KR102199976B1 - 웨이퍼 검사 방법 및 장치 - Google Patents

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조상연
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고정환
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한국항공우주연구원
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 검사 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 장치는, 제1 라인빔(line beam)을 발생하는 제1 라인빔 발생기, 그리고 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송부를 포함한다. 웨이퍼 이송부는, 제1 라인빔의 일단이 웨이퍼 지름을 따라 이동하면서, 웨이퍼 지름을 기준으로 나누어지는 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 제1 라인빔이 조사되도록 웨이퍼를 제1 방향으로 이송시키며, 웨이퍼의 제1 절반 부분은 지름을 기준으로 제1 라인빔 발생기의 반대 측에 위치한다. 본 발명에 의하면 고속으로 정확하게 웨이퍼 모서리(edge) 부근 표면까지 검사가 가능한 장점이 있다.

Description

웨이퍼 검사 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR WAFER INSPECTION}
본 발명은 웨이퍼 검사 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 웨이퍼 표면 파티클 검사 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 공정에서 웨이퍼 표면에 존재하는 파티클은 공정 수율을 낮추는 가장 큰 요인이다. 따라서 반도체 공정에서 다양한 세척 방법을 이용하여 웨이퍼 표면의 파티클을 제거하고 있다. 이러한 웨이퍼 표면 파이클의 관리를 위해서는 웨이퍼 표면에 어떤 크기의 파티클이 어떻게 분포되어 있는지 검사하는 것이 먼저 필요하다.
웨이퍼 표면의 100nm 크기 수준의 파티클 검사를 위해서는 레이저 빔을 웨이퍼 표면에 조사하고 파티클에 의해 산란된 빛을 광센서를 이용하여 검출한다. 도 1은 스팟빔을 웨이퍼 표면에 조사하고 산란된 빛을 검출하는 방법으로 가장 널리 사용되고 있는 방법을 나타낸 것이다. 이 방법은 스팟빔을 사용하므로 웨이퍼 전면을 검사하기 위해서는 웨이퍼를 회전시키면서 검사를 하여야 한다. 그리고 1회전 후에는 반경 방향으로 스팟빔 폭만큼 이송해서 검사를 하여야 한다. 이 방법의 단점은 두 가지로 나눌 수 있다. 첫 번째는 도 2와 같이 레이저 스팟빔은 빔의 세기가 균일하지 않고 가우시안 분포를 가지므로 파티클에 조사되는 스팟빔의 위치에 따라 산란 신호의 크기가 변하게 된다. 두 번째는 웨이퍼 전면에 대해 스팟빔이 스캐닝을 해야 하므로 검사 시간이 긴 문제가 있다.
도 3은 레이저 라인빔과 라인 스캔 카메라를 이용하여 파티클에 의해 산란된 빛을 검출하는 방법을 나타낸 것이다. 도 3에 예시된 방법으로 LCD, OLED와 같은 디스플레이에 사용되는 기판유리 표면의 파티클 검사에 사용되고 있다. 이 방법은 한 번에 한 라인을 검사하므로 웨이퍼 표면 파티클 검사에 적용할 경우 웨이퍼를 한 방향으로만 이송시키면서 검사하면 전면에 대한 검사를 할 수 있다. 따라서 고속 검사가 가능한 장점이 있다. 그러나 이 방법은 도 4에 예시된 것과 같이 빔이 조사되는 쪽의 웨이퍼 모서리(edge)에서 산란 및 반사된 빛의 세기가 매우 크므로 모서리 부근 표면의 파티클 검출 신호에 영향을 준다. 따라서 빔이 조사되는 쪽의 모서리 부근 표면에 대한 검사가 불가능하다. 다만 빔이 조사되는 반대쪽 모서리 부근 표면에서는 상대적으로 산란이 작게 이루어지므로 검사가 가능하다. 현재 반도체 공정에서 수율을 보면 웨이퍼 중심 부분은 높지만 웨이퍼 모서리에 가까울수록 낮아지는 것으로 알려져 있다. 따라서 모서리 부근에 대한 파티클 검사는 중요하다고 할 수 있다.
위에서 살펴본 바와 같이 기존의 파티클 검사기술은 검사 속도가 느리거나 웨이퍼 엣지 부근 표면의 검사가 불가능한 단점을 가지고 있다. 따라서 생산성 및 검사 정확성을 위해 고속으로 웨이퍼 표면 전체를 검사할 수 있는 기술이 필요한 상황이다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 고속으로 정확하게 웨이퍼 엣지 부근 표면의 검사가 가능한 웨이퍼 검사 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 특히 레이저 라인빔이 조사되는 쪽의 웨이퍼 모서리에는 라인빔을 조사하지 않으면서, 라인빔이 조사되는 반대 쪽의 웨이퍼 모서리까지 라인빔을 조사되게 하면서 검사를 수행함으로써 신속하고 정확한 검사가 가능하다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 장치는, 제1 라인빔(line beam)을 발생하는 제1 라인빔 발생기, 그리고 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송부를 포함한다.
상기 웨이퍼 이송부는, 상기 제1 라인빔의 일단이 상기 지름을 따라 이동하면서, 상기 지름을 기준으로 나누어지는 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 상기 제1 라인빔이 조사되도록 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송시키며, 상기 제1 절반 부분은 상기 지름을 기준으로 상기 제1 라인빔 발생기의 반대 측에 위치한다.
상기 웨이퍼 이송부는, 상기 제1 절반 부분에 대해 상기 제1 라인빔을 조사한 후, 상기 웨이퍼 중심을 지나는 수직선을 축으로 상기 웨이퍼를 180°회전시키고, 상기 제1 라인빔의 일단이 상기 지름을 따라 이동하면서, 상기 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분에 상기 제1 라인빔이 조사되도록 상기 웨이퍼를 제2 방향으로 이송시킬 수 있다.
상기 제2 방향은 상기 제1 방향의 반대 방향일 수 있다.
상기 웨이퍼 검사 장치는, 제2 라인빔을 발생하는 제2 라인빔 발생기를 더 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼가 상기 제1 방향으로 이송되는 동안에 상기 제2 라인빔의 일단이 상기 지름을 따라 이동하면서, 상기 웨이퍼의 제2 절반 부분에 상기 제2 라인빔이 조사될 수 있다.
상기 웨이퍼 검사 장치는, 서로 직각을 이루는 제1 반사면과 제2 반사면을 포함하는 직각 거울을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 라인빔이 상기 제1 절반 부분에 조사되는 각도와 상기 웨이퍼에서 반사된 상기 제1 라인빔이 상기 직각 거울에서 반사되어 상기 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분에 조사되는 각도가 동일하도록 상기 직각 거울이 배치될 수 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 방법은, 제1 라인빔 발생기에서 발생하는 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하면서 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 동안에 상기 제1 라인빔의 일단이 상기 지름을 따라 이동하면서, 상기 지름을 기준으로 나누어지는 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 상기 제1 라인빔이 조사된다.
상기 웨이퍼 검사 방법은, 상기 제1 절반 부분에 대해 상기 제1 라인빔을 조사한 후, 상기 웨이퍼 중심을 지나는 수직선을 축으로 상기 웨이퍼를 180°회전시키는 단계, 그리고 상기 제1 라인빔의 일단이 상기 지름을 따라 이동하면서, 상기 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분에 상기 제1 라인빔이 조사되도록 상기 웨이퍼를 제2 방향으로 이송시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
컴퓨터에 상기 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면 고속으로 정확하게 웨이퍼 모서리(edge) 부근 표면까지 검사가 가능한 장점이 있다.
도 1은 종래 레이저 스팟빔을 이용한 파티클 검사기를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래 레이저 스팟빔의 세기 분포를 나타낸 도면이다.
도 3은 종래 레이저 라인빔을 이용한 디스플레이 기판 유리 파티클 검사기를 나타낸 도면이다.
도 4는 웨이퍼 엣지에서 산란 반사된 빛에 의한 표면 파티클 산란 신호 왜곡을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치에서 웨이퍼가 180°회전 상태를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치(100)는 제1 라인빔 발생기(110), 웨이퍼 이송부(120), 라인스캔 카메라(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.
제1 라인빔 발생기(110)는 직선형태의 라인빔(line beam)을 발생하는 장치로구현할 수 있다. 예컨대 제1 라인빔 발생기(110)는 레이저에서 발생된 레이저 광원(110a)을 실린더 렌즈(110b) 및 반구면 렌즈(110c)를 통과시켜 일정한 선 폭을 가지는 선형의 라인빔을 발생시킬 수 있다. 라인빔을 발생시키는 장치 구성은 이미 잘 알려져 있으므로 자세한 설명은 생략한다.
제1 라인빔 발생기(110)는 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도(θ1)로 제1 라인빔(L1)을 웨이퍼(W) 상면에 조사할 수 있다. 그리고 제1 라인빔(L1)이 웨이퍼(W)에 조사되는 폭은 적어도 웨이퍼(W)의 반지름보다는 크게 설정된다.
웨이퍼 이송부(120)는 웨이퍼(W)를 제어부(140)의 제어에 따라 미리 정해진 방향 및 위치로 이송시킬 수 있다. 그리고 실시예에 따라 웨이퍼 이송부(120)는 웨이퍼(W)를 미리 정해진 위치에서 웨이퍼(W)의 중심(Wc)을 지나는 수직선을 축으로 180°회전시킬 수 있다.
라인스캔 카메라(130)는 웨이퍼(W) 상면에 라인빔이 조사되는 영역을 스캔하기 위한 구성으로서, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 파티클 또는 결함으로 입사되어 산란되는 라인빔을 촬상하여 해당 픽셀값을 획득할 수 있다.
제어부(140)는 웨이퍼 검사 장치(100)의 전체적인 동작을 제어한다. 제어부(140)는 웨이퍼(W)를 미리 정해진 방향 및 지점으로 이송하고, 미리 정해진 지점에서 회전시키도록 웨이퍼 이송부(120)를 제어할 수 있다. 또한 제어부(140)는 라인스캔 카메라(130)에서 촬상된 라인빔을 분석하여 웨이퍼(W)에 결함을 검출할 수도 있다.
먼저 웨이퍼 이송부(120)는 웨이퍼(W)를 지름(D)과 평행한 제1 방향(F)으로 이송할 수 있다(S610). 단계(S610)에서 제1 방향(F)으로 웨이퍼(W)를 이송하는 동안에 제1 라인빔(L1)은 지름(D)을 기준으로 타 측에 위치한 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분(W1)에 조사될 수 있다. 제1 라인빔(L1)은 웨이퍼(W)에 조사되는 부분이 지름(D)과 수직을 이루고, 제1 라인빔(L1)의 일단이 지름(D)의 한쪽 끝부터 시작해서 다른 쪽 끝까지 지름(D)을 따라 이동하면서 조사된다.
제1 절반 부분(W1)에 대해 제1 라인빔(L1)을 조사한 후, 웨이퍼 이송부(120)는 웨이퍼 중심(Wc)을 지나는 수직선을 축으로 웨이퍼(W)를 도 7에 예시한 것과 같이 180°회전시킬 수 있다(S620). 이에 의해 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분(W2)이 제1 라인빔 발생기(110)의 반대 측에 위치하고, 제1 라인빔(L1)이 조사될 수 있는 상태가 된다.
다음으로 웨이퍼 이송부(120)는 웨이퍼(W)를 제1 방향(F)과 반대 방향인 제2 방향(B)으로 이송시킬 수 있다(S630). 단계(S630)에서 제2 방향(B)으로 웨이퍼(W)를 이송하는 동안에, 제1 라인빔(L1)은 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분(W2)에 조사될 수 있다. 그리고 제1 라인빔(L1)의 일단은 지름(D)을 따라 조사될 수 있다.
마지막으로 제어부(140)는 단계(S610) 및 단계(S630) 동안에 라인스캔 카메라(130)에서 촬상된 라인빔을 분석하여 웨이퍼(W) 상면에 파티클이나 결함의 존재 여부를 판단할 수 있다(S640). 물론 단계(S640)는 단계(S610) 및 단계(S630) 동안에 실시간으로 이루어질 수도 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치(100')는 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치와 비교하여 제2 라인빔 발생기(115)를 더 포함할 수 있다.
제2 라인빔 발생기(115)는 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 타 측 상방에서 미리 정해진 각도(θ1)로 제2 라인빔(L2)을 웨이퍼(W) 상면에 조사할 수 있다. 그리고 제1 라인빔(L2)이 웨이퍼(W)에 조사되는 폭은 적어도 웨이퍼(W)의 반지름보다는 크게 설정된다.
웨이퍼 검사 장치(100')는 웨이퍼(W)를 제1 방향으로 이송하는 동안에, 제2 라인빔(L2)을 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분(W2)에 조사한다. 제2 라인빔(L2)의 일단은 지름(D)을 따라 조사된다.
웨이퍼 검사 장치(100')는 2개의 라인빔 발생기(111, 115)를 이용함으로써, 웨이퍼(W)를 제1 방향으로 이동하는 동안에 웨이퍼 상면의 두 부분(W1, W2)에 모두 라인빔을 조사할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치(100'')는 제1 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치와 비교하여 직각 거울(150)을 더 포함할 수 있다.
직각 거울(150)은 서로 직각을 이루는 제1 반사면(151)과 제2 반사면(152)을 포함한다.
제1 라인빔(L1)이 제1 절반 부분(W1)에 조사되는 각도(θ1)와 웨이퍼(W)에서 반사된 제1 라인빔(L1')이 직각 거울(150)에서 반사되어 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분(W2)에 조사되는 각도(θ2)가 동일하도록 직각 거울(150)을 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 제1 라인빔 발생기(110)와 반대 측 상방에 배치할 수 있다. 그리고 각도(θ1, θ1)는 웨이퍼 상면의 법선과 45°를 이루도록 직각 거울(150)을 배치하는 것이 바람직하다.
웨이퍼 검사 장치(100'')는 직각 거울(150)을 이용함으로써, 웨이퍼(W)를 제1 방향으로 이동하는 동안에 웨이퍼 상면의 두 부분(W1, W2)에 모두 라인빔을 조사할 수 있다.
본 발명의 실시예는 다양한 컴퓨터로 구현되는 동작을 수행하기 위한 프로그램 명령을 포함하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체를 포함한다. 이 매체는 앞서 설명한 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한다. 이 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 이러한 매체의 예에는 하드디스크, 플로피디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD 및 DVD와 같은 광기록 매체, 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 자기-광 매체, 롬, 램, 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 구성된 하드웨어 장치 등이 있다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 제1 라인빔(line beam)을 발생하는 제1 라인빔 발생기, 그리고
    웨이퍼(W)를 이송하는 웨이퍼 이송부
    를 포함하고,
    상기 제1 라인빔 발생기는 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 지름과 평행한 제1 방향(F)으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    상기 웨이퍼 이송부는,
    상기 제1 절반 부분에 대해 상기 제1 라인빔을 조사한 후, 웨이퍼 중심(Wc)을 지나는 수직선을 축으로 상기 웨이퍼를 180°회전시키고, 상기 제1 방향의 반대 방향인 제2 방향(B)으로 상기 웨이퍼를 이송시키며,
    상기 제2 방향으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되는 웨이퍼 검사 장치.
  3. 제1 라인빔(line beam)을 발생하는 제1 라인빔 발생기, 그리고
    웨이퍼(W)를 이송하는 웨이퍼 이송부
    를 포함하고,
    상기 제1 라인빔 발생기는 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 지름과 평행한 제1 방향(F)으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    제2 라인빔을 발생하는 제2 라인빔 발생기
    를 더 포함하고,
    상기 제2 라인빔 발생기는 상기 웨이퍼 상면 지름을 기준으로 타 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제2 라인빔을 상기 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 동안에, 상기 제2 라인빔은 상기 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분에 조사되되, 상기 제2 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되는 웨이퍼 검사 장치.
  4. 제1 라인빔(line beam)을 발생하는 제1 라인빔 발생기, 그리고
    웨이퍼(W)를 이송하는 웨이퍼 이송부
    를 포함하고,
    상기 제1 라인빔 발생기는 웨이퍼 상면 지름(D)을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 지름과 평행한 제1 방향(F)으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    서로 직각을 이루는 제1 반사면과 제2 반사면을 포함하는 직각 거울
    을 더 포함하고,
    상기 제1 라인빔이 상기 제1 절반 부분에 조사되는 각도와 상기 웨이퍼에서 반사된 상기 제1 라인빔이 상기 직각 거울에서 반사되어 상기 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분에 조사되는 각도가 동일하도록 상기 직각 거울이 배치되는 웨이퍼 검사 장치.
  5. 삭제
  6. 제1 라인빔 발생기에서 발생하는 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하면서 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 방향은 웨이퍼 상면 지름과 평행한 방향이며,
    상기 제1 라인빔 발생기는 상기 웨이퍼 상면 지름을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 상기 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 제1 방향으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    상기 제1 절반 부분에 대해 상기 제1 라인빔을 조사한 후, 웨이퍼 중심을 지나는 수직선을 축으로 상기 웨이퍼를 180°회전시키는 단계, 그리고
    상기 제1 방향의 반대 방향인 제2 방향으로 상기 웨이퍼를 이송시키는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 제2 방향으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되는 웨이퍼 검사 방법.
  7. 제1 라인빔 발생기에서 발생하는 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하면서 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 방향은 웨이퍼 상면 지름과 평행한 방향이며,
    상기 제1 라인빔 발생기는 상기 웨이퍼 상면 지름을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 상기 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 제1 방향으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    상기 웨이퍼가 상기 제1 방향으로 이송되는 동안에 제2 라인빔 발생기에서 발생하는 제2 라인빔은 상기 웨이퍼 상면의 다른 제2 절반 부분에 조사되되, 상기 제2 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    상기 제2 라인빔 발생기는 상기 웨이퍼 상면 지름을 기준으로 타 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제2 라인빔을 상기 웨이퍼 상면에 조사하는 웨이퍼 검사 방법.
  8. 제1 라인빔 발생기에서 발생하는 제1 라인빔을 웨이퍼 상면에 조사하면서 상기 웨이퍼를 제1 방향으로 이송하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 방향은 웨이퍼 상면 지름과 평행한 방향이며,
    상기 제1 라인빔 발생기는 상기 웨이퍼 상면 지름을 기준으로 일 측 상방에서 미리 정해진 각도로 상기 제1 라인빔을 상기 웨이퍼 상면에 조사하며,
    상기 제1 방향으로 상기 웨이퍼를 이송하는 동안에, 상기 제1 라인빔은 상기 지름을 기준으로 타 측에 위치한 상기 웨이퍼 상면의 제1 절반 부분에 조사되되, 상기 제1 라인빔의 일단은 상기 지름을 따라 조사되고,
    상기 제1 라인빔이 상기 제1 절반 부분에 조사되는 각도와 상기 웨이퍼에서 반사된 상기 제1 라인빔이 직각 거울에서 반사되어 상기 웨이퍼 상면의 제2 절반 부분에 조사되는 각도가 동일하게 되도록 상기 직각 거울을 배치하고,
    상기 직각 거울은 서로 직각을 이루는 제1 반사면과 제2 반사면을 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  9. 컴퓨터에 상기 제6항 내지 제8항 중 어느 한 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
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JP2012198136A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Fujitsu Ltd 表面欠陥検査装置及び方法
KR20130130510A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 한국생산기술연구원 웨이퍼표면 검사장치 및 이를 이용한 웨이퍼 표면 검사방법
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