KR102150607B1 - 무기충전재, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 절연층을 포함하는 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재는 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성된다.

Description

무기충전재, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 절연층을 포함하는 발광소자{INORGANIC FILLER, EPOXY RESIN COMPOSITION COMPRISING THE SAME AND LIGHT EMITTING ELEMENT COMPRISING ISOLATION LAYER USING THE SAME}
본 발명은 무기충전재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지 조성물에 포함되는 무기충전재에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 등의 발광 소자를 포함하는 발광 장치가 각종 광원으로 이용되고 있다. 반도체 기술이 발전함에 따라 발광 소자의 고출력화가 가속화되고 있다. 이러한 발광 소자가 방출하는 다량의 광 및 열에 안정적으로 대응하기 위하여, 발광 소자의 방열 성능이 요구되고 있다.
또한, 전자 부품의 고집적화 및 고용량화에 따라, 전자 부품이 탑재되는 인쇄회로기판의 방열 문제에 대한 관심이 커지고 있다.
일반적으로, 발광 소자 또는 인쇄회로기판의 절연층을 위하여 에폭시 화합물, 경화제 및 무기충전재를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 사용될 수 있다.
이때, 무기충전재는 질화붕소를 포함할 수 있다. 다만, 질화붕소는 열전도도가 우수하나, 에폭시 화합물과의 젖음성(wetting)이 낮으므로, 분산성이 약하고, 기판과의 접착력이 낮으며, 가공성이 약한 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 에폭시 수지 조성물에 포함되는 무기 충전재를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재는 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성된다.
상기 무기충전재는 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN), 그라파이트, 산화알루미늄(Al2O3) 및 질화알루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 세라믹은 실리콘 옥시카보니트라이드(silicon oxycarbonitride, SiCNO) 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride, SiCN)를 포함할 수 있다.
상기 히드록실기는 상기 실리콘 옥시카보니트라이드 또는 상기 실리콘 카보니트라이드의 Si와 결합할 수 있다.
상기 무기충전재는 판형의 무기 입자가 뭉쳐진 응집체를 포함할 수 있다.
상기 무기 입자는 질화붕소 및 그라파이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 세라믹은 상기 응집체의 공극 내에 채워질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물, 그리고 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2 이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성되는 무기충전재를 포함한다.
상기 에폭시 화합물과 상기 무기충전재는 10 대 10 내지 50의 부피비로 포함될 수 있다.
상기 세라믹은 실리콘 옥시카보니트라이드(silicon oxycarbonitride, SiCNO) 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride, SiCN)를 포함하며, 상기 히드록실기는 상기 실리콘 옥시카보니트라이드 또는 실리콘 카보니트라이드의 Si와 결합할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 인쇄회로기판 또는 발광소자 모듈에 적용되는 에폭시 수지 조성물에 포함되는 무기충전재를 얻을 수 있다. 이에 따라, 분산성이 양호하고, 절연 성능이 우수하며, 박리강도(peel strength)가 높고, 열전도도가 높은 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.
도 1 내지 2는 본 발명의 한 실시예에 따라 무기충전재의 표면을 코팅하는 방법을 나타낸다.
도 3은 공극을 채우기 전의 질화붕소 응집체의 형상(morphology)을 나타낸다.
도 4는 공극을 채운 후의 질화붕소 응집체의 형상을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광소자 모듈의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물, 그리고 무기충전재를 포함한다. 이때, 무기충전재는 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성된다.
보다 상세하게는, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물에서 에폭시 화합물과 무기충전재는 10 대 10 내지 50의 부피비, 바람직하게는 10 대 25 내지 50의 부피비, 더욱 바람직하게는 10 대 40 내지 50의 부피비로 포함될 수 있다. 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 무기충전재가 10 부피비 미만으로 포함되면, 열전도도가 떨어질 수 있다. 그리고, 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 무기충전재가 50 부피비를 초과하여 포함되면, 에폭시 수지 조성물의 브리틀(brittle)이 높아져 박리강도가 낮아질 수 있다.
여기서, 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물, 비결정성 에폭시 화합물 및 실리콘 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
결정성 에폭시 화합물은 메조겐(mesogen) 구조를 포함할 수 있다. 메조겐(mesogen)은 액정(liquid crystal)의 기본 단위이며, 강성(rigid) 구조를 포함한다.
그리고, 비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A 또는 비스페놀 F로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다. 비결정성 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 비결정성 에폭시 화합물 3 내지 40 부피비를 포함할 수 있다. 이와 같은 비율로 결정성 에폭시 화합물과 비결정성 에폭시 화합물이 포함되면, 상온 안정성을 높일 수 있다.
그리고, 실리콘 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 3 내지 40 부피비로 포함될 수 있다. 이와 같은 비율로 결정성 에폭시 화합물과 실리콘 에폭시 화합물이 포함되면, 열전도도 및 내열성을 높일 수 있다.
그리고, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화제를 더 포함할 수 있다. 경화제는 전제 에폭시 수지 조성물의 0.5 내지 5vol%로 포함될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물에 포함되는 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 2 종류 이상의 경화제를 혼합하여 사용할 수도 있다.
그리고, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성되는 무기충전재를 포함한다.
이와 같이, 무기충전재의 표면을 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹으로 코팅하면, 분산성, 절연 성능 및 열전도도를 높일 수 있다. 특히, 코팅층의 표면에 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성되면, 에폭시 수지와 무기충전재 간의 접합력을 높여 분산성을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 열전도도 및 박리 강도(peel strength)도 높일 수 있다.
여기서, 무기충전재는 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN), 그라파이트, 산화알루미늄(Al2O3) 및 질화알루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 무기충전재는 판형의 질화붕소 또는 판형의 그라파이트가 뭉쳐진 응집체를 포함할 수 있으며, 응집체 내의 공극에는 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹이 형성될 수 있다.
이와 같이, 무기충전재가 판형의 무기 입자로 뭉쳐진 응집체를 포함하는 경우, 모든 방향에서 열전도 성능이 균일한 등방성 열전도 특성을 가질 수 있으며, 분산성 및 절연 성능도 높일 수 있다. 특히, 응집체 내의 공극이 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹으로 채워지는 경우, 응집체 내의 공기층이 최소화되어 열전도 성능을 높일 수 있으며, 응집체를 형성하는 판형의 무기 입자 간의 결합력을 높여 응집체의 깨짐을 방지할 수 있다.
한편, C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹은 실리콘 옥시카보니트라이드(silicon oxycarbonitride, SiCNO) 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride, SiCN)를 포함할 수 있다. 이때, SiCNO 또는 SiCN는 화학식 1의 폴리실라잔(polysilazane, PSZ)으로부터 형성될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112014086620843-pat00001
여기서, R1, R2 및 R3는 각각 H, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이다.
또는, 세라믹은 알콕사이드(alkoxide, -OR)기를 포함하는 알루미늄 옥사이드, 알콕사이드기를 포함하는 실리콘 옥사이드 및 알콕사이드기를 포함하는 티타늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 알루미늄 옥사이드는 화학식 2의 알루미늄 알콕사이드(Al alkoxide)의 가수분해 반응 및 탈수축합반응으로부터 형성되고, 실리콘 옥사이드는 화학식 3의 실리콘 알콕사이드의 가수분해 반응 및 탈수축합반응으로부터 형성되며, 티타늄 옥사이드는 화학식 4의 티타늄 알콕사이드의 가수분해 반응 및 탈수축합반응으로부터 형성될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112014086620843-pat00002
여기서, R1 내지 R3은 각각 H 및 C1~C6의 알킬로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112014086620843-pat00003
여기서, R1 내지 R4은 각각 H 및 C1~C6의 알킬로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112014086620843-pat00004
여기서, R1 내지 R4은 각각 H 및 C1~C6의 알킬로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.
실리콘 알콕사이드로부터 알콕사이드기를 포함하는 실리콘 옥사이드를 형성하는 메커니즘은 아래 반응식과 같다.
Figure 112014086620843-pat00005
도 1 내지 2는 본 발명의 한 실시예에 따라 무기충전재의 표면을 처리하는 방법을 나타낸다. 설명의 편의를 위하여, 무기충전재는 판형의 질화붕소를 뭉친 덩어리이고, 세라믹은 SiCNO인 것을 예로 들어 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 2를 참조하면, 질화붕소 응집체(200)를 폴리실라잔과 혼합한다(S110). 도 3은 질화붕소 응집체(200)의 형상(morphology)을 나타낸다. 도 3의 질화붕소 응집체(200)의 표면을 EDX 분석하면, B는 75.33wt%, N은 24.67wt%의 비율을 나타내고, 단면을 EDX 분석하면, B는 73.58wt%, N은 26.42wt%를 나타낸다. 예를 들어, 폴리실라잔은 모노머(monomer) 또는 올리고머(oligomer)일 수 있으며, 폴리실라잔 30g과 질화붕소 응집체(200) 30g을 5분간 혼합(stirring)한 후, 용매(solvent), 예를 들면 아세톤(acetone)을 이용하여 워싱(washing)할 수 있다.
이를 위하여, 질화붕소 응집체(200)를 불화수소산(HF)계 용액 등을 이용하여 미리 에칭(etching)할 수도 있다. 질화붕소 응집체(200)를 에칭하면, 폴리실라잔과의 반응성을 높일 수 있다.
이에 따라, 질화붕소 응집체(210)의 공극 내 및 표면에 액상의 폴리실라잔이 채워질 수 있다.
다음으로, 질화붕소 응집체(210)의 공극 내 및 표면에 있는 액상의 폴리실라잔을 폴리머화(polymerization)한다(S110). 이를 위하여, 질화붕소 응집체(210)를 160 내지 180℃에서 18 내지 24시간동안 처리할 수 있다. 이에 따라, 폴리실라잔 모노머 또는 올리고머는 탈수축합반응을 통하여 가교(crosslink)되어 질화붕소 응집체(220)의 공극을 메꾸거나, 표면에 코팅될 수 있다.
그리고, 질화붕소 응집체(220)를 소결한다(S120). 이를 위하여, 질화붕소 응집체(220)를 700 내지 800℃에서 2 내지 3시간 동안 열분해(pyrolysis)할 수 있다. 열분해 과정을 통하여 폴리실라잔 폴리머의 CH4, C2H4, C2H6, NH3 등은 방출되며, 공극 내 및 표면이 SiCNO 세라믹으로 채워진 질화붕소 응집체(230)를 얻을 수 있다. 도 4는 공극이 SiCNO로 채워진 질화붕소 응집체의 형상(morphology)을 나타낸다. 이때, 도 4의 질화붕소 응집체의 표면을 EDX 분석하면, B는 50.23wt%, C는 9.00wt%, N는 7.56wt%, O는 4.69wt%, Si는 28.53wt%의 비율을 나타내고, 단면을 EDX 분석하면, B는 53.40wt%, C는 9.16wt%, N는 12.14wt%, O는 5.93wt%, Si는 19.38wt%의 비율을 나타낸다. 단계 S120의 열분해 과정을 질소 분위기에서 수행하면, 표면은 SiCN을 포함하는 세라믹으로 코팅될 수 있다.
다음으로, 질화붕소 응집체(230)를 NaOH 용액에서 20 내지 40시간동안 열처리한다(S130). 이에 따라, 표면에 히드록실기가 형성된 질화붕소 응집체(240)를 얻을 수 있다. 즉, 질화붕소 응집체(230)의 표면에는 도 2의 230과 같이 SiCNO가 형성되어 있다. SiCNO는 무정형 세라믹으로, -Si-O-Si-의 구조로 결합되어 있다. 이때, NaOH 용액에서 처리하면, OH-가 Si와 O 간의 결합을 끊고, Si와 반응하여 Si-OH의 결합을 형성한다. 이러한 과정을 통하여, SiCNO로 코팅된 질화붕소 응집체의 표면에는 히드록실기가 형성될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 인쇄회로기판에 적용될 수 있다. 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 인쇄회로기판(100)은 기판(110), 절연층(120) 및 회로 패턴(130)을 포함한다.
기판(110)은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금으로 이루어질 수 있다.
기판(110) 상에는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물로 이루어진 절연층(120)이 형성된다.
절연층(120) 상에는 회로 패턴(130)이 형성된다. 회로 패턴(130)은 구리, 니켈 등의 금속으로 이루어질 수 있다.
절연층(120)은 금속 플레이트(110)와 회로 패턴(130) 사이를 절연한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재를 포함하는 에폭시 수지 조성물은 발광소자 모듈에도 적용될 수 있다. 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광소자 모듈의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 발광소자 모듈(400)은 기판(410), 기판(410) 상에 형성되는 절연층(420), 절연층(420) 상에 형성되는 회로패턴(430), 그리고 절연층(420) 상에 형성되는 발광소자(430)를 포함한다.
기판(410)은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금으로 이루어질 수 있다.
절연층(420)은 본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재를 포함하는 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 절연층(420)과 회로패턴(430) 간의 밀착력을 높이기 위하여 절연층(420)과 회로패턴(430) 간에는 씨드층(seed layer)이 형성될 수도 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 구체적으로 설명한다.
먼저, 에폭시 화합물과 무기충전재를 동일한 함량비로 고정시키고, 무기충전재의 종류를 다르게 하여 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
<실시예 1>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
[화학식 5]
Figure 112014086620843-pat00006
[화학식 6]
Figure 112014086620843-pat00007
여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C1~C3 알켄, C1~C3 알킨, 아릴(aryl group)로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다. 여기서, R1 내지 R6은 페닐기일 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112014086620843-pat00008
그리고, SiC의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 80 vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실시예 2>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 80 vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실시예 3>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, Al2O3의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실시예 4>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, AlN의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 1>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, SiC의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 2>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 3>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, Al2O3의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 4>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 8.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 4.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 4.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, AlN의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 무기충전재 80vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
다음으로, 무기충전재의 종류를 실시예 2와 동일하게 고정시킨 후, 에폭시 화합물과 무기충전재 간의 함량비를 다르게 하여 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
<실시예 5>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 18.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 9.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 9.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 60vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실시예 6>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 13.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 6.875 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 6.875 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 70vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실시예 7>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 11.25 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 5.625 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 5.625 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 75vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 5>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 38.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 19.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 19.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 20vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 6>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 33.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 16.875 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 16.875 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 30vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 7>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 28.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 14.375 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 14.375 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 40vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 8>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 3.75 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 1.875 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 1.875 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 90vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<비교예 9>
결정성 에폭시 화합물, 즉 4,4'-바이페놀 에테르 디글리시딜 에테르 6.25 vol%, 화학식 5의 비결정성 에폭시 화합물 3.125 vol% 및 화학식 6의 실리콘 에폭시 화합물 3.125 vol%, 4,4'-디아미노디페닐설폰 1.25 vol% 및 화학식 7의 산무수물계 경화제 1.25 vol%를 혼합하였다.
그리고, BN(판형의 BN이 뭉쳐진 응집체이며, 평균 밀도는 2.246g/cm3이고, 공극비는 8%이하)의 표면에 SiCNO를 포함하는 코팅층을 100nm의 두께로 코팅한 후, NaOH에서 36시간동안 처리한 무기충전재 85vol%를 첨가하고, 2시간동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 균일하게 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 일정한 압력으로 경화시켰다.
<실험예>
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 9로부터 얻은 에폭시 수지 조성물을 경화시킨 후, 지름이 0.5인치의 원 형태로 제작하고, 상부에 247voltage의 레이저 펄스를 주사한 후 하부에 평형이 되는 시간을 측정하여 열전도도를 계산하였다. 그리고, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 8로부터 얻은 에폭시 수지 조성물을 경화시킨 후 62.5mm 두께의 구리층을 접착하고, 50mm/min의 속도로 수직 방향(90°의 각도)으로 들어올리는 조건으로 박리 강도(peel strength)를 측정하였다.
표 1 내지 5는 그 결과를 나타낸다.
실험번호 열전도도(W/mK) 박리강도(Kgf/cm2)
실시예 1 14.56 1.69
비교예 1 13.63 1.42
실험번호 열전도도(W/mK) 박리강도(Kgf/cm2)
실시예 2 17.42 1.2
비교예 2 15.4 0.57
실험번호 열전도도(W/mK) 박리강도(Kgf/cm2)
실시예 3 11.78 1.72
비교예 3 9.33 1.5
실험번호 열전도도(W/mK) 박리강도(Kgf/cm2)
실시예 4 13.46 0.8
비교예 4 12.16 0.48
실험번호 열전도도(W/mK) 박리강도(Kgf/cm2)
실시예 2 17.42 1.2
실시예 5 14.2 0.6
실시예 6 13.6 0.8
실시예 7 14.3 0.71
비교예 5 6.29 1.46
비교예 6 9.55 1.28
비교예 7 11.84 0.95
비교예 8 17 0.2
비교예 9 16 0.33
표 1을 참조하면, 표면을 SiCNO로 코팅한 후 NaOH 용액에서 처리하여 히드록실기를 부가한 무기충전재를 포함하는 실시예 1은 표면을 SiCNO로 코팅한 후 NaHO 용액에서 처리하지 않은 무기충전재를 동일한 함량으로 포함하는 비교예 1에 비하여 열전도도 및 박리강도가 높음을 알 수 있다.
이와 마찬가지로, 표 2 내지 4를 참조하면, 표면을 SiCNO로 코팅한 후 NaOH 용액에서 처리하여 히드록실기를 부가한 무기충전재를 포함하는 실시예 2 내지 4는 표면을 SiCNO로 코팅한 후 NaHO 용액에서 처리하지 않은 무기충전재를 동일한 함량으로 포함하는 비교예 2 내지 4와 각각 비교하면, 열전도도 및 박리강도가 높음을 알 수 있다.
한편, 표 5를 참조하면, 실시예 2 및 실시예 5 내지 7과 같이 에폭시 화합물과 본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재가 10 대 10 내지 50의 부피비로 포함되면, 열전도도 및 박리강도가 모두 높은 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있음을 알 수 있다. 즉, 비교예 5 내지 7과 같이 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 무기충전재가 10 부피비 미만으로 포함되면, 박리강도는 양호하나 열전도도가 현저히 낮아짐을 알 수 있다. 그리고, 비교예 8 내지 9와 같이 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 무기충전재가 50 부피비를 초과하여 포함되면, 열전도도는 우수하나 브리틀로 인하여 박리강도가 매우 낮아짐을 알 수 있다.
특히, 실시예 2와 같이 에폭시 화합물과 본 발명의 한 실시예에 따른 무기충전재가 10 대 40 내지 50의 부피비로 포함되면, 박리강도가 1Kgf/cm 이상이면서 열전도도 17W/mK 이상인 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 인쇄회로기판
110: 기판
120: 절연층
130: 회로패턴

Claims (10)

  1. 표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성되는 무기충전재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기충전재는 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN), 그라파이트, 산화알루미늄(Al2O3) 및 질화알루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 포함하는 무기충전재.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹은 실리콘 옥시카보니트라이드(silicon oxycarbonitride, SiCNO) 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride, SiCN)를 포함하는 무기충전재.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 히드록실기는 상기 실리콘 옥시카보니트라이드 또는 상기 실리콘 카보니트라이드의 Si와 결합하는 무기충전재.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 무기충전재는 판형의 무기 입자가 뭉쳐진 응집체를 포함하는 무기 충전재.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 무기 입자는 질화붕소 및 그라파이트 중 적어도 하나를 포함하는 무기충전재.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 세라믹은 상기 응집체의 공극 내에 채워지는 무기 충전재.
  8. 에폭시 화합물, 그리고
    표면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 C, N 및 O로 이루어진 그룹에서 선택된 2 이상의 원소를 포함하는 세라믹을 포함하고, 상기 코팅층의 표면에는 히드록실기(hydroxyl group, -OH)가 형성되는 무기충전재
    를 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 에폭시 화합물과 상기 무기충전재는 10 대 10 내지 50의 부피비로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 세라믹은 실리콘 옥시카보니트라이드(silicon oxycarbonitride, SiCNO) 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride, SiCN)를 포함하며, 상기 히드록실기는 상기 실리콘 옥시카보니트라이드 또는 실리콘 카보니트라이드의 Si와 결합하는 에폭시 수지 조성물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102548609B1 (ko) * 2016-04-22 2023-06-28 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판
KR102359057B1 (ko) * 2017-07-31 2022-02-07 엘지이노텍 주식회사 열전 소자
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010141432A1 (en) 2009-06-02 2010-12-09 Rogers Corporation Thermally conductive circuit subassemblies, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
US20110132644A1 (en) 2008-05-29 2011-06-09 Taiki Nishi Metal base circuit board
JP2013014671A (ja) 2011-07-01 2013-01-24 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物シート、金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、及び電子部材
KR102033987B1 (ko) 2013-08-14 2019-10-18 덴카 주식회사 질화 붕소-수지 복합체 회로 기판, 질화 붕소-수지 복합체 방열판 일체형 회로 기판

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011022188A2 (en) * 2009-08-17 2011-02-24 Laird Technologies, Inc. Formation of high electrical conductivity polymer composites with multiple fillers
KR101222375B1 (ko) * 2009-09-08 2013-01-15 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 절연 입자 부착 도전성 입자, 절연 입자 부착 도전성 입자의 제조 방법, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110132644A1 (en) 2008-05-29 2011-06-09 Taiki Nishi Metal base circuit board
WO2010141432A1 (en) 2009-06-02 2010-12-09 Rogers Corporation Thermally conductive circuit subassemblies, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
JP2013014671A (ja) 2011-07-01 2013-01-24 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物シート、金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、及び電子部材
KR102033987B1 (ko) 2013-08-14 2019-10-18 덴카 주식회사 질화 붕소-수지 복합체 회로 기판, 질화 붕소-수지 복합체 방열판 일체형 회로 기판

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