KR102182022B1 - Light emitting device package and light emitting module - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티를 갖는 패키지 몸체와, 패키지의 캐비티 내에 배치된 발광 소자와, 캐비티 내에서 발광 소자 위에 배치된 렌즈와, 렌즈와 캐비티의 저면 사이에 배치되어 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재 및 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고, 광 섬유는 캐비티의 상부에 매립되어 렌즈의 출사면 위에 배치된 하측 및 하측으로부터 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a package body having a cavity, a light emitting device disposed within the cavity of the package, a lens disposed on the light emitting device within the cavity, and a molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting device And an optical fiber disposed over the lens, wherein the optical fiber is embedded in the upper portion of the cavity and includes an upper side extending from a lower side and a lower side disposed on the exit surface of the lens to the outside of the cavity.

Description

발광 소자 패키지 및 발광 모듈{Light emitting device package and light emitting module}Light emitting device package and light emitting module TECHNICAL FIELD

실시 예는 발광 소자 패키지 및 발광 모듈에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a light emitting module.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light Emitting Diode (LED) is a kind of semiconductor device that converts electricity into infrared or light using the characteristics of a compound semiconductor to send and receive signals, or used as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are in the spotlight as core materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.These light-emitting diodes do not contain environmentally hazardous substances such as mercury (Hg), which are used in conventional lighting equipment such as incandescent and fluorescent lamps, so they have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long lifespan and low power consumption. Are replacing them.

전술한 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 외부 환경 예를 들면 수분이나 물기로부터 보호하기 위해, 다양한 재료가 사용된다. 금속, 실리콘 계열의 물질, 또는 에폭시 계열의 물질을 사용하여 발광 소자 패키지를 밀봉한다고 하더라도, 발광 소자 패키지는 전기적 소자이므로 외부에 노출된 전극 구조를 가질 수 밖에 없어 수분이나 물기에 취약하다. 발광 소자 패키지가 모듈화된 발광 모듈의 경우에도 수분이나 물기에 취약하다.Various materials are used to protect the light emitting device package including the above light emitting device from an external environment, such as moisture or moisture. Even if the light-emitting device package is sealed using a metal, silicon-based material, or epoxy-based material, the light-emitting device package is an electrical device and therefore has an electrode structure exposed to the outside and is vulnerable to moisture or moisture. Even in the case of a light emitting module in which the light emitting device package is modular, it is vulnerable to moisture or moisture.

특히, 살균용으로 사용되는 발광 소자 패키지는 심자외선 파장 대역의 광을 방출한다. 이 경우, 살균의 대상이 되는 세균이나 바이러스, 곰팡이는 주로 수분이많은 장소에 서식하므로, 살균용 발광 소자 패키지는 수분이 많은 장소에서 사용될 상황이 많다. 이를 고려할 때, 수분이나 물기에 강한 살균용 발광 소자 패키지의 필요성이 대두되고 있다.In particular, a light emitting device package used for sterilization emits light in a deep ultraviolet wavelength band. In this case, since bacteria, viruses, and molds to be sterilized mainly live in places with high moisture, the light emitting device package for sterilization is often used in places with high moisture. In consideration of this, there is a need for a light emitting device package for sterilization resistant to moisture or moisture.

실시 예는 수분이나 물기에 강한 발광 소자 패키지 및 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light emitting module resistant to moisture or moisture.

실시 예의 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 패키지의 캐비티 내에 배치된 발광 소자; 상기 캐비티 내에서 상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈; 상기 렌즈와 상기 캐비티의 저면 사이에 배치되어, 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재; 및 상기 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고, 상기 광 섬유는 상기 캐비티의 상부에 매립되어 상기 렌즈의 출사면 위에 배치된 하측; 및 상기 하측으로부터 상기 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함할 수 있다. The light emitting device package of the embodiment includes: a package body having a cavity; A light emitting device disposed in the cavity of the package; A lens disposed on the light emitting element within the cavity; A molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting element; And an optical fiber disposed on the lens, wherein the optical fiber is buried in an upper portion of the cavity and disposed on an emission surface of the lens; And an upper side extending from the lower side to the outside of the cavity.

상기 렌즈는 200 ㎛ 내지 3 ㎜의 두께를 가질 수 있다.The lens may have a thickness of 200 μm to 3 mm.

상기 발광 소자는 심자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 광 섬유의 재질은 석영계의 물질을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device may emit light in a deep ultraviolet wavelength band. The material of the optical fiber may include a quartz-based material. The package body may include at least one of aluminum, ceramic, copper, or gold.

상기 몰딩 부재와 상기 렌즈 간의 굴절률 차는 상기 렌즈와 상기 광 섬유의 굴절률 차와 실질적으로 동일할 수 있다.The difference in refractive index between the molding member and the lens may be substantially the same as the difference in refractive index between the lens and the optical fiber.

상기 몰딩 부재의 제1 굴절률은 상기 렌즈의 제2 굴절률 이하이고, 상기 제2 굴절률은 상기 광 섬유의 제3 굴절률 이하일 수 있다.The first refractive index of the molding member may be less than or equal to the second refractive index of the lens, and the second refractive index may be less than or equal to the third refractive index of the optical fiber.

상기 몰딩 부재의 상기 발광 소자와 상기 렌즈 사이에서의 두께(t)는 아래와 같을 수 있다.The thickness (t) between the light emitting element and the lens of the molding member may be as follows.

Figure 112014056770015-pat00001
Figure 112014056770015-pat00001

여기서, W는 상기 캐비티의 폭을 나타낸다.Here, W represents the width of the cavity.

상기 렌즈의 두께(t)는 아래와 같을 수 있다.The thickness t of the lens may be as follows.

Figure 112014056770015-pat00002
Figure 112014056770015-pat00002

상기 몰딩 부재는 액상일 수 있다.The molding member may be liquid.

상기 몰딩 부재는 상기 패키지 몸체의 두께 방향으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 몰딩 부재의 다층 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상일 수 있다.The molding member may have a multilayer structure stacked in a thickness direction of the package body. At least one of the multilayers of the molding member may be liquid and the other may be solid.

상기 캐비티의 상부에 매립된 상기 광 섬유의 상기 하측의 두께는 1 ㎜ 이상일 수 있다. The thickness of the lower side of the optical fiber buried in the upper portion of the cavity may be 1 mm or more.

상기 광 섬유와 상기 렌즈는 실리콘 계열의 투명 접착제로 서로 접착될 수 있다.The optical fiber and the lens may be bonded to each other with a silicone-based transparent adhesive.

상기 캐비티는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 가질 수 있다.The cavity may have a parabolic cross-sectional shape whose width increases from the bottom to the top.

상기 광 섬유의 상측은 일정 길이를 갖고, 상기 상측의 끝단은 수중에서 광을 방출할 수 있다.An upper side of the optical fiber has a predetermined length, and an end of the upper side may emit light in water.

다른 실시 예에 의한 발광 모듈은 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판 위에 배치된 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.A light emitting module according to another embodiment includes a module substrate; And the light emitting device package disposed on the module substrate.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지 및 발광 모듈은 광이 방출되는 곳은 광 섬유의 끝단이므로 물기나 수분에 강하여 수중에서 광을 방출할 수 있어, 심자외선 광을 이용한 살균용으로 용이하게 사용될 수 있다.In the light emitting device package and the light emitting module according to the embodiment, since light is emitted from the end of the optical fiber, it is resistant to moisture or moisture and can emit light in water, so that it can be easily used for sterilization using deep ultraviolet light.

도 1은 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 일 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 'B' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2에 예시된 렌즈의 제1 두께에 따른 정규화된 자외선 광 출력의 세기를 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 몰딩 부재, 렌즈 및 광 섬유의 부분 단면도를 나타낸다.
도 7는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 8은 발광 소자 패키지가 수조에 담긴 물을 살균하는 모습을 나타낸다.
도 9은 실시 예에 의한 발광 모듈의 사시도를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 의한 발광 모듈의 일 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 실시 예에 의한 발광 모듈의 다른 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 실시 예에 의한 발광 모듈의 또 다른 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.
1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an exemplary embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
3 is an enlarged cross-sectional view of a portion'B' shown in FIG. 2.
4 is a graph showing the intensity of normalized ultraviolet light output according to the first thickness of the lens illustrated in FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of another embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
6 shows a partial cross-sectional view of the molding member, the lens and the optical fiber shown in FIG. 2.
7 is a cross-sectional view of another embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
8 shows a state in which the light emitting device package sterilizes water contained in a water tank.
9 is a perspective view of a light emitting module according to an embodiment.
10 is a perspective view illustrating an application example of a light emitting module according to an embodiment.
11 is a perspective view for explaining another application example of the light emitting module according to the embodiment.
12 is a perspective view for explaining another application example of the light emitting module according to the embodiment.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to explain the present invention by way of example, and to aid understanding of the invention. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed in the "top (top)" or "bottom (on or under)" of each element, the top (top) or bottom (bottom) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “up (up)” or “on or under”, the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다. 실시 예는 데카르트 좌표계(x, y, z)를 이용하여 설명되지만, 다른 좌표계에 의해서도 설명될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiment will be described using Cartesian coordinate systems (x, y, z), but it goes without saying that other coordinate systems may also be used.

도 1은 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 일 실시 예(100A)의 단면도를 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device package 100 according to the embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment 100A taken along line A-A′ shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100, 100A)는 패키지 몸체(110), 광 섬유(120), 렌즈(130), 몰딩 부재(140A), 발광 소자(150) 및 와이어(162, 164)를 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device packages 100 and 100A include a package body 110, an optical fiber 120, a lens 130, a molding member 140A, a light emitting device 150, and a wire 162. , 164).

발광 소자(150)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(cavity)(C1) 내에 배치될 수 있다. 발광 소자(150)는 수직형 본딩 구조를 가질 수도 있고, 수평형 본딩 구조를 가질 수도 있고, 플립 칩 본딩 구조를 가질 수도 있으며, 실시 예는 본딩 구조에 국한되지 않는다.The light emitting device 150 may be disposed within the cavity C1 of the package body 110. The light emitting device 150 may have a vertical bonding structure, a horizontal bonding structure, or a flip chip bonding structure, and the embodiment is not limited to the bonding structure.

발광소자(150)는 복수의 화합물 반도체층, 예컨대, Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED, 자외선(UV:UltraViolet) LED, 심자외선 LED 또는 무분극 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light-emitting device 150 includes an LED using a plurality of compound semiconductor layers, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, and the LED is a colored LED emitting light such as blue, green, or red, and ultraviolet rays (UV). :UltraViolet) LED, deep ultraviolet LED or non-polarized LED can be. The light emitted from the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

이하, 실시 예의 이해를 돕기 위해, 발광 소자(150)는 플립 칩 본딩 구조를 갖는 것으로 설명하지만, 실시 예는 수직형 본딩 구조나 수평형 본딩 구조를 갖는 발광 소자에 대해서도 적용될 수 있다.Hereinafter, for better understanding of the embodiment, the light emitting device 150 will be described as having a flip chip bonding structure, but the embodiment may also be applied to a light emitting device having a vertical bonding structure or a horizontal bonding structure.

도 3은 도 2에 도시된 'B' 부분을 확대 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion'B' shown in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 발광 소자(150)는 서브 마운트(152), 발광 구조물(154), 기판(170), 제1 전극(182), 제2 전극(184), 제1 및 제2 범프(186, 188) 및 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 150 includes a sub mount 152, a light emitting structure 154, a substrate 170, a first electrode 182, a second electrode 184, and first and second bumps ( 186 and 188 and first and second metal pads 192 and 194 may be included.

서브 마운트(152) 위에 발광 구조물(154)이 배치될 수 있다. 서브 마운트(152)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.The light emitting structure 154 may be disposed on the sub mount 152. The sub-mount 152 may be formed of a semiconductor substrate such as AlN, BN, silicon carbide (SiC), GaN, GaAs, or Si, but is not limited thereto and may be formed of a semiconductor material having thermal characteristics.

발광 구조물(154)은 기판(170)의 아래에 배치될 수 있다. 기판(170)은 활성층(133B)에서 방출된 광이 기판(131)을 통해 출사될 수 있도록, 기판(170)은 광 투과성을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(170)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 기판(170)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The light emitting structure 154 may be disposed under the substrate 170. The substrate 170 may have light transmittance so that light emitted from the active layer 133B can be emitted through the substrate 131. For example, the substrate 170 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. In addition, the substrate 170 may have a mechanical strength sufficient for separating into separate chips through a scribing process and a breaking process without causing warpage to the entire nitride semiconductor.

발광 구조물(154)은 제1 도전형 반도체층(154-1), 활성층(154-2) 및 제2 도전형 반도체층(154-3)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.The light emitting structure 154 may have a structure in which a first conductivity type semiconductor layer 154-1, an active layer 154-2, and a second conductivity type semiconductor layer 154-3 are sequentially stacked.

제1 도전형 반도체층(154-1)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(154-1)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자(150)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제1 도전형 반도체층(154-1)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)이 AlGaN으로 이루어질 경우 Al의 함량은 50 %일 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 154-1 may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first conductivity-type semiconductor layer 154-1 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be formed of any one or more of a semiconductor material having, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the first conductivity-type semiconductor layer 154-1 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductivity type semiconductor layer 154-1 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. If the light emitting device 150 is an ultraviolet (UV), deep UV, or non-polarized light emitting device, the first conductivity type semiconductor layer 154-1 may include at least one of InAlGaN and AlGaN. . When the first conductivity type semiconductor layer 154-1 is made of AlGaN, the content of Al may be 50%.

활성층(154-2)은 제1 도전형 반도체층(154-1)과 제2 도전형 반도체층(154-3) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(154-2)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 실시예에 의한 활성층(154-2)은 자외선 또는 심자외선 파장의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 활성층(154-2)에서 방출되는 광의 파장 대역은 200 ㎚ 내지 405 ㎚일 수 있다.The active layer 154-2 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 154-1 and the second conductivity type semiconductor layer 154-3, and is a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, and multiple quantum It may include any one of a multi-quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure. The active layer 154-2 is a well layer and a barrier layer, such as InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/ AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP may be formed in any one or more pair structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer. In particular, the active layer 154-2 according to the embodiment may generate light of ultraviolet or deep ultraviolet wavelength. For example, the wavelength band of light emitted from the active layer 154-2 may be 200 nm to 405 nm.

제2 도전형 반도체층(154-3)은 활성층(154-2)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자(150)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(154-3)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be disposed under the active layer 154-2. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be implemented as a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) or AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP It may be formed of any one or more of. When the second conductivity-type semiconductor layer 154-3 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. If the light emitting device 150 is an ultraviolet (UV), deep UV, or non-polarized light emitting device, the second conductivity-type semiconductor layer 154-3 may include at least one of InAlGaN and AlGaN. .

제1 전극(182)은 제1 도전형 반도체층(154-1)에 접해 있으며, 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(182)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.The first electrode 182 is in contact with the first conductivity type semiconductor layer 154-1 and may be formed of a metal. For example, the first electrode 182 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and selective combinations thereof.

제1 전극(182)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(182)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제1 전극(182)은 제1 도전형 반도체층(154-1)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(182)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제1 전극(182)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.The first electrode 182 may be a transparent conductive oxide (TCO) film. For example, the first electrode 182 includes the above-described metal material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), and indium gallium (IGZO). zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/ It may include at least one of IrOx/Au/ITO, but is not limited to these materials. The first electrode 182 may include a material in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 154-1. In addition, the first electrode 182 may be formed of a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having ohmic characteristics. If the first electrode 182 performs an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

제2 전극(184)은 활성층(154-2)과 평행하게 연장되며, 제2 도전형 반도체층(154-3) 하부에 배치된다. 제2 전극(184)은 활성층(154-2)의 에너지 밴드 갭보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 갖는다. 왜냐하면, 제2 전극(184)의 에너지 밴드 갭이 활성층(154-2)의 에너지 밴드 갭보다 크지 않을 경우, 활성층(154-2)에서 방출된 광이 제2 전극(184)을 투과하거나 반사하지 않고 흡수되어 버릴 수 있기 때문이다.The second electrode 184 extends parallel to the active layer 154-2 and is disposed under the second conductivity type semiconductor layer 154-3. The second electrode 184 has an energy band gap larger than the energy band gap of the active layer 154-2. Because, when the energy band gap of the second electrode 184 is not larger than the energy band gap of the active layer 154-2, the light emitted from the active layer 154-2 does not transmit or reflect the second electrode 184. Because it can be absorbed without.

제2 전극(184)은 예를 들어 AlN 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는다. 즉, 활성층(154-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제2 도전형 반도체층(154-3) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질이든지 제2 전극(184)을 형성할 수 있다.The second electrode 184 may include, for example, at least one of AlN and BN, but is not limited thereto. That is, any material that can reflect or transmit light emitted from the active layer 154-2 without absorbing it and that can be grown on the second conductivity-type semiconductor layer 154-3 with good quality is the second electrode ( 184).

제1 전극(182)은 제1 범프(186)를 이용하여 서브 마운트(152)의 제1 금속 패드(192)에 연결되며, 제2 전극(184)은 제2 범프(188)를 이용하여 서브 마운트(152)의 제2 금속 패드(194)에 연결될 수 있다.The first electrode 182 is connected to the first metal pad 192 of the sub mount 152 using the first bump 186, and the second electrode 184 is used as the second bump 188. It may be connected to the second metal pad 194 of the mount 152.

제1 금속 패드(192)는 제1 와이어(162)에 의해 제1 몸체부(110A)에 연결되고, 제2 금속 패드(194)는 제2 와이어(164)에 의해 제2 몸체부(110B)에 연결될 수 있다.The first metal pad 192 is connected to the first body portion 110A by the first wire 162, and the second metal pad 194 is the second body portion 110B by the second wire 164 Can be connected to

패키지 몸체(110)는 제1 및 제2 몸체부(110A, 110B)를 포함할 수 있다. 만일, 제1 및 제2 몸체부(110A, 110B)가 전기적 전도성을 갖는 재질로 구현될 경우, 절연물(172)이 제1 몸체부(110A)와 제2 몸체부(110B)를 전기적으로 서로 분리시키는 역할을 한다.The package body 110 may include first and second body portions 110A and 110B. If the first and second body parts 110A and 110B are made of a material having electrical conductivity, the insulating material 172 electrically separates the first body part 110A and the second body part 110B from each other. It plays a role to let.

패키지 몸체(110)는 캐비티(C1)를 가지며, 전술한 발광 소자(150)는 캐비티(C1) 내에 실장될 수 있다. 예를 들어, 패키지 몸체(110)는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The package body 110 has a cavity C1, and the above-described light emitting device 150 may be mounted in the cavity C1. For example, the package body 110 may include at least one of aluminum, ceramic, copper, or gold.

렌즈(130)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(C1) 내에서 발광 소자(150) 위에 배치될 수 있다. 여기서, 렌즈(130)는 발광 소자(150)로부터 방출된 광을 집광하여 광 섬유(120)로 전달하는 역할을 할 수 있다.The lens 130 may be disposed on the light emitting device 150 within the cavity C1 of the package body 110. Here, the lens 130 may play a role of condensing light emitted from the light-emitting element 150 and transmitting it to the optical fiber 120.

도 4는 도 2에 예시된 렌즈(130)의 제1 두께(t1)에 따른 정규화된 자외선 광 출력(normalized UV power)의 세기를 나타내는 그래프로서, 횡축은 제1 두께(t1)를 나타내고 종축은 광의 세기를 나타낸다.4 is a graph showing the intensity of normalized UV power according to the first thickness t1 of the lens 130 illustrated in FIG. 2, where the horizontal axis represents the first thickness t1 and the vertical axis Indicates the intensity of light.

도 4에서, 참조부호 '162', '164' 및 '166'은 발광 소자 패키지의 광 출력 세기를 측정하는 측정 장치와 발광 소자 패키지 사이의 거리가 각각 5 ㎝, 6 ㎝ 및 7 ㎝일 때를 나타낸다.In FIG. 4, reference numerals '162', '164', and '166' denote when the distance between the measuring device for measuring the light output intensity of the light emitting device package and the light emitting device package is 5 cm, 6 cm, and 7 cm, respectively. Show.

발광 소자(150)가 심자외선 파장 대역의 광을 방출할 경우, 도 4에 예시된 바와 같이 렌즈(130)의 제1 두께(t1)가 두꺼울수록 발광 소자 패키지(100, 100A)의 광 출력은 증가할 수 있다. 예를 들어, 렌즈(130)는 200 ㎛ 내지 3 ㎜의 제1 두께(t1)를 가질 수 있으나, 실시 예는 제1 두께(t1)의 특정값에 국한되지 않는다.When the light emitting device 150 emits light in the deep ultraviolet wavelength band, as illustrated in FIG. 4, as the first thickness t1 of the lens 130 increases, the light output of the light emitting device packages 100 and 100A is Can increase. For example, the lens 130 may have a first thickness t1 of 200 μm to 3 mm, but the embodiment is not limited to a specific value of the first thickness t1.

이와 같이 렌즈(130)의 두께를 두껍게 형성할 경우, 발광 소자(150)로부터 몰딩 부재(140A)를 통해 출사된 광이 효율적으로 전반사되어 광 섬유(120)로 향할 수 있다.When the thickness of the lens 130 is formed to be thick as described above, the light emitted from the light emitting element 150 through the molding member 140A can be efficiently totally reflected and directed to the optical fiber 120.

한편, 몰딩 부재(140A)는 렌즈(130)와 캐비티(C1)의 저면(CB) 사이에 배치되어, 발광 소자(150)를 포위할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(140A)는 형광체를 포함하여, 발광 소자 칩(150)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.Meanwhile, the molding member 140A may be disposed between the lens 130 and the bottom surface CB of the cavity C1 to surround the light emitting element 150. In addition, the molding member 140A may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device chip 150.

실시 예에 의하면, 몰딩 부재(140A)는 액상 또는 고상일 수 있다.According to an embodiment, the molding member 140A may be liquid or solid.

또한, 몰딩 부재(140A)는 패키지 몸체(110)의 두께 방향인 z축 방향으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.In addition, the molding member 140A may have a multilayer structure stacked in the z-axis direction, which is the thickness direction of the package body 110.

도 5는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 다른 실시예(100B)의 단면도를 나타낸다.5 is a cross-sectional view of another embodiment 100B taken along line A-A' shown in FIG. 1.

도 2에 예시된 몰딩 부재(140A)는 단일 층 구조를 갖는 반면, 도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)는 다층 구조를 갖는다. 이를 제외하면, 도 5에 예시된 발광 소자(100B)는 도 2에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로, 동일한 부분에 대한 설명을 생략하고 차이점만을 살펴본다.The molding member 140A illustrated in FIG. 2 has a single layer structure, while the molding member 140B illustrated in FIG. 5 has a multilayer structure. Except for this, since the light-emitting device 100B illustrated in FIG. 5 is the same as the light-emitting device 100A illustrated in FIG. 2, descriptions of the same parts are omitted and only differences are described.

도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)는 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2)를 포함할 수 있다. 도 2에 예시된 몰딩 부재(140A)는 액상이거나 고상일 수 있다. 이와 달리, 도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)의 다층(140B-1, 140B-2) 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상일 수 있다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(140B-1)는 고상이고, 제2 몰딩 부재(140B-2)는 액상일 수 있으며, 이와 반대로 제1 몰딩 부재(140B-1)는 액상이고, 제2 몰딩 부재(140B-2)는 고상일 수 있다. 또는, 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2)는 모두 액상이거나 고상일 수도 있다.The molding member 140B illustrated in FIG. 5 may include first and second molding members 140B-1 and 140B-2. The molding member 140A illustrated in FIG. 2 may be liquid or solid. Alternatively, at least one of the multilayers 140B-1 and 140B-2 of the molding member 140B illustrated in FIG. 5 may be in a liquid state and the other layer may be in a solid state. For example, the first molding member 140B-1 may be in a solid state, and the second molding member 140B-2 may be in a liquid state. Conversely, the first molding member 140B-1 may be in a liquid state, and the second molding member 140B-1 may be in a liquid state. The member 140B-2 may be solid. Alternatively, both of the first and second molding members 140B-1 and 140B-2 may be liquid or solid.

또한, 제1 몰딩 부재(140B-1)은 반구형 단면 형상을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2) 각각의 단면 형상에 국한되지 않는다.In addition, although the first molding member 140B-1 is shown to have a hemispherical cross-sectional shape, the embodiment is not limited to the cross-sectional shape of each of the first and second molding members 140B-1 and 140B-2.

또한, 몰딩 부재(140A, 140B-1, 140B-2의 적층 횟수를 증가시킬수록 발광 소자(150)에서 방출된 광이 보다 많이 렌즈(130)로 진행할 수 있다.In addition, as the number of stacking of the molding members 140A, 140B-1, and 140B-2 is increased, more light emitted from the light emitting device 150 may travel to the lens 130.

한편, 렌즈(130) 위에 광 섬유(120)가 배치될 수 있다.Meanwhile, the optical fiber 120 may be disposed on the lens 130.

도 1을 참조하면, 광 섬유(120)는 원형 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 광 섬유(120)는 타원형이나 다각형 평면 형상을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 1, the optical fiber 120 is illustrated as having a circular planar shape, but the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, the optical fiber 120 may have an oval shape or a polygonal planar shape.

광 섬유(120)는 하측(120A) 및 상측(120B)을 포함할 수 있다. The optical fiber 120 may include a lower side 120A and an upper side 120B.

광 섬유(120)의 하측(120A)은 캐비티(C1)의 상부에 매립되어 렌즈(130)의 출사면(130A) 위에 배치될 수 있다.The lower side 120A of the optical fiber 120 may be buried in the upper portion of the cavity C1 and disposed on the exit surface 130A of the lens 130.

광 섬유(120)와 렌즈(130)는 실리콘 계열의 투명 접착제(미도시)로 서로 접착될 수 있지만, 실시 예는 이들(120, 130)의 접착 형태나 방법에 국한되지 않는다. 일 례로서, 광 섬유(120)의 하측(120A)의 끝단(120A-1, 120A-2)을 200 ℃ 내지 300 ℃로 가열한 후, 표면 용융된 상태에서 패키지 몸체(110)와 도 2에 예시된 바와 같이 물리적 및 화학적으로 접착시킬 수 있다.The optical fiber 120 and the lens 130 may be adhered to each other with a silicone-based transparent adhesive (not shown), but the embodiment is not limited to the form or method of bonding these 120 and 130. As an example, after heating the ends (120A-1, 120A-2) of the lower side (120A) of the optical fiber 120 to 200 ℃ to 300 ℃, the package body 110 and FIG. It can be physically and chemically bonded as illustrated.

이때, 하측(120A)이 캐비티(C1)의 상부에 1 ㎜보다 얇게 매립될 경우, 광 섬유(120)와 패키지 몸체(110)의 상부 간의 접착력이 약하여, 하측(120A)이 캐비티(C1)의 상측으로부터 쉽게 분리될 수도 있다. 따라서, 광 섬유(120)의 하측(120A)의 제2 두께(t2)는 1 ㎜이상일 수 있다. 만일, 광 섬유(120)가 렌즈(130)와 실리콘 계열의 투명 접착제에 의해 접착될 경우, 하측(120A)의 제2 두께(t2)는 3 ㎜ 이상일 수 있다.At this time, when the lower side (120A) is embedded in the upper portion of the cavity (C1) to be thinner than 1 mm, the adhesive force between the optical fiber 120 and the upper portion of the package body 110 is weak, so that the lower side (120A) of the cavity (C1) It can also be easily separated from the top side. Accordingly, the second thickness t2 of the lower side 120A of the optical fiber 120 may be 1 mm or more. If the optical fiber 120 is bonded to the lens 130 by a silicone-based transparent adhesive, the second thickness t2 of the lower side 120A may be 3 mm or more.

상측(120B)은 하측(120A)으로부터 캐비티(110)의 외부로 연장될 수 있다.The upper side 120B may extend to the outside of the cavity 110 from the lower side 120A.

만일, 발광 소자(150)로부터 자외선 파장 대역의 광이 방출될 경우, 광 섬유(120)의 재질은 자외선 파장 대역의 광의 흡수가 적은 석영계의 물질을 포함할 수 있다.If light in the ultraviolet wavelength band is emitted from the light emitting device 150, the material of the optical fiber 120 may include a quartz-based material having less absorption of light in the ultraviolet wavelength band.

도 2 및 도 5에 예시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에 포함된 몰딩 부재(140A, 140B), 렌즈(130) 및 광 섬유(120) 간의 굴절률 차에 의해, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율은 달라질 수 있다.The light emitting device packages 100A and 100B due to the difference in refractive index between the molding members 140A and 140B, the lens 130 and the optical fiber 120 included in the light emitting device packages 100A and 100B illustrated in FIGS. 2 and 5 ), the light extraction efficiency may vary.

만일, 몰딩 부재(140A, 140B)의 제1 굴절률과 렌즈(130)의 제2 굴절률 간의 굴절률 차(이하, '제1 굴절률 차')는 제2 굴절률과 광 섬유(120)의 제3 굴절률 차(이하, '제2 굴절률 차')와 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, '실질적으로 동일하다'는 것은 스넬의 법칙에 의한 광 탈출 각도에 차이가 없을 정도로 제1 굴절률 차와 제2 굴절률 차 간의 차이가 없음을 의미할 수 있다.If, the difference in refractive index between the first refractive index of the molding members 140A and 140B and the second refractive index of the lens 130 (hereinafter,'the first refractive index difference') is the difference between the second refractive index and the third refractive index of the optical fiber 120 (Hereinafter,'second refractive index difference') may be substantially the same. Here, "substantially the same" may mean that there is no difference between the first refractive index difference and the second refractive index difference such that there is no difference in the light escape angle according to Snell's law.

또한, 몰딩 부재(140A, 140B)의 제1 굴절률은 렌즈(130)의 제2 굴절률 이하이고, 렌즈(130)의 제2 굴절률은 광 섬유(120)의 제3 굴절률 이하일 수 있다. 이러한 조건을 만족할 때, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율이 개선될 수 있다.Also, the first refractive index of the molding members 140A and 140B may be less than or equal to the second refractive index of the lens 130, and the second refractive index of the lens 130 may be less than or equal to the third refractive index of the optical fiber 120. When these conditions are satisfied, light extraction efficiency of the light emitting device packages 100A and 100B may be improved.

예를 들어, 몰딩 부재(140A, 140B)는 1.4 내지 1.5의 제1 굴절률을 갖는 실리콘으로 구현할 수 있고, 렌즈(130)는 1.5의 굴절률을 갖는 석영 글래스(glass)로 구현될 수 있다.For example, the molding members 140A and 140B may be implemented with silicon having a first refractive index of 1.4 to 1.5, and the lens 130 may be implemented with quartz glass having a refractive index of 1.5.

도 6은 도 2에 도시된 몰딩 부재(140A), 렌즈(130) 및 광 섬유(120)의 부분 단면도를 나타낸다.6 shows a partial cross-sectional view of the molding member 140A, the lens 130, and the optical fiber 120 shown in FIG. 2.

예를 들어, 몰딩 부재(140A)의 제1 굴절률이 1.4이고, 렌즈(130)의 제2 굴절률이 1.45이고, 광 섬유(120)의 제3 굴절률이 1.5일 경우, 도 6에 예시된 바와 같이, 좀 더 많은 광이 화살표 방향으로 표시된 바와 같이 광 섬유(120)를 탈출할 수 있다. For example, when the first refractive index of the molding member 140A is 1.4, the second refractive index of the lens 130 is 1.45, and the third refractive index of the optical fiber 120 is 1.5, as illustrated in FIG. 6 , More light may escape the optical fiber 120 as indicated by the arrow direction.

또한, 더 많은 광이 탈출할 수 있도록, 몰딩 부재(140A)는 공기층을 포함하지 않도록 구현하여, 제1 굴절률이 일정하도록 할 수 있다.In addition, so that more light can escape, the molding member 140A may be implemented so as not to include an air layer, so that the first refractive index may be constant.

또한, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율은 렌즈(130)의 제1 두께(t1)와 몰딩 부재(140A, 140B)의 제3 두께(t3)에 따라 변할 수도 있다.In addition, the light extraction efficiency of the light emitting device packages 100A and 100B may vary according to the first thickness t1 of the lens 130 and the third thickness t3 of the molding members 140A and 140B.

발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율을 개선히기 위한, 몰딩 부재(140A, 140B)의 발광 소자(150)와 렌즈(130) 사이에서의 제3 두께(t3)는 다음 수학식 1과 같을 수 있다.In order to improve the light extraction efficiency of the light-emitting device packages 100A and 100B, the third thickness t3 between the light-emitting device 150 and the lens 130 of the molding members 140A and 140B is shown in Equation 1 below. Can be the same

Figure 112014056770015-pat00003
Figure 112014056770015-pat00003

여기서, W는 캐비티(C1 ,C2)의 폭을 나타낸다.Here, W represents the width of the cavities C1 and C2.

또한, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율을 더욱 개선시키기 위한, 렌즈(130)의 제1 두께(t1)는 다음 수학식 2와 같을 수 있다.In addition, in order to further improve the light extraction efficiency of the light emitting device packages 100A and 100B, the first thickness t1 of the lens 130 may be as Equation 2 below.

Figure 112014056770015-pat00004
Figure 112014056770015-pat00004

수학식 1과 2에서, 발광 소자(150)에서 방출되는 광의 지향각은 120°로 가정되었다.In Equations 1 and 2, the beam angle of light emitted from the light emitting device 150 is assumed to be 120°.

도 7는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 또 다른 실시예(100C)의 단면도를 나타낸다.7 is a cross-sectional view of another embodiment 100C taken along line A-A' shown in FIG. 1.

도 2 및 도 5에 예시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에서 캐비티(C1, C2)의 단면 형상은 사각형이다. 즉, 캐비티(C1, C2)의 상부의 폭(W)과 하부의 폭(W)은 서로 동일할 수 있다. 이와 달리, 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100C)에서 캐비티(C3)는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 가질 수 있다. 이를 제외하면, 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 예시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 동일한 부분에 대한 중복되는 설명을 생략한다.The cross-sectional shapes of the cavities C1 and C2 in the light emitting device packages 100A and 100B illustrated in FIGS. 2 and 5 are rectangular. That is, the upper width W and the lower width W of the cavities C1 and C2 may be the same. In contrast, in the light emitting device package 100C illustrated in FIG. 7, the cavity C3 may have a parabolic cross-sectional shape whose width increases from bottom to top. Except for this, since the light-emitting device package 100C illustrated in FIG. 7 is the same as the light-emitting device package 100A illustrated in FIG. 2, redundant descriptions of the same portions will be omitted.

캐비티(C1, C2)의 단면 형상이 사각형일 경우에 대비하여, 캐비티(C3)의 형상이 도 7에 예시된 바와 같이 파라볼릭일 경우, 발광 소자(150)로부터 방출된 광(LD)이 최대한 상부로 직진하여 광 섬유(120)에 도달할 수 있어, 광 손실없이 발광 소자 패키지(100C)로부터 출사될 수 있다.Compared to the case where the cross-sectional shape of the cavities C1 and C2 is square, when the shape of the cavity C3 is parabolic as illustrated in FIG. 7, the light LD emitted from the light emitting element 150 is at the highest It can go straight to and reach the optical fiber 120, so it can be emitted from the light emitting device package 100C without loss of light.

도 8은 발광 소자 패키지(10)가 수조(20)에 담긴 물(5)을 살균하는 모습을 나타낸다.8 shows a state in which the light emitting device package 10 sterilizes the water 5 contained in the water tank 20.

도 8을 참조하면, 일반적으로 발광 소자 패키지(10)는 수조(20)에 담긴 물(5)을 살균하기 위해, 수조(20)로부터 일정 거리 이격되어 배치된다. 왜냐하면, 기존의 발광 소자 패키지(10)는 밀봉의 한계로 인해, 수분이나 물에 취약하여 방수 효과가 낮거나 없기 때문이다. 도 8에 예시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(10)가 배치될 경우, 물(5)과 공기(3) 간의 굴절률 차이로 인해 물(5)의 표면에서 난반사하여 화살표로 예시한 바와 같이 발광 소자 패키지(10)로부터 방출된 광의 상당 부분은 수조(20) 내의 물(5)로 입사되지 못하고 반사되거나 수조(20) 자체를 탈출하여 원하는 살균 효과를 기대할 수 없다.Referring to FIG. 8, in general, the light emitting device package 10 is disposed to be spaced apart from the water tank 20 by a predetermined distance in order to sterilize the water 5 contained in the water tank 20. This is because the conventional light emitting device package 10 is vulnerable to moisture or water due to the limitation of sealing and thus has low or no waterproof effect. As illustrated in FIG. 8, when the light emitting device package 10 is disposed, the light emitting device is diffusely reflected from the surface of the water 5 due to the difference in refractive index between the water 5 and the air 3, as illustrated by arrows. A significant portion of the light emitted from the package 10 cannot be incident on the water 5 in the water tank 20 and is reflected or escaped from the water tank 20 itself, so that a desired sterilization effect cannot be expected.

이하, 전술한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)를 포함하는 실시 예에 의한 발광 모듈(200)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, a light emitting module 200 according to an embodiment including the light emitting device packages 100, 100A, 100B, and 100C will be described as follows with reference to the accompanying drawings.

도 9은 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 사시도를 나타낸다.9 shows a perspective view of the light emitting module 200 according to the embodiment.

도 9에 예시된 발광 모듈(200)은 모듈 기판(210) 및 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(100-1, 100-2, ..., 100-N)를 포함한다. 여기서, N은 1이상의 양의 정수이다.The light emitting module 200 illustrated in FIG. 9 includes a module substrate 210 and first to Nth light emitting device packages 100-1, 100-2, ..., 100-N. Here, N is a positive integer of 1 or more.

모듈 기판(210) 위에 배치된 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(100-1, 100-2, ... 100-N) 각각(100-n)은 도 1, 도 2, 도 5 또는 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)에 해당할 수 있다. 여기서, 1 ≤ n ≤ N. 따라서, 도 9에 예시된 제n 발광 소자 패키지(100-n)는 제n 패키지 몸체(110-n) 및 제n 광 섬유(120-n)를 포함할 수 있다. 게다가, 비록 도 9에서 보이지 않지만, 제n 패키지 몸체(110-n)의 내부에는 도 2, 도 5, 도 7에 예시된 바와 같은 구조의 발광 소자(150), 몰딩 부재(140A, 140B, 140C), 렌즈(130)가 배치되어 있음은 물론이다.Each 100-n of the first to Nth light emitting device packages 100-1, 100-2, ... 100-N disposed on the module substrate 210 is shown in FIGS. 1, 2, 5, or 7 It may correspond to the light emitting device packages 100, 100A, 100B, and 100C illustrated in FIG. Here, 1 ≤ n ≤ N. Accordingly, the n-th light emitting device package 100-n illustrated in FIG. 9 may include an n-th package body 110-n and an n-th optical fiber 120-n. . In addition, although not visible in FIG. 9, the inside of the n-th package body 110-n includes a light emitting device 150 having a structure as illustrated in FIGS. 2, 5, and 7, and molding members 140A, 140B, and 140C. ), of course, that the lens 130 is disposed.

모듈 기판(210)은 일반 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)뿐만 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 실시 예는 이에 한정되지 않는다.The module substrate 210 may include not only a general printed circuit board (PCB), but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB, and the like, and embodiments are not limited thereto. .

제1 내지 제N 광 섬유(120-1, 120-2, ..., 120-N) 각각의 상측은 일정 길이를 가질 수 있으며, 상측의 끝단(124)은 수중에 담겨져서 광을 방출할 수 있다.The upper side of each of the first to Nth optical fibers 120-1, 120-2, ..., 120-N may have a predetermined length, and the end 124 of the upper side is contained in water to emit light. I can.

이하, 전술한 발광 모듈(200)에 적용 례를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, examples of application to the above-described light emitting module 200 will be described with reference to the accompanying drawings.

도 10 내지 도 12는 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.10 to 12 are perspective views for explaining an application example of the light emitting module 200 according to the embodiment.

일 적용 례에 따르면, 도 10에 예시된 바와 같이, 발광 모듈(200)의 각 광 섬유(120)의 단부(128)는 수조(20)에 잠길 수 있다. 이와 같이, 발광 모듈(200) 전체가 수조(20)에 잠기는 대신에 광 섬유(120)의 단부(128)만이 수조(20)에 잠기기 때문에, 발광 모듈(200)은 수분이나 물에 강할 수 있다. 이와 같이, 수조(20)에 광 섬유(120)가 잠긴 상태에서, 광 섬유(120)의 끝단(124)을 통해 살균용 심자외선 파장 대역의 광이 출사되기 때문에, 수조(20)에 담겨져 있는 물(5)의 살균 효과가 극대화될 수 있다. 도 8과 비교할 경우, 발광 모듈(200)로부터 방출되는 광의 많은 부분이 수조(20)에 담긴 물(5)의 살균에 이용될 수 있음을 알 수 있다.According to an application example, as illustrated in FIG. 10, the ends 128 of each optical fiber 120 of the light emitting module 200 may be immersed in the water tank 20. In this way, instead of immersing the entire light emitting module 200 in the water tank 20, only the end 128 of the optical fiber 120 is immersed in the water tank 20, so that the light emitting module 200 may be resistant to moisture or water. . In this way, in a state in which the optical fiber 120 is immersed in the water tank 20, since the light in the deep ultraviolet wavelength band for sterilization is emitted through the end 124 of the optical fiber 120, it is contained in the water tank 20. The sterilizing effect of the water 5 can be maximized. In comparison with FIG. 8, it can be seen that a large portion of the light emitted from the light emitting module 200 can be used for sterilization of the water 5 contained in the water tank 20.

다른 적용 례에 따르면, 도 11에 예시된 바와 같이, 물(5)이 파이프 라인(220)을 통해 화살표 방향(224)으로 이동할 때, 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 광 섬유(120)는 물(5)의 이동 방향(224)에 대향하는 방향으로 배치되어, 물(5)을 살균시킬 수도 있다. 이는, 예를 들어 정수기(미도시)에서 물(5)이 유출되는 부분에 실시 예에 의한 발광 모듈(200)이 배치될 수 있음을 보여준다.According to another application example, as illustrated in FIG. 11, when the water 5 moves in the arrow direction 224 through the pipeline 220, the optical fiber 120 of the light emitting module 200 according to the embodiment Is disposed in a direction opposite to the movement direction 224 of the water 5, and may sterilize the water 5. This shows that, for example, the light emitting module 200 according to the embodiment may be disposed in a portion where water 5 flows out of a water purifier (not shown).

또 다른 적용 례에 따르면, 도 12에 예시된 바와 같이, 파이프 라인(220)에 관통 공(222)이 배치되고, 관통 공(222)에 광 섬유(120)가 삽입될 경우, 화살표 방향(224)으로 흐르는 물(5)을 살균할 수 있다. 이는 도 11에 예시된 바와 다르게 발광 모듈(200)이 배치되어, 물(5)을 살균할 수 있음을 보여준다.According to another application example, as illustrated in FIG. 12, when the through hole 222 is disposed in the pipeline 220 and the optical fiber 120 is inserted into the through hole 222, the arrow direction 224 ) Can sterilize the flowing water (5). This shows that the light-emitting module 200 is disposed differently from that illustrated in FIG. 11 to sterilize the water 5.

전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 및 발광 모듈(200)에서 물에 취약한 부분은 물에 잠기지 않고, 물이나 수분에 강한 광 섬유(120)의 단부(128)만이 물(5)에 잠기기 때문에, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)나 발광 모듈(200)은 물이나 수분에 강함을 알 수 있다. 따라서, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 및 발광 모듈(200)은 물이나 수분이 많은 환경에서 용이하게 이용될 수 있다.As described above, in the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C and the light emitting module 200 according to the embodiment, the portion vulnerable to water is not immersed in water, and the end of the optical fiber 120 resistant to water or moisture Since only 128 is immersed in the water 5, it can be seen that the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C or the light emitting module 200 according to the embodiment are resistant to water or moisture. Accordingly, the light emitting device packages 100, 100A, 100B, and 100C and the light emitting module 200 according to the embodiment may be easily used in an environment with a lot of water or moisture.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100, 100A, 100B, 100C, 100-1, 100-2, 100-N: 발광 소자 패키지
110, 110-1, 110-2, 110-N: 패키지 몸체
120, 120-1, 120-2, 120-N: 광 섬유
130: 렌즈 140A, 140B, 140C: 몰딩 부재
150: 발광 소자 152: 서브 마운트
154: 발광 구조물 162, 164: 와이어
170: 기판 182, 184: 전극
186, 188: 범프 192, 194:금속 패드
200: 발광 모듈 210: 모듈 기판
100, 100A, 100B, 100C, 100-1, 100-2, 100-N: light emitting device package
110, 110-1, 110-2, 110-N: Package body
120, 120-1, 120-2, 120-N: optical fiber
130: lens 140A, 140B, 140C: molding member
150: light-emitting element 152: sub mount
154: light-emitting structure 162, 164: wire
170: substrate 182, 184: electrode
186, 188: bump 192, 194: metal pad
200: light-emitting module 210: module substrate

Claims (17)

캐비티를 갖는 패키지 몸체;
상기 패키지의 캐비티 내에 배치되며, 심자외선 파장 대역의 광을 방출하는 발광 소자;
상기 캐비티 내에서 상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈;
상기 렌즈와 상기 캐비티의 저면 사이에 배치되어, 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재; 및
상기 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고,
상기 광 섬유는
상기 캐비티의 상부에 매립되어 상기 렌즈의 출사면 위에 배치되며, 상기 광이 출사되는 끝단을 갖는 하측; 및
상기 하측으로부터 상기 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함하고,
상기 몰딩 부재는 상기 패키지 몸체의 두께 방향으로 적층된 다층 구조를 갖고,
상기 몰딩 부재의 다층 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상인 발광 소자 패키지.
A package body having a cavity;
A light emitting device disposed in the cavity of the package and emitting light in a deep ultraviolet wavelength band;
A lens disposed on the light emitting element within the cavity;
A molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting element; And
Including an optical fiber disposed on the lens,
The optical fiber
A lower side buried in the upper portion of the cavity, disposed on an emission surface of the lens, and having an end through which the light is emitted; And
Including an upper side extending from the lower side to the outside of the cavity,
The molding member has a multilayer structure stacked in the thickness direction of the package body,
At least one of the multilayers of the molding member is a liquid state and the other is a solid state.
제1 항에 있어서, 상기 렌즈는 200 ㎛ 내지 3 ㎜의 두께를 갖고,
상기 광 섬유의 재질은 석영계의 물질을 포함하고,
상기 패키지 몸체는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, wherein the lens has a thickness of 200 μm to 3 mm,
The material of the optical fiber includes a quartz-based material,
The package body is a light emitting device package comprising at least one of aluminum, ceramic, copper, or gold.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 몰딩 부재의 상기 발광 소자와 상기 렌즈 사이에서의 두께(t3)는 아래와 같고,
Figure 112020102296736-pat00019

(여기서, W는 상기 캐비티의 폭을 나타낸다.)
상기 렌즈의 두께(t1)는 아래와 같은 발광 소자 패키지.
Figure 112020102296736-pat00020
The method of claim 1, wherein a thickness (t3) between the light emitting element and the lens of the molding member is as follows,
Figure 112020102296736-pat00019

(Wherein, W represents the width of the cavity.)
The thickness t1 of the lens is a light emitting device package as follows.
Figure 112020102296736-pat00020
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 캐비티의 상부에 매립된 상기 광 섬유의 상기 하측의 두께는 1 ㎜ 이상이고,
상기 광 섬유와 상기 렌즈는 실리콘 계열의 투명 접착제로 서로 접착되고,
상기 캐비티는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, wherein the thickness of the lower side of the optical fiber embedded in the upper portion of the cavity is 1 mm or more,
The optical fiber and the lens are adhered to each other with a silicone-based transparent adhesive,
The light emitting device package having a parabolic cross-sectional shape in which the width of the cavity increases from bottom to top.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 모듈 기판; 및
상기 모듈 기판 위에 배치되며, 제1 항, 제2 항, 제8 항 및 제13 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈.
Module substrate; And
A light emitting module disposed on the module substrate and comprising the light emitting device package according to any one of claims 1, 2, 8, and 13.
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