JP4937678B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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周一 安田
友宏 後藤
修 玉田
雅和 真田
和士 茂森
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大日本スクリーン製造株式会社
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Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させ、基板の表面へ純水等の洗浄液を供給しつつ基板を乾燥処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。 This invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, the substrate is rotated such as a substrate for an optical disk about a vertical axis in a horizontal plane while supplying a cleaning liquid such as pure water to the surface of the substrate a substrate processing method for drying a substrate and to a substrate processing apparatus.

半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、例えばシリコン基板上にフォトレジストを塗布し、露光機を使用して基板上のレジスト膜に回路パターンを焼き付け、露光後のレジスト膜を現像液で現像する、といった各工程を行うことにより、基板上のレジスト膜に回路パターンを形成している。 In a manufacturing process of a semiconductor device, using the lithography technology, for example, a photoresist is applied on a silicon substrate, baked a circuit pattern on the resist film on a substrate using an exposure apparatus, developing the resist film after exposure developed with a liquid, such as by performing the respective steps to form a circuit pattern on the resist film on the substrate. このうち現像処理においては、例えばスリットノズルにより、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給し、その後に、基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させながらストレートノズルの吐出口から基板の中心へ純水等の洗浄液(リンス液)を吐出する。 In these developing process, for example by a slit nozzle, the developer is supplied onto the resist film having been exposed and formed on the surface of the substrate, after which the straight nozzle while rotating about the vertical axis of the substrate in a horizontal plane from the discharge port to the center of the substrate to discharge the cleaning liquid (rinsing liquid) such as pure water. 基板の中心に供給された洗浄液は、遠心力により基板の周縁方向へ拡散して基板全体に行き渡り、基板表面のレジスト膜上から現像液を洗い流す。 Cleaning liquid supplied to the center of the substrate, spreads across the substrate and diffuse into the periphery direction of the substrate by centrifugal force, washing away the developing solution from the resist film on the substrate surface. この洗浄処理(リンス処理)が終了すると、ノズルから基板上への洗浄液の供給を停止し、その後に、基板の回転数をさらに増大させて、基板表面のレジスト膜上の洗浄液を遠心力によって振り切ることにより、基板を乾燥(スピン乾燥)させている。 When the cleaning process (rinsing process) is completed, it stops the supply of the cleaning liquid from the nozzle onto the substrate, then, by further increasing the rotational speed of the substrate, spun off by centrifugal force the cleaning liquid on the resist film on the substrate surface by, and drying the substrate (spin drying).

ところが、上記したように基板をスピン乾燥させると、基板上において洗浄液の液滴が斑に残留する、といったことが起こる。 However, when the spin drying the substrate as described above, the droplets of the cleaning liquid remaining spots on the substrate, such things happen. これは、現像処理後の基板においてはレジスト膜の表面に親水性部分と疎水性部分とが混在していることにより、基板上において洗浄液の保持力にばらつきを生じてしまうためである。 This, in the substrate after development is by the surface of the resist film and a hydrophilic part and a hydrophobic part are mixed, in order to occur the variation in the holding force of the cleaning liquid on the substrate. このように基板の表面に形成されたレジストパターン上に斑に残留した洗浄液の液滴は、現像欠陥を生じる要因となることが分かっている。 The washing liquid of the droplets remaining spots on the resist pattern formed on the surface of the substrate as has been found to be a factor causing development defects.

上記した問題点を解決するために、基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、その吐出ノズルの吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査する、といった方法(スキャンリンス法)が提案されている。 To solve the problems described above, when making the substrate is spin-dried, while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle is scanned toward the periphery of the discharge port of the discharge nozzle from the central portion of the substrate , method (scan rinse method) has been proposed, such as. この方法によると、基板の中心から周縁に至るまで洗浄液の液膜が形成され保持された状態のままで乾燥が進行するため、親水性部分と疎水性部分とが混在するレジスト膜表面であっても、基板上に洗浄液の液滴が残留しにくくなる。 According to this method, since the drying remains from the center of the substrate in a state where the cleaning liquid of the liquid film is formed held up to the peripheral edge progresses, a resist film surface and a hydrophilic part and a hydrophobic part coexist also, the droplets of the cleaning liquid is less likely to remain on the substrate. また、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査する際に、エアー噴出ノズルからガスを噴出させながら、エアー噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させる、といった方法も提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 Further, when scanning a discharge nozzle while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle, while ejecting the gas from the air injection nozzle, the central portion of the substrate to air injection nozzle integrally or in synchronization with the cleaning liquid discharge nozzle from moving towards the periphery, there has been proposed a method such (for example, see Patent Document 1.).
特許第3694641号公報(第7−9頁、図3、図4および図6−図8) Patent No. 3694641 Publication (No. 7-9, pp. 3, 4 and 6-8)

上記したスキャンリンスでは、従来のスピン乾燥に比べて現像欠陥を大幅に低減させることができる。 In scan rinsing as described above, the development defects can be greatly reduced as compared with the conventional spin drying. しかしながら、撥水性の高い(例えば水の接触角が60°以上である)レジスト膜表面を有する基板に対してスキャンリンス法を適用した場合には、以下のような現象により現像欠陥が発生することが分かった。 However, high water repellency (for example the contact angle of water is 60 ° or more) in the case of applying the scan rinsing method with respect to a substrate having a resist film surface, the development defect caused by the following phenomenon It was found.

すなわち、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズルを基板の中心部から周辺部に向かって走査したときに、図4の(a)に基板の平面図を示すように、最初は基板Wの全面が洗浄液の液膜3で覆われ、続いて基板Wの中心部分の液膜3が薄くなって乾燥直前の状態となる。 That is, while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle, the discharge nozzle when scanned from the center towards the periphery of the substrate, as shown in the plan view of the substrate in FIG. 4 (a), first is covered with a liquid film 3 entire surface of the cleaning liquid of the substrate W, followed by a liquid film 3 is thinner dry prior state of the central portion of the substrate W. そして、二点鎖線で示す乾燥直前の状態にある部分(以下、「乾燥直前部分」という)4が、図4の(b)に示すように、外側に向かって次第に拡がっていくとともに、乾燥直前部分4内に乾燥コア5aが発生する。 A portion in the state of drying just prior indicated by the two-dot chain line (hereinafter, referred to as "dry just prior portion") 4 is, as shown in FIG. 4 (b), we intend spread gradually outwards, drying immediately before drying the core 5a is generated in the portion 4. この乾燥コア5aが拡大して乾燥領域6aが形成され、その乾燥領域6aが基板Wの全面に拡がって基板Wの乾燥が行われる。 The dried cores 5a is an enlarged dry region 6a is formed, the drying zone 6a drying of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W is performed. ところが、基板上のレジスト膜表面の撥水性が高いと、基板Wの中心付近において、乾燥直前部分4内に1つ目の乾燥コア5aに続いて2つ目の乾燥コア5bが発生し、場合によってはさらに新たな乾燥コアが発生する。 However, the water repellency of the resist film surface on the substrate is high, in the vicinity of the center of the substrate W, the drying portion immediately before the 4 following the first drying cores 5a 2 nd dry core 5b occurs, if further new dry core occurs by. なお、乾燥コアは、基板Wの中心付近以外には発生しない。 The drying core does not occur other than near the center of the substrate W. そして、図4の(c)に示すように、最初に形成された乾燥領域6aが拡大していくとともに、2つ目の乾燥コア5bが拡大して2つ目の乾燥領域6bが形成され、その乾燥領域6bも拡がっていく。 Then, as shown in (c) of FIG. 4, the expanding initially formed dry region 6a is, the second drying area 6b is expanding second dry core 5b is formed, It will spread also its dry area 6b.

上記したように2つの乾燥領域6a、6bがそれぞれ拡大していき、図4の(d)に示すように、2つの乾燥領域6a、6b同士が衝突して接合し、図4の(e)に示すように、やがて1つの乾燥領域6cとなる。 Two drying areas 6a as described above, 6b is gradually expanded, respectively, as shown in (d) of FIG. 4, two drying areas 6a, joined 6b each other collide, shown in FIG. 4 (e) as shown in, the eventually one drying zone 6c. このとき、2つの乾燥領域6a、6bの境界部分には、洗浄液の液滴7を生じる。 In this case, two drying areas 6a, in a boundary portion 6b, produces a droplet 7 of the cleaning liquid. 続いて、図4の(f)に示すように、1つになった乾燥領域6cは外側に拡大していくが、洗浄液の液滴7は、そのまま最後まで残存する。 Subsequently, as shown in (f) of FIG. 4, but drying zone 6c became one expanding outward, the cleaning liquid of the droplet 7, remain intact until the end. そして、図4の(g)に示すように、最終的に基板Wの全面が乾燥することになるが、残存していた洗浄液の液滴7はそのまま乾燥してしまい、洗浄液の乾燥痕(ウォーターマークのようなシミ)7'が、基板W上にそのまま残ってしまう。 Then, as shown in (g) in FIG. 4, although the entire surface of the final substrate W is dried to droplets 7 of the cleaning liquid remained in will be directly dried, dry marks of the cleaning liquid (water is a stain) 7 'as the mark, will remain intact on the substrate W. この結果、現像欠陥が発生することとなる。 As a result, the developing defects occur. なお、以上のような現象は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板について一般的にみられるものであることが分かった。 The above phenomena, such as is not limited in the case of drying the substrate after development by the scan rinsing and found to be those which are commonly found on substrates with high surface water-repellent.

なお、特許文献1には、洗浄液(リンス液)吐出ノズルから所定距離だけ離間して配置されたエアー噴出ノズルを、洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させながら、エアー噴出ノズルからガスを基板へ吹き付けて、基板上に残存する洗浄液を乾燥除去する方法が記載されているが、このような方法では、乾燥コアが基板の中心付近に2つ以上発生することを防止することはできない。 In Patent Document 1, the cleaning liquid (rinsing liquid) the air injection nozzles disposed spaced apart by a predetermined distance from the ejection nozzle, integral with the cleaning liquid discharge nozzle or synchronously from the center towards the periphery of the substrate while moved, by blowing from the air injection nozzles of gas to the substrate, a method of washing liquid removed by drying remaining on the substrate is described, in such a method, drying the core are two or more in the vicinity of the center of the substrate it is not possible to prevent the occurrence. そして、基板の中心付近に乾燥コアが2つ発生すると、エアー噴出ノズルからガスを基板へ吹き付けたとしても、それぞれの乾燥コアが拡大して乾燥領域が拡がっていき、2つの乾燥領域同士が衝突して1つになる、といったことが起こるので、現像欠陥の原因となる洗浄液の乾燥痕の生成を無くすことはできない。 When the central dry core near the substrate 2 occurs, even blown from the air jet nozzle of the gas to the substrate, each of the dried cores will dry area is expanding spread, two drying areas each other collide since then made into one, such as happens, it is impossible to eliminate the generation of dry marks of the cleaning liquid that cause development defects.

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面へ吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周縁部まで走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる乾燥コアが基板の中心付近に2つ以上発生することを防止して、現像欠陥等の発生を無くすことができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention, as described above has been made in view of the circumstances, the substrate is scanned the discharge port while ejecting the washing liquid from the discharge port of the discharge nozzle to the surface of the substrate to the peripheral portion from the center portion of the substrate when spinning drying, the substrate processing to prevent the start to become dry core occurs two or more near the center of the substrate, it is possible to eliminate the occurrence of development defects when drying region in the substrate is formed to provide a method as well, and its object is to provide a substrate processing apparatus capable of suitably implementing the method.

請求項1に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始し、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から、前記1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体を吹き付 Invention, is rotated about a vertical axis while holding the substrate in a horizontal posture, while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the discharge nozzle to the surface of the substrate, the center of the substrate to the discharge port of the discharge nozzle according to claim 1 by scanning from the opposite position to the position facing the periphery of the substrate, the substrate processing method for drying the substrate, starts to move the discharge port of the discharge nozzle toward the periphery of the substrate from a position facing the center of the substrate and the starting point of time in a circumferential inner region and a distance to a position on the substrate surface opposed to the discharge port of the discharge nozzle about the center position of the substrate and the radius, the drying region in the substrate is formed after the first dry core consisting occurs before the second drying the core is generated, the ejection port of the gas ejection nozzle, the center surface of the substrate on which the first dry core occurs with blowing the gas toward ることを特徴とする。 And wherein the Rukoto.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成されるように気体を瞬間的に吹き付けることを特徴とする。 The invention according to claim 2, in the substrate processing method according to claim 1, toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, one drying area the first dry core as a starting point There wherein the blowing gas body momentarily as once formed.

請求項3に係る発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されその乾燥領域が外側に向かって拡がっていくように気体を連続的に吹き付けることを特徴とする The invention according to claim 3, in the substrate processing method according to claim 1, toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, one drying area the first dry core as a starting point There the drying area is formed, characterized in that the blowing air body continuously as will spread outward.

請求項4に係る発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で、基板の回転速度を低下させることを特徴とする。 Invention, scanning the substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, to a position where the discharge port of the discharge nozzle is opposed to the periphery of the substrate from a position facing the center of the substrate according to claim 4 in the process of being characterized by reducing the rotational speed of the substrate.

請求項5に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、噴出口が基板の中心部に対向する位置に停止した状態で、その噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付ける気体噴出ノズルと、この気体噴出ノズルへ気体を供給する気体供給手段と The invention according to claim 5, held with the substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture, a substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means around a vertical axis, by said substrate holding means and said substrate a discharge nozzle for discharging the cleaning liquid from the discharge port to the surface of the substrate which is rotated by a rotating means, a cleaning liquid supply means for supplying cleaning liquid to the discharge nozzle, the discharge port of the discharge nozzle, the surface of the substrate from the discharge port state in a substrate processing apparatus that includes a nozzle moving means for scanning while ejecting the washing liquid from the position facing the center of the substrate to a position facing the periphery of the substrate, spout has stopped at a position opposed to the center portion of the substrate in the gas ejection nozzle for blowing gas toward from the ejection port in the center surface of the substrate, a gas supply means for supplying gas to the gas ejection nozzle 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後であって、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、前記気体噴出ノズルの噴出口から、前記1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けるように、前記気体供給手段を制御する制御手段とをさらに備えたことを特徴とする。 The discharge port of the discharge nozzle is a immediately after starting the movement toward the peripheral edge of the substrate from a position facing the center of the substrate, the start point first dry core of the at the time of drying region in the substrate is formed after that occurred, before the second drying the core is generated, the ejection port of the gas ejection nozzle, to blow the gas toward the center surface of the substrate on which the first dry core occurs , and further comprising a control means for controlling the gas supply means.

請求項6に係る発明は、請求項5に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成されるように気体を瞬間的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御することを特徴とする。 Invention, in the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the control means, toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, starting from the first dry core according to claim 6 and controlling the gas supply means to blow the air body momentarily as one drying region is once formed as.

請求項7に係る発明は、請求項5に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されその乾燥領域が外側に向かって拡がっていくように気体を連続的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御することを特徴とする Invention, in the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the control means, toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, starting from the first dry core according to claim 7 the dry region one drying region is formed and controls the gas supply means to blow the air body continuously as will spread outwardly as.

請求項8に係る発明は、請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記ノズル移動手段によって前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で、基板の回転速度を低下させるように、前記基板回転手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 8, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 7, the peripheral edge of the substrate from the position where the discharge port of the discharge nozzle by the nozzle moving means is opposed to the center of the substrate in the process of being scanned to a position opposed, so reducing the rotational speed of the substrate, and further comprising a control means for controlling the substrate rotating means.

請求項1に係る発明の基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後であって、基板の中心付近において1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から、1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体が吹き付けられる。 According to the substrate processing method of the invention according to claim 1, the discharge port of the discharge nozzle even after having started to move toward the periphery of the substrate from a position facing the center of the substrate, one in the vicinity of the center of the substrate eye after drying the core occurs before the second drying the core is generated, the ejection port of the gas jet nozzle, blowing a gas toward the first drying the core center surface of the substrate that has occurred It is. これにより、2つ目の乾燥コアが発生する隙(ひま)が無いうちに、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が強制的に速やかに形成され、その1つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。 Thus, while gap to second dry core occurs (castor) is not, first one drying zone starting from the dry core is forced rapidly formed, one drying region thereof outside headed continue to spread to, the drying of the entire surface of the substrate is carried out. このように、基板の中心付近に1つだけ発生した乾燥コアを始点とする1つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われ、基板の中心付近に2つ以上の乾燥コアが発生することがないので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことは起こらない。 Thus, drying of the substrate is made one drying area that starts just one drying cores that occurred near the center of the substrate spreads to the entire surface of the substrate, two or more dry core near the center of the substrate because does not occur, dry marks of the cleaning liquid does not occur things like remain on the substrate. これらの動作について、基板の平面図を示す図3によりさらに詳しく説明する。 These operations, described in more detail with reference to FIG. 3 showing a plan view of the substrate.

符号1で示す洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズル1を基板Wの中心部から周辺部に向かって移動させ、吐出ノズル1が移動を開始してから僅かな時間が経過して吐出ノズル1が所定位置まで移動したときに、図3の(b)に示すように、気体噴出ノズル2の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて気体を吹き付ける。 While discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle indicated at 1, the discharge nozzle 1 is moved from the center towards the periphery of the substrate W, elapses short time discharging nozzle 1 from the start of the movement when ejection nozzle 1 is moved to a predetermined position by, as shown in (b) of FIG. 3, it blows gas toward the ejection port of the gas ejection nozzle 2 in the center surface of the substrate W. このとき、図3の(a)に示すように、最初は基板Wの全面が洗浄液の液膜3で覆われているが、基板Wの中心付近における液膜3が薄くなって乾燥直前の状態となり、続いて、二点鎖線で示す乾燥直前部分4内に1つの乾燥コア5が発生する。 At this time, as shown in FIG. 3 (a), first, but the entire surface of the substrate W is covered with a liquid film 3 of the cleaning liquid, thinner the liquid film 3 near the center of the substrate W dry prior state next, followed by one drying core 5 is generated in the drying portion immediately before 4 indicated by the two-dot chain line. そして、1つ目の乾燥コア5が発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前のタイミングで、気体噴出ノズル2の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて気体が吹き付けられることにより、図3の(b)に示すように、基板Wの中心付近において2つ目の乾燥コアが発生することなく、1つ目の乾燥コア5が拡大して乾燥領域6が形成される。 After the first dry core 5 is generated at the timing before the second drying cores occurs, the gas is blown toward the center surface of the substrate W from the ejection port of the gas ejection nozzle 2 Accordingly, as shown in (b) of FIG. 3, without the second drying the core occurs in the vicinity of the center of the substrate W, the drying region 6 is formed by expanding first dry core 5. このとき、基板Wの中心位置を中心とし吐出ノズル1の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周の外方は、吐出ノズル1の吐出口から洗浄液が吐出し続けられているために液膜3が維持されたままの状態である。 In this case, the circumference of the outer better to the distance to the position on the substrate surface opposed to the discharge port of the center of the center position of the substrate W discharge nozzle 1 and radius, the cleaning liquid discharged from the discharge port of the discharge nozzle 1 it is left in the state that the liquid film 3 is maintained to have continued. そして、吐出ノズル1が基板Wの周縁に向かって移動するのに伴い、図3の(c)および(d)に示すように、1つの乾燥領域6が外側に向かって拡がっていき、図3の(e)に示すように、乾燥領域6が基板Wの全面に拡がって基板Wの乾燥が行われる。 Then, the discharge nozzle 1 with to move towards the periphery of the substrate W, as shown in shown in FIG. 3 (c) and (d), 1 single dry area 6 is gradually spread toward the outside, FIG. 3 as shown in the (e), dry area 6 is drying of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W is performed.

この基板処理方法では、基板の中心付近に2つ以上の乾燥コアが発生して2つ以上の乾燥領域同士が衝突して接合する、といったことは起こらないので、基板上に洗浄液の乾燥痕が残ることはない。 In the substrate processing method, two or more dry cores are two or more drying areas between are joined by collision occurred near the center of the substrate, so does not occur things like, drying marks of the cleaning liquid on the substrate there is no possibility that remain. したがって、請求項1に係る発明の基板処理方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。 Therefore, according to the substrate processing method of the invention according to claim 1, it is possible to eliminate the occurrence of development defects.

請求項2に係る発明の基板処理方法では、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が瞬間的に吹き付けられることにより、基板の中心付近に、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成される。 The substrate processing method of the invention according to claim 2, by toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate air body is blown instantaneously, near the center of the substrate, first dry core one drying area as a starting point is once formed.

請求項3に係る発明の基板処理方法では、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が連続的に吹き付けられることにより、基板の中心付近に、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されて、その乾燥領域が外側に向かって拡がっていく The substrate processing method of the invention according to claim 3, by vapor body toward the center surface of the substrate from the ejection port of the gas ejection nozzle is sprayed continuously, near the center of the substrate, first dry core one drying area is formed as a starting point, the drying zone is gradually spread toward the outside.

請求項4に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で基板の回転速度が低下させられることにより、基板面上で乾燥領域が拡大した際に基板面上から飛散する洗浄液の勢いが低減するので、基板面上の乾燥領域に洗浄液が再付着することが防止される。 The substrate processing method of the invention according to claim 4, by the rotation speed of the substrate in the process of the discharge port of the discharge nozzle is scanned to a position opposed from the position facing the center of the substrate to the periphery of the substrate is lowered, since momentum of the cleaning liquid scattered from the substrate surface when dry area is expanded on the substrate surface is reduced, the washing liquid in the dry area on the substrate surface is prevented from re-adhering.

請求項5に係る発明の基板処理装置においては、制御手段により気体供給手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後に、気体噴出ノズルの噴出口から、1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体が吹き付けられる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 5, the gas supply means is controlled by the control means, immediately after the discharge port of the discharge nozzle starts to move toward the periphery of the substrate from a position facing the center of the substrate , from the ejection outlet of the gas jet nozzle, a gas is blown toward the center surface of the substrate first dry core occurs. これにより、2つ目の乾燥コアが発生する隙が無いうちに、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が強制的に速やかに形成され、その1つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。 Thus, while gap of the second drying the core is generated, no one single drying area eye dry core as a starting point is forced to rapidly form, one drying region thereof towards the outside spread gradually, the drying of the entire surface of the substrate is carried out. このように、基板の中心付近に1つだけ発生した乾燥コアを始点とする1つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われ、基板の中心付近に2つ以上の乾燥コアが発生することがないので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことが起こらない。 Thus, drying of the substrate is made one drying area that starts just one drying cores that occurred near the center of the substrate spreads to the entire surface of the substrate, two or more dry core near the center of the substrate because does not occur, dry marks of the cleaning liquid does not occur that such remain on the substrate.
したがって、請求項5に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項1に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。 Thus, using the substrate processing apparatus of the invention according to claim 5, and suitably implement the substrate processing method of the invention according to claim 1, it is possible to obtain the above effect.

請求項6に係る発明の基板処理装置では、制御手段により気体供給手段が制御されて、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が瞬間的に吹き付けられる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 6, the gas supply means is controlled by the control means, the gas body toward the center surface of the substrate from the ejection port of the gas ejection nozzle is sprayed instantaneously. これにより、基板の中心付近に、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成される。 Thus, near the center of the substrate, one drying area first dry core starting is once formed. したがって、請求項6に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項2に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。 Thus, using the substrate processing apparatus of the invention according to claim 6, and suitably implement the substrate processing method of the invention according to claim 2, it is possible to obtain the above effect.

請求項7に係る発明の基板処理装置では、制御手段により気体供給手段が制御されて、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が連続的に吹き付けられる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 7, the gas supply means is controlled by the control means, the gas body is sprayed continuously toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate. これにより、基板の中心付近に、1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されて、その乾燥領域が外側に向かって拡がっていく。 Thus, near the center of the substrate, one by one drying area eye dry core acting as a start point are formed, the drying zone is gradually spread toward the outside. したがって、請求項7に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項3に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる Thus, using the substrate processing apparatus of the invention according to claim 7, and suitably implement the substrate processing method of the invention according to claim 3, it is possible to obtain the above effect.

請求項8に係る発明の基板処理装置では、制御手段により基板回転手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で基板の回転速度が低下させられる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 8, the substrate rotating means is controlled by the control means, the discharge port of the discharge nozzle is in the process of being scanned to a position opposed to the periphery of the substrate from a position facing the center of the substrate rotational speed of the substrate is lowered. これにより、基板面上で乾燥領域が拡大した際に基板面上から飛散する洗浄液の勢いが低減する。 Thus, the momentum of the cleaning liquid is reduced to scatter from the substrate surface when dry area is expanded on the substrate surface. したがって、請求項8に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項4に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。 Thus, using the substrate processing apparatus of the invention according to claim 8, and suitably implement the substrate processing method of the invention according to claim 4, it is possible to obtain the above effect.

以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, will be described with reference to the drawings best embodiment of the present invention.
図1および図2は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の1例を示し、図1は、基板処理装置の概略平面図であり、図2は、その概略断面図である。 1 and 2 show an example of a configuration of a substrate processing apparatus used for carrying out the substrate processing method according to the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus, FIG. 2 it is its schematic sectional view.

この基板処理装置は、表面に露光後のレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に洗浄処理(リンス処理)するものであり、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック10、上端部にスピンチャック10が固着され鉛直方向に支持された回転支軸12、および、回転支軸12に回転軸が連結されスピンチャック10および回転支軸12を鉛直軸回りに回転させる回転モータ14を備えている。 The substrate processing apparatus is for cleaning a substrate in which the resist film after exposure is formed on the surface after the development processing (rinsing), the spin chuck 10 for holding a substrate W in a horizontal posture, spin on an upper end portion rotation shaft 12 chuck 10 is supported vertically fixed, and comprises a rotating motor 14 for rotating the rotary shaft spin chuck 10 and rotating the support shaft 12 is connected is about a vertical axis to the pivot shaft 12 . スピンチャック10の周囲には、スピンチャック10上の基板Wを取り囲むようにカップ16が配設されている。 Around the spin chuck 10, a cup 16 is disposed to surround the substrate W on the spin chuck 10. カップ16は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されており、カップ16の底部には排液管18が連通接続されている。 Cup 16, by an unillustrated support mechanism are reciprocally movably supported in the vertical direction, the bottom of the cup 16 drain pipe 18 is connected in communication. また、図1および図2には図示を省略しているが、基板W上に現像液を供給する機構、例えば、下端面にスリット状吐出口が形設された現像液吐出ノズルを有し、そのスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、現像液吐出ノズルを、そのスリット状吐出口と直交する水平方向へ直線的に移動させて、基板W上に現像液を供給し液盛りする現像液供給機構、あるいは、ストレートノズルからなる現像液吐出ノズルを有し、その現像液吐出ノズルを、先端の吐出口が基板Wの中心部直上に配置される吐出位置と待機位置との間で往復移動するように支持し、現像液吐出ノズルの先端吐出口から現像液を基板Wの中心部上へ吐出する現像液供給機構が設けられている。 Further, although not shown in FIGS. 1 and 2, have mechanism for supplying a developing solution onto the substrate W, for example, a developing solution discharge nozzle slit-like discharge port at a lower end surface is Katachi設, while ejecting a developing solution from the slit-like discharge port, the developer discharge nozzle, and is moved linearly in the horizontal direction orthogonal to the slit-shaped discharge port and supplying liquid serving the developing solution onto the substrate W development liquid supply device or having a developer discharge nozzle consisting of a straight nozzle, the developing solution discharge nozzle, back and forth between the discharge port of the tip of the discharge position and the standby position disposed directly above the center of the substrate W supporting and so moving, the developer supply mechanism for discharging the developing solution onto the center of the substrate W is provided from the tip end outlet of the developer discharge nozzle.

また、カップ16の側方側近傍には、先端の吐出口から洗浄液(リンス液)、例えば純水を基板W上へ吐出する純水吐出ノズル20が配設されている。 In the vicinity lateral side of the cup 16, the cleaning liquid (rinsing liquid) from the discharge opening of the tip, for example, pure water exhaust nozzle 20 is disposed for discharging the pure water onto the substrate W. 純水吐出ノズル20は、純水供給管22を通して純水供給源に流路接続されており、純水供給管22にポンプ24、フィルタ26および開閉制御弁28が介挿されている。 DI water discharge nozzle 20, the pure through the water supply pipe 22 are flow path connected to a deionized water source, a pump 24 to the pure water supply pipe 22, filter 26 and a switching control valve 28 is interposed. 純水吐出ノズル20は、水平面内で回動可能にノズル保持部30に保持されており、回転駆動機構32によって水平面内で回動させられる。 DI water discharge nozzle 20 is held in rotatable nozzle holder 30 in a horizontal plane, it is rotated in a horizontal plane by a rotation drive mechanism 32. そして、純水吐出ノズル20は、先端の吐出口から基板Wの表面へ純水を吐出させつつ、図1中に矢印aで示すように吐出口が基板Wの中心に対向する位置から基板Wの周縁に対向する位置まで走査され、また、二点鎖線で示すようにカップ16から外側へ外れた待機位置と吐出口が基板Wの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。 Then, the pure water discharge nozzle 20, while discharging the pure water from the discharge port of the tip to the surface of the substrate W, the substrate from the position where the discharge port is opposed to the center of the substrate W as indicated by an arrow a in FIG. 1 W is scanned to a position opposed to the peripheral edge, also, the discharge port and a standby position off to the outside from the cup 16 as indicated by two-dot chain lines reciprocates between a position disposed directly above the center of the substrate W and it has a configuration such as.

さらに、この基板処理装置は、カップ16の側方側近傍に、カップ16を挟んで純水吐出ノズル20の反対側に、先端の噴出口から気体、例えば窒素ガスを基板W上へ噴出するガス噴出ノズル34が配設されている。 Further, the substrate processing apparatus, in the vicinity of the lateral side of the cup 16, on the opposite side of the pure water discharge nozzle 20 across the cup 16, ejected gas from the ejection port of the tip, for example, a nitrogen gas onto the substrate W Gas ejection nozzle 34 is arranged. ガス噴出ノズル34は、ガス供給管36を通して窒素ガス供給源に流路接続されており、ガス供給管36に開閉制御弁38が介挿されている。 Gas injection nozzle 34 is flow path connected to a nitrogen gas supply source through a gas supply pipe 36, switching control valve 38 is interposed in a gas supply pipe 36. ガス噴出ノズル34は、水平面内で回動可能にノズル保持部40に保持されており、回転駆動機構42によって水平面内で回動させられる。 Gas injection nozzle 34 is held in rotatable nozzle holder 40 in a horizontal plane, it is rotated in a horizontal plane by a rotation drive mechanism 42. そして、ガス噴出ノズル34は、図1中に二点鎖線で示すようにカップ16から外側へ外れた待機位置と実線で示すように噴出口が基板Wの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。 The gas injection nozzle 34, spout as shown in the standby position and the solid line that deviates from the cup 16 to the outside as shown by the two-dot chain line in FIG. 1 is from a position located directly above the center of the substrate W It has become as to reciprocate configured between.

ガス供給管36に介挿された開閉制御弁38は、制御装置44に接続されており、この制御装置44により、ガス噴出ノズル34の噴出口からの窒素ガスの噴出・停止の動作が制御される。 Off control valve 38 interposed in the gas supply pipe 36 is connected to the control device 44, by the control unit 44, the operation of ejection and stop of the nitrogen gas from the jet port of the gas injection nozzle 34 is controlled that. すなわち、純水吐出ノズル20が基板Wの中心部から周辺部に向かって移動を開始した直後であって、純水吐出ノズル20の吐出口が基板Wの中心に対向する位置から僅かな距離だけ移動して所定位置(図1中に実線で示す位置)に到達した時点で、ガス噴出ノズル34の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付け、その後に吹き付けを停止させるように、制御装置44によって開閉制御弁38の開閉動作が制御される。 That is, the pure water discharge nozzle 20 is a immediately after the start of movement from the center towards the periphery of the substrate W, the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 by a small distance from the position facing the center of the substrate W move and when it reaches the predetermined position (position indicated by the solid line in FIG. 1), a nitrogen gas blown toward the ejection port of the gas injection nozzle 34 to the center surface of the substrate W, so as to stop the subsequent spraying the opening and closing operation of the switching control valve 38 is controlled by a control device 44. より詳しく説明すると、純水吐出ノズル20が移動を開始し、基板Wの中心位置を中心とし純水吐出ノズル20の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、ガス噴出ノズル34の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付けるように制御される。 In more detail, pure water discharge nozzle 20 starts moving, the circumference of the distance to the position on the substrate surface opposed to the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 around the center position of the substrate W and the radius after the first dry core: in this region occurs before the second drying cores occurs, to blow nitrogen gas toward the ejection port of the gas injection nozzle 34 to the center surface of the substrate W It is controlled. 基板Wの中心部表面に対する窒素ガスの吹き付けに際しては、ガス噴出ノズル34の噴出口から大流量の窒素ガスを瞬間的に噴出させるようにしてもよいし、小流量の窒素ガスを連続的に噴出させるようにしてもよい。 Upon blowing nitrogen gas to the central surface of the substrate W, it may be caused to jet from the jet port of the gas injection nozzle 34 a high flow rate of the nitrogen gas instantaneously, continuously ejecting the nitrogen gas of a small flow rate it may be allowed to.

図1および図2に示した基板処理装置を使用し、基板Wの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理した後に、基板Wを比較的低速で回転させながら基板W上へ純水を供給して洗浄処理し、基板W表面のレジスト膜上から現像液を洗い流して除去し、この後に、基板Wを比較的高速で回転させてスピン乾燥(スキャンリンス)処理する。 Using the substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2, a resist film by supplying a developing solution onto the resist film having been exposed and formed on the surface of the substrate W after the development processing, a relatively low speed of the substrate W in while rotating washing process by supplying pure water onto the substrate W, it is removed by washing away the developing solution from the resist film of the substrate W surface, after this, spin drying is rotated at a relatively high speed of the substrate W ( scan rinse) to process. スキャンリンスする際は、スピンチャック10上に保持された基板Wを回転モータ14によって比較的高速で回転させるとともに、純水吐出ノズル20の吐出口から純水を基板W上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル20を走査し、その過程で、ガス噴出ノズル34の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付ける。 When scanning rinsing, it is rotated at a relatively high speed by the rotary motor 14 to the substrate W held on the spin chuck 10, while pure water is ejected onto the substrate W from the discharge port of the pure water discharge nozzle 20, the net scanning the water discharge nozzle 20, in the process, blow nitrogen gas toward the ejection port of the gas injection nozzle 34 to the center surface of the substrate W.

数値の1例を示しながら具体的に説明すると、直径が200mm〜300mmである基板Wを1800rpm〜2100rpmの回転速度で回転させ、純水吐出ノズル20を、その吐出口が基板Wの中心に対向する位置へ移動させて、純水吐出ノズル20の吐出口から基板W上へ純水を0.4l/min〜0.6l/minの流量で吐出しながら、純水吐出ノズル20を基板Wの周辺部に向かって6mm〜10mmのスキャン速度で移動させる。 In more detail while showing an example of numerical values, the counter substrate W having a diameter of 200mm~300mm is rotated at a rotational speed of 1800Rpm~2100rpm, pure water discharge nozzle 20, the center of the discharge opening substrate W is moved to a position, while discharging the pure water from the outlet of the DI water discharge nozzle 20 onto the substrate W at a flow rate of 0.4l / min~0.6l / min, the pure water discharge nozzle 20 of the substrate W toward the periphery moving at a scan rate of 6 mm to 10 mm. そして、純水吐出ノズル20の移動開始時点から数秒経過後、例えば2秒経過後に、従って、純水吐出ノズル20の吐出口が基板Wの中心から12mm〜20mmの距離の位置まで移動した時に、図1中に実線で示すように噴出口が基板Wの中心部直上に配置されたガス噴出ノズル34へ窒素供給源からガス供給管36を通して窒素ガスを供給し、ガス噴出ノズル34の噴出口から基板Wの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付ける。 Then, after a few seconds from the movement start point of the pure water discharge nozzle 20, for example after a lapse of 2 seconds, therefore, when the outlet of the DI water discharge nozzle 20 is moved to the position of the distance 12mm~20mm from the center of the substrate W, spout as indicated by the solid line in FIG. 1 supplies the nitrogen gas through the gas supply pipe 36 from the nitrogen supply source to the gas injection nozzle 34 disposed directly above the center of the substrate W, the jet port of the gas injection nozzle 34 blowing nitrogen gas toward the center of the surface of the substrate W. この窒素ガスの吹き付けは、例えば約10l/minの流量で約1秒間行う。 Blowing of the nitrogen gas is carried out for about one second at a flow rate of, for example, about 10l / min. あるいは、例えば約0.1l/minの流量で数秒間、窒素ガスの吹き付けを行う。 Alternatively, for example, a few seconds at a flow rate of about 0.1 l / min, performing blowing of nitrogen gas. なお、ガス噴出ノズル34の噴出口からの窒素ガスの噴出は、基板Wの中心部分に乾燥領域が形成されると直ぐに止めればよいが、暫くの間、ガス噴出ノズル34の噴出口から窒素ガスを噴出させておいても差し支えない。 Incidentally, ejection of nitrogen gas from the jet port of the gas injection nozzle 34 may be stopped as soon as the drying region in the center portion of the substrate W is formed but, for some time, the nitrogen gas from the jet port of the gas injection nozzle 34 no problem even if allowed to eject.

基板Wの中心部表面への窒素ガスの吹き付けのタイミングは、基板Wの種類や大きさ、表面状態等、基板Wの回転速度、純水吐出ノズル20の吐出口からの純水の吐出流量、純水吐出ノズル20のスキャン速度などの諸々の条件において実験を行い、基板Wの中心付近において1つ目の乾燥コアが発生した後に2つ目の乾燥コアが発生しないかどうかを観察して、前もって決定しておくようにする。 Timing of blowing nitrogen gas to the center surface of the substrate W, the substrate W of type and size, surface condition, etc., the rotational speed of the substrate W, the discharge flow rate of the pure water from the outlet of the DI water discharge nozzle 20, conducted experiments in various conditions such as the scan rate of the pure water discharge nozzle 20, by observing whether the second dry core does not occur after the first dry core occurs in the vicinity of the center of the substrate W, so that should be determined in advance.

純水吐出ノズル20は、ガス噴出ノズル34の噴出口から窒素ガスを噴出しているときにも連続して走査される。 DI water discharge nozzle 20 is scanned continuously even when you are ejected nitrogen gas from the jet port of the gas ejection nozzle 34. そして、純水吐出ノズル20の吐出口を基板Wの周縁に対向する位置まで走査し、純水吐出ノズル20の吐出口が基板Wの周縁に対向する位置に到達すると、純水供給管22に介挿された開閉制御弁28を閉じて純水吐出ノズル20への純水の供給を停止して、純水吐出ノズル20からの純水の吐出を止め、純水吐出ノズル20を待機位置まで移動させる。 When the outlet of the DI water discharge nozzle 20 is scanned to a position opposed to the peripheral edge of the substrate W, the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 reaches the position opposed to the circumferential edge of the substrate W, the pure water supply pipe 22 close-off control valve 28 interposed by stopping the supply of the pure water to the pure water discharge nozzle 20 to stop the discharge of the pure water from the pure water exhaust nozzle 20, to the standby position of the pure water discharge nozzle 20 so moved. そして、基板Wの乾燥処理が終了すると、基板Wの回転を停止させる。 When the drying of the substrate W is completed, it stops the rotation of the substrate W.

ガス噴出ノズル34の噴出口から窒素ガスを噴出させたり噴出を止めたりするタイミングは、動作プログラムに基づいてマイコンで制御するようにすればよい。 Timing or stop the jetting or by jetting nitrogen gas from the jet port of the gas injection nozzle 34 may be to control by the microcomputer on the basis of the operation program. あるいは、エンコーダによって純水吐出ノズル20の位置を検出し、その検出信号により、純水吐出ノズル20が所定位置に到達した時点でガス噴出ノズル34の噴出口から窒素ガスを噴出させるようにしてもよいし、タイマーを使用して、純水吐出ノズル20の走査開始時点から所定時間が経過した時点でガス噴出ノズル34の噴出口から窒素ガスを噴出させ、その噴出時点から所定時間が経過した時点で窒素ガスの噴出を止めるようにしてもよい。 Alternatively, to detect the position of the pure water discharge nozzle 20 by the encoder, by the detection signal, also be pure water discharge nozzle 20 jetting nitrogen gas from the jet port of the gas ejection nozzle 34 when it reaches the predetermined position it may, using a timer, the net from the scanning start point of the water discharge nozzle 20 when a predetermined time has elapsed is jetted nitrogen gas from the jet port of the gas injection nozzle 34, a predetermined time has elapsed since the ejection time point in it is possible to stop ejection of nitrogen gas.

なお、純水吐出ノズル20の吐出口を基板Wの周縁に対向する位置まで走査する過程で、基板Wの回転速度を低下させるようにしてもよい。 Incidentally, in the process of scanning the outlet of the DI water discharge nozzle 20 to a position facing the periphery of the substrate W, it may be to lower the rotation speed of the substrate W. 具体的には、純水吐出ノズル20の吐出口が所定距離だけ移動した時点、例えば基板Wの中心から60mmの半径位置に到達した時点で基板Wの回転速度を低下、例えば1800rpm〜2100rpmの回転数から1000rpm〜1200rpmの回転数に減速させるように、制御装置(図示せず)により制御するようにする。 Specifically, pure when the discharge port is moved by a predetermined distance for water discharge nozzle 20, for example, reduce the rotational speed of the substrate W when it reaches the center of the substrate W to the radial position of 60 mm, for example, rotation of 1800rpm~2100rpm as to decelerate from a few to a rotational speed of 1000Rpm~1200rpm, so as to control by a control device (not shown). 基板Wの回転速度を変更する回数は1回に限らず、基板Wの回転速度を段階的に低下させるようにしてもよい。 The number of times of changing the rotational speed of the substrate W is not limited to one time, the rotational speed of the substrate W may be reduce in stages. あるいは、純水吐出ノズル20の吐出口が基板Wの周縁に対向する位置に近付くのに従って基板Wの回転速度を漸次低下、例えば直線的に減速させるように制御してもよい。 Alternatively, the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 may be controlled to gradually decrease, for example to linearly decelerate the rotational speed of the substrate W in accordance with the approach in a position facing the periphery of the substrate W.

上記したような方法でスキャンリンスしたときは、基板Wの中心付近において乾燥コアが2つ以上発生することを防止することができる。 When scanning rinsed in the manner described above, it is possible to prevent the dry core occurs more than one in the vicinity of the center of the substrate W. そして、基板Wの中心付近に1つだけ発生した乾燥コアを始点とする1つの乾燥領域が基板Wの全面に拡がって基板Wの乾燥が行われるので、純水の乾燥痕が基板W上に残るといったことが起こらない。 Since drying of the substrate W one drying area that starts drying cores generated only one near the center of the substrate W is spread over the entire surface of the substrate W is carried out, on a dry marks substrate W with pure water It does not occur that such remain. したがって、上記した方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。 Therefore, according to the method described above, it is possible to eliminate the occurrence of development defects.

なお、上記した実施形態では、基板上に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板をスキャンリンスする処理にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板をスキャンリンス処理する場合、例えば基板の表面を洗浄液で洗浄処理(スクラバ処理)する場合や液浸露光後の基板を洗浄・乾燥処理する場合など、広く一般に適用し得るものである。 Incidentally, in the above embodiment has been described as applying the invention to resist film having been exposed and formed on the substrate to a process of scanning rinse the substrate after development processing, the present invention is after development not limited to the case of drying the substrate by scanning rinsing, when scanning rinsing a substrate having a high water-repellent surface, for example after or if the immersion exposure of the surface of the substrate to cleaning treatment with a cleaning solution (scrubber process) substrate such as when cleaning and drying, and it is capable of applying universally.

この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の1例を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus used for carrying out the substrate processing method according to the present invention. 図1に示した基板処理装置の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG. この発明に係る基板処理方法における動作を説明するための図であって基板を示す平面図である。 It is a plan view showing a substrate with a view for explaining the operation of the substrate processing method according to the present invention. 従来のスキャンリンス法における問題点を説明するための図であって基板を示す平面図である。 A diagram for explaining a problem in conventional scan rinsing process point is a plan view showing a substrate.

10 スピンチャック 12 回転支軸 14 回転モータ 16 カップ 20 純水吐出ノズル 22 純水供給管 24 ポンプ 28、38 開閉制御弁 30 純水吐出ノズルのノズル保持部 32 純水吐出ノズルの回転駆動機構 34 ガス噴出ノズル 36 ガス供給管 40 ガス噴出ノズルのノズル保持部 42 ガス噴出ノズルの回転駆動機構 44 制御装置 W 基板 10 spin chuck 12 rotation shaft 14 rotating the motor 16 cup 20 DI water discharge nozzle 22 pure water supply pipe 24 pumps 28, 38 off control valve 30 Rotation drive mechanism 34 gas nozzle holder 32 DI water discharge nozzle of the pure water discharge nozzle rotation driving mechanism of the nozzle holder 42 gas ejection nozzle of the jet nozzle 36 gas supply pipe 40 the gas ejection nozzle 44 controller W board

Claims (8)

  1. 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、 Is rotated about a vertical axis while holding the substrate in a horizontal posture, while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the discharge nozzle to the surface of the substrate, the periphery of the substrate to the discharge port of the discharge nozzle from the position facing the center of the substrate scans to a position opposite to, in the substrate processing method for drying a substrate,
    前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始し、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から、前記1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 Distance from the position where the discharge port of the discharge nozzle faces the center of the substrate starts to move toward the periphery of the substrate, to a position on the substrate surface opposed to the discharge port of the discharge nozzle about the center position of the substrate the in the circumferential inner region whose radius before after starting first dry core of the at the time of drying region in the substrate is formed has occurred, the second dry core occurs, the gas ejection substrate processing method from the ejection port of the nozzle, and wherein the blowing gas toward the center surface of the substrate on which the first dry core occurs.
  2. 前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成されるように気体を瞬間的に吹き付ける請求項1に記載の基板処理方法。 Toward the center surface from the ejection port substrate of the gas ejection nozzle, the first one drying area dry core starting blows air body momentarily as once formed claim 1 the method for processing the substrate.
  3. 前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されその乾燥領域が外側に向かって拡がっていくように気体を連続的に吹き付ける請求項1に記載の基板処理方法。 Toward the center surface from the ejection port substrate of the gas ejection nozzle, the first one drying area dry core as a starting point is formed the dry region is going way air body extends outwardly the substrate processing method according to claim 1, continuously blown.
  4. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で、基板の回転速度を低下させる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理方法。 In the course of the discharge port of the discharge nozzle is scanned to a position opposed from the position facing the center of the substrate to the periphery of the substrate, the substrate according to any one of claims 1 to 3 to lower the rotation speed of the substrate Processing method.
  5. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、 A substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture,
    この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、 A substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means around a vertical axis,
    前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、 A discharge nozzle for discharging the cleaning liquid from the discharge port to the surface of the substrate which is rotated by the substrate rotation means is held by the substrate holding unit,
    この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 A cleaning liquid supply means for supplying cleaning liquid to the discharge nozzle,
    前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、 The discharge port of the discharge nozzle, the nozzle moving means for scanning the position facing the center of the substrate while ejecting the washing liquid from the discharge port to the surface of the substrate to a position facing the periphery of the substrate,
    を備えた基板処理装置において、 In the substrate processing apparatus including a
    噴出口が基板の中心部に対向する位置に停止した状態で、その噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付ける気体噴出ノズルと、 In a state in which the spout is stopped at a position opposed to the center portion of the substrate, and the gas ejection nozzle for blowing gas toward from the ejection port in the center surface of the substrate,
    この気体噴出ノズルへ気体を供給する気体供給手段と、 A gas supply means for supplying gas to the gas ejection nozzle,
    前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後であって、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる1つ目の乾燥コアが発生した後、2つ目の乾燥コアが発生する前に、前記気体噴出ノズルの噴出口から、前記1つ目の乾燥コアが発生している基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けるように、前記気体供給手段を制御する制御手段と、 The discharge port of the discharge nozzle is a immediately after starting the movement toward the peripheral edge of the substrate from a position facing the center of the substrate, the start point first dry core of the at the time of drying region in the substrate is formed after that occurred, before the second drying the core is generated, the ejection port of the gas ejection nozzle, to blow the gas toward the center surface of the substrate on which the first dry core occurs and control means for controlling the gas supply means,
    をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus characterized by further comprising a.
  6. 前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が一気に形成されるように気体を瞬間的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御する請求項5に記載の基板処理装置。 The control means, toward the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, spraying the so care body momentarily as one drying area first dry core starting is once formed the substrate processing apparatus according to claim 5 for controlling the gas supply means so.
  7. 前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて、前記1つ目の乾燥コアを起点として1つの乾燥領域が形成されその乾燥領域が外側に向かって拡がっていくように気体を連続的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御する請求項5に記載の基板処理装置。 The control means, the direction from the ejection port of the gas ejection nozzle at the center surface of the substrate, said one single drying area eye dry core as a starting point is formed the dry region is gradually spread toward the outside the substrate processing apparatus according to claim 5 for controlling the gas supply means to blow the air body continuously as.
  8. 前記ノズル移動手段によって前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査される過程で、基板の回転速度を低下させるように、前記基板回転手段を制御する制御手段をさらに備えた請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置。 In the course of the discharge port of the discharge nozzle by the nozzle moving means is scanned to a position opposed from the position facing the center of the substrate to the periphery of the substrate, to reduce the rotational speed of the substrate, controls the substrate rotating means the substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 7 further comprising a control means for.
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