KR102194574B1 - Vacuum processing apparatus and tray - Google Patents

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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 반응 가스의 누설을 억제할 수 있는 진공 처리 장치 및 트레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.
내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 설치된 회전 테이블(31)로서, 상기 회전 테이블(31)의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크(W)를 순환 반송하는 회전 테이블(31)과, 회전 테이블(31)에 탑재되고, 워크(W)를 배치하는 복수의 트레이(1)와, 회전 테이블(31)에 의해 반송되는 워크(W) 주위에 반응 가스(G)를 도입하고, 플라즈마에 의해 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 갖고, 처리부는, 회전 테이블(31)의 직경 방향에서 트레이(1)의 처리부에 대향하는 면과 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 처리부에 대향하는 면 사이에, 간격을 두고 대향하는 실드 부재(8, 58)를 가지며, 복수의 트레이(1)의 처리부에 대향하는 면은, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다.An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus and a tray capable of suppressing leakage of a reactive gas.
A chamber 20 capable of vacuuming the inside and a rotary table 31 installed in the chamber 20, which circulates and conveys the workpiece W in a trajectory of a circumference centered on the rotation axis of the rotary table 31 A reaction gas (reactive gas) around the rotary table 31 to be performed, a plurality of trays 1 mounted on the rotary table 31 to arrange the workpieces W, and the workpieces W conveyed by the rotary table 31 G) is introduced and has a processing unit that performs a predetermined treatment by plasma, and the processing unit includes a surface facing the processing unit of the tray 1 in the radial direction of the rotary table 31 and a workpiece disposed on the tray 1 ( A shield member (8, 58) facing the processing unit is provided at intervals between the surfaces facing the processing unit of W), and the surfaces facing the processing unit of the plurality of trays 1 have the same plane continuously along the trajectory of the circumference. It has a part that becomes.

Description

진공 처리 장치 및 트레이{VACUUM PROCESSING APPARATUS AND TRAY}Vacuum processing unit and tray {VACUUM PROCESSING APPARATUS AND TRAY}

본 발명은 진공 처리 장치 및 트레이에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a tray.

반도체 장치나 액정 디스플레이 혹은 광 디스크 등 각종의 제품의 제조 공정에서, 예컨대 웨이퍼나 유리 기판 등의 워크 상에 광학막 등의 박막을 작성하는 경우가 있다. 박막은, 워크에 대해 금속 등의 막을 형성하는 성막(成膜)이나, 형성한 막에 대해 에칭, 산화 또는 질화 등의 막 처리를 행하는 등에 의해, 작성할 수 있다.In the manufacturing process of various products such as a semiconductor device, a liquid crystal display, or an optical disk, for example, a thin film such as an optical film may be formed on a workpiece such as a wafer or a glass substrate. The thin film can be created by forming a film to form a film such as a metal on a work, or by performing a film treatment such as etching, oxidation, or nitridation on the formed film.

성막 혹은 막 처리는 여러 가지 방법으로 행할 수 있으나, 그 하나로서, 플라즈마를 이용한 방법이 있다. 성막에서는, 타겟을 배치한 챔버에 반응 가스인 불활성 가스를 도입하고, 타겟에 직류 전압을 인가한다. 플라즈마화한 불활성 가스의 이온을 타겟에 충돌시키고, 타겟으로부터 내쫓긴 재료를 워크에 퇴적시켜 성막을 행한다. 막 처리에서는, 전극을 배치한 챔버에 반응 가스인 프로세스 가스를 도입하고, 전극에 고주파 전압을 인가한다. 플라즈마화한 프로세스 가스의 이온, 라디칼 등의 활성종을 워크 상의 막에 충돌시킴으로써, 막 처리를 행한다.Film formation or film treatment can be performed by various methods, but one of them is a method using plasma. In film formation, an inert gas as a reactive gas is introduced into a chamber in which the target is disposed, and a DC voltage is applied to the target. Plasmaized inert gas ions collide with the target, and the material expelled from the target is deposited on the workpiece to form a film. In the film treatment, a process gas, which is a reactive gas, is introduced into a chamber in which an electrode is disposed, and a high frequency voltage is applied to the electrode. A film treatment is performed by colliding active species such as ions and radicals of the plasma-formed process gas onto the film on the work.

이러한 성막과 막 처리를 연속해서 행할 수 있도록, 하나의 챔버의 내부에 회전 테이블을 설치하고, 회전 테이블 상방의 둘레 방향으로, 복수의 처리부를 배치한 진공 처리 장치가 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 처리부는, 성막용의 유닛과 막 처리용의 유닛을 복수개 배치한 것이다. 이와 같이 워크를 회전 테이블 상에 유지하여 반송하고, 성막 유닛과 막 처리 유닛 바로 아래를 통과시킴으로써, 광학막 등이 형성된다.There is a vacuum processing apparatus in which a rotary table is installed inside one chamber and a plurality of processing units are arranged in a circumferential direction above the rotary table so that such film formation and film processing can be continuously performed (see, for example, Patent Document 1). ). In this processing unit, a film forming unit and a plurality of film processing units are arranged. In this way, the work is held and transported on the rotary table, and the optical film or the like is formed by passing the film forming unit and the film processing unit directly underneath.

상기와 같은 진공 처리 장치에서는, 챔버 내의 성막 유닛에 대응하는 위치에는, 실드 부재에 의해 성막실이 형성된다. 또한, 막 처리 유닛에서는, 통형의 구성 부재인 통부가 설치되고, 통부의 내부로부터 하방에 걸쳐 프로세스 가스를 도입하는 가스 공간이 형성된다. 그리고, 유전체의 창 부재가, 통부의 개구에 형성된 플랜지에, O링 등의 시일 부재를 통해 탑재됨으로써, 가스 공간이 밀봉된다. 창 부재에 이용되는 유전체는, 석영 등의 비교적 딱딱하고 약한 재질이 이용된다.In the vacuum processing apparatus as described above, a film formation chamber is formed by a shield member at a position corresponding to the film formation unit in the chamber. In addition, in the film processing unit, a cylinder portion, which is a cylindrical constituent member, is provided, and a gas space for introducing a process gas from the inside of the cylinder portion downward is formed. Then, the gas space is sealed by mounting the dielectric window member on the flange formed in the opening of the cylinder portion through a sealing member such as an O-ring. As the dielectric material used for the window member, a relatively hard and weak material such as quartz is used.

[특허문헌 1] 일본 특허 제4428873호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent No. 44428873

이상과 같은 진공 처리 장치에서, 성막 유닛의 실드 부재의 가장자리부는, 워크의 통과를 허용하기 위해서, 간극을 두고 워크에 근접하고 있다. 그러나, 성막 유닛에서, 실드 부재로부터의 성막 재료나 불활성 가스의 누설을 최대한 적게 하기 위해서는, 실드 부재와 워크와의 간격은 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 또한, 막 처리 유닛의 통부의 가장자리부에도, 워크의 통과를 허용하기 위해서, 워크와의 사이에 간극이 띄워져 있다. 막 처리 유닛에서도, 통부로부터의 프로세스 가스의 누설을 최대한 적게 하기 위해서는, 통부와 워크와의 간격은 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 실드 부재의 가장자리부와 워크 사이, 통부와 워크 사이에는, 각각 예컨대 수 밀리의 간극이 형성되도록 설정되어 있다.In the vacuum processing apparatus as described above, the edge portion of the shield member of the film forming unit is close to the work with a gap in order to allow passage of the work. However, in the film forming unit, in order to minimize leakage of the film forming material or the inert gas from the shield member, it is desirable to make the distance between the shield member and the work as small as possible. Further, also at the edge of the cylindrical portion of the film processing unit, a gap is formed between the workpiece and the workpiece to allow passage of the workpiece. In the membrane processing unit as well, in order to minimize leakage of the process gas from the cylinder portion, it is preferable that the distance between the cylinder portion and the workpiece be made as small as possible. For this reason, it is set so that, for example, a gap of several millimeters is formed between the edge portion of the shield member and the work, and between the cylindrical portion and the work.

그러나, 회전 테이블의 표면과 워크에서의 성막되는 면 사이에는, 고저차가 발생한다. 그러면, 워크와 실드 부재 또는 통부와의 간극을 적게 했다고 해도, 워크가 존재하지 않는 개소에서의 회전 테이블의 표면과, 실드 부재 또는 통부와의 간극은 확대된다. 이 때문에, 워크가 존재하지 않는 개소에서, 반응 가스의 누설이나 돌아 들어감이 발생한다. 예컨대, 성막 유닛에서 반응 가스로서 아르곤 가스, 막 처리 유닛에서 반응 가스로서 산소를 이용하고 있는 경우에, 한쪽이 다른쪽에 혼입되는 컨태미네이션이 발생하는 것은, 양자의 반응이 저해되게 되어 바람직하지 않다.However, a difference in height occurs between the surface of the rotary table and the surface to be formed on the work. Then, even if the clearance between the work and the shield member or the cylinder portion is reduced, the clearance between the surface of the rotary table and the shield member or the cylinder portion at a location where the workpiece does not exist is enlarged. For this reason, leakage or return of the reaction gas occurs at a location where the work does not exist. For example, when argon gas is used as the reactive gas in the film forming unit and oxygen is used as the reactive gas in the film processing unit, the occurrence of contamination in which one is mixed with the other is not preferable because the reaction of both is inhibited. .

본 발명은 처리부로부터의 반응 가스의 누설을 억제할 수 있는 진공 처리 장치 및 트레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus and a tray capable of suppressing leakage of a reactive gas from a processing unit.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 진공 처리 장치는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와, 상기 챔버 내에 설치된 회전 테이블로서, 상기 회전 테이블의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 탑재되고, 상기 워크를 배치하는 복수의 트레이와, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 갖고, 상기 처리부는, 상기 회전 테이블의 직경 방향에서 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면과 상기 트레이에 배치된 상기 워크의 상기 처리부에 대향하는 면 사이에, 상기 워크가 통과 가능한 간격을 두고 대향하는 실드 부재를 가지며, 복수의 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면은, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다.In order to achieve the above object, the vacuum processing apparatus of the present invention includes a chamber capable of vacuuming the inside, and a rotary table installed in the chamber, wherein a workpiece is moved along a trajectory of a circumference centered on a rotation axis of the rotary table. A rotating table for circulating conveyance, a plurality of trays mounted on the rotating table and on which the work is arranged, and a processing unit for performing a predetermined process by converting the introduced reactive gas into plasma for the work conveyed by the rotating table Wherein the processing unit faces a surface of the tray facing the processing unit in a radial direction of the rotary table and a surface of the work disposed on the tray facing the processing unit at a distance through which the work can pass. A shield member to be formed, and a surface of the plurality of trays facing the processing unit has a portion that becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference.

상기 워크는, 상기 처리부에 대향하는 면에 볼록부를 갖고, 상기 실드 부재는, 상기 워크의 볼록부를 따르는 오목부를 갖고 있어도 좋다. 상기 트레이는, 상기 처리부에 대향하는 면에, 상기 실드 부재의 오목부를 따르는 볼록부를 갖고 있어도 좋다. 상기 실드 부재에는, 성막되는 막의 막 두께 분포를 조정하는 조정부가 설치되어 있어도 좋다. 상기 회전 테이블은, 상기 트레이의 위치를 규제하는 규제부를 갖고 있어도 좋다. 상기 트레이는, 상기 워크가 감입(嵌入)되는 감입부를 갖고 있어도 좋다.The work may have a convex portion on a surface facing the processing portion, and the shield member may have a concave portion along the convex portion of the work. The tray may have a convex portion along a concave portion of the shield member on a surface facing the processing portion. The shield member may be provided with an adjustment unit that adjusts the film thickness distribution of the film to be formed. The rotary table may have a regulating portion that regulates the position of the tray. The tray may have a fitting portion into which the work is fitted.

상기 처리부는, 상기 워크에, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 막을 형성하는 성막부를 포함하고 있어도 좋다. 상기 처리부는, 상기 워크에 형성된 막과 반응 가스를 반응시키는 막 처리를 행하는 막 처리부를 포함하고 있어도 좋다.The processing unit may include a film forming unit for forming a film by depositing a film forming material on the work by sputtering. The processing unit may include a film processing unit that performs a film treatment in which a film formed on the work and a reactive gas are reacted.

다른 양태의 진공 처리 장치는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되고, 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 갖고, 상기 워크는, 상기 처리부에 대향하는 면에 볼록부를 가지며, 상기 처리부는, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 간격을 두고 대향하고, 상기 워크의 볼록부를 따르는 오목부를 갖는 실드 부재를 갖고, 상기 회전 테이블의 표면에, 상기 실드 부재의 오목부를 따르는 볼록부가 형성되며, 상기 회전 테이블의 볼록부의 표면이, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다.The vacuum processing apparatus of another aspect is introduced into a chamber capable of vacuumizing the inside, a rotary table installed in the chamber and circulating and transporting a workpiece along a trajectory of a circumference, and the workpiece transported by the rotary table. And a processing unit for performing a predetermined treatment by converting the reacted gas into plasma, wherein the work has a convex portion on a surface facing the processing unit, and the processing unit faces the work carried by the rotary table at intervals , A shield member having a concave portion along the convex portion of the work, a convex portion is formed along the concave portion of the shield member on the surface of the rotary table, and the surface of the convex portion of the rotary table is continuous along the trajectory of the circumference Thus, it has a part that becomes the same plane.

상기 회전 테이블은, 상기 워크가 배치되는 트레이가 탑재됨으로써, 상기 회전 테이블의 표면과 상기 트레이의 표면이, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분이 발생하는 탑재부를 갖고 있어도 좋다.The rotary table may have a mounting portion in which a tray on which the work is disposed is mounted so that the surface of the rotary table and the surface of the tray are continuously flush along the trajectory of the circumference.

다른 양태의 트레이는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와, 상기 챔버 내에 설치된 회전 테이블로서, 상기 회전 테이블의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 갖고, 상기 처리부가, 상기 회전 테이블의 직경 방향에서 상기 워크의 상기 처리부에 대향하는 면과의 사이에, 상기 워크가 통과 가능한 간격을 두고 대향하는 실드 부재를 갖는 진공 처리 장치에 사용되며, 상기 워크가 배치되는 트레이로서, 상기 회전 테이블에 복수개 탑재됨으로써, 상기 처리부에 대향하는 면이, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다.Another aspect of the tray includes a chamber capable of vacuumizing the interior thereof, a rotary table installed in the chamber, and a rotary table for circulating and transporting a work in a trajectory of a circumference centered on a rotation axis of the rotary table, and the rotary table With respect to the workpiece conveyed by, a processing unit for performing a predetermined treatment by converting the introduced reactive gas into plasma, and the processing unit is between a surface facing the processing unit of the work in a radial direction of the rotary table , Used in a vacuum processing apparatus having a shield member facing each other at an interval through which the workpieces can pass, and as a tray on which the workpieces are disposed, a plurality of trays are mounted on the rotary table, so that the surface facing the processing unit is a trajectory It has a part that becomes the same plane continuously along the line.

본 발명에 의하면, 처리부로부터의 반응 가스의 누설을 억제할 수 있다.According to the present invention, leakage of the reactive gas from the processing unit can be suppressed.

도 1은 실시형태의 진공 처리 장치의 투시 사시도이다.
도 2는 실시형태의 진공 처리 장치의 투시 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A선 단면도이다.
도 4는 워크의 측면도(A), 평면도(B), 사시도(C)이다.
도 5는 트레이의 측면도(A), 평면도(B), 사시도(C)이다.
도 6은 트레이를 배치하고 있지 않은 회전 테이블을 도시한 평면도이다.
도 7은 트레이를 배치한 회전 테이블을 도시한 평면도이다.
도 8은 성막부의 실드 부재를 도시한 사시도이다.
도 9는 실드 부재와 워크와의 간격을 도시한 부분 확대 단면도이다.
도 10은 도 2의 B-B선 단면도이다.
도 11은 처리 유닛의 분해 사시도이다.
도 12는 실드 부재와 워크와의 간격을 도시한 부분 확대 단면도이다.
도 13은 트레이의 반입 반출의 양태를 도시한 설명도이다.
도 14는 트레이의 다른 양태를 도시한 단면도이다.
도 15는 조정부를 도시한 사시도이다.
도 16은 착탈 부재를 도시한 사시도이다.
도 17은 감입부를 갖는 트레이를 도시한 사시도이다.
도 18은 감입부의 일 양태를 도시한 사시도이다.
도 19는 감입부 및 스페이서의 일 양태를 도시한 사시도이다.
도 20은 트레이 및 이것을 배치한 회전 테이블의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 21은 워크의 변형예를 도시한 측면도(A), 평면도(B), 사시도(C)이다.
도 22는 회전 테이블의 변형예를 도시한 부분 사시도이다.
도 23은 회전 테이블의 변형예를 도시한 하면도이다.
도 24는 진공 처리 장치의 변형예로서, 도 23의 C-C선에 대응하는 단면도이다.
도 25는 변형예의 트레이를 도시한 사시도이다.
도 26은 변형예의 트레이에 대한 워크의 장착 과정(A), 회전 테이블에 대한 트레이의 장착 과정(B), 회전 테이블에 대한 트레이의 장착 후(C)를 도시한 부분 단면에 의한 설명도이다.
도 27은 변형예의 트레이를 도시한 분해 사시도이다.
도 28은 변형예의 트레이를 도시한 분해 사시도이다.
도 29는 변형예의 트레이를 도시한 사시도(A), D-D선에 대응하는 단면도(B)이다.1 is a perspective perspective view of a vacuum processing apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective plan view of the vacuum processing apparatus of the embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2.
4 is a side view (A), a plan view (B), and a perspective view (C) of a work.
5 is a side view (A), a plan view (B), and a perspective view (C) of the tray.
6 is a plan view showing a rotary table in which no trays are disposed.
7 is a plan view showing a rotary table in which trays are disposed.
8 is a perspective view showing a shield member of a film forming unit.
9 is a partially enlarged cross-sectional view showing a distance between a shield member and a work.
10 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2.
11 is an exploded perspective view of the processing unit.
12 is a partially enlarged cross-sectional view showing the distance between the shield member and the work.
Fig. 13 is an explanatory view showing a mode of carrying in/out of a tray.
14 is a cross-sectional view showing another aspect of the tray.
15 is a perspective view showing an adjustment unit.
16 is a perspective view showing a detachable member.
17 is a perspective view showing a tray having a fitting portion.
18 is a perspective view showing an aspect of the fitting portion.
19 is a perspective view showing an aspect of the fitting portion and the spacer.
Fig. 20 is a plan view showing a modified example of a tray and a rotary table on which the tray is disposed.
Fig. 21 is a side view (A), a plan view (B), and a perspective view (C) showing a modified example of a work.
22 is a partial perspective view showing a modified example of the rotary table.
23 is a bottom view showing a modified example of the rotary table.
24 is a cross-sectional view corresponding to the line CC in FIG. 23 as a modified example of the vacuum processing apparatus.
25 is a perspective view showing a tray of a modified example.
26 is a partial cross-sectional view showing a process (A) of attaching a work to a tray of a modified example, a process of attaching a tray to a rotary table (B), and after attaching a tray to a rotary table (C).
27 is an exploded perspective view showing a tray of a modified example.
28 is an exploded perspective view showing a tray of a modified example.
Fig. 29 is a perspective view (A) showing a tray of a modified example and a cross-sectional view (B) corresponding to the line DD.

본 발명의 실시형태(이하, 본 실시형태라고 부름)에 대해, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.An embodiment of the present invention (hereinafter referred to as this embodiment) will be specifically described with reference to the drawings.

[개요][summary]

도 1에 도시된 진공 처리 장치(100)는, 워크(W)에 대해, 플라즈마를 이용하여 처리부에 의해 미리 정해진 처리를 행하는 장치이다. 처리부에 의한 미리 정해진 처리는, 본 실시형태에서는, 개개의 워크(W)의 표면에 화합물막을 형성하는 처리이다. 진공 처리 장치(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(20) 내에, 회전 테이블(31), 처리부인 성막부(40A, 40B 및 40C), 막 처리부(50A, 50B)를 갖는다. 한편, 도 1은 진공 처리 장치(100)의 투시 사시도, 도 2는 투시 평면도, 도 3은 도 2의 A-A선 단면도이다.The vacuum processing apparatus 100 shown in FIG. 1 is an apparatus that performs predetermined processing by a processing unit on a workpiece W using plasma. The predetermined treatment by the treatment unit is, in the present embodiment, a treatment of forming a compound film on the surface of each work W. As shown in Figs. 1 to 3, the vacuum processing apparatus 100 includes a rotary table 31, a film forming unit 40A, 40B and 40C serving as a processing unit, and a film processing unit 50A, 50B in the chamber 20. Has. Meanwhile, FIG. 1 is a perspective perspective view of the vacuum processing apparatus 100, FIG. 2 is a perspective plan view, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 2.

회전 테이블(31)이 회전하면, 회전 테이블(31)에 배치된 트레이(1)(도 5 참조) 상의 워크(W)가, 회전 테이블(31)의 회전 축심(회전 중심)을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 이동한다. 이 이동에 의해, 워크(W)는, 성막부(40A, 40B 또는 40C)에 대향하는 위치를 반복해서 통과한다. 성막부(40A, 40B 및 40C)는, 이 통과마다, 스퍼터링에 의해 타겟(41A, 41B, 41C)의 입자를 워크(W)의 표면에 부착시킨다. 또한, 워크(W)는 막 처리부(50A 또는 50B)에 대향하는 위치를 반복해서 통과한다. 이 통과마다, 성막부(40A, 40B, 40C)에 의해 워크(W)의 표면에 부착된 입자는, 도입된 프로세스 가스(G2) 중의 물질과 화합하여 화합물막이 된다.When the rotary table 31 rotates, the work W on the tray 1 (refer to FIG. 5) disposed on the rotary table 31 is circumferentially centered on the rotary axis (center of rotation) of the rotary table 31 It moves to the trajectory of By this movement, the work W repeatedly passes through the position facing the film-forming part 40A, 40B, or 40C. The film-forming portions 40A, 40B, and 40C attach particles of the targets 41A, 41B, and 41C to the surface of the work W by sputtering for each passage. In addition, the work W repeatedly passes through the position facing the film processing portion 50A or 50B. In each pass, the particles adhering to the surface of the work W by the film forming portions 40A, 40B, and 40C are combined with the substance in the introduced process gas G2 to form a compound film.

[워크][work]

워크(W)는, 도 4의 (A)의 측면도, (B)의 평면도, (C)의 사시도에 도시된 바와 같이, 처리부에 대향하는 면, 즉, 처리 대상이 되는 면[이하, 처리 대상면(Sp)으로 함]에 볼록부(Cp)를 갖고, 볼록부(Cp)와 반대측의 면에 오목부(Rp)를 갖는 판형의 부재이다. 볼록부(Cp)란, 처리 대상면(Sp)에서, 곡률 중심이 처리 대상면(Sp)과는 반대측에 위치하는 만곡 부분 또는, 처리 대상면(Sp)이 각도가 상이한 복수의 평면으로 구성되는 경우에 상이한 평면끼리를 연결하는 부분(도 21 참조)을 말한다. 오목부(Rp)란 볼록부(Cp)의 반대측의 부분을 말한다. 본 실시형태에서는, 워크(W)는 직사각형 형상의 기판이고, 한 짧은 변측에 형성된 만곡 부분에 의해 처리 대상면(Sp)에 볼록부(Cp)가 형성되어 있다. 즉, 만곡에 의해 신장하는 측이 볼록부(Cp), 신축하는 측이 오목부(Rp)이다. 또한, 워크(W)의 볼록부(Cp)로부터 다른쪽의 짧은 변까지의 처리 대상면(Sp)은, 평탄면으로 되어 있다.As shown in the side view of (A) of FIG. 4, the plan view of (B), and the perspective view of (C), the work W is a surface facing the processing unit, that is, the surface to be processed (hereinafter, the processing target It is a plate-shaped member having a convex portion Cp on the surface (referred to as a surface Sp) and a concave portion Rp on the surface opposite to the convex portion Cp. The convex portion Cp is a curved portion in which the center of curvature is located on the side opposite to the processing target surface Sp in the processing target surface Sp, or a processing target surface Sp composed of a plurality of planes having different angles. In this case, it refers to a part (see Fig. 21) connecting different planes. The concave portion Rp refers to a portion on the opposite side of the convex portion Cp. In this embodiment, the work W is a rectangular substrate, and the convex portion Cp is formed on the surface to be processed Sp by a curved portion formed on one short side. That is, the side extending by curvature is the convex portion Cp, and the side extending and contracting is the concave portion Rp. Further, the surface to be treated Sp from the convex portion Cp of the work W to the other shorter side is a flat surface.

[트레이][tray]

트레이(1)는, 도 5의 (A)의 측면도, 도 5의 (B)의 평면도, 도 5의 (C)의 사시도에 도시된 바와 같이, 워크(W)를 배치하는 부재이다. 트레이(1)에서, 처리부에 대향하는 면을 대향면(11)이라고 칭한다. 본 실시형태에서는, 트레이(1)는, 대략 부채형 형상의 판형체이고, V자를 따르는 한 쌍의 측면인 사면(斜面; 12)을 갖고 있다. 한 쌍의 사면(12)이 접근하는 측의 단부는, 직선을 따르는 내주면(13)으로 연결되어 있다. 트레이(1)의 한 쌍의 사면(12)이 멀어지는 측의 단부에는, 직교하는 변을 조합한 볼록 형상을 따르는 외주면(14)이 연속되어 있다. 이 외주면(14)에서의 서로 대향하는 평행한 면을, 규제면(14a)이라고 부른다.The tray 1 is a member for arranging the work W, as shown in the side view of FIG. 5A, the plan view of FIG. 5B, and the perspective view of FIG. 5C. In the tray 1, the surface facing the processing unit is referred to as a facing surface 11. In this embodiment, the tray 1 is a substantially fan-shaped plate-like body, and has slopes 12 which are a pair of side surfaces along a V-shape. Ends on the side to which the pair of slopes 12 approach is connected by an inner peripheral surface 13 along a straight line. At the end of the tray 1 on the side where the pair of slopes 12 are separated from each other, an outer circumferential surface 14 that follows a convex shape in which orthogonal sides are combined is continuous. The parallel surfaces of the outer peripheral surface 14 that face each other are referred to as the regulating surface 14a.

각 트레이(1)는, 대향면(11)에, 후술하는 실드 부재(8)의 오목부(80), 실드 부재(58)의 오목부(58c)를 따르는 볼록부(11a)를 갖는다(도 9, 도 12 참조). 오목부(80, 58c)를 따른다는 것은, 오목부(80, 58c)를 따르는 형상인 것을 말한다. 트레이(1)의 볼록부(11a)는, 오목부(80, 58c)에 비접촉으로 대향한다. 본 실시형태에서는, 볼록부(11a)는, 워크(W)의 오목부(Rp)를 따르는 곡면이기도 하다. 볼록부(11a)는, 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 평면에서 보아 한 쌍의 사면(12)의 중앙을 연결하는 원호형을 따라 형성되어 있다. 트레이(1)의 대향면(11)은, 볼록부(11a)를 사이에 두고, 내주면(13)측이 회전 테이블(31)에 가까운 저위의 평탄면, 외주면(14)측이 회전 테이블(31)로부터 떨어진 고위의 평탄면으로 되어 있다.Each tray 1 has a concave portion 80 of the shield member 8 to be described later and a convex portion 11a along the concave portion 58c of the shield member 58 on the opposite surface 11 (Fig. 9, see Fig. 12). To follow the concave portions 80 and 58c means to have a shape along the concave portions 80 and 58c. The convex portion 11a of the tray 1 faces the concave portions 80 and 58c in a non-contact manner. In this embodiment, the convex portion 11a is also a curved surface along the concave portion Rp of the work W. The convex portion 11a is formed along an arc shape connecting the centers of the pair of slopes 12 in plan view, as shown in Fig. 5B. The opposing surface 11 of the tray 1 has a convex portion 11a interposed therebetween, and the inner circumferential surface 13 side is a lower flat surface close to the rotation table 31, and the outer circumferential surface 14 side is the rotation table 31 It is a high-level flat surface away from ).

트레이(1)의 재질로서는, 열 전도성이 높은 재질, 예컨대, 금속으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는, 트레이(1)의 재질을 SUS로 한다. 한편, 트레이(1)의 재질은, 예컨대, 열 전도성이 좋은 세라믹스나 수지, 또는, 이들의 복합재로 해도 좋다.The tray 1 is preferably made of a material having high thermal conductivity, for example, a metal. In this embodiment, the material of the tray 1 is SUS. On the other hand, the material of the tray 1 may be, for example, ceramics or resin having good thermal conductivity, or a composite material thereof.

[진공 처리 장치][Vacuum treatment device]

진공 처리 장치(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(20), 반송부(30), 성막부(40A, 40B, 40C), 막 처리부(50A, 50B), 로드록부(60), 제어 장치(70)를 갖는다.As shown in Figs. 1 to 3, the vacuum processing apparatus 100 includes a chamber 20, a conveyance unit 30, a film forming unit 40A, 40B, and 40C, a film processing unit 50A, 50B, and a load lock unit. (60), has a control device (70).

[챔버][chamber]

챔버(20)는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 용기이다. 즉, 챔버(20)의 내부에는, 진공실(21)이 형성된다. 진공실(21)은, 챔버(20)의 내부의 천장(20a), 내저면(20b) 및 내주면(20c)에 의해 둘러싸여 형성되는 원기둥 형상의 밀폐 공간이다. 진공실(21)은, 기밀성이 있고, 감압에 의해 진공으로 할 수 있다. 한편, 챔버(20)의 천장(20a)은, 개폐 가능하게 구성되어 있다. 즉, 챔버(20)는 분리 구조로 되어 있다.The chamber 20 is a container capable of vacuumizing the inside. That is, the vacuum chamber 21 is formed inside the chamber 20. The vacuum chamber 21 is a cylindrical closed space formed by being surrounded by the ceiling 20a, the inner bottom surface 20b, and the inner circumferential surface 20c inside the chamber 20. The vacuum chamber 21 has airtightness, and can be vacuumed by reduced pressure. On the other hand, the ceiling 20a of the chamber 20 is configured to be openable and closed. That is, the chamber 20 has a separate structure.

진공실(21)의 내부의 미리 정해진 영역에는, 반응 가스(G)가 도입된다. 반응 가스(G)는, 성막용의 스퍼터 가스(G1), 막 처리용의 프로세스 가스(G2)를 포함한다(도 3 참조). 이하의 설명에서는, 스퍼터 가스(G1), 프로세스 가스(G2)를 구별하지 않는 경우에는, 반응 가스(G)라고 부르는 경우가 있다. 스퍼터 가스(G1)는, 전력의 인가에 의해 발생하는 플라즈마에 의해, 발생하는 이온을 타겟(41A, 41B, 41C)에 충돌시키고, 타겟(41A, 41B, 41C)의 재료를 워크(W)의 표면에 퇴적시키기 위한 반응 가스이다. 예컨대, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를, 스퍼터 가스(G1)로서 이용할 수 있다.Reactive gas G is introduced into a predetermined region inside the vacuum chamber 21. The reaction gas G contains a sputtering gas G1 for film formation and a process gas G2 for film processing (see FIG. 3 ). In the following description, when the sputter gas G1 and the process gas G2 are not distinguished, they are sometimes referred to as reactive gas G. The sputter gas G1 causes the generated ions to collide with the targets 41A, 41B, and 41C by plasma generated by the application of electric power, and the materials of the targets 41A, 41B, and 41C are applied to the workpiece W. It is a reaction gas for depositing on the surface. For example, an inert gas such as argon gas can be used as the sputter gas G1.

프로세스 가스(G2)는, 유도 결합에 의해 발생하는 플라즈마에 의해 발생하는 활성종을, 워크(W)의 표면에 퇴적된 막에 침투시켜, 화합물막을 형성하기 위한 반응 가스(G)이다. 이하, 이러한 플라즈마를 이용한 표면 처리로서, 타겟(41A, 41B, 41C)을 이용하지 않는 처리를, 역(逆)스퍼터라고 부르는 경우가 있다. 프로세스 가스(G2)는, 처리의 목적에 따라 적절히 변경 가능하다. 예컨대, 막의 산질화를 행하는 경우에는, 산소 O2와 질소 N2의 혼합 가스를 이용한다.The process gas G2 is a reactive gas G for forming a compound film by infiltrating active species generated by plasma generated by inductive coupling into a film deposited on the surface of the work W. Hereinafter, as a surface treatment using such a plasma, a treatment that does not use the targets 41A, 41B, and 41C is sometimes referred to as reverse sputtering. The process gas G2 can be appropriately changed according to the purpose of the treatment. For example, in the case of performing oxynitride of the film, a mixed gas of oxygen O 2 and nitrogen N 2 is used.

챔버(20)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 배기구(22), 도입구(24)를 갖는다. 배기구(22)는, 진공실(21)과 외부 사이에서 기체의 유통을 확보하여, 배기(E)를 행하기 위한 개구이다. 이 배기구(22)는, 예컨대, 챔버(20)의 바닥부에 형성되어 있다. 배기구(22)에는, 배기부(23)가 접속되어 있다. 배기부(23)는, 배관 및 도시하지 않은 펌프, 밸브 등을 갖는다. 이 배기부(23)에 의한 배기 처리에 의해, 진공실(21) 내는 감압된다.The chamber 20 has an exhaust port 22 and an inlet port 24 as shown in FIG. 3. The exhaust port 22 is an opening for ensuring gas flow between the vacuum chamber 21 and the outside to perform exhaust (E). This exhaust port 22 is formed, for example, at the bottom of the chamber 20. An exhaust part 23 is connected to the exhaust port 22. The exhaust part 23 has piping, a pump, valve, etc. (not shown). The inside of the vacuum chamber 21 is depressurized by the exhaust treatment by the exhaust part 23.

도입구(24)는, 각 성막부(40A, 40B, 40C)에 스퍼터 가스(G1)를 도입하기 위한 개구이다. 이 도입구(24)는, 예컨대, 챔버(20)의 상부에 형성되어 있다. 이 도입구(24)에는, 가스 공급부(25)가 접속되어 있다. 가스 공급부(25)는, 배관 외에, 도시하지 않은 반응 가스(G)의 가스 공급원, 펌프, 밸브 등을 갖는다. 이 가스 공급부(25)에 의해, 도입구(24)로부터 진공실(21) 내에 스퍼터 가스(G1)가 도입된다. 한편, 챔버(20)의 상부에는, 후술하는 바와 같이, 막 처리부(50A, 50B)가 삽입되는 개구(21a)가 형성되어 있다.The introduction port 24 is an opening for introducing the sputter gas G1 into each of the film forming portions 40A, 40B, and 40C. This inlet 24 is formed in the upper part of the chamber 20, for example. A gas supply unit 25 is connected to the introduction port 24. In addition to a pipe, the gas supply unit 25 has a gas supply source, a pump, a valve, etc. of the reactive gas G (not shown). The sputter gas G1 is introduced into the vacuum chamber 21 from the introduction port 24 by the gas supply unit 25. On the other hand, in the upper part of the chamber 20, as will be described later, an opening 21a into which the film processing units 50A and 50B are inserted is formed.

[반송부][Return]

반송부(30)는, 워크(W)를, 회전 테이블(31)의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 반송 경로(T)로 순환 반송시키는 장치이다. 순환 반송은, 워크(W)를 상기 원주의 궤적으로 반복해서 주회(周回) 이동시키는 것을 말한다. 반송 경로(T)는, 반송부(30)에 의해 워크(W) 또는 후술하는 트레이(1)가 이동하는 궤적이고, 도넛형의 폭이 있는 원환이다. 이하, 반송부(30)의 상세한 내용을 설명한다.The conveyance part 30 is a device which circulates and conveys the work W in the conveyance path T of a circumference centered on the rotation axis center of the rotation table 31. Circulating conveyance refers to repeatedly moving the work W in the trajectory of the circumference. The conveyance path T is a trajectory through which the workpiece W or the tray 1 described later moves by the conveyance unit 30, and is a donut-shaped annular ring with a width. Hereinafter, detailed contents of the conveyance unit 30 will be described.

반송부(30)는, 회전 테이블(31), 모터(32)를 갖는다. 회전 테이블(31)은, 챔버(20) 내에 설치되고, 워크(W)를 순환 반송한다. 회전 테이블(31)은, 예컨대, 스테인리스강의 판형 부재의 표면에 산화알루미늄을 용사한 것으로 해도 좋다. 이후, 단순히 「둘레 방향」이라고 하는 경우에는, 「회전 테이블(31)의 둘레 방향」을 의미하고, 단순히 「반경 방향」이라고 하는 경우에는, 「회전 테이블(31)의 반경 방향」을 의미한다. 또한, 「높이」, 「두께」란, 회전 테이블(31)의 회전의 축에 평행한 방향의 길이이다. 모터(32)는, 회전 테이블(31)에 구동력을 부여하여, 이 회전 테이블(31)을 수평면 내에서 회전시키는 구동원이다.The conveyance unit 30 has a rotary table 31 and a motor 32. The rotary table 31 is installed in the chamber 20 and circulates and conveys the work W. The rotary table 31 may be formed by spraying aluminum oxide on the surface of, for example, a plate-shaped member of stainless steel. Hereinafter, when simply referred to as "circumferential direction", it means "the circumferential direction of the turntable 31", and simply referred to as "radial direction" means "the radial direction of the rotary table 31". In addition, "height" and "thickness" are lengths in a direction parallel to the axis of rotation of the rotary table 31. The motor 32 is a driving source that applies a driving force to the rotary table 31 and rotates the rotary table 31 in a horizontal plane.

회전 테이블(31)은, 도 6의 평면도에 도시된 바와 같이, 탑재부(33)를 갖는다. 탑재부(33)는, 반송부(30)에 의해 반송되는 트레이(1)가 탑재되는 영역이다. 탑재부(33)는, 회전 테이블(31)의 표면에 형성되어 있다. 회전 테이블(31)의 표면은, 회전 테이블(31)이 수평 방향인 경우에 상방을 향하는 면, 즉 상부면이다. 탑재부(33)는, 회전 테이블(31) 상에 후술하는 깔판(33a)이 깔림으로써 형성되게 되는, 회전 테이블(31)의 회전 중심과 동심의 대략 원환형으로 움푹 들어간 영역이다. 각 트레이(1)는, 도 7의 평면도에 도시된 바와 같이, 각각의 사면(12)이 서로 접하도록, 탑재부(33)에 배열됨으로써, 평면에서 보아 환형으로 깔린다. 이에 의해, 복수의 트레이(1)는, 원주 등배 위치에 탑재된다. 트레이(1)의 사면(12)은, 회전 테이블(31)의 반경을 따른다. 이에 의해, 본 실시형태에서는, 탑재부(33) 상에, 60° 간격으로 6개의 트레이(1)를 배치할 수 있다.The rotary table 31 has a mounting portion 33 as shown in the plan view of FIG. 6. The mounting unit 33 is an area in which the tray 1 conveyed by the conveying unit 30 is mounted. The mounting portion 33 is formed on the surface of the rotary table 31. The surface of the rotating table 31 is a surface facing upward, that is, an upper surface when the rotating table 31 is in the horizontal direction. The mounting portion 33 is a region that is formed by placing a pallet 33a to be described later on the turntable 31 and is concentric with the rotation center of the turntable 31 in a substantially annular shape. Each tray 1, as shown in the plan view of FIG. 7, is arranged in the mounting portion 33 so that the slopes 12 are in contact with each other, and is laid in an annular shape in plan view. Thereby, the plurality of trays 1 are mounted at the circumferential equal-fold position. The slope 12 of the tray 1 follows the radius of the turntable 31. Thereby, in this embodiment, six trays 1 can be disposed on the mounting portion 33 at intervals of 60°.

회전 테이블(31)의 탑재부(33)에 복수의 트레이(1)가 탑재됨으로써, 복수의 트레이(1)의 대향면(11)은, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖도록 형성되어 있다. 여기서 복수의 트레이(1)의 대향면(11)이 동일 평면이 된다는 것은, 각 트레이(1)의 대향면(11)에서의 대응하는 개소끼리가 실질적으로 동일한 높이가 되는 경우를 말한다. 그리고, 본 실시형태에서는, 6개의 트레이(1)의 볼록부(11a)가, 원주 상에 연속해서 구성되는 볼록형 부분을 형성한다. 즉, 상기한 바와 같이, 볼록부(11a)는 원호형을 따라 형성되어 있기 때문에[도 5의 (B) 참조], 이 볼록부(11a)가 복수개 연속됨으로써, 복수의 원호를 조합한 원주형의 볼록형 부분이 형성된다. 한편 트레이(1)로서는, 후술하는 바와 같이, 볼록부(11a)를 갖고 있지 않은 것도 적용 가능한데(도 20 참조), 그 경우, 각 트레이(1)의 대향면에 의해, 일 평면이 형성되게 된다. 단, 각 트레이(1)의 경계에는, 약간의 홈이 생기고 있어도 좋다. 한편, 탑재부(33)의 내주측의 가장자리부는, 복수의 트레이(1)의 내주면(13)에 접하는 육각형 형상으로 되어 있다. 탑재부(33)의 외주측의 가장자리부는, 복수의 트레이(1)의 외주면(14)에 접하는 다각형 형상으로 되어 있다.The plurality of trays 1 are mounted on the mounting portion 33 of the rotary table 31, so that the facing surfaces 11 of the plurality of trays 1 are formed to have a portion that becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference. Has been. Here, that the opposing surfaces 11 of the plurality of trays 1 become the same plane refers to a case where the corresponding portions on the opposing surfaces 11 of the trays 1 have substantially the same height. And in the present embodiment, the convex portions 11a of the six trays 1 form a convex portion continuously configured on the circumference. That is, as described above, since the convex portion 11a is formed along an arc shape (see Fig. 5B), a plurality of the convex portions 11a are continuous, thereby combining a plurality of circular arcs. The convex portion of is formed. On the other hand, as the tray 1, as will be described later, it is also applicable that it does not have the convex portion 11a (see Fig. 20). In that case, a plane is formed by the opposite surface of each tray 1 . However, at the boundary of each tray 1, some grooves may be formed. On the other hand, the edge portion on the inner peripheral side of the mounting portion 33 has a hexagonal shape in contact with the inner peripheral surface 13 of the plurality of trays 1. The edge portion on the outer peripheral side of the mounting portion 33 has a polygonal shape in contact with the outer peripheral surface 14 of the plurality of trays 1.

보다 구체적으로는, 탑재부(33)는, 회전 테이블(31)의 표면과, 이 표면에 부착된 복수의 깔판(33a)의 가장자리부에 의해 구성되어 있다. 깔판(33a)은, 다각형 형상의 플레이트이고, 회전 테이블(31)의 표면에 환형으로 깔음으로써, 회전 테이블(31)의 표면과의 고저차를 발생시켜, 트레이(1)를 감입하는 오목부를 형성한다. 깔판(33a)의 표면의 높이는, 감입된 트레이(1)와 동일 평면이 되도록 설정되어 있다.More specifically, the mounting portion 33 is constituted by a surface of the rotary table 31 and an edge portion of a plurality of pallet plates 33a attached to the surface. The pallet 33a is a polygonal plate, and by spreading it in an annular shape on the surface of the turntable 31, a difference in elevation with the surface of the turntable 31 is generated, thereby forming a recess for fitting the tray 1 . The height of the surface of the pallet 33a is set so as to be flush with the inserted tray 1.

여기서 말하는 트레이(1)와 동일 평면이란, 각 깔판(33a)의 높이가, 트레이(1)에서의 상기 깔판이 접하는 부분의 높이와 실질적으로 동일한 높이가 되는 경우를 말한다. 이 때문에, 트레이(1)의 가장자리부에 고저차가 있는 경우에는, 트레이(1)의 가장자리부에 접하는 깔판(33a)이, 그 가장자리부의 높이와 동일하게 되어 있다. 단, 각 트레이(1)와 각 깔판(33a)의 경계에는, 약간의 홈이 생기고 있어도 좋다. 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이 트레이(1)는 볼록부(11a)를 갖고, 내주면(13)측보다 외주면(14)측이 두껍게 되어 있다. 이 때문에, 트레이(1)가 탑재부(33)에 탑재된 경우에, 내주면(13)측보다 외주면(14)측이 높아진다. 이에 대응시켜, 내주면(13)측의 깔판(33a)보다, 외주면(14)측의 깔판(33a)이 두껍게 형성되어, 트레이(1)와 동일 평면으로 되어 있다. 한편 도 20을 이용하여 설명하는 바와 같은, 볼록부(11a)를 갖고 있지 않은 트레이(1)를 이용하는 경우에는, 각 트레이(1)의 대향면(11)과 각 깔판(33a)의 상면에 의해, 일 평면이 형성되게 된다.The same plane as the tray 1 here refers to a case where the height of each pallet 33a becomes substantially the same height as the height of a portion of the tray 1 where the pallet contacts the pallet. For this reason, when there is a difference in height at the edge portion of the tray 1, the pallet 33a in contact with the edge portion of the tray 1 is equal to the height of the edge portion. However, at the boundary between each tray 1 and each pallet 33a, some grooves may be formed. In this embodiment, as described above, the tray 1 has a convex portion 11a, and the outer peripheral surface 14 side is thicker than the inner peripheral surface 13 side. For this reason, when the tray 1 is mounted on the mounting portion 33, the outer peripheral surface 14 side is higher than the inner peripheral surface 13 side. Correspondingly, the pallet 33a on the outer circumferential surface 14 side is formed thicker than the pallet 33a on the inner circumferential surface 13 side, so that the pallet 1 is flush with the tray 1. On the other hand, in the case of using the tray 1 that does not have the convex portion 11a as described with reference to FIG. 20, the opposite surface 11 of each tray 1 and the upper surface of each pallet 33a , A plane is formed.

또한, 탑재부(33)는, 규제부(33b)를 갖는다. 규제부(33b)는, 트레이(1)의 위치를 규제한다. 본 실시형태의 규제부(33b)는, 트레이(1)의 반송 경로(T)를 따르는 방향으로의 이동을 규제한다. 보다 구체적으로는, 규제부(33b)는, 트레이(1)의 규제면(14a)에 접하고, 반송 경로(T)에 교차하는 방향의 가장자리부이다. 이 규제부(33b)는, 규제면(14a)에 접함으로써, 트레이(1)의 위치가 둘레 방향으로 어긋나지 않도록 규제한다.Further, the mounting portion 33 has a regulating portion 33b. The regulating part 33b regulates the position of the tray 1. The regulation part 33b of this embodiment regulates the movement of the tray 1 in the direction along the conveyance path T. More specifically, the regulating portion 33b is an edge portion in a direction that contacts the regulating surface 14a of the tray 1 and intersects the conveyance path T. This regulation part 33b regulates so that the position of the tray 1 does not shift in the circumferential direction by contacting the regulation surface 14a.

본 실시형태에서는, 도 5의 (C), 도 7에 도시된 바와 같이, 각 트레이(1)에 3개의 워크(W)가 배치된다. 이 때문에, 합계로 18의 워크(W)를 처리할 수 있다. 회전 테이블(31)은, 워크(W)를 탑재한 트레이(1)를 순환 반송하여 성막부(40A, 40B, 40C), 막 처리부(50A, 50B)에 대향하는 위치를 반복해서 통과시킨다.In this embodiment, as shown in FIGS. 5C and 7, three workpieces W are disposed in each tray 1. For this reason, 18 workpieces W can be processed in total. The rotary table 31 cyclically conveys the tray 1 on which the work W is mounted, and repeatedly passes the positions facing the film forming portions 40A, 40B, and 40C and the film processing portions 50A, 50B.

한편, 워크(W)는, 트레이(1)의 대향면(11)에 대해 직접 배치되어도 좋고, 점착 시트 등을 통해 간접적으로 배치되어 있어도 좋다. 각 트레이(1)에 배치되는 워크(W)의 수는, 이것에는 한정되지 않는다. 트레이(1)마다 단수의 워크(W)가 배치되어도 좋고, 복수의 워크(W)가 배치되어도 좋다.On the other hand, the work W may be directly disposed with respect to the opposing surface 11 of the tray 1 or may be disposed indirectly through an adhesive sheet or the like. The number of workpieces W disposed on each tray 1 is not limited to this. A single work W may be disposed for each tray 1, or a plurality of work W may be disposed.

또한, 회전 테이블(31)에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 개구(31a), 캠 구멍(31b)이 형성되어 있다. 개구(31a)는, 회전 테이블(31)의 각 트레이(1)가 배치되는 원주 등배 위치에 형성된 관통 구멍이다. 캠 구멍(31b)은, 회전 테이블(31)의 바닥면에, 원주 등배 위치에 형성된 대략 원뿔 형상의 오목부이다(도 13 참조).Further, as shown in Fig. 6, the rotary table 31 is provided with an opening 31a and a cam hole 31b. The opening 31a is a through hole formed at a circumferential equality position in which each tray 1 of the rotary table 31 is disposed. The cam hole 31b is a substantially conical concave portion formed on the bottom surface of the rotary table 31 at a position equal to the circumference (see Fig. 13).

[성막부][Tabernacle]

성막부(40A, 40B, 40C)는, 반송 경로(T)에서 순환 반송되는 워크(W)에 대향하는 위치에 설치되고, 스퍼터링에 의해 워크(W)에 성막 재료를 퇴적시켜 막을 형성하는 처리부이다. 이하, 복수의 성막부(40A, 40B, 40C)를 구별하지 않는 경우에는, 성막부(40)로서 설명한다. 성막부(40)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 스퍼터원(4), 전원부(6), 실드 부재(8)를 갖는다.The film forming parts 40A, 40B, and 40C are installed at a position opposite to the work W to be circulated and conveyed in the conveying path T, and are a processing unit that deposits a film forming material on the work W by sputtering to form a film. . Hereinafter, the case where the plurality of film-forming parts 40A, 40B, and 40C is not distinguished will be described as the film-forming part 40. The film-forming part 40 has a sputter source 4, a power supply part 6, and a shield member 8, as shown in FIG. 3.

(스퍼터원)(Sputter One)

스퍼터원(4)은, 워크(W)에 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 성막 재료의 공급원이다. 스퍼터원(4)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 타겟(41A, 41B, 41C), 배킹 플레이트(42), 전극(43)을 갖는다. 타겟(41A, 41B, 41C)은, 워크(W)에 퇴적되어 막이 되는 성막 재료에 의해 형성되고, 반송 경로(T)에 이격되어 대향하는 위치에 배치되어 있다.The sputtering source 4 is a supply source of a film-forming material that deposits a film-forming material on the work W by sputtering to form a film. The sputter source 4 has targets 41A, 41B, and 41C, a backing plate 42, and an electrode 43, as shown in FIGS. 2 and 3. The targets 41A, 41B, and 41C are formed of a film-forming material deposited on the work W to become a film, and are spaced apart from the conveyance path T and disposed at positions facing each other.

본 실시형태에서는, 3개의 타겟(41A, 41B, 41C)이, 평면에서 보아 삼각형의 정점 상에 늘어서는 위치에 설치되어 있다. 회전 테이블(31)의 회전 중심에 가까운 쪽으로부터 외주를 향해, 타겟(41A, 41B, 41C)의 순서로 배치되어 있다. 이하, 타겟(41A, 41B, 41C)을 구별하지 않는 경우에는, 타겟(41)으로서 설명한다. 타겟(41)의 표면은, 반송부(30)에 의해 이동하는 워크(W)에, 이격되어 대향한다.In the present embodiment, the three targets 41A, 41B, and 41C are provided at positions arranged on the apex of a triangle in plan view. The targets 41A, 41B, and 41C are arranged in order from the side close to the rotation center of the rotary table 31 toward the outer periphery. Hereinafter, when the targets 41A, 41B, and 41C are not distinguished, a description will be given as the target 41. The surface of the target 41 is spaced apart from and opposed to the workpiece W that is moved by the conveyance unit 30.

한편, 3개의 타겟(41A, 41B, 41C)에 의해, 성막 재료를 부착시킬 수 있는 영역은, 반경 방향에서의 트레이(1)의 크기보다 크다. 이와 같이, 성막부(40)로 성막시키는 영역에 대응하여, 반송 경로(T)를 따른 원환형의 영역을 성막 영역(F)(도 2의 점선으로 나타냄)으로 한다. 성막 영역(F)의 반경 방향의 폭은, 반경 방향에서의 트레이(1)의 폭보다 길다. 또한, 본 실시형태에서는, 3개의 타겟(41A, 41B, 41C)은, 성막 영역(F)의 반경 방향의 폭 전역에서 간극 없이 성막 재료를 부착시킬 수 있도록 배치되어 있다.On the other hand, by the three targets 41A, 41B, and 41C, the area where the film forming material can be adhered is larger than the size of the tray 1 in the radial direction. In this way, corresponding to the region to be formed by the film formation unit 40, the annular region along the conveyance path T is referred to as the film formation region F (shown by the dotted line in Fig. 2). The width of the film formation region F in the radial direction is longer than the width of the tray 1 in the radial direction. In addition, in this embodiment, the three targets 41A, 41B, 41C are arrange|positioned so that a film-forming material can adhere without a gap in the entire width of the radial direction of the film-forming region F.

성막 재료로서는, 예컨대, 실리콘, 니오븀 등을 사용한다. 단, 스퍼터링에 의해 성막되는 재료이면, 여러 가지 재료를 적용 가능하다. 또한, 타겟(41)은, 예컨대, 원기둥 형상이다. 단, 타원기둥 형상, 각기둥 형상 등, 다른 형상이어도 좋다.As the film-forming material, for example, silicon, niobium, or the like is used. However, as long as it is a material formed into a film by sputtering, various materials can be applied. In addition, the target 41 has a cylindrical shape, for example. However, other shapes, such as an elliptical column shape and a prism shape, may be used.

배킹 플레이트(42)는, 각 타겟(41A, 41B, 41C)을 개별적으로 유지하는 부재이다. 전극(43)은, 챔버(20)의 외부로부터 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 개별적으로 전력을 인가하기 위한 도전성의 부재이다. 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 인가하는 전력은, 개별적으로 변경할 수 있다. 한편, 스퍼터원(4)에는, 필요에 따라 마그넷, 냉각 기구 등이 적절히 구비되어 있다.The backing plate 42 is a member that individually holds each of the targets 41A, 41B, and 41C. The electrode 43 is a conductive member for individually applying electric power to each of the targets 41A, 41B, and 41C from the outside of the chamber 20. The electric power applied to each of the targets 41A, 41B, and 41C can be individually changed. On the other hand, the sputter source 4 is properly provided with a magnet, a cooling mechanism, and the like as necessary.

(전원부)(Power part)

전원부(6)는, 타겟(41)에 전력을 인가하는 구성부이다. 이 전원부(6)에 의해 타겟(41)에 전력을 인가함으로써, 플라즈마화한 스퍼터 가스(G1)가 발생한다. 그리고, 플라즈마에 의해 발생한 이온이 타겟(41)에 충돌함으로써, 타겟(41)으로부터 내쫓긴 성막 재료를 워크(W)에 퇴적시킬 수 있다. 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 인가하는 전력은, 개별적으로 변경할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전원부(6)는, 예컨대, 고전압을 인가하는 DC 전원이다. 한편, 고주파 스퍼터를 행하는 장치의 경우에는, RF 전원으로 할 수도 있다. 회전 테이블(31)은, 접지된 챔버(20)와 동전위이고, 타겟(41)측에 고전압을 인가함으로써, 전위차를 발생시키고 있다.The power supply unit 6 is a configuration unit that applies electric power to the target 41. By applying electric power to the target 41 by the power supply unit 6, a sputter gas G1 converted into plasma is generated. Then, when ions generated by plasma collide with the target 41, the film-forming material expelled from the target 41 can be deposited on the work W. The electric power applied to each of the targets 41A, 41B, and 41C can be individually changed. In the present embodiment, the power supply unit 6 is, for example, a DC power supply to which a high voltage is applied. On the other hand, in the case of a device that performs high-frequency sputtering, it can also be used as an RF power source. The rotary table 31 is equal to the grounded chamber 20 and generates a potential difference by applying a high voltage to the target 41 side.

(실드 부재)(Shield member)

실드 부재(8)는, 도 3 및 도 8에 도시된 바와 같이, 트레이(1)에 배치된 워크(W)에 간격을 두고 대향하는 부재이다. 본 실시형태의 실드 부재(8)는, 워크(W)가 통과하는 측에 개구(81)를 갖고, 성막부(40)에 의한 성막이 행해지는 성막실(S)을 형성한다. 즉, 실드 부재(8)는, 스퍼터 가스(G1)가 도입되어, 플라즈마를 발생시키는 공간을 형성하고, 스퍼터 가스(G1) 및 성막 재료의 챔버(20) 내로의 누설을 억제한다.The shield member 8 is a member facing the work W arranged on the tray 1 at intervals, as shown in FIGS. 3 and 8. The shield member 8 of this embodiment has an opening 81 on the side through which the work W passes, and forms a film forming chamber S in which a film is formed by the film forming portion 40. That is, the shield member 8 forms a space in which the sputter gas G1 is introduced to generate plasma, and the leakage of the sputter gas G1 and the film forming material into the chamber 20 is suppressed.

실드 부재(8)는, 천장부(82), 측면부(83)를 갖는다. 천장부(82)는, 성막실(S)의 천장을 형성하는 부재이다. 천장부(82)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 회전 테이블(31)의 평면과 평행하게 배치된 대략 부채형의 판형체이다. 천장부(82)에는, 성막실(S) 내에 각 타겟(41A, 41B, 41C)이 노출되도록, 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 대응하는 위치에, 타겟(41A, 41B, 41C)의 크기 및 형상과 동일한 타겟 구멍(82a)이 형성되어 있다. 천장부(82)는, 타겟 구멍(82a)으로부터 타겟(41A, 41B, 41C)이 노출되도록, 챔버(20)의 천장(20a)에 부착되어 있다.The shield member 8 has a ceiling portion 82 and a side portion 83. The ceiling portion 82 is a member that forms the ceiling of the film formation chamber S. The ceiling portion 82 is a substantially fan-shaped plate body arranged parallel to the plane of the rotary table 31, as shown in FIG. 8. The size of the targets 41A, 41B, and 41C at positions corresponding to the targets 41A, 41B, and 41C so that the targets 41A, 41B and 41C are exposed in the film formation chamber S on the ceiling 82 And target holes 82a having the same shape are formed. The ceiling portion 82 is attached to the ceiling 20a of the chamber 20 so that the targets 41A, 41B, and 41C are exposed from the target hole 82a.

측면부(83)는, 성막실(S)의 둘레 가장자리의 측면을 형성하는 부재이다. 측면부(83)는, 외주벽(83a), 내주벽(83b), 격벽(83c, 83d)을 갖는다. 외주벽(83a) 및 내주벽(83b)은, 원호형으로 만곡된 직육면체 형상이고, 회전 테이블(31)의 평면에 직교하는 방향으로 수하(垂下)한 판형체이다. 외주벽(83a)의 상측 가장자리는, 천장부(82)의 외측 가장자리에 부착되어 있다. 내주벽(83b)의 상측 가장자리는, 천장부(82)의 내측 가장자리에 부착되어 있다. 또한, 실드 부재(8)의 내부에는, 타겟(41A, 41B, 41C)의 근방까지 가스 공급부(25)의 선단이 연장되어 있다.The side surface 83 is a member that forms a side surface of the peripheral edge of the film forming chamber S. The side surface 83 has an outer peripheral wall 83a, an inner peripheral wall 83b, and partition walls 83c and 83d. The outer circumferential wall 83a and the inner circumferential wall 83b are in the shape of a rectangular parallelepiped curved in an arc shape, and are plate-shaped bodies descending in a direction orthogonal to the plane of the rotary table 31. The upper edge of the outer peripheral wall 83a is attached to the outer edge of the ceiling portion 82. The upper edge of the inner circumferential wall 83b is attached to the inner edge of the ceiling portion 82. Moreover, inside the shield member 8, the tip end of the gas supply part 25 extends to the vicinity of the targets 41A, 41B, and 41C.

격벽(83c, 83d)은, 평탄한 직육면체 형상이고, 회전 테이블(31)의 평면에 직교하는 방향으로 수하한 판형체이다. 격벽(83c, 83d)의 상측 가장자리는, 각각이, 천장부(82)의 한 쌍의 반경 방향의 가장자리부에 부착되어 있다. 천장부(82)와 측면부(83)와의 접합부는, 기밀하게 밀봉되어 있다. 한편, 천장부(82)와 측면부(83)를, 일체적으로, 즉 공통의 재료에 의해 연속해서 형성해도 좋다. 이러한 실드 부재(8)에 의해, 상부 및 둘레 가장자리의 측면이 천장부(82) 및 측면부(83)에 의해 덮여지고, 워크(W)를 향하는 하부가 개구된 성막실(S)이 형성된다.The partition walls 83c and 83d have a flat rectangular parallelepiped shape, and are plate-shaped bodies that are dropped in a direction orthogonal to the plane of the rotary table 31. Each of the upper edge portions of the partition walls 83c and 83d is attached to a pair of radial edge portions of the ceiling portion 82. The joint portion between the ceiling portion 82 and the side portion 83 is hermetically sealed. On the other hand, the ceiling portion 82 and the side portion 83 may be formed integrally, that is, successively made of a common material. With this shield member 8, the side surfaces of the upper and circumferential edges are covered by the ceiling portion 82 and the side portion 83, and the film forming chamber S in which the lower portion toward the work W is opened is formed.

실드 부재(8)는, 평면에서 보아 회전 테이블(31)의 반경 방향에서의 중심측으로부터 외측을 향해 직경이 확대되는 대략 부채형으로 되어 있다. 여기서 말하는 대략 부채형이란, 부채의 선면(扇面)의 부분의 형태를 의미한다. 실드 부재(8)의 개구(81)도, 마찬가지로 대략 부채형이다. 회전 테이블(31) 상에 유지되는 워크(W)가 개구(81) 아래를 통과하는 속도는, 회전 테이블(31)의 반경 방향에서 중심측으로 향할수록 느려지고, 외측으로 향할수록 빨라진다. 그 때문에, 개구(81)가 단순한 직사각형 또는 정사각형이면, 반경 방향에서의 중심측과 외측에서 워크(W)가 개구(81) 바로 아래를 통과하는 시간에 차이가 발생한다. 개구(81)를 반경 방향에서의 중심측으로부터 외측을 향해 직경을 확대시킴으로써, 워크(W)가 개구(81)를 통과하는 시간을 일정하게 할 수 있고, 후술하는 플라즈마 처리를 균등하게 할 수 있다. 단, 통과하는 시간의 차이가 제품상 문제가 되지 않는 정도이면, 직사각형 또는 정사각형이어도 좋다. 실드 부재(8)의 재질로서는, 예컨대, 알루미늄이나 SUS를 이용할 수 있다.The shield member 8 has a substantially fan shape whose diameter expands from the center side in the radial direction of the rotary table 31 toward the outside in plan view. The approximately fan shape here means the shape of the part of the front surface of the fan. The opening 81 of the shield member 8 is similarly substantially fan-shaped. The speed at which the work W held on the rotary table 31 passes under the opening 81 becomes slower toward the center in the radial direction of the rotary table 31, and becomes faster toward the outside. For this reason, when the opening 81 is a simple rectangle or square, a difference occurs in time for the work W to pass right under the opening 81 from the center side and the outside in the radial direction. By expanding the diameter of the opening 81 from the center side in the radial direction toward the outside, the time for the work W to pass through the opening 81 can be made constant, and the plasma treatment described later can be equalized. . However, as long as the difference in passing time does not cause a problem on the product, it may be rectangular or square. As the material of the shield member 8, for example, aluminum or SUS can be used.

격벽(83c, 83d)의 하단과 회전 테이블(31) 사이에는, 도 3 및 도 9에 도시된 바와 같이, 회전하는 회전 테이블(31) 상의 워크(W)가 통과 가능한 간격(D1)이 형성되어 있다. 즉, 실드 부재(8)의 하측 가장자리와 워크(W) 사이에, 약간의 간극이 생기도록, 격벽(83c, 83d)의 높이가 설정되어 있다.Between the lower end of the partition walls 83c and 83d and the rotary table 31, as shown in Figs. 3 and 9, a distance D1 through which the work W on the rotating rotary table 31 can pass is formed. have. That is, the heights of the partition walls 83c and 83d are set so that a slight gap is formed between the lower edge of the shield member 8 and the work W.

보다 구체적으로는, 실드 부재(8)는, 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 볼록부(Cp)를 따르는 오목부(80)를 갖는다. 볼록부(Cp)를 따른다는 것은, 볼록부(Cp)를 따르는 형상인 것을 말한다. 본 실시형태에서는, 오목부(80)는, 볼록부(Cp)의 만곡을 따르는 곡면이다. 단, 오목부(80)와 볼록부(Cp) 사이는, 상기한 바와 같이 간격(D1)이 띄워져 있다. 즉, 오목부(80)를 포함하는 격벽(83c, 83d)의 하측 가장자리에는, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)을 비접촉으로 따르는 형상이 형성되어 있다. 워크(W)의 처리 대상면(Sp)과 실드 부재(8)와의 간격(D1)은, 볼록부(Cp)와 오목부(80)와의 간격도 포함하여, 1 ㎜∼15 ㎜로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 워크(W)의 통과를 허용하고, 내부의 성막실(S)의 압력을 유지하기 위함이다.More specifically, the shield member 8 has a concave portion 80 along the convex portion Cp of the work W disposed on the tray 1. To follow the convex portion Cp means to have a shape along the convex portion Cp. In this embodiment, the concave portion 80 is a curved surface along the curvature of the convex portion Cp. However, between the concave portion 80 and the convex portion Cp, as described above, the gap D1 is spaced. That is, the lower edge of the partition walls 83c and 83d including the concave portion 80 has a shape along the processing target surface Sp of the work W in a non-contact manner. It is preferable that the distance D1 between the processing target surface Sp of the work W and the shield member 8 is 1 mm to 15 mm, including the distance between the convex portion Cp and the concave portion 80. Do. This is to allow the passage of the work W and to maintain the pressure in the film formation chamber S inside.

이러한 실드 부재(8)에 의해, 도 2에 도시된 바와 같이, 스퍼터원(4)에 의해 워크(W)가 성막되는 성막 포지션(M2, M4, M5), 막 처리를 행하는 막 처리 포지션(M1, M3)이 구획된다. 실드 부재(8)에 의해, 성막 포지션(M2, M4, M5)의 반응 가스(G) 및 성막 재료가 진공실(21)로 확산되는 것을 억제할 수 있다.By such a shield member 8, as shown in FIG. 2, the film forming positions M2, M4, M5 at which the work W is formed by the sputter source 4, and the film processing position M1 for performing the film processing. , M3) is partitioned. The shield member 8 can suppress diffusion of the reactive gas G and the film-forming material into the vacuum chamber 21 at the film-forming positions M2, M4, and M5.

성막 포지션(M2, M4, M5)의 수평 방향의 범위는, 각 실드 부재(8)에 의해 구획된 영역이 된다. 한편, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송되는 워크(W)가, 성막 포지션(M2, M4, M5)의 타겟(41)에 대향하는 위치를 반복해서 통과함으로써, 워크(W)의 표면에 성막 재료가 막으로서 퇴적된다.The horizontal range of the film forming positions M2, M4, and M5 becomes a region partitioned by each shield member 8. On the other hand, by repeatedly passing the workpiece W to be circulated and conveyed by the rotary table 31 facing the target 41 of the film forming positions M2, M4, M5, a film is formed on the surface of the workpiece W. The material is deposited as a film.

성막 포지션(M2, M4, M5)의 각 실드 부재(8)로 구획된 성막실(S)은, 성막의 대부분이 행해지는 영역이지만, 성막실(S)로부터 벗어나는 영역이어도, 성막실(S)로부터의 성막 재료의 누설은 있기 때문에, 전혀 막의 퇴적이 없는 것은 아니다. 즉, 성막부(40)에서 성막이 행해지는 성막 영역(F)은, 실드 부재(8)로 구획되는 성막실(S)보다 약간 넓은 영역이 된다.The film formation chamber S divided by the shield members 8 at the film formation positions M2, M4, M5 is an area where most of the film formation is performed, but even if it is an area outside the film formation room S, the film formation room S Since there is leakage of the film-forming material from there, there is no film deposition at all. That is, the film formation region F in which the film formation is performed in the film formation portion 40 becomes a slightly wider region than the film formation chamber S partitioned by the shield member 8.

이러한 성막부(40)는, 복수의 성막부(40A, 40B, 40C)에 동일한 성막 재료를 이용하여 동시에 성막함으로써, 일정 시간 내에서의 성막량 즉, 성막 레이트를 올릴 수 있다. 또한, 복수의 성막부(40A, 40B, 40C)에 서로 상이한 종류의 성막 재료를 이용하여 동시 혹은 차례로 성막함으로써, 복수의 성막 재료의 층으로 이루어지는 막을 형성할 수도 있다.By simultaneously forming a film on the plurality of film-forming parts 40A, 40B, and 40C using the same film-forming material, the amount of film-forming, that is, the film-forming rate, can be increased within a certain time. Further, a film made of a plurality of layers of film-forming materials may be formed by simultaneously or sequentially forming a film on the plurality of film-forming portions 40A, 40B, and 40C using different types of film-forming materials.

[막 처리부][Film processing unit]

막 처리부(50A, 50B)는, 반송부(30)에 의해 반송되는 워크(W)에 퇴적된 재료에 대해 막 처리를 행하는 처리부이다. 이 막 처리는, 타겟(41)을 이용하지 않는 역스퍼터이다. 이하, 막 처리부(50A, 50B)를 구별하지 않는 경우에는, 막 처리부(50)로서 설명한다. 막 처리부(50)는, 처리 유닛(5)을 갖는다. 이 처리 유닛(5)의 구성예를 도 10의 단면도, 도 11의 분해 사시도, 도 13의 부분 확대도를 참조하여 설명한다.The film processing units 50A and 50B are processing units that perform a film treatment on the material deposited on the work W conveyed by the conveying unit 30. This film process is reverse sputtering without using the target 41. Hereinafter, the case where the film processing units 50A and 50B are not distinguished will be described as the film processing unit 50. The film processing unit 50 has a processing unit 5. A configuration example of this processing unit 5 will be described with reference to a cross-sectional view of FIG. 10, an exploded perspective view of FIG. 11, and a partially enlarged view of FIG. 13.

처리 유닛(5)은, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 통부(H), 창 부재(52), 공급부(53), 안테나(55), 실드 부재(58)를 갖는다. 통부(H)는, 일단의 개구(Ho)가, 챔버(20)의 내부의 반송 경로(T)로 향하는 방향으로 연장된 구성부이다. 통부(H)는, 통형체(51)와 대향부(h)를 갖는다. 대향부(h)는, 개구(Ho)를 갖고, 회전 테이블(31)로 향하는 구성부이다. 이들 통부(H)를 구성하는 부재 중, 먼저, 통형체(51)에 대해 설명하고, 대향부(h)에 대해서는 후술한다.The processing unit 5 has a cylinder portion H, a window member 52, a supply portion 53, an antenna 55, and a shield member 58, as shown in FIGS. 10 and 11. The cylindrical portion H is a configuration portion in which an opening Ho at one end extends in a direction toward the conveyance path T inside the chamber 20. The cylindrical part H has the cylindrical body 51 and the opposing part h. The opposing portion h is a structural portion having an opening Ho and directed to the rotary table 31. Among the members constituting the cylindrical portion H, first, the cylindrical body 51 is described, and the counter portion h is described later.

통형체(51)는, 수평 단면이 모서리가 둥근 직사각형 형상의 통이다. 여기서 말하는 모서리가 둥근 직사각형 형상이란, 육상 경기에서의 트랙 형상이다. 트랙 형상이란, 한 쌍의 부분 원을 볼록측을 상반되는 방향으로 해서 이격하여 대향시키고, 각각의 양단을 서로 병행한 직선으로 연결한 형상이다. 통형체(51)는, 회전 테이블(31)과 동일한 재질로 한다. 통형체(51)는, 개구(Ho)가 회전 테이블(31)측으로 이격하여 향하도록, 챔버(20)의 천장(20a)에 형성된 개구(21a)에 삽입되어 있다. 이에 의해, 통형체(51)의 측벽의 대부분은, 진공실(21) 내에 수용되어 있다. 통형체(51)는, 그 장직경 방향이 회전 테이블(31)의 반경 방향과 평행하게 되도록 배치되어 있다. 한편, 엄밀한 평행일 필요는 없고, 다소의 경사가 있어도 좋다.The cylindrical body 51 is a rectangular cylindrical shape whose horizontal cross section has rounded corners. The rectangular shape with rounded corners referred to herein is a track shape in an athletics competition. The track shape is a shape in which a pair of partial circles are opposed to each other with the convex side in opposite directions, and each both ends are connected by a straight line parallel to each other. The cylindrical body 51 is made of the same material as the rotary table 31. The cylindrical body 51 is inserted into the opening 21a formed in the ceiling 20a of the chamber 20 so that the opening Ho faces away from the rotary table 31 side. As a result, most of the side walls of the cylindrical body 51 are accommodated in the vacuum chamber 21. The cylindrical body 51 is disposed so that its long-diameter direction is parallel to the radial direction of the rotary table 31. On the other hand, it is not necessary to be strictly parallel, and there may be some inclination.

창 부재(52)는, 통부(H)에 설치되고, 챔버(20) 내의 프로세스 가스(G2)가 도입되는 가스 공간(R)과 외부 사이를 구획하는 부재이다. 본 실시형태에서는, 창 부재(52)는, 통부(H)를 구성하는 통형체(51)에 설치되어 있다. 가스 공간(R)은, 막 처리부(50)에서, 회전 테이블(31)과 통부(H)의 내부 사이에 형성되는 공간이고, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송되는 워크(W)가 반복해서 통과한다. 창 부재(52)는, 통형체(51)의 내부에 수납되고, 통형체(51)의 수평 단면과 대략 상사형(相似形)의 석영 등의 유전체의 평판이다. 창 부재(52)는, 상기한 바와 같이 배치된 통형체(51)의 수평 단면과 대략 상사형의 모서리가 둥근 직사각형 형상의 판이다. 즉, 창 부재(52)는, 반송 경로(T)를 따르는 방향의 길이보다, 반송 경로(T)에 교차하는 방향의 길이가 길다. 한편, 창 부재(52)는, 알루미나 등의 유전체여도 좋고, 실리콘 등의 반도체여도 좋다.The window member 52 is a member provided in the cylinder portion H and partitioning between the gas space R and the exterior into which the process gas G2 in the chamber 20 is introduced. In this embodiment, the window member 52 is provided on the cylindrical body 51 which comprises the cylindrical part H. The gas space R is a space formed between the rotary table 31 and the inside of the cylinder H in the film processing unit 50, and the work W circulated and conveyed by the rotary table 31 is repeatedly Pass through. The window member 52 is housed inside the cylindrical body 51 and is a flat plate of dielectric material such as quartz, which is substantially similar to the horizontal cross section of the cylindrical body 51. The window member 52 is a plate of a rectangular shape in which the horizontal cross section of the cylindrical body 51 arranged as described above and the corners of substantially similar shape are rounded. That is, the length of the window member 52 in the direction crossing the conveyance path T is longer than the length in the direction along the conveyance path T. On the other hand, the window member 52 may be a dielectric such as alumina or a semiconductor such as silicon.

통부(H)에는, 창 부재(52)를 지지하는 지지부(510)가 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 지지부(510)는, 통부(H)를 구성하는 통형체(51)에 설치되어 있다. 지지부(510)와 창 부재(52) 사이에, 가스 공간(R)과 외부 사이를 밀봉하는 시일 부재(21b)가 설치되어 있다.The support part 510 which supports the window member 52 is provided in the cylindrical part H. In this embodiment, the support part 510 is provided on the cylindrical body 51 which comprises the cylindrical part H. Between the support part 510 and the window member 52, a sealing member 21b for sealing between the gas space R and the outside is provided.

지지부(510)에는, 공급구(512)가 형성되어 있다. 공급구(512)는, 프로세스 가스(G2)를 통형체(51) 내에 공급하는 구멍이다. 공급구(512)는, 단면이 L자형이 되도록, 통형체(51)의 하단의 개구(51a)까지 관통하고 있다. 공급구(512)는, 지지부(510)에서 반송 경로(T)의 하류측과 상류측에 형성되어 있다. 각각의 공급구(512)는, 대향하는 위치에 형성되어 있다.A supply port 512 is formed in the support part 510. The supply port 512 is a hole for supplying the process gas G2 into the cylindrical body 51. The supply port 512 penetrates to the opening 51a at the lower end of the cylindrical body 51 so that the cross section becomes L-shaped. The supply ports 512 are formed on the downstream side and the upstream side of the conveyance path T by the support part 510. Each of the supply ports 512 is formed in an opposite position.

또한, 통형체(51)에서의 개구(51a)와는 반대측의 단부에는, 외측 플랜지(51b)가 형성되어 있다. 외측 플랜지(51b)의 하면과 챔버(20)의 상부면 사이에는, 전체 둘레에 걸치는 시일 부재(21b)가 배치되어, 개구(21a)가 기밀하게 밀봉되어 있다.Further, an outer flange 51b is formed at an end portion of the cylindrical body 51 on the opposite side to the opening 51a. Between the lower surface of the outer flange 51b and the upper surface of the chamber 20, a sealing member 21b spanning the entire circumference is disposed, and the opening 21a is hermetically sealed.

공급부(53)는, 가스 공간(R)에 프로세스 가스(G2)를 공급하는 장치이다. 공급부(53)는, 도시하지 않은 봄베 등의 프로세스 가스(G2)의 공급원과 이것에 접속된 배관(53b, 53c)을 갖고 있다. 또한, 도시는 하지 않으나, 공급부(53)는, 공급구(512)로부터 도입하는 프로세스 가스(G2)의 공급량을 조정하는 조절부를 갖는다. 조절부는, 공급부(53)의 단위 시간당의 프로세스 가스(G2)의 공급량을, 개별적으로 조절하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)이다. MFC는, 유체의 유량을 계측하는 질량 유량계와 유량을 제어하는 전자 밸브를 갖는 부재이다.The supply unit 53 is a device that supplies the process gas G2 to the gas space R. The supply unit 53 has a supply source of process gas G2 such as a cylinder (not shown) and pipes 53b and 53c connected thereto. Further, although not shown, the supply unit 53 has an adjustment unit that adjusts the supply amount of the process gas G2 introduced from the supply port 512. The adjustment unit is a mass flow controller (MFC) that individually adjusts the supply amount of the process gas G2 per unit time of the supply unit 53. The MFC is a member having a mass flow meter that measures the flow rate of a fluid and an electromagnetic valve that controls the flow rate.

안테나(55)는, 반송 경로(T)를 통과하는 워크(W)를 처리하기 위한 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 부재이다. 안테나(55)는, 가스 공간(R)의 외부이며 창 부재(52)의 근방에 배치된다. 안테나(55)에 전력이 인가됨으로써, 안테나 전류가 만드는 자계로 유도된 전계가 발생하여, 가스 공간(R)의 프로세스 가스(G2)를 플라즈마화한다. 안테나(55)의 형상에 의해 발생하는 유도 결합 플라즈마의 분포 형상을 변경할 수 있다. 본 실시형태에서는, 안테나(55)는, 평면 방향에서 보아 모서리가 둥근 직사각형의 전로(電路)를 도체에 의해 형성한다. 이에 의해, 통형체(51) 내의 가스 공간(R)의 수평 단면과 대략 상사하는 형상의 유도 결합 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The antenna 55 is a member that generates inductively coupled plasma for processing the work W passing through the conveyance path T. The antenna 55 is outside the gas space R and is disposed in the vicinity of the window member 52. When electric power is applied to the antenna 55, an electric field induced by a magnetic field generated by the antenna current is generated, and the process gas G2 in the gas space R is converted into plasma. The distribution shape of the inductively coupled plasma generated by the shape of the antenna 55 can be changed. In this embodiment, the antenna 55 forms a rectangular converter with rounded corners by a conductor when viewed in a planar direction. As a result, inductively coupled plasma having a shape substantially similar to the horizontal cross section of the gas space R in the cylindrical body 51 can be generated.

안테나(55)에는, 고주파 전력을 인가하기 위한 RF 전원(55a)이 접속되어 있다. RF 전원(55a)의 출력측에는 정합 회로인 매칭 박스(55b)가 직렬로 접속되어 있다. RF 전원(55a)과 안테나(55) 사이에는, 매칭 박스(55b)가 접속되어 있다. 매칭 박스(55b)는, 입력측 및 출력측의 임피던스를 정합시킴으로써, 플라즈마의 방전을 안정화시킨다.An RF power supply 55a for applying high frequency power is connected to the antenna 55. A matching box 55b serving as a matching circuit is connected in series to the output side of the RF power supply 55a. A matching box 55b is connected between the RF power supply 55a and the antenna 55. The matching box 55b stabilizes plasma discharge by matching impedances on the input side and the output side.

대향부(h)는, 냉각부(56), 분산부(57)를 갖는다. 냉각부(56)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 통형체(51)와 외형의 크기가 대략 동일한 모서리가 둥근 직사각형 형상의 통형 부재이고, 그 상면이 통형체(51)의 바닥면에 접하여 합치하는 위치에 설치되어 있다. 냉각부(56)의 내부에는, 도시는 하지 않으나, 냉각수가 유통되는 캐비티가 형성되어 있다. 캐비티에는, 냉각수를 순환 공급하는 냉각수 순환 장치인 칠러에 접속된 공급구와 배수구가 연통(連通)되어 있다. 이 칠러에 의해 냉각된 냉각수가 공급구로부터 공급되고, 캐비티 내를 유통하여 배수구로부터 배출되는 것을 반복함으로써, 냉각부(56)가 냉각되어, 통형체(51) 및 분산부(57)의 가열이 억제된다.The opposing portion h has a cooling portion 56 and a dispersion portion 57. As shown in FIG. 11, the cooling unit 56 is a cylindrical member having a rounded rectangular shape having approximately the same size as the cylindrical body 51, and its upper surface is in contact with the bottom surface of the cylindrical body 51 It is installed in a matching position. Inside the cooling unit 56, although not shown, a cavity through which cooling water flows is formed. In the cavity, a supply port and a drain port connected to a chiller, which is a cooling water circulation device for circulating and supplying cooling water, are in communication. The cooling water cooled by this chiller is supplied from the supply port, flows through the cavity, and discharged from the drain port, thereby cooling the cooling unit 56, and heating the tubular body 51 and the dispersion unit 57 Is suppressed.

분산부(57)는, 통형체(51), 냉각부(56)와 외형의 크기가 대략 동일한 모서리가 둥근 직사각형 형상의 통형 부재이고, 그 상면이 냉각부(56)의 바닥면에 접하여 합치하는 위치에 설치되어 있다. 분산부(57)에는, 분산판(57a)이 설치되어 있다. 분산판(57a)은, 공급구(512)와 간격을 두고, 또한, 공급구(512)에 대향하는 위치에 배치되며, 공급구(512)로부터 도입되는 프로세스 가스(G2)를 분산시켜, 가스 공간(R)에 유입시킨다. 이 분산판(57a)이 내측에 설치되어 있는 분만큼, 분산부(57)는, 환형 부분의 수평 방향의 폭이, 통형체(51)보다 커지고 있다.The dispersing part 57 is a cylindrical member of a rectangular shape with rounded corners having substantially the same dimensions as the cylindrical body 51 and the cooling part 56, and the upper surface thereof is in contact with the bottom surface of the cooling part 56 and conforms. Installed in the location. The dispersion plate 57a is provided in the dispersion unit 57. The dispersion plate 57a is disposed at a position opposite to the supply port 512 at a distance from the supply port 512, and disperses the process gas G2 introduced from the supply port 512, Inflow into space (R). The width of the annular portion in the horizontal direction of the distribution portion 57 is larger than that of the cylindrical body 51 by the amount of the distribution plate 57a provided inside.

공급부(53)로부터 공급구(512)를 통해, 가스 공간(R)에 프로세스 가스(G2)를 도입하고, RF 전원(55a)으로부터 안테나(55)에 고주파 전압을 인가한다. 그러면, 창 부재(52)를 통해, 가스 공간(R)에 전계가 발생하여, 프로세스 가스(G2)가 플라즈마화된다. 이에 의해, 전자, 이온 및 라디칼 등의 활성종이 발생한다.The process gas G2 is introduced into the gas space R from the supply unit 53 through the supply port 512, and a high-frequency voltage is applied to the antenna 55 from the RF power supply 55a. Then, through the window member 52, an electric field is generated in the gas space R, and the process gas G2 becomes plasma. As a result, active species such as electrons, ions and radicals are generated.

한편, 냉각부(56)와 통형체(51) 사이, 냉각부(56)와 분산부(57) 사이에는, 시트(561, 562)가 배치되어 있다. 시트(561, 562)는, 냉각부(56)와 통형체(51), 분산부(57)와의 밀착성을 높여, 열 전도성을 높이는 박판형의 부재이다. 예컨대, 카본 시트를 이용한다.On the other hand, between the cooling unit 56 and the cylindrical body 51, and between the cooling unit 56 and the dispersion unit 57, sheets 561 and 562 are disposed. The sheets 561 and 562 are thin plate-shaped members that increase the adhesion between the cooling unit 56 and the cylindrical body 51 and the dispersion unit 57 and increase thermal conductivity. For example, a carbon sheet is used.

실드 부재(58)는, 도 3, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 트레이(1)에 배치된 워크(W)에 간격을 두고 대향하는 부재이다. 본 실시형태의 실드 부재(58)는, 대향부(h)와 회전 테이블(31) 사이에, 대향부(h) 및 회전 테이블(31)에 대해 비접촉으로 또한 챔버(20)에 대해 부동(不動)으로 개재한다. 실드 부재(58)는, 플라즈마를 가두고, 프로세스 가스(G2)를 성막부(40)로 확산하는 것을 억제하는 기능을 갖는다. 실드 부재(58)는, 개구(Ho)에 대향하는 위치에 설치되고, 플라즈마 처리의 범위를 조절하는 조절 구멍(58a)이 형성되어 있다.The shield member 58 is a member facing the workpiece W disposed on the tray 1 at intervals, as shown in FIGS. 3 and 10 to 12. The shield member 58 of this embodiment is non-contact with the opposing part h and the rotating table 31 between the opposing part h and the rotating table 31, and floating with respect to the chamber 20. ). The shield member 58 has a function of confining plasma and suppressing diffusion of the process gas G2 to the film forming portion 40. The shield member 58 is provided at a position opposite to the opening Ho, and has an adjustment hole 58a for adjusting the range of plasma treatment.

또한, 실드 부재(58)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 볼록부(Cp)를 따르는 오목부(58c)를 갖는다. 볼록부(Cp)를 따른다는 것은, 볼록부(Cp)를 따르는 형상인 것을 말한다. 본 실시형태에서는, 오목부(58c)는, 볼록부(Cp)의 만곡을 따르는 곡면이다. 단, 오목부(58c)와 볼록부(Cp) 사이는 간격이 띄워져 있다. 즉, 오목부(58c)를 포함하는 실드 부재(58)의 하단은, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)을 비접촉으로 따르는 형상으로 형성되어 있다. 워크(W)의 처리 대상면(Sp)과 실드 부재(58)와의 간격(D2)은, 볼록부(Cp)와 오목부(58c)와의 간격도 포함하여, 1 ㎜∼15 ㎜로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 워크(W)의 통과를 허용하고, 내부의 가스 공간(R)의 압력을 유지하기 위함이다. 한편, 본 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이 분산부(57)와 실드 부재(58) 사이에 간격(d)이 발생하기 때문에, 간격(D2)과 간격(d)을 합쳐도, 15 ㎜를 넘지 않는 것이 바람직하다.Further, the shield member 58 has a concave portion 58c along the convex portion Cp of the work W disposed on the tray 1, as shown in FIG. 12. To follow the convex portion Cp means to have a shape along the convex portion Cp. In this embodiment, the concave portion 58c is a curved surface along the curvature of the convex portion Cp. However, there is a gap between the concave portion 58c and the convex portion Cp. That is, the lower end of the shield member 58 including the concave portion 58c is formed in a shape along the processing target surface Sp of the work W in a non-contact manner. It is preferable that the distance D2 between the processing target surface Sp of the work W and the shield member 58 is 1 mm to 15 mm, including the distance between the convex portion Cp and the concave portion 58c. Do. This is to allow the passage of the work W and to maintain the pressure of the gas space R inside. On the other hand, in this embodiment, since the gap d is generated between the dispersion part 57 and the shield member 58 as described later, even if the gap D2 and the gap d are combined, it does not exceed 15 mm. It is desirable.

보다 구체적으로는, 실드 부재(58)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 통형체(51)와 외형이 대략 동일한 모서리가 둥근 직사각형 형상의 환형의 플레이트이고, 기체(基體; 581), 차폐판(582)을 갖는다. 기체(581)는, 실드 부재(58)의 외형을 형성하는 두꺼운 평판 부분이다. 기체(581)에는, 상기한 오목부(58c)가 형성되어 있다. 차폐판(582)은, 기체(581)의 내측 가장자리에 형성되고, 기체(581)보다 얇은 평판 부분이며, 그 내측에 조절 구멍(58a)이 형성되어 있다. 조절 구멍(58a)은, 회전 테이블(31)의 외주측과 외주보다 회전 테이블(31)의 중심측(이하, 내주측이라고 부름)에서 크기가 상이하다. 워크(W)에 대해 플라즈마 처리, 즉 막 처리를 행하는 처리 영역의 프레임은, 조절 구멍(58a)으로 구획된다.More specifically, as shown in FIG. 11, the shield member 58 is an annular plate of a rectangular shape with rounded corners having substantially the same shape as the cylindrical body 51, and a base 581, a shielding plate Has 582. The base 581 is a thick flat plate that forms the outer shape of the shield member 58. In the base 581, the above-described concave portion 58c is formed. The shielding plate 582 is formed on the inner edge of the base 581, is a flat plate portion that is thinner than the base 581, and has an adjustment hole 58a formed therein. The adjustment hole 58a is different in size from the outer circumference side and the outer circumference of the rotation table 31 on the center side (hereinafter referred to as the inner circumference side) of the rotation table 31. A frame of a processing region for performing plasma treatment, that is, a film treatment on the workpiece W, is partitioned by an adjustment hole 58a.

여기서, 회전 테이블(31)의 외주측과 내주측을 비교하면, 일정 거리를 통과하는 속도에 차이가 발생한다. 즉, 본 실시형태의 통형체(51)와 같이, 장직경 방향이 회전 테이블(31)의 반경 방향과 평행하게 되도록 배치되어 있는 경우, 통형체(51)의 하부를 회전 테이블(31)이 통과하는 시간은, 내주측보다 외주측이 짧다.Here, when the outer circumferential side and the inner circumferential side of the rotary table 31 are compared, a difference occurs in the speed passing through a certain distance. That is, like the cylindrical body 51 of the present embodiment, when the long-diameter direction is arranged to be parallel to the radial direction of the rotary table 31, the rotary table 31 passes through the lower portion of the cylindrical body 51 The time to do is shorter on the outer circumferential side than on the inner circumferential side.

이 때문에, 본 실시형태에서는, 내주측과 외주측에서, 워크(W)가 플라즈마에 노출되는 시간이 동일하게 되어, 처리 레이트를 맞추기 위해서, 상기한 바와 같이, 차폐판(582)에 의해 플라즈마를 차폐하는 범위를 결정하고 있다. 즉, 조절 구멍(58a)의 형상에 의해, 플라즈마에 노출되는 범위를 결정하고 있게 된다. 이것은, 실드 부재(58)에, 개구(Ho)에 대향하는 위치에 설치되고, 플라즈마 처리의 범위를 조절하는 차폐판(582)을 갖는 것과, 플라즈마 처리의 범위를 조절하는 조절 구멍(58a)을 갖는 것은, 같은 뜻인 것을 의미하고 있다. 조절 구멍(58a)의 형상예로서는, 부채형이나 삼각형을 들 수 있다. 또한, 개구(Ho)보다 커지지 않는 범위에서, 부채형이나 삼각형의 중심각이 상이한 차폐판(582)으로 교환함으로써, 차폐의 범위를 변경할 수 있다.For this reason, in this embodiment, the time during which the work W is exposed to the plasma is the same on the inner and outer circumferential sides. In order to match the processing rate, plasma is applied by the shielding plate 582 as described above. The range to be shielded is determined. That is, the range exposed to the plasma is determined by the shape of the adjustment hole 58a. This is provided in the shield member 58 at a position opposite to the opening Ho, and has a shielding plate 582 for adjusting the range of plasma treatment, and an adjustment hole 58a for adjusting the range of plasma treatment. To have means to have the same meaning. As an example of the shape of the adjustment hole 58a, a fan shape and a triangle can be mentioned. In addition, the range of shielding can be changed by replacing the shielding plate 582 with a different fan-shaped or triangular center angle within the range not larger than the opening Ho.

실드 부재(58)는, 도전성 재료로 구성하면 된다. 또한, 전기 저항이 낮은 재료로 해도 좋다. 그러한 재료로서, 알루미늄, 스테인리스 또는 구리를 들 수 있다. 회전 테이블(31)과 동일한 재료로 구성해도 좋고, 상이한 재료로 구성해도 좋다. 실드 부재(58)는, 예컨대, 스테인리스강의 판형 부재의 표면에 산화알루미늄을 용사한 것으로 해도 좋다. 실드 부재(58)는, 워크(W)와 마찬가지로 플라즈마 처리되고, 열에 의해 열화되기 때문에 교환할 필요가 있다. 그래서, 플라즈마 처리의 내용에 따라, 에칭 방지제, 산화 방지제 또는 질화 방지제로 코팅함으로써, 교환 빈도를 줄일 수 있다. 또한, 통부(H)와 분리되어 구성되어 있기 때문에, 교환 작업은 용이해진다.The shield member 58 may be made of a conductive material. Further, a material having low electrical resistance may be used. As such a material, aluminum, stainless steel or copper can be mentioned. The rotary table 31 may be made of the same material or may be made of a different material. The shield member 58 may be formed by spraying aluminum oxide on the surface of, for example, a plate-shaped member of stainless steel. As with the work W, the shield member 58 is subjected to plasma treatment and is deteriorated by heat, so it needs to be replaced. Therefore, by coating with an anti-etching agent, an antioxidant, or an anti-nitriding agent depending on the content of the plasma treatment, the frequency of exchange can be reduced. Further, since it is configured to be separated from the cylinder portion H, the exchange operation becomes easy.

도 3 및 도 10에 도시된 바와 같이, 실드 부재(58)는, 지지 부재(58b)에 의해, 대향부(h)의 분산부(57)와 회전 테이블(31) 사이에, 비접촉으로 위치하도록 고정되어 있다. 지지 부재(58b)는, 회전 테이블(31)의 외측으로부터, 실드 부재(58)의 반경 방향 외측을 지지 고정하는 부재이다. 지지 부재(58b)는, 기둥형의 부재이고, 내저면(20b)으로부터 세워져 설치되며, 회전 테이블(31)의 표면보다 높은 위치까지 연장되어, 회전 테이블(31)의 외측 가장자리의 외측으로 연장된 기체(581)를 지지하고 있다. 즉, 분리 구조의 챔버(20)의 한쪽, 즉 개폐 가능한 천장(20a)에 통부(H)가 설치되어 있는 데 대해, 다른쪽, 즉 내저면(20b)에 회전 테이블(31) 및 실드 부재(58)가 설치되어 있다.3 and 10, the shield member 58 is positioned in a non-contact manner between the dispersion portion 57 of the opposing portion h and the rotary table 31 by the support member 58b. It is fixed. The support member 58b is a member that supports and fixes the outer side of the shield member 58 in the radial direction from the outside of the rotary table 31. The support member 58b is a columnar member, is installed standing up from the inner bottom surface 20b, extends to a position higher than the surface of the rotary table 31, and extends to the outside of the outer edge of the rotary table 31. It is supporting the body 581. That is, while the cylinder portion H is provided on one side of the chamber 20 of the separating structure, that is, on the ceiling 20a that can be opened and closed, the rotary table 31 and the shield member ( 58) is installed.

실드 부재(58)와 워크(W) 사이의 간격(D2)과, 분산부(57)와 실드 부재(58) 사이의 간격(d)의 관계에 대해 서술한다. 본 실시형태에서는, 분산부(57)와 실드 부재(58) 사이에 간격(d)이 발생하기 때문에, 가스 공간(R)의 압력을 유지하기 위해서, 간격(D2)을 가능한 한 짧게 하고, 간격(D2)과 간격(d)을 합쳐도, 5 ㎜ 이상이고 15 ㎜를 넘지 않는 것이 바람직하다. 즉, 5 ㎜≤D2+d≤15 ㎜로 하면 된다. 예컨대, 간격(D2)=간격(d)=5 ㎜ 정도로 하는 것이 고려된다.The relationship between the distance D2 between the shield member 58 and the work W and the distance d between the dispersion portion 57 and the shield member 58 will be described. In this embodiment, since the gap d is generated between the dispersion portion 57 and the shield member 58, in order to maintain the pressure of the gas space R, the gap D2 is made as short as possible, and the gap Even if (D2) and distance (d) are combined, it is preferable that it is 5 mm or more and does not exceed 15 mm. In other words, 5 mm≦D2+d≦15 mm may be used. For example, it is considered that the distance D2 = the distance d = 5 mm.

또한, 실드 부재(58)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 냉각부(583)를 갖는다. 냉각부(583)는, 실드 부재(58)의 내부에 설치되고, 냉각수가 유통되는 수로이다. 수로에는, 냉각수를 순환 공급하는 냉각수 순환 장치인 칠러에 접속된 공급구와 배수구가 연통되어 있다. 이 칠러에 의해 냉각된 냉각수가 공급구로부터 공급되고, 수로 내를 유통하여 배수구로부터 배출되는 것을 반복함으로써, 실드 부재(58)가 냉각된다. 수로는 배관에 의해 구성되는데, 예컨대, 지지 부재(58b)를 따라 내저면(20b)을 기밀하게 통과하여, 챔버(20) 밖으로 연장되어 있다.Further, the shield member 58 has a cooling portion 583 as shown in FIG. 10. The cooling part 583 is installed inside the shield member 58 and is a channel through which cooling water flows. In the water channel, a supply port and a drain port connected to a chiller, which is a cooling water circulation device for circulating and supplying cooling water, are in communication. The shield member 58 is cooled by repeating that the cooling water cooled by this chiller is supplied from the supply port, flows through the water channel and discharged from the drain port. The water channel is configured by a pipe, for example, airtightly passes through the inner bottom surface 20b along the support member 58b, and extends out of the chamber 20.

[로드록부][Load Lock]

로드록부(60)는, 진공실(21)의 진공을 유지한 상태에서, 도시하지 않은 반송 수단에 의해, 외부로부터 미처리의 워크(W)를 탑재한 트레이(1)를, 진공실(21)에 반입하고, 처리가 끝난 워크(W)를 탑재한 트레이(1)를 진공실(21) 외부로 반출하는 장치이다. 이 로드록부(60)는, 주지의 구조의 것을 적용할 수 있기 때문에, 설명을 생략한다.The load lock part 60 carries the tray 1 on which the unprocessed work W is mounted from the outside into the vacuum chamber 21 by a conveying means (not shown) while maintaining the vacuum in the vacuum chamber 21 Then, the tray 1 on which the processed workpiece W is mounted is carried out to the outside of the vacuum chamber 21. Since the load lock part 60 can be applied with a well-known structure, its description is omitted.

한편, 도 13에 도시된 바와 같이, 챔버(20) 내에는, 로드록부(60)를 통해, 외부와 회전 테이블(31) 사이에서, 트레이(1)를 반송하는 리프터(35)가 설치되어 있다. 리프터(35)는, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 로봇 아암(AM)과의 사이에서 트레이(1)의 전달을 행하는 위치와, 회전 테이블(31)에 대한 트레이(1)의 오르내림을 행하는 위치 사이를 승강한다. 이 때문에, 리프터(35)는, 회전 테이블(31)의 개구(31a) 내를 삽입 관통 가능하게 설치되어 있다.On the other hand, as shown in Fig. 13, in the chamber 20, through the load lock 60, between the outside and the rotary table 31, a lifter 35 for transporting the tray 1 is installed. . The lifter 35 is a position where the tray 1 is transferred between the robot arm AM and the tray 1 is moved up and down with respect to the rotary table 31 by a drive mechanism (not shown). Go up and down between. For this reason, the lifter 35 is provided so that the inside of the opening 31a of the rotary table 31 can be inserted.

또한, 챔버(20) 내에는, 회전 테이블(31)의 정지 위치를 결정하는 위치 결정핀(36)이 설치되어 있다. 위치 결정핀(36)은 선단이 원뿔 형상이고, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 캠 구멍(31b)에 선단이 삽입 및 분리되는 방향으로 이동한다. 모터(32)의 제어에 의해 회전 테이블(31)의 대략적인 위치 결정을 행한 후, 위치 결정핀(36)의 선단이, 캠 구멍(31b)에 삽입되면, 회전 테이블(31)의 탑재부(33)의 각 트레이(1)의 위치가, 로드록부(60)에 대응하는 위치에 맞는다.Further, in the chamber 20, a positioning pin 36 for determining the stop position of the rotary table 31 is provided. The positioning pin 36 has a conical tip and is moved in a direction in which the tip is inserted and separated into the cam hole 31b by a drive mechanism (not shown). After roughly positioning the rotary table 31 under the control of the motor 32, when the tip of the positioning pin 36 is inserted into the cam hole 31b, the mounting portion 33 of the rotary table 31 The position of each tray 1 in) fits the position corresponding to the load lock part 60.

[제어 장치][controller]

제어 장치(70)는, 진공 처리 장치(100)의 각부를 제어하는 장치이다. 이 제어 장치(70)는, 예컨대, 전용의 전자 회로 혹은 미리 정해진 프로그램으로 동작하는 컴퓨터 등에 의해 구성할 수 있다. 즉, 진공실(21)에의 스퍼터 가스(G1) 및 프로세스 가스(G2)의 도입 및 배기에 관한 제어, 전원부(6), RF 전원(55a)의 제어, 회전 테이블(31)의 회전의 제어 등에 대해서는, 그 제어 내용이 프로그램되어 있다. 제어 장치(70)는, 이 프로그램이 PLC나 CPU 등의 처리 장치에 의해 실행되는 것이며, 다종 다양한 플라즈마 처리의 사양에 대응 가능하다.The control device 70 is a device that controls each part of the vacuum processing device 100. This control device 70 can be configured by, for example, a dedicated electronic circuit or a computer operating with a predetermined program. That is, the control regarding the introduction and exhaust of the sputter gas G1 and the process gas G2 into the vacuum chamber 21, the control of the power supply unit 6, the RF power supply 55a, the control of the rotation of the rotary table 31, etc. , The control contents are programmed. In the control device 70, this program is executed by a processing device such as a PLC or a CPU, and can cope with various specifications of plasma processing.

구체적으로 제어되는 대상을 들면 이하와 같다. 즉, 모터(32)의 회전 속도, 진공 처리 장치(100)의 초기 배기 압력, 스퍼터원(4)의 선택, 타겟(41) 및 안테나(55)에의 인가 전력, 스퍼터 가스(G1) 및 프로세스 가스(G2)의 유량, 종류, 도입 시간 및 배기 시간, 성막 및 막 처리의 시간 등이다.The target specifically controlled is as follows. That is, the rotational speed of the motor 32, the initial exhaust pressure of the vacuum processing apparatus 100, the selection of the sputter source 4, the power applied to the target 41 and the antenna 55, the sputter gas G1 and the process gas (G2) flow rate, type, introduction time and exhaust time, film formation and film treatment time, and the like.

특히, 본 실시형태에서는, 제어 장치(70)는, 성막부(40)의 타겟(41)에의 전력의 인가, 가스 공급부(25)로부터의 스퍼터 가스(G1)의 공급량을 제어함으로써, 성막 레이트를 제어한다. 또한, 제어 장치(70)는, 안테나(55)에의 전력의 인가, 공급부(53)로부터의 프로세스 가스(G2)의 공급량을 제어함으로써, 막 처리 레이트를 제어한다.In particular, in the present embodiment, the control device 70 controls the application of electric power to the target 41 of the film forming unit 40 and the amount of supply of the sputter gas G1 from the gas supply unit 25 to control the film forming rate. Control. Further, the control device 70 controls the film processing rate by controlling the application of electric power to the antenna 55 and the amount of the process gas G2 supplied from the supply unit 53.

[동작][action]

이상과 같은 본 실시형태의 동작을 설명한다. 한편, 도시는 하지 않으나, 진공 처리 장치(100)에는, 로봇 아암(AM)에 의해, 워크(W)를 탑재한 트레이(1)의 반입, 반송, 반출이 행해진다.The operation of the present embodiment as described above will be described. On the other hand, although not shown, in the vacuum processing apparatus 100, the tray 1 on which the work W is mounted is carried in, conveyed, and taken out by the robot arm AM.

복수의 트레이(1)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 로봇 아암(AM)에 의해, 로드록부(60)를 통해, 챔버(20) 내에 순차 반입된다. 즉, 회전 테이블(31)은, 탑재부(33)의 트레이(1)의 탑재 위치를, 로드록부(60)로부터의 반입 개소로 이동시킨다. 위치 결정핀(36)이 상승하여 선단이 캠 구멍(31b)에 삽입됨으로써, 각 트레이(1)의 탑재 위치가, 로드록부(60)의 하부에 위치 결정된다.The plurality of trays 1 are sequentially carried into the chamber 20 by the robot arm AM, through the load lock part 60, as shown in FIG. 13. That is, the rotary table 31 moves the mounting position of the tray 1 of the mounting portion 33 to a loading position from the load lock portion 60. As the positioning pin 36 is raised and the tip is inserted into the cam hole 31b, the mounting position of each tray 1 is positioned below the load lock part 60.

리프터(35)가 상승하면, 로봇 아암(AM)에 유지된 트레이(1)를 지지하고, 로봇 아암(AM)이 퇴피한다. 리프터(35)가 하강함으로써, 회전 테이블(31)의 탑재부(33) 상에, 트레이(1)가 탑재된다. 이것을 순차 반복함으로써, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 워크(W)를 탑재한 트레이(1)가, 회전 테이블(31) 상에 환형으로 탑재된다.When the lifter 35 rises, the tray 1 held by the robot arm AM is supported, and the robot arm AM retracts. When the lifter 35 descends, the tray 1 is mounted on the mounting portion 33 of the rotary table 31. By sequentially repeating this, the tray 1 on which the work W is mounted is annularly mounted on the rotary table 31 as shown in FIGS. 2 and 3.

이와 같이 트레이(1)가 탑재되면, 트레이(1)의 대향면(11)은, 볼록부(11a)를 포함하여 원주 상에 연속해서, 전부 동일 평면이 된다. 또한, 깔판(33a)의 표면과 트레이(1)의 표면도, 전부 동일 평면이 된다. 이 때문에, 트레이(1)와, 실드 부재(8) 및 실드 부재(58)와의 간격은, 볼록부(Cp)도 포함하여, 전체 둘레에 걸쳐 일정해진다(도 9, 도 12 참조). 또한, 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 처리 대상면(Sp)은, 실드 부재(8), 실드 부재(58)에 대해 일정한 간격을 유지하면서, 트레이(1)의 대향면(11)보다 접근한다.When the tray 1 is mounted in this way, the facing surface 11 of the tray 1 is continuously on the circumference including the convex portion 11a, and all become the same plane. In addition, the surface of the pallet 33a and the surface of the tray 1 are all the same plane. For this reason, the space|interval between the tray 1, the shield member 8, and the shield member 58 becomes constant over the whole circumference including the convex part Cp (refer FIGS. 9 and 12). In addition, the processing target surface Sp of the workpiece W disposed on the tray 1 maintains a constant interval with respect to the shield member 8 and the shield member 58, while the opposite surface 11 of the tray 1 ) Than to approach.

이상과 같이 진공 처리 장치(100)에 도입된 워크(W)에 대한 막을 형성하는 처리는, 이하와 같이 행해진다. 한편, 이하의 동작은, 성막부(40A)만 및 막 처리부(50A)만이라고 하는 것처럼, 성막부(40)와 막 처리부(50) 중에서 각각 하나를 가동시켜 성막 및 막 처리를 행하는 예이다. 단, 복수 세트의 성막부(40), 막 처리부(50)를 가동시켜 처리 레이트를 높여도 좋다. 또한, 성막부(40) 및 막 처리부(50)에 의한 성막 및 막 처리의 예는, 산질화실리콘의 막을 형성하는 처리이다. 산질화실리콘의 막을 형성하는 것은, 워크(W)에 원자 레벨로 실리콘을 부착시킬 때마다, 산소 이온 및 질소 이온을 침투시키는 처리를, 워크(W)를 순환 반송시키면서 반복함으로써 행한다.The process of forming a film on the work W introduced into the vacuum processing apparatus 100 as described above is performed as follows. On the other hand, the following operation is an example of performing film formation and film processing by activating one of the film forming unit 40 and the film processing unit 50, respectively, as if only the film forming unit 40A and only the film processing unit 50A are referred to. However, a plurality of sets of film forming units 40 and 50 may be operated to increase the processing rate. In addition, an example of the film formation and film treatment by the film formation unit 40 and the film processing unit 50 is a treatment of forming a silicon oxynitride film. The formation of the silicon oxynitride film is performed by repeating the treatment of permeating oxygen ions and nitrogen ions each time silicon is deposited on the work W at the atomic level while circulating and conveying the work W.

먼저, 진공실(21)은, 배기부(23)에 의해 항상 배기되어 감압되어 있다. 그리고, 진공실(21)이 미리 정해진 압력에 도달하면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 회전 테이블(31)이 회전한다. 이에 의해, 탑재부(33)에 유지된 워크(W)는, 반송 경로(T)를 따라 이동하여, 성막부(40A, 40B, 40C) 및 막 처리부(50A, 50B) 아래를 통과한다. 회전 테이블(31)이 미리 정해진 회전 속도에 도달하면, 다음으로, 성막부(40)의 가스 공급부(25)는, 스퍼터 가스(G1)를, 타겟(41) 주위에 공급한다. 이때, 막 처리부(50)의 공급부(53)도, 프로세스 가스(G2)를 가스 공간(R)에 공급한다.First, the vacuum chamber 21 is always exhausted and depressurized by the exhaust unit 23. And, when the vacuum chamber 21 reaches a predetermined pressure, as shown in Figs. 2 and 3, the rotary table 31 rotates. Thereby, the work W held by the mounting part 33 moves along the conveyance path T, and passes under the film forming parts 40A, 40B, 40C and the film processing parts 50A, 50B. When the rotation table 31 reaches a predetermined rotational speed, the gas supply unit 25 of the film forming unit 40 supplies sputter gas G1 around the target 41 next. At this time, the supply unit 53 of the film processing unit 50 also supplies the process gas G2 to the gas space R.

성막부(40)에서는, 전원부(6)가 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 전력을 인가한다. 이에 의해, 스퍼터 가스(G1)가 플라즈마화한다. 스퍼터원(4)에서, 플라즈마에 의해 발생한 이온, 라디칼 등의 활성종은, 타겟(41)에 충돌하여 성막 재료의 입자를 날려 버린다. 이 때문에, 성막부(40)를 통과하는 워크(W)의 표면에는, 그 통과마다 성막 재료의 입자가 퇴적되어, 막이 생성된다. 이 예에서는, 실리콘의 층이 형성된다.In the film forming unit 40, the power supply unit 6 applies electric power to each of the targets 41A, 41B, and 41C. Thereby, the sputter gas G1 becomes plasma. In the sputter source 4, active species such as ions and radicals generated by plasma collide with the target 41 to blow away particles of the film-forming material. For this reason, on the surface of the work W passing through the film-forming part 40, particles of the film-forming material are deposited for each passage to form a film. In this example, a layer of silicon is formed.

전원부(6)는, 회전 테이블(31)의 내주측으로부터 외주측으로 감에 따라 순차 전력이 커지도록, 각 타겟(41A, 41B, 41C)에 전력을 인가한다. 이 때문에, 스퍼터링에 의한 단위 시간당의 성막량은, 내주측으로부터 외주측으로 갈수록 많아지지만, 내주측으로부터 외주측으로 갈수록 회전 테이블(31)의 통과 속도는, 빨라진다. 결과로서, 워크(W) 전체의 막 두께는 균일해진다.The power supply unit 6 applies electric power to each of the targets 41A, 41B, and 41C so that the power gradually increases as it goes from the inner circumferential side to the outer circumferential side of the rotary table 31. For this reason, the film-forming amount per unit time by sputtering increases from the inner circumferential side to the outer circumferential side, but the passing speed of the rotary table 31 increases from the inner circumferential side to the outer circumferential side. As a result, the film thickness of the entire work W becomes uniform.

한편, 워크(W)는, 가동하고 있지 않은 성막부(40)나 막 처리부(50)를 통과해도, 성막이나 막 처리는 행해지지 않기 때문에, 가열되지 않는다. 이 가열되지 않는 영역에서, 워크(W)는 열을 방출한다. 한편, 가동하고 있지 않은 성막부(40)란, 예컨대 성막 포지션(M4, M5)이다. 또한, 가동하고 있지 않은 막 처리부(50)란, 예컨대, 막 처리 포지션(M3)이다.On the other hand, even if the work W passes through the film-forming part 40 or the film-processing part 50 which is not in motion, since a film-forming or a film-processing is not performed, it is not heated. In this unheated region, the work W emits heat. On the other hand, the film-forming part 40 that is not in motion is, for example, film-forming positions M4 and M5. In addition, the film processing unit 50 that is not in operation is, for example, a film processing position M3.

한편, 성막된 워크(W)는, 처리 유닛(5)에서의 통형체(51)에 대향하는 위치를 통과한다. 처리 유닛(5)에서는, 도 3 및 도 10에 도시된 바와 같이, 공급부(53)로부터 공급구(512)를 통해, 통형체(51)에 프로세스 가스(G2)인 산소 및 질소가 공급되고, RF 전원(55a)으로부터 안테나(55)에 고주파 전압이 인가된다. 고주파 전압의 인가에 의해, 창 부재(52)를 통해, 가스 공간(R)에 전계가 가해져, 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마에 의해 발생한 산소 이온 및 질소 이온이, 성막된 워크(W)의 표면에 충돌함으로써, 막 재료에 침투한다. 차폐판(582)은, 개구(Ho)의 외측 가장자리 부분을 대략 덮음으로써, 덮은 부분에서 플라즈마를 차폐한다. 따라서, 플라즈마 처리는, 조절 구멍(58a)에 의해 규정된 범위에서 행해진다.On the other hand, the formed work W passes through a position in the processing unit 5 facing the cylindrical body 51. In the processing unit 5, as shown in Figs. 3 and 10, oxygen and nitrogen, which are process gases G2, are supplied to the cylindrical body 51 from the supply unit 53 through the supply port 512, A high frequency voltage is applied to the antenna 55 from the RF power source 55a. By application of a high frequency voltage, an electric field is applied to the gas space R through the window member 52 to generate plasma. Oxygen ions and nitrogen ions generated by the generated plasma collide with the surface of the formed work W, thereby penetrating into the film material. The shielding plate 582 substantially covers the outer edge portion of the opening Ho to shield plasma at the covered portion. Therefore, the plasma treatment is performed in the range defined by the adjustment hole 58a.

안테나(55)에 인가되는 인가 전력을 상승시켜도, 지지부(510)는 냉각부(56)에 의해 냉각되기 때문에, 온도 상승이 억제된다. 또한, 분산부(57)도, 냉각부(56)에 의해 냉각되기 때문에, 온도 상승이 억제된다. 그리고, 지지부(510)와 냉각부(56) 사이에는 열 전도성이 높은 시트(561)가 접촉하여 개재되고, 분산부(57)와 냉각부(56) 사이에는 열 전도성이 높은 시트(562)가 접촉하여 개재되어 있다. 이에 의해, 지지부(510), 분산부(57)의 열은 냉각부(56)에 효율적으로 전달된다.Even if the applied power applied to the antenna 55 is increased, since the support part 510 is cooled by the cooling part 56, an increase in temperature is suppressed. In addition, since the dispersion unit 57 is also cooled by the cooling unit 56, an increase in temperature is suppressed. In addition, a sheet 561 having high thermal conductivity is in contact with and interposed between the support portion 510 and the cooling portion 56, and a sheet 562 having high thermal conductivity is interposed between the dispersing portion 57 and the cooling portion 56. Intervening in contact. Accordingly, the heat of the support portion 510 and the dispersion portion 57 is efficiently transferred to the cooling portion 56.

또한, 플라즈마에 의한 산소 이온 및 질소 이온이 충돌함으로써, 실드 부재(58)도 가열되지만, 분산부(57)와는 간격(d)(도 12 참조)을 두고 분리되어 있기 때문에, 그 열은 분산부(57)에 전달되지 않는다. 만일, 실드 부재(58)가 열 변형했다고 해도, 그에 의한 변형이 분산부(57)에 전달되는 것도 방지된다. 또한, 실드 부재(58) 자체도, 냉각부(583)에 의해 냉각된다. 이상의 점에서, 실드 부재(58), 분산부(57), 지지부(510)의 가열에 의한 열 변형이 억제되기 때문에, 창 부재(52)의 변형이나 손상이 방지된다.In addition, when oxygen ions and nitrogen ions collide with each other by plasma, the shield member 58 is also heated, but since it is separated from the dispersing unit 57 at a distance d (see Fig. 12), the heat is separated from the dispersing unit. (57) is not delivered. Even if the shield member 58 is thermally deformed, the deformation caused by it is also prevented from being transmitted to the dispersing portion 57. Further, the shield member 58 itself is also cooled by the cooling unit 583. From the above point of view, since thermal deformation due to heating of the shield member 58, the dispersing part 57, and the support part 510 is suppressed, deformation or damage of the window member 52 is prevented.

이상과 같은 막을 형성하는 처리 동안, 회전 테이블(31)은 회전을 계속하여 워크(W)를 탑재한 트레이(1)를 계속해서 순환 반송한다. 이와 같이, 워크(W)를 순환시켜 성막과 막 처리를 반복함으로써, 워크(W)의 표면에 화합물막으로서 산질화실리콘의 막이 형성된다.During the process of forming the film as described above, the rotary table 31 continues to rotate and continuously circulates and conveys the tray 1 on which the work W is mounted. In this way, by circulating the work W and repeating the film formation and film treatment, a film of silicon oxynitride as a compound film is formed on the surface of the work W.

회전 테이블(31)이 회전해도, 트레이(1)의 대향면(11)은, 볼록부(11a)를 포함하여 원주 상에 연속하고 있고, 전부 동일 평면으로 되어 있다. 이 때문에, 워크(W)가 배치되어 있지 않은 개소에서도, 트레이(1)와 실드 부재(8) 및 실드 부재(58)와의 간격이 일정하게 유지되고, 크게 벌어지는 일이 없다.Even if the rotary table 31 rotates, the opposing surface 11 of the tray 1 is continuous on the circumference including the convex portion 11a, and all are on the same plane. For this reason, even at a location where the work W is not disposed, the distance between the tray 1 and the shield member 8 and the shield member 58 is kept constant, and there is no large gap.

산질화실리콘의 막이 소망의 막 두께가 되는 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, 성막부(40) 및 막 처리부(50)를 정지한다. 즉, 전원부(6)에 의한 타겟(41)에의 전력의 인가, 공급구(512)로부터의 프로세스 가스(G2)의 공급, RF 전원(55a)에 의한 전력의 인가 등을 정지한다.When a predetermined processing time in which the silicon oxynitride film becomes the desired film thickness has elapsed, the film forming unit 40 and the film processing unit 50 are stopped. That is, application of electric power to the target 41 by the power supply 6, supply of the process gas G2 from the supply port 512, application of electric power by the RF power supply 55a, and the like are stopped.

이와 같이, 막을 형성하는 처리가 완료된 후, 워크(W)를 탑재한 트레이(1)는, 회전 테이블(31)의 회전과 위치 결정핀(36)에 의해, 순차, 로드록부(60)에 위치 결정되어 리프터(35) 및 로봇 아암(AM)에 의해, 외부로 반출된다.In this way, after the film forming process is completed, the tray 1 on which the work W is mounted is sequentially positioned on the load lock unit 60 by the rotation of the rotary table 31 and the positioning pins 36. It is determined and carried out by the lifter 35 and the robot arm AM.

[작용 효과][Action effect]

이상과 같은 본 실시형태에서는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 설치된 회전 테이블(31)로서, 상기 회전 테이블(31)의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크(W)를 순환 반송하는 회전 테이블(31)과, 회전 테이블(31)에 탑재되고, 워크(W)를 배치하는 복수의 트레이(1)와, 회전 테이블(31)에 의해 반송되는 워크(W)에 대해, 도입된 반응 가스(G)를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 갖고, 처리부는, 회전 테이블(31)의 직경 방향에서 트레이(1)의 처리부에 대향하는 면과 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 처리부에 대향하는 면 사이에, 워크(W)가 통과 가능한 간격을 두고 대향하는 실드 부재(8, 58)를 가지며, 복수의 트레이(1)의 처리부에 대향하는 면은, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다.In the present embodiment as described above, as the chamber 20 capable of vacuuming the inside and the rotary table 31 provided in the chamber 20, the trajectory of the circumference centered on the rotation axis of the rotary table 31 A rotary table 31 that circulates and transports the workpiece W, and a plurality of trays 1 mounted on the rotary table 31 to place the workpieces W, and a workpiece transported by the rotary table 31 With respect to (W), it has a processing unit that converts the introduced reactive gas (G) into plasma and performs a predetermined processing, and the processing unit includes a surface facing the processing unit of the tray 1 in the radial direction of the rotary table 31 and the tray (1) It has a shield member (8, 58) facing each other with a space through which the workpiece (W) can pass between the surfaces facing the processing unit of the workpiece (W) disposed in (1), and the processing unit of the plurality of trays (1) The opposing surface has a part which becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference.

이 때문에, 워크(W)와 실드 부재(8, 58)와의 간격에 비해, 트레이(1)와 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되고, 처리부로부터의 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다. 또한, 상이한 반응 가스(G)를 이용하는 처리부를 포함하는 경우에, 반응 가스의 누설에 의한 상호의 컨태미네이션을 방지할 수 있다. 또한, 여러 가지 형상의 워크(W)에 대응한 형상의 트레이(1)를 준비해 둠으로써, 트레이(1)를 교환하는 것만으로, 워크(W)의 형상의 변경에 대응할 수 있다.For this reason, compared to the distance between the work W and the shield members 8 and 58, the distance between the tray 1 and the shield members 8 and 58 is prevented from being extremely enlarged, and the reaction gas G ) Leakage can be suppressed. Further, in the case of including a processing unit using different reactive gases G, mutual conformation due to leakage of reactive gases can be prevented. In addition, by preparing the tray 1 of a shape corresponding to the work W of various shapes, it is possible to cope with the change of the shape of the work W only by replacing the tray 1.

또한, 실드 부재(8, 58)와 워크(W)와의 간격을 조정함으로써, 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다. 실드 부재(58)는, 통부(H)로부터 분리되어 있기 때문에, 워크(W)와의 간격의 조정을 용이하고 또한 정확하게 행할 수 있다.Further, by adjusting the interval between the shield members 8 and 58 and the work W, leakage of the reactive gas G can be suppressed. Since the shield member 58 is separated from the cylinder portion H, it is possible to easily and accurately adjust the distance with the workpiece W.

워크(W)는, 처리부에 대향하는 면에 볼록부(Cp)를 갖고, 실드 부재(8, 58)는, 워크(W)의 볼록부(Cp)를 따르는 오목부(80, 58c)를 갖는다. 이 때문에, 워크(W)에 볼록부(Cp)가 있어도, 워크(W)와 실드 부재(8, 58)와의 간격이 확대되는 것이 방지되고, 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다.The work W has a convex portion Cp on a surface facing the processing unit, and the shield members 8 and 58 have concave portions 80 and 58c along the convex portion Cp of the work W. . For this reason, even if the work W has the convex portion Cp, the gap between the work W and the shield members 8 and 58 is prevented from being enlarged, and leakage of the reactive gas G can be suppressed.

트레이(1)는, 처리부에 대향하는 면에, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)를 따르는 볼록부(11a)를 갖는다. 이 때문에, 트레이(1)의 워크(W)가 배치되어 있지 않은 부분에서도, 트레이(1)와 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되고, 반응 가스(G)의 누설을, 보다 한층 억제할 수 있다.The tray 1 has a convex portion 11a along the concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58 on a surface facing the processing portion. For this reason, even in the portion where the work W is not disposed of the tray 1, the gap between the tray 1 and the shield members 8 and 58 is prevented from being extremely enlarged, and the reaction gas G leaks. Can be further suppressed.

회전 테이블(31)은, 트레이(1)의 위치를 규제하는 규제부(33b)를 갖는다. 이 때문에, 회전 테이블(31)의 회전에 의한 트레이(1)의 어긋남이 방지되어, 워크(W)의 위치가 안정된다.The rotary table 31 has a regulating portion 33b that regulates the position of the tray 1. For this reason, displacement of the tray 1 due to rotation of the rotary table 31 is prevented, and the position of the work W is stabilized.

[변형예][Modified example]

(1) 워크(W)의 형상, 종류 및 재료는 특정한 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 21에 도시된 바와 같이, 처리 대상면(Sp)이 각도가 상이한 복수의 평면으로 구성됨으로써, 상이한 평면끼리를 연결하는 부분에 의해 볼록부(Cp)가 형성된 워크(W)여도 좋다. 또한, 워크(W)의 두께에 따라서는, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 트레이(1)의 대향면(11)보다 위로 돌출되는 경우가 있다. 이 경우, 실드 부재(8, 58)에, 워크(W)의 돌출 부분을 피하는 오목부(80, 58c)를 형성하게 된다. 단, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)에, 볼록부(Cp)가 없어도 좋다. 워크(W)의 재료로서는, 금속, 카본 등의 도전성 재료를 포함하는 것, 유리나 고무 등의 절연물을 포함하는 것, 실리콘 등의 반도체를 포함하는 것을 이용해도 좋다. 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)는, 워크(W)의 볼록부(Cp)를 따르는 형상이면 되기 때문에, 워크(W)의 형상에 따라, 여러 가지 형상으로 할 수 있다. 또한, 트레이(1)의 볼록부(11a)는, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)를 따르는 형상이면 되기 때문에, 오목부(80, 58c)의 형상에 따라, 여러 가지 형상으로 할 수 있다.(1) The shape, type, and material of the work W are not limited to specific ones. For example, as shown in Fig. 21, the processing target surface Sp is constituted by a plurality of planes having different angles, and thus a work W having a convex portion Cp formed by a portion connecting the different planes may be used. In addition, depending on the thickness of the work W, the surface Sp to be processed of the work W may protrude above the opposing surface 11 of the tray 1. In this case, concave portions 80 and 58c are formed in the shield members 8 and 58 to avoid protruding portions of the work W. However, the convex portion Cp may not be present on the processing target surface Sp of the work W. As the material of the work W, one containing a conductive material such as metal and carbon, one containing an insulating material such as glass or rubber, and one containing a semiconductor such as silicon may be used. The concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58 may be formed in various shapes depending on the shape of the work W, since it may be in a shape along the convex portion Cp of the work W. . In addition, since the convex portion 11a of the tray 1 may have a shape along the concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58, various shapes of the concave portions 80 and 58c It can be made into a shape.

또한, 워크(W)의 성막되는 면은, 상기한 실시형태에서는, 볼록부(Cp)를 갖는 면을 성막하고 있었으나, 반대측의 면을 성막해도 좋다. 예컨대, 오목부(Rp)를 갖는 면을 성막해도 좋다. 이 경우, 실드 부재(8, 58)는, 오목부(Rp)를 따르는 볼록부를 갖고 있으면 된다. 또한, 트레이(1)는, 오목부(Rp)를 따르고, 실드 부재(8, 58)의 볼록부를 따르는 오목부를 갖고 있으면 된다.In addition, in the above-described embodiment, the surface of the work W on which the film is formed is the surface having the convex portion Cp, but the opposite surface may be formed. For example, a surface having the concave portion Rp may be formed. In this case, the shield members 8 and 58 should just have a convex portion along the concave portion Rp. Further, the tray 1 should just have a concave portion along the concave portion Rp and along the convex portion of the shield members 8 and 58.

예컨대, 도 14의 (A)에 도시된 바와 같이, 단면이 원호형이 되는 워크(W)와 같이, 워크(W)의 처리 대상면(Sp) 전체가 볼록부(Cp)로 되어 있어도 좋다. 이 경우, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)도 원호형으로 하고, 트레이(1)의 볼록부(11a)도 단면이 원호형이 되도록 형성한다. 또한, 도 14의 (B)에 도시된 바와 같이, 양 가장자리에 볼록부(Cp)를 가짐으로써, 처리 대상면(Sp) 전체가 처리부측으로 융기하여 접근하고 있는 형상이어도 좋다. 이 경우, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c), 트레이(1)의 볼록부(11a)도 처리 대상면(Sp)을 따르는 형상이 되도록 형성한다.For example, as shown in Fig. 14A, the entire surface to be processed Sp of the work W may be a convex portion Cp, like the work W having an arc shape in cross section. In this case, the concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58 are also formed in an arc shape, and the convex portions 11a of the tray 1 are also formed so that the cross-section becomes an arc shape. Further, as shown in Fig. 14B, by having the convex portions Cp at both edges, the entire processing target surface Sp may be raised and approached toward the processing portion. In this case, the concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58 and the convex portions 11a of the tray 1 are also formed to have a shape along the surface to be treated Sp.

(2) 실드 부재(8)에, 도 15에 도시된 바와 같이, 조정부(85)를 설치해도 좋다. 조정부(85)는, 성막되는 막의 막 두께 분포를 조정하는 부재이다. 조정부(85)는, 성막 영역(F)의 일부에, 성막 재료의 스퍼터 입자를 차폐하는 영역을 형성함으로써, 막 두께 분포를 보정한다. 즉, 스퍼터 입자가 많이 부착되어 막이 두꺼워지기 쉬운 개소에, 필요 이상으로 스퍼터 입자가 부착되지 않도록 차폐하는 부분이다. 즉, 조정부(85)는, 성막 재료를 차단하는 차폐부이다.(2) In the shield member 8, as shown in FIG. 15, an adjustment part 85 may be provided. The adjustment unit 85 is a member that adjusts the film thickness distribution of a film to be formed. The adjustment unit 85 corrects the film thickness distribution by forming a region in a part of the film formation region F to shield sputtered particles of the film formation material. That is, it is a part that shields so that sputter particles do not adhere more than necessary to places where a large number of sputter particles adhere and the film tends to become thick. That is, the adjustment part 85 is a shielding part that blocks the film-forming material.

예컨대, 도 15에서는, 실드 부재(8)의 격벽(83d)의 하단에, 성막실(S)의 내부의 방향으로 돌출된 면에 의해, 조정부(85)를 구성한다. 워크(W)의 볼록부(Cp)에 의해, 처리 대상면(Sp)이 타겟(41)에 근접함으로써, 막 두께 분포가 두꺼워지는 개소에, 성막실(S)측으로 돌출된 산을 형성하고 있다. 이에 의해, 산의 부분으로 스퍼터 입자를 차폐하여, 워크(W)에 필요 이상으로 부착되는 것이 방지되기 때문에, 막 두께 분포를 균일하게 할 수 있다.For example, in FIG. 15, the adjustment part 85 is comprised by the lower end of the partition wall 83d of the shield member 8 by the surface protruding in the inner direction of the film formation chamber S. Due to the convex portion Cp of the work W, a mountain protruding toward the film formation chamber S is formed at a location where the film thickness distribution becomes thicker when the processing target surface Sp approaches the target 41. . Thereby, the sputtered particles are shielded from the acid part and adhered to the work W more than necessary, so that the film thickness distribution can be made uniform.

(3) 실드 부재(8)를, 챔버(20)의 천장(20a)에 부착하는 것이 아니라, 지주 등에 의해, 챔버(20)의 내저면 또는 내주면에 지지되는 구성으로 해도 좋다. 이에 의해, 개폐되는 천장(20a)으로부터, 실드 부재(8)를 분리할 수 있고, 실드 부재(8)와 워크(W)와의 간격의 조정을 용이하고 또한 정확하게 행할 수 있다.(3) The shield member 8 may not be attached to the ceiling 20a of the chamber 20, but may be supported on the inner bottom surface or the inner circumferential surface of the chamber 20 by posts or the like. Thereby, the shield member 8 can be separated from the ceiling 20a to be opened and closed, and adjustment of the distance between the shield member 8 and the work W can be performed easily and accurately.

(4) 도 16에 도시된 바와 같이, 오목부(80)를, 실드 부재(8)에 착탈 가능한 착탈 부재(86)에 형성해도 좋다. 예컨대, 착탈 부재(86)를, 실드 부재(8)의 격벽(83c, 83d)에 착탈 가능하게 설치한다. 착탈 부재(86)는, 격벽(83d)과 동일한 형상이지만, 그 하측 가장자리에, 오목부(80a)가 형성되어 있다. 착탈 부재(86)에는, 위치 결정용의 위치 결정부(L)가 형성되어 있다. 본 양태의 위치 결정부(L)는, 갈고리를 굴곡시킨 후크형으로 되어 있다. 격벽(83c, 83d)에는, 복수의 대략 사각형의 라이트닝 홀(lightening hole; Na)이 형성되어, 경량화가 도모되어 있다. 라이트닝 홀(Na)의 하측 가장자리에는, 위치 결정부(L)가 걸리는 걸림부(Nb)가 형성되어 있다. 본 양태의 걸림부(Nb)는, 후크형의 위치 결정부(L)가 끼워지는 절결로 되어 있다.(4) As shown in FIG. 16, the concave portion 80 may be formed in the detachable member 86 that is detachable from the shield member 8. For example, the detachable member 86 is attached to and detachably from the partition walls 83c and 83d of the shield member 8. The detachable member 86 has the same shape as the partition wall 83d, but a recessed portion 80a is formed at the lower edge thereof. The detachable member 86 is provided with a positioning part L for positioning. The positioning part L of this embodiment is shaped like a hook in which a hook is bent. In the partition walls 83c and 83d, a plurality of substantially rectangular lighting holes (Na) are formed to reduce weight. At the lower edge of the lighting hole Na, a locking portion Nb to which the positioning portion L is caught is formed. The locking portion Nb of this embodiment is a notch into which the hook-shaped positioning portion L is fitted.

또한, 성막실(S)에서의 스퍼터링 시의 성막 재료는 착탈 부재(86)에 부착되기 때문에, 착탈 부재(86)는, 실드 부재(8)에의 막의 형성을 방지하는 방착판(防着板)으로서도 기능한다. 착탈 부재(86)를 벗겨 청소 또는 교환함으로써, 막을 제거할 수 있다. 이 때문에, 중량물인 실드 부재(8)를 청소 또는 교환하는 수고를 생략할 수 있다.In addition, since the film-forming material during sputtering in the film-forming chamber S adheres to the detachable member 86, the detachable member 86 is an anti-stick plate that prevents the formation of a film on the shield member 8. It also functions as The membrane can be removed by removing the detachable member 86 and cleaning or replacing it. For this reason, the trouble of cleaning or replacing the shield member 8 which is a heavy object can be omitted.

한편, 실드 부재(8)는, 상기한 실시형태에서는, 처리부를 전체 둘레에서 둘러싸는 벽을 구비한 구성으로 되어 있다. 단, 실드 부재(8)는, 회전 테이블(31)의 직경 방향에서, 트레이(1)의 처리부에 대향하는 면과 트레이(1)에 배치된 워크(W)의 처리부에 대향하는 면 사이에, 워크(W)가 통과 가능한 간격을 두고 대향하고 있으면 된다. 즉, 실드 부재(8)는, 반응 가스(G)의 누설을 방지하는 기능을 갖고 있으면 된다. 이 때문에, 예컨대, 실드 부재(8)는 적어도 격벽(83c, 83d)을 갖고 있으면 된다.On the other hand, in the above-described embodiment, the shield member 8 has a structure including a wall surrounding the processing unit around the entire circumference. However, the shield member 8 is between the surface facing the processing unit of the tray 1 and the surface facing the processing unit of the workpiece W disposed on the tray 1 in the radial direction of the rotary table 31, It is sufficient that the workpieces W face each other at a passable interval. That is, the shield member 8 should just have a function of preventing leakage of the reactive gas G. For this reason, for example, it is sufficient that the shield member 8 has at least the partition walls 83c and 83d.

(5) 도 17에 도시된 바와 같이, 트레이(1)에, 워크(W)가 감입되는 감입부(11b)를 형성해도 좋다. 감입부(11b)는, 워크(W)의 두께 방향의 일부 또는 전부가 매립되는 오목부이다. 이에 의해, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)과, 트레이(1)의 표면과의 고저차를 적게 하여, 워크(W) 이외의 트레이(1)의 표면과 실드 부재(8, 58)와의 간극이 확대되는 것을 방지하고, 반응 가스의 누설을 보다 한층 억제할 수 있다.(5) As shown in Fig. 17, the tray 1 may be provided with a fitting portion 11b into which the work W is fitted. The fitting portion 11b is a concave portion in which a part or all of the workpiece W is embedded in the thickness direction. Thereby, the difference in elevation between the surface of the workpiece W to be treated and the surface of the tray 1 is reduced, and the surface of the tray 1 other than the workpiece W and the shield members 8 and 58 The gap can be prevented from being enlarged, and leakage of the reaction gas can be further suppressed.

이 경우, 트레이(1)의 표면과 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 동일 평면이 되도록, 감입부(11b)의 깊이를 설정하는 것이 바람직하다. 이를 위한 구성으로서는, 예컨대, 도 18에 도시된 바와 같이, 감입부(11b)의 깊이와, 워크(W)의 두께를 대략 일치시켜도 좋다. 또한, 도 19에 도시된 바와 같이, 스페이서(11c)를 이용하여, 트레이(1)의 표면과 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 동일 평면이 되도록 해도 좋다. 예컨대, 감입부(11b)의 바닥면을, 회전 테이블(31)에 가까운 저위의 평탄면에 맞추고, 스페이서(11c)를 통해 워크(W)를 배치함으로써, 트레이(1)의 표면과 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 동일 평면이 되도록 해도 좋다. 이 경우, 워크(W)의 두께가 균등하고, 이에 맞춰 스페이서(11c)의 두께가 부분적으로 상이해도 좋다(도면 중 α). 워크(W)의 두께가 부분적으로 상이하고, 이것을 보충하도록, 균등한 두께의 스페이서(11c)를 개재시켜, 트레이(1)의 표면과 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 동일 평면이 되도록 해도 좋다(도면 중 β).In this case, it is preferable to set the depth of the fitting portion 11b so that the surface of the tray 1 and the surface to be treated Sp of the work W become the same plane. As a configuration for this, for example, as shown in Fig. 18, the depth of the fitting portion 11b and the thickness of the work W may be substantially matched. Further, as shown in Fig. 19, the spacer 11c may be used so that the surface of the tray 1 and the processing target surface Sp of the work W are on the same plane. For example, by aligning the bottom surface of the fitting portion 11b with the flat surface of the lower level close to the rotary table 31 and arranging the workpiece W through the spacer 11c, the surface of the tray 1 and the workpiece W ) May be the same plane. In this case, the thickness of the work W may be uniform, and accordingly, the thickness of the spacer 11c may be partially different (α in the drawing). The thickness of the work W is partially different, and spacers 11c of equal thickness are interposed therebetween to supplement this, so that the surface of the tray 1 and the surface to be treated (Sp) of the work W are the same plane. It may be possible (β in the drawing).

(6) 회전 테이블(31)에 의해 동시 반송되는 트레이(1), 워크(W)의 수는, 적어도 하나이면 되고, 상기한 실시형태에서 예시한 수에는 한정되지 않는다. 즉, 하나의 트레이(1), 하나의 워크(W)가 순환 반송되는 양태여도 좋고, 2개 이상의 트레이(1), 2개 이상의 워크(W)가 순환 반송되는 양태여도 좋다. 트레이(1)가 탑재부(33)의 일부에만 탑재되었다고 해도, 규제부(33b)에 의해 트레이(1)의 어긋남이 방지된다.(6) The number of trays 1 and workpieces W simultaneously conveyed by the rotary table 31 may be at least one, and is not limited to the number illustrated in the above-described embodiment. That is, one tray 1 and one workpiece W may be circulated and conveyed, or two or more trays 1 and two or more workpieces W may be circulated and conveyed. Even if the tray 1 is mounted only on a part of the mounting portion 33, the displacement of the tray 1 is prevented by the regulating portion 33b.

(7) 복수의 트레이(1)의 대향면(11)은, 도 20에 도시된 바와 같이, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되도록 형성되어 있으면 되고, 반드시 볼록부(11a)를 갖고 있지 않아도 좋다. 예컨대, 트레이(1)의 대향면(11)이 평탄면이어도 좋다. 또한, 실드 부재(8, 58)가, 오목부(80, 58c)를 갖고 있지 않아도 좋다. 즉, 복수의 트레이(1)의 대향면(11)이 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되도록 형성되어 있으면, 워크(W)가 존재하지 않는 개소에서, 트레이(1)와 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되고, 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다.(7) As shown in Fig. 20, the facing surfaces 11 of the plurality of trays 1 need only be formed to be in the same plane continuously along the trajectory of the circumference, and do not necessarily have the convex portions 11a. You don't need to. For example, the opposing surface 11 of the tray 1 may be a flat surface. In addition, the shield members 8 and 58 do not need to have the recesses 80 and 58c. In other words, if the opposing surfaces 11 of the plurality of trays 1 are formed so as to be continuously on the same plane along the trajectory of the circumference, the tray 1 and the shield member 8 are located at a location where the work W does not exist. , 58) is prevented from being extremely enlarged, and leakage of the reaction gas G can be suppressed.

(8) 탑재부(33)는, 회전 테이블(31)에 직접 형성한 오목부에 의해 구성해도 좋다. 또한, 트레이(1)는, 회전 테이블(31) 상에 깔 수 있으면 되기 때문에, 탑재부(33)는, 반드시 움푹 들어간 영역으로서 형성할 필요는 없다. 예컨대, 트레이(1)가, 반경 방향에서, 실드 부재(8, 58)보다 긴 경우에는, 회전 테이블(31)의 표면은 평탄해도 좋다. 한편, 트레이(1)를 유지하기 위한 구성으로서는, 홈, 구멍, 돌기, 지그, 홀더, 메커니컬 척, 점착 척 등을 갖고 있어도 좋다.(8) The mounting portion 33 may be constituted by a concave portion formed directly on the rotary table 31. In addition, since the tray 1 only needs to be laid on the rotary table 31, the mounting portion 33 need not necessarily be formed as a recessed area. For example, when the tray 1 is longer than the shield members 8 and 58 in the radial direction, the surface of the rotary table 31 may be flat. On the other hand, as a configuration for holding the tray 1, a groove, a hole, a projection, a jig, a holder, a mechanical chuck, an adhesive chuck, or the like may be provided.

(9) 도 22의 (A), (B)에 도시된 바와 같이, 회전 테이블(31)의 표면에, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)를 따르는 볼록부(31c)가, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖도록 형성해도 좋다. 이 경우도, 도 22의 (A)에 도시된 바와 같이, 회전 테이블(31)의 표면과 트레이(1)의 대향면(11)이 동일 평면이 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 대향면(11)에 볼록부(11a)를 갖는 트레이(1)를 탑재하면, 회전 테이블(31)의 표면과 트레이(1)가 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는 탑재부(33)를, 회전 테이블(31)에 형성하는 구성으로 해도 좋다. 이 경우에는, 워크(W)가 존재하지 않는 개소에서, 트레이(1)와 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되고, 트레이(1)가 존재하지 않는 개소에서도, 회전 테이블(31)의 표면과 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되며, 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다.(9) As shown in (A) and (B) of Fig. 22, on the surface of the rotary table 31, the convex portion 31c along the concave portions 80, 58c of the shield members 8, 58 A, you may form so that it may have the part which becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference. Also in this case, as shown in Fig. 22A, it is preferable to set so that the surface of the rotary table 31 and the opposing surface 11 of the tray 1 are on the same plane. In other words, when the tray 1 having the convex portion 11a is mounted on the opposite surface 11, the surface of the rotary table 31 and the tray 1 have a portion that becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference. The mounting portion 33 may be formed on the rotary table 31. In this case, the distance between the tray 1 and the shield members 8 and 58 is prevented from being excessively enlarged at the place where the work W does not exist, and the tray 1 is rotated even at a place where there is no presence. The gap between the surface of the table 31 and the shield members 8 and 58 is prevented from being extremely enlarged, and leakage of the reactive gas G can be suppressed.

또한, 상기한 바와 같이, 회전 테이블(31)의 표면에 볼록부(31c)를 형성하는 경우에, 도 22의 (B)에 도시된 바와 같이, 회전 테이블(31)에 직접 형성한 오목부에 의해, 워크(W)를 감입하는 감입부(31d)를 형성해도 좋다. 이 경우, 볼록부(Cp)를 갖는 워크(W)를 감입부(31d)에 감입하면, 회전 테이블(31)의 표면과 워크(W)의 표면이 원주의 궤적을 따라 동일 평면이 된다. 이와 같이 구성해도, 워크(W)가 존재하지 않는 개소에서, 회전 테이블(31)과 실드 부재(8, 58)와의 간격이 극단적으로 확대되는 것이 방지되고, 반응 가스(G)의 누설을 억제할 수 있다.Further, as described above, in the case of forming the convex portion 31c on the surface of the rotary table 31, as shown in Fig. 22B, the concave portion formed directly on the rotary table 31 As a result, the fitting portion 31d for fitting the work W may be formed. In this case, when the work W having the convex portion Cp is fitted into the fitting portion 31d, the surface of the rotary table 31 and the surface of the work W become the same plane along the trajectory of the circumference. Even with this configuration, in a location where the work W does not exist, the distance between the rotary table 31 and the shield members 8 and 58 is prevented from being extremely wide, and leakage of the reactive gas G can be suppressed. I can.

(10) 성막 재료에 대해서는, 스퍼터링에 의해 성막 가능한 여러 가지 재료를 적용 가능하다. 예컨대, 탄탈, 티탄, 알루미늄 등을 적용할 수 있다. 화합물로 하기 위한 재료에 대해서도, 여러 가지 재료를 적용 가능하다.(10) As for the film-forming material, various materials that can be film-formed by sputtering can be applied. For example, tantalum, titanium, aluminum, etc. can be applied. Various materials can also be applied to the material for forming the compound.

(11) 성막부에서의 타겟의 수는, 3개에는 한정되지 않는다. 타겟을 하나로 해도, 2개로 해도, 4개 이상으로 해도 좋다. 타겟의 수를 많게 하고, 인가 전력을 조절함으로써, 보다 정밀한 막 두께의 제어가 가능해진다. 또한, 성막부를 하나로 해도, 2개로 해도, 4개 이상으로 해도 좋다. 성막부의 수를 많게 하여, 성막 레이트를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 막 처리부의 수도 많게 하여, 막 처리 레이트를 향상시킬 수 있다.(11) The number of targets in the film forming portion is not limited to three. One, two, four or more targets may be used. By increasing the number of targets and adjusting the applied power, more precise control of the film thickness becomes possible. Further, the film forming portions may be one, two, or four or more. By increasing the number of film-forming parts, the film-forming rate can be improved. Accordingly, the number of film treatment units can be increased, and the film treatment rate can be improved.

(12) 성막부(40) 및 막 처리부(50) 중 어느 한쪽만을 작동시키도록 운전해도 좋다. 또한, 처리부로서는, 성막부(40) 및 막 처리부(50) 중 적어도 한쪽을 갖고 있으면 된다. 또한, 처리부는, 성막 및 이에 대한 막 처리에는 한정되지 않는다. 플라즈마에 의해 발생시킨 활성종을 이용하여, 처리 대상에 처리를 행하는 진공 처리 장치에 적용할 수 있다. 예컨대, 처리 유닛에서, 가스 공간 내에 플라즈마를 발생시켜, 에칭, 애싱 등의 표면 개질, 클리닝 등을 행하는 진공 처리 장치로서 구성해도 좋다. 이 경우, 예컨대, 아르곤 등의 불활성 가스를 프로세스 가스로 하는 것이 고려된다.(12) You may operate so that only either of the film forming part 40 and the film processing part 50 may be operated. In addition, as the processing unit, it is sufficient to have at least one of the film forming unit 40 and the film processing unit 50. In addition, the processing unit is not limited to film formation and film processing therefor. It can be applied to a vacuum processing apparatus that performs a treatment on an object to be treated using active species generated by plasma. For example, a processing unit may be configured as a vacuum processing apparatus that generates plasma in a gas space to perform surface modification such as etching and ashing, cleaning, and the like. In this case, it is considered to use an inert gas such as argon as the process gas.

(13) 통형체, 창 부재, 안테나의 형상도, 상기한 실시형태에서 예시한 것에는 한정되지 않는다. 수평 단면이 사각형, 원형, 타원형이어도 좋다. 상기한 실시형태에서는, 통부(H)와 실드 부재(58)가 분리된 구조였으나, 통부(H)와 실드 부재(58)가 일체로 된 구조도, 본 발명에 포함된다. 또한, 성막부(40), 막 처리부(50)는, 상기한 양태에는 한정되지 않는다. 예컨대, 막 처리부(50)에서 발생시키는 플라즈마는, 유도 결합 플라즈마에는 한정되지 않는다.(13) The shapes of the cylindrical body, the window member, and the antenna are also not limited to those illustrated in the above-described embodiment. The horizontal cross section may be square, circular, or oval. In the above-described embodiment, the cylinder portion H and the shield member 58 were separated from each other, but a structure in which the cylinder portion H and the shield member 58 are integrated is also included in the present invention. In addition, the film forming part 40 and the film processing part 50 are not limited to the above-described aspect. For example, the plasma generated by the film processing unit 50 is not limited to the inductively coupled plasma.

(14) 회전 테이블(31)에 트레이(1)를 탑재하는 탑재부(33)를 갖는 진공 처리 장치, 상기와 같은 트레이(1)도 본 발명의 일 양태이다.(14) A vacuum processing apparatus having a mounting portion 33 for mounting the tray 1 on the rotary table 31, and the tray 1 as described above are also an aspect of the present invention.

(15) 상기한 양태에서는, 수평으로 배치한 회전 테이블(31)의 상면에 탑재부(33)를 형성하고, 이 회전 테이블(31)을 수평면 내에서 회전시키며, 이 회전 테이블(31)의 상방에 성막부(40) 및 막 처리부(50)를 배치하는 것으로서 설명하였으나, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 회전 테이블(31)의 배치는, 수평에 한하지 않고 수직의 배치여도 경사진 배치여도 좋다. 또한, 탑재부(33)도, 회전 테이블(31)의 적어도 한쪽 면에 형성되어 있으면 되고, 수평 배치한 회전 테이블(31)의 하면에 형성하도록 해도 좋다. 또한, 회전 테이블(31)의 양방의 면에 형성하도록 해도 좋다. 또한, 성막부(40)와 막 처리부(50)는, 회전 테이블(31)의 탑재부(33)가 형성된 면에 대향하여 배치되어 있으면 된다. 따라서, 예컨대, 수평 배치한 회전 테이블(31)의 하면에 탑재부(33)를 형성한 경우에는, 성막부(40)와 막 처리부(50)를, 회전 테이블(31)의 하측으로부터 회전 테이블(31)에 대향하는 위치에 배치하면 된다. 한편, 회전 테이블(31)을 수직이나 경사진 배치로 하거나, 회전 테이블(31)의 하측에 탑재부(33)를 형성하거나 한 경우, 탑재부(33)에 트레이(1)를 착탈 가능하게 유지하기 위한 유지 기구, 예컨대, 척 기구 등을 설치하면 된다. 또한, 아울러 트레이(1)에도, 워크를 착탈 가능하게 유지하기 위한 척 기구 등의 유지 기구나, 워크를 감입함으로써 유지시킬 수 있는 갈고리 부재 등에 의해 협지(挾持)하는 유지 기구를 설치하도록 해도 좋다.(15) In the above-described aspect, the mounting portion 33 is formed on the upper surface of the horizontally arranged rotary table 31, and the rotary table 31 is rotated in a horizontal plane, and above the rotary table 31 Although it has been described as arranging the film-forming part 40 and the film-processing part 50, it is not limited to this. For example, the arrangement of the rotary table 31 is not limited to the horizontal, and may be a vertical arrangement or an inclined arrangement. Further, the mounting portion 33 may also be formed on at least one surface of the rotary table 31, or may be formed on the lower surface of the horizontally arranged rotary table 31. Further, it may be formed on both surfaces of the rotary table 31. In addition, the film-forming part 40 and the film-processing part 50 should just be arrange|positioned opposite to the surface on which the mounting part 33 of the rotation table 31 was formed. Therefore, for example, in the case where the mounting portion 33 is formed on the lower surface of the horizontally arranged rotary table 31, the film forming portion 40 and the film processing portion 50 are moved from the lower side of the rotary table 31 to the rotary table 31 You can place it in a position opposite to ). On the other hand, when the rotary table 31 is arranged vertically or inclined, or a mounting portion 33 is formed under the rotary table 31, the tray 1 is detachably held on the mounting portion 33 A holding mechanism such as a chuck mechanism may be provided. In addition, in addition, the tray 1 may also be provided with a holding mechanism such as a chuck mechanism for detachably holding the workpiece, or a holding mechanism that is held by a claw member that can be held by fitting the workpiece.

성막부(40)와 막 처리부(50)를, 회전 테이블(31)의 하측으로부터 회전 테이블(31)에 대향하는 위치에 배치하는 변형예를, 도 23 내지 도 29를 참조하여 설명한다. 도 23은 변형예의 회전 테이블(31)의 하면도, 도 24는 변형예의 회전 테이블(31)을 편입시키고, 성막부(40) 및 막 처리부(50)를 회전 테이블(31)의 하측에 배치한 진공 처리 장치의 C-C선 단면도이다. 도 25는 변형예의 트레이(1)를 도시한 사시도이다. 도 26은 트레이(1)에 대한 워크(W)의 장착, 회전 테이블(31)에 대한 트레이(1)의 장착을 도시한 설명도이다. 도 27은 다른 변형예의 트레이(1)를 도시한 분해 사시도이다. 도 28은 다른 변형예의 트레이(1)를 도시한 분해 사시도, 도 29의 (A)는 사시도, 도 29의 (B)는 단면도이다.A modified example in which the film forming unit 40 and the film processing unit 50 are disposed at a position opposite to the rotary table 31 from the lower side of the rotary table 31 will be described with reference to FIGS. 23 to 29. Fig. 23 is a bottom view of the rotary table 31 of the modified example, and Fig. 24 is a rotation table 31 of the modified example incorporated, and the film forming unit 40 and the film processing unit 50 are disposed below the rotary table 31. It is a cross-sectional view taken along the line CC of the vacuum processing device. 25 is a perspective view showing a tray 1 of a modified example. 26 is an explanatory view showing mounting of the work W to the tray 1 and mounting of the tray 1 to the rotary table 31. 27 is an exploded perspective view showing the tray 1 of another modified example. Fig. 28 is an exploded perspective view showing the tray 1 of another modified example, Fig. 29A is a perspective view, and Fig. 29B is a cross-sectional view.

(성막부 및 막 처리부)(Film formation part and film processing part)

도 24에 도시된 바와 같이, 성막부(40) 및 막 처리부(50)는, 회전 테이블(31)의 하측에 배치되어 있다. 성막부(40) 및 막 처리부(50)는, 상기한 양태와 동일한 구성이지만, 상하가 반전되어 설치되어 있다. 이 때문에, 실드 부재(8)의 개구(81), 실드 부재(58)의 조절 구멍(58a)(도 10, 도 11 참조)은 상방으로 향하고, 회전 테이블(31)의 하측에 대향하고 있다.As shown in FIG. 24, the film forming part 40 and the film processing part 50 are arrange|positioned under the rotation table 31. The film-forming part 40 and the film-processing part 50 have the same structure as the above-described aspect, but are provided with the top and bottom inverted. For this reason, the opening 81 of the shield member 8 and the adjustment hole 58a of the shield member 58 (refer to FIGS. 10 and 11) face upward and face the lower side of the rotary table 31.

실드 부재(8)는, 천장부(82)가 챔버(20)의 내저면(20b)과 접하도록 부착되어 있다. 여기서 말하는 천장부(82)는, 이 변형예에서는 하측이 된다. 실드 부재(58)는, 상기한 양태와 마찬가지로, 지지 부재(58b)에 의해, 대향부(h)의 분산부(57)와 회전 테이블(31) 사이에, 비접촉으로 위치하도록 고정되어 있다.The shield member 8 is attached so that the ceiling portion 82 is in contact with the inner bottom surface 20b of the chamber 20. The ceiling part 82 referred to here becomes the lower side in this modification. As in the above-described aspect, the shield member 58 is fixed so as to be positioned non-contact between the dispersion portion 57 of the counter portion h and the rotary table 31 by the support member 58b.

(트레이)(tray)

트레이(1)는, 도 25의 사시도에 도시된 바와 같이, 대략 부채형 형상의 판형체이다. 한편, 도 25는 성막부(40), 막 처리부(50)에 대향하는 대향면(11)측을 위로 하여 도시하고 있다. 트레이(1)가 회전 테이블(31)에 탑재될 때에는, 도 23, 도 24, 도 26의 (B), (C)에 도시된 바와 같이, 대향면(11)은 하측으로 향한다. 여기서, 트레이(1)의 대향면(11)을 갖는 측을 대향부(X1), 그 반대면의 측을 지지부(X2)로 한다.The tray 1 is a substantially fan-shaped plate-shaped body, as shown in the perspective view of FIG. 25. On the other hand, FIG. 25 shows the film-forming part 40 and the opposing surface 11 facing the film-processing part 50 side up. When the tray 1 is mounted on the rotary table 31, the opposing surface 11 faces downward, as shown in FIGS. 23, 24 and 26B and 26C. Here, the side with the facing surface 11 of the tray 1 is referred to as the facing portion X1, and the side of the opposite surface is referred to as the support portion X2.

트레이(1)의 지지부(X2)의 외형 형상은, 대향부(X1)의 외형 형상과 대략 동일하지만, 그 사이즈는, 대향부(X1)보다 한층 크다. 이 때문에, 트레이(1)는, 대향부(X1)의 외주보다 지지부(X2)의 외주가, 전체 둘레에 걸쳐 외측으로 돌출된 돌출부(15)를 갖고 있다. 또한, 대향부(X1)는, 실드 부재(8)의 오목부(80), 실드 부재(58)의 오목부(58c)를 따르는 볼록부(11a)를 갖는다.The outer shape of the support portion X2 of the tray 1 is substantially the same as the outer shape of the counter portion X1, but its size is much larger than that of the counter portion X1. For this reason, the tray 1 has a protruding portion 15 in which the outer periphery of the support portion X2 protrudes outward over the entire periphery of the counter portion X1. Further, the facing portion X1 has a concave portion 80 of the shield member 8 and a convex portion 11a along the concave portion 58c of the shield member 58.

트레이(1)는, 상하 방향으로 관통한 복수의 개구(16)를 갖는다. 여기서, 도 26의 (A)에 도시된 바와 같이, 개구(16)는, 지지부(X2)측이 대향부(X1)측보다 한층 크게 되어 있다. 보다 구체적으로는, 개구(16)의 지지부(X2)측은, 워크(W)를 트레이(1)의 내부에 넣는 것이 가능한 크기의 삽입부(16a)로 되어 있다. 또한, 개구(16)의 대향부(X1)측은, 내측으로 융기하여 트레이(1)를 유지 가능한 유지부(16b)로 되어 있다. 유지부(16b)의 내주는, 워크(W)의 외형과 대략 동일한 형상이지만, 워크(W)보다 한층 작게 되어 있기 때문에, 도 23, 도 24, 도 26의 (B)에 도시된 바와 같이, 삽입부(16a)로부터 삽입된 워크(W)의 처리 대상면(Sp)의 외주를 유지한다.The tray 1 has a plurality of openings 16 penetrating in the vertical direction. Here, as shown in Fig. 26A, the opening 16 is made larger on the support portion X2 side than on the opposing portion X1 side. More specifically, on the side of the support part X2 of the opening 16, the insertion part 16a of a size capable of putting the work W into the inside of the tray 1 is provided. In addition, the opposing portion X1 side of the opening 16 is a holding portion 16b capable of protruding inward and holding the tray 1. The inner periphery of the holding portion 16b is substantially the same shape as the outer shape of the work W, but since it is much smaller than the work W, as shown in Figs. 23, 24, and 26B, The outer periphery of the processing target surface Sp of the workpiece W inserted from the insertion portion 16a is held.

(회전 테이블)(Turn table)

회전 테이블(31)에는, 도 24 및 도 26의 (B), (C)에 도시된 바와 같이, 개구(31a)가 형성되어 있다. 개구(31a)는, 회전 테이블(31)의 각 트레이(1)가 배치되는 원주 등배 위치에 형성된 관통 구멍이다. 개구(31a)는, 트레이(1)의 대향부(X1)의 외형과 대략 동일한 형상이고, 대향부(X1)의 외형보다 약간 크게 되어 있기 때문에, 대향부(X1)가 끼워 맞춰지도록 형성되어 있다.The rotary table 31 is provided with an opening 31a as shown in FIGS. 24 and 26B and 26C. The opening 31a is a through hole formed at a circumferential equality position in which each tray 1 of the rotary table 31 is disposed. The opening 31a has a shape substantially the same as the outer shape of the opposing portion X1 of the tray 1 and is slightly larger than the outer shape of the opposing portion X1, and is formed so that the opposing portion X1 is fitted. .

회전 테이블(31)의 상면에는, 개구(31a) 주위에 트레이(1)의 돌출부(15)가 배치되는 배치면(31e)이 설치되고, 상기한 양태와 마찬가지로 깔판(33a)에 규제부(33b)가 설치되어 있다.On the upper surface of the rotary table 31, an arrangement surface 31e on which the protrusions 15 of the tray 1 are arranged around the opening 31a is provided, and as in the above-described aspect, the regulating portion 33b is provided on the pallet 33a. ) Is installed.

그리고, 회전 테이블(31)의 하면은, 실드 부재(8, 58)의 오목부(80, 58c)를 따르는 볼록부(31c)가, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖도록 형성되어 있다. 이와 같이, 동일 평면이 되는 부분을 갖는 형상은, 상하가 반전되어 있는 것 이외에는, 상기한 양태와 동일하다.And, the lower surface of the rotary table 31 is formed so that the convex portions 31c along the concave portions 80 and 58c of the shield members 8 and 58 have a portion that becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference. Has been. In this way, the shape having the same plane portion is the same as the above-described aspect, except that the top and bottom are inverted.

한편, 트레이(1)에 워크(W)를 배치한 상태에서는, 개구(16)의 하단은, 수 ㎜ 이하의 개구 깊이를 갖는다. 이와 같이 수 ㎜ 이하의 단차를 갖는 부분이 있어도, 본 발명의 목적인 처리부로부터의 반응 가스의 누설의 억제가 가능하다. 이 때문에, 이 정도의 약간의 단차는, 본 발명에서는 「동일 평면」에 포함된다. 즉, 「복수의 트레이의 처리부에 대향하는 면은, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 갖는다」의 「동일 평면」은, 정확하게 연속된 면일 필요는 없고, 약간의 단차를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 이 변형예와 같은 구성이어도 트레이(1)의 대향면(11)과 회전 테이블(31)의 하면을, 회전 중심측에서, 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면으로 할 수도 있다.On the other hand, in the state where the work W is arranged on the tray 1, the lower end of the opening 16 has an opening depth of several mm or less. In this way, even if there is a portion having a step difference of several mm or less, it is possible to suppress leakage of the reaction gas from the processing unit which is the object of the present invention. For this reason, a slight step difference of this degree is included in the "same plane" in the present invention. In other words, the ``equal plane'' of ``the surface facing the processing unit of the plurality of trays has portions that are continuously coplanar along the trajectory of the circumference'' does not have to be an exactly continuous surface, and includes a slight step difference. You may have it. In addition, even in the same configuration as in this modified example, the opposite surface 11 of the tray 1 and the lower surface of the rotary table 31 can be made into the same plane continuously along the trajectory of the circumference from the rotation center side.

(트레이의 장착)(Tray mounting)

이러한 변형예에서는, 도 26의 (A)에 도시된 바와 같이, 워크(W)는, 개구(16)의 삽입부(16a)로부터 트레이(1)의 내부에 삽입되어, 도 26의 (B)에 도시된 바와 같이, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)의 외주가, 개구(16)의 유지부(16b)에 의해 유지된다. 이 때문에, 트레이(1)에는, 워크(W)를 유지하기 위한 복잡한 기구를 설치할 필요가 없다.In this modified example, as shown in Fig. 26A, the work W is inserted into the tray 1 from the insertion portion 16a of the opening 16, and Fig. 26B As shown in FIG. 2, the outer periphery of the surface Sp to be processed of the work W is held by the holding portion 16b of the opening 16. For this reason, it is not necessary to provide a complicated mechanism for holding the work W in the tray 1.

그리고, 도 23, 도 26의 (B), (C)에 도시된 바와 같이, 워크(W)를 배치한 트레이(1)의 대향부(X1)를, 회전 테이블(31)의 개구(31a)에 끼워 맞추면, 지지부(X2)의 돌출부(15)가, 개구(31a) 주위의 배치면(31e)에 의해 지지된다. 또한, 돌출부(15)의 외주의 위치가, 깔판(33a)의 규제부(33b)에 의해 규제된다. 이와 같이, 트레이(1)를 회전 테이블(31)에 탑재하면, 대향면(11)이 회전 테이블(31)의 개구(31a)를 관통하여, 회전 테이블(31)의 하면측에 노출된다. 이 때문에, 회전 테이블(31)에, 트레이(1)를 착탈 가능하게 유지하기 위한 복잡한 유지 기구를 설치할 필요가 없다. 또한, 워크(W)의 처리 대상면이 하방을 향하고 있으면, 티끌, 먼지, 장치 내에 부착된 성막 재료 등이, 중력에 의해 낙하하여 워크(W)에 부착되는 것이 방지된다.And, as shown in (B) and (C) of Figs. 23 and 26, the opposing portion X1 of the tray 1 on which the work W is disposed is an opening 31a of the rotary table 31 When fitted, the protruding portion 15 of the support portion X2 is supported by the mounting surface 31e around the opening 31a. Further, the position of the outer periphery of the protrusion 15 is regulated by the regulating portion 33b of the pallet 33a. In this way, when the tray 1 is mounted on the rotary table 31, the opposing surface 11 passes through the opening 31a of the rotary table 31 and is exposed to the lower surface side of the rotary table 31. For this reason, it is not necessary to provide a complicated holding mechanism for holding the tray 1 detachably on the rotary table 31. Further, when the surface to be treated of the work W faces downward, it is prevented that dust, dust, a film-forming material adhered in the apparatus, etc. fall due to gravity and adhere to the work W.

또한, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)이 하방을 향해도, 트레이(1)로부터 낙하하지 않도록 유지하는 예로서, 도 27에 도시된 바와 같이, 슬라이드 베이스(11d) 및 스페이서(11c)를 이용하는 예를 설명한다. 즉, 트레이(1)의 대향면(11)에 형성된 감입부(11b)의 내벽에, 트레이(1)의 평면에 평행한 홈(11e)을 형성한다. 슬라이드 베이스(11d)는, 직육면체 형상이고, 그 상반되는 측면에, 홈(11e)에 삽입되는 볼록부(11f)가 형성되어 있다. 슬라이드 베이스(11d)에서의 대향면(11)측의 면에는, 양면 점착 테이프 등의 점착재(11g)를 통해, 스페이서(11c)가 부착된다. 스페이서(11c)의 대향면(11)측의 면에는, 점착재(11g)를 통해, 워크(W)가 부착된다. 이와 같이 워크(W)를 탑재한 슬라이드 베이스(11d)의 볼록부(11f)를 홈(11e)에 삽입함으로써, 감입부(11b)에 대해, 슬라이드 베이스(11d) 및 스페이서(11c)와 함께 워크(W)를 장착한다. 이때, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)은, 트레이(1)의 대향면(11)과 동일 평면이 되는 것이 바람직하다.In addition, as an example of holding the workpiece W so as not to fall from the tray 1 even when the processing target surface Sp is downward, as shown in Fig. 27, the slide base 11d and the spacer 11c An example of using is described. That is, a groove 11e parallel to the plane of the tray 1 is formed on the inner wall of the fitting portion 11b formed on the opposite surface 11 of the tray 1. The slide base 11d has a rectangular parallelepiped shape, and a convex portion 11f inserted into the groove 11e is formed on the opposite side surface thereof. The spacer 11c is attached to the surface of the slide base 11d on the opposite surface 11 side through an adhesive material 11g such as a double-sided adhesive tape. The work W is attached to the surface of the spacer 11c on the opposite surface 11 side through the adhesive material 11g. In this way, by inserting the convex portion 11f of the slide base 11d on which the work W is mounted into the groove 11e, the work together with the slide base 11d and the spacer 11c with respect to the fitting portion 11b. Install (W). At this time, it is preferable that the processing target surface Sp of the work W is flush with the opposite surface 11 of the tray 1.

이 예에서는, 이하와 같은 작용 효과가 얻어진다.In this example, the following effects are obtained.

(1) 점착재(11g)로 워크(W)의 이면을 지지하기 때문에, 워크(W)의 처리 대상면(Sp)의 전면에 성막할 수 있다.(1) Since the back surface of the work W is supported by the adhesive material 11g, a film can be formed on the entire surface of the processing target surface Sp of the work W.

(2) 스페이서(11c)의 형상을 변화시킴으로써, 상이한 형상의 워크(W)에 대응할 수 있다.(2) By changing the shape of the spacer 11c, it is possible to cope with the work W having a different shape.

(3) 트레이(1)의 대향면(11)의 전면에 점착재(11g)를 형성하는 경우와 비교하면, 점착재(11g)의 면적을 필요 최소한으로 할 수 있기 때문에, 점착재(11g)로부터의 아웃 가스의 양을 줄일 수 있고, 성막 전의 배기 시간의 단축이 가능해진다.(3) Compared with the case where the adhesive material 11g is formed on the entire surface of the opposite surface 11 of the tray 1, the area of the adhesive material 11g can be minimized, so the adhesive material 11g It is possible to reduce the amount of outgassing from and to shorten the exhaust time before film formation.

(4) 워크(W)를 스페이서(11c)에 진공 중에서 접합시키기 때문에, 트레이(1)에 비하면 작은 챔버에서 접합이 가능해지고, 배기 시간의 단축이 가능해진다.(4) Since the work W is bonded to the spacer 11c in a vacuum, bonding is possible in a smaller chamber compared to the tray 1, and the exhaust time can be shortened.

한편, 슬라이드 베이스(11d)를 생략하고, 트레이(1)와 스페이서(11c)가 일체로 되어 있는 구성으로 해도 좋다. 이 경우에도, 상기한 (1), (3)의 작용 효과가 얻어진다. 또한, 스페이서(11c)에 워크(W)를 유지하는 유지 수단은, 점착재(11g)를 대신하여, 정전 척을 이용해도 좋다.On the other hand, the slide base 11d may be omitted, and the tray 1 and the spacer 11c may be integrated. Also in this case, the effects of the above (1) and (3) are obtained. Further, as the holding means for holding the work W in the spacer 11c, an electrostatic chuck may be used instead of the adhesive material 11g.

또한, 도 28, 도 29에 도시된 바와 같이, 트레이(1)를, 대향부(X1)와 지지부(X2)로 분해 가능하게 구성해도 좋다. 이 경우, 예컨대, 대향부(X1)와 지지부(X2) 사이에, 스페이서(11c)를 통해 워크(W)를 끼워 고정한다. 즉, 도 28에 도시된 바와 같이, 대향부(X1)에는, 나사(17)의 몸통부가 삽입되는 부착 구멍(18)이 복수개 형성되고, 지지부(X2)에는, 나사(17)의 몸통부가 비틀어 넣어지는 나사 구멍(19a)이 복수개 형성되어 있다. 스페이서(11c)는, 워크(W)의 배치면과는 반대측의 면에, 직육면체의 고정 블록(11h)을 갖고 있다. 지지부(X2)에는, 대향부(X1)의 개구(16)에 대응하는 위치에, 고정 블록(11h)이 삽입되는 복수의 구멍인 감입부(11b)가 형성되어 있다. 각 감입부(11b)에 고정 블록(11h)을 삽입함으로써, 스페이서(11c)가 지지부(X2)에 고정된다. 한편, 이와 같이, 감입부(11b)에는, 스페이서(11c)만 감입되는 양태도 포함된다.Further, as shown in Figs. 28 and 29, the tray 1 may be configured to be decomposable into a counter portion X1 and a support portion X2. In this case, for example, between the opposing portion X1 and the support portion X2, the work W is inserted and fixed through the spacer 11c. That is, as shown in Fig. 28, a plurality of attachment holes 18 into which the trunk portion of the screw 17 is inserted are formed in the facing portion X1, and the trunk portion of the screw 17 is twisted in the support portion X2. A plurality of screw holes 19a to be inserted are formed. The spacer 11c has a rectangular parallelepiped fixing block 11h on a surface opposite to the arrangement surface of the work W. In the support part X2, a fitting part 11b, which is a plurality of holes into which the fixing block 11h is inserted, is formed at a position corresponding to the opening 16 of the opposing part X1. By inserting the fixing block 11h into each fitting portion 11b, the spacer 11c is fixed to the support portion X2. On the other hand, in this way, an aspect in which only the spacer 11c is fitted is also included in the fitting portion 11b.

도 29의 (A)에 도시된 바와 같이, 스페이서(11c)에 워크(W)를 배치하고, 대향부(X1)를 씌우며, 나사(17)를 각 부착 구멍(18)에 삽입하여 나사(17)에 의해 체결함으로써, 대향부(X1)와 지지부(X2)를 고정한다. 워크(W)는, 도 29의 (B)에 도시된 바와 같이, 스페이서(11c)와 유지부(16b) 사이에 끼워지고, 처리 대상면(Sp)을 개구(16)로부터 노출시킬 수 있다. 트레이(1)를 미리 일체적으로 형성하는 것은 가공이 어렵지만, 별체로 구성된 대향부(X1)와 지지부(X2)를 맞추도록 하면, 트레이(1)의 제작이 용이해진다.As shown in (A) of FIG. 29, the work W is arranged on the spacer 11c, the facing portion X1 is covered, and the screw 17 is inserted into each attachment hole 18, and the screw ( By fastening by 17), the opposing part X1 and the support part X2 are fixed. The work W is sandwiched between the spacer 11c and the holding portion 16b, as shown in FIG. 29B, and the surface to be treated Sp can be exposed from the opening 16. Although processing is difficult to integrally form the tray 1 in advance, manufacturing of the tray 1 is facilitated by aligning the opposing portion X1 and the support portion X2 formed separately.

[다른 실시형태][Other embodiments]

이상, 본 발명의 실시형태 및 각부의 변형예를 설명하였으나, 이 실시형태나 각부의 변형예는, 일례로서 제시한 것이고, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 전술한 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 특허청구의 범위에 기재된 발명에 포함된다.As mentioned above, the embodiment of the present invention and the modified example of each part have been described, but this embodiment and the modified example of each part are presented as an example, and limiting the scope of the invention is not intended. These novel embodiments described above can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and summary of the invention, and are included in the invention described in the claims.

100: 진공 처리 장치 1: 트레이
11: 대향면 11a: 볼록부
11b: 감입부 11c: 스페이서
11d: 슬라이드 베이스 11e: 홈
11f: 볼록부 11g: 점착재
11h: 고정 블록 12: 사면
13: 내주면 14: 외주면
14a: 규제면 15: 돌출부
16: 개구 16a: 삽입부
16b: 유지부 17: 나사
18: 부착 구멍 19a: 나사 구멍
20: 챔버 20a: 천장
20b: 내저면 20c: 내주면
21: 진공실 21a: 개구
21b: 시일 부재 22: 배기구
23: 배기부 24: 도입구
25: 가스 공급부 30: 반송부
31: 회전 테이블 31a: 개구
31b: 캠 구멍 31c: 볼록부
31d: 감입부 31e: 배치면
32: 모터 33: 탑재부
33a: 깔판 33b: 규제부
35: 리프터 36: 위치 결정핀
40, 40A, 40B, 40C: 성막부 4: 스퍼터원
41, 41A, 41B, 41C: 타겟 42: 배킹 플레이트
43: 전극 5: 처리 유닛
50, 50A, 50B: 막 처리부 51: 통형체
51a: 개구 51b: 외측 플랜지
510: 지지부 512: 공급구
52: 창 부재 53: 공급부
53b, 53c: 배관 55: 안테나
55a: RF 전원 55b: 매칭 박스
56: 냉각부 561, 562: 시트
57: 분산부 57a: 분산판
58: 실드 부재 58a: 조절 구멍
58b: 지지 부재 58c: 오목부
581: 기체 582: 차폐판
583: 냉각부 6: 전원부
60: 로드록부 70: 제어 장치
8: 실드 부재 80a: 오목부
81: 개구 82: 천장부
82a: 타겟 구멍 83: 측면부
83a: 외주벽 83b: 내주벽
83c, 83d: 격벽 85: 조정부
86: 착탈 부재 D1, D2, d: 간격
E: 배기 T: 반송 경로
L: 위치 결정부 M1, M3: 막 처리 포지션
M2, M4, M5: 성막 포지션 Na: 라이트닝 홀
Nb: 걸림부 G: 반응 가스
G1: 스퍼터 가스 G2: 프로세스 가스
F: 성막 영역 H: 통부
Ho: 개구 h: 대향부
R: 가스 공간 S: 성막실
W: 워크 Sp: 처리 대상면
Cp: 볼록부 Rp: 오목부100: vacuum processing device 1: tray
11: facing surface 11a: convex portion
11b: fitting portion 11c: spacer
11d: slide base 11e: groove
11f: convex portion 11g: adhesive material
11h: fixed block 12: slope
13: inner surface 14: outer surface
14a: regulation surface 15: protrusion
16: opening 16a: insertion portion
16b: holding part 17: screw
18: attachment hole 19a: screw hole
20: chamber 20a: ceiling
20b: inner bottom 20c: inner side
21: vacuum chamber 21a: opening
21b: seal member 22: exhaust port
23: exhaust part 24: inlet
25: gas supply unit 30: transport unit
31: rotary table 31a: opening
31b: cam hole 31c: convex portion
31d: recessed portion 31e: placement surface
32: motor 33: mounting portion
33a: pallet 33b: regulatory department
35: lifter 36: positioning pin
40, 40A, 40B, 40C: film formation part 4: sputter one
41, 41A, 41B, 41C: target 42: backing plate
43: electrode 5: processing unit
50, 50A, 50B: membrane treatment part 51: cylindrical body
51a: opening 51b: outer flange
510: support part 512: supply port
52: window member 53: supply
53b, 53c: pipe 55: antenna
55a: RF power 55b: matching box
56: cooling unit 561, 562: sheet
57: dispersion unit 57a: dispersion plate
58: shield member 58a: adjustment hole
58b: supporting member 58c: recessed portion
581: aircraft 582: shield plate
583: cooling unit 6: power unit
60: load lock unit 70: control device
8: shield member 80a: recess
81: opening 82: ceiling
82a: target hole 83: side portion
83a: outer circumferential wall 83b: inner circumferential wall
83c, 83d: bulkhead 85: control unit
86: detachable member D1, D2, d: interval
E: exhaust T: conveying path
L: positioning unit M1, M3: film processing position
M2, M4, M5: deposition position Na: Lightning hole
Nb: locking portion G: reactive gas
G1: sputter gas G2: process gas
F: film forming area H: barrel
Ho: opening h: opposite part
R: gas space S: film formation chamber
W: Work Sp: Surface to be treated
Cp: Convex portion Rp: Concave portion

Claims (11)

내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와,
상기 챔버 내에 설치된 회전 테이블로서, 상기 회전 테이블의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블에 탑재되고, 상기 워크를 배치하는 복수의 트레이와,
상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부
를 포함하고,
상기 처리부는, 상기 반응 가스를 플라즈마화하는 공간을 형성하는 실드 부재를 포함하고, 상기 실드 부재는, 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면과의 사이에, 상기 트레이에 배치된 상기 워크가 통과 가능한 간격을 두고, 상기 회전 테이블의 직경 방향을 따라 배치되며,
복수의 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면은, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 포함하고,
상기 워크는, 상기 처리부에 대향하는 면에 볼록부를 포함하고,
상기 실드 부재는, 상기 워크의 볼록부를 따르는 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.A chamber capable of vacuuming the inside,
A rotary table installed in the chamber, wherein the rotary table circulates and transports a work in a trajectory of a circumference centered on a rotation axis of the rotary table;
A plurality of trays mounted on the rotary table to arrange the work,
A processing unit that converts the introduced reaction gas into plasma and performs predetermined processing on the workpiece conveyed by the rotary table
Including,
The processing unit includes a shield member that forms a space for converting the reactive gas to plasma, and the shield member is between a surface of the tray facing the processing unit, and the workpiece disposed on the tray can pass through. At intervals, arranged along the radial direction of the rotary table,
A surface of the plurality of trays facing the processing unit includes portions that are continuously coplanar along the trajectory of the circumference,
The work includes a convex portion on a surface facing the processing portion,
The shield member includes a concave portion along a convex portion of the work. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 트레이는, 상기 처리부에 대향하는 면에, 상기 실드 부재의 오목부를 따르는 볼록부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the tray includes a convex portion along a concave portion of the shield member on a surface facing the processing portion. 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와,
상기 챔버 내에 설치된 회전 테이블로서, 상기 회전 테이블의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블에 탑재되고, 상기 워크를 배치하는 복수의 트레이와,
상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부
를 포함하고,
상기 처리부는, 상기 반응 가스를 플라즈마화하는 공간을 형성하는 실드 부재를 포함하고, 상기 실드 부재는, 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면과의 사이에, 상기 트레이에 배치된 상기 워크가 통과 가능한 간격을 두고, 상기 회전 테이블의 직경 방향을 따라 배치되며,
복수의 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면은, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 포함하고,
상기 실드 부재에는, 성막(成膜)되는 막의 막 두께 분포를 조정하는 조정부가 설치되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.A chamber capable of vacuuming the inside,
A rotary table installed in the chamber, wherein the rotary table circulates and transports a work in a trajectory of a circumference centered on a rotation axis of the rotary table;
A plurality of trays mounted on the rotary table to arrange the work,
A processing unit that converts the introduced reaction gas into plasma and performs predetermined processing on the workpiece conveyed by the rotary table
Including,
The processing unit includes a shield member that forms a space for converting the reactive gas to plasma, and the shield member is between a surface of the tray facing the processing unit, and the workpiece disposed on the tray can pass through. At intervals, arranged along the radial direction of the rotary table,
A surface of the plurality of trays facing the processing unit includes portions that are continuously coplanar along the trajectory of the circumference,
A vacuum processing apparatus, wherein the shield member is provided with an adjustment unit that adjusts a film thickness distribution of a film to be formed. 제1항에 있어서, 상기 회전 테이블은, 상기 트레이의 위치를 규제하는 규제부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the rotary table includes a regulating unit that regulates the position of the tray. 제1항에 있어서, 상기 트레이는, 상기 워크가 감입(嵌入)되는 감입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the tray includes a fitting portion into which the work is fitted. 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 워크에, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 막을 형성하는 성막부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes a film forming unit that forms a film by depositing a film forming material on the work by sputtering. 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 워크에 형성된 막과 반응 가스를 반응시키는 막 처리를 행하는 막 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes a film processing unit that performs a film treatment of reacting a film formed on the work with a reactive gas. 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와,
상기 챔버 내에 설치되고, 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부
를 포함하고,
상기 워크는, 상기 처리부에 대향하는 면에 볼록부를 포함하며,
상기 처리부는, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 간격을 두고 대향하고, 상기 워크의 볼록부를 따르는 오목부를 포함하는 실드 부재를 포함하고,
상기 회전 테이블의 표면에, 상기 실드 부재의 오목부를 따르는 볼록부가 형성되며,
상기 회전 테이블의 볼록부의 표면이, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.A chamber capable of vacuuming the inside,
A rotary table installed in the chamber and circulating and conveying the work in a trajectory of a circumference;
A processing unit that converts the introduced reaction gas into plasma and performs predetermined processing on the workpiece conveyed by the rotary table
Including,
The work includes a convex portion on a surface facing the processing portion,
The processing unit includes a shield member that faces the work carried by the rotation table at intervals and includes a concave portion along the convex portion of the work,
On the surface of the rotary table, a convex portion is formed along the concave portion of the shield member,
A vacuum processing apparatus, characterized in that the surface of the convex portion of the rotary table includes a portion that continuously becomes the same plane along a trajectory of the circumference. 제9항에 있어서, 상기 회전 테이블은, 상기 워크가 배치되는 트레이가 탑재됨으로써, 상기 회전 테이블의 표면과 상기 트레이의 표면에, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분이 발생하는 탑재부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.The mounting portion according to claim 9, wherein the rotary table is equipped with a tray on which the work is disposed, so that a portion that becomes the same plane continuously along a trajectory of the circumference is generated on the surface of the rotary table and the surface of the tray. Vacuum processing apparatus comprising a. 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버와, 상기 챔버 내에 설치된 회전 테이블로서, 상기 회전 테이블의 회전 축심을 중심으로 하는 원주의 궤적으로 워크를 순환 반송하는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 의해 반송되는 상기 워크에 대해, 도입된 반응 가스를 플라즈마화하여 미리 정해진 처리를 행하는 처리부를 포함하는 진공 처리 장치에 사용되는 상기 워크가 배치되는 트레이로서,
상기 처리부는, 상기 반응 가스를 플라즈마화하는 공간을 형성하는 실드 부재를 포함하고, 상기 실드 부재는, 상기 트레이의 상기 처리부에 대향하는 면과의 사이에, 상기 트레이에 배치된 상기 워크가 통과 가능한 간격을 두고, 상기 회전 테이블의 직경 방향을 따라 배치되며,
상기 회전 테이블에 복수개 탑재됨으로써, 상기 처리부에 대향하는 면이, 상기 원주의 궤적을 따라 연속해서 동일 평면이 되는 부분을 포함하고,
상기 워크는, 상기 처리부에 대향하는 면에 볼록부를 포함하고,
상기 실드 부재는, 상기 워크의 볼록부를 따르는 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.A chamber capable of vacuuming the inside, a rotary table installed in the chamber, a rotary table circulating and transporting a workpiece on a trajectory of a circumference centered on a rotation axis of the rotary table, and the workpiece transported by the rotary table On the other hand, as a tray in which the work used in a vacuum processing apparatus is disposed, which includes a processing unit that converts the introduced reaction gas into plasma to perform a predetermined treatment,
The processing unit includes a shield member that forms a space for converting the reactive gas to plasma, and the shield member is between a surface of the tray facing the processing unit, and the workpiece disposed on the tray can pass through. At intervals, arranged along the radial direction of the rotary table,
By being mounted on the rotary table in plural, the surface facing the processing unit includes a portion that becomes the same plane continuously along the trajectory of the circumference,
The work includes a convex portion on a surface facing the processing portion,
Wherein the shield member includes a concave portion along a convex portion of the work.
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