JP6765878B2 - Substrate liquid treatment method and substrate liquid treatment equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板に処理液及びリンス液を供給して液処理を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique for supplying a treatment liquid and a rinse liquid to a substrate to perform liquid treatment.

半導体ウエハ等の基板に薬液処理及びリンス処理などの液処理を施すために、水平姿勢に保持された基板を鉛直軸線周りに回転させ、基板の処理面の中央部近傍に対してＤＨＦ（Diluted HydroFluoric acid）などの処理液やＤＩＷ（DeIonized Water）などのリンス液を供給する手法が一般に採用されている（例えば特許文献１参照）。この手法では、基板の中央部近傍に供給された処理液やリンス液が遠心力により拡散し、拡散した処理液やリンス液が基板の処理面を覆うことによって薬液処理及びリンス処理が行われる。 In order to apply liquid treatment such as chemical treatment and rinsing treatment to a substrate such as a semiconductor wafer, the substrate held in a horizontal position is rotated around the vertical axis, and DHF (Diluted HydroFluoric) is applied to the vicinity of the center of the processing surface of the substrate. A method of supplying a treatment liquid such as acid) or a rinse liquid such as DIW (DeIonized Water) is generally adopted (see, for example, Patent Document 1). In this method, the treatment liquid or rinse liquid supplied to the vicinity of the central portion of the substrate is diffused by centrifugal force, and the diffused treatment liquid or rinse liquid covers the treatment surface of the substrate to perform the chemical liquid treatment and the rinse treatment.

上述の薬液処理を行う場合、基板全体を均一に液処理することを目的として、処理液の流量及び処理液供給時の基板の回転数が設定される。 When the above-mentioned chemical treatment is performed, the flow rate of the treatment liquid and the rotation speed of the substrate when the treatment liquid is supplied are set for the purpose of uniformly treating the entire substrate.

半導体ウエハ等の表面に形成される回路が微細化していくと、微小なパーティクルが問題になることが分かっている。近年では微小なパーティクルが測定できるようになったため、今まで見えなかったパーティクルが見えてきた。そして、本件発明者は、そのようなパーティクルがウォーターマークに起因するもので、基板周縁部に発生しやすいことを発見した。 It is known that as the circuit formed on the surface of a semiconductor wafer or the like becomes finer, fine particles become a problem. In recent years, it has become possible to measure minute particles, so particles that could not be seen until now have become visible. Then, the inventor of the present invention has discovered that such particles are caused by watermarks and are likely to be generated on the peripheral edge of the substrate.

特開２００９−５９８９５号公報JP-A-2009-59895

本発明は、ウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を安定的に抑えることができる技術を提供するものである。 The present invention provides a technique capable of stably suppressing the generation of minute particles such as watermarks.

本発明の一態様は、回転する基板の中心部に処理液を供給する工程と、処理液を供給する工程の後に、回転する基板の中心部にリンス液を供給し、基板上にリンス液の液膜を形成する工程と、を含み、リンス液の液膜を形成する工程の前に、処理液の液膜が途切れた基板の周縁部に処理液の液膜を形成する工程を有する、基板液処理方法に関する。 In one aspect of the present invention, after the step of supplying the treatment liquid to the central portion of the rotating substrate and the step of supplying the treatment liquid, the rinse liquid is supplied to the central portion of the rotating substrate, and the rinse liquid is applied onto the substrate. A substrate comprising a step of forming a liquid film and a step of forming a liquid film of the treatment liquid on the peripheral edge of the substrate in which the liquid film of the treatment liquid is interrupted before the step of forming the liquid film of the rinse liquid. Regarding the liquid treatment method.

本発明の他の態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、基板保持部によって保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、処理液供給部によって処理液が供給された後に、基板保持部によって保持された基板にリンス液を供給し、基板上にリンス液の液膜を形成するリンス液供給部と、基板保持部、処理液供給部及びリンス液供給部を制御する制御部と、を備え、制御部は、リンス液の液膜を形成する前に、処理液の液膜が途切れた基板の周縁部に処理液の液膜を形成する、基板液処理装置に関する。 In another aspect of the present invention, a substrate holding unit that holds and rotates the substrate, a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit, and a processing liquid supply unit supplies the processing liquid. After that, the rinse liquid is supplied to the substrate held by the substrate holding unit, and the rinse liquid supply unit that forms a liquid film of the rinse liquid on the substrate, and the substrate holding unit, the treatment liquid supply unit, and the rinse liquid supply unit are controlled. The control unit comprises a control unit for forming a liquid film of the treatment liquid on the peripheral edge of the substrate where the liquid film of the treatment liquid is interrupted before forming the liquid film of the rinse liquid. ..

本発明によれば、ウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を安定的に抑えることができる。 According to the present invention, it is possible to stably suppress the generation of minute particles such as watermarks.

図１は、本発明の実施形態に係る処理ユニットを備える基板処理システムの概要を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an outline of a substrate processing system including a processing unit according to an embodiment of the present invention. 図２は、処理ユニットの概要を示す縦断側面図である。FIG. 2 is a vertical sectional side view showing an outline of the processing unit. 図３は、処理ユニット及び制御部の具体的な構成を例示する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a specific configuration of a processing unit and a control unit. 図４は、液処理流体がウエハの処理面の一部のみにわたって液膜を形成する例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example in which the liquid treatment fluid forms a liquid film over only a part of the treatment surface of the wafer. 図５は、液処理流体がウエハの処理面の全域にわたって液膜を形成する例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example in which the liquid treatment fluid forms a liquid film over the entire treatment surface of the wafer. 図６は、基板液処理方法のフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart of the substrate liquid treatment method. 図７は、第１薬液処理工程、第２薬液処理工程及びリンス処理工程におけるウエハ回転数、時間及び液供給流量の関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wafer rotation speed, the time, and the liquid supply flow rate in the first chemical solution treatment step, the second chemical solution treatment step, and the rinsing treatment step. 図８は、第１薬液処理工程、第２薬液処理工程及びリンス処理工程におけるウエハ回転数、時間及び液供給流量の関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the wafer rotation speed, the time, and the liquid supply flow rate in the first chemical solution treatment step, the second chemical solution treatment step, and the rinsing treatment step.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず本発明を適用可能な基板処理システムの典型例について説明する。 First, a typical example of a substrate processing system to which the present invention can be applied will be described.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12. A plurality of substrates, and in the present embodiment, a plurality of carriers C for accommodating a semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。 The transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs a predetermined substrate processing on the wafer W conveyed by the substrate conveying device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11, and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W mounted on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.

次に、処理ユニット１６の典型例について図２を参照して説明する。 Next, a typical example of the processing unit 16 will be described with reference to FIG.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。 The chamber 20 houses the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。 The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31, a strut portion 32, and a driving portion 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The strut portion 32 is a member extending in the vertical direction, the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and the holding portion 31 is horizontally supported at the tip portion. The drive unit 33 rotates the strut unit 32 around a vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the holding portion 31 supported by the supporting portion 32 by rotating the supporting portion 32 by using the driving unit 33, thereby rotating the wafer W held by the holding portion 31. ..

処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。 The processing fluid supply unit 40 supplies the processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to the processing fluid supply source 70.

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。 The recovery cup 50 is arranged so as to surround the holding portion 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding portion 31. A drainage port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drainage port 51 to the outside of the treatment unit 16. Further, at the bottom of the recovery cup 50, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed.

以上に概略構成を説明した処理ユニット１６及び制御部１８は、本発明の実施形態に係る基板液処理装置の少なくとも一部を構成する。例えば、上述の保持部３１、支柱部３２及び駆動部３３は、処理面に酸化膜が形成されたウエハＷを保持して回転させる基板保持部として機能する。また上述の処理流体供給源７０及び処理流体供給部４０は、基板保持部によって保持されたウエハＷに、酸化膜を除去する処理液であるＤＨＦを供給する処理液供給部として機能する。同様に、処理流体供給源７０及び処理流体供給部４０は、基板保持部によって保持されたウエハＷに対し、処理液供給部によってＤＨＦが供給された後にリンス液であるＤＩＷを供給し、ウエハＷの処理面上にＤＩＷの液膜を形成するリンス液供給部としても機能する。そして制御部１８は、これらの基板保持部、処理液供給部及びリンス液供給部を制御する。 The processing unit 16 and the control unit 18 whose schematic configuration has been described above constitute at least a part of the substrate liquid processing apparatus according to the embodiment of the present invention. For example, the holding portion 31, the supporting portion 32, and the driving portion 33 described above function as a substrate holding portion that holds and rotates the wafer W on which the oxide film is formed on the processing surface. Further, the processing fluid supply source 70 and the processing fluid supply unit 40 described above function as a processing liquid supply unit that supplies the DHF, which is a processing liquid for removing the oxide film, to the wafer W held by the substrate holding unit. Similarly, the processing fluid supply source 70 and the processing fluid supply unit 40 supply the DIW, which is a rinsing liquid, to the wafer W held by the substrate holding unit after the DHF is supplied by the processing liquid supply unit, and the wafer W is supplied. It also functions as a rinse liquid supply unit that forms a DIW liquid film on the treated surface of. Then, the control unit 18 controls these substrate holding units, processing liquid supply units, and rinse liquid supply units.

以下、これらの処理ユニット１６及び制御部１８の詳細な構成について図３を参照して説明する。 Hereinafter, the detailed configuration of these processing units 16 and the control unit 18 will be described with reference to FIG.

図３は、処理ユニット１６及び制御部１８の具体的な構成を例示する図である。 FIG. 3 is a diagram illustrating a specific configuration of the processing unit 16 and the control unit 18.

処理ユニット１６は、図２に示すチャンバ２０内に設けられた回収カップ５０及び処理流体供給部４０を備え、チャンバ２０内に搬入されたウエハＷの処理を行う。図１に示すように搬送部１５の両側に設けられた複数の処理ユニット１６は、それぞれ図示しない搬入出口を搬送部１５側に向けて配置されている。図３には、新たにＸ’軸、Ｙ’軸、Ｚ’軸を用いて各処理ユニット１６内の方向が示されている。これらの軸の方向に関し、搬入出口が設けられている方向をＹ’軸方向の前方側とし、このＹ’軸に直交するＸ’軸及びＺ’軸を規定し、特にＺ’軸正方向を鉛直上向き方向とした。 The processing unit 16 includes a recovery cup 50 and a processing fluid supply unit 40 provided in the chamber 20 shown in FIG. 2, and processes the wafer W carried into the chamber 20. As shown in FIG. 1, the plurality of processing units 16 provided on both sides of the transport unit 15 are arranged with the carry-in / outlets (not shown) facing the transport unit 15. In FIG. 3, the directions in each processing unit 16 are newly shown using the X'axis, the Y'axis, and the Z'axis. Regarding the directions of these axes, the direction in which the carry-in outlet is provided is the front side in the Y'axis direction, and the X'axis and the Z'axis orthogonal to the Y'axis are defined, and in particular, the Z'axis positive direction is defined. The direction was vertically upward.

図３に示すように、処理流体供給部４０は、第１ノズル４００を具備するノズルヘッド４１と、このノズルヘッド４１が先端部に取り付けられたノズルアーム４２と、ノズルアーム４２の基端部を支持する回転駆動部４３と、を備える。回転駆動部４３は、ノズルアーム４２の基端部を回転軸としてノズルアーム４２を水平方向へ回転させることができる。第１ノズル４００は、ノズルアーム４２の回転に応じ、ウエハＷの中央部上方側に設定された処理位置と、回収カップ５０の側方に退避した退避位置との間で移動させられる。ウエハＷに対してＤＨＦやＤＩＷを供給して薬液処理やリンス処理を行う場合、第１ノズル４００は処理位置に配置される。一方、そのような薬液処理やリンス処理を行わない場合、第１ノズル４００は退避位置に配置される。 As shown in FIG. 3, the processing fluid supply unit 40 includes a nozzle head 41 provided with a first nozzle 400, a nozzle arm 42 to which the nozzle head 41 is attached to a tip portion, and a base end portion of the nozzle arm 42. It includes a rotation drive unit 43 that supports it. The rotation drive unit 43 can rotate the nozzle arm 42 in the horizontal direction with the base end portion of the nozzle arm 42 as a rotation axis. The first nozzle 400 is moved between the processing position set on the upper side of the central portion of the wafer W and the retracted position retracted to the side of the recovery cup 50 according to the rotation of the nozzle arm 42. When DHF or DIW is supplied to the wafer W for chemical treatment or rinsing treatment, the first nozzle 400 is arranged at the treatment position. On the other hand, when such a chemical solution treatment or a rinsing treatment is not performed, the first nozzle 400 is arranged at the retracted position.

回転駆動部４３は、さらにノズルアーム４２を昇降させることができ、ノズルアーム４２を回転させるときの上方側の高さ位置と、ウエハＷにＤＨＦやＤＩＷを供給するための下方側の高さ位置との間で、ノズルアーム４２及び第１ノズル４００を鉛直方向へ移動させることができる。 The rotation drive unit 43 can further raise and lower the nozzle arm 42, and the height position on the upper side when rotating the nozzle arm 42 and the height position on the lower side for supplying DHF and DIW to the wafer W. The nozzle arm 42 and the first nozzle 400 can be moved in the vertical direction between the nozzle arm 42 and the first nozzle 400.

第１ノズル４００には、リンス液供給路７１１及びＤＨＦ供給路７１３が接続されている。リンス液供給路７１１及びＤＨＦ供給路７１３は、上述の処理流体供給源７０を構成するＤＩＷ供給源７０１及びＤＨＦ供給源７０２にそれぞれ接続されている。ＤＩＷ供給源７０１は、ＤＩＷを貯留する貯留部や、ＤＩＷの供給のためのポンプ及び流量調節バルブなどを備える。同様に、ＤＨＦ供給源７０２は、ＤＨＦを貯留する貯留部や、ＤＨＦの供給のためのポンプ及び流量調節バルブなどを備える。これらのＤＩＷ供給源７０１及びＤＨＦ供給源７０２は、制御部１８からの制御信号によって制御される。この制御信号に応じて、ＤＩＷ供給源７０１からリンス液供給路７１１及びノズルアーム４２の供給管を介して第１ノズル４００にＤＩＷが供給され、またＤＨＦ供給源７０２からＤＨＦ供給路７１３及びノズルアーム４２の供給管を介して第１ノズル４００にＤＨＦが供給される。 A rinse liquid supply path 711 and a DHF supply path 713 are connected to the first nozzle 400. The rinse liquid supply path 711 and the DHF supply path 713 are connected to the DIW supply source 701 and the DHF supply source 702 that constitute the processing fluid supply source 70 described above, respectively. The DIW supply source 701 includes a storage unit for storing the DIW, a pump for supplying the DIW, a flow rate control valve, and the like. Similarly, the DHF supply source 702 includes a storage unit for storing the DHF, a pump for supplying the DHF, a flow rate adjusting valve, and the like. These DIW supply source 701 and DHF supply source 702 are controlled by a control signal from the control unit 18. In response to this control signal, DIW is supplied from the DIW supply source 701 to the first nozzle 400 via the rinse liquid supply path 711 and the supply pipe of the nozzle arm 42, and the DHF supply source 702 to the DHF supply path 713 and the nozzle arm. DHF is supplied to the first nozzle 400 via the supply pipe of 42.

制御部１８は、更に駆動部３３にも制御信号を送る。駆動部３３は制御部１８からの制御信号によって制御され、この制御信号に応じて、支柱部３２の鉛直軸まわりの回転数が調整され、支柱部３２に固定された保持部３１に保持されるウエハＷの回転数も変えられる。 The control unit 18 also sends a control signal to the drive unit 33. The drive unit 33 is controlled by a control signal from the control unit 18, and the rotation speed of the support column 32 around the vertical axis is adjusted according to the control signal and is held by the holding unit 31 fixed to the support column 32. The rotation speed of the wafer W can also be changed.

＜微少パーティクルの発生の防止＞
回転するウエハＷの中心部に向けて、ＤＨＦを供給する薬液処理及びＤＩＷを供給するリンス処理は連続的に行われる。通常、薬液の供給量または基板の回転数は、ウエハＷの表面を均一に処理できる条件に設定される。本件発明者は、このような条件では、ウエハＷの疎水性の処理面に供給される液体がＤＨＦからＤＩＷに切り替えられる際、液で被膜されているはずのウエハＷの周縁部が露出することを発見した。そして、このことがウォーターマークなどの微少パーティクルを誘発することが分かった。 <Prevention of generation of minute particles>
The chemical treatment for supplying DHF and the rinsing treatment for supplying DIW are continuously performed toward the center of the rotating wafer W. Usually, the supply amount of the chemical solution or the rotation speed of the substrate is set under the condition that the surface of the wafer W can be uniformly processed. Under such conditions, the inventor of the present invention exposes the peripheral edge of the wafer W, which should be coated with the liquid, when the liquid supplied to the hydrophobic treated surface of the wafer W is switched from DHF to DIW. I found. And it turned out that this induces minute particles such as watermarks.

本件発明者は、ウエハＷの疎水性の処理面に供給される液体がＤＨＦからＤＩＷに切り替えられる際のウエハＷの周縁部に対する液被覆性に注目し、当該液被覆性を改善することによって、ウォーターマーク等の微少パーティクルを安定的に低減できるという知見を新たに得た。具体的には、薬液処理の終盤（例えば薬液処理完了前の数秒程度）においてウエハＷの回転数やＤＨＦの供給量を増大させ、ＤＨＦの液膜によりウエハＷの処理面の全域を覆った状態でＤＩＷの供給を開始することで、微少なウォーターマークの発生を効果的に抑制できる。すなわち、薬液処理が行われている段階でウエハＷの処理面に対する液被覆性を向上させ、液被覆性が十分に向上した状態で薬液処理からリンス処理に移行することで、処理面に対する液被覆性が不完全な状態になる時間を著しく短縮若しくは無くし、微少なウォーターマークの発生を非常に効果的に抑制することが可能である。 The present inventor pays attention to the liquid coating property on the peripheral edge of the wafer W when the liquid supplied to the hydrophobic treated surface of the wafer W is switched from DHF to DIW, and by improving the liquid coating property. We have newly obtained the knowledge that minute particles such as watermarks can be stably reduced. Specifically, in the final stage of the chemical treatment (for example, about several seconds before the completion of the chemical treatment), the rotation speed of the wafer W and the supply amount of the DHF are increased, and the entire treated surface of the wafer W is covered with the liquid film of the DHF. By starting the supply of DIW at, the generation of minute watermarks can be effectively suppressed. That is, the liquid coating property of the wafer W on the treated surface is improved at the stage where the chemical solution treatment is being performed, and the liquid coating property on the treated surface is shifted from the chemical solution treatment to the rinsing treatment in a state where the liquid coating property is sufficiently improved. It is possible to significantly reduce or eliminate the time for the sex to become incomplete and to suppress the generation of minute watermarks very effectively.

上述の考察を踏まえ、図３に示す制御部１８は、ＤＨＦ及びＤＩＷを用いた液処理工程における微少パーティクルの発生を防ぐために、以下の制御を行う。 Based on the above considerations, the control unit 18 shown in FIG. 3 performs the following control in order to prevent the generation of fine particles in the liquid treatment step using DHF and DIW.

すなわち制御部１８は、基板保持部を構成する駆動部３３及び処理液供給部を構成するＤＨＦ供給源７０２を制御して、ウエハＷの中心部にＤＨＦを供給し処理面の全域にわたってＤＨＦの液膜を形成する。なお制御部１８は、ＤＩＷの液膜を形成する前に、ＤＨＦの液膜が途切れたウエハＷの周縁部にＤＨＦの液膜を形成するように、駆動部３３及びＤＨＦ供給源７０２を制御する。そして制御部１８は、リンス液供給部を構成するＤＩＷ供給源７０１及び駆動部３３を制御して、ウエハＷの中心部にＤＩＷを供給し、処理面の全域にわたってＤＨＦの液膜が形成された状態で、ウエハＷに対するＤＩＷの供給を開始する。 That is, the control unit 18 controls the drive unit 33 that constitutes the substrate holding unit and the DHF supply source 702 that constitutes the processing liquid supply unit, supplies the DHF to the central portion of the wafer W, and supplies the DHF liquid over the entire processing surface. Form a film. The control unit 18 controls the drive unit 33 and the DHF supply source 702 so that the DHF liquid film is formed on the peripheral edge of the wafer W where the DHF liquid film is interrupted before the DIW liquid film is formed. .. Then, the control unit 18 controls the DIW supply source 701 and the drive unit 33 that form the rinse liquid supply unit to supply the DIW to the central portion of the wafer W, and a DHF liquid film is formed over the entire processing surface. In this state, the supply of DIW to the wafer W is started.

図４は、液処理流体ＬがウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみにわたって液膜を形成する例を示す断面図である。図５は、液処理流体ＬがウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって液膜を形成する例を示す断面図である。図４及び図５に示される液処理流体Ｌは、上述のＤＨＦ及びＤＩＷを代表的に表している。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example in which the liquid treatment fluid L forms a liquid film over only a part of the treatment surface Ws of the wafer W. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example in which the liquid treatment fluid L forms a liquid film over the entire treatment surface Ws of the wafer W. The liquid treatment fluid L shown in FIGS. 4 and 5 typically represents the above-mentioned DHF and DIW.

回転軸線Ａｗを中心に回転するウエハＷの処理面Ｗｓに対して第１ノズル４００から液処理流体Ｌが供給されると、液処理流体Ｌは、ウエハＷとともに回転し、ウエハＷの径方向外側に向かって働く遠心力の影響を受けてウエハＷの外周部Ｗｐに向かって拡がる。 When the liquid treatment fluid L is supplied from the first nozzle 400 to the processing surface Ws of the wafer W rotating about the rotation axis Aw, the liquid treatment fluid L rotates together with the wafer W and is radially outside the wafer W. Under the influence of the centrifugal force acting toward the wafer W, the wafer W spreads toward the outer peripheral portion Wp.

例えば、ウエハＷの回転数が十分に大きくない場合やウエハＷに対する液処理流体Ｌの供給量が十分に多くない場合には、図４に示すように、液処理流体Ｌによって形成される液膜がウエハＷの外周部Ｗｐにまで拡がることができず、液処理流体Ｌは、ウエハＷの中央部を中心とした一部範囲にのみ液膜を形成する。一方、ウエハＷの回転数が十分に大きい場合やウエハＷに対する液処理流体Ｌの供給量が十分に多い場合には、図５に示すように、液処理流体Ｌによって形成される液膜がウエハＷの外周部Ｗｐにまで拡がり、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって液処理流体Ｌの液膜が形成される。 For example, when the rotation speed of the wafer W is not sufficiently high or when the supply amount of the liquid treatment fluid L to the wafer W is not sufficiently large, as shown in FIG. 4, the liquid film formed by the liquid treatment fluid L is formed. Cannot spread to the outer peripheral portion Wp of the wafer W, and the liquid treatment fluid L forms a liquid film only in a partial range centered on the central portion of the wafer W. On the other hand, when the rotation speed of the wafer W is sufficiently high or when the supply amount of the liquid treatment fluid L to the wafer W is sufficiently large, as shown in FIG. 5, the liquid film formed by the liquid treatment fluid L is the wafer. It extends to the outer peripheral portion Wp of W, and a liquid film of the liquid treatment fluid L is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W.

なお、液膜の形成に寄与しない余剰な液処理流体Ｌは、液膜からちぎれて液滴となる。特に図４に示すようにウエハＷの処理面Ｗｓの一部範囲にのみ液処理流体Ｌの液膜が形成されている状態において、液膜からちぎれた液処理流体Ｌの液滴は、ウエハＷの外周部Ｗｐ側へ流れた後に、ウエハＷから振り切られる。ただし、液膜からちぎれて外周部Ｗｐ側へ流れた液滴の全てがウエハＷから振り切られるとは限らず、一部の液処理流体ＬはウエハＷの外周部Ｗｐに液滴の形態で残存してしまうことがある。特に、ウエハＷの外周部Ｗｐにおいて液滴として存在する液処理流体ＬがＤＩＷである場合に、ウォーターマークなどの微少パーティクルの発生が誘発される。本実施形態の基板液処理装置及び基板液処理方法では、そのような微少パーティクルの発生を抑えるために、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜を形成し、その後、処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成された状態でウエハＷに対するＤＩＷの供給を開始する。 The excess liquid treatment fluid L that does not contribute to the formation of the liquid film is torn off from the liquid film and becomes droplets. In particular, as shown in FIG. 4, in a state where the liquid film of the liquid treatment fluid L is formed only in a part of the processing surface Ws of the wafer W, the droplets of the liquid treatment fluid L torn from the liquid film are the wafer W. After flowing to the outer peripheral portion Wp side of the wafer W, it is shaken off from the wafer W. However, not all of the droplets that have been torn from the liquid film and flowed to the outer peripheral portion Wp side are shaken off from the wafer W, and some liquid treatment fluid L remains in the outer peripheral portion Wp of the wafer W in the form of droplets. I may end up doing it. In particular, when the liquid treatment fluid L existing as droplets on the outer peripheral portion Wp of the wafer W is DIW, the generation of fine particles such as watermarks is induced. In the substrate liquid treatment apparatus and the substrate liquid treatment method of the present embodiment, in order to suppress the generation of such fine particles, a DHF liquid film is formed over the entire treatment surface Ws of the wafer W, and then the treatment surface Ws The supply of DIW to the wafer W is started with the liquid film of DHF formed over the entire area.

以下、本実施形態における基板液処理方法について詳述する。本実施形態の基板液処理方法は、回転するウエハＷの中心部にＤＨＦを供給する工程と、ＤＨＦを供給する工程の後に、回転するウエハＷの中心部にＤＩＷを供給し、ウエハＷ上にＤＩＷの液膜を形成する工程と、を含む。さらにこの基板液処理方法は、ＤＩＷの液膜を形成する工程の前に、ＤＨＦの液膜が途切れたウエハＷの周縁部にＤＨＦの液膜を形成する工程を有する。 Hereinafter, the substrate liquid treatment method in this embodiment will be described in detail. In the substrate liquid treatment method of the present embodiment, after the step of supplying DHF to the central portion of the rotating wafer W and the step of supplying DHF, DIW is supplied to the central portion of the rotating wafer W and placed on the wafer W. Includes a step of forming a DIW liquid film. Further, this substrate liquid treatment method includes a step of forming a DHF liquid film on the peripheral edge of the wafer W where the DHF liquid film is interrupted before the step of forming the DIW liquid film.

図６は、基板液処理方法のフローチャートである。本実施形態の基板液処理方法では、基板準備工程Ｓ１１、第１薬液処理工程Ｓ１２、第２薬液処理工程Ｓ１３及びリンス処理工程Ｓ１４が順次行われる。 FIG. 6 is a flowchart of the substrate liquid treatment method. In the substrate liquid treatment method of the present embodiment, the substrate preparation step S11, the first chemical liquid treatment step S12, the second chemical liquid treatment step S13, and the rinse treatment step S14 are sequentially performed.

基板準備工程Ｓ１１は、処理面に酸化膜が形成されたウエハＷを準備する工程である。処理面に自然酸化物等の酸化膜が形成されているウエハＷは、図１に示す基板搬送装置１７によって搬送部１５内を搬送され、ＤＨＦ及びＤＩＷを使った液処理を行う処理ユニット１６内に搬入出口を介して搬入され、ウエハＷは保持部３１によって保持される。なお、ウエハＷが保持ピン３１１に受け渡された後、基板搬送装置１７は処理ユニット１６から退出する。 The substrate preparation step S11 is a step of preparing the wafer W on which the oxide film is formed on the treated surface. The wafer W on which an oxide film such as a natural oxide is formed on the processing surface is conveyed in the transfer unit 15 by the substrate transfer device 17 shown in FIG. 1, and in the processing unit 16 that performs liquid treatment using DHF and DIW. The wafer W is carried in through the carry-in outlet, and the wafer W is held by the holding unit 31. After the wafer W is delivered to the holding pin 311 the substrate transfer device 17 exits the processing unit 16.

第１薬液処理工程Ｓ１２及び第２薬液処理工程Ｓ１３は、それぞれ、酸化膜を除去するＤＨＦを、回転するウエハＷに供給する工程である。第１薬液処理工程Ｓ１２では、ウエハＷの処理面Ｗｓの一部（特に中心部）のみにわたってＤＨＦの液膜が形成される（図４参照）。一方、第２薬液処理工程Ｓ１３では、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される（図５参照）。 Each of the first chemical solution treatment step S12 and the second chemical solution treatment step S13 is a step of supplying DHF for removing the oxide film to the rotating wafer W. In the first chemical liquid treatment step S12, a liquid film of DHF is formed over only a part (particularly the central portion) of the treated surface Ws of the wafer W (see FIG. 4). On the other hand, in the second chemical liquid treatment step S13, a liquid film of DHF is formed over the entire treated surface Ws of the wafer W (see FIG. 5).

ＤＨＦによる酸化物の除去処理が進行するに従ってウエハＷの処理面Ｗｓの特性は変化するため、第１薬液処理工程Ｓ１２における処理面Ｗｓ上でのＤＨＦの液膜の状態も変化しうる。そのため、第１薬液処理工程Ｓ１２においてウエハＷを第１回転数で回転させた場合に、ＤＨＦの供給開始当初にはウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜を形成することが可能であったとしても、ＤＨＦにより酸化膜がエッチングされると、処理面Ｗｓ上でＤＨＦの液膜が途切れ、ウエハＷの周縁部にはＤＨＦの液膜が形成されなくなる。そのため本実施形態では、ＤＨＦの液膜が途切れたウエハＷの周縁部に、第２薬液処理工程Ｓ１３においてＤＨＦの液膜が形成される。このように本実施形態において、第１回転数で回転するウエハＷにＤＨＦを供給する工程は、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される工程と、ウエハＷの処理面Ｗｓの一部領域（特に中央部）のみにわたってＤＨＦの液膜が形成される工程とを含む。 Since the characteristics of the treated surface Ws of the wafer W change as the oxide removal treatment by DHF progresses, the state of the liquid film of DHF on the treated surface Ws in the first chemical solution treatment step S12 can also change. Therefore, when the wafer W is rotated at the first rotation speed in the first chemical liquid treatment step S12, it is possible to form a DHF liquid film over the entire processing surface Ws of the wafer W at the beginning of the supply of the DHF. Even if there is, when the oxide film is etched by DHF, the liquid film of DHF is interrupted on the treated surface Ws, and the liquid film of DHF is not formed on the peripheral edge of the wafer W. Therefore, in the present embodiment, the DHF liquid film is formed on the peripheral edge of the wafer W where the DHF liquid film is interrupted in the second chemical liquid treatment step S13. As described above, in the present embodiment, the steps of supplying the DHF to the wafer W rotating at the first rotation speed include the step of forming the liquid film of DHF over the entire processing surface Ws of the wafer W and the processing surface of the wafer W. It includes a step of forming a liquid film of DHF over only a part of the Ws region (particularly the central portion).

なお、薬液処理の条件はウエハＷの処理面Ｗｓが均一に処理されるように設定されるので、第１薬液処理工程Ｓ１２ではウエハＷの処理面Ｗｓ上にＤＨＦの液膜が形成されない場合もある。この場合にも、第２薬液処理工程Ｓ１３で、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成され、ＤＨＦの液膜が途切れたウエハＷの周縁部にＤＨＦの液膜が形成されることで、同様の作用効果が得られる。なお薬液処理の均一性を考慮すると、ウエハＷの回転数を上げることができない場合がある。例えば、ウエハＷの回転数を増大させ過ぎると、ウエハＷから一旦振り切られたＤＨＦが、周囲の回収カップ５０により跳ね返されてウエハＷに再び付着してしまう懸念があり、そのような再付着したＤＨＦによってウエハＷは汚染される。 Since the chemical solution treatment conditions are set so that the processing surface Ws of the wafer W is uniformly processed, the DHF liquid film may not be formed on the processing surface Ws of the wafer W in the first chemical solution treatment step S12. is there. Also in this case, in the second chemical liquid treatment step S13, the liquid film of DHF is formed over the entire treated surface Ws of the wafer W, and the liquid film of DHF is formed on the peripheral edge of the wafer W where the liquid film of DHF is interrupted. By doing so, the same effect can be obtained. Considering the uniformity of the chemical treatment, it may not be possible to increase the rotation speed of the wafer W. For example, if the rotation speed of the wafer W is increased too much, there is a concern that the DHF once shaken off from the wafer W may be repelled by the surrounding recovery cup 50 and reattached to the wafer W. Wafer W is contaminated by DHF.

リンス処理工程Ｓ１４は、ＤＨＦを供給する上述の第２薬液処理工程Ｓ１３の後に行われ、回転するウエハＷにＤＩＷを供給し、ウエハＷの処理面Ｗｓ上にＤＩＷの液膜を形成する工程である。リンス処理工程Ｓ１４は、上述の第２薬液処理工程Ｓ１３の直後に行われ、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成された状態で、ウエハＷに対するＤＩＷの供給が開始される。なおウエハＷに対するＤＩＷの供給が開始された後においても、処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成された状態が維持されるように、ウエハＷに対するＤＩＷの供給量及びウエハＷの回転数が調整される。したがって、ウエハＷに対するＤＩＷの供給の開始直後は、ＤＨＦ及びＤＩＷの混合液によって処理面Ｗｓ上に液膜が形成されるが、ＤＩＷの供給開始から時間が経つに従って徐々に液膜中のＤＩＷの比率が増し、最終的にはＤＩＷのみによって液膜が形成される。 The rinsing treatment step S14 is performed after the above-mentioned second chemical liquid treatment step S13 for supplying DHF, and is a step of supplying DIW to the rotating wafer W and forming a liquid film of DIW on the treated surface Ws of the wafer W. is there. The rinsing treatment step S14 is performed immediately after the second chemical liquid treatment step S13 described above, and the supply of DIW to the wafer W is started in a state where the liquid film of DHF is formed over the entire treated surface Ws of the wafer W. .. Even after the supply of DIW to the wafer W is started, the supply amount of DIW to the wafer W and the rotation speed of the wafer W are adjusted so that the state in which the liquid film is formed over the entire processing surface Ws is maintained. Will be done. Therefore, immediately after the start of the supply of DIW to the wafer W, a liquid film is formed on the treated surface Ws by the mixed solution of DHF and DIW, but as time passes from the start of supply of DIW, the DIW in the liquid film gradually becomes The ratio increases, and finally a liquid film is formed only by DIW.

このように、ＤＩＷの供給開始前にＤＨＦによってウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって液膜を形成しておき、処理面Ｗｓの全域にＤＨＦの液膜が形成された状態でＤＩＷの供給が開始される。これにより、ＤＩＷの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成されてＤＩＷの液滴がウエハＷの外周部Ｗｐに存在しうる図４に示すような状態を、回避することができる。上述のようにウエハＷの外周部Ｗｐに発生するウォーターマークなどの微少パーティクルは、主として、ＤＩＷの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成されている状態で、液膜からちぎれたＤＩＷの液滴がウエハＷの外周部Ｗｐに存在することに起因する。したがって、上述のようにＤＩＷの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成される状態を回避し、ウエハＷの外周部ＷｐにＤＩＷの液滴が存在しないようにすることで、ウエハＷの外周部Ｗｐにおけるウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を防ぐことができる。 In this way, the liquid film is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W by the DHF before the supply of the DIW is started, and the supply of the DIW is started with the liquid film of the DHF formed over the entire processing surface Ws. Will be done. As a result, it is possible to avoid the situation shown in FIG. 4 in which the liquid film of DIW is formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W and the droplets of DIW may exist on the outer peripheral portion Wp of the wafer W. it can. As described above, minute particles such as watermarks generated on the outer peripheral portion Wp of the wafer W are mainly torn from the liquid film in a state where the liquid film of DIW is formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W. This is because the DIW droplets are present on the outer peripheral portion Wp of the wafer W. Therefore, by avoiding the state where the liquid film of DIW is formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W as described above and preventing the DIW droplets from being present on the outer peripheral portion Wp of the wafer W. It is possible to prevent the generation of minute particles such as watermarks on the outer peripheral portion Wp of the wafer W.

次に、本実施形態の変形例であるウエハＷの回転数を調整してウエハＷの処理面Ｗｓの全域に液膜を形成する手法について説明する。 Next, a method of adjusting the rotation speed of the wafer W, which is a modification of the present embodiment, to form a liquid film over the entire processing surface Ws of the wafer W will be described.

図７は、第１薬液処理工程Ｓ１２、第２薬液処理工程Ｓ１３及びリンス処理工程Ｓ１４におけるウエハ回転数、時間及び液供給流量の関係を示すグラフである。図７において、横軸は時間（秒）を示し、左側の縦軸はウエハＷの回転数（ｒｐｍ：revolutions per minute）を示し、右側の縦軸はウエハＷに対するＤＨＦ及びＤＷＩの液供給流量（ｍｌ／ｍｉｎ）を示す。符号「Ｒ１」によって示される実線は、本実施形態に係る「時間」及び「ウエハＷの回転数」の関係を示す。符号「Ｒ２」によって示される点線は、比較例に係る「時間」及び「ウエハＷの回転数」の関係を示す。符号「Ｆ１」によって示される一点鎖線は「時間」及び「ＤＨＦの液供給量」の関係を示し、符号「Ｆ２」によって示される二点鎖線は「時間」及び「ＤＩＷの液供給量」の関係を示す。 FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wafer rotation speed, the time, and the liquid supply flow rate in the first chemical solution treatment step S12, the second chemical solution treatment step S13, and the rinse treatment step S14. In FIG. 7, the horizontal axis indicates time (seconds), the vertical axis on the left side indicates the rotation speed (rpm: revolutions per minute) of the wafer W, and the vertical axis on the right side indicates the liquid supply flow rate of DHF and DWI with respect to the wafer W. ml / min) is shown. The solid line indicated by the reference numeral “R1” indicates the relationship between “time” and “wafer W rotation speed” according to the present embodiment. The dotted line indicated by the reference numeral “R2” indicates the relationship between “time” and “wafer W rotation speed” according to the comparative example. The alternate long and short dash line indicated by the symbol "F1" indicates the relationship between "time" and "DHF liquid supply amount", and the alternate long and short dash line indicated by the symbol "F2" indicates the relationship between "time" and "DIW liquid supply amount". Is shown.

なお符号「Ｆ１」及び「Ｆ２」で示される線は本実施形態及び比較例において共通しており、ウエハＷに対するＤＨＦの供給量及びＤＩＷの供給量は、本実施形態及び比較例において同じである。すなわち本実施形態に係る基板液処理方法及び比較例に係る基板液処理方法のいずれにおいても、ウエハＷに対するＤＨＦの供給量（符号「Ｆ１」参照）は時間にかかわらず一定であり、またウエハＷに対するＤＩＷの供給量（符号「Ｆ２」参照）も時間にかかわらず一定であり、ＤＨＦの供給量とＤＩＷの供給量とは同じである。 The lines indicated by the symbols "F1" and "F2" are common to the present embodiment and the comparative example, and the supply amount of DHF and the supply amount of DIW to the wafer W are the same in the present embodiment and the comparative example. .. That is, in both the substrate liquid treatment method according to the present embodiment and the substrate liquid treatment method according to the comparative example, the supply amount of DHF to the wafer W (see reference numeral "F1") is constant regardless of time, and the wafer W The supply amount of DIW with respect to (see the reference numeral "F2") is also constant regardless of time, and the supply amount of DHF and the supply amount of DIW are the same.

符号「Ｒ２」で表される比較例では、上述の第１薬液処理工程Ｓ１２及び第２薬液処理工程Ｓ１３の両工程において、ウエハＷの回転数は第１回転数Ｎ１で一定の割合で回転し、ＤＨＦがウエハＷに供給されている間は、図４に示すようにＤＨＦの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成される。そして、ウエハＷに対するＤＨＦの供給が終了してＤＩＷの供給が開始されると、ウエハＷの回転数は徐々に増大し、第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２までウエハＷの回転数が増大される。 In the comparative example represented by the reference numeral "R2", in both the first chemical solution treatment step S12 and the second chemical solution treatment step S13 described above, the rotation speed of the wafer W rotates at a constant rate at the first rotation speed N1. While the DHF is being supplied to the wafer W, a liquid film of the DHF is formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W as shown in FIG. When the supply of DHF to the wafer W is completed and the supply of DIW is started, the rotation speed of the wafer W gradually increases, and the rotation speed of the wafer W increases from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2. Will be increased.

この比較例において、ウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２まで増大される間には、ウエハＷにはＤＩＷが供給される一方で、ウエハＷの処理面Ｗｓ上に形成される液膜が外周部Ｗｐに存在しない期間が存在する。そのため、ウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２まで増大される期間のうち、液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成されている間は、液膜からちぎれたＤＩＷを含有する液滴が外周部Ｗｐに存在しうる。上述のように、ウエハＷの外周部Ｗｐに発生するウォーターマークなどの微少パーティクルは、ＤＩＷの液滴がウエハＷの外周部Ｗｐに存在することに起因するため、この比較例では微少パーティクルの発生が誘発される。 In this comparative example, while the rotation speed of the wafer W is increased from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2, the DIW is supplied to the wafer W, while on the processing surface Ws of the wafer W. There is a period during which the formed liquid film does not exist on the outer peripheral Wp. Therefore, during the period in which the rotation speed of the wafer W is increased from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2, the liquid film is formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W. Droplets containing the torn DIW may be present on the outer peripheral Wp. As described above, the minute particles such as watermarks generated on the outer peripheral portion Wp of the wafer W are caused by the presence of the DIW droplets on the outer peripheral portion Wp of the wafer W. Therefore, in this comparative example, the minute particles are generated. Is triggered.

一方、符号「Ｒ１」で表される本実施形態では、ＤＨＦを供給する工程が、第１回転数Ｎ１で回転するウエハＷにＤＨＦが供給される第１薬液処理工程Ｓ１２と、第１回転数Ｎ１よりも速い第２回転数Ｎ２で回転するウエハＷにＤＨＦが供給される第２薬液処理工程Ｓ１３とを有する。第１薬液処理工程Ｓ１２において、第１回転数Ｎ１で回転するウエハＷに供給されたＤＨＦは、ウエハＷの処理面Ｗｓの中心部に液膜を形成し、ウエハＷの周縁部ではＤＨＦの液膜が途切れている。一方、第２薬液処理工程Ｓ１３において、第１回転数Ｎ１よりも速い第２回転数Ｎ２で回転するウエハＷにＤＨＦが供給されることにより、ＤＩＷを供給するリンス処理工程Ｓ１４の前に、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される。より具体的には、第２薬液処理工程Ｓ１３では、ウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２まで比例的に増大され、その後、ウエハＷの回転数が第２回転数Ｎ２に維持される。これにより、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される。そしてリンス処理工程Ｓ１４では、ウエハＷの回転数が第２回転数Ｎ２に維持され、第１回転数Ｎ１よりも速い第２回転数Ｎ２で回転するウエハＷにＤＩＷが供給される。これにより、処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成された状態で、ウエハＷに対するＤＩＷの供給が行われる。 On the other hand, in the present embodiment represented by the reference numeral "R1", the steps of supplying the DHF are the first chemical solution treatment step S12 in which the DHF is supplied to the wafer W rotating at the first rotation speed N1 and the first rotation speed. It has a second chemical solution treatment step S13 in which the DHF is supplied to the wafer W rotating at the second rotation speed N2, which is faster than N1. In the first chemical liquid treatment step S12, the DHF supplied to the wafer W rotating at the first rotation speed N1 forms a liquid film at the center of the processing surface Ws of the wafer W, and the liquid of DHF is formed at the peripheral portion of the wafer W. The membrane is broken. On the other hand, in the second chemical liquid treatment step S13, the wafer W is supplied to the wafer W rotating at the second rotation speed N2, which is faster than the first rotation speed N1, so that the wafer is before the rinsing treatment step S14 for supplying the DIW. A liquid film of DHF is formed over the entire area of the treated surface Ws of W. More specifically, in the second chemical treatment step S13, the rotation speed of the wafer W is proportionally increased from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2, and then the rotation speed of the wafer W is increased to the second rotation speed. It is maintained at N2. As a result, a liquid film of DHF is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. Then, in the rinsing process S14, the rotation speed of the wafer W is maintained at the second rotation speed N2, and DIW is supplied to the wafer W rotating at the second rotation speed N2, which is faster than the first rotation speed N1. As a result, DIW is supplied to the wafer W in a state where the liquid film is formed over the entire area of the treated surface Ws.

このようにリンス処理工程Ｓ１４の前段階で、ウエハＷの回転数を調整してウエハＷの処理面Ｗｓの全域にＤＨＦの液膜を形成しておき、リンス処理工程Ｓ１４中も処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成されるようにウエハＷの回転数が調整される。これにより、ＤＩＷを含有する液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成されることを防いで、ＤＩＷを含有する液滴が外周部Ｗｐに存在しうる期間を回避することができ、外周部Ｗｐにおけるウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を抑えることができる。 In this way, in the pre-stage of the rinsing process S14, the rotation speed of the wafer W is adjusted to form a DHF liquid film over the entire processing surface Ws of the wafer W, and the processing surface Ws is also formed during the rinsing process S14. The rotation speed of the wafer W is adjusted so that a liquid film is formed over the entire area. As a result, it is possible to prevent the liquid film containing DIW from being formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W, and to avoid the period during which the droplets containing DIW can exist on the outer peripheral portion Wp. , It is possible to suppress the generation of minute particles such as watermarks on the outer peripheral portion Wp.

なお上述の図７に示す例では、第２薬液処理工程Ｓ１３においてウエハＷの回転数を第２回転数Ｎ２まで増大しているが、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜を形成することができるのであれば、第２薬液処理工程Ｓ１３におけるウエハＷの回転数は第２回転数Ｎ２に限定されない。ただし第２薬液処理工程Ｓ１３の最終段階で、リンス処理工程Ｓ１４において求められるウエハＷの回転数と同じ回転数までウエハＷの回転数を増大させることで、第２薬液処理工程Ｓ１３からリンス処理工程Ｓ１４への移行を簡便に行うことができる。 In the above-mentioned example shown in FIG. 7, the rotation speed of the wafer W is increased to the second rotation speed N2 in the second chemical liquid treatment step S13, but a liquid film of DHF is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. If this is possible, the rotation speed of the wafer W in the second chemical solution treatment step S13 is not limited to the second rotation speed N2. However, in the final stage of the second chemical solution treatment step S13, by increasing the rotation speed of the wafer W to the same rotation speed as the rotation speed of the wafer W required in the rinse treatment step S14, the rinse treatment step from the second chemical solution treatment step S13 The transition to S14 can be easily performed.

次に、液供給量を調整してウエハＷの処理面Ｗｓの全域に液膜を形成する手法について説明する。 Next, a method of adjusting the liquid supply amount to form a liquid film over the entire processing surface Ws of the wafer W will be described.

図８は、第１薬液処理工程Ｓ１２、第２薬液処理工程Ｓ１３及びリンス処理工程Ｓ１４におけるウエハ回転数、時間及び液供給流量の関係を示すグラフである。図８において、横軸は時間（秒）を示し、左側の縦軸はウエハＷの回転数（ｒｐｍ）を示し、右側の縦軸はウエハＷに対するＤＨＦ及びＤＷＩの液供給流量（ｍｌ／ｍｉｎ）を示す。符号「Ｒ１」によって示される実線は、本実施形態に係る「時間」及び「ウエハＷの回転数」の関係を示す。符号「Ｆ１」によって示される一点鎖線は「時間」及び「ＤＨＦの液供給量」の関係を示し、符号「Ｆ２」によって示される二点鎖線は「時間」及び「ＤＩＷの液供給量」の関係を示す。 FIG. 8 is a graph showing the relationship between the wafer rotation speed, the time, and the liquid supply flow rate in the first chemical solution treatment step S12, the second chemical solution treatment step S13, and the rinse treatment step S14. In FIG. 8, the horizontal axis shows the time (seconds), the vertical axis on the left side shows the rotation speed (rpm) of the wafer W, and the vertical axis on the right side shows the liquid supply flow rates (ml / min) of DHF and DWI with respect to the wafer W. Is shown. The solid line indicated by the reference numeral “R1” indicates the relationship between “time” and “wafer W rotation speed” according to the present embodiment. The alternate long and short dash line indicated by the symbol "F1" indicates the relationship between "time" and "DHF liquid supply amount", and the alternate long and short dash line indicated by the symbol "F2" indicates the relationship between "time" and "DIW liquid supply amount". Is shown.

図８に示す例においてＤＨＦを供給する工程は、第１供給量Ｐ１のＤＨＦがウエハＷに供給される第１薬液処理工程Ｓ１２と、第１供給量Ｐ１よりも多い第２供給量Ｐ２のＤＨＦがウエハＷに供給される第２薬液処理工程Ｓ１３とを有する。第１薬液処理工程Ｓ１２において、第１供給量Ｐ１でウエハＷに供給されたＤＨＦは、ウエハＷの処理面Ｗｓの中心部に液膜を形成し、ウエハＷの周縁部では処理液の液膜が途切れている。一方、第２薬液処理工程Ｓ１３において、第１供給量Ｐ１よりも多い供給量のＤＨＦがウエハＷに供給されることによって、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される。より具体的には、第２薬液処理工程Ｓ１３では、ＤＨＦの供給量が第１供給量Ｐ１から第２供給量Ｐ２まで比例的に増大され、その後、ＤＨＦの供給量が第２供給量Ｐ２に維持される。これにより、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成される。なお第１薬液処理工程Ｓ１２及び第２薬液処理工程Ｓ１３の間、ウエハＷは第１回転数Ｎ１で回転され、ウエハＷの回転数は一定に維持されている。 In the example shown in FIG. 8, the steps of supplying the DHF include the first chemical treatment step S12 in which the DHF of the first supply amount P1 is supplied to the wafer W and the DHF of the second supply amount P2 which is larger than the first supply amount P1. Has a second chemical solution treatment step S13 supplied to the wafer W. In the first chemical liquid treatment step S12, the DHF supplied to the wafer W in the first supply amount P1 forms a liquid film at the center of the processing surface Ws of the wafer W, and the liquid film of the treatment liquid is formed at the peripheral portion of the wafer W. Is interrupted. On the other hand, in the second chemical solution treatment step S13, a supply amount of DHF larger than that of the first supply amount P1 is supplied to the wafer W, so that a liquid film of DHF is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. More specifically, in the second chemical treatment step S13, the supply amount of DHF is proportionally increased from the first supply amount P1 to the second supply amount P2, and then the supply amount of DHF becomes the second supply amount P2. Be maintained. As a result, a liquid film of DHF is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. During the first chemical treatment step S12 and the second chemical treatment step S13, the wafer W is rotated at the first rotation speed N1, and the rotation speed of the wafer W is maintained constant.

そしてリンス処理工程Ｓ１４では、ウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２に増大される一方で、ＤＩＷの供給量が第２供給量Ｐ２で供給を開始し、その後第１供給量Ｐ１に低減される。このようにウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１から第２回転数Ｎ２に増大され且つＤＩＷの供給量が第２供給量Ｐ２から第１供給量Ｐ１に低減される間、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成された状態が維持される。またリンス処理工程Ｓ１４において、ウエハＷの回転数が第２回転数Ｎ２に到達した後はウエハＷの回転数は第２回転数Ｎ２に維持され、またＤＩＷの供給量が第１供給量Ｐ１に到達した後はＤＩＷの供給量は第１供給量Ｐ１に維持される。このようにウエハＷの回転数が第２回転数Ｎ２に維持され且つＤＩＷの供給量が第１供給量Ｐ１に維持されている間も、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成された状態が維持される。 Then, in the rinsing process S14, the rotation speed of the wafer W is increased from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2, while the supply amount of DIW starts to be supplied at the second supply amount P2, and then the first The supply amount is reduced to P1. While the rotation speed of the wafer W is increased from the first rotation speed N1 to the second rotation speed N2 and the supply amount of DIW is reduced from the second supply amount P2 to the first supply amount P1, the wafer W is processed. The state in which the liquid film is formed over the entire surface Ws is maintained. Further, in the rinsing process S14, after the rotation speed of the wafer W reaches the second rotation speed N2, the rotation speed of the wafer W is maintained at the second rotation speed N2, and the supply amount of DIW becomes the first supply amount P1. After reaching, the supply amount of DIW is maintained at the first supply amount P1. As described above, while the rotation speed of the wafer W is maintained at the second rotation speed N2 and the supply amount of DIW is maintained at the first supply amount P1, a liquid film is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. The state is maintained.

このようにリンス処理工程Ｓ１４の前段階で、ＤＨＦの供給量を調整してウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜を形成しておき、リンス処理工程Ｓ１４中も処理面Ｗｓの全域にわたって液膜が形成されるように、ＤＩＷの供給量及びウエハＷの回転数が調整される。これにより、ＤＩＷを含有する液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの一部のみに形成されることを防いで、ＤＩＷを含有する液滴が外周部Ｗｐに存在しうる期間を回避することができ、ウエハＷの外周部Ｗｐにおけるウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を抑えることができる。 In this way, in the pre-stage of the rinsing process S14, the supply amount of DHF is adjusted to form a liquid film of DHF over the entire processing surface Ws of the wafer W, and the entire area of the processing surface Ws is also formed during the rinsing process S14. The supply amount of DIW and the rotation speed of the wafer W are adjusted so that the liquid film is formed over the same. As a result, it is possible to prevent the liquid film containing DIW from being formed only on a part of the processing surface Ws of the wafer W, and to avoid the period during which the droplets containing DIW can exist on the outer peripheral portion Wp. , It is possible to suppress the generation of minute particles such as watermarks on the outer peripheral portion Wp of the wafer W.

なお上述の図８に示す例では、ウエハＷにＤＨＦが供給される第１薬液処理工程Ｓ１２及び第２薬液処理工程Ｓ１３の間は、ウエハＷの回転数が一定に維持されているが、ウエハＷの回転数は必ずしも一定である必要はない。例えば、ウエハＷの回転数が第１回転数Ｎ１かつＤＨＦの供給量が第３供給量（ただし「第１供給量Ｐ１＜第３供給量＜第２供給量Ｐ２」の関係を満たす）では、ＤＨＦの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたっては形成されない場合がある。また、ウエハＷの回転数が第３回転数（ただし「第１回転数Ｎ１＜第３回転数＜第２回転数Ｎ２」の関係を満たす）かつＤＨＦの供給量が第1供給量Ｐ１では、ＤＨＦの液膜がウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたっては形成されない場合がある。その一方で、ウエハＷの回転数が第３回転数かつＤＨＦの供給量が第３供給量では、ＤＨＦの液膜をウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたって形成することができる場合がある。この場合、第２薬液処理工程Ｓ１３におけるＤＨＦの供給量の増大の程度を抑えることができ、ＤＨＦの消費量を節約することができる。また第２薬液処理工程Ｓ１３において、ウエハＷの回転数を第１回転数Ｎ１より速い回転数に調整することにより、その後のリンス処理工程Ｓ１４において、より短時間で、ウエハＷの回転数を目標回転数である第２回転数Ｎ２に調整することができる。第２薬液処理工程Ｓ１３からリンス処理工程Ｓ１４への移行をスムーズに行う観点からは、第２薬液処理工程Ｓ１３におけるウエハＷの最終的な目標回転数を、リンス処理工程Ｓ１４におけるウエハＷの目標回転数と同じにすることが好ましい。 In the above-mentioned example shown in FIG. 8, the rotation speed of the wafer W is kept constant during the first chemical solution treatment step S12 and the second chemical solution treatment step S13 in which the DHF is supplied to the wafer W, but the wafer The rotation speed of W does not necessarily have to be constant. For example, when the number of rotations of the wafer W is the first rotation number N1 and the supply amount of the DHF is the third supply amount (however, the relationship of "first supply amount P1 <third supply amount <second supply amount P2" is satisfied). The liquid film of DHF may not be formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. Further, when the rotation speed of the wafer W is the third rotation speed (however, the relationship of "first rotation speed N1 <third rotation speed <second rotation speed N2" is satisfied) and the supply amount of DHF is the first supply amount P1. The liquid film of DHF may not be formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. On the other hand, when the rotation speed of the wafer W is the third rotation speed and the supply amount of the DHF is the third supply amount, the liquid film of the DHF may be formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. In this case, the degree of increase in the supply amount of DHF in the second chemical solution treatment step S13 can be suppressed, and the consumption amount of DHF can be saved. Further, in the second chemical liquid treatment step S13, the rotation speed of the wafer W is adjusted to a rotation speed faster than the first rotation speed N1, and in the subsequent rinsing treatment step S14, the rotation speed of the wafer W is targeted in a shorter time. It can be adjusted to the second rotation speed N2, which is the rotation speed. From the viewpoint of smoothly transitioning from the second chemical solution treatment step S13 to the rinse treatment step S14, the final target rotation speed of the wafer W in the second chemical solution treatment step S13 is set to the target rotation of the wafer W in the rinse treatment step S14. It is preferably the same as the number.

また上述の図８に示す例では、図３に示す制御部１８がＤＨＦ供給源７０２を制御することによって、ウエハＷに対するＤＨＦの供給量が増加されているが、ウエハＷに対するＤＨＦの供給を補助する補助手段が更に設けられてもよい。すなわち、上述のＤＨＦ供給源７０２とは別個にＤＨＦ供給補助部を設けて、当該ＤＨＦ供給補助部が、制御部１８の制御下で追加的にＤＨＦをウエハＷに供給することでウエハＷに対するＤＨＦの供給量を増加してもよい。なお、このＤＨＦ供給補助部の具体的な構成は特に限定されない。例えば、ＤＨＦ供給補助部は、図３に示すノズルアーム４２の供給管や第１ノズル４００をＤＨＦ供給源７０２と共用してもよいし、ノズルアーム４２及び第１ノズル４００とは別個の専用の供給管及びノズルを有していてもよい。 Further, in the example shown in FIG. 8 described above, the control unit 18 shown in FIG. 3 controls the DHF supply source 702 to increase the supply amount of DHF to the wafer W, but assists the supply of DHF to the wafer W. Auxiliary means may be further provided. That is, a DHF supply auxiliary unit is provided separately from the above-mentioned DHF supply source 702, and the DHF supply auxiliary unit additionally supplies the DHF to the wafer W under the control of the control unit 18 to supply the DHF to the wafer W. Supply may be increased. The specific configuration of the DHF supply auxiliary unit is not particularly limited. For example, the DHF supply auxiliary unit may share the supply pipe of the nozzle arm 42 and the first nozzle 400 shown in FIG. 3 with the DHF supply source 702, or may be dedicated separately from the nozzle arm 42 and the first nozzle 400. It may have a supply pipe and a nozzle.

以上説明したように本実施形態及び変形例の基板液処理方法及び基板液処理装置によれば、ウエハＷの処理面Ｗｓの全域にわたってＤＨＦの液膜が形成された状態で、ウエハＷに対するＤＩＷの供給が開始される。これにより、ＤＩＷを含有する液滴がウエハＷの外周部Ｗｐに存在しうる期間が生じることを防ぎ、ウォーターマークなどの微少パーティクルの発生を安定的に抑えることができる。 As described above, according to the substrate liquid treatment method and the substrate liquid treatment apparatus of the present embodiment and the modified example, the DIW with respect to the wafer W is formed in a state where the liquid film of DHF is formed over the entire processing surface Ws of the wafer W. Supply is started. As a result, it is possible to prevent a period in which the droplets containing DIW can exist on the outer peripheral portion Wp of the wafer W, and to stably suppress the generation of fine particles such as watermarks.

なお本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も本発明の範囲に含まれうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various embodiments to which various modifications that can be conceived by those skilled in the art are added can also be included in the scope of the present invention. The effect produced by is not limited to the above items. Therefore, various additions, changes, and partial deletions can be made to the claims and the elements described in the specification without departing from the technical idea and purpose of the present invention.

例えば上述の実施形態では、ＤＨＦを処理液として使用し、ＤＩＷをリンス液として使用する例について説明したが、処理液及びリンス液は特に限定されない。フッ酸を含有する溶液を処理液として好適に使用することができる。酸化膜のエッチング除去などの所望の薬液処理に必要な任意の液体を処理液として使用することが可能であり、そのような処理液を適切に洗い流すことができる任意の液体をリンス液として使用することが可能である。 For example, in the above-described embodiment, an example in which DHF is used as the treatment liquid and DIW is used as the rinsing liquid has been described, but the treatment liquid and the rinsing liquid are not particularly limited. A solution containing hydrofluoric acid can be suitably used as a treatment liquid. Any liquid required for the desired chemical treatment such as etching removal of the oxide film can be used as the treatment liquid, and any liquid capable of appropriately washing away such the treatment liquid is used as the rinsing liquid. It is possible.

またウエハＷの組成も特に限定されず、典型的には高純度のシリコンによってウエハＷが構成される。特に、上述の基板液処理方法及び基板液処理装置は、処理液によって酸化膜が除去された処理面Ｗｓの接触角が、酸化膜が形成された処理面Ｗｓの接触角よりも大きくなるウエハＷに対して、好適に適用することができる。 Further, the composition of the wafer W is not particularly limited, and the wafer W is typically composed of high-purity silicon. In particular, in the above-mentioned substrate liquid treatment method and substrate liquid treatment apparatus, the contact angle of the treatment surface Ws from which the oxide film has been removed by the treatment liquid is larger than the contact angle of the treatment surface Ws on which the oxide film is formed. However, it can be preferably applied.

１８ 制御部
３０ 基板保持機構
４０ 処理流体供給部
Ｗ ウエハ 18 Control unit 30 Substrate holding mechanism 40 Processing fluid supply unit W Wafer

Claims (9)

回転する基板の中心部に処理液を供給する工程と、
前記処理液を供給する工程の後に、回転する前記基板の中心部にリンス液を供給し、前記基板上に前記リンス液の液膜を形成する工程と、を含み、
前記リンス液の液膜を形成する工程の前に、前記処理液の液膜が途切れた前記基板の周縁部に前記処理液の液膜を形成する工程を有し、
前記処理液を供給する工程では、第１回転数で回転する前記基板に前記処理液が供給され、
前記周縁部に前記処理液の液膜を形成する工程では、前記第１回転数よりも速い第２回転数で回転する前記基板に前記処理液が供給されることによって、前記リンス液を供給する工程の前に前記処理液の液膜が形成される基板液処理方法。 The process of supplying the processing liquid to the center of the rotating substrate,
After the step of supplying the treatment liquid, a step of supplying the rinse liquid to the central portion of the rotating substrate and forming a liquid film of the rinse liquid on the substrate is included.
Prior to the step of forming the liquid film of the rinse liquid, there is a step of forming the liquid film of the treatment liquid on the peripheral edge of the substrate where the liquid film of the treatment liquid is interrupted.
In the step of supplying the treatment liquid, the treatment liquid is supplied to the substrate that rotates at the first rotation speed.
In the step of forming a liquid film of the treatment liquid on the peripheral portion, the rinse liquid is supplied by supplying the treatment liquid to the substrate that rotates at a second rotation speed faster than the first rotation speed. A substrate liquid treatment method in which a liquid film of the treatment liquid is formed before the step. 前記第１回転数で回転する前記基板に供給された前記処理液は、前記基板の中心部に液膜を形成し、前記周縁部では前記処理液の液膜が途切れている請求項１に記載の基板液処理方法。 Wherein the processing liquid supplied to the substrate rotating at the first rotational speed to form a liquid film in the center portion of the substrate, wherein the peripheral portion according to claim 1, the liquid film of the process liquid is broken Substrate liquid treatment method. 前記第１回転数は、前記基板の処理面の全域に前記処理液の液膜を形成することが可能な回転数である請求項１又は２に記載の基板液処理方法。 The substrate liquid treatment method according to claim 1 or 2 , wherein the first rotation speed is a rotation speed at which a liquid film of the treatment liquid can be formed over the entire treatment surface of the substrate. 前記リンス液を供給する工程では、前記第１回転数よりも速い第２回転数で回転する前記基板に前記リンス液が供給される請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板液処理方法。 The substrate liquid treatment according to any one of claims 1 to 3 , wherein in the step of supplying the rinse liquid, the rinse liquid is supplied to the substrate that rotates at a second rotation speed faster than the first rotation speed. Method. 前記リンス液の液膜を形成する工程において、第１供給量よりも多い供給量の前記リンス液が前記基板に供給され、その後、前記基板に供給される前記リンス液の供給量は低減される請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板液処理方法。 In the step of forming the liquid film of the rinse liquid, a supply amount of the rinse liquid larger than the first supply amount is supplied to the substrate, and then the supply amount of the rinse liquid supplied to the substrate is reduced. The substrate liquid treatment method according to any one of claims 1 to 4 . 前記処理液を供給する工程は、前記基板の全域にわたって前記処理液の液膜を形成する工程を有し、
前記リンス液を供給する工程では、前記基板の全域にわたって前記処理液の液膜が形成された状態で、前記基板に対する前記リンス液の供給が開始される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板液処理方法。 The step of supplying the treatment liquid includes a step of forming a liquid film of the treatment liquid over the entire area of the substrate.
In any one of claims 1 to 5 , in the step of supplying the rinse liquid, the supply of the rinse liquid to the substrate is started in a state where the liquid film of the treatment liquid is formed over the entire area of the substrate. The substrate liquid treatment method described. 前記処理液によって酸化膜が除去された前記基板の接触角は、前記酸化膜が形成された前記基板の接触角よりも大きい請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板液処理方法。 The substrate liquid treatment method according to any one of claims 1 to 6 , wherein the contact angle of the substrate from which the oxide film has been removed by the treatment liquid is larger than the contact angle of the substrate on which the oxide film is formed. 前記処理液は、フッ酸を含有し、
前記リンス液は、純水である請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板液処理方法。 The treatment liquid contains hydrofluoric acid and
The substrate liquid treatment method according to any one of claims 1 to 7 , wherein the rinse liquid is pure water. 基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部によって前記処理液が供給された後に、前記基板保持部によって保持された前記基板にリンス液を供給し、前記基板上に前記リンス液の液膜を形成するリンス液供給部と、
前記基板保持部、前記処理液供給部及び前記リンス液供給部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記処理液供給部を制御して、回転する前記基板の中心部に前記処理液を供給し、
前記リンス液供給部を制御して、前記基板に前記処理液を供給した後に、回転する前記基板の中心部にリンス液を供給して、前記基板上に前記リンス液の液膜を形成し、
前記処理液供給部は、
前記基板上に前記リンス液の液膜が形成される前に、前記処理液の液膜が途切れた前記基板の周縁部に前記処理液の液膜を形成し、
回転する前記基板の中心部に前記処理液を供給する際、第１回転数で回転する前記基板に前記処理液を供給し、
前記基板上に前記リンス液の液膜が形成される前に前記周縁部に前記処理液の液膜を形成する際、前記第１回転数よりも速い第２回転数で回転する前記基板に前記処理液を供給する、基板液処理装置。 A board holding part that holds and rotates the board,
A processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit,
After the treatment liquid is supplied by the treatment liquid supply unit, the rinse liquid is supplied to the substrate held by the substrate holding unit, and the rinse liquid supply unit forms a liquid film of the rinse liquid on the substrate. ,
A control unit for controlling the substrate holding unit, the processing liquid supply unit, and the rinse liquid supply unit is provided.
The control unit
The processing liquid supply unit is controlled to supply the processing liquid to the central portion of the rotating substrate.
After controlling the rinse liquid supply unit and supplying the treatment liquid to the substrate, the rinse liquid is supplied to the central portion of the rotating substrate to form a liquid film of the rinse liquid on the substrate.
The treatment liquid supply unit
Before the liquid film of the rinse liquid is formed on the substrate, the liquid film of the treatment liquid is formed on the peripheral edge of the substrate where the liquid film of the treatment liquid is interrupted.
When the treatment liquid is supplied to the central portion of the rotating substrate, the treatment liquid is supplied to the substrate rotating at the first rotation speed.
When the liquid film of the treatment liquid is formed on the peripheral portion before the liquid film of the rinse liquid is formed on the substrate, the substrate is rotated at a second rotation speed faster than the first rotation speed. A substrate liquid treatment device that supplies the treatment liquid.
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JP2010010242A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing method and apparatus
KR101447759B1 (en) * 2008-12-16 2014-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Application processing method and application processing apparatus
JP2013201418A (en) * 2012-02-24 2013-10-03 Ebara Corp Substrate processing method
JP6223839B2 (en) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium
JP6118758B2 (en) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium recording substrate processing program
JP6341035B2 (en) * 2014-09-25 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium

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