JP2003209087A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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Masanobu Sato
Hiroaki Sugimoto
Hirotaka Tsujikawa
和男 中島
雅伸 佐藤
洋昭 杉本
彰夫 橋詰
裕貴 辻川
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Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning apparatus in which a cleaning mist can be prevented from being scattered by the interference of the cleaning mist and cleaning liquid while suppressing obstruction caused by discharging the cleaning mist to a substrate. <P>SOLUTION: A soft spray nozzle 30 for discharging the cleaning mist is vertically oriented and fixed to an arm 21. On the other hand, a rinse nozzle 40 for discharging rinsing deionized water for suppressing the obstruction is vertically fixed to the arm 21 at a prescribed distance from the soft spray nozzle 30. During cleaning, both the nozzles 30 and 40 discharge detergents while keeping a relative layout relation. Therefore, the discharged cleaning mist and rinsing deionized water do not interfere with each other before reaching the wafer W, but the used detergents are entirely horizontally splashed and recovered in a cup 15. Thus, the cleaning mist is prevented from scattering and adhering to the periphery. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、回転基台上に保持された半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を略水平面内にて回転させつつ所定の処理を施す基板処理装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate held on the rotary base, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk or the like ( hereinafter simply relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing while rotating at a designated) to a substantially horizontal plane "substrate". 【0002】 【従来の技術】一般に、上記基板の製造プロセスにおいては基板の表面をきわめて高い清浄度に保つ必要があるために、製造プロセスにおける種々の工程ごとに、基板面に付着している微粒子(パーティクル)を除去する等の洗浄処理がなされている。 [0002] In general, in order in the manufacturing process of the substrate which is necessary to maintain a very high cleanliness of the surface of the substrate, for each different steps in the production process, fine particles adhering to the substrate surface cleaning process such as the removal of (particles) have been made. 【0003】このような洗浄処理の一方式として、二流体ノズルを用いて洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式が知られている。 As one method of such a cleaning process, it is known cleaning method for ejecting cleaning mist atomized by mixing the cleaning liquid with pressurized gas by using a two-fluid nozzle to substrate there. 【0004】この洗浄方式は、基板に直接的に接触することはないため、パターンなどの物理的な損傷を発生させることなく基板を洗浄することが可能である。 [0004] The cleaning method, since does not directly contact the substrate, it is possible to clean the substrate without causing physical damage such as a pattern. また、 Also,
気体の流量を調節することにより、洗浄ミストの吐出速度を比較的大きな可変幅(30m/sから音速程度まで)でコントロールすることができるため、吐出速度をコントロールすることにより対象基板に応じた洗浄を行うことが可能である。 By adjusting the flow rate of the gas, it is possible to control the discharge rate of the cleaning mist with relatively large variable width (from 30 m / s to about sonic velocity), washed according to the target substrate by controlling the discharge rate it is possible to perform. 【0005】例えば、洗浄ミストの吐出速度を音速程度まであげてやれば、酸やアルカリなどを洗浄液として使用せずとも純水のみを洗浄液として使用するだけで十分な洗浄効果を得ることができ、逆に、吐出速度を比較的低下させてやれば、対象基板に与えるダメージを比較的小さくすることができる。 [0005] For example, it does it by increasing the discharge rate of the cleaning mist to about sonic velocity, only pure water without using an acid or alkali as a cleaning liquid can be obtained only by sufficient cleaning effect for use as a cleaning solution, Conversely, do it relatively reduces the discharge velocity, it is possible to relatively reduce the damage to the target substrate. 【0006】 【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば対象基板の表面が疎水性である場合に上記洗浄方式による洗浄を施すと、ウォーターマーク状の欠陥が発生し、却って異物を増加させてしまうことが判明した。 [0006] [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, for example, the surface of the target substrate is subjected to cleaning by the cleaning system if it is hydrophobic, generated water mark-like defects, thereby rather increasing the foreign object it was found that the put away. この欠陥は、回転による遠心力が比較的大きくなる基板の周縁部となるほど多数発生する。 This defect generates many more the peripheral portion of the substrate where the centrifugal force is relatively large due to the rotation. 【0007】この原因につき発明者が鋭意研究したところ、洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗浄ミストを基板に吐出する洗浄方式においては、基板上に着液した洗浄ミストが跳ね返り、再度基板上に付着し、この洗浄方式における洗浄液の流量も少ないことも一つの要因となってそのまま乾燥してしまうことにより、ウォーターマーク状の欠陥が発生することをつきとめた。 [0007] cleaning mist in the cleaning method of discharging where inventors per this cause has intensively studied, the cleaning mist by mixing the cleaning liquid with pressurized gas and atomized on the substrate, which is Chakueki on a substrate is rebound, deposited on the substrate again, by dries as it is one of the factors may flow even less of the cleaning liquid in the cleaning method, it has found that the watermark-like defects are generated. 【0008】そして、このウォーターマーク状の欠陥は、二流体ノズルから純水ミストを供給する場合に限られず、ポリマー等の反応生成物の除去で使用される除去液や、基板洗浄において使用されるフッ酸等の酸性溶液や、アンモニア水と過酸化水素水との混合液等のアルカリ性溶液を、洗浄液として二流体ノズルから基板に対して供給する場合も同様に発生する。 [0008] Then, the defect of the watermark shape is used from the two-fluid nozzle is not limited to the case of supplying pure water mist, removing liquid or to be used in the removal of reaction products, such as polymers, in the substrate cleaning and an acidic solution such as hydrofluoric acid, an alkaline solution such as a mixture of aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide, is also similarly occurs when supplying to the substrate from the two-fluid nozzle as the cleaning liquid. 【0009】本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、洗浄ミストを基板に吐出する洗浄方式において、 [0009] The present invention has been made in view of the above, in the cleaning method of discharging the cleaning mist into the substrate,
ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止できる基板洗浄装置を提供することを目的とする。 And to provide a substrate cleaning apparatus capable of preventing water mark-like defects are generated. 【0010】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、 [0010] Means for Solving the Problems] To solve the above problems,
請求項1に記載の発明は、回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板処理装置であって、第1の洗浄液を前記基板上に吐出して、前記基板上に液膜を形成する第1の吐出手段と、移動されつつ、前記液膜が形成された前記基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を備えることを特徴とする。 Invention of claim 1, a substrate processing apparatus for cleaning while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, by discharging the first cleaning liquid on the substrate, wherein a first discharge means for forming a liquid film on the substrate while being moved, cleaning the liquid film on the substrate formed, are formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas characterized in that it comprises a second discharge means for discharging the mist, the. 【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記第1の吐出手段は、基板上の所定の領域に第1の洗浄液の液膜が形成されるように移動され、前記第2の吐出手段は、前記洗浄ミストの前記基板上の着液地点が前記基板の回転中心を通るように移動されるものであって、前記第1および第2の吐出手段は、前記第1の洗浄液と前記洗浄ミストとが前記基板上に着液する以前に干渉することがないように移動されることを特徴とする。 [0011] According to a second aspect of the invention, the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first discharge means, such that the first cleaning liquid of the liquid film is formed in a predetermined region on the substrate is moved to said second discharge means, be those Chakueki point on the substrate of the cleaning mist is moved so as to pass through the rotational center of the substrate, said first and second ejection means It is characterized in that the first and the cleaning liquid and the cleaning mist is moved so as not to interfere prior to Chakueki on the substrate. 【0012】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置において、前記第1および第2の吐出手段は、それぞれからの前記基板上の着液地点が所定以上の距離を保持するように移動されることを特徴とする。 [0012] According to a third aspect of the invention, the substrate processing apparatus according to claim 2, said first and second discharge means, said distance Chakueki point on the substrate is equal to or greater than a predetermined from each characterized in that it is moved to hold. 【0013】請求項4に記載の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1の吐出手段は、前記第1の洗浄液を略鉛直方向に吐出することを特徴とする。 [0013] According to a fourth aspect of the invention, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the first discharge means discharges substantially in the vertical direction the first cleaning solution it is characterized in. 【0014】請求項5に記載の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記洗浄ミストおよび前記第1の洗浄液が前記基板に着液する以前に接触することを防止する遮蔽手段、をさらに備えることを特徴とする。 [0014] The invention according to claim 5, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, in contact before the cleaning mist, and the first cleaning liquid Chakueki the substrate and further comprising a shielding means for preventing. 【0015】請求項6に記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1および第2の吐出手段の双方を一体的に移動させる移動手段、をさらに備え、前記第1および第2の吐出手段のそれぞれは、前記移動手段によりそれぞれからの前記基板上の着液地点が所定の距離を保持するように移動されることを特徴とする。 [0015] The invention according to claim 6, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, moving means for moving both of said first and second ejection means integrally, further comprising a, each of the first and second discharge means, Chakueki point on said substrate from each, characterized in that it is moved so as to maintain a predetermined distance by the moving means. 【0016】請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置において、前記移動手段は、前記第2の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するように、前記第1および第2の吐出手段の双方を回動させるものであって、前記移動手段によって回動される前記第1および第2の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、かつ、前記第2の吐出手段が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記第1の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するように、前記第1および第2の吐出手段が配置されることを特徴とする。 [0016] The invention according to claim 7, in the substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the moving means, between the second discharge means at least the peripheral portion of the rotation center to the substrate of the substrate the to pivot, each rotation locus of the first and both the second discharge means be one rotates, the first and second discharge means is rotated by said moving means There will arc on substantially the same circumference, and relatively the first discharge means is positioned at the rotation center side of the substrate when the second discharge means are located at the periphery of the substrate as, wherein the first and second discharge means are arranged. 【0017】請求項8に記載の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1の洗浄液は、機能水であることを特徴とする。 [0017] The invention according to claim 8, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the first cleaning liquid, characterized in that it is a functional water. 【0018】請求項9に記載の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1の洗浄液は、純水であることを特徴とする。 The invention described in claim 9, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the first cleaning liquid, characterized in that it is a pure water. 【0019】請求項10に記載の発明は、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 [0019] The invention according to claim 10, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9,
前記第2の洗浄液は、酸性溶液であることを特徴とする。 The second cleaning solution is characterized in that it is an acidic solution. 【0020】請求項11に記載の発明は、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 [0020] The invention according to claim 11, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9,
前記第2の洗浄液は、アルカリ性溶液であることを特徴とする。 The second cleaning solution is characterized by an alkaline solution. 【0021】請求項12に記載の発明は、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 [0021] The invention according to claim 12, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9,
前記第2の洗浄液は、前記基板に付着した反応生成物を除去する除去液であることを特徴とする。 The second cleaning solution is characterized by a removal liquid for removing the reaction product adhered to the substrate. 【0022】請求項13に記載の発明は、請求項1ないし請求項12のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1の洗浄液と前記第2の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする。 [0022] The invention according to claim 13, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12, said the first cleaning liquid and the second cleaning liquid of the same cleaning solution and features. 【0023】請求項14に記載の発明は、回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板洗浄装置において、第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に液膜を形成する第1の吐出手段と、 [0023] The invention according to claim 14, in the substrate cleaning apparatus for cleaning while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, said ejecting first cleaning liquid on the substrate a first discharge means for forming a liquid film on a substrate,
前記液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、前記第1および第2の吐出手段が所定の間隔を隔てて先端に固設されたアームと、前記第1 On the substrate on which the liquid film is formed, the second cleaning liquid and the second discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a pressurized gas, said first and second ejection means an arm but which is fixed to the tip at a prescribed interval, said first
および第2の吐出手段の双方が前記基板の回転中心を通るように前記アームを回動させる回動手段と、を備えることを特徴とする。 And both the second discharge means, characterized in that it comprises a rotating means for rotating the arm so as to pass through the rotational center of the substrate. 【0024】請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の基板洗浄装置において、前記回動手段は、前記第2の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するように、前記アームを回動させるものであって、前記回動手段によって回動される前記第1および第2の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、かつ、前記第2の吐出手段が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記第1の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するように、前記第1および第2の吐出手段が配置されることを特徴とする。 [0024] The invention according to claim 15, in the substrate cleaning apparatus according to claim 14, wherein the rotating means, the peripheral portion of the rotation center to the substrate of the second discharge means of at least the substrate during so as to rotate and be those rotating the arm, each of the rotation locus of the first and second discharge means being rotated by said rotating means on substantially the same circumference It becomes an arc, and, as relative said first discharge means is positioned at the rotation center side of the substrate when the second discharge means are located at the periphery of the substrate, the first and second discharge means, characterized in that it is arranged. 【0025】請求項16に記載の発明は、請求項14または請求項15に記載の基板洗浄装置において、前記第1の洗浄液は、純水であり、前記第2の洗浄液は、純水であることを特徴とする。 [0025] The invention according to claim 16, in the substrate cleaning apparatus according to claim 14 or claim 15, wherein the first cleaning solution is pure water, the second cleaning solution is a deionized water it is characterized in. 【0026】請求項17に記載の発明は、回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、前記基板に第1の洗浄液と第2の洗浄液とを吐出して前記基板に付着した反応生成物を除去する第1の洗浄液供給手段と、前記基板に第3の洗浄液と第4の洗浄液とを吐出して前記基板を洗浄する第2の洗浄液供給手段と、を備え,前記第1の洗浄液供給手段は、前記第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第1の洗浄液の液膜を形成する第1の吐出手段と、前記第1の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を有し、前記第2の洗浄手段は、前記第3の洗浄液 [0026] The invention according to claim 17, while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, the substrate by discharging the first cleaning liquid supply means for removing the reaction product by discharging the first cleaning liquid and the second cleaning liquid attached to the substrate, and a third washing solution and the fourth washing solution to said substrate and a second cleaning liquid supply means for cleaning the substrate, the first cleaning liquid supply means, said first cleaning liquid on the substrate by ejecting onto the substrate a first cleaning liquid of the liquid film a first discharge means for forming a first ejecting the the first cleaning liquid of the liquid film is formed on the substrate, the cleaning mist is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas It has a second discharge means, wherein the second cleaning means, the third washing solution を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第3の洗浄液の液膜を形成する第3の吐出手段と、前記第3の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第4の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第4の吐出手段と、を有することを特徴とする。 Said third discharge means for discharging onto the substrate to form the third cleaning liquid of the liquid film on the substrate, the third washing solution of the liquid film is formed on a substrate, a fourth washing solution and having the fourth discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a pressurized gas, a. 【0027】請求項18に記載の発明は、請求項17に記載の基板処理装置において、前記第1の洗浄液と前記第2の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする。 [0027] The invention according to claim 18, in the substrate processing apparatus according to claim 17, characterized in that said first cleaning liquid and the second cleaning liquid are the same cleaning solution. 【0028】請求項19に記載の発明は、請求項17または請求項18に記載の基板処理装置において、前記第3の洗浄液と前記第4の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする。 [0028] The invention according to claim 19, in the substrate processing apparatus according to claim 17 or claim 18, characterized in that said the third washing solution and the fourth washing solution of the same cleaning solution . 【0029】請求項20に記載の発明は、請求項17ないし請求項19のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1の洗浄液は、ポリマー除去液であり、前記第3の洗浄液は、純水であることを特徴とする。 [0029] The invention according to claim 20, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 17 through claim 19, wherein the first cleaning solution is a polymer removal liquid, the third cleaning fluid, characterized in that it is a pure water. 【0030】請求項21に記載の発明は、回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、前記基板に第1の洗浄液を吐出して前記基板に付着した反応生成物を除去する第1の吐出手段と、前記基板に第2の洗浄液と第3の洗浄液とを吐出して前記基板を洗浄する洗浄液供給手段と、を備え,前記洗浄液供給手段は、前記第2の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第2の洗浄液の液膜を形成する第2の吐出手段と、前記第2の洗浄液の液膜が形成された基板上に、 [0030] The invention according to claim 21, while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, the substrate a first discharge means for removing the reaction product by discharging the first cleaning solution adhering to the substrate, the cleaning liquid supply for cleaning the substrate by discharging a second washing solution and a third cleaning liquid to the substrate and means, wherein the cleaning liquid supply means includes a second outlet means forming a second cleaning liquid of the liquid film on the substrate by discharging the second cleaning solution onto the substrate, the second on a substrate on which the cleaning liquid of the liquid film is formed,
第3の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第3の吐出手段と、を有することを特徴とする。 A third discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing the third washing solution and the pressurized gas, to have a characterized. 【0031】請求項22に記載の発明は、回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、前記基板に第1の洗浄液と第2の洗浄液とを吐出し、前記第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第1の洗浄液の液膜を形成する第1の吐出手段と、前記第1の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を有して前記基板に付着した有機物を除去する洗浄液供給手段と、前記基板に第3の洗浄液を吐出して前記基板を洗浄する第3 [0031] The invention according to claim 22, while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, the substrate discharging the first cleaning liquid and the second cleaning liquid, and a first discharge means for forming the first cleaning liquid of the liquid film on the substrate by discharging the first cleaning liquid on the substrate, wherein on a substrate on which the first cleaning liquid of the liquid film is formed, having a second outlet means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas, the a cleaning liquid supply means for removing an organic matter attached to the substrate, a third cleaning the substrate by discharging the third cleaning liquid to the substrate
の吐出手段と、を備えることを特徴する。 To characterized in that it comprises a discharge means, a. 【0032】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。 [0032] PREFERRED EMBODIMENTS The following describes embodiments of the present invention with reference to accompanying drawings. 【0033】<1. [0033] <1. 第1の実施の形態>図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す図である。 Embodiment> Figure 1 of the first embodiment is a view showing an outline of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention. 基板洗浄装置200は、二流体ノズルを用いて洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式によって、基板を洗浄する枚葉式の基板洗浄装置である。 The substrate cleaning apparatus 200, the cleaning method of cleaning mist for ejecting a substrate by mixing the cleaning liquid with pressurized gas and atomized using a two-fluid nozzle, a substrate of single wafer cleaning a substrate a cleaning apparatus. また、基板洗浄装置200は、上述したウォーターマーク状の欠陥の発生を抑制するために、洗浄ミストが吐出される基板表面を覆う洗浄液として純水(以下、「リンス純水」ともいう。)を吐出するようになっている。 The substrate cleaning apparatus 200, in order to suppress the occurrence of watermarks like defects described above, pure water (hereinafter, also referred to as "rinsing pure water".) As the cleaning liquid covering the substrate surface cleaning mist is ejected It is adapted to discharge. なお、本明細書において、洗浄液とは、純水、フッ酸等の酸性溶液、 In the present specification, the cleaning liquid, pure water, an acidic solution such as hydrofluoric acid,
SC1(アンモニア水と過酸化水素水との混合液)等のアルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を溶解させた機能水、および、基板に付着したポリマー等の反応生成物を除去する有機アミン系除去液やフッ化アンモン系除去液等など、基板表面の浄化に用いられる液体一般を意味する。 SC1 (ammonia water and mixed solution of hydrogen peroxide) an alkaline solution, functional water in the pure water was dissolved ozone or hydrogen, and the like, and an organic amine to remove the reaction products such as polymer attached to the substrate such as removal solution or ammonium fluoride-based remover, etc., it means a liquid commonly used for cleaning of the substrate surface. また、以下において、基板に対して吐出される洗浄ミストおよびリンス純水を総称する場合は「処理液」と称することとする。 In the following, the case of collectively cleaning mist and rinsing pure water is ejected to the substrate is referred to as "treatment liquid". 【0034】図に示すように、スピンベース100の上面には、複数のチャックピン101が立設されている。 As shown in the figure, on the upper surface of the spin base 100, a plurality of chuck pins 101 are erected.
複数のチャックピン101のそれぞれが基板Wの周縁部を支持することによって、その基板Wをスピンベース1 By each of the plurality of chuck pins 101 for supporting the peripheral portion of the substrate W, the spin base 1 and the substrate W
00から所定間隔を隔てた水平姿勢にて保持する。 00 held in a horizontal position in which at a predetermined distance from. 【0035】スピンベース100の中心部下面側には回転軸110が垂設されている。 [0035] The central portion lower surface of the spin base 100 rotating shaft 110 is vertically. 回転軸110は、図外の回転駆動機構によって回転自在とされている。 Rotary shaft 110 is rotatable by an unillustrated rotary drive mechanism. 回転軸1 The rotary shaft 1
10が回転されることにより、スピンベース100およびそれに保持された基板Wも水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として回転される。 By 10 is rotated, the spin base 100 and the substrate W held thereby also rotated about an axis along the vertical direction in a horizontal plane. また、スピンベース1 In addition, the spin base 1
00およびそれに保持された基板Wの周囲を取り囲むようにカップ103が配置されている。 00 and the cup 103 so as to surround the substrate W held thereby are arranged. 【0036】ソフトスプレーノズル30は、図外の窒素ガス供給源および純水供給源からそれぞれ供給される窒素ガス(N2)および純水を混合することにより洗浄ミストを形成し基板Wに対して吐出する二流体ノズルである。 The soft spray nozzle 30, the discharge on the formation and the substrate W cleaned mist by mixing nitrogen gas (N2) and pure water is supplied from an unillustrated nitrogen gas supply source and pure water supply source a two-fluid nozzle for. 【0037】図2は、ソフトスプレーノズル30の断面概略図である。 [0037] FIG. 2 is a cross-sectional schematic view of a soft spray nozzles 30. 図に示すように、ソフトスプレーノズル30は純水Sが供給される洗浄液導入管32内に、窒素ガスGが供給されるガス導入管33が挿入された二重管構造となっている。 As shown, the soft spray nozzle 30 into the cleaning liquid introduction pipe 32 that pure water S is supplied, the gas introduction pipe 33 that nitrogen gas G is supplied is in the inserted double tube structure. また、洗浄液導入管32内のガス導入管33端部より下流側は、窒素ガスGと純水Sとが混合される混合部34となっている。 The downstream side of the gas introduction pipe 33 ends in the cleaning liquid introduction pipe 32 has a mixing portion 34 and the nitrogen gas G and pure water S is mixed. 【0038】洗浄ミストMは、加圧された窒素ガスGと純水Sとが混合部34において混合されることにより形成される。 The cleaning mist M is formed by the nitrogen gas G and pure water S pressurized is mixed in the mixing section 34. 形成された洗浄ミストMは、混合部34の下流側の加速管35によって加速され、吐出孔31から吐出される。 Washing the mist M which are formed are accelerated by the acceleration tube 35 downstream of the mixing unit 34, it is discharged from the discharge holes 31. 【0039】ソフトスプレーノズル30の周囲には、洗浄ミストの拡散を防止するための遮蔽板113が設けられている。 [0039] Around the soft spray nozzle 30, the shield plate 113 for preventing the diffusion of the cleaning mist is provided. ソフトスプレーノズル30は、図示を省略する揺動アームに固設されており、揺動アームによって基板の回転中心と周縁部との間を揺動される。 Soft spray nozzle 30 is fixed to the swing arm not shown, is swung between a rotation center and the peripheral portion of the substrate by the swinging arm. 基板Wは回転しているため、洗浄ミストは基板Wの全体に対して吐出されることとなる。 Since the substrate W is rotating, cleaning mist and thus to be discharged onto the whole of the substrate W. 【0040】一方、リンスノズル112は、基板Wの表面を覆うように基板Wに対して純水を吐出するものである。 On the other hand, the rinse nozzle 112 is for discharging the pure water to the substrate W so as to cover the surface of the substrate W. リンスノズル112は、図示を省略する支持アームによってその吐出孔を基板の回転中心に向けた傾斜姿勢で支持される。 Rinse nozzle 112 is supported and the discharge hole in an inclined position towards the center of rotation of the substrate by the omitted support arm shown. 基板の回転中心へ向けて吐出された純水は着液後、回転の遠心力により基板の周縁部側へ拡がるため、基板Wの表面全体は純水で覆われる。 Pure water discharged toward the rotational center of the substrate Chakuekigo, since spreads to the periphery of the substrate by the centrifugal force of the rotation, the entire surface of the substrate W is covered with pure water. 【0041】これにより、洗浄ミストは純水で覆われた、即ち純水の液膜が形成された基板Wの表面上に吐出されることとなり、基板上で跳ね返った洗浄ミストが基板上に直接再付着して乾燥することが防止され、上記のウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されることとなる。 [0041] Thus, the cleaning mist is covered with pure water, i.e. pure water liquid film becomes the is discharged on the surface of the substrate W that is formed, the cleaning mist is directly on the substrate bouncing off on a substrate It is prevented from being dried and re-attached, so that the occurrence of the above watermark-like defects is suppressed. 【0042】<2. [0042] <2. 第2の実施の形態>次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板洗浄装置について、図3に基づき説明する。 Second Embodiment> Next, the substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. なお、第1の実施の形態の基板洗浄装置200と同様の構成部分については、同一の符号を付している。 Incidentally, the same components as the substrate cleaning apparatus 200 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. 【0043】図に示すように、基板洗浄装置1は、主として基板Wを洗浄する基板洗浄部50と、基板洗浄部5 As shown in FIG., The substrate cleaning apparatus 1 includes a substrate cleaning unit 50 mainly for cleaning the the substrate W, the substrate cleaning unit 5
0に対して不活性ガスである窒素ガス(N2)および洗浄液となる純水を供給する処理液供給部60と、基板洗浄装置1全体を制御するコントローラ70とを備えている。 Nitrogen gas (N2) and the processing solution supplying section 60 for supplying pure water as a cleaning liquid is an inert gas with respect to 0, and a controller 70 for controlling the entire substrate cleaning apparatus 1. 【0044】基板洗浄部50は、主として基板Wを保持して回転させる基板回転機構10と、基板回転機構10 The substrate cleaning unit 50 includes a substrate rotating mechanism 10 for rotating primarily hold the substrate W, the substrate rotating mechanism 10
に保持された基板Wに対して処理液を吐出する処理液吐出機構20とから構成される。 Composed of the treatment liquid ejection mechanism 20 for ejecting the processing liquid to the substrate W held on. 基板回転機構10は、基板Wを保持するスピンベース11と、スピンベース11 Substrate rotating mechanism 10 includes a spin base 11 for holding the the substrate W, the spin base 11
上に設けられた複数のチャックピン12と、スピンベース11を回転させる回転モータ14と、スピンベース1 A plurality of chuck pins 12 provided above the rotating motor 14 for rotating the spin base 11, the spin base 1
1に保持された基板Wの周囲を取り囲むカップ15とを備えている。 And a cup 15 surrounding the periphery of the substrate W held by the 1. 【0045】スピンベース11は円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Wの周縁部を把持する複数のチャックピン12が立設されている。 The spin base 11 is a disc-shaped member, a plurality of chuck pins 12, each on its upper surface to grip the peripheral edge of the circular substrate W is erected. チャックピン12は円形の基板Wを確実に保持するために3 Chuck pin 12 is 3 to securely hold the circular substrate W
個以上設けてあればよい。 Number it is sufficient to provide more. なお、図1では図示の便宜上、2個のチャックピン12のみを示している。 For convenience of illustration in FIG. 1 shows only two chuck pins 12. 【0046】チャックピン12のそれぞれは、基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する押圧状態と、基板Wの外周端面への圧力を開放する開放状態との間で切り替え可能である。 [0046] Each of the chuck pins 12, is switchable between a pressing state holding the substrate W presses the outer peripheral edge surface of the substrate W, and an open state for releasing the pressure on the outer peripheral edge surface of the substrate W. スピンベース11に未洗浄の基板Wが渡されるとき、および、スピンベース11から洗浄済の基板Wが取り出されるときには、チャックピン12は開放状態とされる。 When the substrate W unwashed the spin base 11 is passed, and, when the substrate W cleaned from the spin base 11 is taken out, the chuck pin 12 is opened. 一方、基板Wに対して洗浄処理が行われるときにはチャックピン12は押圧状態とされる。 On the other hand, the chuck pins 12 when the cleaning process on the substrate W is performed are pressed state. チャックピン12が押圧状態とされることにより、複数のチャックピン12が基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース11から所定間隔を隔てた水平姿勢にて保持する。 By chuck pins 12 are pressed state, the plurality of chuck pins 12 are held in a horizontal position in which at a predetermined distance from the spin base 11 and the substrate W by gripping the periphery of the substrate W. 【0047】スピンベース11の中心部下面側には回転軸13が垂設され、回転軸13の下部には回転モータ1 [0047] The central portion lower surface of the spin base 11 is vertically rotating shaft 13, the lower portion of the rotary shaft 13 rotates the motor 1
4が連結されている。 4 is connected. 回転モータ14が駆動すると、その駆動力は回転軸13に伝達され、回転軸13、スピンベース11とともにそれに保持された基板Wが水平面内にて鉛直方向に沿った軸J1を中心として回転される。 When the rotation motor 14 is driven, its driving force is transmitted to the rotating shaft 13, rotation shaft 13, the substrate W held thereby together with the spin base 11 is rotated about the axis J1 along the vertical direction in a horizontal plane .
なお以下、この軸J1は「基板Wの回転中心」J1とも称する。 Note below, this axis J1 is referred to as J1 "rotation center of the substrate W '. 【0048】カップ15は、基板Wの洗浄に使用された処理液を受け止め、図外の排出口へと案内するものである。 The cup 15 is received the processing liquid used in the cleaning of the substrate W, is intended to guide to an unillustrated outlet. カップ15は図示を省略するカップ搬送機構と連結され、スピンベース11に対して昇降自在とされている。 Cup 15 is connected to the cup conveying mechanism not shown, there is a vertically movable with respect to the spin base 11. 基板Wに対して洗浄処理が行われるときには、カップ15は基板Wの回転によって略水平方向に飛び出す処理液を受け止められるように、カップ15の上端が基板Wの表面よりも上となるように配置される。 When cleaning the substrate W is performed, the cup 15 as can be received a treatment liquid fly out in a substantially horizontal direction by the rotation of the substrate W, positioned as the upper end of the cup 15 is above the surface of the substrate W It is. 【0049】処理液吐出機構20は、主として、純水と窒素ガスとを混合して霧状の洗浄ミストを形成し該洗浄ミストを基板Wに対して吐出するソフトスプレーノズル30と、洗浄ミストが吐出される基板Wの表面を覆うようにリンス純水を吐出するリンスノズル40と、ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40を保持するアーム21と、アーム21を回動させる回動モータ25 The treatment liquid ejection mechanism 20 mainly includes a by mixing the pure water and nitrogen gas to form a mist of the cleaning mist soft spray nozzles 30 for ejecting the cleaning mist against the substrate W, the cleaning mist a rinse nozzle 40 for discharging the rinsing pure water so as to cover the surface of the substrate W to be discharged, the arm 21 for holding the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, rotation motor 25 for rotating the arm 21
とを備えている。 It is equipped with a door. 【0050】アーム21の先端部22にはソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40が固設されており、基端部23には回動軸24が垂設される。 [0050] The distal end 22 of the arm 21 are fixed soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, the rotation shaft 24 is vertically provided on the base end portion 23. この回動軸24の下部には回動モータ25が連結されている。 Rotation motor 25 is coupled to the lower portion of the rotation shaft 24. アーム21はその長手方向が水平方向に沿うように基板W Arm 21 substrate W so that its longitudinal direction is along the horizontal direction
の表面上方に配置されており、回動モータ25が駆動すると、その駆動力は回動軸24を介してアーム21に伝達され、アーム21が水平面内にて鉛直方向に沿った軸J2を中心として回動される。 Center is disposed above the surface, the rotation motor 25 is driven, its driving force is transmitted to the arm 21 via a pivot shaft 24, the axis J2 of the arm 21 along the vertical direction in a horizontal plane of It is rotated as. このアーム21の回動動作により、ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40も、基板Wの表面上方を水平面内にて軸J2を中心として回動される。 The rotation of the arm 21, the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 is also rotated over the surface of the substrate W about the axis J2 in a horizontal plane. なお以下、この軸J2を「アーム21の回動中心」J2とも称する。 Note below, the shaft J2 is also referred to as J2 "center of rotation of the arm 21 '. 【0051】リンスノズル40は、開閉制御される制御弁65を介して処理液供給部60の純水供給装置62と接続され、該純水供給装置62から純水が供給される。 The rinse nozzle 40 through a control valve 65 which is opened and closed controlled is connected to a pure water supply device 62 of the processing liquid supply unit 60, pure water is supplied from the pure water supply device 62.
したがって、基板Wを回転させつつ、制御弁65を開放すると、リンスノズル40から基板Wに向けて吐出されて基板Wに着液した除去液は、回転の遠心力によって基板Wの周縁部方向に広がり、基板Wの表面の一部の領域を覆う純水の液膜を形成する。 Thus, while rotating the substrate W, when opening the control valve 65, removing solution was Chakueki the substrate W is discharged toward the rinse nozzle 40 to the substrate W, the peripheral edge direction of the substrate W by centrifugal force of rotation spread, forming a pure water liquid film covering a portion of the region of the surface of the substrate W. 一方、ソフトスプレーノズル30は、開閉制御される制御弁66を介して純水供給装置62と接続され、開閉制御される制御弁64と圧力調整器63とを介して気体供給装置61と接続される。 On the other hand, soft spray nozzle 30 is connected to a pure water supply device 62 via a control valve 66 which is opened and closed controlled, is connected to the gas supply apparatus 61 via the control valve 64 and pressure regulator 63 which is opened and closed controlled that. 圧力調整器63は、窒素ガスの加圧や減圧などの圧力調整を行うものである。 Pressure regulator 63 is for performing pressure adjustment such as pressurization and pressure reduction of the nitrogen gas. これにより、ソフトスプレーノズル30には、処理液供給部60の純水供給装置62 Thus, the soft spray nozzle 30, the pure water supply system of the processing solution supplying section 60 62
から純水が供給され、気体供給装置61から圧力調整された窒素ガスが供給される。 Pure water is supplied, nitrogen gas pressure regulator from the gas supply unit 61 is supplied. 【0052】なお、ソフトスプレーノズル30の構成に関しては、第1の実施の形態に係るものと同様であり、 [0052] Regarding the configuration of the soft spray nozzles 30 are the same as those according to the first embodiment,
図2の断面概略図に示された構成を備えている。 And a configuration shown in the cross-sectional schematic view of FIG. 【0053】コントローラ70はマイクロコンピュータを備えて構成され、基板洗浄装置1の各処理部の動作を統括的に制御する。 [0053] The controller 70 is configured to include a microcomputer, generally controls the operation of each processing unit of the substrate cleaning apparatus 1. コントローラ70が行う動作制御には、上述した回転モータ14の回転制御、回動モータ2 The operation control by the controller 70 performs rotation control of the rotary motor 14 described above, rotation motor 2
5の回動制御、制御弁64〜66の開閉制御および圧力調整器63の圧力調整制御等が含まれる。 5 of rotating control includes a pressure regulation control of the opening and closing control and the pressure regulator 63 of the control valve 64 to 66. 【0054】次に、アーム21の先端部22に固設されるソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40の配置関係について説明する。 Next, explaining the arrangement relationship between the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 is fixed to the distal end 22 of the arm 21. 図4はアーム21の先端部22を正面から見た一部切欠図であり、図5は先端部2 Figure 4 is a partially cut view of the distal end portion 22 of the arm 21 from the front, Figure 5 is the distal end portion 2
2を上側から見た図である。 Is a view of 2 from above. 図4は、図5においてy方向から見た場合の図に相当し、図5は図4においてz方向から見た場合の図に相当する。 Figure 4 corresponds to figure when viewed from the y direction in FIG. 5, FIG. 5 corresponds to figure when viewed from the z direction in FIG. 4. なお、アーム21の回動中心J2は図5において−y方向に位置する。 Incidentally, the rotation center J2 of the arm 21 is located in the -y direction in FIG. 【0055】これらの図に示すように、アーム21の先端部22には、ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40とともに、上下貫通した筒型形状を有する遮蔽板26が設けられている。 [0055] As shown in these figures, the distal end portion 22 of the arm 21, together with the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, the shield plate 26 having a vertically penetrating cylindrical shape is provided. さらに、ソフトスプレーノズル30、リンスノズル40および遮蔽板26の相対的な配置関係を固定する固定部材27が設けられている。 Furthermore, the soft spray nozzle 30, the fixed member 27 is provided to fix the relative positional relationship between the rinse nozzle 40 and the shield plate 26.
固定部材27はアーム21に対して固設されており、これにより、ソフトスプレーノズル30、リンスノズル4 Fixing member 27 is fixedly provided to the arm 21, thereby, the soft spray nozzle 30, the rinse nozzle 4
0および遮蔽板26は相対的な配置関係を保持するようにアーム21に対して固設されることとなる。 0 and the shielding plate 26 becomes to be fixedly provided to the arm 21 so as to hold the relative positional relationship. 【0056】遮蔽板26は、ソフトスプレーノズル30 [0056] The shielding plate 26, the soft spray nozzle 30
の周囲を取り囲み、遮蔽板26の下端はソフトスプレーノズル30の吐出孔31よりも下になるように配置される。 Surrounding the periphery of the lower end of the shielding plate 26 are arranged to be below the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30. また、リンスノズル40は遮蔽板26の筒外側に配置され、ソフトスプレーノズル30とリンスノズル40 Further, the rinse nozzle 40 is disposed in the cylindrical outer side of the shielding plate 26, a soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40
とは遮蔽板26により隔てられた状態となる。 A state separated by the shielding plate 26 and. これにより、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31から吐出される洗浄ミストが周囲へ拡散することを防止することができる。 Thus, it is possible to prevent the cleaning mist is discharged from the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30 is diffused to the surroundings. さらに、ソフトスプレーノズル30の吐出孔3 Moreover, the discharge hole 3 of the soft spray nozzles 30
1から吐出されて落下する洗浄ミストが、リンスノズル40から吐出されて基板Wに到達するまでの純水の経路P1(図4参照)上に衝突して干渉することを防止することができる。 Cleaning mist falling discharged from 1, can be discharged from the rinse nozzle 40 to prevent interference collides on path P1 of the pure water to reach the substrate W (see FIG. 4). その結果、基板W上の純水の液膜が形成されていない部分に純水ミストが着液することを防止することができるため、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止することができる。 Prevention As a result, it is possible to prevent the pure water mist Chakueki pure water liquid film is not formed partially on the substrate W, the watermark-like defects are generated on the substrate W can do. 【0057】ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40は、それぞれの吐出孔31,41の双方がそれぞれ鉛直方向に向けて固設されている。 [0057] Soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, both the respective discharge holes 31 and 41 are fixed toward the vertical direction, respectively. つまり、洗浄ミストおよびリンス純水の基板W上における着液地点(正確には、それぞれの着液地点の集合の中心点)は、それぞれ吐出孔31,41の鉛直直下の地点となる。 In other words, Chakueki point in cleaning mist and rinsing pure water substrate W (to be precise, the center point of a set of respective Chakueki point) is a point of vertical directly below the respective discharge holes 31 and 41. 【0058】また、ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40は、それぞれの吐出孔31,41が水平方向に所定の距離Dを隔てた状態で配置されている。 [0058] Further, the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, each of the discharge holes 31 and 41 are arranged in a state in which a predetermined distance D in the horizontal direction. これにより、洗浄ミストおよびリンス純水の基板W上における着液地点の間隔は、吐出孔31と吐出孔41との距離Dと同一距離となる。 Thus, spacing Chakueki point on the substrate W in the cleaning mist and rinsing pure water, the distance D and the same distance between the discharge hole 31 and discharge hole 41. この距離Dは、実測等により求められた洗浄ミストおよびリンス純水が基板Wに着液する以前に干渉しない距離としている。 This distance D is washed mist and rinsing pure water is a distance that does not interfere prior to Chakueki the substrate W obtained by measurement or the like. すなわち、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31から吐出されて遮蔽板26の下端から基板Wに向けて拡散する洗浄ミストが、 That is, the cleaning mist that spreads toward the bottom end of the discharge hole 31 is discharged from the shield plate 26 of soft spray nozzle 30 to the substrate W,
リンスノズル40から吐出される純水の経路P1(図4 Path of the pure water discharged from the rinse nozzle 40 P1 (FIG. 4
参照)上に衝突して干渉することなく基板W上に着液するように距離Dを設定する。 And impinges on the reference) to set the distance D to Chakueki on the substrate W without interfering. これにより、遮蔽板26の下端から拡散した洗浄ミストが、純水経路P1に干渉することも防止することができるため、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止することができる。 Thus, the cleaning mist diffused from the lower end of the shielding plate 26, it is possible also to prevent interfering with pure water path P1, is possible to further prevent the watermark-like defects are generated on the substrate W it can. 【0059】図6は、基板洗浄部50を上方から見た場合の図である。 [0059] Figure 6 is a diagram when viewed the substrate cleaning unit 50 from above. 図6では便宜上、基板回転機構10は基板Wのみを図示し、処理液吐出機構20はアーム21の先端部22(ソフトスプレーノズル30の吐出孔31、 6 for convenience, the discharge hole 31 of the substrate rotating mechanism 10 is shown only the substrate W, the treatment liquid ejection mechanism 20 is tip 22 (soft spray nozzles 30 of the arm 21,
リンスノズル40の吐出孔41および遮蔽板26)のみを図示している。 Only rinse discharge hole 41 and the shielding plate 26 of the nozzle 40) are illustrated. 【0060】アーム21の回動動作により、アーム21 [0060] by the rotation of the arm 21, the arm 21
の先端部22は図6中の位置Aと位置Cとの間を回動される。 The tip portion 22 is pivoted between the position C and the position A in FIG. 位置Aは基板Wを移載するときの待避位置であり、位置Bおよび位置Cは基板Wを洗浄するときの処理位置を示している。 Position A is the retracted position when transferring the the substrate W, the position B and position C represents a processing position at the time of cleaning the substrate W. 図に示すように、アーム21の先端部22が位置Aまたは位置Bにあるときは、リンスノズル40はソフトスプレーノズル30より基板Wの回転中心J1側に位置する。 As shown, when the distal end 22 of the arm 21 is in position A or position B, the rinse nozzle 40 is located at the rotation center J1 of the substrate W than the soft spray nozzle 30. 【0061】ソフトスプレーノズル30の吐出孔31およびリンスノズル40の吐出孔41は、それぞれアーム21の回動中心J2からの距離が同一距離Lとなるように配置されている。 [0061] discharge hole 41 of the discharge port 31 and the rinse nozzle 40 of the soft spray nozzle 30 is arranged such that the distance from the rotation center J2 of the respective arms 21 the same distance L. すなわち、アーム21の回動動作によりソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40 That is, the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 by rotation of the arm 21
が回動されると、それらの吐出孔31,41の双方の回動軌跡は同一円周上の円弧CR1上を描く。 There Once rotated, both the rotation locus of their discharge holes 31 and 41 draws the upper arc CR1 on the same circumference. 基板回転機構10および処理液吐出機構20は、この円弧CR1が基板Wの回転中心J1直上を通るように配置されているため、洗浄ミストおよびリンス純水の基板W上の着液地点はそれぞれ基板Wの回転中心を通ることとなる。 Substrate rotating mechanism 10 and the treatment liquid ejection mechanism 20, because this arc CR1 is arranged so as to pass through the right above the rotation center J1 of the substrate W, Chakueki point on the substrate W in the cleaning mist and rinsing pure water respectively substrate so that the passing through the center of rotation of the W. 【0062】なお、図6中の位置Bはソフトスプレーノズル30の吐出孔31が基板Wの周縁部の直上に位置しているときを示し、図6中の位置Cは吐出孔31が基板Wの回転中心J1の直上に位置しているときを示している。 [0062] The position B in FIG. 6 indicates when the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30 is located directly above the peripheral portion of the substrate W, the position C in FIG. 6 is a discharge hole 31 is the substrate W It shows a case which is located directly above the center of rotation J1. 【0063】次に、上記のような構成を有する基板洗浄装置1における基板Wの洗浄動作について説明する。 Next, an explanation of a cleaning operation of the substrate W in the substrate cleaning apparatus 1 having the above configuration. なお、この動作開始前においては、アーム21の先端部2 In the prior this operation start, the distal end portion 2 of the arm 21
2は待避位置Aに位置している。 2 is located in the retracted position A. 【0064】まず、カップ15を下降させることによって、スピンベース11をカップ15から突き出させる。 [0064] First, by lowering the cup 15, to protrude the spin base 11 from the cup 15.
この状態にて、未洗浄の基板Wがスピンベース11上に受け渡され、チャックピン12が基板Wの周縁部を把持することにより水平姿勢にて当該基板Wが保持される。 In this state, unwashed substrate W is delivered onto the spin base 11, the chuck pins 12 the substrate W is held in a horizontal position by gripping the periphery of the substrate W. 【0065】次に、位置Bへアーム21の先端部22を移動させる。 Next, move the tip 22 of the arm 21 to the position B. つまり、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31を基板Wの周縁部の直上に位置させる。 In other words, to position the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30 directly above the peripheral portion of the substrate W. そして、 And,
カップ15を所定位置まで上昇させた後、スピンベース11とともにそれに保持された基板Wを一定速度で回転させる。 After raising the cup 15 to a predetermined position, rotating the substrate W held thereby together with the spin base 11 at a constant speed. 【0066】この状態にて、ソフトスプレーノズル30 [0066] In this state, the soft spray nozzle 30
からの洗浄ミストの吐出と、リンスノズル40からのリンス純水の吐出とが同時に開始される。 And discharge of the cleaning mist from the discharge of the rinsing pure water from the rinse nozzle 40 are started simultaneously. そして、両ノズル30,40がそれぞれ洗浄液を吐出しながら、アーム21の先端部22が位置Bから位置Cまで移動される。 Then, both the nozzle 30 and 40 while discharging the cleaning liquid, respectively, the distal end portion 22 of the arm 21 is moved from the position B to the position C. 【0067】アーム21の先端部22は位置Cまで移動された後は、逆方向に位置Bまで移動される。 [0067] distal end portion 22 of the arm 21 after being moved to the position C is moved to the position B in the opposite direction. この位置Bと位置C間の移動動作は、所定の回数繰り返される。 Movement between this position B position C is repeated a predetermined number of times.
すなわち、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31が、 That is, the discharge holes 31 of the soft spray nozzle 30,
基板Wの周縁部の直上と基板Wの回転中心J1の直上との間を所定の回数回動されることとなる。 Between a just above the center of rotation J1 right above the substrate W of the peripheral portion of the substrate W becomes to be a given number of times rotation. 【0068】ソフトスプレーノズル30から吐出される洗浄ミストは、このようなアーム21の先端部22の回動動作によって、基板Wの周縁部および基板Wの回転中心J1間の円弧CR1直下に着液する。 [0068] cleaning mist ejected from the soft spray nozzle 30, Chakueki by the rotation operation of the distal end portion 22 of such arms 21, immediately below the arc CR1 between the rotation center J1 of the peripheral portion and the substrate W in the substrate W to. 基板Wは回転しているため、洗浄ミストは基板W全体に対して着液することとなり基板Wの全体が洗浄される。 Since the substrate W is rotating, cleaning mist across the substrate W will be deposited liquid onto the entire substrate W is cleaned. 基板Wに着液した洗浄ミストは、回転の遠心力により基板Wから略水平方向に飛び出してカップ15に受け止められ排出口へと案内されて排出される。 Cleaning mist Chakueki the substrate W is discharged from the substrate W by the centrifugal force of rotation is guided to the receiving is the outlet to the cup 15 protrudes in a substantially horizontal direction. 【0069】一方、リンスノズル40から吐出されるリンス純水は、吐出孔31,41の距離Dにより洗浄ミストと干渉することなく、洗浄ミストの着液地点から距離Dだけ離れた地点に着液する。 [0069] On the other hand, rinsing pure water discharged from the rinse nozzle 40, without interfering with the cleaning mist with the distance D of the discharge hole 31 and 41, Chakueki from Chakueki point of the cleaning mist into a point distant by a distance D to. 基板Wに着液した後は、 After Chakueki to the substrate W,
回転の遠心力によって基板Wの周縁部方向(基板Wの回転中心J1の逆方向)に基板Wの表面の所定の領域を覆って液膜を形成するように拡がる。 By centrifugal force of the rotating spread to form to cover the predetermined region of the surface of the substrate W liquid film (reverse rotation center J1 of the substrate W) peripheral edge direction of the substrate W. 基板Wの周縁部に達するとそのまま略水平方向に飛び出してカップ15に受け止められ排出口へと案内されて排出される。 Upon reaching the peripheral edge of the substrate W is discharged is directly guided to the substantially horizontal direction is received in the cup 15 protrudes outlet. 【0070】アーム21の先端部22が位置Bにあるときには、吐出孔41が吐出孔31よりも基板Wの回転中心J1側に位置しているため、周縁部方向に拡がったリンス純水は洗浄ミストの着液地点を覆う状態となり、ウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制される。 [0070] When the distal end 22 of the arm 21 is in position B, because the discharge hole 41 is positioned at the rotation center J1 of the substrate W than the ejection hole 31, rinsing pure water that has spread to the periphery direction washed a state covering the Chakueki point of the mist, generation of water mark-like defects is suppressed. 【0071】アーム21の先端部22が位置Bから位置Cまで移動される間のうち、吐出孔41が基板Wの回転中心J1の直上に位置するまでは、吐出孔41が吐出孔31よりも基板Wの回転中心J1側に位置しているため、洗浄ミストの着液地点はリンス純水の液膜で覆われた状態のままであり、同様に欠陥の発生が抑制される。 [0071] Among between the tip 22 of the arm 21 is moved from the position B to the position C, to the discharge hole 41 is located directly above the center of rotation J1 of the substrate W passes through a discharge port 41 than the discharge holes 31 due to the position the rotation center J1 side of the substrate W, Chakueki point of the cleaning mist remains in the state covered with a liquid film of rinsing pure water, as well as the occurrence of defects is suppressed. 【0072】吐出孔41が基板Wの回転中心J1の直上を越えた後、吐出孔41と吐出孔31との中間位置(正確には、円弧CR1における中間相当位置)が基板Wの回転中心J1の直上に位置するまでは、基板Wの回転中心J1から吐出孔41までの距離は基板Wの回転中心J [0072] After the discharge hole 41 exceeds the right above the center of rotation J1 of the substrate W, an intermediate position between the discharge hole 41 and discharge hole 31 (to be exact, the intermediate corresponding position in the arc CR1) rotation of the substrate W around J1 until positioned directly above the distance from the rotation center J1 of the substrate W to the discharge hole 41 is the rotation center J of the substrate W
1から吐出孔31までの距離よりも短くなる。 It is shorter than the distance from one to the discharge hole 31. したがって、着液後周縁部方向に拡がるリンス純水は、基板Wが回転することにより流れていき洗浄ミストの着液地点を液膜で覆う状態となり、同様に欠陥の発生が抑制される。 Therefore, rinsing pure water spreading in the periphery direction after Chakueki becomes a state of covering the Chakueki point we washed the mist flows by the substrate W is rotated at a liquid film, as well as the occurrence of defects is suppressed. 【0073】吐出孔41と吐出孔31との中間位置が基板Wの回転中心J1の直上を越え、アーム21の先端部22が位置Cまで移動される間は、基板Wの回転中心J [0073] an intermediate position between the discharge hole 41 and discharge hole 31 exceeds the right above the center of rotation J1 of the substrate W, while the distal end 22 of the arm 21 is moved to position C, the rotation center J of the substrate W
1から吐出孔41までの距離は基板Wの回転中心J1から吐出孔31までの距離よりも長くなり、リンス純水は洗浄ミストの着液地点を一時的に覆うことはなくなる。 Distance from 1 to the discharge hole 41 is longer than the distance from the rotation center J1 of the substrate W to the discharge hole 31, rinsing pure water is no longer temporarily covering that the Chakueki point of the cleaning mist.
しかしながら、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Wの中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板W However, watermark-like defects in the heart relatively more speed is fast drying easily substrate W of the substrate W
の周縁部側となるほど多数発生し、基板Wの回転中心J Periphery side to become more numerous occurred, the rotation center J of the substrate W
1付近は発生しないため問題となることはない。 1 near does not become a problem because it does not occur. 【0074】このように、アーム21の先端部22が位置Bから位置Cまで移動される間、いかなる位置にあるときにおいても、ウォーターマーク状の欠陥の発生は抑制されることとなる。 [0074] Thus, while the distal end 22 of the arm 21 is moved from the position B to the position C, even when in any position, generation of water mark-like defects becomes to be suppressed. また、アーム21の先端部22が位置Cから位置Bまで移動される間においても、吐出孔41と吐出孔31と基板Wの相対的な配置関係は同様であるため、欠陥の発生は同様に抑制される。 Further, even while the tip 22 of the arm 21 is moved from the position C to the position B, since the relative positional relationship between the discharge hole 41 discharge hole 31 and the substrate W is the same, the occurrence of defects is likewise It is suppressed. すなわち、 That is,
アーム21の先端部22が回動されるすべてのときにおいてウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されることとなる。 So that the occurrence of defects watermark like is suppressed at the time of all the leading end portion 22 of the arm 21 is pivoted. 【0075】また、アーム21の先端部22が回動されるすべてのときにおいて、ソフトスプレーノズル30、 [0075] Further, in the case of all the leading end portion 22 of the arm 21 is rotated, soft spray nozzles 30,
リンスノズル40および遮蔽板26の相対的な配置関係が保持されるため、洗浄ミストおよびリンス純水は基板Wの着液前に干渉することが防止される。 Since the relative positional relationship between the rinse nozzle 40 and the shield plate 26 is held, it washed mist and rinsing pure water is prevented from interfering with the front Chakueki of the substrate W. 従って、洗浄処理に使用された全ての処理液は、広角度にて斜め上方に飛び出すことなく基板Wから略水平方向に飛び出すこととなり、正確にカップ15に受け止められ排出口へと案内されて排出される。 Thus, all the processing solutions used in the cleaning process becomes a possible jump out in a substantially horizontal direction from the substrate W without jumping out obliquely upward at a wide angle, the discharge being guided to accurately is received in the cup 15 outlet It is. 【0076】アーム21の先端部22が所定の回数回動されると、洗浄ミストおよびリンス純水の吐出が停止される。 [0076] When the leading end portion 22 of the arm 21 by a predetermined number of times rotation, the discharge of the cleaning mist and rinsing pure water is stopped. 両ノズル30,40からの吐出が停止された後も基板Wの回転は継続され、基板Wに付着している水滴が回転の遠心力によって振り切られる乾燥処理(スピンドライ処理)が行われる。 Rotation of the substrate W after the discharge from both the nozzles 30 and 40 is stopped is continued, drying the water droplets adhering to the substrate W is spun off by the centrifugal force of the rotating (spin drying process) is performed. 【0077】所定時間のスピンドライ処理が終了すると、スピンベース11およびそれに保持された基板Wの回転が停止される。 [0077] When the spin-drying process for a predetermined time is completed, the rotation of the spin base 11 and the substrate W held thereby is stopped. そして、カップ15を下降させるとともに、アーム21の先端部22が待避位置Aに移動される。 Then, the lowering the cup 15, the distal end portion 22 of the arm 21 is moved to the standby position A. この状態にて、図示を省略する搬送ロボットが洗浄済の基板Wをスピンベース11から取り出して搬出することにより一連の洗浄処理が終了する。 In this state, it omitted transfer robot shown a series of cleaning process is completed by unloading takes out the substrate W cleaned from the spin base 11. 【0078】以上のように、本実施の形態の基板洗浄装置1においては、ソフトスプレーノズル30とリンスノズル40とは所定の距離を隔てた状態で保持されたままそれぞれ洗浄ミストおよびリンス純水を吐出することとなるため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Wへの着液前に干渉することを防止することができる。 [0078] As described above, in the substrate cleaning apparatus 1 of this embodiment, each cleaning mist and rinsing pure water while the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 is held in a state at a predetermined distance since that would be discharged, it can be cleaned mist and rinsing pure water is prevented from interfering with the front Chakueki to the substrate W. 【0079】また、ソフトスプレーノズル30とリンスノズル40とは遮蔽板26により隔てられた状態とされるため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Wへの着液前に干渉することをさらに効果的に防止することができる。 [0079] Further, since the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 is a state of being separated by the shielding plate 26, more effective that the cleaning mist and rinsing pure water interferes before Chakueki to the substrate W it is possible to prevent the. 【0080】また、ソフトスプレーノズル30とリンスノズル40とは、それぞれ洗浄液を鉛直方向に向けて吐出するため、吐出される洗浄液は水平方向の運動エネルギーを有さず、基板Wへ着液する際における跳ね返り等による洗浄液の周囲への飛散を抑制することができる。 [0080] Also, the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40, for discharging toward the cleaning liquid in the vertical direction, respectively, the cleaning liquid discharged has no horizontal kinetic energy, when Chakueki the substrate W it is possible to suppress the scattering to the surroundings of the washing liquid caused by rebound or the like in. 【0081】これらにより、使用された全ての洗浄液はカップ15に正確に回収されることとなり、洗浄液が広角度にて飛散することを防止することができる。 [0081] These, all cleaning liquid used will be accurately recovered in the cup 15, it is possible to prevent the cleaning liquid from splashing at a wide angle. その結果、飛散した洗浄液が基板Wの搬入口や周辺機器等に付着することに起因するパーティクル発生やデバイス不等の問題が生じるおそれがなくなる。 As a result, a possibility that particle generation and the devices unequal problems scattered cleaning liquid is due to adhere to the entrance or the peripheral devices of the substrate W occurs is eliminated. 【0082】<3. [0082] <3. 第3の実施の形態><3.1. The third embodiment> <3.1. 基板処理装置の全体構成>ここでは、第3の実施の形態における基板処理装置の全体構成について説明する。 Overall Configuration> Here the substrate processing apparatus, there will be explained an overall construction of a substrate processing apparatus in the third embodiment. 図8 Figure 8
は、本発明の第3の実施の形態における基板処理装置3 The substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention 3
00を模式的に示す図である。 00 is a diagram schematically showing. 第3の実施の形態における基板処理装置300は、例えば、反応性イオンを使用したドライエッチングを行う際に、レジストが変質して生成されたポリマー(反応生成物)が付着した基板Wを洗浄してポリマーを除去するポリマー除去装置であり、 Third substrate processing apparatus 300 in the embodiment of, for example, when performing dry etching using a reactive ion, polymer resist is generated by deterioration (reaction product) is washed substrate W attached a polymer removing apparatus for removing polymer Te,
図8に示すように、主として、搬入搬出部IDおよび除去処理部RMから構成されている。 As shown in FIG. 8, it is composed mainly, indexer part ID and the removal processing section RM. 【0083】搬入搬出部IDは、未処理の基板Wを複数収容したキャリア(カセット)Cが載置される搬入部2 [0083] indexer part ID is carrying part 2 carriers unprocessed substrates W were more accommodating (cassettes) C is mounted
71と、処理済みの基板Wを複数収容したキャリアCが載置される搬出部273と、受渡し部35とを有している。 71, and the unloading unit 273 carrier C to accommodate a plurality of processed substrate W is placed, and a transfer portion 35. 【0084】搬入部271はテーブル状の載置台を有し、装置外の例えばAGV(AutomaticGuided Vehicle) [0084] loading unit 271 has a table-like mounting table, outside the apparatus, for example, AGV (AutomaticGuided Vehicle)
等の搬送機構によって2個のキャリアCが当該載置台上に搬入される。 Two carrier C is carried on the mounting table by the transport mechanism and the like. キャリアCは、例えば25枚の基板Wを水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置した状態で保持する。 Carrier C, for example to hold 25 substrates W in a state of being stacked in a vertical direction at a distance from one another in a horizontal position. 搬出部273もテーブル状の載置台を有し、該載置台に2個のキャリアCが載置され、該2 Unloading unit 273 also includes a table-like mounting table, the two carrier C placed on the mounting table, the 2
個のキャリアCは装置外の搬送機構によって搬出される。 Number of carrier C is unloaded by a device outside of the transport mechanism. 【0085】受渡し部275は、搬入部271、搬出部273のキャリアCの並び方向に沿って移動し、かつキャリアCに対して基板Wを搬入・搬出する搬入搬出機構277と、受渡し台279とを有する。 [0085] delivery unit 275, loading unit 271, moves along the arrangement direction of the carrier C of the unloading unit 273, and a carry-out mechanism 277 for loading and unloading the substrate W to the carrier C, the delivery table 279 having. 搬入搬出機構2 Loading and unloading mechanism 2
77は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。 77 is provided with a loading and unloading arm not shown, performs the forward and backward movement of the lifting operation and 該搬 inlet unloading arm along the rotation operation and the vertical direction to the vertical direction in addition to movement along the horizontal direction axis be able to. これにより、搬入搬出機構2 As a result, the loading and unloading mechanism 2
77はキャリアCに対して基板Wの搬出入を行うとともに、受渡し台279に対して基板Wを授受する。 77 performs loading and unloading of the substrate W relative to the carrier C, and transfer the substrate W to the delivery table 279. 【0086】除去処理部RMは、搬入搬出部IDに隣接して設けられ、基板Wを収容してポリマー等の反応生成物の除去処理を施す4つの枚葉式の除去処理ユニットS [0086] removal processing section RM is disposed adjacent to the indexer part ID, 4 one single-wafer removal processing unit S which houses the substrate W subjected to the process of removing the reaction products such as polymers
Rと、受渡し台279に対して基板Wを授受するとともに4つの除去処理ユニットSRに対して基板Wを授受する搬送ロボットTR1を有している。 And R, have the transport robot TR1 for exchanging the substrate W against the four removal processing units SR with exchanging the substrate W with respect to the delivery table 279. 【0087】除去処理ユニットSRは搬入搬出部IDのキャリアCの並び方向と直交する方向において2つ並ぶことで除去処理ユニットSRの列を形成し、この除去処理ユニットSRの列が間隔を開けて合計2列、キャリアCの並び方向に沿って並んでいる。 [0087] removal processing unit SR forms a row of removal processing units SR with two aligned that in the arrangement direction and the direction perpendicular to the carrier C of the indexer part ID, column of the removal processing unit SR is at a distance total two rows are arranged along the arrangement direction of the carrier C. そして、前記除去処理ユニットSRの列と列との間に挟み込まれた搬送路T The transport path T sandwiched between the columns and rows of the removal processing unit SR
P1に搬送ロボットTR1が配置されている。 The transport robot TR1 is arranged to P1. 【0088】搬送ロボットTR1は、搬送路TP1の長手方向(上述した除去処理ユニットSRの列の形成方向)に沿って走行し、4つの除去処理ユニットSRのそれぞれに対して基板Wを授受するとともに、受渡し台2 [0088] transport robot TR1 is to travel along the longitudinal direction of the transport path TP1 (formation direction of the rows of the above-described removal processing unit SR), as well as transfer the substrate W for each of the four removal processing units SR , the delivery table 2
79に対して基板Wを授受する。 To transfer the substrate W to 79. 【0089】<3.2. [0089] <3.2. 除去処理ユニットの構成>ここでは、基板処理装置300の除去処理部RMの構成要素である除去処理ユニットについて詳細に説明する。 Removal processing unit configuration> Here the will be described in detail removal processing unit which is a component of the removal processing section RM of the substrate processing apparatus 300. 図9 Figure 9
は、除去処理ユニットSRを模式的に示す図である。 Is a diagram schematically showing a removal processing unit SR. 除去処理ユニットSRは、1枚の基板Wを水平状態に保持して回転する基板回転機構210と、保持された基板W Removal processing unit SR is a substrate rotating mechanism 210 which holds and rotates the single substrate W in a horizontal state, the substrate W held
の周囲を取り囲むカップ215と、保持された基板Wに除去液を供給する除去液吐出機構220aと、保持された基板Wに純水を供給する純水吐出機構220bと、後述する除去液ミストおよび純水ミストの形成に使用される窒素ガスを供給する窒素ガス供給部263と、チャック211に保持された状態の基板Wを収容するチャンバ205とを有する。 A cup 215 surrounding the, the removal solution discharge mechanism 220a supplies removal liquid to the substrate W held, and the pure water discharge mechanism 220b for supplying pure water to the substrate W held removal fluid mists later and It has a nitrogen gas supply unit 263 for supplying nitrogen gas used to form the pure water mist, and a chamber 205 for accommodating a substrate W held by the chuck 211. 【0090】チャンバ205にはシャッタ289(図8 [0090] The chamber 205 shutter 289 (FIG. 8
参照)が設けられており、当該シャッタ289は、搬送ロボットTR1がチャンバ205内に基板Wを搬入または搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。 See) is provided, the shutter 289, the transport robot TR1 is opened by omitted closing mechanism shown in the case of carrying in or out the substrate W in the chamber 205, it is closed at all other times . なお、チャンバ205内は常に常圧の状態である。 Incidentally, the chamber 205 is always in the normal pressure. また、チャンバ205内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。 The atmosphere in the chamber 205 by the exhaust mechanism (not shown), and is discharged outside the apparatus of the exhaust duct. このため、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ205から漏出することが防止されている。 Therefore, an atmosphere containing mist or vapor of the processing liquid is prevented from leaking from the chamber 205. 【0091】基板回転機構210は、基板Wを略水平姿勢に保持し、鉛直方向に沿って配された軸J3を回転中心として基板Wを回転駆動させる機構であり、主として、チャンバ205外に設けられた回転モータ214 [0091] substrate rotating mechanism 210 is held in a substantially horizontal position of the substrate W, a mechanism for rotating the substrate W as a rotation about the axis J3 disposed in the vertical direction, mainly provided outside the chamber 205 It was rotary motor 214
と、回転軸213と介して回転モータ214に接続されて基板Wを保持するチャック211とから構成される。 When configured is connected to the rotary motor 214 via the rotary shaft 213 from the chuck 211 for holding a substrate W. 【0092】チャック211は、真空吸着によって基板Wを略水平姿勢にて保持することができるいわゆるバキュームチャックである。 [0092] chuck 211 is a so-called vacuum chuck that can be held in a substantially horizontal position of the substrate W by vacuum suction. チャック211が基板Wを保持した状態で回転モータ214がチャック211を回転させることにより、その基板Wも鉛直方向に沿った軸J3 By chuck 211 rotates the rotation motor 214 is a chuck 211 while holding the the substrate W, the axis J3 along the also vertically the substrate W
を中心にして水平面内にて回転する。 Mainly to rotate in a horizontal plane. なお、チャック2 It should be noted that the chuck 2
11はいわゆるバキュームチャックに限定されるものではなく、端縁部を機械的に把持して基板Wを保持するいわゆるメカチャックであっても良い。 11 is not intended to be limited to a so-called vacuum chuck may be a so-called mechanical chuck for holding a substrate W mechanically gripping the edge portion. 【0093】カップ215は上面視略ドーナツ型で中央部にチャック211が通過可能な開口を有している。 [0093] cup 215 is a chuck 211 in the central portion has a passable opening in top view a substantially toroidal. また、カップ215は回転する基板Wから飛散する液体(例えば除去液や純水)を捕集するとともに下部に設けられている排液口218から捕集した液体を排出する。 Also, the cup 215 for discharging the liquid collected from the liquid discharge port 218 provided in the lower as well as collecting a liquid (e.g., removal liquid or pure water) scattered from the rotating substrate W.
排液口218にはドレイン280へ通ずる配管282 Pipe 282 leading to the drain 280 to the drain port 218
(282a〜282d)が設けられ、配管282aと配管282bとの間には配管282の管路を開閉する制御弁281が設けられている。 (282a~282d) is provided between the pipe 282a and the pipe 282b control valve 281 for opening and closing the passage of the duct 282 is provided. なお、カップ215は不図示の機構によって昇降する。 Incidentally, the cup 215 is raised and lowered by a mechanism not shown. 【0094】除去液吐出機構220aは、チャンバ20 [0094] removal solution discharge mechanism 220a, the chamber 20
5外に設けられた回動モータ225aと、回動モータ2 5 and rotation motor 225a provided on the outer, rotating the motor 2
25aと回動軸224aを介して接続されて軸J4を中心として回動するアーム221aと、アーム221aの先端部222aに設けられ、除去液ミストを基板Wに向けて吐出するソフトスプレーノズル230aと、ソフトスプレーノズル230aから吐出される除去液ミストが周辺に拡散することを防止する遮蔽板226aと、アーム221aの先端部に設けられ除去液ミストが吐出される基板Wの表面を覆うように除去液を吐出するリンスノズル240aとから構成される。 An arm 221a which is connected via 25a and the rotating shaft 224a rotates about the axis J4, provided at the distal end portion 222a of the arm 221a, the removed fluid mists and soft spray nozzles 230a for discharging toward the substrate W , removed so as to cover the shielding plate 226a to prevent the removal liquid mist ejected from the soft spray nozzle 230a is diffused around the surface of the substrate W is removed fluid mists provided at an end portion of the arm 221a is discharged composed of the rinse nozzle 240a for discharging the liquid. 【0095】なお、ソフトスプレーノズル230aと、 [0095] It should be noted, and the soft spray nozzle 230a,
遮蔽板226aと、リンスノズル240aとは、図1 A shielding plate 226a, the rinse nozzle 240a, FIG. 1
0、図11に示すように固定部材227aを介してアーム221aの先端部222aに固定されている。 0, is fixed to the distal end portion 222a of the arm 221a through a fixing member 227a as shown in FIG. 11. したがって、それぞれは、後述するように、相対的な配置関係を保持しつつ軸J4を中心として回動することとなる。 Thus, each, as will be described later, and can be rotated about the axis J4 while maintaining the relative positional relationship. 【0096】リンスノズル240aは、アーム221a [0096] rinse nozzle 240a, the arm 221a
の先端部222aに基板Wに対して略鉛直に設けられたノズルであり、配管269(269a〜269c)および制御弁268aを介して除去液供給部267と連通接続されている。 Of a nozzle provided substantially vertically to the distal end portion 222a to the substrate W, the pipe 269 (269a~269c) and the control valve via 268a is communicatively connected with removing solution supply section 267. したがって、チャック211に保持された基板Wを回転させつつ制御弁268aを開放すると、 Therefore, when opening the control valve 268a while rotating the substrate W held on the chuck 211,
洗浄液として除去液がリンスノズル240aから基板W Substrate W is removed as the washing solution from the rinse nozzle 240a
に向けて吐出され、基板Wに着液した除去液は、回転の遠心力によって基板Wの周縁部方向に広がり、基板Wの表面の所定の領域を覆う除去液の液膜を形成する。 Is discharged toward the removal liquid was Chakueki the substrate W, spreads to the periphery direction of the substrate W by centrifugal force of rotation, forming a removal liquid film covering the predetermined areas of the surface of the substrate W. 【0097】ソフトスプレーノズル230aは、リンスノズル240aと同様に、アーム221aの先端部22 [0097] Soft spray nozzles 230a, similar to the rinse nozzle 240a, arm 221a of the distal end portion 22
2aに基板Wに対して略鉛直に設けられたノズルであり、第1の実施の形態のソフトスプレーノズル30と同様な内部構造を有する二流体ノズルである(図2参照)。 2a to a nozzle provided substantially vertically with respect to the substrate W, a two-fluid nozzle having an internal structure similar to the soft spray nozzle 30 of the first embodiment (see FIG. 2). 図9に示すように、ソフトスプレーノズル230 As shown in FIG. 9, the soft spray nozzle 230
aは、配管269(269a、269d、269e)および制御弁268bを介して除去液供給部267と、また、配管266(266a、266b、266e、26 a is a pipe 269 (269a, 269d, 269e) and removing solution supply section 267 and through the control valve 268b, also pipe 266 (266a, 266b, 266e, 26
6f)、圧力調整器264および制御弁265bを介して窒素ガス供給部263とそれぞれ連通接続されている。 6f), it is connected respectively communicate with the nitrogen gas supply unit 263 through a pressure regulator 264 and control valve 265b. 【0098】したがって、窒素ガス供給部263から供給され、圧力調整器264によって加圧された窒素ガスと、除去液供給部267から供給される除去液とをソフトスプレーノズル230aで混合することにより、ソフトスプレーノズル230aの吐出口から基板Wに向けて洗浄ミストとして霧状の除去液ミスト(つまり、除去液の微粒子)を吐出することができる。 [0098] Therefore, is supplied from a nitrogen gas supply unit 263, and a nitrogen gas pressurized by the pressure regulator 264, by mixing the removed liquid supplied soft spray nozzle 230a from removing solution supply unit 267, mist removal liquid mist as the cleaning mist toward the discharge port of the soft spray nozzle 230a to the substrate W (i.e., particulate removal fluid) can be ejected. その結果、(1) As a result, (1)
基板Wに到達した微粒子状の除去液ミストが、基板Wに形成した除去液の液膜に到達し、続いて、除去液ミストが衝突した除去液の液膜上の微小範囲に除去液ミストの打力を伝達することによって除去液の液膜上の微小範囲が下方に押され、基板W上に形成されたトレンチ構造等の微小パターン内部に除去液が進入することが可能となるため、また、(2)微粒子状の除去液ミストが、その運動エネルギーにより基板W上に形成された除去液の液膜を通過し、基板W上に形成された微細パターン内部に到達するため、当該微小パターン部に形成されたポリマー等の反応生成物が除去される。 Particulate removal fluid mists reached the substrate W reaches the liquid film of the removing solution which is formed on the substrate W, followed by removal liquid mist small area on the liquid film removing solution removing liquid mist collides small range on removal liquid film by transferring the liquid-driving power is pushed downward, since fine pattern inside removing liquid, such as a trench structure formed on the substrate W it is possible to enter also , (2) for particulate removal fluid mist, its kinetic energy by passing through the liquid film of the removing solution which is formed on the substrate W, to reach the inner fine pattern formed on the substrate W, the micropattern reaction products such as formed part polymer is removed. 【0099】ここで、除去液とは、基板Wに形成したポリマー等の反応生成物のみを選択的に除去する処理液であり、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去液が使用される。 [0099] Here, the removing solution is a processing solution to selectively remove only the reaction products such as polymer formed on the substrate W, such as dimethyl sulfoxide, dimethylformamide and the like, organic amine removal containing organic amine liquid, ammonium fluoride-based removal liquid containing ammonium fluoride, removal liquid inorganic system is used. 【0100】遮蔽板226aは、第2の実施の形態の遮蔽板26と同様に、ソフトスプレーノズル230aの周囲を取り囲む上下貫通した筒状体である。 [0100] The shielding plates 226a, similar to the shield plate 26 of the second embodiment, a vertical through-cylindrical body surrounding the soft spray nozzle 230a. 図9に示すように、遮蔽板226aの下端は、ソフトスプレーノズル230aの吐出口より下になるように配置されている。 As shown in FIG. 9, the lower end of the shielding plate 226a is arranged so as to be below the discharge opening of the soft spray nozzle 230a.
これにより、第2の実施の形態の場合と同様に、ソフトスプレーノズル230aの吐出孔から吐出される除去液ミストが周囲へ拡散することを防止することができるため、基板W上の除去液の液膜が形成されていない部分に除去液ミストが着液することを防止することができ、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止することができる。 Thus, as in the second embodiment, removing liquid mist is discharged from the discharge hole of the soft spray nozzle 230a is because it is possible to prevent the diffusion into the surrounding, the removal liquid on the substrate W removing liquid mist to the portion of the liquid film is not formed can be prevented from being Chakueki, watermark-like defects can be prevented from being generated on the substrate W. 【0101】また、遮蔽板226aの下端がソフトスプレーノズル230aの吐出口より下に配置されることにより、ソフトスプレーノズル230aの吐出孔から吐出されて落下する除去液ミストが、リンスノズル240a [0102] Further, by the lower end of the shielding plate 226a is arranged below the discharge opening of the soft spray nozzles 230a, removing liquid mist falling discharged from the discharge hole of the soft spray nozzle 230a is rinse nozzle 240a
から吐出されて基板Wに到達するまでの除去液の経路P Discharged from the path P of the removal liquid to reach the substrate W
2(図10参照)上に衝突して干渉することを防止することができる。 2 can be prevented from interfering with impinges on (see FIG. 10). そのため、カップ215の範囲外に除去液が飛散することによってチャンバ205内を汚染することを防止できる。 Therefore, it is possible to prevent contamination of the chamber 205 by outside the removing solution of the cup 215 is scattered. 【0102】また、ソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240aは、ソフトスプレーノズル23 [0102] In addition, the soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a is, soft spray nozzle 23
0aの吐出口230aとリンスノズル240aの吐出口241aとの距離D2(図10参照)となるように設定されている。 The distance between the discharge port 241a of the discharge port 230a and the rinse nozzle 240a of 0a D2 are set to be (see Figure 10). ここで、距離D2は、吐出口231aから吐出されて落下する霧状の除去液ミストが、吐出口24 Here, the distance D2 is atomized removing liquid mist falling discharged from the discharge port 231a is, the ejection port 24
1aから吐出される除去液の経路P2上に衝突して干渉することなく基板W上に着液するように、あらかじめ実験等により定められた値である。 As Chakueki on the substrate W without interfering collides on path P2 of the removal solution discharged from 1a, a value determined in advance by experiment or the like. このため、遮蔽板22 For this reason, the shielding plate 22
6aの下端から拡散した除去液ミストが、除去液の経路P2に干渉することも防止することができ、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止することができる。 Removing liquid mist diffused from the lower end of 6a may interfere with the path P2 of the removal liquid can also be prevented, watermark-like defects on the substrate W can be further prevented from occurring. 【0103】アーム221aは、図9に示すように、その長手方向が水平方向に沿うように基板Wの表面上方に配置されている。 [0103] arm 221a, as shown in FIG. 9, the longitudinal direction is disposed above the surface of the substrate W along the horizontal direction. そして、回動モータ225aが駆動すると、その駆動力は回動軸224aを介してアーム22 When the rotation motor 225a is driven, its driving force via a rotation shaft 224a arms 22
1aに伝達され、アーム221aが水平面内にて鉛直方向に沿った軸J4を中心として回動される。 Is transmitted to 1a, the arm 221a is rotated about the axis J4 along the vertical direction in a horizontal plane. したがって、このアーム221aの回動動作により、第2の実施の形態と同様に、ソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240aは、相対的な位置関係を保持しつつ基板Wの表面上方を水平面内にて軸J4を中心として回動される。 Therefore, the rotation of the arm 221a, as in the second embodiment, in the soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a, the relative positional relationship maintained and with a horizontal plane over the surface of the substrate W to It is rotated about the axis J4. 【0104】なお、回動モータ225aを昇降させることでソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240aを昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。 [0104] Incidentally, the lifting means (not shown) is provided for raising and lowering the soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a by lifting and lowering the rotary motor 225a. また、この回動モータ225aを駆動することによって、ソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240aは基板Wの回転中心の上方の吐出位置とカップ215外の待機位置との間で往復移動する。 Further, by driving the turning motor 225a, soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a is reciprocated between the upper discharge position the cup 215 out of the waiting position of the rotational center of the substrate W. 【0105】純水吐出機構220bは、チャンバ205 [0105] DI water discharge mechanism 220b, the chamber 205
外に設けられた回動モータ225bと、回動モータ22 A rotation motor 225b provided on the outer, rotating motor 22
5bと回動軸224bを介して接続さた回動するアーム221bと、アーム221bの先端部222bに設けられ、純水ミストを基板Wに向けて吐出するソフトスプレーノズル230bと、ソフトスプレーノズル230bから吐出される純水ミストが周辺に拡散することを遮蔽する遮蔽板226bと、アーム221bの先端部に設けられ純水ミストが吐出される基板Wの表面を覆うように純水を吐出するリンスノズル240bとから構成される。 An arm 221b to rotate the connected via 5b and the rotation shaft 224b, provided at the distal end portion 222b of arm 221b, an soft spray nozzle 230b for ejecting pure water mist the substrate W, soft spray nozzle 230b rinsing for ejecting the shielding plate 226b pure water mist is shielded from being diffused to the peripheral, the pure water to cover the surface of the substrate W that pure water mist provided at an end portion of the arm 221b is ejected ejected from consisting of a nozzle 240b. 【0106】なお、ソフトスプレーノズル230bと、 [0106] It should be noted, and the soft spray nozzle 230b,
遮蔽板226bと、リンスノズル240bとは、図1 A shielding plate 226b, and the rinse nozzle 240b, FIG. 1
2、図13に示すように、固定部材227bを介してアーム221bの先端部222bに固定されている。 2, as shown in FIG. 13, is fixed to the distal end 222b of the arm 221b through a fixing member 227b. したがって、それぞれは、後述するように、相対的な配置関係を保持しつつ軸J5を中心として回動することととなる。 Thus, each is a and that rotates about the axis J5 as described below, while maintaining a relative positional relationship. 【0107】リンスノズル240bは、アーム221b [0107] rinse nozzle 240b, the arm 221b
の先端部222bに基板Wに対して略鉛直に設けられたノズルであり、配管262(262a〜262c)および制御弁261bを介して純水供給部260と連通接続されている。 Of a nozzle provided substantially vertically to the distal end portion 222b to the substrate W, and is connected deionized water supply unit 260 and the communication via the pipe 262 (262a~262c) and control valve 261b. したがって、チャック211に保持された基板Wを回転させつつ制御弁261bを開放すると、洗浄液として純水がリンスノズル240bから基板Wに向けて吐出され、基板Wに着液した純水は、回転の遠心力によって基板Wの周縁部方向に広がり、基板Wの表面の所定の領域を覆う純水の液膜を形成する。 Therefore, when opening the control valve 261b while rotating the substrate W held by the chuck 211, pure water as the cleaning liquid is discharged toward the rinse nozzle 240b to the substrate W, Chakueki the pure water to the substrate W, the rotation It spreads to the periphery direction of the substrate W by centrifugal force, to form a pure water liquid film covering the predetermined areas of the surface of the substrate W. 【0108】ソフトスプレーノズル230bは、リンスノズル240bと同様に、アーム221bの先端部22 [0108] Soft spray nozzle 230b, similar to the rinse nozzle 240b, the arm 221b tip 22
2bに基板Wに対して略鉛直に設けられたノズルであり、第1の実施の形態のソフトスプレーノズル30およびソフトスプレーノズル230aと同様な内部構造を有する二流体ノズルである(図2参照)。 2b in a nozzle provided substantially vertically with respect to the substrate W, a two-fluid nozzle with a soft spray nozzle 30 and the soft spray nozzle 230a and the same internal structure of the first embodiment (see FIG. 2) . 図9に示すように、ソフトスプレーノズル230bは、配管262(2 As shown in FIG. 9, the soft spray nozzle 230b is a pipe 262 (2
62a、262d、262e)および制御弁261aを介して純水供給部260と、また、配管266(266 62a, 262d, a pure water supply unit 260 via 262e) and a control valve 261a, also pipe 266 (266
a〜266d)、圧力調整器264および制御弁265 a~266d), pressure regulator 264 and control valve 265
aを介して窒素ガス供給部263とそれぞれ連通接続されている。 It is connected communicated with the nitrogen gas supply unit 263 through the a. 【0109】したがって、窒素ガス供給部263から供給され、圧力調整器264によって加圧された窒素ガスと、純水供給部260から供給される純水とをソフトスプレーノズル230bで混合することにより、ソフトスプレーノズル230bの吐出口から基板Wに向けて洗浄ミストとして霧状の純水ミスト(つまり、純水の微粒子)を吐出することができる。 [0109] Therefore, is supplied from a nitrogen gas supply unit 263, and a nitrogen gas pressurized by the pressure regulator 264, by mixing the pure water supplied soft spray nozzle 230b from the pure water supply unit 260, it can be discharged atomized pure water mist as the cleaning mist toward the discharge port of the soft spray nozzle 230b to the substrate W (i.e., fine particles of pure water). 【0110】その結果、(1)基板Wに到達した微粒子状の純水ミストが、基板Wに形成した純水の液膜に到達し、続いて、純水ミストが衝突した除去液の液膜上の微小範囲に純水ミストの打力を伝達することによって純水の液膜上の微小範囲が下方に押され、基板W上に形成されたトレンチ構造等の微小パターン内部に純水が進入することが可能となるため、また、(2)微粒子状の純水ミストが、その運動エネルギーにより基板W上に形成された純水の液膜を通過し、基板W上に形成された微細パターン内部に到達するため、当該微小パターン部を純水により洗浄することができる。 [0110] As a result, (1) particulate pure water mist that reaches the substrate W reaches the liquid film of the pure water formed on the substrate W, followed by removal liquid film which pure water mist collides small range on the pure water liquid film by transmitting liquid-driving power of the pure water mist micro range above is pushed downward, pure water enters inside micropattern trench structure or the like formed on the substrate W since it becomes possible to, also, (2) particulate pure water mist, it passes through the liquid film of the pure water that has been formed on the substrate W by its kinetic energy, a fine pattern formed on the substrate W to reach the interior, it is possible to wash the fine pattern portion with pure water. 【0111】遮蔽板226bは、第2の実施の形態の遮蔽板26および遮蔽板226aと同様に、ソフトスプレーノズル230bの周囲を取り囲む上下貫通した筒状体である。 [0111] The shielding plate 226b, as well as the shield plate 26 and the shielding plate 226a of the second embodiment, a vertical through-cylindrical body surrounding the soft spray nozzle 230b. 図9に示すように、遮蔽板226bの下端は、 As shown in FIG. 9, the lower end of the shielding plate 226b is
ソフトスプレーノズル230bの吐出口より下になるように配置されている。 It is arranged to be below the soft spray nozzle 230b of the discharge port. これにより、第2の実施の形態の場合と同様に、ソフトスプレーノズル230bの吐出孔から吐出される純水ミストが周囲へ拡散することを防止することができるため、基板W上の純水の液膜が形成されていない部分に純水ミストが着液することを防止することができ、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止することができる。 Thus, as in the second embodiment, pure water mist discharged from the discharge hole of the soft spray nozzle 230b is because it is possible to prevent the diffusion into the surrounding, the deionized water on the substrate W pure water mist to the portion where the liquid film is not formed can be prevented from being Chakueki, watermark-like defects can be prevented from being generated on the substrate W. 【0112】また、ソフトスプレーノズル230bの吐出孔から吐出されて落下する純水ミストが、リンスノズル240bから吐出されて基板Wに到達するまでの純水の経路P3(図12参照)上に衝突して干渉することを防止することができる。 [0112] In addition, pure water mist falling discharged from the discharge hole of the soft spray nozzle 230b is, collisions on the path of the pure water to reach the being and the substrate W discharged from the rinse nozzle 240b P3 (see FIG. 12) to interfere with can be prevented. その結果、経路P3上の純水と純水ミストとが干渉しないため、カップ215の範囲外に純水が飛散することによってチャンバ205内を汚染することがない。 As a result, because the pure water and pure water mist on the path P3 do not interfere, it is not possible to contaminate the chamber 205 by scattering pure water outside the cup 215. 【0113】また、ソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bは、相対的な配置関係を保持するようにアーム221bに対して固定されており、ソフトスプレーノズル230bの吐出口とリンスノズル24 [0113] Further, the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b is fixed to the arm 221b so as to hold the relative positional relationship, the soft spray nozzle 230b of the discharge port and the rinse nozzle 24
0bの吐出口との距離D3(図12参照)となるように設定されている。 Distance between 0b of the discharge port D3 is set to be (see Figure 12). ここで、この距離D3は、ソフトスプレーノズル230bの吐出口から吐出されて落下する霧状の純水ミストが、リンスノズル240bの吐出口から吐出される純水の経路P3上に衝突して干渉することなく基板W上に着液するように、あらかじめ実験等により定められた値である。 Wherein the distance D3 is soft spray nozzle 230b atomized pure water mist discharged from the discharge port falling of collide on pure water path to be discharged from the discharge port of the rinse nozzle 240b P3 interference as Chakueki on the substrate W without a value determined in advance by experiment or the like. このため、遮蔽板226bの下端から拡散した純水ミストが、純水の経路P3に干渉することも防止することができ、基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止することができる。 Therefore, the pure water mist diffused from the lower end of the shielding plate 226b is interfering the path P3 of pure water can also be prevented, further prevents the watermark-like defects are generated on the substrate W can. 【0114】アーム221bは、図9に示すように、その長手方向が水平方向に沿うように基板Wの表面上方に配置されている。 [0114] arm 221b, as shown in FIG. 9, the longitudinal direction is disposed above the surface of the substrate W along the horizontal direction. そして、回動モータ225bが駆動すると、その駆動力は回動軸224bを介してアーム22 When the rotating motor 225b is driven, its driving force via a rotation shaft 224b arm 22
1bに伝達され、アーム221bが水平面内にて鉛直方向に沿った軸J5を中心として回動される。 Is transmitted to 1b, the arm 221b is rotated about the axis J5 along the vertical direction in a horizontal plane. したあgって、このアーム221bの回動動作により、第2の実施の形態と同様に、ソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bは、相対的な位置関係を保持しつつ基板Wの表面上方を水平面内にて軸J5を中心として回動される。 What Shitaa g, by rotation of the arm 221b, as in the second embodiment, the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b is over the surface of the substrate W while maintaining the relative positional relationship It is rotated about the axis J5 in a horizontal plane. 【0115】なお、回動モータ225bを昇降させることでソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bを昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。 [0115] Incidentally, the lifting means (not shown) is provided for raising and lowering the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b by vertically moving the rotating motor 225b. また、この回動モータ225bを駆動することによって、ソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bは基板Wの回転中心の上方の吐出位置とカップ215外の待機位置との間で往復移動する。 Further, by driving the turning motor 225b, soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b is reciprocated between the upper discharge position the cup 215 out of the waiting position of the rotational center of the substrate W. 【0116】<3.3. [0116] <3.3. 処理内容>ここでは、基板処理装置300を使用して、基板上に付着したポリマー等の反応生成物を除去する処理方法について説明する。 Processing contents> It uses the substrate processing apparatus 300 will be described processing method for removing reaction products such as polymer deposited on the substrate. 以下に示すように、本処理方法は、(1)基板処理装置30 As shown below, the treatment method, (1) the substrate processing apparatus 30
0に搬入されたキャリアCから基板Wを取り出して除去処理ユニットSRに搬送する基板搬入工程と、(2)除去処理ユニットSRにおいて、除去液を供給して基板上に付着したポリマーを溶解して除去する除去液供給工程と、(3)溶解したポリマーや除去液を純水によって洗浄する純水供給工程と、(4)基板回転機構210によって基板Wを高速に回転させて基板Wに付着した純水を振り切って乾燥させる液切り工程と、(5)除去処理ユニットSRから基板Wを搬出する基板搬出工程とから構成される。 0 a substrate loading step of conveying from the carrier C to the removal processing unit SR is taken out of the substrate W carried into, by dissolving the polymer attached (2) in the removal processing unit SR, supplies removal liquid on the substrate and removing liquid supplying step of removing, (3) and the pure water supply step for cleaning the dissolved polymer and removing liquid of pure water, adhering to the substrate W by rotating the substrate W at a high speed by (4) a substrate rotating mechanism 210 a liquid removal step of drying by shaking off the pure water, composed of a substrate unloading step of unloading the substrate W from (5) the removal processing unit SR. 【0117】基板搬入工程では、まず、キャリアCに収容された基板Wが搬入部271に搬入される。 [0117] In the substrate loading step, first, the substrate W accommodated in the carrier C is carried into the carry-in section 271. この基板Wは薄膜を有し、当該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。 The substrate W has a thin, the thin film is subjected to dry etching using the resist film that is patterned as a mask. これにより、当該基板Wにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物(ポリマー)が付着している。 Thus, the reaction products derived from the resist film or a thin film (polymer) is adhered to the substrate W. 【0118】搬入部271のキャリアCから搬入搬出機構277により基板Wが1枚取り出され、受渡し台27 [0118] substrate W is taken out one by indexer mechanism 277 from the carrier C of the loading section 271, the delivery table 27
9に載置される。 It is placed on the 9. 受渡し台279に載置された基板Wは搬送ロボットTR1により持ち出され、4つの除去処理ユニットSRのうちの所定の1つに搬入される。 Substrate W placed on the delivery table 279 is taken out by the transfer robot TR1, it is carried to a predetermined one of the four removal processing units SR. 除去処理ユニットSRではシャッタ289を下降させて開放し、搬送ロボットTR1が搬送してきた基板Wをチャック211にて受取り保持する。 Removal processing unit lowers the shutter 289 in SR and open to hold receives the substrate W to the transport robot TR1've been transported by the chuck 211. また制御弁281は開放しておく。 The control valve 281 is left open. 【0119】次に、除去液供給工程が実行される。 [0119] Then, removing solution supply step is performed. この除去液供給工程では、基板Wに供給された除去液が基板W上に形成されたポリマー等の反応生成物に作用することにより、当該反応生成物が基板W上から脱落しやすくなるため、反応生成物は基板Wの回転や除去液の供給により、徐々に基板Wから除去されていく。 This removing solution supply step, by removing liquid supplied to the substrate W is applied to the reaction product of such a polymer formed on the substrate W, since the reaction product is likely to fall off from the substrate W, the reaction product by the supply of the rotating and removing liquid of the substrate W, is gradually removed from the substrate W. 【0120】図14は、除去液供給工程における除去処理ユニットSRの除去液吐出機構220aと純水吐出機構220bとの位置関係を模式的に示す図である。 [0120] Figure 14 is a diagram schematically showing the positional relationship between the removal solution discharge mechanism 220a and the pure water discharge mechanism 220b of the removal processing unit SR in removing liquid supplying step. なお、図14では、便宜上、除去液吐出機構220aについては、ソフトスプレーノズル230aの吐出口231 In FIG. 14, for convenience, the removal solution discharge mechanism 220a, soft spray nozzles 230a outlets 231
a、リンスノズル240aの吐出口241aおよび遮蔽板226aを、また、純水吐出機構220bについては、ソフトスプレーノズル230bの吐出口231b、 a, a discharge port 241a and the shielding plate 226a of the rinse nozzle 240a, also, for the pure water discharge mechanism 220b, soft spray nozzle 230b of the discharge port 231b,
リンスノズル240bの吐出口241bおよび遮蔽板2 The discharge port of the rinse nozzle 240b 241b and the shielding plate 2
26bのみ図示している。 26b only are shown. また、除去液供給工程が開始される前において、除去液吐出機構220aの先端部2 Further, before the removing solution supply step is started, the removal solution discharge mechanism 220a tip 2
22aは、回動モータ225aを回動させて待避位置A 22a is retracted position A by rotating the rotation motor 225a
2となるように位置決めされている。 It is positioned to be 2. さらに、純水吐出機構220bの先端部222bは、回動モータ225b Further, the distal end portion 222b of the pure water discharge mechanism 220b, the rotary motor 225b
を回動させて待避位置A3となるように位置決めされている。 It is positioned so as to be retracted position A3 rotates the. 【0121】図14に示すように、ソフトスプレーノズル230aの吐出口231aと、リンスノズル240a [0121] As shown in FIG. 14, a discharge port 231a of the soft spray nozzle 230a, the rinse nozzle 240a
の吐出口241aとは、それぞれアーム221aの回転中心J4からの距離が同一距離L2となるように配置されている。 The discharge port 241a, and is arranged so that the distance from the rotation center J4 each arm 221a is the same distance L2. すなわち、アーム221aの回動動作によりソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル24 That is, the soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 24 by rotation of the arm 221a
0aが回動されると、それらの吐出口231a、241 When 0a is rotated, their discharge port 231a, 241
aの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧CR2を描く。 Rotation locus of both a draw an arc CR2 on the same circumference.
また、円弧CR2は、基板回転機構210の回転中心J Arc CR2 is the rotation center J of the substrate rotating mechanism 210
3を通るように配置されている。 3 is disposed so as to pass through the. そのため、吐出口23 Therefore, the discharge port 23
1aから吐出される除去液ミストおよび吐出口241a Removing liquid mist and the discharge port 241a is discharged from 1a
から吐出される除去液の着液地点の中心位置は、それぞれ基板回転機構210の回転中心J3を通ることとなる。 The center position of Chakueki point removal solution discharged from, so that each passes through the rotational center J3 of the substrate rotating mechanism 210. 【0122】除去液供給工程では、まず、基板回転機構210の回転モータ214を回転させて基板Wの回転数を増加させ、所定の回転数Rv1に達すると、その回転数Rv1を維持する。 [0122] In the removing solution supply step, first, by rotating the rotation motor 214 of the substrate rotating mechanism 210 increases the rotational speed of the substrate W reaches the predetermined revolution Rv1, maintaining its rotation speed Rv1. ここで、回転数Rv1は、ソフトスプレーノズル230aから吐出される除去液ミストが基板W上に到達する範囲に、リンスノズル240aから吐出される除去液の液膜が形成されるように、予め実験等により定められる。 The rotational speeds Rv1 is in the range of removing liquid mist ejected from the soft spray nozzle 230a reaches onto the substrate W, as removed liquid film discharged from the rinse nozzle 240a is formed, in advance experimentally It is defined by the like. 【0123】次に、回動モータ225aを回動させて、 [0123] Next, by rotating the rotary motor 225a,
アーム221aの先端部222aを待避位置A2から位置B2まで移動させる。 Moving the tip portion 222a of the arm 221a from the retracted position A2 to the position B2. つまり、ソフトスプレーノズル230aの吐出口231aを基板Wの周縁部の上方に移動させる。 In other words, moving the discharge port 231a of the soft spray nozzle 230a above the peripheral portion of the substrate W. 次に、制御弁265b、268bが同時に開放される。 Next, the control valve 265b, 268b are opened at the same time. そのため、ソフトスプレーノズル230aに窒素ガスおよび除去液が供給され、基板Wに向かって除去液ミストが吐出される。 Therefore, nitrogen gas and removed liquid is supplied to the soft spray nozzles 230a, is removed fluid mists ejected toward the substrate W. また、制御弁268bが開放されるのと同時に制御弁268aが開放されて基板Wに除去液が供給されるため、基板W上の除去液が到達する位置から基板W端縁部方向に除去液の液膜が形成される。 Moreover, since the removal liquid is supplied to the substrate W is opened at the same time the control valve 268a as control valve 268b is opened, removed liquid from a position removed liquid on the substrate W reaches the substrate W edge direction the liquid film is formed. 【0124】続いて、ソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240aから、それぞれ除去液ミストおよび除去液を吐出しながら、アーム221aの先端部222aを位置B2から、ソフトスプレーノズル230 [0124] Subsequently, the soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a, while discharging the respective removal fluid mists and removing liquid, the tip portion 222a of the arm 221a from the position B2, the soft spray nozzle 230
aの吐出口231aが基板回転機構210の回転中心J Rotation center J of a discharge port 231a is a substrate rotating mechanism 210
3の直上となる位置C2まで移動させる。 Moving to the position C2 to be directly above the 3. このとき、基板Wに供給された除去液は基板Wの外に落下してカップ215によって集められ、排液口218から配管282 In this case, removal liquid supplied to the substrate W is collected by the cup 215 falls outside of the substrate W, the pipe from the drain port 218 282
を介してドレイン280に排出される。 It is discharged to the drain 280 via the. 【0125】続いて、アーム221aの先端部222a [0125] Subsequently, the arm 221a leading end portion 222a
が位置C2まで到達すると、回動モータ225aの逆方向に回転させ、除去液ミストおよび除去液を吐出しながら、アーム221aの先端部222aを位置C2から位置B2まで移動させる。 There is reached to the position C2, is rotated in the reverse direction of the rotation motor 225a, while discharging the removed liquid mist and removing liquid, to move the distal end portion 222a of the arm 221a from the position C2 to the position B2. このときも、基板Wに供給された除去液は基板Wの外に落下してカップ215によって集められ、排液口218から配管282を介してドレイン280に排出される。 In this case, removal liquid supplied to the substrate W is collected by the cup 215 falls outside of the substrate W, and is discharged to the drain 280 from the drain port 218 through the pipe 282. 【0126】そして、以上のような位置B2から位置C [0126] and, from the position B2, such as the above position C
2までの移動動作が所定の回数繰り返されることにより、基板W上に付着したポリマーの除去処理が進行する。 By movement of up to 2 are repeated a predetermined number of times, removal treatment of the polymer deposited on the substrate W progresses. 【0127】すなわち、吐出口231aおよび吐出口2 [0127] In other words, the discharge port 231a and a discharge port 2
41aの移動経路CR2における吐出口241aと吐出口231aとの中間位置が、基板回転機構210の回転中心J3から、回転中心J3を挟んで位置B2と逆側の円弧CR2上に存在する場合を除き、アーム221aの先端部222aを位置B2から位置C2まで回動させつつ、基板Wを回転させることにより、ソフトスプレーノズル230aから吐出される除去液ミストは、基板W上に形成される除去液の液膜に着液する。 41a an intermediate position between the discharge port 241a and the outlet 231a in the moving path CR2 of, from the rotation center J3 of the substrate rotating mechanism 210, except when present on the position B2 on the opposite side of the arc CR2 across the center of rotation J3 , while rotating the distal end portion 222a of the arm 221a to the position C2 from the position B2, by rotating the substrate W, removing liquid mist ejected from the soft spray nozzle 230a, the removal liquid formed on the substrate W to Chakueki to the liquid film. そのため、除去液は、基板W上の微細パターン内部に形成されたポリマーに到達し、当該ポリマーを溶解して除去することができる。 Therefore, removing solution reaches the polymer formed in the interior of the fine pattern on the substrate W, it can be removed by dissolving the polymer. 【0128】また、第2の実施の形態の場合と同様に、 [0128] Also, as in the second embodiment,
吐出口231aおよび吐出口241aの移動経路CR2 The movement path of the discharge port 231a and discharge ports 241a CR2
における吐出口241aと吐出口231aとの中間位置が、基板回転機構210の回転中心J3から、回転中心J3を挟んで位置B2と逆側の円弧CR2上に存在する場合、移動経路CR2に沿った基板Wの回転中心J3から吐出口241aまでの距離は、移動経路CR2に沿った基板Wの回転中心J3から吐出口231aまでの距離よりも長くなる。 An intermediate position between the discharge port 241a and the outlet 231a of the, from the rotation center J3 of the substrate rotating mechanism 210, when present on the position B2 on the opposite side of the arc CR2 across the rotational center J3, along the movement path CR2 distance from the rotation center J3 of the substrate W to the discharge port 241a is longer than the distance to the discharge port 231a from the rotation center J3 of the substrate W along the moving path CR2. これにより、吐出口241aから吐出される除去液は吐出口231aから吐出される除去液ミストの着液地点を一時的に覆うことができなくなる。 Thus, removing liquid discharged from the discharge port 241a will not be able to cover the Chakueki point removing liquid mist discharged from the discharge port 231a temporarily. しかしながら、第2の実施の形態の場合と同様に、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Wの中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板Wの周縁部側となるほど多数発生し、基板Wの回転中心J3付近では発生しないため問題とならない。 However, as in the second embodiment, a defect of the watermark-like becomes as many occurs when the peripheral edge side of the relatively rotational speed is high is prone to drying the substrate W from the center portion of the substrate W, the substrate W does not become a problem because they do not occur in the vicinity of the center of rotation J3 of. 【0129】そして、先端部222aを位置B2と位置C2との間で所定回数移動させた後、制御弁265b、 [0129] Then, after a predetermined number of times moved between the distal end portion 222a and the position B2 and the position C2, the control valve 265b,
268a、268bを閉鎖し、基板Wへの除去液ミストおよび除去液の供給を停止し、先端部222aを待避位置A2に戻す。 268a, closed 268b, to stop the supply of removal fluid mists and removing liquid to the substrate W, returning the tip 222a to the retracted position A2. 【0130】次に、純水供給工程が実行される。 [0130] Next, pure water supply step is executed. 純水供給工程では基板Wに供給された純水が除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質を基板W上から洗い流す。 The pure water supply step wash out contaminants, such as reaction products pure water supplied to the substrate W is removed fluid or dissolution from the substrate W.
図15は、純水供給工程における除去処理ユニットSR Figure 15 is a removal processing unit SR in pure water supply step
の除去液吐出機構220aと純水吐出機構220bとの位置関係を模式的に示す図である。 The positional relationship between the removal solution discharge mechanism 220a and the pure water discharge mechanism 220b in a diagram schematically showing. なお、図15では、 It should be noted that in FIG. 15,
図14の場合と同様に、便宜上、除去液吐出機構220 As in the case of FIG. 14, for convenience, the removal liquid discharge mechanism 220
aについては、ソフトスプレーノズル230aの吐出口231a、リンスノズル240aの吐出口241aおよび遮蔽板226aを、また、純水吐出機構220bについては、ソフトスプレーノズル230bの吐出口231 For a, the discharge port 231a of the soft spray nozzle 230a, the discharge port 241a and the shielding plate 226a of the rinse nozzle 240a, also, for the pure water discharge mechanism 220b, soft spray nozzle 230b outlets 231
b、リンスノズル240bの吐出口241bおよび遮蔽板226bのみ図示している。 b, it is shown only the discharge port 241b and the shielding plate 226b of the rinse nozzle 240b. また、純水供給工程が開始される前において、除去液吐出機構220aの先端部222aは、待避位置A2となるように、純水吐出機構220bの先端部222bは、待避位置A3となるように、それぞれ位置決めされている。 Further, before the pure water supply process is started, the tip portion 222a of the removal solution discharge mechanism 220a, as a waiting position A2, the distal end portion 222b of the pure water discharge mechanism 220b, as the retracted position A3 , they are positioned, respectively. 【0131】図15に示すように、ソフトスプレーノズル230bの吐出口231bと、リンスノズル240b [0131] As shown in FIG. 15, a discharge port 231b of the soft spray nozzle 230b, rinse nozzle 240b
の吐出口241bとは、それぞれアーム221bの回転中心J5からの距離が同一距離L3となるように配置されている。 The discharge port 241b, are arranged such that the distance from the rotation center J5 of each arm 221b has the same distance L3. すなわち、アーム221bの回動動作によりソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル24 That is, the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 24 by rotation of the arm 221b
0bが回動されると、それらの吐出口231b、241 When 0b is rotated, their discharge port 231b, 241
bの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧CR3を描く。 b both turning locus of an arc CR3 on the same circumference.
また、円弧CR3は、基板回転機構210の回転中心J Arc CR3 is the rotation center J of the substrate rotating mechanism 210
3を通るように配置されている。 3 is disposed so as to pass through the. そのため、吐出口23 Therefore, the discharge port 23
1bから吐出される純水ミストおよび吐出口241bから吐出される純水の着液地点の中心位置は、それぞれ基板回転機構210の回転中心J3を通ることとなる。 The center position of Chakueki point of the pure water discharged from the pure water mist and the discharge port 241b is discharged from 1b becomes that each passes through the rotational center J3 of the substrate rotating mechanism 210. 【0132】純水供給工程では、まず、基板Wの回転数を所定の回転数Rv2に変更して維持する。 [0132] In pure water supply process, first, maintaining and changing the rotation speed of the substrate W to a predetermined rotational speed Rv2. ここで、回転数Rv2は、ソフトスプレーノズル230bから吐出される純水ミストが基板W上に到達する範囲に、リンスノズル240bから吐出される純水の液膜が形成されるように、予め実験等により定められる。 The rotational speeds Rv2 is in the range of pure water mist ejected from the soft spray nozzle 230b reaches on the substrate W, as pure water liquid film discharged from the rinse nozzle 240b is formed, in advance experimentally It is defined by the like. 【0133】次に、回動モータ225bを回動させて、 [0133] Next, by rotating the rotary motor 225b,
アーム221bの先端部222bを待避位置A3から位置B3まで移動させる。 Moving the tip portion 222b of the arm 221b from the retracted position A3 to the position B3. つまり、ソフトスプレーノズル230bの吐出口231bを基板Wの周縁部の上方に移動させる。 In other words, moving the discharge port 231b of the soft spray nozzle 230b above the peripheral portion of the substrate W. 【0134】続いて、制御弁265a、261aが同時に開放される。 [0134] Subsequently, the control valve 265a, 261a are opened at the same time. そのため、ソフトスプレーノズル230 Therefore, soft spray nozzles 230
bに窒素ガスおよび純水が供給され、基板Wに向かって純水ミストが吐出される。 b nitrogen gas and pure water is supplied to the pure water mist is discharged toward the substrate W. また、制御弁261aが開放されるのと同時に、制御弁261bが開放されて基板W Further, the control valve 261a at the same time is being opened, the control valve 261b is opened the substrate W
に純水が供給されるため、基板W上の除去液が到達する位置から基板W端縁部方向に除去液の液膜が形成される。 Since pure water is supplied to the removal liquid on the substrate W is liquid film removing solution from a position reaching the substrate W edge direction is formed. 【0135】続いて、ソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bから、それぞれ純水ミストおよび純水を吐出しながら、アーム221bの先端部22 [0135] Subsequently, the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b, while each ejecting pure water mist and pure water, the arm 221b tip 22
2bを位置B3から、ソフトスプレーノズル230bの吐出口231bが基板回転機構210の回転中心J3の直上となる位置C3まで移動させる。 2b from position B3, the discharge port 231b of the soft spray nozzle 230b is moved to the position C3 to be directly above the rotational center J3 of the substrate rotating mechanism 210. このとき、基板W At this time, the substrate W
に供給された純水は基板Wの外に落下してカップ215 Pure water supplied to and falls outside of the substrate W cup 215
によって集められ、排液口218から配管282を介してドレイン280に排出される。 It collected by and discharged to drain 280 from the drain port 218 through the pipe 282. 【0136】続いて、アーム221bの先端部222b [0136] Subsequently, the arm 221b distal end portion 222b
が位置C3まで到達すると、回動モータ225bを逆方向に回転させ、純水ミストおよび純水を吐出しながら、 When There reaches the position C3, rotates the rotating motor 225b in the reverse direction, while discharging the pure water mist and pure water,
アーム221bの先端部222bを位置C3から位置B Position B The tip 222b of the arm 221b from the position C3
3まで移動させる。 Up to 3 move. このときも、基板Wに供給された純水は基板Wの外に落下してカップ215によって集められ、排液口218から配管282を介してドレイン28 At this time, pure water supplied to the substrate W is collected by the cup 215 falls outside of the substrate W, the drain from the drain port 218 through a pipe 282 28
0に排出される。 0 is discharged to. 【0137】そして、以上のような位置B3から位置C [0137] and, from the position B3, such as the above position C
3までの移動動作が所定の回数繰り返されることにより、基板Wの洗浄処理が進行する。 By moving operation of up to 3 is repeated a predetermined number of times, the cleaning process of the substrate W progresses. 【0138】すなわち、吐出口231bおよび吐出口2 [0138] In other words, the discharge port 231b and the discharge port 2
41bの移動経路CR3における吐出口241bと吐出口231bとの中間位置が、基板回転機構210の回転中心J3から、回転中心J3を挟んで位置B3と逆側の円弧CR3上に存在する場合を除き、アーム221bの先端部222bを位置B3から位置C3まで回動させつつ、基板Wを回転させることによってソフトスプレーノズル230bから吐出される純水ミストが、基板W上に形成される純水の液膜に着液する。 41b an intermediate position between the discharge port 241b and the outlet 231b in the moving path CR3 of, from the rotation center J3 of the substrate rotating mechanism 210, except when present on the position B3 and opposite side of the arc CR3 across the center of rotation J3 , while rotating the distal end portion 222b of arm 221b to the position C3 from the position B3, the liquid pure water pure water mist ejected from the soft spray nozzle 230b by rotating the substrate W, which is formed on the substrate W to Chakueki to the membrane. そのため、基板W上の微細パターン内部に到達して洗浄処理を行うことができる。 Therefore, it is possible to perform a cleaning process to reach the interior of the fine pattern on the substrate W. 【0139】また、除去液供給工程の場合と同様に、吐出口231bおよび吐出口241bの移動経路CR3における吐出口241bと吐出口231bとの中間位置が、基板回転機構210の回転中心J3から、回転中心J3を挟んで位置B3と逆側の円弧CR3上に存在する場合、移動経路CR3に沿った基板Wの回転中心J3から吐出口241bまでの距離は移動経路CR3に沿った基板Wの回転中心J3から吐出口231bまでの距離よりも長くなる。 [0139] Also, as in the case of removing liquid supplying step, an intermediate position of the discharge port 241b and the outlet 231b in the moving path CR3 of the discharge port 231b and the discharge port 241b is, from the rotation center J3 of the substrate rotating mechanism 210, when present on the position B3 and opposite side of the arc CR3 across the rotation center J3, the rotation of the substrate W distance from the center of rotation J3 to the discharge port 241b is along the moving path CR3 of the substrate W along the moving path CR3 It is longer than the distance from the center J3 to the discharge port 231b. これにより、吐出口241bから吐出されて基板W上に形成される純水の液膜は、吐出口231 Thus, the liquid film of the pure water that is formed is discharged from the discharge port 241b on the substrate W, the discharge port 231
aから吐出される純水ミストの着液地点を一時的に覆うことができなくなる。 It can not be temporarily cover the Chakueki point pure water mist ejected from a. しかしながら、除去液供給工程の場合と同様に、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Wの中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板W However, as in the case of removing liquid supplying step, watermark-like defects, easy to dry the substrate W relative rotational speed is faster than the center portion of the substrate W
の周縁部側となるほど多数発生する。 Number generated as a of the peripheral portion side. したがって、基板Wの回転中心J3付近では発生しないため問題とならない。 Therefore, no problem because they do not occur in the vicinity of the rotation center J3 of the substrate W. 【0140】そして、先端部222bを位置B3と位置C3との間で所定回数移動させた後、制御弁261a、 [0140] Then, after a predetermined number of times moved between a position C3 tip portion 222b and the position B3, the control valve 261a,
261b、265aを閉鎖し、基板Wへの純水ミストおよび純水の供給を停止し、先端部222bを待避位置A 261b, closed 265a, to stop the supply of pure water mist and pure water to the substrate W, the tip 222b retracted position A
3に戻す。 Back to the 3. 【0141】続いて、液切り工程が実行される。 [0141] Subsequently, draining process is executed. 液切り工程では基板Wを高速で回転させることにより、基板W By rotating the substrate W at a high speed in the draining step, the substrate W
上にある液体が振りきられるため、基板Wが乾燥する。 Since the liquid in the upper are fit swing, the substrate W is dried.
そして、液切り工程が終了して基板Wが乾燥されると、 When the draining process the substrate W ends are dried,
基板回転機構210の回転モータ214が停止するとともに、カップ215が基板Wの周辺位置から下降する。 The rotation motor 214 of the substrate rotating mechanism 210 is stopped, the cup 215 is lowered from a peripheral position of the substrate W. 【0142】そして、基板搬出工程が実行される。 [0142] Then, the substrate carry-out process is executed. 基板搬出工程では、まず、シャッタ289が開放される。 The substrate unloading step, first, the shutter 289 is opened. 続いて、搬送ロボットTR1が除去処理ユニットSRからポリマー除去処理済みの基板Wを取り出し、搬入搬出部IDの受渡し台279に載置する。 Then, the transport robot TR1 takes out the substrate W polymer removal processed from removal processing unit SR, placed on the delivery table 279 of indexer part ID. 受渡し台279に載置された基板Wは搬入搬出機構277によって持ち出され、搬出部273に載置されているキャリアCに搬入される。 Substrate W placed on the delivery table 279 is taken out by the indexer mechanism 277 is carried into the carrier C placed on the unloading unit 273. 【0143】やがて、所定枚数の処理済基板WがキャリアCに収納されると、そのキャリアCがAGVやOHT [0143] Then, when processed substrate W of a predetermined number is stored in the carrier C, the carrier C AGV and OHT
(over-head hoist transport)等によって基板処理装置300外に搬出される。 It is unloaded outside the substrate processing apparatus 300 by (over-head hoist transport) or the like. 【0144】<3.4. [0144] <3.4. 第3の実施の形態の基板処理装置の利点>以上のように、第3の実施の形態の基板処理装置300では、(1)遮蔽板226aによって吐出口231aを覆い、(2)吐出口231aと吐出口241 As in the third embodiment of the advantages of the substrate processing apparatus> above, in the third embodiment of the substrate processing apparatus 300, covering the discharge port 231a by (1) shielding plates 226a, (2) discharge ports 231a and the discharge port 241
aとの距離をD2に設定し、(3)基板Wを回転させながら、二流体ノズルであるソフトスプレーノズル230 The distance between a set D2, (3) while rotating the the substrate W, soft spray nozzle 230 is a two-fluid nozzle
aから除去液ミストを、リンスノズル240aから除去液をそれぞれ吐出する。 Removing fluid mists from a, ejecting the removed liquid from the rinse nozzle 240a. これにより、除去液ミストは、 As a result, the removal liquid mist,
リンスノズル240aから吐出される除去液の経路P2 Path removal liquid discharged from the rinse nozzles 240a P2
上に衝突して干渉することなく、基板W上に形成された除去液の液膜に着液する。 Without interference collides with the upper and Chakueki the liquid film of the removing solution which is formed on the substrate W. そのため、チャンバ205内を汚染するこ防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止しつつ、基板W上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部に付着したポリマー等の反応生成物に除去液を供給し、反応生成物を除去することができる。 Therefore, to prevent this contamination in the chamber 205, while preventing the watermark-like defects are generated, the reaction product of a polymer or the like attached inside a fine pattern of a trench structure or the like formed on the substrate W removing solution supply, it is possible to remove the reaction products. 【0145】また、第3の実施の形態の基板処理装置3 [0145] The third embodiment of the substrate processing apparatus 3
00では、(1)遮蔽板226bによって吐出口231 00, the discharge by (1) shielding plate 226b opening 231
bを覆い、(2)吐出口231bと吐出口241bとの距離をD3に設定し、(3)基板Wを回転させながら、 Covering the b, (2) the distance of the discharge port 231b and the discharge port 241b is set to D3, while rotating the (3) the substrate W,
二流体ノズルであるソフトスプレーノズル230bから純水ミストを、リンスノズル240bから純水をそれぞれ吐出する。 Pure water mist from the soft spray nozzle 230b is a two-fluid nozzle, ejecting the deionized water from the rinse nozzle 240b. これにより、純水ミストは、リンスノズル240bから吐出される除去液の経路P3上に衝突して干渉することなく、基板W上に形成された除去液の液膜に着液する。 Thus, pure water mist, without interference collides on path P3 removal liquid discharged from the rinse nozzle 240b, which Chakueki the liquid film of the removing solution which is formed on the substrate W. そのため、チャンバ205内を汚染するこ防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止しつつ、基板W上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部に純水を供給し、溶解したポリマーや除去液を洗浄することができる。 Therefore, to prevent this contamination in the chamber 205, while preventing the watermark-like defects are generated, by supplying pure water to the inside micropattern trench structure or the like formed on the substrate W, dissolved polymer and removing liquid can be washed. 【0146】<4. [0146] <4. 変形例>以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。 Modification> While there have been described embodiments of the present invention, the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. 【0147】(1)例えば、第1および第2の実施形態のソフトスプレーノズル30と、第3の実施の形態のソフトスプレーノズル230bとでは、洗浄液として純水を供給して純水のミストを、また、第3の実施の形態のソフトスプレーノズル230aでは、洗浄液として除去液を供給して除去液ミストを、基板Wに向けてそれぞれ吐出しているが、これに限定されるものでなく、洗浄液として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水(過水をフッ酸に混合)、バッファードフッ酸(フッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合)等の酸性溶液、 [0147] (1) For example, a soft spray nozzles 30 of the first and second embodiments, the soft spray nozzle 230b of the third embodiment, the supplied pure water as a cleaning liquid pure water mist in addition, the soft spray nozzle 230a of the third embodiment, the removal liquid mist is supplied to remove liquid as the cleaning liquid, although discharged respectively toward the substrate W, not limited thereto, as the cleaning liquid, for example, aqueous nitric acid, hydrochloric acid, aqueous hydrofluoric acid, (mixture of hydrogen peroxide to hydrofluoric acid) mixing the aqueous hydrofluoric acid, an acidic solution such as buffered hydrofluoric acid (mixture of the ammonium aqueous hydrofluoric acid and fluoride),
アンモニア水、SC1(アンモニア水と過酸化水素水との混合液)等のアルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を溶解させた機能水、温水(好ましくは15〜80℃)を使用し、これらの洗浄液ミストを使用して基板処理を行ってもよい。 Aqueous ammonia, SC1 (mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide) an alkaline solution such as, functional water in the pure water was dissolved ozone or hydrogen, warm water (preferably 15 to 80 ° C.) using, these a cleaning liquid mist may perform a substrate processing using. 【0148】(2)また、第1および第2の実施形態のリンスノズル40と、第3の実施の形態のリンスノズル240bとでは、基板Wに洗浄液として純水を供給し、 [0148] The (2), and the rinse nozzle 40 of the first and second embodiments, in the rinse nozzle 240b of the third embodiment, pure water is supplied as washing liquid to the substrate W,
純水の液膜を、また、第3の実施の形態のリンスノズル240aでは、基板Wに洗浄液として除去液を供給し、 The liquid film of the pure water, also in the third embodiment of the rinse nozzle 240a, supplying a removing solution as a cleaning liquid to the substrate W,
基板W上に除去液の液膜をそれぞれ形成しているが、洗浄ミストの場合と同様に、これに限定されるものでなく、洗浄液として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水(過水をフッ酸に混合)、バッファードフッ酸(フッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合)等の酸性溶液、アンモニア水、SC1(アンモニア水と過酸化水素水との混合液)等のアルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を溶解させた機能水、温水(好ましくは15 While forming each removal liquid film on the substrate W, as in the case of cleaning mist, not limited to this, as the washing liquid, e.g., aqueous nitric acid, hydrochloric acid, aqueous hydrofluoric acid, mixed aqueous hydrofluoric acid (mixed hydrogen peroxide to hydrofluoric acid), an acidic solution such as buffered hydrofluoric acid (mixture of the ammonium aqueous hydrofluoric acid and fluoride), aqueous ammonia, SC1 (mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide alkaline solution) and the like, functional water prepared by dissolving ozone or hydrogen in pure water, hot water (preferably 15
〜80℃)を使用し、これらの洗浄液ミストを使用して基板処理を行ってもよい。 Use the to 80 ° C.), it may be performed substrate processed using these cleaning liquid mist. 【0149】(3)さらに、第1〜第3の実施の形態において、洗浄ミストの形成に使用する気体を窒素ガスとしていたが、空気など通常の二流体ノズルで用いられる気体であればどのような気体であってもよい。 [0149] (3) Further, in the first to third embodiments, the gas used in the formation of the cleaning mist was nitrogen gas, how long a gas used in a conventional two-fluid nozzle such as air it may be a gas. 【0150】(4)さらに、第1および第2の実施の形態のソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40 [0150] (4) In addition, soft spray nozzles 30 of the first and second embodiments and the rinse nozzle 40
とはそれぞれからの洗浄液の吐出の開始および停止は同時に行われるものとして説明を行ったが、リンス純水の吐出を洗浄ミストの吐出よりも先行して開始させ、洗浄ミストの吐出を停止した後に遅れてリンス純水の吐出を停止するようにしてもよい。 Has been described as being performed at the same time starting and stopping the discharge of the cleaning liquid from each and than the discharge of the cleaning mist discharge of rinsing pure water was prior to start, the discharge of the cleaning mist after stopping it may be stopped discharge of rinsing pure water with a delay. また、第3の実施の形態におけるソフトスプレーノズル230aおよびリンスノズル240a、ソフトスプレーノズル230bおよびリンスノズル240bの場合も同様である。 Also, soft spray nozzle 230a and the rinse nozzle 240a in the third embodiment is also the case for the soft spray nozzle 230b and the rinse nozzle 240b. これによれば、 According to this,
洗浄ミストの着液地点は確実に洗浄液の液膜で覆われた状態となり、より効果的にウォーターマーク状の欠陥の発生を抑制することができる。 Chakueki point of the cleaning mist reliably in a state that covered by the cleaning liquid of the liquid film, it is possible to more effectively suppress the occurrence of watermarks like defects. 【0151】(5)さらに、第1から第3の実施の形態において、リンスノズルから吐出されるリンス純水の基板W上の着液地点が、基板Wの回転中心を含むように構成されていたが、これに限られるものではなく、ウォーターマーク状の欠陥を抑制するのに必要な範囲に純水の液膜を形成できるような構成であればよい。 [0151] (5) Further, in the third embodiment from the first, Chakueki point on the substrate W in rinsing pure water discharged from the rinse nozzle, is configured to include a rotational center of the substrate W was, but not limited thereto, range may be any configuration capable of forming a pure water liquid film needed to suppress watermark-like defects. 【0152】(6)第1および第2の実施の形態において一つのリンスノズルのみが設けられていたが、複数のリンスノズルが設けられてもよい。 [0152] (6) Although only one rinse nozzle is provided in the first and second embodiments, a plurality of rinse nozzle may be provided. 複数のリンスノズルを設ける場合は、洗浄ミストの着液地点付近を覆うことができるような位置(例えば、基板Wの回転上流側となる位置)に設置することにより、効果的にウォーターマーク状の欠陥の発生を抑制することができる。 In the case of providing a plurality of rinse nozzles, positioned such that it can cover the vicinity Chakueki point of the cleaning mist (e.g., a position which is a rotation upstream side of the substrate W) by providing to effectively watermarks shaped it is possible to suppress the occurrence of defects. 【0153】(7)また、第1および第2の実施の形態においては、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31およびリンスノズル40の吐出孔41は同一のアーム21 [0153] (7) In the first and second embodiments, soft spray discharge hole 41 of the discharge port 31 and the rinse nozzle 40 of the nozzle 30 is identical arms 21
に対して所定の距離Dを隔てて固設されるものとして説明を行ったが、少なくとも吐出孔31および吐出孔41 It has been described as being fixedly provided at a predetermined distance D with respect to at least the discharge hole 31 and discharge hole 41
が所定以上の距離を保持するように、ソフトスプレーノズル30およびリンスノズル40が移動されるようになっていればよい。 So it retains a predetermined distance or more, the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 it is sufficient so as to be moved. 例えば、ソフトスプレーノズル30とリンスノズル40とが別々のアームに固設され、それぞれが独立して移動されるようになっていてもよい。 For example, fixed to a soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 40 and separate arms may be adapted to each be moved independently. 【0154】図7はこのような場合の基板洗浄装置の基板洗浄部50を上方から見た場合の図である。 [0154] FIG. 7 is a diagram when viewed substrate cleaning unit 50 of the substrate cleaning apparatus in such a case from above. 図6と同様に便宜上、基板W、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31、リンスノズル40の吐出孔41および遮蔽板2 For convenience similar to FIG. 6, the substrate W, the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30, discharge hole 41 and the shielding plate 2 of the rinse nozzle 40
6のみを図示し、上記実施の形態と同様の機能を有するものに関しては同一符号を付している。 It illustrates 6 only, and the same reference numeral with respect to those having the same functions as the above embodiment. 【0155】ソフトスプレーノズル30および遮蔽板2 [0155] soft spray nozzle 30 and the shielding plate 2
6は上記実施の形態と同様に相対的な配置関係を保持するように、図中符号J3で示す軸を中心として回動されるアーム(以下、「第1アーム」という。)に固設される。 6 so as to hold the same manner relative positional relationship as in the above-described embodiment, the arm (hereinafter, referred to as. "First arm") which is rotated about an axis shown by reference numeral J3 is fixed to the that. 第1アームの回動動作は、上記実施の形態のアーム21の回動動作と同様である。 Rotation of the first arm is the same as the rotation of the arm 21 of the embodiment. 【0156】一方、リンスノズル40は、第1アームには固設されず、別途設けられ図中符号J4で示す軸を中心として回動されるアーム(以下、「第2アーム」という。)の先端部に、その吐出孔41を鉛直方向に向けて固設される。 [0156] On the other hand, the rinse nozzle 40, the first arm is not fixed, the arm (hereinafter, referred to as "second arm".) Which is rotated about an axis indicated separately by provided view numeral J4 of the tip, is fixed toward the discharge holes 41 in the vertical direction. 第2アームの回動動作により、リンスノズル40の吐出孔41の回動軌跡は円弧CR2上を描くこととなる。 The rotation of the second arm, rotation locus of the discharge hole 41 of the rinse nozzle 40 so that the drawing on the arc CR2. 【0157】洗浄処理においては、まず、ソフトスプレーノズル30の吐出孔31が基板Wの周縁部に位置するように第1アームが移動される(位置Bへ移動される) [0157] In the washing process, first, the discharge hole 31 of the soft spray nozzle 30 is first arm (moved to the position B) is moved to be positioned at the periphery of the substrate W
とともに、リンスノズル40の吐出孔41が基板Wの回転中心J1直上に位置するように第2アームが移動される。 Together with the discharge hole 41 of the rinse nozzle 40 and the second arm is moved so as to be positioned directly above the rotation center J1 of the substrate W. 【0158】この状態にて、両ノズル30,40から洗浄液の吐出が開始される。 [0158] In this state, the discharge of the cleaning liquid is started from both nozzles 30, 40. リンス純水は基板の回転中心J1に着液後、回転の遠心力により基板全体に拡がる。 Rinsing pure water after Chakueki the rotation center J1 of the substrate, spread to the entire substrate by the centrifugal force of the rotation.
このため、洗浄ミストはリンス純水の液膜で覆われた基板に対して吐出されることとなり、ウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制される。 Therefore, cleaning mist will be discharged to a substrate covered with a liquid film of rinsing pure water, generation of water mark-like defects is suppressed. 【0159】第1アームの先端部が位置Cへ近づくと、 [0159] When the tip of the first arm approaches the position C,
第2アームの先端部がそれに連動して図中の矢印AR1 The second arrow AR1 in FIG end of the arm is in conjunction therewith
方向へ移動される。 It is moved in the direction. 具体的には、吐出孔31と吐出孔4 Specifically, the discharge hole 31 discharge hole 4
1との間隔が所定以上の距離となるように第2アームの先端部が回動される。 Distal end of the second arm is rotated so that the distance between 1 becomes more than a predetermined distance. また、第1アームの先端部が位置Bへ移動するときは、それに連動して第2アームの先端部が図中の矢印AR2方向へ移動され、吐出孔41が基板の回転中心J1の直上に位置することとなる。 Further, when the distal end portion of the first arm is moved to the position B, it distal end of the second arm in conjunction within moved in the arrow AR2 direction in the figure, the discharge holes 41 is directly above the center of rotation J1 of the substrate It is to be positioned. 【0160】このような基板洗浄装置においても、洗浄ミストが基板に吐出されることによって生じるウォーターマーク状の欠陥の発生を抑制しつつ、洗浄ミストと洗浄液とが干渉することによって発生する処理液の飛散を防止することが可能である。 [0160] In such a substrate cleaning apparatus while cleaning mist suppressing the occurrence of water marks like defects caused by ejected to the substrate, the treatment liquid and cleaning mist and washings are generated by interfering it is possible to prevent scattering. 【0161】なお、このような基板洗浄装置は、それぞれのノズル30,40に対してアームを設けなければならず、また、それぞれのアームの回動動作を独立して制御する必要があることからその構成が複雑化する。 [0161] Incidentally, such a substrate cleaning apparatus, it is necessary to provide the arm with respect to each of the nozzles 30 and 40, also, it is necessary to control the rotation of each arm independently its configuration is complicated. このため、一つのアームに両ノズル30,40を固設するという簡易な構成となる点で、上記実施の形態の基板洗浄装置の構成がより好ましい。 Therefore, in that a simple configuration that fixed both nozzles 30, 40 to one arm, configurations of a substrate cleaning apparatus of the above embodiment is more preferable. 【0162】(8)第2および第3の実施の形態において、図4および図5に示すように、洗浄ミストを供給するノズル(例えば、ソフトスプレーノズル30)と、液膜を形成する洗浄液を供給するノズル(例えば、リンスノズル40)とは、それぞれ基板Wの主面に対して略鉛直となるようにアーム先端部(例えば、アーム21の先端部22)に取り付けられているが、これに限定されるものではない。 [0162] (8) In the second and third embodiments, as shown in FIGS. 4 and 5, a nozzle for supplying a cleaning mist (e.g., soft spray nozzles 30) and the cleaning liquid to form a liquid film nozzle for supplying (e.g., the rinse nozzle 40) and the arm distal end portion so as to substantially become vertical to the main surface of each substrate W (e.g., the distal end portion 22 of the arm 21) is attached to, to the present invention is not limited. 例えば、図16および図17に示すように、基板Wの主面に対して略鉛直となるように設けられたリンスノズル340と、リンスノズル340に対して傾きをもって設けられたソフトスプレーノズル330とによって基板処理を行ってもよい。 For example, as shown in FIGS. 16 and 17, a rinse nozzle 340 provided so as to substantially become vertical to the main surface of the substrate W, a soft spray nozzle 330 which is provided with an inclination with respect to the rinse nozzle 340 it may perform a substrate processing by. 【0163】図16、図17のアーム321は、第2および第3の実施の形態と同様に、その長手方向が水平方向に沿うように基板Wの表面上方に配置されており、図示しない回動モータが駆動し、その駆動力がアーム32 [0163] Figure 16, arm 321 of Figure 17, similarly to the second and third embodiments, the longitudinal direction is disposed above the surface of the substrate W along the horizontal direction, not shown times moving motor is driven, its driving force arm 32
1に伝達されることによって、アーム321が水平面内にて回動される。 By being transferred to the 1, arm 321 is rotated in a horizontal plane. また、アーム321の先端部322には、リンスノズル340と、固定部材327を介してソフトスプレーノズル330とが、設置されている。 Further, at the distal end 322 of the arm 321, a rinse nozzle 340, and a soft spray nozzle 330 through the fixing member 327 are installed. そのため、アーム321の回動動作によってソフトスプレーノズル330およびリンスノズル340は、相対的な位置関係を保持しつつ基板Wの表面上方を水平面内にて回動される。 Therefore, soft spray nozzle 330 and the rinse nozzle 340 by rotation of the arm 321 is rotated over the surface of the substrate W in a horizontal plane while maintaining the relative positional relationship. 【0164】リンスノズル340は、第2の実施の形態のリンスノズル40や、第3の実施の形態のリンスノズル240a、240bと同様に、基板Wに対して略鉛直となるように設置されたノズルであり、基板Wを回転しつつ基板Wに対して純水や除去液等の洗浄液を吐出することにより、基板W上の所定の領域に洗浄液の液膜を形成することができる。 [0164] rinse nozzle 340, and the rinse nozzle 40 of the second embodiment, the rinsing nozzles 240a of the third embodiment, similarly to 240b, disposed to be substantially a vertical relative to the substrate W a nozzle by discharging a cleaning liquid such as pure water or removing liquid to the substrate W while rotating the substrate W, it is possible to form the cleaning liquid of the liquid film in a predetermined region on the substrate W. なお、基板Wの回転数は、後述するソフトスプレーノズル330から吐出される洗浄ミストがリンスノズル340から吐出される洗浄液の液膜に着液するように予め実験等により求める。 The rotation speed of the substrate W, the washing mist ejected from the soft spray nozzle 330 to be described later determined by experiment or the like so as to Chakueki the liquid film of the cleaning liquid discharged from the rinse nozzle 340. 【0165】また、リンスノズル340は、アーム32 [0165] In addition, the rinse nozzle 340, the arm 32
1を回動させた場合、リンスノズル340から吐出される洗浄液が基板Wに着液する地点の中心位置の軌跡が、 If 1 is rotated, the cleaning liquid discharged from the rinse nozzle 340 is the locus of the center position of the point where the Chakueki to the substrate W,
基板Wの中心位置を通過するように配置されている。 It is arranged so as to pass through the center position of the substrate W. 【0166】ソフトスプレーノズル330は、第2の実施の形態のソフトスプレーノズル30や、第3の実施の形態のソフトスプレーノズル230a、230bと同様の二流体ノズルであり(図2参照)、ソフトスプレーノズル330にて窒素ガスと、純水や除去液等の洗浄液とを混合することにより、基板Wに対して洗浄ミストを吐出することができる。 [0166] Soft spray nozzle 330, and soft spray nozzles 30 of the second embodiment, the third embodiment of the soft spray nozzle 230a, a similar two-fluid nozzle and 230b (see FIG. 2), soft by mixing the nitrogen gas with a spray nozzle 330, and a cleaning liquid such as pure water or removing liquid, it is possible to eject the cleaning mist against the substrate W. また、図16、図17に示すように、ソフトスプレーノズル330は、鉛直面内にてソフトスプレーノズル330の中心線とリンスノズル340 Further, FIG. 16, as shown in FIG. 17, the soft spray nozzle 330 has a center line and the rinse nozzle 340 of the soft spray nozzle 330 in a vertical plane
の中心線とがゼロでなく有限の値を有する角度θで交わるように、固定部材327を介してアーム321のアーム321に設置されている。 As the center line of intersect at an angle θ having a finite value, not zero, it is installed on the arm 321 of the arm 321 through the fixing member 327. さらに、ソフトスプレーノズル330は、リンスノズル340と同様に、アーム3 Furthermore, the soft spray nozzle 330, similar to the rinse nozzle 340, the arm 3
21を回動させた場合、ソフトスプレーノズル330から吐出される洗浄ミストが基板Wに着液する地点の中心位置の軌跡が、基板Wの中心位置を通過するように配置されている。 If 21 the rotated, the trajectory of the center position of the point where the cleaning mist ejected from the soft spray nozzle 330 Chakueki the substrate W is disposed so as to pass through the center position of the substrate W. 【0167】以上のように、第2および第3の実施の形態と異なり、ソフトスプレーノズル330の中心線とリンスノズル340の中心線とは、平行とならず鉛直面内にて角度θで交わる。 [0167] As described above, unlike the second and third embodiments, the center line of the rinse nozzle 340 of the soft spray nozzle 330, intersect at an angle θ at not parallel vertical plane . これにより、ソフトスプレーノズル330から吐出される洗浄ミストの吐出方向とリンスノズル340から吐出される洗浄液の吐出方向とは、平行とならず、ゼロでない有限の値となる角度θの傾きを有する。 Thereby, the discharge direction of the cleaning liquid discharged from the discharge direction and the rinse nozzle 340 for cleaning the mist discharged from the soft spray nozzle 330, not parallel, have an inclination of an angle θ which is a finite non-zero value. その結果、固定部材327によってソフトスプレーノズル30とリンスノズル340とを隔てることによって、第2および第3の実施の形態のような筒状の遮蔽板を使用しなくとも洗浄ミストと洗浄液とを遮蔽して洗浄液の経路に洗浄ミストが干渉することを防止でき、 Shielding a result, by separating the soft spray nozzle 30 and the rinse nozzle 340 by a fixing member 327, the cleaning mist and a washing liquid without using a cylindrical shielding plate, such as second and third embodiments to prevent that the cleaning mist interferes with the path of the cleaning liquid,
基板W上の純水の液膜が形成されていない部分に純水ミストが着液することを防止することができる。 Pure water mist of pure water liquid film is not formed partially on the substrate W can be prevented from being Chakueki. そのため、筒状の遮蔽板を設けることなく基板W上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent the water mark-like defects are generated on the substrate W without providing a cylindrical shielding plate. 【0168】 【発明の効果】以上、説明したように、請求項1ないし請求項7の発明によれば、第1の吐出手段から吐出された第1の洗浄液の液膜が形成された基板上に第2の吐出手段から洗浄ミストを吐出するように構成されるため、 [0168] [Effect of the Invention] As described above, according to the invention of claims 1 to 7, the first cleaning liquid of the liquid film is formed on the substrate discharged from the first discharge means because it is configured to eject cleaning mist from the second outlet means,
基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止することができる。 It is possible to prevent the water mark-like defects on the substrate. 【0169】また特に、請求項2ないし請求項7の発明によれば、洗浄ミストと第1の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉しないように第1および第2の吐出手段のそれぞれが移動されるため、洗浄ミストと第1の洗浄液とが干渉することによって発生する洗浄ミストの飛散を防止することができる。 [0169] Particularly, according to the invention of claims 2 to 7, each of the first and second discharge means to the cleaning mist and a first cleaning solution does not interfere prior to Chakueki the substrate to be moved, it can be a cleaning mist and a first cleaning solution to prevent the scattering of the cleaning mist generated by interfering. 【0170】また特に、請求項3の発明によれば、第1 [0170] Particularly, according to the third aspect of the present invention, the first
および第2の吐出手段はそれぞれの基板上の着液地点が所定以上の距離を保持するように移動されるため、洗浄ミストと第1の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉することを防ぐことができ、その結果、洗浄ミストの飛散を防止することができる。 And for Chakueki point of the second is the discharging means on the respective substrate is moved so as to hold the distance of more than a predetermined, that the cleaning mist and a first cleaning solution from interfering prior to Chakueki the substrate can be prevented, it is possible to prevent the result, scattering of the cleaning mist. 【0171】また特に、請求項4の発明によれば、第1 [0171] Particularly, according to the invention of claim 4, the first
の洗浄液を略鉛直方向に吐出するため、基板の回転中心に向けた傾斜姿勢から第1の洗浄液を吐出する場合と比較して、吐出された第1の洗浄液が有する水平方向の運動エネルギーを低下させることができ、洗浄ミストの飛散をさらに防止することができる。 For discharging the washing liquid in a substantially vertical direction, as compared with the case of discharging the first cleaning liquid from the inclined position towards the center of rotation of the substrate, lowering the horizontal kinetic energy of the first cleaning liquid discharged is to be able, the scattering of the cleaning mist can be further prevented. 【0172】また特に、請求項5の発明によれば、洗浄ミストおよび第1の洗浄液が基板に着液する以前に接触することを防止する遮蔽手段を備えるため、洗浄ミストと第1の洗浄液とが干渉することを効果的に防ぐことができる。 [0172] Particularly, according to the invention of claim 5, since the cleaning mist and a first cleaning liquid is provided with shielding means for preventing contact prior to Chakueki the substrate, the cleaning mist and a first cleaning solution it but interference can be effectively prevented. 【0173】また特に、請求項6の発明によれば、第1 [0173] Particularly, according to the invention of claim 6, the first
および第2の吐出手段が一体的に移動され、かつ、それぞれの基板上の着液地点が所定の距離に保持されるため、移動手段を複数設ける必要はなく簡易な構成で洗浄ミストと第1の洗浄液とが干渉することを防ぐことができる。 And second discharge means are moved integrally, and, since the Chakueki points on each substrate is held at a predetermined distance, the cleaning mist with the first with a simple configuration without the need to provide a plurality of moving means it is possible to prevent the and of the cleaning liquid may interfere. 【0174】また特に、請求項7の発明によれば、第1 [0174] Particularly, according to the invention of claim 7, the first
の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上の着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側となる。 Chakueki point on the substrate of the cleaning liquid, a relatively long period of time as a rotation center side of the substrate relative to Chakueki point on the substrate of the cleaning mist. このため、回転中心側に着液した第1の洗浄液は基板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制することができる。 Therefore, the first cleaning liquid Chakueki the rotation center side centrifugal force generated by the rotation of the substrate, will be spread on the substrate periphery side including the Chakueki point of the cleaning mist, by washing the mist is discharged to the substrate resulting failure can be effectively suppressed. 【0175】また特に、請求項8の発明によれば、第1 [0175] Particularly, according to the invention of claim 8, first
の洗浄液として機能水を使用することができ、基板上に機能水の液膜を形成することができる。 The functional water may be used as a cleaning liquid, it is possible to form a liquid film of the functional water on the substrate. 【0176】また特に、請求項9の発明によれば、第1 [0176] Particularly, according to the invention of claim 9, first
の洗浄液として純水を使用することができ、基板上に純水の液膜を形成することができる。 Of pure water can be used as a cleaning liquid, it is possible to form a pure liquid film on the substrate. 【0177】また特に、請求項10の発明によれば、第2の洗浄液として酸性溶液を使用することができ、基板に対して酸性溶液のミストを供給して基板処理を行うことができる。 [0177] Particularly, according to the present invention 10, an acidic solution as the second cleaning solution can be used, it is possible to perform the substrate processing by supplying a mist of the acid solution to the substrate. 【0178】また特に、請求項11の発明によれば、第2の洗浄液としてアルカリ性溶液を使用することができ、基板に対してアルカリ性溶液のミストを供給して基板処理を行うことができる。 [0178] Particularly, according to the invention of claim 11, it is possible to use an alkaline solution as the second cleaning solution, it is possible to perform the substrate processing by supplying a mist of alkaline solution to the substrate. 【0179】また特に、請求項12の発明によれば、第2の洗浄液として除去液を使用することができるため、 [0179] Particularly, according to the invention of claim 12, it is possible to use a removing solution as the second cleaning solution,
基板に対して除去液を供給し、当該基板上に付着した反応生成物を除去することができる。 Removing solution supply to the substrate, it is possible to remove the reaction product deposited on the substrate. 【0180】また特に、請求項13の発明によれば、洗浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるため、基板処理に使用する洗浄液の種類を削減することができる。 [0180] Particularly, according to the invention of claim 13, for the cleaning mist and liquid film can be the same washing solution, it is possible to reduce the types of the cleaning liquid to be used for substrate processing. 【0181】また、請求項14および請求項15の発明によれば、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止することができるとともに、第1および第2 [0181] Further, claim 14 and claim According to fifteenth aspect, it is possible to prevent the water mark-like defects on the substrate, first and second
の吐出手段が、所定の間隔を隔てて固設されるため、洗浄ミストと第1の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉することを防ぐことができる。 Discharge means is to be fixedly provided at a predetermined interval, a cleaning mist and a first cleaning liquid can be prevented from interfering prior to Chakueki the substrate. その結果、洗浄ミストと第1の洗浄液とが干渉することによって生じる洗浄ミストの飛散を防止することができる。 As a result, it is possible to a cleaning mist and a first cleaning solution to prevent the scattering of the cleaning mist generated by interfering. 【0182】また特に、請求項15の発明によれば、第1の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上の着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側となる。 [0182] Particularly, according to the invention of claim 15, Chakueki point on the substrate of the first cleaning liquid, the rotation center side of the relatively long substrate against Chakueki point on the substrate of the cleaning mist Become. このため、回転中心側に着液した第1の洗浄液は基板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制することができる。 Therefore, the first cleaning liquid Chakueki the rotation center side centrifugal force generated by the rotation of the substrate, will be spread on the substrate periphery side including the Chakueki point of the cleaning mist, by washing the mist is discharged to the substrate resulting failure can be effectively suppressed. 【0183】また特に、請求項16の発明によれば、洗浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるため、基板の洗浄処理に使用する洗浄液の種類を削減することができる。 [0183] Particularly, according to the invention of claim 16, for the cleaning mist and liquid film can be the same washing solution, it is possible to reduce the type of cleaning solution used for cleaning the substrate. 【0184】特に、請求項17から請求項20の発明によれば、基板上に形成される第1の洗浄液の液膜に、第2の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止しつつ、基板に付着した反応生成物を除去することができる。 [0184] In particular, according claim 17 to the invention of claim 20, the first cleaning liquid of the liquid film formed on the substrate, it is possible to discharge the cleaning mist is formed from the second washing solution , while preventing the watermark-like defects on the substrate, it is possible to remove the reaction product deposited on the substrate. また、基板上に形成される第3の洗浄液の液膜に、第4の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基板上のウォーターマーク状の欠陥が生じるの防止しつつ、基板上を洗浄することができる。 Further, the third washing solution of the liquid film formed on the substrate, it is possible to discharge the cleaning mist is formed from the fourth washing solution, while preventing the watermark-like defects on the substrate occurs, it can be cleaned on the substrate. 【0185】また特に、請求項18の発明によれば、第1の洗浄液と第2の洗浄液とを同一の洗浄液とすることができるため、使用する洗浄液の種類を削減することができる。 [0185] Particularly, according to the invention of claim 18, since the first cleaning liquid and the second cleaning liquid can be the same washing solution, it is possible to reduce the types of detergent used. 【0186】また特に、請求項19の発明によれば、第3の洗浄液と第4の洗浄液とを同一の洗浄液とすることができるため、使用する洗浄液の種類を削減することができる。 [0186] Particularly, according to the invention of claim 19, since the third washing solution and the fourth washing solution can be the same washing solution, it is possible to reduce the types of detergent used. 【0187】また特に、請求項20の発明によれば、ポリマ除去液によって基板に付着した反応生成物を除去し、純水によって基板を洗浄することができる。 [0187] Particularly, according to the present invention 20, it is possible to remove the reaction product adhered to the substrate by the polymer removal liquid, cleaning the substrate with pure water. 【0188】特に、請求項21の発明によれば、基板上に形成される第2の洗浄液の液膜に、第3の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基板上のウォーターマーク状の欠陥が生じるの防止しつつ、基板上を洗浄することができる。 [0188] In particular, according to the invention of claim 21, the second cleaning solution of the liquid film formed on the substrate, it is possible to discharge the cleaning mist is formed from the third washing solution, on the substrate while preventing the watermark-like defects can be cleaned on the substrate. 【0189】特に、請求項22の発明によれば、基板上に形成される第1の洗浄液の液膜に、第2の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止しつつ、基板に付着した反応生成物を除去することができる。 [0189] In particular, according to the present invention 22, the first cleaning liquid of the liquid film formed on the substrate, it is possible to discharge the cleaning mist is formed from the second cleaning solution onto a substrate while preventing the watermark-like defects can be removed the reaction product adhered to the substrate.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1の実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す図である。 Is a diagram showing an outline of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】ソフトスプレーノズルの断面概略図である。 2 is a cross-sectional schematic view of a soft spray nozzles. 【図3】本発明の第2の実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す図である。 3 is a diagram showing an outline of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. 【図4】本発明の第2の実施の形態に係るアームの先端部を正面から見た一部切欠図である。 4 is a partially cutaway view as viewed from the front end of the arm according to the second embodiment of the present invention. 【図5】本発明の第2の実施の形態に係るアームの先端部を上側から見た図である。 FIG. 5 is a view of the distal end of the arm from above according to a second embodiment of the present invention. 【図6】基板洗浄部を上方から見た場合の図である。 6 is a diagram when viewed the substrate cleaning unit from above. 【図7】アームを複数設けた場合の基板洗浄装置における基板洗浄部を上方から見た場合の図である。 7 is a diagram when viewed substrate cleaning section from above of the substrate cleaning apparatus when a plurality of arms. 【図8】本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置を模式的に示す平面図である。 8 is a plan view of the substrate processing apparatus shown schematically according to a third embodiment of the present invention. 【図9】図8の基板処理装置の除去処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 9 is a diagram schematically showing the configuration of a removal processing unit of a substrate processing apparatus in FIG. 【図10】本発明の第3の実施の形態に係るアームの先端部を正面から見た一部切欠図である。 10 is a partially cut-away view of the distal end of the arm from the front according to the third embodiment of the present invention. 【図11】本発明の第3の実施の形態に係るアームの先端部を上側から見た図である。 11 is a view of the distal end of the arm from above according to a third embodiment of the present invention. 【図12】本発明の第3の実施の形態に係るアームの先端部を正面から見た一部切欠図である。 12 is a partially cut-away view of the distal end of the arm from the front according to the third embodiment of the present invention. 【図13】本発明の第3の実施の形態に係るアームの先端部を上側から見た図である。 13 is a view of the distal end of the arm from above according to a third embodiment of the present invention. 【図14】第3の実施の形態の除去液供給工程における除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との位置関係を模式的に示す図である。 14 is a diagram schematically showing the positional relationship between the third removal solution discharge mechanism embodiment of the removal processing unit in the removing solution supply step of the pure water discharge mechanism. 【図15】第3の実施の形態の除去液供給工程における除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との位置関係を模式的に示す図である。 15 is a diagram schematically showing the positional relationship between the third removal solution discharge mechanism embodiment of the removal processing unit in the removing solution supply step of the pure water discharge mechanism. 【図16】アームの先端部を正面から見た図である。 FIG. 16 is a view of the distal end of the arm from the front. 【図17】アームの先端部を上側から見た図である。 17 is a view of the distal end of the arm from above. 【符号の説明】 1,200 基板洗浄装置11,100 スピンベース15,103,215 カップ21、221a,221b アーム26,113 遮蔽板30、230a,230b ソフトスプレーノズル31、231a,231b 吐出孔40,112,240a,240b リンスノズル41、241a,241b 吐出孔60 処理液供給部300 基板処理装置211 基板保持部 [Description of Reference Numerals] 1,200 substrate cleaning apparatus 11,100 spin base 15,103,215 cup 21,221A, 221b arm 26,113 shield 30,230A, 230b soft spray nozzles 31,231A, 231b discharge hole 40, 112,240a, 240b rinse nozzle 41,241a, 241b discharge hole 60 processing liquid supply unit 300 substrate processing apparatus 211 substrate holder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 H01L 21/306 R (72)発明者 佐藤 雅伸 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内(72)発明者 杉本 洋昭 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内(72)発明者 橋詰 彰夫 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内(72)発明者 辻川 裕貴 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内Fターム(参考) 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20 3B201 AA01 AB33 AB47 BB38 BB42 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H01L 21/306 H01L 21/306 R (72 ) climb inside Noriyuki inventor Sato MiyabiShin Kyohei Fujisawa Horikawa temple 4 chome, Tenjin Kitamachi in the address 1 of 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. (72) inventor Hiroaki Sugimoto Kyohei Fujisawa Horikawadori 4-chome climb inside Noriyuki temple Tenzin Kitamachi address 1 of 1 Dainippon Screen Mfg. Co., within the company (72 ) inventor Akio Hashizume Kyohei Fujisawa Horikawa temple inner climb 4-chome Tenjin Kitamachi address 1 of 1 Dainippon Screen Mfg. Co., the company Noriyuki (72) inventor Yuki TSUJIKAWA 4-chome to climb inside Noriyuki Kyohei Fujisawa Horikawa temple Tenjin Kitamachi address 1 of 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. in the F-term (reference) 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20 3B201 AA01 AB33 AB47 BB38 BB42 BB90 BB93 BB95 BB98 CC13 CD43 5F043 AA37 BB27 DD12 DD13 DD15 EE07 EE08 BB90 BB93 BB95 BB98 CC13 CD43 5F043 AA37 BB27 DD12 DD13 DD15 EE07 EE08

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板処理装置であって、 第1の洗浄液を前記基板上に吐出して、前記基板上に液膜を形成する第1の吐出手段と、 移動されつつ、前記液膜が形成された前記基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus for cleaning while rotating in Patent Claims 1] held on the rotary base substrates to a substantially horizontal plane, by discharging the first cleaning liquid on the substrate a first discharge means for forming a liquid film on the substrate while being moved, on the substrate on which the liquid film is formed, it is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas a substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a second discharge means for discharging the cleaning mist that. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置において、 前記第1の吐出手段は、基板上の所定の領域に第1の洗浄液の液膜が形成されるように移動され、 前記第2の吐出手段は、前記洗浄ミストの前記基板上の着液地点が前記基板の回転中心を通るように移動されるものであって、 前記第1および第2の吐出手段は、前記第1の洗浄液と前記洗浄ミストとが前記基板上に着液する以前に干渉することがないように移動されることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first discharge means, the first cleaning liquid of the liquid film is moved so as to be formed in a predetermined region on the substrate, the second the ejection means, be those Chakueki point on the substrate of the cleaning mist is moved so as to pass through the rotational center of the substrate, said first and second discharge means, the first cleaning solution the substrate processing apparatus according to claim the fact that the cleaning mist is moved so as not to interfere prior to Chakueki on the substrate and. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置において、 前記第1および第2の吐出手段は、それぞれからの前記基板上の着液地点が所定以上の距離を保持するように移動されることを特徴とする基板処理装置。 3. A substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the first and second discharge means, Chakueki point on said substrate from each of which is moved to hold a predetermined distance or more a substrate processing apparatus, characterized in that. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1の吐出手段は、前記第1の洗浄液を略鉛直方向に吐出することを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of 4. The method of claim 1 to claim 3, wherein the first discharge means, the substrate processing, characterized in that discharging in the substantially vertical direction the first cleaning solution apparatus. 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記洗浄ミストおよび前記第1の洗浄液が前記基板に着液する以前に接触することを防止する遮蔽手段、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 5] claims 1 to 4, shielding means the cleaning mist, and the first cleaning liquid is prevented from contacting prior to Chakueki the substrate, the substrate processing device characterized by further comprising a. 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1および第2の吐出手段の双方を一体的に移動させる移動手段、をさらに備え、 前記第1および第2の吐出手段のそれぞれは、前記移動手段によりそれぞれからの前記基板上の着液地点が所定の距離を保持するように移動されることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 6] Claims 1 to 5, further comprising a moving means for integrally moving the both the first and second discharge means, said first and each of the second discharge means, the substrate processing device characterized by Chakueki point on said substrate from each by the moving means is moved so as to maintain a predetermined distance. 【請求項7】 請求項6に記載の基板処理装置において、 前記移動手段は、前記第2の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するように、前記第1および第2の吐出手段の双方を回動させるものであって、 前記移動手段によって回動される前記第1および第2の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、かつ、 前記第2の吐出手段が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記第1の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するように、前記第1および第2の吐出手段が配置されることを特徴とする基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the moving means such that the second discharge means to pivot between at least the periphery of the rotation center to the substrate of the substrate, be one that rotates both of the first and second discharge means, each of the rotation locus of the first and second discharge means is rotated by said moving means on substantially the same circumference It becomes an arc, and, as relative said first discharge means is positioned at the rotation center side of the substrate when the second discharge means are located at the periphery of the substrate, the first and a substrate processing apparatus, wherein a second discharge means are arranged. 【請求項8】 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1の洗浄液は、機能水であることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 8] claims 1 to 7, wherein the first cleaning liquid, a substrate processing apparatus which is a functional water. 【請求項9】 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1の洗浄液は、純水であることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 9] claims 1 to 7, wherein the first cleaning liquid, a substrate processing apparatus which is a pure water. 【請求項10】 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第2の洗浄液は、酸性溶液であることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 10] claims 1 to 9, wherein the second cleaning liquid, a substrate processing apparatus, characterized in that an acidic solution. 【請求項11】 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第2の洗浄液は、アルカリ性溶液であることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 11] claims 1 to 9, wherein the second cleaning liquid, a substrate processing apparatus, characterized in that the alkaline solution. 【請求項12】 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第2の洗浄液は、前記基板に付着した反応生成物を除去する除去液であることを特徴とする基板処理装置。 The apparatus according to any one of claims 12] claims 1 to 9, wherein the second cleaning solution is characterized by a removal liquid for removing the reaction products deposited on the substrate the substrate processing apparatus. 【請求項13】 請求項1ないし請求項12のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1の洗浄液と前記第2の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする基板処理装置。 13. The apparatus according to any one of claims 1 to 12, the substrate processing apparatus, wherein the first and the cleaning liquid and the second cleaning liquid are the same cleaning solution. 【請求項14】 回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板洗浄装置において、 第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に液膜を形成する第1の吐出手段と、 前記液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、 前記第1および第2の吐出手段が所定の間隔を隔てて先端に固設されたアームと、 前記第1および第2の吐出手段の双方が前記基板の回転中心を通るように前記アームを回動させる回動手段と、 In the substrate cleaning apparatus for cleaning while rotating 14. The substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, forming a liquid film on the substrate by discharging the first cleaning liquid on the substrate a first discharge means, on the substrate on which the liquid film is formed, and a second discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas, said an arm first and second ejection means is fixed to the front end at a prescribed interval, rotating the arm so that both pass through the rotation center of the substrate of the first and second discharge means and rotating means for,
    を備えることを特徴とする基板洗浄装置。 Substrate cleaning apparatus comprising: a. 【請求項15】 請求項14に記載の基板洗浄装置において、 前記回動手段は、前記第2の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するように、前記アームを回動させるものであって、 前記回動手段によって回動される前記第1および第2の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、かつ、 前記第2の吐出手段が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記第1の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するように、前記第1および第2の吐出手段が配置されることを特徴とする基板洗浄装置。 15. The substrate cleaning apparatus according to claim 14, wherein the rotating means, as the second discharge means to pivot between at least the periphery of the rotation center to the substrate of the substrate , be one that rotates the arm, each of the rotation locus of the first and second discharge means being rotated by said rotation means is a circular arc on substantially the same circumference, and wherein the as relatively said first ejection means when the second discharge means are located at the periphery of the substrate positioned on the rotation center side of the substrate, said first and second discharge means are arranged substrate cleaning apparatus characterized in that it is. 【請求項16】 請求項14または請求項15に記載の基板洗浄装置において、 前記第1の洗浄液は、純水であり、前記第2の洗浄液は、純水であることを特徴とする基板洗浄装置。 16. The substrate cleaning apparatus according to claim 14 or claim 15, wherein the first cleaning solution is pure water, the second wash, substrate cleaning, which is a pure water apparatus. 【請求項17】 回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、 前記基板に第1の洗浄液と第2の洗浄液とを吐出して前記基板に付着した反応生成物を除去する第1の洗浄液供給手段と、 前記基板に第3の洗浄液と第4の洗浄液とを吐出して前記基板を洗浄する第2の洗浄液供給手段と、を備え, 前記第1の洗浄液供給手段は、 前記第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第1の洗浄液の液膜を形成する第1の吐出手段と、 前記第1の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を有し、 前記第2の洗浄手段は、 前記第3の洗浄液を前記基板上に吐出 17. while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, first to the substrate of the cleaning liquid and the second a first cleaning liquid supply means for ejecting a cleaning solution removes the reaction product adhering to the substrate, a second cleaning the substrate by discharging the third washing solution and the fourth washing solution to said substrate includes a cleaning liquid supply means, wherein the first cleaning liquid supply means, the first ejection to form the first cleaning liquid of the liquid film of the first cleaning liquid on the substrate by ejecting onto the substrate means and, in the first cleaning liquid of the liquid film is formed on a substrate, and a second discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas, the It has the second cleaning means, discharging the third washing solution onto the substrate て前記基板上に前記第3の洗浄液の液膜を形成する第3の吐出手段と、 前記第3の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第4の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第4の吐出手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。 A third discharge means for forming the third cleaning liquid of the liquid film on the substrate Te, the third washing solution of the liquid film is formed on a substrate, a fourth washing solution and pressurized gas the substrate processing apparatus characterized by having a fourth discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing. 【請求項18】 請求項17に記載の基板処理装置において、 前記第1の洗浄液と前記第2の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 17, the substrate processing apparatus, wherein said first cleaning liquid and the second cleaning liquid are the same cleaning solution. 【請求項19】 請求項17または請求項18に記載の基板処理装置において、 前記第3の洗浄液と前記第4の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とする基板処理装置。 19. The substrate processing apparatus according to claim 17 or claim 18, the substrate processing apparatus, wherein said third cleaning liquid and the fourth washing solution of the same cleaning solution. 【請求項20】 請求項17ないし請求項19のいずれかに記載の基板処理装置において、 前記第1の洗浄液は、ポリマー除去液であり、前記第3 The apparatus according to any one of claims 20] Claim 17 to Claim 19, wherein the first cleaning solution is a polymer removal liquid, the third
    の洗浄液は、純水であることを特徴とする基板処理装置。 Cleaning solution, a substrate processing apparatus which is a pure water. 【請求項21】 回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、 前記基板に第1の洗浄液を吐出して前記基板に付着した反応生成物を除去する第1の吐出手段と、 前記基板に第2の洗浄液と第3の洗浄液とを吐出して前記基板を洗浄する洗浄液供給手段と、を備え,前記洗浄液供給手段は、 前記第2の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第2の洗浄液の液膜を形成する第2の吐出手段と、 前記第2の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第3の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第3の吐出手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。 21. while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, discharging the first cleaning liquid to the substrate comprising a first discharge means for removing the reaction product adhered to the substrate, a cleaning liquid supply means for cleaning the substrate by discharging a second washing solution and a third cleaning liquid to the substrate, the Te, the cleaning liquid supply means includes a second outlet means forming a second cleaning liquid of the liquid film on the substrate by discharging the second cleaning solution onto the substrate, the second cleaning liquid of the liquid film is formed onto a substrate that is a substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a third discharge means for discharging the third washing solution and the pressurized gas and a cleaning mist that is formed by mixing, the. 【請求項22】 回転基台上に保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置において、 前記基板に第1の洗浄液と第2の洗浄液とを吐出し、 前記第1の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第1の洗浄液の液膜を形成する第1の吐出手段と、 前記第1の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第2の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する第2の吐出手段と、を有して前記基板に付着した有機物を除去する洗浄液供給手段と、 前記基板に第3の洗浄液を吐出して前記基板を洗浄する第3の吐出手段と、を備えることを特徴する基板処理装置。 22. while rotating the substrate held on the rotary base in a substantially horizontal plane, in the substrate processing apparatus for removing the reaction product adhered to the substrate, first to the substrate of the cleaning liquid and the second ejecting a cleaning solution, a first discharge means for forming the first cleaning liquid of the liquid film of the first cleaning liquid on the substrate by ejecting onto the substrate, the first cleaning liquid of the liquid film removed but on a substrate which is formed, and a second discharge means for discharging a cleaning mist that is formed by mixing a second cleaning solution and pressurized gas, an organic matter attached to the substrate with a a substrate processing apparatus for features and cleaning liquid supply means, and a third discharge means for cleaning the substrate by discharging the third cleaning liquid to the substrate, in that it comprises the.
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