KR102197736B1 - 식각 장치 및 그를 이용한 피식각체의 식각 방법 - Google Patents

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Abstract

소스 공급 라인이 형성된 챔버 내부에, 피식각체를 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내부의 상기 피식각체에, 상기 소스 공급 라인의 액상 소스를 제공하여, 상기 피식각체를 식각하는 단계를 포함하는 피식각체의 식각 방법이 제공된다.

Description

식각 장치 및 그를 이용한 피식각체의 식각 방법{Etching apparatus and etching method using the same}
본 발명은 식각 장치 및 그를 이용한 피식각체의 식각 방법에 관련된 것으로, 상세하게는, 친환경적인 액상 소스를 이용하는 식각 장치 및 그를 이용해 피식각체의 손상을 최소화한 피식각체의 식각 방법에 관련된 것이다.
종래에 습식 방법으로 식각이 어려운 피식각체의 식각에 있어서, 플라즈마를 이용해 식각하는 건식 방법이 널리 이용되고 있다.
예를 들어, 국제특허 공개공보 WO2014129765A1에는, 건식 기상 식각 장치에 있어서, 상측이 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체의 상측에 탈착 가능하게 결합되고, 하측이 개방된 돔형태의 상부 돔에 의해 내부공간이 제공되는 공정 챔버, 상기 내부공간에 제공되며, 구동부에 의해 업다운되는 기판 서셉터, 및 상기 기판 서셉터에 설치되고, 상기 내부 공간이 상기 기판 서셉터 상부의 공정 영역과 상기 기판 서셉터 하부의 배기 영역으로 구획되도록 상기 기판 서셉터와 상기 공정 챔버의 외벽 사이를 커버하는 링 플레이트를 포함하며, 상기 링 플레이트에 의해 구획된 상기 공정 영역은 상기 상부 돔에 의해 둘러싸이며, 상기 배기 영역은 상기 챔버 몸체에 의해 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 건식 기상 식각 장치가 개시되어 있다.
종래의 플라즈마 식각에 이용되는 기상 소스는 tetrafluoromethane(CF4), hexafluoroethane(C2F6), sulfur hexafluoride(SF6), fluoroform(CHF3), 및 nitron fluorine three(NF3)이 이루는 군 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
하지만, 종래의 플라즈마 식각에 이용되는 기상 소스는 이온 밀도가 높아, 상기 기상 소스를 이용해 상기 피식각체를 식각하는 경우, 상기 피식각체에 과량의 이온이 주입되어, 상기 피식각체가 파괴되거나, 상기 피식각체 및 상기 피식각체를 포함하는 소자의 물성이 저하되거나 변할 수 있다. 또한, 상기 기상 소스는 GWP(global warming potential)가 높아, 환경 오염을 유발하는 문제가 있다.
따라서, 피식각체의 파괴 또는 물성 저하 없이, 환경 오염을 유발하지 않는 플라즈마를 이용한 피식각체의 식각 방법이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 이온 밀도가 낮은 액상 소스를 이용하는 피식각체의 식각 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 피식각체의 손상을 최소화하는 것에 따라 안정성이 확보된 피식각체의 식각 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상온에서 액상인 액상 소스를 포함하는 소스 공급 라인이 구축된 식각 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 친환경적인 피식각체의 식각 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 효율이 향상된 피식각체의 식각 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 리크(leak) 발생의 위험성이 적고, 보관이 용이한 액상 소스를 포함하는 식각 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 다공성 박막층의 기공률을 용이하게 제어하는 다공성 박막층의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 기공 크기 및 분포 균일도가 향상된 다공성 박막층의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상술된 기술적 과제를 해결하기 위해, 피식각체의 식각 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체의 식각 방법은, 소스 공급 라인이 형성된 챔버 내부에, 피식각체를 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내부의 상기 피식각체에, 상기 소스 공급 라인의 액상 소스를 제공하여, 상기 피식각체를 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 소스 공급 라인으로부터 제공되는 상기 액상 소스는 상기 소스 공급 라인의 히팅부에서 가열되어 상기 챔버로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 소스 공급 라인은, 상기 액상 소스를 보관하는 보관부, 상기 보관부를 둘러싸며, 상기 보관부에 보관된 상기 액상 소스를 가열하는 히팅부, 상기 액상 소스가 가열되어 형성된 가스 소스의 유량을 조절하는 유량 조절부, 상기 가스 소스를 운반하는 캐리어 가스, 및 상기 캐리어 가스에 의해 운반된 상기 가스 소스를 챔버 내부로 공급하는 공급부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스 및 상기 액상 소스로부터 형성된 상기 가스 소스의 이온 밀도는, 기상 소스를 이용한 참조 플라즈마 식각 방법에서 이용되는 상기 기상 소스의 이온 밀도보다 낮은 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체는 다공성 박막층일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 상온에서 액상일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 탄소 및 불소를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 perfluoromethylcyclohexane(C7F14) 또는 perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스의 GWP(global warming potential)는 참조 플라즈마 식각 방법에서 이용되는 기상 소스의 GWP보다 낮을 수 있다.
상술된 기술적 과제를 해결하기 위해, 식각 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 식각 장치는, 액상 소스를 보관하는 보관부, 상기 보관부를 둘러싸며, 상기 보관부에 보관된 상기 액상 소스를 가열하는 히팅부, 상기 액상 소스가 가열되어 형성된 가스 소스의 유량을 조절하는 유량 조절부, 상기 가스 소스를 운반하는 캐리어 가스, 및 상기 캐리어 가스에 의해 운반된 상기 가스 소스를 챔버 내부로 공급하는 공급부를 포함하는 소스 공급 라인, 및 상기 가스 라인으로부터 제공된 상기 가스 소스에 의해 식각되는 피식각체가 배치되는 탑재부가 내장된 챔버를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 상온에서 액상일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 탄소 및 불소를 포함하고, GWP가 참조 플라즈마 식각 방법에서 이용되는 기상 소스의 GWP보다 낮을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체는 다공성 박막층일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 액상 소스를 보관하는 보관부, 상기 보관부를 둘러싸며, 상기 보관부에 보관된 상기 액상 소스를 가열하는 히팅부, 상기 액상 소스가 가열되어 형성된 가스 소스의 유량을 조절하는 유량 조절부, 상기 가스 소스를 운반하는 캐리어 가스, 및 상기 캐리어 가스에 의해 운반된 상기 가스 소스를 챔버 내부로 공급하는 공급부를 포함하는 소스 공급 라인, 및 상기 가스 라인으로부터 제공된 상기 가스 소스에 의해 식각되는 피식각체가 배치되는 탑재부가 내장된 챔버를 포함하는 식각 장치가 제공될 수 있다. 또한, 상기 소스 공급 라인이 형성된 챔버 내부에, 상기 피식각체를 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내부의 상기 피식각체에, 상기 소스 공급 라인의 액상 소스를 제공하여, 상기 피식각체를 식각하는 단계를 포함하는 피식각체의 식각 방법이 제공될 수 있다.
이에 따라, 상기 피식각체의 식각에 있어서 박막층의 손상을 최소화하며 안전하게 식각할 수 있다. 또한, 종래의 플라즈마 식각 방법에서 이용되는 기상 소스보다 GWP(global warming potential)가 낮은 상기 액상 소스를 이용하는 것에 따라, 환경 오염이 최소화된 식각 공정을 제공할 수 있다. 상기 액상 소스는 상온에서 액상인 것에 의해, 종래의 기상 소스보다 리크(leak) 발생의 위험성이 적고, 보관이 용이할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 피식각체의 식각 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 식각 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 액상 소스 및 종래의 기상 소스의 이온 밀도를 보여주는 그래프이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 피식각체의 식각 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 식각 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 액상 소스 및 종래의 기상 소스의 이온 밀도를 보여주는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 소스 공급 라인이 형성된 챔버(6) 내부에, 피식각체(8)가 준비될 수 있다(S110). 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 챔버(6)에, 상기 가스 라인으로부터 제공된 상기 가스 소스에 의해 식각되는 상기 피식각체(8)가 배치되는 탑재부(7)가 내장될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체(8)는 다공성 박막층일 수 있다. 예를 들어, 다공성 박막층은 SiO2로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 피식각체(8)는 IMD(inter metal dielectric)일 수 있다. 상기 IMD는 마이크로 또는 나노 소자에서 보호층, 하드 마스크 또는 전계 효과 구조에서 게이트 유전체, 스페이서 유전체, 태양 전지의 반사 방지 코팅, 및 DRAM 내 금속 배선층 사이에 층간 절연막으로 이용될 수 있다.
복수의 층 및 배선을 포함하는 초고직접 소자와 같이, 한정된 공간 내에 직접도가 증가된 구조를 포함하는 소자의 경우, 상기 배선의 폭 및 두께는 감소하되 길이가 증가된 미세 배선 구조가 요구될 수 있다. 하지만, 이러한 미세 배선 구조는 RC time delay 현상을 수반할 수 있다. 또한, 전체 정전 용량 중에서 배선 간 정전 용량이 차지하는 비중이 커짐에 따라, 소자간 신호 간섭 현상인 cross talk 현상 및 전력 소비를 야기할 수 있다. 이에 따라, 초고직접 소자에 있어서, 낮은 유전 상수를 갖는 절연 박막층으로써, 상기 다공성 박막층이 요구될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 다공성 박막층은, 상기 다공성 박막층의 기공률을 제어하는 것에 따라, 상기 다공성 박막층의 유전 상수를 조절할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 다공성 박막층은, 기판 상에 졸-겔(sol-gel) 법으로 계면활성제를 포함하는 코팅 물질을 제공하여, 코팅층을 형성하는 단계, 및 상기 코팅층의 계면활성제를 제거하여, 상기 계면활성제가 제거된 부분에 기공이 형성되는 다공성 박막층을 제조하는 단계를 포함하는 다공성 박막층의 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 계면활성제는 Brij-S10을 포함할 수 있다. 상기 코팅 물질은, EtOH, TEOS, HCl, 및 탈이온수(DI water)가 상기 계면활성제와 혼합된 코팅 용액일 수 있다. 상기 코팅 용액이 상기 기판 상에 스핀 코팅될 수 있다. 이후, 상기 기판 상에 제공된 상기 코팅 용액이 열처리될 수 있다. 이에 따라, 상기 다공성 박막층의 기공률을 용이하게 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 다공성 박막층의 기공 크기 및 분포 균일도를 향상시킬 수 있다.
상기 다공성 박막층은 복수의 기공을 포함하는 것에 따라, 취성(brittleness)이 클 수 있다. 종래의 기상 소스로부터 형성되는 플라즈마를 이용해 상기 다공성 박막층을 식각하는 방법에 있어서, 상기 기상 소스는 이온 밀도가 높을 수 있다. 이에 따라, 이온 밀도가 높은 상기 기상 소스를 이용해 상기 다공성 박막층을 식각하는 경우, 상기 다공성 박막층에 과량의 이온이 주입되어, 상기 다공성 박막층이 파괴되거나, 상기 다공성 박막층 및 상기 다공성 박막층을 포함하는 소자의 물성이 저하되거나 변할 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따르면, 플라즈마를 이용해 식각하는 방법에 있어서, 종래의 기상 소스보다 이온 밀도가 낮은 액상 소스를 이용해 상기 다공성 박막층을 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 다공성 박막층의 식각에 있어서, 상기 박막층의 손상을 최소화하며 안전하게 식각할 수 있다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 다공성 박막층, 즉, 상기 피식각체(8)의 식각 방법이 설명된다.
상기 챔버(6) 내부의 상기 피식각체(8)에, 상기 소스 공급 라인의 상기 액상 소스를 제공하여, 상기 피식각체(8)를 식각할 수 있다(S120). 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 소스 공급 라인은, 상기 액상 소스를 보관하는 보관부(1), 상기 보관부(1)를 둘러싸며, 상기 보관부(1)에 보관된 상기 액상 소스를 가열하는 히팅부(2), 상기 액상 소스가 가열되어 형성된 가스 소스의 유량을 조절하는 유량 조절부(3), 상기 가스 소스를 운반하는 캐리어 가스(4), 및 상기 캐리어 가스(4)에 의해 운반된 상기 가스 소스를 챔버(6) 내부로 공급하는 공급부(5)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 소스 공급 라인의 보관부(1)에 보관된 상기 액상 소스가, 상기 히팅부(2)에서 가열되어 상기 챔버(6) 내로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 상온에서 액상일 수 있다. 이에 따라, 상기 액상 소스는, 상기 보관부(1)에 보관되는 동안 액상으로 존재하며, 상기 히팅부(2)에 의해 가열되는 경우 상기 가스 소스로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 종래의 기상 소스(PFC)는 상기 액상 소스(L-PFC)보다 이온 밀도가 상대적으로 높은 것을 확인할 수 있다. 이온 밀도가 높은 상기 기상 소스를 이용해 상기 다공성 박막층을 식각하는 경우, 상기 다공성 박막층에 과량의 이온이 주입되어, 상기 다공성 박막층이 파괴되거나, 상기 다공성 박막층 및 상기 다공성 박막층을 포함하는 소자의 물성이 저하되거나 변할 수 있다.
반면에, 상기 액상 소스는 상기 기상 소스보다 이온 밀도가 상대적으로 낮은 것을 확인할 수 있다. 이온 밀도가 낮은 상기 액상 소스를 이용해 상기 다공성 박막층을 식각하는 경우, 상기 박막층의 손상을 최소화하며 안전하게 식각할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 친환경적일 수 있다.
종래의 플라즈마 식각 방법에 이용되는 기상 소스는 tetrafluoromethane(CF4), hexafluoroethane(C2F6), sulfur hexafluoride(SF6), fluoroform(CHF3), 및 nitron fluorine three(NF3)를 포함하는 퍼플루오로화합물(perfluorocompounds; PFC) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
아래 [표 1]을 참조하면, 상기 기상 소스의 GWP(global warming potential)를 확인할 수 있다.
종래의 소스 GWP
tetrafluoromethane(CF4) 6,300
hexafluoroethane(C2F6) 12,500
sulfur hexafluoride(SF6) 24,900
fluoroform(CHF3) 12,100
nitron fluorine three(NF3) 8,000
*carbon dioxide(CO2) 1
*: reference
[표 1]을 통해, 이산화탄소(carbon dioxide; CO2) GWP가 1인 것을 참조하여, 상기 기상 소스의 GWP가 작게는 6,300부터 크게는 24,900인 것에 의해, 상기 기상 소스가 지구 온난화에 미치는 심각성을 가늠할 수 있다.
반면에, 본 발명의 실시 예에 따른 액상 소스는 perfluoromethylcyclohexane(C7F14) 또는 perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
아래 [표 2]를 참조하면, 상기 액상 소스의 GWP를 확인할 수 있다.
본 발명의 소스 GWP
perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 0.1
[표 2]를 통해, 상기 액상 소스의 GWP가 0.1 인 것에 의해, 상기 [표 1]과 비교하면 상대적으로 낮은 수치인 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 챔버(6) 내부의 상기 피식각체(8)에, GWP가 작은 상기 액상 소스를 제공하여, 상기 피식각체(8)를 식각할 수 있고, 이에 따라, 식각 공정으로 인해 배출되는 온실 가스의 양을 저감시켜, 지구 온난화 방지에 도움을 줄 수 있다. 다시 말해, GWP가 작은 상기 액상 소스를 이용하는 것에 따라, 환경 오염이 최소화된 식각 공정을 제공할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 아래 <수학식 1>에 의해 TC(온실 가스 감축량)를 계산할 수 있다.
<수학식 1>
TC = ∑{PFC 소모량/년 X 대체 가능 공정 비율 X 종래 가스 대비 GWP 저감 효율} X 12/44
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 피식각체(8)의 식각에 있어서, GWP가 작은 상기 액상 소스를 가열하여 형성된 상기 가스 소스를 이용하는 것에 따라, TC가 증가될 수 있다. 상기 <수학식 1>에 의해 계산된 본 발명의 실시 예에 따른 액상 가스의 TC는 아래 [표 3]과 같이 정리될 수 있다.
본 발명의 소스 GWP TC
perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 0.1 54,067
[표 3]을 통해, 상기 액상 소스의 TC가 54,067인 것을 알 수 있다. 이에 따라, 상기 액상 소스를 이용하는 것에 의해, 54,067 이상의 온실 가스를 감축할 수 있고, 이에 따라, 지구 온난화 방지에 도움을 줄 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 보관부(1)의 액상 소스가 상기 히팅부(2)에서 가열되어 형성된 상기 가스 소스가, 상기 캐리어 가스(4)에 의해 운반되고, 상기 공급부(5)를 통해 상기 챔버(6) 내부로 제공되어, 상기 챔버(6)의 탑재부(7)에 배치된 상기 피식각체(8)를 식각할 수 있고, 이후 수집되어 재사용될 수 있다. 이에 따라, 효율이 향상된 식각 공정을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 액상 소스는 상온에서 액상인 것에 의해, 종래의 기상 소스보다 리크(leak) 발생의 위험성이 적고, 보관이 용이하며, 환경 오염을 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 식각 장치 및 그를 이용한 피식각체의 식각 방법에 대해 상세히 설명하였다. 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
1: 보관부
2: 히팅부
3: 유량 조절부
4: 캐리어 가스
5: 공급부
6: 챔버
7: 탑재부
8: 피식각체

Claims (2)

  1. 다공성 절연막을 준비하는 단계; 및
    perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 액상 소스로부터 형성되는 플라즈마를 이용해, 상기 다공성 절연막을 식각하는 단계;를 포함하되,
    상기 다공성 절연막을 준비하는 단계는,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에, 절연물질 및 계면활성제를 포함하는 코팅제를 제공하여, 절연 코팅층을 형성하는 단계; 및
    상기 절연 코팅층의 계면활성제를 제거하되, 상기 계면활성제가 제거된 영역에 기공이 형성되어, 다공성 절연막이 형성되는 단계;를 포함하는, 다공성 절연막의 식각 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 다공성 절연막을 식각하는 단계는, octafluorocyclobutane(C4F8) 기상 소스보다 이온 밀도가 낮은 perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 액상 소스로부터 형성되는 플라즈마를 이용해, 상기 다공성 절연막을 식각하는 것을 포함하는, 다공성 절연막의 식각 방법.
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성다인 외, ‘Etch properties of dielectric materials in C7F14 Inductively Coupled Plasma’, 한국진공학회 학술발표회초록집, 91-91 (2018. 8)

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