KR102188591B1 - 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체 및 그의 제조방법 - Google Patents

유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 경화성 고분자 및 경화제를 포함하는 고분자 접착제; 및 고분자 접착제에 분산된 금속 및 탄소재료를 포함하는 전도성 필러;를 포함하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체에 관한 것이다. 이에 의하여, 인체에 적용하기에 적절할 뿐 아니라, 인체 외에 불규칙한 곡면에 있는 물체에 적용할 수 있어 활용도가 매우 높을 뿐 아니라, 전도성 고분자 복합체의 유연 기판 위에서의 접착력을 향상시킴으로써 전도도의 감소나 외부 응력에 따른 전도도 파괴를 방지하고, 유연성과 신축성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체 및 그의 제조방법{CONDUCTING POLYMER COMPOSITE FOR ADHESRING TO FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
본 발명은 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연 기판 위에서 전기적 특성이 우수하고 접착성이 향상되며 유연성 및 신축성을 갖는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
현재의 최신 전자 제품에서 기계적 유연성은 중요한 트렌드가 되고 있다. 그 이유는 인체와의 친밀성과 다양한 디자인에 적용을 위해서이다. 예를 들어 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 각종 센서, 태양 전지, 유연 반도체 등과 같이 복잡한 모양을 중심으로 회로가 디자인되거나 포장되는 경우이다. 이러한 유연한 전자 장치는 상호 연결 재료에 대해 여러 가지 요구 요소들이 있다. 우수한 전도성 및 접지 및 신호 전송에 용이한 전기적 특성 이외에도 뛰어난 물리적 물성 및 접착성 등이 요구된다. 접착제로서의 고분자 소재는 분자 설계에 의해 다양한 기계적 성질을 얻을 수 있고, 다양한 전도성 필러를 첨가함으로써 전기전도도의 향상을 가질 수 있다.
그동안의 전도성 접착제 분야에서는 수축 현상이 강한 에폭시를 메트릭스를 활용한 발명이 대부분을 이루고 있다. 하지만 기존의 에폭시 기반 전기 전도성 접착제는 높은 강성으로 인해 유연 전자 제품 적용에 제한을 받아왔다. 또한 유연 전자 제품 연구에 많이 활용되는 유연 기판에서 접착성이 뛰어나지 못하여 전도성 및 신뢰도가 확보되지 못하였다.
한국공개특허공보 제10-2013-0015544호 한국등록특허공보 제10-1600446호
본 발명의 목적은 유연 기판 위에서의 접착력을 향상시킴으로써 전도도의 감소나 외부 응력에 따른 전도도 파괴를 방지하고, 유연성과 신축성을 향상시키는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 전도성 고분자 접착제를 이용하여 유연 기판상에 전도성 고분자 접착제 필름을 형성함으로써 유연성과 신축성을 부여함과 동시에 전도도가 향상되고 외부 응력에 따른 전도도 파괴가 최소화되어 전기적 특성이 향상된 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 유연 센서, 및 태양 전지 등의 다양한 유연전자장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면,
경화성 고분자 및 경화제를 포함하는 고분자 접착제; 및 상기 고분자 접착제에 분산된 금속 및 탄소재료를 포함하는 전도성 필러;를 포함하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체가 제공된다.
상기 고분자 접착제는 경화 전 혼합물 점도가 3000 mPa·s 내지 5000 mPa·s 일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 경화 후 벌크 인장 강도가 0.1 내지 10 MPa 일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 경화 후 체적수축률이 1 내지 10 % 일 수 있다.
상기 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 포함할 수 있다.
상기 고분자 접착제는 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 이소프렌계 수지, 클로로프렌계 수지, 플루오로계 수지, 부타디엔 고무, 및 스티렌-부타디엔 고무 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 실리콘계 수지일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부 포함할 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 란타늄(La) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
바람직하게는, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
더욱 더 바람직하게는, 상기 금속은 은(Ag)일 수 있다.
상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
바람직하게는, 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 혼합물일 수 있다.
상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 그래핀, 그래파이트, 카본블랙, 카본 파이버 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 탄소재료는 직경 15 내지 40 nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브일 수 있다.
상기 전도성 필러는 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부가 포함될 수 있다.
상기 유연 기판은 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 기판일 수 있다.
상기 유연 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 실리콘계 수지를 포함하는 기판일 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 상기 유연 기판 상의 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 실리콘 기판 상의 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 유연성 및 신축성을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 하나의 측면에 따르면,
(a) 금속 및 탄소재료를 유기 용매에 분산시켜 전도성 필러 분산액을 제조하는 단계;
(b) 상기 전도성 필러 분산액에 경화성 고분자와 경화제를 혼합한 후 용매를 제거하여 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 제조하는 단계;
(c) 유연 기판상에 상기 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 코팅하여 접착제 혼합물 코팅층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 접착제 혼합물 코팅층을 경화 처리하여 유연 기판 상에 전도성 고분자 복합체를 형성하는 단계;를 포함하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법이 제공된다.
단계 (a)의 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 란타늄(La) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
바람직하게는, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
바람직하게는, 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 혼합물일 수 있다.
단계 (a)의 상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 그래핀, 그래파이트, 카본블랙, 카본 파이버 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 탄소재료는 직경 15 내지 40 nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브 일 수 있다.
단계 (a)에서 상기 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부를 상기 유기 용매에 분산시킬 수 있다.
단계 (a)의 상기 유기 용매는 클로로포름, 톨루엔, 에탄올, 메탄올, 디클로로메탄 및 테트라하이드로퓨란 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
단계 (a)에서 상기 분산은 초음파 분쇄와 교반 과정을 동시 진행함으로써 수행될 수 있다.
단계 (b)에서 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부를 혼합할 수 있다.
단계 (b)에서 상기 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 포함할 수 있다.
단계 (b)의 상기 혼합은 교반과 탈포 과정을 동시 진행함으로써 수행될 수 있다.
단계 (b)의 상기 건조는 자력교반장치에 의해 수행될 수 있다.
단계 (c)에서 상기 유연 기판은 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 기판일 수 있다.
상기 유연 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 실리콘계 수지를 포함하는 기판일 수 있다.
단계 (c)의 상기 코팅은 닥터 블레이드, 평판 스크린법, 스핀 코팅법, 롤 코팅, 플로우 코팅, 그라비아 프린팅 및 플렉소 프린팅 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 따라 수행될 수 있다.
단계 (c)의 상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛ 일 수 있다.
단계 (d)의 상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행될 수 있다.
가장 바람직하게는, 단계 (a)에서 상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 은(Ag) 입자, 1 내지 4 ㎛인 은(Ag) 입자, 및 5 내지 10 ㎛인 은(Ag) 입자의 혼합물이고, 상기 탄소재료는 직경 15 내지 40 nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브이고, 상기 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부를 클로로포름에 분산시키고,
단계 (b)에서 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부를 혼합하고, 상기 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 혼합하고, 상기 혼합은 교반과 탈포 과정을 동시 진행함으로써 수행되고,
단계 (c)에서 상기 유연 기판은 실리콘 필름이고, 상기 코팅은 닥터 블레이드에 의해 수행하여 상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛로 형성하며, 단계 (d)의 상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 또 하나의 측면에 따르면,
상기 실리콘 기판 접착용 전도성 고분자 복합체를 포함하는 유연전자장치가 제공된다.
상기 유연전자장치는 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 유연 센서, 및 태양 전지 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체는 유연 기판 위에서의 접착력을 향상시킴으로써 전도도의 감소나 외부 응력에 따른 전도도 파괴를 방지하고, 유연성과 신축성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 전도성 고분자 접착제 필름을 이용하여 유연 기판상에 전도성 고분자 접착제 필름을 형성함으로써 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 유연 센서, 및 태양 전지 등의 다양한 유연전자장치에 적용할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 2는 실험예 2의 접착력 측정 결과를 나타낸 사진이다.
도 3은 실험예 3의 신축성 테스트 결과를 나타낸 것이다.
이하에서, 본 발명의 여러 측면 및 다양한 구현예에 대해 더욱 구체적으로 설명한다. 이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 그러나, 이하의 설명은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체에 대해 설명하도록 한다.
본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체는 경화성 고분자 및 경화제를 포함하는 고분자 접착제; 및 상기 고분자 접착제에 분산된 금속 및 탄소재료를 포함하는 전도성 필러;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 경화성 고분자는 열경화성 고분자 또는 광경화성 고분자일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 경화제 90 내지 110중량부, 더욱 더 바람직하게는 95 내지 105중량부일 수 있다.
상기 고분자 접착제는 경화 전 혼합물의 점도가 3000 mPa·s 내지 5000 mPa·s 이고 경화 후 벌크 인장 강도가 0.1 내지 10 MPa이고, 체적 수축률이 약 1 내지 10 % 이하인 것이 바람직하다.
상기 고분자 접착제의 점도, 벌크 인장 강도, 체적 수축률의 수치 범위가 상기 하한 값 미만이거나 상한 값 초과인 경우에는 접착제의 유연 기판 위에서의 접착력 및 기계적 물성, 전기적 특성이 저하될 수 있다.
또한, 본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체는 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 전도성 필러 150 내지 470중량부, 더욱 더 바람직하게는 전도성 필러 200 내지 420중량부 일 수 있다.
상기 전도성 필러의 함량이 고분자 접착제 100중량부에 대하여 100중량부 미만인 경우에는 전도성이 나타나지 않을 수 있고, 500중량부를 초과하는 경우에는 유연 기판 위에서의 접착력이 저하될 수 있어 바람직하지 않다.
상기 고분자 접착제는 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 이소프렌계 수지, 클로로프렌계 수지, 플루오로계 수지, 부타디엔 고무, 스티렌-부타디엔 고무 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 실리콘계 수지일 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 란타늄(La) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 바람직하게는 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 더욱 더 바람직하게는 은(Ag)일 수 있다.
상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 혼합물일 수 있다.
상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 그래핀, 그래파이트, 카본블랙, 카본 파이버 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 더욱 더 바람직하게는 상기 탄소재료는 직경 15 내지 40nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브일 수 있다.
상기 전도성 필러는 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부가 포함되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 탄소재료 0.15 내지 1중량부, 더욱 더 바람직하게는 탄소재료 0.2 내지 0.5중량부일 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 유연 기판 상의 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 실리콘 기판 상의 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 고분자 접착제는 유연성 및 신축성을 갖는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다. 이하 도 1을 참조하여 본 발명의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.
먼저, 금속 및 탄소재료를 유기 용매에 분산시켜 전도성 필러 분산액을 제조한다(단계 a).
상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 란타늄(La) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 바람직하게는 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 더욱 더 바람직하게는 은(Ag)일 수 있다.
상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 혼합물일 수 있다.
상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 그래핀, 그래파이트, 카본블랙, 카본 파이버 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 더욱 더 바람직하게는 상기 탄소재료는 직경 15 내지 40nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브 일 수 있다.
상기 전도성 필러는 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부가 포함되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 탄소재료 0.15 내지 1중량부, 더욱 더 바람직하게는 탄소재료 0.2 내지 0.5중량부일 수 있다.
상기 유기 용매는 클로로포름, 톨루엔, 에탄올, 메탄올, 디클로로메탄 및 테트라하이드로퓨란 중에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 클로로포름일 수 있다. 클로로포름은 고분자 접착제와 전도성 필러의 분산을 용이하게 함과 동시에 유기 용매의 건조를 용이하게 할 수 있다.
상기 분산은 초음파 분쇄와 교반 과정을 동시 진행함으로써 전도성 필러의 분산을 용이하게 할 수 있다.
이후, 상기 전도성 필러 분산액에 경화성 고분자와 경화제를 혼합한 후 용매를 제거하여 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 제조한다(단계 b).
이때, 상기 고분자 접착제는 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 경화제 90 내지 110중량부, 더욱 더 바람직하게는 95 내지 105중량부일 수 있다.
또한, 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 전도성 필러 150 내지 470중량부, 더욱 더 바람직하게는 전도성 필러 200 내지 420중량부 일 수 있다.
상기 혼합은 교반과 탈포 과정을 동시 진행함으로써 수행하는 것이 바람직하다.
상기 건조는 자력교반장치에 의해 수행될 수 있다.
다음으로, 유연 기판상에 상기 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 코팅하여 접착제 혼합물 코팅층을 형성한다(단계 c).
상기 유연 기판은 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 기판인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 실리콘계 수지를 포함하는 기판일 수 있다.
상기 코팅은 닥터 블레이드, 평판 스크린법, 스핀 코팅법, 롤 코팅, 플로우 코팅, 그라비아 프린팅, 플렉소 프린팅 등의 방법에 따라 수행될 수 있고, 바람직하게는 닥터 블레이트에 의해 수행될 수 있다.
상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛로 형성하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50 내지 150㎛, 더욱 더 바람직하게는 90 내지 110㎛로 형성할 수 있다. 상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께가 10㎛ 미만이면 최종 형성되는 전도성 고분자 접착제 필름의 전기 전도성이 충분치 않을 수 있고, 200㎛를 초과하면 건조나 이후 경화 처리시 공정 시간이 길어질 수 있고, 최종 제조된 전도성 고분자 접착제 필름의 유연성이 저하될 수 있다.
마지막으로, 상기 접착제 혼합물 코팅층을 경화 처리하여 유연 기판상에 전도성 고분자 복합체 필름을 형성한다(단계 d).
상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 160 내지 190℃에서 80 내지 100분 동안 수행될 수 있다.
상기 경화 처리는 상술한 바와 같이 유연 기판 위에 접착제 혼합물 코팅층을 형성하고 건조한 후에 수행되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 최종 제조된 전도성 고분자 복합체의 균일한 전기적 특성 및 접착성 향상을 구현할 수 있다.
본 발명은 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체를 포함하는 유연전자장치를 제공한다.
상기 유연전자장치는 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 유연 센서, 및 태양 전지 등일 수 있으나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않으며 유연성 및 신축성이 요구되는 다양한 전자장치에 적용될 수 있다.
특히, 하기 실시예에는 명시적으로 기재하지는 않았지만, 본 발명에 따른 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법에 있어서, 단계 (a)에서 금속과 탄소재료의 종류 및 형태, 금속과 탄소재료의 함량비, 유기용매의 종류, 단계 (b)에서 전도성 필러와 고분자 접착제의 함량비, 단계 (c)에서 기판의 종류, 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물의 코팅방법, 코팅된 접착제 혼합물 코팅층의 두께, 단계 (d)에서 경화 온도 및 시간 조건을 변화시키면서 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체를 제조하였다.
이와 같이 제조된 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체에 대하여 비저항, 기판에 대한 접착력, 신축성에 대한 테스트를 수행하여 물성을 확인하였다.
그 결과, 다른 조건 및 다른 수치 범위에서와는 달리, 아래의 조건을 모두 만족하는 경우에만 전도성 고분자 접착제 필름이 기판과의 접착력이 우수하고 유연성 및 신축성이 우수하면서도 전기 전도성이 향상되어, 다양한 유연전자장치에 적용되어 현저한 전기적 특성과 기계적 특성을 발휘될 수 있는 제조조건은 아래와 같았다.
단계 (a)에서 상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 은(Ag) 입자, 1 내지 4 ㎛인 은(Ag) 입자, 및 5 내지 10 ㎛인 은(Ag) 입자의 혼합물이고, 탄소재료는 직경 15 내지 40 nm, 길이 10 내지 50 ㎛인 다중벽 탄소나노튜브이고, 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부를 다양한 유기 용매 중 클로로포름에 분산시키고, 단계 (b)에서 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부를 혼합하고, 상기 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 혼합하고, 상기 혼합은 교반과 탈포 과정을 동시 진행함으로써 수행되고, 단계 (c)에서 기판은 반드시 유연 기판이며, 코팅은 닥터 블레이드에 의해 수행하여 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛로 형성하며, 단계 (d)의 상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행한다.
이하에서 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하며, 다만 이하에 실시예 등에 의해 본 발명의 범위와 내용이 축소되거나 제한되어 해석될 수 없다. 또한, 이하의 실시예를 포함한 본 발명의 개시 내용에 기초한다면, 구체적으로 실험 결과가 제시되지 않은 본 발명을 통상의 기술자가 용이하게 실시할 수 있음은 명백하다.
[실시예]
실시예 1
(1) 고분자 접착제 및 은(Ag)/다중벽 탄소나노 튜브 혼합물 제조
클로로포름에 분산되어 있는 은(Ag)/다중벽 탄소나노튜브 1.86/0.01g과 주제와 경화제 비율이 1:1 로 구성된 투명한 2액형 경화성 고분자 접착제 세트의 주제 500mg과 경화제 500mg을 혼합하여 교반하였다. 반응 종결 후, 상온 25℃ 조건에서 필러의 분산에 활용된 클로로포름을 제거하여 고분자 접착제와 은/다중벽 탄소나노튜브의 혼합물을 제조하였다. 여기서, 은(Ag)은 직경이 각각 100 내지 200 nm, 1 내지 4 ㎛, 5 내지 10 ㎛의 은(Ag) 입자가 1:1:1의 중량비로 혼합된 혼합물을 사용하였고, 다중벽 탄소나노튜브는 평균직경 30nm, 평균길이 30㎛인 것을 사용하였다. 은(Ag)/다중벽 탄소나노튜브의 분산은 초음파 분쇄 장비를 이용하여 수행하였고, 클로로포름에 분산되어 있는 은(Ag)/다중벽 탄소나노튜브와 고분자 접착제의 매트릭스를 혼합하는 방법은 고점도 혼합 탈포 장치를 활용하였으며, 교반과 탈포 과정을 동시에 진행하였다.
(2) 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상에 전도성 고분자 복합체 필름 형성
폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상에 고분자 접착제와 은/다중벽 탄소나노 튜브 복합 접착제를 닥터 블레이드 방법을 활용하여 약 100 ㎛ 두께의 필름을 1 mm 두께의 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상에 제조하였다. 상기 제조된 필름은 180 ℃에서 90분 동안 경화 과정을 거쳐 제조하였다.
실시예 2
은(Ag) 1.86 g 대신에 2.33 g 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
실시예 3
은(Ag) 1.86 g 대신에 3 g 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
실시예 4
은(Ag) 1.86 g 대신에 4 g 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
실시예 5
폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 대신에 폴리이미드(PI) 필름을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
실시예 6
폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 대신에 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
비교예 1
(1) 고분자 접착제 및 은(Ag) 혼합물 제조
클로로포름에 분산되어 있는 은(Ag) 1.86 g과 주제와 경화제 비율이 1:1 로 구성된 투명한 2액형 열경화성 고분자 접착제 세트의 주제 500 mg과 경화제 500 mg을 혼합하여 교반하였다. 반응 종결 후, 상온 25 ℃ 조건에서 필러의 분산에 활용된 용매를 제거하여 고분자 접착제와 은(Ag)의 혼합물을 제조하였다.
(2) 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 위에 고분자 접착제 및 은 복합체 필름 제조
고분자 접착제와 은 복합체를 닥터 블레이드 방법을 활용하여 약 100 ㎛ 두께의 필름을 1 mm의 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상에 제조하였다. 상기 제조된 필름은 180 ℃에서 90분 동안 경화 과정을 거쳐 제조하였다.
비교예 2
은(Ag) 1.86 g 대신에 2.33 g 사용하는 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
비교예 3
은(Ag) 1.86 g 대신에 3 g 사용하는 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
비교예 4
은(Ag) 1.86 g 대신에 4 g 사용하는 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
비교예 5
(1) 전도성 에폭시 접착제 혼합물 제조
시중에서 판매하는 주제와 경화제의 비율 3:2으로 구성된 2액 열경화성 에폭시 전도성 접착제 세트(ELCOAT A-200)를 고점도 혼합 탈포 장치를 이용하여 교반과 탈포 과정을 동시에 진행하며 혼합 교반 하였다.
(2) 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 위에 전도성 에폭시 접착제 필름 제조
상기 전도성 에폭시 접착제 혼합물을 닥터 블레이드 방법을 활용하여 약 100 ㎛ 두께의 필름을 1 mm의 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상에 제조하였다. 상기 제조된 필름은 150 ℃에서 20분 동안 경화 과정을 거쳐 제조하였다.
비교예 6
폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 대신에 폴리이미드(PI) 필름을 사용하는 것을 제외하고는 비교예 5와 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
비교예 7
폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 대신에 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름을 사용하는 것을 제외하고는 비교예 5와 동일한 방법으로 전도성 고분자 접착제 필름을 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 6, 및 비교예 1 내지 7의 전도성 고분자 복합체의 성분을 비교하여 아래의 표 1에 정리하였다.
구분 기판 전도성 고분자 접착제
주제
(mg)		 경화제
(mg)		 Ag
(g)		 MWNT
(g)		 주제
(중량부)		 경화제
(중량부)		 Ag
(중량부)		 MWNT
(중량부)
실시예 1 PDMS 500 500 1.86 0.01 50 50 186 1
실시예 2 PDMS 500 500 2.33 0.01 50 50 233 1
실시예 3 PDMS 500 500 3 0.01 50 50 300 1
실시예 4 PDMS 500 500 4 0.01 50 50 400 1
실시예 5 PI 500 500 4 0.01 50 50 400 1
실시예 6 PEN 500 500 4 0.01 50 50 400 1
비교예 1 PDMS 500 500 1.86 0 50 50 186 0
비교예 2 PDMS 500 500 2.33 0 50 50 233 0
비교예 3 PDMS 500 500 3 0 50 50 300 0
비교예 4 PDMS 500 500 4 0 50 50 400 0
비교예 5 PDMS ELCOAT A-200
비교예 6 PI ELCOAT A-200
비교예 7 PEN ELCOAT A-200
[실험예]
실험예 1: 비저항 측정
위에서 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 5에 따라 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판상에 접착된 전도성 고분자 복합체에 대하여 면저항 측정기(Napson, CRESBOX)를 이용하여 비저항을 측정하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
구분 고분자 접착제 함량 은(Ag) 함량 다중벽 탄소나노튜브 함량 비저항
무처리군 100 중량부 0 중량부 0 중량부 `
실시예 1 100 중량부 186 중량부 1 중량부 `
비교예 1 100 중량부 186 중량부 0 중량부 `
실시예 2 100 중량부 233 중량부 1 중량부 1.14 x 10-3
비교예 2 100 중량부 233 중량부 0 중량부 5500
실시예 3 100 중량부 300 중량부 1 중량부 1.55 x 10-4
비교예 3 100 중량부 300 중량부 0 중량부 5.4 x 10-3
실시예 4 100 중량부 400 중량부 1 중량부 1.22 x 10-4
비교예 4 100 중량부 400 중량부 0 중량부 9.8 x 10-3
비교예 5 ELCOAT A-200 3.4 x 10-3
이에 따르면, 다중벽 탄소나노튜브를 1중량부 포함하고 있는 실시예 1 내지 4의 전도성 고분자 복합체가 탄소나노튜브를 제외한 나머지 성분과 제조조건이 동일한 비교예 1 내지 4에 비하여 각각 비저항값이 현저히 낮은 것을 확인할 수 있습니다.
실험예 2: 접착력 측정
실시예 4 내지 6, 및 비교예 5 내지 7에 따라 각각 제조된 전도성 고분자 복합체를 스카치 테이프(Cat. #583D, 3M)를 이용하여 접착력을 테스트하고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
이에 따르면, 비교예 5의 에폭시계 수지 기반의 전도성 접착제에 비하여 실리콘계 수지를 사용한 실시예 4의 전도성 고분자 복합체의 접착력이 현저히 우수한 것을 확인할 수 있다.
실험예 3: 신축성 테스트
실시예 3에 따라 제조된 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 상의 전도성 고분자 복합체를 멀티미터 (6512, Keithley)를 연결하여 처음 길이 대비 30 % 인장하는 반복 테스트를 진행하여 저항 변화율을 측정하였고, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
이에 따르면, 상기 은과 다중벽 탄소나노튜브를 이용하여 접착제를 제조하고 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판 위에서 경화를 진행할 때 인장 시에도 전기적 특성이 변하지 않고 안정한 것을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

Claims (29)

  1. 경화성 고분자 및 경화제를 포함하는 고분자 접착제; 및
    상기 고분자 접착제에 분산된 금속 및 탄소재료를 포함하는 전도성 필러;를 포함하고,
    상기 전도성 필러는 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부를 포함하고,
    상기 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부가 포함된 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 경화 전 혼합물 점도가 3000 mPa·s 내지 5000 mPa·s 인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 경화 후 벌크 인장 강도가 0.1 내지 10 MPa 인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 경화 후 체적수축률이 1 내지 10 % 인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 이소프렌계 수지, 클로로프렌계 수지, 플루오로계 수지, 부타디엔 고무, 스티렌-부타디엔 고무 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 실리콘계 수지인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 접착제는 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 란타늄(La) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 금속입자, 1 내지 4 ㎛인 금속입자, 및 5 내지 10 ㎛인 금속입자의 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재료는 단일벽 탄소 나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 그래핀, 그래파이트, 카본블랙, 카본 파이버 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재료는 직경 15 내지 40nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    상기 유연 기판은 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 기판인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유연 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 실리콘계 수지를 포함하는 기판인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 접착제는 상기 유연 기판 상의 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체.
  17. (a) 금속 및 탄소재료를 유기 용매에 분산시켜 전도성 필러 분산액을 제조하는 단계;
    (b) 상기 전도성 필러 분산액에 경화성 고분자 및 경화제를 혼합한 후 건조시켜 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 제조하는 단계;
    (c) 유연 기판상에 상기 전도성 필러와 고분자 접착제 혼합물을 코팅하여 접착제 혼합물 코팅층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 접착제 혼합물 코팅층을 경화 처리하여 유연 기판상에 전도성 고분자 복합체를 형성하는 단계;를 포함하는 포함하고,
    단계 (a)에서,
    상기 금속 100중량부에 대하여 탄소재료 0.1 내지 2중량부를 상기 유기 용매에 분산시키고,
    단계 (b)에서,
    상기 경화성 고분자와 경화제를 포함하는 고분자 접착제 100 중량부를 기준으로 상기 전도성 필러 100 내지 500 중량부를 포함하도록 하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서,
    단계 (a)의 상기 유기 용매는 클로로포름, 톨루엔, 에탄올, 메탄올, 디클로로메탄 및 테트라하이드로퓨란 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  20. 제17항에 있어서,
    단계 (b)에서 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  21. 삭제
  22. 제17항에 있어서,
    단계 (c)에서 상기 유연 기판은 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 기판인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 유연 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 실리콘계 수지인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  24. 제17항에 있어서,
    단계 (c)의 상기 코팅은 닥터 블레이드, 평판 스크린법, 스핀 코팅법, 롤 코팅, 플로우 코팅, 그라비아 프린팅 및 플렉소 프린팅 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  25. 제17항에 있어서,
    단계 (c)의 상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛ 인 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  26. 제17항에 있어서,
    단계 (d)의 상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  27. 제17항에 있어서,
    단계 (a)에서 상기 금속은 직경이 100 내지 200 nm인 은(Ag) 입자, 1 내지 4 ㎛인 은(Ag) 입자, 및 5 내지 10 ㎛인 은(Ag) 입자의 혼합물이고, 상기 탄소재료는 직경 15 내지 40nm, 길이 10 내지 50㎛인 다중벽 탄소나노튜브이고, 상기 유기 용매는 클로로포름이고,
    단계 (b)에서 상기 경화성 고분자 100중량부에 대하여 경화제 10 내지 120중량부를 혼합하고, 상기 혼합은 교반과 탈포 과정을 동시 진행함으로써 수행되고,
    단계 (c)에서 상기 유연 기판은 실리콘 필름이고, 상기 코팅은 닥터 블레이드에 의해 수행하여 상기 접착제 혼합물 코팅층의 두께는 10 내지 200㎛로 형성하며,
    단계 (d)의 상기 경화 처리는 150 내지 200℃에서 60 내지 120분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체의 제조방법.
  28. 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제12항, 및 제14항 내지 제16항 중에서 선택된 어느 한 항의 유연 기판 접착용 전도성 고분자 복합체를 포함하는 유연전자장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 유연전자장치는 유연 디스플레이, 유연 트랜지스터, 유연 센서, 및 태양 전지 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유연전자장치.
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