KR102179644B1 - 이온 주입 장치 - Google Patents

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다이스케 고토
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

이온 주입 장치는 진공 챔버(11)와, 필름(3)이 외주부의 일부에 감긴 전극 롤(13)과, 전극 롤에 전압을 인가하는 전압 인가 수단(23)과, 진공 챔버 내에 이온 주입 가스를 도입하기 위한 가스 취출구를 가지는 가스 도입부를 구비하고, 가스 도입부와 배기구가 전극 롤의 축방향에 있어서, 전극 롤을 끼우고 대향하여 설치되어 있다.

Description

이온 주입 장치{ION IMPLANTATION DEVICE}
본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것이다.
종래, 긴 필름을 한 방향으로 반송하면서 그 표면에 플라즈마 중의 이온을 주입하여 표면 개질을 행하는 소위 이온 주입 방법을 사용하여, 예를 들면 필름 표면에 가스 배리어층을 만드는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에서는 이 이온 주입 방법을 실시하는 이온 주입 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 이온 주입 장치에서는 진공 챔버 내에 권출 롤, 권취 롤, 전극 롤 등의 롤류가 설치되어 있음과 아울러, 가스 도입 수단이 설치되어 있다. 또, 전극 롤에는 전압 인가 수단이 설치되어 있다.
이러한 이온 주입 장치에서는 챔버 내에 이온 주입 가스가 도입되고, 전극 롤에 전압 인가 수단에 의해 전압이 인가되면, 챔버 벽면이 어스가 되어 전극 롤과 챔버 벽면 사이에 전계가 형성되고, 플라즈마가 형성된다. 이 플라즈마에 의해 생성된 이온이 부의 직류 고전압 펄스의 인가에 의해 전극 롤측으로 끌어당겨짐으로써, 전극 롤의 필름의 표면에 이온 주입이 행해진다.
일본 공개특허공보 2006-70238호
그런데, 최근 필름의 폭이 넓어짐으로써, 전극 롤이 대형화하고, 이것에 의해 이온 주입 장치가 대형화하고 있다. 이와 같이 이온 주입 장치가 대형화하면, 이온 주입 가스가 이온 주입 장치 안에서 체류해버린다. 이것에 의해, 챔버 내에서 가스 농도가 높아지는 장소와, 상대적으로 이온 주입 가스의 가스 농도가 낮아지는 장소가 생겨버려, 진공 챔버 내에서의 플라즈마 밀도가 균일성을 유지할 수 없고, 표면 개질을 균일하게 행할 수 없다는 문제가 생길 우려가 있다.
그래서, 본 발명의 과제는 상기 종래기술의 문제점을 해결하는 것에 있으며, 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킬 수 있는 이온 주입 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 이온 주입 장치는 진공 챔버와, 필름이 외주부의 일부에 감긴 전극 롤과, 이 전극 롤에 전압을 인가하는 전압 인가 수단과, 상기 진공 챔버 내에 이온 주입 가스를 도입하기 위한 가스 취출구를 가지는 가스 도입부와, 이 가스 도입부 및 상기 진공 챔버 내의 가스를 배기하기 위한 배기구를 구비하고, 상기 가스 도입부와 상기 배기구가 상기 전극 롤의 축방향에 있어서, 이 전극 롤을 끼우고 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 상기 가스 도입부와 상기 배기구가 상기 전극 롤의 축방향에 있어서 이 전극 롤을 끼우고 대향하여 설치되어 있는 것으로, 전극 롤의 축방향에 있어서 가스의 흐름이 형성되므로, 이온 주입 처리에 있어서 가스가 흐르기 쉽고, 진공 챔버 내에 있어서 가스가 체류하기 어렵다. 따라서, 가스 농도가 균일화되므로 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다.
상기 가스 도입부에는 복수의 가스 취출구가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 복수의 가스 취출구가 설치됨으로써, 진공 챔버 내에 균일하게 가스가 도입되므로, 플라즈마 밀도를 보다 균일화할 수 있다.
상기 가스 도입부의 각 가스 취출구는 상기 전극 롤의 둘레가장자리에 대향하도록 이간하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 가스 취출구가 설치되어 있는 것으로, 전극 롤의 주위, 즉 전계가 형성되는 영역에 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 플라즈마 밀도를 높게 할 수 있다.
상기 전극 롤과 상기 진공 챔버의 벽면 사이에, 상기 가스 취출구로부터 상기 배기구를 향하는 가스의 흐름을 따르도록 정류 부재가 설치된 것이 바람직하다. 정류 부재가 설치되어 있는 것으로, 가스의 흐름을 정류하여 보다 진공 챔버 내에 가스가 체류하기 어렵고, 또한 전계가 형성되지 않는 위치에까지 확산되기 쉽다. 따라서, 가스 농도가 균일화되므로 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다.
상기 정류 부재가 도전성 금속으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 이온 주입 장치에 의하면, 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킬 수 있다는 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 이온 주입 장치의 모식도.
도 2는 연장 부재를 설명하기 위한 모식적 사시도.
도 3은 실시형태 1에 따른 이온 주입 장치의 모식도.
도 4는 실시형태 1에 따른 이온 주입 장치의 가스 도입부를 나타내는 모식도.
도 5는 실시형태 2에 따른 이온 주입 장치의 모식도.
도 6은 실시형태 2에 따른 이온 주입 장치에 사용되는 정류 장치를 설명하기 위한 모식적 사시도.
도 7은 실시형태 3에 따른 이온 주입 장치에 사용되는 정류 장치를 설명하기 위한 모식도.
(실시형태 1)
본 발명의 실시형태에 대해서, 도 1~도 4를 사용하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 이온 주입 장치(1)는 진공 챔버(11)를 구비한다.
진공 챔버(11)에는 전극 롤(13), 권출 롤(14), 복수의 반송 롤(15), 권취 롤(16)이 설치되어 있다. 전극 롤(13)의 하방측에는 권출 롤(14)로부터 반송 롤(15)을 통하여 반송된 필름(3)이 감겨 있다. 필름(3)은 이 전극 롤(13)에 있어서, 상세는 후술하는 이온 주입 처리가 행해져, 반송 롤(15)을 통하여 권취 롤(16)에 반송된다. 즉, 권출 롤(14)에 있는 필름은 이온 주입 처리 전이며, 권취 롤(16)에 있는 필름(3)은 이온 주입 처리 후이다.
전극 롤(13)은 도전체로 이루어진다. 이 전극 롤(13)에는 전압 인가 수단(23)이 설치되어 있다. 전압 인가 수단(23)은 전극 롤(13)에 대하여 교류 전압 및 직류 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 도 1 중 도시하지 않지만 전압 인가 수단(23)은 전극 롤의 축방향에 있어서의 단부에 전압을 인가하여 전극 롤의 축방향(폭방향)을 따라 전류가 흐르도록 구성되어 있다. 이러한 전압 인가 수단(23)에 의해 전압을 인가함으로써, 전극 롤(13)은 전극으로서 기능한다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 전극 롤(13)의 축방향에 있어서의 길이를 연장하기 위한 연장 부재(61)를 실시형태 1과 동일한 전극 롤(13)의 양단에 덧붙여도 된다. 연장 부재(61)는 전극 롤(13)과 동일 직경이며, 전극 롤(13)의 양단에 접합되어 있다. 이것에 의해 전극 롤(13)의 축방향의 길이(H1)보다 연장 부재(61)의 축방향의 길이(H2)의 2개분만큼 전극 롤(13)의 길이가 길어진다.
이와 같이 연장 부재(61)를 설치함으로써, 전극 롤(13) 단부에 있어서의 플라즈마가 돌아들어가는 것에 의한 플라즈마 밀도의 저하를 막고, 필름의 폭방향에 있어서 균일하게 이온 주입 처리를 행할 수 있도록 구성하고 있다.
여기서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 진공 챔버(11)에는 진공 챔버(11) 내에 이온 주입 가스를 도입하기 위한 가스 취출구(36)(도 4 참조)를 가지는 가스 도입부(35), 진공 챔버(11) 내의 가스를 배기하기 위한 배기구(22)가 설치되어 있다. 가스 도입부(35)는 전극 롤(13)의 축방향에 있어서, 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에 설치되어 있다.
가스 도입부(35)에는 가스원(31)과, 가스원(31)에 접속된 가스관(32)과, 가스관(32)에 있어서의 유량을 제어하는 제어 수단(33)이 접속되어 있다. 가스원(31)에는 이온 주입 가스가 봉입되어 있다. 진공 챔버(11) 내에 이온 주입 가스를 도입하기 위해서는 제어 수단(33)으로 가스관(32)을 통과하는 가스원(31)으로부터의 가스를 제어하면서, 가스 도입부(35)를 통하여 진공 챔버(11) 내에 이온 주입 가스를 도입한다.
배기구(22)에는 진공 펌프(21)가 접속되어, 진공 챔버(11) 내의 가스를 배기함과 아울러, 진공 챔버(11) 내부를 소정의 진공도로 할 수 있도록 구성되어 있다. 배기구(22)는 전극 롤(13)의 축방향에 있어서, 전극 롤(13)을 끼우고 가스 도입부(35)와 대향하도록, 진공 챔버(11)의 측벽면(12)에 설치되어 있다.
가스 도입부(35)는 도 4(1)에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에서는 원반형상이며, 복수의 가스 취출구(36)가 설치되어 있다. 각 가스 취출구(36)는 전극 롤(13)의 둘레가장자리에 대향하도록 서로 이간하여 설치되어 있다. 또, 각 가스 취출구(36)는 전극 롤(13)의 하방면의 필름(3)과 접촉하는 부분의 둘레가장자리부에 대응하여 설치되어 있다.
또한, 가스 도입부(35)의 형상 등은 전극 롤(13)의 둘레가장자리에 대향하도록 가스 취출구(36)를 설치할 수 있는 형상이면, 어떠한 형상이어도 된다. 예를 들면, 도 4(1)에 나타내는 바와 같이, 전극 롤(13)의 대략 동일한 원형상이어도 되고, 도 4(2)에 나타내는 바와 같이, 전극 롤(13)에 둘레가장자리를 따르도록 만곡한 형상이어도 된다. 또, 본 실시형태에서는 가스 취출구(36)를 복수 설치했지만, 진공 챔버 내에 균일하게 이온 주입 가스를 도입할 수 있으면 단수여도 된다.
이러한 이온 주입 장치(1)에 있어서의 이온 주입 처리에 대해서 설명한다.
이온 주입 처리는 플라즈마 중의 이온을 대상물의 표면에 주입함으로써 표면 개질하여 이온 주입층을 형성하는 것이다.
우선, 처리 대상인 필름(3)에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 피처리 대상인 필름(3)은 고분자 필름이다. 고분자 필름으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리아마이드, 폴리아마이드이미드, 폴리페닐렌에터, 폴리에터케톤, 폴리에터에터케톤, 폴리올레핀, 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 폴리에터설폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리알릴레이트, 아크릴계 수지, 사이클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 가스 배리어성 등을 가지는 고분자 필름으로서의 수요가 많고, 우수한 가스 배리어성 등을 가지는 이온 주입층이 얻어지는 점에서, 폴리에스터, 폴리아마이드 또는 사이클로올레핀계 폴리머가 바람직하고, 폴리에스터 또는 사이클로올레핀계 폴리머가 특히 바람직하다. 폴리에스터로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리알릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 피처리 대상인 필름(3)은 상기 서술한 것에 한정되지 않는다. 필름(3)은 고분자 필름 상에 이온을 주입함으로써 가스 배리어성이 발현되는 재료(예를 들면, 폴리실라잔, 폴리오가노실록세인 등의 규소 함유 고분자)를 포함하는 층이 적층되어 있는 것이어도 된다.
필름(3)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 권취의 용이성이나 사용을 고려하면, 통상 1~1000μm, 바람직하게는 5~500μm, 보다 바람직하게는 10~200μm이다.
이온 주입 장치를 작동시키고, 진공 챔버(11) 내의 압력을 5.0×10-3Pa 이하로 한다.
진공 챔버(11) 내가 상기 범위의 소정의 압력으로 일정하게 된 후에, 가스 도입부(35)로부터 이온 주입 가스를 진공 챔버(11) 내에 도입한다.
도입되는 이온 주입 가스로서는 예를 들면 물, 수소, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 플루오로카본 등의 희가스 또는 비금속의 가스나, 금, 은, 구리, 백금, 니켈, 알루미늄 등의 도전성 금속의 이온 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 보다 간편하게 이온 주입할 수 있고, 양호한 가스 배리어성 등을 가지는 필름을 효율적으로 제조할 수 있는 점에서, 희가스 또는 비금속의 가스가 바람직하다. 이들 중, 표면 처리의 요구에 따라 적당히 선택할 수 있지만, 편리성으로부터 질소, 산소, 아르곤, 헬륨이 보다 바람직하고, 특히 아르곤이 바람직하다.
도입시의 가스 유량은 10~2000sccm이며, 바람직하게는 100~1000sccm이다. 이 범위에 있는 것으로, 원하는 플라즈마를 형성할 수 있다. 이온 주입 가스를 도입했을 때의, 진공 챔버(11) 내의 압력은 1.0×10-4~1.0Pa정도, 바람직하게는 1.0×10-2~1.0×10-1Pa정도이다.
이 상태에서 권출 롤(14)로부터 반송 롤(15), 전극 롤(13)을 통하여 필름(3)을 권취 롤(16)로 반송한다. 필름(3)의 권취 속도는 특별히 한정되지 않지만, 통상 예를 들면 0.5~20m/min이다.
그리고, 전극 롤(13)에 전압 인가 수단(23)에 의해 교류 전압을 인가함으로써 플라즈마가 발생한다. 인가되는 교류 전압의 주파수는 특별히 제한은 없지만, 통상 500~5000Hz이며, 인가되는 전력은 특별히 제한은 없지만, 통상 500~10000W이다. 각각 이 범위에 있는 것으로, 안정적으로 플라즈마를 형성할 수 있다.
그리고, 전극 롤(13)에는 전압 인가 수단(23)에 의해 직류 전압이 인가된다. 직류 전압은 예를 들면, -1kV~-50kV, 보다 바람직하게는 -3kV~-30kV, 특히 바람직하게는 -5kV~-20kV이다. 인가되는 직류 전압이 -1kV보다 높으면 이온이 흡인되기 어렵고, 이 때문에 충분한 가스 배리어성 등을 가지는 이온 주입층의 형성이 곤란하게 되고, -50kV보다 낮으면 X선이 발생하여, 생산상 바람직하지 않다.
이것에 의해, 진공 챔버(11)의 벽면과 전극 롤(13) 사이에 전계가 형성되어 플라즈마가 발생한다. 발생한 플라즈마 중의 양이온은 부의 전압 인가에 의해 전극 롤(13)에 끌어당겨져 전극 롤(13)에 권취된 필름(3)의 표면에 주입된다. 이렇게하여 필름(3)의 표면에 이온 주입이 행해진다.
가스 도입부(35)에 있어서, 제어 수단(33)으로부터 가스관(32)을 통과한 이온 주입 가스가 복수의 각 가스 취출구(36)로부터 각각 진공 챔버(11) 내에 균일하게 도입된다. 도입된 가스는 배기구(22)로부터 배기된다.
본 실시형태에서는 전극 롤(13)의 축방향에 있어서, 전극 롤(13)을 끼우고 가스 취출구(36)와 배기구(22)가 대향하고 있으므로, 가스 취출구(36)로부터 도입된 이온 주입 가스가 배기구(22)를 향하여 직선적으로 흐름으로써, 이온 주입 가스가 진공 챔버 내에서 체류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 전극 롤(13)의 축방향에 있어서 가스 농도가 균일하게 된다. 이것에 의해, 형성된 플라즈마의 플라즈마 밀도도 축방향에 있어서 균일하게 되고, 원하는 균일한 이온 주입층을 형성할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에서는 가스 취출구(36)를 가지는 가스 도입부(35)와 배기구(22)가 전극 롤(13)의 축방향에 있어서 전극 롤(13)을 끼우고 대향하도록 설치되어 있다. 이것에 의해, 가스 취출구(36)로부터 도입된 이온 주입 가스는 전극 롤(13)의 축방향을 따라 흘러 배기구(22)로부터 배기된다. 이것에 의해, 이온 주입 가스의 분포가 전극 롤(13)의 축방향에 있어서 균일하게 되므로, 이온 주입 처리에 있어서의 플라즈마의 밀도를 균일화할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 도 5, 6에 나타내는 바와 같이 진공 챔버(11)에서는 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에는 정류 부재(42)가 설치되어 있는 점이 실시형태 1과는 상이하다. 상세하게는 후술하겠지만, 이러한 정류 부재(42)는 진공 챔버 내에서의 이온 주입 가스의 흐름을 정류하는 것이며, 이것을 설치함으로써 균일성이 높은 플라즈마를 형성할 수 있다.
정류 부재(42)의 구성에 대해서, 도 5, 6을 사용하여 상세하게 설명한다.
정류 부재(42)는 지지부(43)에 의해, 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에 설치되어 있다. 정류 부재(42)와 전극 롤(13) 사이의 간극(37)은 일정하다.
지지부(43)는 직육면체의 프레임체(44)를 가진다. 프레임체(44)의 길이 방향은 전극 롤(13)의 축방향에 대략 일치한다. 프레임체(44)의 길이 방향의 양단 상부에는 대좌(45)가 설치되어 있다. 대좌(45)에는 복수의 지지 부재(46)가 각각 이간하여 설치되어 있다. 지지 부재(46)는 정류 부재(42)의 단부에 고정되고, 대좌(45) 상에서 정류 부재(42)를 지지한다. 또한, 지지부(43)의 형상 등은 정류 부재(42)를 지지하고, 또한 고정할 수 있으면, 어떠한 형상이어도 된다.
정류 부재(42)는 직사각형 형상의 판형상 부재이다. 정류 부재(42)는 전극 롤(13)의 둘레 방향 중, 하방면 중 필름(3)이 접촉하는 면(필름이 감기는 면)에만 대응하고, 또한 정류 부재(42)와 전극 롤(13) 사이에는 간극(37)이 형성된다. 또한, 정류 부재(42)의 형상 등은 진공 챔버(11) 내에서의 이온 주입 가스의 흐름을 정류할 수 있으면, 어떠한 형상이어도 된다.
직사각형 형상의 정류 부재(42)는 그 단변이 전극 롤(13)의 둘레 방향을 따르도록 복수가 이간하여 배치되어 있다. 또, 전극 롤(13)의 축방향에 걸쳐 정류 부재(42)의 장변이 연장되어 있고, 정류 부재(42)의 장변은 전극 롤(13)의 축방향의 길이와 대략 일치한다.
본 실시형태에서는 6장의 정류 부재(42)가 전극 롤(13)의 하방면 중 필름(3)이 접촉하는 면을 따라, 서로 이간하여 배치되어 있다.
또, 본 실시형태에서는 정류 부재(42)는 서로 이간하여 설치했지만, 진공 챔버(11) 내에서의 이온 주입 가스의 흐름을 정류할 수 있으면, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에 정류 부재(42)로서 둘레 방향을 따라 만곡한 1장의 판형상 부재가 배치되어 있어도 된다. 또, 둘레 방향을 따라 만곡한 복수의 판형상 부재가 전극 롤(13)의 축방향에 배치되어 있어도 된다.
본 실시형태에서는 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에 정류 부재(42)가 설치되어 있는 점에서, 전극 롤(13)과 정류 부재(42)와의 간극(37)에 이온 주입 가스가 균일하게 흐를 수 있다. 즉, 정류 부재(42)가 설치되어 있는 것으로, 대형화한 진공 챔버(11) 내 이온 주입 가스가 확산하지 않고 정류되어 전극 롤(13)과 정류 부재(42)와의 간극(37)에 유입할 수 있으므로, 전극 롤(13)의 축방향에 있어서의 이온 주입 가스의 가스 농도가 균일하게 되고, 플라즈마 밀도가 축방향에 있어서 보다 균일하게 된다.
또, 정류 부재(42)에는 경량화할 목적에서, 이온 주입 가스의 흐름을 정류하는 효과를 해치지 않을 정도로 구멍이 설치되어 있어도 된다.
정류 부재(42)는 진공 챔버 내에서의 이온 주입 가스의 흐름을 정류하는 것이면, 재질은 특별히 한정되지 않지만, 상세하게는 후술하는 바와 같이 전극으로서도 기능하도록 구성하는 경우는, 철, 알루미늄이나 이들을 포함하는 합금 등의 금속으로 구성되어 있다. 본 실시형태에서는 강도 및 제조 비용을 감안하여 스테인레스강(SUS)을 사용하고 있다. 즉, 본 실시형태에서는 정류 부재(42)는 전극으로서 기능한다.
이 경우, 정류 부재(42)는 지지부(43)를 통하여 진공 챔버(11)에 접속되어 있다. 즉, 이 정류 부재(42)는 진공 챔버(11) 및 지지부(43)를 통하여 어스에 접속되어 있다.
이와 같이 정류 부재(42)가 전극으로서도 기능하는 재료인 경우에는, 어스로서 기능하는 정류 부재(42)와 전극 롤(13) 사이에 전계가 형성되어, 플라즈마가 발생하고, 발생한 플라즈마 중의 이온은 전극 롤(13)에 흡인되어 전극 롤(13)에 권취된 필름(3)의 표면에 주입된다.
또한, 본 실시형태에서는 정류 부재(42)가 전극으로서도 기능하는 재료이므로, 전극 롤(13)과 진공 챔버(11)의 벽면 사이에 설치한 정류 부재(42)가 전극으로서도 기능함으로써, 전극 롤(13)과 정류 부재(42) 사이에 전계가 형성된다. lpmp이기 때문에, 전극 롤(13)과 챔버 벽면 사이에 형성되는 전계보다 강한 전계를 형성할 수 있다. 이것은 2개의 전극간에 있어서의 전계의 강도는 전극간 거리에 반비례하기 때문이다. 따라서, 본 실시형태에서는 정류 부재(42)가 전극으로서도 기능하는 재료이므로, 전극 롤(13)과 정류 부재(42) 사이의 전계가 강해져, 결과적으로 이 전극간에서 발생하는 플라즈마의 밀도를 높게 할 수 있다.
특히, 정류 부재(42)의 장변이 전극 롤(13)의 폭(축방향에 있어서의 길이)에 걸쳐 배치되어 있는 점에서, 정류 부재(42)와 전극 롤(13) 표면 사이의 거리가 축방향에 있어서 일정하다. 따라서, 전극 롤(13)의 축방향을 따라 균일하며, 또한 전계 강도가 높은 전계가 형성된다. 이것에 의해, 전극 롤(13)의 축방향에 있어서 플라즈마 밀도를 높이고, 또한 축방향에 있어서 균일한 플라즈마 밀도가 되도록 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또 정류 부재(42)가 전극 롤(13)의 둘레 방향을 따라 설치되어 있는 점에서, 정류 부재(42)와 전극 롤(13) 표면 사이의 거리가 둘레 방향에 있어서 일정하다. 따라서, 전극 롤(13)의 둘레 방향을 따라 균일하며, 또한 전계 강도가 높은 전계가 형성된다. 이것에 의해, 전극 롤(13)의 둘레 방향에 있어서 플라즈마 밀도를 높이고, 또한 둘레 방향에 있어서 균일한 플라즈마 밀도가 되도록 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 이온 주입 장치(1)에 있어서는, 배기구(22)와 가스 도입부(35)가 대향하고 있는 것으로, 진공 챔버(11) 내의 이온 주입 가스의 흐름을 전극 롤(13)의 축방향에 대하여 균일화할 수 있고, 이것에 의해 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다.
또한, 전극 롤(13)의 하방측에 정류 부재(42)를 설치함으로써, 이온 주입 가스의 흐름을 정류할 수 있고, 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다. 또, 이 정류 부재(42)가 전극 부재(어스)로서도 기능함으로써, 플라즈마 형성시의 전계를 보다 강한 전계 강도로 형성할 수 있고, 원하는 플라즈마를 전압원을 새롭게 설치하지 않고 형성할 수 있다.
따라서, 실시형태 2에 있어서의 이온 주입 장치에서는 원하는 이온 주입 처리를 보다 효과적으로 행하는 것이 가능하다.
(실시형태 3)
본 실시형태에 따른 이온 주입 장치에서는 실시형태 2와는 정류 부재(42A)의 각도를 조정할 수 있도록 구성되어 있는 점이 상이하다.
본 실시형태에 따른 이온 주입 장치(1A)에서는 도 7에 나타내는 바와 같이 정류 부재(42A)의 설치 각도가 가변, 즉 전극 롤(13A)의 축방향에 있어서 정류 부재(42A)와 전극 롤(13A)의 표면과의 간극(37A)을 조정할 수 있도록 구성되어 있다.
이와 같이 정류 부재(42A)의 간격을 조정할 수 있는 것으로, 보다 정류 부재(42A)에 의해 정류 효과를 높일 수 있다. 구체적으로는 가스 도입부측의 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)와의 간극(37A)은 가스 도입부측으로부터 배기구측을 향하여 서서히 좁게 되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 가스 도입부측의 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)의 간격을 넓게 하고, 한편으로 배기구측의 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)와의 간격을 좁게 함으로써, 이온 주입 가스가 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)와의 간극에 들어가기 쉽고, 또한 들어간 가스가 배기구(22A)로부터 배기되기 쉬우므로, 진공 챔버 내에서 이온 주입 가스의 가스 유입 방향을 따른 흐름이 형성되고, 이온 주입 가스가 확산하기 어렵고, 또한 체류하기 어렵다.
또한, 정류 부재(42A)의 간극(37A)을 조정하는 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 가스 도입부측의 정류 부재(42A)의 설치 각도 및 배기구측의 정류 부재(42A)의 설치 각도를 변경하면 된다.
정류 부재(42A)가 전극으로서도 기능하는 재료로 구성되어 있는 경우에는, 상기의 효과에 더해, 정류 부재(42A)와 전극 롤(13A)과의 간극(37A)이 가스 도입부측으로부터 배기구측을 향하여 서서히 좁게 되어 있는 것으로, 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A) 사이에 형성되는 전계의 강도를 균일하게 할 수 있다.
이것은 이하와 같은 이유이다. 전극 롤(13A)에는 전압 인가 수단(23A)에 의해 전극 롤(13A)의 일방의 단부에 전압이 인가된다. 전극 롤(13A)에 인가된 전압은 전극 롤(13A) 자체의 저항에 의해, 전압이 인가된 일방의 단부측으로부터 전극 롤(13A)의 축방향에 있어서의 타단부측을 향하여 저하한다. 이 저하에 의해, 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A) 사이에 형성되는 전계의 전계 강도가 전극 롤(13A)의 축방향(길이 방향)에 있어서 전압이 인가된 단부의 측으로부터 타단부측을 향하여 저하되어버리는 것이 생각되고, 필름의 축방향에 있어서의 플라즈마 밀도의 불균일화가 생겨버린다.
이 때문에, 본 실시형태에서는 정류 부재(42A)의 각도, 즉 정류 부재(42A)와 전극 롤(13A)의 거리를 변경하여 전극 롤(13A)의 축방향에 있어서 형성되는 전계의 전계 강도가 균일하게 되도록 구성하고 있다. 구체적으로는 전압이 인가된 일방의 단부측의 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)의 간격은 실시형태 1과 동일하게 하고, 전극 롤(13A)의 축방향에 있어서의 타단부측의 전극 롤(13A)과 정류 부재(42A)의 간격은 좁힘으로써, 전극 롤(13A)의 축방향에 있어서 형성되는 전계의 전계 강도가 균일하게 되도록 구성하고 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 이온 주입 장치(1A)에 있어서는, 배기구와 가스 도입부가 대향하고 있는 것으로, 진공 챔버(11) 내의 이온 주입 가스의 흐름을 전극 롤(13A)의 축방향에 대하여 균일화할 수 있고, 이것에 의해 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다.
또한, 전극 롤(13)의 하방측에 정류 부재(42A)를 가변 가능하게 설치함으로써, 이온 주입 가스의 흐름을 보다 정류할 수 있고, 플라즈마 밀도를 균일화할 수 있다. 또, 이 정류 부재(42A)가 전극 부재(어스)로서도 기능함으로써, 플라즈마 형성시의 전계를 더욱 강한 전계 강도로 형성할 수 있고, 원하는 플라즈마를 전압원을 새롭게 설치하지 않고 형성할 수 있다.
1, 1A…이온 주입 장치 2…배기구
3…필름 11…진공 챔버
12…측벽면 13, 13A…전극 롤
14…권출 롤 15…반송 롤
16…권취 롤 21…진공 펌프
22, 22A…배기구 23, 23A…전압 인가 수단
31…가스원 32…가스관
33…제어 수단 35…가스 도입부
36…가스 취출구 37, 37A…간극
42, 42A…정류 부재 43…지지부
44…프레임체 45…대좌
46…지지 부재

Claims (6)

  1. 진공 챔버와, 필름이 외주부의 일부에 감긴 전극 롤과, 이 전극 롤에 전압을 인가하는 전압 인가 수단과, 상기 진공 챔버 내에 이온 주입 가스를 도입하기 위한 가스 취출구를 가지는 가스 도입부와, 이 가스 도입부 및 상기 진공 챔버 내의 가스를 배기하기 위한 배기구를 구비하고, 상기 가스 도입부와 상기 배기구가 상기 전극 롤의 축방향에 있어서, 이 전극 롤을 끼우고 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 도입부에는 복수의 가스 취출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 가스 도입부의 각 가스 취출구는 상기 전극 롤의 둘레가장자리에 대향하도록 이간하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 롤과 상기 진공 챔버의 벽면 사이에, 상기 가스 도입부로부터 상기 배기구를 향하는 가스의 흐름을 따르도록 정류 부재가 설치된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 정류 부재가 도전성 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 도입부에는 상기 전극 롤의 둘레가장자리에 대향하도록 가스 취출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019105534A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating
WO2019105533A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus for coating a flexible substrate, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating
USD956005S1 (en) 2019-09-19 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Shaped electrode
CN115537749A (zh) * 2022-09-08 2022-12-30 核工业西南物理研究院 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100857845B1 (ko) 2007-05-29 2008-09-10 주식회사 다원시스 플라즈마 이온 주입 방법 및 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62274080A (ja) * 1986-05-21 1987-11-28 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
US5629054A (en) * 1990-11-20 1997-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming a functional deposit film of large area by micro-wave plasma CVD method
JPH05251391A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Tokyo Electron Tohoku Kk 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
US6096389A (en) * 1995-09-14 2000-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process
JP3732340B2 (ja) * 1998-07-30 2006-01-05 シャープ株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP4192148B2 (ja) * 2002-06-10 2008-12-03 東京エレクトロン株式会社 原子層堆積法処理装置
JP2005071661A (ja) * 2003-08-20 2005-03-17 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006070238A (ja) 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
JP5291875B2 (ja) * 2006-11-01 2013-09-18 富士フイルム株式会社 プラズマ装置
CN102159395B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 琳得科株式会社 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备
CN103642060B (zh) * 2009-03-17 2016-05-25 琳得科株式会社 成形体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备
JP5513320B2 (ja) * 2010-08-31 2014-06-04 富士フイルム株式会社 成膜装置
JP5641877B2 (ja) * 2010-10-29 2014-12-17 株式会社神戸製鋼所 プラズマｃｖｄ装置
JP6045265B2 (ja) * 2012-09-18 2016-12-14 リンテック株式会社 イオン注入装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100857845B1 (ko) 2007-05-29 2008-09-10 주식회사 다원시스 플라즈마 이온 주입 방법 및 장치

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CN104540978B (zh) 2016-08-17
JP6045266B2 (ja) 2016-12-14
EP2899294A1 (en) 2015-07-29
CN104540978A (zh) 2015-04-22
JP2014058724A (ja) 2014-04-03
US20150206710A1 (en) 2015-07-23
US9336991B2 (en) 2016-05-10
KR20150058148A (ko) 2015-05-28
EP2899294B1 (en) 2017-05-10
WO2014046003A1 (ja) 2014-03-27

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