TW201346064A - 用於線性電漿源的靜態沉積輪廓調整 - Google Patents
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Abstract
本文中描述使用線性電漿源來控制膜沉積的方法和設備。該設備包括其中具有用以供氣體流過的開口之噴灑頭、設置於該噴灑頭附近用以支撐一或多個基板在其上的輸送器以及用以離子化該氣體的電源。該離子化氣體可以是用以在基板上沉積材料的來源氣體。可以調整該材料沉積在基板上的輪廓，例如使用該設備中包括的氣體成型裝置。另外地或替代地，可以藉由使用可致動的噴灑頭來調整沉積輪廓。該方法包括使基板曝露於離子化氣體，以在該基板上沉積膜，其中以氣體成型裝置影響該離子化氣體，以在基板被輸送到靠近該噴灑頭時均勻地將膜沉積在該基板上。
Description
本發明之實施例大體而言係關於使用線性電漿源處理基板的方法與設備。
線性電漿源是固定的激發物種源，可以使用該激發物種來處理一或多個在該線性電漿源附近移動的基板。可以將多個固定的線性電漿源串聯放置，以在基板上以所需的順序進行製程。舉例來說，可以配置多個線性電漿源，以在基板上沉積複數個連續的半導體層。
使用線性電漿源處理的基板會在處理過程中移動，這會導致整個基板表面不均勻。第1A圖和第1B圖圖示使用傳統的線性電漿源在基板上沉積的材料之膜性質的曲線圖100A和100B。第1A圖圖示沉積在基板上的薄膜之厚度和折射率，而第1B圖圖示與第1A圖中的曲線相同的膜之厚度和密度。由線101圖示膜的厚度，並由線102圖示折射率。膜的密度係由線103所圖示。在處理過程中基板的行進方向係由箭頭104表示。基板的前緣(例如首先引入該源的基板邊緣)以框105為界。如圖所示，與基板上其餘的膜相比，在
基板前緣處的膜具有減少的厚度。此外，在基板前緣處的膜具有降低的折射率，這往往是膜密度較低(第1B圖中所圖示)的指標。在基板表面各處的膜品質變化會負面地影響裝置的品質和性能。
因此，需要一種當使用線性電漿源時用於控制在基
板整個表面的膜沉積的方法和設備。
本文中描述在線性電漿源中用以控制膜沉積的方法
和設備。該設備包括其中具有用以供氣體流過的開口之噴灑頭、設置於該噴灑頭附近並適於支撐一或多個基板在其上的輸送器以及用以離子化該氣體的電源。該離子化氣體可以是用以在基板上沉積材料的來源氣體。可以調整該材料沉積在基板上的輪廓，例如使用氣體成型裝置，像是磁鐵或擋板。
另外地或替代地，可以藉由使用可致動的噴灑頭來調整沉積輪廓。該方法包括使基板曝露於離子化氣體，以在基板上沉積膜，其中以氣體成型裝置影響該離子化氣體，以在該基板被輸送到靠近該噴灑頭時均勻地將膜沉積在該基板上。
在一個實施例中，一種線性電漿源包含內部形成有
用以供氣體流過的開口之噴灑頭，以及設置於該噴灑頭附近的輸送器。該輸送器上適以支撐基板並將該基板相對於該噴灑頭移動。該線性電漿源進一步包含用以離子化該氣體的電源，以及設置於該噴灑頭附近的氣體成型裝置，以影響基板上的沉積輪廓。該氣體成型裝置係適以在處理過程中被致動。
在另一個實施例中，一種線性電漿源包含具有下表
面的噴灑頭，該下表面內部形成有開口，用以供氣體流過；以及位於該噴灑頭附近的輸送器。該輸送器上適以支撐基板並將該基板相對於該噴灑頭移動。該線性電漿源進一步包含用以離子化該氣體的電源，以及適以改變該噴灑頭之該下表面之角度相對於該輸送器之上表面之角度的致動器。
在另一個實施例中，一種線性電漿源包含上面適以
支撐基板並且在第一方向上移動該基板的輸送器，以及位於該輸送器上方的噴灑頭。該噴灑頭包括分離的氣體通道，該等氣體通道流體耦接到形成於該噴灑頭內的開口，用以供氣體通過。通過該噴灑頭的該氣流為非均勻的。該線性電漿源還包括用以離子化氣體的電源。
在另一個實施例中，一種在線性電漿源中處理基板
的方法，包含以下步驟：將基板放置於輸送器上；以及將基板輸送到噴灑頭附近。然後使該基板曝露於離子化氣體，以在該基板上沉積膜。以氣體成型裝置影響該離子化氣體，以於該基板被輸送到該噴灑頭附近時在該基板上均勻地沉積該膜。
100A‧‧‧曲線圖
100B‧‧‧曲線圖
101‧‧‧線
102‧‧‧線
103‧‧‧線
104‧‧‧箭頭
105‧‧‧框
210‧‧‧線性電漿源
212‧‧‧輸送器
213A‧‧‧噴灑頭
213B‧‧‧噴灑頭
214‧‧‧帶
215‧‧‧滾軸
216‧‧‧基板
217‧‧‧第一氣體輸送元件
218‧‧‧第二氣體輸送元件
219‧‧‧第一氣室
220‧‧‧開口
221‧‧‧第二氣室
222‧‧‧開口
223‧‧‧氣幕
224‧‧‧電源
225‧‧‧RF電源
226‧‧‧匹配
227‧‧‧電連接
228‧‧‧電極
229‧‧‧加熱元件
230‧‧‧第一氣源
231‧‧‧氣體成型裝置
232‧‧‧擋板
233‧‧‧致動器
234‧‧‧桿
236‧‧‧控制器
290‧‧‧電源
291‧‧‧第二氣源
310‧‧‧線性電漿源
331‧‧‧氣體成型裝置
333‧‧‧致動器
338‧‧‧聯接
370‧‧‧磁鐵
410‧‧‧線性電漿源
413A‧‧‧噴灑頭
413B‧‧‧噴灑頭
433‧‧‧致動器
441‧‧‧聯接
442‧‧‧區域
443‧‧‧外殼
510‧‧‧線性電漿源
513A‧‧‧噴灑頭
513B‧‧‧噴灑頭
545‧‧‧第三氣源
550‧‧‧第一分離氣體通道
551‧‧‧第二分離氣體通道
613A‧‧‧噴灑頭
613B‧‧‧噴灑頭
620‧‧‧開口
為詳細瞭解上述本發明的特徵，可參照實施例及附圖而對以上簡單概述的本發明作更特定的描述。然而應注意，附圖說明的只是本發明的典型實施例，因而不應將附圖說明視為是對本發明範圍作限制，因本發明可認可其他同樣有效的實施例。
第1A圖和第1B圖圖示在傳統的線性電漿源中在基
板上沉積的材料之膜性質的曲線圖。
第2圖為依據本發明的一個實施例具有氣體成型裝置的線性電漿源之示意性剖面圖。
第3圖為依據本發明的另一個實施例具有氣體成型裝置的線性電漿源之示意性剖面圖。
第4圖為具有可調整噴灑頭的線性電漿源之示意性剖面圖。
第5圖為具有噴灑頭的線性電漿源之示意性剖面圖，該噴灑頭具有不同的氣體通道穿過。
第6A圖和第6B圖為依據本發明之實施例的噴灑頭之示意性仰視圖。
為了便於瞭解，已經在可能之處使用相同的參照符號來指稱圖式共有的相同元件。可以構思的是，可以有利地將一個實施例中的元件和特徵結合於其他實施例中，而無需進一步詳述。
本文中描述使用線性電漿源來控制膜沉積的方法和設備。該設備包括其中具有用以供氣體流過的開口之噴灑頭、設置於該噴灑頭附近適於支撐一或多個基板在其上的輸送器以及用以離子化該氣體的電源。該離子化氣體可以是用以在基板上沉積材料的來源氣體。可以調整該材料沉積在基板上的輪廓，例如使用氣體成型裝置，像是磁鐵或擋板。另外地或替代地，可以藉由使用可致動的噴灑頭來調整沉積輪廓。該方法包括使基板曝露於離子化氣體，以在基板上沉積
膜，其中以氣體成型裝置影響該離子化氣體，以在該基板被輸送到靠近該噴灑頭時均勻地將膜沉積在該基板上。
第2圖為依據本發明的一個實施例具有氣體成型裝
置231的線性電漿源210之示意性剖面圖。線性電漿源210包括輸送器212及複數個設置於輸送器212上方的沉積源，例如噴灑頭213A和213B。輸送器212包括帶214和滾軸215，帶214和滾軸215被致動器驅動，以將基板216移動到靠近噴灑頭213A和213B處。每個噴灑頭213A和213B包括第一氣體輸送元件217和第二氣體輸送元件218。第一氣體輸送元件217被耦接到第一氣源230，並且第二氣體輸送元件218被耦接到第二氣源291。第一氣體輸送元件217輸送第一製程氣體(例如前驅物氣體)到第一氣室219。氣室219包括形成在其中的開口220，用以輸送氣體通過。氣體沿著流動路徑「A」經由開口220離開第一氣室219到達鄰近基板216的區域，以方便材料沉積在基板216上。
第二氣體輸送元件218與每個噴灑頭213A和213B
的第二氣室221流體連通。每個第二氣室221係設置於各個第一氣室219的周圍附近。製程氣體(例如惰性氣體，如氬氣或氦氣)經由第二氣體輸送元件218被引入第二氣室221，並經由形成在其中的開口222離開第二氣室221。離開第二氣室221的製程氣體形成氣幕223，氣幕223作為阻障，以在其中容納離子化氣體「P」，從而防止材料沉積在線性電漿源210中不期望的位置上。
離子化氣體P包括從第一氣室219的開口220離開
的製程氣體或由該製程氣體產生。離子化氣體P係藉由施加來自電源224的電力而從製程氣體產生。該電源包括RF電源225和可選擇的匹配226(例如匹配網絡)，以及電連接227。
可以使用來自電源224的電力施加來在鄰近基板216處產生離子化氣體P，例如電漿。電極228係位於噴灑頭213A和213B下方並在帶214的相對側上作為基板216，以方便將基板216放置在靠近離子化氣體P的位置。可以藉由電源290(例如AC或DC電源)對電極228(其可包括加熱元件229)施加電偏壓，以使電極228接地。
氣體成型裝置231(例如可致動的擋板)係位於每
個噴灑頭213A和213B的下表面附近。氣體成型裝置231包括擋板232以及致動器233，擋板232是由相對於製程氣體為惰性的材料(例如石英)所形成。致動器233(例如液壓致動器、氣動致動器或電致動器)適以將擋板232定位於各個噴灑頭213A或213B的表面附近，並選擇性地堵住製程氣體通過開口220的通路。在處理過程中擋板232是動態可致動的，以調整離開噴灑頭213A和213B的氣體量，並因而調整離子化氣體P的位置或離子化氣體P在某些位置的密度。在一個實施例中，擋板232的致動可以對應於或取決於輸送器212或輸送器212上的基板216之移動，並且可以由一或多個控制器236控制。因此，當基板216移動通過時可以在離子化氣體P內的特定位置調整離子化氣體P的密度，以促使離子化氣體P均勻地沉積在基板216上。可調整的離子化氣體P密度藉由允許在基板216上的特定位置有增加或減少的沉積
而促進均勻的沉積，從而產生均勻的沉積輪廓。此外，擋板232的動態實時致動使得在基板移動的同時可以修正基板上的沉積輪廓。
氣體成型裝置231還包括機械性的連接，例如桿
234，桿234耦接致動器233與擋板232。一般來說，將桿234的直徑最小化，以便不破壞氣幕223。在一個實施例中，擋板232可以具有平坦的矩形形狀，然而，還可以構思的是擋板232可以具有其他的形狀，包括弧形或圓形。
第3圖為依據本發明的另一個實施例具有氣體成型
裝置331的線性電漿源310之示意性剖面圖。線性電漿源310與線性電漿源210類似，然而，線性電漿源310包括與氣體成型裝置231不同的氣體成型裝置331。氣體成型裝置331包括位於每個噴灑頭213A和213B附近的磁鐵370。磁鐵370位於每個噴灑頭213A和213B的下表面下方，並在輸送器212上方鄰近離子化氣體P。磁體370適於影響或成型離子化氣體P，以控制離子化氣體P相對於基板216的密度、形狀或位置。
磁鐵370對離子化氣體P的影響係藉由磁鐵370相對於離子化氣體P的位置來決定。磁鐵370的位置係由控制器236所決定，控制器236被耦接到致動器333。致動器333(可以包括軌道或導軌系統)適於在X、Y及Z軸位置相對於離子化氣體P移動磁鐵370。磁鐵370藉由聯接338被耦接到各個致動器333。磁鐵370的移動可以與基板216沿輸送器212的移動關聯，以便藉由控制離子化氣體P的密度或位置在基板216的表面上促成均勻的處理(例如沉積)。還可以構思的是磁鐵
370可以是永久磁鐵，或者可以是具有與其耦接的電源之電磁鐵。
第4圖為具有可調整噴灑頭413A和413B的線性電
漿源410之示意性剖面圖。線性電漿源410與線性電漿源210類似，不同之處僅在於線性電漿源410使用可調整的噴灑頭413A和413B來操作離子化氣體P的密度或位置，而不是使用擋板232(如第2圖所圖示)。噴灑頭413A和413B係藉由致動器433而致動(例如轉動、傾斜或垂直移動)，致動器433係藉由聯接441耦接到噴灑頭413A和413B。可以藉由致動器433調整一或兩個聯接441耦接到相對應噴灑頭413A或413B的長度，以調整噴灑頭413A或413B的角度或位置。噴灑頭413A和413B的位置調整影響了基板216位置附近的離子化氣體P，並因而影響基板216表面上的沉積輪廓。舉例來說，將噴灑頭413A或413B之一端移動到更接近基板216可能會導致靠近各個噴灑頭413A或413B的較低端的基板216上更大量的沉積。
當基板216被輸送到噴灑頭413A和413B附近時，
致動器433能夠實時調整噴灑頭413A和413B的位置，以促進基板216上均勻的沉積。因為噴灑頭413A和413B是可移動的，所以使用撓性配件或管件來將第一氣源230耦接至噴灑頭413A和413B可能是理想的，藉以允許噴灑頭413A和413B的移動具有降低的氣體洩漏可能性。
噴灑頭413A和413B僅包括單一氣室219。為了在
輸送器212上方的所需區域442中含有離子化氣體P，將容納
氣體的外殼443定位於區域442的周圍。容納氣體的外殼443通常是固定的，並且由和噴灑頭組件413A和413B相同的材料所形成，例如鋁或不銹鋼。容納氣體的外殼443可以具有圓柱形或矩形的形狀，或任何其他足以在區域442中容納離子化氣體P的形狀。
第5圖為具有噴灑頭513A和513B的線性電漿源
510之示意性剖面圖，噴灑頭513A和513B具有不同的(即分離的)氣體通道穿過。線性電漿源510與線性電漿源210類似，兩者不同之處僅在於線性電漿源510使用噴灑頭513A和513B促進基板216上有均勻的沉積，而不是氣體成型裝置231(如第2圖所圖示)。噴灑頭513A和513B中具有分離的氣體通道550和551，並適於控制離子化氣體P的區域組成，以方便均勻地處理基板。每個噴灑頭513A和513B中的第一分離氣體通道550係流體連接到第一氣源230，而第二分離氣體通道551被耦接到第三氣源545，第三氣源545可以供應與第一氣體供給源230相同或不同的製程氣體。分離的氣體通道550和551允許控制提供到處理區域442的氣體組成，因為可以個別地控制每種氣體的流動速率。此外，由於分離的氣體通道550和551流體連接到不同的開口220，故可以沿著噴灑頭513A和513B線性地控制離子化氣體的組成，特別是在輸送器212的移動方向上。舉例來說，由於使用分離的氣體通道550和551，故可以相對於其他開口提供較大的前驅物氣流速率到一些開口220。因此，在離子化氣體P內的某些點上，離子化氣體P將具有相對於其他的點更大的前驅物材料
濃度，藉以促進在較大離子化氣體P濃度附近區域的基板上之沉積速率增加。因此，可以經由分離的氣體通道550和551來控制離子化氣體P的組成或密度，以藉由增加或減少在所需位置的沉積速率而促進材料均勻地沉積在基板216上。
如圖示，分離的氣體通道550和551交替地提供製
程氣體通過形成於噴灑頭513A和513B內的開口220。然而，也可以構思其他用於控制離子化氣體P組成的實施例。舉例來說，也可以構思的是，第一分離氣體通道550可以提供氣體到第一組氣體開口220，第一組氣體開口220係設置在每個噴灑頭513A和513B的第一端，而第二組分離氣體通道551提供氣體通過設置在噴灑頭513A和513B相對端的開口220。在這樣的實例中，可以使用分離氣體通道550和551來線性地調整離子化氣體P沿著噴灑頭513A和513B的組成。
也可以構思分離氣體通道550和551的其他架構，以視需要調整離子化氣體P的組成和密度。此外，還要注意的是，可以在處理過程中調整通過每個氣體通道550和551的流動速率。
第2-5圖圖示線性電漿源的實施例，然而，也可以
構思其他的實施例。在另一個實施例中，構思的是線性電漿源210、310、410以及510可以包括多於或少於兩個噴灑頭。
在又另一個實施例中，構思的是噴灑頭213A和213B可以不包括第二氣室221。替代地，可以使用由鋁或不銹鋼形成的物理壁(例如擋板)來容納離子化氣體P。在另一個實施例中，構思的是可以使用RF電力以外的能量源來產生離子化氣體
P。舉例來說，構思的是可以使用電子束源來產生離子化氣體P。電子束源可以是可相對於噴灑頭致動的，以在處理過程中動態地在離子化氣體P內的某些位置調整離子化氣體P的密度。
第6A圖和第6B圖為依據本發明之實施例的噴灑頭
613A和613B之示意性仰視圖。可以在任何線性電漿源210、310、410或510中使用噴灑頭613A和613B。噴灑頭613A包括形成在噴灑頭下表面的複數個開口220，以允許一或多個氣體通道穿過。將開口220配置在其間具有寬度增加的行中。
行之間的寬度在基板的移動方向(如箭頭104所示)上增加。
可以使用噴灑頭613A來例如增加在基材前緣上的沉積，以促進材料均勻地沉積在基板上。構思的是，可以成型或調整離開噴灑頭613A中的開口220的氣體，例如使用氣體成型裝置，以進一步促進均勻的沉積。還可以構思的是，可以在基板的移動方向上減少行寬。
噴灑頭613B包括開口620，將開口620配置在等距
的行中，但在基板移動的方向(如箭頭104所示)上具有減小的直徑。直徑較大的開口能夠具有較高的通過氣流速率，從而增加了在基板前緣的沉積速率，以促進基板上有均勻的沉積。構思的是，可以成型或調整離開噴灑頭613B中的開口620的氣體，例如使用成型氣體裝置，以進一步促進均勻的沉積。還可以構思的是，開口620可以在基板移動的方向上交替地具有增加的直徑。
基板在任何線性電漿源210、310、410或510的處
理過程中，將基板移動經過各別的噴灑頭，以沉積材料在基板上。舉例來說，該材料可以是來自離子化氣體的前驅物材料。因為在沉積製程過程中基板是一直移動的，所以材料可能不會均勻地沉積在基板表面上。舉例來說，即使在處理過程中當基板相對於噴灑頭移動時製程參數通常保持不變，但基板的前緣相對於基板的其餘部分可能會遭遇上面有減少的沉積。
為了解決非均勻處理的問題，線性電漿源適以在沉
積製程過程中實時調整處理條件(例如離子化氣體之組成、位置或密度)。因此，沉積輪廓可以被調整，以促進基板上有均勻的沉積。舉例來說，在通常會在基板的前緣上產生減少沉積量的沉積製程中，可以程式化或控制線性電漿源210、310、410及510，以增加基板前緣上相對於基板其餘部分的沉積。當基板繼續移動經過線性電漿源到噴灑頭附近時，可以調整製程參數，以使基板其餘部分上的沉積均等。在這樣的實例中，材料的沉積增加，以促進基板前緣上有更多的沉積，然後減少基板後緣的沉積，因而造成基板的整個表面上有均勻的沉積。當基板移動靠近噴灑頭時，可以實時進行這些調整。
可以構思的是，可以藉由使用每個線性電漿源210、310、410及510內包括的控制器來實現基板上均勻的沉積。可以使用預先決定的製程參數組(例如氣體成型特徵的移動或噴灑頭的對準)程式化該控制器，以促使重複的方式有均勻的沉積。在決定每個線性電漿源的控制範例之後，則可以
在每個線性電漿源中使用預定的移動範例來均勻地處理基板。
上述的實施例討論了有關基板上的沉積。然而，可以構思的是，本文所描述的方法和設備同樣可應用於其他的製程。舉例來說，本文中的實施例也可以應用於蝕刻製程。
本發明的優點包括在線性電漿源中均勻地處理移動的基板。本發明之實施例允許在基板相對於沉積源(例如噴灑頭)移動的同時控制離子化製程氣體。在處理過程中基板的移動導致製程時間減少，從而提高產量。
雖然前述係針對本發明之實施例，但是在不偏離本發明之基本範圍下可以設計本發明之其他實施例及深一層的實施例，並且本發明之範圍係由隨後的申請專利範圍所決定。
210‧‧‧線性電漿源
212‧‧‧輸送器
213A‧‧‧噴灑頭
213B‧‧‧噴灑頭
214‧‧‧帶
215‧‧‧滾軸
216‧‧‧基板
217‧‧‧第一氣體輸送元件
218‧‧‧第二氣體輸送元件
219‧‧‧第一氣室
220‧‧‧開口
221‧‧‧第二氣室
222‧‧‧開口
223‧‧‧氣幕
224‧‧‧電源
225‧‧‧RF電源
226‧‧‧匹配
227‧‧‧電連接
228‧‧‧電極
229‧‧‧加熱元件
230‧‧‧第一氣源
231‧‧‧氣體成型裝置
232‧‧‧擋板
233‧‧‧致動器
234‧‧‧桿
236‧‧‧控制器
290‧‧‧電源
291‧‧‧第二氣源
Claims (20)
- 一種線性電漿源，包含：一噴灑頭，內部形成有開口，用以供一氣體流過；一設置於該噴灑頭附近的輸送器，該輸送器上適以支撐一基板並將該基板相對於該噴灑頭移動；一電源，用以離子化該氣體；以及一氣體成型裝置，設置於該噴灑頭附近，以影響一基板上的一沉積輪廓，其中該氣體成型裝置在處理過程中係可致動的。
- 如請求項1所述之線性電漿源，其中該氣體成型裝置為可移動的擋板，該擋板適於防止或減少通過至少一些形成於該噴灑頭內的該等開口之氣流。
- 如請求項2所述之線性電漿源，其中該可移動的擋板係可致動到一位於該噴灑頭與該輸送器之間的位置。
- 如請求項3所述之線性電漿源，其中該可移動的擋板係由不銹鋼或石英所形成。
- 如請求項4所述之線性電漿源，其中該可移動的擋板回應該輸送器之移動而移動。
- 如請求項1所述之線性電漿源，其中該氣體成型裝置包含 一或多個磁鐵，該磁鐵係設置於該噴灑頭附近並且適以影響該離子化氣體。
- 如請求項6所述之線性電漿源，其中該一或多個磁鐵可在X、Y及Z方向上移動。
- 如請求項7所述之線性電漿源，其中該等磁鐵回應該輸送器之移動而移動。
- 一種線性電漿源，包含：一噴灑頭，具有一下表面，該下表面內部形成有開口，用以供一氣體流過；一設置於該噴灑頭附近的輸送器，該輸送器上適以支撐一基板並將該基板相對於該噴灑頭移動；一電源，用以離子化該氣體；以及一致動器，適以改變該噴灑頭之該下表面之一角度相對於該輸送器之一上表面之一角度。
- 如請求項9所述之線性電漿源，其中該氣體係經由一撓性軟管或配件提供到該噴灑頭。
- 如請求項9所述之線性電漿源，其中該噴灑頭係適以相對於該輸送器之行進方向傾斜或下降。
- 如請求項11所述之線性電漿源，進一步包含一設置於該輸送器上方的第二噴灑頭。
- 如請求項9所述之線性電漿源，其中該輸送器上係適以支撐複數個基板。
- 一種線性電漿源，包含：一輸送器，該輸送器上適以支撐一基板，並且該輸送器在一第一方向上移動該基板；一噴灑頭，位於該輸送器上方，該噴灑頭具有分離的氣體通道，該等氣體通道流體耦接到形成於該噴灑頭內的開口，用以供一氣體流過，其中通過該噴灑頭的該氣流為非均勻的；以及一電源，用以離子化該氣體。
- 如請求項14所述之線性電漿源，其中沿著一第一方向的該等開口之一變動間距導致該非均勻的氣流。
- 如請求項14所述之線性電漿源，其中該等開口之直徑沿著一第一方向增加。
- 如請求項14所述之線性電漿源，其中該非均勻性包含一非均勻的氣體組成。
- 如請求項14所述之線性電漿源，其中該噴灑頭中包含複數個不同的氣體通道。
- 一種在一線性電漿源中處理一基板的方法，包含以下步驟：將一基板放置於一輸送器上；將一基板輸送到一噴灑頭附近；以及使該基板曝露於一離子化氣體，以在該基板上沉積一膜，其中以一氣體成型裝置影響該離子化氣體，以於該基板被輸送到該噴灑頭附近時在該基板上均勻地沉積該膜。
- 如請求項19所述之方法，其中以一氣體成型裝置影響該氣體包含移動一擋板到該噴灑頭之一下表面附近，以防止或減少通過的氣流。
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