KR102197084B1 - A light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 제1 반도체층, 제1 활성층, 제2 도전형의 반도체층, 제2 활성층, 제1 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형의 제2 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층; 상기 반사층 아래에 배치되고, 상기 반사층, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 활성층을 통과하여 상기 제2 도전형의 반도체층과 접하는 제2 전극; 및 상기 반사층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 활성층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제1 절연층을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second active layer, and a second semiconductor layer of the first conductivity type; A first electrode disposed on the second semiconductor layer of the first conductivity type; A reflective layer disposed under the light emitting structure; A second electrode disposed under the reflective layer and passing through the reflective layer, the first semiconductor layer of the first conductivity type, and the first active layer to contact the semiconductor layer of the second conductivity type; And a first insulating layer disposed between the reflective layer and the second electrode, between the first conductive type first semiconductor layer and the second electrode, and between the first active layer and the second electrode.

Description

발광 소자{A LIGHT EMITTING DEVICE}Light-emitting element {A LIGHT EMITTING DEVICE}

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light Emitting Diode (LED) is a type of semiconductor device that converts electricity into infrared or light using the characteristics of a compound semiconductor to send and receive signals, or used as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are in the spotlight as core materials for light-emitting devices such as light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LD) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.Since these light-emitting diodes do not contain environmentally hazardous substances such as mercury (Hg), which are used in conventional lighting fixtures such as incandescent and fluorescent lamps, they have excellent eco-friendliness and have advantages such as long lifespan and low power consumption. Are replacing them.

실시 예는 내부 양자 효율 및 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of improving internal quantum efficiency and luminous efficiency.

실시 예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 제1 반도체층, 제1 활성층, 제2 도전형의 반도체층, 제2 활성층, 제1 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형의 제2 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층; 상기 반사층 아래에 배치되고, 상기 반사층, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 활성층을 통과하여 상기 제2 도전형의 반도체층과 접하는 제2 전극; 및 상기 반사층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 활성층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제1 절연층을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second active layer, and a second semiconductor layer of the first conductivity type; A first electrode disposed on the second semiconductor layer of the first conductivity type; A reflective layer disposed under the light emitting structure; A second electrode disposed under the reflective layer and passing through the reflective layer, the first semiconductor layer of the first conductivity type, and the first active layer to contact the semiconductor layer of the second conductivity type; And a first insulating layer disposed between the reflective layer and the second electrode, between the first conductive type first semiconductor layer and the second electrode, and between the first active layer and the second electrode.

상기 발광 소자는 상기 반사층과 접촉하는 제3 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a third electrode in contact with the reflective layer.

상기 제1 절연층의 일부는 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치될 수 있다.A part of the first insulating layer may be disposed between the second electrode and the third electrode.

상기 발광 소자는 상기 반사층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 오믹층을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 오믹층을 통과할 수 있다.The light emitting device may further include an ohmic layer disposed between the reflective layer and the light emitting structure, and the second electrode may pass through the ohmic layer.

상기 제2 전극은 상기 반사층 아래에 배치되는 제1 하부 전극층; 및 상기 제1 하부 전극층에서 수직 방향으로 확장되고, 상기 반사층, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 활성층을 통과하여 상기 제2 도전형의 반도체층과 접하는 적어도 하나의 제1 접촉 전극을 포함할 수 있다.The second electrode may include a first lower electrode layer disposed under the reflective layer; And at least one first extending in a vertical direction from the first lower electrode layer, passing through the reflective layer, the first semiconductor layer of the first conductivity type, and the first active layer to contact the semiconductor layer of the second conductivity type. It may include a contact electrode.

상기 제1 절연층의 다른 일부는 상기 반사층과 상기 제3 전극 사이에 배치되고, 상기 제3 전극은 상기 제1 절연층의 다른 일부 아래에 배치되는 제2 하부 전극층; 및 상기 제2 하부 전극층에서 수직 방향으로 확장되고, 상기 제1 절연층의 다른 일부를 관통하여 상기 반사층의 하면에 접촉하는 적어도 하나의 제2 접촉 전극을 포함할 수 있다.A second lower electrode layer, wherein another part of the first insulating layer is disposed between the reflective layer and the third electrode, and the third electrode is disposed under the other part of the first insulating layer; And at least one second contact electrode extending in a vertical direction from the second lower electrode layer, penetrating another part of the first insulating layer, and contacting a lower surface of the reflective layer.

상기 적어도 하나의 제1 접촉 전극의 상단은 상기 제1 활성층의 상면 위에 위치하고, 상기 제2 활성층의 하면 아래에 위치할 수 있다.An upper end of the at least one first contact electrode may be positioned on an upper surface of the first active layer, and may be positioned under a lower surface of the second active layer.

상기 제1 접촉 전극의 수는 복수 개이고, 복수의 제1 접촉 전극들은 서로 이격하며, 상기 수직 방향으로 상기 제1 전극과 중첩되지 않을 수 있다.The number of the first contact electrodes may be plural, and the plurality of first contact electrodes may be spaced apart from each other, and may not overlap with the first electrode in the vertical direction.

상기 제2 접촉 전극의 수는 복수 개이고, 제1 방향 또는 제2 방향으로 상기 제1 접촉 전극들과 상기 제2 접촉 전극들은 서로 교번하여 배치될 수 있다.The number of the second contact electrodes is plural, and the first contact electrodes and the second contact electrodes may be alternately disposed in a first direction or a second direction.

상기 발광 소자는 상기 발광 소자의 측면, 및 상기 반사층의 측면에 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극을 연결하는 연결 전극; 및 상기 연결 전극과 상기 발광 구조물 사이, 및 상기 연결 전극과 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.The light-emitting device may include a connection electrode disposed on a side surface of the light-emitting device and a side surface of the reflective layer and connecting the first electrode and the third electrode; And a second insulating layer disposed between the connection electrode and the light-emitting structure, and between the connection electrode and the reflective layer.

실시 예는 내부 양자 효율 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The embodiment may improve internal quantum efficiency and luminous efficiency.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타sosek.
도 6은 도 5에 도시된 발광 소자의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 모듈의 단면도를 나타낸다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 단면도를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 1 in the AB direction.
3 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 3 in the AB direction.
5 is a plan view of a light emitting device according to another exemplary embodiment.
6 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 5 in the CD direction.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting module according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view of a light emitting module according to another embodiment.
10 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, the sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, the same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device 100 shown in FIG. 1 in the AB direction.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100)는 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 제1 활성층(120), 제2 도전형의 반도체층(130), 제2 활성층(140), 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)을 포함하는 발광 구조물(205), 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)에 제1 전원(예컨대, 음(-) 전원)을 공급하는 제1 전극(160), 제2 도전형의 반도체층(130)에 제2 전원(예컨대, 양(+) 전원)을 공급하는 제2 전극(180), 및 제1 도전형의 제1 반도체층(110)에 제1 전원을 공급하는 제3 전극(170)을 포함한다.1 and 2, the light emitting device 100 includes a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, a first active layer 120, a semiconductor layer 130 of a second conductivity type, and a second active layer ( 140), and the light emitting structure 205 including the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type, and the first power supply (eg, negative (-) power supply) to the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type. ) Supplying the first electrode 160, the second electrode 180 supplying a second power (eg, positive (+) power) to the semiconductor layer 130 of the second conductivity type, and And a third electrode 170 supplying first power to the first semiconductor layer 110.

발광 구조물(205)은 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 제1 활성층(120), 제2 도전형의 반도체층(130), 제2 활성층(140), 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)이 순차적으로 적층되는 구조일 수 있다.The light emitting structure 205 includes a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, a first active layer 120, a semiconductor layer 130 of a second conductivity type, a second active layer 140, and a first conductivity type. The second semiconductor layer 150 may be sequentially stacked.

예컨대, 제2 도전형 반도체층(130)은 제1 도전형의 제1 반도체층(110) 상에 배치될 수 있고, 제1 도전형의 제2 반도체층(150)은 제2 도전형 반도체층(130) 상에 배치될 수 있고, 제1 활성층(120)은 제1 도전형의 제1 반도체층(110)과 제2 도전형 반도체층(130) 사이에 배치될 수 있고, 제2 활성층(140)은 제2 도전형 반도체층(130)과 제1 도전형 제2 반도체층(150) 사이에 배치될 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 130 may be disposed on the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type, and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type is a second conductivity type semiconductor layer. 130, the first active layer 120 may be disposed between the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the second conductivity type semiconductor layer 130, and the second active layer ( 140 may be disposed between the second conductivity type semiconductor layer 130 and the first conductivity type second semiconductor layer 150.

제1 도전형의 제1 반도체층(110), 제1 활성층(120), 제2 도전형의 제2 반도체층(130)은 제1 발광부(201)를 형성할 수 있다. 또한 제2 도전형의 제2 반도체층(130), 제2 활성층(140), 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)은 제2 발광부(202)를 형성할 수 있다.The first semiconductor layer 110 of the first conductivity type, the first active layer 120, and the second semiconductor layer 130 of the second conductivity type may form the first light emitting portion 201. In addition, the second semiconductor layer 130 of the second conductivity type, the second active layer 140, and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type may form the second light emitting portion 202.

제1 도전형의 제1 반도체층(110) 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150) 각각은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체일 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.Each of the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type may be a compound semiconductor such as Group 3-5, Group 2-6, etc. Dopants can be doped.

예컨대, 제1 도전형의 제1 반도체층(110) 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150) 각각은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te 등)를 포함할 수 있다.For example, each of the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y It may be a semiconductor having a composition formula of ≤1, 0≤x+y≤1), and may include an n-type dopant (eg, Si, Ge, Se, Te, etc.).

제1 도전형의 제1 반도체층(110) 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)은 동일한 조성 및 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 도전형의 제1 반도체층(110) 및 제1 도전형의 제2 반도체층(150)은 서로 다른 조성 및 두께를 가질 수 있다.The first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type may have the same composition and thickness, but are not limited thereto. In another embodiment, the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type may have different compositions and thicknesses.

제1 도전형의 제2 반도체층(150)의 상면에는 광 추출 효율을 위해 러프니스(roughness) 또는 요철이 형성될 수 있다.Roughness or unevenness may be formed on the upper surface of the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type for light extraction efficiency.

제1 및 제2 활성층들(120, 140) 각각은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 양자 점(Quantum Dot), 또는 양자 디스크(Quantum Disk) 구조를 가질 수 있다.Each of the first and second active layers 120 and 140 may be a semiconductor compound such as a group 3-5, a group 2-6, or the like, a single well structure, a multiple well structure, a quantum-wire structure, It may have a quantum dot or quantum disk structure.

예컨대, 제1 및 제2 활성층들(120, 140) 각각은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 제1 및 제2 활성층들(120, 140) 각각이 양자우물구조인 경우, 제1 및 제2 활성층들(120, 140) 각각은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.For example, each of the first and second active layers 120 and 140 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) Can have The first and second active layers (120, 140) when each of the quantum well structure, the first and second active layers (120, 140) each of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤ A well layer (not shown) having a composition formula of 1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1 ) and In a Al b Ga 1 -a- b N ( 0≤a≤1 , 0≤b≤1) , 0≤a+b≤1) may include a barrier layer (not shown) having a composition formula.

제1 및 제2 활성층들(120, 140) 각각의 우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮을 수 있다. 우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.The energy band gap of the well layer of each of the first and second active layers 120 and 140 may be lower than the energy band gap of the barrier layer. The well layer and the barrier layer may be alternately stacked at least once or more.

제1 활성층(120) 및 제2 활성층(140)은 동일한 조성 및 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 활성층(120), 및 제2 활성층(140)은 서로 다른 조성 및 두께를 가질 수 있다.The first active layer 120 and the second active layer 140 may have the same composition and thickness, but are not limited thereto. In another embodiment, the first active layer 120 and the second active layer 140 may have different compositions and thicknesses.

제2 도전형의 반도체층(130)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 130 may be a semiconductor compound such as group 3-5, group 2-6, or the like, and may be doped with a second conductivity type dopant.

예컨대, 제2 도전형의 반도체층(130)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 130 is a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) May be, and a p-type dopant (eg, Mg, Zn, Ca,Sr, Ba) may be doped.

제1 전극(160)은 발광 구조물(205) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 전극(160)은 제1 도전형의 제2 반도체층(150) 상에 배치될 수 있고, 제1 도전형의 제2 반도체층(150)의 상부면과 접할 수 있다.The first electrode 160 may be disposed on the light emitting structure 205. For example, the first electrode 160 may be disposed on the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type and may contact the upper surface of the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type.

제1 전극(160)은 제1 패드(162a)와 제2 패드(162b)를 포함하는 패드부, 및 패드부로부터 확장되는 가지 전극(finger electrode)을 포함할 수 있다.The first electrode 160 may include a pad portion including the first pad 162a and the second pad 162b, and a finger electrode extending from the pad portion.

가지 전극은 제1 도전형의 제2 반도체층(150)의 상면 가장 자리를 따라 배치되는 외부 전극(164a 내지 164d)과, 외부 전극(164a 내지 164d)의 내부에 배치되고 외부 전극(164a 내지 164d)과 연결되는 내부 전극(166a, 166b)을 포함할 수 있다. 제1 전극(160)은 전류 분산을 위하여 다양한 패턴 형상으로 구현될 수 있다.The branch electrodes are disposed inside the external electrodes 164a to 164d and the external electrodes 164a to 164d disposed along the upper edge of the second semiconductor layer 150 of the first conductivity type, and the external electrodes 164a to 164d ) And may include internal electrodes 166a and 166b connected to each other. The first electrode 160 may be implemented in various pattern shapes to disperse current.

제1 패드(162a)와 제2 패드(162b) 각각은 이웃하는 2개의 외부 전극들이 만나는 곳에 위치할 수 있다. 제1 패드(162a)는 외부 전극들(164a 내지 164d) 중 어느 하나(164d)의 일단과 접할 수 있고, 제2 패드(162b)는 상기 어느 하나(164d)의 타단과 접할 수 있다.Each of the first pad 162a and the second pad 162b may be positioned where two adjacent external electrodes meet. The first pad 162a may contact one end of one of the external electrodes 164a to 164d, and the second pad 162b may contact the other end of any one of the external electrodes 164d.

제2 전극(180)은 발광 구조물(205) 아래에 배치될 수 있다. 제2 전극(180)은 발광 구조물(205)의 일부를 통과하여 제2 도전형의 반도체층(130)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 180 may be disposed under the light emitting structure 205. The second electrode 180 may pass through a portion of the light emitting structure 205 and may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 130.

예컨대, 제2 전극(180)은 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 및 제1 활성층(120)을 통과하여 제2 도전형의 반도체층(130)과 접할 수 있다.For example, the second electrode 180 may pass through the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and the first active layer 120 to come into contact with the semiconductor layer 130 of the second conductivity type.

제3 전극(170)은 발광 구조물 아래에 배치될 수 있다. 제3 전극(170)은 절연층(190)을 통과하여 제1 도전형의 제1 반도체층(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.The third electrode 170 may be disposed under the light emitting structure. The third electrode 170 may pass through the insulating layer 190 and be electrically connected to the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type.

제2 전극(180)과 제3 전극(170) 사이에는 절연층(190)이 배치될 수 있고, 절연층(190)에 의하여 제2 전극(180)과 제3 전극(170)은 전기적으로 절연될 수 있다.An insulating layer 190 may be disposed between the second electrode 180 and the third electrode 170, and the second electrode 180 and the third electrode 170 are electrically insulated by the insulating layer 190. Can be.

발광 소자(100)는 발광 구조물(205)과 제2 전극(180) 사이에 배치되며, 발광 구조물(205)의 제1 도전형의 제1 반도체층(110)과 제2 전극(180) 사이, 및 제1 활성층(120)과 제2 전극(180) 사이를 전기적으로 절연시키는 절연층(190)을 더 포함할 수 있다.The light-emitting device 100 is disposed between the light-emitting structure 205 and the second electrode 180, and between the first semiconductor layer 110 and the second electrode 180 of the first conductivity type of the light-emitting structure 205, And an insulating layer 190 electrically insulating between the first active layer 120 and the second electrode 180.

예컨대, 절연층(190)은 투광성 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the insulating layer 190 is a light-transmitting insulating material, such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 It may include at least one of.

발광 소자(100)는 발광 구조물(205) 아래에 배치되는 오믹층(ohmic layer, 101)을 더 포함할 수 있다.The light-emitting device 100 may further include an ohmic layer 101 disposed under the light-emitting structure 205.

오믹층(101)은 제1 도전형의 제1 반도체층(110)의 하면과 접촉하며, 제1 도전형의 제1 반도체층(110)과의 접촉 저항을 낮춤으로써 제2 전극(180)으로부터 발광 구조물(205)로 전원을 원활하게 공급하는 역할을 할 수 있다.The ohmic layer 101 is in contact with the lower surface of the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and from the second electrode 180 by lowering the contact resistance with the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type. It may serve to smoothly supply power to the light emitting structure 205.

예컨대, 오믹층(101)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. For example, the ohmic layer 101 is ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium) tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x , RuO x , RuO x /ITO, Ni, Ag, Ni/IrO x /Au, and Ni/ It can be implemented as a single layer or multiple layers using at least one of IrO x /Au/ITO.

또한 발광 소자(100)는 오믹층(101) 아래에 배치되는 반사층(102)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(102)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 금속 물질로 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다.In addition, the light emitting device 100 may further include a reflective layer 102 disposed under the ohmic layer 101. For example, the reflective layer 102 is formed of a metal material composed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof, or the metal material and IZO, It can be formed in multiple layers using a light-transmitting conductive material such as IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO.

다른 실시 예에서 오믹층(101)은 생략될 수 있고, 반사층(102)을 제1 도전형의 제1 반도체층(110)과의 하면과 접촉하고, 오믹 특성을 갖도록 할 수 있다.In another embodiment, the ohmic layer 101 may be omitted, and the reflective layer 102 may contact the lower surface of the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type and may have ohmic characteristics.

발광 소자(100)가 오믹층(101)과 반사층(102)을 더 구비할 때, 실시 예에 따른 제2 전극(180) 및 제3 전극(170)은 반사층(102) 아래에 배치될 수 있다. 또한 제2 전극(180)은 반사층(102), 오믹층(101), 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 및 제1 활성층(120)을 통과하여 제2 도전형 반도체층(130)과 접촉할 수 있다.When the light emitting device 100 further includes the ohmic layer 101 and the reflective layer 102, the second electrode 180 and the third electrode 170 according to the embodiment may be disposed under the reflective layer 102. . In addition, the second electrode 180 passes through the reflective layer 102, the ohmic layer 101, the first semiconductor layer 110 of the first conductivity type, and the first active layer 120 to pass through the second conductivity type semiconductor layer 130. ) Can be contacted.

절연층(190)의 일부는 반사층(102) 아래에 배치될 수 있고, 제2 전극(180)과 반사층(102) 사이, 제3 전극(170)과 반사층(102) 사이, 및 제2 전극(180)과 제3 전극(170) 사이에 배치될 수 있다.A part of the insulating layer 190 may be disposed under the reflective layer 102, between the second electrode 180 and the reflective layer 102, between the third electrode 170 and the reflective layer 102, and the second electrode ( It may be disposed between 180 and the third electrode 170.

제2 전극(180)은 반사층(102) 아래에 배치되는 제1 하부 전극층(180a), 및 제1 하부 전극층(180a)으로부터 수직 방향으로 확장되고, 반사층(102), 오믹층(101), 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 및 제1 활성층(120)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(130)에 접촉하는 적어도 하나의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)을 포함할 수 있다.The second electrode 180 extends in a vertical direction from the first lower electrode layer 180a and the first lower electrode layer 180a disposed under the reflective layer 102, and the reflective layer 102, the ohmic layer 101, and the second electrode 180 A first conductive type semiconductor layer 110, and at least one first contact electrode 180b1, 180b2 passing through the first active layer 120 and in contact with the second conductive type semiconductor layer 130 may be included. have.

제1 하부 전극층(180a)은 반사층(102)의 하면과 수평일 수 있다. 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 수는 1개 이상일 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 수가 복수일 때, 복수의 제1 접촉 전극들은 서로 이격하여 배치될 수 있다.The first lower electrode layer 180a may be horizontal to the lower surface of the reflective layer 102. The number of first contact electrodes 180b1 and 180b2 may be one or more. As shown in FIGS. 1 and 2, when the number of first contact electrodes 180b1 and 180b2 is plural, the plurality of first contact electrodes may be disposed to be spaced apart from each other.

적어도 하나의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 상단 또는 상면은 제1 활성층(120)의 상면 위에 위치하고, 제2 활성층(140)의 하면 아래에 위치할 수 있다.The top or top surface of the at least one first contact electrode 180b1 and 180b2 may be located on the top surface of the first active layer 120 and below the bottom surface of the second active layer 140.

예컨대, 적어도 하나의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 상단은 제2 도전형 반도체층(130) 내부에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 상면은 제2 도전형 반도체층(130) 간의 경계면에는 전류가 용이하게 흐를 수 있도록 제1 오믹 영역(181)이 마련될 수 있다. 또한 도 2에는 도시하지 않았지만, 제1 접촉 전극(180b1,180b2)과 제2 도전형 반도체층(130) 간의 접착력 향상 및 저항 감소를 위하여, 적어도 하나의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)의 상면에는 요철(미도시)이 마련될 수 있다.For example, an upper end of at least one of the first contact electrodes 180b1 and 180b2 may be disposed inside the second conductivity type semiconductor layer 130. A first ohmic region 181 may be provided on an upper surface of the at least one first contact electrode 180b1 and 180b2 so that current can easily flow at an interface between the second conductivity type semiconductor layers 130. In addition, although not shown in FIG. 2, in order to improve adhesion and decrease resistance between the first contact electrodes 180b1 and 180b2 and the second conductivity type semiconductor layer 130, the upper surface of the at least one first contact electrode 180b1, 180b2 There may be irregularities (not shown).

반사층(102)과 제2 전극(180)의 제1 하부 전극층(180a) 사이에는 절연층(190)의 일부가 배치될 수 있다.A portion of the insulating layer 190 may be disposed between the reflective layer 102 and the first lower electrode layer 180a of the second electrode 180.

제3 전극(170)은 반사층(102) 아래에 배치되는 제2 하부 전극층(170a), 및 제2 하부 전극층(170a)으로부터 수직 방향으로 확장되고, 절연층(190)을 관통하여 반사층(102)의 하면에 접촉하는 적어도 하나의 제2 접촉 전극(170b)을 포함할 수 있다.The third electrode 170 extends in a vertical direction from the second lower electrode layer 170a disposed under the reflective layer 102 and the second lower electrode layer 170a, and penetrates the insulating layer 190 to provide the reflective layer 102. It may include at least one second contact electrode 170b contacting the lower surface of the.

제2 하부 전극층(170a)은 반사층(102)의 하면과 수평일 수 있다. 제2 접촉 전극(170b)의 수는 1개 이상일 수 있다. 제2 접촉 전극(170b)의 수가 복수일 때, 복수의 제2 접촉 전극들은 서로 이격하여 배치될 수 있다.The second lower electrode layer 170a may be horizontal to the lower surface of the reflective layer 102. The number of second contact electrodes 170b may be one or more. When the number of the second contact electrodes 170b is plural, the plurality of second contact electrodes may be disposed to be spaced apart from each other.

제1 하부 전극층(180a)과 제2 하부 전극층(170a)이 서로 이격하여 배치될 수 있고, 양자의 사이에는 절연층(190)이 배치될 수 있다.The first lower electrode layer 180a and the second lower electrode layer 170a may be disposed to be spaced apart from each other, and an insulating layer 190 may be disposed between them.

전류 분산 또는 확산을 향상시키기 위하여 제2 전극(180)의 제1 접촉 전극(180b1,180b2)은 수직 방향으로 제1 전극(160)과 오버랩(overlap) 또는 중첩되지 않을 수 있다. 여기서 수직 방향은 제1 도전형 제1 반도체층(110)에서 제1 도전형 제2 반도체층(150)으로 향하는 방향일 수 있다.In order to improve current distribution or diffusion, the first contact electrodes 180b1 and 180b2 of the second electrode 180 may overlap or do not overlap with the first electrode 160 in a vertical direction. Here, the vertical direction may be a direction from the first conductivity type first semiconductor layer 110 to the first conductivity type second semiconductor layer 150.

제3 전극(180)의 제2 접촉 전극(170b)은 수직 방향으로 제1 전극(160)의 전극 패드(162a, 162b)와 오버랩될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second contact electrode 170b of the third electrode 180 may overlap the electrode pads 162a and 162b of the first electrode 160 in a vertical direction, but is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 구조물(205)은 npn의 반도체층 구조를 가지며, 제2 도전형 반도체층(130)을 기준으로 제1 발광부(201)와 제2 발광부(202)가 병렬 연결되는 구조를 가지기 때문에, 전자 차단층(Electron Blocking Layer)이 없이도 내부 양자 효율 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting structure 205 according to the embodiment has a semiconductor layer structure of npn, and a structure in which the first light emitting part 201 and the second light emitting part 202 are connected in parallel based on the second conductivity type semiconductor layer 130 Since it has, it is possible to improve internal quantum efficiency and luminous efficiency without an electron blocking layer.

도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200)의 평면도를 나타내고, 도 4는 도 3에 도시된 발광 소자(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다. 도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.3 is a plan view of a light emitting device 200 according to another embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device 100 shown in FIG. 3 in the AB direction. The same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 denote the same configuration, and the description of the same configuration is simplified or omitted.

도 3 및 도 4를 참조하면, 발광 소자(200)는 도 1에 도시된 실시 예에 연결 전극(175)을 더 포함한다. 연결 전극(175)은 제1 전극(160)과 제3 전극(170)을 전기적으로 연결할 수 있다.3 and 4, the light emitting device 200 further includes a connection electrode 175 in the embodiment illustrated in FIG. 1. The connection electrode 175 may electrically connect the first electrode 160 and the third electrode 170.

예컨대, 연결 전극(175)은 발광 구조물(205)의 측면, 오믹층(101)의 측면, 및 반사층(102)의 측면 상에 배치될 수 있다.For example, the connection electrode 175 may be disposed on the side surface of the light emitting structure 205, the side surface of the ohmic layer 101, and the side surface of the reflective layer 102.

또한 연결 전극(175)의 일단은 제1 도전형 제2 반도체층(150)의 상면의 상에도 배치될 수 있으며, 제1 전극(160)과 접촉할 수 있다.In addition, one end of the connection electrode 175 may be disposed on the upper surface of the first conductivity type second semiconductor layer 150 and may contact the first electrode 160.

또한 연결 전극(175)의 타단은 제3 전극(170)의 제2 하부 전극층(170a)과 접촉할 수 있다.In addition, the other end of the connection electrode 175 may contact the second lower electrode layer 170a of the third electrode 170.

연결 전극(175)은 제1 전극(160) 및 제3 전극(170)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.The connection electrode 175 may be made of the same material as the first electrode 160 and the third electrode 170.

절연층(190a)은 연결 전극(175)과 발광 구조물(205) 사이에 배치될 수 있으며, 연결 전극(175)과 발광 구조물(205)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또한 절연층(190a)은 연결 전극(175)과 오믹층(101) 사이, 및 연결 전극(175)과 반사층(102) 사이에도 배치될 수 있다.The insulating layer 190a may be disposed between the connection electrode 175 and the light emitting structure 205, and may electrically insulate the connection electrode 175 and the light emitting structure 205. Also, the insulating layer 190a may be disposed between the connection electrode 175 and the ohmic layer 101 and between the connection electrode 175 and the reflective layer 102.

실시 예(200)는 npn의 반도체층 구조를 가지며, 제2 도전형 반도체층(130)을 기준으로 제1 발광부(201)와 제2 발광부(202)가 병렬 연결되는 구조를 가지기 때문에, 전자 차단층(Electron Blocking Layer)이 없이도 내부 양자 효율 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the embodiment 200 has a semiconductor layer structure of npn and has a structure in which the first light-emitting unit 201 and the second light-emitting unit 202 are connected in parallel based on the second conductivity type semiconductor layer 130, It is possible to improve internal quantum efficiency and luminous efficiency even without an electron blocking layer.

도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자(300)의 평면도를 나타내고, 도 6은 도 5에 도시된 발광 소자(300)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다. 도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.FIG. 5 is a plan view of a light emitting device 300 according to another exemplary embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device 300 shown in FIG. 5 in the CD direction. The same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 denote the same configuration, and the description of the same configuration is simplified or omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 발광 소자(300)는 발광 구조물(205), 제1 전극(260), 오믹층(101), 반사층(102), 제2 전극(280a, 280b1,280b2), 제3 전극(270a, 270b1, 270b2), 및 절연층(190)을 포함할 수 있다.5 and 6, the light emitting device 300 includes a light emitting structure 205, a first electrode 260, an ohmic layer 101, a reflective layer 102, and a second electrode 280a, 280b1, 280b2, Third electrodes 270a, 270b1, 270b2, and an insulating layer 190 may be included.

제1 전극(260)은 제1 패드(262a)와 제2 패드(262b)를 포함하는 패드부, 및 외부 전극(264a 내지 264d)과 내부 전극(266a, 266b)을 포함하는 가지 전극을 포함할 수 있다.The first electrode 260 may include a pad portion including a first pad 262a and a second pad 262b, and a branch electrode including the external electrodes 264a to 264d and the internal electrodes 266a and 266b. I can.

제1 패드(262a)와 제2 패드(262b) 각각은 이웃하는 2개의 외부 전극들이 만나는 곳에 위치할 수 있다. 또한 제1 패드(262a) 및 제2 패드(262b)는 발광 구조물의 상부면의 대각선 방향으로 서로 마주보도록 배치될 수 있다.Each of the first pad 262a and the second pad 262b may be positioned where two adjacent external electrodes meet. In addition, the first pad 262a and the second pad 262b may be disposed to face each other in a diagonal direction of the upper surface of the light emitting structure.

발광 소자(300)의 제2 전극은 반사층(102) 아래에 배치되는 제1 하부 전극층(280a), 및 제1 하부 전극층(280a)으로부터 수직 방향으로 확장되고 반사층(102), 오믹층(101), 제1 도전형의 제1 반도체층(110), 및 제1 활성층(120)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(130)에 접촉하는 복수의 제1 접촉 전극들(280b1, 280b2)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 접촉 전극들(280b1, 280b2)은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 복수의 제1 접촉 전극들(280b1, 280b2)은 수직 방향으로 제1 전극(260)과 오버랩 또는 중첩되지 않을 수 있다.The second electrode of the light emitting device 300 extends in a vertical direction from the first lower electrode layer 280a disposed under the reflective layer 102 and the first lower electrode layer 280a, and the reflective layer 102 and the ohmic layer 101 , Including a first semiconductor layer 110 of the first conductivity type, and a plurality of first contact electrodes 280b1 and 280b2 penetrating the first active layer 120 to contact the second conductivity type semiconductor layer 130 can do. The plurality of first contact electrodes 280b1 and 280b2 may be disposed to be spaced apart from each other. The plurality of first contact electrodes 280b1 and 280b2 may overlap or do not overlap with the first electrode 260 in a vertical direction.

발광 소자(300)의 제3 전극은 반사층(102) 아래에 배치되는 제2 하부 전극층(270a), 및 제2 하부 전극층(270a)으로부터 수직 방향으로 확장되고, 절연층(190)을 관통하여 반사층(102)의 하면에 접촉하는 복수의 제2 접촉 전극들(270b1,270b2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 접촉 전극들(270b1, 270b2)은 수직 방향으로 제1 전극(260)과 오버랩 또는 중첩되지 않을 수 있다.The third electrode of the light emitting device 300 extends in a vertical direction from the second lower electrode layer 270a disposed under the reflective layer 102 and the second lower electrode layer 270a, and penetrates the insulating layer 190 to pass through the reflective layer. It may include a plurality of second contact electrodes 270b1 and 270b2 contacting the lower surface of 102. The plurality of second contact electrodes 270b1 and 270b2 may overlap or do not overlap with the first electrode 260 in a vertical direction.

복수의 제2 접촉 전극들(270b1, 270b2) 각각은 복수의 제1 접촉 전극들(280b1, 280b2)과 이격하여 위치할 수 있다.Each of the plurality of second contact electrodes 270b1 and 270b2 may be positioned to be spaced apart from the plurality of first contact electrodes 280b1 and 280b2.

복수의 제2 접촉 전극들(270b1, 270b2) 중 적어도 하나는 이웃하는 2개의 제1 접촉 전극들 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 방향 또는 제2 방향으로 제1 접촉 전극들과 제2 접촉 전극들은 서로 교번하여 배치될 수 있다. 제1 방향은 수직 방향과 수직인 방향일 수 있고, 제2 방향은 제1 방향과 수직인 방향일 수 있다. 예컨대, xyz 좌표계에서 수직 방향을 z축 방향이라고 할 때, 제1 방향은 x축 방향일 수 있고, 제2 방향은 y축 방향일 수 있다.At least one of the plurality of second contact electrodes 270b1 and 270b2 may be disposed between two adjacent first contact electrodes. For example, the first contact electrodes and the second contact electrodes may be alternately disposed in the first direction or the second direction. The first direction may be a direction perpendicular to the vertical direction, and the second direction may be a direction perpendicular to the first direction. For example, when the vertical direction in the xyz coordinate system is the z-axis direction, the first direction may be the x-axis direction, and the second direction may be the y-axis direction.

제2 도전형 반도체층(130)이 접촉하는 제1 접촉 전극(280b1, 280b2)의 상단의 면적은 반사층(102)이 접촉하는 제2 접촉 전극(270b1, 270b2)의 상단의 면적보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The area of the top of the first contact electrodes 280b1 and 280b2 that the second conductivity type semiconductor layer 130 contacts may be larger than the area of the top of the second contact electrodes 270b1 and 270b2 that the reflective layer 102 contacts. , But is not limited thereto.

도 5 및 도 6에 도시된 실시 예(300)에서는, 제1 접촉 전극들(280b1,280b2)과 제2 접촉 전극들(270a,270b)이 교번하여 배치되기 때문에, 전류 분산을 향상시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있다.In the embodiment 300 shown in FIGS. 5 and 6, since the first contact electrodes 280b1 and 280b2 and the second contact electrodes 270a and 270b are alternately disposed, current dispersion is improved to improve luminous efficiency. Can improve.

도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자(400)의 단면도를 나타낸다. 도 6과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device 400 according to another embodiment. The same reference numerals as in FIG. 6 denote the same configuration, and description of the same configuration is simplified or omitted.

도 7을 참조하면, 발광 소자(400)는 도 6에 도시된 실시 예(300)에 연결 전극(175a)을 더 포함할 수 있다. 연결 전극(175a)은 제1 전극(260)과 제3 전극(270)을 전기적으로 연결할 수 있다.Referring to FIG. 7, the light emitting device 400 may further include a connection electrode 175a in the embodiment 300 illustrated in FIG. 6. The connection electrode 175a may electrically connect the first electrode 260 and the third electrode 270.

예컨대, 연결 전극(175a)은 발광 구조물(205)의 측면, 오믹층(101)의 측면, 및 반사층(102)의 측면 상에 배치될 수 있다. 또한 연결 전극(175a)의 일단은 제1 도전형 제2 반도체층(150)의 상면의 상에도 배치될 수 있으며, 제1 전극(160)과 접촉할 수 있다. 또한 연결 전극(175a)의 타단은 제3 전극(170)의 제2 하부 전극층(270a)과 접촉할 수 있다.For example, the connection electrode 175a may be disposed on the side surface of the light emitting structure 205, the side surface of the ohmic layer 101, and the side surface of the reflective layer 102. In addition, one end of the connection electrode 175a may be disposed on the upper surface of the first conductivity type second semiconductor layer 150 and may contact the first electrode 160. In addition, the other end of the connection electrode 175a may contact the second lower electrode layer 270a of the third electrode 170.

절연층(190b)은 연결 전극(175a)과 발광 구조물(205) 사이에 배치될 수 있으며, 연결 전극(175a)과 발광 구조물(205)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또한 절연층(190b)은 연결 전극(175a)과 오믹층(101) 사이, 및 연결 전극(175a)과 반사층(102) 사이에도 배치될 수 있다.The insulating layer 190b may be disposed between the connection electrode 175a and the light emitting structure 205, and may electrically insulate the connection electrode 175a and the light emitting structure 205. Also, the insulating layer 190b may be disposed between the connection electrode 175a and the ohmic layer 101 and between the connection electrode 175a and the reflective layer 102.

도 8은 실시 예에 따른 발광 모듈(500)의 단면도를 나타낸다.8 shows a cross-sectional view of the light emitting module 500 according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 모듈(500)은 기판(310), 제1 내지 제3 도전층들(312,314,316), 실시 예에 따른 발광 소자(100), 및 와이어(509)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the light emitting module 500 may include a substrate 310, first to third conductive layers 312, 314 and 316, a light emitting device 100 according to an embodiment, and a wire 509.

기판(310)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board), 금속 기판, 또는 세라믹 기판 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The substrate 310 may include at least one of a printed circuit board, a metal substrate, or a ceramic substrate.

제1 내지 제3 도전층들(312,314,316)은 기판(310) 상에 배치될 수 있다.The first to third conductive layers 312, 314, and 316 may be disposed on the substrate 310.

제2 도전층(314)은 제1 및 제3 도전층들(312,316)과 이격할 수 있으며, 전기적으로 분리 또는 격리될 수 있다. 제1 도전층(312)과 제3 도전층(316)은 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 전기적으로 분리될 수도 있다.The second conductive layer 314 may be spaced apart from the first and third conductive layers 312 and 316 and may be electrically separated or isolated. The first conductive layer 312 and the third conductive layer 316 may be electrically connected, but are not limited thereto, and may be electrically separated in other embodiments.

발광 소자(100)는 기판(310) 상에 배치되며, 제1 내지 제3 도전층들(312 내지 316)과 전기적으로 연결된다. 도 8에서는 1개의 발광 소자를 도시하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(310) 상에 배치된 발광 소자의 수는 1개 이상일 수 있다.The light emitting device 100 is disposed on the substrate 310 and is electrically connected to the first to third conductive layers 312 to 316. In FIG. 8, one light emitting device is shown, but the present invention is not limited thereto, and the number of light emitting devices disposed on the substrate 310 may be one or more.

예컨대, 와이어(509)를 통하여 발광 소자(100)의 제1 전극(160)의 전극 패드(예컨대, 162a)는 제1 도전층(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.For example, an electrode pad (eg, 162a) of the first electrode 160 of the light emitting device 100 may be electrically connected to the first conductive layer 312 through a wire 509.

또한 발광 소자(100)의 제2 전극(180)은 제2 도전층(314)과 전기적으로 연결될 수 있고, 발광 소자(100)의 제3 전극(170)은 제3 도전층(316)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 다이 본딩을 통하여 제2 전극(180)은 제2 도전층(314)에 본딩될 수 있고, 제3 전극(170)은 제3 도전층(316)에 본딩될 수 있다.In addition, the second electrode 180 of the light emitting device 100 may be electrically connected to the second conductive layer 314, and the third electrode 170 of the light emitting device 100 may be electrically connected to the third conductive layer 316. Can be connected to. For example, through die bonding, the second electrode 180 may be bonded to the second conductive layer 314, and the third electrode 170 may be bonded to the third conductive layer 316.

제1 및 제3 도전층들(132,136)을 통하여 제1 전원이 제1 및 제3 전극들(160, 170)에 제공될 수 있고, 제2 도전층(134)을 통하여 제2 전원이 제2 전극(180)에 제공될 수 있다.The first power may be provided to the first and third electrodes 160 and 170 through the first and third conductive layers 132 and 136, and the second power may be supplied to the second through the second conductive layer 134. It may be provided on the electrode 180.

도 8에서는 도 1에 도시된 실시 예를 도시하였지만, 다른 실시 예에 따른 발광 모듈은 도 5에 도시된 발광 소자(300)를 포함할 수도 있다.In FIG. 8, the embodiment shown in FIG. 1 is shown, but the light emitting module according to another embodiment may include the light emitting device 300 shown in FIG. 5.

도 9는 다른 실시 예에 따른 발광 모듈(600)의 단면도를 나타낸다. 도 8과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.9 is a cross-sectional view of a light emitting module 600 according to another embodiment. The same reference numerals as in FIG. 8 denote the same configuration, and the description of the same configuration is simplified or omitted.

도 9를 참조하면, 발광 모듈(600)은 기판(310), 제2 및 제3 도전층들(312,314,316), 및 발광 소자(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting module 600 may include a substrate 310, second and third conductive layers 312, 314, and 316, and a light emitting device 200.

발광 소자(200)는 연결 전극(175)을 통하여 제1 전극(160)의 전극 패드(162a)와 제3 전극(170)이 전기적으로 연결되기 때문에, 도 8의 와이어(509), 및 제1 도전층(314)이 필요하지 않다. 제3 전극(170)이 제3 도전층(316)과 본딩됨으로써, 제3 도전층(316)을 통하여 제3 전극(170) 및 제1 전극(160)에 제1 전원이 제공될 수 있다. 발광 소자(200)가 포함하는 발광 소자의 수는 1개 이상일 수 있다.In the light emitting device 200, since the electrode pad 162a of the first electrode 160 and the third electrode 170 are electrically connected through the connection electrode 175, the wire 509 of FIG. 8 and the first No conductive layer 314 is required. Since the third electrode 170 is bonded to the third conductive layer 316, first power may be supplied to the third electrode 170 and the first electrode 160 through the third conductive layer 316. The number of light-emitting elements included in the light-emitting element 200 may be one or more.

도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(700)의 단면도를 나타낸다.10 is a cross-sectional view of a light emitting device package 700 according to an embodiment.

도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(700)는 패키지 몸체(510), 제1 리드 프레임(lead frame, 512), 제2 리드 프레임(514), 발광 소자(520), 와이어(509), 및 수지층(540)을 포함한다.Referring to FIG. 10, the light emitting device package 700 includes a package body 510, a first lead frame 512, a second lead frame 514, a light emitting device 520, a wire 509, and It includes a resin layer 540.

패키지 몸체(510)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.The package body 510 may be formed of a substrate having good insulation or thermal conductivity such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), etc., It may be a structure in which a plurality of substrates are stacked. The embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body described above.

패키지 몸체(510)는 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티(cavity)를 상부면의 일 영역에 가질 수 있다. 이때 패키지 몸체의 캐비티의 측면은 경사지게 형성될 수 있다.The package body 510 may have a cavity including a side surface and a bottom surface in a region of an upper surface. At this time, the side surface of the cavity of the package body may be formed to be inclined.

제1 및 제2 리드 프레임들(512, 514)은 열 배출이나 발광 소자(520)의 배치를 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(510)에 배치된다.The first and second lead frames 512 and 514 are disposed on the package body 510 to be electrically separated from each other in consideration of heat dissipation or disposition of the light emitting device 520.

발광 소자(520)는 제1 및 제2 리드 프레임들(512, 514)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때 발광 소자(520)는 실시 예들(100,300) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting device 520 may be electrically connected to the first and second lead frames 512 and 514. In this case, the light emitting device 520 may be any one of the embodiments 100 and 300.

또한 다른 실시 예에서 발광 소자(520)는 실시 예들(200,400) 중 어느 하나일 수 있고, 와이어(509)가 생략될 수 있다.In addition, in another embodiment, the light emitting device 520 may be any one of the embodiments 200 and 400, and the wire 509 may be omitted.

발광 소자(520)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 패키지 몸체(510)의 캐비티의 측면에는 반사 부재(미도시)가 배치될 수 있다.A reflective member (not shown) may be disposed on the side of the cavity of the package body 510 to direct light emitted from the light emitting device 520 in a predetermined direction.

수지층(540)은 패키지 몸체(510)의 캐비티 내에 위치하는 발광 소자(520)를 포위하여 발광 소자(520)를 외부 환경으로부터 보호한다. 수지층(540)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 수지층(540)은 형광체, 또는 광 확산제를 포함할 수 있다.The resin layer 540 surrounds the light-emitting element 520 located in the cavity of the package body 510 to protect the light-emitting element 520 from an external environment. The resin layer 540 may be made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicone. The resin layer 540 may include a phosphor or a light diffusing agent.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arrayed on a substrate, and an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on an optical path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member may function as a backlight unit.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a display device, an indication device, and a lighting device including the light emitting device package according to the embodiment.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light, a light guide plate disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward, and in front of the light guide plate. An optical sheet including prism sheets disposed, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel. Can include. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to the embodiment, a radiator for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit that processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module. Can include. For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street light.

해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp is a light-emitting module including light-emitting device packages disposed on a substrate, a reflector that reflects light irradiated from the light-emitting module in a certain direction, for example, forward, and a lens that refracts light reflected by the reflector forward. , And a shade reflected by the reflector to block or reflect a part of light directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Accordingly, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

101: 오믹층 102: 반사층
110: 제1 도전형의 제1 반도체층 120: 제1 활성층
130: 제2 도전형의 반도체층 140: 제2 활성층
150: 제1 도전형의 제2 반도체층 160: 제1 전극
170: 제3 전극 180: 제2 전극
190: 절연층 201: 발광 구조물.
310: 기판 312 내지 316: 제1 내지 제3 도전층들101: ohmic layer 102: reflective layer
110: first semiconductor layer of first conductivity type 120: first active layer
130: second conductivity type semiconductor layer 140: second active layer
150: second semiconductor layer of first conductivity type 160: first electrode
170: third electrode 180: second electrode
190: insulating layer 201: light emitting structure.
310: substrates 312 to 316: first to third conductive layers

Claims (10)

제1 도전형의 제1 반도체층, 제1 활성층, 제2 도전형의 반도체층, 제2 활성층, 제1 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형의 제2 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층;
상기 반사층 아래에 배치되고, 상기 반사층, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 활성층을 통과하여 상기 제2 도전형의 반도체층과 접하는 제2 전극; 및
상기 반사층과 접촉하는 제3 전극을 포함하고,
상기 반사층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 활성층과 상기 제2 전극 사이, 및 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치되는 제1 절연층을 포함하고,
상기 제2 전극은,
상기 반사층 아래에 배치되는 제1 하부 전극층; 및
상기 제1 하부 전극층에서 수직 방향으로 확장되고, 상기 반사층, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 활성층을 통과하여 상기 제2 도전형의 반도체층과 접하는 적어도 하나의 제1 접촉 전극을 포함하고,
상기 적어도 하나의 제1 접촉 전극의 상단은 상기 제1 활성층의 상면 위에 위치하고, 상기 제2 활성층의 하면 아래에 위치하는 발광 소자.A light emitting structure including a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second active layer, and a second semiconductor layer of a first conductivity type;
A first electrode disposed on the second semiconductor layer of the first conductivity type;
A reflective layer disposed under the light emitting structure;
A second electrode disposed under the reflective layer and passing through the reflective layer, the first semiconductor layer of the first conductivity type, and the first active layer to contact the semiconductor layer of the second conductivity type; And
Including a third electrode in contact with the reflective layer,
Arranged between the reflective layer and the second electrode, between the first conductive type first semiconductor layer and the second electrode, between the first active layer and the second electrode, and between the second electrode and the third electrode It includes a first insulating layer to be,
The second electrode,
A first lower electrode layer disposed under the reflective layer; And
At least one first contact extending in a vertical direction from the first lower electrode layer, passing through the reflective layer, the first semiconductor layer of the first conductivity type, and the first active layer to contact the semiconductor layer of the second conductivity type Including an electrode,
An upper end of the at least one first contact electrode is positioned on an upper surface of the first active layer and a light emitting device positioned below a lower surface of the second active layer. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 반사층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 오믹층을 더 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 오믹층을 통과하는 발광 소자.The method of claim 1,
Further comprising an ohmic layer disposed between the reflective layer and the light emitting structure,
The second electrode passes through the ohmic layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 절연층의 다른 일부는 상기 반사층과 상기 제3 전극 사이에 배치되고,
상기 제3 전극은,
상기 제1 절연층의 다른 일부 아래에 배치되는 제2 하부 전극층; 및
상기 제2 하부 전극층에서 수직 방향으로 확장되고, 상기 제1 절연층의 다른 일부를 관통하여 상기 반사층의 하면에 접촉하는 적어도 하나의 제2 접촉 전극을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
Another part of the first insulating layer is disposed between the reflective layer and the third electrode,
The third electrode,
A second lower electrode layer disposed under another part of the first insulating layer; And
A light-emitting device comprising at least one second contact electrode extending in a vertical direction from the second lower electrode layer, penetrating another portion of the first insulating layer, and contacting a lower surface of the reflective layer. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 제1 접촉 전극의 수는 복수 개이고, 복수의 제1 접촉 전극들은 서로 이격하며, 상기 수직 방향으로 상기 제1 전극과 중첩되지 않고,
상기 제2 접촉 전극의 수는 복수 개이고, 제1 방향 또는 제2 방향으로 상기 제1 접촉 전극들과 상기 제2 접촉 전극들은 서로 교번하여 배치되는 발광 소자.The method of claim 6,
The number of the first contact electrodes is plural, the plurality of first contact electrodes are spaced apart from each other, and do not overlap with the first electrode in the vertical direction,
The number of the second contact electrodes is plural, and the first contact electrodes and the second contact electrodes are alternately disposed in a first direction or a second direction. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 발광 소자의 측면, 및 상기 반사층의 측면에 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극을 연결하는 연결 전극; 및
상기 연결 전극과 상기 발광 구조물 사이, 및 상기 연결 전극과 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
A connection electrode disposed on a side surface of the light-emitting device and a side surface of the reflective layer, and connecting the first electrode and the third electrode; And
A light emitting device further comprising a second insulating layer disposed between the connection electrode and the light emitting structure and between the connection electrode and the reflective layer.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116794A (en) 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd Nitride semiconductor light emitting element
JP2012019217A (en) 2010-07-08 2012-01-26 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, illuminating device and backlight
JP2012064633A (en) 2010-09-14 2012-03-29 Hitachi Cable Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2014131000A (en) 2012-11-29 2014-07-10 Stanley Electric Co Ltd Light-emitting element

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120115775A (en) * 2011-04-11 2012-10-19 서울옵토디바이스주식회사 Light emitting diode and method for fabricating the same
KR101852566B1 (en) * 2011-08-09 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package, and light unit
JP6077201B2 (en) * 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR20130075321A (en) * 2011-12-27 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116794A (en) 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd Nitride semiconductor light emitting element
JP2012019217A (en) 2010-07-08 2012-01-26 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, illuminating device and backlight
JP2012064633A (en) 2010-09-14 2012-03-29 Hitachi Cable Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2014131000A (en) 2012-11-29 2014-07-10 Stanley Electric Co Ltd Light-emitting element

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