KR102171425B1 - Organic electroluminescent element and method for manufacturing same - Google Patents

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Abstract

(1) 유기 전계 발광 소자를 구성하는 층으로서 저분자 화합물층을 사용한 경우라도 저분자 화합물의 결정화가 억제되고, 발광 특성이 우수한 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것, (2) 종래의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자보다 더욱 발광 특성이 우수한 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것, 및, (3) 제조하기 쉽고, 또, 발광 효율 및 수명도 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 본 발명은 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 그 유기 전계 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 그 금속 산화물층 상에, 유기 화합물에 의해 형성되는 버퍼층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자이다.(1) To provide an organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device that suppresses crystallization of a low-molecular compound and exhibits excellent luminescence properties even when a low-molecular compound layer is used as a layer constituting an organic electroluminescent device, (2) conventional organic To provide an organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device having more excellent luminescence properties than an inorganic hybrid-type organic electroluminescent device, and (3) an organic electroluminescent device that is easy to manufacture and has excellent luminous efficiency and lifetime. to provide. The present invention is an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the organic electroluminescent device having a metal oxide layer between a first electrode and a second electrode, on the metal oxide layer, and in an organic compound. It is an organic electroluminescent device, characterized in that it has a buffer layer formed by.

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}Organic electroluminescent device and its manufacturing method {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전자 기기의 표시부 등의 표시 장치나 조명 장치 등으로서의 이용 가능한 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same. More specifically, it relates to an organic electroluminescent element that can be used as a display device such as a display unit of an electronic device or a lighting device, and a method of manufacturing the same.

표시용 디바이스나 조명에 적용할 수 있는 새로운 발광 소자로서 유기 전계 발광 소자 (유기 EL 소자) 가 기대되고 있다.Organic electroluminescent elements (organic EL elements) are expected as new light-emitting elements applicable to display devices and lighting.

유기 전계 발광 소자는 얇고, 유연하여 플렉시블하다는 특징을 가지며, 또, 표시 장치로서 사용한 경우에는, 현재 주류가 되고 있는 액정이나 플라즈마의 표시 장치에 비해, 고휘도, 고정밀한 표시가 가능해지고, 액정 표시 장치에 비해 시야각도 넓은 등의 우수한 특징을 갖는 점에서, 향후 텔레비젼이나 휴대 전화의 디스플레이 등으로서의 이용의 확대나, 조명 장치로서의 이용이 기대되고 있는 소자이다.Organic electroluminescent devices are thin, flexible, and flexible. In addition, when used as a display device, high luminance and high-precision display are possible compared to the current mainstream liquid crystal or plasma display devices. Compared to this, since it has excellent features such as a wide viewing angle, it is an element that is expected to expand its use as a display for televisions and mobile phones in the future, or as a lighting device.

유기 EL 소자는 양극과 음극의 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하여 형성되는 발광층을 포함하는 1 종 또는 복수종의 층을 사이에 둔 구조를 가지며, 양극으로부터 주입된 홀과 음극으로부터 주입된 전자가 재결합할 때의 에너지를 이용하여 발광성 유기 화합물을 여기시켜, 발광을 얻는 것이다. 유기 EL 소자는 전류 구동형의 소자이며, 흐르는 전류를 보다 효율적으로 활용하기 위해, 소자 구조가 여러 가지 개량되고 또, 소자를 구성하는 층의 재료에 대해서도 여러 가지 검토되고 있다.The organic EL device has a structure in which one or more layers including a light-emitting layer formed of a light-emitting organic compound is interposed between an anode and a cathode, and holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined. The energy at the time of doing so is used to excite the light-emitting organic compound to obtain light emission. The organic EL device is a current-driven device, and in order to utilize the flowing current more efficiently, the device structure has been improved in various ways, and various studies are being conducted on the material of the layer constituting the device.

유기 전계 발광 소자는, 음극과 양극의 사이에, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층 등의 복수의 층이 적층된 구조를 가지고 있고, 각 층을 구성하는데 적절한 재료에 대해, 연구, 개발이 이루어지고 있다. 예를 들어, 붕소 원자를 갖는 특정 구조를 갖는 화합물을 함유하는 발광 재료가 개시되어 있다 (특허문헌 1 참조.). 또, 붕소 원자를 갖는 특정 구조를 갖는 화합물이 유기 전계 발광 소자의 정공 저지층으로서 바람직한 것이 개시되어 있다 (특허문헌 2 참조.).The organic electroluminescent device has a structure in which a plurality of layers, such as an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer, are stacked between a cathode and an anode, and research and development are being made on materials suitable for constituting each layer. . For example, a light emitting material containing a compound having a specific structure having a boron atom is disclosed (see Patent Document 1). Further, it is disclosed that a compound having a specific structure having a boron atom is preferable as a hole blocking layer of an organic electroluminescent device (refer to Patent Document 2).

또, 양극으로부터 주입된 홀과 음극으로 주입된 전자와의 재결합시의 에너지를 이용하여 발광성 유기 화합물을 여기시키고, 발광을 얻는 유기 전계 발광 소자에서는, 양극으로부터의 홀 주입, 음극으로부터의 전자 주입이 모두 순조롭게 이루어지는 것이 중요하기 때문에, 보다 순조로운 홀 주입, 전자 주입이 이루어지도록, 정공 주입층, 전자 주입층의 재료에 대해서도 여러 가지 검토되고, 최근에는 도포할 수 있는 전자 주입층의 재료로서, 폴리에틸렌이민이나 폴리에틸렌이민을 수식한 화합물을 사용한 순구조의 유기 전계 발광 소자가 보고되고 있다 (비특허문헌 1 ∼ 3 참조.).In addition, in an organic electroluminescent device that excites a light-emitting organic compound by using energy at the time of recombination with a hole injected from the anode and electrons injected into the cathode, and emits light, injection of holes from the anode and injection of electrons from the cathode are performed. Since it is important that all of them be smoothly performed, various studies have been conducted on the materials of the hole injection layer and the electron injection layer so that the hole injection and electron injection can be performed more smoothly. Recently, as a material for the electron injection layer that can be applied, polyethylene Organic electroluminescent devices having a pure structure using a compound modified with imine or polyethyleneimine have been reported (see Non-Patent Documents 1 to 3).

그런데, 음극과 양극 사이의 층이 모두 유기 화합물로 형성된 유기 전계 발광 소자는 결과적으로 산소나 물에 의해 열화되기 쉽고, 이들의 침입을 방지하기 위해 엄밀한 밀봉이 불가결하다. 이것은 유기 전계 발광 소자의 제조 공정을 번잡한 것으로 하는 원인이 되고 있다. 이것에 대해, 음극과 양극 사이의 층의 일부가 무기 산화물로 형성된 유기 무기 하이브리드형의 전계 발광 소자 (HOILED 소자) 가 제안되어 있다 (특허문헌 3 참조.). 이 소자에서는, 정공 수송층, 전자 수송층을 무기 산화물로 변경함으로써, 음극으로서 도전성 산화물 전극인 FTO 나 ITO, 양극으로서 금을 사용하는 것이 가능하게 되었다. 이것은 소자 구동의 관점에서는 전극에 대한 제약이 없어진 것을 의미한다. 결과, 알칼리 금속이나 알칼리 금속 화합물 등, 일 함수가 작은 금속을 사용할 필요가 없어져, 엄밀한 밀봉없이 발광시키는 것이 가능하게 되어 있다. 더하여 이 HOILED 소자는 음극이 기판 바로 위에 있는 것이 표준이며, 상부 전극에 양극이 오는 역구조라는 특징을 가지고 있다. 산화물 TFT 의 발전에 수반하여, 대형 유기 EL 디스플레이에 대한 적용이 검토되는 중, n 형인 산화물 TFT 의 특징에서 역구조의 유기 EL 이 주목되고 있다. 본 HOILED 소자는 역구조 유기 EL 소자의 후보로서 발전이 기대되고 있다.However, organic electroluminescent devices in which the layers between the cathode and the anode are all formed of an organic compound are likely to be deteriorated by oxygen or water as a result, and strict sealing is indispensable to prevent their invasion. This is a cause of making the manufacturing process of the organic electroluminescent element complicated. On the other hand, an organic-inorganic hybrid type electroluminescent device (HOILED device) in which a part of the layer between the cathode and the anode is made of inorganic oxide has been proposed (see Patent Document 3). In this device, by changing the hole transport layer and the electron transport layer to inorganic oxide, it has become possible to use FTO or ITO as a conductive oxide electrode as a cathode, and gold as an anode. This means that there are no restrictions on the electrodes from the viewpoint of device driving. As a result, it is not necessary to use a metal having a small work function, such as an alkali metal or an alkali metal compound, and it is possible to emit light without strict sealing. In addition, this HOILED device has the characteristic that the cathode is directly on the substrate, and the anode is inverted structure. With the development of oxide TFTs, while application to large-sized organic EL displays is being studied, organic ELs with an inverted structure are attracting attention from the characteristics of n-type oxide TFTs. This HOILED device is expected to develop as a candidate for an inverted structure organic EL device.

종래의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자로서는, 양극 및 음극과, 상기 양극과 상기 음극에 끼워진 1 층 또는 복수층의 유기 화합물층과, 상기 양극과 상기 유기 화합물층의 사이 및 상기 음극과 상기 유기 화합물층의 사이에, 적어도 1 종류 이상의 금속 산화물 박막을 갖는 유기 박막 발광 소자가 개시되어 있다 (특허문헌 4 참조.). 또, 양극, 음극과 양극과 음극에 끼워진 1 층 또는 복수층의 유기 화합물층과, 양극과 유기 화합물층의 사이 또는 음극과 유기 화합물층의 사이에, 적어도 1 종류 이상의 금속 산화물 박막을 가지며, 그들 각 층간에 1 층 또는 복수층의, 주된 캐리어에 있어서 에너지 장벽이 되고, 반대의 캐리어에 있어서 에너지 장벽이 되지 않는 자기 조직화 단분자막을 갖는 유기 박막 전계 발광 소자가 개시되어 있다 (특허문헌 5 참조.). 또한, 폴리비닐카르바졸 폴리머에 도펀트로서 이리듐 화합물을 첨가한 것을 금속 산화물층 상에 적층한 구조를 갖는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자 (비특허문헌 4 참조.) 나, 폴리(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일) 에 이리듐 화합물을 첨가한 것을 발광층으로 하는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자 (비특허문헌 5 참조.) 가 개시되어 있다.As a conventional organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, an anode and a cathode, one or more organic compound layers sandwiched between the anode and the cathode, and between the anode and the organic compound layer, and the cathode and the organic compound layer In the meantime, an organic thin film light-emitting device having at least one or more types of metal oxide thin films is disclosed (see Patent Document 4). In addition, an anode, a cathode, and one or more layers of an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode, and between the anode and the organic compound layer or between the cathode and the organic compound layer, have at least one metal oxide thin film, and between each of the layers An organic thin-film electroluminescent device having a single layer or a plurality of layers, a self-assembled monomolecular film that serves as an energy barrier in the main carrier and does not become an energy barrier in the opposite carrier is disclosed (see Patent Document 5). In addition, an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device having a structure in which an iridium compound is added as a dopant to a polyvinylcarbazole polymer is laminated on a metal oxide layer (refer to Non-Patent Document 4) B, poly(9,9) -An organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device (see Non-Patent Document 5) in which an iridium compound is added to -dioctylfluorenyl-2,7-diyl) as a light emitting layer is disclosed.

일본 공개특허공보 2011-184430호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-184430 국제 공개 2005/062676호International Publication No. 2005/062676 일본 공개특허공보 2009-70954호Japanese Patent Application Publication No. 2009-70954 일본 공개특허공보 2007-53286호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-53286 일본 공개특허공보 2012-4492호Japanese Patent Application Publication No. 2012-4492

타오 시온 (Tao Xiong) 외 3 명 「어플라이드 피직스 레터즈 (Applied Physics Letters)」 93 권, 2008 년, pp123310-1 Tao Xiong and 3 others 「Applied Physics Letters」 93, 2008, pp123310-1 인화 조우 (Yinhua Zhou) 외 21 명 「사이언스 (Science)」 336 호, 2012 년, pp327 Yinhua Zhou and 21 others 「Science」 No.336, 2012, pp327 잔샨 첸 (Jianshan Chen) 외 6 명 「저널 오브 머티리얼즈 케미스트리 (Journal or Materials Chemistry)」 2012 년, 22 권, pp5164 Jianshan Chen and 6 others 「Journal or Materials Chemistry」 2012, Vol. 22, pp5164 헨크 J. 보린크 (Henk J. Bolink) 외 3 명 「아드반스트 머티리얼즈 (Advanced Materials)」, 2010 년, 제 22 권, p 2198-2201 Henk J. Bolink and 3 others 「Advanced Materials」, 2010, Vol. 22, p. 2198-2201 헨크 J. 보린크 (Henk J. Bolink) 외 2 명 「케미스트리 오브 머티리얼즈 (Chemistry of Materials)」, 2009 년, 제 21 권, p 439-441 Henk J. Bolink and 2 others 「The Chemistry of Materials」, 2009, Vol. 21, p. 439-441

상기와 같이, 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 모두 유기물로 구성된 유기 전계 발광 소자와 함께 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 대해서도 연구, 개발이 이루어지고 있다.As described above, research and development have been made on organic electroluminescent devices of organic-inorganic hybrid type together with organic electroluminescent devices in which each layer constituting the organic electroluminescent device is composed of an organic material.

유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자는 유기 성분이 갖는 유연성이나 성형성과, 무기 성분이 갖는 강도나 내구성을 겸비하는 것이 가능하다고 생각되고, 또, 유기 화합물만으로 각 층이 구성된 유기 전계 발광 소자에 비해 산소나 물에 대한 내성이 높기 때문에 소자 내부의 각 층을 엄밀하게 밀폐할 필요성이 저감되고, 제조시의 수고도 적은 등의 이점을 가지고 있어 실용화가 기대되는 것이다. 한편, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자는, 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 모두 유기물로 구성된 유기 전계 발광 소자에 비해 발광 특성 등의 각종 특성에 아직 개선의 여지가 있기 때문에, 더욱 발광 특성 등의 특성을 향상시킨 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 개발이 요구되고 있다.It is believed that the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device can have both the flexibility and moldability of the organic component and the strength and durability of the inorganic component, and compared to the organic electroluminescent device in which each layer is composed of only organic compounds. Due to the high resistance to oxygen and water, the necessity of strictly sealing each layer inside the device is reduced, and it has advantages such as less labor during manufacturing, and thus, practical use is expected. On the other hand, in the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, there is still room for improvement in various characteristics such as light emission characteristics compared to the organic electroluminescent device in which each layer constituting the organic electroluminescent device is composed of an organic material. There is a demand for the development of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device having improved properties such as characteristics.

일반적으로, 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 모두 유기물로 구성된 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 진공 증착 등의 방법에 의해 복수 종류의 저분자 화합물층을 적층하는 방법이나, 호스트 분자 중에 게스트 분자를 도핑시키는 방법 등에 의해, 높은 발광 특성을 가지는 소자가 얻어지는 것이 알려져 있다. 한편, 종래부터 연구되고 있는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 구성은 발광층으로서 고분자 화합물을 도포 막형성한 것이 주류였다. 이에 대해, 본 발명자는, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 개선하기 위해, 발광층이나 정공 수송층 등을 형성하는 재료로서 저분자 화합물을 사용하고, 진공 증착 등의 방법에 의해 복수 종류의 저분자 화합물층을 적층하는 형태나, 호스트 분자 중에 게스트 분자를 도핑시키는 형태에 대해 여러 가지 검토했다. 그렇게 한 결과, 음극 상에 형성되는 산화물층과 저분자 화합물층이 접하는 구성으로 하면, 산화물층에 접하는 저분자 화합물층의 결정화가 일어남으로써 리크 전류가 증대하여 전류 효율이 저하되고, 현저한 경우에는 결정화에 의해 균일한 면발광이 얻어지지 않는다는 문제가 발생한다는, 새로운 과제가 생기는 것을 알아냈다. 이것은 관측되지 않지만 도포형 고분자 유기층을 갖는 소자에 있어서도 악영향이 있다고 생각되고, 본 과제를 해결하는 것은 유기 무기 하이브리드형 유기 전계 발광 소자의 장수명화에 중요하다고 생각된다.In general, in an organic electroluminescent device in which each layer constituting the organic electroluminescent device is composed of an organic material, a method of laminating a plurality of types of low molecular compound layers by a method such as vacuum evaporation, or doping a guest molecule in the host molecule. It is known that an element having high light emission characteristics can be obtained by a method or the like. On the other hand, the structure of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device that has been studied in the past has been mainly formed by coating a polymer compound as a light emitting layer. On the other hand, the present inventor uses a low molecular weight compound as a material for forming a light emitting layer or a hole transport layer, etc., in order to improve the light emission characteristics of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, Various studies have been made on the form of laminating the low molecular weight compound layer and the form of doping guest molecules in host molecules. As a result of doing so, if the oxide layer formed on the cathode and the low molecular compound layer are in contact, crystallization of the low molecular compound layer in contact with the oxide layer occurs, thereby increasing the leakage current and lowering the current efficiency, and in a remarkable case, uniformity due to crystallization occurs. It was found that a new problem arises that a problem that surface light emission cannot be obtained occurs. Although this is not observed, it is thought that there is an adverse effect even in a device having a coating-type polymer organic layer, and solving this problem is considered to be important for extending the life of an organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device.

또, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에서는, 양극으로부터의 정공의 주입에 비해 음극으로부터의 전자의 주입이 적고, 양극으로부터 주입되는 정공을 발광을 위해서 충분히 활용하고 있지 않다는 과제가 있다. 더하여, 원래, 무기층과 유기층의 장기에 걸친 양호한 물리적 전기적 접촉은 어렵고, 이것은 디바이스의 단수명으로 연결되어 큰 과제이다.In addition, in the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, there is a problem that the injection of electrons from the cathode is less than that from the anode, and the holes injected from the anode are not sufficiently utilized for light emission. In addition, originally, good physical and electrical contact over a long period of time between the inorganic layer and the organic layer is difficult, which leads to a short life of the device, which is a big problem.

표시 장치나 조명 장치 등의 용도에의 이용의 확대가 기대되는 유기 전계 발광 소자는, 제조하기 쉬운 것도 중요한 요소이기 때문에, 엄밀한 밀봉을 필요로 하지 않는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 대한 기대는 높고, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 더욱 높이는 방법이 요구되고 있다. 더하여, 디스플레이 용도에 있어서는, 역구조를 갖는 HOILED 소자는 회로 상 유용하며, 그 발전이 희망되고 있다.An organic electroluminescent device that is expected to expand its use in applications such as display devices and lighting devices is an important factor because it is also an important factor to be easy to manufacture, so expectation for organic-inorganic hybrid organic electroluminescent devices that do not require strict sealing. Is high, and there is a need for a method of further increasing the luminous efficiency and lifetime of the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device. In addition, in a display application, a HOILED device having an inverse structure is useful in a circuit, and its development is desired.

본 발명은 상기 현상황을 감안하여 이루어진 것이며, (1) 유기 전계 발광 소자를 구성하는 층으로서 저분자 화합물층을 사용한 경우라도 저분자 화합물의 결정화가 억제되어, 발광 특성이 우수한 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것, (2) 종래의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자보다 더욱 발광 특성이 우수한 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것, 및, (3) 제조하기 쉽고, 또, 발광 효율 및 수명도 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above conditions, and (1) even when a low molecular weight compound layer is used as a layer constituting an organic electroluminescent device, crystallization of a low molecular weight compound is suppressed, and an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device having excellent light emission characteristics To provide, (2) to provide an organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device having more excellent luminescence properties than a conventional organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device, and, (3) easy to manufacture, and An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency and lifetime.

본 발명자는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 갖는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 금속 산화물층 상에, 유기 화합물에 의해 형성되는 버퍼층을 갖는 것으로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다. 여기서 말하는 버퍼층이란, 상기한 유기 무기 하이브리드형 유기 전계 발광 소자의 과제인 발광층 등의 유기층의 결정화, 낮은 전자 주입능, 그리고 계면의 물리적 화학적인 장기 안정성을 해결하는 층이다. 구체적으로는, 산화물 표면 상에 존재하는 요철 등에서 기인하는 결정화를 방지하기 위해, 보다 고분자량인 유기물이 바람직하고, 더하여, 전자 주입능 향상을 위해서는 발광층까지의 에너지 준위를 계단상으로 형성하는 것이 바람직하고, 나아가서는 역구조 특유의 문제로서 존재하는 에너지의 펌핑 (에너지의 계단 (업힐) 을 올려가는 것) 을 순조롭게 하도록 도핑 등의 수법에 의해 캐리어수를 늘리는 것이 한층 더 바람직하다. 전자 주입능을 향상시키기 위해서는, 질소 원소를 많이 표면 상에 배치함으로써 계면 쌍극자를 발생시키는 방법도 있고, 이것도 바람직하다. 그리고, 이들을 장기적으로 안정적으로 존재시키려면, 국소적인 전장의 존재를 방지하거나 혹은 그것에 견딜 수 있는 화학 결합을 준비하는 것이 바람직하다. 전자는 도핑 등의 수법에 의해 실현된 캐리어 수 증대에 의한 폭이 넓은 에너지 준위 변화와 계단상의 밸런스가 좋은 전자 준위 형성이다. 후자는 산화물 표면의 금속 원소 등과의 버퍼층 유기물의 화학적 결합이다. 구체예를 이하에 기재한다.In the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device having a metal oxide layer between a first electrode and a second electrode, the inventors of the present invention have a buffer layer formed of an organic compound on the metal oxide layer. I figured out that I could solve the task. The buffer layer referred to herein is a layer that solves the problem of the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, crystallization of an organic layer such as a light-emitting layer, low electron injection ability, and long-term physical and chemical stability of the interface. Specifically, in order to prevent crystallization caused by irregularities on the oxide surface, an organic material having a higher molecular weight is preferable, and in addition, in order to improve the electron injection ability, it is preferable to form the energy level up to the light emitting layer in a stepwise shape. Furthermore, it is more preferable to increase the number of carriers by a technique such as doping so as to smoothly pump the existing energy as a problem peculiar to the inverse structure (to increase energy stairs (uphill)). In order to improve the electron injection ability, there is also a method of generating an interfacial dipole by arranging a large number of nitrogen elements on the surface, and this is also preferable. And, in order to stably exist for a long period of time, it is desirable to prevent the presence of a local electric field or to prepare a chemical bond that can withstand it. The former is a wide energy level change due to an increase in the number of carriers realized by a method such as doping and the formation of an electron level with a good balance in a stepwise shape. The latter is a chemical bond of an organic material in the buffer layer with a metal element on the oxide surface. A specific example is described below.

본 발명자는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 개선하는 방법에 대해 여러 가지 검토하는 중에 알아낸 저분자 화합물층의 결정화라는 새로운 과제의 해결 수단에 대해 검토한 결과, 음극 상에 형성되는 산화물층과, 발광층 등의 저분자 화합물층의 사이에 유기 화합물을 도포함으로써 형성한 소정의 막두께의 버퍼층을 배치하고, 이 버퍼층 위에 발광층 등의 저분자 화합물층을 적층한 구성으로 하면, 저분자 화합물층에 있어서의 저분자 화합물의 결정화가 억제되고, 이로써, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자가 발광층 등으로서 저분자 화합물로부터 형성되는 층을 갖는 경우라도 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 얻을 수 있는 것을 알아냈다. 또한 본 발명자는, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물로서, 특정 구조를 갖는 붕소 함유 화합물 또는 붕소 함유 중합체를 사용하면, 당해 유기 화합물로부터 형성되는 버퍼층이 전자 수송층으로서의 우수한 기능도 발휘하는 것을 알아냈다.The inventors of the present invention investigated a means to solve a new problem of crystallization of a low-molecular compound layer, which was discovered during various studies on a method of improving the luminescence characteristics of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device. As a result, oxides formed on the cathode When a buffer layer of a predetermined film thickness is disposed between the layer and a low molecular compound layer such as a light-emitting layer, and a buffer layer of a predetermined film thickness is formed by applying an organic compound, and a low-molecular compound layer such as a light-emitting layer is laminated on the buffer layer, the low-molecular compound in the low-molecular compound layer The crystallization of is suppressed, and thus it was found that even when the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device has a layer formed from a low molecular weight compound as a light emitting layer or the like, it is possible to suppress the leakage current and obtain uniform surface light emission. In addition, the present inventors have found that when a boron-containing compound or a boron-containing polymer having a specific structure is used as the organic compound forming the buffer layer, the buffer layer formed from the organic compound also exhibits an excellent function as an electron transport layer.

또한, 본 발명자는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 개선하는 방법에 대해 여러 가지 검토한 결과, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 그 금속 산화물층 상에, 유기 화합물에 의해 형성되는 버퍼층을 갖는 구성의 유기 전계 발광 소자로 하고, 이 유기 전계 발광 소자의 버퍼층에 환원제를 포함시키면, 환원제가 전자를 공급하는 n-도펀트로서 기능하고, 종래의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 비해 발광 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자가 되는 것을 알아냈다. 또한 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 구성의 유기 전계 발광 소자로 하고, 이 유기 전계 발광 소자의 버퍼층에 환원제를 포함시킨 형태의 유기 전계 발광 소자가 바람직한 것도 알아냈다.In addition, as a result of various studies on a method for improving the light emission characteristics of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, the present inventor has a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, and is formed on the metal oxide layer. For example, if an organic electroluminescent device having a buffer layer formed by an organic compound is used, and a reducing agent is included in the buffer layer of the organic electroluminescent device, the reducing agent functions as an n-dopant for supplying electrons, and conventional organic inorganic It has been found that the organic electroluminescent device has superior light emission characteristics compared to the hybrid type organic electroluminescent device. In addition, organic electroluminescence having a structure having a first metal oxide layer, a buffer layer, a low molecular weight compound layer including a light emitting layer stacked on the buffer layer, and a second metal oxide layer in this order between the first electrode and the second electrode. It has also been found that an organic electroluminescent device in a form in which a reducing agent is included in the buffer layer of this organic electroluminescent device is preferable.

또한, 본 발명자는 엄밀한 밀봉을 필요로 하지 않는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 더욱 높이는 방법에 대해 여러 가지 검토한 결과, 양극과 음극의 사이에 갖는 금속 산화물층 상에 소정의 두께의 질소 함유막을 형성하면, 전자 주입 특성이 향상되고, 소자가 장수명화되는 것을 알아냈다. 그 중에서도, 질소 함유막을 구성하는 원자 중의 질소 원자 비율이 높은 질소 함유막이나 질소 함유 화합물을 분해시켜 질소 함유막을 형성하는 방법에 의해 형성한 질소 함유막을 갖는 것이 보다 바람직한 것도 알아내고, 또한, 질소 함유 화합물의 분해에 의해 형성되고, 또한, 질소 함유막을 구성하는 원자 중의 질소 원자 비율이 높은 것이 더욱 바람직한 것을 알아냈다. 본 발명자는, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자를 구성하는 층으로서 이와 같은 질소 함유막을 사용하면, 발광 효율이 우수할 뿐만 아니라, 구동 안정성이 높고, 구동 수명이 긴 유기 전계 발광 소자가 되는 것을 알아내어, 상기 과제를 훌륭하게 해결할 수 있는 것에 상도하여, 본 발명에 도달한 것이다.In addition, the present inventors have studied a number of ways to further increase the luminous efficiency and life of an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device that does not require strict sealing. As a result, on the metal oxide layer between the anode and the cathode, It was found that when a nitrogen-containing film of a predetermined thickness was formed, electron injection characteristics were improved and the life of the device was extended. Among them, it was found that it is more preferable to have a nitrogen-containing film formed by a method of forming a nitrogen-containing film by decomposing a nitrogen-containing film or a nitrogen-containing compound having a high ratio of nitrogen atoms in the atoms constituting the nitrogen-containing film. It was found that it was formed by decomposition of the compound, and it was more preferable that the nitrogen atom ratio in the atoms constituting the nitrogen-containing film was high. The present inventors have found that using such a nitrogen-containing film as a layer constituting an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device provides an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency, high driving stability, and long driving life. It found out, conceived that the said subject can be solved wonderfully, and arrived at this invention.

즉, 본 발명은 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기 전계 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 상기 금속 산화물층 상에, 유기 화합물에 의해 형성되는 버퍼층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자이다.That is, the present invention is an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the organic electroluminescent device has a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, on the metal oxide layer, organic It is an organic electroluminescent device, characterized in that it has a buffer layer formed of a compound.

또, 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기 전계 발광 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 가지며, 상기 버퍼층은 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 의 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자는 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제 1 바람직한 형태이다.Further, as an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the organic electroluminescent device includes a first metal oxide layer, a buffer layer, and an emission layer stacked on the buffer layer between a first electrode and a second electrode. An organic electroluminescent device comprising a low molecular weight compound layer comprising a, and a second metal oxide layer in this order, wherein the buffer layer is a layer having an average thickness of 5 to 50 nm formed by applying a solution containing the organic compound Is the first preferred embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

또한, 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기 전계 발광 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 가지며, 상기 버퍼층은 환원제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자는 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제 2 바람직한 형태이다.Further, as an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the organic electroluminescent device includes a first metal oxide layer, a buffer layer, and an emission layer stacked on the buffer layer between a first electrode and a second electrode. An organic electroluminescent device comprising a low molecular weight compound layer and a second metal oxide layer in this order, wherein the buffer layer contains a reducing agent is a second preferred form of the organic electroluminescent device of the present invention.

또한, 양극과 기판 상에 형성된 음극의 사이에 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기 전계 발광 소자는 양극과 음극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 상기 금속 산화물층 상에, 질소 함유막으로 이루어지고, 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자는 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제 3 바람직한 형태이다.Further, as an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate, the organic electroluminescent device has a metal oxide layer between an anode and a cathode, and In addition, an organic electroluminescent device comprising a nitrogen-containing film and having a layer having an average thickness of 3 to 150 nm is a third preferred embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

이하에 본 발명을 상세히 서술한다.The present invention is described in detail below.

또한, 이하에 있어서 기재하는 본 발명의 개개의 바람직한 형태를 2 개 이상 조합한 것도 또 본 발명의 바람직한 형태이다.Further, a combination of two or more individual preferred embodiments of the present invention described below is another preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 그 금속 산화물층 상에, 유기 화합물에 의해 형성되는 버퍼층을 갖는 것이다.The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, and has a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, and on the metal oxide layer, by an organic compound. It has a buffer layer to be formed.

제 1 전극이 기판 상에 형성된 음극이며, 제 2 전극인 양극과의 사이에 금속 산화물층, 그리고 유기 화합물에 의해 형성된 버퍼층을 이 순서로 갖는 것은 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태이다.It is a preferred embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention that the first electrode is a cathode formed on a substrate, and a metal oxide layer and a buffer layer formed of an organic compound are in this order between the anode, which is the second electrode.

또, 버퍼층이 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께 3 nm 이상의 층이며, 그 버퍼층이 금속 산화물층 상에 인접하여 형성되어 있는 것도 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태이다.Further, the buffer layer is a layer having an average thickness of 3 nm or more formed by applying a solution containing an organic compound, and the buffer layer is formed adjacent to the metal oxide layer is also a preferred embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에는, 소자의 층 구성이나 버퍼층의 상이한 3 개의 바람직한 형태가 있다. 이하에 있어서는, 이들 3 개의 바람직한 형태에 대해 순서대로 설명한다. 또한, 이들 3 개의 바람직한 형태의 2 개 이상에 해당하는 것도 또 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태이다.In the organic electroluminescent device of the present invention, there are three different preferred forms of the device layer structure and buffer layer. In the following, these three preferred embodiments will be described in order. Further, those corresponding to two or more of these three preferred forms are also preferred forms of the organic electroluminescent device of the present invention.

[본 발명의 제 1 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자][Organic EL device of the first preferred embodiment of the present invention]

본 발명의 제 1 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자 (이하, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자로도 기재한다) 는 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 가지며, 버퍼층의 평균 두께가 3 nm 인 것이다. 또한, 버퍼층의 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 인 것이 바람직하다. 또, 버퍼층이 기판 상에 형성된 전극으로부터 발광층까지의 각 층의 전자 준위의 높이의 순서가 이들 층의 적층순이 되는 전자 준위를 갖는 것인 것도 바람직하다.The organic electroluminescent device of the first preferred form of the present invention (hereinafter, also referred to as the first organic electroluminescent device of the present invention) is a first metal oxide layer, a buffer layer, and a buffer layer between the first electrode and the second electrode. A low molecular weight compound layer including a light emitting layer stacked thereon, and a second metal oxide layer are in this order, and the average thickness of the buffer layer is 3 nm. Further, it is preferable that the average thickness of the buffer layer is 5 to 50 nm. In addition, it is also preferable that the buffer layer has an electron level in which the order of the heights of the electron levels of each layer from the electrode formed on the substrate to the light emitting layer is the stacking order of these layers.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는, 이와 같은 구성을 가짐으로써, 발광층 등의 유기 전계 발광 소자를 구성하는 층을 저분자 화합물층으로 한 경우라도, 저분자 화합물층의 결정화를 억제할 수 있고, 리크 전류를 억제하여, 균일한 면발광을 얻을 수 있다.The first organic electroluminescent device of the present invention has such a configuration, so that even when a layer constituting an organic electroluminescent device such as a light-emitting layer is a low-molecular compound layer, crystallization of the low-molecular compound layer can be suppressed, and leakage current is reduced. By suppressing, uniform surface light emission can be obtained.

유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 저분자 화합물층이 결정화되는 원인은 이하와 같이 생각된다.In the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, the cause of crystallization of the low molecular weight compound layer is considered as follows.

유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에서는, 유리 등의 기판 상에 배치된 제 1 전극과, 제 1 금속 산화물층이 존재하고, 그 위에 발광층을 포함하는 저분자 화합물층을 막형성하게 된다. 여기서, 종래의 방법에 의하면 제 1 금속 산화물층은 스프레이 열분해법, 졸 겔법, 스퍼터법 등의 방법으로 막형성되어, 표면은 평활하지 않고 요철을 가진다. 이 제 1 금속 산화물층 위에, 진공 증착 등의 방법으로 발광층을 포함하는 저분자 화합물층을 막형성한 경우, 제 1 금속 산화물층의 표면의 요철이 결정핵이 되고, 제 1 금속 산화물층에 접하는 저분자 화합물층의 결정화가 촉진된다. 이 때문에, 유기 전계 발광 소자를 완성시켰다고 해도, 큰 리크 전류가 흘러, 발광면이 불균일화되어, 실용에 견디는 소자는 얻어지지 않게 된다.In an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, a first electrode disposed on a substrate such as glass and a first metal oxide layer are present, and a low molecular weight compound layer including a light emitting layer is formed thereon. Here, according to the conventional method, the first metal oxide layer is formed by a method such as a spray pyrolysis method, a sol gel method, or a sputtering method, and the surface is not smooth and has irregularities. When a low molecular weight compound layer including a light emitting layer is formed on the first metal oxide layer by a method such as vacuum deposition, the irregularities on the surface of the first metal oxide layer become crystal nuclei, and the low molecular weight compound layer in contact with the first metal oxide layer Crystallization is promoted. For this reason, even if the organic electroluminescent element is completed, a large leakage current flows, the light-emitting surface becomes uneven, and an element that can withstand practical use cannot be obtained.

한편, 제 1 전극 상에 제 1 금속 산화물층을 갖지 않는, 이른바 통상적인 구조의 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 제 1 전극 표면이 충분히 평활하게 연마된 것이 입수 가능하고, 가령 제 1 전극 표면 상에 발광층을 포함하는 저분자 화합물층을 직접 막형성했다고 해도, 결정화라고 하는 문제는 일어나기 어렵다. 따라서, 이와 같은 결정화는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 특유의 과제이며, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는, 상기와 같은 구성을 가짐으로써, 이와 같은 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 특유의 과제를 해결할 수 있는 것이다.On the other hand, in an organic electroluminescent device having a so-called conventional structure that does not have a first metal oxide layer on the first electrode, it is available that the first electrode surface is polished sufficiently smoothly, for example, on the first electrode surface. Even if the low molecular weight compound layer including the light emitting layer is directly formed into a film, the problem of crystallization is unlikely to occur. Therefore, such crystallization is a problem peculiar to an organic-inorganic hybrid-type organic electroluminescent device, and the first organic electroluminescent device of the present invention has the above-described configuration, so that such organic-inorganic hybrid type organic electroluminescence It is possible to solve the problem specific to the device.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 상기 바람직한 구조의 것인 경우, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 유기 화합물로부터 형성되는 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 의 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 것인 한, 이들 이외의 다른 층을 가지고 있어도 된다.When the first organic electroluminescent device of the present invention has the above-described preferred structure, a buffer layer having an average thickness of 5 to 50 nm formed from the first metal oxide layer and the organic compound between the first electrode and the second electrode, As long as it has a low molecular weight compound layer including a light emitting layer laminated on the buffer layer and a second metal oxide layer in this order, other layers may be provided.

또한, 본 발명에 있어서 저분자 화합물이란, 고분자 화합물 (중합체) 이 아닌 화합물을 의미하고, 분자량이 낮은 화합물을 반드시 의미하는 것은 아니다.In addition, in this invention, a low molecular compound means a compound which is not a high molecular compound (polymer), and does not necessarily mean a compound with a low molecular weight.

상기 발광층을 포함하는 저분자 화합물층이란, 저분자 화합물에 의해 형성되는 1 개의 층 또는 저분자 화합물에 의해 형성되는 복수의 층이 적층된 것으로서, 그 중의 하나의 층이 발광층인 것이다. 즉, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층이란, 저분자 화합물에 의해 형성되는 발광층, 또는, 저분자 화합물에 의해 형성되는 발광층과 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층이 적층된 것 중 어느 것이다. 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층은 1 층이어도 되고 2 층 이상이어도 된다. 또, 발광층과 그 밖의 층의 적층되는 순번은 특별히 제한되지 않는다.The low-molecular compound layer including the light-emitting layer is one layer formed of a low-molecular compound or a plurality of layers formed of a low-molecular compound are stacked, and one of the layers is a light-emitting layer. That is, the low-molecular compound layer including the light-emitting layer is either a light-emitting layer formed of a low-molecular compound, or a stack of a light-emitting layer formed of a low-molecular compound and other layers formed of a low-molecular compound. The other layers formed of the low molecular weight compound may be one layer or two or more layers. Further, the order in which the light emitting layer and other layers are stacked is not particularly limited.

상기 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층은 정공 수송층 또는 전자 수송층인 것이 바람직하다. 즉, 저분자 화합물층이 복수의 층으로 이루어지는 것인 경우, 발광층 이외의 그 밖의 층으로서, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유기 전계 발광 소자가 발광층과는 상이한 독립된 층으로서 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 갖는 것은 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 바람직한 실시형태의 하나이다.It is preferable that the other layer formed of the low molecular compound is a hole transport layer or an electron transport layer. That is, when the low molecular weight compound layer is made of a plurality of layers, it is preferable to have a hole transport layer and/or an electron transport layer as other layers other than the light emitting layer. As described above, it is one of the preferred embodiments of the first organic electroluminescent device of the present invention that the organic electroluminescent device has a hole transport layer and/or an electron transport layer as independent layers different from the emission layer.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 정공 수송층을 독립된 층으로서 갖는 경우, 발광층과 제 2 금속 산화물층의 사이에 정공 수송층을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 전자 수송층을 독립된 층으로서 갖는 경우, 유기 화합물로부터 형성되는 버퍼층과 발광층의 사이에 전자 수송층을 갖는 것이 바람직하다.When the first organic electroluminescent device of the present invention has a hole transport layer as an independent layer, it is preferable to have a hole transport layer between the light emitting layer and the second metal oxide layer. When the first organic electroluminescent device of the present invention has an electron transport layer as an independent layer, it is preferable to have an electron transport layer between the light emitting layer and the buffer layer formed from the organic compound.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 독립된 층으로서 정공 수송층이나 전자 수송층을 갖지 않는 경우, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 필수의 구성으로서 갖는 층 중 어느 것이 이들의 층의 기능을 겸하게 된다.When the first organic electroluminescent device of the present invention does not have a hole transport layer or an electron transport layer as an independent layer, any of the layers having as an essential configuration of the first organic electroluminescent device of the present invention also functions as these layers. .

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태의 하나는 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극, 제 1 금속 산화물층, 유기 화합물로부터 형성되는 버퍼층, 발광층, 정공 수송층, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극만으로 이루어지고, 이들 층 중 어느 것이 전자 수송층의 기능을 겸하는 형태이다.One of the preferred forms of the first organic electroluminescent device of the present invention is that the organic electroluminescent device comprises a first electrode, a first metal oxide layer, a buffer layer formed from an organic compound, an emission layer, a hole transport layer, a second metal oxide layer, and a second It consists only of an electrode, and any of these layers is a form that also functions as an electron transport layer.

또, 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극, 제 1 금속 산화물층, 유기 화합물로부터 형성되는 버퍼층, 발광층, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극만으로 이루어지고, 이들의 층 중 어느 것이 정공 수송층 및 전자 수송층의 기능을 겸하는 형태도 또 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태의 하나이다.In addition, the organic electroluminescent device comprises only a first electrode, a first metal oxide layer, a buffer layer formed from an organic compound, a light-emitting layer, a second metal oxide layer, and a second electrode, and any of these layers is a hole transport layer and an electron transport layer. Another preferred form of the first organic electroluminescent device of the present invention is also a form that serves as a function.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1 전극은 음극이며, 제 2 전극은 양극이다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 양극 및 음극으로서는, 공지된 도전성 재료를 적절히 사용할 수 있지만, 광 취출을 위해서 적어도 어느 일방은 투명한 것이 바람직하다. 공지된 투명 도전성 재료의 예로서는 ITO (주석 도프 산화인듐), ATO (안티몬 도프 산화인듐), IZO (인듐 도프 산화아연), AZO (알루미늄 도프 산화아연), FTO (불소 도프 산화인듐), In3O3, SnO2, Sb 함유 SnO2, Al 함유 ZnO 등의 산화물 등을 들 수 있다. 불투명한 도전성 재료의 예로서는, 칼슘, 마그네슘, 알루미늄, 주석, 인듐, 구리, 은, 금, 백금이나 이들의 합금 등을 들 수 있다.In the first organic electroluminescent device of the present invention, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode. In the organic electroluminescent device of the present invention, a known conductive material can be suitably used as the anode and the cathode, but at least one of them is preferably transparent for light extraction. Examples of known transparent conductive materials include ITO (tin-doped indium oxide), ATO (antimony-doped indium oxide), IZO (indium-doped zinc oxide), AZO (aluminum-doped zinc oxide), FTO (fluorine-doped indium oxide), In 3 O Oxides, such as 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , and Al-containing ZnO, etc. are mentioned. Examples of the opaque conductive material include calcium, magnesium, aluminum, tin, indium, copper, silver, gold, platinum, and alloys thereof.

음극으로서는, 이 중에서도, ITO, IZO, FTO 가 바람직하다.As the cathode, among these, ITO, IZO, and FTO are preferable.

양극으로서는, Au, Pt, Ag, Cu, Al 또는 이들을 함유하는 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, Au, Ag, Al 이 바람직하다.Examples of the anode include Au, Pt, Ag, Cu, Al, or an alloy containing these. Among these, Au, Ag, and Al are preferable.

상기와 같이, 일반적으로 양극에 사용되는 금속을 음극 및 양극에 사용할 수 있는 점에서, 상부 전극으로부터의 광의 취출을 상정하는 경우 (탑 에미션 구조의 경우) 도 용이하게 실현할 수 있고, 상기 전극을 여러 가지 선택하여 각각의 전극에 사용할 수 있다. 예를 들어, 하부 전극으로서 Al, 상부 전극에 ITO 등이다.As described above, since the metal generally used for the positive electrode can be used for the negative electrode and the positive electrode, it is also possible to easily realize the case where light extraction from the upper electrode is assumed (in the case of a top emission structure), and the electrode is Various selections can be used for each electrode. For example, Al as the lower electrode and ITO as the upper electrode.

상기 제 1 전극의 평균 두께는 특별히 제한되지 않지만, 10 ∼ 500 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 100 ∼ 200 nm 이다. 제 1 전극의 평균 두께는 촉침식 단차계, 분광 엘립소메트리에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the first electrode is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 nm. More preferably, it is 100 to 200 nm. The average thickness of the first electrode can be measured by a stylus type step meter or a spectral ellipsometry.

상기 제 2 전극의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 30 ∼ 150 nm 이다. 또, 불투과인 재료를 사용하는 경우라도, 예를 들어 평균 두께를 10 ∼ 30 nm 정도로 함으로써, 탑 에미션형 및 투명형의 양극으로서 사용할 수 있다.The average thickness of the second electrode is not particularly limited, but is preferably 10 to 1000 nm. More preferably, it is 30 to 150 nm. Moreover, even in the case of using an impermeable material, it can be used as a top emission type and a transparent type anode, for example, by setting the average thickness to about 10 to 30 nm.

제 2 전극의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the second electrode can be measured at the time of film formation using a crystal oscillator film thickness meter.

상기 제 1 금속 산화물층은 전자 주입층 또는 전극 (음극) 으로서 기능하고, 제 2 금속 산화물층은 정공 주입층으로서 기능하는 층이다.The first metal oxide layer functions as an electron injection layer or an electrode (cathode), and the second metal oxide layer functions as a hole injection layer.

제 1 금속 산화물층으로서는, 단체의 금속 산화물막의 1 층으로 이루어지는 층, 혹은, 단체 또는 2 종류 이상의 금속 산화물을 적층 및/또는 혼합한 층인 반도체 혹은 절연 체적층 박막의 층이다. 금속 산화물을 구성하는 금속 원소로서는, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 티탄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 인듐, 갈륨, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 카드뮴, 알루미늄, 규소, 주석으로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 중, 적층 또는 혼합 금속 산화물층을 구성하는 금속 원소의 적어도 하나가 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 지르코늄, 하프늄, 규소, 티탄, 아연, 주석으로 이루어지는 층인 것이 바람직하고, 그 중에서도 단체의 금속 산화물이라면, 산화마그네슘, 산화텅스텐, 산화니오브, 산화철, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화하프늄, 산화규소, 산화티탄, 산화아연, 산화주석으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 산화물을 함유하는 것이 바람직하다.The first metal oxide layer is a layer consisting of one layer of a single metal oxide film, or a layer of a semiconductor or insulating bulk layer thin film, which is a single layer or a layer obtained by laminating and/or mixing two or more types of metal oxides. Metal elements constituting the metal oxide include magnesium, calcium, strontium, barium, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, indium, gallium, iron, cobalt, nickel, copper, and zinc. , Cadmium, aluminum, silicon, and tin are selected from the group consisting of. Among these, it is preferable that at least one of the metal elements constituting the laminated or mixed metal oxide layer is a layer made of magnesium, aluminum, calcium, zirconium, hafnium, silicon, titanium, zinc, and tin, and among them, a single metal oxide, It is preferable to contain a metal oxide selected from the group consisting of magnesium oxide, tungsten oxide, niobium oxide, iron oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, silicon oxide, titanium oxide, zinc oxide, and tin oxide.

상기 단체 또는 2 종류 이상의 금속 산화물을 적층 및/또는 혼합한 층의 예로서는, 산화티탄/산화아연, 산화티탄/산화마그네슘, 산화티탄/산화지르코늄, 산화티탄/산화알루미늄, 산화티탄/산화하프늄, 산화티탄/산화규소, 산화아연/산화마그네슘, 산화아연/산화지르코늄, 산화아연/산화하프늄, 산화아연/산화규소, 산화칼슘/산화알루미늄 등의 금속 산화물의 조합을 적층 및/또는 혼합한 것이나, 산화티탄/산화아연/산화마그네슘, 산화티탄/산화아연/산화지르코늄, 산화티탄/산화아연/산화알루미늄, 산화티탄/산화아연/산화하프늄, 산화티탄/산화아연/산화규소, 산화인듐/산화갈륨/산화아연 등의 3 종의 금속 산화물의 조합을 적층 및/또는 혼합한 것 등을 들 수 있다. 이들 중에는, 특수한 조성으로서 양호한 특성을 나타내는 산화물 반도체인 IGZO 나 일렉트라이드인 12CaO·7Al2O3 도 포함된다.Examples of the above-described single layer or a layer in which two or more kinds of metal oxides are laminated and/or mixed include titanium oxide/zinc oxide, titanium oxide/magnesium oxide, titanium oxide/zirconium oxide, titanium oxide/aluminum oxide, titanium oxide/hafnium oxide, and oxidation. Stacked and/or mixed with a combination of metal oxides such as titanium/silicon oxide, zinc oxide/magnesium oxide, zinc oxide/zirconium oxide, zinc oxide/hafnium oxide, zinc oxide/silicon oxide, calcium oxide/aluminum oxide, or oxidation Titanium/zinc oxide/magnesium oxide, titanium oxide/zinc oxide/zirconium oxide, titanium oxide/zinc oxide/aluminum oxide, titanium oxide/zinc oxide/hafnium oxide, titanium oxide/zinc oxide/silicon oxide, indium oxide/gallium oxide/ And laminated and/or mixed combinations of three types of metal oxides such as zinc oxide. Among these, IGZO as an oxide semiconductor exhibiting good properties as a special composition and 12CaO·7Al 2 O 3 as an electride are also included.

또한, 본 발명에 있어서는, 시트 저항이 100Ω/□ 보다 낮은 것은 도전체, 시트 저항이 100 Ω/□ 보다 높은 것은 반도체 또는 절연체로서 분류된다. 따라서, 투명 전극으로서 알려져 있는 ITO (주석 도프 산화인듐), ATO (안티몬 도프 산화인듐), IZO (인듐 도프 산화아연), AZO (알루미늄 도프 산화아연), FTO (불소 도프 산화인듐) 등의 박막은 도전성이 높고 반도체 또는 절연체의 범주에 포함되지 않는 점에서 본 발명의 제 1 금속 산화물층을 구성하는 1 층에 해당되지 않는다.Further, in the present invention, those having a sheet resistance lower than 100 Ω/□ are classified as conductors, and those having a sheet resistance higher than 100 Ω/□ are classified as semiconductors or insulators. Therefore, thin films such as ITO (tin-doped indium oxide), ATO (antimony-doped indium oxide), IZO (indium-doped zinc oxide), AZO (aluminum-doped zinc oxide), and FTO (fluorine-doped indium oxide) known as transparent electrodes are It does not correspond to one layer constituting the first metal oxide layer of the present invention in that it has high conductivity and is not included in the category of a semiconductor or an insulator.

상기 제 2 금속 산화물층으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 산화바나듐 (V2O5), 산화몰리브덴 (MoO3), 산화텅스텐 (WO3), 산화루테늄 (RuO2) 등의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 산화바나듐 또는 산화몰리브덴을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 제 2 금속 산화물층이 산화바나듐 또는 산화몰리브덴을 주성분으로 하는 것에 의해 구성되면, 제 2 금속 산화물층이 제 2 전극으로부터 정공을 주입하여 발광층 또는 정공 수송층에 수송한다는 정공 주입층으로서의 기능에 의해 우수한 것이 된다. 또, 산화바나듐 또는 산화몰리브덴은, 그 자체의 정공 수송성이 높기 때문에, 제 2 전극으로부터 발광층 또는 정공 수송층으로의 정공의 주입 효율이 저하되는 것을 바람직하게 방지할 수도 있다는 이점이 있다. 보다 바람직하게는, 산화바나듐 및/또는 산화몰리브덴으로 구성되는 것이다.The second metal oxide layer is not particularly limited, but one or two or more of vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), ruthenium oxide (RuO 2 ), etc. You can use Among these, it is preferable to use vanadium oxide or molybdenum oxide as a main component. When the second metal oxide layer is composed of vanadium oxide or molybdenum oxide as a main component, the second metal oxide layer injects holes from the second electrode and transports them to the light emitting layer or the hole transport layer. do. In addition, since vanadium oxide or molybdenum oxide itself has high hole transport properties, there is an advantage in that it is also possible to preferably prevent a decrease in the injection efficiency of holes from the second electrode to the light emitting layer or the hole transport layer. More preferably, it is composed of vanadium oxide and/or molybdenum oxide.

상기 제 1 금속 산화물층의 평균 두께는 1 nm 내지 수 ㎛ 정도까지 허용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 저전압으로 구동할 수 있는 유기 전계 발광 소자로 하는 점에서, 1 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 2 ∼ 100 nm 이다.The average thickness of the first metal oxide layer may be from 1 nm to several µm, and is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 nm from the viewpoint of making an organic electroluminescent device capable of driving at a low voltage. . More preferably, it is 2-100 nm.

상기 제 2 금속 산화물층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5 ∼ 50 nm 이다.The average thickness of the second metal oxide layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 nm. More preferably, it is 5 to 50 nm.

제 1 금속 산화물층의 평균 두께는 촉침식 단차계, 분광 엘립소메트리에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the first metal oxide layer can be measured by a stylus type step meter or spectroscopic ellipsometry.

제 2 금속 산화물층의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the second metal oxide layer can be measured at the time of film formation using a crystal oscillator film thickness meter.

발광층의 재료로서는, 발광층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 저분자 화합물도 사용할 수 있고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.As the material for the light-emitting layer, any low-molecular compound that can be used normally as a material for the light-emitting layer may be used, and these may be mixed and used.

저분자계의 것으로서는, 배위자에 2,2'-비피리딘-4,4'-디카르복실산을 가지는 3 배위의 이리듐 착물, 팩트리스(2-페닐피리딘)이리듐 (Ir(ppy)3), 8-하이드록시퀴놀린알루미늄 (Alq3), 트리스(4-메틸-8퀴놀리놀레이트) 알루미늄 (III) (Almq3), 8-하이드록시퀴놀린아연 (Znq2), (1,10-페난트롤린)-트리스(4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-부탄-1,3-디오네이트)유로퓸 (III) (Eu(TTA)3(phen)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀 플라티넘 (II) 와 같은 각종 금속 착물 ; 디스티릴벤젠 (DSB), 디아미노디스티릴벤젠 (DADSB) 와 같은 벤젠계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 페난트렌계 화합물, 크리센계 화합물, 페릴렌계 화합물, 코로넨계 화합물, 안트라센계 화합물, 피렌계 화합물, 피란계 화합물, 아크리딘계 화합물, 스틸벤계 화합물, 카르바졸계 화합물, 티오펜계 화합물, 벤조옥사졸계 화합물, 벤조이미다졸계 화합물, 벤조티아졸계 화합물, 부타디엔계 화합물, 나프탈이미드계 화합물, 쿠마린계 화합물, 페리논계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 알다진계 화합물, 시클로펜타디엔계 화합물, 퀴나크리돈계 화합물, 피리딘계 화합물, 2,2',7,7'-테트라페닐-9,9'-스피로비플루오렌과 같은 스피로 화합물, 금속 또는 무금속의 프탈로시아닌계 화합물, 나아가서는 일본 공개특허공보 2009-155325호, 일본 특허출원 2010-28273호, 일본 특허출원 2010-230995호 및 일본 특허출원 2011-6458호에 기재된 붕소 화합물 재료 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.As a low molecular weight one, a tri-coordinated iridium complex having 2,2'-bipyridin-4,4'-dicarboxylic acid in the ligand, pactris (2-phenylpyridine) iridium (Ir(ppy) 3 ), 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ), tris (4-methyl-8 quinolinolate) aluminum (III) (Almq 3 ), 8-hydroxyquinoline zinc (Znq 2 ), (1,10-phenanthrol Lin)-tris(4,4,4-trifluoro-1-(2-thienyl)-butane-1,3-dionate) europium (III) (Eu(TTA) 3 (phen)), 2, Various metal complexes such as 3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphine platinum (II); distyrylbenzene (DSB), diaminodistyrylbenzene (DADSB) and Same benzene compounds, naphthalene compounds, phenanthrene compounds, chrysene compounds, perylene compounds, coronene compounds, anthracene compounds, pyrene compounds, pyran compounds, acridine compounds, stilbene compounds, carbazole compounds Compounds, thiophene compounds, benzoxazole compounds, benzoimidazole compounds, benzothiazole compounds, butadiene compounds, naphthalimide compounds, coumarin compounds, perinone compounds, oxadiazole compounds, aldazine compounds , A cyclopentadiene compound, a quinacridone compound, a pyridine compound, a spiro compound such as 2,2',7,7'-tetraphenyl-9,9'-spirobifluorene, a metal or non-metal phthalocyanine Compounds, and further, boron compound materials described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-155325, Japanese Patent Application 2010-28273, Japanese Patent Application 2010-230995, and Japanese Patent Application 2011-6458. One or two or more types can be used.

상기 발광층은 도펀트를 포함하고 있어도 된다. 도펀트로서는, 도펀트로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 화합물도 사용할 수 있다. 도펀트로서 사용할 수 있는 화합물의 예로서는, 이리듐 화합물 ; 4,4'-비스(9-에틸-3-카르바조비닐렌)-1,1'-비페닐 (BCzVBi) 등의 저분자 유기 화합물 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.The light emitting layer may contain a dopant. As the dopant, any compound commonly used as a dopant can be used. Examples of compounds that can be used as dopants include iridium compounds; 4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl (BCzVBi), and other low-molecular organic compounds. And one or two or more of these can be used.

상기 발광층이 도펀트를 포함하는 경우, 도펀트의 함유량은, 발광층을 형성하는 재료 100 질량% 에 대해, 0.5 ∼ 20 질량% 인 것이 바람직하다. 이와 같은 함유량이면, 발광 특성을 보다 양호한 것으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는, 0.5 ∼ 10 질량% 이며, 더욱 바람직하게는, 1 ∼ 6 질량% 이다.When the light emitting layer contains a dopant, the content of the dopant is preferably 0.5 to 20 mass% with respect to 100 mass% of the material forming the light emitting layer. If it is such a content, the light emission characteristic can be made more favorable. More preferably, it is 0.5-10 mass %, More preferably, it is 1-6 mass %.

상기 발광층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 150 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 100 nm 이다. 더욱 바람직하게는, 40 ∼ 100 nm 이다.The average thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 20-100 nm. More preferably, it is 40-100 nm.

발광층의 평균 두께는 저분자 화합물의 경우에는 수정 진동자 막후계에 의해, 고분자 화합물의 경우에는 접촉식 단차계에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the light emitting layer can be measured by a crystal oscillator film thickness meter in the case of a low molecular weight compound, and by a contact-type step meter in the case of a polymer compound.

상기 정공 수송층의 재료로서는, 정공 수송층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 저분자 화합물도 사용할 수 있고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.As the material for the hole transport layer, any low-molecular compound commonly used as a material for the hole transport layer may be used, and these may be mixed and used.

저분자 화합물로서는, 릴시클로알칸계 화합물, 아릴아민계 화합물, 페닐렌디아민계 화합물, 카르바졸계 화합물, 스틸벤계 화합물, 옥사졸계 화합물, 트리페닐메탄계 화합물, 피라졸린계 화합물, 벤진 (시클로헥사디엔) 계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 안트라센계 화합물, 플루오레논계 화합물, 아닐린계 화합물, 실란계 화합물, 피롤계 화합물, 플로렌계 화합물, 포르피린계 화합물, 퀴나크리돈계 화합물, 금속 또는 무금속의 프탈로시아닌계 화합물, 금속 또는 무금속의 나프탈로시아닌계 화합물, 벤지딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.Examples of the low molecular weight compound include rilcycloalkane compounds, arylamine compounds, phenylenediamine compounds, carbazole compounds, stilbene compounds, oxazole compounds, triphenylmethane compounds, pyrazoline compounds, and benzine (cyclohexadiene )-Based compound, triazole-based compound, imidazole-based compound, oxadiazole-based compound, anthracene-based compound, fluorenone-based compound, aniline-based compound, silane-based compound, pyrrole-based compound, florene-based compound, porphyrin-based compound, quinacry A pig-based compound, a metal or metal-free phthalocyanine-based compound, a metal or metal-free naphthalocyanine-based compound, and a benzidine-based compound, and one or two or more of these may be used.

이들 중에서도, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(α-NPD), TPTE 와 같은 아릴아민계 화합물이 바람직하다.Among these, N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (α-NPD), arylamines such as TPTE Compounds are preferred.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 독립된 층으로서 정공 수송층을 갖는 경우, 정공 수송층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 150 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 100 nm 이며, 더욱 바람직하게는, 40 ∼ 100 nm 이다.When the first organic electroluminescent device of the present invention has a hole transport layer as an independent layer, the average thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but it is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 20-100 nm, More preferably, it is 40-100 nm.

정공 수송층의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the hole transport layer can be measured at the time of film formation with a crystal oscillator film thickness meter.

상기 전자 수송층의 재료로서는, 전자 수송층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 저분자 화합물도 사용할 수 있고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.As the material for the electron transport layer, any low-molecular compound commonly used as the material for the electron transport layer may be used, and these may be mixed and used.

전자 수송층의 재료로서 사용할 수 있는 저분자 화합물의 예로서는, 후술하는 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물 외에, 피리딘 유도체, 퀴놀린 유도체, 피리미딘 유도체, 피라진 유도체, 페난트롤린 유도체, 트리아진 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 방향 고리 테트라카르복실산 무수물, 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조티아졸라토]아연 (Zn(BTZ)2), 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3) 등으로 대표되는 각종 금속 착물, 실롤 유도체로 대표되는 유기 실란 유도체 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.Examples of low molecular weight compounds that can be used as the material for the electron transport layer include boron-containing compounds represented by formula (1) described below, as well as pyridine derivatives, quinoline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, triazine derivatives, and triazoles. Derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, aromatic cyclic tetracarboxylic anhydrides, bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc (Zn(BTZ) 2 ), tris( Various metal complexes such as 8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq 3 ), and organosilane derivatives such as silol derivatives, and one or two or more of these may be used.

이들 중에서도, Alq3 과 같은 금속 착물, 트리스-1,3,5-(3'-(피리딘-3''-일)페닐)벤젠 (TmPyPhB) 와 같은 피리딘 유도체가 바람직하다.Among these, metal complexes such as Alq 3 and pyridine derivatives such as tris-1,3,5-(3'-(pyridin-3''-yl)phenyl)benzene (TmPyPhB) are preferable.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 독립된 층으로서 전자 수송층을 갖는 경우, 전자 수송층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 150 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 100 nm 이며, 더욱 바람직하게는, 40 ∼ 100 nm 이다.When the first organic electroluminescent device of the present invention has an electron transport layer as an independent layer, the average thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 20-100 nm, More preferably, it is 40-100 nm.

전자 수송층의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the electron transport layer can be measured at the time of film formation with a crystal oscillator film thickness meter.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 기상 막형성법인 플라즈마 CVD, 열 CVD, 레이저 CVD 등의 화학 증착법 (CVD), 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 건식 도금법, 용사법, 그리고 액상 막형성법인 전해 도금, 침지 도금, 무전해 도금 등의 습식 도금법, 졸·겔법, MOD 법, 스프레이 열분해법, 미립자 분산액을 사용한 독터 블레이드법, 스핀 코트법, 잉크젯법, 스크린 프린팅법 등의 인쇄 기술, 원자층 퇴적 (ALD) 법 등을 사용할 수 있고, 재료에 따른 적절한 방법을 선택하여 사용할 수 있다.In the first organic electroluminescent device of the present invention, the method of forming the first and second metal oxide layers, the second electrode, the light-emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer is not particularly limited. Chemical vapor deposition (CVD) such as CVD and laser CVD, dry plating methods such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating, thermal spraying methods, and wet plating methods such as electrolytic plating, immersion plating, and electroless plating, sol-gel method, MOD method, spray pyrolysis method, doctor blade method using fine particle dispersion, printing technology such as spin coat method, inkjet method, screen printing method, atomic layer deposition (ALD) method, etc. can be used, and an appropriate method can be selected according to the material. Can be used.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자가 포함하는 버퍼층은 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 층이다. 도포에 의해 소정의 두께의 버퍼층을 형성함으로써 버퍼층 상에 막형성하는 저분자 화합물의 결정화를 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.The buffer layer included in the first organic electroluminescent device of the present invention is a layer formed by applying a solution containing an organic compound. By forming a buffer layer having a predetermined thickness by application, it becomes possible to effectively suppress the crystallization of the low molecular weight compound to be formed on the buffer layer.

상기 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 스핀 코트법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 와이어 바 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 각종 도포 방법을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 스핀 코트법이 바람직하다.The method of applying the solution containing the organic compound is not particularly limited, and the spin coating method, casting method, microgravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, slit coating method, Various coating methods, such as a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexo printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method, can be used. Among these, the spin coating method is preferable.

버퍼층을 도포 막형성함으로써, 제 1 금속 산화물층 표면에 존재하는 요철이 평활화되기 때문에, 다음으로 버퍼층 상에 막형성하는 저분자 화합물의 결정화가 억제된다.Since the unevenness existing on the surface of the first metal oxide layer is smoothed by forming the buffer layer as a coating film, crystallization of the low-molecular compound formed on the buffer layer next is suppressed.

상기 유기 화합물을 함유하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매로서는, 유기 화합물을 용해할 수 있는 것인 한 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 질산, 황산, 암모니아, 과산화수소, 물, 이황화탄소, 사염화탄소, 에틸렌카보네이트 등의 무기 용매나, 케톤계 용매, 알코올계 용매, 에테르계 용매, 셀로솔브계 용매, 헥산, 펜탄, 헵탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매, 톨루엔, 자일렌, 벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매, 방향족 복소 고리 화합물계 용매, 아미드계 용매, 할로겐 화합물계 용매, 에스테르계 용매, 황화합물계 용매, 니트릴계 용매, 유기산계 용매와 같은 각종 유기 용매, 또는, 이들을 함유하는 혼합 용매 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, THF, 톨루엔, 클로로포름이 바람직하다.The solvent used to prepare a solution containing the organic compound is not particularly limited as long as it can dissolve the organic compound, but examples include nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, Inorganic solvents such as ethylene carbonate, ketone solvents, alcohol solvents, ether solvents, cellosolve solvents, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, and cyclohexane, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and benzene Various organic solvents such as solvents, aromatic heterocyclic solvents, amide solvents, halogen compound solvents, ester solvents, sulfur compound solvents, nitrile solvents, organic acid solvents, or mixed solvents containing these. I can. Among these, THF, toluene, and chloroform are preferable.

상기 유기 화합물을 함유하는 용액은 용매 중의 유기 화합물의 농도가 0.05 ∼ 10 질량% 인 것이 바람직하다. 이와 같은 농도이면, 도포했을 때의 도포 불균일이나 요철의 발생을 억제할 수 있다. 용매 중의 유기 화합물의 농도는 보다 바람직하게는, 0.1 ∼ 5 질량% 이며, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량% 이다.The solution containing the organic compound preferably has a concentration of the organic compound in the solvent of 0.05 to 10% by mass. If it is such a concentration, it is possible to suppress the occurrence of uneven coating and irregularities when applied. The concentration of the organic compound in the solvent is more preferably 0.1 to 5% by mass, and still more preferably 0.1 to 3% by mass.

상기 버퍼층은 기판 상에 형성된 전극으로부터 발광층까지의 각 층의 전자 준위의 높이의 순서가 이들 층의 적층순이 되는 전자 준위를 갖는 것인 것이 바람직하다. 기판 상에 형성된 전극 (음극) 으로부터 발광층까지의 각 층의 전자 준위의 높이의 순번이 적층순과 동일하고, 전극 (음극) 으로부터 발광층을 향하여 전자 준위의 높이가 단계적으로 높아짐으로써 전극 (음극) 으로부터 발광층까지의 전자 이동이 업힐 중에서도 비교적 순조롭게 이루어진다.It is preferable that the buffer layer has an electron level in which the order of the heights of the electron levels of each layer from the electrode formed on the substrate to the light emitting layer is the order of stacking these layers. The order of the height of the electron level of each layer from the electrode (cathode) formed on the substrate to the light emitting layer is the same as that of the stacking order, and the height of the electron level from the electrode (cathode) toward the light emitting layer is increased stepwise from the electrode (cathode) to the light emitting layer. Electron movement to the light emitting layer is relatively smooth during the uphill.

상기 버퍼층은 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 인 것이 바람직하다. 평균 두께가 이와 같은 범위임으로써, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층의 결정화를 억제하는 효과를 충분히 발휘할 수 있다. 버퍼층의 평균 두께가 5 nm 보다 얇으면, 제 1 금속 산화물 표면에 존재하는 요철을 충분히 평활화할 수 없고, 리크 전류가 커져 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 없는 우려가 있다. 또, 버퍼층의 평균 두께가 50 nm 보다 두꺼우면, 구동 전압이 상승하여 실용상 바람직하지 않다. 또, 유기 화합물로서, 후술하는 본 발명에 있어서의 바람직한 구조의 화합물을 사용한 경우에는, 버퍼층은 전자 수송층으로서의 기능도 충분히 발휘할 수 있다. 상기 버퍼층의 평균 두께는 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 nm 이다.It is preferable that the buffer layer has an average thickness of 5 to 50 nm. When the average thickness is in such a range, the effect of suppressing crystallization of the low molecular weight compound layer including the light emitting layer can be sufficiently exhibited. If the average thickness of the buffer layer is less than 5 nm, there is a fear that the unevenness present on the first metal oxide surface cannot be sufficiently smoothed, the leakage current becomes large, and the effects of the present invention cannot be sufficiently exhibited. Moreover, if the average thickness of the buffer layer is thicker than 50 nm, the driving voltage increases, which is not preferable for practical purposes. In addition, when a compound having a preferable structure in the present invention described later is used as the organic compound, the buffer layer can sufficiently exhibit the function as an electron transport layer. The average thickness of the buffer layer is more preferably 10 to 30 nm.

버퍼층의 평균 두께는 촉침식 단차계, 분광 엘립소메트리에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the buffer layer can be measured by a stylus type step meter or spectral ellipsometry.

그런데, 상기 서술한 일본 공개특허공보 2012-4492호 (특허문헌 5) 에는, 양극, 음극과, 양극과 음극에 끼워진 1 층 또는 복수층의 유기 화합물층과, 양극과 유기 화합물층의 사이 또는 음극과 유기 화합물층의 사이에, 적어도 1 종류 이상의 금속 산화물 박막을 가지며, 그들 각 층간에 1 층 또는 복수층의, 주된 캐리어에 있어서 에너지 장벽이 되고, 반대의 캐리어에 있어서 에너지 장벽이 되지 않는 자기 조직화 단분자막을 갖는 유기 박막 전계 발광 소자가 개시되어 있다. 그 특허문헌은 유기 무기 하이브리드형 전계 발광 소자에 있어서, 특정의 에너지 준위를 가진 자기 조직화 단분자막을 산화물 기판 상에 (도포를 포함하는 막형성 방법에 의해) 막형성함으로써 주된 캐리어와는 반대의 캐리어가 터널링에 의해 캐리어 주입된다는 소자 구성에 대해 기재되어 있다. 또한, 터널링에 의한 캐리어 주입은 그 자기 조직화 단분자막이 2 nm 이하의 박막인 경우에 바람직하게 기능한다고 기재되어 있다 (특허문헌 5 의 기재로부터, 유기 화합물층의 평균 두께는 2 nm 이하라고 추정된다). 한편, 후술하는 실시예에 있는 바와 같이, 본 발명에서 해결하고자 하고 있는 과제에 대해서는 충분한 효과를 얻기 위해서는, 유기 화합물층의 평균 두께가 5 nm 이상인 것이 필요하다.By the way, in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-4492 (Patent Document 5) described above, an anode, a cathode, a single layer or a plurality of layers of an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode, and between the anode and the organic compound layer or between the cathode and the organic compound layer. A self-organizing monomolecular film having at least one or more metal oxide thin films between the compound layers, and one or more layers between each of them, which is an energy barrier in the main carrier and does not become an energy barrier in the opposite carrier. An organic thin film electroluminescent device is disclosed. The patent document discloses that in an organic-inorganic hybrid electroluminescent device, by forming a self-organizing monomolecular film having a specific energy level on an oxide substrate (by a film forming method including coating), the carrier opposite to the main carrier is It has been described for the device configuration that carrier is injected by tunneling. In addition, it is described that carrier injection by tunneling functions preferably when the self-assembled monomolecular film is a thin film of 2 nm or less (from the description of Patent Document 5, the average thickness of the organic compound layer is estimated to be 2 nm or less). On the other hand, as described in Examples to be described later, in order to obtain a sufficient effect for the problem to be solved in the present invention, it is necessary that the average thickness of the organic compound layer is 5 nm or more.

이와 같이, 본 발명과 특허문헌 5 에 개시되어 있는 발명은 해결해야 할 과제, 해결의 수단이 본질적으로 상이한 것이며, 명확하게 구별되어야 할 것이다.In this way, the present invention and the invention disclosed in Patent Document 5 are essentially different in the subject to be solved and the means for solving, and should be clearly distinguished.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 적층된 것이어도 된다. 기판 상에 각 층이 적층된 것인 경우, 기판 상에 형성된 제 1 전극 상에, 각 층이 형성된 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는 기판이 있는 측과는 반대측에 광을 취출하는 탑 에미션형의 것이어도 되고, 기판이 있는 측에 광을 취출하는 보텀 에미션형의 것이어도 된다.The first organic electroluminescent device of the present invention may be formed by stacking layers constituting the organic electroluminescent device on a substrate. When each layer is stacked on a substrate, it is preferable that each layer is formed on the first electrode formed on the substrate. In this case, the first organic electroluminescent device of the present invention may be of a top emission type that extracts light to the side opposite to the side with the substrate, or may be of a bottom emission type that extracts light to the side of the substrate.

상기 기판의 재료로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 시클로올레핀폴리머, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트와 같은 수지 재료나, 석영 유리, 소다 유리와 같은 유리 재료 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.As the material for the substrate, resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyether sulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyarylate, quartz glass, soda And glass materials such as glass, and one or two or more of these can be used.

또, 탑 에미션형의 경우에는, 불투명 기판도 사용할 수 있고 예를 들어, 알루미나와 같은 세라믹스 재료로 구성된 기판, 스테인리스강과 같은 금속 기판의 표면에 산화막 (절연막) 을 형성한 것, 수지 재료로 구성된 기판 등도 사용할 수 있다.In the case of the top emission type, an opaque substrate can also be used. For example, a substrate made of a ceramic material such as alumina, an oxide film (insulation film) formed on the surface of a metal substrate such as stainless steel, and a substrate made of resin material Etc. can also be used.

상기 기판의 평균 두께는 0.1 ∼ 30 mm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.1 ∼ 10 mm 이다.It is preferable that the average thickness of the substrate is 0.1 to 30 mm. More preferably, it is 0.1-10 mm.

기판의 평균 두께는 디지털 멀티미터, 노기스에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the substrate can be measured with a digital multimeter or a vernier.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 버퍼층을 형성하고, 그 위에 발광층 등의 저분자 화합물층을 적층한 구성을 가지며, 이로써 저분자 화합물의 결정화라는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 특유의 과제를 해결할 수 있는 것이다. 이와 같은 본 발명의 제 1 바람직한 형태의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법, 즉, 복수의 층을 적층한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법으로서, 그 제조 방법은, 유기 전계 발광 소자가, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 것이 되도록 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층을 적층하는 공정을 포함하고, 그 적층 공정은 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 평균 두께가 3 nm 이상의 버퍼층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 제 1 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법도 또 본 발명의 하나이다.The first organic electroluminescent device of the present invention has a configuration in which a buffer layer is formed by applying a solution containing an organic compound, and a low molecular compound layer such as a light emitting layer is laminated thereon, whereby the organic-inorganic hybrid type of crystallization of a low molecular compound is formed. The problem peculiar to electroluminescent devices can be solved. As a method of manufacturing an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device of the first preferred embodiment of the present invention, that is, an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the manufacturing method is an organic electric field So that the light-emitting element has a first metal oxide layer, a buffer layer, a low-molecular compound layer including a light-emitting layer stacked on the buffer layer, and a second metal oxide layer in this order between the first electrode and the second electrode. The present invention, characterized in that it includes a step of laminating each layer constituting an organic electroluminescent device, and the laminating step includes a step of forming a buffer layer having an average thickness of 3 nm or more by applying a solution containing an organic compound. Another aspect of the present invention is a method of manufacturing an organic electroluminescent device of the first preferred embodiment.

본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 버퍼층을 형성하는 공정은 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 의 버퍼층을 형성하는 공정인 것이 바람직하다.In the method for manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention, the step of forming a buffer layer by applying a solution containing an organic compound is preferably a step of forming a buffer layer having an average thickness of 5 to 50 nm.

상기 본 발명의 제 1 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, 상기 공정을 포함하는 것인 한, 그 밖의 공정을 포함하고 있어도 되고, 제 1, 제 2 금속 산화물층, 버퍼층, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층 이외의 층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 유기 전계 발광 소자의 각 층을 형성하는 재료, 형성 방법, 유기 화합물, 유기 화합물을 포함하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매, 및, 각 층의 두께는 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자와 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.The method for manufacturing an organic electroluminescent device of the first preferred embodiment of the present invention may include other steps as long as it includes the steps described above, and includes first and second metal oxide layers, buffer layers, and light-emitting layers. The step of forming a layer other than the low molecular compound layer to be described may be included. In addition, the material for forming each layer of the organic electroluminescent device, the formation method, the organic compound, the solvent used to prepare a solution containing the organic compound, and the thickness of each layer are the first organic electroluminescent device of the present invention It is the same as and preferred is the same.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물은 도포에 의해 유기 화합물의 층의 형성이 가능한 것이면 특별히 제한되지 않지만, 유기 화합물의 예로서는, 트랜스형 폴리아세틸렌, 시스형 폴리아세틸렌, 폴리(디페닐아세틸렌) (PDPA), 폴리(알킬, 페닐아세틸렌) (PAPA) 와 같은 폴리아세틸렌계 화합물 ; 폴리파라페닐렌비닐렌계 화합물 ; 폴리티오펜계 화합물 ; 폴리플루오렌계 화합물 ; 폴리파라페닐렌계 화합물 ; 폴리카르바졸계 화합물 ; 폴리실란계 화합물, 폴리에틸렌이민 (PEI) 이나, 하기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물, 하기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 함유하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체 등의 붕소 함유 화합물, 또는 3 TPYMB:Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane 등의 붕소 함유 전자 수송 재료를 들 수 있다. 이들은 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 사용해도 된다.In the first organic electroluminescent device of the present invention, the organic compound forming the buffer layer is not particularly limited as long as it is capable of forming a layer of the organic compound by coating, but examples of the organic compound include trans polyacetylene and cis polyacetylene. , Poly(diphenylacetylene) (PDPA), poly(alkyl, phenylacetylene) (PAPA), such as polyacetylene compounds; polyparaphenylenevinylene compounds; polythiophene compounds; polyfluorene compounds; polypara A phenylene-based compound; a polycarbazole-based compound; a polysilane-based compound, a polyethyleneimine (PEI), a boron-containing compound represented by the following formula (1), or a monomer component containing a boron-containing compound represented by the following formula (2) is polymerized. Boron-containing compounds such as boron-containing polymers obtained by doing so, or boron-containing electron transport materials such as 3TPYMB:Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane. These may use 1 type, and may use 2 or more types.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물은 붕소 원자를 갖는 유기 화합물인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 하기 식 (1) 로 나타내는 구조의 화합물이거나, 또는, 하기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 함유하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체이다.In the first organic electroluminescent device of the present invention, it is preferable that the organic compound forming the buffer layer is an organic compound having a boron atom. More preferably, the organic compound having a boron atom is a compound having a structure represented by the following formula (1), or a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by the following formula (2).

즉, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 붕소 원자를 갖는 유기 화합물은 하기 식 (1) ; That is, in the first organic electroluminescent device of the present invention, the organic compound having a boron atom forming the buffer layer is the following formula (1);

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014106029210-pct00001
Figure 112014106029210-pct00001

(식 중, 점선의 원호는 실선으로 나타내는 골격 부분과 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 실선으로 나타내는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 점선으로 연결되는 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되어 있어도 되는 것을 나타낸다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. Q1 및 Q2 는 동일 또는 상이하고, 실선으로 나타내는 골격 부분에 있어서의 연결기이며, 적어도 일부가 점선의 원호 부분과 함께 고리 구조를 형성하고 있고, 치환기를 가지고 있어도 된다. X1, X2, X3 및 X4 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. n1 은 2 ∼ 10 의 정수를 나타낸다. Y1 은 직접 결합 또는 n1 가의 연결기이며, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분과 각각 독립적으로 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이거나, 또는, 하기 식 (2) ; (In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with the skeleton portion indicated by the solid line. The dotted line portion in the skeleton portion indicated by the solid line indicates that a pair of atoms connected by a dotted line may be connected by a double bond. The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom, Q 1 and Q 2 are the same or different, and are a linking group in the skeletal part represented by a solid line, at least a part of which is a dotted circular arc A ring structure is formed together with a moiety, and may have a substituent X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent that becomes a substituent of the ring structure, A plurality of rings may be bonded to the ring structure forming the circular arc portion of the dotted line. n 1 represents an integer of 2 to 10. Y 1 is a direct bond or n 1 valent linking group, and a structure other than Y 1 having n 1 It shows that the ring structure which forms the circular arc part of the dotted line independently of the moiety, and bonded at any one point in Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3 and X 4 ). It is a compound, or the following formula (2);

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014106029210-pct00002
Figure 112014106029210-pct00002

(식 중, 점선의 원호는 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 적어도 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되는 것을 나타내고, 그 이중 결합이 고리 구조와 공액하고 있어도 된다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. X5 및 X6 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. R1 및 R2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다. X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 하나는 반응성기를 갖는 치환기이다.) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 함유하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체인 것이 바람직하다.(In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least one pair The atom of is connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with the ring structure The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom X 5 and X 6 are the same or different. And a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion R 1 and R 2 are the same or different, and a hydrogen atom or a monovalent substituent It represents a substituent At least one of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 is a substituent having a reactive group.) It is preferably a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by).

유기 무기 하이브리드형 전계 발광 소자는 양극으로부터의 홀 주입이 음극으로부터의 전자 주입보다 효율적으로 일어나고, 발광 위치는 음극측 산화물 (본 발명에 있어서의 제 1 금속 산화물에 상당) 계면 근방에 존재하는 것이 알려져 있다. 제 1 금속 산화물층에 접하는 버퍼층으로부터의 발광을 피하기 위해, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물로서는, 발광층에 포함되는 발광성 화합물의 HOMO 준위보다 깊은 HOMO 준위를 가지는 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 에너지가 버퍼층의 화합물로 이동하여 발광하는 것을 피하기 위해, 발광층에 포함되는 발광성 화합물의 HOMO-LUMO 에너지 갭보다 넓은 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지는 화합물을 선택하는 것이 보다 바람직하다. 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이나, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체는 매우 깊은 HOMO 와, 넓은 HOMO-LUMO 에너지 갭을 겸비하여, 도포 가능한 화합물이기 때문에 여러가지 종류의 발광층에 대해 유효하게 기능할 수 있다.It is known that in the organic-inorganic hybrid electroluminescent device, hole injection from the anode occurs more efficiently than electron injection from the cathode, and the emission position is near the interface of the cathode-side oxide (corresponding to the first metal oxide in the present invention). have. In order to avoid light emission from the buffer layer in contact with the first metal oxide layer, as the organic compound forming the buffer layer, it is preferable to select a compound having a HOMO level deeper than the HOMO level of the light-emitting compound contained in the emission layer. In addition, it is more preferable to select a compound having a wider HOMO-LUMO energy gap than the HOMO-LUMO energy gap of the light-emitting compound included in the light-emitting layer in order to prevent the energy of excitons generated in the light-emitting layer from moving to the compound in the buffer layer to emit light. Do. The boron-containing polymer obtained by polymerizing the boron-containing compound represented by the above formula (1) or the monomer component containing the boron-containing compound represented by formula (2) has a very deep HOMO and a wide HOMO-LUMO energy gap, and is applied. Since it is a possible compound, it can function effectively for various types of light-emitting layers.

또, 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 이와 같은 구조를 갖는 화합물이면, 유기 화합물로부터 형성되는 버퍼층이 전자 수송층으로서의 기능도 우수한 것이 되어, 버퍼층과 별도로 전자 수송층을 형성할 필요가 없어진다. 이하에 있어서는, 먼저, 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물에 대해 기재하고, 다음으로, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체에 대해 기재한다.Further, if the organic compound having a boron atom is a compound having such a structure, the buffer layer formed from the organic compound is also excellent in function as an electron transport layer, and there is no need to form an electron transport layer separate from the buffer layer. In the following, first, a boron-containing compound represented by the above formula (1) is described, and then, a boron-containing polymer obtained by polymerization of a monomer component containing a boron-containing compound represented by the above formula (2) is described.

상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은 (i) 열적으로 안정적인 화합물이고, (ii) HOMO, LUMO 의 에너지 준위가 낮고, (iii) 양호한 도포막을 제작하는 것이 가능한 등의 여러 가지의 특성을 갖는 것이며, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.The boron-containing compound represented by the above formula (1) has various properties such as (i) a thermally stable compound, (ii) low energy levels of HOMO and LUMO, and (iii) it is possible to produce a good coating film. It can be used preferably as a material for the first organic electroluminescent device of the present invention.

상기 식 (1) 에 있어서, 점선의 원호는 실선으로 나타내는 골격 부분, 즉 붕소 원자와 Q1 과 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부 또는 붕소 원자와 Q2 를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고 있다. 이것은 상기 식 (1) 로 나타내는 화합물이 구조 중에 적어도 4 개 고리 구조를 가지며, 상기 식 (1) 에 있어서, 붕소 원자와 Q1 과 질소 원자를 연결하는 골격 부분 및 붕소 원자와 Q2 를 연결하는 골격 부분이 그 고리 구조의 일부로서 포함되어 있는 것을 나타내고 있다. 또한, X1 의 결합하는 고리 구조는 그 고리 구조 골격이 탄소 원자 이외의 원자를 포함하지 않고, 탄소 원자로 이루어지는 것이다.In the above formula (1), the circular arc of the dotted line is a skeletal part represented by a solid line, that is, a part of the skeletal part connecting the boron atom and Q 1 and the nitrogen atom or a part of the skeletal part connecting the boron atom and Q 2 together with a ring It shows that a structure is formed. This is because the compound represented by the above formula (1) has at least four ring structures in the structure, and in the formula (1), a skeletal moiety connecting a boron atom and Q 1 and a nitrogen atom and a boron atom and Q 2 It shows that the skeleton part is contained as part of the ring structure. In addition, the ring structure to which X 1 is bonded is one whose ring structure skeleton does not contain atoms other than carbon atoms and is made of carbon atoms.

상기 식 (1) 에 있어서, 실선으로 나타내는 골격 부분, 즉 붕소 원자와 Q1 과 질소 원자를 연결하는 골격 부분 및 붕소 원자와 Q2 를 연결하는 골격 부분, 에 있어서의 점선 부분은 각각의 골격 부분에 있어서 점선으로 연결되는 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되어 있어도 되는 것을 나타낸다.In the formula (1), the skeletal part represented by a solid line, that is, a skeletal part connecting a boron atom and Q 1 and a nitrogen atom, and a skeletal part connecting a boron atom and Q 2 , and dotted line parts in each of the skeletal parts It shows that a pair of atoms connected by a dotted line in may be connected by a double bond.

상기 식 (1) 에 있어서, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. 여기서, 배위하고 있다는 것은 질소 원자가 붕소 원자에 대해 배위자와 동일하게 작용하여 화학적으로 영향을 미치고 있는 것을 의미하고, 배위 결합 (공유 결합) 이 되어 있어도 되고, 배위 결합을 형성하고 있지 않아도 된다. 바람직하게는, 배위 결합이 되어 있는 것이다.In the formula (1), an arrow from a nitrogen atom to a boron atom indicates that a nitrogen atom is coordinated with a boron atom. Here, coordination means that the nitrogen atom acts on the boron atom in the same manner as the ligand and has a chemical effect, and may be a coordination bond (covalent bond), or a coordination bond may not be formed. Preferably, it is a coordination bond.

상기 식 (1) 에 있어서, Q1 및 Q2 는 동일 또는 상이하고, 실선으로 나타내는 골격 부분에 있어서의 연결기이며, 적어도 일부가 점선의 원호 부분과 함께 고리 구조를 형성하고 있는 것으로서, 치환기를 가지고 있어도 된다. 이것은 Q1 및 Q2 가 각각 그 고리 구조의 일부로서 포함되어 있는 것을 나타내고 있다.In the above formula (1), Q 1 and Q 2 are the same or different, and are linking groups in the skeletal moiety indicated by a solid line, at least a part forming a ring structure together with the dotted circular arc moiety, and having a substituent You may have it. This shows that Q 1 and Q 2 are each contained as part of the ring structure.

상기 식 (1) 에 있어서, X1, X2, X3 및 X4 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. 즉, X1, X2, X3 및 X4 가 수소 원자인 경우에는, 상기 식 (1) 로 나타내는 화합물의 구조 중, X1, X2, X3 및 X4 를 갖는 4 개의 고리 구조는 치환기를 가지지 않은 것을 나타내고, X1, X2, X3 및 X4 중 어느 것, 또는, 모두가 1 가의 치환기인 경우에는, 그 4 개의 고리 구조 중 어느 것, 또는, 모두가 치환기를 갖는 것이 된다. 그 경우에는, 1 개의 고리 구조가 갖는 치환기의 수는 1 개이어도 되고, 2 개 이상이어도 된다.In the formula (1), X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and a ring forming a dotted circular arc portion A plurality of structures may be combined. That is, when X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are hydrogen atoms, in the structure of the compound represented by Formula (1), four ring structures having X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are It represents that it does not have a substituent, and when any of X 1 , X 2 , X 3 and X 4 , or all of them are monovalent substituents, any or all of the four ring structures have a substituent. do. In that case, the number of substituents which one ring structure has may be one or two or more.

또한, 본 명세서 중에 있어서 치환기란, 탄소를 함유하는 유기기와, 할로겐 원자, 하이드록시기 등의 탄소를 함유하지 않는 기를 포함한 기를 의미하고 있다.In addition, in this specification, a substituent means a group containing an organic group containing carbon, and a group which does not contain carbon, such as a halogen atom and a hydroxy group.

상기 식 (1) 에 있어서, n1 은 2 ∼ 10 의 정수를 나타내고, Y1 은 직접 결합 또는 n1 가의 연결기이다. 즉, 상기 식 (1) 로 나타내는 화합물에 있어서는, Y1 이 직접 결합이며, 2 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분끼리가 각각 독립적으로 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점에서 결합하고 있거나, 또는, Y1 이 n1 가의 연결기이며, 상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 이외의 구조 부분이 복수 존재하고, 그들이 연결기인 Y1 을 개재하여 결합하게 된다.In the formula (1), n 1 represents an integer of 2 to 10, and Y 1 is a direct bond or an n 1 valent linking group. That is, in the compound represented by the above formula (1), Y 1 is a direct bond, and two structural moieties other than Y 1 each independently form a dotted circular arc portion, Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3 , X 4 are bonded at any one point, or Y 1 is an n 1 valent linking group, and a plurality of structural moieties other than Y 1 in the formula (1) are Exist, and they are bonded through the linking group Y 1 .

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 직접 결합인 경우, 상기 식 (1) 은 2 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분의 일방의, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점과, 다른 일방의, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점이 직접 결합하고 있는 것을 나타낸다. 당해 결합 위치는 특별히 제한되지 않지만, Y1 이외의 구조 부분의 일방의 X1 이 결합하고 있는 고리 또는 X2 가 결합하고 있는 고리와, 다른 일방의 X1 이 결합하고 있는 고리 또는 X2 가 결합하고 있는 고리가 직접 결합하고 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, Y1 이외의 구조 부분의 일방의 X2 가 결합하고 있는 고리와, 다른 일방의 X2 가 결합하고 있는 고리가 직접 결합하고 있는 것이다.In the formula (1), when Y 1 is a direct bond, the formula (1) is a ring structure forming a dotted circular arc part of one of the structural parts other than Y 1 , Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3 , A ring structure forming an arc portion of a dotted line with one point in X 4 and the other one, Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3 , It shows that any 1 point in X 4 is directly bonded. The bonding position is not particularly limited, but the ring to which one X 1 of the structural moiety other than Y 1 is bonded or the ring to which X 2 is bonded, and the ring to which the other X 1 is bonded or X 2 are bonded. It is preferable that the ring being bonded is directly bonded. More preferably, the ring to which one X 2 of the structural moiety other than Y 1 is bound and the ring to which the other X 2 is bound are directly bound.

이 경우, 2 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분의 구조는 동일해도 되고, 상이해도 된다.In this case, the structure of the structural parts other than Y 1 which exist two may be the same or different.

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 n1 가의 연결기이며, 상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 이외의 구조 부분이 복수 존재하고, 그들이 연결기인 Y1 을 개재하여 결합하고 있는 경우, 이와 같이 복수 존재하는 상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 이외의 구조 부분이 연결기인 Y1 을 개재하여 결합하는 구조는, Y1 이외의 구조 부분이 직접 결합하고 있는 구조보다, 더욱 산화에 강해져 막제조성도 향상되는 점에서, 보다 바람직하다.In the formula (1), when Y 1 is an n 1 valent linking group, and a plurality of structural moieties other than Y 1 in the formula (1) are present, and they are bonded via Y 1 as a linking group, this The structure in which structural parts other than Y 1 in the above formula (1), which are present in a plurality, are bonded through Y 1 which is a linking group, is more resistant to oxidation than a structure in which structural parts other than Y 1 are directly bonded. Since manufacturability is also improved, it is more preferable.

또한, Y1 이 n1 가의 연결기인 경우, Y1 은, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분과 각각 독립적으로 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점에서 결합하고 있는 것이지만, 이것은 Y1 이외의 구조 부분이 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점에서 Y1 과 결합하고 있으면 되고, Y1 이외의 구조 부분의 Y1 과의 결합 부위는 n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분 각각에 독립적이고, 모두 동일 부위이어도 되고, 일부가 동일 부위이어도 되고, 모두 상이한 부위이어도 된다 라는 것을 의미하고 있다. 당해 결합 위치는 특별히 제한되지 않지만, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분의 모두가 X1 이 결합하고 있는 고리 또는 X2 가 결합하고 있는 고리로 Y1 과 결합하고 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분의 모두가 X2 가 결합하고 있는 고리로 Y1 과 결합하고 있는 것이다.In addition, when Y 1 is an n 1 valent linking group, Y 1 is a ring structure forming an arc portion of a dotted line independently of each of the structural portions other than Y 1 in which n 1 exist, Q 1 , Q 2 , X 1 , It is bonded at any one point in X 2 , X 3 , X 4 , but this is a ring structure in which structural parts other than Y 1 form a dotted arc part, Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3, if the binding and Y 1 in which the first point in the X 4 is, the binding site with Y 1 of the structural parts other than Y 1 are n independent and the structural parts each other than Y 1 present one, It means that all may be the same site|part, a part may be the same site|part, and all may be different sites. Although the said bonding position is not specifically limited, It is preferable that all of the structural moieties other than Y 1 in which n 1 exists are bonded to Y 1 by a ring to which X 1 is bonded or a ring to which X 2 is bonded. More preferably, all of the structural moieties other than Y 1 present in n 1 are bonded to Y 1 by a ring to which X 2 is bonded.

또, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분의 구조는 모두 동일해도 되고, 일부가 동일해도 되고, 모두 상이해도 된다.Moreover, the structure of the structural part other than Y 1 in which n 1 pieces exist may be all the same, some may be the same, or all may be different.

상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 이 n1 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서는, 예를 들어, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기, 치환기를 가지고 있어도 되는 헤테로 원소를 함유하는 기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 복소 고리기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 복소 고리기와 같은 방향 고리를 갖는 기인 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 은 방향 고리를 갖는 기인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.When Y 1 in the formula (1) is an n 1 valent linking group, the linking group is, for example, a chain, branched or cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, or a hetero The group containing an element, the aryl group which may have a substituent, and the heterocyclic group which may have a substituent are mentioned. Among these, a group having an aromatic ring such as an aryl group which may have a substituent or a heterocyclic group which may have a substituent is preferable. That is, it is also one of the preferred embodiments of the present invention that Y 1 in the formula (1) is a group having an aromatic ring.

또한, Y1 은 상기 서술한 연결기가 복수 조합된 구조를 갖는 연결기이어도 된다.In addition, Y 1 may be a linking group having a structure in which a plurality of the linking groups described above are combined.

상기 사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기로서는, 하기 식 (3-1) ∼ (3-8) 중 어느 것으로 나타내는 기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 하기 식 (3-1), (3-7) 이 보다 바람직하다.As the chain, branched chain or cyclic hydrocarbon group, a group represented by any of the following formulas (3-1) to (3-8) is preferable. Among these, the following formulas (3-1) and (3-7) are more preferable.

상기 헤테로 원소를 함유하는 기로서는, 하기 식 (3-9) ∼ (3-13) 중 어느 것으로 나타내는 기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 하기 식 (3-12), (3-13) 이 보다 바람직하다.As the group containing the hetero element, a group represented by any of the following formulas (3-9) to (3-13) is preferable. Among these, the following formulas (3-12) and (3-13) are more preferable.

상기 아릴기로서는, 하기 식 (3-14) ∼ (3-20) 중 어느 것으로 나타내는 기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 하기 식 (3-14), (3-20) 이 보다 바람직하다.As the aryl group, a group represented by any of the following formulas (3-14) to (3-20) is preferable. Among these, the following formulas (3-14) and (3-20) are more preferable.

상기 복소 고리기로서는, 하기 식 (3-21) ∼ (3-27) 중 어느 것으로 나타내는 기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 하기 식 (3-23), (3-24) 가 보다 바람직하다.The heterocyclic group is preferably a group represented by any of the following formulas (3-21) to (3-27). Among these, the following formulas (3-23) and (3-24) are more preferable.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014106029210-pct00003
Figure 112014106029210-pct00003

상기 사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기, 헤테로 원소를 함유하는 기, 아릴기, 복소 고리기가 갖는 치환기로서는, 할로겐 원자 ; 할로알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 5 ∼ 7 의 고리형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알콕시기 ; 니트로기 ; 시아노기 ; 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 디페닐아미노기, 카르바졸릴기 등의 디아릴아미노기 ; 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기 ; 탄소수 2 ∼ 30 의 알키닐기 ; 할로겐 원자나 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 알키닐기 등으로 치환되어 있어도 되는 아릴기 ; 할로겐 원자나 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 알키닐기로 치환되어 있어도 되는 복소 고리기 ; N,N-디알킬카르바모일 기 ; 디옥사보로라닐기, 스타닐기, 실릴기, 에스테르기, 포르밀기, 티오에테르기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 기는 할로겐 원자나 헤테로 원소, 알킬기, 방향 고리 등으로 치환되어 있어도 된다.As the substituents of the chain, branched or cyclic hydrocarbon group, hetero element-containing group, aryl group, and heterocyclic group, halogen atom; haloalkyl group; linear or branched chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms ; C5-C7 cyclic alkyl group; C1-C20 linear or branched alkoxy group; Nitro group; Cyano group; C1-C10 alkyl group-containing dialkylamino group; Diphenylamino group, carbazolyl A diarylamino group such as a group; an acyl group; an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms; an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms; an aryl group which may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an alkynyl group, etc.; a halogen source Xana alkyl group, alkoxy group, alkenyl group, heterocyclic group which may be substituted with alkynyl group; N,N-dialkylcarbamoyl group; dioxabororanyl group, stanyl group, silyl group, ester group, formyl group, thio An ether group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned. In addition, these groups may be substituted with a halogen atom, a hetero element, an alkyl group, an aromatic ring, or the like.

이들 중에서도, Y1 에 있어서의 사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기, 헤테로 원소를 함유하는 기, 아릴기, 복소 고리기가 갖는 치환기로서는, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 복소 고리기, 디아릴아미노기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 디아릴아미노기이다.Among these, as a substituent having a chain, branched or cyclic hydrocarbon group for Y 1 , a group containing a hetero element, an aryl group or a heterocyclic group, a halogen atom, a linear chain having 1 to 20 carbon atoms, or A branched-chain alkyl group, a linear or branched-chain alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, a heterocyclic group, and a diarylamino group are preferable. More preferably, they are an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, and a diarylamino group.

상기 Y1 에 있어서의 사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기, 헤테로 원소를 함유하는 기, 아릴기, 복소 고리기가 치환기를 갖는 경우, 치환기가 결합하는 위치나 수는 특별히 제한되지 않는다.When a chain, branched or cyclic hydrocarbon group, a hetero element-containing group, an aryl group, or a heterocyclic group in Y 1 has a substituent, the position or number of the substituent bonded to each other is not particularly limited.

상기 식 (1) 에 있어서의 n1 은 2 ∼ 10 의 정수를 나타내지만, 바람직하게는, 2 ∼ 6 이다. 보다 바람직하게는, 2 ∼ 5 의 정수이며, 더욱 바람직하게는, 2 ∼ 4 의 정수이며, 특히 바람직하게는, 용매에 대한 용해성의 관점에서, 2 또는 3 이다. 가장 바람직하게는 2 이다. 즉, 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은 2 량체인 것이 가장 바람직하다.Although n 1 in said formula (1) represents the integer of 2-10, Preferably, it is 2-6. More preferably, it is an integer of 2-5, More preferably, it is an integer of 2-4, Especially preferably, it is 2 or 3 from a viewpoint of solubility in a solvent. Most preferably it is 2. That is, the boron-containing compound represented by the above formula (1) is most preferably a dimer.

상기 식 (1) 에 있어서의 Q1 및 Q2 로서는, 하기 식 (4-1) ∼ (4-8) ; As Q 1 and Q 2 in the above formula (1), the following formulas (4-1) to (4-8);

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014106029210-pct00004
Figure 112014106029210-pct00004

로 나타내는 구조를 들 수 있다. 또한, 상기 식 (4-2) 는 탄소 원자에 수소 원자가 2 개 결합하고, 추가로 3 개의 원자가 결합하는 구조이지만, 당해 수소 원자 이외의, 탄소 원자에 결합하는 3 개의 원자는 모두 수소 원자 이외의 원자이다. 상기 식 (4-1) ∼ (4-8) 중에서도, (4-1), (4-7), (4-8) 중 어느 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, (4-1) 이다. 즉, Q1 및 Q2 가 동일 또는 상이하고, 탄소수 1 의 연결기를 나타내는 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.The structure represented by is mentioned. In addition, the formula (4-2) is a structure in which two hydrogen atoms are bonded to a carbon atom and three additional atoms are bonded to each other, but all three atoms bonded to a carbon atom other than the hydrogen atom are all other than a hydrogen atom. It is an atom. Among the formulas (4-1) to (4-8), any of (4-1), (4-7), and (4-8) is preferable. More preferably, it is (4-1). That is, Q 1 and Q 2 are the same or different, and it is also one of the preferred embodiments of the present invention to represent a linking group having 1 carbon number.

상기 식 (1) 에 있어서, 점선의 원호와, 실선으로 나타내는 골격 부분의 일부에 의해 형성되는 고리 구조는, X1 의 결합하는 고리 구조의 골격이 탄소 원자로 이루어지는 한, 고리형 구조이면 특별히 제한되지 않는다.In the formula (1), the cyclic structure formed by a part of the skeletal part represented by the dotted arc and the solid line is not particularly limited as long as the cyclic structure of the cyclic structure to which X 1 is bonded is made of carbon atoms. Does not.

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 직접 결합으로서, n1 이 2 인 경우, X1 이 결합하고 있는 고리로서는, 예를 들어, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 테트라센 고리, 펜타센 고리, 트리페닐렌 고리, 피렌 고리, 플루오렌 고리, 인덴 고리, 티오펜 고리, 푸란 고리, 피롤 고리, 벤조티오펜 고리, 벤조푸란 고리, 인돌 고리, 디벤조티오펜 고리, 디벤조푸란 고리, 카르바졸 고리, 티아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 옥사졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 벤조티아디아졸 고리를 들 수 있다.In the formula (1), when Y 1 is a direct bond and n 1 is 2, examples of the ring to which X 1 is bonded include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a tetracene ring, and a pentacene. Ring, triphenylene ring, pyrene ring, fluorene ring, indene ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, indole ring, dibenzothiophene ring, dibenzofuran ring, Carbazole ring, thiazole ring, benzothiazole ring, oxazole ring, benzoxazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, benzoimidazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, quinoline Rings, isoquinoline rings, quinoxaline rings, and benzothiadiazole rings.

이들 중에서도, 고리 구조 골격이 탄소 원자만으로 이루어지는 것이 바람직하고, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 테트라센 고리, 펜타센 고리, 트리페닐렌 고리, 피렌 고리, 플루오렌 고리, 인덴 고리가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리이며, 더욱 바람직하게는, 벤젠 고리이다.Among these, it is preferable that the ring structure skeleton consists of only carbon atoms, and a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a tetracene ring, a pentacene ring, a triphenylene ring, a pyrene ring, a fluorene ring, and an indene ring are preferable. More preferably, they are a benzene ring, a naphthalene ring, and a fluorene ring, More preferably, they are a benzene ring.

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 직접 결합으로서, n1 이 2 인 경우, X2 가 결합하고 있는 고리로서는, 예를 들어, 하기 식 (5-1) ∼ (5-17) 로 나타내는 고리를 들 수 있다. 또한, 하기 식 (5-1) ∼ (5-17) 중의 * 표는 X1 이 결합하고 있는 고리를 구성하고, 또한, 상기 식 (1) 에 있어서의 붕소 원자와 Q1 과 질소 원자를 연결하는 골격 부분을 구성하는 탄소 원자가 * 표가 부여된 탄소 원자 중 어느 하나와 결합하는 것을 나타내고 있다. 또, * 표가 부여된 탄소 원자를 제거한 위치에서 다른 고리 구조와 축고리되어 있어도 된다. 이들 중에서도, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리, 페난트리딘 고리가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리이다. 더욱 바람직하게는, 피리딘 고리이다.In the above formula (1), when Y 1 is a direct bond and n 1 is 2, as a ring to which X 2 is bonded, for example, represented by the following formulas (5-1) to (5-17) Rings. In addition, the * table in the following formulas (5-1) to (5-17) constitutes the ring to which X 1 is bonded, and also connects the boron atom in the formula (1), Q 1 and the nitrogen atom. It shows that the carbon atom constituting the skeletal part is bonded to any one of the carbon atoms to which the * mark is given. In addition, it may be condensed with another ring structure at the position where the carbon atom to which the * mark is given is removed. Among these, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, and a phenanthridine ring are preferable. More preferably, they are a pyridine ring, a pyrimidine ring, and a quinoline ring. More preferably, it is a pyridine ring.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014106029210-pct00005
Figure 112014106029210-pct00005

또, 상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 직접 결합으로서, n1 이 2 인 경우, X3 이 결합하고 있는 고리 및 X4 가 결합하고 있는 고리로서는, 상기 Y1 이 직접 결합으로서, n1 이 2 인 경우, X1 이 결합하고 있는 고리와 동일한 고리를 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 벤조티오펜 고리가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 벤젠 고리이다.In the formula (1), when Y 1 is a direct bond and n 1 is 2, as the ring to which X 3 is bonded and the ring to which X 4 is bonded, Y 1 is a direct bond, n When 1 is 2, the same ring as the ring to which X 1 is bonded is exemplified. Among these, a benzene ring, a naphthalene ring, and a benzothiophene ring are preferable. More preferably, it is a benzene ring.

상기 식 (1) 에 있어서, X1, X2, X3 및 X4 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타낸다. 그 1 가의 치환기로서는 특별히 제한되지 않지만, X1, X2, X3 및 X4 로서는, 예를 들어, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 복소 고리기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴알콕시기, 실릴기, 하이드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 티올기, 에폭시기, 아실기, 치환기를 가지고 있어도 되는 올리고아릴기, 1 가의 올리고 복소 고리기, 알킬티오기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아조기, 스타닐기, 포스피노기, 실릴옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴옥시카르보닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알콕시카르보닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 카르바모일기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴카르보닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬카르보닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴술포닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬술포닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴술피닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬술피닐기, 포르밀기, 시아노기, 니트로기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 ; 메탄술포네이트기, 에탄술포네이트기, 트리플루오로메탄술포네이트기 등의 알킬술포네이트기 ; 벤젠술포네이트기, p-톨루엔술포네이트기 등의 아릴술포네이트기 ; 벤질술포네이트기 등의 아릴알킬술포네이트기, 보릴기, 술포늄메틸기, 포스포늄메틸기, 포스포네이트메틸기, 아릴술포네이트기, 알데히드기, 아세토니트릴기 등을 들 수 있다.In the formula (1), X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure. The monovalent substituent is not particularly limited, but examples of X 1 , X 2 , X 3 and X 4 include a hydrogen atom, an aryl group which may have a substituent, a heterocyclic group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, Alkoxy group, aryloxy group, arylalkoxy group, silyl group, hydroxy group, amino group, halogen atom, carboxyl group, thiol group, epoxy group, acyl group, oligoaryl group which may have a substituent, monovalent oligoheterocyclic group, alkyl Thi group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, azo group, stanyl group, phosphino group, silyloxy group, aryloxycarbonyl group which may have a substituent, alkoxycarbonyl group which may have a substituent, substituent A carbamoyl group which may have a substituent, an arylcarbonyl group which may have a substituent, an alkylcarbonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, and an arylsulfinyl group which may have a substituent , Alkylsulfinyl group, formyl group, cyano group, nitro group, arylsulfonyloxy group, alkylsulfonyloxy group, which may have a substituent; alkyl sulfonate such as methanesulfonate group, ethanesulfonate group, trifluoromethanesulfonate group, etc. Nate group; Aryl sulfonate group such as benzenesulfonate group and p-toluenesulfonate group; Arylalkylsulfonate group such as benzylsulfonate group, boryl group, sulfonium methyl group, phosphonium methyl group, phosphonate methyl group, aryl A sulfonate group, an aldehyde group, an acetonitrile group, etc. are mentioned.

상기 X1, X2, X3 및 X4 에 있어서의 치환기로서는, 할로겐 원자 ; 할로알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 5 ∼ 7 의 고리형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알콕시기 ; 하이드록시기 ; 티올기 ; 니트로기 ; 시아노기 ; 아미노기 ; 아조기 ; 탄소수 1 ∼ 40 의 알킬기를 갖는 모노 또는 디알킬아미노기 ; 디페닐아미노기, 카르바졸릴기 등의 아미노기 ; 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 20 의 알케닐기 ; 탄소수 2 ∼ 20 의 알키닐기 ; 알케닐옥시기 ; 알키닐옥시기 ; 페녹시기, 나프톡시기, 비페닐옥시기, 피레닐옥시기 등의 아릴옥시기 ; 퍼플루오로기 및 추가로 장사슬의 퍼플루오로기 ; 보릴기 ; 카르보닐기 ; 카르보닐옥시기 ; 알콕시카르보닐기 ; 술피닐기 ; 알킬술포닐옥시기 ; 아릴술포닐옥시기 ; 포스피노기 ; 실릴기 ; 실릴옥시기 ; 스타닐기 ; 할로겐 원자나 알킬기, 알콕시기 등으로 치환되어 있어도 되는 페닐기, 2,6-자일릴기, 메시틸기, 듀릴기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피레닐기, 톨루일기, 아니실기, 플루오로페닐기, 디페닐아미노페닐기, 디메틸아미노페닐기, 디에틸아미노페닐기, 페난트레닐기 등의 아릴기 ; 티에닐기, 푸릴기, 시라시클로펜타디에닐기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아졸릴기, 티아디아졸릴기, 아크리디닐기, 퀴놀릴기, 퀴녹사로일기, 페난트롤릴기, 벤조티에닐기, 벤조티아졸릴기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 피리딜기, 피롤릴기, 벤조옥사졸릴기, 피리미딜기, 이미다졸릴기 등의 헤테로 고리기 ; 카르복실기 ; 카르복실산에스테르 ; 에폭시기 ; 이소시아노기 ; 시아네이트기 ; 이소시아네이트기 ; 티오시아네이트기 ; 이소티오시아네이트기 ; 카르바모일기 ; N,N-디알킬카르바모일기 ; 포르밀기 ; 니트로소기 ; 포르밀옥시기 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 기는 할로겐 원자나 알킬기, 아릴기 등으로 치환되어 있어도 되고, 또한, 이들의 기가 서로 임의의 장소에서 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.As the substituent in X 1 , X 2 , X 3 and X 4 , a halogen atom; a haloalkyl group; a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; a cyclic alkyl group having 5 to 7 carbon atoms; 20 linear or branched alkoxy group; hydroxy group; thiol group; nitro group; cyano group; amino group; azo group; mono or dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; diphenylamino group, carbazolyl Amino groups such as groups; acyl groups; alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms; alkynyl groups having 2 to 20 carbon atoms; alkenyloxy groups; alkynyloxy groups; aryls such as phenoxy groups, naphthoxy groups, biphenyloxy groups, and pyrenyloxy groups Oxy group; perfluoro group and further long chain perfluoro group; boryl group; carbonyl group; carbonyloxy group; alkoxycarbonyl group; sulfinyl group; alkylsulfonyloxy group; arylsulfonyloxy group; phosphino group; silyl group Silyloxy group; Stanyl group; Phenyl group, 2,6-xylyl group, mesityl group, duryl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyre which may be substituted with halogen atom, alkyl group, alkoxy group, etc. Aryl groups such as nil group, toluyl group, anicyl group, fluorophenyl group, diphenylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, and phenanthrenyl group; thienyl group, furyl group, cyclopentadienyl group, oxazolyl group, Oxadiazolyl group, thiazolyl group, thiadiazolyl group, acridinyl group, quinolyl group, quinoxaroyl group, phenanthrolyl group, benzothienyl group, benzothiazolyl group, indolyl group, carbazolyl group, pyridyl group , A pyrrolyl group, a benzoxazolyl group, a pyrimidyl group, an imidazolyl group, and other heterocyclic groups; a carboxyl group; a carboxylic acid ester; an epoxy group; an isocyanate group; a cyanate group; an isocyanate group; a thiocyanate group; isothio Cyanate group; Carbamoyl group; N,N-dialkylcarbamoyl group; Formyl group; Nitroso group; Formyloxy group, etc. are mentioned. In addition, these groups may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or the like, and further, these groups may be bonded to each other at arbitrary places to form a ring.

이들 중에서도, X1, X2, X3 및 X4 로서는, 수소 원자 ; 할로겐 원자, 카르복실기, 하이드록시기, 티올기, 에폭시기, 아미노기, 아조기, 아실기, 알릴기, 니트로기, 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 시아노기, 실릴기, 스타닐기, 보릴기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 등의 반응성기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 ; 아릴기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 아릴기 ; 올리고아릴기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 올리고아릴기 ; 1 가의 복소 고리기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 1 가의 복소 고리기 ; 1 가의 올리고 복소 고리기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 1 가의 올리고 복소 고리기 ; 알킬티오기 ; 아릴옥시기 ; 아릴티오기 ; 아릴알킬기 ; 아릴알콕시기 ; 아릴알킬티오기 ; 알케닐기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 알케닐기 ; 알키닐기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된, 알키닐기가 바람직하다.Among these, as X 1 , X 2 , X 3 and X 4 , hydrogen atom; halogen atom, carboxyl group, hydroxy group, thiol group, epoxy group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl group, for Reactive groups such as wheat group, cyano group, silyl group, stanyl group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, and alkylsulfonyloxy group; a linear or branched chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms or its reactivity A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted by a group; a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; a linear or branched chain alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, 8 linear or branched alkoxy group, aryl group, C 2 to C 8 alkenyl group, C 2 to C 8 alkynyl group, or a C 1 to C 20 linear or branched alkoxy substituted with its reactive group Group; Aryl group; C 1 to C 8 linear or branched alkyl group, C 1 to C 8 linear or branched alkoxy group, aryl group, C 2 to C 8 alkenyl group, C 2 to C 8 An alkynyl group or an aryl group substituted with its reactive group; an oligoaryl group; a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, and 2 carbon atoms An oligoaryl group substituted with an alkenyl group of to 8, an alkynyl group of 2 to 8 or a reactive group thereof; a monovalent heterocyclic group; a linear or branched alkyl group of 1 to 8 carbon atoms, a straight chain having 1 to 8 carbon atoms A monovalent heterocyclic group substituted with a chain or branched alkoxy group, an aryl group, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms, or a reactive group thereof; Li group; a C1-C8 linear or branched alkyl group, a C1-C8 linear or branched alkoxy group, an aryl group, a C2-C8 alkenyl group, a C2-C8 alkynyl group, or A monovalent oligoheterocyclic group substituted with the reactive group; alkylthio group; aryloxy group; arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; alkenyl group; C1-C8 linear or branched A chain alkyl group, a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms or an alkenyl group substituted with a reactive group thereof; an alkynyl group; A linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms or its reactivity An alkynyl group substituted with a group is preferred.

보다 바람직하게는, 수소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 아미노기, 보릴기, 알키닐기, 알케닐기, 포르밀기, 실릴기, 스타닐기, 포스피노기, 그 반응성기로 치환된 아릴기, 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기, 1 가의 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기, 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기, 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기이다. 그 중에서도, X1 및 X2 로서 더욱 바람직하게는, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 함질소 복소 방향족기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴기 등의 환원에 강한 관능기이다. 특히 바람직하게는, 수소 원자, 아릴기, 함질소 복소 방향족기이다. 또, X3 및 X4 로서 더욱 바람직하게는, 수소 원자, 카르바졸릴기, 트리페닐아미노기, 티에닐기, 푸라닐기, 알킬기, 아릴기, 인돌릴기 등의 산화에 강한 관능기이다. 특히 바람직하게는, 수소 원자, 카르바졸릴기, 트리페닐아미노기, 티에닐기이다. 이와 같이, X1 및 X2 로서 환원에 강한 관능기를 가지며, X3 및 X4 로서 산화에 강한 관능기를 갖는 것으로 하면, 붕소 함유 화합물 전체로서 더욱 환원에도 산화에도 강한 화합물이 되는 것이라고 생각된다.More preferably, hydrogen atom, bromine atom, iodine atom, amino group, boryl group, alkynyl group, alkenyl group, formyl group, silyl group, stanyl group, phosphino group, aryl group substituted with the reactive group, substituted with the reactive group Oligoaryl group, monovalent heterocyclic group or a monovalent heterocyclic group substituted with its reactive group, monovalent oligoheterocyclic group substituted with the reactive group, alkenyl group or alkenyl group substituted with its reactive group, alkynyl group or its reactivity It is an alkynyl group substituted with a group. Especially, as X 1 and X 2 , more preferably, they are a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a nitrogen-containing heteroaromatic group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyl group, and other functional groups resistant to reduction. Particularly preferably, they are a hydrogen atom, an aryl group, and a nitrogen-containing heteroaromatic group. Further, as X 3 and X 4 , more preferably a hydrogen atom, a carbazolyl group, a triphenylamino group, a thienyl group, a furanyl group, an alkyl group, an aryl group, an indolyl group, and other functional groups resistant to oxidation. Particularly preferably, they are a hydrogen atom, a carbazolyl group, a triphenylamino group, and a thienyl group. As described above, if X 1 and X 2 have a functional group resistant to reduction, and X 3 and X 4 have a functional group resistant to oxidation, it is considered that the boron-containing compound as a whole is further resistant to reduction and oxidation.

또한, 상기 식 (1) 에 있어서, X1, X2, X3 및 X4 가 1 가의 치환기인 경우, 고리 구조에 대한 X1, X2, X3 및 X4 의 결합 위치나 결합하는 수는 특별히 제한되지 않는다.In addition, in the above formula (1), when X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are monovalent substituents, the bonding positions or bonding positions of X 1 , X 2 , X 3 and X 4 to the ring structure Is not particularly limited.

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 n1 가의 연결기이며, n1 이 2 ∼ 10 인 경우, X1 이 결합하고 있는 고리로서는, 상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 직접 결합이며, n1 이 2 인 경우에 X1 이 결합하고 있는 고리와 동일하다. 그들의 고리 중에서도, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 벤조티오펜 고리가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 벤젠 고리이다.In the formula (1), when Y 1 is an n 1 valent linking group and n 1 is 2 to 10, as the ring to which X 1 is bonded, in the formula (1), Y 1 is a direct bond, When n 1 is 2, it is the same as the ring to which X 1 is bonded. Among these rings, a benzene ring, a naphthalene ring, and a benzothiophene ring are preferable. More preferably, it is a benzene ring.

상기 식 (1) 에 있어서, Y1 이 n1 가의 연결기이며, n1 이 2 ∼ 10 인 경우, X2 가 결합하고 있는 고리, X3 이 결합하고 있는 고리, 및, X4 가 결합하고 있는 고리로서는, 각각, 상기 식 (1) 에 있어서 Y1 이 직접 결합이며, n1 이 2 인 경우에 X2 가 결합하고 있는 고리, X3 이 결합하고 있는 고리, 및 X4 가 결합하고 있는 고리로서 예시된 고리와 동일하고, 바람직한 구조도 동일하다.In the above formula (1), when Y 1 is an n 1 valent linking group and n 1 is 2 to 10, the ring to which X 2 is bonded, the ring to which X 3 is bonded, and X 4 are bonded. As a ring, in the formula (1), Y 1 is a direct bond, and when n 1 is 2, a ring to which X 2 is bonded, a ring to which X 3 is bonded, and a ring to which X 4 is bonded. It is the same as the ring exemplified as, and the preferred structure is also the same.

즉, 상기 식 (1) 에 있어서의 Y1 이 직접 결합으로서, n1 이 2 인 경우, 및, Y1 이 n1 가의 연결기이며, n1 이 2 ∼ 10 인 경우의 어느 경우에 있어서도, 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이 하기 식 (6) ; That is, in any case where Y 1 in the formula (1) is a direct bond, when n 1 is 2, and when Y 1 is an n 1 valent linking group, and n 1 is 2 to 10, the The boron-containing compound represented by formula (1) is the following formula (6);

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112014106029210-pct00006
Figure 112014106029210-pct00006

(식 중, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표, X1, X2, X3, X4, n1 및 Y1 은 식 (1) 과 동일하다.) 으로 나타내는 붕소 함유 화합물인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.(In the formula, the arrow from the nitrogen atom to the boron atom, X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , n 1 and Y 1 are the same as those of the formula (1).) It is also a boron-containing compound represented by the present invention. It is one of the preferred embodiments.

상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은 Suzuki 커플링 반응 등의 통상적으로 사용되는 여러 가지의 반응을 사용함으로써 합성할 수 있다. 또, 저널·오브·더·아메리칸·케미컬·소사이어티 (Journal of the American Chemical Society), 2009 년, 제 131 권, 제 40 호, 14549-14559 페이지에 기재된 수법에 의해서도 합성 가능하다.The boron-containing compound represented by the above formula (1) can be synthesized by using various commonly used reactions such as Suzuki coupling reaction. It can also be synthesized by the method described in Journal of the American Chemical Society, 2009, Vol. 131, No. 40, and pages 14549-14559.

상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물의 합성 스킴의 일례를 들면 하기 반응식과 같이 나타난다. 하기 반응식 (I) 은 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물로서, Y1 이 직접 결합이며, n1 이 2 인 것의 합성 스킴의 일례를 나타내고, 하기 반응식 (II) 는 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물로서, Y1 이 n1 가의 연결기이며, n1 이 2 ∼ 10 인 것의 합성 스킴의 일례를 나타내고 있다. 단, 상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물의 제조 방법은 이것에 제한되지 않는다.An example of the synthesis scheme of the boron-containing compound represented by the above formula (1) is shown in the following reaction formula. The following reaction formula (I) is a boron-containing compound represented by the above formula (1), wherein Y 1 is a direct bond, and n 1 is 2 .An example of a synthesis scheme is shown, and the following reaction formula (II) is represented by the above formula (1). As the shown boron-containing compound, an example of a synthesis scheme in which Y 1 is an n 1 valent linking group and n 1 is 2 to 10 is shown. However, the method for producing the boron-containing compound represented by the formula (1) is not limited to this.

또한, 하기 스킴에 있어서, 원료가 되는 (a) 의 화합물은, 예를 들어, 저널·오브·오가닉·케미스트리 (Journal of Organic Chemistry), 2010 년, 제 75 권, 제 24 호, 8709-8712 페이지에 기재된 수법에 의해 합성 가능하다. 또, 원료가 되는 (b) 의 화합물은 (a) 의 화합물에 대해 하기 반응식 (III) 으로 나타내는 붕소화 반응에 의해 합성할 수 있다.In the following scheme, the compound of (a) as a raw material is, for example, Journal of Organic Chemistry, 2010, Vol. 75, No. 24, pages 8709-8712. It can be synthesized by the method described in. Further, the compound of (b) serving as a raw material can be synthesized by a boronation reaction represented by the following reaction formula (III) with respect to the compound of (a).

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112014106029210-pct00007
Figure 112014106029210-pct00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112014106029210-pct00008
Figure 112014106029210-pct00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112014106029210-pct00009
Figure 112014106029210-pct00009

다음으로 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체에 대해 기재한다.Next, the boron-containing polymer obtained by polymerizing the monomer component containing the boron-containing compound represented by the above formula (2) is described.

상기 식 (2) 에 있어서, 점선의 원호는 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 즉, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이 구조 중에 적어도 2 개 고리 구조를 가지며, 상기 식 (2) 에 있어서, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분이 그 고리 구조의 일부로서 포함되어 있는 것을 나타내고 있다.In the above formula (2), the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom. That is, the boron-containing compound represented by the formula (2) has at least two ring structures in the structure, and in the formula (2), a skeletal moiety connecting the boron atom and the nitrogen atom is included as part of the ring structure. It shows that there is.

상기 식 (2) 에 있어서, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 적어도 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되는 것을 나타내고, 그 이중 결합이 고리 구조와 공액하고 있어도 되는 것을 나타낸다. 식 (1) 로 나타내는 화합물 중, 이중 결합이 고리 구조와 공액하는 것으로서는, 예를 들어, 하기 식 (7-1) ∼ (7-4) 와 같은 구조의 것을 들 수 있다.In the formula (2), the dotted line portion in the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom indicates that at least one pair of atoms is connected by a double bond, and that the double bond may be conjugated with the ring structure. . Among the compounds represented by the formula (1), examples of the double bond conjugated with the cyclic structure include those having structures such as the following formulas (7-1) to (7-4).

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112014106029210-pct00010
Figure 112014106029210-pct00010

상기 식 (2) 에 있어서, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. 배위하고 있다는 것은 상기 식 (1) 에 있어서의 질소 원자의 붕소 원자에의 배위와 동일한 의미이다.In the formula (2), an arrow from a nitrogen atom to a boron atom indicates that a nitrogen atom is coordinated with a boron atom. Coordination has the same meaning as the coordination of the nitrogen atom to the boron atom in the formula (1).

상기 식 (2) 에 있어서, X5 및 X6 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. 즉, X5 및 X6 이 수소 원자인 경우에는, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물의 구조 중, X5 및 X6 을 갖는 2 개의 고리 구조는 치환기를 가지지 않은 것을 나타내고, X5 및/또는 X6 이 1 가의 치환기인 경우에는, 그 2 개의 고리 구조 중 어느 하나, 또는, 모두 치환기를 갖는 것이 된다. 그 경우에는, 1 개의 고리 구조가 갖는 치환기의 수는 1 개이어도 되고, 2 개 이상이어도 된다.In the above formula (2), X 5 and X 6 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming the circular arc portion of the dotted line. . That is, when X 5 and X 6 are hydrogen atoms, in the structure of the boron-containing compound represented by formula (2), two ring structures having X 5 and X 6 represent that they do not have a substituent, and X 5 and/ Or when X 6 is a monovalent substituent, either or both of the two ring structures has a substituent. In that case, the number of substituents which one ring structure has may be one or two or more.

상기 식 (2) 에 있어서, R1 및 R2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다. 그 R1 및 R2 는 동일하거나 상이해도 되지만, 동일한 것이 바람직하다. 그 R1 및 R2 로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 복소 고리기, 알킬기, 알콕시기, 아릴알콕시기, 실릴기, 하이드록시기, 보릴옥시기, 아미노기, 할로겐 원자, R1 과 R2 가 결합하여 이루어지는 2,2'-비페닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 올리고아릴기, 1 가의 올리고 복소 고리기, 알킬티오기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아조기, 스타닐기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 ; 알킬술포네이트기 ; 아릴술포네이트기 ; 아릴알킬술포네이트기 ; 하기 식 (8-1) ∼ (8-4) 로 나타내는 기 등의 보릴기 ; 하기 식 (8-5) ∼ (8-6) 으로 나타내는 기 등의 술포늄메틸기 ; 하기 식 (8-7) 로 나타내는 기 등의 포스포늄메틸기 ; 하기 식 (8-8) 로 나타내는 기 등의 포스포네이트메틸기 ; 아릴술포네이트기 ; 알데히드기 ; 아세토니트릴기 ; 하기 식 (8-9) 로 나타내는 할로겐화 마그네슘 등을 들 수 있다.In the above formula (2), R 1 and R 2 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. The R 1 and R 2 may be the same or different, but the same is preferable. The R 1 and R 2 are not particularly limited, but for example, a hydrogen atom, an aryl group which may have a substituent, a heterocyclic group, an alkyl group, an alkoxy group, an arylalkoxy group, a silyl group, a hydroxy group, a boryl oxide Group, amino group, halogen atom, 2,2'-biphenyl group formed by bonding of R 1 and R 2 , oligoaryl group which may have a substituent, monovalent oligoheterocyclic group, alkylthio group, arylthio group, arylalkyl group , Arylalkoxy group, arylalkylthio group, azo group, stanyl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkylsulfonyloxy group; alkylsulfonate group; arylsulfonate group; arylalkylsulfonate group; Boryl groups, such as a group represented by formula (8-1)-(8-4); Sulfonium methyl groups, such as a group represented by following formula (8-5)-(8-6); With following formula (8-7) Phosphonium methyl groups, such as a group represented; Phosphonate methyl groups, such as a group represented by following formula (8-8); Arylsulfonate group; Aldehyde group; Acetonitrile group; Magnesium halide represented by following formula (8-9), etc. are mentioned. I can.

또한, 식 중, Me 는 메틸기를 나타낸다. Et 는 에틸기를 나타낸다. X 는 할로겐 원자를 나타낸다. R′는 알킬기, 아릴기, 또는, 아릴알킬기를 나타낸다.In addition, in the formula, Me represents a methyl group. Et represents an ethyl group. X represents a halogen atom. R'represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112014106029210-pct00011
Figure 112014106029210-pct00011

상기 아릴기로서는, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 테트라하이드로나프틸기, 인데닐기, 인다닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tetrahydronaphthyl group, an indenyl group, and an indanyl group. Among these, a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group are preferable.

상기 복소 고리기로서는, 피롤릴기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 피페리디닐기, 피페리지노기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피리딜기, 티에닐기가 바람직하다.Examples of the heterocyclic group include a pyrrolyl group, a pyridyl group, a quinolyl group, a piperidinyl group, a pipezino group, a furyl group, and a thienyl group. Among these, a pyridyl group and a thienyl group are preferable.

상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있고, 이들 중에서도 브롬 원자, 요오드 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these, a bromine atom and an iodine atom are preferable.

상기 알킬기로서는, 탄소수 1 ∼ 30 의 직사슬형 또는 분기형 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 30 의 지환식 탄화수소기를 들 수 있다. 즉, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층이 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체로부터 형성되고, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물에 있어서의 R1 및 R2 가 동일 혹은 상이하고, 탄소수 1 ∼ 30 의 직사슬형 혹은 분기형 탄화수소기, 또는, 탄소수 3 ∼ 30 의 지환식 탄화수소기인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.Examples of the alkyl group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. That is, in the first organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer is formed from a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by formula (2), and contains boron represented by formula (2). It is also one of the preferred embodiments of the present invention that R 1 and R 2 in the compound are the same or different and are a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. .

상기 알킬기로서는, 이들 중에서도 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 옥틸기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 옥틸기이다.As the alkyl group, among these, a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, and an octyl group are preferable. More preferably, they are a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, and an octyl group.

상기 R1 및 R2 에 있어서의 치환기로서는, 상기 식 (1) 의 X1 ∼ X4 에 있어서의 치환기와 동일한 치환기를 들 수 있다.Examples of the substituents for R 1 and R 2 include the same substituents as those for X 1 to X 4 in the formula (1).

이들 중에서도, 상기 R1 및 R2 에 있어서의 1 가의 치환기가 갖는 치환기로서는, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알콕시기, 아릴기, 할로알킬기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 에틸기, 이소프로필기, 옥틸기, 불소 원자, 브롬 원자, 비닐기, 에티닐기, 디페닐아미노기, 디페닐아미노페닐기, 트리플루오로메틸기이다.Among these, examples of the substituents which the monovalent substituents for R 1 and R 2 have include halogen atoms, linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, linear or branched chain alkoxy having 1 to 8 carbon atoms. A group, an aryl group, and a haloalkyl group are preferable. More preferably, they are ethyl group, isopropyl group, octyl group, fluorine atom, bromine atom, vinyl group, ethynyl group, diphenylamino group, diphenylaminophenyl group, and trifluoromethyl group.

상기 R1 및 R2 로서는, 상기 서술한 것 중에서도, 수소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, n-옥틸기, 페닐기, 4-메톡시페닐기, 4-트리플루오로메틸페닐기, 펜타플루오로페닐기, 4-브로모페닐기, 2,2'-비페닐기, 스티릴기, 디페닐아미노페닐기가 보다 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, n-옥틸기, 페닐기, 4-메톡시페닐기, 4-트리플루오로메틸페닐기, 펜타플루오로페닐기, 4-브로모페닐기, 2,2'-비페닐기, 스티릴기, 디페닐아미노페닐기이며, 특히 바람직하게는, 브롬 원자, 이소프로필기, 이소부틸기, n-옥틸기, 페닐기, 4-트리플루오로메틸페닐기, 펜타플루오로페닐기, 4-브로모페닐기, 2,2'-비페닐기, 스티릴기, 디페닐아미노페닐기이다.As the R 1 and R 2 , among those described above, a hydrogen atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, an n-octyl group, a phenyl group, a 4-methoxyphenyl group, and a 4-trifluoro Methylphenyl group, pentafluorophenyl group, 4-bromophenyl group, 2,2'-biphenyl group, styryl group, and diphenylaminophenyl group are more preferable. More preferably, bromine atom, methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, n-octyl group, phenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, pentafluorophenyl group, 4-bromo Phenyl group, 2,2'-biphenyl group, styryl group, diphenylaminophenyl group, particularly preferably bromine atom, isopropyl group, isobutyl group, n-octyl group, phenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, They are pentafluorophenyl group, 4-bromophenyl group, 2,2'-biphenyl group, styryl group, and diphenylaminophenyl group.

상기 식 (2) 에 있어서, X5 및 X6 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타낸다. 그 1 가의 치환기로서는 특별히 제한되지 않지만, 상기 R1 및 R2 와 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (2), X 5 and X 6 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure. Although it does not specifically limit as this monovalent substituent, The thing similar to the said R<1> and R<2> is mentioned.

이들 중에서도, X5 및 X6 으로서는, 수소 원자 ; 할로겐 원자, 카르복실기, 하이드록실기, 티올기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아조기, 아실기, 알릴기, 니트로기, 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 시아노기, 실릴기, 스타닐기, 보릴기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 등의 반응성기 ; 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 또는 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 또는 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 ; 아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 아릴기 ; 올리고아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기 ; 1 가의 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기 ; 1 가의 올리고 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기 ; 알킬티오기 ; 아릴옥시기 ; 아릴티오기 ; 아릴알킬기 ; 아릴알콕시기 ; 아릴알킬티오기 ; 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기 ; 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 수소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 보릴기, 알키닐기, 알케닐기, 포르밀기, 스타닐기, 포스피노기, 아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 아릴기, 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기, 디페닐아미노기 등의 아미노기, 하기 식 (8-10) 으로 나타내는 기 등의 1 가의 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기, 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기, 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기이다.Among these, X 5 and X 6 are hydrogen atoms; halogen atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, thiol groups, epoxy groups, isocyanate groups, amino groups, azo groups, acyl groups, allyl groups, nitro groups, alkoxycarbonyl groups, formyl groups, and cyanide groups. Reactive groups such as no group, silyl group, stanyl group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, and alkylsulfonyloxy group; a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a reactive group thereof A substituted linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; a linear or branched chain alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms or a linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms substituted with its reactive group An aryl group or an aryl group substituted with its reactive group; an oligoaryl group or an oligoaryl group substituted with its reactive group; a monovalent heterocyclic group or a monovalent heterocyclic group substituted with its reactive group; a monovalent oligo-heterocyclic group or its Monovalent oligoheterocyclic group substituted with a reactive group; alkylthio group; aryloxy group; arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; alkenyl group or alkenyl group substituted with its reactive group; alkynyl group or its An alkynyl group substituted with a reactive group is preferred. More preferably, a hydrogen atom, a bromine atom, an iodine atom, a boryl group, an alkynyl group, an alkenyl group, a formyl group, a stanyl group, a phosphino group, an aryl group or an aryl group substituted with its reactive group, an oligo substituted with the reactive group Amino groups such as aryl groups and diphenylamino groups, monovalent heterocyclic groups such as groups represented by the following formula (8-10), monovalent heterocyclic groups substituted with their reactive groups, monovalent oligoheterocyclic groups substituted with their reactive groups , An alkenyl group or an alkenyl group substituted with its reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with its reactive group.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112014106029210-pct00012
Figure 112014106029210-pct00012

상기 식 (2) 에 있어서의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 하나는 반응성기를 갖는 치환기이다. 반응성기를 갖는 치환기로서는, 할로겐 원자, 카르복실기, 하이드록실기, 티올기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아조기, 아실기, 알릴기, 니트로기, 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 시아노기, 실릴기, 스타닐기, 보릴기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 등의 반응성기 ; 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 ; 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 ; 그 반응성기로 치환된 아릴기 ; 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기 ; 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기 ; 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기 ; 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기 ; 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 브롬 원자, 요오드 원자, 보릴기, 포르밀기, 스타닐기, 포스피노기, 그 반응성기로 치환된 아릴기, 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기, 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기, 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기이다. 더욱 바람직하게는, 브롬 원자, 보릴기, 포르밀기, 스타닐기, 포스피노기, 그 반응성기로 치환된 아릴기, 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기, 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기, 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기이다.At least one of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) is a substituent having a reactive group. As a substituent having a reactive group, halogen atom, carboxyl group, hydroxyl group, thiol group, epoxy group, isocyanate group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl group, formyl group, cyano group, silyl group, stanyl group , A reactive group such as a boryl group, a phosphino group, a silyloxy group, an arylsulfonyloxy group, or an alkylsulfonyloxy group; a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms substituted with the reactive group; A linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms; aryl group substituted with the reactive group; oligoaryl group substituted with the reactive group; monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group; monovalent substituted with the reactive group An oligo-heterocyclic group; an alkenyl group or an alkenyl group substituted with its reactive group; an alkynyl group or an alkynyl group substituted with its reactive group is preferable. More preferably, bromine atom, iodine atom, boryl group, formyl group, stanyl group, phosphino group, aryl group substituted with the reactive group, oligoaryl group substituted with the reactive group, monovalent heterocyclic ring substituted with the reactive group A group, a monovalent oligo-heterocyclic group substituted with the reactive group, an alkenyl group, or an alkenyl group substituted with the reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with the reactive group. More preferably, a bromine atom, a boryl group, a formyl group, a stanyl group, a phosphino group, an aryl group substituted with the reactive group, an oligoaryl group substituted with the reactive group, a monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group, and It is a monovalent oligo-heterocyclic group substituted with a reactive group, an alkenyl group, or an alkenyl group substituted with a reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with the reactive group.

상기 X5, X6, R1 및 R2 중 2 개가 반응성기를 갖는 치환기인 경우에는, 이들 2 개의 치환기가 갖는 반응성기를 상이한 것으로 하고, 1 종의 붕소 함유 화합물이 단독으로 중축합할 수 있는 반응성기의 조합이 되도록 하거나, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 2 종 이상 포함하고, 이들의 붕소 함유 화합물이 공중합할 수 있는 반응성기의 조합을 갖는 것이 되도록 하거나, 또는, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 1 종 또는 2 종 이상과 반응성기를 적어도 1 개 갖는 다른 화합물이 공중합할 수 있는 반응성기의 조합을 갖는 것이 되도록 함으로써, 중합체의 원료로서 바람직하게 사용할 수 있다.In the case where two of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 are substituents having a reactive group, the reactive groups of these two substituents are different, and a reactive group capable of polycondensation of one boron-containing compound alone A combination of, or containing two or more boron-containing compounds represented by formula (2), and having a combination of reactive groups capable of copolymerizing these boron-containing compounds, or represented by formula (2) The boron-containing compound can be preferably used as a raw material for a polymer by making it a combination of a reactive group capable of copolymerizing one or two or more types of boron-containing compounds and another compound having at least one reactive group.

상기 식 (2) 에 있어서 X5 가 결합하고 있는 고리로서는, 예를 들어, 벤젠 고리, 티오펜 고리, 벤조티오펜 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 테트라센 고리, 펜타센 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 피리딘 고리, 피리다진 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리를 들 수 있고, 이들은 각각 하기 식 (9-1) ∼ (9-17) 로 나타낸다. 이들 중에서도, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 벤조티오펜 고리가 바람직하다.As the ring to which X 5 is bonded in the formula (2), for example, a benzene ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a thiazole ring, an oxazole ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a tetracene ring, A pentacene ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, and an isoquinoline ring, each of the following formulas (9-1) to (9- 17). Among these, a benzene ring, a naphthalene ring, and a benzothiophene ring are preferable.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112014106029210-pct00013
Figure 112014106029210-pct00013

또, 상기 식 (2) 에 있어서 X6 이 결합하고 있는 고리로서는, 예를 들어, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 피리딘 고리, 피리다진 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 인돌 고리, 이소인돌 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 페난트리딘 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리를 들 수 있다. 이들은 각각 하기 식 (10-1) ∼ (10-14) 로 나타낸다. 이들 중에서도, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리, 페난트리딘 고리가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리이다.In addition, as the ring to which X 6 is bonded in the formula (2), for example, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, an indole ring, Isoindole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phenanthridine ring, thiazole ring, and oxazole ring. These are each represented by the following formulas (10-1) to (10-14). Among these, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, and a phenanthridine ring are preferable. More preferably, they are a pyridine ring, a pyrimidine ring, and a quinoline ring.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112014106029210-pct00014
Figure 112014106029210-pct00014

상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물에 있어서, X5 및/또는 X6 이 1 가의 치환기인 경우, 고리 구조에 대한 X5 및/또는 X6 의 결합 위치나 결합하는 수는 특별히 제한되지 않는다.In the boron-containing compound represented by the above formula (2), when X 5 and/or X 6 is a monovalent substituent, the bonding position of X 5 and/or X 6 with respect to the ring structure and the number of bonds are not particularly limited. .

또, X5 로서 고리 구조에 적어도 2 개의 1 가의 치환기가 결합하고 있고, 그 1 가의 치환기 중 하나가 치환기를 가지고 있어도 되는 보릴기이며, 그 1 가의 치환기 중 다른 1 개가 치환기를 가지고 있어도 되는 피리딜기로서, 그 피리딜기의 질소 원자가 그 보릴기의 붕소 원자에 배위하고 있는 형태도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다. 즉, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 부분이 구조 중에 2 개 이상 있는 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.In addition, as X 5 , at least two monovalent substituents are bonded to the ring structure, one of the monovalent substituents is a boryl group which may have a substituent, and the other one of the monovalent substituents is a pyridyl group which may have a substituent. As an example, the form in which the nitrogen atom of the pyridyl group is coordinated with the boron atom of the boryl group is also one of the preferred embodiments of the present invention. That is, it is also one of the preferred embodiments of the present invention that the boron-containing compound represented by the above formula (2) has two or more portions in the structure in which the nitrogen atom is coordinated with the boron atom.

본 발명에 있어서는, 상기 식 (2) 에 있어서, X5 및 X6 의 적어도 일방이 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조를 갖는 치환기인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다. 즉, 유기 전계 발광 소자의 버퍼층을 형성하는 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 붕소 함유 중합체로서, 그 붕소 함유 중합체의 원료가 되는 단량체 성분이 포함하는 붕소 함유 화합물이 붕소 원자 및 이중 결합을 갖는 붕소 함유 화합물로서, 그 붕소 함유 화합물은 하기 식 (2) ; In the present invention, in the above formula (2), at least one of X 5 and X 6 has a structure in which two atoms are connected to a terminal portion by a double bond, and one of the two atoms forms a dotted arc portion. Another preferred embodiment of the present invention is that it is a substituent having a structure bonded to a ring structure. That is, the organic compound having a boron atom forming the buffer layer of the organic electroluminescent device is a boron-containing polymer, and the boron-containing compound included in the monomer component used as the raw material of the boron-containing polymer is a boron-containing compound having a boron atom and a double bond. As, the boron-containing compound is the following formula (2);

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112014106029210-pct00015
Figure 112014106029210-pct00015

(식 중, 점선의 원호는 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 적어도 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되는 것을 나타내고, 그 이중 결합이 고리 구조와 공액하고 있어도 된다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. X5 및 X6 은 동일 또는 상이하고, 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. R1 및 R2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다.) 로 나타내고, 상기 X5 및 X6 중 적어도 일방은 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 붕소 함유 화합물인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.(In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least one pair The atom of is connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with the ring structure The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom X 5 and X 6 are the same or different. And a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion R 1 and R 2 are the same or different, and a hydrogen atom or a monovalent substituent A substituent.), and at least one of X 5 and X 6 has a structure in which two atoms are connected at the terminal portion by a double bond, and a ring structure forming a dotted circular arc portion at one atom of the two atoms and Another preferred embodiment of the present invention is that it is a boron-containing compound characterized by having a bonded structure.

상기 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조란, 즉, X5 및/또는 X6 을 구성하는 원자단에 있어서, 각각 구조의 말단부는 적어도 2 개 존재하지만, 그 말단부 중, 상기 식 (2) 에 있어서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합하는 말단부가 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합하는 원자와, 그 원자의 옆의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지고 있는 것을 의미하고 있다. 그러한 치환기로서는, 하기 식 (11-1) ∼ (11-2) 로 나타내는 구조를 들 수 있다.A structure in which two atoms are connected to the terminal portion by a double bond, and a structure in which one of the two atoms is combined with a ring structure forming a dotted arc portion, that is, an atomic group constituting X 5 and/or X 6 In the case, there are at least two end portions of each structure, but of the end portions, the end portion that is bonded to the ring structure forming the dotted arc portion in the formula (2) is combined with the ring structure forming the dotted arc portion. It means that the atom and the atom next to the atom have a structure connected by a double bond. Examples of such a substituent include structures represented by the following formulas (11-1) to (11-2).

또한, 식 (11-1) ∼ (11-2) 중, * 는 식 (2) 에 있어서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합하고 있는 원자를 나타내고 있다. r1, r2, r3 및 r4 는 동일 또는 상이하고, r1 과 r2 의 사이, 및, r3 과 r4 의 사이에서, 각각 이중 결합을 형성할 수 있는 원자를 나타내고 있다. 식 (11-1) 중, q1 은 수소 원자 또는 1 가의 유기기를 나타내고, r2 의 원자가에 따라 r2 에 복수 개 결합하고 있어도 되는 것을 나타내고 있다. 식 (11-2) 중, 점선의 원호는 r3 및 r4 에 의해 형성되는 이중 결합 부분과 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고 있다. q2 는 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 식 (11-2) 에 있어서의 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 되는 것을 나타내고 있다.In addition, in formulas (11-1) to (11-2), * represents an atom bonded to a ring structure forming a dotted circular arc portion in formula (2). r 1 , r 2 , r 3 and r 4 are the same or different, and between r 1 and r 2 , and between r 3 and r 4 , each represents an atom capable of forming a double bond. Equation (11-1) of, q 1 shows that, even if the plurality of binding to r 2 in accordance with the valence of the monovalent organic hydrogen atom or a monovalent, r 2. In formula (11-2), the circular arc of the dotted line indicates that a ring structure is formed together with the double bond moiety formed by r 3 and r 4 . q 2 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and indicates that a plurality of ring structures may be bonded to the ring structure forming the dotted circular arc portion in the formula (11-2).

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112014106029210-pct00016
Figure 112014106029210-pct00016

상기 식 (11-1) ∼ (11-2) 에 있어서, r1, r2, r3 및 r4 는 동일 또는 상이하고, r1 과 r2 의 사이, 및, r3 과 r4 의 사이에서, 각각 이중 결합을 형성할 수 있는 원자를 나타내고 있지만, 탄소 원자, 질소 원자, 인 원자, 황 원자인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 탄소 원자, 질소 원자이다.In the formulas (11-1) to (11-2), r 1 , r 2 , r 3 and r 4 are the same or different, and between r 1 and r 2 , and between r 3 and r 4 In each, an atom capable of forming a double bond is shown, but it is preferably a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, and a sulfur atom. More preferably, they are a carbon atom and a nitrogen atom.

상기 식 (11-1) 에 있어서, q1 은 수소 원자 또는 1 가의 유기기를 나타내고, r2 의 원자가에 따라 r2 에 복수 개 결합하고 있어도 되는 것을 나타내고 있지만, 이것은, 예를 들어, r2 가 질소 원자인 경우에는, q1 은 r2 에 1 개 결합하게 되고, r2 가 탄소 원자인 경우에는, q1 은 r2 에 2 개 결합하게 된다는 것을 나타내고 있다. q1 이 r2 에 복수 개 결합하고 있는 경우에는, q1 은 모두 동일해도 되고, 각각 상이해도 된다. 상기 1 가의 유기기로서는 특별히 제한되지 않고, 상기 식 (2) 에 있어서의, R1 및 R2 와 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (11-1), q 1, but illustrate that the even and plurality of binding to r 2 in accordance with the valence of the monovalent organic hydrogen atom or a monovalent, r 2, which, for example, r 2 is If the nitrogen atoms, q is 1 in the case of being the one coupled to the r 2, r 2 is the carbon atom, q is 1 indicates that the two binding to r 2. When a plurality of q 1 is bonded to r 2 , all of q 1 may be the same or different. It does not specifically limit as said monovalent organic group, The thing similar to R<1> and R<2> in said Formula (2) is mentioned.

이들 중에서도, q1 로서는, 수소 원자 ; 할로겐 원자, 카르복실기, 하이드록실기, 티올기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아조기, 아실기, 알릴기, 니트로기, 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 시아노기, 실릴기, 스타닐기, 보릴기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 등의 반응성기 ; 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 또는 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 또는 그 반응성기로 치환된 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알콕시기 ; 아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 아릴기 ; 올리고아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기 ; 1 가의 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기 ; 1 가의 올리고 복소 고리기 또는 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기 ; 알킬티오기 ; 아릴옥시기 ; 아릴티오기 ; 아릴알킬기 ; 아릴알콕시기 ; 아릴알킬티오기 ; 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기 ; 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 수소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 보릴기, 알키닐기, 알케닐기, 포르밀기, 스타닐기, 포스피노기, 아릴기 또는 그 반응성기로 치환된 아릴기, 그 반응성기로 치환된 올리고아릴기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 복소 고리기, 그 반응성기로 치환된 1 가의 올리고 복소 고리기, 알케닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알케닐기, 알키닐기 또는 그 반응성기로 치환된 알키닐기이다.Among these, q 1 is a hydrogen atom; halogen atom, carboxyl group, hydroxyl group, thiol group, epoxy group, isocyanate group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl group, formyl group, cyano group, silyl Reactive groups such as groups, stanyl groups, boryl groups, phosphino groups, silyloxy groups, arylsulfonyloxy groups, alkylsulfonyloxy groups, etc.; a linear or branched chain alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number substituted with the reactive group 1 to 4 linear or branched alkyl group; a C 1 to C 8 linear or branched alkoxy group or a C 1 to C 8 linear or branched alkoxy group substituted with the reactive group; aryl group Or an aryl group substituted with its reactive group; an oligoaryl group or an oligoaryl group substituted with its reactive group; a monovalent heterocyclic group or a monovalent heterocyclic group substituted with its reactive group; a monovalent oligo-heterocyclic group or substituted with its reactive group Monovalent oligoheterocyclic group; alkylthio group; aryloxy group; arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; alkenyl group or an alkenyl group substituted with its reactive group; substituted with an alkynyl group or its reactive group The resulting alkynyl group is preferred. More preferably, a hydrogen atom, a bromine atom, an iodine atom, a boryl group, an alkynyl group, an alkenyl group, a formyl group, a stanyl group, a phosphino group, an aryl group or an aryl group substituted with its reactive group, an oligo substituted with the reactive group An aryl group, a monovalent heterocyclic group substituted with its reactive group, a monovalent oligo heterocyclic group substituted with the reactive group, an alkenyl group or an alkenyl group substituted with its reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with its reactive group.

상기 식 (11-2) 에 있어서, q2 는 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 식 (11-2) 에 있어서의 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 되는 것을 나타내고 있다.In the above formula (11-2), q 2 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and a plurality of bonds to the ring structure forming a dotted circular arc portion in the formula (11-2) It shows that you may do it.

즉, q2 가 수소 원자인 경우에는, 식 (11-2) 로 나타내는 구조 중, q2 를 갖는 고리 구조는 치환기를 가지지 않은 것을 나타내고, q2 가 1 가의 치환기인 경우에는, 그 고리 구조는 치환기를 갖는 것이 된다. 그 경우에는, 그 고리 구조가 갖는 치환기의 수는 1 개이어도 되고, 2 개 이상이어도 된다.That is, in the case of when q 2 is a hydrogen atom, the ring structure having a, q 2 of the structure shown by the formula (11-2) shows that that do not have a substituent, and q 2 is a monovalent substituent, the ring structure is It becomes what has a substituent. In that case, the number of substituents that the ring structure has may be one or two or more.

상기 1 가의 치환기로서는 상기 식 (2) 에 있어서의, X5 및 X6 과 동일한 것을 들 수 있지만, 이들 중에서도, 상기 식 (8-10) 으로 나타내는 기, 나프틸기, 페닐기인 것이 특히 바람직하다.Examples of the monovalent substituent include those similar to X 5 and X 6 in the above formula (2), but among these, a group represented by the above formula (8-10), a naphthyl group, and a phenyl group are particularly preferable.

본 발명에 있어서는 나아가서는, 상기 식 (2) 에 있어서의 X5 및 X6 모두가 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조를 갖는 치환기인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다. 즉, 유기 전계 발광 소자의 버퍼층을 형성하는 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 붕소 함유 중합체이며, 그 붕소 함유 중합체의 원료가 되는 단량체 성분이 포함하는 붕소 함유 화합물이 붕소 원자 및 이중 결합을 갖는 붕소 함유 화합물로서, 그 붕소 함유 화합물은 하기 식 (2) ; In the present invention, furthermore, both of X 5 and X 6 in the above formula (2) have a structure in which two atoms are connected to the terminal portion by a double bond, and one of the two atoms forms a dotted arc portion. Another preferred embodiment of the present invention is that it is a substituent having a structure bonded to a ring structure. That is, the organic compound having a boron atom forming the buffer layer of the organic electroluminescent device is a boron-containing polymer, and the boron-containing compound included in the monomer component that is a raw material of the boron-containing polymer is a boron-containing compound having a boron atom and a double bond. As, the boron-containing compound is the following formula (2);

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112014106029210-pct00017
Figure 112014106029210-pct00017

(식 중, 점선의 원호는 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 적어도 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되는 것을 나타내고, 그 이중 결합이 고리 구조와 공액하고 있어도 된다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. X5 및 X6 은 동일 또는 상이하고, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. R1 및 R2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다.) 로 나타내고, 상기 X5 및 X6 은 모두 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 붕소 함유 화합물인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.(In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least one pair The atom of is connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with the ring structure The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom X 5 and X 6 are the same or different. And a monovalent substituent which becomes a substituent of the ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming the circular arc portion of the dotted line. R 1 and R 2 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. .), and both of X 5 and X 6 have a structure in which two atoms are connected by a double bond at the terminal portion, and one of the two atoms has a structure bonded to a ring structure forming a dotted arc portion. It is also one of preferred embodiments of the present invention that it is a characterized boron-containing compound.

상기 식 (2) 에 있어서 X5 및 X6 이 모두 말단부에 2 개의 원자가 이중 결합으로 연결된 구조를 가지며, 그 2 개의 원자 중 일방의 원자에서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합한 구조를 갖는 붕소 함유 화합물로서는, 크게는, 상기 식 (2) 에 있어서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합하고 있는 원자가 구성하고 있는 상기 이중 결합 부분이 고리 구조를 구성하지 않는 형태와, 고리 구조의 일부분을 구성하는 형태를 들 수 있고, 구체적으로는, 하기 식 (2′- 1) ∼ (2′- 4) 의 형태를 들 수 있다.In the above formula (2), both of X 5 and X 6 have a structure in which two atoms are connected to the terminal portion by a double bond, and one of the two atoms has a structure bonded to a ring structure forming a dotted arc portion. As the boron-containing compound, largely, a ring structure forming a dotted circular arc portion in the formula (2) and a form in which the double bond portion constituted by an atom bonded to each other does not constitute a ring structure, and a portion of the ring structure The form constituting the is mentioned, and specifically, the form of following formula (2'-1)-(2'-4) is mentioned.

또한, 식 (2′- 1) ∼ (2′- 4) 중, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표, 및, R1 및 R2 는 식 (1) 과 동일하다. 식 (2′- 1) 중, 점선의 원호는 식 (2) 와 동일하다. 식 (2′- 2) ∼ (2′- 4) 중, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 접하고 있는 점선의 원호는 식 (2) 와 마찬가지로 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, 또, r5 및 r6 이 형성하는 이중 결합 부분 그리고/또는 r7 및 r8 이 형성하는 이중 결합 부분과 접하고 있는 점선의 원호는 해당하는 이중 결합 부분과 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. r5 ∼ r8 은 동일 또는 상이하고, 상기 식 (11-1) ∼ (11-2) 에 있어서의, r1 ∼ r4 와 동일하다. q3 및 q4 는 동일 또는 상이하고, 상기 식 (11-1) 에 있어서의, q1 과 동일하다. q5 및 q6 은 동일 또는 상이하고, 상기 식 (11-2) 에 있어서의, q2 와 동일하다. 단, 붕소 함유 화합물이 식 (2′- 4) 의 형태의 것인 경우, q5, q6 중 적어도 일방은 반응성기를 갖는 치환기이다.In addition, in formulas (2'-1) to (2'-4), a dotted line portion in a skeleton portion connecting a boron atom and a nitrogen atom, an arrow from a nitrogen atom to a boron atom, and R 1 and R 2 are It is the same as Equation (1). In Equation (2'-1), the circular arc of the dotted line is the same as Equation (2). In formulas (2′- 2) ∼ (2′- 4), the circular arc of the dotted line in contact with a part of the skeleton connecting the boron atom and the nitrogen atom is the skeleton connecting the boron atom and the nitrogen atom as in equation (2). It indicates that a ring structure is formed with a part of the portion, and the circular arc of the dotted line in contact with the double bond portion formed by r 5 and r 6 and/or the double bond portion formed by r 7 and r 8 corresponds to the corresponding It indicates that a ring structure is formed with the double bond moiety. r 5 to r 8 are the same or different, and are the same as r 1 to r 4 in the formulas (11-1) to (11-2). q 3 and q 4 are the same or different, and are the same as q 1 in the formula (11-1). q 5 and q 6 are the same or different, and they are the same as q 2 in the formula (11-2). However, when the boron-containing compound is of the form of formula (2'-4), at least one of q 5 and q 6 is a substituent having a reactive group.

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112014106029210-pct00018
Figure 112014106029210-pct00018

이들의 형태 중에서도, 상기 식 (2) 에 있어서 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조와 결합하고 있는 원자가 구성하고 있는 이중 결합 부분이 모두 고리 구조를 구성하지 않는 형태의 것, 또는, 고리 구조의 일부분을 구성하는 형태의 것 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (2′- 1), (2′- 4) 의 형태인 것이 바람직하다.Among these forms, both the ring structure forming the circular arc portion of the dotted line in the formula (2) and the double bond portion composed of the atoms bonded to each other do not form a ring structure, or a part of the ring structure. It is preferable that it is any one of the form of constituting. That is, it is preferably in the form of the above formulas (2'-1) and (2'-4).

이와 같은, 유기 전계 발광 소자의 버퍼층을 형성하는 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 상기 식 (2′- 1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물, 또는, 상기 식 (2′- 4) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.Such an organic compound having a boron atom forming a buffer layer of an organic electroluminescent device includes a boron-containing compound represented by the above formula (2′-1) or a boron-containing compound represented by the above formula (2′-4) It is also one of the preferred embodiments of the present invention that it is a boron-containing polymer obtained by polymerizing the monomer component described above.

상기 식 (2′- 1) 에 있어서, 점선의 원호는, 식 (1) 과 마찬가지로, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내지만, 상기 식 (2′- 1) 에 있어서, 점선의 원호와, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부에 의해 형성되는 고리 구조는 고리형 구조이면 특별히 제한되지 않고, 식 (2′- 1) 에 있어서 q3 을 갖는 기가 결합하고 있는 고리로서는, 식 (2) 에 있어서의 X5 가 결합하고 있는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. 또, 식 (2′- 1) 에 있어서 q4 를 갖는 기가 결합하고 있는 고리로서는, 식 (2) 에 있어서의 X6 이 결합하고 있는 고리와 동일한 것을 들 수 있다.In the above formula (2′-1), the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal moiety connecting the boron atom and the nitrogen atom, as in the formula (1). In 2′-1), the ring structure formed by the dotted circular arc and a part of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom is not particularly limited as long as it is a cyclic structure, and in the formula (2′-1) Examples of the ring to which the group having q 3 is bonded include the same ring as the ring to which X 5 is bonded in the formula (2). Moreover, as the ring to which the group which has q 4 in formula (2'-1) is bonded, the same thing as the ring to which X 6 in formula (2) is bonded is mentioned.

상기 식 (2′- 2) ∼ (2′- 4) 에 있어서, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 접하고 있는 점선의 원호는, 식 (2) 와 마찬가지로, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, 또, r5 및 r6 이 형성하는 이중 결합 부분 그리고/또는 r7 및 r8 이 형성하는 이중 결합 부분과 접하고 있는 점선의 원호는 해당하는 이중 결합 부분과 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 즉, 상기 식 (2′- 2) ∼ (2′- 3) 으로 나타내는 붕소 함유 화합물은 구조 중에 적어도 3 개 고리 구조를 가지며, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분, 및, 1 개의 이중 결합 부분이 그 고리 구조의 일부로서 포함되어 있는 것을 나타내고 있다. 또, 상기 식 (2′- 4) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은 구조 중에 적어도 4 개 고리 구조를 가지며, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분, 및, 2 개의 이중 결합 부분이 그 고리 구조의 일부로서 포함되어 있는 것을 나타내고 있다.In the above formulas (2′- 2) to (2′- 4), the dotted circular arc in contact with a part of the skeletal portion connecting the boron atom and the nitrogen atom is a boron atom and a nitrogen atom, as in formula (2). It indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal part connecting to, and the double bond part formed by r 5 and r 6 and/or the dotted line in contact with the double bond part formed by r 7 and r 8 The circular arc indicates that a ring structure is formed with the corresponding double bond moiety. That is, the boron-containing compound represented by the above formulas (2′- 2) to (2′- 3) has at least 3 ring structures in the structure, a skeletal moiety connecting a boron atom and a nitrogen atom, and one double bond It shows that a moiety is included as part of the ring structure. In addition, the boron-containing compound represented by the above formula (2′-4) has at least 4 ring structures in the structure, and the skeletal moiety connecting the boron atom and the nitrogen atom, and two double bond moieties are part of the ring structure It shows what is included as.

상기 식 (2′- 2) ∼ (2′- 4) 에 있어서, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 접하고 있는 점선의 원호와, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부에 의해 형성되는 고리 구조는 고리형 구조이면 특별히 제한되지 않지만, r5 및 r6 이 형성하는 이중 결합 부분을 포함하는 기가 결합하고 있는 고리로서는, 식 (2) 에 있어서의 X5 가 결합하고 있는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. 또, r7 및 r8 이 형성하는 이중 결합 부분을 포함하는 기가 결합하고 있는 고리로서는, 식 (2) 에 있어서의 X6 이 결합하고 있는 고리와 동일한 것을 들 수 있다.In the above formulas (2'-2) to (2'-4), a dotted arc in contact with a portion of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom, and a portion of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom The ring structure formed by is not particularly limited as long as it is a cyclic structure, but as a ring to which a group including a double bond moiety formed by r 5 and r 6 is bonded, X 5 in formula (2) is bonded. The same thing as the ring can be mentioned. Moreover, as the ring to which the group containing the double bond moiety formed by r 7 and r 8 is bonded, the same ring as the ring to which X 6 in formula (2) is bonded can be mentioned.

또, 상기 식 (2′- 2) ∼ (2′- 4) 에 있어서, r5 및 r6 이 형성하는 이중 결합 부분 그리고/또는 r7 및 r8 이 형성하는 이중 결합 부분과 접하고 있는 점선의 원호와, 해당하는 이중 결합 부분에 의해 형성되는 고리 구조로서는, 예를 들어, 식 (2) 에 있어서의 X5 가 결합하고 있는 고리, 및, 식 (2) 에 있어서의 X6 이 결합하고 있는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. 또한, 상기 식 (2′- 4) 에 있어서는, r5 및 r6 이 형성하는 이중 결합 부분 그리고 r7 및 r8 이 형성하는 이중 결합 부분과 접하고 있는 점선의 원호와, 그 이중 결합 부분에 의해 형성되는 고리 구조가 적어도 2 개 존재하지만, 그들은 동일해도 되고, 상이해도 된다.In addition, in the above formulas (2′- 2) to (2′- 4), the dotted line in contact with the double bond portion formed by r 5 and r 6 and/or the double bond portion formed by r 7 and r 8 As a ring structure formed by an arc and a corresponding double bond moiety, for example, a ring to which X 5 in formula (2) is bonded, and a ring in which X 6 in formula (2) is bonded. The same thing as the ring can be mentioned. In addition, in the above formula (2'-4), the double bond portion formed by r 5 and r 6 and the circular arc of the dotted line in contact with the double bond portion formed by r 7 and r 8 , and the double bond portion At least two ring structures to be formed exist, but they may be the same or different.

상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2011-184430호에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.The method for producing the boron-containing compound represented by the above formula (2) is not particularly limited, but it can be produced, for example, by the method described in JP2011-184430A.

상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체는 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 2 개의 기가 중축합하거나, 또는, 적어도 1 개의 기가 중합하여 형성되는 반복 단위를 갖는 것이다. 즉, 하기 식 (12) ; The boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by the above formula (2) is polycondensed with at least two groups of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in formula (2), or, It has a repeating unit formed by polymerization of at least one group. That is, the following formula (12);

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112014106029210-pct00019
Figure 112014106029210-pct00019

(식 중, 점선의 원호, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 식 (2) 와 동일하다. X5′, X6′, R1′및 R2′는 각각 식 (2) 의 X5, X6, R1 및 R2 와 동일한 기, 2 가의 기, 3 가의 기, 또는, 직접 결합을 나타낸다.) 로 나타내는 반복 단위의 구조를 갖는 붕소 함유 중합체이다. 상기 식 (12) 는, X5′, X6′, R1′및 R2′ 중, 어느 1 개 이상이 중합체의 주사슬의 일부로서 결합을 형성하는 것을 의미한다. 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 2 개의 기가 중축합하여 붕소 함유 중합체가 형성된 경우, 상기 식 (12) 에 있어서의 X5′, X6′, R1′및 R2′중 적어도 2 개가 2 가의 기, 또는, 직접 결합이다. 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 1 개의 기가 단독으로 중합하여 붕소 함유 중합체가 형성된 경우, 상기 식 (12) 에 있어서의 X5′, X6′, R1′ 및 R2′중 적어도 1 개가 3 가의 기, 또는, 직접 결합이다.(In the formula, the circular arc of the dotted line, the dotted line portion in the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom, and the arrow from the nitrogen atom to the boron atom are the same as those of the formula (2). X 5' , X 6' , R 1 ′ And R 2 ′ each represent the same group as X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2), a divalent group, a trivalent group, or a direct bond.) It is a boron-containing polymer having. The above equation (12), means of X 5 ', X 6', R 1 ' and R 2', which at least one is formed as a coupling part of the main chain of the polymer. When at least two groups of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) are polycondensed to form a boron-containing polymer, X 5 ′ , X 6 ′ and R 1 ′ in the formula (12) and R 2 ', at least two are a divalent group, or of a direct bond. When at least one group of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) is independently polymerized to form a boron-containing polymer, X 5 ′ , X 6 ′ and R in the formula (12) 1 'and R 2', at least one is the trivalent group, or of a direct bond.

상기 식 (12) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 붕소 함유 중합체는 상기 식 (12) 로 나타내는 구조의 1 종으로 이루어지는 것이어도 되고, 상기 식 (12) 로 나타내는 2 종 이상의 구조를 포함하는 것이어도 된다. 상기 식 (12) 로 나타내는 2 종 이상의 구조를 포함하는 것인 경우, 당해 2 종 이상의 구조는 랜덤 중합체이거나, 블록 중합체이거나, 그래프트 중합체 등이어도 된다. 또, 고분자 주사슬에 분기가 있어 말단부가 3 개 이상 있는 경우나 덴드리머이어도 된다.The boron-containing polymer having a repeating unit represented by the above formula (12) may consist of one type of structure represented by the above formula (12), or may contain two or more types of structures represented by the above formula (12). When it contains two or more types of structures represented by the above formula (12), the two or more types of structures may be a random polymer, a block polymer, or a graft polymer. In addition, a dendrimer may be used or a case where there is a branch in the polymer main chain and has three or more terminal portions.

상기 식 (12) 로 나타내는 반복 단위의 구조를 갖는 붕소 함유 중합체 중에서도, 상기 식 (12) 중의 R1′및 R2′가 각각 식 (2) 중의 R1 및 R2 와 동일한 기인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 식 (12) 중의 R1′및 R2′가 탄소수 1 ∼ 30 의 직사슬형 또는 분기형 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 30 의 지환식 탄화수소기인 것이 더욱 바람직하다.Among the boron-containing polymers having the structure of the repeating unit represented by the formula (12), it is preferable that R 1 ′ and R 2 ′ in the formula (12) are the same groups as R 1 and R 2 in the formula (2), respectively. Further, it is more preferable that R 1 ′ and R 2 ′ in the above formula (12) are a C 1 to C 30 linear or branched hydrocarbon group or a C 3 to C 30 alicyclic hydrocarbon group.

즉, 유기 전계 발광 소자의 버퍼층을 형성하는 붕소 원자를 갖는 유기 화합물이 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체로서, 식 (2) 에 있어서의 R1 및 R2 가 동일 혹은 상이하고, 탄소수 1 ∼ 30 의 직사슬형 혹은 분기형 탄화수소기, 또는, 탄소수 3 ∼ 30 의 지환식 탄화수소기인 것도 또 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.That is, as a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by the formula (2) wherein the organic compound having a boron atom forming the buffer layer of the organic electroluminescent device, R 1 in formula (2) And R 2 are the same or different, and a C 1 to C 30 linear or branched hydrocarbon group or a C 3 to C 30 alicyclic hydrocarbon group is another preferred embodiment of the present invention.

상기 식 (12) 로 나타내는 반복 단위의 구조의 구체예 중, 중축합에 의해 얻어지는 구조로서는, 예를 들어, 이하의 식 (13-1) ∼ (13-6) 과 같은 구조가 있다. 이들 중에서도, (13-1), (13-6) 의 구조인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, (13-1) 의 구조이다. 즉, 식 (2) 로 나타내는 구조를 가지며, 식 (2) 에 있어서의 X5 및 X6 이 반응성기를 갖는 치환기인 붕소 함유 화합물로부터 얻어지는 붕소 함유 중합체도 또한 본 발명의 하나이다.Among specific examples of the structure of the repeating unit represented by the above formula (12), as a structure obtained by polycondensation, there are structures such as the following formulas (13-1) to (13-6). Among these, it is preferable that it is the structure of (13-1) and (13-6). More preferably, it is the structure of (13-1). That is, a boron-containing polymer obtained from a boron-containing compound having a structure represented by the formula (2) and which is a substituent having a reactive group in which X 5 and X 6 in the formula (2) is also one of the present invention.

[화학식 20-1][Chemical Formula 20-1]

Figure 112014106029210-pct00020
Figure 112014106029210-pct00020

[화학식 20-2][Chemical Formula 20-2]

Figure 112014106029210-pct00021
Figure 112014106029210-pct00021

[화학식 20-3][Chemical Formula 20-3]

Figure 112014106029210-pct00022
Figure 112014106029210-pct00022

상기 중축합할 수 있는 반응성기의 조합으로서는, 중합할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 카르복실기와 하이드록시기, 카르복실기와 티올기, 카르복실기와 아미노기, 카르복실산에스테르와 아미노기, 카르복실기와 에폭시기, 하이드록시기와 에폭시기, 티올기와 에폭시기, 아미노기와 에폭시기, 이소시아네이트기와 하이드록시기, 이소시아네이트기와 티올기, 이소시아네이트기와 아미노기, 하이드록시기와 할로겐 원자, 티올기와 할로겐 원자, 보릴기와 할로겐 원자, 스타닐기와 할로겐 원자, 알데히드기와 포스포늄메틸기, 비닐기와 할로겐 원자, 알데히드기와 포스포네이트메틸기, 할로알킬기와 할로알킬기, 술포늄메틸기와 술포늄메틸기, 알데히드기와 아세토니트릴기, 알데히드기와 알데히드기, 할로겐 원자와 보릴기, 할로겐 원자와 할로겐화 마그네슘, 할로겐 원자와 할로겐 원자 등을 들 수 있다.The combination of the reactive group capable of polycondensation is not particularly limited as long as it can be polymerized, but for example, a carboxyl group and a hydroxy group, a carboxyl group and a thiol group, a carboxyl group and an amino group, a carboxylic acid ester and an amino group, a carboxyl group and an epoxy group , Hydroxy group and epoxy group, thiol group and epoxy group, amino group and epoxy group, isocyanate group and hydroxy group, isocyanate group and thiol group, isocyanate group and amino group, hydroxy group and halogen atom, thiol group and halogen atom, boryl group and halogen atom, stanyl group and halogen atom , Aldehyde group and phosphonium methyl group, vinyl group and halogen atom, aldehyde group and phosphonate methyl group, haloalkyl group and haloalkyl group, sulfonium methyl group and sulfonium methyl group, aldehyde group and acetonitrile group, aldehyde group and aldehyde group, halogen atom and boryl group, halogen Atom and magnesium halide, halogen atom and halogen atom, and the like.

이들 중에서도, 할로겐 원자와 보릴기의 조합, 할로겐 원자와 할로겐 원자와의 조합이 바람직하다.Among these, a combination of a halogen atom and a boryl group, and a combination of a halogen atom and a halogen atom are preferable.

상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 2 개의 기가 중축합하여 붕소 함유 중합체가 형성되는 경우, 상기 식 (12) 에 있어서의 X5′, X6′, R1′및 R2′중 적어도 2 개가 2 가의 기, 또는, 직접 결합을 나타내지만, 그 2 가의 기는 반응성기를 갖는 치환기간의 중축합 반응에 의해 탈리되지 않는 잔기를 나타내게 된다. 상기 중축합할 수 있는 반응성기의 조합이 되는 반응성기를 갖는 치환기가 중축합 반응한 경우에는, 잔기가 중합체 중에 남는 경우와, 남지 않는 경우가 있고, 전자의 경우에는, X5′, X6′, R1′및 R2′중 적어도 하나는 반응성기를 갖는 치환기간의 중축합 반응에 의해 탈리되지 않는 잔기를 나타내고, 후자의 경우에는, X5′, X6′, R1′및 R2′중 적어도 하나는 직접 결합을 나타내게 된다.When at least two groups of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) are polycondensed to form a boron-containing polymer, X 5 ′ , X 6 ′ and R 1 in the formula (12) At least two of and R 2 ′ represent a divalent group or a direct bond, but the divalent group represents a residue that is not desorbed by the polycondensation reaction of the substitution period having a reactive group. When a substituent having a reactive group that is a combination of polycondensable reactive groups undergoes a polycondensation reaction, a residue may or may not remain in the polymer, and in the former case, X 5′ , X 6′ , At least one of R 1′ and R 2′ represents a residue that is not desorbed by the polycondensation reaction of the substitution period having a reactive group, and in the latter case, among X 5′ , X 6′ , R 1′ and R 2′ At least one represents a direct bond.

또, 상기 식 (12) 로 나타내는 반복 단위가 2 개 이상 계속되는 경우에는, 2 개의 반복 단위의 사이에, 예를 들어, -X5′-X6′- 와 같이, X5′, X6′, R1′및 R2′ 중 2 개가 연속하는 결합이 형성되게 되지만, 이 경우, 당해 2 개 중 어느 일방은 직접 결합이다.In the case where the amount of the repeating unit represented by the formula (12) continuing at least two, between the two repeating units, for example, -X 5 '-X 6' - and the like, X 5 ', X 6' , R 1 ′ and R 2 ′ , two of which are continuous bonds are formed, but in this case, either one of the two is a direct bond.

상기 중축합할 수 있는 반응성기의 조합이 되는 반응성기를 갖는 치환기가 중축합 반응하여 잔기가 중합체 중에 남는 경우의 구체적으로서는, 카르복실기를 갖는 치환기와 하이드록시기를 갖는 치환기의 조합을 들 수 있다. 예를 들어, -CH2COOH 기와 -CH2CH2OH 기가 중축합 반응한 경우, 중합체 중에 남는 잔기는 -CH2(CO)-O-CH2CH2- 기가 된다. 또, 예를 들어, -COOH 기와 -OH 기의 반응과 같이, 반응성기를 갖는 치환기가 반응성기만으로 구성되는 경우, 중합체 중에 남는 잔기는 -(CO)-O- 기가 된다.Specific examples of the case where the substituent having a reactive group, which is a combination of the reactive groups capable of polycondensation, remains in the polymer due to a polycondensation reaction, a combination of a substituent having a carboxyl group and a substituent having a hydroxy group. For example, when a -CH 2 COOH group and a -CH 2 CH 2 OH group undergo a polycondensation reaction, a residue remaining in the polymer becomes a -CH 2 (CO)-O-CH 2 CH 2 -group. Further, for example, when a substituent having a reactive group is composed of only a reactive group, such as a reaction between a -COOH group and a -OH group, the residue remaining in the polymer becomes a -(CO)-O- group.

또, 상기 중축합할 수 있는 반응성기의 조합이 중축합 반응하여 잔기가 중합체 중에 남지 않는 경우의 구체예로서는, 보릴기와 할로겐 원자, 할로겐 원자와 할로겐 원자의 조합을 들 수 있다.Further, specific examples of the case where the combination of the reactive groups capable of polycondensation is polycondensed and no residue remains in the polymer include a boryl group, a halogen atom, and a combination of a halogen atom and a halogen atom.

상기 식 (12) 로 나타내는 반복 단위의 구조의 구체예 중, 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 1 개의 기가 단독으로 중합하여 얻어지는 구조로서, 예를 들어, X6 이 중합하여 얻어지는 구조는 하기 식 (14) 와 같은 구조이다. 이와 같이, 식 (2) 중의 X6 이 구조 중에 단독으로 중합할 수 있는 반응성기를 갖는 치환기인 경우, X6′가 3 가의 기 또는 직접 결합인 구조의 반복 단위가 된다. 마찬가지로, 식 (2) 중의 X5, X6, R1 또는 R2 중 어느 것이 구조 중에 단독으로 중합할 수 있는 반응성기를 갖는 치환기인 경우, 각각, X5′, X6′, R1′, R2′가 3 가의 기 또는 직접 결합인 구조의 반복 단위가 된다.Among the specific examples of the structure of the repeating unit represented by the formula (12), as a structure obtained by polymerization of at least one group of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) alone, for example, The structure obtained by polymerization of X 6 is as shown in the following formula (14). Thus, equation (2) when the substituent having a reactive group capable of homopolymerization during the structure of X 6, X 6 'is the repeating unit of a trivalent group or a direct bond structure. Similarly, when any of X 5 , X 6 , R 1, or R 2 in formula (2) is a substituent having a reactive group capable of polymerization alone in the structure, X 5′ , X 6′ , R 1′ , the R 2 'is the repeating unit of a trivalent group or a direct bond structure.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112014106029210-pct00023
Figure 112014106029210-pct00023

상기 단독으로 중합할 수 있는 반응성기로서는, 3,5-디브로모페닐기, 알케닐기, 알키닐기, 에폭시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 상기 식 (2) 의 붕소 함유 화합물이 이들 기 중 어느 것을 적어도 1 개 가짐으로써, 상기 식 (2) 의 붕소 함유 화합물은 단독으로 중합할 수 있다. 이들 중에서도, 알케닐기, 에폭시기, 3,5-디브로모페닐기가 바람직하다.Examples of the independently polymerizable reactive group include 3,5-dibromophenyl group, alkenyl group, alkynyl group, epoxy group, and halogen atom. When the boron-containing compound of the formula (2) has at least one of these groups, the boron-containing compound of the formula (2) can be independently polymerized. Among these, an alkenyl group, an epoxy group, and a 3,5-dibromophenyl group are preferable.

상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중에서, 중축합하는 기는 상기 중축합할 수 있는 반응성기를 구조 중에 갖는 치환기이면 된다. 마찬가지로, 단독 중합하는 기는 상기 단독으로 중합할 수 있는 반응성기를 구조 중에 갖는 치환기이면 된다. 이와 같은 치환기로서는, 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기형 알킬기, 탄소수 3 ∼ 7 의 고리형 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬형 또는 분기형 알콕시기, 아릴기나 복소 고리기 등의 어느 기의 수소 원자가 상기 중축합할 수 있는 반응성기나 단독으로 중합할 수 있는 반응성기로 치환된 기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 스티릴기, 3,5-디브로모페닐기가 바람직하다.In X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the above formula (2), the group to be polycondensed may be a substituent having a reactive group capable of polycondensation in the structure. Similarly, the group to be homopolymerized may be a substituent having the above-described independently polymerizable reactive group in the structure. As such a substituent, any group such as a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group or a heterocyclic group And a group in which the hydrogen atom of is substituted with a reactive group capable of polycondensation or a reactive group capable of polymerization alone. Among these, a styryl group and a 3,5-dibromophenyl group are preferable.

본 발명의 붕소 함유 중합체는, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분으로부터 얻어지는 것인 한, 단량체 성분에 그 밖의 단량체가 포함되어 있어도 된다.Other monomers may be contained in the monomer component as long as the boron-containing polymer of the present invention is obtained from a monomer component containing a boron-containing compound represented by the above formula (2).

즉, 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물과 하기 식 (15) ; That is, the boron-containing compound represented by formula (2) and the following formula (15);

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112014106029210-pct00024
Figure 112014106029210-pct00024

(식 중, A 는 2 가의 기를 나타낸다. X7 및 X8 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타내고, X7 및 X8 중 적어도 1 개의 기는 반응성기를 갖는 치환기이다.) 로 나타내는 그 밖의 단량체를 중합하여 형성되는 붕소 함유 중합체도 또한 본 발명에 있어서의 붕소 함유 중합체에 포함된다.(In the formula, A represents a divalent group. X 7 and X 8 are the same or different, represent a hydrogen atom or a monovalent substituent, and at least one of X 7 and X 8 is a substituent having a reactive group.) The boron-containing polymer formed by polymerizing other monomers is also included in the boron-containing polymer in the present invention.

상기 식 (15) 에 있어서의 A 는 2 가의 기이면, 특별히 제한되지 않지만, 그 구조를 상당하는 화합물명으로서 들면 예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 크리센, 루브렌, 피렌, 페릴렌, 인덴, 아줄렌, 아다만탄, 플루오렌, 플루오레논, 디벤조푸란, 카르바졸, 디벤조티오펜, 푸란, 피롤, 피롤린, 피롤리딘, 티오펜, 디옥소란, 피라졸, 피라졸린, 피라졸리딘, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 트리아졸, 티아디아졸, 피란, 피리딘, 피페리딘, 디옥산, 모르폴린, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 피페라진, 트리아진, 트리티안, 노르보르넨, 벤조푸란, 인돌, 벤조티오펜, 벤즈이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤조티아디아졸, 벤조옥사디아졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 쿠마린, 신놀린, 퀴녹살린, 아크리딘, 페난트롤린, 페노티아진, 플라본, 트리페닐아민, 아세틸아세톤, 디벤조일메탄, 피콜린산, 실롤, 포르피린, 이리듐 등의 금속 배위 화합물, 또는, 그들이 치환기를 가지고 있는 유도체, 그들 유도체의 구조를 포함하는 폴리머 혹은 올리고머 등을 들 수 있다.A in the formula (15) is not particularly limited as long as it is a divalent group, but examples of the name of the compound corresponding to the structure include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, chrysene, rubrene, pyrene, Perylene, indene, azulene, adamantane, fluorene, fluorenone, dibenzofuran, carbazole, dibenzothiophene, furan, pyrrole, pyrroline, pyrrolidine, thiophene, dioxolane, pyrazole , Pyrazoline, pyrazolidine, imidazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, triazole, thiadiazole, pyran, pyridine, piperidine, dioxane, morpholine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, Piperazine, triazine, tritian, norbornene, benzofuran, indole, benzothiophene, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, benzoxadiazole, purine, quinoline, isoquinoline , Coumarin, cinnoline, quinoxaline, acridine, phenanthroline, phenothiazine, flavone, triphenylamine, acetylacetone, dibenzoylmethane, picolinic acid, silol, porphyrin, metal coordination compounds such as iridium, or , Derivatives in which they have a substituent, polymers or oligomers including the structure of these derivatives.

또한, 상기 치환기로서는, 상기 R1 및 R2 에 있어서의 치환기와 동일한 것을 사용할 수 있다.Further, as the substituent, the same substituents for R 1 and R 2 can be used.

상기 A 로서는, 상기 서술한 것에 더하여, 예를 들어, 하기 식 (16-1) ∼ (16-4) 의 구조를 들 수 있다.As said A, in addition to the thing mentioned above, the structure of following formula (16-1)-(16-4) is mentioned, for example.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112014106029210-pct00025
Figure 112014106029210-pct00025

(식 중, Ar1, Ar2, Ar3 은 동일 혹은 상이하고, 아릴렌기, 2 가의 복소 고리기 또는 금속 착물 구조를 갖는 2 가의 기를 나타낸다. Z1 은 -C≡C-, -N(Q3)-, -(SiQ4Q5)b-, 또는, 직접 결합을 나타낸다. Z2 는 -CQ1=CQ2-, -C≡C-, -N(Q3)-, -(SiQ4Q5)b-, 또는, 직접 결합을 나타낸다. Q1 및 Q2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1 가의 복소 고리기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴알킬옥시카르보닐기, 헤테로아릴옥시카르보닐기, 또는, 시아노기를 나타낸다. Q3, Q4 및 Q5 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1 가의 복소 고리기, 또는, 아릴알킬기를 나타낸다. a 는 0 ∼ 1 의 정수를 나타낸다. b 는 1 ∼ 12 의 정수를 나타낸다.)(In the formula, Ar1, Ar2, Ar3 are the same or different, and represent an arylene group, a divalent heterocyclic group, or a divalent group having a metal complex structure. Z1 is -C≡C-, -N(Q3)-,- (SiQ4Q5)b-, or represents a direct bond, Z2 represents -CQ1=CQ2-, -C≡C-, -N(Q3)-, -(SiQ4Q5)b-, or a direct bond, Q1 and Q2 is the same or different, and represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylalkyloxycarbonyl group, a heteroaryloxycarbonyl group, or a cyano group. Q4 and Q5 are the same or different, and represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, or an arylalkyl group, a represents an integer of 0 to 1. b represents an integer of 1 to 12. )

상기 아릴렌기란, 방향족 탄화수소로부터, 수소 원자 2 개를 제거한 원자단이며, 고리를 구성하는 탄소수는 통상적으로 6 ∼ 60 정도이며, 바람직하게는 6 ∼ 20 이다. 그 방향족 탄화수소로서는, 축합 고리를 가지는 것, 독립된 벤젠 고리 또는 축합 고리 2 개 이상이 직접 또는 비닐렌 등의 기를 개재하여 결합한 것도 포함된다.The arylene group is an atomic group in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic hydrocarbon, and the number of carbon atoms constituting the ring is usually about 6 to 60, preferably 6 to 20. Examples of the aromatic hydrocarbon include those having a condensed ring, and those in which two or more independent benzene rings or condensed rings are bonded directly or via a group such as vinylene.

상기 아릴렌기로서는, 예를 들어, 하기 식 (17-1) ∼ (17-23) 으로 나타내는 기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 페닐렌기, 비페닐렌기, 플루오렌-디일기, 스틸벤-디일기가 바람직하다.Examples of the arylene group include groups represented by the following formulas (17-1) to (17-23). Among these, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorene-diyl group, and a stilbene-diyl group are preferable.

또한, 식 (17-1) ∼ (17-23) 에 있어서, R 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알킬옥시기, 아릴알킬티오기, 아실기, 아실옥시기, 아미드기, 이미드기, 이민 잔기, 아미노기, 치환 아미노기, 치환 실릴기, 치환 실릴옥시기, 치환 실릴티오기, 치환 실릴아미노기, 1 가의 복소 고리기, 헤테로아릴옥시기, 헤테로아릴티오기, 아릴알케닐기, 아릴에티닐기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴알킬옥시카르보닐기, 헤테로아릴옥시카르보닐기 또는 시아노기를 나타낸다.In addition, in formulas (17-1) to (17-23), R is the same or different, and hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group , Arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, amide group, imide group, imine residue, amino group, substituted amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted Silylamino group, monovalent heterocyclic group, heteroaryloxy group, heteroarylthio group, arylalkenyl group, arylethynyl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, arylalkyloxycarbonyl group, heteroaryloxycarbonyl group or cyano group Represents.

식 (17-1) 중에 있어서 x-y 로 나타낸 선과 같이, 고리 구조에 교차하여 부여된 선은 고리 구조가 피결합 부분에 있어서의 원자와 직접 결합하고 있는 것을 의미한다. 즉, 식 (17-1) 에 있어서는, x-y 로 나타내는 선이 부여된 고리를 구성하는 탄소 원자 중 어느 것과 직접 결합하는 것을 의미하고, 그 고리 구조에 있어서의 결합 위치는 한정되지 않는다. 식 (17-10) 중에 있어서 z- 로 나타낸 선과 같이, 고리 구조의 정점에 부여된 선은 그 위치에 있어서 고리 구조가 피결합 부분에 있어서의 원자와 직접 결합하고 있는 것을 의미한다. 또, 고리 구조에 교차하여 부여된 R 이 부여된 선은 R 이 그 고리 구조에 대해 1 개 결합하고 있어도 되고, 복수 결합하고 있어도 되는 것을 의미하고, 그 결합 위치도 한정되지 않는다.Like the line represented by x-y in formula (17-1), the line applied across the ring structure means that the ring structure is directly bonded to the atom in the portion to be bonded. That is, in formula (17-1), it means directly bonding with any of the carbon atoms constituting the ring to which the line represented by x-y is given, and the bonding position in the ring structure is not limited. Like the line represented by z- in Formula (17-10), the line given to the vertex of the ring structure means that the ring structure is directly bonded to the atom in the portion to be bonded at that position. In addition, the line to which R is given by crossing the ring structure means that one R may be bonded to the ring structure, or a plurality of R may be bonded, and the bonding position thereof is also not limited.

또, 식 (17-1) ∼ (17-10) 및 (17-15) ∼ (17-20) 에 있어서, 탄소 원자는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자와 치환되어 있어도 되고, 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 된다.In addition, in formulas (17-1) to (17-10) and (17-15) to (17-20), the carbon atom may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and the hydrogen atom is fluorine It may be substituted with an atom.

[화학식 24-1][Formula 24-1]

Figure 112014106029210-pct00026
Figure 112014106029210-pct00026

[화학식 24-2][Formula 24-2]

Figure 112014106029210-pct00027
Figure 112014106029210-pct00027

상기 2 가의 복소 고리기란, 복소 고리 화합물로부터 수소 원자 2 개를 제거한 나머지 원자단을 말하며, 고리를 구성하는 탄소수는 통상적으로 3 ∼ 60 정도이다. 그 복소 고리 화합물로서는, 고리형 구조를 가지는 유기 화합물 중, 고리를 구성하는 원소가 탄소 원자뿐만 아니라, 산소, 황, 질소, 인, 붕소, 비소 등의 헤테로 원자를 고리 내에 함유하는 것도 포함된다.The divalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group from which two hydrogen atoms have been removed from the heterocyclic compound, and the number of carbon atoms constituting the ring is usually about 3 to 60. As the heterocyclic compound, among organic compounds having a cyclic structure, the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, and arsenic in the ring.

상기 2 가의 복소 고리기로서는, 예를 들어, 하기 식 (18-1) ∼ (18-38) 로 나타내는 복소 고리기 등을 들 수 있다.As said divalent heterocyclic group, the heterocyclic group etc. which are represented by following formula (18-1)-(18-38) are mentioned, for example.

또한, 식 (18-1) ∼ (18-38) 에 있어서, R 은 상기 아릴렌기가 갖는 R 과 동일하다. Y 는 O, S, SO, SO2, Se, 또는, Te 를 나타낸다. 고리 구조에 교차하여 부여된 선, 고리 구조의 정점에 부여된 선, 고리 구조에 교차하여 부여된 R 이 부여된 선에 대해서는, 식 (17-1) ∼ (17-23) 과 동일하다.In addition, in formulas (18-1) to (18-38), R is the same as R that the arylene group has. Y represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te. The lines given by crossing the cyclic structure, the lines given to the vertices of the cyclic structure, and the lines with the R given by crossing the cyclic structure are the same as those in Formulas (17-1) to (17-23).

또, 식 (18-1) ∼ (18-38) 에 있어서, 탄소 원자는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자와 치환되어 있어도 되고, 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 된다.In addition, in formulas (18-1) to (18-38), a carbon atom may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom, and a hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom.

[화학식 25-1][Chemical Formula 25-1]

Figure 112014106029210-pct00028
Figure 112014106029210-pct00028

[화학식 25-2][Chemical Formula 25-2]

Figure 112014106029210-pct00029
Figure 112014106029210-pct00029

상기 금속 착물 구조를 갖는 2 가의 기란, 유기 배위자를 갖는 금속 착물의 유기 배위자로부터 수소 원자를 2 개 제거한 나머지의 2 가의 기이다. 그 유기 배위자의 탄소수는 통상적으로 4 ∼ 60 정도이며, 예를 들어, 8-퀴놀리놀 및 그 유도체, 벤조퀴놀리놀 및 그 유도체, 2-페닐-피리딘 및 그 유도체, 2-페닐-벤조티아졸 및 그 유도체, 2-페닐-벤조옥사졸 및 그 유도체, 포르피린 및 그 유도체 등을 들 수 있다.The divalent group having the metal complex structure is the remaining divalent group from which two hydrogen atoms have been removed from the organic ligand of the metal complex having the organic ligand. The carbon number of the organic ligand is usually about 4 to 60, for example, 8-quinolinol and its derivatives, benzoquinolinol and its derivatives, 2-phenyl-pyridine and its derivatives, and 2-phenyl-benzothia Sol and its derivatives, 2-phenyl-benzoxazole and its derivatives, porphyrin and its derivatives, and the like.

상기 금속 착물의 중심 금속으로서는, 예를 들어, 알루미늄, 아연, 베릴륨, 이리듐, 백금, 금, 유로퓸, 테르븀 등을 들 수 있고, 상기 유기 배위자를 갖는 금속 착물로서는, 저분자의 형광 재료, 인광 재료로서 공지된 금속 착물, 삼중항 발광 착물 등을 들 수 있다.Examples of the central metal of the metal complex include aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, terbium, and the like, and the metal complex having the organic ligand is a low-molecular fluorescent material or a phosphorescent material. And known metal complexes, triplet light-emitting complexes, and the like.

상기 금속 착물 구조를 갖는 2 가의 기로서는, 구체적으로는, 예를 들어 하기 식 (19-1) ∼ (19-7) 로 나타내는 기를 들 수 있다.Specific examples of the divalent group having the metal complex structure include groups represented by the following formulas (19-1) to (19-7).

또한, 식 (19-1) ∼ (19-7) 에 있어서, R 은 상기 아릴렌기가 갖는 R 과 동일하다. 고리 구조의 정점에 부여된 선에 대해서는, 식 (17-1) ∼ (17-23) 과 마찬가지로, 직접 결합을 의미한다.In addition, in formulas (19-1) to (19-7), R is the same as R that the arylene group has. About the line given to the vertex of the ring structure, it means a direct bond similarly to Formulas (17-1) to (17-23).

또, 식 (19-1) ∼ (19-7) 에 있어서, 탄소 원자는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자와 치환되어 있어도 되고, 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 된다.In addition, in formulas (19-1) to (19-7), a carbon atom may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and a hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom.

[화학식 26-1][Chemical Formula 26-1]

Figure 112014106029210-pct00030
Figure 112014106029210-pct00030

[화학식 26-2][Chemical Formula 26-2]

Figure 112014106029210-pct00031
Figure 112014106029210-pct00031

또, A 의 구조로서는, 하기 식 (16-5) 와 같은 구조도 들 수 있다.Moreover, as the structure of A, a structure similar to the following formula (16-5) is also mentioned.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112014106029210-pct00032
Figure 112014106029210-pct00032

(식 중, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7 은 동일 또는 상이하고, 아릴렌기 또는 2 가의 복소 고리기를 나타낸다. Ar8, Ar9 및 Ar10 은 동일 또는 상이하고, 아릴기 또는 1 가의 복소 고리기를 나타낸다. o 및 p 는 동일 또는 상이하고, 0 또는 1 을 나타내고, 0≤o+p≤1 이다.)(In the formula, Ar4, Ar5, Ar6 and Ar7 are the same or different and represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar8, Ar9 and Ar10 are the same or different and represent an aryl group or a monovalent heterocyclic group. o and p is the same or different, represents 0 or 1, and is 0≦o+p≦1.)

상기 식 (16-5) 로 나타내는 구조의 구체예로서는, 하기 식 (20-1) ∼ (20-8) 로 나타내는 구조를 들 수 있다.As a specific example of the structure represented by the said formula (16-5), the structure represented by following formula (20-1)-(20-8) is mentioned.

[화학식 28-1][Chemical Formula 28-1]

Figure 112014106029210-pct00033
Figure 112014106029210-pct00033

[화학식 28-2][Chemical Formula 28-2]

Figure 112014106029210-pct00034
Figure 112014106029210-pct00034

또한, 식 (20-1) ∼ (20-8) 에 있어서, R 은 상기 아릴렌기가 갖는 R 과 동일하다. 고리 구조의 정점에 부여된 선에 대해서는, 식 (17-1) ∼ (17-23) 과 마찬가지로, 직접 결합을 의미한다. 상기 식 (20-1) ∼ (20-8) 에 있어서, 1 개의 구조식 중에 복수의 R 을 가지고 있지만, 그들은 동일해도 되고, 상이한 기이어도 된다. 용매에 대한 용해성을 높이기 위해서는, 수소 원자 이외를 1 개 이상 가지고 있는 것이 바람직하고, 또 치환기를 포함한 구조의 형상의 대칭성이 적은 것이 바람직하다. 또한, 상기 식 (20-1) ∼ (20-8) 에 있어서, R 이 아릴기나 복소 고리기를 그 일부에 포함하는 경우에는, 그들이 추가로 1 개 이상의 치환기를 가지고 있어도 된다. 또, R 이 알킬 사슬을 포함하는 치환기에 있어서는, 그들은 직사슬, 분기 혹은 고리형 중 어느 것 또는 그들의 조합이어도 되고, 직사슬이 아닌 경우로서는, 예를 들어, 이소아밀기, 2-에틸헥실기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로헥실기, 4-C1 ∼ C12 알킬시클로헥실기 등을 들 수 있다. 본 발명의 붕소 함유 공중합체의 용매에 대한 용해성을 높이기 위해서는, 1 개 이상으로 고리형 또는 분기가 있는 알킬 사슬이 포함되는 것이 바람직하다.In addition, in formulas (20-1) to (20-8), R is the same as R that the arylene group has. About the line given to the vertex of the ring structure, it means a direct bond similarly to Formulas (17-1) to (17-23). In the above formulas (20-1) to (20-8), although a plurality of R is included in one structural formula, they may be the same or different groups. In order to increase the solubility in a solvent, it is preferable to have one or more other than a hydrogen atom, and it is preferable to have less symmetry of the shape of the structure including a substituent. In addition, in the above formulas (20-1) to (20-8), when R contains an aryl group or a heterocyclic group in a part thereof, they may further have one or more substituents. In addition, when R is a substituent containing an alkyl chain, they may be linear, branched, or cyclic, or a combination thereof, and when not linear, for example, isoamyl group, 2-ethylhexyl group , A 3,7-dimethyloctyl group, a cyclohexyl group, and a 4-C1 to C12 alkylcyclohexyl group. In order to increase the solubility of the boron-containing copolymer of the present invention in a solvent, it is preferable that one or more cyclic or branched alkyl chains are included.

또, 복수의 R 이 연결되어 고리를 형성하고 있어도 된다. 또한, R 이 알킬 사슬을 포함하는 기의 경우에는, 그 알킬 사슬은 헤테로 원자를 포함하는 기로 중단되어 있어도 된다. 그 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Moreover, a plurality of R may be connected to form a ring. In the case where R is a group containing an alkyl chain, the alkyl chain may be interrupted by a group containing a hetero atom. Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

상기 A 의 구조로서는, 상기 서술한 것 중에서도, 식 (16-5), 식 (17-9) 식 (18-16), 식 (18-28) 인 것이 바람직하다.The structure of A is preferably a formula (16-5), a formula (17-9), a formula (18-16), or a formula (18-28), among the above.

상기 붕소 함유 중합체는 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 1 개의 기와 식 (15) 중의 X7 및 X8 중 적어도 1 개의 기가 중합하여 형성되는 반복 단위를 갖는 것이다. 즉, 하기 식 (21) ; The boron-containing polymer has a repeating unit formed by polymerization of at least one group of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in formula (2) and at least one group of X 7 and X 8 in formula (15). . That is, the following formula (21);

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure 112014106029210-pct00035
Figure 112014106029210-pct00035

(식 중, 점선의 원호, 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분, 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 식 (2) 와 동일하다. X5′, X6′, R1′및 R2′는 식 (12) 와 동일하다. A 는 동일 혹은 상이하고, 2 가의 기를 나타낸다. X7′및 X8′는 각각 식 (15) 의 X7 및 X8 과 동일한 기, 2 가의 기, 3 가의 기, 또는, 직접 결합을 나타낸다.) 로 나타내는 반복 단위의 구조를 갖는 붕소 함유 중합체도 또한 본 발명에 있어서의 붕소 함유 중합체에 포함된다.(In the formula, the circular arc of the dotted line, the dotted line portion in the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom, and the arrow from the nitrogen atom to the boron atom are the same as those of the formula (2). X 5' , X 6' , R 1 ′ And R 2 ′ are the same as in formula (12), A is the same or different, and represents a divalent group, X 7 ′ and X 8 ′ are the same groups as X 7 and X 8 in formula (15), 2 A boron-containing polymer having a structure of a repeating unit represented by a valent group, a trivalent group, or a direct bond is also included in the boron-containing polymer in the present invention.

상기 식 (21) 은, X5′, X6′, R1′및 R2′ 중, 어느 1 개 이상, 또한, X7′및 X8′중, 어느 1 개 이상이 중합체의 주사슬의 일부로서 결합을 형성하는 것을 의미한다.In the formula (21), any one or more of X 5 ′ , X 6 ′ , R 1 ′ and R 2 ′ , and any one or more of X 7 ′ and X 8 ′ are the main chains of the polymer. It means forming a bond as part.

상기 식 (21) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 붕소 함유 중합체에 있어서, 상기 식 (2) 유래의 반복 단위, 상기 식 (15) 유래의 반복 단위는 랜덤 중합체이거나, 블록 중합체이거나, 그래프트 중합체이어도 된다. 또, 고분자 주사슬에 분기가 있어 말단부가 3 개 이상 있는 경우나 덴드리머이어도 된다. 또, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물과 상기 식 (15) 로 나타내는 화합물이 중축합하여 형성되는 중합체이어도 된다.In the boron-containing polymer having a repeating unit represented by the formula (21), the repeating unit derived from the formula (2) and the repeating unit derived from the formula (15) may be a random polymer, a block polymer, or a graft polymer. In addition, a dendrimer may be used or a case where there is a branch in the polymer main chain and has three or more terminal portions. Moreover, it may be a polymer formed by polycondensation of the boron-containing compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (15).

또, 상기 식 (21) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 붕소 함유 중합체는 상기 식 (2) 유래의 반복 단위, 상기 식 (15) 유래의 반복 단위를 각각 1 종 포함하는 것이어도 되고, 2 종 이상 포함하는 것이어도 된다. 반복 단위를 2 종 이상 포함하는 것인 경우, 당해 2 종 이상의 구조는 랜덤 중합체이거나, 블록 중합체이거나, 그래프트 중합체이어도 된다. 또, 고분자 주사슬에 분기가 있어 말단부가 3 개 이상 있는 경우나 덴드리머이어도 된다.In addition, the boron-containing polymer having a repeating unit represented by the above formula (21) may contain one repeating unit derived from the above formula (2) and one repeating unit derived from the above formula (15), or two or more. It can be done. When two or more types of repeating units are included, the two or more types of structures may be a random polymer, a block polymer, or a graft polymer. In addition, a dendrimer may be used or a case where there is a branch in the polymer main chain and has three or more terminal portions.

상기 식 (21) 로 나타내는 붕소 함유 중합체로서는, (i) 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중, 어느 2 개와, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 이 중합체의 주사슬의 일부로서 결합을 형성하는 경우, (ii) 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 1 개와, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 중 어느 1 개의 기가 중합체의 주사슬의 일부로서 결합을 형성하는 경우가 있다. 이들 경우의 반복 단위의 구조의 구체예로서 예를 들어, 하기 식 (22), (23) 과 같은 구조가 있다.As the boron-containing polymer represented by the formula (21), (i) any two of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) and X 7 and X 8 in the formula (15) are In the case of forming a bond as a part of the main chain of the polymer, (ii) any one of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the above formula (2), and among X 7 and X 8 in the above formula (15) In some cases, any one group forms a bond as part of the main chain of the polymer. As a specific example of the structure of the repeating unit in these cases, there are structures such as the following formulas (22) and (23).

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112014106029210-pct00036
Figure 112014106029210-pct00036

(i) 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 2 개와, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 이 중합체의 주사슬의 일부로서 결합을 형성하는 경우, 상기 식 (2) 유래의 반복 단위, 상기 식 (15) 유래의 반복 단위가 랜덤 부가된 것이어도 되고, 블록 부가된 것이어도 되고, 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 기와 상기 식 (15) 중의 X7 및/또는 X8 이 중축합한 것이어도 되지만, 이들 중에서도, 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 2 개의 기와 상기 식 (15) 중의 X7 및/또는 X8 이 중축합한 중합체의 일례로서 상기 식 (2) 중의 X5, X6 과 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 이 중축합한 것은 하기 식 (24) 로 나타내는 구조를 반복 단위로 하는 중합체가 된다.(i) When any two of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) and X 7 and X 8 in the formula (15) form a bond as a part of the main chain of the polymer, The repeating unit derived from the formula (2) and the repeating unit derived from the formula (15) may be randomly added or block-added, and X 5 , X 6 , R 1 and R in the formula (2) Any group in 2 and X 7 and/or X 8 in the formula (15) may be polycondensed, but among these, any two groups of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) and the above As an example of a polymer in which X 7 and/or X 8 in formula (15) is polycondensed, the polycondensation of X 5 and X 6 in formula (2) and X 7 and X 8 in formula (15) is the following formula (24 It becomes a polymer which has the structure represented by) as a repeating unit.

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112014106029210-pct00037
Figure 112014106029210-pct00037

상기 (i) 의 구조의 경우, 상기 식 (21) 로 나타내는 반복 단위 중, 상기 식 (2) 유래의 구조 부분의 구체예로서는, 상기 식 (13-1) ∼ (13-6) 과 같은 구조가 있다. 이들 중에서도, (13-1), (13-6) 의 구조인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, (13-1) 의 구조이다.In the case of the structure of the above (i), as a specific example of the structural moiety derived from the above formula (2) among the repeating units represented by the above formula (21), structures such as the above formulas (13-1) to (13-6) have. Among these, it is preferable that it is the structure of (13-1) and (13-6). More preferably, it is the structure of (13-1).

상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 기와, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 중 어느 기가 중축합하는 경우의 반응성기의 조합으로서는, 상기 서술한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 즉, 상기 식 (2) 중의 X5, X6, R1 및 R2 중 어느 기와, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 중 어느 기가 중축합하는 경우, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 중, 당해 중축합하는 기로서는, 상기 서술한 중축합할 수 있는 반응성기를 구조 중에 갖는 치환기 중 어느 것인 것이 바람직하다.The combination of a reactive group in the case of polycondensation of any group of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) and any group of X 7 and X 8 in the formula (15) is the same as described above. Can be mentioned. That is, when any group of X 5 , X 6 , R 1 and R 2 in the formula (2) and any group of X 7 and X 8 in the formula (15) polycondensate, X 7 in the formula (15) and Among X 8 , as the group to be polycondensed, any of the substituents having the above-described polycondensable reactive group in the structure is preferable.

또, 상기 식 (15) 중의 X7 및 X8 중 어느 것이 단독으로 중합할 수 있는 반응성기를 구조 중에 갖는 치환기인 경우, 당해 치환기는 상기 서술한 단독으로 중합할 수 있는 반응성기를 구조 중에 갖는 치환기 중 어느 것인 것이 바람직하다.In addition, when any of X 7 and X 8 in the above formula (15) is a substituent having a reactive group capable of independently polymerizing in the structure, the substituent is among the substituents having a reactive group capable of polymerizing independently as described above. Which is preferred.

본 발명의 붕소 함유 중합체의 양 말단에 결합하고 있는 기는 특별히 제한되지 않고, 또, 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 양 말단에 결합하고 있는 기로서는, 예를 들어, 수소 원자, 할로겐 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 올리고아릴기, 1 가의 복소 고리기, 1 가의 올리고 복소 고리기, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 알케닐기, 알키닐기, 알릴기, 아미노기, 아조기, 카르복실기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 스타닐기, 보릴기, 포스피노기, 실릴옥시기, 아릴술포닐옥시기, 알킬술포닐옥시기 등을 들 수 있다.The group bonded to both ends of the boron-containing polymer of the present invention is not particularly limited, and may be the same or different. Examples of the groups bonded to both ends include a hydrogen atom, a halogen atom, an aryl group, an oligoaryl group, a monovalent heterocyclic group, a monovalent oligoheterocyclic group, an alkyl group, an alkoxy group, Alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, amino group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group , A cyano group, a silyl group, a stanyl group, a boryl group, a phosphino group, a silyloxy group, an arylsulfonyloxy group, and an alkylsulfonyloxy group.

본 발명에 있어서의 붕소 함유 중합체는 중량 평균 분자량이 103 ∼ 108 인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 이와 같은 범위이면, 양호하게 박막화할 수 있다. 보다 바람직하게는, 103 ∼ 107 이며, 더욱 바람직하게는 104 ∼ 106 이다.The boron-containing polymer in the present invention preferably has a weight average molecular weight of 10 3 to 10 8 . When the weight average molecular weight is such a range, it can be formed into a thin film favorably. More preferably, they are 10 3 to 10 7 , and still more preferably 10 4 to 10 6 .

상기 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산에 의한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC 장치, 전개 용매 ; 클로로포름) 에 의해 이하의 장치, 및, 측정 조건으로 측정할 수 있다.The weight average molecular weight can be measured by the following apparatus and measurement conditions by gel permeation chromatography (GPC apparatus, developing solvent; chloroform) in terms of polystyrene.

고속 GPC 장치:HLC-8220GPC (토소사 제조) High-speed GPC device: HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation)

전개 용매 클로로포름 Developing solvent chloroform

칼럼 TSK-gel GMHXL × 2 개 Column TSK-gel GMHXL x 2

용리액 유량 1 ㎖/min Eluent flow rate 1 ml/min

칼럼 온도 40 ℃Column temperature 40°C

본 발명에 있어서의 붕소 함유 중합체는 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합함으로써 제조된다. 그 단량체 성분은, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 한, 그 밖의 단량체를 포함하고 있어도 되지만, 단량체 성분 전체 100 질량% 에 대해, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 0.1 ∼ 99.9 질량% 포함하고 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 10 ∼ 90 질량% 이다.The boron-containing polymer in the present invention is produced by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by the above formula (2). The monomer component may contain other monomers as long as it contains the boron-containing compound represented by the above formula (2), but the boron-containing compound represented by the above formula (2) is 0.1 It is preferable to contain-99.9 mass%. More preferably, it is 10 to 90 mass %.

또, 중합 반응시에는, 단량체 성분의 고형분 농도는 0.01 질량% ∼ 용해되는 최대 농도의 범위에서 적절히 설정할 수 있지만, 너무 희박하면 반응의 효율이 나쁘고, 너무 진하면 반응의 제어가 어려워질 우려가 있는 점에서, 바람직하게는, 0.1 ∼ 20 질량% 이다.In addition, during the polymerization reaction, the solid content concentration of the monomer component can be appropriately set in the range of 0.01% by mass to the maximum dissolved concentration, but if it is too lean, the reaction efficiency is poor, and if it is too thick, the control of the reaction may become difficult. In, Preferably, it is 0.1-20 mass %.

상기 그 밖의 단량체로서는, 상기 식 (15) 로 나타내는 구조를 갖는 것인 것이 바람직하다. 또한, 상기 단량체 성분은 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물, 식 (15) 로 나타내는 화합물 모두 1 종 포함하고 있어도 되고, 2 종 이상 포함하고 있어도 된다.It is preferable that the other monomers have a structure represented by the formula (15). In addition, the said monomer component may contain 1 type, or 2 or more types of a boron-containing compound represented by said Formula (2), and a compound represented by Formula (15).

상기 그 밖의 단량체로서는, 상기 식 (15) 로 나타내는 구조를 갖는 화합물을 포함하는 경우, 단량체 성분에 포함되는 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물 1 몰에 대해, 상기 식 (15) 로 나타내는 구조를 갖는 화합물을 0.3 ∼ 3 몰의 비율로 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물 1 몰에 대해, 0.2 ∼ 2 몰의 비율이다.In the case of containing a compound having a structure represented by the formula (15) as the other monomer, the structure represented by the formula (15) with respect to 1 mole of the boron-containing compound represented by the formula (2) contained in the monomer component It is preferable to contain the compound having from 0.3 to 3 mole ratio. More preferably, it is the ratio of 0.2-2 mol with respect to 1 mol of the boron-containing compound represented by said formula (2).

상기 식 (15) 로 나타내는 화합물에 있어서, X7 및 X8 은 상기 서술한 X5 및 X6 에 있어서의 반응성기를 갖는 치환기와 동일한 것을 사용할 수 있다.In the compound represented by the above formula (15), X 7 and X 8 may be the same as the substituent having a reactive group in X 5 and X 6 described above.

본 발명에 있어서의 붕소 함유 중합체가 중축합 반응에 의해 형성되는 경우, 붕소 함유 중합체의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2011-184430호에 기재된 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.When the boron-containing polymer in the present invention is formed by a polycondensation reaction, the method for producing the boron-containing polymer is not particularly limited, but, for example, it can be prepared by the production method described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-184430. I can.

상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이나, 상기 식 (2) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체는 모두 도포에 의한 균일한 막형성이 가능하고, 낮은 HOMO, LUMO 준위를 가지기 때문에, 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.Both the boron-containing compound represented by the above formula (1) or the boron-containing polymer obtained by polymerizing the monomer component containing the boron-containing compound represented by the above formula (2) can form a uniform film by coating, and have low HOMO, Since it has an LUMO level, it can be preferably used as a material for the first organic electroluminescent device of the present invention.

[본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자][Organic EL device of the second preferred embodiment of the present invention]

본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자 (이하, 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자라고도 기재한다) 는 버퍼층이 환원제를 포함하는 것이다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 후술하는 바와 같이, 제 1 전극이 음극, 제 2 전극이 양극이며, 버퍼층은, 버퍼층을 형성하는 재료의 선택에 의해, 전자 수송층으로서의 기능을 발휘할 수 있는 층이다.In the organic electroluminescent device of the second preferred embodiment of the present invention (hereinafter, also referred to as the second organic electroluminescent device of the present invention), the buffer layer contains a reducing agent. In the organic electroluminescent device of the present invention, as will be described later, the first electrode is a cathode, the second electrode is an anode, and the buffer layer is a layer capable of functioning as an electron transport layer by selection of a material forming the buffer layer. to be.

유기 전계 발광 소자에서는, 양극으로부터 홀이 음극으로부터 전자가 공급되고, 이들이 발광층에서 재결합하여 발광하게 되지만, 양극으로부터 공급되는 홀의 일부는 제 2 금속 산화물층, 발광층, 버퍼층, 제 1 금속 산화물층을 통과하여 음극에까지 도달하고, 이것이 유기 전계 발광 소자의 효율을 저하시키는 한 요인이라고 생각된다. 소정의 두께의 버퍼층을 형성함으로써, 홀이 음극까지 도달하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 소자의 효율을 높일 수 있다. 그러나 한편으로, 버퍼층의 두께를 두껍게 하면, 음극으로부터 발광층으로의 전자의 이동이 방해되고, 버퍼층의 두께의 영향이 비교적 적은 에지부와 에지부 이외의 부분에서 발광층에까지 도달하는 전자의 비율에 차가 생겨, 에지부만이 발광하는 현상이 일어난다. 이것에 대해, 버퍼층에 전자를 공급하는 기능을 갖는 환원제를 포함시키면, 발광층에 충분한 전자가 공급되어 전자와 홀의 재결합이 유효하게 이루어지게 되고, 발광에 필요한 구동 전압도 낮아진다. 이로써, 발광 효율이 비약적으로 우수한 유기 전계 발광 소자로 할 수 있다.In an organic electroluminescent device, holes are supplied from the anode and electrons are supplied from the cathode, and they recombine in the emission layer to emit light, but some of the holes supplied from the anode pass through the second metal oxide layer, the emission layer, the buffer layer, and the first metal oxide layer. Thus, it reaches the cathode, and this is considered to be one factor that lowers the efficiency of the organic electroluminescent device. By forming the buffer layer having a predetermined thickness, it is possible to suppress the holes from reaching the cathode, thereby increasing the efficiency of the device. On the other hand, if the thickness of the buffer layer is increased, the movement of electrons from the cathode to the light emitting layer is hindered, and there is a difference in the ratio of electrons reaching the light emitting layer from the edge portion and the portion other than the edge portion where the influence of the thickness of the buffer layer is relatively small. , A phenomenon in which only the edge portion emit light occurs. On the other hand, if a reducing agent having a function of supplying electrons is included in the buffer layer, sufficient electrons are supplied to the light-emitting layer, the recombination of electrons and holes is effectively performed, and the driving voltage required for light emission is lowered. Accordingly, an organic electroluminescent device having remarkably excellent luminous efficiency can be obtained.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 가지며, 그 버퍼층이 환원제를 포함하는 것인 것이 바람직하다.The second organic electroluminescent device of the present invention includes a first metal oxide layer, a buffer layer, a low-molecular compound layer including an emission layer stacked on the buffer layer, and a second metal oxide layer between the first electrode and the second electrode. In this order, it is preferred that the buffer layer contains a reducing agent.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 것인 한, 이들 이외의 다른 층을 가지고 있어도 된다. 본 발명에 있어서의 저분자 화합물의 의미는 상기 서술한 바와 같다.The second organic electroluminescent device of the present invention includes a first metal oxide layer, a buffer layer, a low-molecular compound layer including an emission layer stacked on the buffer layer, and a second metal oxide layer between the first electrode and the second electrode. As long as it has in this order, you may have layers other than these. The meaning of the low molecular weight compound in the present invention is as described above.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층은 유기 화합물을 포함하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 의 층인 것이 바람직하다.In the second organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer is preferably a layer having an average thickness of 5 to 100 nm formed by applying a solution containing an organic compound.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1 금속 산화물층 상에 발광층을 포함하는 저분자 화합물층을 적층시키는 구성으로 한 경우, 금속 산화물층에 접하는 저분자 화합물층의 결정화가 일어남으로써 리크 전류가 증대하여 전류 효율이 저하되고, 현저한 경우에서는 결정화에 의해 균일한 면발광이 얻어지지 않는다는 문제가 발생할 우려가 있다. 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 저분자 화합물층이 결정화하는 원인은 상기 서술한 바와 같다. 이와 같은 결정화는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 특유의 과제이며, 발광층의 호스트로서 저분자 화합물을 사용하는 경우에 새롭게 생기는 과제이다.In the second organic electroluminescent device of the present invention, in the case of laminating a low molecular weight compound layer including a light emitting layer on the first metal oxide layer, crystallization of the low molecular weight compound layer in contact with the metal oxide layer occurs, thereby increasing the leakage current. The current efficiency decreases, and in a remarkable case, there is a concern that a problem that uniform surface light emission cannot be obtained due to crystallization may occur. In the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, the cause of crystallization of the low molecular weight compound layer is as described above. Such crystallization is a problem peculiar to an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, and is a problem newly created when a low-molecular compound is used as a host of the light emitting layer.

이 과제에 대해, 제 1 금속 산화물층과 발광층을 포함하는 저분자 화합물층의 사이에 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 의 버퍼층을 형성하면, 저분자 화합물층에 있어서의 저분자 화합물의 결정화가 억제되고, 이로써, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자가 발광층 등으로서 저분자 화합물로부터 형성되는 층을 갖는 경우라도 리크 전류를 억제할 수 있고, 또, 리크 전류를 원인으로 하는 불균일한 면발광은 억제할 수 있다.For this problem, if a buffer layer having an average thickness of 5 to 100 nm formed by applying a solution containing an organic compound between the first metal oxide layer and the low molecular compound layer including the light emitting layer is formed, the low molecular weight in the low molecular compound layer Crystallization of the compound is suppressed, whereby the leakage current can be suppressed even when the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device has a layer formed from a low-molecular compound as a light emitting layer or the like, and non-uniformity caused by the leakage current Surface light emission can be suppressed.

상기 서술한 바와 같이, 버퍼층의 두께를 두껍게 하면, 발광층의 에지 부분만이 다른 부분에 비해 강하게 발광하는 현상이 관찰되게 되지만, 이에 대해서는, 버퍼층에 환원제를 포함시킴으로써, 이와 같은 에지부만의 발광을 억제하여, 균일한 면발광을 얻을 수 있게 된다. 따라서, 본 발명을 이용하면, 버퍼층의 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 이어도 양호한 소자 특성이 얻어진다.As described above, when the thickness of the buffer layer is increased, it is observed that only the edge portion of the light emitting layer emit light more strongly than other portions, but for this, by including a reducing agent in the buffer layer, only the edge portion can emit light. Suppression, and uniform surface light emission can be obtained. Therefore, when the present invention is used, good device characteristics are obtained even if the average thickness of the buffer layer is 5 to 100 nm.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는, 이와 같이, 전자 수송층으로서 기능할 수 있는 버퍼층을 도포에 의해 형성하고, 그 버퍼층에 n-도펀트인 환원제를 포함시킨 것이며, 이와 같은 구성으로 함으로써, 발광층을 저분자 화합물로 형성하는 것도 가능해지고, 또 발광 효율도 우수한 것이 된다.In the second organic electroluminescent device of the present invention, as described above, a buffer layer capable of functioning as an electron transport layer is formed by coating, and a reducing agent, which is an n-dopant, is included in the buffer layer. It is also possible to form a low-molecular compound, and it is also excellent in luminous efficiency.

버퍼층의 형성 방법이나 재료, 바람직한 두께 등에 대해서는 후술한다.The method, material, and preferred thickness of the buffer layer will be described later.

상기 버퍼층이 포함하는 환원제는 전자 공여성의 화합물이면 특별히 제한되지 않지만, 하이드리드 환원을 실시할 수 있는 하이드리드 환원제인 것이 바람직하다.The reducing agent contained in the buffer layer is not particularly limited as long as it is an electron donating compound, but is preferably a hydride reducing agent capable of performing hydride reduction.

하이드리드 환원제로서는, 2,3-디하이드로벤조[d]이미다졸 화합물 ; 2,3-디하이드로벤조[d]티아졸 화합물 ; 2,3-디하이드로벤조[d]옥사졸 화합물 ; 트리페닐메탄 화합물 ; 디하이드로피리딘 화합물 등의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.As a hydride reducing agent, 2,3-dihydrobenzo[d]imidazole compound; 2,3-dihydrobenzo[d]thiazole compound; 2,3-dihydrobenzo[d]oxazole compound; triphenylmethane Compound; One type or two or more types, such as a dihydropyridine compound, can be used.

이와 같이, 하이드리드 환원제가 2,3-디하이드로벤조[d]이미다졸 화합물, 2,3-디하이드로벤조[d]티아졸 화합물, 2,3-디하이드로벤조[d]옥사졸 화합물, 트리페닐메탄 화합물, 및, 디하이드로피리딘 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 것은 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.Thus, the hydride reducing agent is 2,3-dihydrobenzo [d] imidazole compound, 2,3-dihydrobenzo [d] thiazole compound, 2,3-dihydrobenzo [d] oxazole compound, tri It is one of the preferred embodiments of the present invention that it is at least one compound selected from the group consisting of a phenylmethane compound and a dihydropyridine compound.

하이드리드 환원제로서는, 이 중에서도, 2,3-디하이드로벤조[d]이미다졸 화합물이나, 디하이드로피리딘 화합물이 바람직하다. 보다 바람직하게는, (4-(1,3-디메틸-2,3-디하이드로-1H-벤조이미다졸-2-일)페닐)디메틸아민 (N-DMBI), 또는 2,6-디메틸-1,4-디하이드로피리딘-3,5-디카르복실산디에틸 (한치에스테르) 이다.As a hydride reducing agent, 2,3-dihydrobenzo[d]imidazole compound and a dihydropyridine compound are preferable among these. More preferably, (4-(1,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol-2-yl)phenyl)dimethylamine (N-DMBI), or 2,6-dimethyl-1 ,4-dihydropyridine-3,5-dicarboxylic acid diethyl (hanchi ester).

상기 버퍼층이 포함하는 환원제의 양은, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물 100 질량% 에 대해, 0.1 ∼ 15 질량% 인 것이 바람직하다. 환원제를 이와 같은 비율로 포함하면, 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 충분히 높은 것으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물 100 질량% 에 대해, 0.5 ∼ 10 질량% 이며, 더욱 바람직하게는, 1 ∼ 5 질량% 이다.The amount of the reducing agent contained in the buffer layer is preferably 0.1 to 15% by mass based on 100% by mass of the organic compound forming the buffer layer. When the reducing agent is included in such a ratio, the luminous efficiency of the organic electroluminescent device can be sufficiently high. More preferably, it is 0.5-10 mass% with respect to 100 mass% of the organic compound which forms a buffer layer, More preferably, it is 1-5 mass%.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층을 포함하지만, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층이란, 저분자 화합물에 의해 형성되는 1 개의 층 또는 저분자 화합물에 의해 형성되는 복수의 층이 적층된 것으로서, 그 중의 하나의 층이 발광층인 것이다. 즉, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층이란, 저분자 화합물에 의해 형성되는 발광층, 또는, 저분자 화합물에 의해 형성되는 발광층과 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층이 적층된 것 중 어느 것이다. 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층은 1 층이어도 되고 2 층 이상이어도 된다. 또, 발광층과 그 밖의 층의 적층되는 순번은 특별히 제한되지 않는다.The second organic electroluminescent device of the present invention includes a low-molecular compound layer including an emission layer stacked on a buffer layer, but the low-molecular compound layer including the emission layer means one layer formed of a low molecular compound or a plurality of low molecular compounds. The layers of are stacked, and one of them is a light emitting layer. That is, the low-molecular compound layer including the light-emitting layer is either a light-emitting layer formed of a low-molecular compound, or a stack of a light-emitting layer formed of a low-molecular compound and other layers formed of a low-molecular compound. The other layers formed of the low molecular weight compound may be one layer or two or more layers. Further, the order in which the light emitting layer and other layers are stacked is not particularly limited.

상기 저분자 화합물에 의해 형성되는 그 밖의 층은 정공 수송층 또는 전자 수송층인 것이 바람직하다. 즉, 저분자 화합물층이 복수의 층으로 이루어지는 것인 경우, 발광층 이외의 그 밖의 층으로서, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유기 전계 발광 소자가, 발광층과는 상이한 독립된 층으로서 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 갖는 것은 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 바람직한 실시형태의 하나이다.It is preferable that the other layer formed of the low molecular compound is a hole transport layer or an electron transport layer. That is, when the low molecular weight compound layer is made of a plurality of layers, it is preferable to have a hole transport layer and/or an electron transport layer as other layers other than the light emitting layer. As described above, it is one of preferred embodiments of the second organic electroluminescent device of the present invention that the organic electroluminescent device has a hole transport layer and/or an electron transport layer as independent layers different from the emission layer.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자가 정공 수송층을 독립된 층으로서 갖는 경우, 발광층과 제 2 금속 산화물층의 사이에 정공 수송층을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자가 전자 수송층을 독립된 층으로서 갖는 경우, 버퍼층과 발광층의 사이에 전자 수송층을 갖는 것이 바람직하다.When the second organic electroluminescent device of the present invention has a hole transport layer as an independent layer, it is preferable to have a hole transport layer between the light emitting layer and the second metal oxide layer. When the second organic electroluminescent device of the present invention has an electron transport layer as an independent layer, it is preferable to have an electron transport layer between the buffer layer and the light emitting layer.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자가 독립된 층으로서 정공 수송층이나 전자 수송층을 갖지 않는 경우, 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 필수의 구성으로서 갖는 층 중 어느 것이 이들 층의 기능을 겸하게 된다.When the second organic electroluminescent element of the present invention does not have a hole transport layer or an electron transport layer as an independent layer, any of the layers having as an essential configuration of the second organic electroluminescent element of the present invention also functions as these layers.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태의 하나는 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 발광층, 정공 수송층, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극만으로 이루어지고, 이들 층 중 어느 것이 전자 수송층의 기능을 겸하는 형태이다.One of the preferred forms of the second organic electroluminescent device of the present invention is that the organic electroluminescent device comprises only a first electrode, a first metal oxide layer, a buffer layer, a light emitting layer, a hole transport layer, a second metal oxide layer, and a second electrode, Any of these layers is a type that also functions as an electron transport layer.

또, 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 발광층, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극만으로 이루어지고, 이들 층 중 어느 것이 정공 수송층 및 전자 수송층의 기능을 겸하는 형태도 또 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 바람직한 형태의 하나이다.In addition, the organic electroluminescent device is composed of only a first electrode, a first metal oxide layer, a buffer layer, a light emitting layer, a second metal oxide layer, and a second electrode, and any of these layers also functions as a hole transport layer and an electron transport layer. It is also one of the preferred embodiments of the second organic electroluminescent device of the present invention.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1 전극은 음극이며, 제 2 전극은 양극이다. 제 1 전극, 제 2 전극으로서 사용 가능한 화합물, 및, 그 중에서 바람직한 것은 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자와 동일하다.In the second organic electroluminescent device of the present invention, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode. The compounds usable as the first electrode and the second electrode, and among them, preferred are the same as those of the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

또, 제 1 전극, 제 2 전극의 평균 두께의 바람직한 값도 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자와 동일하다.Moreover, the preferable value of the average thickness of a 1st electrode and a 2nd electrode is also the same as the 1st organic electroluminescent element of this invention mentioned above.

상기 제 1 금속 산화물층은 전자 주입층으로서 기능하고, 제 2 금속 산화물층은 정공 주입층으로서 기능하는 층이다.The first metal oxide layer functions as an electron injection layer, and the second metal oxide layer functions as a hole injection layer.

제 1 금속 산화물층, 제 2 금속 산화물층을 형성하는 화합물의 구체예, 및, 그 중에서 바람직한 것은 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자와 동일하다.Specific examples of the compound for forming the first metal oxide layer and the second metal oxide layer, and preferred among them are the same as those of the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

상기 제 1 금속 산화물층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 2 ∼ 100 nm 이다.The average thickness of the first metal oxide layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 nm. More preferably, it is 2-100 nm.

상기 제 2 금속 산화물층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5 ∼ 50 nm 이다.The average thickness of the second metal oxide layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 nm. More preferably, it is 5 to 50 nm.

제 1 금속 산화물층의 평균 두께는 촉침식 단차계, 분광 엘립소메트리에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the first metal oxide layer can be measured by a stylus type step meter or spectroscopic ellipsometry.

제 2 금속 산화물층의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the second metal oxide layer can be measured at the time of film formation using a crystal oscillator film thickness meter.

발광층의 재료로서는, 발광층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 저분자 화합물도 사용할 수 있고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.As the material for the light-emitting layer, any low-molecular compound that can be used normally as a material for the light-emitting layer may be used, and these may be mixed and used.

저분자계의 것으로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.As the low molecular weight one, the same ones as those in the first organic electroluminescent element of the present invention described above can be used.

상기 발광층은 도펀트를 포함하고 있어도 된다. 도펀트로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 것과 동일한 것을 사용할 수 있고, 발광층이 도펀트를 포함하는 경우의 도펀트의 함유량의 바람직한 범위도 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 경우와 동일하다.The light emitting layer may contain a dopant. As the dopant, the same ones as those in the first organic electroluminescent device of the present invention can be used, and the preferred range of the content of the dopant in the case where the light-emitting layer contains a dopant is also the first organic electric field of the present invention described above. It is the same as in the case of a light emitting device.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 발광층은, 상기의 것 중에서도, 인광 발광 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 발광층이 인광 발광 재료를 포함함으로써, 유기 전계 발광 소자가 보다 발광 효율이 우수한 것이 된다.It is preferable that the light emitting layer of the second organic electroluminescent device of the present invention contains a phosphorescent material among the above. When the light-emitting layer contains a phosphorescent light-emitting material, the organic electroluminescent device becomes more excellent in light-emitting efficiency.

발광층이 인광 발광 재료를 포함하는 경우, 호스트 재료에 게스트 재료 (도펀트) 로서 인광 발광 재료를 포함시킨 재료에 의해 발광층이 형성되는 것이 바람직하다. 발광층이 이와 같은 재료로 형성되는 것인 경우, 발광층을 형성하는 재료에 대한 인광 발광 재료의 함유량은 상기 발광층이 도펀트를 포함하는 경우의 발광층을 형성하는 재료에 대한 도펀트의 함유량과 동일한 것이 바람직하다.When the light-emitting layer contains a phosphorescent material, it is preferable that the light-emitting layer is formed of a material containing a phosphorescent material as a guest material (dopant) in the host material. When the light emitting layer is formed of such a material, the content of the phosphorescent light emitting material to the material forming the light emitting layer is preferably the same as the content of the dopant to the material forming the light emitting layer when the light emitting layer contains a dopant.

상기 인광 발광 재료로서는, 인광 발광 재료로서는, 하기 식 (25), (26) 중 어느 것으로 나타내는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the phosphorescent material, a compound represented by any of the following formulas (25) and (26) can be preferably used as the phosphorescent material.

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112014106029210-pct00038
Figure 112014106029210-pct00038

(식 (25) 중, 점선의 원호는 산소 원자와 3 개의 탄소 원자로 구성된 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, 질소 원자를 포함하여 형성되는 고리 구조는 복소 고리 구조이다. X', X'' 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. X', X'' 는 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성해도 된다. 또, n2 가 2 이상인 경우에는, 복수의 X' 끼리 또는 X'' 끼리가 결합하여 1 개의 치환기를 형성하고 있어도 된다. 질소 원자와 3 개의 탄소 원자로 구성된 골격 부분에 있어서의 점선은 점선으로 연결되는 2 개의 원자가 단결합 또는 이중 결합으로 결합하고 있는 것을 나타낸다. M' 는 금속 원자를 나타낸다. 질소 원자로부터 M' 로의 화살표는 질소 원자가 M' 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. n2 는 금속 원자 M' 의 가수를 나타낸다.)(In formula (25), the circular arc of the dotted line indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part composed of an oxygen atom and three carbon atoms, and the ring structure formed including a nitrogen atom is a heterocyclic structure. X ', X'is the same or different, represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion. X', X''May combine to form a new ring structure with some of the two ring structures indicated by the dotted arcs. In addition, when n 2 is 2 or more, a plurality of X's or X's may be combined to form one The dotted line in the skeleton portion composed of a nitrogen atom and three carbon atoms indicates that the two atoms connected by the dotted line are bonded by a single bond or a double bond, M'represents a metal atom. The arrow from atom to M'indicates that the nitrogen atom is coordinated with the M'atom, n 2 represents the valence of the metal atom M'.)

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112014106029210-pct00039
Figure 112014106029210-pct00039

(식 (26) 중, 점선의 원호는 산소 원자와 3 개의 탄소 원자로 구성된 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, 질소 원자를 포함하여 형성되는 고리 구조는 복소 고리 구조이다. X', X'' 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. X', X'' 는 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성해도 된다. 질소 원자와 3 개의 탄소 원자로 구성된 골격 부분에 있어서의 점선은 점선으로 연결되는 2 개의 원자가 단결합 또는 이중 결합으로 결합하고 있는 것을 나타낸다. M' 는 금속 원자를 나타낸다. 질소 원자로부터 M' 로의 화살표는 질소 원자가 M' 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. n2 는 금속 원자 M' 의 가수를 나타낸다. Xa 와 Xb 를 연결하는 실선의 원호는 Xa 와 Xb 가 적어도 1 개의 다른 원자를 개재하여 결합하고 있는 것을 나타내고, Xa 와 Xb 와 함께 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. Xa, Xb 는 동일 또는 상이하고, 산소 원자, 질소 원자, 탄소 원자 중 어느 것을 나타낸다. Xb 로부터 M' 로의 화살표는 Xb 가 M' 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. m' 는 1 ∼ 3 의 수이다.)(In formula (26), the circular arc of the dotted line indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part composed of an oxygen atom and three carbon atoms, and the ring structure formed including a nitrogen atom is a heterocyclic structure. X ', X'is the same or different, represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion. X', X''May combine to form a new ring structure with a portion of the two ring structures indicated by the dotted circular arcs. The dotted line in the skeletal part consisting of a nitrogen atom and three carbon atoms is a single bond or a single bond of two atoms connected by a dotted line. M'represents a metal atom, the arrow from the nitrogen atom to M'indicates that the nitrogen atom is coordinated with the M'atom, n 2 represents the valence of the metal atom M'X arc of the solid line connecting the a and X b may form a ring structure with the indicates that the bond to the X a and X b via the at least one other atom, X a and X b. X a, X b represents any of the same or different, an oxygen atom, a nitrogen atom, a carbon atom. from X b M 'arrow to have a X b M' indicates that they are coordinated to atoms. m 'is a number from 1 to 3 .)

상기 식 (25) 및 식 (26) 에 있어서의 점선의 원호로 나타내는 고리 구조로서는, 탄소수 2 ∼ 20 의 방향 고리나 복소 고리를 들 수 있고, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 트리아진 고리, 벤조티아졸 고리, 벤조티올 고리, 벤조옥사졸 고리, 벤조옥솔 고리, 벤조이미다졸 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 및 페난트리딘 고리, 티오펜 고리, 푸란 고리, 벤조티오펜 고리, 벤조푸란 고리 등의 복소 고리를 들 수 있다.Examples of the ring structure represented by the dotted circular arc in the formulas (25) and (26) include aromatic rings and heterocycles having 2 to 20 carbon atoms, and aromatic hydrocarbon rings such as benzene rings, naphthalene rings, and anthracene rings. Pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzothiazole ring, benzothiol ring, benzoxazole ring, benzoxole ring, benzoimidazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, and And hetero rings such as a phenanthridine ring, a thiophene ring, a furan ring, a benzothiophene ring, and a benzofuran ring.

상기 식 (25) 및 식 (26) 에 있어서 X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기로서는, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 아르알킬기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 아릴기, 아릴아미노기, 시아노기, 아미노기, 아실기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 디알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 아르알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 할로알킬기, 수산기, 아릴옥시기, 카르바졸기 등을 들 수 있다.In the formulas (25) and (26), examples of the substituent in the ring structure represented by X'and X'' include a halogen atom, 1 to 20 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms, Preferably a C1-C10 aralkyl group, a C1-C20, preferably a C1-C10 alkenyl group, a C1-C20 aryl group, preferably a C1-C10 aryl group, an arylamino group, a cyano group, an amino group , An acyl group, a C1-C20, preferably a C1-C10 alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a C1-C20, preferably a C1-C10 alkoxy group, a C1-C20, preferably a C1-C10 Alkylamino group, C1-C20, preferably C1-C10 dialkylamino group, C1-C20, preferably C1-C10 aralkylamino group, C1-C20, Preferably C1-C10 A haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, a carbazole group, and the like.

또한, X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기가 아릴기, 아릴아미노기인 경우, 아릴기, 아릴아미노기에 포함되는 방향 고리가 추가로 치환기를 가지고 있어도 되고, 그 경우의 치환기로서는, 상기 X', X'' 로 나타내는 치환기의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.In addition, when the substituent of the ring structure represented by X'and X'' is an aryl group or an arylamino group, the aromatic ring contained in the aryl group or arylamino group may further have a substituent. The same thing as the specific example of the substituent represented by X'and X'' is mentioned.

상기 식 (25) 및 식 (26) 에 있어서, X', X'' 로 나타내는 치환기끼리가 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성하고 있는 경우, 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조와 새로운 고리 구조를 합한 고리 구조로서는, 예를 들어, 하기 (27-1), (27-2) 와 같은 구조를 들 수 있다.In the above formulas (25) and (26), when substituents represented by X'and X'' are bonded to form a new ring structure together with some of the two ring structures represented by dotted circular arcs, the dotted line As a ring structure in which two ring structures represented by an arc and a new ring structure are combined, structures such as the following (27-1) and (27-2) are exemplified.

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112014106029210-pct00040
Figure 112014106029210-pct00040

상기 식 (25) 및 식 (26) 에 있어서, M' 로 나타내는 금속 원자로서는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금을 들 수 있다.In the above formulas (25) and (26), examples of the metal atom represented by M'include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

상기 식 (26) 으로 나타내는 구조로서는, 하기 식 (28-1), (28-2) 의 구조 등을 들 수 있다.Examples of the structure represented by the above formula (26) include structures of the following formulas (28-1) and (28-2).

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112014106029210-pct00041
Figure 112014106029210-pct00041

(식 (28-1), (28-2) 중, R3 ∼ R5 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다. 식 (28-2) 에 있어서, R3 ∼ R5 가 1 가의 치환기의 경우, 고리 구조가 복수의 1 가의 치환기를 가지고 있어도 된다. 질소 원자로부터 M' 로의 화살표 및 산소 원자로부터 M' 로의 화살표는 질소 원자, 산소 원자가 M' 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. 점선의 원호, 질소 원자와 3 개의 탄소 원자로 구성된 골격 부분에 있어서의 점선, X', X'', M', n2, m' 는 식 (26) 과 동일하다.)(In formulas (28-1) and (28-2), R 3 to R 5 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. In formula (28-2), R 3 to R 5 are In the case of a monovalent substituent, the ring structure may have a plurality of monovalent substituents Arrows from a nitrogen atom to M'and an arrow from an oxygen atom to M'indicate that a nitrogen atom and an oxygen atom are coordinated with the M'atom. The dotted arc, the dotted line in the skeletal part composed of a nitrogen atom and 3 carbon atoms, X', X'', M', n 2 and m'are the same as in formula (26).)

R3 ∼ R5 의 1 가의 치환기로서는, 상기 식 (25), (26) 에 있어서 X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the monovalent substituent of R 3 to R 5 include the same substituents of the ring structures represented by X'and X'' in the formulas (25) and (26).

상기 식 (25) 나 식 (26) 으로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 식 (29-1) ∼ (29-30) 으로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by said formula (25) or formula (26), the compound etc. represented by following formula (29-1)-(29-30) are mentioned.

[화학식 36-1][Chemical Formula 36-1]

Figure 112014106029210-pct00042
Figure 112014106029210-pct00042

[화학식 36-2][Chemical Formula 36-2]

Figure 112014106029210-pct00043
Figure 112014106029210-pct00043

[화학식 36-3][Chemical Formula 36-3]

Figure 112014106029210-pct00044
Figure 112014106029210-pct00044

[화학식 36-4][Chemical Formula 36-4]

Figure 112014106029210-pct00045
Figure 112014106029210-pct00045

본 발명에 있어서의 인광 발광 재료로서는, 상기 서술한 것 중 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있지만, 이들 중에서도, 상기 식 (29-1) 로 나타내는 이리듐트리스(2-페닐피리딘) (Ir(ppy)3), 상기 식 (29-19) 로 나타내는 이리듐트리스(1-페닐이소퀴놀린) (Ir(piq)3), 상기 식 (29-27) 로 나타내는 이리듐비스(2-메틸디벤조-[f,h]퀴녹살린)(아세틸아세토네이트) (Ir(MDQ)2(acac)), 상기 식 (29-28) 로 나타내는 이리듐트리스[3-메틸-2-페닐피리딘](Ir(mpy)3) 등이 바람직하다.As the phosphorescent material in the present invention, one or two or more of those described above can be used, but among these, iridium tris (2-phenylpyridine) represented by the formula (29-1) (Ir (ppy ) 3 ), iridium tris (1-phenylisoquinoline) (Ir (piq) 3 ) represented by the formula (29-19), iridium bis (2-methyldibenzo-[f) represented by the formula (29-27) ,h] Quinoxaline) (acetylacetonate) (Ir(MDQ) 2 (acac)), iridium tris [3-methyl-2-phenylpyridine] (Ir(mpy) 3 ) represented by the above formula (29-28) And the like are preferred.

상기 호스트 재료로서는, 하기 식 (30) ; As the host material, the following formula (30);

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112014106029210-pct00046
Figure 112014106029210-pct00046

(식 (30) 중, 점선의 원호는 산소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, Z1 과 질소 원자를 포함하여 형성되는 고리 구조는 복소 고리 구조이다. X', X'' 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. X', X'' 는 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성해도 된다. 산소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선은 점선으로 연결되는 2 개의 원자가 단결합 또는 이중 결합으로 결합하고 있는 것을 나타낸다. M 은 금속 원자를 나타낸다. Z1 은 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. 질소 원자로부터 M 으로의 화살표는 질소 원자가 M 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. R0 은 1 가의 치환기 또는 2 가의 연결기를 나타낸다. m 은 R0 의 수를 나타내고, 0 또는 1 의 수이다. n3 은 금속 원자 M 의 가수를 나타낸다. r 은 1 또는 2 의 수이다.) 으로 나타내는 금속 착물,(In formula (30), the circular arc of the dotted line indicates that a ring structure is formed with a part of the skeleton connecting the oxygen atom and the nitrogen atom, and the ring structure formed including Z 1 and the nitrogen atom is a heterocyclic structure. X'and X'' are the same or different, represent a hydrogen atom, or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming the circular arc portion of the dotted line. , X'' may be combined to form a new ring structure together with some of the two ring structures indicated by the dotted circular arc. The dotted line in the skeletal part connecting the oxygen atom and the nitrogen atom is the two valences connected by the dotted line. It represents bonded by a single bond or a double bond M represents a metal atom Z 1 represents a carbon atom or a nitrogen atom The arrow from the nitrogen atom to M represents that the nitrogen atom is coordinated with the M atom R 0 represents a monovalent substituent or a divalent linking group, m represents the number of R 0 and is a number of 0 or 1. n 3 represents the valence of the metal atom M. r is a number of 1 or 2.) Representing metal complexes,

하기 식 (31) ; The following formula (31);

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112014106029210-pct00047
Figure 112014106029210-pct00047

(식 중, X', X'' 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 퀴놀린 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 퀴놀린 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. M 은 금속 원자를 나타낸다. 질소 원자로부터 M 으로의 화살표는 질소 원자가 M 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. R0 은 1 가의 치환기 또는 2 가의 연결기를 나타낸다. m 은 R0 의 수를 나타내고, 0 또는 1 의 수이다. n3 은 금속 원자 M 의 가수를 나타낸다. r 은 1 또는 2 의 수이다.) 로 나타내는 금속 착물, (In the formula, X'and X'' are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the quinoline ring structure, and may be bonded to the quinoline ring structure in a plurality. M represents a metal atom. The arrow from the nitrogen atom to M indicates that the nitrogen atom is coordinated with the M atom, R 0 represents a monovalent substituent or a divalent linking group, m represents the number of R 0 and is the number of 0 or 1. n 3 represents the valence of the metal atom M. r is a number of 1 or 2.)

하기 식 (32) ; The following formula (32);

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112014106029210-pct00048
Figure 112014106029210-pct00048

(식 중, 점선의 원호는 산소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타내고, Z1 과 질소 원자를 포함하여 형성되는 고리 구조는 복소 고리 구조이다. X', X'' 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. X', X'' 는 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성해도 된다. 산소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선은 점선으로 연결되는 2 개의 원자가 단결합 또는 이중 결합으로 결합하고 있는 것을 나타낸다. M 은 금속 원자를 나타낸다. Z1 은 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. 질소 원자로부터 M 으로의 화살표는 질소 원자가 M 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. n3 은 금속 원자 M 의 가수를 나타낸다. Xa 와 Xb 를 연결하는 실선의 원호는 Xa 와 Xb 가 적어도 1 개의 다른 원자를 개재하여 결합하고 있는 것을 나타내고, Xa 와 Xb 와 함께 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. 또 적어도 1 개의 다른 원자를 개재시킨 Xa 와 Xb 의 결합 중에 배위 결합을 포함하고 있어도 된다. Xa, Xb 는 동일 또는 상이하고, 산소 원자, 질소 원자, 탄소 원자 중 어느 것을 나타낸다. Xb 로부터 M 으로의 화살표는 Xb 가 M 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. m' 는 1 ∼ 3 의 수이다.) 로 나타내는 금속 착물을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.(In the formula, the circular arc of the dotted line indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton that connects the oxygen atom and the nitrogen atom, and the ring structure formed including Z 1 and the nitrogen atom is a heterocyclic structure. X ', X'is the same or different, represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion. X', X''May combine to form a new ring structure together with a part of the two ring structures indicated by the dotted circular arc. The dotted line in the skeletal part connecting the oxygen atom and the nitrogen atom is a single bond or It represents bonded by a double bond M represents a metal atom Z 1 represents a carbon atom or a nitrogen atom The arrow from the nitrogen atom to M represents that the nitrogen atom is coordinated with the M atom n 3 represents a metal represents the valence of the atom M. arc of the solid line connecting the X a and X b represents that the bond to the X a and X b via the at least one other atom, form a ring structure together with X a and X b In addition, a coordination bond may be included in the bond between X a and X b through at least one other atom, and X a and X b are the same or different, and any of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a carbon atom indicates that. from X b arrow to the M indicates a X b that is coordinated to the M atom. m 'is a number from 1 to 3.) include metal complexes represented by, and these one or two of You can use the above.

상기 식 (30) 에 있어서, r 이 1 인 경우, M 원자를 구조 중에 1 개 갖는 하기 식 (33-1) 로 나타내는 금속 착물이 되고, r 이 2 인 경우, M 원자를 구조 중에 2 개 갖는 하기 식 (33-2) 로 나타내는 금속 착물이 된다.In the above formula (30), when r is 1, it becomes a metal complex represented by the following formula (33-1) having one M atom in the structure, and when r is 2, it has two M atoms in the structure. It becomes a metal complex represented by the following formula (33-2).

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112014106029210-pct00049
Figure 112014106029210-pct00049

상기 식 (30), 식 (32) 에 있어서 점선의 원호로 나타내는 고리 구조로서는, 1 개의 고리로 이루어지는 고리 구조이어도 되고, 2 개 이상의 고리로 이루어지는 고리 구조이어도 된다. 이와 같은 고리 구조로서는, 탄소수 2 ∼ 20 의 방향 고리나 복소 고리를 들 수 있고, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리 등의 방향 고리 ; 디아졸 고리, 티아졸 고리, 이소티아졸 고리, 옥사졸 고리, 이소옥사졸 고리, 티아디아졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 이미다졸린 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 디아진 고리, 트리아진 고리, 벤조이미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 벤조트리아졸 고리 등의 복소 고리를 들 수 있다.In the above formulas (30) and (32), the ring structure represented by the dotted circular arc may be a ring structure consisting of one ring or a ring structure consisting of two or more rings. Examples of such a cyclic structure include aromatic rings and heterocycles having 2 to 20 carbon atoms, and aromatic rings such as benzene rings, naphthalene rings and anthracene rings; diazole rings, thiazole rings, isothiazole rings, oxazole rings , Isoxazole ring, thiadiazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, imidazoline ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, diazine ring, triazine ring And heterocycles such as a benzoimidazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, and a benzotriazole ring.

이들 중에서도, 벤젠 고리, 티아졸 고리, 이소티아졸 고리, 옥사졸 고리, 이소옥사졸 고리, 티아디아졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 이미다졸린 고리, 피리딘 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 벤조이미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 벤조트리아졸 고리가 바람직하다.Among these, benzene ring, thiazole ring, isothiazole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiadiazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, imidazoline ring, pyridine ring, A pyridazine ring, a pyrimidine ring, a benzoimidazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, and a benzotriazole ring are preferred.

상기 식 (30) ∼ (32) 에 있어서 X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기로서는, 상기 식 (25), 식 (26) 에 있어서 X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.As a substituent in the ring structure represented by X'and X'' in the formulas (30) to (32), the ring structure represented by X'and X'' in the formulas (25) and (26) The same thing as a substituent is mentioned.

상기 식 (30), 식 (32) 에 있어서, X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기끼리가 결합하여 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조의 일부와 함께 새로운 고리 구조를 형성하고 있는 경우, 점선의 원호로 나타내는 2 개의 고리 구조와 새로운 고리 구조를 합한 고리 구조로서는, 예를 들어, 상기 (27-1), (27-2) 와 같은 구조를 들 수 있다.In the above formulas (30) and (32), substituents of the ring structure represented by X'and X'' are bonded to each other to form a new ring structure together with some of the two ring structures represented by dotted circular arcs. In the case, as a ring structure in which two ring structures represented by dotted circular arcs and a new ring structure are combined, structures such as (27-1) and (27-2) are mentioned, for example.

상기 식 (30) ∼ (32) 에 있어서, M 으로 나타내는 금속 원자로서는, 주기표의 제 1 ∼ 3 족, 9 족, 10 족, 12 족 또는 13 족의 금속 원자가 바람직하고, 아연, 알루미늄, 갈륨, 백금, 로듐, 이리듐, 베릴륨, 마그네슘 중 어느 것이 바람직하다.In the formulas (30) to (32), the metal atom represented by M is preferably a metal atom from Groups 1 to 3, 9, 10, 12, or 13 of the periodic table, and zinc, aluminum, gallium, Any of platinum, rhodium, iridium, beryllium, and magnesium is preferable.

상기 식 (30), 식 (31) 에 있어서 R0 이 1 가의 치환기인 경우, 1 가의 치환기는 하기 식 (34-1) ∼ (34-3) 중 어느 것인 것이 바람직하다.In the above formulas (30) and (31), when R 0 is a monovalent substituent, the monovalent substituent is preferably any one of the following formulas (34-1) to (34-3).

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112014106029210-pct00050
Figure 112014106029210-pct00050

(식 중, Ar1 ∼ Ar5 는 치환기를 가지고 있어도 되는 방향 고리, 복소 고리, 혹은, 방향 고리 또는 복소 고리가 2 개 이상 직접 결합한 구조를 나타내고, Ar3 ∼ Ar5 는 동일한 구조이거나 상이한 구조이어도 된다. Q0 은 규소 원자 또는 게르마늄 원자를 나타낸다.)(In the formula, Ar 1 to Ar 5 represents a structure in which two or more aromatic rings, hetero rings, or two or more aromatic rings or heterocycles which may have a substituent are directly bonded, and Ar 3 to Ar 5 may have the same structure or different structures. Q 0 represents a silicon atom or a germanium atom.)

Ar1 ∼ Ar5 의 방향 고리 또는 복소 고리의 구체예로서는, 상기 식 (30) 에 있어서 점선의 원호로 나타내는 고리 구조의 방향 고리 또는 복소 고리의 구체예와 동일한 것을 들 수 있고, 방향 고리 또는 복소 고리가 2 개 이상 직접 결합한 구조로서는, 이들 방향 고리 또는 복소 고리의 구체예로서 예시된 고리 구조가 2 개 이상 직접 결합한 구조를 들 수 있다. 또한 이 경우, 직접 결합하는 2 개 이상의 방향 고리나 복소 고리는 동일한 고리 구조이어도 되고, 상이한 고리 구조이어도 된다.Specific examples of the aromatic ring or heterocycle of Ar 1 to Ar 5 include the same as the specific examples of the aromatic ring or heterocyclic ring of the ring structure represented by the dotted circular arc in the formula (30), and the aromatic ring or the hetero ring Examples of the structure in which two or more A are directly bonded include a structure in which two or more ring structures exemplified as specific examples of these aromatic rings or heterocycles are directly bonded. In this case, the two or more aromatic rings or heterocycles directly bonded may have the same ring structure or different ring structures.

방향 고리 또는 복소 고리의 치환기의 구체예로서는, 상기 식 (30) 에 있어서 점선의 원호로 나타내는 고리 구조의 방향 고리 또는 복소 고리의 치환기의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.As a specific example of the substituent of an aromatic ring or a heterocyclic ring, the thing similar to the specific example of the substituent of the aromatic ring or the heterocyclic ring of the ring structure represented by the dotted circular arc in said formula (30) is mentioned.

상기 식 (30), 식 (31) 에 있어서 R0 이 2 가의 연결기인 경우, R0 은 -O-, -CO- 중 어느 하나인 것이 바람직하다.In the above formulas (30) and (31), when R 0 is a divalent linking group, it is preferable that R 0 is either -O- or -CO-.

상기 식 (32) 에 있어서, Xa, Xb 와, Xa 와 Xb 를 연결하는 실선의 원호로 형성되는 구조는 고리 구조를 1 개 또는 복수 포함하고 있어도 된다. 고리 구조는 Xa, Xb 를 포함하여 형성되어 있어도 되고, 그 경우의 고리 구조로서는, 상기 식 (30), 식 (32) 에 있어서 점선의 원호로 나타내는 고리 구조와 동일한 것이나, 피라졸 고리를 들 수 있다. 바람직하게는, Xa, Xb 를 포함하여 피라졸 고리가 형성된 구조이다.In the formula (32), X a, the structure is formed in a circular arc of a solid line connecting the X and b, X a and X b is a ring structure may contain one or a plurality. The ring structure may be formed including X a and X b , and the ring structure in that case is the same as the ring structure represented by the dotted circular arc in the above formulas (30) and (32), or a pyrazole ring. Can be lifted. Preferably, it is a structure in which a pyrazole ring is formed including X a and X b .

상기 식 (32) 에 있어서, Xa 와 Xb 를 연결하는 실선의 원호는 탄소 원자만으로 이루어지는 것이어도 되고, 다른 원자를 포함하고 있어도 된다. 다른 원자로서는, 붕소 원자, 질소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.In the formula (32), the circular arc of the solid line connecting X a and X b may consist of only carbon atoms or may contain other atoms. As another atom, a boron atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, etc. are mentioned.

또 Xa 와 Xb 를 연결하는 실선의 원호는 Xa, Xb 를 포함하여 형성되는 고리 구조 이외의 고리 구조를 1 개 또는 2 개 이상 포함하고 있어도 되고, 그 경우의 고리 구조로서는, 상기 식 (30), 식 (32) 에 있어서 점선의 원호로 나타내는 고리 구조와 동일한 것이나, 피라졸 고리를 들 수 있다.Also as the arc of the solid line connecting the X a and X b is may contain a ring structure other than the ring structure formed including X a, X b or 2 greater than or equal to 1, the ring structure in that case, the formula In (30) and formula (32), the same thing as the ring structure represented by the dotted circular arc, and a pyrazole ring are mentioned.

상기 식 (32) 로 나타내는 구조로서는, 하기 식 (35) 의 구조 등을 들 수 있다.As a structure represented by said formula (32), the structure etc. of following formula (35) are mentioned.

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112014106029210-pct00051
Figure 112014106029210-pct00051

(식 (35) 중, R3 ∼ R5 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다. 질소 원자로부터 M 으로의 화살표 및 산소 원자로부터 M 으로의 화살표는 질소 원자, 산소 원자가 M 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. 점선의 원호, 산소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선, X', X'', M, Z1, n3, m' 는 식 (32) 와 동일하다.)(In formula (35), R 3 to R 5 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. The arrow from nitrogen atom to M and the arrow from oxygen atom to M are nitrogen atom, oxygen atom is M atom. The circular arc of the dotted line, the dotted line in the skeletal part connecting the oxygen atom and the nitrogen atom, X', X'', M, Z 1 , n 3 and m'are the same as in Equation (32). Do.)

식 (35) 의 R3 ∼ R5 의 1 가의 치환기로서는, 상기 식 (25), (26) 에 있어서 X', X'' 로 나타내는 고리 구조가 갖는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the monovalent substituent of R 3 to R 5 in the formula (35) include the same substituents of the ring structures represented by X'and X'' in the formulas (25) and (26).

상기 식 (30) 으로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 식 (36-1) ∼ (36-40) 으로 나타내는 구조의 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by the said formula (30), the compound etc. of the structure represented by following formula (36-1)-(36-40) are mentioned.

[화학식 43-1][Chemical Formula 43-1]

Figure 112014106029210-pct00052
Figure 112014106029210-pct00052

[화학식 43-2][Chemical Formula 43-2]

Figure 112014106029210-pct00053
Figure 112014106029210-pct00053

[화학식 43-3][Chemical Formula 43-3]

Figure 112014106029210-pct00054
Figure 112014106029210-pct00054

[화학식 43-4][Formula 43-4]

Figure 112014106029210-pct00055
Figure 112014106029210-pct00055

상기 식 (31) 로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 식 (37-1) ∼ (37-3) 으로 나타내는 구조의 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by the said formula (31), the compound etc. of the structure represented by following formula (37-1)-(37-3) are mentioned.

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112014106029210-pct00056
Figure 112014106029210-pct00056

상기 식 (32) 로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 식 (38-1) ∼ (38-8) 로 나타내는 구조의 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by the said formula (32), the compound etc. of the structure represented by the following formula (38-1)-(38-8) are mentioned.

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112014106029210-pct00057
Figure 112014106029210-pct00057

본 발명에 있어서의 호스트 재료로서는, 상기 서술한 것의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있지만, 이들 중에서도, 상기 식 (36-11) 로 나타내는 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀라토]아연, 상기 식 (36-34) 로 나타내는 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이트)베릴륨 (Bebq2), 상기 식 (36-35) 로 나타내는 비스[2-(2-하이드록시페닐)-피리딘]베릴륨 (Bepp2) 이 바람직하다.As the host material in the present invention, one or two or more of those described above can be used, but among these, bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato] represented by the above formula (36-11) Zinc, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinate)beryllium (Bebq 2 ) represented by the above formula (36-34), bis[2-(2-hydroxyphenyl) represented by the above formula (36-35) )-Pyridine] beryllium (Bepp 2 ) is preferred.

상기 발광층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 150 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 100 nm 이다.The average thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 20-100 nm.

발광층의 평균 두께는 수정 진동자 막후계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다.The average thickness of the light emitting layer can be measured at the time of film formation using a crystal oscillator film thickness meter.

상기 정공 수송층의 재료로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 정공 수송층의 재료와 동일한 것을 사용할 수 있다.As the material for the hole transport layer, the same material as the material for the hole transport layer in the first organic electroluminescent device of the present invention described above can be used.

또, 정공 수송층의 평균 두께의 바람직한 값도 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 경우와 동일하다.Further, the preferable value of the average thickness of the hole transport layer is also the same as in the case of the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

상기 전자 수송층의 재료로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 전자 수송층의 재료와 동일한 것을 사용할 수 있다.As the material for the electron transport layer, the same material as the material for the electron transport layer in the first organic electroluminescent device of the present invention described above can be used.

또, 전자 수송층의 평균 두께의 바람직한 값도 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 경우와 동일하다.Further, the preferable value of the average thickness of the electron transport layer is also the same as in the case of the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층을 형성하는 방법도 또 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 이들 층의 형성 방법과 동일하다.In the organic electroluminescent device of the present invention, the method of forming the first and second metal oxide layers, the second electrode, the light-emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer is also in the first organic electroluminescent device of the present invention described above. Is the same as the method of forming these layers.

본 발명의 유기 전계 발광 소자가 포함하는 버퍼층은, 상기 서술한 바와 같이, 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 층인 것이 바람직하다. 도포에 의해 소정 두께의 버퍼층을 형성함으로써 버퍼층 상에 막형성하는 저분자 화합물의 결정화를 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.It is preferable that the buffer layer included in the organic electroluminescent device of the present invention is a layer formed by applying a solution containing an organic compound as described above. By forming a buffer layer having a predetermined thickness by application, it becomes possible to effectively suppress the crystallization of the low molecular weight compound to be formed on the buffer layer.

상기 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하는 방법, 유기 화합물을 함유하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매, 및, 용매 중의 유기 화합물의 농도도 또, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 버퍼층을 형성하는 경우의 방법, 및, 용매, 및, 농도와 동일하다. 버퍼층을 도포 막형성함으로써, 제 1 금속 산화물층 표면에 존재하는 요철이 평활화되기 때문에, 다음으로 버퍼층 상에 막형성하는 저분자 화합물의 결정화가 억제된다.The method of applying the solution containing the organic compound, the solvent used to prepare the solution containing the organic compound, and the concentration of the organic compound in the solvent are also added to the first organic electroluminescent device of the present invention described above. In the case of applying a solution containing an organic compound to form a buffer layer, it is the same as the method, the solvent, and the concentration. Since the unevenness existing on the surface of the first metal oxide layer is smoothed by forming the buffer layer as a coating film, crystallization of the low-molecular compound formed on the buffer layer next is suppressed.

이와 같은 버퍼층과 일본 공개특허공보 2012-4492호 (특허문헌 5) 에 개시되어 있는 발명과의 상이는 상기 서술한 바와 같다.The difference between such a buffer layer and the invention disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-4492 (Patent Document 5) is as described above.

상기 버퍼층은 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 인 것이 바람직하다. 평균 두께가 이와 같은 범위임으로써, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층의 결정화를 억제하는 효과를 충분히 발휘할 수 있다. 버퍼층의 평균 두께가 5 nm 보다 얇으면, 제 1 금속 산화물 표면에 존재하는 요철을 충분히 평활화할 수 없고, 리크 전류가 커져 버퍼층을 형성하는 것의 효과를 충분히 발휘할 수 없는 우려가 있다. 또, 버퍼층의 평균 두께가 100 nm 보다 두꺼우면, 구동 전압이 상승하여 실용상 바람직하지 않다. 또, 유기 화합물로서 후술하는 본 발명에 있어서의 바람직한 구조의 화합물을 사용한 경우에는, 버퍼층은 전자 수송층으로서의 기능도 충분히 발휘할 수 있다. 상기 버퍼층의 평균 두께는 보다 바람직하게는 10 ∼ 60 nm 이다.It is preferable that the buffer layer has an average thickness of 5 to 100 nm. When the average thickness is in such a range, the effect of suppressing crystallization of the low molecular weight compound layer including the light emitting layer can be sufficiently exhibited. If the average thickness of the buffer layer is less than 5 nm, there is a fear that the unevenness present on the first metal oxide surface cannot be sufficiently smoothed, the leakage current becomes large, and the effect of forming the buffer layer cannot be sufficiently exhibited. In addition, if the average thickness of the buffer layer is larger than 100 nm, the driving voltage increases, which is not preferable in practical use. In addition, when a compound having a preferable structure in the present invention described later is used as the organic compound, the buffer layer can sufficiently exhibit the function as an electron transport layer. The average thickness of the buffer layer is more preferably 10 to 60 nm.

버퍼층의 평균 두께는 촉침식 단차계, 분광 엘립소메트리에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the buffer layer can be measured by a stylus type step meter or spectral ellipsometry.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 적층된 것이어도 된다. 기판 상에 각 층이 적층된 것인 경우, 기판 상에 형성된 제 1 전극 상에 각 층이 형성된 것이 바람직하다. 이 경우, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판이 있는 측과는 반대측에 광을 취출하는 탑 에미션형의 것이어도 되고, 기판이 있는 측에 광을 취출하는 보텀 에미션형의 것이어도 된다.The second organic electroluminescent device of the present invention may be formed by stacking layers constituting the organic electroluminescent device on a substrate. When each layer is stacked on the substrate, it is preferable that each layer is formed on the first electrode formed on the substrate. In this case, the organic electroluminescent device of the present invention may be of a top emission type in which light is extracted on the side opposite to the side with the substrate, or may be of a bottom emission type in which light is extracted on the side with the substrate.

상기 기판의 재료, 기판의 평균 두께는 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 기판의 재료, 기판의 평균 두께와 동일하다.The material of the substrate and the average thickness of the substrate are the same as the material of the substrate and the average thickness of the substrate in the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물의 예로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서의 버퍼층을 형성하는 유기 화합물과 동일한 것을 들 수 있다.In the second organic electroluminescent device of the present invention, examples of the organic compound forming the buffer layer include the same organic compound as the organic compound forming the buffer layer in the first organic electroluminescent device of the present invention described above.

또, 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물은 붕소 원자를 갖는 유기 화합물인 것이 바람직하고, 상기 서술한 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 구조의 붕소 함유 화합물이 바람직한 이유는 상기 서술한 바와 같다.Further, in the second organic electroluminescent device of the present invention, the organic compound forming the buffer layer is preferably an organic compound having a boron atom, and more preferably a boron-containing compound represented by the above-described formula (1). The reason why a boron-containing compound having such a structure is preferable is as described above.

또 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물 중에서의 바람직한 구조도 본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자의 경우와 동일하다.In addition, the preferred structure in the boron-containing compound represented by formula (1) is also the same as in the case of the first organic electroluminescent device of the present invention.

상기 식 (1) 로 나타내는 붕소 함유 화합물은, 도포에 의한 균일한 막형성이 가능하고, 낮은 HOMO, LUMO 준위를 가지기 때문에, 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.The boron-containing compound represented by the above formula (1) is capable of forming a uniform film by application and has low HOMO and LUMO levels, so it can be preferably used as a material for the second organic electroluminescent device of the present invention. .

본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는, 본 발명의 유기 전해 발광 소자로서, 버퍼층이 환원제를 포함하는 것이며, 이로써, 유기 전해 발광 소자를 발광 특성이 우수한 것으로 하는 것이 가능해진다. 이와 같은 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자 중에서도, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 가지며, 그 버퍼층이 환원제를 포함하는 것이 바람직하다.The second organic electroluminescent device of the present invention is the organic electroluminescent device of the present invention, and the buffer layer contains a reducing agent, whereby it becomes possible to make the organic electroluminescent device excellent in light emission characteristics. Among the second organic electroluminescent devices of the present invention, a low molecular weight compound layer including a first metal oxide layer, a buffer layer, a light emitting layer stacked on the buffer layer, and a second metal between the first electrode and the second electrode It is preferable that the oxide layer is provided in this order, and the buffer layer contains a reducing agent.

이와 같은 본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법, 즉, 복수의 층을 적층한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법으로서, 그 제조 방법은 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 제 1 금속 산화물층, 환원제를 포함하는 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 것이 되도록 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층을 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법도 또 본 발명의 하나이다.As a method of manufacturing an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device of the second preferred embodiment of the present invention, that is, an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the manufacturing method is organic electroluminescent The device has a first metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, a buffer layer containing a reducing agent, a low molecular compound layer including a light emitting layer stacked on the buffer layer, and a second metal oxide layer in this order. Another aspect of the present invention is a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the second preferred embodiment of the present invention, which includes the step of laminating each layer constituting the organic electroluminescent device.

본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 유기 화합물을 포함하는 용액을 도포하여 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 의 버퍼층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method of manufacturing an organic electroluminescent device of a second preferred embodiment of the present invention preferably includes a step of forming a buffer layer having an average thickness of 5 to 100 nm by applying a solution containing an organic compound.

상기 본 발명의 제 2 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, 상기 공정을 포함하는 것인 한, 그 밖의 공정을 포함하고 있어도 되고, 제 1, 제 2 금속 산화물층, 버퍼층, 발광층을 포함하는 저분자 화합물층 이외의 층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 유기 전계 발광 소자의 각 층을 형성하는 재료, 형성 방법, 유기 화합물, 유기 화합물을 포함하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매, 및, 각 층의 두께는 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자와 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.The method for manufacturing an organic electroluminescent device of the second preferred embodiment of the present invention may include other steps as long as it includes the steps described above, and includes first and second metal oxide layers, buffer layers, and emission layers. The step of forming a layer other than the low molecular compound layer to be described may be included. In addition, the material for forming each layer of the organic EL device, the formation method, the organic compound, the solvent used to prepare a solution containing the organic compound, and the thickness of each layer are the second organic EL device of the present invention. It is the same as and preferred is the same.

[본 발명의 제 3 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자][Organic EL device of the third preferred embodiment of the present invention]

본 발명의 제 3 바람직한 형태의 유기 발광 소자 (이하, 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자라고도 기재한다) 는, 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층이 질소 함유막으로 이루어지고, 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 층인 것이다.The organic light-emitting device of the third preferred embodiment of the present invention (hereinafter, also referred to as the third organic electroluminescent device of the present invention) is, in the organic light-emitting device of the present invention, the buffer layer is made of a nitrogen-containing film, and the average thickness is It is a layer of 3 to 150 nm.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는, 바꾸어 말하면, 양극과, 기판 상에 형성된 음극과의 사이에 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기 전계 발광 소자는 양극과 음극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 상기 금속 산화물층 상에, 질소 함유막으로 이루어지고, 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 층을 갖는 것이다.The third organic electroluminescent device of the present invention is, in other words, an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate, wherein the organic electroluminescent device includes an anode and a cathode. It has a metal oxide layer between, and on the metal oxide layer, it is made of a nitrogen-containing film, and has a layer with an average thickness of 3 to 150 nm.

질소 함유막은 전자 수송성을 갖지 않는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 전자 수송성을 갖지 않는다는 것은 전자 이동도가 극단적으로 낮은 것을 가리킨다. 구체적으로는 전자 이동도가 10-6 ㎠/Vs 정도보다 작거나, 혹은, 전기 전도율이 10-6 S/m 정도보다 작은 것 중 어느 것에 해당하는 것을 가리킨다.It is preferable that the nitrogen-containing film does not have electron transport properties. In addition, not having the electron transport property mentioned here indicates that the electron mobility is extremely low. Specifically, the electron mobility is less than about 10 -6 cm 2 /Vs, or the electrical conductivity is less than about 10 -6 S/m.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 양극과, 기판 상에 형성된 음극과의 사이에 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 역구조의 유기 전계 발광 소자로서, 양극과 음극의 사이에 금속 산화물층을 가지며, 그 금속 산화물층 상에, 질소 함유막으로 이루어지고, 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 층을 갖는 것인 한, 다른 층의 수, 다른 층을 구성하는 재료나 적층하는 순번은 특별히 제한되지 않지만, 금속 산화물층과 질소 함유 화합물층이 음극과 발광층의 사이에 있는 것이 바람직하다. 질소 함유 화합물은 전자 주입 특성이 우수한 것이며, 이와 같은 층 구성을 갖는 유기 전계 발광 소자는 높은 전자 주입 특성을 갖는 것이 되고, 발광 효율이 우수한 소자가 된다.The third organic electroluminescent device of the present invention is an inverted organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate, wherein a metal oxide layer is formed between the anode and the cathode. And, as long as the metal oxide layer is formed of a nitrogen-containing film and has an average thickness of 3 to 150 nm, the number of different layers, materials constituting the other layers, or the order of lamination are not particularly limited. However, it is preferable that the metal oxide layer and the nitrogen-containing compound layer are between the cathode and the light emitting layer. The nitrogen-containing compound is excellent in electron injection characteristics, and an organic electroluminescent device having such a layered structure has high electron injection characteristics and becomes a device having excellent luminous efficiency.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자에 사용되는 질소 함유막에는, (1) 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물에 의해 형성된 질소 함유막, (2) 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물에 의해 형성된 고질소 함유막, (3) 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물을 분해시킴으로써 형성된 질소 함유막, (4) 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물을 분해시킴으로써 형성된 고질소 함유막의 합계 4 종류가 존재한다.The nitrogen-containing film used in the third organic electroluminescent device of the present invention includes (1) a nitrogen-containing film formed by a nitrogen-containing compound on a metal oxide layer, and (2) a high nitrogen-containing film formed by a nitrogen-containing compound on the metal oxide layer. There are four types in total: a film, (3) a nitrogen-containing film formed by decomposing a nitrogen-containing compound on a metal oxide layer, and (4) a high nitrogen-containing film formed by decomposing a nitrogen-containing compound on a metal oxide layer.

이와 같은 막을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자의 성능이 향상되는 이유에 대해서는 이하와 같이 추정된다.The reason why the performance of the organic electroluminescent element is improved by forming such a film is estimated as follows.

먼저 첫째로 질소 원자를 포함하는 경우, 그 고립 전자쌍은 기재 중의 금속 원자와 결합을 만드는 경향이 있다. 그 금속-질소 결합간의 분극이 강한 전자 주입 특성을 발현하게 된다. 상기 (1) ∼ (4) 모든 질소 함유막에 있어서, 그것은 충족된다. 보다 바람직하게는, 고립 전자쌍을 갖는 질소 원자 비율이 높은 상기 (2) 가 적합하다.Firstly, when a nitrogen atom is included, the lone electron pair tends to form a bond with the metal atom in the substrate. The polarization between the metal-nitrogen bonds exhibits strong electron injection characteristics. In all the nitrogen-containing films (1) to (4) above, this is satisfied. More preferably, the above (2) having a high ratio of nitrogen atoms having a lone electron pair is suitable.

상기 (3), (4) 에서는, 막 생성에 관련되는 분해의 현상에 의해 고밀도로 질소 원자가 기재 상에 존재하는 막이 되는 것이 기대되고, 결과적으로, 다채로운 금속-질소 결합이 출현하는 것이 기대된다. 그리고 그 중에는, 종래보다 강고한 금속-질소 결합도 존재한다고 생각된다. 또한, 분해의 상황에 따라서는, 불필요한 탄소 등의 다른 성분이 소실됨으로써, 상대적으로 질소 원자분율이 상승하고, 결과적으로, 보다 바람직한 환경이 실현되는 경우도 있다 (4). 이들의 질소 함유막에서는, 주된 질소의 기원이 금속-질소 결합이 되는 점에서, 통상적인 분자의 물리 흡착보다 고밀도로 질소 원자가 집적되어 있다고 기대된다. 이들의 요인에 의해, 이와 같은 질소 함유막을 가짐으로써, 유기 전계 발광 소자가 발광 효율이 우수하고, 소자 구동 안정성과 소자 수명이 우수한 것이 된다고 생각된다. 실제, 상기 질소 함유 화합물의 분해에서 기인하는 현상은 표면 분석 수법의 하나인 X 선 광 전자 분광법에 의해 입증할 수 있다. 구체적인 결과는 실시예에서 나타내지만, 질소 함유 화합물로서 질소와 탄소를 구성 원소로서 포함하는 화합물을 사용하고, 이 화합물을 분해시키는 처리를 함으로써, 탄소:질소비 (CN 비) 가 2:1 에서 1:1 까지 고질소 비율이 되어 있는 것이 관측되고 있다. 또 동시에, 상기 처리에 의해, 질소의 스펙트럼의 반치폭의 증가가 관측되고 있고, 이것은 화학 환경의 확산을 나타내고 있어, 보다 강고한 금속-질소 결합의 출현도 시사되고 있다.In the above (3) and (4), it is expected to become a film in which nitrogen atoms exist on the substrate at high density due to the phenomenon of decomposition related to film formation, and as a result, it is expected that various metal-nitrogen bonds appear. And among them, it is thought that there is also a metal-nitrogen bond that is stronger than the conventional one. In addition, depending on the decomposition situation, other components such as unnecessary carbon are lost, thereby relatively increasing the nitrogen atom fraction, and as a result, a more preferable environment may be realized (4). In these nitrogen-containing films, since the main source of nitrogen is a metal-nitrogen bond, it is expected that nitrogen atoms are accumulated at a higher density than normal molecular physical adsorption. Due to these factors, it is considered that by having such a nitrogen-containing film, the organic electroluminescent device is excellent in luminous efficiency, device driving stability and device lifetime are excellent. In fact, the phenomenon resulting from the decomposition of the nitrogen-containing compound can be verified by X-ray photoelectron spectroscopy, which is one of the surface analysis techniques. Although specific results are shown in the examples, by using a compound containing nitrogen and carbon as constituent elements as the nitrogen-containing compound and decomposing the compound, the carbon: nitrogen ratio (CN ratio) is from 2:1 to 1 It is observed that the ratio of high nitrogen is up to :1. At the same time, by the above treatment, an increase in the half-width of the nitrogen spectrum is observed, indicating diffusion of the chemical environment, and the appearance of a stronger metal-nitrogen bond is also suggested.

따라서, 질소 함유막으로 이루어지는 층의 하지가 금속 원소를 포함하는 막인 것도 상기와 같은 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자가 발휘하는 효과의 발현에 크게 기여하고 있다고 생각된다.Accordingly, it is considered that the underlying layer of the nitrogen-containing film is a film containing a metal element, which greatly contributes to the expression of the effects exhibited by the third organic electroluminescent device of the present invention as described above.

상기 (1), (2) 의 질소 함유막은 금속 산화물층 상에 형성된 질소 함유 화합물로 이루어지는 막, 즉, 질소 함유 화합물이 분해되지 않고 막을 형성한 것이다. 상기 (2) 의 질소 함유막은, 질소 함유 화합물로서, 질소 함유 화합물을 구성하는 전체 원자수에 대한 질소 원자수의 비율이 높은 것을 사용하여 형성되는 것이다.The nitrogen-containing film of the above (1) and (2) is a film made of a nitrogen-containing compound formed on a metal oxide layer, that is, a film formed without decomposition of the nitrogen-containing compound. The nitrogen-containing film of the above (2) is formed by using a nitrogen-containing compound having a high ratio of the number of nitrogen atoms to the total number of atoms constituting the nitrogen-containing compound.

상기 (1), (2) 의 질소 함유막의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 질소 함유 화합물의 용액을 금속 산화물층 상에 도포한 후, 용매를 휘발시키는 방법이 바람직하게 사용된다.The method of forming the nitrogen-containing film of the above (1) and (2) is not particularly limited, but a method of volatilizing the solvent after applying a solution of the nitrogen-containing compound onto the metal oxide layer is preferably used.

상기 (3), (4) 의 질소 함유막은 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물을 분해시킴으로써 형성되는 막이지만, 질소 함유 화합물의 일부에 분해되지 않는 것이 남아 있어도 된다. 바람직하게는, 질소 함유 화합물 모두가 분해되는 것이다.The nitrogen-containing films of the above (3) and (4) are films formed by decomposing a nitrogen-containing compound on a metal oxide layer, but some of the nitrogen-containing compounds may remain undissolved. Preferably, all of the nitrogen-containing compounds are decomposed.

상기 (3), (4) 의 질소 함유막의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 질소 함유 화합물의 용액을 금속 산화물층 상에 도포한 후, 질소 함유 화합물을 분해하여 형성하는 방법이 바람직하게 사용된다.The method of forming the nitrogen-containing film of the above (3) and (4) is not particularly limited, but a method of decomposing and forming the nitrogen-containing compound after applying a solution of the nitrogen-containing compound onto the metal oxide layer is preferably used.

상기 질소 함유막은 금속 산화물층 상에 질소 함유 화합물을 함유하는 용액을 도포하는 공정을 포함하는 방법에 의해 형성된 것이 바람직하다. 이와 같은 공정을 포함하는 방법으로 질소 함유막을 형성함으로써, 금속 산화물층을 갖는 유기 전계 발광 소자가 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 얻을 수 있게 된다.It is preferable that the nitrogen-containing film is formed by a method including a step of applying a solution containing a nitrogen-containing compound on the metal oxide layer. By forming the nitrogen-containing film by a method including such a process, the organic electroluminescent device having a metal oxide layer can suppress leakage current and obtain uniform surface light emission.

이 이유는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서, 유기 화합물을 포함하는 용액을 도포함으로써 형성되는 버퍼층을 가짐으로써 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 얻을 수 있는 이유와 동일하다.This reason is the same as the reason for suppressing leakage current and obtaining uniform surface light emission by having a buffer layer formed by applying a solution containing an organic compound in the first organic light-emitting device of the present invention described above. Do.

상기 질소 함유막은 막을 구성하는 원소로서 질소 원소와 탄소 원소를 포함하고, The nitrogen-containing film contains a nitrogen element and a carbon element as elements constituting the film,

그 막을 구성하는 질소 원자와 탄소 원자의 존재 비율이 The ratio of nitrogen and carbon atoms constituting the film

질소 원자수/(질소 원자수 + 탄소 원자수) > 1/8Number of nitrogen atoms/(number of nitrogen atoms + number of carbon atoms)> 1/8

의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.It is desirable to satisfy the relationship of.

이와 같이 질소 함유막 중에 있어서의 질소 원자수의 비율이 높으면, 금속-질소 결합의 총수가 증가하고, 결과적으로 보다 강한 분극에 의해 전자 주입 특성이 더욱 높은 것이 된다. 질소 함유막에 있어서의 질소 원자수/(질소 원자수 + 탄소 원자수) 는 1/5 보다 큰 것이 보다 바람직하다.As described above, when the ratio of the number of nitrogen atoms in the nitrogen-containing film is high, the total number of metal-nitrogen bonds increases, and as a result, the electron injection characteristics become higher due to stronger polarization. The number of nitrogen atoms/(number of nitrogen atoms + number of carbon atoms) in the nitrogen-containing film is more preferably greater than 1/5.

질소 함유막 중에 있어서의 질소 원소, 탄소 원소의 존재 비율은 광 전자 분광법 (XPS) 에 의해 측정할 수 있다.The ratio of the nitrogen element and the carbon element in the nitrogen-containing film can be measured by photoelectron spectroscopy (XPS).

상기 (3), (4) 의 질소 함유막은, 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물을 분해시킴으로써 형성되는 것인 한, 질소 함유 화합물을 분해시키는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 질소 함유 화합물을 가열에 의해 분해시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다.The method of decomposing the nitrogen-containing compound is not particularly limited as long as the nitrogen-containing film of the above (3) and (4) is formed by decomposing the nitrogen-containing compound on the metal oxide layer, but the nitrogen-containing compound is decomposed by heating. It is preferably formed by doing.

질소 함유 화합물을 가열에 의해 분해시키면, 금속 산화물층 중의 금속 원자와 질소 원자의 결합이 강화되고, 이로써, 유기 전계 발광 소자가 보다 장기에 걸쳐 높은 구동 안정성을 발휘하는 것이 된다.When the nitrogen-containing compound is decomposed by heating, the bond between the metal atom and the nitrogen atom in the metal oxide layer is strengthened, whereby the organic electroluminescent device exhibits high driving stability over a longer period of time.

따라서, 상기 질소 함유막은, 금속 산화물층 상에 질소 함유 화합물을 포함하는 용액을 도포한 후, 질소 함유 화합물을 가열에 의해 분해시킴으로써 형성하는 방법에 의해 형성되는 것이 가장 바람직하고, 이와 같은 방법으로 형성함으로써, 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 얻는 효과, 및, 유기 전계 발광 소자를, 보다 장기에 걸쳐 높은 구동 안정성을 발휘하는 것으로 하는 효과가 얻어지게 된다.Therefore, the nitrogen-containing film is most preferably formed by a method of forming by applying a solution containing a nitrogen-containing compound on a metal oxide layer and then decomposing the nitrogen-containing compound by heating, and is formed by such a method. By doing so, the effect of suppressing the leakage current, obtaining uniform surface light emission, and the effect of exhibiting high driving stability of the organic electroluminescent element over a longer period of time can be obtained.

이와 같은 HOILED 소자의 제조 방법, 즉, 양극과, 기판 상에 형성된 음극과의 사이에 복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법으로서, 상기 제조 방법은, 금속 산화물층 상에, 질소 함유 화합물을 포함하는 용액을 도포하는 공정과, 그 질소 함유 화합물이 분해되는 온도에서 가열 처리를 하여 본 발명의 질소 함유막으로 이루어지는 층을 제조하는 공정을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법도 또 본 발명의 하나이다.As a method of manufacturing such a HOILED device, that is, a method of manufacturing an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate, the manufacturing method includes: , A process of applying a solution containing a nitrogen-containing compound, and heating at a temperature at which the nitrogen-containing compound is decomposed to produce a layer made of the nitrogen-containing film of the present invention. It is also one of the present invention.

상기 질소 함유 화합물을 분해시키기 위한 가열 처리는 대기하에서 실시하는 것이 바람직하다. 대기하에서 실시함으로써, 질소 함유 화합물의 분해를 충분히 촉진하고, 유기 전계 발광 소자를 장기에 걸쳐 보다 높은 구동 안정성을 발휘하는 것으로 할 수 있다.It is preferable to perform heat treatment for decomposing the nitrogen-containing compound in the atmosphere. By carrying out in the atmosphere, the decomposition of the nitrogen-containing compound can be sufficiently promoted, and the organic electroluminescent device can exhibit higher driving stability over a long period of time.

상기 질소 함유 화합물을 분해시키기 위한 가열 처리의 온도는 80 ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하고, 시간은 1 ∼ 30 분인 것이 바람직하다.The temperature of the heat treatment for decomposing the nitrogen-containing compound is preferably 80 to 200°C, and the time is preferably 1 to 30 minutes.

가열 처리의 온도나 시간은, 상기 범위 중에서, 질소 함유 화합물의 종류에 따라 적절히 설정하면 된다. 예를 들어, 질소 함유 화합물로서 하기 폴리알킬렌이민 구조를 주사슬 골격에 갖는 중합체를 사용하는 경우, 중합체의 분자량이 커질수록 분해 온도는 높아지기 때문에, 중합체의 분자량을 고려하여, 후술하는 실시예에서의 가열 처리 조건을 참고로 하여 가열 처리의 온도, 및, 시간을 적절히 설정할 수 있다.The temperature and time of the heat treatment may be appropriately set in the above range according to the kind of the nitrogen-containing compound. For example, in the case of using a polymer having the following polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton as the nitrogen-containing compound, the higher the molecular weight of the polymer, the higher the decomposition temperature, so in consideration of the molecular weight of the polymer, in the examples described later With reference to the heat treatment conditions of, the temperature and time of the heat treatment can be appropriately set.

질소 함유 화합물이 분해되고 있는지의 여부는 X 선 광 전자 분광법 (XPS) 측정에 의해 확인할 수 있다.Whether or not the nitrogen-containing compound is decomposing can be confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement.

상기 질소 함유막은, 금속 산화물층 상에서 질소 함유 화합물을 분해시키는 공정을 실시한 후에, 에탄올, 메톡시에탄올 등의 유기 용매로 막의 표면을 세정하는 공정을 실시하여 형성되는 것이어도 된다.The nitrogen-containing film may be formed by performing a step of decomposing a nitrogen-containing compound on the metal oxide layer, followed by washing the surface of the film with an organic solvent such as ethanol or methoxyethanol.

상기 질소 함유 화합물로서는, 예를 들어, 폴리비닐피롤리돈과 같은 피롤리돈류, 폴리피롤과 같은 피롤류 또는 폴리아닐린과 같은 아닐린류, 또는 폴리비닐피리딘과 같은 피리딘류, 동일하게, 피롤리딘류, 이미다졸류, 피페리딘류, 피리미딘류, 트리아진류 등의 함질소 복소 고리를 갖는 화합물이나, 아민 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 질소 함유율이 많은 화합물이 바람직하고, 폴리아민류 또는 트리아진 고리 함유 화합물이 바람직하다.As the nitrogen-containing compound, for example, pyrrolidones such as polyvinylpyrrolidone, pyrrols such as polypyrrole, or anilines such as polyaniline, or pyridines such as polyvinylpyridine, similarly, pyrrolidines, already Compounds having a nitrogen-containing heterocycle, such as dazoles, piperidines, pyrimidines, and triazines, and amine compounds are mentioned. Among them, compounds with a large nitrogen content are preferred, and polyamines or triazine ring-containing compounds are preferred.

폴리아민류는, 화합물을 구성하는 전체 원자수에 대한 질소 원자수의 비율이 높기 때문에, 유기 전계 발광 소자를 높은 전자 주입성과 구동 안정성을 갖는 것으로 하는 점에서 적합하다.Since the ratio of the number of nitrogen atoms to the total number of atoms constituting the compound is high, polyamines are suitable in that the organic electroluminescent device has high electron injection properties and driving stability.

폴리아민류로서는, 도포에 의해 층을 형성할 수 있는 것이 바람직하고, 저분자 화합물이거나 고분자 화합물이어도 된다. 저분자 화합물로서는, 디에틸렌트리아민과 같은 폴리알킬렌폴리아민이 바람직하게 사용되고, 고분자 화합물에서는, 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체가 바람직하게 사용된다. 특히 폴리에틸렌이민이 바람직하다.As polyamines, those capable of forming a layer by application are preferable, and a low molecular weight compound or a high molecular compound may be used. As the low molecular weight compound, a polyalkylene polyamine such as diethylenetriamine is preferably used, and as a polymer compound, a polymer having a polyalkyleneimine structure is preferably used. Polyethyleneimine is particularly preferred.

또한, 여기서 저분자 화합물이란, 고분자 화합물 (중합체) 이 아닌 화합물을 의미하고, 분자량이 낮은 화합물을 반드시 의미하는 것은 아니다.In addition, the low molecular weight compound here means a compound which is not a high molecular compound (polymer), and does not necessarily mean a low molecular weight compound.

상기 폴리아민류 중에서도, 폴리알킬렌이민 구조를 주사슬 골격에 갖는 직사슬형 구조의 중합체를 사용하는 것은 본 발명의 바람직한 실시형태의 하나이다.Among the polyamines, it is one of the preferred embodiments of the present invention to use a polymer having a linear structure having a polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton.

폴리아민류 중에서도, 이와 같은 구조의 중합체를 사용함으로써, 소자 구동 안정성과 소자 수명이 보다 우수한 것이 된다. 이것은 이와 같은 폴리알킬렌이민 구조를 주사슬 골격에 갖는 중합체는 직사슬형 구조인 점에서 고체이며, 이로써, 디바이스 중에서 안정적으로 존재하는 것에 의하는 것으로 추정된다.Among polyamines, by using a polymer having such a structure, the device driving stability and device life are more excellent. This is presumed to be due to the fact that the polymer having such a polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton is solid in that it has a linear structure, and thus stably exists in the device.

이와 같은 폴리알킬렌이민 구조를 주사슬 골격에 갖는 직사슬형 구조의 중합체에 의해 금속 산화물층 상에 형성된 질소 함유막은 상기 (1) 의 질소 함유막이 된다.The nitrogen-containing film formed on the metal oxide layer from a polymer of a linear structure having such a polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton becomes the nitrogen-containing film of the above (1).

또한, 폴리알킬렌이민 구조를 주사슬 골격에 갖는 직사슬형 구조의 중합체는 주사슬 골격을 형성하는 폴리알킬렌이민 구조의 대부분이 직사슬형으로 연결된 것이면 되고, 일부에 분기 구조를 갖는 것이어도 된다. 바람직하게는, 주사슬 골격을 형성하는 폴리알킬렌이민 구조의 80 % 이상이 직사슬형으로 연결된 것이며, 보다 바람직하게는, 90 % 이상이 직사슬형으로 연결된 것이며, 더욱 바람직하게는, 95 % 이상이 직사슬형으로 연결된 것이며, 가장 바람직하게는, 주사슬 골격을 형성하는 폴리알킬렌이민 구조의 100 % 가 직사슬형으로 연결된 것이다.In addition, polymers of a linear structure having a polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton may be those in which most of the polyalkyleneimine structures forming the main chain skeleton are linearly connected, even if they have a branched structure in some parts. do. Preferably, 80% or more of the polyalkyleneimine structures forming the main chain skeleton are linearly linked, more preferably, 90% or more are linearly linked, and still more preferably 95%. The above is a linear connection, and most preferably, 100% of the polyalkyleneimine structure forming the main chain skeleton is linearly connected.

상기 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체의 폴리알킬렌이민 구조는 탄소수 2 ∼ 4 의 알킬렌이민에 의해 형성된 구조인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 탄소수 2 또는 3 의 알킬렌이민에 의해 형성된 구조이다.It is preferable that the polyalkyleneimine structure of the polymer having a polyalkyleneimine structure is a structure formed by an alkyleneimine having 2 to 4 carbon atoms. More preferably, it is a structure formed of an alkyleneimine having 2 or 3 carbon atoms.

상기 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체는 주사슬 골격에 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 것이면 되고, 폴리알킬렌이민 구조 이외의 구조를 갖는 공중합체이어도 된다.The polymer having a polyalkyleneimine structure may be one having a polyalkyleneimine structure in the main chain skeleton, or may be a copolymer having a structure other than a polyalkyleneimine structure.

상기 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체가 폴리알킬렌이민 구조 이외의 구조를 갖는 경우, 폴리알킬렌이민 구조 이외의 구조의 원료가 되는 단량체로서는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 아세틸렌, 아크릴산, 스티렌, 또는, 비닐 카르바졸 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 또, 이들의 단량체의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 다른 유기기로 치환된 구조의 것도 바람직하게 사용할 수 있다. 수소 원자와 치환하는 다른 유기기로서는, 예를 들어, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 탄화수소기 등을 들 수 있다.When the polymer having a polyalkyleneimine structure has a structure other than a polyalkyleneimine structure, as a monomer that becomes a raw material for a structure other than the polyalkyleneimine structure, for example, ethylene, propylene, butene, acetylene, acrylic acid , Styrene, or vinyl carbazole, and one or two or more of these may be used. Further, those having a structure in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom of these monomers is substituted with another organic group can be preferably used. As another organic group substituted with a hydrogen atom, a C1-C10 hydrocarbon group etc. which may contain at least 1 type of atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom, etc. are mentioned, for example.

상기 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체는, 중합체의 주사슬 골격을 형성하는 단량체 성분 100 질량% 중, 폴리알킬렌이민 구조를 형성하는 단량체가 50 질량% 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 66 질량% 이상이며, 더욱 바람직하게는, 80 질량% 이상이다. 가장 바람직하게는, 폴리알킬렌이민 구조를 형성하는 단량체가 100 질량% 인 것, 즉, 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체가 폴리알킬렌이민의 호모폴리머인 것이다.The polymer having the polyalkyleneimine structure preferably contains 50% by mass or more of the monomer forming the polyalkyleneimine structure in 100% by mass of the monomer component forming the main chain skeleton of the polymer. More preferably, it is 66 mass% or more, More preferably, it is 80 mass% or more. Most preferably, the monomer forming the polyalkyleneimine structure is 100% by mass, that is, the polymer having the polyalkyleneimine structure is a homopolymer of polyalkyleneimine.

상기 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체는 중량 평균 분자량이 100000 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 중량 평균 분자량의 것을 사용하여, 중합체가 분해되는 온도에서의 가열 처리를 실시하여 층을 형성함으로써, 유기 전계 발광 소자를 보다 구동 안정성이 우수한 것으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는, 10000 이하이며, 더욱 바람직하게는, 100 ∼ 1000 이다. 또, 폴리알킬렌이민 구조를 갖는 중합체가 상기 서술한 직사슬형 구조의 중합체인 경우에는, 중합체의 중량 평균 분자량은 보다 바람직하게는, 250000 이하이며, 더욱 바람직하게는, 10000 ∼ 50000 이다.It is preferable that the polymer having a polyalkyleneimine structure has a weight average molecular weight of 100000 or less. By forming a layer by performing heat treatment at a temperature at which the polymer decomposes using such a weight average molecular weight, the organic electroluminescent device can be made more excellent in driving stability. More preferably, it is 10000 or less, and still more preferably, it is 100-1000. Moreover, when the polymer having a polyalkyleneimine structure is a polymer having the above-described linear structure, the weight average molecular weight of the polymer is more preferably 250000 or less, and still more preferably 10000 to 50000.

중량 평균 분자량은 이하의 조건으로 GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 측정에 의해 구할 수 있다.The weight average molecular weight can be determined by GPC (gel permeation chromatography) measurement under the following conditions.

측정 기기:Waters Alliance (2695) (상품명, Waters 사 제조) Measuring equipment: Waters Alliance (2695) (brand name, manufactured by Waters)

분자량 칼럼:TSKguard column α, TSKgel α-3000, TSKgel α-4000, TSKgel α-5000 (모두 토소사 제조) 을 직렬로 접속하여 사용 Molecular weight column: TSKguard column α, TSKgel α-3000, TSKgel α-4000, TSKgel α-5000 (all manufactured by Tosoh Corporation) are connected in series.

용리액:100 mM 붕산 수용액 14304 g 에 50 mM 수산화나트륨 수용액 96 g 과 아세토니트릴 3600 g 을 혼합한 용액Eluent: A solution of 14304 g of 100 mM boric acid aqueous solution, 96 g of 50 mM sodium hydroxide aqueous solution and 3600 g of acetonitrile

검량선용 표준 물질:폴리에틸렌글리콜 (토소사 제조) Standard substance for calibration curve: Polyethylene glycol (manufactured by Tosoh Corporation)

측정 방법:측정 대상물을 고형분이 약 0.2 질량% 가 되도록 용리액에 용해하고, 필터로 여과한 것을 측정 샘플로 하여 분자량을 측정한다.Measurement method: The object to be measured is dissolved in an eluent so that the solid content is about 0.2% by mass, filtered through a filter as a measurement sample, and the molecular weight is measured.

상기 트리아진 고리 함유 화합물로서는, 멜라민이나 구아나민류가, 질소 함유 고리형 화합물로서, 화합물을 구성하는 전체 원자수에 대한 질소 원자수의 비율이 높은 것과, 강직함으로써 적합하다. 금속 산화물층 상에 멜라민이나 구아나민류로 이루어지는 막을 형성한 경우, 상기 (2) 의 고질소 함유막이 된다.As the triazine ring-containing compound, melamine or guanamine is suitable as a nitrogen-containing cyclic compound, in which the ratio of the number of nitrogen atoms to the total number of atoms constituting the compound is high and rigid. When a film made of melamine or guanamine is formed on the metal oxide layer, it becomes the high nitrogen-containing film of the above (2).

상기 트리아진 고리 함유 화합물로서는, 멜라민이나 벤조구아나민/아세토구아나민 등의 구아나민류 외에, 메틸올화된 멜라민이나 구아나민류, 멜라민 수지/구아나민 수지 등의 멜라민/구아나민 골격을 갖는 화합물의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있지만, 이들 중에서도, 화합물을 구성하는 전체 원자 중의 질소 원자의 비율이 높은 점에서 멜라민이 바람직하다.Examples of the triazine ring-containing compound include guanamines such as melamine and benzoguanamine/acetoguanamine, as well as compounds having a melamine/guanamine skeleton such as methylolated melamine and guanamine, and melamine resin/guanamine resin One type or two or more types can be used, but among these, melamine is preferable because the ratio of nitrogen atoms to all atoms constituting the compound is high.

또 상기 함질소 복소 고리를 갖는 화합물이나 아민 화합물로서는, 하기 식 (39) ∼ (47) 로 나타내는 구조의 반복 단위를 갖는 중합체나, 식 (48) 의 트리에틸아민, 식 (49) 의 에틸렌디아민도 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, as the compound or amine compound having a nitrogen-containing heterocycle, a polymer having a repeating unit of a structure represented by the following formulas (39) to (47), triethylamine of formula (48), ethylenediamine of formula (49) Also can be used preferably.

[화학식 46-1][Chemical Formula 46-1]

Figure 112014106029210-pct00058
Figure 112014106029210-pct00058

[화학식 46-2][Chemical Formula 46-2]

Figure 112014106029210-pct00059
Figure 112014106029210-pct00059

또, 금속 산화물층 상에서 이들 질소 함유 화합물을 분해시키면, 상기 (3) 의 질소 함유막이나 (4) 의 고질소 함유막이 된다. 질소 함유 화합물로서, 폴리아민류나 트리아진 고리 함유 화합물 등과 같은 질소 함유 비율이 높은 화합물을 사용함으로써 금속 산화물층 상에 질소 함유 화합물의 분해물을 보다 치밀하게 퇴적시킬 수 있다고 생각된다. 이와 같은 금속 산화물 상의 질소 함유 박막도 본 특허의 발명의 하나이다. 질소 함유 박막에 대해서는, 추가로 이후에 기술한다.Further, when these nitrogen-containing compounds are decomposed on the metal oxide layer, the nitrogen-containing film of (3) or the high nitrogen-containing film of (4) is obtained. As the nitrogen-containing compound, it is considered that by using a compound having a high nitrogen-containing ratio such as polyamines or triazine ring-containing compounds, the decomposition product of the nitrogen-containing compound can be more densely deposited on the metal oxide layer. Such a nitrogen-containing thin film on a metal oxide is also one of the inventions of this patent. The nitrogen-containing thin film will be described later.

본 발명에 있어서의 질소 함유막의 평균 두께는 3 ∼ 150 nm 이다. 질소 함유막이 이와 같은 평균 두께이면, 상기 서술한 질소 함유막을 갖는 것의 효과를 양호하게 발휘할 수 있다. 질소 함유막의 평균 두께는 5 ∼ 100 nm 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 5 ∼ 50 nm 이다. 특히 질소 함유 화합물이 분해되어 이루어지는 질소 함유막인 경우에는, 5 ∼ 100 nm 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 50 nm 이다.The average thickness of the nitrogen-containing film in the present invention is 3 to 150 nm. If the nitrogen-containing film has such an average thickness, the effect of having the nitrogen-containing film described above can be satisfactorily exhibited. It is preferable that the average thickness of the nitrogen-containing film is 5 to 100 nm. More preferably, it is 5-50 nm. In particular, in the case of a nitrogen-containing film formed by decomposition of a nitrogen-containing compound, it is preferably 5 to 100 nm, more preferably 5 to 50 nm.

질소 함유막의 평균 두께는 접촉식 단차계에 의해 막형성시에 측정할 수 있다. 접촉식 단차계는, 극박막의 측정시, 측정 환경에 크게 의존하여, 측정치의 편차가 커진다. 그 때문에, 본 특허 내의 평균 두께를 측정할 때는, 복수 회의 측정의 평균치에 의해 결정하고 있다.The average thickness of the nitrogen-containing film can be measured at the time of film formation using a contact step gauge. When measuring an ultra-thin film, the contact-type step meter greatly depends on the measurement environment, and the deviation of the measured value increases. Therefore, when measuring the average thickness in this patent, it is determined by the average value of a plurality of measurements.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 양극 및 음극과, 상기 양극과 상기 음극에 끼워진 1 층 또는 복수층의 유기 화합물층을 가지며, 상기 음극과 상기 유기 화합물층의 사이에, 금속 산화물층을 가지며, 또한, 상기 금속 산화물층과 상기 유기 화합물층의 사이에 본 발명의 질소 함유막으로 이루어지는 층을 갖는 것이 바람직하다. 여기서 유기 화합물층은 발광층을 포함하고, 필요에 따라 그 외에 전자 수송층이나 정공 수송층을 포함하는 층이다.The third organic electroluminescent device of the present invention has an anode and a cathode, one layer or a plurality of organic compound layers sandwiched between the anode and the cathode, and a metal oxide layer between the cathode and the organic compound layer, and It is preferable to have a layer made of the nitrogen-containing film of the present invention between the metal oxide layer and the organic compound layer. Here, the organic compound layer is a layer including a light emitting layer and, if necessary, an electron transport layer or a hole transport layer.

그 중에서도, 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 인접하여 음극이 형성되고, 양극과 음극의 사이에 금속 산화물층을 갖는 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자로서, 발광층과 양극을 가지며, 음극과 발광층의 사이에, 전자 주입층과, 필요에 따라 전자 수송층을 가지며, 양극과 발광층의 사이에 정공 수송층 및/또는 정공 주입층을 갖는 구성의 소자인 것이 바람직하다. 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 이들의 각 층의 사이에 다른 층을 가지고 있어도 되지만, 이들의 각 층만으로 구성되는 소자인 것이 바람직하다. 즉, 음극, 전자 주입층, 필요에 따라 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층 및/또는 정공 주입층, 양극의 각 층이 이 순서로 인접하여 적층된 소자인 것이 바람직하다. 또한, 이들의 각 층은 1 층으로 이루어지는 것이어도 되고, 2 층 이상으로 이루어지는 것이어도 된다.Among them, the third organic electroluminescent device of the present invention is an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device having a cathode formed adjacent to a substrate and having a metal oxide layer between the anode and the cathode, and has a light emitting layer and an anode. , It is preferable that the device has an electron injection layer between the cathode and the light emitting layer, and an electron transport layer, if necessary, and a hole transport layer and/or a hole injection layer between the anode and the light emitting layer. The third organic electroluminescent device of the present invention may have another layer between each of these layers, but it is preferable that it is an element composed of only each of these layers. That is, it is preferable that each layer of a cathode, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer and/or a hole injection layer, and an anode is stacked adjacent to each other in this order, if necessary. In addition, each of these layers may consist of one layer or may consist of two or more layers.

상기 서술한 바와 같이, 질소 함유막은, 전자 주입 특성이 우수한 것이기 때문에, 전자 주입측, 요컨대 음극측에 사용되는 것이 바람직하다. 또 금속 산화물층은, 후술하는 바와 같이, 음극의 일부 혹은 전자 주입층의 1 층, 및/또는, 양극의 일부 혹은 정공 주입층의 1 층으로서 적층되는 것이 바람직하다.As described above, since the nitrogen-containing film is excellent in electron injection properties, it is preferably used on the electron injection side, that is, the cathode side. In addition, the metal oxide layer is preferably laminated as a part of the cathode or one layer of the electron injection layer, and/or a part of the anode or one layer of the hole injection layer, as described later.

상기 구성의 유기 전계 소자에 있어서, 소자가 전자 수송층을 갖지 않는 경우에는, 전자 주입층과 발광층이 인접하게 된다. 또, 소자가 정공 수송층, 정공 주입층의 어느 일방만을 갖는 경우에는, 당해 일방의 층이 발광층과 양극에 인접하여 적층되게 되고, 소자가 정공 수송층과 정공 주입층의 양방을 갖는 경우에는, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 양극의 순서로 이들의 층이 인접하여 적층되게 된다.In the organic electric field device of the above configuration, when the device does not have an electron transport layer, the electron injection layer and the light emitting layer are adjacent. In addition, when the device has only one of the hole transport layer and the hole injection layer, the one layer is stacked adjacent to the light emitting layer and the anode, and when the device has both a hole transport layer and a hole injection layer, the light emitting layer, These layers are adjacent to each other in the order of a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자에 있어서, 발광층을 형성하는 재료로서는, 발광층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 화합물도 사용할 수 있고, 저분자 화합물이거나 고분자 화합물이어도 되고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.In the third organic electroluminescent device of the present invention, as a material for forming the light-emitting layer, any compound commonly used as a material for the light-emitting layer may be used, a low-molecular compound or a high-molecular compound may be used, or a mixture of these may be used.

또한, 본 발명에 있어서 저분자 재료란, 고분자 재료 (중합체) 가 아닌 재료를 의미하고, 분자량이 낮은 유기 화합물을 반드시 의미하는 것은 아니다.In addition, in the present invention, the low molecular weight material means a material other than a polymer material (polymer), and does not necessarily mean an organic compound having a low molecular weight.

상기 발광층을 형성하는 고분자 재료로서는, 예를 들어, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서, 버퍼층을 형성하는 유기 화합물의 예로서 기재된 화합물 중, 폴리에틸렌이민 (PEI) 을 제외한 그 이외의 화합물이나, 나아가서는 일본 특허출원 2010-230995호, 일본 특허출원 2011-6457호에 기재된 붕소 화합물계 고분자 재료 등을 들 수 있다.As a polymer material for forming the light emitting layer, for example, in the first organic light emitting device of the present invention described above, among the compounds described as examples of the organic compound forming the buffer layer, other than polyethyleneimine (PEI) Compounds, and further, the boron compound-based polymer materials described in Japanese Patent Application No. 2010-230995 and Japanese Patent Application No. 2011-6457, etc. are mentioned.

상기 발광층을 형성하는 저분자 재료로서는, 예를 들어, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서, 발광층의 재료로서 사용할 수 있는 저분자 화합물과 동일한 것을 사용할 수 있다.As the low molecular weight material for forming the light emitting layer, for example, in the first organic light emitting device of the present invention described above, the same low molecular weight compound that can be used as a material for the light emitting layer can be used.

상기 발광층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자의 발광층의 평균 두께와 동일한 것이 바람직하다.The average thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, but it is preferably the same as the average thickness of the light-emitting layer of the first organic light-emitting device of the present invention described above.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자가 전자 수송층을 갖는 경우, 그 재료로서는, 전자 수송층의 재료로서 통상적으로 사용할 수 있는 어느 화합물도 사용할 수 있고, 이들을 혼합하여 사용해도 된다.When the third organic electroluminescent device of the present invention has an electron transport layer, as the material, any compound commonly used as a material for the electron transport layer may be used, and these may be mixed and used.

전자 수송층의 재료로서 사용할 수 있는 화합물의 예로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서의 전자 수송층의 재료로서 사용할 수 있는 저분자 화합물과 동일한 화합물을 들 수 있고, 바람직한 화합물도 동일하다.Examples of the compound that can be used as the material for the electron transport layer include the same compound as the low molecular compound that can be used as the material for the electron transport layer in the first organic light-emitting device of the present invention described above, and the preferred compounds are also the same.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자가 정공 수송층을 갖는 경우, 정공 수송층으로서 사용하는 정공 수송성 유기 재료에는, 각종 p 형의 고분자 재료나, 각종 p 형의 저분자 재료를 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.When the third organic electroluminescent device of the present invention has a hole transport layer, various p-type polymer materials and various p-type low molecular materials may be used alone or in combination as the hole-transporting organic material used as the hole transport layer.

p 형의 고분자 재료 (유기 폴리머) 로서는, 예를 들어, 폴리아릴아민, 플루오렌-아릴아민 공중합체, 플루오렌-비티오펜 공중합체, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리비닐피렌, 폴리비닐안트라센, 폴리티오펜, 폴리알킬티오펜, 폴리헥실티오펜, 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리티닐렌비닐렌, 피렌포름알데히드 수지, 에틸카르바졸포름알데히드 수지 또는 그 유도체 등을 들 수 있다.As a p-type polymer material (organic polymer), for example, polyarylamine, fluorene-arylamine copolymer, fluorene-bithiophene copolymer, poly(N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, polyvinyl Anthracene, polythiophene, polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly(p-phenylenevinylene), polytinylenevinylene, pyreneformaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin, or derivatives thereof, and the like. have.

또 이들의 화합물은 다른 화합물과의 혼합물로서 사용할 수도 있다. 일례로서 폴리티오펜을 함유하는 혼합물로서는, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜/스티렌술폰산) (PEDOT/PSS) 등을 들 수 있다.Moreover, these compounds can also be used as a mixture with another compound. As an example, as a mixture containing polythiophene, poly(3,4-ethylenedioxythiophene/styrenesulfonic acid) (PEDOT/PSS) etc. are mentioned.

상기 p 형의 저분자 재료로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서 정공 수송층의 재료로서 사용되는 저분자 화합물과 동일한 화합물을 들 수 있다.Examples of the p-type low molecular weight material include compounds similar to those of the low molecular weight compound used as the material for the hole transport layer in the first organic light emitting device of the present invention described above.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자가 전자 수송층이나 정공 수송층을 갖는 경우, 이들의 층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서의 전자 수송층이나 정공 수송층의 평균 두께와 동일한 것이 바람직하다.When the third organic electroluminescent device of the present invention has an electron transport layer or a hole transport layer, the average thickness of these layers is not particularly limited, but the electron transport layer or hole transport layer in the first organic light emitting device of the present invention described above. It is preferably the same as the average thickness of.

전자 수송층이나 정공 수송층의 평균 두께는, 저분자 화합물의 경우에는 수정 진동자 막후계에 의해, 고분자 화합물의 경우에는 접촉식 단차계에 의해 측정할 수 있다.The average thickness of the electron transporting layer and the hole transporting layer can be measured by a crystal oscillator film thickness meter in the case of a low molecular weight compound and by a contact-type step meter in the case of a high molecular compound.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는, 음극으로부터 발광층까지의 사이, 양극으로부터 발광층까지의 사이 중 어느 것 또는 양방에 금속 산화물층을 갖는 것이 되지만, 음극으로부터 발광층까지의 사이와의 발광층에서 양극까지의 사이의 양방에 금속 산화물층을 갖는 것이 바람직하다. 음극으로부터 발광층까지의 사이의 금속 산화물층을 제 1 금속 산화물층, 양극으로부터 발광층까지의 사이의 금속 산화물층을 제 2 금속 산화물층으로 하고, 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자의 바람직한 소자의 구성의 일례를 나타내면, 음극, 제 1 금속 산화물층, 질소 함유막으로 이루어지는 층, 발광층, 정공 수송층, 제 2 금속 산화물층, 양극이 이 순서로 인접하여 적층된 구성이다. 또한, 질소 함유막으로 이루어지는 층과, 발광층의 사이에 필요에 따라 전자 수송층을 가지고 있어도 된다. 금속 산화물층의 중요성은 제 1 금속 산화물층이 높고, 제 2 금속 산화물층은 최저 비점유 분자 궤도가 극단적으로 깊은 유기 재료, 예를 들어, HATCN, F4TCNQ 라도 치환할 수 있다.The third organic electroluminescent device of the present invention has a metal oxide layer between the cathode and the light emitting layer, the anode to the light emitting layer, or both, but the light emitting layer to the anode between the cathode and the light emitting layer. It is preferable to have a metal oxide layer in both sides. A preferred device configuration of the third organic electroluminescent device of the present invention, wherein the metal oxide layer between the cathode and the light-emitting layer is a first metal oxide layer, and the metal oxide layer between the anode and the light-emitting layer is the second metal oxide layer To illustrate an example, a cathode, a first metal oxide layer, a layer comprising a nitrogen-containing film, a light emitting layer, a hole transport layer, a second metal oxide layer, and an anode are stacked adjacent to each other in this order. Further, an electron transport layer may be provided between the layer made of the nitrogen-containing film and the light-emitting layer as necessary. The importance of the metal oxide layer is that the first metal oxide layer is high, and the second metal oxide layer can be substituted with an extremely deep organic material such as HATCN or F 4 TCNQ.

상기 제 1 금속 산화물층은 제 2 금속 산화물층의 재료나 층의 구성, 및, 층의 평균 두께는 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서의 것과 동일하다.In the first metal oxide layer, the material of the second metal oxide layer, the structure of the layer, and the average thickness of the layer are the same as those in the first organic light-emitting device of the present invention described above.

본 발명의 제 3 유기 발광 소자에 있어서, 양극 및 음극의 재료나 평균 두께는 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서의 것과 동일하다.In the third organic light-emitting device of the present invention, the material and average thickness of the anode and the cathode are the same as those in the first organic light-emitting device of the present invention described above.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는, 본 발명의 유기 전해 발광 소자로서, 버퍼층이 질소 함유막으로 이루어지고, 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 층인 것이며, 이로써, 유기 전해 발광 소자를 발광 효율 및 수명이 우수한 것으로 하는 것이 가능해진다.The third organic electroluminescent device of the present invention is the organic electroluminescent device of the present invention, wherein the buffer layer is made of a nitrogen-containing film and has an average thickness of 3 to 150 nm, whereby the organic electroluminescent device has luminous efficiency and It becomes possible to make it excellent in life.

이와 같은 본 발명의 제 3 바람직한 형태의 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법, 즉, 복수의 층을 적층한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법으로서, 그 제조 방법은 유기 전계 발광 소자가 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층, 그 금속 산화물층 상에 적층된 질소 함유막으로 이루어지는 층을 이 순서로 갖는 것이 되도록 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층을 적층하는 공정을 포함하고, 그 적층 공정은 평균 두께가 3 ∼ 150 nm 의 질소 함유막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 제 3 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법도 또 본 발명의 하나이다.As a method of manufacturing an organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device of the third preferred embodiment of the present invention, that is, an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked, the manufacturing method is organic electroluminescence A step of laminating each layer constituting an organic electroluminescent element so that the element has a layer consisting of a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, and a nitrogen-containing film stacked on the metal oxide layer in this order Including, and the lamination process comprises a step of forming a nitrogen-containing film having an average thickness of 3 to 150 nm, the method for manufacturing an organic electroluminescent device of the third preferred embodiment of the present invention is also one of the present invention. .

상기 본 발명의 제 3 바람직한 형태의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, 상기 공정을 포함하는 것인 한, 그 밖의 공정을 포함하고 있어도 되고, 금속 산화물층, 질소 함유막으로 이루어지는 층 이외의 층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 유기 전계 발광 소자의 각 층을 형성하는 재료, 형성 방법, 유기 화합물, 유기 화합물을 함유하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매, 및, 각 층의 두께는 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자와 동일하고, 바람직한 것도 동일하다.The method for manufacturing an organic electroluminescent device of the third preferred embodiment of the present invention may include other steps as long as it includes the steps described above, and a layer other than a layer consisting of a metal oxide layer and a nitrogen-containing film is formed. The forming process may be included. In addition, the material for forming each layer of the organic electroluminescent device, the formation method, the organic compound, the solvent used to prepare a solution containing the organic compound, and the thickness of each layer are the third organic electroluminescent device of the present invention. It is the same as and preferred is the same.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기 화합물로부터 형성되는 층의 막형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 재료의 특성에 맞추어 여러 가지의 방법을 적절히 사용할 수 있지만, 용액으로 하여 도포할 수 있는 경우에는 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서 버퍼층을 형성할 때의 각종 도포법을 사용하여 막형성할 수 있다. 이 중, 막두께를 보다 제어하기 쉽다는 점에서 스핀 코트법이나 슬릿 코트법이 바람직하다. 도포하지 않는 경우나 용매 용해성이 낮은 경우에는 진공 증착법이나, ESDUS (Evaporative Spray Deposition from Ultra-dilute Solution) 법 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.In the organic electroluminescent device of the present invention, a method for forming a film of a layer formed from an organic compound is not particularly limited, and various methods can be appropriately used according to the characteristics of the material, but when it can be applied as a solution In the first organic light-emitting device of the present invention described above, a film can be formed using various coating methods for forming the buffer layer. Among these, the spin coating method and the slit coating method are preferable in that the film thickness can be more easily controlled. When not coated or the solvent solubility is low, a vacuum evaporation method, an ESDUS (Evaporative Spray Deposition from Ultra-dilute Solution) method, etc. are mentioned as preferable examples.

상기 유기 화합물로부터 형성되는 층을, 유기 화합물 용액을 도포하여 형성하는 경우, 유기 화합물을 용해하기 위해서 사용하는 용매로서는, 상기 서술한 본 발명의 제 1 유기 발광 소자에 있어서 유기 화합물을 포함하는 용액을 조제하기 위해서 사용하는 용매와 동일한 것을 사용할 수 있지만, 그들 중에서도, 용매로서는, 비극성 용매가 바람직하고, 예를 들어, 자일렌, 톨루엔, 시클로헥실벤젠, 디하이드로벤조푸란, 트리메틸벤젠, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매, 피리딘, 피라진, 푸란, 피롤, 티오펜, 메틸피롤리돈 등의 방향족 복소 고리 화합물계 용매, 헥산, 펜탄, 헵탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매 등을 들 수 있고, 이들을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.When the layer formed from the organic compound is formed by applying an organic compound solution, as a solvent used to dissolve the organic compound, a solution containing an organic compound in the first organic light emitting device of the present invention described above is used. The same solvent as the solvent used for preparation can be used, but among them, a non-polar solvent is preferable as a solvent, for example, xylene, toluene, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, aromatic heterocyclic compound solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, and aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, and cyclohexane. These can be used alone or in combination.

상기 질소 함유 화합물로서, 폴리아민류를 사용하는 경우, 질소 함유 화합물을 포함하는 용액의 용매로서 물 또는 저급 알코올을 사용할 수 있다. 저급 알코올로서는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알코올을 사용하는 것이 바람직하고, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에톡시에탄올, 메톡시에탄올 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.When polyamines are used as the nitrogen-containing compound, water or lower alcohol can be used as a solvent for a solution containing the nitrogen-containing compound. As the lower alcohol, it is preferable to use an alcohol having 1 to 4 carbon atoms, and methanol, ethanol, propanol, ethoxyethanol, methoxyethanol, and the like can be used alone or in combination.

상기 음극, 양극, 및, 산화물층은, 상기 서술한 제 1 유기 전계 발광 소자에 있어서, 제 1, 제 2 금속 산화물층, 제 2 전극, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층을 형성하는 방법과 동일한 방법에 의해 형성할 수 있다. 양극, 음극의 형성에는, 금속박의 접합도 사용할 수 있다. 이들의 방법은 각 층의 재료의 특성에 따라 선택하는 것이 바람직하고, 층마다 제작 방법이 상이해도 된다. 제 2 금속 산화물층은, 이들 중에서도, 기상 막제조법을 사용하여 형성하는 것이 보다 바람직하다. 기상 막제조법에 의하면, 유기 화합물층의 표면을 파손하지 않고 청정하게 또한 양극과 접촉좋게 형성할 수 있고, 그 결과, 상기 서술한 바와 같은 제 2 금속 산화물층을 갖는 것에 의한 효과가 보다 현저한 것이 된다.The cathode, anode, and oxide layer are the same as the method of forming the first, second metal oxide layer, second electrode, light emitting layer, hole transport layer, and electron transport layer in the first organic electroluminescent device described above. It can be formed by Bonding of metal foil can also be used for formation of an anode and a cathode. It is preferable to select these methods according to the characteristics of the material of each layer, and the manufacturing method may be different for each layer. Among these, the second metal oxide layer is more preferably formed using a vapor phase film production method. According to the vapor phase film production method, the organic compound layer can be formed cleanly and in good contact with the anode without damaging the surface, and as a result, the effect of having the second metal oxide layer as described above becomes more remarkable.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자의 특성을 한층 더 향상시키는 등의 이유에서, 필요에 따라 예를 들어 정공 저지층, 전자 소자층 등을 가지고 있어도 된다. 이들의 층을 형성하기 위한 재료로서는, 이들의 층을 형성하기 위해서 통상적으로 사용되는 재료를 사용하고, 또, 이들의 층을 형성하기 위해서 통상적으로 사용되는 방법에 의해 층을 형성할 수 있다.For reasons of further improving the characteristics of the third organic electroluminescent device of the present invention, for example, a hole blocking layer, an electronic device layer, or the like may be provided as necessary. As a material for forming these layers, a material commonly used for forming these layers can be used, and a layer can be formed by a method commonly used for forming these layers.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 소자를 구성하는 모든 층이 유기 화합물로 구성된 유기 전계 발광 소자에 비하면 엄밀한 밀봉은 필요없지만, 필요하면 밀봉을 실시해도 된다. 밀봉 공정으로서는, 통상적인 방법을 적절히 사용할 수 있다. 예를 들어, 불활성 가스 중에서 밀봉 용기를 접착하는 방법이나, 유기 EL 소자 상에 직접 밀봉막을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 이들에 더하여, 수분 흡수재를 봉입하는 방법을 병용해도 된다.The third organic electroluminescent device of the present invention does not require strict sealing compared to an organic electroluminescent device in which all layers constituting the device are made of an organic compound, but may be sealed if necessary. As a sealing process, a conventional method can be used suitably. For example, a method of bonding a sealing container in an inert gas, a method of directly forming a sealing film on an organic EL element, or the like can be mentioned. In addition to these, a method of sealing a moisture absorbing material may be used in combination.

본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 음극이 인접하여 형성되는 역구조의 유기 전계 발광 소자이다. 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 기판이 있는 측과는 반대측에 광을 취출하는 탑 에미션형의 것이어도 되고, 기판이 있는 측에 광을 취출하는 보텀 에미션형의 것이어도 된다.The third organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having an inverted structure formed by adjacent cathodes on a substrate. The third organic electroluminescent device of the present invention may be of a top emission type in which light is extracted on the side opposite to the side with the substrate, or may be of a bottom emission type in which light is extracted on the side with the substrate.

상기 기판의 재료, 및, 평균 두께는 상기 서술한 제 1 유기 전계 발광 소자와 동일하다.The material of the substrate and the average thickness are the same as those of the first organic electroluminescent element described above.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는, 상기 서술한 바와 같이, 금속 산화물층 상에 질소 함유막으로 이루어지는 층을 가짐으로써, 전자 주입 특성이 향상되어 발광 효율이 우수함과 함께, 소자의 구동 안정성 및 소자 수명도 우수한 것이 된다.The organic electroluminescent device of the present invention, as described above, has a layer made of a nitrogen-containing film on the metal oxide layer, thereby improving electron injection characteristics, resulting in excellent luminous efficiency, and driving stability and device life of the device. It is also excellent.

이와 같은 전자 주입 특성 향상의 효과는 유기 전계 발광 소자에 한정되지 않고, 태양 전지나 유기 반도체 등의 다른 광 전자 디바이스에 있어서도, 성능 향상에 기여하는 유익한 것이다. 이와 같은 광 전자 디바이스의 성능 향상에 기여하는 질소 함유막, 즉, Such an effect of improving the electron injection characteristics is not limited to the organic electroluminescent element, but also in other optoelectronic devices such as solar cells and organic semiconductors, which is beneficial for contributing to performance improvement. A nitrogen-containing film that contributes to improving the performance of such an optoelectronic device, that is,

질소를 함유하는 막으로서, 그 막은 금속을 함유하는 기재 상에 형성되고, 고체의 질소 함유 화합물로 형성되거나, 또는, 막을 구성하는 원소로서 질소 원소와 탄소 원소를 포함하고, 그 막을 구성하는 질소 원자와 탄소 원자의 존재 비율이 질소 원자수/(질소 원자수 + 탄소 원자수) > 1/8As a nitrogen-containing film, the film is formed on a substrate containing a metal and is formed of a solid nitrogen-containing compound, or contains a nitrogen element and a carbon element as elements constituting the film, and a nitrogen atom constituting the film The abundance ratio of and carbon atoms is the number of nitrogen atoms/(number of nitrogen atoms + number of carbon atoms)> 1/8

의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 질소 함유막도 또 본 발명의 하나이다.Another aspect of the present invention is a nitrogen-containing film which satisfies the relationship of.

본 발명의 질소 함유막의 바람직한 형태나 제조 방법은 상기 서술한 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서의 질소 함유막으로 이루어지는 층과 동일하다.The preferred form and manufacturing method of the nitrogen-containing film of the present invention are the same as the layer made of the nitrogen-containing film in the organic electroluminescent device of the present invention described above.

본 발명의 전계 발광 소자는 양극과 음극의 사이에 전압 (통상적으로는 15 볼트 이하) 을 인가함으로써 발광시킬 수 있다. 통상적으로는 직류 전압을 인가하지만, 교류 성분이 포함되어 있어도 된다.The electroluminescent device of the present invention can emit light by applying a voltage (usually 15 volts or less) between the anode and the cathode. Usually, a DC voltage is applied, but an AC component may be included.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기 무기 하이브리드형의 소자이면서, 유기 무기 하이브리드형의 소자에 특유의 저분자 화합물의 결정화가 억제되고, 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 달성할 수 있는 것으로서, 표시 장치나 조명 장치의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.The organic electroluminescent device of the present invention is an organic-inorganic hybrid-type device, and is capable of suppressing crystallization of a low-molecular compound peculiar to an organic-inorganic hybrid-type device, suppressing leakage current, and achieving uniform surface light emission. It can be preferably used as a material for a display device or a lighting device.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기 화합물층의 재료를 적절히 선택함으로써 발광색을 변화시킬 수 있고, 컬러 필터 등을 병용하여 원하는 발광색을 얻을 수도 있다. 그 때문에, 표시 장치의 발광 부위나 조명 장치로서 바람직하게 사용할 수 있다. 특히, 역구조라는 특성에서, 산화물 TFT 와 조합한 표시 장치가 바람직하다.The organic electroluminescent device of the present invention can change the luminous color by appropriately selecting the material for the organic compound layer, and it is also possible to obtain a desired luminous color by using a color filter or the like together. Therefore, it can be suitably used as a light emitting portion of a display device or a lighting device. In particular, a display device in combination with an oxide TFT is preferable from the characteristic of an inverse structure.

이와 같은, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용하여 형성되는 표시 장치도 또 본 발명의 하나이다. 또한 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용하여 형성되는 조명 장치도 또 본 발명의 하나이다.Such a display device formed using the organic electroluminescent device of the present invention is another aspect of the present invention. In addition, a lighting device formed by using the organic electroluminescent device of the present invention is another aspect of the present invention.

본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자는 상기 서술한 구성으로 이루어지고, 리크 전류의 억제와, 균일한 면발광을 달성할 수 있는 것이다.The first organic electroluminescent device of the present invention has the above-described configuration, and can achieve suppression of leakage current and uniform surface light emission.

또 본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자는, 버퍼층을 가짐으로써, 종래의 유기 무기 하이브리드형 유기 전계 발광 소자에 비해 발광 수명이 길고, 또, 버퍼층이 환원제를 포함함으로써 발광 효율이 우수한 것이다. 유기 무기 하이브리드형 유기 전계 발광 소자는 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층이 모두 유기물로 구성된 유기 전계 발광 소자와 같이 각 층을 엄밀하게 밀폐할 필요성이 저감된 것인 등의 제조상의 이점을 가지고 있고, 이와 같은 이점과, 우수한 발광 수명, 발광 효율 등의 발광 특성을 갖는 것이다.Further, since the second organic electroluminescent device of the present invention has a buffer layer, it has a longer luminous life than that of the conventional organic-inorganic hybrid organic electroluminescent device, and the buffer layer contains a reducing agent, so that luminous efficiency is excellent. The organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device has manufacturing advantages such as reducing the need to strictly seal each layer like an organic electroluminescent device in which each layer constituting the organic electroluminescent device is composed of organic materials. , It has such advantages, excellent light-emitting lifetime, light-emitting characteristics such as light-emitting efficiency.

또한 본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자는 상기 서술한 구성으로 이루어지고, 엄밀한 밀봉을 필요로 하지 않는 유기 무기 하이브리드형의 역구조를 가진 유기 전계 발광 소자로서, 발광 효율이 우수함과 함께, 발광의 반복 안정성과 발광의 균일성이 우수한 높은 구동 안정성을 가지며, 소자의 수명도 긴 것이다.In addition, the third organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having an inverted structure of an organic-inorganic hybrid type that has the above-described configuration and does not require strict sealing. It has high driving stability with excellent repetition stability and uniformity of light emission, and the life of the device is long.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 이와 같은 우수한 특성을 가지며, 표시 장치나 조명 장치의 재료 등에 바람직하게 사용할 수 있다.The organic electroluminescent device of the present invention has such excellent properties, and can be preferably used as a material for a display device or a lighting device.

도 1 은 붕소 함유 화합물 1 을 THF 에 용해시킨 용액을, ITO 가 부착된 투명 유리 기판에 도포했을 때의 SEM 사진이다.
도 2 는 실시예 1 및 비교예 1 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3 은 실시예 2 ∼ 4 및 비교예 2 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 실시예 5 및 비교예 2 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 실시예 6 및 비교예 3 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6 은 실시예 7 및 비교예 4 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-휘도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7 은 실시예 7 및 비교예 4 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전류 밀도-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8 은 실시예 8 및 비교예 5 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-휘도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 9 는 실시예 8 및 비교예 5 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전류 밀도-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 10 은 실시예 9, 10 및 비교예 6 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-휘도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11 은 실시예 9, 10 및 비교예 6 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전류 밀도-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12 는 실시예 11 및 비교예 7 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-휘도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 13 은 실시예 11 및 비교예 7 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전류 밀도-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 14 는 실시예 12 및 비교예 8 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전압-휘도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 15 는 실시예 12, 13 및 비교예 8 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의, 전류 밀도-전류 효율 특성을 나타내는 그래프이다.
도 16 은 본 발명에서 나타내는 제 3 유기 전계 발광 소자의 적층 구조의 일례를 나타낸 개략도이다.
도 17a 는 실시예 14 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 17b 는 실시예 14 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-1) 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성, 및, (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 18 은 비교예 9 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 19a 는 실시예 15 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 19b 는 실시예 15 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 20a 는 실시예 16 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 20b 는 실시예 16 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 21 은 실시예 17 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (c-1) 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 22a 는 실시예 18 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 22b 는 실시예 18 에서 제작한 유기 전계 발광 소자 (c-1) 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 23a 는 실시예 19 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 23b 는 실시예 19 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-1) 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 24a 는 실시예 20 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 24b 는 실시예 20 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 25a 는 실시예 21 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 25b 는 실시예 21 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 26a 는 실시예 22 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 26b 는 실시예 22 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-1) 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 27a 는 실시예 23 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 27b 는 실시예 23 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (c-2) 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 28 은 제조예 1 에서 제작한 질소 함유막의 광 전자 분광 측정을 실시한 결과를 나타낸 도면이다.
도 29 는 제조예 2 에서 제작한 질소 함유막의 광 전자 분광 측정을 실시한 결과를 나타낸 도면이다.
도 30 은 제조예 3 에서 제작한 질소 함유막의 광 전자 분광 측정을 실시한 결과를 나타낸 도면이다.
도 31 은 제조예 4 에서 제작한 질소 함유막의 광 전자 분광 측정을 실시한 결과를 나타낸 도면이다.
도 32 는 실시예 24-1 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 33 은 실시예 24-2 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 34 는 실시예 25 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 35 는 비교예 10 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 (a) 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, (b) 전류 밀도-전류 효율 특성의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
1 is a SEM photograph when a solution obtained by dissolving a boron-containing compound 1 in THF is applied to a transparent glass substrate with ITO.
2 is a graph showing voltage-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Example 1 and Comparative Example 1. FIG.
3 is a graph showing voltage-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Examples 2 to 4 and Comparative Example 2. FIG.
4 is a graph showing voltage-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Example 5 and Comparative Example 2. FIG.
5 is a graph showing voltage-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Example 6 and Comparative Example 3. FIG.
6 is a graph showing voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Example 7 and Comparative Example 4. FIG.
7 is a graph showing current density-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Example 7 and Comparative Example 4. FIG.
8 is a graph showing voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Example 8 and Comparative Example 5. FIG.
9 is a graph showing current density-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Example 8 and Comparative Example 5. FIG.
10 is a graph showing voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Examples 9 and 10 and Comparative Example 6. FIG.
11 is a graph showing current density-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Examples 9 and 10 and Comparative Example 6. FIG.
12 is a graph showing voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Example 11 and Comparative Example 7. FIG.
13 is a graph showing current density-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Example 11 and Comparative Example 7. FIG.
14 is a graph showing voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices manufactured in Example 12 and Comparative Example 8. FIG.
15 is a graph showing current density-current efficiency characteristics of organic electroluminescent devices prepared in Examples 12 and 13 and Comparative Example 8. FIG.
16 is a schematic diagram showing an example of a stacked structure of a third organic electroluminescent device according to the present invention.
17A is a view showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 14;
17B shows the continuous driving characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 14 under (c-1) constant current density (equivalent to 100 cd/m 2 ), and (c-2) constant current density (1000 cd/m 2 ). It is a figure showing the measurement result of the continuous drive characteristic in (equivalent).
18 is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Comparative Example 9. FIG.
19A is a view showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 15;
19B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-2) constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 15. FIG.
20A is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 16;
20B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristic under (c-2) constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 16. FIG.
Fig. 21 is a measurement result of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (c-1) continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 100 cd/m2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 17. It is a view showing.
22A is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 18;
22B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 100 cd/m 2) of the organic electroluminescent element (c-1) fabricated in Example 18. FIG.
23A is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 19;
23B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-1) constant current density (equivalent to 100 cd/m2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 19;
24A is a view showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 20;
24B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-2) constant current density (equivalent to 1000 cd/m2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 20;
25A is a view showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 21. FIG.
Fig. 25B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-2) constant current density (equivalent to 1000 cd/m2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 21.
26A is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 22;
26B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-1) constant current density (equivalent to 100 cd/m 2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 22. FIG.
27A is a view showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 23;
Fig. 27B is a diagram showing the measurement results of the continuous driving characteristics under (c-2) constant current density (equivalent to 1000 cd/m2) of the organic electroluminescent device prepared in Example 23.
28 is a diagram showing the results of photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen-containing film produced in Production Example 1. FIG.
29 is a diagram showing the result of photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen-containing film produced in Production Example 2. FIG.
FIG. 30 is a diagram showing the results of photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen-containing film produced in Production Example 3. FIG.
31 is a diagram showing the result of photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen-containing film produced in Production Example 4. FIG.
Fig. 32 is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 24-1.
33 is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 24-2.
34 is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Example 25;
FIG. 35 is a diagram showing measurement results of (a) voltage-current density/luminance characteristics, and (b) current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent device prepared in Comparative Example 10. FIG.

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한, 「부」 는 「중량부」 를, 「%」 는 「질량%」 를 의미하는 것으로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In addition, unless otherwise specified, "part" shall mean "part by weight" and "%" shall mean "mass%".

이하의 실시예에 있어서, 각종 물성은 이하와 같이 하여 측정했다.In the following examples, various physical properties were measured as follows.

1H-NMR>< 1 H-NMR>

얻어진 붕소 함유 화합물을 중수소화클로로포름의 용액으로 하고, 고분해능핵자기 공명 장치 (제품명 「Gemini 2000」 ; 300 MHz, Varian, Inc. 사 제조) 를 사용하여 측정했다. 화학 시프트는 테트라메틸실란으로부터 저자장측에 있어서의 100 만분의 1 (ppm ; δ스케일) 로서 기록하고, 테트라메틸실란의 수소핵 (δ0.00) 을 참조로 했다.The obtained boron-containing compound was used as a solution of deuterated chloroform, and was measured using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name "Gemini 2000"; 300 MHz, manufactured by Varian, Inc.). The chemical shift was recorded as one millionth (ppm; δ scale) on the low-length side from tetramethylsilane, and the hydrogen nuclei (δ0.00) of tetramethylsilane was referred to.

13C-NMR>< 13 C-NMR>

얻어진 붕소 함유 화합물을 중수소화클로로포름의 용액으로 하고, 고분해능 핵자기 공명 장치 (제품명 「Gemini 2000」 ; 75 MHz, Varian, Inc. 사 제조) 를 사용하여 측정했다. 화학 시프트는 테트라메틸실란으로부터 저자장측에 있어서의 100 만분의 1 (ppm ; δ스케일) 로서 기록하고, NMR 용매 중의 탄소핵 (CDCl3:δ = 77.0, CD2Cl2:δ = 53.1, CD3CN:δ = 1.32, DMSO-d6:δ = 39.52) 을 참조로 했다.The obtained boron-containing compound was used as a solution of deuterated chloroform, and was measured using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name "Gemini 2000"; 75 MHz, manufactured by Varian, Inc.). The chemical shift was recorded as 1 millionth (ppm; δ scale) on the low-length side from tetramethylsilane, and carbon nuclei (CDCl 3 : δ = 77.0, CD 2 Cl 2 : δ = 53.1, CD 3 in the NMR solvent) CN: δ = 1.32, DMSO-d 6 : δ = 39.52) were referred to.

11B-NMR>< 11 B-NMR>

얻어진 붕소 함유 화합물을 중수소화클로로포름의 용액으로 하고, 고분해능 핵자기 공명 장치 (제품명 「Mercury-400」 ; 128 MHz, Varian, Inc. 사 제조) 를 사용하여 측정했다. 화학 시프트는 3 불화붕소·디에틸에테르 착물의 붕소핵 (δ = 0.00) 을 기준으로 하는 100 만분의 1 (ppm ; δ스케일) 로서 기록했다.The obtained boron-containing compound was used as a solution of deuterated chloroform, and was measured using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name "Mercury-400"; 128 MHz, manufactured by Varian, Inc.). The chemical shift was recorded as one millionth (ppm; δ scale) based on the boron nuclei (δ = 0.00) of the boron trifluoride-diethyl ether complex.

<고분해능 질량 분석 스펙트럼><High-resolution mass spectrometry>

고분해능 질량 분석계 (제품명 「JMS-SX101A」, 「JMS-MS700」, 「JMS-BU250」, 닛폰 전자사 제조) 를 사용하여, 전자 이온화법 (EI) 또는 고속 전자 충격법 (FAB) 에 의해 측정했다.It was measured by an electron ionization method (EI) or a high-speed electron bombardment method (FAB) using a high-resolution mass spectrometer (product names "JMS-SX101A", "JMS-MS700", "JMS-BU250", manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.) .

<중량 평균 분자량><weight average molecular weight>

중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산에 의한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC 장치, 전개 용매 ; 클로로포름) 에 의해 이하의 장치, 및, 측정 조건으로 측정했다.The weight average molecular weight was measured by the following apparatus and measurement conditions by gel permeation chromatography (GPC apparatus, developing solvent; chloroform) in terms of polystyrene.

고속 GPC 장치:HLC-8220GPC (토소사 제조) High-speed GPC device: HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation)

측정 조건:Measuring conditions:

전개 용매 클로로포름 Developing solvent chloroform

칼럼 TSK-gel GMHXL × 2 개 Column TSK-gel GMHXL x 2

용리액 유량 1 ㎖/min Eluent flow rate 1 ml/min

칼럼 온도 40 ℃Column temperature 40°C

<본 발명의 제 1 유기 전계 발광 소자><The first organic electroluminescent device of the present invention>

(합성예 1)(Synthesis Example 1)

(2,7-비스(3-디벤조보로릴-4-피리딜페닐)-9,9'-스피로플루오렌의 합성) (Synthesis of 2,7-bis(3-dibenzoboroyl-4-pyridylphenyl)-9,9'-spirofluorene)

100 ㎖ 2 구 가지형 플라스크에, 2-(디벤조보로릴페닐)-5-브로모피리딘 (2.6 g, 6.5 mmol), 2,7-비스(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로라닐)-9,9'-스피로플루오렌 (1.5 g, 2.7 mmol), Pd(PtBu3)2 (170 mg, 0.32 mmol) 를 넣었다. 플라스크 내를 질소 분위기하로 하여, THF (65 ㎖) 를 첨가하여 교반했다.In a 100 ml two-necked flask, 2-(dibenzoboroylphenyl)-5-bromopyridine (2.6 g, 6.5 mmol), 2,7-bis(4,4,5,5-tetramethyl- 1,3,2-dioxabororanyl)-9,9'-spirofluorene (1.5 g, 2.7 mmol), Pd(P t Bu 3 ) 2 (170 mg, 0.32 mmol) was added. The inside of the flask was placed under a nitrogen atmosphere, and THF (65 ml) was added and stirred.

이것에, 2 M 인산 3 칼륨 수용액 (11 ㎖, 22 mmol) 을 첨가하고, 70 ℃ 에서 환류시키면서 가열 교반했다. 12 시간 후, 실온까지 냉각시키고, 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨 물을 첨가하고, 아세트산에틸로 추출했다. 유기층을 3 N 염산, 물, 포화 식염수로 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 여과한 여과액을 농축하여, 얻어진 고체를 메탄올로 세정하고, 2,7-비스(3-디벤조보로릴-4-피리딜페닐)-9,9'-스피로플루오렌 (붕소 함유 화합물 1) 을 수율 47 % 로 얻었다 (1.2 g, 1.3 mmol).To this, a 2M aqueous tripotassium phosphate solution (11 ml, 22 mmol) was added, followed by heating and stirring at 70°C while refluxing. After 12 hours, it was cooled to room temperature, the reaction solution was transferred to a separatory funnel, water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with 3N hydrochloric acid, water and saturated brine, and then dried over magnesium sulfate. The filtered filtrate was concentrated, and the obtained solid was washed with methanol, and 2,7-bis(3-dibenzoboroyl-4-pyridylphenyl)-9,9'-spirofluorene (boron-containing compound 1) ) Was obtained in a yield of 47% (1.2 g, 1.3 mmol).

그 물성치는 이하와 같았다.Its properties were as follows.

Figure 112014106029210-pct00060
Figure 112014106029210-pct00060

또, 합성예 1 의 반응은 하기 반응식과 같이 나타낸다.In addition, the reaction of Synthesis Example 1 is represented by the following reaction formula.

[화학식 47][Chemical Formula 47]

Figure 112014106029210-pct00061
Figure 112014106029210-pct00061

합성예 1 에 있어서 합성된 붕소 함유 화합물 1 에 대해, 이하에 나타내는 소자 물성을 평가했다.About the boron-containing compound 1 synthesized in Synthesis Example 1, the device physical properties shown below were evaluated.

<도포 막제조성><Application film composition>

붕소 함유 화합물 1 을 THF 에 용해시킨 용액을 ITO 가 부착된 투명 유리 기판에 도포하자, 평활한 박막을 얻을 수 있었다. 그 SEM (주사형 전자 현미경) 사진 (배율:10000 배) 을 도 1 에 나타낸다. 이 결과로부터, 붕소 함유 화합물 1 은 저분자이면서, 용액으로부터의 도포 막제조가 가능한 화합물인 것이 실증되었다.When the solution obtained by dissolving the boron-containing compound 1 in THF was applied to a transparent glass substrate with ITO, a smooth thin film was obtained. The SEM (scanning electron microscope) photograph (magnification: 10000 times) is shown in FIG. 1. From this result, it was demonstrated that the boron-containing compound 1 is a compound capable of producing a coating film from a solution while having a low molecular weight.

(합성예 2)(Synthesis Example 2)

아르곤 분위기하, 5-브로모-2-(4-브로모페닐)피리딘 (94 mg, 0.30 mmol) 을 함유하는 디클로로메탄 용액 (0.3 ㎖) 에, 에틸디이소프로필아민 (39 mg, 0.30 mmol) 을 첨가한 후, 0 ℃ 에서 3 브롬화붕소 (1.0 M, 0.9 ㎖, 0.9 mmol) 를 첨가하고, 실온에서 9 시간 교반했다. 반응 용액을 0 ℃ 까지 냉각시킨 후, 포화 탄산칼륨 수용액을 첨가하여, 클로로포름으로 추출했다. 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 황산마그네슘으로 건조시켜 여과했다. 여과액을 로터리 이배퍼레이터로 농축한 후, 생성된 백색 고체를 여과 채취하고, 헥산으로 세정함으로써, 하기 식 (50) ; In an argon atmosphere, to a dichloromethane solution (0.3 ml) containing 5-bromo-2-(4-bromophenyl)pyridine (94 mg, 0.30 mmol), ethyldiisopropylamine (39 mg, 0.30 mmol) After adding, boron bromide (1.0 M, 0.9 mL, 0.9 mmol) was added at 0°C, followed by stirring at room temperature for 9 hours. After cooling the reaction solution to 0°C, a saturated aqueous potassium carbonate solution was added, followed by extraction with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate, and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (50);

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112014106029210-pct00062
Figure 112014106029210-pct00062

으로 나타내는 붕소 함유 화합물 2 (40 mg, 0.082 mmol) 를 수율 28 % 로 얻었다.The boron-containing compound 2 (40 mg, 0.082 mmol) represented by was obtained in a yield of 28%.

그 물성치는 이하와 같았다.Its properties were as follows.

Figure 112014106029210-pct00063
Figure 112014106029210-pct00063

(합성예 3)(Synthesis Example 3)

질소 분위기하, 펜타플루오로페닐마그네슘브로마이드의 디에틸에테르 용액 (1 M, 61.2 ㎖, 70.4 mmol) 을 0 ℃ 까지 냉각시키고, 여기에 염화아연의 디에틸에테르 용액 (1 M, 17 ㎖, 17 mmol) 을 교반하면서 적하해간다. 적하 종료 후, 실온에서 1 시간 교반한다. 거기에 상기 식 (26) 으로 나타내는 5-브로모-2-(4-브로모-2-디브로모보릴페닐)피리딘 (3.8 g, 8 mmol) 을 함유하는 톨루엔 용액 (80 ㎖) 을 첨가하고, 80 ℃ 에서 15 시간 가열 교반했다. 실온까지 냉각시키고, 반응 용액을 빙수에 첨가하여, 클로로포름으로 추출했다. 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 황산나트륨으로 건조시켜 여과했다. 여과액을 로터리 이배퍼레이터로 농축한 후, 실리카 겔 크로마토그래피 (헥산:디클로로메탄 = 1:1) 로 정제함으로써, 하기 식 (51) ; In a nitrogen atmosphere, a diethyl ether solution of pentafluorophenylmagnesium bromide (1 M, 61.2 ml, 70.4 mmol) was cooled to 0°C, and a diethyl ether solution of zinc chloride (1 M, 17 ml, 17 mmol) ) While stirring. After completion of the dropping, it is stirred at room temperature for 1 hour. Toluene solution (80 ml) containing 5-bromo-2-(4-bromo-2-dibromoborylphenyl)pyridine (3.8 g, 8 mmol) represented by the above formula (26) was added thereto, It heated and stirred at 80 degreeC for 15 hours. After cooling to room temperature, the reaction solution was added to ice water, followed by extraction with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated by a rotary evaporator and then purified by silica gel chromatography (hexane:dichloromethane = 1:1) to obtain the following formula (51);

[화학식 49][Chemical Formula 49]

Figure 112014106029210-pct00064
Figure 112014106029210-pct00064

로 나타내는 붕소 함유 화합물 3 (2.2 g, 4.61 mmol) 을 수율 58 % 로 얻었다.The boron-containing compound 3 (2.2 g, 4.61 mmol) represented by was obtained in a yield of 58%.

그 물성치는 이하와 같았다.Its properties were as follows.

Figure 112014106029210-pct00065
Figure 112014106029210-pct00065

(합성예 4)(Synthesis Example 4)

상기 식 (51) 로 나타내는 BC6F5 디브로마이드 (붕소 함유 화합물 3) (337 mg, 0.51 mmol), 하기 식 (52) 로 나타내는 F8 보론산디에스테르 (292 mg, 0.52 mmol) 를 톨루엔 (3 ㎖) 과 THF (3 ㎖) 에 용해시켜, 아르곤 분위기하, 실온에서 10 분간 교반했다. 여기에, Aliquat 336 (21 mg), 25 질량% Et4NOH 수용액 (0.86 ㎖) 과 증류수 (0.75 ㎖) 의 혼합 수용액을 첨가하고, 아르곤 분위기하, 실온에서 다시 20 분간 교반하여 탈기를 완료시켰다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (8.9 mg, 0.007 mmol) 을 첨가한 후, 115 ℃ 에서 환류시키면서 48 시간 가열 교반했다. 말단 밀봉을 위해, 브로모벤젠 (105 mg, 0.67 mmol) 을 첨가하여 5 시간 교반하고, 추가로 페닐보론산 (294 mg, 2.41 mmol) 을 첨가하여 5 시간 교반했다. 실온까지 방랭하고, 톨루엔으로 희석한 반응 용액을 염산으로 1 회, 순수로 2 회 분액 세정하고, 유기층을 수 ㎖ 정도까지 농축했다. 농축액을 300 ㎖ 의 메탄올 중에 적하시켜 그대로 10 분 교반하고, 얻어진 침전을 여과 채취했다. 동일한 정제 과정을 합계 3 회 반복하고, 고체를 감압 건조시킴으로써, 하기 식 (53) 으로 나타내는 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 를 얻었다. 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 중량 평균 분자량은 126000 이었다.BC6F5 dibromide (boron-containing compound 3) (337 mg, 0.51 mmol) represented by the above formula (51) and F8 boronic acid diester (292 mg, 0.52 mmol) represented by the following formula (52) were added to toluene (3 mL) and THF. It dissolved in (3 ml) and stirred at room temperature for 10 minutes under an argon atmosphere. A mixed aqueous solution of Aliquat 336 (21 mg), 25% by mass Et 4 NOH aqueous solution (0.86 ml) and distilled water (0.75 ml) was added thereto, followed by stirring for another 20 minutes at room temperature under an argon atmosphere to complete deaeration. After tetrakistriphenylphosphine palladium (8.9 mg, 0.007 mmol) was added thereto, the mixture was heated and stirred for 48 hours while refluxing at 115°C. For terminal sealing, bromobenzene (105 mg, 0.67 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (294 mg, 2.41 mmol) was further added and stirred for 5 hours. After standing to cool to room temperature, the reaction solution diluted with toluene was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol, stirred for 10 minutes as it was, and the obtained precipitate was collected by filtration. The same purification process was repeated three times in total, and the solid was dried under reduced pressure to obtain a boron-containing polymer F8BC6F5 represented by the following formula (53). The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8BC6F5 was 126000.

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112014106029210-pct00066
Figure 112014106029210-pct00066

[화학식 51][Formula 51]

Figure 112014106029210-pct00067
Figure 112014106029210-pct00067

(유기 전계 발광 소자의 제작)(Production of organic electroluminescent device)

이하의 실시예에 있어서, 버퍼층의 평균 두께는 촉침식 단차계 (제품명 「알파스텝 IQ」, KLA 텐코르사 제조) 를 사용하여 측정했다.In the following examples, the average thickness of the buffer layer was measured using a stylus-type step meter (product name "Alpha Step IQ", manufactured by KLA Tencor).

(실시예 1)(Example 1)

[1]시판되고 있는 평균 두께 0.7 mm 의 ITO 전극층이 형성된 투명 유리 기판을 준비했다. 이 때, 기판의 ITO 전극 (제 1 전극) 은 폭 2 mm 로 패터닝되어 있는 것을 사용했다. 이 기판을 아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비했다. 이 기판을 이소프로판올 중에서 꺼내어, 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시했다.[1] A transparent glass substrate on which a commercially available ITO electrode layer having an average thickness of 0.7 mm was formed was prepared. At this time, the ITO electrode (first electrode) of the substrate was patterned to a width of 2 mm. The substrate was ultrasonically cleaned for 10 minutes each in acetone and isopropanol, and then boiled for 5 minutes in isopropanol. This substrate was taken out in isopropanol, dried by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning was performed for 20 minutes.

[2]이 기판을, 아연 금속 타겟을 가지는 미라트론 스퍼터 장치의 기판 홀더에 고정했다. 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압한 후, 아르곤과 산소를 도입한 상태에서 스퍼터하고, 막두께 약 2 nm 의 산화아연층을 제조했다. 이 때에 메탈마스크를 병용하여, 전극 취출을 위해 ITO 전극의 일부는 산화아연이 막형성되지 않도록 했다.[2] This substrate was fixed to the substrate holder of a Miratron sputtering apparatus having a zinc metal target. After reducing the pressure to about 1 × 10 -4 Pa, it was sputtered while introducing argon and oxygen to prepare a zinc oxide layer having a thickness of about 2 nm. At this time, a metal mask was used in combination to prevent zinc oxide from forming on a part of the ITO electrode for electrode extraction.

[3]아세트산마그네슘의 1 % 물-에탄올 (체적비로 1:3) 혼합 용액을 제조했다. 공정[2]에서 제조한 기판을, 공정[1]과 마찬가지로 하여 재차 세정했다. 세정한 산화아연 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 아세트산마그네슘 용액을 적하하고, 매분 1300 회전으로 60 초간 회전시켰다. 이것을 대기 중, 400 ℃ 로 세트한 핫 플레이트로 2 시간 소성함으로써, 산화아연/산화마그네슘층 (제 1 금속 산화물층) 을 형성했다.[3] A 1% water-ethanol (1:3 by volume ratio) mixed solution of magnesium acetate was prepared. The substrate produced in step [2] was washed again in the same manner as in step [1]. The substrate on which the cleaned zinc oxide thin film was formed was set on a spin coater. A magnesium acetate solution was dripped on this substrate, and it rotated for 60 seconds at 1300 revolutions per minute. A zinc oxide/magnesium oxide layer (first metal oxide layer) was formed by firing this in air with a hot plate set at 400°C for 2 hours.

[4]붕소 함유 화합물 1 의 0.2 % 테트라하이드로푸란 용액을 제조했다. 공정[3]에서 제조한 산화아연/산화마그네슘 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 붕소 함유 화합물 1 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시키고, 붕소 함유 유기 화합물로 이루어지는 버퍼층을 형성했다. 버퍼층의 평균 두께는 5 nm 였다.[4] A 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing compound 1 was prepared. The substrate on which the zinc oxide/magnesium oxide thin film produced in step [3] was formed was set on a spin coater. The boron-containing compound 1 solution was dripped on the substrate, and rotated for 30 seconds at 2000 rotations per minute to form a buffer layer made of a boron-containing organic compound. The average thickness of the buffer layer was 5 nm.

[5]붕소 함유 유기 화합물의 층까지 형성한 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정했다. 4,4'-비스[9-디카르바졸릴]-2,2'-비페닐 (CBP), 이리듐트리스(1-페닐이소퀴놀린) (Ir(piq)3), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 (α-NPD) 를 각각 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-5 Pa 까지 감압하고, CBP 를 호스트, Ir(piq)3 을 도펀트로서 35 nm 공증착하여, 발광층을 막형성했다. 이 때, 도프 농도는 Ir(piq)3 이 발광층 전체에 대해 6 중량% 가 되도록 했다. 다음으로, α-NPD 를 60 nm 증착하고, 정공 수송층을 막형성했다. 다음으로, 한 번 질소 퍼지한 후, 삼산화몰리브덴, 금을 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-5 Pa 까지 감압하고, 삼산화몰리브덴 (제 2 금속 산화물층) 을 막두께 10 nm 가 되도록 증착했다. 다음으로, 금 (제 2 전극) 을 막두께 50 nm 가 되도록 증착하고, 유기 전계 발광 소자 1-1 을 제작했다. 제 2 전극을 증착할 때, 스테인리스제의 증착 마스크를 사용하여 증착면이 폭 2 mm 의 띠형상이 되도록 했다. 즉, 제작한 유기 전계 발광 소자의 발광 면적은 4 ㎟ 로 했다.[5] The substrate formed up to the layer of the boron-containing organic compound was fixed to the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus. 4,4'-bis[9-dicarbazolyl]-2,2'-biphenyl (CBP), iridium tris (1-phenylisoquinoline) (Ir(piq) 3 ), N,N'-di(1 -Naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (?-NPD) was placed in an alumina crucible, respectively, and set as an evaporation source. The inside of the vacuum evaporation apparatus was reduced to about 1×10 -5 Pa, CBP was co-deposited as a host and Ir(piq) 3 as a dopant at 35 nm to form a light emitting layer. At this time, the dope concentration was set so that Ir(piq) 3 was 6% by weight with respect to the entire light emitting layer. Next, α-NPD was deposited at 60 nm to form a hole transport layer. Next, after purging with nitrogen once, molybdenum trioxide and gold were put into an alumina crucible and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1×10 −5 Pa, and molybdenum trioxide (second metal oxide layer) was vapor-deposited so as to have a film thickness of 10 nm. Next, gold (second electrode) was vapor-deposited so as to have a film thickness of 50 nm, and an organic electroluminescent element 1-1 was produced. When depositing the second electrode, a vapor deposition mask made of stainless steel was used so that the vapor deposition surface became a band shape having a width of 2 mm. That is, the light emission area of the produced organic electroluminescent element was set to 4 mm 2.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

공정[4]를 생략한 것 이외는 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 1-2 를 제작했다.Except having omitted the step [4], it carried out similarly to Example 1, and produced the organic electroluminescent element 1-2.

(실시예 2)(Example 2)

[1]시판되고 있는 평균 두께 0.7 mm 의 ITO 전극층이 형성된 투명 유리 기판을 준비했다. 이 때, 기판의 ITO 전극 (제 1 전극) 은 폭 2 mm 로 패터닝되어 있는 것을 사용했다. 이 기판을 아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비했다. 이 기판을 이소프로판올 중에서 꺼내어, 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시했다.[1] A transparent glass substrate on which a commercially available ITO electrode layer having an average thickness of 0.7 mm was formed was prepared. At this time, the ITO electrode (first electrode) of the substrate was patterned to a width of 2 mm. The substrate was ultrasonically cleaned for 10 minutes each in acetone and isopropanol, and then boiled for 5 minutes in isopropanol. This substrate was taken out in isopropanol, dried by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning was performed for 20 minutes.

[2]이 기판을, 아연 금속 타겟을 가지는 미라트론 스퍼터 장치의 기판 홀더에 고정했다. 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압한 후, 아르곤과 산소를 도입한 상태에서 스퍼터하고, 막두께 약 2 nm 의 산화아연층 (제 1 금속 산화물층) 을 제조했다. 이 때에 메탈 마스크를 병용하여, 전극 취출을 위해 ITO 전극의 일부는 산화아연이 막형성되지 않도록 했다.[2] This substrate was fixed to the substrate holder of a Miratron sputtering apparatus having a zinc metal target. After reducing the pressure to about 1 × 10 -4 Pa, it was sputtered while introducing argon and oxygen to prepare a zinc oxide layer (first metal oxide layer) having a thickness of about 2 nm. At this time, a metal mask was used in combination to prevent zinc oxide from forming on a part of the ITO electrode for electrode extraction.

[3]붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 0.2 % 테트라하이드로푸란 용액을 제조했다. 공정[2]에서 제조한 산화아연 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시켜, 붕소 함유 유기 화합물로 이루어지는 버퍼층을 형성했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.[3] A 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing polymer F8BC6F5 was prepared. The substrate on which the zinc oxide thin film prepared in step [2] was formed was set on a spin coater. A boron-containing polymer F8BC6F5 solution was dripped on this substrate, and rotated for 30 seconds at 2,000 rotations per minute to form a buffer layer made of a boron-containing organic compound. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

[4]붕소 함유 유기 화합물의 층까지 형성한 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정했다. 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 (α-NPD) 를 각각 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압하고, Alq3 을 65 nm 공증착하여, 발광층을 막형성했다. 다음으로, α-NPD 를 60 nm 증착하고, 정공 수송층을 막형성했다. 다음으로, 한 번 질소 퍼지한 후, 삼산화몰리브덴, 금을 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압하고, 삼산화몰리브덴 (제 2 금속 산화물층) 을 막두께 10 nm 가 되도록 증착했다. 다음으로, 금 (제 2 전극) 을 막두께 30 nm 가 되도록 증착하고, 유기 전계 발광 소자 1-3 을 제작했다. 제 2 전극을 증착할 때, 스테인리스제의 증착 마스크를 사용하여 증착면이 폭 2 mm 의 띠형상이 되도록 했다. 즉, 제작한 유기 전계 발광 소자의 발광 면적은 4 ㎟ 로 했다.[4] The substrate formed up to the layer of the boron-containing organic compound was fixed to the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus. Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq 3 ), N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'- Diamine (?-NPD) was placed in an alumina crucible, respectively, and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1 × 10 -4 Pa, and Alq 3 was co-deposited at 65 nm to form a light emitting layer. Next, α-NPD was deposited at 60 nm to form a hole transport layer. Next, after purging with nitrogen once, molybdenum trioxide and gold were put into an alumina crucible and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1×10 −4 Pa, and molybdenum trioxide (second metal oxide layer) was vapor-deposited so as to have a film thickness of 10 nm. Next, gold (second electrode) was vapor-deposited so that a film thickness might be 30 nm, and an organic electroluminescent element 1-3 was produced. When depositing the second electrode, a vapor deposition mask made of stainless steel was used so that the vapor deposition surface became a band shape having a width of 2 mm. That is, the light emission area of the produced organic electroluminescent element was set to 4 mm 2.

(실시예 3)(Example 3)

실시예 2 에서의 공정[3]에서 사용한 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 0.2 % 테트라하이드로푸란 용액을, 시판되고 있는 폴리(디옥틸플루오렌-알트-벤조티아디아졸)(F8BT) 의 0.2 % 자일렌 용액으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자 1-4 를 제작했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.A 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing polymer F8BC6F5 used in step [3] in Example 2 was a 0.2% xylene solution of commercially available poly(dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) (F8BT) Except having changed to, it carried out similarly, and produced the organic electroluminescent element 1-4. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 2 에서의 공정[3]에서 사용한 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 0.2 %테트라하이드로푸란 용액을, 시판되고 있는 폴리(디옥틸플루오렌)(PFO) 의 0.2 % 자일렌 용액으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자 1-5 를 제작했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.In the same manner as in Example 2 except having changed the 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing polymer F8BC6F5 used in step [3] to a commercially available 0.2% xylene solution of poly(dioctylfluorene) (PFO). Thus, an organic electroluminescent element 1-5 was produced. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

공정[3]을 생략한 것 이외는 실시예 2 와 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 1-6 을 제작했다.Except having omitted the step [3], it carried out similarly to Example 2, and produced the organic electroluminescent element 1-6.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 2 에서의 공정[3]에서 사용한 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 0.2 % 테트라하이드로푸란 용액을, 닛폰 촉매사 제조 폴리에틸렌이민 SP-200 의 1 % 에탄올 용액으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자 1-7 을 제작했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.Organic electroluminescent device in the same manner as in Example 2 except that the 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing polymer F8BC6F5 used in step [3] was changed to a 1% ethanol solution of polyethyleneimine SP-200 manufactured by Nippon Catalyst Made 1-7. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

(실시예 6)(Example 6)

[1]시판되고 있는 평균 두께 0.7 mm 의 ITO 전극층이 형성된 투명 유리 기판을 준비했다. 이 때, 기판의 ITO 전극 (제 1 전극) 은 폭 2 mm 로 패터닝되어 있는 것을 사용했다. 이 기판을 아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비했다. 이 기판을 이소프로판올 중에서 꺼내어, 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시했다.[1] A transparent glass substrate on which a commercially available ITO electrode layer having an average thickness of 0.7 mm was formed was prepared. At this time, the ITO electrode (first electrode) of the substrate was patterned to a width of 2 mm. The substrate was ultrasonically cleaned for 10 minutes each in acetone and isopropanol, and then boiled for 5 minutes in isopropanol. This substrate was taken out in isopropanol, dried by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning was performed for 20 minutes.

[2]이 기판을, 티탄 금속 타겟을 가지는 미라트론 스퍼터 장치의 기판 홀더에 고정했다. 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압한 후, 아르곤과 산소를 도입한 상태에서 스퍼터하고, 막두께 약 2 nm 의 산화티탄층 (제 1 금속 산화물층) 을 제조했다. 이 때에 메탈 마스크를 병용하여, 전극 취출을 위해 ITO 전극의 일부는 산화티탄이 막형성되지 않도록 했다.[2] This substrate was fixed to the substrate holder of a Miratron sputtering apparatus having a titanium metal target. After reducing the pressure to about 1 × 10 -4 Pa, it was sputtered while introducing argon and oxygen to prepare a titanium oxide layer (first metal oxide layer) having a thickness of about 2 nm. At this time, a metal mask was used in combination to prevent a titanium oxide film from being formed on a part of the ITO electrode for electrode extraction.

[3]붕소 함유 중합체 F8BC6F5 의 0.2 % 테트라하이드로푸란 용액을 제조했다. 공정[2]에서 제조한 산화티탄 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 붕소 함유 중합체 F8BC6F5 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시켜, 붕소 함유 유기 화합물로 이루어지는 버퍼층을 형성했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.[3] A 0.2% tetrahydrofuran solution of the boron-containing polymer F8BC6F5 was prepared. The substrate on which the titanium oxide thin film produced in step [2] was formed was set on a spin coater. A boron-containing polymer F8BC6F5 solution was dripped on this substrate, and rotated for 30 seconds at 2,000 rotations per minute to form a buffer layer made of a boron-containing organic compound. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

[4]붕소 함유 유기 화합물의 층까지 형성한 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정했다. 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 (α-NPD) 를 각각 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압하고, Alq3 을 65 nm 공증착하여, 발광층을 막형성했다. 다음으로, α-NPD 를 60 nm 증착하여, 정공 수송층을 막형성했다. 다음으로, 한 번 질소 퍼지한 후, 삼산화몰리브덴, 금을 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압하고, 삼산화몰리브덴 (제 2 금속 산화물층) 을 막두께 10 nm 가 되도록 증착했다. 다음으로, 금 (제 2 전극) 을 막두께 30 nm 가 되도록 증착하고, 유기 전계 발광 소자 1-8 을 제작했다. 제 2 전극을 증착할 때, 스테인리스제의 증착 마스크를 사용하여 증착면이 폭 2 mm 의 띠형상이 되도록 했다. 즉, 제작한 유기 전계 발광 소자의 발광 면적은 4 ㎟ 로 했다.[4] The substrate formed up to the layer of the boron-containing organic compound was fixed to the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus. Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq 3 ), N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'- Diamine (?-NPD) was placed in an alumina crucible, respectively, and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1 × 10 -4 Pa, and Alq 3 was co-deposited at 65 nm to form a light emitting layer. Next, α-NPD was vapor-deposited at 60 nm to form a hole transport layer. Next, after purging with nitrogen once, molybdenum trioxide and gold were put into an alumina crucible and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1×10 −4 Pa, and molybdenum trioxide (second metal oxide layer) was vapor-deposited so as to have a film thickness of 10 nm. Next, gold (2nd electrode) was vapor-deposited so that the film thickness might be 30 nm, and the organic electroluminescent element 1-8 was produced. When depositing the second electrode, a vapor deposition mask made of stainless steel was used so that the vapor deposition surface became a band shape having a width of 2 mm. That is, the light emission area of the produced organic electroluminescent element was set to 4 mm 2.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

공정[3]대신에 공정[3b]를 실시한 것 이외는 실시예 6 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 1-9 를 제작했다.It carried out similarly to Example 6 except having implemented the process [3b] instead of the process [3], and produced the organic electroluminescent element 1-9.

[3b]일본 공개특허공보 2012-4492호 (특허문헌 5) 의 단락〔0064〕∼〔0066〕에 기재된 자기 조직화 단분자막용 재료 F8TES 를 에탄올로 1 % 로 희석한 용액을 제작했다. 공정[2]에서 제조한 산화티탄 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 자기 조직화 단분자막용 재료 F8TES 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시켰다. 직후에, 에탄올에 의해 린스를 실시하고, 추가로 10 분간 에탄올에 의한 초음파 세정을 실시했다. 린스 후, 핫 플레이트에 의해 90 ℃ 10 분간 고정화를 실시하고, 자기 조직화 단분자막층을 형성했다. 버퍼층의 평균 두께는 2 nm 였다. F8TES 는 하기 식 (54) 의 화합물이다.[3b] A solution obtained by diluting the material F8TES for self-organizing monolayers described in paragraphs [0064] to [0066] of JP 2012-4492 A (Patent Document 5) to 1% with ethanol was prepared. The substrate on which the titanium oxide thin film produced in step [2] was formed was set on a spin coater. A self-organizing monomolecular film material F8TES solution was dripped on this substrate, and it was rotated for 30 seconds at 2000 rotations per minute. Immediately after, it rinsed with ethanol, and ultrasonically cleaned with ethanol for 10 minutes further. After rinsing, immobilization was performed at 90° C. for 10 minutes on a hot plate to form a self-assembled monolayer. The average thickness of the buffer layer was 2 nm. F8TES is a compound of the following formula (54).

[화학식 52][Formula 52]

Figure 112014106029210-pct00068
Figure 112014106029210-pct00068

(유기 전계 발광 소자의 발광 특성 측정)(Measurement of luminescence characteristics of organic electroluminescent devices)

케이스레이사 제조의 「2400 형 소스 미터」에 의해, 소자에 대한 전압 인가와 전류 측정을 실시했다. 코니카 미놀타사 제조의 「LS-100」에 의해, 발광 휘도를 측정했다. 또, 육안으로 발광면의 균일성을 확인했다.Voltage application and current measurement were performed to the device using a "2400 type source meter" manufactured by Caseray. The light emission luminance was measured by "LS-100" manufactured by Konica Minolta. Moreover, the uniformity of the light emitting surface was confirmed visually.

실시예 1 및 비교예 1 에서 제작한 유기 전계 발광 소자를, 아르곤 분위기하에서 4 V ∼ 10 V 까지의 직류 전압을 인가했을 때의 전압-전류 효율 특성을 도 2 에 나타낸다. 비교예 1 에서 제작한 소자는 전류 효율이 낮고, 리크 전류가 큰 것을 알 수 있다. 한편, 실시예 1 에서 제작한 소자는 전류 효율이 높고, 리크 전류가 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 육안 관찰에서는 실시예 1 에서 제작한 소자는 매우 균일한 발광을 확인할 수 있었다.The voltage-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent devices fabricated in Example 1 and Comparative Example 1 when a DC voltage of 4 V to 10 V is applied in an argon atmosphere is shown in FIG. 2. It can be seen that the device manufactured in Comparative Example 1 has a low current efficiency and a large leakage current. On the other hand, it can be seen that the device fabricated in Example 1 has high current efficiency and suppresses leakage current. In addition, by visual observation, the device fabricated in Example 1 was able to confirm very uniform light emission.

실시예 2 ∼ 4 및 비교예 2 에서 제작한 유기 전계 발광 소자를, 아르곤 분위기하에서 4 V ∼ 15 V 까지의 직류 전압을 인가했을 때의 전압-전류 효율 특성을 도 3 에 나타낸다. 또, 실시예 5 및 비교예 2 에서 제작한 유기 전계 발광 소자를, 아르곤 분위기하에서 4 V ∼ 15 V 까지의 직류 전압을 인가했을 때의 전압-전류 효율 특성을 도 4 에 나타낸다. 비교예 2 에서 제작한 소자는 리크 전류가 매우 커서 전혀 발광하지 않았다. 한편, 실시예 2 ∼ 5 에서 제작한 소자는 전류 효율이 높고, 리크 전류가 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 육안 관찰에서는 실시예 2 ∼ 5 에서 제작한 소자는 매우 균일한 발광을 확인할 수 있었다.The voltage-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent devices fabricated in Examples 2 to 4 and Comparative Example 2 when a DC voltage of 4 V to 15 V is applied in an argon atmosphere is shown in FIG. 3. In addition, the voltage-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent devices fabricated in Example 5 and Comparative Example 2 when a DC voltage of 4 V to 15 V is applied in an argon atmosphere is shown in FIG. 4. The device fabricated in Comparative Example 2 had a very large leakage current and did not emit light at all. On the other hand, it can be seen that the devices fabricated in Examples 2 to 5 have high current efficiency and suppress leakage current. Further, by visual observation, the devices fabricated in Examples 2 to 5 were able to confirm very uniform light emission.

실시예 6 및 비교예 3 에서 제작한 유기 전계 발광 소자를, 아르곤 분위기하에서 4 V ∼ 15 V 까지의 직류 전압을 인가했을 때의 전압-전류 효율 특성을 도 5 에 나타낸다. 비교예 3 에서 제작한 소자는 리크 전류가 매우 커서, 일순간 발광한 후 곧 전혀 발광하지 않게 되었다. 한편, 실시예 6 에서 제작한 소자는 전류 효율이 높아, 리크 전류가 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 육안 관찰에서는 실시예 6 에서 제작한 소자는 매우 균일한 발광을 확인할 수 있었다.Fig. 5 shows the voltage-current efficiency characteristics when a DC voltage of 4 V to 15 V is applied to the organic electroluminescent devices produced in Example 6 and Comparative Example 3 in an argon atmosphere. The device fabricated in Comparative Example 3 had a very large leakage current, and immediately did not emit light at all after emitting light for an instant. On the other hand, it can be seen that the device fabricated in Example 6 has high current efficiency and suppresses leakage current. In addition, by visual observation, the device fabricated in Example 6 was able to confirm very uniform light emission.

이상으로부터, 유기 무기 하이브리드형의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기 화합물을 도포 막형성하는 층에 의해 리크 전류의 억제와 균일한 면발광을 달성할 수 있는 것이 확인되었다.From the above, it was confirmed that in the organic-inorganic hybrid type organic electroluminescent device, the leakage current can be suppressed and uniform surface light emission can be achieved by the layer on which the organic compound is coated.

<본 발명의 제 2 유기 전계 발광 소자><The second organic electroluminescent device of the present invention>

이하의 실시예에 있어서, 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층의 평균 두께는 촉침식 단차계 (제품명 「알파스텝 IQ」, KLA 텐코르사 제조) 를 사용하여 측정했다.In the following examples, the average thickness of each layer constituting the organic electroluminescent element was measured using a stylus type step meter (product name "Alpha Step IQ", manufactured by KLA Tencor).

(유기 전계 발광 소자의 제작)(Production of organic electroluminescent device)

(실시예 7)(Example 7)

[1]시판되고 있는 평균 두께 0.7 mm 의 ITO 전극층이 형성된 투명 유리 기판을 준비했다. 이 때, 기판의 ITO 전극 (제 1 전극) 은 폭 2 mm 로 패터닝되어 있는 것을 사용했다. 이 기판을 아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비했다. 이 기판을 이소프로판올 중에서 꺼내어, 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시했다.[1] A transparent glass substrate on which a commercially available ITO electrode layer having an average thickness of 0.7 mm was formed was prepared. At this time, the ITO electrode (first electrode) of the substrate was patterned to a width of 2 mm. The substrate was ultrasonically cleaned for 10 minutes each in acetone and isopropanol, and then boiled for 5 minutes in isopropanol. This substrate was taken out in isopropanol, dried by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning was performed for 20 minutes.

[2]이 기판을, 아연 금속 타겟을 가지는 미라트론 스퍼터 장치의 기판 홀더에 고정했다. 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압한 후, 아르곤과 산소를 도입한 상태에서 스퍼터하고, 막두께 약 2 nm 의 산화아연층을 제조했다. 이 때에 메탈 마스크를 병용하여, 전극 취출을 위해 ITO 전극의 일부는 산화아연이 막형성되지 않게 했다. 이것을 대기 중, 400 ℃ 로 세트한 핫 플레이트로 1 시간 소성함으로써, 산화아연층 (제 1 금속 산화물층) 을 형성했다.[2] This substrate was fixed to the substrate holder of a Miratron sputtering apparatus having a zinc metal target. After reducing the pressure to about 1 × 10 -4 Pa, it was sputtered while introducing argon and oxygen to prepare a zinc oxide layer having a thickness of about 2 nm. At this time, a metal mask was used in combination to prevent zinc oxide from forming on a part of the ITO electrode for electrode extraction. A zinc oxide layer (first metal oxide layer) was formed by firing this in air with a hot plate set at 400°C for 1 hour.

[3]상기 합성예 1 에서 합성한 붕소 함유 화합물 1 의 0.2 %, (4-(1,3-디메틸-2,3-디하이드로-1H-벤조이미다졸-2-일)페닐)디메틸아민 (N-DMBI) 의 0.002 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액을 제조했다. 공정[2]에서 제조한 산화아연 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 붕소 함유 화합물 1, N-DMBI 혼합 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시켜, 붕소 함유 유기 화합물을 포함하는 버퍼층을 형성했다. 또한, 이것을 질소 분위기하 100 ℃ 로 세트한 핫 플레이트로 1 시간 어닐 처리를 실시했다. 버퍼층의 평균 두께는 10 nm 였다.[3] 0.2% of the boron-containing compound 1 synthesized in Synthesis Example 1, (4-(1,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol-2-yl)phenyl)dimethylamine ( A 0.002% 1,2-dichloroethane mixed solution of N-DMBI) was prepared. The substrate on which the zinc oxide thin film prepared in step [2] was formed was set on a spin coater. A mixed solution of boron-containing compound 1 and N-DMBI was dripped on this substrate, and rotated for 30 seconds at 2000 rotations per minute to form a buffer layer containing a boron-containing organic compound. Further, this was annealed for 1 hour with a hot plate set at 100°C in a nitrogen atmosphere. The average thickness of the buffer layer was 10 nm.

[4]붕소 함유 유기 화합물의 층까지 형성한 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정했다. 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨 (Bebq2), 이리듐트리스(1-페닐이소퀴놀린) (Ir(piq)3), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 (α-NPD) 를 각각 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-5 Pa 까지 감압하고, Bebq2 를 호스트, Ir(piq)3 을 도펀트로서 35 nm 공증착하여, 발광층을 막형성했다. 이 때, 도프 농도는 Ir(piq)3 이 발광층 전체에 대해 6 중량% 가 되도록 했다. 다음으로, α-NPD 를 60 nm 증착하여, 정공 수송층을 막형성했다.[4] The substrate formed up to the layer of the boron-containing organic compound was fixed to the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus. Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (Bebq 2 ), iridium tris (1-phenylisoquinoline) (Ir(piq) 3 ), N,N'-di(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (?-NPD) was placed in an alumina crucible, respectively, and set as a vapor deposition source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1×10 -5 Pa, Bebq 2 was co-deposited as a host and Ir(piq) 3 as a dopant at 35 nm to form a light emitting layer. At this time, the dope concentration was set so that Ir(piq) 3 was 6% by weight with respect to the entire light emitting layer. Next, α-NPD was vapor-deposited at 60 nm to form a hole transport layer.

[5]다음으로, 한 번 질소 퍼지한 후, 삼산화몰리브덴, 금을 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-5 Pa 까지 감압하고, 삼산화몰리브덴 (제 2 금속 산화물층) 을 막두께 10 nm 가 되도록 증착했다. 다음으로, 금 (제 2 전극) 을 막두께 50 nm 가 되도록 증착하여, 유기 전계 발광 소자 2-1 을 제작했다. 제 2 전극을 증착할 때, 스테인리스제의 증착 마스크를 사용하여 증착면이 폭 2 mm 의 띠형상이 되도록 했다. 즉, 제작한 유기 전계 발광 소자의 발광 면적은 4 ㎟ 로 했다.[5] Next, after purging with nitrogen once, molybdenum trioxide and gold were put into an alumina crucible and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1×10 −5 Pa, and molybdenum trioxide (second metal oxide layer) was vapor-deposited so as to have a film thickness of 10 nm. Next, gold (2nd electrode) was vapor-deposited so that the film thickness might be 50 nm, and the organic electroluminescent element 2-1 was produced. When depositing the second electrode, a vapor deposition mask made of stainless steel was used so that the vapor deposition surface became a band shape having a width of 2 mm. That is, the light emission area of the produced organic electroluminescent element was set to 4 mm 2.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

공정[3]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 0.2 %, N-DMBI 의 0.002 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 붕소 함유 화합물 1 의 0.2 % 의 1,2-디클로로에탄 용액을 사용한 것 이외는 실시예 7 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-2 를 제작했다.In step [3], in place of the 1,2-dichloroethane mixed solution of 0.2% of boron-containing compound 1 and 0.002% of N-DMBI, a 0.2% 1,2-dichloroethane solution of boron-containing compound 1 was used. Except for that, it carried out similarly to Example 7, and produced the organic electroluminescent element 2-2.

(실시예 8)(Example 8)

공정[3]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 0.2 %, N-DMBI 의 0.002 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액을 사용한 것 이외는 실시예 7 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-3 을 제작했다. 버퍼층의 평균 두께는 60 nm 였다.In step [3], instead of 0.2% of boron-containing compound 1 and 0.002% of 1,2-dichloroethane mixed solution of N-DMBI, 1% of boron-containing compound 1, 1 of 0.01% of N-DMBI, An organic electroluminescent element 2-3 was produced in the same manner as in Example 7 except that the 2-dichloroethane mixed solution was used. The average thickness of the buffer layer was 60 nm.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

공정[3]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, 1,2-디클로로에탄 용액을 사용한 것 이외는 실시예 8 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-4 를 제작했다.In step [3], 1% of boron-containing compound 1, 1,2-dichloroethane solution was used instead of 1% of boron-containing compound 1 and 0.01% of 0.01% 1,2-dichloroethane mixed solution of N-DMBI Except that, it carried out similarly to Example 8, and produced the organic electroluminescent element 2-4.

(실시예 9)(Example 9)

공정[4]대신에 공정[4b]를 실시한 것 이외는 실시예 8 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-5 를 제작했다.In place of the step [4], an organic electroluminescent element 2-5 was produced in the same manner as in Example 8 except that the step [4b] was performed.

[4b]붕소 함유 유기 화합물의 층까지 형성한 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정했다. 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 (α-NPD) 를 각각 알루미나 도가니에 넣어 증착원으로 세트했다. 진공 증착 장치 내를 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압하고, Alq3 을 35 nm 증착하여, 발광층을 막형성했다. 다음으로, α-NPD 를 60 nm 증착하여, 정공 수송층을 막형성했다.[4b] The substrate formed up to the layer of the boron-containing organic compound was fixed to the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus. Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq 3 ), N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'- Diamine (?-NPD) was placed in an alumina crucible, respectively, and set as an evaporation source. The inside of the vacuum vapor deposition apparatus was reduced to about 1 × 10 -4 Pa, and Alq 3 was deposited at 35 nm to form a light emitting layer. Next, α-NPD was vapor-deposited at 60 nm to form a hole transport layer.

(실시예 10)(Example 10)

공정[3]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, N-DMBI 의 0.05 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액을 사용한 것 이외는 실시예 7 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-6 을 제작했다. 버퍼층의 평균 두께는 60 nm 였다.In step [3], 1% of boron-containing compound 1, 1% of 0.05% of N-DMBI, instead of 1% of boron-containing compound 1 and 0.01% 1,2-dichloroethane mixed solution of N-DMBI, An organic electroluminescent element 2-6 was produced in the same manner as in Example 7 except that a 2-dichloroethane mixed solution was used. The average thickness of the buffer layer was 60 nm.

(비교예 6)(Comparative Example 6)

공정[4]대신에 공정[4b]를 실시한 것 이외는 비교예 5 와 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-7 을 제작했다.An organic electroluminescent element 2-7 was produced in the same manner as in Comparative Example 5 except that the process [4b] was performed instead of the process [4].

(실시예 11)(Example 11)

공정[3]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 시판되고 있는 폴리(디옥틸플루오렌-알트-벤조티아디아졸) (F8BT) 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 테트라하이드로푸란 혼합 용액을 사용한 것 이외는 실시예 9 와 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-8 을 제작했다.In step [3], instead of 1% of boron-containing compound 1 and 0.01% of 0.01% 1,2-dichloroethane mixed solution of N-DMBI, commercially available poly(dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) An organic electroluminescent element 2-8 was produced in the same manner as in Example 9 except that 1% of (F8BT) and 0.01% of N-DMBI mixed solution of tetrahydrofuran were used.

(비교예 7)(Comparative Example 7)

공정[3]에 있어서, F8BT 의 1 %, N-DMBI 의 0.01 % 의 테트라하이드로푸란 혼합 용액 대신에, F8BT 의 1 % 의 테트라하이드로푸란 용액을 사용한 것 이외는 실시예 10 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-9 를 제작했다.In step [3], it carried out similarly to Example 10 except having used 1% tetrahydrofuran solution of F8BT in place of 1% of F8BT and 0.01% tetrahydrofuran mixed solution of N-DMBI, and organic electric field Light-emitting element 2-9 was produced.

(실시예 12)(Example 12)

공정[3]대신에 공정[3b]를 실시한 것 이외는 실시예 9 와 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-10 을 제작했다.It carried out similarly to Example 9 except having implemented the process [3b] instead of the process [3], and produced the organic electroluminescent element 2-10.

[3b]붕소 함유 화합물 1 의 1 %, 로이코크리스탈바이올렛의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액을 제조했다. 공정[2]에서 제조한 산화아연 박막이 형성된 기판을 스핀 코터에 세트했다. 이 기판 상에 붕소 함유 화합물 1, 로이코크리스탈바이올렛 혼합 용액을 적하하고, 매분 2000 회전으로 30 초간 회전시켜, 붕소 함유 유기 화합물을 포함하는 버퍼층을 형성했다. 또한, 이것을 질소 분위기하 200 ℃ 로 세트한 핫 플레이트로 1 시간 어닐 처리를 실시했다. 버퍼층의 평균 두께는 60 nm 였다.[3b] A 1,2-dichloroethane mixed solution of 1% of the boron-containing compound 1 and 0.01% of Roycocrystal violet were prepared. The substrate on which the zinc oxide thin film prepared in step [2] was formed was set on a spin coater. On this substrate, a boron-containing compound 1 and a mixed solution of Royco Crystal Violet were dripped, and rotated for 30 seconds at 2000 rotations per minute to form a buffer layer containing a boron-containing organic compound. Moreover, this was annealed for 1 hour with a hot plate set at 200°C in a nitrogen atmosphere. The average thickness of the buffer layer was 60 nm.

(비교예 8)(Comparative Example 8)

공정[3b]에 있어서, 붕소 함유 화합물 1 의 1 %, 로이코크리스탈바이올렛의 0.01 % 의 1,2-디클로로에탄 혼합 용액 대신에, 붕소 함유 화합물 1 의 1 % 의 1,2-디클로로에탄 용액을 사용한 것 이외는 실시예 11 과 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-11 을 제작했다.In step [3b], 1% 1,2-dichloroethane solution of boron-containing compound 1 was used instead of 1% of boron-containing compound 1 and 0.01% of 0.01% 1,2-dichloroethane solution of Royco Crystal Violet. Except that, it carried out similarly to Example 11, and produced the organic electroluminescent element 2-11.

(실시예 13)(Example 13)

공정[3b]에 있어서, 로이코크리스탈바이올렛 대신에, 한치에스테르 (= 2,6-디메틸-1,4-디하이드로피리딘-3,5-디카르복실산디에틸) 를 사용한 것 이외는 실시예 12 와 마찬가지로 하여, 유기 전계 발광 소자 2-12 를 제작했다.In step [3b], in place of Roycocrystal violet, except for using hanchi ester (= 2,6-dimethyl-1,4-dihydropyridine-3,5-diethyldicarboxylic acid), as in Example 12 In the same way, an organic electroluminescent element 2-12 was produced.

실시예 7 ∼ 13, 비교예 4 ∼ 8 에서 제작한 유기 전계 발광 소자의 정리를 표 1 에 나타낸다. 환원제의 wt% 는 버퍼층에 사용한 유기 화합물의 양에 대한 비율이다.Table 1 shows the summary of the organic electroluminescent elements produced in Examples 7 to 13 and Comparative Examples 4 to 8. The wt% of the reducing agent is the ratio to the amount of the organic compound used in the buffer layer.

Figure 112014106029210-pct00069
Figure 112014106029210-pct00069

(유기 전계 발광 소자의 발광 특성 측정)(Measurement of luminescence characteristics of organic electroluminescent devices)

케이스레이사 제조의 「2400 형 소스 미터」 에 의해, 소자에 대한 전압 인가와 전류 측정을 실시했다. 코니카 미놀타사 제조의 「LS-100」 에 의해, 발광 휘도를 측정했다.Voltage application and current measurement were performed to the device by a "2400 type source meter" manufactured by Caseray Corporation. The light emission luminance was measured by "LS-100" manufactured by Konica Minolta.

실시예 7 ∼ 13 및 비교예 4 ∼ 8 에서 제작한 유기 전계 발광 소자를, 아르곤 분위기하 직류 전압을 인가했을 때의 전압-휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성을 도 6 ∼ 15 에 나타낸다. 어느 경우에 있어서도, 실시예에서 제작한 도핑된 소자는 비교예에서 제작한 도핑되어 있지 않은 소자에 비해 휘도, 전류 효율이 모두 높아 우수한 특성인 것을 알 수 있었다.The voltage-luminance characteristics and current density-current efficiency characteristics of the organic electroluminescent devices produced in Examples 7 to 13 and Comparative Examples 4 to 8 when DC voltage was applied under an argon atmosphere are shown in FIGS. 6 to 15. In either case, it was found that the doped device fabricated in Example has higher luminance and current efficiency than that of the non-doped device fabricated in Comparative Example, resulting in excellent characteristics.

<본 발명의 제 3 유기 전계 발광 소자><The third organic electroluminescent device of the present invention>

(유기 전계 발광 소자의 제작)(Production of organic electroluminescent device)

(실시예 14)(Example 14)

[1]시판되고 있는 평균 두께 0.7 mm 의 ITO 전극층이 형성된 투명 유리 기판 (1) 을 준비했다. 이 때, 기판의 ITO 전극 (2) 은 폭 2 mm 로 패터닝되어 있는 것을 사용했다. 이 기판을 아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비했다. 이 기판을 이소프로판올 중에서 꺼내어, 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시했다.[1] A commercially available transparent glass substrate 1 with an ITO electrode layer having an average thickness of 0.7 mm was prepared. At this time, the ITO electrode 2 of the substrate was patterned to have a width of 2 mm. The substrate was ultrasonically cleaned for 10 minutes each in acetone and isopropanol, and then boiled for 5 minutes in isopropanol. This substrate was taken out in isopropanol, dried by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning was performed for 20 minutes.

[2]이 기판을, 아연 금속 타겟을 가지는 미라트론 스퍼터 장치의 기판 홀더에 재차 고정했다. 약 1 × 10-4 Pa 까지 감압한 후, 아르곤과 산소를 도입한 상태에서 스퍼터하고, 제 1 금속 산화물층 (3) 으로서 막두께 약 2 nm 의 산화아연층을 제조했다. 이 때에 메탈 마스크를 병용하여, 전극 취출을 위해 ITO 전극의 일부는 산화아연이 막형성되지 않도록 했다.[2] This substrate was fixed again to the substrate holder of the Miratron sputtering apparatus having a zinc metal target. After reducing the pressure to about 1 × 10 -4 Pa, it was sputtered while introducing argon and oxygen to prepare a zinc oxide layer having a thickness of about 2 nm as the first metal oxide layer 3. At this time, a metal mask was used in combination to prevent zinc oxide from forming on a part of the ITO electrode for electrode extraction.

[3]이 기판을, 재차[1]의 세정 공정 (아세톤 중, 이소프로판올 중에서 각각 10 분간 초음파 세정 후, 이소프로판올 중에서 5 분간 자비, 그 후 질소 블로우에 의해 건조시켜, UV 오존 세정을 20 분 실시한다) 후, 400 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 1 시간 어닐을 실시했다.[3] This substrate is again cleaned in the cleaning step of [1] (after ultrasonic cleaning in acetone and isopropanol for 10 minutes each, boiling in isopropanol for 5 minutes, then drying by nitrogen blowing, and UV ozone cleaning for 20 minutes. ) Then, annealing was performed on a 400°C hot plate for 1 hour.

[4]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 닛폰 촉매사 제조 폴리에틸렌이민 (등록상표:에포민) 을 에탄올에 의해 0.5 중량% 로 희석한 것을 2000 rpm, 30 초의 조건으로 스핀 코트했다.[4] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, a product obtained by diluting polyethyleneimine (registered trademark: Eformin) manufactured by Nippon Catalyst to 0.5% by weight with ethanol was spin-coated under conditions of 2000 rpm and 30 seconds. did.

여기서 사용한 에포민은 분자량 300 의 sp003 이었다.Eformin used here was sp003 with a molecular weight of 300.

[5][4]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 5 분간 어닐을 실시했다. 어닐 후에 측정한 질소 함유막의 층의 평균 두께는 5 nm 였다.[5] The thin film (substrate) produced in [4] was annealed at 150°C for 5 minutes on a hot plate under air. The average thickness of the layer of the nitrogen-containing film measured after annealing was 5 nm.

[6]다음으로,[5]의 처리를 실시한 기판을 진공 장치에 도입하고, 1 × 10-4 Pa 이하까지 감압한다. 유기 화합물층 (5) 으로서, 발광층으로서 Alq3 을 정공 수송층으로서 α-NPD 를 각각 차례로 32.5 nm, 60 nm 진공 증착법에 의해 적층했다.[6] Next, the substrate subjected to the treatment of [5] is introduced into a vacuum apparatus, and the pressure is reduced to 1 × 10 -4 Pa or less. As the organic compound layer (5), Alq 3 as the light emitting layer and α-NPD as the hole transport layer were sequentially stacked by 32.5 nm and 60 nm vacuum evaporation methods.

[7]다음으로, 유기 화합물층 (5) 위에, 제 2 금속 산화물층 (6) 을 형성했다. 여기서는, 산화 몰리브덴을 10 nm 기상 막제조법인 진공 증착법에 의해 형성했다.[7] Next, on the organic compound layer 5, the 2nd metal oxide layer 6 was formed. Here, molybdenum oxide was formed by a vacuum evaporation method, which is a 10 nm vapor phase film production method.

[8]다음으로, 최종 공정으로서 제 2 금속 산화물층 (6) 상에 양극 (7) 을 형성했다. 여기서는, 알루미늄을 150 nm 진공 증착법에 의해 막제조했다.[8] Next, the anode 7 was formed on the second metal oxide layer 6 as a final step. Here, aluminum was formed into a film by a 150 nm vacuum evaporation method.

[9]하기 (유기 전계 발광 소자의 발광 특성 측정) 및 (유기 전계 발광 소자의 수명 특성 측정) 에 의해 유기 전계 발광 소자 특성 (전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당, 1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성) 을 측정했다. 측정 결과를 각각 도 17a, 17b 의 (a), (b), (c-1) 및 (c-2) 에 나타낸다.[9] Organic EL device characteristics (voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, constant current density) according to the following (Measurement of luminescence characteristics of organic EL devices) and (Measurement of lifetime characteristics of organic EL devices) (Continuous drive characteristic under 100 cd/m2 equivalent, 1000 cd/m2 equivalent) was measured. The measurement results are shown in (a), (b), (c-1) and (c-2) of FIGS. 17A and 17B, respectively.

(유기 전계 발광 소자의 발광 특성 측정)(Measurement of luminescence characteristics of organic electroluminescent devices)

케이스레이사 제조의 「2400 형 소스 미터」 에 의해, 소자에 대한 전압 인가와 전류 측정을 실시했다. 탑콘사 제조의 「BM-7」 에 의해, 발광 휘도를 측정했다. 측정은 아르곤 분위기하에서 실시했다.Voltage application and current measurement were performed to the device by a "2400 type source meter" manufactured by Caseray Corporation. Light emission luminance was measured by "BM-7" manufactured by Topcon Corporation. The measurement was carried out under an argon atmosphere.

(유기 전계 발광 소자의 수명 특성 측정) (Measurement of life characteristics of organic electroluminescent devices)

시스템 기술 연구소사 제조의 「유기 EL 수명 측정 장치」 에 의해, 소자에 대한 전압 인가와 상대 휘도 측정을 실시했다. 이 장치에서는 소자에 일정 전류가 흐르도록 전압을 자동적으로 조정하면서, 포토 다이오드에 의한 상대 휘도 측정을 실시할 수 있다.The voltage application and the relative luminance measurement were performed to the element by the "organic EL lifetime measuring apparatus" manufactured by System Technology Research Institute. In this device, the relative luminance can be measured using a photodiode while automatically adjusting the voltage so that a constant current flows through the element.

측정 개시시의 휘도가 100 cd/㎡ 및 1000 cd/㎡ 가 되도록 소자마다 전류치를 설정했다. 이들의 결과를 각각의 실시예 및 비교예에 있어서 (c-1), (c-2) 에 나타낸다.Current values were set for each element so that the luminance at the start of the measurement was 100 cd/m 2 and 1000 cd/m 2. These results are shown in (c-1) and (c-2) in each of the Examples and Comparative Examples.

또한, 도 (c-1), (c-2) 의 난 외의 예를 들어, 「t1/2 = 200 h @ 1000 cd/㎡」 등의 기재는 반감 수명을 나타내고, 상기의 경우, 초기 1000 cd/㎡ 상당의 전류 밀도를 정전류로 계속 부여했을 때의 휘도 반감 수명이 200 시간인 것을 의미한다.In addition, for examples other than those of Figs. (c-1) and (c-2), descriptions such as "t 1/2 = 200 h @ 1000 cd/m 2" indicate half-life, and in the above case, initial 1000 It means that the luminance half life is 200 hours when the current density equivalent to cd/m2 is continuously applied with a constant current.

(비교예 9)(Comparative Example 9)

실시예 14 의 공정[4][5]를 생략한 것 이외는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, 전류 밀도-전류 효율 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 18(a), (b) 에 나타낸다.An organic electroluminescent device was fabricated in the same manner as in Example 14 except for omitting steps [4] [5], and voltage-current density/luminance characteristics of the organic electroluminescent device, and current density, similarly to Example 14. -The current efficiency characteristics were measured. These results are shown in Figs. 18(a) and (b), respectively.

(실시예 15)(Example 15)

실시예 14 의 공정[4]의 공정을 이하의[4-2]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 19a, 19b 의 (a), (b) 및 (c-2) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 6 nm 였다.An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 14 except that the step of the step [4] of Example 14 was changed to the following [4-2], and the voltage-current density/luminance of the organic electroluminescent device was Characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-2) of FIGS. 19A and 19B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 6 nm.

[4-2]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 닛폰 촉매사 제조 폴리에틸렌이민 (등록상표:에포민) 을 에탄올에 의해 0.5 중량% 로 희석한 것을 2000 rpm, 30 초의 조건으로 스핀 코트한다. 여기서 사용한 에포민은 분자량 70000 의 P1000 이다.[4-2] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, polyethyleneimine (registered trademark: Eformin) manufactured by Nippon Catalyst was diluted to 0.5% by weight with ethanol under conditions of 2000 rpm and 30 seconds. Spin coat. Eformin used here is P1000 with a molecular weight of 70000.

(실시예 16)(Example 16)

실시예 14 의 공정[4][5]의 공정을 이하의[4-3][5-3]으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 20a, 20b 의 (a), (b) 및 (c-2) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 5 nm 였다.An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 14 except that the steps of the steps [4] and [5] of Example 14 were changed to the following [4-3] [5-3], and organic electroluminescence was performed in the same manner as in Example 14. The voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) of the device were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-2) of FIGS. 20A and 20B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 5 nm.

[4-3]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 디에틸렌트리아민을 에탄올에 의해 1.0 중량% 로 희석한 것을 2000 rpm 30 초의 조건으로 스핀 코트한다.[4-3] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, the diethylenetriamine diluted to 1.0% by weight with ethanol is spin-coated under conditions of 2000 rpm for 30 seconds.

[5-3][4-3]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 100 ℃, 2 분간 어닐을 실시했다.[5-3] The thin film (substrate) produced in [4-3] was annealed at 100°C for 2 minutes on a hot plate under air.

(실시예 17)(Example 17)

실시예 14 의 공정[5]를 생략한 것 이외는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 및, 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 21(a) 및 (c-1) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 막두께는, 어닐을 실시하고 있지 않기 때문에, 본 박막은 고화되지 않아 측정할 수 없었지만, 실시예 14 에 있어서의 어닐 후의 질소 함유막의 층의 막두께 및 대기하의 어닐에 의해 막두께가 감소하는 것을 알 수 있는 점에서, 10 nm 정도라고 추측된다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except for omitting the step [5], and in the same manner as in Example 14, the voltage-current density and luminance characteristics of the organic electroluminescent device, and the constant current density (100 cd/m&lt;2&gt; These results are shown in Figs. 21(a) and (c-1), respectively. In addition, since the layer of the nitrogen-containing film was not annealed, the thin film was not solidified and could not be measured. However, the film thickness of the layer of the nitrogen-containing film after annealing in Example 14 and the annealing under the atmosphere were determined. As a result, it can be seen that the film thickness decreases, so it is estimated to be about 10 nm.

(실시예 18)(Example 18)

실시예 14 의 공정[4]의 공정을 상기[4-2]로 변경하고,[5]의 공정을 이하의[5-5]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 22a, 22b 의 (a), (b) 및 (c-1) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 8 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the step of step [4] was changed to the above [4-2], and the step of [5] was changed to the following [5-5], In the same manner as in Example 14, the voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 100 cd/m2) of the organic electroluminescent device were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-1) in Figs. 22A and 22B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 8 nm.

[5-5][4-2]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 100 ℃, 10 분간 어닐을 실시했다.[5-5] The thin film (substrate) produced in [4-2] was annealed at 100°C for 10 minutes on a hot plate under air.

(실시예 19)(Example 19)

실시예 14 의 공정[4]의 공정을 상기[4-2]로 변경하고,[5]의 공정을 이하의[5-6]으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 23a, 23b 의 (a), (b) 및 (c-1) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 7 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the step of step [4] was changed to the above [4-2], and the step of [5] was changed to the following [5-6], In the same manner as in Example 14, the voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 100 cd/m2) of the organic electroluminescent device were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-1) in Figs. 23A and 23B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 7 nm.

[5-6][4-2]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 10 분간 어닐을 실시했다.[5-6] The thin film (substrate) produced in [4-2] was annealed at 150°C for 10 minutes on a hot plate under air.

(실시예 20)(Example 20)

실시예 14 의 공정[4]의 공정을 상기[4-2]로 변경하고,[5]의 공정을 이하의[5-7]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 24a, 24b 의 (a), (b) 및 (c-2) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 5 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the step of step [4] was changed to the above [4-2], and the step of [5] was changed to the following [5-7], In the same manner as in Example 14, the voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 1000 cd/m2) of the organic electroluminescent element were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-2) of FIGS. 24A and 24B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 5 nm.

[5-7][4-2]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 30 분간 어닐을 실시했다.[5-7] The thin film (substrate) produced in [4-2] was annealed at 150°C for 30 minutes on a hot plate under air.

(실시예 21)(Example 21)

실시예 14 의 공정[5]의 공정을 이하의[5-8]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 25a, 25b 의 (a), (b) 및 (c-2) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 5 nm 였다.An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 14 except that the step of the step [5] of Example 14 was changed to the following [5-8], and the voltage-current density/luminance of the organic electroluminescent device was Characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-2) of FIGS. 25A and 25B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 5 nm.

[5-8][4]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 100 ℃, 30 분간 어닐을 실시했다.[5-8] The thin film (substrate) produced in [4] was annealed at 100°C for 30 minutes on a hot plate under air.

(실시예 22)(Example 22)

실시예 14 의 공정[4]의 공정을 상기[4-2]로 변경하고,[5]의 공정을 이하의[5-9]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (100 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 26a, 26b 의 (a), (b) 및 (c-1) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 8 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the step of step [4] was changed to the above [4-2], and the step of [5] was changed to the following [5-9], In the same manner as in Example 14, the voltage-current density/luminance characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 100 cd/m2) of the organic electroluminescent device were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-1) in Figs. 26A and 26B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 8 nm.

[5-9][4-2]에서 제작된 박막 (기판) 을, 질소하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 10 분간 어닐을 실시했다.[5-9] The thin film (substrate) produced in [4-2] was annealed for 10 minutes at 150°C on a hot plate under nitrogen.

(실시예 23)(Example 23)

실시예 14 의 공정[5]의 공정을 이하의[5-11]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성, 및, 정전류 밀도하 (1000 cd/㎡ 상당) 에서의 연속 구동 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 27a, 27b 의 (a), (b) 및 (c-2) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 5 nm 였다.An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 14 except that the step of step [5] of Example 14 was changed to the following [5-11], and voltage-current density and luminance of the organic electroluminescent device Characteristics, current density-current efficiency characteristics, and continuous driving characteristics under a constant current density (equivalent to 1000 cd/m 2) were measured. These results are shown in (a), (b) and (c-2) of FIGS. 27A and 27B, respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 5 nm.

[5-11][4]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 5 분간 어닐을 실시했다. 그 후, 에탄올로 린스를 실시했다.[5-11] The thin film (substrate) produced in [4] was annealed at 150°C for 5 minutes on a hot plate under air. Then, it rinsed with ethanol.

(제조예 1)(Production Example 1)

실시예 14 의[1]∼[5]까지의 조작에서 얻어진 질소 함유막에 대해 하기 광 전자 분광 측정을 실시했다.The following photoelectron spectroscopy measurement was performed about the nitrogen-containing film obtained by the operation from [1] to [5] of Example 14.

탄소 1S 궤도 및 질소 1S 궤도의 측정을 동시기에 실시함으로써 정량 분석을 실시했다.Quantitative analysis was performed by simultaneously measuring the carbon 1S orbital and the nitrogen 1S orbital.

이들을 도 28(d), (e) 에 나타낸다.These are shown in Figs. 28(d) and (e).

(X 선 광 전자 분광법의 측정)(Measurement by X-ray photoelectron spectroscopy)

닛폰 전자사 제조 (JPS-9000MX) 의 광 전자 분광 측정 장치를 사용하여, 이하의 조건하에서 측정을 실시했다.Measurement was performed under the following conditions using the photoelectron spectroscopic measuring device manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd. (JPS-9000MX).

X 선원:MgKαX-ray source: MgKα

빔 출력 (가속 전압-전류량):10 kV-10 mABeam output (accelerated voltage-current amount): 10 kV-10 mA

PassEnergy:10 eVPassEnergy:10 eV

Step:0.1 eVStep:0.1 eV

(제조예 2)(Production Example 2)

실시예 14 의[1]∼[4]까지의 조작에서 얻어진 질소 함유막에 대해 상기 광 전자 분광 측정을 실시했다.The photoelectron spectroscopy measurement was performed on the nitrogen-containing film obtained in the operations [1] to [4] of Example 14.

탄소 1S 궤도 및 질소 1S 궤도의 측정을 동시기에 실시함으로써 정량 분석을 실시했다.Quantitative analysis was performed by simultaneously measuring the carbon 1S orbital and the nitrogen 1S orbital.

이들을 도 29(d), (e) 에 나타낸다.These are shown in Figs. 29(d) and (e).

(제조예 3)(Production Example 3)

실시예 14 의 [1] ∼ [3] 의 공정과 하기[4-12]및[5-12]의 공정에 의해 제작된 질소 함유막에 대해 상기 광 전자 분광 측정을 실시했다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 10 nm 였다.The photoelectron spectroscopy measurement was performed on the nitrogen-containing film produced by the steps [1] to [3] of Example 14 and the steps of [4-12] and [5-12] below. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 10 nm.

[4-12]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 알드리치 제조 폴리에틸렌이민에톡시레이트 (분자량:70000) 를 에톡시에탄올에 의해 0.4 중량% 로 희석한 것을 5000 rpm, 60 초의 조건으로 스핀 코트한다.[4-12] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, Aldrich polyethyleneimine ethoxylate (molecular weight: 70000) was diluted to 0.4% by weight with ethoxyethanol at 5000 rpm for 60 seconds. To spin coat.

[5-12][4-12]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 100 ℃, 10 분간 어닐을 실시했다.[5-12] The thin film (substrate) produced in [4-12] was annealed at 100°C for 10 minutes on a hot plate under air.

탄소 1S 궤도 및 질소 1S 궤도의 측정을 동시기에 실시함으로써 정량 분석을 실시했다.Quantitative analysis was performed by simultaneously measuring the carbon 1S orbital and the nitrogen 1S orbital.

이들을 도 30(d), (e) 에 나타낸다.These are shown in Figs. 30(d) and (e).

(제조예 4)(Production Example 4)

실시예 14 의[1]∼[3], 이하에 나타내는 [4-13], 그리고 [5] 까지의 조작을 순차 실시하고, 얻어진 질소 함유막에 대해, 상기 광 전자 분광 측정을 실시했다. 또한, 질소 함유막의 층의 막두께는 복수 회의 측정에 의해서도 평균 막두께를 추정할 수 없을 정도의 막두께였다. 이 점에서, 3 nm 미만이라고 추찰된다.Operations to [1] to [3] of Example 14, [4-13] and [5] shown below were sequentially performed, and the photoelectron spectroscopic measurement was performed on the obtained nitrogen-containing film. In addition, the film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was such that the average film thickness could not be estimated even by multiple measurements. In this respect, it is assumed to be less than 3 nm.

[4-13]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 닛폰 촉매사 제조 폴리에틸렌이민 (등록상표:에포민) 을 에탄올에 의해 0.125 중량% 로 희석한 것을 2000 rpm, 30 초의 조건으로 스핀 코트한다. 여기서 사용한 에포민은 분자량 70000 의 P1000 이다.[4-13] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, polyethyleneimine (registered trademark: Eformin) manufactured by Nippon Catalyst was diluted to 0.125% by weight with ethanol under conditions of 2000 rpm and 30 seconds. Spin coat. Eformin used here is P1000 with a molecular weight of 70000.

탄소 1S 궤도 및 질소 1S 궤도의 측정을 동시기에 실시함으로써 정량 분석을 실시했다.Quantitative analysis was performed by simultaneously measuring the carbon 1S orbital and the nitrogen 1S orbital.

이들을 도 31(d), (e) 에 나타낸다.These are shown in Figs. 31(d) and (e).

(실시예 24-1)(Example 24-1)

실시예 14 의 공정[4]및[5]의 공정을 이하의[4-18][5-18]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 32(a) 및 (b) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 10 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the steps [4] and [5] of Example 14 were changed to the following [4-18] [5-18]. The voltage-current density/luminance characteristics, and current density-current efficiency characteristics of the light-emitting element were measured. These results are shown in Figs. 32(a) and (b), respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 10 nm.

[4-18]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위해, 직사슬 폴리에틸렌이민 (폴리사이언스사에서 구입, 분자량:25000) 을 에탄올에 의해 0.1 중량% 로 희석한 것을 2000 rpm 30 초의 조건으로 스핀 코트한다.[4-18] Next, in order to form the layer (4) of the nitrogen-containing film, linear polyethyleneimine (purchased by Polyscience, molecular weight: 25000) was diluted to 0.1% by weight with ethanol under conditions of 2000 rpm for 30 seconds. To spin coat.

[5-18][4-18]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 5 분간 어닐을 실시했다.[5-18] The thin film (substrate) produced in [4-18] was annealed at 150°C for 5 minutes on a hot plate under air.

(실시예 24-2)(Example 24-2)

실시예 24-1 의 공정[5-18]을 생략한 것 이외는 모두 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 33(a) 및 (b) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 12 nm 였다.An organic electroluminescent device was fabricated in the same manner as in Example 24-1 except for omitting the step [5-18], and the voltage-current density/luminance characteristics and current density of the organic electroluminescent device were similar to those of Example 14. -The current efficiency characteristics were measured. These results are shown in Figs. 33(a) and (b), respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 12 nm.

(실시예 25)(Example 25)

실시예 14 의 공정[4]및[5]의 공정을 이하의[4-20][5-20]으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 34(a) 및 (b) 에 나타낸다. 또한, 질소 함유막의 층의 평균 막두께는 10 nm 였다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the steps [4] and [5] of Example 14 were changed to the following [4-20] [5-20]. The voltage-current density/luminance characteristics, and current density-current efficiency characteristics of the light-emitting element were measured. These results are shown in Figs. 34(a) and (b), respectively. In addition, the average film thickness of the layer of the nitrogen-containing film was 10 nm.

[4-20]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 을 형성하기 위한 질소 함유 화합물로서 멜라민 수지를 적용하기 위해, 멜라민 및 포름알데히드를 1:3 으로 혼합하고, 메탄올:물 = 1:1 의 혼합 용매에 0.1 중량% 로 용해시킨 것을 2000 rpm 30 초의 조건으로 스핀 코트한다.[4-20] Next, to apply melamine resin as a nitrogen-containing compound for forming the layer (4) of the nitrogen-containing film, melamine and formaldehyde are mixed in a ratio of 1:3, and methanol:water = 1:1. What was dissolved in a solvent at 0.1% by weight was spin-coated under conditions of 2000 rpm for 30 seconds.

[5-20][4-20]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 80 ℃, 60 분간 어닐을 실시했다.[5-20] The thin film (substrate) produced in [4-20] was annealed at 80°C for 60 minutes on a hot plate under air.

(비교예 10)(Comparative Example 10)

실시예 14 의 공정[4]및[5]의 공정을 이하의[4-21][5-21]로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 전계 발광 소자를 제작하고, 실시예 14 와 마찬가지로 유기 전계 발광 소자의 전압-전류 밀도·휘도 특성, 전류 밀도-전류 효율 특성을 측정했다. 이들의 결과를 각각 도 35(a) 및 (b) 에 나타낸다.An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 14 except that the steps [4] and [5] of Example 14 were changed to the following [4-21] [5-21]. The voltage-current density/luminance characteristics, and current density-current efficiency characteristics of the light-emitting element were measured. These results are shown in Figs. 35(a) and (b), respectively.

[4-21]다음으로 질소 함유막의 층 (4) 대신에, 질소를 함유하지 않는 유기막으로서 폴리스티렌막 (10 nm) 을, 톨루엔을 사용하여 스핀 코트에 의해 막제조했다.[4-21] Next, instead of the layer (4) of the nitrogen-containing film, a polystyrene film (10 nm) as an organic film containing no nitrogen was prepared by spin coating using toluene.

[5-21][4-21]에서 제작된 박막 (기판) 을, 대기하 핫 플레이트 상에서 150 ℃, 5 분간 어닐을 실시했다.[5-21] The thin film (substrate) produced in [4-21] was annealed at 150° C. for 5 minutes on a hot plate under air.

도 17 ∼ 도 27 및 도 32 ∼ 도 35 에 대해, (a) ∼ (c) 는 각각 이하의 내용을 나타낸다.17 to 27 and 32 to 35, (a) to (c) each show the following contents.

(a) 전압-전류 밀도 (검정원)·휘도 (흰색원) 특성이다. 첫번째로, 휘도가 높은 것이 좋은 것이다. 두번째로, 보다 저전압으로 높은 휘도를 발현할 수 있는 것이 좋다.(a) Voltage-current density (black circle) and luminance (white circle) characteristics. First, it is good to have high luminance. Second, it is better to be able to express high luminance with a lower voltage.

(b) 전류 밀도-전류 효율 (검정 마름모꼴) 특성이다. 첫번째로, 전류 효율 (이하, 「효율」 이라고 표현) 이 높은 것이 좋은 것이다. 두번째로, 그것이 일정한 것도 좋은 것이다. 특히 고전류 밀도 영역 (고휘도 영역) 에 있어서 높고 일정한 것은 좋은 것이다.(b) Current density-current efficiency (black diamond shape) characteristics. First, it is good to have high current efficiency (hereinafter referred to as "efficiency"). Second, it's good to be consistent. Particularly in a high current density region (high luminance region), a high and constant one is good.

(c) 일정 전류하 (여기서는 초기 휘도 1000 cd/㎡ 가 되는 전류치) 에서의 전압 시간 경과적 변화 및 상대 휘도 시간 경과적 변화를 나타낸 것이다. 첫번째, 상대 휘도 시간 경과적 변화가 작은 (긴 시간 초기의 휘도를 유지할 수 있는) 것 (이하, 「수명이 길다」 라고 표현) 이 좋다. 이것에 관련되는 내용이지만, 두번째로, 그 사이의 전압 상승이 작은 것이 좋다.(c) It shows the change of voltage over time and the change over time of relative brightness under a constant current (here, the current value becomes 1000 cd/m2 of initial luminance). First, it is preferable that the relative luminance has a small change over time (which can maintain the luminance at the initial stage of a long time) (hereinafter, expressed as "long life"). It is related to this, but secondly, it is better that the voltage rise between them is small.

휘도, 효율, 수명의 3 요소 모두가 중요하지만, 그 중에서도 실용 상, 수명은 첫번째로 우선해야 할 것이다.All three elements of luminance, efficiency, and life are important, but practically, life should be the first priority.

상기를 전제로 하여, 도 17 ∼ 27, 32 ∼ 34 의 결과를 설명해간다.On the premise of the above, the results of Figs. 17 to 27 and 32 to 34 will be described.

도 17:저전압 (2 V 정도) 에서 발광하고, 6 V 에서는 3000 cd/㎡ 라는 고휘도에 도달하고 있다. 효율도 대체로 높고 4 cd/A 이상이다. 또, 장기 변화에 관해서도, 휘도가 반감할 때까지 200 시간 정도로 높은 신뢰성을 실현할 수 있었다. 초기 휘도 100 cd/㎡ 의 다른 구동 조건에 있어서, 수천 시간의 반감 수명을 갖는다고 추정된 점에서, 재현성도 높은 것이 분명해졌다.Fig. 17: It emits light at a low voltage (about 2 V), and reaches a high luminance of 3000 cd/m 2 at 6 V. The efficiency is also generally high and is above 4 cd/A. In addition, even with regard to long-term changes, reliability as high as 200 hours was achieved until the luminance was halved. In other driving conditions with an initial luminance of 100 cd/m 2, it has become clear that the reproducibility is also high since it is estimated to have a half life of several thousand hours.

도 18:도 18 은 금속 산화물층과 발광층의 사이에 층을 갖지 않는 소자에서의 측정 결과이다. 휘도, 효율 모두 도 17 의 1/10 이하인 것을 알 수 있다. 도 19 이하의 측정 결과에서는, 반드시 이 도 18 의 값보다 우수한 점에서, 질소 함유막의 층을 갖는 것에 효과가 있는 것이 나타난다.Fig. 18: Fig. 18 is a measurement result in an element having no layer between a metal oxide layer and a light emitting layer. It can be seen that both luminance and efficiency are 1/10 or less in FIG. 17. In the measurement results shown in Fig. 19 and below, it is shown that having a layer of a nitrogen-containing film is effective because it is always superior to the value of Fig. 18.

도 19:효율은 도 17 (실시예 14 의 소자) 보다 우수하지만, 초기 수시간에서의 휘도의 하락이 심하고, 수명의 점에서는, 도 17 의 쪽이 우수한 결과가 되었다. 이 결과로부터, 막으로서의 산화 환원하에 있어서의 안정성에서는, 실시예 14 의 소자 쪽이 우수한 것이 추찰된다.Fig. 19: The efficiency is better than that of Fig. 17 (element of Example 14), but the decrease in luminance in the initial few hours was severe, and in terms of life, the result of Fig. 17 was superior. From this result, it is speculated that the device of Example 14 is superior in stability under redox as a film.

도 20:휘도, 효율 모두 도 17 (실시예 14 의 소자) 에 필적한다. 수명에 있어서도, 초기 10 시간 정도까지의 추이는 도 17 과 동등하다. 그러나, 그 후 급격한 열화가 일어나는 결과가 되고 있다.Fig. 20: Both luminance and efficiency are comparable to Fig. 17 (element of Example 14). Also in the lifespan, the transition up to the initial 10 hours is equivalent to that of FIG. 17. However, there is a result of rapid deterioration after that.

도 19, 20 의 결과로부터, 분자량이 상이한 폴리에틸렌이민을 사용해도 초기의 특성에는 대폭적인 차가 생기지 않고, 모두 질소 함유막을 갖지 않는 것에 비해 우수한 결과가 되고 있다. 그러나, 장기 안정성에 대해서는 차가 생기는 결과가 되고 있다.From the results of Figs. 19 and 20, even when polyethyleneimines having different molecular weights are used, there is no significant difference in the initial properties, and all of them are superior results compared to having no nitrogen-containing film. However, there is a difference in long-term stability.

도 21 ∼ 도 27 (실시예 17 ∼ 23) 에서는, 질소 함유 화합물을 도포하여 막제조한 후의 프로세스 (어닐 조건 (온도, 시간, 분위기) 및 린스) 의 소자 특성에 대한 영향 (프로세스 의존성) 을 확인했다. 더하여, 그들에 대한, 분자량 의존성을 나타냈다.In Figs. 21 to 27 (Examples 17 to 23), the effect (process dependence) of the process (annealing conditions (temperature, time, atmosphere) and rinsing) after film production by applying a nitrogen-containing compound to the device characteristics was confirmed. did. In addition, the molecular weight dependence on them was shown.

도 21:액상인 분기 폴리에틸렌이민 (저분자량) 을 어닐 없이 사용한 경우의 소자 특성의 측정 결과이다. 거의 발광은 보이지 않아, 특성이라고 부를 수 있는 수준에 없다.Fig. 21: Measurement results of device characteristics when liquid branched polyethyleneimine (low molecular weight) is used without annealing. There is hardly any luminescence, so it is not at a level that can be called a characteristic.

도 22 및 도 23:액상인 분기 폴리에틸렌이민 (고분자량) 을 사용하고, 어닐 온도를 변경하여 얻어진 소자의 특성을 측정한 결과이다. 온도가 높은 것이 휘도, 효율 모두 양호한 결과를 얻고 있다. 어닐 온도의 영향은 수명에 있어서 약간 현저하고, 반감 수명으로 2 배 이상 고온에서의 어닐이 양호한 결과를 얻고 있다. 그 차는 고온에서의 어닐이 초기의 휘도 하락이 작은 것에서 기인하고 있는 것처럼 보인다. 도 21 을 포함하여, 이것은 어닐이 장수명화, 요컨대 산화 환원의 장기 안정성에 효과가 있는 것을 시사하고 있다. 여기에는 기재되어 있지 않지만, 200 ℃ 에서 어닐을 실시한 경우, 갈색으로 변색되었기 때문에 소자 측정은 실시하지 않았다. 이점에서, 어닐의 온도에 관해서는 최적치가 존재하는 것이 추찰된다.22 and 23: It is the result of measuring the characteristic of the element obtained by using the liquid branched polyethyleneimine (high molecular weight) and changing the annealing temperature. Higher temperatures have obtained good results in both luminance and efficiency. The influence of the annealing temperature is slightly remarkable in the life, and the annealing at a high temperature of two or more times as a half-life has obtained good results. The difference seems to be due to the small initial luminance drop in the annealing at high temperature. Including Fig. 21, this suggests that annealing has an effect on long-term life-span, namely, long-term stability of redox. Although not described here, when annealing was performed at 200° C., the element was not measured because it turned brown. From this point, it is speculated that an optimum value exists as to the temperature of the annealing.

도 24:실시예 20 은, 실시예 17 ∼ 19 (도 21 ∼ 23) 의 결과로부터 얻어진 어닐 온도의 최량치인 150 ℃ 에 있어서, 어닐 시간을 변경하여 질소 함유막의 제작을 실시한 결과이다. 휘도·효율 모두 도 23 (실시예 19) 에 비해 약간 저하되고 있다. 또, 수명 곡선에 관해서도, 약간 초기의 열화가 강하게 나타나기 시작하고 있는 것을 알 수 있다. 이들의 점에서, 어닐 시간에 대해서도 최적치가 존재하는 것이 추찰된다.Fig. 24: Example 20 is the result of producing a nitrogen-containing film by changing the annealing time at 150°C, which is the best value of the annealing temperature obtained from the results of Examples 17 to 19 (Figs. 21 to 23). Both luminance and efficiency are slightly lowered compared to Fig. 23 (Example 19). In addition, it can be seen that the deterioration at the initial stage is starting to appear strong even with respect to the life curve. From these points, it is inferred that an optimum value also exists for the annealing time.

도 26:마지막으로, 어닐을 실시하는 분위기에 대해, 상기 최량 조건에 있어서 검토를 더한 결과이다. 도 23 (실시예 19) 의 조건에 의한 질소 함유막의 제작을 질소하에서 실시한 경우, 초기 특성 (휘도·효율) 에는 도 23 과의 사이에 큰 차는 볼 수 없다. 이 점에서, 여기서의 질소 함유막을 갖는 것의 효과는, 화학 흡착이 아닌 물리 흡착에서의 금속-질소간의 분극 그리고 분자 중의 탄소-질소간의 분극에 의한 전자 흡인 효과라고 추찰된다. 주목해야 할 것은 수명이 도 26 에서는 극단적으로 짧아지고 있는 것이다. 이 점에서, 장수명화를 일으키는 본 발명 중의 어닐 프로세스는, 탈용매나 모르포로지의 변화만이 아니고, 화학적인 변화를 수반하고 있을 가능성이 높다고 생각된다. (어떠한 화학 변화인지에 대해서는 후술한다) Fig. 26: Finally, it is the result of adding examination in the said best condition about the atmosphere for annealing. In the case where the nitrogen-containing film was produced under the conditions of FIG. 23 (Example 19) under nitrogen, there was no significant difference from FIG. 23 in the initial characteristics (brightness/efficiency). From this point of view, the effect of having a nitrogen-containing film here is assumed to be an electron attraction effect due to metal-nitrogen polarization in physical adsorption, not chemical adsorption, and carbon-nitrogen polarization in a molecule. It should be noted that the lifespan is extremely short in FIG. 26. From this point of view, it is considered that the annealing process in the present invention causing a longer life is likely to be accompanied by a chemical change, not only a solvent removal or a change in morphology. (The chemical change will be described later)

도 25:상기 고찰의 결과로부터, 어닐 조건은, 재료는 물론 분자량에도 의존한다고 추찰되는 점에서, 그것을 검토한 결과이다.Fig. 25: From the results of the above discussion, the annealing conditions are the results of examining it, since it is speculated that it depends not only on the material but also on the molecular weight.

액상인 분기 폴리에틸렌이민 (저분자량) 에 대해, 최량 온도보다 낮은 온도에서 장시간 어닐을 실시한 결과, 초기 특성에 있어서, 휘도·효율 모두, 도 17 에 가까운 결과를 얻었지만, 발광 이전의 전압에 있어서, 또, 역바이어스에 있어서, 전류 밀도치가 높은 것을 관측했다. 이것은 발광에 기여하지 않는 불필요한 전류의 흐름 (이하, 「리크 전류」 라고 표현) 이 있는 것을 의미하고 있고, 많은 경우, 장기 안정성에 문제를 안고 있다. 금번에도, 수명은 초기부터 휘도가 심하게 떨어지는 등 짧아, 상기 리크 전류가 원인이라고 생각된다.For the liquid branched polyethyleneimine (low molecular weight), as a result of annealing for a long time at a temperature lower than the maximum temperature, in terms of initial characteristics, both luminance and efficiency were obtained close to those of FIG. 17, but at the voltage before light emission, Moreover, it was observed that the current density value was high in reverse bias. This means that there is an unnecessary current flow that does not contribute to light emission (hereinafter, referred to as "leak current"), and in many cases, there is a problem with long-term stability. Also this time, the lifespan is short, such as a severe drop in luminance from the beginning, and it is considered that the leakage current is the cause.

이 결과로부터, 어닐 조건의 최량치는 재료는 물론 분자량에도 의존하는 것이 분명해졌다. 더하여, 이와 같이 최량 온도 이하에서 장시간의 어닐을 실시해도 좋은 특성을 얻을 수 없는 점에서, 재료나 분자량에 의존한 온도의 임계값도 존재하는 것이 시사되었다.From this result, it became clear that the best value of an annealing condition depends not only on the material but also on the molecular weight. In addition, it was suggested that a critical value of a temperature depending on a material or molecular weight also exists, since it is not possible to obtain properties that may be subjected to annealing for a long time below the maximum temperature.

도 27:상기 최량 조건 (실시예 14 의 조건) 하에서의 린스 효과를 확인 하면, 초기 특성 (휘도·효율) 은 도 17 (실시예 14) 과 거의 동등하지만, 약간 리크 전류가 크다. 이것이, 도 17 (실시예 14) 보다 수명 특성을 나쁘게 하고 있는 요인이라고 생각된다. 그러나, 이 도면에는 나타내고 있지 않지만, 제작 소자간의 특성의 편차가 작아져 있고, 재현성이라는 점에서 향상되고 있다. 이것은 실용화의 관점에서 중요한 프로세스라고 생각된다. 수명에 있어서도, 보다 좋은 린스 조건을 알아냄으로써 개선된다고 생각된다.Fig. 27: When the rinsing effect under the best conditions (condition of Example 14) is confirmed, the initial characteristics (luminance/efficiency) are substantially equal to those of Fig. 17 (Example 14), but the leakage current is slightly large. It is considered that this is a factor that makes the life characteristics worse than that in Fig. 17 (Example 14). However, although not shown in this figure, the variation in characteristics between fabrication elements is small, and it is improved in terms of reproducibility. This is considered to be an important process from the viewpoint of practical use. Also in the lifespan, it is thought that improvement is improved by finding out better rinse conditions.

도 32 및 도 33:질소 함유 화합물로서, 직사슬 폴리에틸렌이민을 사용한 결과이다. 어닐 처리의 유무를 불문하고, 모두 양호한 초기 특성 (휘도·효율) 을 나타내고 있다. 이것은, 분기 폴리에틸렌이민과는 달리, 고체인 것이 요인이라고 생각하고 있다. 요컨대, 어닐의 효과는 이하의 3 가지 점이라고 추찰된다. (i) 고화시킨다. (ii) 금속-질소 결합의 다채화에 의해, 강고한 결합종을 준비한다. (iii) 탄소 원소:질소 원소비를 변화시켜, 상대적으로 질소 원소 존재 비율을 향상시킨다.32 and 33: Results of using linear polyethyleneimine as a nitrogen-containing compound. Regardless of the presence or absence of an annealing treatment, all of them exhibit good initial characteristics (luminance/efficiency). Unlike branched polyethyleneimine, this is considered to be a solid factor. In short, the effect of annealing is inferred as the following three points. (i) Solidify. (ii) By diversifying metal-nitrogen bonds, a strong bonded species is prepared. (iii) The carbon element: nitrogen element ratio is changed, and the nitrogen element existence ratio is improved relatively.

이들 어닐의 효과에 대해서는 다시 후술한다.The effect of these annealing will be described later again.

도 34 :질소 비율이 높은 재료로서, 멜라민 수지의 적용을 검토한 결과이다. 도 18 에 비해, 양호한 결과를 얻고 있고, 효과가 있는 것은 확인할 수 있었다. 발광에 불균일도 존재하는 점에서, 상세한 좋은 조건을 알아낼 수 있으면, 보다 양호한 결과가 얻어진다고 생각된다.Fig. 34: Results of examining application of melamine resin as a material having a high nitrogen ratio. Compared with FIG. 18, favorable results were obtained, and it was confirmed that there is an effect. Since there is also a non-uniformity in light emission, it is thought that better results can be obtained if detailed favorable conditions can be found.

도 35:질소를 함유하지 않는 유기막을 적용한 결과이다. 초기 특성에 있어서도 휘도·효율 모두 도 19 보다 열등한 것을 알 수 있다. 이 점에서, 이 유기막은 단순한 절연층으로서 기능했다고 생각된다. 또, 본 소자의 수명은 몇분으로 극단적으로 짧고, 전자 주입의 기구가 발광층에서의 전하 축적에 의해 발광층의 밴드 구부러짐에 의한 것이라고 예상된다. 조건의 상세 검토에 의해, 폴리스티렌에 있어서도 초기 특성의 개선은 가능하다고 생각되지만, 구동 기구는 상기에 나타낸 바와 같으므로, 장기 신뢰성은 본 발명의 소자와 같이는 기대할 수 없다고 생각된다.Fig. 35: Results of applying an organic film containing no nitrogen. It can be seen that both luminance and efficiency are inferior to those of FIG. 19 in the initial characteristics. In this respect, it is thought that this organic film functioned as a simple insulating layer. In addition, the lifetime of this device is extremely short, a few minutes, and it is expected that the mechanism of electron injection is due to bending of the bands of the light-emitting layer due to charge accumulation in the light-emitting layer. By detailed examination of the conditions, it is considered that the initial characteristics can be improved even in polystyrene, but since the drive mechanism is as shown above, it is considered that long-term reliability cannot be expected as in the device of the present invention.

다음으로, 도 28 ∼ 31 (제조예 1 ∼ 4) 에 대해 설명한다.Next, Figs. 28 to 31 (Production Examples 1 to 4) will be described.

제조예 1 ∼ 4 에 있어서, 질소 함유막의 어닐 전에 있어서는, 액상인 분기 폴리에틸렌이민의 모든 경우에 있어서, 측정 불능이었다. 한편, 어닐에 의해 측정은 가능하게 되었다. 이 점에서, 어닐이 어떠한 효과 (이 결과만으로부터는 분해라고 하는 결론에는 이를 수 없다) 에 의해 고화된 것이 시사되었다 (상기 효과 (i)).In Production Examples 1 to 4, before annealing of the nitrogen-containing film, in all cases of liquid branched polyethyleneimine, measurement was impossible. On the other hand, measurement became possible by annealing. In this regard, it was suggested that the annealing was solidified by some effect (the conclusion of decomposition cannot be reached from this result alone) (the above effect (i)).

도 28 ∼ 31 의 탄소 1s 궤도의 X 선 광 전자 분광 측정의 결과 (d) 및 질소 1s 궤도의 X 선 광 전자 분광 측정의 결과 (e) 는 모두 어닐 후의 측정 결과이다. 어닐 전은, 도 30 을 제외하고, 모두 C:N ≒ 2:1 인 것은 확인되고 있다. 도 30 은 어닐 전 C:N ≒ 4:1 이다. 이들의 비율은 화학 구조로부터 추정되는 화학 양론비에 일치한 값이다. 이 원소 존재 비율은 각각의 궤도의 피크 면적의 비율로부터 추정하고 있다. 도 28 및 도 29 의 비교에 있어서, 어닐의 유무에 의해 비율의 변화가 있는 것과 없는 것이 있는 것이 확인되었다. 어닐에 의해, 탄소 및 질소 모두 피크 면적은 작아지고 있지만, 탄소 피크의 감소가 크고, 상대적으로 질소 원소 비율의 향상으로 이어지고 있다. 도 30 에 있어서, 어닐 후도 어닐 전과 (화학 양론비와) 변화가 없는 점에서, 큰 화학 변화는 없는 것을 알 수 있다. 이것은, 상기 비특허문헌 1 ∼ 3 중에 기재되어 있는, 폴리에틸렌이민이나 폴리에틸렌이민을 수식한 화합물로부터 형성된 박막은 본 발명 내에서 실시하는 액상인 분기 폴리에틸렌이민 (저분자량) 을 어닐에 의해 변화시킨 박막에 의한 효과와는 동등하지 않은 것이 시사되었다. 도 31 은, 액상인 분기 폴리에틸렌이민 (고분자량) 을 저분자량의 것과 동등 이상으로 박막화함으로써, 동일한 어닐 처리를 실시한 결과이다.The results (d) of the X-ray photoelectron spectroscopy measurement of the carbon 1s orbital in FIGS. 28 to 31 and (e) of the X-ray photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen 1s orbital are both measurement results after annealing. Before annealing, it is confirmed that all are C:N ≒ 2:1 except for FIG. 30. 30 shows C:N ≒ 4:1 before annealing. These ratios are values consistent with the stoichiometric ratios estimated from the chemical structure. The ratio of the existence of this element is estimated from the ratio of the peak area of each orbit. In the comparison of Figs. 28 and 29, it was confirmed that there is a change in the ratio or not depending on the presence or absence of an annealing. By annealing, the peak areas of both carbon and nitrogen are decreasing, but the decrease of the carbon peak is large, leading to an improvement of the nitrogen element ratio relatively. In Fig. 30, it can be seen that there is no significant chemical change since there is no change (with stoichiometric ratio) before annealing even after annealing. This means that the thin film formed from polyethyleneimine or a compound modified with polyethyleneimine described in Non-Patent Documents 1 to 3 is a thin film obtained by annealing the liquid branched polyethyleneimine (low molecular weight) implemented in the present invention. It was suggested that it is not equivalent to the effect of Fig. 31 is a result of performing the same annealing treatment by thinning a liquid branched polyethyleneimine (high molecular weight) to be equal to or greater than that of a low molecular weight.

본 결과에 있어서도, 고분자량 폴리에틸렌이민은 원소 존재 비율이 변화하고 있지 않다. 이 점에서, 탄소 원소:질소 원소의 존재 비율은, 어느 조건하, 예를 들어 저분자량하가 아니면 일어나지 않는 것이 시사되었다 (상기 효과 (iii)).Also in this result, the high molecular weight polyethyleneimine does not change the ratio of the element present. From this point, it was suggested that the abundance ratio of a carbon element: a nitrogen element does not occur under certain conditions, for example, under a low molecular weight (the above effect (iii)).

도 28 ∼ 30 의 (f) 는 질소 1s 궤도의 X 선 광 전자 분광 측정의 결과에 대해 피크 분할을 실시한 결과를 나타낸 도면이다. 본 계에 있어서, 질소 원자의 결합의 종류는 탄소-질소 결합과 금속-질소 결합의 2 종류가 상정된다. 과거의 문헌에서, 가장 저에너지측의 피크가 금속-질소 결합이라고 귀속되어 있다. 또한, 다음으로 또 하나의 피크에 관해서는 탄소-질소 결합으로 귀속하면, 모든 두 개의 피크간의 에너지차는 0.6 eV ∼ 0.7 eV 와 거의 일치하고 있고, 이들의 피크 분할과 귀속이 바른 것이 시사된다.28 to 30 (f) are diagrams showing the results of performing peak division on the results of the X-ray photoelectron spectroscopy measurement of the nitrogen 1s orbit. In the present system, two types of bonds of nitrogen atoms are assumed: a carbon-nitrogen bond and a metal-nitrogen bond. In the past literature, the lowest energy peak is attributed to the metal-nitrogen bond. Further, next, when another peak is attributed to a carbon-nitrogen bond, the energy difference between all two peaks is almost equal to 0.6 eV to 0.7 eV, suggesting that the peak division and attribution of these peaks are correct.

또한, 여기에 나타내고 있지 않지만, 어닐 전은 모든 도 28 ∼ 도 30 의 실시예에 있어서, 반치폭은 모두 1.2 eV 이다. 이 점에서, 도 28 및 도 30 의 경우에 있어서 반치폭은 증대하고 있고, 이것이 장수명화로 이어지고 있다고 생각된다 (상기 효과 (ii)).In addition, although not shown here, in all the examples of Figs. 28 to 30 before annealing, the half widths are all 1.2 eV. In this respect, in the case of Figs. 28 and 30, the half width is increasing, and it is considered that this leads to a longer life (the effect (ii)).

이상으로부터, 도 28 의 케이스에서는, 상기 (i) ∼ (iii) 모든 효과가 발현되고 있고, 초기 특성 (휘도·효율) 및 장기 신뢰성 (수명) 을 실현할 수 있다고 생각된다. 도 30 에 있어서는, (i) 과 (ii) 에서 초기 특성과 어느 정도의 수명을, 마찬가지로, 도 29 에 있어서는, (i) 의 효과에서, 초기 특성과 또 어느 정도의 수명을 실현할 수 있다고 추찰된다. 이들의 점은, X 선 광 전자 분광 측정의 결과는 없지만, 도 32 및 도 33 에서 사용된 고체인 직사슬 폴리에틸렌이민은, (i) 이 실현되고 있는 점에서, 어닐의 효과가 없어도 어느 정도의 수명을 실현할 수 있다고 생각된다. 도 34 에 있어서도 동일하다.From the above, in the case of Fig. 28, it is considered that all the effects (i) to (iii) are exhibited, and initial characteristics (luminance/efficiency) and long-term reliability (lifetime) can be realized. In Fig. 30, it is speculated that the initial characteristics and a certain amount of life can be realized in (i) and (ii), and similarly, in Fig. 29, in the effect of (i), the initial characteristics and a certain amount of life can be realized. . These points are not the results of the X-ray photoelectron spectroscopy measurement, but the solid linear polyethyleneimine used in Figs. 32 and 33 is a point in which (i) is realized, even if there is no effect of annealing, to some extent It is thought that life can be realized. The same is the case in FIG. 34.

이상의 결과로부터 이하의 점이 분명해졌다.The following points became clear from the above results.

도 18 과 다른 도면과의 비교에서, 질소 함유 박막이 하부 음극 상에 있는 산화물 상에 배치된 경우, 휘도나 효율 등의 유기 전계 발광 소자의 특성 향상으로 이어지는 것이 확인되었다. 어닐 처리에 대해서는, 도 33 으로부터, 재료에 따라서는 어닐을 필요로 하지 않는 경우도 있어, 반드시 필수는 아닌 것이 확인되었다. 그러나, 어닐을 실시함으로써, 많은 경우에서 장기 신뢰성에 상당하는 수명 특성이 향상되고 있는 것이 확인되었다. 또, 사용 재료에 대해서도, 폴리에틸렌이민 (분자량이 상이하거나, 또는 형상이 상이한 <직사슬과 분기>), 디에틸렌트리아민, 멜라민 수지와 같은 다채로운 질소 함유 화합물의 사용이 가능한 것이 확인되었다. 또, 그들은, 재료만이 아니고, 분자량이나 형상에 의존하여 프로세스를 선택할 필요가 있는 것도 확인되었다. 특히, 직사슬의 폴리에틸렌이민은 다른 폴리에틸렌이민과는 달리, 고체인 점에서, 어닐이 없어도 효과가 발현되고 있다고 생각된다. 또, 막제조 후 린스를 하는 것도 효과적인 것도 확인되었다.In a comparison between FIG. 18 and other drawings, it was confirmed that when the nitrogen-containing thin film is disposed on the oxide on the lower cathode, it leads to improvement of characteristics of the organic electroluminescent device such as brightness and efficiency. As for the annealing treatment, it was confirmed from Fig. 33 that annealing is not required depending on the material, and is not necessarily required. However, it was confirmed that by performing annealing, the life characteristics corresponding to long-term reliability are improved in many cases. Moreover, it was confirmed that various nitrogen-containing compounds such as polyethyleneimine (<linear and branched> having different molecular weights or different shapes), diethylenetriamine, and melamine resins can be used for the materials to be used. In addition, it was also confirmed that they needed to select a process depending not only on the material but also on the molecular weight and shape. In particular, since linear polyethyleneimine is solid, unlike other polyethyleneimines, it is considered that the effect is expressed even without annealing. In addition, it has also been confirmed that rinse after film production is also effective.

1:기판
2:음극
3:제 1 금속 산화물층
4:질소 함유막의 층
5:유기 화합물층
6:제 2 금속 산화물층
7:양극
1: Substrate
2: negative electrode
3: First metal oxide layer
4: layer of nitrogen-containing film
5: Organic compound layer
6: second metal oxide layer
7: positive pole

Claims (17)

복수의 층이 적층된 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자로서,
그 유기 전계 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 금속 산화물층을 가지며,
그 금속 산화물층 상에 유기 화합물에 의해 형성되는, 금속 산화물 표면에 존재하는 요철을 평활화하는 버퍼층을 갖고,
상기 제 1 전극이 기판 상에 형성된 음극이고, 상기 버퍼층은 음극과 발광층의 사이에 형성되어 있는 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
An organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked,
The organic electroluminescent device has a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode,
It has a buffer layer formed on the metal oxide layer by an organic compound and smoothes the irregularities present on the metal oxide surface,
The organic electroluminescent device, wherein the first electrode is a cathode formed on a substrate, and the buffer layer is a layer formed between the cathode and the emission layer.
제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층이 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께 3 nm 이상의 층이며, 그 버퍼층이 금속 산화물층 상에 인접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 1,
The organic electroluminescent device, wherein the buffer layer is a layer having an average thickness of 3 nm or more formed by applying a solution containing an organic compound, and the buffer layer is formed adjacent to the metal oxide layer.
제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 평균 두께가 5 ∼ 50 nm 의 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 1,
The buffer layer is an organic electroluminescent device, characterized in that the layer having an average thickness of 5 to 50 nm.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 화합물은 붕소 원자를 갖는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 1,
The organic compound is an organic electroluminescent device, characterized in that the organic compound having a boron atom.
제 4 항에 있어서,
상기 붕소 원자를 갖는 유기 화합물은 하기 식 (1) ;
[화학식 1]
Figure 112020021387872-pct00070

(식 중, 점선의 원호는 실선으로 나타내는 골격 부분과 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 실선으로 나타내는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 점선으로 연결되는 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되어 있어도 되는 것을 나타낸다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. Q1 및 Q2 는 동일 또는 상이하고, 실선으로 나타내는 골격 부분에 있어서의 연결기이며, 적어도 일부가 점선의 원호 부분과 함께 고리 구조를 형성하고 있고, 치환기를 가지고 있어도 된다. X1, X2, X3 및 X4 는 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 또는, 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. n1 은 2 ∼ 10 의 정수를 나타낸다. Y1 은 직접 결합 또는 n1 가의 연결기이며, n1 개 존재하는 Y1 이외의 구조 부분과 각각 독립적으로, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조, Q1, Q2, X1, X2, X3, X4 에 있어서의 어느 1 지점에서 결합하고 있는 것을 나타낸다.) 로 나타내는 붕소 함유 화합물이거나, 또는, 하기 식 (2) ;
[화학식 2]
Figure 112020021387872-pct00071

(식 중, 점선의 원호는 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분의 일부와 함께 고리 구조가 형성되어 있는 것을 나타낸다. 붕소 원자와 질소 원자를 연결하는 골격 부분에 있어서의 점선 부분은 적어도 1 쌍의 원자가 이중 결합으로 연결되는 것을 나타내고, 그 이중 결합이 고리 구조와 공액하고 있어도 된다. 질소 원자로부터 붕소 원자로의 화살표는 질소 원자가 붕소 원자에 배위하고 있는 것을 나타낸다. X5 및 X6 은 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 고리 구조의 치환기가 되는 1 가의 치환기를 나타내고, 점선의 원호 부분을 형성하는 고리 구조에 복수 개 결합하고 있어도 된다. R1 및 R2 는 동일 혹은 상이하고, 수소 원자 또는 1 가의 치환기를 나타낸다. X5, X6, R1 및 R2 중 적어도 하나는 반응성기를 갖는 치환기이다.) 로 나타내는 붕소 함유 화합물을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 붕소 함유 중합체인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 4,
The organic compound having the boron atom is the following formula (1);
[Formula 1]
Figure 112020021387872-pct00070

(In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with the skeleton portion indicated by the solid line. The dotted line portion in the skeleton portion indicated by the solid line indicates that a pair of atoms connected by a dotted line may be connected by a double bond. The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom, Q 1 and Q 2 are the same or different, and are a linking group in the skeletal part represented by a solid line, at least a part of which is a dotted circular arc A ring structure is formed together with a moiety, and may have a substituent X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are the same or different, and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent that becomes a substituent of the ring structure, A plurality of rings may be bonded to the ring structure forming the circular arc portion of the dotted line. n 1 represents an integer of 2 to 10. Y 1 is a direct bond or n 1 valent linking group, and a structure other than Y 1 having n 1 Each independently of the moiety represents a ring structure forming a dotted circular arc moiety, which is bonded at any one point in Q 1 , Q 2 , X 1 , X 2 , X 3 and X 4 .) It is a containing compound, or the following formula (2);
[Formula 2]
Figure 112020021387872-pct00071

(In the formula, the dotted circular arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeletal part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least one pair The atom of is connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with the ring structure The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated with the boron atom X 5 and X 6 are the same or different. And a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure, and may be bonded to a plurality of ring structures forming a dotted circular arc portion R 1 and R 2 are the same or different, and a hydrogen atom or a monovalent substituent At least one of X 5 , X 6 , R 1, and R 2 is a substituent having a reactive group.) An organic electric field characterized in that it is a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by Light-emitting element.
제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 환원제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 1,
The buffer layer is an organic electroluminescent device comprising a reducing agent.
제 6 항에 있어서,
상기 버퍼층은 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포함으로써 형성되는 평균 두께가 5 ∼ 100 nm 의 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 6,
The organic electroluminescent device, wherein the buffer layer is a layer having an average thickness of 5 to 100 nm formed by applying a solution containing an organic compound.
제 6 항에 있어서,
상기 환원제는 하이드리드 환원제인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 6,
The reducing agent is an organic electroluminescent device, characterized in that the hydride reducing agent.
제 8 항에 있어서,
상기 하이드리드 환원제는 2,3-디하이드로벤조[d]이미다졸 화합물, 2,3-디하이드로벤조[d]티아졸 화합물, 2,3-디하이드로벤조[d]옥사졸 화합물, 트리페닐메탄 화합물, 및, 디하이드로피리딘 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 8,
The hydride reducing agent is 2,3-dihydrobenzo[d]imidazole compound, 2,3-dihydrobenzo[d]thiazole compound, 2,3-dihydrobenzo[d]oxazole compound, triphenylmethane An organic electroluminescent device comprising at least one compound selected from the group consisting of a compound and a dihydropyridine compound.
제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 질소 함유막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 1,
The organic electroluminescent device, characterized in that the buffer layer is made of a nitrogen-containing film.
제 10 항에 있어서,
상기 버퍼층은 평균 두께가 3 ~ 150 nm 의 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 10,
The buffer layer is an organic electroluminescent device, characterized in that the layer having an average thickness of 3 ~ 150 nm.
제 10 항에 있어서,
상기 질소 함유막은 질소 함유 화합물로 형성되거나, 또는, 막을 구성하는 원소로서 질소 원소와 탄소 원소를 함유하고, 그 막을 구성하는 질소 원자와 탄소 원자의 존재 비율이
질소 원자수/(질소 원자수 + 탄소 원자수) > 1/8
의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 10,
The nitrogen-containing film is formed of a nitrogen-containing compound, or contains a nitrogen element and a carbon element as elements constituting the film, and the abundance ratio of the nitrogen atom and the carbon atom constituting the film is
Number of nitrogen atoms/(number of nitrogen atoms + number of carbon atoms)> 1/8
An organic electroluminescent device, characterized in that satisfying the relationship of.
제 10 항에 있어서,
상기 질소 함유막은 질소 함유 화합물을 가열에 의해 분해시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 10,
The nitrogen-containing film is formed by decomposing a nitrogen-containing compound by heating.
제 12 항에 있어서,
상기 질소 함유 화합물은 폴리아민류 또는 트리아진 고리 함유 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 12,
The nitrogen-containing compound is an organic electroluminescent device, characterized in that the polyamines or triazine ring-containing compound.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.A display device formed by using the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 14. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.A lighting device formed using the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 14. 복수의 층을 적층한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법으로서,
그 제조 방법은 유기 전계 발광 소자가, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에, 제 1 금속 산화물층, 금속 산화물 표면에 존재하는 요철을 평활화하는 버퍼층, 그 버퍼층 상에 적층된 발광층을 포함하는 저분자 화합물층, 및, 제 2 금속 산화물층을 이 순서로 갖는 것이 되도록 유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층을 적층하는 공정을 포함하고, 여기서 상기 제 1 전극이 기판 상에 형성된 음극이고,
그 적층 공정은 유기 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 평균 두께가 3 nm 이상의 버퍼층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
A method of manufacturing an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked,
The manufacturing method is a low molecular weight organic electroluminescent device comprising a first metal oxide layer between a first electrode and a second electrode, a buffer layer for smoothing irregularities existing on the metal oxide surface, and a light emitting layer stacked on the buffer layer. A step of laminating each layer constituting an organic electroluminescent device to have a compound layer and a second metal oxide layer in this order, wherein the first electrode is a cathode formed on a substrate,
The lamination step includes a step of forming a buffer layer having an average thickness of 3 nm or more by applying a solution containing an organic compound.
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