KR102199269B1

KR102199269B1 - 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로

Info

Publication number: KR102199269B1
Application number: KR1020190136926A
Authority: KR
Inventors: 최인영
Original assignee: (주)팔콘시스템
Priority date: 2019-10-30
Filing date: 2019-10-30
Publication date: 2021-01-07

Abstract

본 발명은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로에 관한 것으로서, 인덕터와, 상기 인덕터의 전류를 제어하는 충전트랜지스터와, 상기 충전트랜지스터의 ON/OFF를 제어하는 충전트랜지스터 제어장치와, 상기 충전트랜지스터의 전류가 흐르는 경로에 연결되는 감지저항과, 상기 감저저항 또는 상기 충전트랜지스터와 병렬로 연결되어 상기 충전트랜지스터의 전류가 증가할 때 제어전극 전압이 증가하는 MOSFET형의 정밀측정트랜지스터를 포함하고, 상기 정밀측정트랜지스터는 MOSFET의 전기적 특성 편차를 보상하기 위하여 2개 이상의 정밀측정트랜지스터가 서로 병렬로 연결되고, 상기 정밀측정트랜지스터의 출력을 연산하여 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 편차보정논리모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 편차가 심한 MOSFET의 신호를 보정하면 인덕터 최대전류를 설계 목표에 가까운 값으로 일정하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

Description

금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로{Correction Circuit For Devtation of Precision Measurement Transistor Using MOSFET}

본 발명은 벅 컨버터, isolated SMPS, 솔레노이드 밸드 등에 사용되는 인덕터의 전류를 측정하는 MOSFET에 있어서, MOSFET의 생산과정에서 발생하는 편차를 극복하는 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로에 관한 것이다. 보다 상세하게 인덕터 전류를 감지하거나 미러링하는 MOSFET에 편차가 발생하면 인덕터 최대전류의 일정한 제어를 방해한다. 이러한 방해를 극복하기 위하여 인덕터 최대전류가 일정하게 제어되도록 편차가 심한 MOSFET의 신호를 무시하는 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로에 관한 것이다.

인덕터는 입력된 전압에 대하여 전류를 지연시키는 수동소자이다. 또한 전류가 흐를 때 전자기를 유도하여 이를 기계적 힘으로 변화시키거나 다른 인덕터에 전류를 유도한다. 이러한 특성을 이용하여 전압을 변화시키는 벅 컨버터 또는 isolated SPMS에 사용되기도 하고, 모터나 솔레노이드 밸브에 사용되기도 한다. 이때 인덕터는 코일이라 불리기도 하고, 두 개의 코일이 상호유도 될 때 트랜스포머라고도 한다. 인덕터에 흐르는 전류는 입력된 전압을 인덕턴스로 나눈 값으로 증가하고 입력된 전압을 저항으로 나눈 값에 포화한다. 또한, 인덕터의 크기는 거의 인덕턴스에 비례하고, 인덕터의 허용전류의 제곱에 비례한다.

본출원인은 도 1과 같이 도시된 한국등록특허 제1822039호의 트랜지스터를 인덕터전류 감지장치로 사용하는 “인덕터 전류차단속도가 개선된 전압변환장치”를 개발한바 있다. 벅 컨버터에서 비교기(OP-amp)로 감지하던 인덕터 전류를 트랜지스터로 감지하면, 인덕터의 초과전류를 감소시킴으로 벅 컨버터의 출력전압 제어가 간단하고, 높은 전압을 입력할 수 있는 장점 등을 가진다.

도 1에서 MOSFET 트랜지스터(Mt)는 BJT가 사용될 수 있다. 또한, 한국등록특허 제1822039호의 도 10에 도시된 바와 같이 하나의 감지저항(Rs)에 Qt1, Qt2와 같은 여러 감지 트랜지스터가 병렬로 연결될 수도 있었다. 이때 감지트랜지스터의 문턱전압이 증가하면 감지저항이 소모하는 에너지는 증가한다. 실리콘 BJT의 문턱전압은 0.7V, 게르마늄 BJT의 문턱전압은 0.3V이므로 임계전류가 흐를 때 감지저항은 이에 상응하는 전압을 출력하기 위하여 커야 되지만, MOSFET 트랜지스터는 문턱전압을 0.1V이하로 제작이 가능하므로 감지저항에서 소모하는 에너지를 감소시킬 수 있다.

한편, 인덕터 전류는 도 2와 같은 SenseFET로 감지할 수도 있다. SenseFET의 구조를 살펴보면 충전트랜지스터(Mc)와 병렬로 거울트랜지스터(Mm)이 설치된다. 충전트랜지스터(Mc)와 거울트랜지스터(Mm)는 같은 구조이고 같은 게이트와 소스, 드레인에 연결되어 있으므로 하나의 트랜지스터 전류가 증가할 때 다른 트랜지스터의 전류도 증가하고 이를 미러링이라 한다. 이때 각 트랜지스터의 채널을 조절하여 충전트랜지스터(Mc)와 거울트랜지스터(Mm)의 전류비율을 다르게 할 수 있다. 이를 전류미러비율(Current mirror ratio)이라 하고, 전류전압변환비교기(As)는 거울트랜지스터의 전류를 전압으로 변환하여 게이트 드라이버(Gate driver)에 전달한다.

상기 인덕터 전류를 측정하는 두 가지 방법은 전류를 측정하기 위하여 MOSFET를 사용하는데 BJT와 달리 MOSFET는 편차가 심하다. 즉, 채널의 형상과 반도체의 농도가 일정한 MOSFET을 제작하기 곤란하고, 아주 작은 형상과 농도의 변화만으로도 MOSFET의 문턱전압과 전기전도도는 많은 변화를 일으킨다.

도 1에서 감지트랜지스터(Mt)의 문턱전압의 크기가 증가하면 감지저항 양단의 전압차가 증가하여야 인덕터 전류충전 중지신호를 출력한다. 따라서 인덕터의 최대전류는 증가한다.

또한, 도 2에서 거울트랜지스터(Mm)의 채널은 충전트랜지스터(Mc)의 채널에 비하여 매우 작다. 따라서 거울트랜지스터(Mm)의 전기적 특성 편차는 크다. 이와 같은 편차는 전류미러비율(Current mirror ratio)의 편차를 나타낸다. 이때 전류미러비율이 커지면 전류전압변환비교기(As)는 인덕터 전류가 높은 상태에서 인덕터 충전중지신호를 출력하므로 인덕터 최대전류는 증가한다.

이와 같이 인덕터 최대전류가 증가하면 정확한 제어가 어려워질 뿐만 아니라 허용전류가 미리 정해진 인덕터 또는 충전트랜지스터에 손상을 일으킬 수도 있다. 반대의 경우 인덕터에 충전하는 에너지가 작아져 원하는 전압을 출력하지 못할 수도 있다.

한국등록특허 제1822039호

본 발명은 상기와 같이 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)가 인덕터 전류를 측정할 때 MOSFET 제작과정에서 발생하는 전기적 특성 편차를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 정밀측정 MOSFET의 편차를 극복하여 설계목적에 맞는 인덕터 전류가 흐를 때 인덕터 충전중지 신호를 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 것이다.

상기와 같이 인덕터 전류를 감지하거나 미러링하는 MOSFET를 여러 개 설치하고 MOSFET의 신호를 조합하면 편차가 심한 MOSFET가 출력하는 신호를 무시할 수 있다. 이와 같이 편차가 심한 MOSFET가 출력하는 신호를 무시하면 이들이 발생시키는 인덕터 최대전류 오차를 방지할 수 있다. 특히 인덕터 전류의 상승속도가 매우 빠르므로 논리합 또는 논리곱게이트로 MOSFET의 신호를 조합하면 인덕터의 최대전류를 최소화 할 수 있다.

도 1은 종래 트랜지스터로 인덕터 전류를 감지하는 벅 컨버터의 구성도이다.
도 2는 종래 SenseFET를 사용하는 isolated SMPS의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 MOSFET로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로를 포함하는 벅 컨버터의 구성도이다.
도 4는 공핍형(Depletion type) MOSFET의 구조도이다.
도 5는 MOSFET의 문턱전압 분포도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 MOSFET로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로의 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 MOSFET로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로를 포함하는 isolated SMPS의 구성도이다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로를 포함하는 벅 컨버터의 구성도이다.

제 1 실시예에 따른 편차보정회로는 벅 컨버터에서 인덕터 전류를 감지하는 트랜지스터의 편차를 보정한다. 벅 컨버터는 기존 벅 컨버터와 같이 감지저항(Rs), 충전트랜지스터(Mc), 방전스위칭소자(Dd), 인덕터(Lm), 반전유지모듈(LAT), 출력커패시터(Cout)로 구성된다. 단, 감지트랜지스터는 Ms1과 Ms2 두 개가 서로 병렬로 설치되고 두 감지트랜지스터의 출력은 편차보정논리모듈(MoVC)에 입력된다. 이때 두 개의 감지트랜지스터는 공핍형(Depletion type) 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)이고 편차보정논리모듈(MoVC)는 논리곱게이트(MsAG)로 구성된다.

먼저 공핍형 MOSFET는 도 4에 도시된 P-ch MOSFET와 같이 구성된다. 공핍형 MOSFET는 소스와 드레인을 형성하는 P형 반도체 사이에 N형 반도체만 형성된 증가형(Enhancement type) MOSFET와 달리 소스와 드레인 사이에 P형 반도체를 포함한다. 따라서 소스와 드레인을 연결하는 P형 반도체의 형상에 따라 문턱전압을 조정할 수 있기 때문에 문턱전압이 0V인 MOSFET의 제작이 가능하다. 또한 MOSFET의 드레인 전류는 전류전도도(Transconductance parameter)에 비례한다. 따라서 0.1V 보다 작은 감지저항의 양단 전압차에도 MOSFET의 출력전압을 반전시킬 수 있다.

하지만 제작과정에서 발생하는 소스와 드레인 사이에 P형 반도체의 형상이나 농도에 따라 MOSFET의 문턱전압은 변한다. 이때 문턱전압의 분포는 도 5와 같이 도시된 정규분포곡선을 따른다고 가정하면 문턱전압의 평균이 0V, 표준편차(σ)가 0.006V인 MOSFET을 생산하였을 때 생산된 대부분(68.3%)의 MOSFET 문턱전압은 Ms2, Ms3와 같이 -0.006V, 0.006V 사이라고 할 수 있다. 이러한 MOSFET은 벅 컨버터를 정상적으로 작동시키나, Ms1, Ms4와 같이 표준편차보다 큰 문턱전압을 가진 MOSFET들은 벅 컨버터의 정상적인 동작을 방해한다.

도 3의 벅 컨버터의 구성도에서 감지트랜지스터 Ms1과 Ms2로서 도 5에 도시된 문턱전압을 가지는 공핍형 MOSFET Ms1과 Ms2가 사용된다고 가정하면, 인덕터(Lm)에 전류가 흐르기 시작하면 먼저 Ms1가 high를 출력할 것이다. 하지만 논리곱게이트(MsAG)는 Ms1와 Ms2가 모두 high를 출력하였을 때 인덕터 충전중지신호를 반전유지모듈(LAT)에 전달한다. 결과적으로 논리곱게이트(MsAG)는 표준편차 밖의 문턱전압을 가지는 MOSFET(Ms1)의 출력을 무시하고 표준편차안의 문턱전압을 가진 MOSFET(Ms2)의 출력에 따라 인덕터 전류충전을 중단하여 벅 컨버터의 인덕터 최대전류는 일정하게 유지된다.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로의 구성도이다.

제 2 실시예에 따른 편차보정회로는 도 3과 같은 벅 컨버터에 네 개의 감지트랜지스터(Ms1, Ms2, Ms3, Ms4)가 감지저항에 서로 병렬로 연결되고 각 감지 트랜지스터의 출력은 도 6과 같은 편차보정논리모듈(MoVC)에 입력된다. 단, 벅 컨버터를 구성하는 부품과 감지트랜지스터들은 도시에서 생략되었다.

편차보정논리모듈(MoVC)은 6 개의 논리곱게이트(MsAG1, MsAG2, MsAG3, MsAG4, MsAG5, MsAG6)와 1 개의 논리합게이트(MsOG)로 구성된다. 이때 6 개의 논리곱게이트를 제 1 열 논리회로, 논리합게이트(MsOG)를 제 2 열 논리회로라 하고, 제 1열 논리회로는 각 감지트랜지스터로부터 입력받고 결과를 제 2 열 논리회로의 입력에 출력한다. 또한, 제 2 열 논리회로는 결과를 반전유지모듈(LAT)에 출력한다.

도 6에 도시된 편차보정논리모듈(MoVC)의 동작을 살펴보면, 먼저 4 개의 감지트랜지스터(Ms1, Ms2, Ms3, Ms4)의 문턱전압이 도 5와 같이 분포를 갖는 것으로 가정할 때 가장 먼저 제 1 감지트랜지스터의 출력이 high로 변화하고, 이후 인덕터의 전류가 증가하면, 제 2 감지트랜지스터의 출력이 high로 변화한다. 이때 비로소 MsAG1의 출력이 high가 되고, 이 출력에 따라 MsOG는 반전유지모듈(LAT)에 인덕터 전류 충전중지 신호를 전달한다. 결론적으로 벅 컨버터는 예상 문턱전압 0V보다 매우 낮은 Ms1의 출력은 무시하고, 예상 문턱전압 0V보다 가까운 Ms2의 출력에 따라 인덕터전류 충전을 중지한다.

도 6에서 제 1 열 논리회로에 논리합게이트를 사용하고 제 2 열 논리회로에 논리곱게이트를 사용하면, 3 개의 감지트랜지스터가 high를 출력할 때 인덕터 전류 충전중지 신호를 전달된다. 또한, 4 개의 MsAG가 3 개의 감지트랜지스터 출력을 입력받아 MsOG로 출력하여도 3 개의 감지트랜지스터가 high를 출력할 때 인덕터 전류 충전중지 신호를 전달된다. 즉, 논리게이트의 순서와 논리게이트 입력은 상황에 따라 변경될 수 있다.

또한, 도 6에서 감지트랜지스터와 연결에 따른 MsAG의 개수는 순서 없이 뽑는 경우의 수(combination, 조합)와 같다. 다시 말하면 감지트랜지스터는 4개이고 MsAG의 입력은 2개 이므로 필요한 MsAG의 개수는 6(₄C₂)개이고 감지트랜지스터는 4개이고 MsAG의 입력은 3개 일때 필요한 MsAG의 개수는 4(₄C₃)개이다.

또한, 감지트랜지스터의 문턱전압의 평균이 0V, 표준편차(σ)가 0.006V라고 가정하면 생산된 감지 트랜지스터 3개 중 2개의 문턱전압은 -0.006V, 0.006V 사이라고 할 수 있다. 따라서 감지트랜지스터를 3개만 설치하여도 인덕터 최대전류를 정밀하게 감지할 수 있다. 이때 필요한 MsAG의 개수는 3(₃C₂)개이다.

상기 편차보정논리모듈과 같이 여러 입력 중에 몇 개의 입력이 high가 되었을 때 high를 출력하는 회로는 다른 Shift 레지스터나 flip-flop으로 간단히 구성할 수 있다. 하지만, 인덕터 전류는 입력된 전압을 인덕턴스로 나눈 값으로 증가하기 때문에 인덕터 초과전류를 최소화하려면 편차보정논리모듈(MoVC)의 반응속도는 매우 빨라야 하고, high를 출력하는 감지트랜지스터의 순서는 필요치 않으므로 편차보정논리모듈은 가장 단순한 논리합 또는 논리곱으로 구성할 때 가장 빨리 인덕터 전류 충전을 중지할 수 있다. 이때 실제 회로에서 논리곱, 논리합회로는 5ns정도 시간을 지연하니 도 6에 도시된 편차보정논리모듈(MoVC)은 약 10ns를 지연한다. 또한 제 1 열 논리회로에 사용되는 논리회로의 개수는 지연시간에 영향을 미치지 않는다. 따라서 논리회로의 수를 늘릴 수 있고 감지트랜지스터의 개수도 상황에 따라 늘릴 수 있다.

도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로를 포함하는 isolated SMPS의 구성도이다.

제 3 실시예에 따른 편차보정회로는 isolated SMPS에서 충전트랜지스터(Mc)의 전류를 미러링하는 거울트랜지스터(Mm)의 편차를 보정한다. isolated SMPS는 기존 isolated SMPS와 같이 트랜스포머(TX), 충전트랜지스터(Mc), 반전유지모듈(LAT)로 구성된다. 단, 거울트랜지스터(Mm)는 Mm1과 Mm2 두 개가 서로 병렬로 설치되고 두 거울트랜지스터의 전류는 각각 감지저항(Rs1, Rs2)에 의해 전압으로 변환되고, 감지트랜지스터(Qs1, Qs2)에 의하여 증폭되어 편차보정논리모듈(MoVC)에 입력되어 반전유지모듈(LAT)로 전달된다. 이때 일반적으로 감지트랜지스터(Qs1, Qs2) 대신 OP-amp를 사용하나 BJT 트랜지스터(Qs1, Qs2)를 사용하면 더 속도를 보장한다. 만약, 감지저항(Rs1, Rs2)의 전압상승이 충분하다면, BJT 트랜지스터(Qs1, Qs2)의 없이 감지저항이 발생한 전압을 직접 논리곱게이트(MsAG)에 입력할 수도 있다. 또한, 편차보정논리모듈(MoVC)은 하나의 논리곱게이트(MmAG)로 구성되고, 도 7에서 거울 트랜지스터(Mm1, Mm2)는 구조를 나타낸 것으로서, 실제적 구현은 도 2의 SenseFET와 같을 수 있다.

도 7에서 Mm1의 전류미러비율이 700이고 Mm2의 전류미러비율이 1000이라고 가정하면 먼저 Qs1이 인덕터 충전중지신호를 발생시키고, 후에 Qs2가 충전중지신호를 발생시킨다. 이때 논리곱게이트(MmAG)는 Qs2의 신호를 반전유지모듈(LAT)에게 전달하여 인덕터 전류충전을 중단한다.

거울트랜지스터(Mm)의 채널은 충전트랜지스터의 채널보다 매우 작기 때문에 생산된 트랜지스터의 전류미러비율(Current mirror ratio)는 편차를 나타낸다. 만약 평균을 1000, 표준편차(σ)가 100이라 가정하면 전류미러비율은 최대 700에서 1300으로 변할 수 있고, 생산된 트랜지스터 3개 중 2개의 전류미러비율은 900에서 1100사이라고 볼 수 있다. 따라서 거울 트랜지스터를 3개 설치하고, 제 1 열 논리회로와 제 1 열 논리회로를 포함하는 편차보정논리모듈을 설치하여 2개의 출력이 반전되었을 때 인덕터 충전을 중지하면 인덕터 최대전류를 설계값에 가깝게 제어할 수 있다.

비록 본 발명이 상기 바람직한 실시 예들과 관련하여 설명되어졌지만, 상술한 바와 같이 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서, 첨부된 특허 청구범위는 본 발명의 요지에 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.

Claims

인덕터와
상기 인덕터의 전류를 제어하는 충전트랜지스터와;
상기 충전트랜지스터의 ON/OFF를 제어하는 충전트랜지스터 제어장치와;
상기 충전트랜지스터의 전류가 흐르는 경로에 연결되는 감지저항과;
상기 감지저항 또는 상기 충전트랜지스터와 병렬로 연결되어 상기 충전트랜지스터의 전류가 증가할 때 제어전극으로서 게이트 전압이 증가하는 MOSFET형의 정밀측정트랜지스터를 포함하고,
상기 정밀측정트랜지스터는 MOSFET의 전기적 특성 편차를 보상하기 위하여 2개 이상의 정밀측정트랜지스터가 서로 병렬로 연결되고, 상기 정밀측정트랜지스터의 출력을 연산하여 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 편차보정논리모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 정밀측정트랜지스터는 소스와 게이트가 충전트랜지스터의 드레인 전류가 흐르는 감지저항의 양단에 전기적으로 연결되어, 감지저항의 전류가 임계전류를 넘어서면 증가하는 소스와 게이트의 사이전압에 따라 충전트랜지스터 OFF신호를 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 감지트랜지스터인 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 2항에 있어서,
상기 감지트랜지스터는 공핍형 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 정밀측정트랜지스터는 소스와 게이트, 드레인이 충전트랜지스터의 소스와 게이트, 드레인과 연결되어 충전트랜지스터의 드레인 전류가 증가하면 드레인 전류가 증가하되, 충전트랜지스터의 드레인 전류가 임계전류를 넘어서면 드레인 전압이 변화하여 충전트랜지스터 OFF신호를 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 거울 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 편차보정논리모듈은 상기 정밀측정트랜지스터들의 출력을 입력받아 논리 연산하여 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 제 1 열 논리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 편차보정논리모듈은 상기 정밀측정트랜지스터들의 출력을 입력받아 논리 연산하여 제 2 열 논리회로에 전달하는 제 1 열 논리회로와 상기 제 1 열 논리회로의 출력을 조합으로 입력받아 논리 연산하여 충전트랜지스터 제어장치로 전달하는 제 2 열 논리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 편차보정논리모듈은 상기 정밀측정트랜지스터들의 출력을 조합으로 입력받는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.
제 1항에 있어서,
상기 편차보정논리모듈은 논리합 또는 논리곱 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터로 형성된 정밀측정트랜지스터의 편차보정회로.