【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に液処理を施す液処理装置及び液処理方法に関し、特に、半導体基板やガラス基板などの被処理基板に、現像処理，洗浄処理，エッチング処理，剥離処理などの液処理を施す液処理装置及び液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液処理装置及び液処理方法として、ディップ式とシャワー式の２つがある。ディップ式は、被処理基板を処理液中に浸漬して、処理液に循環流を発生させたり、被処理基板を揺動したり、処理液あるいは被処理基板に超音波振動を付与したりして液処理する方式であり、恒に処理液が被処理基板全面に供給されているため、面内均一性はよいが、処理スピードは遅い。
【０００３】
これに対して、シャワー式は、回転する被処理基板面に向けて、スイング（首振り）あるいは移動する噴射ノズルから被処理基板全面を走査するように処理液を噴射し液処理する方式であり、処理液あるいは被処理基板に超音波振動を付与する構成としてもよく、ディップ式に比べて、噴射圧による被処理基板に与える機械的エネルギが大きいため処理スピードは速い。しかし、被処理基板からの剥離物（溶解物や除去物）が再度、被処理基板に付着したり、被処理基板表面をキズ付けたりするおそれがある。このため、両者の欠点を互いに補完する方式として、ディップ式とシャワー式を組合せた方式がある。
【０００４】
従来の液処理装置及び液処理方法の一例として、レジストの現像装置の縦断面図を図５に示す。現像装置１は、ディップ式とシャワー式を組合せたタイプであり、現像液２を収容する液槽３と、レジスト（図示せず）を塗布した半導体基板４を水平に保持し、水平に揺動する揺動機構（図示せず）と、これとは別に、半導体基板４面に現像液２の噴射流を吹付ける噴射ノズル５と、半導体基板４面に対向して配置して半導体基板４との間隔で現像液２の流速を制御する整流板６と、その整流板６に配備した超音波振動子７とで構成されている。ここで、液槽３に設けた液供給口８からの現像液２で半導体基板４面に平行な流れを形成し、この平行流の流速を整流板６で制御する。
【０００５】
この現像装置１の使用方法は、半導体基板４を水平に保持して、液槽３内の現像液２に浸漬し、水平方向に揺動させる。このとき、整流板６と半導体基板４との間隔で制御した液供給口８からの平行流に晒すことで現像を促進する。そして、さらに、これとは別に、噴射ノズル５から現像液２を半導体基板４面に噴射する。但し、噴射ノズル５は固定で、水平に揺動する半導体基板４が噴射ノズル５の直下を通過するときに半導体基板４面に噴射流が当たる。また、超音波振動子７で液槽３内の現像液２に超音波振動を付与する。ここで、噴射ノズル５からの噴射流を半導体基板４全面に当てるため、噴射ノズル５を複数本配置したり、スリット状ノズル５ａにするとよい。（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このようにすると、ディップ式とシャワー式の長所を生かした現像処理ができる。即ち、強力な噴射圧で効率性のよい現像処理ができ、超音波振動の付与により細部の現像処理ができる。また、制御した流速の平行流で現像処理の促進に加えて剥離物（図示せず）を半導体基板４上から押し流すことができる。
【０００７】
しかしながら、このように現像処理の効率性及び均一性に配慮した現像装置１であっても、例えば、半導体基板４上に多数配置されたバイアホールのような微細な凹部を有するパターンに対しては、噴射ノズル５を複数本配置したり、スリット状にするだけでは、噴射ノズル５の配置による偏りや、一定幅を有するスリット内での噴射流のばらつきは無視できず、半導体基板４面内に隈なく機械的エネルギを付与すると言う点で充分ではなく、レジスト残り不良を完全になくすことはできなかった。また、半導体基板４を液槽３内で水平方向に揺動させるため、液槽３自体が大きくなり、現像液２も比較的多量に必要であった。
【０００８】
【特許文献１】
特開平５−６２９６０号公報 （第２頁００１８段落〜第３頁００５０段落、図２，図４，図５，図６）
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の液処理装置及び液処理方法（ディップ式とシャワー式を組合せたタイプ）は、被処理基板を、流速制御した平行流中に浸漬し水平に揺動させ、これとは別に、複数本、あるいは、スリット状の噴射ノズルから被処理基板面に向けて噴射流を吹付け、さらに、処理液に超音波振動を付与して、より効率良く均一な液処理ができるようにしているが、被処理基板上に多数配置されたバイアホールのような微細な凹部を有するパターンに対しては、噴射ノズルを複数本配置したり、スリット状にするだけでは、被処理基板面内に隈なく機械的エネルギを付与すると言う点で充分ではなかった。即ち、噴射ノズルを複数本配置する場合は、余程、多数本を狭ピッチに配置しないと噴射圧が充分に加わらない領域が生じるおそれがあった。また、スリット状にする場合は、どうしても開口面積が増加するため噴射圧の低下やスリット内での噴射量にばらつきが生じるおそれがあった。そして、もう一つ別の問題として、被処理基板を液槽内で水平方向に揺動させるため、液槽自体が大きくなり、被処理液も比較的多量に必要であった。
【００１０】
本発明の目的は、ディップ式とシャワー式の長所を生かしつつ、被処理基板全面に隈なく、より均一な機械的エネルギを付与し、かつ、液処理装置の小型化を可能とする液処理装置及び液処理方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液処理装置は、処理液を収容する液槽と、被処理基板を保持するスピンチャックと、スピンチャックと連接する支持軸と、支持軸及びスピンチャックを昇降運動させる昇降駆動部と、支持軸及びスピンチャックを回転運動させる回転駆動部と、被処理基板面に向けて処理液の噴射流を吹付ける噴射ノズルと、処理液または被処理基板に超音波振動を付与する超音波振動子と、噴射ノズルの噴射位置を被処理基板中心から外周縁まで移動運動させる移動駆動部とで構成したことを特徴とする液処理装置である。
【００１２】
本発明の液処理方法は、スピンチャックに保持した被処理基板を液槽内の処理液に浸漬し回転させ、処理液または被処理基板に超音波振動を付与しながら、被処理基板中心から外周縁まで噴射位置を移動運動する噴射ノズルから被処理基板面に向けて処理液を噴射することを特徴とする液処理方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の液処理装置及び液処理方法の一例として、レジストの現像装置の縦断面図を図１に示す。尚、図５と同一部分には同一符号を付す。
【００１４】
図１に示すように、現像装置１０１は、現像液２を収容する液槽３と、半導体基板４を保持するスピンチャック１０２と、スピンチャック１０２と連接する支持軸１０３と、その支持軸１０３及びスピンチャック１０２を昇降運動させる第１シリンダ１０４と、支持軸１０３及びスピンチャック１０２を回転運動させる回転モータ１０５と、半導体基板４面に向けて現像液２の噴射流を吹付ける噴射ノズル１０６と、噴射ノズル１０６に配備して噴射流に超音波振動を付与する超音波振動子７と、噴射ノズル１０６及び噴射位置を半導体基板中心４ａから外周縁４ｂまで平行移動運動させる第２シリンダ１０７と、回転モータ１０５及び第２シリンダ１０７に接続して、スピンチャック１０２の回転速度及び噴射ノズル１０６の平行移動速度を関連制御可能な速度制御部１０８とで構成されている。また、液槽３には、排液口１０９が設けてあり、オーバフローした現像液２は、排液口１０９から排出され現像液清浄部（図示しない）で清浄化され噴射ノズル１０６に再供給される。
【００１５】
この現像装置１０１の使用方法は、先ず、スピンチャック１０２に半導体基板４を保持させ、第１シリンダ１０４を作動し、スピンチャック１０２を下降させ液槽３内の現像液２に浸漬する。
【００１６】
次に、図２に示すように、回転モータ１０５を作動し、スピンチャック１０２を回転させ、その遠心力で、現像液２に半導体基板中心４ａ（回転中心）から外周縁４ｂに放射状に流れる渦流を発生させる。この渦流は、半導体基板４全面に生じ、この渦流で溶解したレジスト（図示せず）を半導体基板４の外部に均等に押し流す。ここで、この渦流の流速は、回転モータ１０５の回転数で容易に制御できる。
【００１７】
そして、これとは別に、図３に示すように、第２シリンダ１０７を作動し、噴射ノズル１０６を半導体基板中心４ａ真上に移動させた後、回転する半導体基板４面に向けて噴射ノズル１０６から現像液２の噴射流を吹付ける。ここで、噴射ノズル１０６の先端は、現像液２中に沈む高さとし、噴射流は現像液２中で半導体基板４に吹付けられるようにして、噴射流の衝撃を適度に緩和するとともに外部エアの巻込みが少ないようにする。また、このとき、噴射ノズル１０６に配備した超音波振動子７を作動し、指向性をもった噴射流に超音波振動を付与することで、バイアホールなどの微細な凹部を有するパターンに対しても現像処理が施されるようにする。
【００１８】
次に、この状態で、図４に示すように、第２シリンダ１０７を作動し、噴射ノズル１０６及び噴射位置を半導体基板中心４ａから外周縁４ｂまで平行移動させる。ここで、噴射ノズル１０６及び噴射位置の移動速度及び半導体基板４の回転速度は、噴射位置が、半導体基板４上の噴射流の直径分の距離Ｄだけ移動する間に、少なくとも、半導体基板４が１回転以上するように関連制御する。即ち、噴射流が隈なく半導体基板４全面に吹付けられるようにする。
【００１９】
このようにすると、半導体基板４全面に隈なく、強力でより均一な噴射圧を付与することができる。また、指向性をもった噴射流に超音波振動を付与することでバイアホールのような微細な凹部を有するパターンに対しても、レジスト残りのない現像処理ができる。また、半導体基板４の回転によって生じる渦流で現像処理を促進するとともに、剥離物（図示せず）を半導体基板４上から均等に押し流すことができる。また、半導体基板４を水平に揺動させたりせず、自転させるため、液槽３の面積は比較的小さくて済み、それに伴って、液槽３に収容する現像液２の量も低減できる。
【００２０】
尚、上記では、噴射ノズル１０６にだけ超音波振動子７を配備する構成で説明したが、液槽３にも配備してよいことは言うまでもない。また、噴射ノズル１０６を半導体基板４面に対して、平行移動運動する構成で説明したが、噴射ノズル１０６は半導体基板中心４ａに固定して、噴射角を変化させる構成としてもよい。また、回転モータ１０５は、反転可能として、渦流の渦巻き方向を右回り及び左回りと両方に変えた状態で噴射流を移動させると渦巻き方向による偏りのない現像処理が可能となり好適である。
【００２１】
【発明の効果】
本発明の液処理装置および液処理方法によれば、１本の噴射ノズルで被処理基板全面に隈なく噴射流を吹付けるため強力でより均一な噴射圧を付与することができる。また、微細な部分に対しても、処理液に超音波振動を付与することで液処理を可能とし、指向性をもつ噴射流に超音波振動を付与するとさらに好適である。また、被処理基板の回転によって生じる渦流で液処理を促進するとともに、剥離物を被処理基板上から均等に押し流すことができる。また、被処理基板を水平に揺動させたりせず、自転させるため、液槽の面積は比較的小さくて済み、液処理装置の小型化が可能となり、それに伴って、液槽に収容する処理液の量も低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液処理装置及び液処理方法の一例としてのレジストの現像装置の縦断面図
【図２】本発明の現像装置の使用方法の説明図（渦流の発生を示す。）
【図３】本発明の現像装置の使用方法の説明図（噴射流の発生を示す。）
【図４】本発明の現像装置の使用方法の説明図（噴射流の移動を示す。）
【図５】従来の液処理装置び液処理方法の一例としてのレジストの現像装置の縦断面図
【符号の説明】
１ 従来の現像装置
２ 現像液
３ 液槽
４ 半導体基板
４ａ 半導体基板中心
４ｂ 半導体基板外周縁
５ 従来の噴射ノズル
５ａ 従来のスリット状ノズル
６ 整流板
７ 超音波振動子
８ 液供給口
１０１ 本発明の現像装置
１０２ スピンチャック
１０３ 支持軸
１０４ 第１シリンダ
１０５ 回転モータ
１０６ 本発明の噴射ノズル
１０７ 第２シリンダ
１０８ 速度制御部
１０９ 排液口[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for performing a liquid processing on a substrate to be processed, and more particularly, to a liquid processing such as a developing process, a cleaning process, an etching process, and a peeling process on a substrate to be processed such as a semiconductor substrate or a glass substrate. The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for performing the above.
[0002]
[Prior art]
In general, there are two types of liquid processing apparatuses and methods, a dip type and a shower type. In the dip method, a substrate to be processed is immersed in a processing liquid to generate a circulating flow in the processing liquid, to oscillate the substrate to be processed, or to apply ultrasonic vibration to the processing liquid or the substrate to be processed. Since the processing liquid is constantly supplied to the entire surface of the substrate to be processed, the in-plane uniformity is good, but the processing speed is low.
[0003]
On the other hand, the shower type is a method in which a processing liquid is ejected so as to scan the entire surface of the substrate to be processed from a swinging (or swinging) or moving jet nozzle toward a rotating substrate surface. Alternatively, ultrasonic vibration may be applied to the processing liquid or the substrate to be processed, and the processing speed is faster because the mechanical energy given to the substrate to be processed by the injection pressure is larger than in the dipping type. However, there is a possibility that a separated substance (dissolved substance or removed substance) from the processing target substrate may adhere to the processing target substrate again, or the surface of the processing target substrate may be scratched. For this reason, as a method of complementing the disadvantages of both, there is a method of combining a dip type and a shower type.
[0004]
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a resist developing apparatus as an example of a conventional liquid processing apparatus and liquid processing method. The developing device 1 is of a type combining a dipping type and a shower type, and holds a liquid tank 3 containing a developing solution 2 and a semiconductor substrate 4 coated with a resist (not shown) horizontally and swings horizontally. A swing mechanism (not shown), a spray nozzle 5 for spraying a jet flow of the developing solution 2 onto the surface of the semiconductor substrate 4, and a semiconductor substrate 4 arranged opposite to the surface of the semiconductor substrate 4. A rectifying plate 6 for controlling the flow rate of the developing solution 2 at intervals of, and an ultrasonic vibrator 7 provided on the rectifying plate 6. Here, a flow parallel to the surface of the semiconductor substrate 4 is formed by the developer 2 from the liquid supply port 8 provided in the liquid tank 3, and the flow velocity of the parallel flow is controlled by the rectifying plate 6.
[0005]
In the method of using the developing device 1, the semiconductor substrate 4 is held horizontally, immersed in the developing solution 2 in the liquid tank 3, and swung in the horizontal direction. At this time, development is promoted by exposing to a parallel flow from the liquid supply port 8 controlled by the distance between the rectifying plate 6 and the semiconductor substrate 4. Further, separately from this, the developer 2 is sprayed from the spray nozzle 5 onto the surface of the semiconductor substrate 4. However, the ejection nozzle 5 is fixed, and the ejection flow impinges on the surface of the semiconductor substrate 4 when the horizontally swinging semiconductor substrate 4 passes directly below the ejection nozzle 5. Further, ultrasonic vibration is applied to the developer 2 in the liquid tank 3 by the ultrasonic vibrator 7. Here, in order to apply the jet flow from the jet nozzles 5 to the entire surface of the semiconductor substrate 4, a plurality of jet nozzles 5 may be arranged or a slit nozzle 5 a may be used. (For example, see Patent Document 1).
[0006]
In this case, a development process utilizing the advantages of the dip type and the shower type can be performed. That is, efficient developing processing can be performed with a strong injection pressure, and development processing of details can be performed by applying ultrasonic vibration. Further, in addition to accelerating the developing process by the parallel flow having the controlled flow rate, the peeled material (not shown) can be pushed away from the semiconductor substrate 4.
[0007]
However, even in the developing device 1 in which the efficiency and uniformity of the developing process are considered as described above, for example, a pattern having fine concave portions such as via holes arranged in a large number on the semiconductor substrate 4 can be used. By simply arranging a plurality of injection nozzles 5 or forming a slit, the deviation due to the arrangement of the injection nozzles 5 and the variation of the jet flow within the slit having a fixed width cannot be ignored, and the injection The application of mechanical energy is not sufficient in all respects, and the residual resist failure cannot be completely eliminated. Further, since the semiconductor substrate 4 is swung in the liquid tank 3 in the horizontal direction, the liquid tank 3 itself becomes large, and a relatively large amount of the developer 2 is required.
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-5-62960 (Page 2, paragraph 0018 to page 3, paragraph 0050, FIGS. 2, 4, 5, and 6)
[Problems to be solved by the invention]
[0009]
In the conventional liquid processing apparatus and liquid processing method (type combining a dipping type and a shower type), a substrate to be processed is immersed in a parallel flow having a controlled flow rate and horizontally oscillated. Alternatively, a jet stream is sprayed from a slit-shaped jet nozzle toward the surface of the substrate to be processed, and further, ultrasonic vibration is applied to the processing liquid so that more uniform liquid processing can be performed more efficiently. For patterns with fine recesses such as via holes arranged on a large number of processing substrates, simply arranging a plurality of injection nozzles or making them into a slit shape creates a mechanical It was not enough to provide energy. That is, when a plurality of injection nozzles are arranged, there is a possibility that a region where the injection pressure is not sufficiently applied may occur unless a large number of the injection nozzles are arranged at a narrow pitch. Further, in the case of a slit shape, the opening area is inevitably increased, so that the injection pressure may decrease and the injection amount in the slit may vary. As another problem, since the substrate to be processed is swung in the liquid tank in the horizontal direction, the liquid tank itself becomes large, and a relatively large amount of liquid to be processed is required.
[0010]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus that applies more uniform mechanical energy to the entire surface of a substrate to be processed and makes it possible to reduce the size of the liquid processing apparatus while taking advantage of the advantages of a dip type and a shower type. And a liquid treatment method.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The liquid processing apparatus of the present invention is a liquid tank that stores a processing liquid, a spin chuck that holds a substrate to be processed, a support shaft that is connected to the spin chuck, a lifting drive that moves the support shaft and the spin chuck up and down, A rotary drive unit for rotating the support shaft and the spin chuck, an injection nozzle for spraying an injection flow of the processing liquid toward the substrate surface, and an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the processing liquid or the substrate to be processed And a movement drive unit that moves the ejection position of the ejection nozzle from the center of the substrate to be processed to the outer peripheral edge.
[0012]
In the liquid processing method of the present invention, the substrate to be processed held by the spin chuck is immersed in the processing liquid in the liquid tank and rotated, and while applying ultrasonic vibration to the processing liquid or the substrate to be processed, the substrate is moved away from the center of the substrate to be processed. A liquid processing method is characterized in that a processing liquid is sprayed from a spray nozzle that moves and moves a spray position to a peripheral edge toward a substrate surface to be processed.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a resist developing device as an example of the liquid processing apparatus and the liquid processing method of the present invention. The same parts as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.
[0014]
As shown in FIG. 1, the developing device 101 includes a liquid tank 3 containing a developer 2, a spin chuck 102 for holding a semiconductor substrate 4, a support shaft 103 connected to the spin chuck 102, and a support shaft 103. A first cylinder 104 for moving the spin chuck 102 up and down, a rotary motor 105 for rotating the support shaft 103 and the spin chuck 102, an injection nozzle 106 for blowing an injection flow of the developer 2 toward the surface of the semiconductor substrate 4, An ultrasonic vibrator 7 provided in the injection nozzle 106 to apply ultrasonic vibration to the jet flow; a second cylinder 107 for moving the injection nozzle 106 and the injection position in parallel from the semiconductor substrate center 4a to the outer peripheral edge 4b; Connected to the motor 105 and the second cylinder 107, the rotation speed of the spin chuck 102 and the translation speed of the injection nozzle 106 It is composed of a relevant controllable rate control unit 108. The liquid tank 3 is provided with a drainage port 109, and the overflowing developer 2 is discharged from the drainage port 109, is cleaned by a developer cleaning unit (not shown), and is supplied again to the injection nozzle 106. You.
[0015]
In the method of using the developing device 101, first, the semiconductor substrate 4 is held by the spin chuck 102, the first cylinder 104 is operated, the spin chuck 102 is lowered, and the spin chuck 102 is immersed in the developer 2 in the liquid tank 3.
[0016]
Next, as shown in FIG. 2, the rotating motor 105 is operated to rotate the spin chuck 102, and the centrifugal force causes the developer 2 to flow radially from the semiconductor substrate center 4 a (center of rotation) to the outer peripheral edge 4 b. Generate. This eddy current is generated on the entire surface of the semiconductor substrate 4, and the resist (not shown) dissolved by the eddy current is uniformly pushed out of the semiconductor substrate 4. Here, the flow velocity of the vortex can be easily controlled by the rotation speed of the rotary motor 105.
[0017]
Then, separately from this, as shown in FIG. 3, the second cylinder 107 is operated to move the injection nozzle 106 right above the semiconductor substrate center 4a, and then the injection nozzle 106 is moved toward the rotating semiconductor substrate 4 surface. Is sprayed with a jet of the developer 2. Here, the tip of the injection nozzle 106 has a height that sinks in the developer 2, and the jet is blown to the semiconductor substrate 4 in the developer 2 so that the impact of the jet is moderately reduced and the external air is reduced. So that there is little entanglement. Further, at this time, the ultrasonic vibrator 7 provided in the injection nozzle 106 is operated to apply ultrasonic vibration to the jet flow having directivity, whereby a pattern having fine concave portions such as via holes can be formed. Is also subjected to development processing.
[0018]
Next, in this state, as shown in FIG. 4, the second cylinder 107 is operated to move the ejection nozzle 106 and the ejection position in parallel from the semiconductor substrate center 4a to the outer peripheral edge 4b. Here, the moving speed of the ejection nozzle 106 and the ejection position and the rotation speed of the semiconductor substrate 4 are set such that at least the semiconductor substrate 4 is moved while the ejection position moves by the distance D corresponding to the diameter of the ejection flow on the semiconductor substrate 4. Related control is performed so as to make one or more rotations. That is, the jet flow is sprayed over the entire surface of the semiconductor substrate 4.
[0019]
This makes it possible to apply a powerful and more uniform spray pressure over the entire surface of the semiconductor substrate 4. In addition, by applying ultrasonic vibration to the jet having directivity, a developing process with no remaining resist can be performed even on a pattern having fine concave portions such as via holes. In addition, the vortex generated by the rotation of the semiconductor substrate 4 facilitates the development process, and also allows the separated material (not shown) to be evenly flushed from above the semiconductor substrate 4. Further, since the semiconductor substrate 4 is rotated without rotating horizontally, the area of the liquid tank 3 may be relatively small, and accordingly, the amount of the developer 2 contained in the liquid tank 3 may be reduced.
[0020]
In the above description, the ultrasonic vibrator 7 is provided only in the injection nozzle 106. However, it goes without saying that the ultrasonic vibrator 7 may be provided in the liquid tank 3. Further, although the configuration has been described in which the injection nozzle 106 moves parallel to the surface of the semiconductor substrate 4, the injection nozzle 106 may be fixed to the center 4 a of the semiconductor substrate to change the injection angle. In addition, it is preferable that the rotation motor 105 be reversible so that the developing process can be performed without deviation due to the spiral direction if the jet flow is moved while the spiral direction of the spiral current is changed to both clockwise and counterclockwise.
[0021]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the liquid processing apparatus and the liquid processing method of this invention, since a single jet nozzle sprays a jet flow over the whole surface of a to-be-processed substrate, powerful and more uniform jet pressure can be provided. In addition, it is more preferable to apply ultrasonic vibration to the processing liquid even for a minute portion to enable liquid processing, and to apply ultrasonic vibration to a jet having directivity. In addition, the liquid processing is promoted by the vortex generated by the rotation of the substrate to be processed, and the separated object can be evenly flushed from above the substrate to be processed. Also, since the substrate to be processed is rotated without rotating horizontally, the area of the liquid tank can be relatively small, and the liquid processing apparatus can be downsized. The amount of liquid can also be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a resist developing device as an example of a liquid processing apparatus and a liquid processing method of the present invention. FIG. 2 is an explanatory view of a method of using the developing device of the present invention (showing generation of a vortex).
FIG. 3 is an explanatory view of a method of using the developing device of the present invention (showing generation of a jet flow).
FIG. 4 is an explanatory view of a method of using the developing device of the present invention (showing the movement of the jet flow).
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a resist developing apparatus as an example of a conventional liquid processing apparatus and liquid processing method.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conventional developing device 2 Developing liquid 3 Liquid tank 4 Semiconductor substrate 4a Semiconductor substrate center 4b Semiconductor substrate outer peripheral edge 5 Conventional injection nozzle 5a Conventional slit nozzle 6 Rectifier plate 7 Ultrasonic vibrator 8 Liquid supply port 101 Developing device 102 Spin chuck 103 Support shaft 104 First cylinder 105 Rotary motor 106 Injection nozzle 107 Second cylinder 108 Speed control unit 109 Drain port of the present invention
