KR102159840B1 - Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium - Google Patents

Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium Download PDF

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Abstract

본 발명은 처리액의 공급량을 저감하면서, 기판의 표면 전체를 처리액으로 덮는 것을 목적으로 한다.
기판 액처리 방법은, 기판(W)을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 기판 표면의 중심부에 제1 노즐(30)로부터 처리액을 공급하여, 기판의 직경보다 작은 직경의 처리액의 액막을 기판 표면에 형성하는 공정과, 제1 노즐에 의해 기판 표면에 형성된 처리액의 액막의 주연부에, 제1 노즐로부터 공급되고 있는 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐(33)로부터 공급하는 공정과, 그 후, 기판 표면에의 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 처리액의 액막을 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함한다.An object of the present invention is to cover the entire surface of a substrate with a treatment liquid while reducing the supply amount of the treatment liquid.
In the substrate liquid treatment method, while rotating the substrate W in a horizontal position around a vertical axis, a treatment liquid is supplied from the first nozzle 30 to the center of the substrate surface, and a liquid film of a treatment liquid having a diameter smaller than the diameter of the substrate A step of forming on the substrate surface, and a step of supplying from the second nozzle 33 a treatment liquid identical to the treatment liquid supplied from the first nozzle to the peripheral portion of the liquid film of the treatment liquid formed on the substrate surface by the first nozzle And, thereafter, a step of moving the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the substrate surface toward the peripheral portion of the substrate, thereby expanding the liquid film of the processing liquid toward the peripheral portion of the substrate.

Description

기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}Substrate liquid treatment method, substrate liquid treatment apparatus, and storage medium {SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판을 회전시키면서 기판에 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다. The present invention relates to a technology for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate while rotating the substrate.

반도체 웨이퍼 등의 기판에 약액 처리, 린스 처리 등의 액처리를 실시할 때에 채용되는 가장 일반적인 방법은, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시킨 상태에서 기판 중심부에 처리액을 공급하는 것이다. 이 경우, 기판 중심부에 공급된 처리액은 원심력에 의해 확산되어, 기판의 표면 전체가 처리액의 액막에 의해 덮인다. The most common method employed when performing liquid treatment such as chemical treatment or rinsing treatment on a substrate such as a semiconductor wafer is to supply the treatment liquid to the center of the substrate while the substrate is rotated around a vertical axis in a horizontal position. In this case, the processing liquid supplied to the center portion of the substrate is diffused by the centrifugal force, and the entire surface of the substrate is covered by the liquid film of the processing liquid.

처리액에 덮여 있지 않은 부위가 기판의 표면에 존재하면, 예컨대 약액 처리의 경우에는 처리가 불균일하게 된다. 또한, 패턴이 형성된 기판을 DIW(순수) 린스 처리하는 경우에는, 예컨대 패턴 내에 이전 공정의 처리액(예컨대 약액)이 잔류하거나, 린스 처리 불충분에 의해 파티클이 발생할 우려가 있다. If a portion not covered by the treatment liquid exists on the surface of the substrate, for example, in the case of chemical treatment, the treatment becomes uneven. Further, in the case of DIW (pure water) rinsing treatment on the patterned substrate, there is a risk that, for example, a treatment liquid (for example, a chemical liquid) of the previous step remains in the pattern, or particles may be generated due to insufficient rinsing treatment.

처리액에 의한 기판 표면의 피복성은, 기판의 회전 속도와 처리액의 유량에 영향을 받는다. 기판 회전 속도가 높을수록, 처리액의 액막은 퍼지기 쉽지만, 처리액의 바람직하지 않은 비산(예컨대 컵의 외측으로의 비산)의 문제가 있다. 또한 처리액 유량이 클수록, 기판의 표면 전체에 처리액의 액막은 퍼지기 쉽지만, 처리액의 사용량이 증가한다는 문제가 있다. 특히, 기판 표면의 발수성이 높은 경우에는, 기판 주연부에 DIW의 액막을 형성하는 것이 곤란하다.The coating property of the substrate surface by the treatment liquid is affected by the rotation speed of the substrate and the flow rate of the treatment liquid. As the substrate rotation speed is higher, the liquid film of the processing liquid is more likely to spread, but there is a problem of undesired scattering of the processing liquid (for example, to the outside of the cup). Further, as the flow rate of the treatment liquid increases, the liquid film of the treatment liquid tends to spread over the entire surface of the substrate, but there is a problem that the amount of treatment liquid increases. In particular, when the water repellency of the substrate surface is high, it is difficult to form a DIW liquid film in the peripheral portion of the substrate.

일본 특허 공개 제2009-59895호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-59895

본 발명은 기판의 표면 전체를 처리액으로 덮는 공정에 있어서, 처리액의 공급량을 저감하고, 파티클을 줄일 수 있는 기술을 제공하는 것이다.The present invention is to provide a technique capable of reducing the amount of supply of the processing liquid and reducing particles in a process of covering the entire surface of a substrate with a processing liquid.

본 발명에 의하면, 기판 액처리 방법에 있어서, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함하는 기판 액처리 방법이 제공된다. According to the present invention, in the substrate liquid treatment method, the treatment liquid is supplied from the first nozzle to the center of the surface of the substrate while rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal position, and the diameter of the substrate is smaller than the diameter of the substrate. A process of forming a liquid film of a treatment liquid on the surface of the substrate, and the same treatment as the treatment liquid supplied from the first nozzle at a peripheral portion of the liquid film of the treatment liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle A step of supplying a liquid from a second nozzle, and after that, a position of supplying the treatment liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved toward the periphery of the substrate, whereby the liquid film of the treatment liquid There is provided a substrate liquid treatment method including the step of expanding toward the peripheral portion of the substrate.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제1 노즐과, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제2 노즐과, 상기 제2 노즐을 이동시키는 노즐 구동 기구와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 액처리 장치의 동작을 제어하여, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시켜, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치가 제공된다. In addition, according to the present invention, in the substrate liquid processing apparatus, a substrate holding portion for holding a substrate in a horizontal posture, a rotation driving portion for rotating the substrate holding portion, and a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding portion. A first nozzle for discharging, a second nozzle for discharging a processing liquid toward a substrate held by the substrate holding unit, a nozzle driving mechanism for moving the second nozzle, and a control unit, wherein the control unit comprises: By controlling the operation of the substrate liquid treatment apparatus, while rotating the substrate held by the substrate holding unit around a vertical axis, a treatment liquid is supplied from the first nozzle to the center of the surface of the substrate, and is smaller than the diameter of the substrate. A step of forming a liquid film of the treatment liquid having a diameter on the surface of the substrate, and the treatment liquid supplied from the first nozzle to a peripheral portion of the liquid film of the treatment liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle The process of supplying the same processing liquid from the second nozzle, and after that, the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved toward the periphery of the substrate, and the liquid film of the processing liquid There is provided a substrate liquid processing apparatus, characterized in that the step of expanding toward the periphery of the substrate is performed.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 상기 기판 액처리 방법이, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체가 제공된다. Further, according to the present invention, as a storage medium storing a program that can be executed by a control computer of a substrate liquid processing apparatus, by executing this program, the control computer controls the substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method. In executing the substrate liquid treatment method, the treatment liquid is supplied from the first nozzle to the central portion of the surface of the substrate while rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal position, and has a diameter smaller than the diameter of the substrate. The process of forming a liquid film of the treatment liquid on the surface of the substrate, and a peripheral portion of the liquid film of the treatment liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle, the same as the treatment liquid supplied from the first nozzle The process of supplying the processing liquid from the second nozzle, and after that, the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved toward the periphery of the substrate, whereby the processing liquid is A storage medium is provided, comprising the step of spreading a liquid film toward a peripheral portion of the substrate.

본 발명에 의하면, 제2 노즐로부터의 처리액이, 제1 노즐로부터 공급된 처리액의 액막을 기판의 주연부를 향해 끌어당기기 때문에, 적은 처리액의 총 공급량으로, 기판의 표면 전체를 처리액의 액막으로 덮을 수 있다. 또한, 기판의 표면 전체를 처리액의 액막으로 덮을 수 있기 때문에, 파티클을 줄일 수 있다. According to the present invention, since the processing liquid from the second nozzle pulls the liquid film of the processing liquid supplied from the first nozzle toward the periphery of the substrate, with a small total supply amount of the processing liquid, the entire surface of the substrate is It can be covered with a liquid film. Further, since the entire surface of the substrate can be covered with the liquid film of the processing liquid, particles can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 액처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 액처리 장치의 수평 단면도이다.
도 3은 린스 처리 공정에 대해서 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 4는 린스 처리 공정에서의 제2 노즐로부터의 린스액의 공급에 대해서 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 린스 처리 공정에 있어서 기판의 중심부에 DIW의 액적을 공급하는 실시형태에 대하여 설명하기 위한 개략 측면도이다.
도 6은 린스 처리 공정에 있어서 기판의 중심부에 DIW의 증기를 공급하는 실시형태에 대하여 설명하기 위한 개략 측면도이다.1 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a substrate liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a horizontal cross-sectional view of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 1.
3 is a schematic perspective view for explaining a rinse treatment process.
4 is a plan view for explaining the supply of the rinse liquid from the second nozzle in the rinse treatment step.
Fig. 5 is a schematic side view for explaining an embodiment in which droplets of DIW are supplied to a central portion of a substrate in a rinsing process.
6 is a schematic side view for explaining an embodiment of supplying DIW vapor to a central portion of a substrate in a rinsing process.

이하에 도면을 참조하여 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 우선, 도 1 및 도 2에 의해, 기판 액처리 장치의 전체 구성에 대해서 설명한다. 기판 액처리 장치는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」로 부름) 등의 기판을 수평 자세로 유지하고 수직축선 둘레로 회전 가능한 스핀척(기판 유지부)(20)을 갖고 있다. 스핀척(20)은 원반형의 베이스(21)와, 베이스(21)의 주연부에 설치되며, 웨이퍼(W)를 유지 및 해방하기 위해 가동되는 복수의 유지 부재(22)를 갖고 있다. 스핀척(20)은 모터를 갖는 회전 구동부(24)에 의해, 수직축선 둘레로 회전 구동된다. 스핀척(20) 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 바깥쪽으로 비산하는 처리 유체를 수용하는 컵(26)이 설치되어 있다. 스핀척(20) 및 컵(26) 등의 기판 액처리 장치의 구성 부재는 하우징(10) 내에 수용되어 있다. 하우징(10)의 일측벽면에는, 웨이퍼(W)의 반출반입을 위해 셔터(12)를 갖는 반입반출구(11)가 형성되어 있다. Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. First, with reference to Figs. 1 and 2, the overall configuration of the substrate liquid processing apparatus will be described. The substrate liquid processing apparatus has a spin chuck (substrate holding portion) 20 capable of holding a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer W") in a horizontal position and rotating around a vertical axis. The spin chuck 20 has a disk-shaped base 21 and a plurality of holding members 22 that are installed at the periphery of the base 21 and are movable to hold and release the wafer W. The spin chuck 20 is driven to rotate around a vertical axis by a rotation driving unit 24 having a motor. Around the spin chuck 20, a cup 26 is provided for receiving the processing fluid scattering outward from the wafer W. Components of the substrate liquid processing apparatus such as the spin chuck 20 and the cup 26 are accommodated in the housing 10. On one side wall surface of the housing 10, a carry-in/out port 11 having a shutter 12 is formed for carrying in and carrying out the wafer W.

기판 액처리 장치는, 웨이퍼(W)에 약액 또는 순수를 공급하는 세정액 노즐(30)과, 웨이퍼(W)에 건조액을 공급하는 건조액 노즐(31)과, 웨이퍼(W)에 불활성 가스를 공급하는 가스 노즐(32)을 구비하고 있고, 이들의 노즐(30∼32)은 에어 실린더 등을 포함하는 제1 승강 기구(35A)를 통해, 제1 노즐 아암(34A)에 부착되어 있다. 제1 노즐 아암(34A)은 제1 아암 구동 기구(36A)에 의해, 수평 방향으로 연장되는 제1 가이드 레일(37A)을 따라 이동 가능하다. 따라서, 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)은 웨이퍼의 중심부 위쪽의 위치로부터 웨이퍼의 주연부 위쪽의 위치까지 웨이퍼의 반경 방향으로 직선 운동할 수 있고, 또한 평면에서 봤을 때 컵(26)의 외측에 위치하는 후퇴 위치에 위치할 수 있으며, 또한 승강도 가능하다. 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31), 및 가스 노즐(32)은 제1 노즐 아암(34A)의 운동 방향을 따라 나열되어, 각 노즐(30∼32)은 스핀척(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위에 위치할 수 있다. The substrate liquid processing apparatus includes a cleaning liquid nozzle 30 that supplies a chemical liquid or pure water to the wafer W, a drying liquid nozzle 31 that supplies a dry liquid to the wafer W, and an inert gas to the wafer W. A gas nozzle 32 to be supplied is provided, and these nozzles 30 to 32 are attached to the first nozzle arm 34A through a first lifting mechanism 35A including an air cylinder or the like. The first nozzle arm 34A is movable along the first guide rail 37A extending in the horizontal direction by the first arm drive mechanism 36A. Therefore, the cleaning liquid nozzle 30, the drying liquid nozzle 31, and the gas nozzle 32 can move linearly in the radial direction of the wafer from a position above the center of the wafer to a position above the peripheral edge of the wafer, and can be seen from a plane. When it can be located in a retracted position located on the outside of the cup 26, it is also possible to lift. The cleaning liquid nozzle 30, the drying liquid nozzle 31, and the gas nozzle 32 are arranged along the movement direction of the first nozzle arm 34A, and each nozzle 30 to 32 is held by the spin chuck 20. It may be located directly above the center of the wafer (W).

세정액 노즐(30)에는, 약액 공급 기구(40)가 접속되어 있다. 약액 공급 기구(40)는 약액으로서 희불산(DHF)을 공급하는 DHF 공급원(41)과, DHF 공급원(41)을 세정액 노즐(30)에 접속하는 DHF 공급 라인(42)과, DHF 공급 라인(42)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(43)를 갖고 있다. 따라서, 약액 공급 기구(40)는 세정액 노즐(30)에 밸브 장치(43)에 의해 제어된 유량으로 DHF를 공급할 수 있다. A chemical liquid supply mechanism 40 is connected to the cleaning liquid nozzle 30. The chemical liquid supply mechanism 40 includes a DHF supply source 41 that supplies dilute hydrofluoric acid (DHF) as a chemical liquid, a DHF supply line 42 that connects the DHF supply source 41 to the cleaning liquid nozzle 30, and a DHF supply line ( It has a valve device 43 including an on-off valve and a flow control valve provided in 42). Accordingly, the chemical liquid supply mechanism 40 can supply DHF to the cleaning liquid nozzle 30 at a flow rate controlled by the valve device 43.

세정액 노즐(30)에는, 제1 린스액 공급 기구(50)도 접속되어 있다. 제1 린스액 공급 기구(50)는, 린스액으로서 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(51)과, DIW 공급원(51)을 세정액 노즐(30)에 접속하는 DIW 공급 라인(52)과, DIW 공급 라인(52)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(53)를 갖고 있다. 따라서, 제1 린스액 공급 기구(50)는 세정액 노즐(30)에 제어된 유량으로 DIW를 공급할 수 있다. The first rinse liquid supply mechanism 50 is also connected to the cleaning liquid nozzle 30. The first rinse liquid supply mechanism 50 includes a DIW supply source 51 that supplies pure water (DIW) as a rinse liquid, a DIW supply line 52 that connects the DIW supply source 51 to the cleaning liquid nozzle 30, and It has a valve device 53 including an on-off valve and a flow rate adjustment valve provided in the DIW supply line 52. Accordingly, the first rinse liquid supply mechanism 50 can supply DIW to the cleaning liquid nozzle 30 at a controlled flow rate.

건조액 노즐(31)에는, 건조액 공급 기구(60)가 접속되어 있다. 건조액 공급 기구(60)는, 이소프로필알코올(IPA)을 공급하는 IPA 공급원(61)과, IPA 공급원(61)을 건조액 노즐(31)에 접속하는 IPA 공급 라인(62)과, IPA 공급 라인(62)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(63)를 갖고 있다. 따라서, 건조액 공급 기구(60)는 건조액 노즐(31)에 제어된 유량으로 건조액으로서의 IPA를 공급할 수 있다. IPA는 DIW와 혼화성이 있기 때문에 DIW를 용이하게 치환할 수 있고, DIW보다 휘발성이 높기 때문에 용이하게 건조시킬 수 있으므로, 건조액으로서 적합하게 이용될 수 있다. 또한, IPA는 DIW보다 표면 장력이 낮기 때문에, 고(高)아스펙트비의 미세 패턴의 도괴를 억제할 수도 있다. 건조액은 IPA에 한정되는 것이 아니라, 상기한 특징을 갖는 다른 유기 용제를 건조액으로서 이용할 수도 있다.The drying liquid supply mechanism 60 is connected to the drying liquid nozzle 31. The drying liquid supply mechanism 60 includes an IPA supply source 61 for supplying isopropyl alcohol (IPA), an IPA supply line 62 connecting the IPA supply source 61 to the drying liquid nozzle 31, and IPA supply. It has a valve device 63 including an on-off valve and a flow control valve provided in the line 62. Accordingly, the drying liquid supply mechanism 60 can supply IPA as a drying liquid to the drying liquid nozzle 31 at a controlled flow rate. Since IPA is miscible with DIW, DIW can be easily replaced, and since it is more volatile than DIW, it can be easily dried, so it can be suitably used as a drying liquid. Further, since IPA has a lower surface tension than DIW, it is also possible to suppress the collapse of fine patterns with a high aspect ratio. The drying solution is not limited to IPA, and other organic solvents having the above-described characteristics may be used as the drying solution.

가스 노즐(32)에는, 건조 가스 공급 기구(70)가 연결되어 있다. 건조 가스 공급 기구(70)는, 건조 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급원(71)과, 질소 가스 공급원(71)을 가스 노즐(32)에 접속하는 질소 가스 공급 라인(72)과, 질소 가스 공급 라인(72)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(73)를 갖고 있다. 건조 가스로서는, 저산소 농도, 저습도의 가스를 이용할 수 있고, 질소 가스 이외의 불활성 가스를 이용할 수도 있다.A dry gas supply mechanism 70 is connected to the gas nozzle 32. The drying gas supply mechanism 70 includes a nitrogen gas supply source 71 for supplying nitrogen gas as a drying gas, a nitrogen gas supply line 72 connecting the nitrogen gas supply source 71 to the gas nozzle 32, and nitrogen. It has a valve device 73 including an on-off valve and a flow rate adjustment valve provided in the gas supply line 72. As the drying gas, a low oxygen concentration and low humidity gas can be used, and an inert gas other than nitrogen gas can also be used.

또한, 기판 액처리 장치는, 웨이퍼(W)에 린스액으로서의 DIW를 공급하는 린스액 노즐(33)을 구비하고 있다. 이 린스액 노즐(33)은 에어 실린더 등을 포함하는 제2 승강 기구(35B)를 통해, 제2 노즐 아암(34B)에 부착되어 있다. 제2 노즐 아암(34B)은 제2 아암 구동 기구(36B)에 의해, 수평 방향으로 연장되는 제2 가이드 레일(37B)을 따라 이동 가능하다. 따라서, 린스액 노즐(33)은 웨이퍼의 중심부의 위쪽 위치로부터 웨이퍼의 주연부의 위쪽 위치까지 웨이퍼의 반경 방향으로 직선 운동할 수 있고, 또한, 평면에서 봤을 때 컵(26)의 바깥쪽에 위치하는 후퇴 위치에 위치할 수 있으며, 또한 승강도 가능하다. 또한, 상호 간섭 방지를 위해, 제1 노즐 아암(34A)은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 그보다 도면 중 우측의 영역을 이동하고, 제2 노즐 아암(34B)은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 도면 중 좌측의 영역을 이동한다. Further, the substrate liquid processing apparatus is provided with a rinse liquid nozzle 33 for supplying DIW as a rinse liquid to the wafer W. The rinse liquid nozzle 33 is attached to the second nozzle arm 34B via a second lifting mechanism 35B including an air cylinder or the like. The second nozzle arm 34B is movable along the second guide rail 37B extending in the horizontal direction by the second arm drive mechanism 36B. Accordingly, the rinse liquid nozzle 33 can move linearly in the radial direction of the wafer from the upper position of the central portion of the wafer to the upper position of the peripheral portion of the wafer, and, when viewed from a plane, retreat located outside the cup 26 It can be located in a position, and it can also be lifted. In addition, in order to prevent mutual interference, the first nozzle arm 34A moves the area on the right side of the drawing from the center of the wafer W, and the second nozzle arm 34B moves from the center of the wafer W in the drawing. Move the left area.

린스액 노즐(33)에는, 제2 린스액 공급 기구(80)가 접속되어 있다. 제2 린스액 공급 기구(80)는, 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(81)과, DIW 공급원(81)을 린스액 노즐(33)에 접속하는 DIW 공급 라인(82)과, DIW 공급 라인(82)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(83)를 갖고 있다. 따라서, 제2 린스액 공급 기구(80)는 린스액 노즐(33)에 제어된 유량으로 린스액으로서의 DIW를 공급할 수 있다. A second rinse liquid supply mechanism 80 is connected to the rinse liquid nozzle 33. The second rinse liquid supply mechanism 80 includes a DIW supply source 81 that supplies pure water (DIW), a DIW supply line 82 that connects the DIW supply source 81 to the rinse liquid nozzle 33, and a DIW supply. It has a valve device 83 including an on-off valve and a flow rate adjustment valve provided in the line 82. Accordingly, the second rinse liquid supply mechanism 80 can supply DIW as a rinse liquid to the rinse liquid nozzle 33 at a controlled flow rate.

회전 구동부(24), 아암 구동 기구(36A, 36B), 약액 공급 기구(40), 제1 린스액 공급 기구(50), 건조액 공급 기구(60), 건조 가스 공급 기구(70) 및 제2 린스액 공급 기구(80) 등의 동작은 컴퓨터를 포함하는 제어부(90)에 의해 제어된다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 제어부(90)에는, 공정 관리자 등이 기판 액처리 장치를 관리하기 위해, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 액처리 장치의 가동 상황 등을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 포함하는 입출력 장치(91)가 접속되어 있다. 제어부(90)는 기판 액처리 장치에서 실행되는 처리를 실현하기 위한 프로그램 등이 기록된 기록 매체(92)에 액세스 가능하다. 기록 매체(92)는 ROM 및 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM, 및 플렉시블 디스크 등의 디스크형 기록 매체 등, 기지의 기록 매체로 구성할 수 있다. 제어부(90)가 기록 매체(92)에 미리 기록된 프로그램을 실행함으로써, 기판 액처리 장치에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다. Rotation drive part 24, arm drive mechanisms 36A, 36B, chemical liquid supply mechanism 40, first rinse liquid supply mechanism 50, dry liquid supply mechanism 60, dry gas supply mechanism 70 and second The operation of the rinse liquid supply mechanism 80 and the like is controlled by a control unit 90 including a computer. As shown in Fig. 1, the control unit 90 visualizes and displays a keyboard for inputting a command or the operation status of the substrate liquid processing device in order for the process manager or the like to manage the substrate liquid processing device. An input/output device 91 including a display or the like is connected. The control unit 90 can access the recording medium 92 on which a program or the like for realizing processing executed in the substrate liquid processing apparatus is recorded. The recording medium 92 can be constituted by a known recording medium such as a memory such as ROM and RAM, a hard disk, a disk-type recording medium such as a CD-ROM, a DVD-ROM, and a flexible disk. When the control unit 90 executes a program recorded in advance on the recording medium 92, the wafer W is processed in the substrate liquid processing apparatus.

다음에, 상기한 기판 액처리 장치의 동작에 대해서 설명한다. 또한 하기의 동작은 기록 매체(92)에 기록된 프로그램을 실행함으로써 제어부(90)가 생성하는 제어 신호에 의해 제어된다. Next, the operation of the substrate liquid processing apparatus described above will be described. Further, the following operation is controlled by a control signal generated by the control unit 90 by executing a program recorded on the recording medium 92.

우선, 셔터(12)가 개방되어, 도시하지 않는 반송 아암에 유지된 웨이퍼(W)가 반입반출구(11)를 통해 하우징(10) 내에 반입된다. 다음에, 웨이퍼(W)가 반송 아암으로부터 스핀척(20)에 전달되고, 스핀척(20)의 유지 부재(22)에 유지된다. First, the shutter 12 is opened, and the wafer W held on a transfer arm (not shown) is carried into the housing 10 through the carry-in/out port 11. Next, the wafer W is transferred from the carrying arm to the spin chuck 20 and held by the holding member 22 of the spin chuck 20.

[약액 처리 공정][Medicinal solution treatment process]

다음에, 제1 아암 구동 기구(36A)에 의해, 후퇴 위치에 위치하고 있던 세정액 노즐(30)이 스핀척(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위의 위치로 이동한다. 또한, 회전 구동부(24)에 의해, 웨이퍼(W)를 유지한 스핀척(20)이 회전 구동된다. 이 상태에서, 약액 공급 기구(40)에 의해 세정액 노즐(30)을 통해 DHF가 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 토출되어, 웨이퍼(W)에 약액 처리(약액 세정)가 실시된다. 토출된 DHF는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산되어, 웨이퍼(W) 표면에 DHF의 액막이 형성된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 10 rpm∼500 rpm 정도가 된다. 웨이퍼(W)는 건조 공정이 완료될 때까지, 계속적으로 회전한다. Next, by the first arm drive mechanism 36A, the cleaning liquid nozzle 30 positioned in the retracted position is moved to a position just above the center of the wafer W held by the spin chuck 20. Further, the spin chuck 20 holding the wafer W is rotationally driven by the rotation drive unit 24. In this state, DHF is discharged to the central portion of the surface of the wafer W through the cleaning liquid nozzle 30 by the chemical liquid supply mechanism 40, and a chemical liquid treatment (chemical liquid cleaning) is performed on the wafer W. The discharged DHF diffuses over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force, and a liquid film of DHF is formed on the surface of the wafer W. At this time, the rotational speed of the wafer W is, for example, about 10 rpm to 500 rpm. The wafer W continuously rotates until the drying process is completed.

[린스 처리 공정][Rinse treatment process]

정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 린스 처리 공정이 행해진다. 이 린스 처리 공정에 대해서, 도 3 및 도 4도 참조하여, 상세히 설명한다. 정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 약액 공급 기구(40)로부터의 DHF액의 공급을 정지하고, 대신에, 제1 린스액 공급 기구(50)에 의해 웨이퍼의 중심부 바로 위에 위치하는 세정액 노즐(30)을 통해 DIW가 웨이퍼(W) 표면의 중심부(도 4의 점 P1의 위치)를 향해 토출된다. 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 토출하기 직전의 시점에서는, 웨이퍼(W)의 표면은 DHF의 액막에 의해 덮여 있다. 이 린스 처리 공정에서, 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 200 rpm∼400 rpm 정도, 본 동작에서는 300 rpm으로 조정된다. 회전 속도는 처리액이 웨이퍼로부터 외측에 비산하여도 문제가 되지 않는 회전 속도이다. 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량은, 예컨대 2.5 L/min(리터/분)로 한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량은, 린스 처리 공정 동안 동일한 값으로 유지된다. 그러나, 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을, 린스 처리 공정 동안에 변동시켜도 상관없다. After performing the chemical liquid treatment for a predetermined time, a rinse treatment step is performed. This rinse treatment process will be described in detail with reference to Figs. 3 and 4 as well. After performing the chemical liquid treatment for a predetermined time, the supply of the DHF liquid from the chemical liquid supply mechanism 40 is stopped, and instead, the cleaning liquid nozzle 30 positioned directly above the center of the wafer by the first rinse liquid supply mechanism 50 Through this, DIW is discharged toward the center of the wafer W surface (position of point P1 in FIG. 4 ). At the time point just before the DIW is discharged from the cleaning liquid nozzle 30, the surface of the wafer W is covered with a liquid film of DHF. In this rinsing process, the rotational speed of the wafer W is, for example, about 200 rpm to 400 rpm, and in this operation, it is adjusted to 300 rpm. The rotation speed is a rotation speed that does not cause a problem even if the processing liquid is scattered from the wafer to the outside. The discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 is, for example, 2.5 L/min (liter/minute). The rotational speed of the wafer W and the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 are maintained at the same value during the rinsing process. However, the rotation speed of the wafer W and the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 may be varied during the rinsing process.

회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 도달(낙하)한 DIW에는 원심력 및 마찰력(웨이퍼 회전 방향으로 끌리는 힘)이 작용하고, 따라서 DIW는 도 4에 도시하는 바와 같이 소용돌이형으로 바깥쪽을 향해 퍼지면서 흐르며, 이것에 의해 웨이퍼의 중심으로부터 정해진 거리의 원형 영역이 연속하는 DIW의 액막(L)에 덮인다. DIW의 액막(L)에 덮인 영역에서는, DHF가 DIW로 치환되어 간다. 액막(L)이 형성되는 원형 영역의 크기는, 웨이퍼(W)의 친수성(소수성)의 정도, 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량, 웨이퍼(W)의 회전 속도에 따라 변화한다. 웨이퍼(W)의 표면은 이전 공정의 DHF 세정 공정에 의해 소수성으로 되어 있기 때문에, 상기한 DIW 토출 유량 및 웨이퍼(W) 회전 속도라는 조건하에서는, 12인치(300 ㎜) 웨이퍼(W)의 직경의 대략 절반의 직경(예컨대 80 ㎜ 정도)의 원형 영역이 DIW의 액막(L)에 덮인다[도 3의 (a)를 참조]. 웨이퍼(W)의 표면 중 액막(L)이 형성되어 있는 영역보다 외측에서는, DHF의 액막은 남아 있지만, DIW는 연속된 액막을 형성할 수 없어, 줄기형으로 되어 바깥쪽으로 흐르게 된다. 이 줄기형의 DIW의 흐름은 도시하지 않는다. 또한 DIW의 액막(L)에 의해 덮이는 영역의 크기(직경)는 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을 크게 함으로써, 또한 웨이퍼(W)의 회전 속도를 높임으로써 크게 할 수 있는 것이지만, 그러면 DIW 사용량의 증가 및 DIW가 바람직하지 않은 비산을 초래하는 것은, 「배경기술」의 항에 기재한 바와 같다. 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부 영역만이 DIW의 액막에 덮여 있는 상태가 계속되면, DIW의 액막에 덮여 있지 않은 영역에서는, 줄기형으로 흐르는 DIW에 의한 DHF의 부분적 치환이 생기거나 또는 DHF가 털어내어짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면이 노출된다. 이러한 상황이 생기면 파티클이 발생한다. Centrifugal and frictional forces (forces drawn in the direction of wafer rotation) act on DIW reaching (falling) the surface of the rotating wafer W, and thus DIW spreads outward in a vortex shape as shown in FIG. It flows, and by this, a circular area of a predetermined distance from the center of the wafer is covered with the continuous DIW liquid film L. In the area covered by the DIW liquid film L, DHF is replaced by DIW. The size of the circular region in which the liquid film L is formed varies depending on the degree of hydrophilicity (hydrophobicity) of the wafer W, the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30, and the rotational speed of the wafer W. Since the surface of the wafer W is made hydrophobic by the DHF cleaning process of the previous process, under the conditions of the above DIW discharge flow rate and the wafer W rotation speed, the diameter of a 12 inch (300 mm) wafer W A circular area of approximately half the diameter (for example, about 80 mm) is covered with the liquid film L of DIW (see Fig. 3A). Outside of the region in which the liquid film L is formed on the surface of the wafer W, the liquid film of DHF remains, but the DIW cannot form a continuous liquid film, and thus becomes a stem and flows outward. The flow of this stem-shaped DIW is not shown. In addition, the size (diameter) of the area covered by the DIW liquid film L can be increased by increasing the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 and increasing the rotational speed of the wafer W. Then, the increase in the amount of DIW used and that DIW causes undesirable scattering are as described in the section of "Background Art". As described above, if only the central region of the wafer W continues to be covered with the DIW liquid film, in the region not covered by the DIW liquid film, partial replacement of DHF occurs due to DIW flowing in a stem shape, or DHF By being brushed off, the surface of the wafer W is exposed. When this happens, particles are generated.

그래서, 본 실시형태에서는, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출하고, 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 원형의 영역이 DIW의 액막에 덮이는 것과 대략 동시에, 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을 유지한 채, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 린스액 노즐(33)로부터 원형의 DIW의 액막(L)의 둘레 가장자리 부분(둘레 가장자리의 약간 내측의 도 4의 점 P2의 위치)을 향해 DIW의 토출을 시작한다. 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량은, 예컨대 0.5 L/min로 한다. 또한 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출에 앞서, 제2 아암 구동 기구(36B)에 의해, 후퇴 위치에 위치하고 있던 린스액 노즐(33)을, 도 4의 점 P2를 향해 DIW를 토출하는 토출 시작 위치로 이동시켜 둔다. 이 토출 시작 위치는 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출하여 실제로 액막을 만드는 시험을 행하여, 미리 결정해 둔다.Therefore, in this embodiment, as shown in Fig. 3A, DIW is discharged from the cleaning liquid nozzle 30 toward the center of the wafer W, and a circular area smaller than the diameter of the wafer W is A circular DIW liquid film from the rinse liquid nozzle 33 as shown in Fig. 3(b) while being covered by the DIW liquid film approximately at the same time while maintaining the DIW discharge flow rate from the cleaning liquid nozzle 30 Discharge of DIW is started toward the peripheral edge portion of (L) (the position of the point P2 in Fig. 4 slightly inside the peripheral edge). The discharge flow rate of DIW from the rinse liquid nozzle 33 is, for example, 0.5 L/min. Further, prior to discharging DIW from the rinse liquid nozzle 33, the second arm drive mechanism 36B discharges DIW from the rinse liquid nozzle 33 located in the retreat position toward the point P2 in FIG. 4. Move it to the discharge start position. This discharge start position is determined in advance by performing a test to actually form a liquid film by discharging DIW from the cleaning liquid nozzle 30 toward the central portion of the wafer W.

린스액 노즐(33)로부터 DIW의 토출을 시작한 후, 도 3의 (c), (d)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 유지한 채, 린스액 노즐(33)을 반경 방향 외측으로 이동시켜, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 웨이퍼(W) 표면 상의 도달 위치를 반경 방향 외측을 향해 이동시켜 간다. 그러면, 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동에 끌어 당겨져 원형의 DIW의 액막(L)은 퍼져간다. 이 때도, DIW의 액막(L)이 형성되어 있는 영역보다 외측에서는, DHF의 액막은 남아 있고, DIW는 줄기형이 되어 바깥쪽으로 흐르게 된다. 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도는, 예컨대 약 8 ㎜/sec로 일정하지만, 변동시켜도 상관없다. 또한 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도를 너무 높게 하면, 원심력에 의한 DIW의 액막(L)의 확장이 린스액 노즐(33)의 이동을 추종할 수 없게 되어, 세정액 노즐(30)과 린스액 노즐(33) 사이에서 액막(L)의 파단이 생긴다. 따라서, 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도는 원심력에 의한 반경 방향 외측으로의 DIW의 확장 속도 이하인 것이 바람직하다. After starting the DIW discharge from the rinse liquid nozzle 33, as shown in Figs. 3(c) and (d), the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 and the rinse liquid nozzle 33 is maintained. With the rinsing liquid nozzle 33 moved radially outward, the reaching position of the DIW discharged from the rinsing liquid nozzle 33 on the wafer W surface is moved radially outward. Then, it is attracted by the movement of the rinse liquid nozzle 33 outward in the radial direction, and the circular DIW liquid film L spreads. Also at this time, outside the region where the DIW liquid film L is formed, the DHF liquid film remains, and the DIW becomes a stem and flows outward. Although the moving speed of the rinse liquid nozzle 33 to the outside in the radial direction is constant, for example, about 8 mm/sec, it may be varied. In addition, if the moving speed of the rinse liquid nozzle 33 to the outside in the radial direction is too high, the expansion of the DIW liquid film L by the centrifugal force cannot follow the movement of the rinse liquid nozzle 33, and thus the cleaning liquid nozzle ( The liquid film L is broken between 30) and the rinse liquid nozzle 33. Therefore, it is preferable that the moving speed of the rinse liquid nozzle 33 outward in the radial direction is equal to or less than the expansion speed of DIW outward in the radial direction by centrifugal force.

린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 웨이퍼(W) 표면에의 도달 위치가 웨이퍼의 주연부 영역[웨이퍼(W)의 둘레 가장자리의 약간 내측]에 도달하면, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면의 전역이 DIW가 연속되는 액막(L)에 덮이게 된다. 이 상태가 되면, 린스액 노즐(33)의 이동을 정지하고, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW 토출량을 그대로 유지함으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역이 계속해서 연속적인 DIW의 액막에 덮인다. 이 상태를 정해진 시간 계속함으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에서 DHF가 DIW로 치환된다. 즉, 상기한 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 웨이퍼(W) 표면의 전역을 덮기에는 불충분한 유량으로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부에 토출하여 웨이퍼(W) 표면의 중심측 원형 영역이 DIW의 액막에 덮였다면 바로, 세정액 노즐(30)로부터 공급된 DIW에 의해 형성된 DIW의 액막의 주연부에 린스액 노즐(33)에 의해 DIW를 토출하고, 그 후 린스액 노즐(33)로부터의 웨이퍼(W) 상에의 DIW의 토출 위치를 웨이퍼(W) 주연부를 향해 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W)의 외측 영역이 주변 분위기에 의해 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 약액에 의해 젖은 표면이 주변 분위기에 노출됨으로써 생기는 파티클의 발생을 DIW의 적은 총 토출량으로 방지할 수 있다. When the DIW from the rinse liquid nozzle 33 reaches the surface of the wafer W reaches the peripheral region of the wafer (slightly inside the peripheral edge of the wafer W), as shown in Fig. 3(d) Likewise, the entire surface of the wafer W is covered by the liquid film L in which DIW is continued. In this state, the movement of the rinse liquid nozzle 33 is stopped, and the amount of DIW discharged from the cleaning liquid nozzle 30 and the rinse liquid nozzle 33 is maintained as it is, so that the entire surface of the wafer W continues to be continuous. It is covered in the liquid film of DIW. By continuing this state for a predetermined time, DHF is replaced with DIW over the entire surface of the wafer W. That is, as described above, DIW is discharged to the central portion of the wafer W at a flow rate insufficient to cover the entire surface of the wafer W from the cleaning liquid nozzle 30, so that the circular area at the center of the wafer W surface becomes DIW. Immediately after being covered by the liquid film of the rinse liquid, DIW is discharged to the periphery of the liquid film of DIW formed by the DIW supplied from the cleaning liquid nozzle 30 by the rinse liquid nozzle 33, and thereafter, the wafer from the rinse liquid nozzle 33 ( By moving the discharging position of the DIW on W) toward the peripheral portion of the wafer W, it is possible to prevent the outer region of the wafer W from being exposed by the surrounding atmosphere. Thereby, generation of particles generated by exposure of the wet surface to the surrounding atmosphere by the chemical liquid can be prevented with a small total discharge amount of DIW.

도 3의 (b)의 상태로부터 도 3의 (d)의 상태에 이르기까지의 전체 기간에서, 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름을 어지럽히지 않도록, 린스액 노즐(33)로부터 DIW의 액막(L)을 향해 DIW를 토출하는 것이 바람직하다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 P1에 토출된 DIW는, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 소용돌이형으로 외측을 향해 흐른다. 여기서, 평면에서 봤을 때, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 방향이, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW가 웨이퍼(W)의 표면[액막(L)의 표면] 상에 도달하는 위치 P2에서의 소용돌이형의 흐름 방향을 따르도록, 린스액 노즐(33)로부터 아래쪽으로 비스듬하게 DIW를 토출하는 것이 바람직하다. 이렇게 함에 따라, 도 3의 (b)∼(d)에 도시한 린스액 노즐(33)을 반경 방향 외측으로 이동시키는 것에 수반하는 액막(L) 형성 영역의 확장 작용을 원활하게 발현시킬 수 있다. 또한 위치 P2에서의 소용돌이형의 흐름 방향과, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 방향은 완전히 일치할 필요는 없고, 평면에서 봤을 때, 양자가 이루는 각도가 ±45도 이하 정도까지이면 어긋나 있어도 좋다. The DIW liquid film from the rinse liquid nozzle 33 so as not to disturb the flow of DIW forming the liquid film L in the entire period from the state of Fig. 3(b) to the state of Fig. 3(d). It is preferable to discharge DIW toward (L). As shown in Fig. 4, DIW discharged from the cleaning liquid nozzle 30 to the central portion P1 of the wafer W flows outward in a vortex shape from the central portion of the wafer W. Here, when viewed from the top, the direction of DIW discharged from the rinse liquid nozzle 33 is where DIW discharged from the rinse liquid nozzle 33 reaches the surface of the wafer W (the surface of the liquid film L). It is preferable to discharge DIW obliquely downward from the rinse liquid nozzle 33 so as to follow the swirling flow direction at the position P2. By doing so, it is possible to smoothly express the expanding action of the liquid film L formation region accompanying the radially outward movement of the rinse liquid nozzle 33 shown in FIGS. 3B to 3D. In addition, it is not necessary that the vortex flow direction at the position P2 and the direction of the DIW discharged from the rinse liquid nozzle 33 coincide completely, and if the angle formed by both is up to ±45 degrees or less when viewed from a plane You may have it.

또한, 액막(L)의 둘레 가장자리 부분[즉 린스액 노즐(33)로부터 토출되는 DIW의 도달 위치]에서의 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름 방향은, 액막(L)을 넓혀가는 과정에서 그다지 변화하지 않는다. 즉 액막(L)의 둘레 가장자리 부분에서는, 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름 방향이 원형인 액막(L)의 둘레 가장자리의 원주 방향과 이루는 각도는 비교적 작고, 또한 이 각도는 액막(L)을 넓혀가도 그다지 변화하지 않는다. 이 때문에, 도 1 및 도 2에 도시한 직선 운동형의 노즐 아암[제2 노즐 아암(34B)]을 이용하여, 이 제2 노즐 아암(34B)에 린스액 노즐(33)이 토출 각도 조정 불가능하게 부착되어 있다고 해도, 상기 작용을 발현시키는 데에 있어서, 실용상 아무런 지장이 없다. 또한, 선회 운동형의 노즐 아암을 이용하여, 이 노즐 아암에 린스액 노즐이 토출 각도 조정 불가능하게 부착되어 있다고 해도, 노즐 아암이 극단적으로 짧은 경우를 제외하고, 상기 작용을 발현시키는 데에 있어서, 실용상 아무런 지장이 없다. 그러나, 노즐 아암에 린스액 노즐을 토출 각도 조정 가능하게 부착하여, 린스액 노즐로부터의 DIW의 토출 방향과 상기 소용돌이형의 DIW의 흐름 방향의 관계가 최적이 되도록, 액막(L)을 넓혀가는 과정에서 린스액 노즐의 방향을 변화시켜도 상관없다. In addition, the flow direction of DIW forming the liquid film L at the peripheral edge portion of the liquid film L (that is, the arrival position of the DIW discharged from the rinse liquid nozzle 33) is, in the process of expanding the liquid film L. It doesn't change much. That is, in the peripheral edge portion of the liquid film L, the flow direction of DIW forming the liquid film L is relatively small, and the angle formed by the circumferential direction of the peripheral edge of the liquid film L is relatively small, and this angle is It doesn't change much even if you expand it. For this reason, using the linear motion type nozzle arm (2nd nozzle arm 34B) shown in Figs. 1 and 2, the rinse liquid nozzle 33 cannot adjust the discharge angle to this second nozzle arm 34B. Even if it is attached so that it is attached, there is no practical problem in expressing the above action. In addition, even if a rinse liquid nozzle is attached to this nozzle arm in such a way that the discharging angle cannot be adjusted using a rotating nozzle arm, except for the case where the nozzle arm is extremely short, in expressing the above action, There is no hindrance in practical use. However, the process of expanding the liquid film L so that the relationship between the discharge direction of DIW from the rinse liquid nozzle and the flow direction of the spiral DIW is optimal by attaching the rinse liquid nozzle to the nozzle arm so that the discharge angle can be adjusted. It does not matter if the direction of the rinse liquid nozzle is changed in

[건조 공정][Drying process]

린스 처리를 정해진 시간 행한 후, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출이 정지된다. 또한, 린스액 노즐(33)은 후퇴 위치로 이동한다. 다음에, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 100 rpm∼500 rpm 정도로 조정하고, 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위에 건조액 노즐(31)을 위치시켜, 건조액 공급 기구(60)에 의해 건조액 노즐(31)을 통해 IPA가 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 토출된다. 건조액 노즐(31)은 IPA를 토출한 채 웨이퍼(W)의 중심 위쪽의 위치와, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 위쪽의 위치 사이에서 왕복 운동(스캔 동작)한다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 DIW가 IPA액으로 치환된다. After the rinsing treatment is performed for a predetermined time, the discharge of DIW from the cleaning liquid nozzle 30 and the rinse liquid nozzle 33 is stopped. Further, the rinse liquid nozzle 33 moves to the retracted position. Next, the rotational speed of the wafer W is adjusted to about 100 rpm to 500 rpm, and the drying liquid nozzle 31 is positioned just above the central portion of the wafer W, and the drying liquid nozzle is performed by the drying liquid supply mechanism 60. Through (31), the IPA is discharged to the central portion of the wafer W surface. The drying liquid nozzle 31 reciprocates (scanning operation) between a position above the center of the wafer W and a position above the circumferential edge of the wafer W while discharging IPA. As a result, DIW remaining on the surface of the wafer W is replaced with the IPA solution.

계속해서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 500 rpm∼800 rpm 정도로 조정하고, 건조액 노즐(31)로부터 IPA를 토출하고 가스 노즐(32)로부터 질소 가스를 토출하며, 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부에 대응하는 위치까지 이동(스캔)시킨다. 이 때, 건조액 노즐(31)은 가스 노즐(32)보다 이동 방향 전방에 위치한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 건조된다.Subsequently, the rotational speed of the wafer W is adjusted to about 500 rpm to 800 rpm, IPA is discharged from the drying liquid nozzle 31 and nitrogen gas is discharged from the gas nozzle 32, and the drying liquid nozzle 31 and The gas nozzle 32 is moved (scanned) from the central portion of the wafer W to a position corresponding to the peripheral portion. At this time, the drying liquid nozzle 31 is located in front of the gas nozzle 32 in the moving direction. Thereby, the wafer W is dried.

웨이퍼(W)가 건조되었다면, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 그 후, 반입 시와 반대의 수순으로 웨이퍼를 기판 액처리 장치로부터 반출한다. When the wafer W is dried, the rotation of the wafer W is stopped, and after that, the wafer is taken out of the substrate liquid processing apparatus in the reverse order of carrying in.

다음에, 상기 실시형태의 효과를 확인하기 위한 시험 결과에 대해서 설명한다. 시험에는, 대략 도 1 및 도 2에 도시하는 구성을 갖는 기판 액처리 장치를 이용하였다. 300 ㎜ 베어 Si 웨이퍼를, 스핀척에 유지하여 회전시키고, 세정액 노즐(30)로부터 LAL 5000(스텔라 케미파 주식회사에 의해 제공되는 완충된 플루오르화수소산계 약제의 상품명)을 웨이퍼에 공급하여, 웨이퍼 표면의 자연 산화막을 제거하고, 발수성의 표면을 얻었다. 표면의 DIW에 대한 접촉각은 77도였다. Next, a test result for confirming the effect of the above embodiment will be described. For the test, a substrate liquid processing apparatus having a configuration shown in Figs. 1 and 2 was used. A 300 mm bare Si wafer was held on a spin chuck and rotated, and LAL 5000 (trade name of a buffered hydrofluoric acid-based drug provided by Stellar Chemical Co., Ltd.) was supplied from the cleaning liquid nozzle 30 to the wafer, The natural oxide film was removed to obtain a water-repellent surface. The contact angle of the surface to DIW was 77 degrees.

이 발수성 표면을 갖는 웨이퍼에 대하여, 종래 방법 및 상기 실시형태의 방법에 의해 DIW 린스 처리를 행하였다. 종래 방법에서는, 스핀척에 유지되어 회전하는 웨이퍼의 중심부에만 세정액 노즐(30)만으로 DIW를 토출하고, DIW 토출 유량을 변화시켜 웨이퍼 표면의 전체에 확실하게 액막(L)이 형성되는 DIW 토출 유량을 조사하였다. 실시형태의 방법에서는, 린스액 노즐(33)로부터는 0.5 L/min로 DIW를 공급하고, 세정액 노즐(30)로부터의 웨이퍼 중심부에의 DIW 토출 유량을 변화시켜 웨이퍼 표면 전체에 확실하게 액막(L)이 형성되는 DIW 총 토출 유량[린스액 노즐(33)로부터의 토출 유량과 세정액 노즐(30)로부터의 토출 유량의 총합]을 조사하였다. 웨이퍼 회전수는 300 rpm으로 하였다.The wafer having this water-repellent surface was subjected to DIW rinse treatment by the conventional method and the method of the above embodiment. In the conventional method, DIW is discharged only with the cleaning liquid nozzle 30 only in the center of the wafer held by the spin chuck and rotated, and the DIW discharge flow rate is changed to change the DIW discharge flow rate at which the liquid film L is reliably formed over the entire wafer surface. Investigated. In the method of the embodiment, DIW is supplied from the rinse liquid nozzle 33 at 0.5 L/min, and the DIW discharge flow rate from the cleaning liquid nozzle 30 to the central portion of the wafer is changed to reliably cover the entire wafer surface. The total DIW discharge flow rate (the total of the discharge flow rate from the rinse liquid nozzle 33 and the discharge flow rate from the cleaning liquid nozzle 30) was investigated. The wafer rotation speed was set to 300 rpm.

웨이퍼 표면의 전체에 확실하게 액막(L)을 형성하는 데 필요한 DIW의 총 토출 유량은, 종래 방법에서는 4.0 L/min인 것에 비해, 실시형태의 방법에서는 3.0 L/min로 크게 감소하였다. The total discharge flow rate of DIW required to reliably form the liquid film L over the entire wafer surface was significantly reduced to 3.0 L/min in the method of the embodiment, compared to 4.0 L/min in the conventional method.

이 시험 결과로부터, 상기 실시형태에 따른 방법을 이용함으로써, 린스 처리에 필요한 DIW의 총량을 삭감할 수 있는 것을 알았다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW를 토출하는 세정액 노즐(30)로부터의 토출 유량을 적게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)로부터의 DIW가 튀는 것을 억제할 수 있는 것도 분명하다. From this test result, it was found that the total amount of DIW required for rinsing treatment can be reduced by using the method according to the above embodiment. In addition, since the discharge flow rate from the cleaning liquid nozzle 30 for discharging DIW to the central portion of the wafer W can be reduced, it is also clear that splashing of DIW from the wafer W can be suppressed.

상기 실시형태에 따른 린스 처리 공정은, 플루오르화수소산계의 약액에 의해 자연 산화막이 제거된 것에 의해 표면이 소수화된 웨이퍼에 대하여 행했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태에 따른 린스 처리 공정은 웨이퍼 등의 기판의 표면을 적극적으로 소수화할 목적으로 행하는 소수화 처리 후에 행해지는 경우에 특히 유효하다. 이러한 소수화 처리에 이용되는 소수화 처리액으로서는, 디메틸아미노트리메틸실란(TMSDMA), 디메틸(디메틸아미노)실란(DMSDMA), 1,1,3,3-테트라메틸디실란(TMDS), 헥사메틸디실라잔(HMDS) 등의 실릴화제나, 불소폴리머 약액 등이 예시된다. The rinsing treatment step according to the above embodiment was performed on a wafer whose surface was hydrophobized by removing the natural oxide film with a hydrofluoric acid-based chemical solution, but is not limited thereto. The rinse treatment step according to the above embodiment is particularly effective when performed after hydrophobic treatment for the purpose of actively hydrophobicizing the surface of a substrate such as a wafer. Examples of hydrophobic treatment liquids used in such hydrophobic treatment include dimethylaminotrimethylsilane (TMSDMA), dimethyl (dimethylamino)silane (DMSDMA), 1,1,3,3-tetramethyldisilane (TMDS), and hexamethyldisilazane. Silylating agents, such as (HMDS), and a fluorine polymer chemical liquid, etc. are illustrated.

또한, 상기 실시형태에서는, 약액 처리(DHF 세정 처리) 후에 연속적으로 DIW를 린스액으로서 이용하는 린스 처리를 행했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 단독의 DIW 세정 처리만(연속되는 이전 공정 없음)을 행하여도 좋다. 이 경우에도, 적은 DIW 토출량으로 웨이퍼(W)의 표면 전체에 DIW의 액막을 형성할 수 있어, DIW 소비량을 삭감할 수 있다. 또한, 파티클을 감소시킬 수도 있다.In addition, in the above-described embodiment, the rinsing treatment using DIW as the rinsing liquid was continuously performed after the chemical liquid treatment (DHF cleaning treatment), but is not limited thereto. For example, only a single DIW cleaning treatment (no successive previous steps) may be performed. Even in this case, the DIW liquid film can be formed on the entire surface of the wafer W with a small DIW discharge amount, and the DIW consumption amount can be reduced. It can also reduce particles.

또한, 상기 실시형태에서는, 린스 처리 공정에서, 계속적으로 웨이퍼 중심부에 제1 처리액 노즐[세정액 노즐(30)]로부터 처리액으로서의 DIW를 토출하고, 제2 처리액 노즐[린스액 노즐(33)]을 웨이퍼의 둘레 가장자리를 향해 이동시키면서 처리액으로서의 DIW를 토출하였다. 그러나, 이러한 2개의 처리액 노즐(30, 33)로부터 토출되는 처리액은, DIW 린스액에 한정되는 것이 아니라, 다른 처리액 예컨대 산성 약액, 알칼리성 약액, 유기 용제, 현상액 등이어도 좋다. 이 경우도, 처리액 소비량의 삭감, 액 튐 방지, 파티클 감소의 효과를 기대할 수 있다. 또한 이 경우, 젖은 상태의 웨이퍼(W) 표면에 처리액을 공급하는 것에 한정되지 않고, 마른 상태의 웨이퍼(W)에, 산성 약액, 알칼리성 약액, 유기 용제, 현상액 등의 처리액을 2개의 처리액 노즐을 이용하여 공급하여도 좋다. Further, in the above embodiment, in the rinsing treatment step, DIW as a treatment liquid is continuously discharged from the first treatment liquid nozzle (cleaning liquid nozzle 30) to the center of the wafer, and the second treatment liquid nozzle (rinsing liquid nozzle 33) ] Was discharged as a processing liquid while moving toward the periphery of the wafer. However, the treatment liquid discharged from the two treatment liquid nozzles 30 and 33 is not limited to the DIW rinse liquid, but may be another treatment liquid such as an acidic chemical liquid, an alkaline chemical liquid, an organic solvent, or a developer. Also in this case, effects of reducing the amount of processing liquid consumption, preventing liquid splashing, and reducing particles can be expected. In this case, it is not limited to supplying the treatment liquid to the surface of the wet wafer W, and two treatment solutions such as an acidic chemical solution, an alkaline chemical solution, an organic solvent, and a developer are treated on the dry wafer W. It may be supplied using a liquid nozzle.

또한, 피처리 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, 유리 기판, 세라믹 기판 등이어도 좋다. Further, the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and may be a glass substrate, a ceramic substrate, or the like.

또한, 상기 실시형태에서는, 린스 처리 공정에 있어서, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)이 연속적인 수류(액류)(LC)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W) 의 중심부를 향해 토출함으로써 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 원형의 액막을 형성했지만, 이것에는 한정되지 않는다. 다른 실시형태로서, 예컨대 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30) 대신에 이류체 노즐로서 구성된 세정액 노즐(130)을 설치하고, 이 세정액 노즐(130)로부터 액적(LD)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 원형의 액막을 형성하여도 좋다. In addition, in the above embodiment, in the rinsing process, as shown in Fig. 5A, the cleaning liquid nozzle 30 transfers DIW to the wafer W in the form of a continuous water flow (liquid flow) LC. By discharging toward the central portion, a circular liquid film was formed in the central region of the wafer W as shown in Fig. 3A, but this is not limited thereto. As another embodiment, for example, as shown in FIG. 5B, a cleaning liquid nozzle 130 configured as a two-fluid nozzle is provided instead of the cleaning liquid nozzle 30, and droplets LD from the cleaning liquid nozzle 130 are provided. By discharging DIW toward the central portion of the wafer W in the form of, a circular liquid film may be formed in the central region of the wafer W.

이러한 세정액 노즐(130)의 내부에는, 예컨대 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가스가 흐르는 유로(131)가 설치되고, 또한 이 유로(131)에 합류하는 DIW의 유로(132)가 설치되어 있다. 유로(131)에는, DIW를 무화(霧化) 내지 액적화하기 위한 가스 여기서는 질소 가스를 공급하는 가스 공급 기구(140)가 접속되어 있다. 가스 공급 기구(140)는 가스 공급원(141)과, 가스 공급원(141)을 유로(131)에 접속하는 가스 공급 라인(142)과, 가스 공급 라인(142)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(143)를 갖고 있다. 따라서, 가스 공급 기구(140)는 세정액 노즐(130)의 유로(131)에 제어된 유량으로 가스를 공급할 수 있다. 유로(132)에는, 도 1에 도시한 것과 동일한 린스액 공급 기구(50)가 접속되어 있다. Inside the cleaning liquid nozzle 130, for example, as shown in FIG. 5B, a flow path 131 through which gas flows is provided, and a flow path 132 of DIW joining the flow path 131 is provided. Installed. A gas supply mechanism 140 for supplying nitrogen gas is connected to the flow path 131 as a gas for atomizing or dropping DIW. The gas supply mechanism 140 includes a gas supply source 141, a gas supply line 142 connecting the gas supply source 141 to the flow path 131, an on-off valve and a flow rate adjustment valve installed in the gas supply line 142, etc. It has a valve device 143 including. Therefore, the gas supply mechanism 140 can supply gas at a controlled flow rate to the flow path 131 of the cleaning liquid nozzle 130. The flow path 132 is connected to a rinse liquid supply mechanism 50 similar to that shown in FIG. 1.

가스가 흐르고 있는 유로(131)에 유로(132)로부터 DIW를 유입시키면, 유입된 DIW는 무화되어, 토출구(133)로부터 예컨대 50 ㎛ 정도의 사이즈의 액적의 형태로 웨이퍼(W)의 표면을 향해 토출된다. 웨이퍼(W)의 표면에 충돌한 액적은 서로 연결되어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같은 액막(L)이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 형성된다. 액막(L)이 형성되었다면 도 3의 (b) 내지 (d)를 참조하여 앞에 설명한 수순으로 린스액 노즐(33)로부터 DIW를 토출하고 린스액 노즐(33)을 외측으로 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에 DIW의 액막(L)을 형성할 수 있다. When DIW is introduced from the flow path 132 into the flow path 131 where the gas flows, the introduced DIW is atomized, and from the discharge port 133 toward the surface of the wafer W in the form of droplets having a size of, for example, about 50 μm. Is ejected. The droplets colliding on the surface of the wafer W are connected to each other, and a liquid film L as shown in Fig. 3A is formed in the central region of the wafer W. When the liquid film L is formed, the DIW is discharged from the rinse liquid nozzle 33 in the procedure described above with reference to FIGS. 3B to 3D, and the rinse liquid nozzle 33 is moved to the outside, thereby (W) A DIW liquid film L can be formed over the entire surface.

세정액 노즐(130)을 이용한 경우의 작용은, 도 3에서의 세정액 노즐(30)을 세정액 노즐(130)로 간주하는 것에 의해 이해할 수 있다. 세정액 노즐(130)을 이용한 경우라도 린스액 노즐(33)에는 유사한 동작을 시키면 된다.The action in the case of using the cleaning liquid nozzle 130 can be understood by considering the cleaning liquid nozzle 30 in FIG. 3 as the cleaning liquid nozzle 130. Even when the cleaning liquid nozzle 130 is used, a similar operation may be performed on the rinse liquid nozzle 33.

액적(LD)의 형태로 DIW를 토출할 때의 DIW의 토출 유량은, 연속된 수류(LC)의 형태로 DIW를 토출할 때의 DIW의 토출 유량과 비교하여, 대폭 적게 할 수 있다. 예컨대 전술한 바와 같이 후자가 1 L/min인 경우, 전자는 0.1 L/min로 약 1/10 정도로 감소시킬 수 있다. The discharge flow rate of DIW when discharging DIW in the form of droplets LD can be significantly reduced compared to the discharge flow rate of DIW when discharging DIW in the form of a continuous water flow LC. For example, as described above, when the latter is 1 L/min, the former can be reduced to about 1/10 to 0.1 L/min.

단, 이 경우, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 연속된 수류(LC)를 웨이퍼(W)에 공급하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W) 표면에 형성되는 액막(L)의 두께는 얇아지기 때문에, 액막(L)이 형성되는 영역도 좁아지는 경향이 있다. 이것에 맞춰, 최초에 린스액 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)에 DIW를 공급하는 반경 방향 위치[도 3의 (b)에 도시한 위치]를 내측으로 옮겨, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 증대시켜야 한다. However, in this case, the thickness of the liquid film L formed on the surface of the wafer W is compared with the case of supplying the continuous water flow LC to the wafer W as shown in Fig. 5A. Since it becomes thinner, the area in which the liquid film L is formed also tends to be narrow. In accordance with this, the radial position (position shown in Fig. 3(b)) at which DIW is initially supplied from the rinse liquid nozzle 33 to the wafer W is moved to the inside, and from the rinse liquid nozzle 33 DIW discharge flow must be increased.

그러나, 세정액 노즐(130)로부터의 DIW의 토출 유량을 0.1 L/min 정도로 했을 때에, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 완전히 DIW의 액막(L)으로 덮기 위해 필요한 린스액 노즐(33)은 예컨대 1 L/min 정도이다. 즉, DIW의 합계 공급 유량은 1.1 L/min 정도이다. 이 값은, 세정액 노즐(30)을 이용한 경우의 합계 토출 유량 3.0 L/min[전술한 바와 같이 세정액 노즐(30)이 2.5 L/min, 린스액 노즐(33)이 O.5 L/min]와 비교하여 대폭 작고, 약 1/3이다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW의 액적(LD)을 공급하여 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 액막(L)을 형성함으로써, 전체 DIW의 소비량을 감소시킬 수 있다. However, when the discharge flow rate of DIW from the cleaning liquid nozzle 130 is about 0.1 L/min, the rinse liquid nozzle 33 required to completely cover the entire surface of the wafer W with the DIW liquid film L is 1, for example. It is about L/min. That is, the total supply flow rate of DIW is about 1.1 L/min. This value is a total discharge flow rate of 3.0 L/min when the cleaning liquid nozzle 30 is used (as described above, the cleaning liquid nozzle 30 is 2.5 L/min, and the rinse liquid nozzle 33 is 0.5 L/min). Compared to, it is significantly smaller and is about 1/3. That is, by supplying the DIW droplet LD to the central portion of the wafer W to form the liquid film L in the central portion of the wafer W, the total consumption of DIW can be reduced.

또 다른 실시형태로서, 도 5의 (a)에 도시하는 연속적인 수류(LC)의 형태로 웨이퍼(W)에 공급하는 세정액 노즐(30) 대신에, 도 6에 도시하는 바와 같이 증기(V)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부에 토출하는 세정액 노즐(증기 노즐)(230)을 설치할 수도 있다. 세정액 노즐(230)에는, 증기 공급 기구(240)가 접속되어 있다. 증기 공급 기구(240)는 증기로서 순수(DIW)의 증기(수증기)(V)를 공급하는 증기 공급원(241)과, 증기 공급원(241)을 증기 노즐(230)에 접속하는 증기 공급 라인(242)과, 증기 공급 라인(242)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(243)를 갖고 있다. 따라서, 증기 공급 기구(240)는 세정액 노즐(230)에 제어된 유량으로 DIW의 증기를 공급할 수 있다. As another embodiment, instead of the cleaning liquid nozzle 30 supplied to the wafer W in the form of a continuous water flow LC shown in FIG. 5A, the steam V as shown in FIG. 6 A cleaning liquid nozzle (steam nozzle) 230 for discharging DIW to the center of the wafer W may be installed in the form of. A steam supply mechanism 240 is connected to the cleaning liquid nozzle 230. The steam supply mechanism 240 includes a steam supply source 241 for supplying steam (water vapor) V of pure water (DIW) as steam, and a steam supply line 242 connecting the steam supply source 241 to the steam nozzle 230. ), and a valve device 243 including an on-off valve and a flow rate adjustment valve provided in the steam supply line 242. Accordingly, the steam supply mechanism 240 may supply the DIW steam at a controlled flow rate to the cleaning liquid nozzle 230.

웨이퍼(W)의 표면 상에서의 증기(V)의 응축을 촉진하기 위해, 웨이퍼(W)의 이면에 냉각액(C)을 공급하는 냉각액 노즐(250)이 웨이퍼(W)의 하면 중앙부의 아래쪽에 설치되어 있다. 도시예에서는, 냉각액 노즐(250)은 스핀척(20)의 베이스(21) 및 회전축을 관통하여 연장되는 냉각액 유로(251)의 상단 개구에 의해 형성되어 있다. 냉각액 유로(251)에는, 냉각액 공급 기구(260)가 접속되어 있다. 냉각액 공급 기구(260)는 냉각액(C)으로서 예컨대 상온의 DIW를 공급하는 냉각액 공급원(261)과, 냉각액 공급원(261)을 세정액 노즐(230)에 접속하는 냉각액 공급 라인(262)과, 냉각액 공급 라인(262)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(263)를 갖고 있다. 따라서, 냉각액 공급 기구(260)는 세정액 노즐(230)에 제어된 유량으로 냉각액을 공급할 수 있다. In order to promote condensation of the vapor (V) on the surface of the wafer (W), a cooling liquid nozzle (250) supplying the cooling liquid (C) to the back surface of the wafer (W) is installed below the center of the lower surface of the wafer (W). Has been. In the illustrated example, the cooling liquid nozzle 250 is formed by the base 21 of the spin chuck 20 and an upper end opening of the cooling liquid flow path 251 extending through the rotating shaft. The cooling liquid supply mechanism 260 is connected to the cooling liquid flow path 251. The cooling liquid supply mechanism 260 includes a cooling liquid supply source 261 that supplies room temperature DIW as the cooling liquid C, a cooling liquid supply line 262 connecting the cooling liquid supply source 261 to the cleaning liquid nozzle 230, and a cooling liquid supply. It has a valve device 263 including an on-off valve and a flow rate adjustment valve provided in the line 262. Accordingly, the cooling liquid supply mechanism 260 can supply the cooling liquid to the cleaning liquid nozzle 230 at a controlled flow rate.

웨이퍼(W) 표면의 중심부에 세정액 노즐(230)로부터 DIW의 증기(V)를 공급하면, 그 증기(V)는 웨이퍼(W)에 열을 빼앗겨 웨이퍼(W)의 표면 상에서 결로(응축)하여 액적이 되고 이 액적이 서로 연결되어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같은 액막(L)이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 형성된다. 액막(L)이 형성되었다면 도 3의 (b) 내지 (d)를 참조하여 앞에 설명한 수순으로 린스액 노즐(33)로부터 DIW를 토출하고 린스액 노즐(33)을 외측으로 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에 DIW의 액막(L)을 형성할 수 있다. 이 경우도, 세정액 노즐(230)로부터의 DIW의 토출 유량(액체 환산의 토출 유량)을 대폭 저감할 수 있다. 단, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 증대시켜야 하는 것과, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 시작 위치를 반경 방향 내측으로 옮겨야 하는 점에 대해서는, 도 5의 (b)의 실시형태의 경우와 유사하다.When DIW vapor (V) is supplied from the cleaning liquid nozzle 230 to the center of the surface of the wafer (W), the vapor (V) dissipates heat from the wafer (W), causing condensation (condensation) on the surface of the wafer (W). It becomes a droplet, and the droplets are connected to each other, and a liquid film L as shown in Fig. 3A is formed in the central region of the wafer W. When the liquid film L is formed, the DIW is discharged from the rinse liquid nozzle 33 in the procedure described above with reference to FIGS. 3B to 3D, and the rinse liquid nozzle 33 is moved to the outside, thereby (W) A DIW liquid film L can be formed over the entire surface. Also in this case, the discharge flow rate (discharge flow rate in terms of liquid) of DIW from the cleaning liquid nozzle 230 can be significantly reduced. However, regarding the point in which the discharge flow rate of DIW from the rinse liquid nozzle 33 should be increased and the starting position of DIW discharge from the rinse liquid nozzle 33 should be moved radially inward, FIG. 5(b) It is similar to the case of the embodiment of.

도 5의 (b) 및 도 6에서는, 도면의 간략화를 위해 도 1의 구성에 대한 변경 부분을 주로 도시하고 있다. 기판 액처리 장치의 구성 중, 도 1에는 도시되고 도 5의 (b) 및 도 6에는 도시되지 않은 부분은, 도 1과 같은 구성을 채용할 수 있는 것은 물론이다. 또한 도 1의 실시형태에서는, 세정액 노즐(30)이 약액 공급 기구(40)에 접속됨으로써 약액 공급 기능을 갖고 있었지만, 도 5의 (b)에 도시하는 세정액 노즐(130)도 마찬가지로 약액 공급 기능을 갖고 있어도 좋다. 또는 도 5의 (b)에 도시하는 세정액 노즐(130)을 설치하는 경우에는, 별도의 약액 공급 전용의 노즐을 설치하여도 좋다. 도 6에 도시하는 세정액 노즐(230)을 이용하는 경우에는, 별도의 약액 공급 전용의 노즐을 설치하는 것이 바람직하다. In FIG. 5B and FIG. 6, changes to the configuration of FIG. 1 are mainly shown in order to simplify the drawing. Of the configuration of the substrate liquid processing apparatus, it goes without saying that a portion shown in FIG. 1 and not shown in FIGS. 5B and 6 may adopt the same configuration as in FIG. 1. In addition, in the embodiment of Fig. 1, the cleaning liquid nozzle 30 is connected to the chemical liquid supply mechanism 40 to have a chemical liquid supply function, but the cleaning liquid nozzle 130 shown in Fig. 5B also has a chemical liquid supply function. You may have it. Alternatively, when the cleaning liquid nozzle 130 shown in Fig. 5B is provided, a separate nozzle dedicated to supplying the chemical liquid may be provided. When using the cleaning liquid nozzle 230 shown in FIG. 6, it is preferable to provide a separate nozzle dedicated to supplying the chemical liquid.

20: 스핀척(기판 유지부) 24: 회전 구동부
30: 세정액 노즐(제1 노즐) 33: 린스액 노즐(제2 노즐)
36A, 36B: 아암 구동 기구(노줄 구동 기구) 90: 제어부(제어 컴퓨터)
92: 기록 매체20: spin chuck (substrate holding unit) 24: rotation driving unit
30: cleaning liquid nozzle (first nozzle) 33: rinse liquid nozzle (second nozzle)
36A, 36B: arm drive mechanism (noline drive mechanism) 90: control unit (control computer)
92: recording medium

Claims (21)

기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 반경 방향 외측으로 이동시키고, 이에 따라 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액에 의해 상기 처리액의 원형의 액막을 반경 방향 외측으로 끌어당겨 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 포함하고,
상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량은, 상기 제1 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량보다 작은 것인 기판 액처리 방법. While rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal position, a treatment liquid is supplied from the first nozzle to the center of the surface of the substrate to form a liquid film of the treatment liquid having a diameter smaller than that of the substrate on the surface of the substrate. Process,
A step of supplying, from a second nozzle, a processing liquid identical to the processing liquid supplied from the first nozzle to a peripheral portion of the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle;
Thereafter, the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved radially outward toward the periphery of the substrate, and thus the processing is performed by the processing liquid supplied from the second nozzle. The process of pulling the circular liquid film of the liquid outward in the radial direction and widening it toward the periphery of the substrate
Including,
The substrate liquid processing method wherein a discharge flow rate of the processing liquid from the second nozzle is smaller than a discharge flow rate of the processing liquid from the first nozzle. 제1항에 있어서, 평면에서 봤을 때, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 토출 방향이, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액이 상기 기판의 표면에 도달하는 위치에서의 상기 제1 노즐로부터 토출된 처리액에 의해 상기 기판의 표면 상에 형성되는 소용돌이형의 흐름 방향을 따르는 것인 기판 액처리 방법. The method according to claim 1, wherein when viewed from the top, the direction of discharge of the processing liquid from the second nozzle is discharged from the first nozzle at a position where the processing liquid supplied from the second nozzle reaches the surface of the substrate. The substrate liquid treatment method according to the flow direction of the swirling shape formed on the surface of the substrate by the treated liquid. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 중심부에 약액을 공급함으로써 상기 기판의 표면에 액막을 형성하여 상기 기판에 약액 처리를 실시하는 공정을 더 포함하며, 상기 처리액은 순수로 이루어지는 린스액인 것인 기판 액처리 방법. The method according to claim 1 or 2, wherein before the step of forming the liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate, a liquid film is formed on the surface of the substrate by supplying a chemical liquid to the center of the substrate, and chemical treatment is performed on the substrate. The substrate liquid treatment method further comprising a step of performing, wherein the treatment liquid is a rinse liquid made of pure water. 제3항에 있어서, 상기 약액 처리는, 상기 약액 처리 후에 있어서의 상기 기판의 표면의 소수성을 상기 약액 처리 전에 있어서의 상기 기판의 표면의 소수성보다 증대시키는 처리인 것인 기판 액처리 방법. The substrate liquid treatment method according to claim 3, wherein the chemical liquid treatment is a treatment for increasing the hydrophobicity of the surface of the substrate after the chemical treatment with respect to the hydrophobicity of the surface of the substrate before the chemical treatment. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 노즐의 이동 속도는, 상기 처리액의 원심력에 의한 확장 속도와 같은 것인 기판 액처리 방법. The substrate liquid processing method according to claim 1 or 2, wherein a moving speed of the second nozzle is the same as an expansion speed of the treatment liquid by centrifugal force. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 노즐을 반경 방향 외측으로 이동시켜 상기 처리액의 액막을 반경 방향 외측으로 넓혀 갈 때에, 상기 제2 노즐의 반경 방향 외측으로의 이동 속도를, 상기 기판의 표면 상에 있는 처리액이 원심력에 의해 반경 방향 외측으로 넓어지는 속도 이하로 하는 것인 기판 액처리 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein when the second nozzle is moved radially outward to widen the liquid film of the processing liquid radially outward, a moving speed of the second nozzle in the radial direction outward is determined, The substrate liquid treatment method, wherein the processing liquid on the surface of the substrate is made at a rate equal to or less than the rate at which the treatment liquid on the surface of the substrate expands radially outward by centrifugal force. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 표면의 전역(全域)이 처리액의 연속되는 액막에 덮이게 되면, 상기 제2 노즐의 반경 방향 외측으로의 이동을 정지하고, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 공급량을 그대로 유지하는 것인 기판 액처리 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein when the entire surface of the substrate is covered with a continuous liquid film of the processing liquid, the movement of the second nozzle to the outer side in the radial direction is stopped, and the first nozzle and The substrate liquid treatment method, wherein the supply amount of the treatment liquid from the second nozzle is maintained as it is. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 연속된 액류의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되는 것인 기판 액처리 방법The substrate liquid treatment method according to claim 1 or 2, wherein in the step of forming the liquid film on the surface of the substrate, the treatment liquid is discharged from the first nozzle toward the substrate in the form of a continuous liquid flow. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 액적의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되는 것인 기판 액처리 방법. The substrate liquid treatment method according to claim 1 or 2, wherein in the step of forming the liquid film on the surface of the substrate, the treatment liquid is discharged from the first nozzle toward the substrate in the form of droplets. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 증기의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되고, 상기 증기는 상기 기판 상에서 응축되어 액체가 되는 것인 기판 액처리 방법. The method according to claim 1 or 2, wherein in the process of forming the liquid film on the surface of the substrate, the processing liquid is discharged in the form of vapor from the first nozzle toward the substrate, and the vapor is condensed on the substrate. A substrate liquid treatment method that becomes a liquid. 제10항에 있어서, 상기 증기의 응축을 촉진하기 위해, 상기 기판의 이면에 냉각액이 공급되는 것인 기판 액처리 방법. 11. The method of claim 10, wherein a cooling liquid is supplied to the rear surface of the substrate to promote condensation of the vapor. 기판 액처리 장치에 있어서,
기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제1 노즐과,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제2 노즐과,
상기 제2 노즐을 이동시키는 노즐 구동 기구와,
제어부
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 액처리 장치의 동작을 제어하여,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 반경 방향 외측으로 이동시키고, 이에 따라 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액에 의해 상기 처리액의 원형의 액막을 반경 방향 외측으로 끌어당겨 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 실행시키고,
상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량은, 상기 제1 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. In the substrate liquid processing apparatus,
A substrate holding portion that holds the substrate in a horizontal position,
A rotation driving unit that rotates the substrate holding unit,
A first nozzle for discharging a processing liquid toward a substrate held by the substrate holding unit,
A second nozzle for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit,
A nozzle driving mechanism for moving the second nozzle,
Control unit
And,
The control unit controls the operation of the substrate liquid processing apparatus,
While rotating the substrate held by the substrate holding unit around a vertical axis, a treatment liquid is supplied from a first nozzle to the center of the surface of the substrate, and a liquid film of the treatment liquid having a diameter smaller than that of the substrate is deposited on the substrate. Forming process on the surface of
A step of supplying, from a second nozzle, a processing liquid identical to the processing liquid supplied from the first nozzle to a peripheral portion of the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle;
Thereafter, the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved radially outward toward the periphery of the substrate, and thus the processing is performed by the processing liquid supplied from the second nozzle. The process of pulling the circular liquid film of the liquid outward in the radial direction and widening it toward the periphery of the substrate
Run,
A substrate liquid processing apparatus, wherein a discharge flow rate of the processing liquid from the second nozzle is smaller than a discharge flow rate of the processing liquid from the first nozzle. 제12항에 있어서, 평면에서 봤을 때, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 토출 방향이, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액이 상기 기판의 표면에 도달하는 위치에서의 상기 제1 노즐로부터 토출된 처리액에 의해 상기 기판의 표면 상에 형성되는 소용돌이형의 흐름 방향을 따르는 것인 기판 액처리 장치. The method according to claim 12, wherein when viewed from the top, the direction of discharge of the processing liquid from the second nozzle is discharged from the first nozzle at a position where the processing liquid supplied from the second nozzle reaches the surface of the substrate. A substrate liquid processing apparatus according to a flow direction of a swirling shape formed on the surface of the substrate by the processed liquid. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 약액을 토출하는 제3 노즐을 더 구비하고,
상기 제1 및 제2 노즐로부터 토출되는 상기 처리액은 순수로 이루어지는 린스액이며,
상기 제어부는, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 중심부에 약액을 공급함으로써 상기 기판의 표면에 액막을 형성하여 상기 기판에 약액 처리를 실시하는 공정을 더 실행시키는 것인 기판 액처리 장치. The method according to claim 12 or 13, further comprising a third nozzle for discharging the chemical solution toward the substrate held by the substrate holding unit,
The treatment liquid discharged from the first and second nozzles is a rinse liquid made of pure water,
The control unit further performs a step of forming a liquid film on the surface of the substrate by supplying a chemical liquid to the center of the substrate before the step of forming the liquid film of the treatment liquid on the surface of the substrate to perform a chemical treatment on the substrate. Substrate liquid processing apparatus to let. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 노즐을 반경 방향 외측으로 이동시켜 상기 처리액의 액막을 반경 방향 외측으로 넓혀 갈 때에, 상기 제2 노즐의 반경 방향 외측으로의 이동 속도를, 상기 기판의 표면 상에 있는 처리액이 원심력에 의해 반경 방향 외측으로 넓어지는 속도 이하로 하는 것인 기판 액처리 장치.14. The method of claim 12 or 13, wherein the control unit moves the second nozzle radially outward to widen the liquid film of the processing liquid radially outwardly, the second nozzle moves radially outwardly. The substrate liquid treatment apparatus, wherein the speed is set to be equal to or less than a speed at which the treatment liquid on the surface of the substrate expands radially outward by a centrifugal force. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 표면의 전역이 처리액의 연속되는 액막에 덮이게 되면, 상기 제2 노즐의 반경 방향 외측으로의 이동을 정지하고, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 공급량을 그대로 유지하는 것인 기판 액처리 장치.14. The method of claim 12 or 13, wherein the control unit stops the movement of the second nozzle radially outward when the entire surface of the substrate is covered by a continuous liquid film of the processing liquid, and the first nozzle And maintaining the supply amount of the processing liquid from the second nozzle as it is. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 연속된 액류의 형태로 토출하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 12 or 13, wherein the first nozzle is configured to discharge the processing liquid in the form of a continuous liquid flow. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 액적의 형태로 토출하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 12 or 13, wherein the first nozzle is configured to discharge the processing liquid in the form of droplets. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 증기의 형태로 토출하도록 구성되어 있고, 상기 증기는 상기 기판 상에서 응축되어 액체가 되는 것인 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 12 or 13, wherein the first nozzle is configured to discharge the processing liquid in the form of vapor, and the vapor is condensed on the substrate to become a liquid. 제19항에 있어서, 상기 증기의 응축을 촉진하기 위해, 상기 기판의 이면에 냉각액을 공급하는 냉각액 노즐을 더 구비하는 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 19, further comprising a cooling liquid nozzle for supplying a cooling liquid to the rear surface of the substrate to promote condensation of the vapor. 기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키며,
상기 기판 액처리 방법은,
기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 반경 방향 외측으로 이동시키고, 이에 따라 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액에 의해 상기 처리액의 원형의 액막을 반경 방향 외측으로 끌어당겨 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 포함하고,
상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량은, 상기 제1 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량보다 작은 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체. A computer-readable storage medium storing a program that can be executed by a control computer of a substrate liquid processing apparatus,
By executing this program, the control computer controls the substrate liquid treatment apparatus to execute the substrate liquid treatment method,
The substrate liquid treatment method,
While rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal position, a treatment liquid is supplied from the first nozzle to the center of the surface of the substrate to form a liquid film of the treatment liquid having a diameter smaller than that of the substrate on the surface of the substrate. Process,
A step of supplying, from a second nozzle, a processing liquid identical to the processing liquid supplied from the first nozzle to a peripheral portion of the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate by the first nozzle;
Thereafter, the supply position of the processing liquid from the second nozzle to the surface of the substrate is moved radially outward toward the periphery of the substrate, and thus the processing is performed by the processing liquid supplied from the second nozzle. The process of pulling the circular liquid film of the liquid outward in the radial direction and widening it toward the periphery of the substrate
Including,
A computer-readable storage medium, wherein a discharge flow rate of the processing liquid from the second nozzle is smaller than a discharge flow rate of the processing liquid from the first nozzle.
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