KR102182022B1 - Light emitting device package and light emitting module - Google Patents
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Abstract
실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티를 갖는 패키지 몸체와, 패키지의 캐비티 내에 배치된 발광 소자와, 캐비티 내에서 발광 소자 위에 배치된 렌즈와, 렌즈와 캐비티의 저면 사이에 배치되어 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재 및 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고, 광 섬유는 캐비티의 상부에 매립되어 렌즈의 출사면 위에 배치된 하측 및 하측으로부터 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a package body having a cavity, a light emitting device disposed within the cavity of the package, a lens disposed on the light emitting device within the cavity, and a molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting device And an optical fiber disposed over the lens, wherein the optical fiber is embedded in the upper portion of the cavity and includes an upper side extending from a lower side and a lower side disposed on the exit surface of the lens to the outside of the cavity.
Description
실시 예는 발광 소자 패키지 및 발광 모듈에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a light emitting module.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light Emitting Diode (LED) is a kind of semiconductor device that converts electricity into infrared or light using the characteristics of a compound semiconductor to send and receive signals, or used as a light source.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are in the spotlight as core materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.These light-emitting diodes do not contain environmentally hazardous substances such as mercury (Hg), which are used in conventional lighting equipment such as incandescent and fluorescent lamps, so they have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long lifespan and low power consumption. Are replacing them.
전술한 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 외부 환경 예를 들면 수분이나 물기로부터 보호하기 위해, 다양한 재료가 사용된다. 금속, 실리콘 계열의 물질, 또는 에폭시 계열의 물질을 사용하여 발광 소자 패키지를 밀봉한다고 하더라도, 발광 소자 패키지는 전기적 소자이므로 외부에 노출된 전극 구조를 가질 수 밖에 없어 수분이나 물기에 취약하다. 발광 소자 패키지가 모듈화된 발광 모듈의 경우에도 수분이나 물기에 취약하다.Various materials are used to protect the light emitting device package including the above light emitting device from an external environment, such as moisture or moisture. Even if the light-emitting device package is sealed using a metal, silicon-based material, or epoxy-based material, the light-emitting device package is an electrical device and therefore has an electrode structure exposed to the outside and is vulnerable to moisture or moisture. Even in the case of a light emitting module in which the light emitting device package is modular, it is vulnerable to moisture or moisture.
특히, 살균용으로 사용되는 발광 소자 패키지는 심자외선 파장 대역의 광을 방출한다. 이 경우, 살균의 대상이 되는 세균이나 바이러스, 곰팡이는 주로 수분이많은 장소에 서식하므로, 살균용 발광 소자 패키지는 수분이 많은 장소에서 사용될 상황이 많다. 이를 고려할 때, 수분이나 물기에 강한 살균용 발광 소자 패키지의 필요성이 대두되고 있다.In particular, a light emitting device package used for sterilization emits light in a deep ultraviolet wavelength band. In this case, since bacteria, viruses, and molds to be sterilized mainly live in places with high moisture, the light emitting device package for sterilization is often used in places with high moisture. In consideration of this, there is a need for a light emitting device package for sterilization resistant to moisture or moisture.
실시 예는 수분이나 물기에 강한 발광 소자 패키지 및 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light emitting module resistant to moisture or moisture.
실시 예의 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 패키지의 캐비티 내에 배치된 발광 소자; 상기 캐비티 내에서 상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈; 상기 렌즈와 상기 캐비티의 저면 사이에 배치되어, 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재; 및 상기 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고, 상기 광 섬유는 상기 캐비티의 상부에 매립되어 상기 렌즈의 출사면 위에 배치된 하측; 및 상기 하측으로부터 상기 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함할 수 있다. The light emitting device package of the embodiment includes: a package body having a cavity; A light emitting device disposed in the cavity of the package; A lens disposed on the light emitting element within the cavity; A molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting element; And an optical fiber disposed on the lens, wherein the optical fiber is buried in an upper portion of the cavity and disposed on an emission surface of the lens; And an upper side extending from the lower side to the outside of the cavity.
상기 렌즈는 200 ㎛ 내지 3 ㎜의 두께를 가질 수 있다.The lens may have a thickness of 200 μm to 3 mm.
상기 발광 소자는 심자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 광 섬유의 재질은 석영계의 물질을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device may emit light in a deep ultraviolet wavelength band. The material of the optical fiber may include a quartz-based material. The package body may include at least one of aluminum, ceramic, copper, or gold.
상기 몰딩 부재와 상기 렌즈 간의 굴절률 차는 상기 렌즈와 상기 광 섬유의 굴절률 차와 실질적으로 동일할 수 있다.The difference in refractive index between the molding member and the lens may be substantially the same as the difference in refractive index between the lens and the optical fiber.
상기 몰딩 부재의 제1 굴절률은 상기 렌즈의 제2 굴절률 이하이고, 상기 제2 굴절률은 상기 광 섬유의 제3 굴절률 이하일 수 있다.The first refractive index of the molding member may be less than or equal to the second refractive index of the lens, and the second refractive index may be less than or equal to the third refractive index of the optical fiber.
상기 몰딩 부재의 상기 발광 소자와 상기 렌즈 사이에서의 두께(t)는 아래와 같을 수 있다.The thickness (t) between the light emitting element and the lens of the molding member may be as follows.
여기서, W는 상기 캐비티의 폭을 나타낸다.Here, W represents the width of the cavity.
상기 렌즈의 두께(t)는 아래와 같을 수 있다.The thickness t of the lens may be as follows.
상기 몰딩 부재는 액상일 수 있다.The molding member may be liquid.
상기 몰딩 부재는 상기 패키지 몸체의 두께 방향으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 몰딩 부재의 다층 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상일 수 있다.The molding member may have a multilayer structure stacked in a thickness direction of the package body. At least one of the multilayers of the molding member may be liquid and the other may be solid.
상기 캐비티의 상부에 매립된 상기 광 섬유의 상기 하측의 두께는 1 ㎜ 이상일 수 있다. The thickness of the lower side of the optical fiber buried in the upper portion of the cavity may be 1 mm or more.
상기 광 섬유와 상기 렌즈는 실리콘 계열의 투명 접착제로 서로 접착될 수 있다.The optical fiber and the lens may be bonded to each other with a silicone-based transparent adhesive.
상기 캐비티는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 가질 수 있다.The cavity may have a parabolic cross-sectional shape whose width increases from the bottom to the top.
상기 광 섬유의 상측은 일정 길이를 갖고, 상기 상측의 끝단은 수중에서 광을 방출할 수 있다.An upper side of the optical fiber has a predetermined length, and an end of the upper side may emit light in water.
다른 실시 예에 의한 발광 모듈은 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판 위에 배치된 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.A light emitting module according to another embodiment includes a module substrate; And the light emitting device package disposed on the module substrate.
실시 예에 의한 발광 소자 패키지 및 발광 모듈은 광이 방출되는 곳은 광 섬유의 끝단이므로 물기나 수분에 강하여 수중에서 광을 방출할 수 있어, 심자외선 광을 이용한 살균용으로 용이하게 사용될 수 있다.In the light emitting device package and the light emitting module according to the embodiment, since light is emitted from the end of the optical fiber, it is resistant to moisture or moisture and can emit light in water, so that it can be easily used for sterilization using deep ultraviolet light.
도 1은 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 일 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 'B' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2에 예시된 렌즈의 제1 두께에 따른 정규화된 자외선 광 출력의 세기를 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 몰딩 부재, 렌즈 및 광 섬유의 부분 단면도를 나타낸다.
도 7는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 8은 발광 소자 패키지가 수조에 담긴 물을 살균하는 모습을 나타낸다.
도 9은 실시 예에 의한 발광 모듈의 사시도를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 의한 발광 모듈의 일 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 실시 예에 의한 발광 모듈의 다른 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 실시 예에 의한 발광 모듈의 또 다른 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an exemplary embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
3 is an enlarged cross-sectional view of a portion'B' shown in FIG. 2.
4 is a graph showing the intensity of normalized ultraviolet light output according to the first thickness of the lens illustrated in FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of another embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
6 shows a partial cross-sectional view of the molding member, the lens and the optical fiber shown in FIG. 2.
7 is a cross-sectional view of another embodiment taken along line A-A' shown in FIG. 1.
8 shows a state in which the light emitting device package sterilizes water contained in a water tank.
9 is a perspective view of a light emitting module according to an embodiment.
10 is a perspective view illustrating an application example of a light emitting module according to an embodiment.
11 is a perspective view for explaining another application example of the light emitting module according to the embodiment.
12 is a perspective view for explaining another application example of the light emitting module according to the embodiment.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to explain the present invention by way of example, and to aid understanding of the invention. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed in the "top (top)" or "bottom (on or under)" of each element, the top (top) or bottom (bottom) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “up (up)” or “on or under”, the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element may be included.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.
이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다. 실시 예는 데카르트 좌표계(x, y, z)를 이용하여 설명되지만, 다른 좌표계에 의해서도 설명될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiment will be described using Cartesian coordinate systems (x, y, z), but it goes without saying that other coordinate systems may also be used.
도 1은 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 일 실시 예(100A)의 단면도를 나타낸다.1 is a plan view of a light
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100, 100A)는 패키지 몸체(110), 광 섬유(120), 렌즈(130), 몰딩 부재(140A), 발광 소자(150) 및 와이어(162, 164)를 포함할 수 있다.1 and 2, the light
발광 소자(150)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(cavity)(C1) 내에 배치될 수 있다. 발광 소자(150)는 수직형 본딩 구조를 가질 수도 있고, 수평형 본딩 구조를 가질 수도 있고, 플립 칩 본딩 구조를 가질 수도 있으며, 실시 예는 본딩 구조에 국한되지 않는다.The
발광소자(150)는 복수의 화합물 반도체층, 예컨대, Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED, 자외선(UV:UltraViolet) LED, 심자외선 LED 또는 무분극 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light-
이하, 실시 예의 이해를 돕기 위해, 발광 소자(150)는 플립 칩 본딩 구조를 갖는 것으로 설명하지만, 실시 예는 수직형 본딩 구조나 수평형 본딩 구조를 갖는 발광 소자에 대해서도 적용될 수 있다.Hereinafter, for better understanding of the embodiment, the
도 3은 도 2에 도시된 'B' 부분을 확대 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion'B' shown in FIG. 2.
도 3을 참조하면, 발광 소자(150)는 서브 마운트(152), 발광 구조물(154), 기판(170), 제1 전극(182), 제2 전극(184), 제1 및 제2 범프(186, 188) 및 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the
서브 마운트(152) 위에 발광 구조물(154)이 배치될 수 있다. 서브 마운트(152)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.The
발광 구조물(154)은 기판(170)의 아래에 배치될 수 있다. 기판(170)은 활성층(133B)에서 방출된 광이 기판(131)을 통해 출사될 수 있도록, 기판(170)은 광 투과성을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(170)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 기판(170)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The
발광 구조물(154)은 제1 도전형 반도체층(154-1), 활성층(154-2) 및 제2 도전형 반도체층(154-3)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.The
제1 도전형 반도체층(154-1)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(154-1)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자(150)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제1 도전형 반도체층(154-1)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(154-1)이 AlGaN으로 이루어질 경우 Al의 함량은 50 %일 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 154-1 may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first conductivity-type semiconductor layer 154-1 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be formed of any one or more of a semiconductor material having, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the first conductivity-type semiconductor layer 154-1 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductivity type semiconductor layer 154-1 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. If the
활성층(154-2)은 제1 도전형 반도체층(154-1)과 제2 도전형 반도체층(154-3) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(154-2)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 실시예에 의한 활성층(154-2)은 자외선 또는 심자외선 파장의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 활성층(154-2)에서 방출되는 광의 파장 대역은 200 ㎚ 내지 405 ㎚일 수 있다.The active layer 154-2 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 154-1 and the second conductivity type semiconductor layer 154-3, and is a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, and multiple quantum It may include any one of a multi-quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure. The active layer 154-2 is a well layer and a barrier layer, such as InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/ AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP may be formed in any one or more pair structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer. In particular, the active layer 154-2 according to the embodiment may generate light of ultraviolet or deep ultraviolet wavelength. For example, the wavelength band of light emitted from the active layer 154-2 may be 200 nm to 405 nm.
제2 도전형 반도체층(154-3)은 활성층(154-2)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(154-3)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자(150)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(154-3)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be disposed under the active layer 154-2. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be implemented as a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) or AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP It may be formed of any one or more of. When the second conductivity-type semiconductor layer 154-3 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 154-3 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. If the
제1 전극(182)은 제1 도전형 반도체층(154-1)에 접해 있으며, 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(182)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.The
제1 전극(182)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(182)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제1 전극(182)은 제1 도전형 반도체층(154-1)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(182)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제1 전극(182)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.The
제2 전극(184)은 활성층(154-2)과 평행하게 연장되며, 제2 도전형 반도체층(154-3) 하부에 배치된다. 제2 전극(184)은 활성층(154-2)의 에너지 밴드 갭보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 갖는다. 왜냐하면, 제2 전극(184)의 에너지 밴드 갭이 활성층(154-2)의 에너지 밴드 갭보다 크지 않을 경우, 활성층(154-2)에서 방출된 광이 제2 전극(184)을 투과하거나 반사하지 않고 흡수되어 버릴 수 있기 때문이다.The
제2 전극(184)은 예를 들어 AlN 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는다. 즉, 활성층(154-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제2 도전형 반도체층(154-3) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질이든지 제2 전극(184)을 형성할 수 있다.The
제1 전극(182)은 제1 범프(186)를 이용하여 서브 마운트(152)의 제1 금속 패드(192)에 연결되며, 제2 전극(184)은 제2 범프(188)를 이용하여 서브 마운트(152)의 제2 금속 패드(194)에 연결될 수 있다.The
제1 금속 패드(192)는 제1 와이어(162)에 의해 제1 몸체부(110A)에 연결되고, 제2 금속 패드(194)는 제2 와이어(164)에 의해 제2 몸체부(110B)에 연결될 수 있다.The
패키지 몸체(110)는 제1 및 제2 몸체부(110A, 110B)를 포함할 수 있다. 만일, 제1 및 제2 몸체부(110A, 110B)가 전기적 전도성을 갖는 재질로 구현될 경우, 절연물(172)이 제1 몸체부(110A)와 제2 몸체부(110B)를 전기적으로 서로 분리시키는 역할을 한다.The
패키지 몸체(110)는 캐비티(C1)를 가지며, 전술한 발광 소자(150)는 캐비티(C1) 내에 실장될 수 있다. 예를 들어, 패키지 몸체(110)는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
렌즈(130)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(C1) 내에서 발광 소자(150) 위에 배치될 수 있다. 여기서, 렌즈(130)는 발광 소자(150)로부터 방출된 광을 집광하여 광 섬유(120)로 전달하는 역할을 할 수 있다.The
도 4는 도 2에 예시된 렌즈(130)의 제1 두께(t1)에 따른 정규화된 자외선 광 출력(normalized UV power)의 세기를 나타내는 그래프로서, 횡축은 제1 두께(t1)를 나타내고 종축은 광의 세기를 나타낸다.4 is a graph showing the intensity of normalized UV power according to the first thickness t1 of the
도 4에서, 참조부호 '162', '164' 및 '166'은 발광 소자 패키지의 광 출력 세기를 측정하는 측정 장치와 발광 소자 패키지 사이의 거리가 각각 5 ㎝, 6 ㎝ 및 7 ㎝일 때를 나타낸다.In FIG. 4, reference numerals '162', '164', and '166' denote when the distance between the measuring device for measuring the light output intensity of the light emitting device package and the light emitting device package is 5 cm, 6 cm, and 7 cm, respectively. Show.
발광 소자(150)가 심자외선 파장 대역의 광을 방출할 경우, 도 4에 예시된 바와 같이 렌즈(130)의 제1 두께(t1)가 두꺼울수록 발광 소자 패키지(100, 100A)의 광 출력은 증가할 수 있다. 예를 들어, 렌즈(130)는 200 ㎛ 내지 3 ㎜의 제1 두께(t1)를 가질 수 있으나, 실시 예는 제1 두께(t1)의 특정값에 국한되지 않는다.When the
이와 같이 렌즈(130)의 두께를 두껍게 형성할 경우, 발광 소자(150)로부터 몰딩 부재(140A)를 통해 출사된 광이 효율적으로 전반사되어 광 섬유(120)로 향할 수 있다.When the thickness of the
한편, 몰딩 부재(140A)는 렌즈(130)와 캐비티(C1)의 저면(CB) 사이에 배치되어, 발광 소자(150)를 포위할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(140A)는 형광체를 포함하여, 발광 소자 칩(150)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.Meanwhile, the
실시 예에 의하면, 몰딩 부재(140A)는 액상 또는 고상일 수 있다.According to an embodiment, the
또한, 몰딩 부재(140A)는 패키지 몸체(110)의 두께 방향인 z축 방향으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.In addition, the
도 5는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 다른 실시예(100B)의 단면도를 나타낸다.5 is a cross-sectional view of another
도 2에 예시된 몰딩 부재(140A)는 단일 층 구조를 갖는 반면, 도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)는 다층 구조를 갖는다. 이를 제외하면, 도 5에 예시된 발광 소자(100B)는 도 2에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로, 동일한 부분에 대한 설명을 생략하고 차이점만을 살펴본다.The
도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)는 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2)를 포함할 수 있다. 도 2에 예시된 몰딩 부재(140A)는 액상이거나 고상일 수 있다. 이와 달리, 도 5에 예시된 몰딩 부재(140B)의 다층(140B-1, 140B-2) 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상일 수 있다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(140B-1)는 고상이고, 제2 몰딩 부재(140B-2)는 액상일 수 있으며, 이와 반대로 제1 몰딩 부재(140B-1)는 액상이고, 제2 몰딩 부재(140B-2)는 고상일 수 있다. 또는, 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2)는 모두 액상이거나 고상일 수도 있다.The
또한, 제1 몰딩 부재(140B-1)은 반구형 단면 형상을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 제1 및 제2 몰딩 부재(140B-1, 140B-2) 각각의 단면 형상에 국한되지 않는다.In addition, although the
또한, 몰딩 부재(140A, 140B-1, 140B-2의 적층 횟수를 증가시킬수록 발광 소자(150)에서 방출된 광이 보다 많이 렌즈(130)로 진행할 수 있다.In addition, as the number of stacking of the
한편, 렌즈(130) 위에 광 섬유(120)가 배치될 수 있다.Meanwhile, the
도 1을 참조하면, 광 섬유(120)는 원형 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 광 섬유(120)는 타원형이나 다각형 평면 형상을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 1, the
광 섬유(120)는 하측(120A) 및 상측(120B)을 포함할 수 있다. The
광 섬유(120)의 하측(120A)은 캐비티(C1)의 상부에 매립되어 렌즈(130)의 출사면(130A) 위에 배치될 수 있다.The
광 섬유(120)와 렌즈(130)는 실리콘 계열의 투명 접착제(미도시)로 서로 접착될 수 있지만, 실시 예는 이들(120, 130)의 접착 형태나 방법에 국한되지 않는다. 일 례로서, 광 섬유(120)의 하측(120A)의 끝단(120A-1, 120A-2)을 200 ℃ 내지 300 ℃로 가열한 후, 표면 용융된 상태에서 패키지 몸체(110)와 도 2에 예시된 바와 같이 물리적 및 화학적으로 접착시킬 수 있다.The
이때, 하측(120A)이 캐비티(C1)의 상부에 1 ㎜보다 얇게 매립될 경우, 광 섬유(120)와 패키지 몸체(110)의 상부 간의 접착력이 약하여, 하측(120A)이 캐비티(C1)의 상측으로부터 쉽게 분리될 수도 있다. 따라서, 광 섬유(120)의 하측(120A)의 제2 두께(t2)는 1 ㎜이상일 수 있다. 만일, 광 섬유(120)가 렌즈(130)와 실리콘 계열의 투명 접착제에 의해 접착될 경우, 하측(120A)의 제2 두께(t2)는 3 ㎜ 이상일 수 있다.At this time, when the lower side (120A) is embedded in the upper portion of the cavity (C1) to be thinner than 1 mm, the adhesive force between the
상측(120B)은 하측(120A)으로부터 캐비티(110)의 외부로 연장될 수 있다.The
만일, 발광 소자(150)로부터 자외선 파장 대역의 광이 방출될 경우, 광 섬유(120)의 재질은 자외선 파장 대역의 광의 흡수가 적은 석영계의 물질을 포함할 수 있다.If light in the ultraviolet wavelength band is emitted from the
도 2 및 도 5에 예시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에 포함된 몰딩 부재(140A, 140B), 렌즈(130) 및 광 섬유(120) 간의 굴절률 차에 의해, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율은 달라질 수 있다.The light emitting
만일, 몰딩 부재(140A, 140B)의 제1 굴절률과 렌즈(130)의 제2 굴절률 간의 굴절률 차(이하, '제1 굴절률 차')는 제2 굴절률과 광 섬유(120)의 제3 굴절률 차(이하, '제2 굴절률 차')와 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, '실질적으로 동일하다'는 것은 스넬의 법칙에 의한 광 탈출 각도에 차이가 없을 정도로 제1 굴절률 차와 제2 굴절률 차 간의 차이가 없음을 의미할 수 있다.If, the difference in refractive index between the first refractive index of the
또한, 몰딩 부재(140A, 140B)의 제1 굴절률은 렌즈(130)의 제2 굴절률 이하이고, 렌즈(130)의 제2 굴절률은 광 섬유(120)의 제3 굴절률 이하일 수 있다. 이러한 조건을 만족할 때, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율이 개선될 수 있다.Also, the first refractive index of the
예를 들어, 몰딩 부재(140A, 140B)는 1.4 내지 1.5의 제1 굴절률을 갖는 실리콘으로 구현할 수 있고, 렌즈(130)는 1.5의 굴절률을 갖는 석영 글래스(glass)로 구현될 수 있다.For example, the
도 6은 도 2에 도시된 몰딩 부재(140A), 렌즈(130) 및 광 섬유(120)의 부분 단면도를 나타낸다.6 shows a partial cross-sectional view of the
예를 들어, 몰딩 부재(140A)의 제1 굴절률이 1.4이고, 렌즈(130)의 제2 굴절률이 1.45이고, 광 섬유(120)의 제3 굴절률이 1.5일 경우, 도 6에 예시된 바와 같이, 좀 더 많은 광이 화살표 방향으로 표시된 바와 같이 광 섬유(120)를 탈출할 수 있다. For example, when the first refractive index of the
또한, 더 많은 광이 탈출할 수 있도록, 몰딩 부재(140A)는 공기층을 포함하지 않도록 구현하여, 제1 굴절률이 일정하도록 할 수 있다.In addition, so that more light can escape, the
또한, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율은 렌즈(130)의 제1 두께(t1)와 몰딩 부재(140A, 140B)의 제3 두께(t3)에 따라 변할 수도 있다.In addition, the light extraction efficiency of the light emitting
발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율을 개선히기 위한, 몰딩 부재(140A, 140B)의 발광 소자(150)와 렌즈(130) 사이에서의 제3 두께(t3)는 다음 수학식 1과 같을 수 있다.In order to improve the light extraction efficiency of the light-emitting
여기서, W는 캐비티(C1 ,C2)의 폭을 나타낸다.Here, W represents the width of the cavities C1 and C2.
또한, 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율을 더욱 개선시키기 위한, 렌즈(130)의 제1 두께(t1)는 다음 수학식 2와 같을 수 있다.In addition, in order to further improve the light extraction efficiency of the light emitting
수학식 1과 2에서, 발광 소자(150)에서 방출되는 광의 지향각은 120°로 가정되었다.In
도 7는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 또 다른 실시예(100C)의 단면도를 나타낸다.7 is a cross-sectional view of another
도 2 및 도 5에 예시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에서 캐비티(C1, C2)의 단면 형상은 사각형이다. 즉, 캐비티(C1, C2)의 상부의 폭(W)과 하부의 폭(W)은 서로 동일할 수 있다. 이와 달리, 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100C)에서 캐비티(C3)는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 가질 수 있다. 이를 제외하면, 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 예시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 동일한 부분에 대한 중복되는 설명을 생략한다.The cross-sectional shapes of the cavities C1 and C2 in the light emitting
캐비티(C1, C2)의 단면 형상이 사각형일 경우에 대비하여, 캐비티(C3)의 형상이 도 7에 예시된 바와 같이 파라볼릭일 경우, 발광 소자(150)로부터 방출된 광(LD)이 최대한 상부로 직진하여 광 섬유(120)에 도달할 수 있어, 광 손실없이 발광 소자 패키지(100C)로부터 출사될 수 있다.Compared to the case where the cross-sectional shape of the cavities C1 and C2 is square, when the shape of the cavity C3 is parabolic as illustrated in FIG. 7, the light LD emitted from the
도 8은 발광 소자 패키지(10)가 수조(20)에 담긴 물(5)을 살균하는 모습을 나타낸다.8 shows a state in which the light emitting
도 8을 참조하면, 일반적으로 발광 소자 패키지(10)는 수조(20)에 담긴 물(5)을 살균하기 위해, 수조(20)로부터 일정 거리 이격되어 배치된다. 왜냐하면, 기존의 발광 소자 패키지(10)는 밀봉의 한계로 인해, 수분이나 물에 취약하여 방수 효과가 낮거나 없기 때문이다. 도 8에 예시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(10)가 배치될 경우, 물(5)과 공기(3) 간의 굴절률 차이로 인해 물(5)의 표면에서 난반사하여 화살표로 예시한 바와 같이 발광 소자 패키지(10)로부터 방출된 광의 상당 부분은 수조(20) 내의 물(5)로 입사되지 못하고 반사되거나 수조(20) 자체를 탈출하여 원하는 살균 효과를 기대할 수 없다.Referring to FIG. 8, in general, the light emitting
이하, 전술한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)를 포함하는 실시 예에 의한 발광 모듈(200)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, a
도 9은 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 사시도를 나타낸다.9 shows a perspective view of the
도 9에 예시된 발광 모듈(200)은 모듈 기판(210) 및 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(100-1, 100-2, ..., 100-N)를 포함한다. 여기서, N은 1이상의 양의 정수이다.The
모듈 기판(210) 위에 배치된 제1 내지 제N 발광 소자 패키지(100-1, 100-2, ... 100-N) 각각(100-n)은 도 1, 도 2, 도 5 또는 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)에 해당할 수 있다. 여기서, 1 ≤ n ≤ N. 따라서, 도 9에 예시된 제n 발광 소자 패키지(100-n)는 제n 패키지 몸체(110-n) 및 제n 광 섬유(120-n)를 포함할 수 있다. 게다가, 비록 도 9에서 보이지 않지만, 제n 패키지 몸체(110-n)의 내부에는 도 2, 도 5, 도 7에 예시된 바와 같은 구조의 발광 소자(150), 몰딩 부재(140A, 140B, 140C), 렌즈(130)가 배치되어 있음은 물론이다.Each 100-n of the first to Nth light emitting device packages 100-1, 100-2, ... 100-N disposed on the
모듈 기판(210)은 일반 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)뿐만 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 실시 예는 이에 한정되지 않는다.The
제1 내지 제N 광 섬유(120-1, 120-2, ..., 120-N) 각각의 상측은 일정 길이를 가질 수 있으며, 상측의 끝단(124)은 수중에 담겨져서 광을 방출할 수 있다.The upper side of each of the first to Nth optical fibers 120-1, 120-2, ..., 120-N may have a predetermined length, and the
이하, 전술한 발광 모듈(200)에 적용 례를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, examples of application to the above-described light
도 10 내지 도 12는 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 적용 례를 설명하기 위한 사시도이다.10 to 12 are perspective views for explaining an application example of the
일 적용 례에 따르면, 도 10에 예시된 바와 같이, 발광 모듈(200)의 각 광 섬유(120)의 단부(128)는 수조(20)에 잠길 수 있다. 이와 같이, 발광 모듈(200) 전체가 수조(20)에 잠기는 대신에 광 섬유(120)의 단부(128)만이 수조(20)에 잠기기 때문에, 발광 모듈(200)은 수분이나 물에 강할 수 있다. 이와 같이, 수조(20)에 광 섬유(120)가 잠긴 상태에서, 광 섬유(120)의 끝단(124)을 통해 살균용 심자외선 파장 대역의 광이 출사되기 때문에, 수조(20)에 담겨져 있는 물(5)의 살균 효과가 극대화될 수 있다. 도 8과 비교할 경우, 발광 모듈(200)로부터 방출되는 광의 많은 부분이 수조(20)에 담긴 물(5)의 살균에 이용될 수 있음을 알 수 있다.According to an application example, as illustrated in FIG. 10, the
다른 적용 례에 따르면, 도 11에 예시된 바와 같이, 물(5)이 파이프 라인(220)을 통해 화살표 방향(224)으로 이동할 때, 실시 예에 의한 발광 모듈(200)의 광 섬유(120)는 물(5)의 이동 방향(224)에 대향하는 방향으로 배치되어, 물(5)을 살균시킬 수도 있다. 이는, 예를 들어 정수기(미도시)에서 물(5)이 유출되는 부분에 실시 예에 의한 발광 모듈(200)이 배치될 수 있음을 보여준다.According to another application example, as illustrated in FIG. 11, when the
또 다른 적용 례에 따르면, 도 12에 예시된 바와 같이, 파이프 라인(220)에 관통 공(222)이 배치되고, 관통 공(222)에 광 섬유(120)가 삽입될 경우, 화살표 방향(224)으로 흐르는 물(5)을 살균할 수 있다. 이는 도 11에 예시된 바와 다르게 발광 모듈(200)이 배치되어, 물(5)을 살균할 수 있음을 보여준다.According to another application example, as illustrated in FIG. 12, when the through
전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 및 발광 모듈(200)에서 물에 취약한 부분은 물에 잠기지 않고, 물이나 수분에 강한 광 섬유(120)의 단부(128)만이 물(5)에 잠기기 때문에, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C)나 발광 모듈(200)은 물이나 수분에 강함을 알 수 있다. 따라서, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 및 발광 모듈(200)은 물이나 수분이 많은 환경에서 용이하게 이용될 수 있다.As described above, in the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C and the
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
100, 100A, 100B, 100C, 100-1, 100-2, 100-N: 발광 소자 패키지
110, 110-1, 110-2, 110-N: 패키지 몸체
120, 120-1, 120-2, 120-N: 광 섬유
130: 렌즈 140A, 140B, 140C: 몰딩 부재
150: 발광 소자 152: 서브 마운트
154: 발광 구조물 162, 164: 와이어
170: 기판 182, 184: 전극
186, 188: 범프 192, 194:금속 패드
200: 발광 모듈 210: 모듈 기판100, 100A, 100B, 100C, 100-1, 100-2, 100-N: light emitting device package
110, 110-1, 110-2, 110-N: Package body
120, 120-1, 120-2, 120-N: optical fiber
130:
150: light-emitting element 152: sub mount
154: light-emitting
170:
186, 188: bump 192, 194: metal pad
200: light-emitting module 210: module substrate
Claims (17)
상기 패키지의 캐비티 내에 배치되며, 심자외선 파장 대역의 광을 방출하는 발광 소자;
상기 캐비티 내에서 상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈;
상기 렌즈와 상기 캐비티의 저면 사이에 배치되어, 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재; 및
상기 렌즈 위에 배치된 광 섬유를 포함하고,
상기 광 섬유는
상기 캐비티의 상부에 매립되어 상기 렌즈의 출사면 위에 배치되며, 상기 광이 출사되는 끝단을 갖는 하측; 및
상기 하측으로부터 상기 캐비티의 외부로 연장된 상측을 포함하고,
상기 몰딩 부재는 상기 패키지 몸체의 두께 방향으로 적층된 다층 구조를 갖고,
상기 몰딩 부재의 다층 중 적어도 하나의 층은 액상이고 다른 하나의 층은 고상인 발광 소자 패키지.A package body having a cavity;
A light emitting device disposed in the cavity of the package and emitting light in a deep ultraviolet wavelength band;
A lens disposed on the light emitting element within the cavity;
A molding member disposed between the lens and the bottom surface of the cavity to surround the light emitting element; And
Including an optical fiber disposed on the lens,
The optical fiber
A lower side buried in the upper portion of the cavity, disposed on an emission surface of the lens, and having an end through which the light is emitted; And
Including an upper side extending from the lower side to the outside of the cavity,
The molding member has a multilayer structure stacked in the thickness direction of the package body,
At least one of the multilayers of the molding member is a liquid state and the other is a solid state.
상기 광 섬유의 재질은 석영계의 물질을 포함하고,
상기 패키지 몸체는 알루미늄, 세라믹, 구리, 또는 금 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the lens has a thickness of 200 μm to 3 mm,
The material of the optical fiber includes a quartz-based material,
The package body is a light emitting device package comprising at least one of aluminum, ceramic, copper, or gold.
(여기서, W는 상기 캐비티의 폭을 나타낸다.)
상기 렌즈의 두께(t1)는 아래와 같은 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, wherein a thickness (t3) between the light emitting element and the lens of the molding member is as follows,
(Wherein, W represents the width of the cavity.)
The thickness t1 of the lens is a light emitting device package as follows.
상기 광 섬유와 상기 렌즈는 실리콘 계열의 투명 접착제로 서로 접착되고,
상기 캐비티는 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 증가하는 파라볼릭 단면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the thickness of the lower side of the optical fiber embedded in the upper portion of the cavity is 1 mm or more,
The optical fiber and the lens are adhered to each other with a silicone-based transparent adhesive,
The light emitting device package having a parabolic cross-sectional shape in which the width of the cavity increases from bottom to top.
상기 모듈 기판 위에 배치되며, 제1 항, 제2 항, 제8 항 및 제13 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈.Module substrate; And
A light emitting module disposed on the module substrate and comprising the light emitting device package according to any one of claims 1, 2, 8, and 13.
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