제조된 소결체의 X선 회절 스펙트럼을 도 3에 나타낸다. 도 3의 XRD 스펙트럼으로부터, 소결 후 얻어진 pellet 의 X-Ray Diffraction 결과를 보면 TaPtTe5 상이 성공적으로 합성되었음을 알 수 있다. 함께 존재하는 PtTe2와 TaTe2 상은 후처리 등의 공정을 통해 TaPtTe5 단일상으로 될 수 있다.
실시예 4: TaPtTe5 다결정 소결체 제조 II
실시예 3에서 얻은 TaPtTe5 다결정 소결체를 600 도씨 및 진공 분위기 하에서 어닐링하여 TaPtTe5 다결정 소결체를 얻는다. 제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 5: TaNiTe5 다결정 소결체 제조 I
글로브 박스 내에서 탄탈륨(Ta) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich), 니켈 (Ni) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도: 99.9%, 제조사:5N Plus)을 1:1:5 몰비로 혼합하여 준비한다. 준비된 혼합물을 석영 유리관에 넣고 관 내부를 진공 조건 하에 밀봉한다. 상기 석영 유리관을 가열로에 넣고 승온속도 100 도씨/hr로 온도를 증가시켜, 1100 도씨로 가열하고, 이 온도에서 24시간 유지한 다음 실온으로 2도씨/hr의 속도로 냉각한다. 제조된 생성물은 600 도씨에서 48 시간 동안 추가 열처리를 하여 TaNiTe5 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 6: TaNiTe5 다결정 소결체 제조 II
실시예 5에서 얻은 TaNiTe5 다결정 소결체를 600 도씨 및 진공 분위기 하에서 어닐링하여 TaNiTe5 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다. 제조된 소결체의 X선 회절 스펙트럼을 도 4에 나타낸다.
도 4의 XRD 스펙트럼으로부터, TaNiTe5 상이 성공적으로 합성되었음을 확인한다. 공존하는 NiTe2 상은 후처리 등의 공정을 통해 단일상으로 될 수 있다.
실시예 7: NbCoTe2 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus), 코발트 (Co) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich )과 텔루리움 (순도:99.5 %, 제조사:5N Plus)을 1:1:2 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 NbCoTe2 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 8: NbNiTe2 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus ), 니켈 (Ni) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 1:1:2 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 NbNiTe2 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 9: NbFeTe2 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus), 철 (Fe) (순도: 99%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 1:1:2 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 NbFeTe2 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 10: TaCoTe2 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 탄탈륨(Ta) (순도: 99.5%, 제조사:Aldrich), 코발트(Co) (순도:99.5%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사: 5N Plus)을 1:1:2 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 TaCoTe2 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 11: TaNiTe2 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 탄탈륨(Ta) (순도:99.5%, 제조사:Aldrich), 코발트(Co) (순도:99.5%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사: 5N Plus)을 1:1:2 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 TaNiTe2 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 12: Nb3SiTe6 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus), 규소(Si) (순도: 99%, 제조사:Aldrich)와 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 3:1:6 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Nb2SiTe6 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
실시예 13: Nb3GeTe6 다결정 소결체 제조
글로브 박스 내에서 니오븀(Nb) (순도: 99.5%, 제조사:Heraeus), 게르마늄(Ge) (순도: 99%, 제조사:Aldrich)과 텔루리움 텔루리움 (순도:99.9%, 제조사:5N Plus)을 3:1:6 몰비로 혼합하여 혼합물을 얻는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Nb3GeTe6 다결정 소결체를 얻는다.
제조된 소결체의 전기 전도도를, ULVAC-Riko ZEM-3를 사용하여 상온/상압 조건 하에 직류 4단자법, bottom electrode 법, 및 micro-4-point probe 법으로 측정하고, 측정된 값을 cross-confirm 한 다음, 그 결과를 표 7에 정리한다.
제조된 소결체의 X선 회절 분석을 수행하여 결정 구조를 확인하고, 그 결과를 표 7에 정리한다.
구분 조성 합성법 결정구조
(XRD 분석 후 확인) 		σ(S/cm)
실시예 1 NbPdTe5 1차 합성 PNMA (62) 9143
실시예 2 NbNiTe5 1차 합성 CMCM (63) 12715
실시예 3 TaPtTe5 2차 CMCM (63) 12619
실시예 4 TaPtTe5 2차 합성 후 Annealing CMCM (63) 13040
실시예 5 TaNiTe5 2차 합성 CMCM (63) 15177
실시예 6 TaNiTe5 2차 합성 후 Annealing CMCM (63) 15830
실시예 7 NbCoTe2 1차 합성 Cmca (64) 1631
실시예 8 NbNiTe2 Pma2 (28) 1706
실시예 9 NbFeTe2 Pmna (53) 895
실시예 10 TaCoTe2 P21/c (14) 1176
실시예 11 TaNiTe2 Pmna (53) 2876
실시예 12 Nb3SiTe6 PNMA (62) 956
실시예 13 Nb3GeTe6 PNMA (62) 1091
표 7의 결과로부터, 실시예의 삼원 칼코게나이드 화합물은 매우 높은 수준의 전도도를 나타낼 수 있음을 확인한다. 1차 합성 (열처리) 이후 재열처리 (2차 합성) 한 소결체는 더 높은 전기 전도도를 가질 수 있다.
실시예 3의 다결정 TaPtTe5 소결체의 전기 전도도는, 13,040 S/cm 로 측정되었으나, 단결정 형성 또는 어닐링 등의 후공정을 통해 결정 방향 배향시 20,000 이상의 높은 전기전도도 값을 구현할 수 있을 것으로 생각된다. 마찬가지로, 실시예 6의 TaNiTe5 다결정 소결체의 전기 전도도는 15,830 S/cm 로 측정되었으나, 단결정 형성 또는 어닐링 등의 후공정을 통해 결정 방향 배향시 17,500 이상의 높은 전기전도도 값을 구현할 수 있을 것으로 생각된다.
실시예 14: TaPtTe5 전도성 박막 제조
실시예 3에서 제조된 TaPtTe5 소결체를 타겟으로 사용하여, Al2O3 기판 상에 Nd/YAG 레이저를 사용하여 아래 조건 하에 펄스형 레이저 증착(PLD)을 수행한다.
PLD 장치: PLD 5000 Deposition Systems, PVD Products
출력: 60 mJ/cm2
시간: 20분
기판 온도: 600도씨
진공도: 2* 10-6
제조된 TaPtTe5 증착막의 두께는 약 20 nm 이다.
실시예 11: TaPtTe5 나노시트를 포함한 박막 제조
실시예 3에서 제조한 TaPtTe5 소결체를 분쇄한다. 얻어진 분말 0.1그램을 부틸 리튬(butyl lithium)이 녹아 있는 헥산(hexane) 용매 100 ml 내에 분산시키고, 이 용액을 72 시간 동안 교반한다. 위 반응에 의해 층간 분리가 일어나 PdTe2 나노시트들을 포함한 분산액을 얻는다.
얻어진 나노시트들은 원심분리하여 침전물들은 다시 물로 세정하고 원심분리한다.
얻어진 나노시트 침전물을 바이알에 담고 3ml의 탈이온수를 부가하고 초음파 처리한다. 여기에 2-3 ml의 톨루엔을 부가하고, 바이알을 흔들어주면 물층과 톨루엔층 사이의 계면에 나노시트들을 포함한 박막이 형성된다. 산소 플라즈마 처리된 유리 기판을 상기 계면으로 살짝 담근 다음 꺼내 올리면. 계면의 TaPtTe5 나노시트들(나노플레이크)를 포함한 필름이 상기 유리 기판 상에 펼쳐진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하고,
    두께가 50 nm 이하이고,
    두께 50 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80% 이상인
    전도성 박막(conductive thin film):
    [화학식 1]
    AxByChz
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, Ch는 S, Se, 또는 Te이고, x는 1 내지 3, y 는 1 내지 3, z는 2 내지 14임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은, 하기 화학식 2 내지 10 중 하나로 나타내어지는 화합물인 전도성 박막:
    [화학식 2]
    ABTez
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, z는 2 또는 5 임;
    [화학식 3]
    A3BTe6
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
    [화학식 4]
    A2BTe4
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
    [화학식 5]
    ABTe4
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, Rh, 또는 Ir 임;
    [화학식 6]
    AB2Te2
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, 또는 Fe 임;
    [화학식 7]
    A3B3Te14
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임;
    [화학식 8]
    ABxTe3
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, x는 1 또는 2임; 또는
    [화학식 9]
    A2B3Te5
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임; 및
    [화학식 10]
    A2BChz
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, Ch 는 S 또는 Se 이고, z는 5 또는 6임.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은, NbPdTe5, NbNiTe5, TaPtTe5, TaNiTe5, NbCoTe2, NbNiTe2, NbFeTe2, TaCoTe2, TaNiTe2, Nb3SiTe6, Nb3GeTe6, Nb2SiTe4, Nb2GeTe4, TaRuTe4, TaRhTe4, TaIrTe4, NbIrTe4, TaCo2Te2, TaNi2Te2, Ta3Pd3Te14, TaFeTe3, TaNi2Te3, Ta2Pd3Te5, Ta2PdS6, Ta2PdSe6, Ta2NiSe6, Ta2NiS6, Nb2PdSe6, Nb2PdS6, 또는 이들의 조합인 전도성 박막.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    전기 전도도가 1,000 S/cm 이상인 전도성 박막.
  6. 제5항에 있어서,
    전기 전도도가 6,000 S/cm 이상인 전도성 박막.
  7. 제1항에 있어서,
    파장 550 nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 200 Ω/□ 이하인 전도성 박막.
  8. 제1항에 있어서,
    파장 550 nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 20 Ω/□ 이하인 전도성 박막.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 층상 결정 구조는, Cmcm(63) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계 (orthorhombic system), Pnma(62) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Cmca (64) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pma2(28) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, Pmna(53) 스페이스 그룹을 가지는 사방정계, P21/c(14) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, I12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정(monoclinic) 계, C12/m1(12) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계, C12/c1(15) 스페이스 그룹을 가지는 단사정계 중 어느 하나에 속하는 전도성 박막.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들을 포함하고, 상기 나노 시트들은 접촉되어 전기적 연결을 제공하는 전도성 박막.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 연속하는 증착막을 가지는 전도성 박막.
  12. 삭제
  13. 하기 화학식 1 로 나타내어지고, 층상 결정구조를 가지는 화합물을 포함하고,
    두께가 50 nm 이하이고,
    두께 50 nm 이하에서 550 nm 의 파장의 광에 대한 광투과율이 80% 이상 전도성 박막을 포함하는 전자 소자:
    [화학식 1]
    AxByChz
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, Ch는 S, Se, 또는 Te이고, x는 1 내지 3, y 는 1 내지 3, z는 2 내지 14임.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은, 하기 화학식 2 내지 10 중 하나로 나타내어지는 화합물을 포함하는 전자 소자:
    [화학식 2]
    ABTez
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, Rh, Si, 또는 Ge 이고, z는 2 또는 5 임;
    [화학식 3]
    A3BTe6
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
    [화학식 4]
    A2BTe4
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Si 또는 Ge 임;
    [화학식 5]
    ABTe4
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, Rh, 또는 Ir 임;
    [화학식 6]
    AB2Te2
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, 또는 Fe 임;
    [화학식 7]
    A3B3Te14
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임;
    [화학식 8]
    ABxTe3
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, x는 1 또는 2임; 또는
    [화학식 9]
    A2B3Te5
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 임; 및
    [화학식 10]
    A2BChz
    여기서, A는 V, Nb, 또는 Ta 이고, B는 Ni, Co, Fe, Pd, Pt, Ir, 또는 Rh 이고, Ch 는 S 또는 Se 이고, z는 5 또는 6임.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은, NbPdTe5, NbNiTe5, TaPtTe5, TaNiTe5, NbCoTe2, NbNiTe2, NbFeTe2, TaCoTe2, TaNiTe2, Nb3SiTe6, Nb3GeTe6, Nb2SiTe4, Nb2GeTe4, TaRuTe4, TaRhTe4, TaIrTe4, NbIrTe4, TaCo2Te2, TaNi2Te2, Ta3Pd3Te14, TaFeTe3, TaNi2Te3, Ta2Pd3Te5, Ta2PdS6, Ta2PdSe6, Ta2NiSe6, Ta2NiS6, Nb2PdSe6, Nb2PdS6, 또는 이들의 조합을 포함하는 전자 소자.
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은 전기 전도도가 1,000 S/cm 이상이고, 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 200 Ω/□ 이하인 전자 소자.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은 전기 전도도가 6,000 S/cm 이상이고, 파장 550nm 의 빛에 대한 흡수계수(α)와 비저항값(ρ)의 곱이 20 Ω/□ 이하인 전자 소자.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 전도성 박막은, 상기 화합물을 포함하는 복수개의 나노 시트들이 전기적 연결을 제공하도록 배열되어 있는 전자 소자.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 전자 소자는, 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양전지, e-윈도우, 전기 변색 미러(electrochromic mirror), 히트 미러(heat mirror), 투명 트랜지스터, 또는 유연 디스플레이인 전자 소자.
KR1020140080189A 2014-06-27 2014-06-27 전도성 박막 KR102200499B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140080189A KR102200499B1 (ko) 2014-06-27 2014-06-27 전도성 박막
US14/740,583 US9767936B2 (en) 2014-06-27 2015-06-16 Electrically conductive thin films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140080189A KR102200499B1 (ko) 2014-06-27 2014-06-27 전도성 박막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160001515A KR20160001515A (ko) 2016-01-06
KR102200499B1 true KR102200499B1 (ko) 2021-01-07

Family

ID=54931258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140080189A KR102200499B1 (ko) 2014-06-27 2014-06-27 전도성 박막

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9767936B2 (ko)
KR (1) KR102200499B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108313987A (zh) * 2018-02-09 2018-07-24 深圳大学 二维碲纳米片及其制备方法和应用
CN110294463B (zh) * 2019-07-26 2022-07-08 华东师范大学 一种过渡族元素掺杂的室温铁磁性二维材料及制备方法
CN112573491B (zh) * 2020-12-18 2022-05-03 电子科技大学 一种类珊瑚状Pd4Se化合物的制备方法
CN114122895A (zh) * 2021-11-22 2022-03-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 可饱和吸收体、器件、制备方法及锁模激光器
CN114414214B (zh) * 2021-12-14 2022-09-27 北京大学 一种直接探测光轨道角动量的光探测器及其探测方法
CN115739129B (zh) * 2022-12-01 2024-02-20 武汉大学 一种纳米层状六方相贵金属硒化物及其制备方法与应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130125988A1 (en) 2009-11-25 2013-05-23 E I Du Pont De Nemours And Company CZTS/Se PRECURSOR INKS AND METHODS FOR PREPARING CZTS/Se THIN FILMS AND CZTS/Se-BASED PHOTOVOLTAIC CELLS

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5051204A (en) 1988-11-30 1991-09-24 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Multi-element metal chalocogenide
US5236691A (en) 1991-03-08 1993-08-17 Iowa State University Research Foundation, Inc. Ternary metal-rich sulfide with a layered structure
JPH0611642A (ja) 1992-06-26 1994-01-21 Funai Electric Co Ltd カメラ等のフォーカス・ズームスイッチ機構
US8329138B2 (en) * 2007-09-10 2012-12-11 Yeda Research And Development Company Ltd. Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production
US9024415B2 (en) * 2010-12-07 2015-05-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electrical and optical devices incorporating topological materials including topological insulators

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130125988A1 (en) 2009-11-25 2013-05-23 E I Du Pont De Nemours And Company CZTS/Se PRECURSOR INKS AND METHODS FOR PREPARING CZTS/Se THIN FILMS AND CZTS/Se-BASED PHOTOVOLTAIC CELLS

Also Published As

Publication number Publication date
US20150380122A1 (en) 2015-12-31
KR20160001515A (ko) 2016-01-06
US9767936B2 (en) 2017-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102200501B1 (ko) 전도성 박막
KR102200499B1 (ko) 전도성 박막
US10099938B2 (en) Electrically conductive thin films
KR102200500B1 (ko) 전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자
JP2016012563A (ja) 導電性薄膜およびこれを含む電子素子
KR102290310B1 (ko) 전도성 박막
KR102309879B1 (ko) 투명 전도막
JP6721946B2 (ja) 導電性材料およびこれを含む電子素子
KR102200502B1 (ko) 전도성 박막
KR102221549B1 (ko) 전도성 박막
KR20150094083A (ko) 하프늄 텔루라이드계 층상 구조 화합물, 이를 포함한 투명 도전막, 및 이를 포함한 전자 소자
KR102226901B1 (ko) 전도성 박막 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant