KR102148917B1 - 레이저 가공홈의 검출 방법 - Google Patents

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KR102148917B1
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다이고 노리즈미
히로나리 오쿠보
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 큰 홈의 위치 어긋남이 디바이스에 미치는 영향을 억제할 수 있는 레이저 가공홈의 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
레이저 가공홈의 검출 방법은 제1 커프 체크 단계(ST1)와 제2 커프 체크 단계(ST3)를 포함한다. 제1 커프 체크 단계(ST1)에서는, 분할 예정 라인에 제1 레이저 광선으로 제1 홈을 형성하고, 제2 홈을 형성하기 전에 제1 홈을 촬상 수단으로 촬상하여 제1 홈의 위치를 검출한다. 제2 커프 체크 단계(ST3)에서는, 제1 홈이 형성되어 있지 않은 웨이퍼의 외주 잉여 영역의 분할 예정 라인에 제2 레이저 광선으로 제2 홈을 형성하고, 촬상 수단에 의해 촬상하여 제2 홈의 위치를 검출한다. 레이저 가공홈의 검출 방법은, 제1 홈과 제2 홈의 어긋남을 검출하여, 제1 홈과 제2 홈을 미리 정해진 위치에 위치 부여한다.

Description

레이저 가공홈의 검출 방법{DETECTING METHOD OF LASER MACHINED GROOVE}
본 발명은 레이저 가공홈의 검출 방법에 관한 것이다.
Low-k막으로 디바이스가 형성된 웨이퍼의 분할은, Low-k막의 취약성 및 박리성에 대응하기 위해, 레이저 광선을 조사하는 것에 의한 어블레이션 가공으로 Low-k막을 분할하는 가공홈을 분할 예정 라인의 양측에 2개 형성한 후, 가공홈 사이를 절삭 블레이드로 분할하는 가공 방법이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2005-64231호 공보
전술한 특허문헌 1에 나타낸 가공 방법에서는, 가공홈을 따라서 절삭하는 절삭 블레이드의 편마모를 방지하기 위해, 양측에 2개 형성된 가공홈의 외측 가장자리 사이의 간격을 절삭 블레이드의 폭을 초과하는 간격으로 형성하는 경우가 많다. 전술한 특허문헌 1에 나타낸 가공 방법에서는, 우선 에너지 밀도가 높은 작은 스폿의 레이저 광선으로 가공홈을 분할 예정 라인의 양측에 2개 형성한 후, 가공홈의 사이를 메우도록 절삭 블레이드로 큰 홈을 형성한다. 그러나, 이 가공 방법에서는, 작은 홈에 걸린 큰 홈의 엣지를 상측으로부터 관찰하더라도 판별할 수 없기 때문에, 가공중에 큰 홈의 커프 체크(위치 어긋남 보정)가 기능하지 않아, 특히 큰 홈의 위치 어긋남이 디바이스에 영향을 미칠 우려가 있었다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 큰 홈의 위치 어긋남이 디바이스에 미치는 영향을 억제할 수 있는 레이저 가공홈의 검출 방법을 제공하는 것에 있다.
전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 레이저 가공홈의 검출 방법은, 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼의 표면에 레이저 가공홈을 형성하는 레이저 광선 조사 수단과, 웨이퍼의 표면을 촬상하는 촬상 수단을 포함하고, 그 레이저 광선 조사 수단은, 레이저 발진기와, 그 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 광선이 입사하는 1/2 파장판과, 그 1/2 파장판을 통과한 레이저 광선을 제1 레이저 광선과 제2 레이저 광선으로 분기하는 분기 수단과, 그 제2 레이저 광선의 빔직경을 조정하는 빔조정 수단과, 그 제1 레이저 광선과 그 빔조정 수단을 통과한 그 제2 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈를 구비하고, 그 제1 레이저 광선과 그 제2 레이저 광선은 그 1/2 파장판에 의해 선택적으로 조사되는 레이저 가공 장치를 이용하고, 표면에 적층된 적층체에 의해 격자형으로 형성되는 분할 예정 라인으로 구획된 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비한 웨이퍼에, 그 제1 레이저 광선을 조사하여 적어도 그 분할 예정 라인의 양측에 제1 홈을 형성한 후에, 홈의 엣지부가 그 제1 홈과 중복되는 제2 홈을 그 제2 레이저 광선으로 형성하는 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 제1 홈과 그 제2 홈을 미리 정해진 위치에 위치 부여하기 위해 그 제1 홈과 그 제2 홈의 위치를 검출하는 레이저 가공홈의 검출 방법으로서, 그 제1 홈의 위치를 검출할 때에는, 그 분할 예정 라인에 제1 레이저 광선으로 그 제1 홈을 형성하고, 그 제2 홈을 형성하기 전에 그 제1 홈을 그 촬상 수단으로 촬상하여 그 제1 홈의 위치를 검출하고, 그 제2 홈의 위치를 검출할 때에는, 그 제1 홈이 형성되어 있지 않은 웨이퍼의 그 외주 잉여 영역의 그 분할 예정 라인에 그 제2 레이저 광선으로 그 제2 홈을 형성하고, 그 촬상 수단에 의해 촬상하여 그 제2 홈의 위치를 검출하고, 그 제1 홈과 그 제2 홈을 미리 정해진 위치에 위치 부여하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 레이저 가공홈의 검출 방법은, 상기 레이저 가공 장치의 상기 집광 렌즈는, 상기 제1 레이저 광선을 집광하는 제1 집광 렌즈와, 상기 제2 레이저 광선을 집광하는 제2 집광 렌즈로 구성되는 것이 바람직하다.
따라서, 본원 발명의 레이저 가공홈의 검출 방법에서는, 특히 디바이스가 형성되어 있지 않은 웨이퍼의 외주 잉여 영역에 제2 홈을 형성함으로써, 큰 홈인 제2 홈의 커프 체크를 가능하게 하고 있다. 외주 잉여 영역에 디바이스가 형성되어 있지 않기 때문에, 가령 제2 홈의 위치 어긋남이 발생했다 하더라도, 제2 홈의 위치 어긋남이 디바이스에 미치는 영향을 최대한 억제할 수 있다. 또한, 외주 잉여 영역에 제2 홈을 형성하기 때문에, 제2 홈을 분할 예정 라인의 전체 길이에 걸쳐 형성할 필요가 없어, 커프 체크를 실시하기 위해 형성하는 제2 홈의 전체 길이를 억제할 수 있다. 따라서, 커프 체크에 걸리는 시간을 적게 하는 것이 가능하다.
도 1은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 실시하는 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 촬상 수단의 화상을 나타내는 도면이다.
도 3은, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 레이저 광선 조사 수단의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 가공 대상의 웨이퍼 등을 나타내는 사시도이다.
도 5는, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 포함하는 레이저 가공 장치를 이용한 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 6은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법의 제1 커프 체크 단계의 개략을 나타내는 도면이며, 도 6의 (a)는, 분할 예정 라인의 양측에 제1 홈을 형성한 상태의 웨이퍼의 단면도이고, 도 6의 (b)는, 도 6의 (a)에 나타낸 제1 홈 등을 촬상하여 얻은 화상을 나타내는 도면이다.
도 7은, 도 5에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 제1 홈형성 단계의 개략을 나타내는 도면이며, 도 7의 (a)는, 분할 예정 라인의 양측에 제1 홈을 형성한 상태의 웨이퍼의 단면도이고, 도 7의 (b)는, 도 7의 (a)에 나타낸 제1 홈 등을 촬상하여 얻은 화상을 나타내는 도면이다.
도 8은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법의 제2 커프 체크 단계의 일부의 개략을 나타내는 도면이며, 도 8의 (a)는, 외주 잉여 영역의 분할 예정 라인에 제2 홈을 형성한 상태의 웨이퍼의 단면도이고, 도 8의 (b)는, 도 8의 (a)에 나타낸 제2 홈 등을 촬상하여 얻은 화상을 나타내는 도면이다.
도 9는, 도 8에 나타낸 제2 커프 체크 단계에 있어서 외주 잉여 영역에 제2 홈이 형성된 웨이퍼의 사시도이다.
도 10은, 도 8에 나타낸 제2 커프 체크 단계의 나머지의 개략을 나타내는 도면이며, 도 10의 (a)는, 외주 잉여 영역의 분할 예정 라인에 제2 홈을 형성한 상태의 웨이퍼의 단면도이고, 도 10의 (b)는, 도 10의 (a)에 나타낸 제2 홈 등을 촬상하여 얻은 화상을 나타내는 도면이다.
도 11은, 도 5에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 제2 홈형성 단계의 개략을 나타내는 단면도이며, 도 11의 (a)는, 분할 예정 라인에 제2 홈을 형성한 상태의 웨이퍼의 단면도이고, 도 11의 (b)는, 도 11의 (a)에 나타낸 제1 홈 등을 촬상하여 얻은 화상을 나타내는 도면이다.
도 12는, 실시형태의 변형예에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 실시하는 레이저 가공 장치의 레이저 광선 조사 수단의 구성을 나타내는 도면이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 관해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태〕
본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 실시하는 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2는, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 촬상 수단의 화상을 나타내는 도면이다. 도 3은, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 레이저 광선 조사 수단의 구성을 나타내는 도면이다. 도 4는, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치의 가공 대상의 웨이퍼 등을 나타내는 사시도이다.
실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법(이하, 단순히 검출 방법이라고 기재함)은, 도 1에 나타낸 레이저 가공 장치(1)에 의해 실시되는 방법(즉, 레이저 가공 장치(1)를 이용하는 방법)이다. 레이저 가공 장치(1)는, 판형의 웨이퍼(W)를 유지하는 척테이블(10)과 레이저 광선 조사 수단(20)을 상대 이동시킴으로써 웨이퍼(W)에 어블레이션 가공을 하여 웨이퍼(W)에 레이저 가공홈을 형성하는 것이다.
실시형태에서는, 웨이퍼(W)는 레이저 가공 장치(1)에 의해 가공되는 가공 대상이며, 실시형태에서는 실리콘, 사파이어, 갈륨 등을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 표면에 적층된 Low-k막(M)(도 6 등에 나타내며, 적층체에 상당)에 의해 격자형으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인(B)으로 구획된 영역에 디바이스(D)가 형성된 디바이스 영역(DR)과, 디바이스 영역(DR)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(GR)을 구비한다. 또, 도 4 중의 일점쇄선보다 내측이 디바이스 영역(DR)이고, 외측이 외주 잉여 영역(GR)이다. 도 4에서는, 디바이스 영역(DR)과 외주 잉여 영역(GR)의 경계를 편의상 일점쇄선으로 나타내고 있다.
Low-k막(M)은, SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막이 웨이퍼(W)의 표면에 적층되어 구성되어 있다. 또한, 분할 예정 라인(B) 상의 Low-k막(M)의 표면은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 디바이스(D) 상의 Low-k막(M)의 표면보다 약간 낮게 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 디바이스(D)가 복수 형성되어 있는 표면의 반대측의 이면에 점착 테이프(T)가 접착되고, 점착 테이프(T)의 외측 가장자리가 고리형 프레임(F)에 접착됨으로써, 고리형 프레임(F)의 개구에 점착 테이프(T)로 지지된다.
레이저 가공 장치(1)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 판형의 웨이퍼(W)를 유지하는 척테이블(10)과, 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 레이저 가공홈(R)(도 11에 나타냄)을 형성하는 레이저 광선 조사 수단(20)과, 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 수단(30)과, X축 이동 수단(40)과, Y축 이동 수단(50)과, 도시하지 않은 제어 수단을 포함하여 구성된다.
척테이블(10)은, 가공전의 웨이퍼(W)가 유지면(10a) 상에 배치되어, 점착 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)의 개구에 접착된 웨이퍼(W)를 유지하는 것이다. 척테이블(10)은, 유지면(10a)을 구성하는 부분이 다공성 세라믹 등으로 형성된 원반형상이며, 도시하지 않은 진공 흡인 경로를 통해 도시하지 않은 진공 흡인원과 접속되고, 유지면(10a)에 배치된 웨이퍼(W)를 흡인함으로써 유지한다. 또, 척테이블(10)은, X축 이동 수단(40)에 의해 X축 방향으로 가공 이송되고, 또한 회전 구동원(도시하지 않음)에 의해 중심축선(Z축과 평행) 둘레에 회전되며, Y축 이동 수단(50)에 의해 Y축 방향으로 인덱싱 이송된다. 또한, 척테이블(10)의 주위에는, 에어 액츄에이터에 의해 구동하여 웨이퍼(W)의 주위의 고리형 프레임(F)을 끼워서 지지하는 클램프부(11)가 복수 설치되어 있다.
레이저 광선 조사 수단(20)은, 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)가 흡수성을 갖는 파장(예컨대, 355 nm)의 레이저 광선(L1, L2)(도 3에 나타냄)을 조사하여, 웨이퍼(W)의 표면에 레이저 가공홈(R)을 형성하는 것이다. 즉, 레이저 광선 조사 수단(20)은, 웨이퍼(W)의 표면에 흡수성을 갖는 파장(예컨대, 355 nm)의 레이저 광선(L1, L2)을 조사하여 웨이퍼(W)에 어블레이션 가공을 하는 것이다.
레이저 광선 조사 수단(20)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 장치 본체(2)의 기둥부(3)에 지지된 케이싱(21)과, 레이저 발진기(22)와, 1/2 파장판(23)과, 빔스플리터(24)(분기 수단에 상당)와, 빔조정 수단(25)과, 집광 렌즈(26) 등을 구비한다.
레이저 발진기(22)는, 웨이퍼(W)의 표면에 웨이퍼(W)가 흡수성을 갖는 파장(예컨대, 355 nm)의 레이저 광선(L)을 발진한다. 1/2 파장판(23)은, 레이저 발진기(22)로부터 발진된 레이저 광선(L)이 입사한다. 빔스플리터(24)는, 1/2 파장판(23)을 통과한 레이저 광선(L)을 제1 레이저 광선(L1)과 제2 레이저 광선(L2)으로 분기한다. 본 실시형태에서는, 빔스플리터(24)는 프리즘형인 것이며, 제1 레이저 광선(L1)을 투과하고, 제2 레이저 광선(L2)을 반사함으로써, 레이저 광선(L)을 에너지 밀도가 높은 빔직경이 작은 제1 레이저 광선(L1)과 제2 레이저 광선(L2)으로 분기한다. 빔조정 수단(25)은, 제2 레이저 광선(L2)의 빔직경을, 제1 레이저 광선(L1)의 빔직경보다 크고, 또한 제2 홈(R2)(큰 홈에 해당하며, 도 8 등에 나타냄)을 형성할 수 있는 빔직경으로 조정한다.
집광 렌즈(26)는, 척테이블(10)의 유지면(10a)에 대향하여 케이싱(21)의 선단부에 설치되어 있다. 집광 렌즈(26)는, 제1 레이저 광선(L1)과 빔조정 수단(25)을 통과한 제2 레이저 광선(L2)을 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면 상에 집광한다. 집광 렌즈(26)에는, 빔조정 수단(25)을 통과한 제2 레이저 광선(L2)이 미러(27) 및 프리즘(28)을 통해 입사하고, 빔스플리터(24)를 통과한 제1 레이저 광선(L1)이 미러(29) 및 프리즘(28)을 통해 입사한다. 또, 프리즘(28)은, 빔스플리터(24)와 구성이 대략 같게 형성되어 있다. 또, 1/2 파장판(23), 빔조정 수단(25), 미러(27, 29), 프리즘(28)은, 케이싱(21)내 등에 설치되어 있다.
또한, 레이저 광선 조사 수단(20)에서는, 제1 레이저 광선(L1)과 제2 레이저 광선(L2)은, 1/2 파장판(23)이 레이저 광선(L)의 광축 둘레에 회전되는 것 등에 의해, 어느 한쪽이 선택적으로 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 조사된다.
촬상 수단(30)은, 레이저 광선 조사 수단(20)의 케이싱(21)에 부착되어, 레이저 광선 조사 수단(20)에 의해 레이저 가공해야 할 가공 영역을 촬상하는 것이다. 촬상 수단(30)은, 촬상하여 얻은 화상(G)(도 2에 나타냄)을 제어 수단에 출력한다. 촬상 수단(30)이 촬상하여 얻는 화상(G)에는, 도 2에 점선으로 나타내는 기준선(S)이 형성되어 있다. 기준선(S)은, 레이저 광선 조사 수단(20)이 웨이퍼(W)의 표면에 조사하는 레이저 광선(L1, L2)과 일치하도록 조정되어 있다.
제어 수단은, 레이저 가공 장치(1)를 구성하는 전술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 제어 수단은, 웨이퍼(W)에 대한 어블레이션 가공 동작을 레이저 가공 장치(1)에 행하게 하는 것이다. 또, 제어 수단은, 예컨대 CPU 등으로 구성된 연산 처리장치나 ROM, RAM 등을 구비하는 도시하지 않은 마이크로 프로세서를 주체로 하여 구성되어 있고, 가공 동작의 상태를 표시하는 표시 수단이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 조작 수단과 접속되어 있다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(1)를 이용한 웨이퍼의 가공 방법(검출 방법을 포함)을 도면을 참조하여 설명한다. 웨이퍼의 가공 방법은, 제1 레이저 광선(L1)을 조사하여 적어도 분할 예정 라인(B)의 양측에 제1 홈(R1)을 형성한 후에, 홈의 엣지부가 제1 홈(R1)과 중복되는 제2 홈(R2)을 제2 레이저 광선(L2)으로 형성하는 가공 방법이다. 검출 방법은, 가공 방법에 있어서, 제1 홈(R1)과 제2 홈(R2)을 미리 정해진 위치에 위치 부여하기 위해 제1 홈(R1)과 제2 홈(R2)의 위치를 검출하는 검출 방법이며, 제1 커프 체크 단계(ST1)와 제2 커프 체크 단계(ST3)를 포함한다.
도 5는, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 포함하는 레이저 가공 장치를 이용한 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로우차트, 도 6은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법의 제1 커프 체크 단계의 개략을 나타내는 도면, 도 7은, 도 5에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 제1 홈형성 단계의 개략을 나타내는 도면, 도 8은, 실시형태에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법의 제2 커프 체크 단계의 일부의 개략을 나타내는 도면, 도 9는, 도 8에 나타낸 제2 커프 체크 단계에 있어서 외주 잉여 영역에 제2 홈이 형성된 웨이퍼의 사시도, 도 10은, 도 8에 나타낸 제2 커프 체크 단계의 나머지의 개략을 나타내는 도면, 도 11은, 도 5에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 제2 홈형성 단계의 개략을 나타내는 도면이다.
우선, 웨이퍼의 가공 방법에서는, 오퍼레이터가 가공 내용 정보를 제어 수단에 등록하고, 오퍼레이터가 레이저 광선 조사 수단(20)으로부터 이격된 척테이블(10)의 유지면(10a) 상에 웨이퍼(W)를 배치하여, 가공 동작의 개시 지시가 있는 경우에, 레이저 가공 장치(1)가 가공 동작을 개시한다. 가공 동작에서는, 제어 수단은 척테이블(10)의 유지면(10a)에 웨이퍼(W)를 흡인 유지하고, 클램프부(11)로 고리형 프레임(F)을 끼워서 지지한다. 제어 수단은, X축 이동 수단(40) 및 Y축 이동 수단(50)에 의해 척테이블(10)을 레이저 광선 조사 수단(20)의 하측을 향해서 이동시켜, 촬상 수단(30)의 하측에 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)를 위치 부여하고, 촬상 수단(30)에 촬상시킨다. 촬상 수단(30)은, 촬상한 화상의 정보를 제어 수단에 출력한다. 그리고, 제어 수단이, 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(B)과, 레이저 광선 조사 수단(20)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실시하여, 척테이블(10)에 유지된 웨이퍼(W)와 레이저 광선 조사 수단(20)의 상대 위치를 조정한다.
그리고, 제어 수단은 제1 커프 체크 단계(ST1)를 실시한다. 제1 커프 체크 단계(ST1), 즉 제1 홈(R1)의 위치를 검출할 때에는, 제어 수단은, 복수의 분할 예정 라인(B) 중 하나의 분할 예정 라인(B)의 단부를 레이저 광선 조사 수단(20)의 아래쪽에 위치 부여하여, 척테이블(10)을 X축 이동 수단(40)에 X축 방향으로 이동시키면서 레이저 광선 조사 수단(20)으로부터 제1 레이저 광선(L1)을 조사한다. 그리고, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 레이저 광선 조사 수단(20)으로부터 제1 레이저 광선(L1)을 조사함으로써, 디바이스 영역(DR) 내에서 하나의 분할 예정 라인(B)의 양측에 제1 레이저 광선(L1)으로 제1 홈(R1)을 형성한다.
그리고, 제1 커프 체크 단계(ST1), 즉 제1 홈(R1)의 위치를 검출할 때에는, 제어 수단은, 제2 홈(R2)을 형성하기 전에, 하나의 분할 예정 라인(B)의 양측에 형성한 제1 홈(R1)을 촬상 수단(30)으로 촬상한다. 그리고, 제어 수단이 제1 홈(R1)을 촬상하여 얻은 화상(G1)에서는, 도 6의 (b)에 일례를 나타낸 바와 같이, 제1 홈(R1)을 나타내는 부분이 검게 되고(도 6의 (b) 중에 평행 사선으로 나타냄), 다른 부분이 하얗게 된다. 그리고, 제어 수단은, 기준선(S)과 2개의 제1 홈(R1) 사이의 중앙을 통과하는 중심선(P1)(도 6의 (b)에 일점쇄선으로 나타냄)의 Y축 방향의 어긋남(Z1)을 검출함으로써, 제1 홈(R1)의 위치를 검출한다.
그리고, 제어 수단은 제1 홈형성 단계(ST2)로 진행한다. 제1 홈형성 단계(ST2)에서는, 제어 수단은, 제1 홈(R1) 사이의 중앙을 통과하는 중심선(P1)이 기준선(S)과 중복되도록 제1 커프 체크 단계(ST1)에서 검출한 어긋남(Z1) 만큼 Y축 방향으로 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치를 보정한다. 그리고, 제어 수단은, X축 이동 수단(40), 회전 구동원, Y축 이동 수단(50)에 척테이블(10)과 레이저 광선 조사 수단(20)을 상대적으로 이동시키면서, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 디바이스 영역(DR) 내에서 모든 분할 예정 라인(B)의 양측에 제1 홈(R1)을 형성한다. 또, 제1 홈형성 단계(ST2)에서, 촬상 수단(30)이 촬상하여 얻은 화상(G2)에서는, 전술한 어긋남(Z1) 만큼 Y축 방향으로 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치가 보정되어 있기 때문에, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 홈(R1) 사이의 중앙을 통과하는 중심선(P1)이 기준선(S)과 중복된다. 또, 제1 커프 체크 단계(ST1) 및 제1 홈형성 단계(ST2)에서는, 디바이스 영역(DR) 내의 분할 예정 라인(B)에 제1 홈(R1)을 형성하고, 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 제1 홈(R1)을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
그리고, 제어 수단은 제2 커프 체크 단계(ST3)로 진행한다. 제2 커프 체크 단계(ST3), 즉 제2 홈(R2)의 위치를 검출할 때에는, 제어 수단은, 제1 홈(R1)이 형성되어 있지 않은 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)을 레이저 광선 조사 수단(20)의 아래쪽에 위치 부여하여, 척테이블(10)을 X축 이동 수단(40)에 X축 방향으로 이동시키면서 레이저 광선 조사 수단(20)으로부터 제2 레이저 광선(L2)을 조사한다. 그리고, 도 8의 (a) 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 제2 레이저 광선(L2)으로 제2 홈(R2)(도 9에는 부호 R2-1로 나타냄)을 형성한다.
그리고, 제2 커프 체크 단계(ST3), 즉 제2 홈(R2)의 위치를 검출할 때에는, 제어 수단은, 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 형성한 제2 홈(R2-1)을 촬상 수단(30)으로 촬상한다. 그리고, 제어 수단이 제2 홈(R2)을 촬상하여 얻은 화상(G3)에서는, 도 8의 (b)에 일례를 나타낸 바와 같이, 제2 홈(R2)을 나타내는 부분이 검게 되고(도 8의 (b) 중에 평행 사선으로 나타냄), 다른 부분이 하얗게 된다. 그리고, 제어 수단은, 기준선(S)과 제2 홈(R2)의 중앙을 통과하는 중심선(P2)(도 8의 (b)에 일점쇄선으로 나타냄)의 Y축 방향의 어긋남(Z2)을 검출함으로써, 제2 홈(R2)의 위치를 검출한다.
그 후, 제어 수단은, 제2 커프 체크 단계(ST3)에서는, 제2 홈(R2)의 중앙을 통과하는 중심선(P2)이 기준선(S)과 중복되도록 전술한 어긋남(Z2) 만큼 Y축 방향으로 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치를 보정한 후, 도 10의 (a) 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 제2 레이저 광선(L2)으로 제2 홈(R2)(도 9에는 부호 R2-2로 나타냄)을 형성한다. 그리고, 제어 수단은, 제2 홈(R2-2)을 촬상 수단(30)으로 촬상하여 얻은 화상(G4)(도 10의 (b)에 나타냄)에 있어서, 기준선(S)과 제2 홈(R2)의 중앙을 통과하는 중심선(P2)이 중복되어 있는 것(어긋남(Z2)이 허용치 이하인 것)을 확인하고, 제2 홈형성 단계(ST4)로 진행한다. 이와 같이, 제2 커프 체크 단계(ST3)에서는, 기준선(S)과 제2 홈(R2)의 중앙을 통과하는 중심선(P2)이 중복될 때까지(어긋남(Z2)이 허용치 이하가 될 때까지) 외주 잉여 영역(GR)에 제2 홈(R2)을 형성하여, 어긋남(Z2) 만큼 Y축 방향으로 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치를 보정하는 것이 바람직하다.
제2 홈형성 단계(ST4)에서는, 제어 수단은, X축 이동 수단(40), 회전 구동원, Y축 이동 수단(50)에 척테이블(10)과 레이저 광선 조사 수단(20)을 상대적으로 이동시키면서, 도 11의 (a)에 나타낸 바와 같이, 디바이스 영역(DR) 내에서 홈의 엣지부가 제1 홈(R1)과 중복되는 제2 홈(R2)을 모든 분할 예정 라인(B)에 형성하여 레이저 가공홈(R)을 형성한다. 또, 제2 홈형성 단계(ST4)에서, 촬상 수단(30)이 촬상하여 얻은 화상(G5)(도 11의 (b)에 나타냄)에서는, 전술한 어긋남(Z2) 만큼 Y축 방향으로 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치가 보정되어 있기 때문에, 레이저 가공홈(R)의 중앙을 통과하는 중심선(P)이 기준선(S)과 중복된다. 또, 제2 홈형성 단계(ST4)에서는, 디바이스 영역(DR) 내의 분할 예정 라인(B)에 제2 홈(R2)을 형성하고, 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 제2 홈(R2)을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
이와 같이, 제어 수단은, 어긋남(Z1, Z2)을 검출하여 어긋남(Z1, Z2) 만큼 레이저 광선 조사 수단(20)과 척테이블(10)의 상대 위치를 보정함으로써, 제1 홈(R1)과 제2 홈(R2)을 미리 정해진 위치에 위치 부여한다.
모든 분할 예정 라인(B)에 레이저 가공홈(R)을 형성한 후, 제어 수단은 척테이블(10)을 레이저 광선 조사 수단(20)으로부터 이격된 위치로 이동시킨 후, 척테이블(10)의 흡인 유지 및 클램프부(11)의 협지를 해제한다. 그리고, 오퍼레이터가 모든 분할 예정 라인(B)에 레이저 가공홈(R)이 형성된 웨이퍼(W)를 척테이블(10) 상에서 제거하고, 레이저 가공전의 웨이퍼(W)를 다시 척테이블(10) 상에 배치하고, 전술한 공정을 반복하여 웨이퍼(W)에 레이저 가공홈(R)을 형성한다. 모든 분할 예정 라인(B)에 레이저 가공홈(R)이 형성된 웨이퍼(W)는, 레이저 가공홈(R)에 절삭 블레이드에 의한 절삭 가공 등이 실시되어 개개의 디바이스(D)로 분할된다.
이상과 같이, 실시형태에 따른 검출 방법에 의하면, 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)에 제2 홈(R2)을 형성하여 제2 커프 체크 단계(ST3)를 실시한다. 이와 같이, 제1 홈(R1)보다 큰 제2 홈(R2)을 미리 정해진 위치에 위치 부여하기 위해, 디바이스(D)가 형성되어 있지 않은 외주 잉여 영역(GR)에 제2 홈(R2)을 형성하기 때문에, 어긋남(Z2), 즉 제2 홈(R2)의 위치 어긋남이 디바이스(D)에 미치는 영향을 최대한 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 검출 방법에 의하면, 디바이스(D)가 형성되어 있지 않은 외주 잉여 영역(GR)에 제2 홈(R2)을 형성하기 때문에, 제2 홈(R2)을 미리 정해진 위치에 위치 부여하기 위해, 분할 예정 라인(B)의 전체 길이에 걸쳐 제2 홈(R2)을 형성할 필요가 없다. 따라서, 디바이스(D)에 미치는 영향을 한층 더 억제할 수 있고, 제2 커프 체크 단계(ST3)에 관한 소요 시간을 억제할 수 있다.
〔변형예〕
본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12는, 실시형태의 변형예에 따른 레이저 가공홈의 검출 방법을 실시하는 레이저 가공 장치의 레이저 광선 조사 수단의 구성을 나타내는 도면이다. 또, 도 12에 있어서, 실시형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태의 변형예에 따른 검출 방법을 실시하는 레이저 가공 장치(1)의 레이저 광선 조사 수단(20)은, 도 12에 나타낸 바와 같이, 집광 렌즈(26)는 서로 별개인 제1 집광 렌즈(26-1)와 제2 집광 렌즈(26-2)로 구성된다. 제1 집광 렌즈(26-1)와 제2 집광 렌즈(26-2)는, 척테이블(10)의 유지면(10a)에 대향하여 케이싱(21)의 선단부에 설치되어 있다. 제1 집광 렌즈(26-1)는, 제1 레이저 광선(L1)을 웨이퍼(W)의 표면에 집광하는 것이며, 빔스플리터(24)를 통과한 제1 레이저 광선(L1)이 미러(29)를 통해 입사한다. 제2 집광 렌즈(26-2)는, 제2 레이저 광선(L2)을 웨이퍼(W)의 표면에 집광하는 것이며, 빔조정 수단(25)을 통과한 제2 레이저 광선(L2)이 입사한다.
실시형태의 변형예에 따른 검출 방법에 의하면, 실시형태와 마찬가지로, 제2 홈(R2)의 위치 어긋남이 디바이스(D)에 미치는 영향을 최대한 억제할 수 있다. 또한, 실시형태의 변형예에 따른 검출 방법에 의하면, 제1 레이저 광선(L1)을 집광하는 제1 집광 렌즈(26-1)와, 제2 레이저 광선(L2)을 집광하는 제2 집광 렌즈(26-2)로 구성되어 있기 때문에, 레이저 광선(L1, L2)의 집광 렌즈(26-1, 26-2) 각각에 대한 영향을 억제할 수 있고, 어긋남(Z1, Z2)을 억제할 수 있으며, 제1 및 제2 커프 체크 단계(ST1, ST3)의 빈도를 억제할 수 있다.
또, 전술한 실시형태에서는, 제1 커프 체크 단계(ST1)를 제1 홈(R1)을 형성하기 전에 실시하고, 제2 커프 체크 단계(ST3)를 제2 홈(R2)을 형성하기 전에 실시하고 있다. 그러나, 본 발명에서는, 제1 커프 체크 단계(ST1) 및 제2 커프 체크 단계(ST3)를 임의의 타이밍에 실시해도 좋다. 예컨대, 제2 커프 체크 단계(ST3)를, 전혀 가공되지 않은 웨이퍼(W)에 대하여 행해도 좋고, 외주 잉여 영역(GR)을 가공하지 않고 남겨 두고 임의의 타이밍에 행해도 좋다. 또한, 본 발명에서는, 외주 잉여 영역(GR)의 분할 예정 라인(B)의 양측에 제1 홈(R1)을 형성하여, 제1 커프 체크 단계(ST1)를 실시해도 좋다. 또한, 외주 잉여 영역(GR)은, 웨이퍼(W)의 외주 전체(360도)에 있어서 제1 홈(R1) 및 제2 홈(R2)을 형성하지 않는 것이 아니라, 웨이퍼(W)의 외주 일부분(예를 들면, 180도)만 제1 홈(R1) 및 제2 홈(R2)을 형성하지 않고, 커프 체크용으로 홈(R1, R2)을 형성하지 않는 부분을 남겨 두어도 좋다.
또, 본 발명은 상기 실시형태, 변형예로 한정되지는 않는다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변형하여 실시할 수 있다.
1 : 레이저 가공 장치 10 : 척테이블
20 : 레이저 광선 조사 수단 22 : 레이저 발진기
23 : 1/2 파장판 24 : 빔스플리터(분기 수단)
25 : 빔조정 수단 26 : 집광 렌즈
26-1 : 제1 집광 렌즈 26-2 : 제2 집광 렌즈
30 : 촬상 수단 W : 웨이퍼
M : Low-k막(적층체) B : 분할 예정 라인
D : 디바이스 DR : 디바이스 영역
GR : 외주 잉여 영역 L : 레이저 광선
L1 : 제1 레이저 광선 L2 : 제2 레이저 광선
R : 레이저 가공홈 R1 : 제1 홈
R2 : 제2 홈

Claims (2)

  1. 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼의 표면에 레이저 가공홈을 형성하는 레이저 광선 조사 수단과, 웨이퍼의 표면을 촬상하는 촬상 수단을 포함하고,
    상기 레이저 광선 조사 수단은, 레이저 발진기와, 상기 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 광선이 입사하는 1/2 파장판과, 상기 1/2 파장판을 통과한 레이저 광선을 제1 레이저 광선과 제2 레이저 광선으로 분기하는 분기 수단과, 상기 제2 레이저 광선의 빔직경을 조정하는 빔조정 수단과, 상기 제1 레이저 광선과 상기 빔조정 수단을 통과한 상기 제2 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈를 구비하고, 상기 제1 레이저 광선과 상기 제2 레이저 광선은 상기 1/2 파장판에 의해 선택적으로 조사되는 레이저 가공 장치를 이용하고,
    표면에 적층된 적층체에 의해 격자형으로 형성되는 분할 예정 라인으로 구획된 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주(外周) 잉여 영역을 구비한 웨이퍼에, 상기 제1 레이저 광선을 조사하여 적어도 상기 분할 예정 라인의 양측에 제1 홈을 형성한 후에, 홈의 엣지부가 상기 제1 홈과 중복되는 제2 홈을 상기 제2 레이저 광선으로 형성하는 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 제1 홈과 상기 제2 홈을 미리 정해진 위치에 위치 부여하기 위해 상기 제1 홈과 상기 제2 홈의 위치를 검출하는 레이저 가공홈의 검출 방법으로서,
    상기 제1 홈의 위치를 검출할 때에는, 상기 분할 예정 라인에 제1 레이저 광선으로 상기 제1 홈을 형성하고, 상기 제2 홈을 형성하기 전에 상기 제1 홈을 상기 촬상 수단으로 촬상하여 상기 제1 홈의 위치를 검출하고,
    상기 제2 홈의 위치를 검출할 때에는, 상기 제1 홈이 형성되어 있지 않은 웨이퍼의 상기 외주 잉여 영역의 상기 분할 예정 라인에 상기 제2 레이저 광선으로 상기 제2 홈을 형성하고, 상기 촬상 수단에 의해 촬상하여 상기 제2 홈의 위치를 검출하고, 상기 제1 홈과 상기 제2 홈을 미리 정해진 위치에 위치 부여하는 레이저 가공홈의 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저 가공 장치의 상기 집광 렌즈는, 상기 제1 레이저 광선을 집광하는 제1 집광 렌즈와, 상기 제2 레이저 광선을 집광하는 제2 집광 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공홈의 검출 방법.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017177194A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6788182B2 (ja) * 2016-08-22 2020-11-25 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2020098831A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP7356630B2 (ja) 2019-12-11 2023-10-05 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工装置の制御方法
JP7486379B2 (ja) 2020-08-13 2024-05-17 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびチップの製造方法
JP7153851B2 (ja) * 2020-10-27 2022-10-17 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2022071402A (ja) * 2020-10-28 2022-05-16 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2023146872A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 株式会社東京精密 レーザ光補正方法
CN114882032B (zh) * 2022-07-11 2022-10-18 苏州镭明激光科技有限公司 半导体的刻槽检测与智能感知加工方法和系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050035100A1 (en) 2003-08-12 2005-02-17 Satoshi Genda Method of dividing a plate-like workpiece
JP2012146831A (ja) 2011-01-13 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd 加工位置調製方法及び加工装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319183A (en) * 1992-02-18 1994-06-07 Fujitsu Limited Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards
JP3682395B2 (ja) * 2000-01-21 2005-08-10 株式会社ニコン 走査型露光装置および走査露光方法
WO2004105110A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. レーザーダイシング装置
JP4338536B2 (ja) * 2004-01-23 2009-10-07 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5473415B2 (ja) * 2009-06-10 2014-04-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2012030268A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Pioneer Electronic Corp レーザ加工装置及び方法
JP5904720B2 (ja) * 2011-05-12 2016-04-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2013197108A (ja) * 2012-03-15 2013-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP6075993B2 (ja) * 2012-08-02 2017-02-08 株式会社ディスコ 板状ワーク中心検出方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050035100A1 (en) 2003-08-12 2005-02-17 Satoshi Genda Method of dividing a plate-like workpiece
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