KR102169587B1 - 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법 - Google Patents

터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102169587B1
KR102169587B1 KR1020190037320A KR20190037320A KR102169587B1 KR 102169587 B1 KR102169587 B1 KR 102169587B1 KR 1020190037320 A KR1020190037320 A KR 1020190037320A KR 20190037320 A KR20190037320 A KR 20190037320A KR 102169587 B1 KR102169587 B1 KR 102169587B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
type
touch sensor
module cell
block
thermoelectric module
Prior art date
Application number
KR1020190037320A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200114867A (ko
Inventor
이현정
백종찬
박현우
오정헌
Original Assignee
국민대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 국민대학교산학협력단 filed Critical 국민대학교산학협력단
Priority to KR1020190037320A priority Critical patent/KR102169587B1/ko
Priority to US16/832,296 priority patent/US11282998B2/en
Publication of KR20200114867A publication Critical patent/KR20200114867A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102169587B1 publication Critical patent/KR102169587B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L35/24—
    • H01L35/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/813—Structural details of the junction the junction being separable, e.g. using a spring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/856—Thermoelectric active materials comprising organic compositions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법이 개시된다. 상기 유연 열전모듈 셀은 산업적으로 위험한 장소에 사람이 직접 갈 필요없이 다양한 디자인의 터치센서용 셀에의 적용이 가능하다.

Description

터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법{Flexible thermoelectric module cell for touch sensor, touch sensor including the same, and method of manufacturing the flexible thermoelectric module cell for touch sensor}
터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법에 관한 것이다.
각종 정보 디스플레이의 발전에 따라 휴대 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 표시장치에 대한 관심과 연구가 증대되고 있다. 일반적으로 이러한 표시장치에는 영상표시기능과 함께 사용자의 터치를 입력받기 위한 터치센서를 구비하고 있다. 터치센서는 손끝으로 화면을 누르면 화면상에 표시된 지시를 입력할 수 있는 센서를 말한다.
이러한 터치센서는 작동원리를 기준으로 하여 감압식, 정전식, 및 적외식의 터치센서로 구분될 수 있다. 이 중에서, 정전식 터치센서가 가장 널리 이용되고 있다. 그러나 정전식 터치센서는 가격이 비싸고 전도성이 있는 신체부분 또는 물체로만 터치할 수 있고, 센서가 민감하여 약한 압력 또는 전도성에 영향을 줄 수 있는 외부 환경에 의해 오작동이 빈번하게 일어날 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 신규한 작동원리를 갖는 터치센서, 나아가 다양한 디자인에 적용가능한 터치센서용 유연 열전모듈 셀 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법에 대한 요구가 있다.
일 측면은 연성 및 강성이 조합된 유연한 기계적 물성을 가질 뿐만 아니라 블록형 p형 열전소자 조각과 블록형 n형 열전소자 조각의 개수를 조절하여 전압 및 전력 제어가 가능한 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제공하는 것이다.
다른 측면은 상기 유연 열전모듈 셀을 포함하는 터치센서를 제공하는 것이다.
또다른 측면은 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법을 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면,
실록산계 구조단위의 주쇄, 및 상기 주쇄에 연결된 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물을 포함한 고분자를 포함하는 본체; 및
상기 본체 내부에 교대로 삽입된 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀이 제공된다.
상기 실록산계 구조단위는 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 모노머로부터 유래된 구조단위일 수 있다.
상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트, 또는 이들 조합으로부터 선택된 화합물을 포함할 수 있다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 이소포론 디이소시아네이트를 포함할 수 있다.
상기 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112019032767054-pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 고분자의 중량평균분자량은 1,000 이상일 수 있다.
상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 전이금속, 희토류 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소, 및 16족 원소로부터 선택된 1종 이상의 원소로 구성된 나노입자, 나노와이어, 나노벨트, 나노리본 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자는 서로 금속 전극으로 직렬 연결될 수 있다.
상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 교체가 가능하다.
상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자의 개수를 조절하여 전력 제어가 가능하다.
상기 유연 열전모듈 셀은 제백 효과를 통해 외부 온도의 차이에 따라 발생하는 전압의 변화로 작동이 가능하다.
상기 유연 열전모듈 셀은 최대 18 MPa의 응력(stress)을 가질 수 있다.
상기 유연 열전모듈 셀은 최대 120%의 연신율을 가질 수 있다.
다른 측면에 따르면,
전술한 유연 열전모듈 셀을 포함하는 터치센서가 제공된다.
상기 터치센서는 복수 개의 버튼을 포함하고, 상기 복수 개의 버튼은 각각 상기 유연 열전모듈 셀을 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면,
말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 모노머, 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물, 및 이소시아네이트계 화합물을 포함하는 본체 고분자 형성용 조성물을 광중합하여 본체를 합성하는 단계;
p형 열전소자 분말 또는 n형 열전소자 분말을 몰드에 충진시키고 소결 및 커팅하여 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 준비하는 단계; 및
상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 상기 본체에 교대로 삽입하고 금속 페이스트 및 금속선을 배치하여 전술한 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계;를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법이 제공된다.
상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 0.01 내지 50 중량%의 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트를 포함할 수 있다.
상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계에서 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 금속선으로 직렬 연결하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
일 측면에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀은 연성 및 강성이 조합된 유연한 기계적 물성을 가질 뿐만 아니라 블록형 p형 열전소자 조각과 블록형 n형 열전소자 조각의 개수를 조절하여 전압 및 전력 제어가 가능하다. 따라서 상기 유연 열전모듈 셀은 열전효과 만에 기인한 터치센싱이 가능한바, 산업적으로 위험한 장소에 사람이 직접 갈 필요 없이 다양한 디자인의 터치센서용 셀에로의 적용이 가능하다.
도 1은 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(10)을 나타낸 모식도이다.
도 2는 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(20)을 나타낸 사시도이다.
도 3은 복수의 블록형 개구부를 갖는 프레임(20')에 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자가 금속 전극으로 직렬 연결된 모습을 위에서 바라볼 때의 개략도이다.
도 4는 복수의 블록형 개구부를 갖는 프레임(20")에 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자가 금속 전극으로 직렬 연결된 모습을 아래에서 바라볼 때의 개략도이다.
도 5는 일 구현예에 따른 터치센서를 나타낸 모식도이다.
도 6은 합성예 1에 따른 본체 고분자 합성방법을 나타낸 반응스킴이다.
도 7은 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법을 나타낸 순서도이다.
도 8은 합성예 1 내지 3, 및 비교 합성예 1, 2에 따른 본체 고분자에 대한 기계적 물성 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 실시예 1 내지 5에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀에 대한 전압 및 전력을 측정하기 위한 방법을 나타낸 모식도이다.
도 10은 실시예 1 내지 5에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀에 대하여 기판 위의 온도(냉각부측)와 기판 아래의 온도(발열부측)의 차이에 따른 개방전압(Vopen)을 나타낸 그래프이다.
도 11은 실시예 1 내지 5에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀에 대하여 기판 위의 온도(냉각부측)와 기판 아래의 온도(발열부측)의 차이에 따른 최대전력(Pmax)을 나타낸 그래프이다.
이하에 첨부된 도면을 참조하면서, 예시적인 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법에 대하여 상세하게 설명한다. 이하는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 특허청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능구성을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 중복설명을 생략한다.
본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.
본 명세서에서 "~계 구조단위(또는 화합물)"은 "~계 구조단위(또는 화합물)" 또는/및 "~계 구조단위(또는 화합물)의 유도체"를 모두 포함하는 광의의 개념이다.
일반적으로 널리 사용되는 정전식 터치센서는 물 묻은 손끝으로 화면을 만지거나 손에 땀이 많은 경우, 정전식 터치센서가 구비된 표시장치의 충전 중 접지가 안되어 표시장치 금속바디(body)에 누전이 되는 경우, 또는 형광등과 같은 전등 아래에서 터치를 하는 경우 등으로 인해 터치 인식 위치에 오류가 발생할 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 본 발명의 발명자들은 다음과 같은 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제안하고자 한다.
도 1은 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(10)을 나타낸 모식도이다.
도 1을 참조하면, 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(10)은 본체(1) 및 상기 본체(1) 내부에 교대로 삽입된 블록형 p형 열전소자(2) 및 블록형 n형 열전소자(3)를 포함할 수 있다.
상기 본체(1)는 실록산계 구조단위의 주쇄, 및 상기 주쇄에 연결된 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물을 포함한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 본체(1)는 충분한 응력(stress) 및 연신율(strain)과 같은 기계적 물성을 확보할 수 있다.
상기 본체(1) 내부에 교대로 삽입된 블록형 p형 열전소자(2) 및 블록형 n형 열전소자(3)를 포함하여 작동하지 않는 열전소자를 독립적으로 교체할 수 있고, 전력을 용이하게 제어할 수 있다.
도 2는 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(20)을 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀(20)은 연성 및 강성이 조합된 유연한 본체(11)로 구성되어 있기에 다양한 디자인을 갖는 터치센서에로의 적용이 가능하다. 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀(20)은 본체(11) 내부에 교대로 삽입된 블록형 p형 열전소자(12) 및 블록형 n형 열전소자(13)가 배치되어 있고, 상기 블록형 p형 열전소자(12) 및 블록형 n형 열전소자(13)가 금속 전극(14)으로 연결되어 있음을 보여주고 있다.
상기 실록산계 구조단위는 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 모노머로부터 유래된 구조단위일 수 있다. 상기 히드록시기는 한 개 또는 하나 이상의 복수 개일 수 있다.
상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트, 또는 이들 조합으로부터 선택된 화합물을 포함할 수 있다. 상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 다양한 디자인의 터치센서에의 응용에 적합한 기계적 물성을 갖도록 강성과 연성을 조절할 수 있다. 또한 필요에 따라, 상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물에 사슬형 모노머 또는/및 고리형 모노머를 추가로 연결한 고분자를 이용할 수도 있다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 이소포론 디이소시아네이트를 포함할 수 있다. 상기 이소시아네이트계 화합물은 본체(1)에 유연성을 부여할 수 있다.
상기 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112019032767054-pat00002
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C3의 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1의 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 1에서 사용되는 알킬기가 갖는 "치환"은 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C5의 알킬기(예: CCF3, CHCF2, CH2F, CCl3 등), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 설폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 C1-C5의 알킬기, C2-C5의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
상기 화학식 1에서 사용되는 "알킬기"의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, ter-부틸, neo-부틸, iso-아밀, 또는 헥실 등을 들 수 있다.
상기 "치환"에 사용되는 "알케닐기"는 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, sec-부틸렌, ter-부틸렌, neo-부틸렌, 또는 iso-아밀렌 등과 같은 알킬렌기에서 한 개의 수소 원자를 제거한 기로서, 예를 들어, 비닐기 등을 들 수 있다.
상기 고분자의 중량평균분자량은 1,000 이상일 수 있다. 상기 고분자의 중량평균분자량은 당해 기술분야에서 당업자에게 널리 공지된 방법에 따라 측정이 가능하다. 예를 들어 중량평균분자량은 겔 투과 크래마토그래피 (GPC) 방법에 따라 측정될 수 있다.
상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 전이금속, 희토류 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소, 및 16족 원소로부터 선택된 1종 이상의 원소로 구성된 나노입자, 나노와이어, 나노벨트, 나노리본 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 전이금속의 예로는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ag, 및 Re 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 상기 희토류 원소의 예로는 Y, Ce, 및 La 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 상기 13족 원소의 예로는 B, Al, Ga, 및 In 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 상기 14족 원소의 예로는 C, Si, Ge, Sn, 및 Pb 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 상기 15족 원소의 예로는 P, As, Sb, 및 Bi 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있고, 상기 16족 원소의 예로는 S, Se, 및 Te 원소로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 텔루륨 나노입자, 텔루륨 나노와이어, 텔루륨 나노벨트, 텔루륨 나노리본, 비스무스 나노입자, 비스무스 나노와이어, 비스무스 나노벨트, 비스무스 나노리본, 셀레늄 나노입자, 셀레늄 나노와이어, 셀레늄 나노벨트, 셀레늄 나노리본, 안티모니 나노입자, 안티모니 나노와이어, 안티모니 나노벨트, 안티모니 나노리본, 및 이들의 조합 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 텔루륨 나노입자, 비스무스 나노입자, 또는 Bi2Te3 나노입자 또는 Sb2Te3 나노입자 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 상기 나노입자의 형태는 제한되지 않으나, 예를 들어 분말 형태일 수 있다. 상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 전기 전도도를 충분하게 확보할 수 있다.
도 3은 복수의 블록형 개구부를 갖는 프레임(20')에 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자가 금속 전극으로 직렬 연결된 모습을 위에서 바라볼 때의 개략도이다. 도 4는 복수의 블록형 개구부를 갖는 프레임(20")에 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자가 금속 전극으로 직렬 연결된 모습을 아래에서 바라볼 때의 개략도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자는 블록형 개구부를 갖는 프레임(20', 20"), 즉 본체에 일체화될 수 있다. 이로 인해, 일 구현예에 따른 유연 열전모듈 셀은 구조적으로 매우 안정하며, 상기 셀의 전압 및 전력을 충분히 제어할 수 있다.
상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 교체가 가능하다.
상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자의 개수를 조절하여 전력 제어가 가능하다.
상기 금속 전극은 예를 들어, 구리, 은, 금, 백금, 리튬, 티타늄, 알루미늄, 또는 니켈 등을 포함할 수 있다. 상기 금속 전극은 금속 페이스트를 기재 상에 도포하거나 또는 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 패터닝 방법으로는, 예를 들어 리프트 오프 반도체 공정, 증착 방법, 또는 포토리소그래피법 등을 사용할 수 있다. 필요에 따라, 상기 금속 전극은 탄소재와 복합화된 복합 전극을 포함할 수도 있다.
상기 유연 열전모듈 셀은 제백 효과를 통해 외부 온도의 차이에 따라 발생하는 전압의 변화로 작동이 가능하다. 이러한 방식의 유연 열전모듈 셀은 열전효과 만에 기인한 터치센싱이 가능한바, 산업적으로 위험한 장소에 사람이 직접 갈 필요 없이 다양한 디자인의 터치센서용 셀에로의 적용이 가능하다.
상기 유연 열전모듈 셀은 최대 18 MPa의 응력(stress)을 가질 수 있다.
상기 유연 열전모듈 셀은 최대 120%의 연신율을 가질 수 있다.
다른 일 구현예에 따른 터치센서는 전술한 유연 열전모듈 셀을 포함할 수 있다.
상기 터치센서는 복수 개의 버튼을 포함하고, 상기 복수 개의 버튼은 각각 상기 유연 열전모듈 셀을 포함할 수 있다.
도 5는 일 구현예에 따른 터치센서를 나타낸 모식도이다.
도 5를 참조하면, 일 구현예에 따른 터치센서는 상기 유연 열전모듈 셀이 복수 개의 버튼을 구성하고 있고, 상기 복수 개의 버튼은 각각 (+) 및 (-)의 전선으로 연결되어 있다. 상기 터치센서는 복수 개의 버튼 중 일부 버튼을 누르면 각각 (+)방향으로 전기신호가 전달되도록 구성되어 있다. 상기 유연 열전모듈 셀은 직렬형태로 배열될 수 있고, 직렬형태 외의 셀들은 각각 독립적인 출력을 가질 수 있다.
그러나 일 구현예에 따른 터치센서는 연성 및 강성이 조합된 유연한 기계적 물성을 가질 뿐만 아니라 블록형 p형 열전소자 조각과 블록형 n형 열전소자 조각의 개수를 조절하여 전압 및 전력 제어가 가능한 유연 열전모듈 셀을 포함하기에 상기 터치센서의 형태에 제한되지 않고 당해 기술분야에서 사용 가능한 모든 터치센서의 형태의 사용이 가능하다.
또다른 일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법은 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 구조단위의 모노머, 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물, 및 이소시아네이트계 화합물을 포함하는 본체 고분자 형성용 조성물을 광중합하여 본체를 합성하는 단계; p형 열전소자 분말 또는 n형 열전소자 분말을 몰드에 충진시키고 소결 및 커팅하여 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 준비하는 단계; 및 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 상기 본체에 교대로 삽입하고 금속 페이스트 및 금속선을 배치하여 전술한 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계;를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법은 열전 효과만으로 터치센싱의 효과를 나타낼 수 있는 유연 열전모듈 셀을 용이하게 제작할 수 있다.
우선, 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 모노머, 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물, 및 이소시아네이트계 화합물을 포함하는 본체 고분자 형성용 조성물을 광중합하여 본체를 합성한다.
상기 실록산계 모노머의 구조단위, 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물, 및 이소시아네이트계 화합물의 종류에 대해서는 전술한 바와 동일하므로 이하 설명을 생략한다.
상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 0.01 내지 50 중량%의 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트의 함량이 상기 범위 내라면, 상기 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트 자체의 특성이 나타나지 않으면서 본체의 기계적 물성, 즉 응력 및 연신율 등을 충분히 보완할 수 있다.
다음으로, p형 열전소자 분말 또는 n형 열전소자 분말을 몰드에 충진시키고 소결 및 커팅하여 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 준비한다.
상기 몰드의 재료의 예는 한정되지 않으나 예를 들어 그래파이트 몰드일 수 있다. 소결방법의 예로는 방전 플라즈마 소성법(Spark Plasma Sintering method) 등을 이용할 수 있다. 상기 방전 플라즈마 소성법은, 예를 들어, n형 열전소자로서 비스무스 텔루라이드의 경우에, 450℃의 온도에서 48MPa의 압력으로 진공에서 4분, P-type의 안티모니 텔루라이드의 경우 500℃의 온도에서 48MPa의 압력으로 진공에서 6분 동안 수행될 수 있으나, 반드시 이러한 조건으로 한정되지 않으며 상기 열전소자의 성능계수를 향상시킬 수 있는 범위 내에서 적절히 변경될 수 있다. 상기 p형 열전소자 및 n형 열전소자의 크기는 적용하고자 하는 본체의 전압 및 전력을 고려하여 소정의 크기로 만들 수 있다.
다음으로, 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 상기 본체에 교대로 삽입하고 금속 페이스트 및 금속선을 배치하여 전술한 유연 열전모듈 셀을 제작한다.
상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계에서 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 금속선으로 직렬 연결하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 상기 금속 페이스트 및 금속선은 전술한 금속 전극의 종류 및 형성방법과 동일하다.
이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
합성예 1: 본체 고분자의 합성
이소포론 디이소시아네이트(Isophorone diisocyanate: IPDI, extra pure, 대정화금 제조)를 삼목 둥근바닥 플라스크에 넣고 40 ℃에서 20 분간 질소 퍼지를 실시하였다.
이후, 상기 플라스크 내에 40 ℃에서 말단에 히드록시기를 함유하는 폴리디메틸 실록산(PDMS, Shanghai Gileader Advanced material Technology사 제조) 200g과 제1 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 디부틸틴 디라우레이트(Junsei Chemical사 제조) 0.02 중량% 촉매를 투여하고 2시간 동안 교반하여 실록산 구조단위를 갖는 히드록시기를 함유하는 폴리디메틸 실록산(PDMS) 주쇄에 이소포론 디이소시아네이트(IPDI)가 연결된 제1 고분자(도 6의 (1))를 수득하였다.
이후, 상기 제1 고분자에 40 ℃에서 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(2-HEMA, 97%, Sigma-Aldrich사 제조) 13g과 제2 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 디부틸틴 디라우레이트(Junsei Chemical사 제조) 0.02 중량% 촉매를 투여하고 2시간 동안 교반하여 상기 제1 고분자의 주쇄에 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(2-HEMA)가 연결된 제2 고분자(도 6의 (2))를 수득하였다.
상기 제2 고분자에 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트(SR420, Sartomer Americas사 제조) 10 중량% 및 광개시제로서 페닐비스(2, 4, 6-트리메틸벤조일)포스파인 옥사이드(Irgacure819, BASF사 제조)를 투입하고 0 ℃에서 1시간 동안 교반한 후, 빛을 약 50/60 Hz 주파수로 5분간 투과하는 광중합 반응을 수행하여 상기 제2 고분자의 주쇄에 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트가 연결된 본체 고분자(도 6의 (3))를 합성하였다. 상기 본체 고분자의 합성에 대한 반응스킴은 도 6에 도시되어 있다.
합성예 2: 본체 고분자의 합성
상기 제2 고분자에 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트(SR420, Sartomer Americas사 제조) 10 중량% 대신 30 중량%을 투입한 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법으로 상기 제2 고분자의 주쇄에 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트가 연결된 본체 고분자(도 6의 (3))를 합성하였다.
합성예 3: 본체 고분자의 합성
상기 제2 고분자에 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트(SR420, Sartomer Americas사 제조) 10 중량% 대신 50 중량%을 투입한 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법으로 상기 제2 고분자의 주쇄에 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트가 연결된 본체 고분자(도 6의 (3))를 합성하였다.
비교 합성예 1: 본체 고분자의 합성
상기 제2 고분자에 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트(SR420, Sartomer Americas사 제조) 10 중량% 대신 60 중량%을 투입한 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법으로 상기 제2 고분자의 주쇄에 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트가 연결된 본체 고분자(도 6의 (3))를 합성하였다.
실시예 1: 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작
직경 2cm의 동전형 그래파이트 몰드를 준비하였다. 상기 몰드 내에 p형 열전소자로서 Sb2Te3 분말(antimony(III) telluride, -325　mesh size, Sigma Aldrich사 제조) 6.5g, 및 n형 열전소자로서 Bi2Se3 분말(bismuth(III) telluride, -325　mesh size, Sigma Aldrich사 제조) 7.2g을 각각 충진시킨 후, 상기 48 MPa의 압력 하에 450 ℃ 내지 500 ℃의 온도 범위 내에서 15 ℃/min 승온속도로 약 4~6분 동안 방전 플라즈마 소결(spark plasma sintering, SPS)을 하여 직경 2cm, 높이 0.3cm의 동전형 p형 Sb2Te3 열전소자 및 동전형 n형 Bi2Se3 열전소자를 수득하였다.
상기 동전형 p형 Sb2Te3 열전소자 및 동전형 n형 Bi2Se3 열전소자를 각각 가로 0.25cm, 세로 0.15cm 크기로 커팅하여 30개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 30개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각을 수득하였다.
상기 합성예 3에 따른 광경화성 수지를 이용하여 3D 프린터로 출력한 복수의 블록형 개구부를 갖는 몰드 내에 상기 수득한 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 블록형 n형 Bi2Se3 열전소자 조각을 삽입 배치하였다. 그리고 나서, 상기 수득한 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각과 블록형 n형 Bi2Se3 열전소자 조각을 실버 페이스트 및 구리선을 이용하여 직렬로 연결하여 높이 0.3cm의 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하였다.
실시예 2: 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작
30개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 30개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각 대신 24개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 24개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하였다.
실시예 3: 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작
30개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 30개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각 대신 18개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 18개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하였다.
실시예 4: 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작
30개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 30개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각 대신 12개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 12개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하였다.
실시예 5: 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작
30개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 30개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각 대신 6개의 블록형 p형 Sb2Te3 열전소자 조각 및 6개의 블록형 n형 Sb2Te3 열전소자 조각을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하였다.
평가예 1: 기계적 물성 평가
합성예 1 내지 3, 및 비교 합성예 1, 2에 따른 본체 고분자에 대한 기계적 물성을 다용도 인장시험기(Intron사 5567)를 이용하여 평가하였다. 그 결과를 도 8에 나타내었다.
상기 기계적 물성을 평가하기 위하여, 합성예 1 내지 3, 및 비교 합성예 1, 2를 이용한 고분자 시편을 다음과 같은 방법으로 제작하였다.
구체적으로, 합성예 1 내지 3, 및 비교 합성예 1, 2에 따른 본체 고분자를 각각 아령모양의 몰드(ASTM D638 type 4 형태)에 투입한 후, 빛을 약 50/60 Hz 주파수로 5분간 투과하는 광중합 반응을 수행하여 고분자 시편을 제작하였다.
도 8을 참조하면, 합성예 3에 따른 본체 고분자는 최대 약 120%의 연신율을 나타내는데 반해, 비교 합성예 1에 따른 본체 고분자는 최대 약 46%의 연신율을 나타내었다. 이로부터 합성예 3에 따른 본체 고분자는 비교 합성예 1에 따른 본체 고분자와 비교할 때 최대 연신율이 향상되었음을 확인할 수 있다.
또한 합성예 3에 따른 본체 고분자는 최대 18 MPa의 응력(stress)을 나타내는데 반해, 비교 합성예 1에 따른 본체 고분자는 최대 0 MPa의 응력에 근접함을 보여주었으며 비교 합성예 2에 따른 본체 고분자는 최대 약 1.4 MPa의 응력을 나타내었다. 이로부터 합성예 3에 따른 본체 고분자는 비교 합성예 1, 3에 따른 본체 고분자와 비교할 때 최대 응력이 향상되었음을 확인할 수 있다.
평가예 2: 전압 및 전력 평가
실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 전압 및 전력을 평가하였다. 그 결과를 도 10 및 도 11에 각각 나타내었다.
전압 및 전력을 평가하기 위하여, 두 개의 펠티어 디바이스 기판(32, 33) 사이에 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀(34)을 도 9에서 보이는 바와 같은 방식으로 배치하였다. 여기에, 전력공급 장치를 각각 이용하면 공급되는 전력에 따라 온도차이가 생성되는데, 기판(32)위의 온도(냉각부측)와 기판(33) 아래의 온도(발열부측)의 차이를 0℃ 내지 20℃의 범위로 만들어 각 온도차이에 따라 생성된 개방전압 및 최대전력을 측정하였다.
도 10을 참조하면, 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 기판(32) 위의 온도(냉각부측)와 기판(32) 아래의 온도(발열부측)의 차이가 20℃일 때 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 개방전압(Vopen)은 각각 약 25 mV, 약 50 mV, 약 75 mV, 약 85 mV, 및 약 120 mV을 나타내었다.
도 11을 참조하면, 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 기판(32) 위의 온도(냉각부측)와 기판(32) 아래의 온도(발열부측)의 차이가 20℃일 때 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 최대전력(Pmax)은 각각 약 50 ㎼, 약 150 ㎼, 약 350 ㎼, 약 500 ㎼, 약 700 ㎼을 나타내었다.
이로부터, 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀은 블록형 p형 열전소자 조각과 블록형 n형 열전소자 조각의 개수를 조절하여 전압 및 전력 제어가 가능함을 알 수 있다. 또한 실시예 1 내지 5에 의해 제작된 터치센서용 유연 열전모듈 셀은 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자의 개수가 증가할수록 발생되는 전압 및 전력은 증가함을 확인할 수 있다.
1, 11: 본체, 2, 12: 블록형 p형 열전소자,
3, 13: 블록형 n형 열전소자, 14, 24, 24': 금속 전극,
10, 20, 34: 터치센서용 유연 열전모듈 셀,　
20', 20": 복수의 블록형 개구부를 갖는 프레임, 32, 33: 기판

Claims (18)

  1. 실록산계 구조단위의 주쇄, 및 상기 주쇄에 연결된 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물을 포함한 고분자를 포함하는 본체; 및
    상기 본체 내부에 교대로 삽입된 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실록산계 구조단위가 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 모노머로부터 유래된 구조단위인 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물이 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트, 또는 이들 조합으로부터 선택된 화합물을 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 이소시아네이트계 화합물이 이소포론 디이소시아네이트를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고분자가 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀:
    <화학식 1>
    Figure 112019032767054-pat00003

    상기 화학식 1에서,
    R1 내지 R60은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기, 또는 이들의 조합이다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고분자의 중량평균분자량이 1,000 이상인 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자가 서로 독립적으로 전이금속, 희토류 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소, 및 16족 원소로부터 선택된 1종 이상의 원소로 구성된 나노입자, 나노와이어, 나노벨트, 나노리본 또는 이들의 조합을 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자가 서로 금속 전극으로 직렬 연결된 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 블록형 p형 열전소자 또는 블록형 n형 열전소자는 서로 독립적으로 교체가 가능한 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자의 개수를 조절하여 전력 제어가 가능한 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유연 열전모듈 셀은 제백 효과를 통해 외부 온도의 차이에 따라 발생하는 전압의 변화로 작동이 가능한 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 유연 열전모듈 셀은 최대 18 MPa의 응력(stress)을 갖는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 유연 열전모듈 셀은 최대 120%의 연신율을 갖는 터치센서용 유연 열전모듈 셀.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 유연 열전모듈 셀을 포함하는 터치센서.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 터치센서는 복수 개의 버튼을 포함하고,
    상기 복수 개의 버튼은 각각 상기 유연 열전모듈 셀을 포함하는 터치센서.
  16. 말단에 히드록시기를 갖는 실록산계 구조단위의 모노머, 1종 이상의 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물, 및 이소시아네이트계 화합물을 포함하는 본체 고분자 형성용 조성물을 광중합하여 본체를 합성하는 단계;
    p형 열전소자 분말 또는 n형 열전소자 분말을 몰드에 충진시키고 소결 및 커팅하여 블록형 p형 열전소자 및 블록형 n형 열전소자를 준비하는 단계; 및
    상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 상기 본체에 교대로 삽입하고 금속 페이스트 및 금속선을 배치하여 제1항에 따른 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계;를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 비닐기 함유 광중합성 아크릴레이트계 화합물은 본체 고분자 형성용 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 하여 0.01 내지 50 중량%의 3,3,5-트리메틸 시클로헥실 아크릴레이트를 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀을 제작하는 단계에서 상기 블록형 p형 열전소자와 블록형 n형 열전소자를 금속선으로 직렬 연결하는 단계;를 더 포함하는 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법.
KR1020190037320A 2019-03-29 2019-03-29 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법 KR102169587B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190037320A KR102169587B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법
US16/832,296 US11282998B2 (en) 2019-03-29 2020-03-27 Flexible thermoelectric module cell for touch sensor, touch sensor including the same, and method of manufacturing the flexible thermoelectric module cell for touch sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190037320A KR102169587B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200114867A KR20200114867A (ko) 2020-10-07
KR102169587B1 true KR102169587B1 (ko) 2020-10-23

Family

ID=72604923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190037320A KR102169587B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11282998B2 (ko)
KR (1) KR102169587B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010358A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Tokai Rika Co Ltd スイッチ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX270896B (es) * 1999-07-30 2009-10-14 Composiciones de recubrimiento que tienen una mejor resistencia a las raspaduras, sustratos recubiertos, y metodos relacionados con lo mismo.
US7309830B2 (en) * 2005-05-03 2007-12-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Nanostructured bulk thermoelectric material
EP2131406A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A method for manufacturing a thermoelectric generator, a wearable thermoelectric generator and a garment comprising the same
JP6134473B2 (ja) * 2011-07-19 2017-05-24 株式会社ブリヂストン 光硬化性樹脂組成物、並びに、それを用いた水周り部材及び機能性パネル
KR101656177B1 (ko) * 2015-02-27 2016-09-09 고려대학교 산학협력단 플렉서블 열전발전모듈 및 그 제조방법
KR102252348B1 (ko) * 2016-05-16 2021-05-14 한국전자기술연구원 3d 프린팅에 사용되는 폴리디메틸실록산 기반의 광경화형 고분자 및 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010358A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Tokai Rika Co Ltd スイッチ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11282998B2 (en) 2022-03-22
KR20200114867A (ko) 2020-10-07
US20200313061A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. The trouble with TOPO; identification of adventitious impurities beneficial to the growth of cadmium selenide quantum dots, rods, and wires
Selvan et al. Methodological reviews and analyses on the emerging research trends and progresses of thermoelectric generators
JP5537688B2 (ja) 新規な熱電材料及びその製造方法、並びにそれを用いた熱電部品
EP2784834B1 (en) Thermoelectric conversion module
EP2333856B1 (en) Thermoelectric generator and thermoelectric generation method
Lee et al. Piezo-phototronic effect triggered flexible UV photodetectors based on ZnO nanosheets/GaN nanorods arrays
JP5953116B2 (ja) 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、および放射線検出器
WO2015174462A1 (ja) 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
KR102169587B1 (ko) 터치센서용 유연 열전모듈 셀, 이를 포함하는 터치센서, 및 상기 터치센서용 유연 열전모듈 셀의 제작방법
KR102109844B1 (ko) 자가발전형 유연 열전모듈, 이를 이용하는 물품, 및 상기 자가발전형 유연 열전모듈의 제작방법
JPWO2011048634A1 (ja) 熱電変換材料および熱電変換素子
US20150372212A1 (en) Te-based thermoelectric material having complex crystal structure by addition of interstitial dopant
KR101323320B1 (ko) Ａｇ 및 Ｓｂ가 도핑된 ＧｅＴｅ계 열전재료 및 그 제조방법
KR102198207B1 (ko) 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
JP6721946B2 (ja) 導電性材料およびこれを含む電子素子
Bonifacio et al. Photodiodes: Principles and recent advances
EP3951900B1 (en) Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element using same
JP4872694B2 (ja) クラスレート化合物の製造方法
WO2015092909A1 (ja) 高分子化合物、有機光電変換素子、及び該素子の製造方法
KR101323321B1 (ko) Ｓｂ가 도핑된 ＭｎＴｅ계 열전재료 및 그 제조방법
Sologub et al. Structural and thermoelectric properties of Y1− xB22+ yC2− yN
Hu et al. Controlled Spalling Technology
JP5548889B2 (ja) 熱発電組成物
KR101777725B1 (ko) 신규한 테르티오펜 화합물 및 이의 제조방법
Kim et al. Selective Crystalline Seed Layer Assisted Growth of Vertically Aligned MgZnO Nanowires and Their High-Brightness Field-Emission Behavior

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant