KR102139571B1 - Method and apparatus for transfferring light emitting diode chip - Google Patents
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Abstract
발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치는 일면에 상기 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지, 상기 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면에서 상기 발광다이오드 칩에 대응하는 부분을 밀어서 상기 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사하는 누름 핀 모듈을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시키기 위한 압력 조절 유닛을 포함한다.The transfer device for transferring the light emitting diode chip includes a stage on which a first substrate on which the light emitting diode chip is mounted is mounted, a work table on which a second substrate on which the light emitting diode chip is to be transferred is seated, and one surface of the first substrate and the And a push pin module for transferring the light emitting diode chip to the second substrate by pushing a portion corresponding to the light emitting diode chip on the other surface of the first substrate while the second substrate is disposed facing each other. The push pin module includes a pressure adjusting unit for maintaining the pressure between the light emitting diode chip and the second substrate at a predetermined pressure.
Description
본 발명은 발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer device and method for transferring a light emitting diode chip.
일반적으로 발광다이오드 칩은 웨이퍼에 각 칩의 회로를 형성한 후, 다수 개의 개별 칩들로 분리하는 과정으로 진행된다. 이러한 발광다이오드 칩은 패키지 및 모듈 공정에서 여러 번의 전사공정을 거치게 된다.In general, a light emitting diode chip is formed by forming a circuit of each chip on a wafer, and then is separated into a plurality of individual chips. The light emitting diode chip undergoes several transfer processes in a package and module process.
이러한 전사공정은 목적에 따라서, 칩의 양품 불량에 따른 분류를 목적으로 하거나 칩 간격을 조절하거나 칩의 방향을 조절하기 위하여 전사테입(Transfer Tape) 또는 기판으로 전사를 하며, 또는 실장하기 위한 목적으로 회로기판으로 전사를 한다. This transfer process is for the purpose of classifying according to defects in the quality of chips, or transferring it to a transfer tape or substrate to adjust the chip spacing or the direction of the chip, or for mounting. Transfer to the circuit board.
종래의 전사 장치(즉, 픽앤 플레이스(Pick & Place) 장치)는 각 발광다이오드 칩을 집어서(Pick), 기판에 놓음으로써(Place) 각 발광다이오드 칩을 기판으로 전사시킨다. 이와 관련하여, 공개특허공보 제2016-0008187호에는 칩 전사장치 및 전사방법이 개시되어 있다.Conventional transfer devices (i.e., Pick & Place devices) transfer each light emitting diode chip to the substrate by picking each light emitting diode chip (Pick) and placing it on the substrate (Place). In this regard, Patent Publication No. 2016-0008187 discloses a chip transfer device and a transfer method.
한편, 최근 칩 크기가 5um 내지 300um 수준인 초소형 발광다이오드 칩(예를 들어, 마이크로 LED)이 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다. 이러한 초소형 발광다이오드 칩은 저전력화, 소형화, 경량화가 필요한 광 응용 분야에 적용 가능해 이에 대한 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다.On the other hand, in recent years, ultra-small light-emitting diode chips (for example, micro LEDs) having a chip size of 5 to 300 um have been spotlighted as next-generation display devices. The ultra-small light-emitting diode chip can be applied to optical applications that require low power consumption, small size, and light weight, and research and development have been actively conducted.
종래의 픽앤 플레이스 방식의 전사장치 및 방법은 픽업(pick up)단계에서 발광다이오드 칩을 흡착할 때의 진공과, 플레이스(place) 단계에서 흡착된 발광다이오드 칩을 플레이스할 수 있도록 중앙에 진공을 파괴하기 위한 공기가 흐르는 홀(Hole)이 있는 콜렛(Collet)을 사용한다. 그러나 콜렛홀(Collet Hole)의 직경이 수 um가 될 때에는 발광다이오드 칩을 잡을 수 있는 충분한 진공압력과 진공을 파괴하기 위한 공기압력을 확보할 수 없다.Conventional pick-and-place transfer devices and methods destroy the vacuum at the time of adsorbing the light-emitting diode chip in the pick-up step and the vacuum at the center to place the light-emitting diode chip adsorbed in the place step. To do this, use a collet with a hole through which air flows. However, when the diameter of the collet hole is several um, it is impossible to secure sufficient vacuum pressure to hold the light emitting diode chip and air pressure to destroy the vacuum.
발광다이오드 칩의 크기가 수 마이크로까지 작아짐에 따라 종래의 픽앤 플레이스 방식을 이용하여 발광다이오드 칩을 전사하기 어려운 문제점이 생겼다. As the size of the light emitting diode chip has decreased to a few micrometers, there is a problem in that it is difficult to transfer the light emitting diode chip using a conventional pick and place method.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재(탑재테입, 웨이퍼 등의 기판을 포함)의 일면과 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재(전사테입, 기판, 회로기판을 포함)가 마주보게 배치된 상태에서 제 1 기재의 타면을 밀어서 발광다이오드 칩을 전사테입으로 전사시키는 전사 장치 및 전사 방법을 제공하고자 한다. 다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.The present invention was designed to solve this problem, and one surface of a first substrate (including a substrate such as a mounting tape or a wafer) on which a light emitting diode chip is mounted and a second substrate to which a light emitting diode chip is transferred (transfer tape, substrate, It is intended to provide a transfer device and a transfer method for transferring a light emitting diode chip to a transfer tape by pushing the other surface of the first substrate while the circuit board (including the circuit board) is disposed facing each other. However, the technical problems to be achieved by the present embodiment are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는 발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치에 있어서, 일면에 상기 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지, 상기 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면에서 상기 발광다이오드 칩에 대응하는 부분을 밀어서 상기 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사하는 누름 핀 모듈을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시키기 위한 압력 조절 유닛을 포함한다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, an embodiment of the present invention in a transfer device for transferring a light-emitting diode chip, a stage on which a first substrate on which the light-emitting diode chip is mounted is seated, the light-emitting diode The light emitting by pushing a portion corresponding to the light emitting diode chip on the work table on which the second substrate to which the chip is transferred is mounted, and one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other, on the other surface of the first substrate. And a push pin module for transferring the diode chip to the second substrate. The push pin module includes a pressure adjusting unit for maintaining the pressure between the light emitting diode chip and the second substrate at a predetermined pressure.
본 발명의 다른 실시예는 발광다이오드 칩을 전사하는 방법에 있어서 일면에 상기 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재를 준비하는 단계, 상기 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재를 준비하는 단계 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면에서 상기 발광다이오드 칩에 대응하는 부분을 밀어서 상기 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사하는 단계를 포함한다. 상기 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키는 단계는 상기 발광다이오드 칩과 상기 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시키는 단계를 포함한다.In another embodiment of the present invention, in a method of transferring a light-emitting diode chip, preparing a first substrate on which the light-emitting diode chip is mounted on one surface, preparing a second substrate on which the light-emitting diode chip is transferred, and the agent And transferring the light emitting diode chip to the second substrate by pushing a portion corresponding to the light emitting diode chip on the other surface of the first substrate while one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other. The step of transferring the light emitting diode chip to the second substrate includes maintaining the pressure between the light emitting diode chip and the second substrate at a predetermined pressure.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary and should not be construed as limiting the present invention. In addition to the exemplary embodiments described above, there may be additional embodiments described in the drawings and detailed description of the invention.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 초소형 발광다이오드 칩을 고정밀도로 전사시키는 것이 가능하다.According to any one of the above-described problem solving means of the present invention, it is possible to transfer the ultra-small light-emitting diode chip with high precision.
또한, 상기 복수의 누름 핀 유닛을 이용하여 발광다이오드 칩을 일시에 전사시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to improve productivity by temporarily transferring the light emitting diode chip using the plurality of push pin units.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 장치의 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지의 개략도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기재의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 누름 핀 모듈의 개략도이다.
도 4 및, 5a 및 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 및 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 조절 유닛의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.1 is a schematic diagram of a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A is a schematic diagram of a stage according to an embodiment of the present invention.
2B is a schematic diagram of a first substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram of a push pin module according to an embodiment of the present invention.
4 and 5a and 5b are views for explaining the transfer method according to an embodiment of the present invention.
6A to 6C are diagrams for describing a transfer method according to another embodiment of the present invention.
7A and 7B are diagrams for explaining characteristics of a pressure regulating unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip according to another embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains may easily practice. However, the present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . Also, when a part is said to “include” a certain component, it means that the component may further include other components, not exclude other components, unless specifically stated otherwise. However, it should be understood that the existence or addition possibilities of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.
본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.In the present specification, the term “unit” includes a unit realized by hardware, a unit realized by software, and a unit realized by using both. Further, one unit may be realized by using two or more hardware, and two or more units may be realized by one hardware.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하여 전사 장치를 설명하기로 한다. 전사 장치는 스테이지(10)를 포함한다. 1 is a schematic diagram of a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. The transfer device will be described with reference to FIG. 1. The transfer device includes a
스테이지(10)에는 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착된다. '제 1 기재'는 발광다이오드 칩이 탑재되어 있는 기재로서, 테입(Tape), 웨이퍼, 기판 등을 포함할 수 있다.The
스테이지(10)는 제 1 기재의 주연부를 지지함으로써 제 1 기재를 보지한다. 본 발명에서 발광다이오드 칩은 크기가 5um 내지 300um인 초소형 반도체 디바이스로서, 패키징되기 전의 제품 및 패키징처리된 제품을 의미할 수 있다. 또한, 본 발명에서 발광다이오드 칩은 마이크로 엘이디(LED; Light Emitting Diode)를 의미할 수도 있다.The
스테이지(10)의 중앙부는 개방되어 있고, 이를 통해 제 1 기재에 탑재된 발광다이오드 칩이 스테이지(10)의 하방에 위치한 제 2 기재로 전사된다. 스테이지(10)는 준비 위치(도 1에서의 위치)와 전사 공정 위치(워크 테이블 상의 위치) 사이를 이동할 수 있다(화살표 참조). The central portion of the
스테이지(10)는 전사 공정 시에 누름 핀 모듈(30)이 동일한 위치에서 각 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사시킬 수 있도록 X 축 및 Y 축을 따라 이동한다.The
전사 장치는 준비 위치의 하방에 위치한 제 1 기재 스캔 유닛(40)을 더 포함한다. The transfer device further includes a first
제 1 기재 스캔 유닛(40)은 스테이지(10)가 준비 위치에서 대기 중일 때, 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다. 예를 들어, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격을 스캔할 수 있다.The first
전사 장치는 워크 테이블(20)을 더 포함한다. 워크 테이블(20)에는 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착된다. 여기서, '제 2 기재'는 발광다이오드 칩이 전사될 기재로서, 테입, 기판, 회로기판 등을 포함한다.The transfer device further includes a work table 20. A second substrate on which the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate is to be transferred is mounted on the work table 20. Here, the'second substrate' is a substrate to which the light emitting diode chip is transferred, and includes a tape, a substrate, a circuit board, and the like.
워크 테이블(20)은 전사 공정 위치에서 스테이지(10)의 하방에 위치한다. The work table 20 is located below the
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지의 개략도이다. 도 2a를 참조하면, 스테이지(10)는 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 포함한다.2A is a schematic diagram of a stage according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2A, the
메인 액추에이터(11, 12) 상에 서브 액추에이터(13, 14)가 배치되며, 메인 액추에이터(11, 12)는 X축 모터(11) 및 Y축 모터(12)를 포함한다. 서브 액추에이터(13, 14) 또한 X축 모터(13) 및 Y축 모터(14)를 포함한다.
여기서, 메인 액추에이터(11, 12)는 제 1 모터, 예를 들어 리니어 모터(Linear motor), 서보 모터(Servo motor) 또는 스텝 모터(Step motor) 등으로 구성될 수 있다. 이러한 제 1 모터는 다양한 기술 분야에서 사용되는 모터로서 비교적 넓은 작업 영역에서 사용될 수 있도록 제작된다. 다만, 제 1 모터는 비교적 넓은 작업 영역을 커버할 수 있지만, 응답 속도(Response Time)가 느리고, 정확한 동작 제어가 어렵다.Here, the
한편, 서브 액추에이터(13, 14)는 제 2 모터, 예를 들어 보이스 코일 모터(VCM; voice coil motor), 피에조 모터(Piezo motor), 초음파 모터 등으로 구성될 수 있다. 이러한 제 2 모터는 응답 속도가 빠르고, 정확한 동작 제어가 가능하지만, 최대 이동거리가 상대적으로 짧아서 작업영역이 좁아진다. Meanwhile, the sub-actuators 13 and 14 may be configured as a second motor, for example, a voice coil motor (VCM), a piezo motor, or an ultrasonic motor. The second motor has a fast response speed and precise motion control, but the maximum travel distance is relatively short, thereby narrowing the work area.
스테이지(10)의 액추에이터로서 제 1 모터만이 이용될 경우, 응답 속도가 떨어지고 미세 동작 제어가 어려워 작업의 생산성 및 정확성이 떨어진다는 문제점이 있다.When only the first motor is used as the actuator of the
또한, 스테이지(10)의 액추에이터로서 제 2 모터만이 이용될 경우, 고속 또는 미세 동작 제어는 가능하나 작업영역이 제한된다는 문제점이 있다.In addition, when only the second motor is used as the actuator of the
본 발명에서는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 스테이지(10)의 액추에이터로서 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 포함하여 이를 선택적으로 이용한다. 즉, 전사 공정 중 스테이지(10)가 작업 영역 간의 긴 구간을 이동할 필요가 있을 경우에는 메인 액추에이터(11, 12)를 이용하여 스테이지(10)를 제어하고, 스테이지(10)를 고속 또는 정밀하게 제어할 필요가 있을 경우에는 서브 액추에이터(13, 14)를 이용한다In the present invention, the
도 2b는 제 1 기재를 도시한 도면이다. 도 2b를 참조하면, 제 1 기재는 복수의 영역을 가진다. 예를 들어, 제 1 기재는 제 1 영역(16), 제 2 영역(17) 및 제 3 영역(18)을 포함할 수 있다. 이러한, 제 1 기재의 복수의 영역은 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 복수의 발광다이오드 칩의 위치에 기초하여 결정될 수 있다.2B is a view showing the first substrate. Referring to FIG. 2B, the first substrate has a plurality of regions. For example, the first substrate may include a
스테이지(10)가 예컨대, 제 1 영역(16)의 대기 위치(제 1 영역에서 작업 수행을 시작하기 위한 지점)로 이동할 때에는, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 스테이지(10)가 제어된다. 한편, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행할 때에는, 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 스테이지(10)가 제어된다. 여기서, 발광다이오드 칩 피치 간 이동이란 스테이지(10)가 발광다이오드 칩의 피치만큼 이동하는 것을 의미한다. 구체적으로, 누름 핀 모듈(30)이 제 1 발광다이오드 칩 상에 위치하고 있을 때, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행하면, 누름 핀 모듈(30)이 제 1 발광다이오드 칩과 인접한 제 2 발광다이오드 칩 상에 위치하게 된다.When the
메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 이용하여 스테이지(10)가 제어되는 과정을 살펴보면, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 누름 핀 모듈(30)이 제 1 영역(16)의 시작 지점(16-1)상에 위치하도록 스테이지(10)가 이동된다. 여기서, 서브 액추에이터(13, 14)는 동작하지 않는다.Looking at the process in which the
그 후, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행한다. 즉, 제 1 영역(16)에 포함된 복수의 발광다이오드 칩에 대한 전사 공정이 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 순차적으로 수행된다. 제 1 영역(16)에 대한 전사 공정이 수행될 때, 메인 액추에이터(11, 12)는 동작하지 않는다. 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 전사 공정을 수행함으로써 전사 공정에서의 생산성 및 정밀도를 높일 수 있다. Thereafter, the
제 1 영역(16)의 종료 지점(16-2)에 해당하는 발광다이오드 칩이 전사된 후, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 누름 핀 모듈(30)이 제 2 영역(17)의 시작 지점(17-1)상에 위치하도록 스테이지(10)가 이동된다. 이어서, 제 2 영역(17)에 포함된 복수의 복수의 발광다이오드 칩에 대한 전사 공정이 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 순차적으로 수행된다.After the light emitting diode chip corresponding to the end point 16-2 of the
이와 같이, 메인 액추에이터(11, 12)와 서브 액추에이터(13, 14)를 선택적으로 사용함으로써, 생산성을 향상시킴과 동시에, 작업의 정확성을 높일 수 있다. In this way, by selectively using the
한편, 워크 테이블(20)도 스테이지(10)와 마찬가지로, 메인 액추에이터 및 서브 액추에이터를 포함할 수 있다. 즉, 메인 액추에이터 상에 서브 액추에이터가 배치되며, 메인 액추에이터 및 서브 액추에이터는 각각 스테이지(10)의 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)와 동일하게 구성될 수 있다.Meanwhile, the work table 20 may also include a main actuator and a sub-actuator, like the
다시 도 1을 참조하면, 전사 장치는 제 2 기재 스캔 유닛(50)을 더 포함할 수 있다. 제 2 기재 스캔 유닛(50)은 워크 테이블(20) 상에 위치하고, 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔한다.Referring back to FIG. 1, the transfer device may further include a second
전사 장치는 누름 핀 모듈(30)을 더 포함한다. 누름 핀 모듈(30)은 전사 공정 위치에서 하나 또는 복수의 발광다이오드 칩을 선택적으로 제 2 기재로 전사한다.The transfer device further includes a
본 발명에서 전사는 발광다이오드 칩의 이송 및 발광다이오드 칩의 접착(본딩)을 의미할 수 있다.In the present invention, the transfer may mean transfer of the light emitting diode chip and adhesion (bonding) of the light emitting diode chip.
누름 핀 모듈(30)은 제 1 기재의 일면과 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 누름 핀을 이용하여 제 1 기재의 타면을 밀어서 복수의 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사한다.The
전사 장치는 누름 핀 스캔 유닛(60)을 더 포함한다. 누름 핀 스캔 유닛(60)은 누름 핀이 올바른 위치(후술할 누름 핀 하우징의 중앙)에 위치하고 있는지 여부를 주기적으로 스캔한다. 예를 들어, 누름 핀 스캔 유닛(60)은 누름 핀이 교체된 후에 누름 핀이 올바른 위치에 위치하고 있는지 여부를 스캔할 수 있다.The transfer device further includes a push
전사 장치는 메모리를 가지는 제어 유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다. 제어 유닛은 전사 장치가 동작하도록 전사 장치의 각 구성을 제어한다. 이하에서는 전사 장치의 각 구성이 동작을 직접 수행하도록 기재되어 있지만, 이러한 기재는 제어 유닛이 각 구성이 해당 동작을 수행하도록 각 구성을 제어하는 것도 포함된다.The transfer device may further include a control unit (not shown) having a memory. The control unit controls each component of the transfer device so that the transfer device operates. Hereinafter, although each configuration of the transfer apparatus is described to directly perform an operation, such description includes that the control unit controls each configuration so that each configuration performs the corresponding operation.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 누름 핀 모듈의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a push pin module according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 누름 핀 모듈(30)은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the
복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 각각은 누름 핀(34) 및 누름 핀 하우징(35)을 포함한다. 여기서, 누름 핀 하우징(35)은 누름 핀(34)을 보호하고, 제 1 기재와 접촉한다.Each of the plurality of
누름 핀(34)은 상하 방향으로 이동함으로써 제 1 기재의 타면을 밀어 해당 부분에 대응하는 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사한다.The
복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 각각은 누름 핀(34)에 의해 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된 후, 제 1 기재가 해당 발광다이오드 칩으로부터 분리될 수 있도록 하는 진공 유닛(36)을 더 포함한다.Each of the plurality of
다음으로 도 4, 도 5a를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩의 전사 방법을 설명하기로 한다. 도 4를 참조하면, 일면에 타겟 발광다이오드 칩(320)이 탑재된 제 1 기재(300)와 회로 트레이스(330)를 가지는 제 2 기재(310)가 준비된다(a). 여기서, 제 1 기재(300)는 예를 들어, 테입이고, 제 2 기재(310)는 예를 들어, 기판 또는 회로기판일 수 있다.Next, with reference to FIGS. 4 and 5A, a method of transferring a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention will be described. Referring to FIG. 4, a
이어서, 제 1 기재(300)의 스캔 정보에 기초하여 누름 핀 모듈(30)이 제 1 기재(300)의 타면에서 타겟 발광다이오드 칩(320)의 대응하는 위치에 접촉한다(b).Subsequently, the
이후, 누름 핀(34)이 제 1 기재(300)의 타면을 향해 돌출되고, 이에 따라 타겟 발광다이오드 칩(320)이 제 2 기재(310)로 전사된다(c). 여기서, 누름 핀(34)에 의해 제 1 기재(300)의 일부가 뚫릴 수 있다(d).Thereafter, the
이때, 후술하는 압력 조절 유닛(37)을 통해 타겟 발광다이오드 칩(320)과 제 2 기재(310) 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시킨다.At this time, the pressure between the target light emitting
이어서, 누름 핀(34)이 누름 핀 하우징(35) 내로 다시 복귀한다(e). 여기서, 누름 핀(34)의 돌출로 인해 제 1 기재(300)의 일부가 늘어나거나 제 1 기재(300)의 일부가 여전히 타겟 발광다이오드 칩(320)에 부착되어 있을 수 있다. 이때, 진공 유닛(36)을 이용하여 제 1 기재(300)를 압착시켜 제 1 기재(300)를 원위치로 되돌릴 수 있다.Subsequently, the
이후, 누름 핀 모듈(30)이 다른 타겟 발광다이오드 칩 상에 위치하도록 제 1 기재 스테이지(10)와 워크 테이블(20)이 이동한 후, 다른 타겟 발광다이오드 칩이 제 2 기재(310)로 전사된다.Thereafter, after the
상술한 과정을 반복하면서 제 1 기재(300)에 탑재된 모든 발광다이오드 칩이 제 2 기재(310)로 전사된다.All the light emitting diode chips mounted on the
도 5b에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 공정이 도시되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 1 기재(400)는 예를 들어, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 테입일 수 있다. 또한, 제 2 기재(410)는 발광다이오드 칩이 전사될 전사테입일 수 있다.5B illustrates a transfer process according to another embodiment of the present invention. According to another embodiment of the present invention, the
다시 도 3을 참조하면, 본 발명에서는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행함으로써 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킬 수 있다. 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용함으로써 발광다이오드 칩을 신속하게 제 2 기재로 전사시킬 수 있다.Referring back to FIG. 3, in the present invention, a plurality of light emitting diode chips can be transferred to a second substrate at a time by performing a transfer process using a plurality of
잠시 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 누름 핀 유닛을 이용하여 발광다이오드 칩을 전사하는 방법에 대하여 설명하기로 한다. Referring to FIG. 6 for a moment, a method of transferring a light emitting diode chip using a plurality of push pin units according to an embodiment of the present invention will be described.
도 6a를 참조하면, 제 1 기재의 일면에는 복수의 발광다이오드 칩이 부착되어 있고, 제 1 기재의 일면과 제 2 기재가 마주보게 배치된다. 이때, 제 1 기재의 타면에 누름 핀 모듈(30)이 접촉한다.Referring to FIG. 6A, a plurality of light emitting diode chips are attached to one surface of the first substrate, and one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other. At this time, the
이후, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)은 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)을 제 1 기재의 타면을 향해 돌출시켜 대응하는 복수의 발광다이오드 칩(도 6에서는 3개)을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다.Thereafter, the plurality of
이어서, 도 6b를 참조하면, 스테이지(10)와 워크 테이블(20)이 소정 범위만큼 이동하여 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)이 제 1 기재의 상부에서 다음으로 전사될 복수의 발광다이오드 칩에 대응하는 위치에 배치된다.Subsequently, referring to FIG. 6B, the
이 상태에서 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)은 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)을 제 1 기재의 타면을 향해 돌출시켜 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다.In this state, the plurality of
상술한 과정을 반복하면서 제 1 기재에 탑재된 대부분의 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된다. 다만, 제 1 기재의 외주부에 탑재된 발광다이오드 칩 또는 발광다이오드 칩 간의 배열 간격(또는 배열 위치)이 고르지 못한 영역에 위치한 발광다이오드 칩은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 제 2 기재로 전사시킬 수 없다. 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사될 수 없는 발광다이오드 칩은 제 1 기재 스캔 유닛(40)을 통한 스캔 과정을 통해 검출될 수 있다.While repeating the above-described process, most of the light emitting diode chips mounted on the first substrate are transferred to the second substrate. However, the light emitting diode chip mounted on the outer periphery of the first substrate or the light emitting diode chip located in a region where the arrangement interval (or arrangement position) between the light emitting diode chips is uneven may be performed using a plurality of
따라서, 도 6c와 같이, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)에 의해 전사 처리되지 않은 발광다이오드 칩은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(도 6c에서는 32)를 이용하여 순차적으로 제 2 기재로 전사된다.Accordingly, as shown in FIG. 6C, a light emitting diode chip that has not been transferred by the plurality of
다시 도 3을 참조하면, 누름 핀 모듈(30)은 압력 조절 유닛(37)을 더 포함한다. 압력 조절 유닛(37)은 누름 핀(34)이 제 1 기재의 타면을 밀때 발광다이오드 칩과 제 2 기재가 서로 접촉하게 되는데, 이때, 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시킨다. Referring back to FIG. 3, the
바람직하게는 압력 조절 유닛(37)은 각 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 동일하게 유지시킨다.Preferably, the
이러한 압력 조절 유닛(37)은 예를 들어, 스프링 또는 보이스 코일 모터를 포함할 수 있다. The
이때, 스프링은 도 7a와 같이 특정 변위량(a)까지는 압력이 선형으로 증가하고, 해당 변위량(a) 이후부터는 변위량이 증가하더라도 일정한 압력(b)을 유지하는 특성을 가지며, 특정 변위량(a) 이상 유지함으로써 누름 핀(34)과 제 2 기재 간의 압력을 일정한 압력(b)으로 유지시킬 수 있다.At this time, the spring has a characteristic that maintains a constant pressure (b) even if the amount of displacement increases even after the displacement amount (a), the pressure increases linearly up to a certain displacement amount (a), as shown in Figure 7a, the specific displacement amount (a) or more By holding, the pressure between the
또한, 보이스 코일 모터는 영구 자석과 코일을 포함하는 선형 모터(Linear motor)로서, 보이스 코일에 흐르는 전류를 통해 직진 운동을 한다.In addition, the voice coil motor is a linear motor including a permanent magnet and a coil, and moves in a straight line through a current flowing through the voice coil.
이러한 보이스 코일 모터는 도 7b와 같이 압력이 보이스 코일 모터에 인가되는 전류(또는 전압)에 비례하는 특성을 가진다.The voice coil motor has a characteristic in which pressure is proportional to the current (or voltage) applied to the voice coil motor as shown in FIG. 7B.
따라서, 보이스 코일 모터로 특정 전류(또는 전압)(a)을 인가함으로써 누름 핀(34)과 제 2 기재 간의 압력을 일정한 압력(b)으로 유지시킬 수 있다.Therefore, by applying a specific current (or voltage) (a) to the voice coil motor, the pressure between the
누름 핀(34)이 제 1 기재의 타면을 밀어 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사시킬 때, 동일한 압력을 가하지 않을 경우 제 2 기재에 전사된 발광다이오드 칩의 높이가 서로 상이해질 수 있다. 또한, 큰 압력을 가할 경우, 발광다이오드 칩이 파손될 수도 있다.When the
본 발명에서는 압력 조절 유닛(37)을 이용하여 각 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 동일하게 유지시킴으로써, 전사 공정에서 각 발광다이오드 칩이 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the present invention, by using the
또한, 압력 조절 유닛(37)에 의해 각 발광다이오드 칩이 균일한 높이로 제 2 기재에 전사될 수 있다.Further, each light emitting diode chip can be transferred to the second substrate at a uniform height by the
누름 핀 모듈(30)은 폭 가변 유닛(38)을 더 포함한다. 폭 가변 유닛(38)은 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 조정한다.The
제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격은 서로 상이할 수 있는데, 발광다이오드 칩 간의 배열 간격을 고려하지 않고 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행할 경우, 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 제대로 전사되지 못하는 경우가 발생한다.The spacing between the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate may be different from each other, and the transfer process is performed using the plurality of
예를 들어, 특정 영역에서의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)의 폭(바람직하게는 각 누름 핀(34)의 폭)에 비해 좁거나 넓을 경우, 누름 핀(34)이 발광다이오드 칩의 중앙이 아닌 부분(경우에 따라서는 발광다이오드 칩이 위치하지 않는 부분)을 누르게 되고, 이에 따라 해당 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 제대로 전사될 수 없다.For example, when the spacing between the light emitting diode chips in a specific area is narrow or wide compared to the width (preferably the width of each push pin 34) of the plurality of
본 발명에서는 폭 가변 유닛(38)이 전사 공정 시에 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 실시간으로 조정함으로써 상술한 문제점을 해결할 수 있다.In the present invention, the above-described problem can be solved by adjusting the width between the plurality of
이하에서는 전사 장치에 의해 수행되는 전사 방법에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 제 2 기재에 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.Hereinafter, a transfer method performed by the transfer apparatus will be described. 8 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip to a second substrate according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 어느 발광다이오드 칩들을 제 2 기재로 전사시킬 것인지 및 제 2 기재 상에서 발광다이오드 칩들을 어디에 위치시킬 것인지를 결정하기 위해, 제어 유닛은 발광다이오드 칩들을 포함하는 제 1 기재의 식별 및 제 2 기재의 식별에 관한 입력을 수신할 수 있다(S801).Referring to FIG. 8, in order to determine which light emitting diode chips are to be transferred to the second substrate and where to place the light emitting diode chips on the second substrate, the control unit identifies the first substrate including the light emitting diode chips And an input regarding identification of the second description (S801).
제어 유닛은 제 1 기재의 식별 및 제 2 기재의 식별에 관한 입력에 기초하여 제 1 기재 관련 데이터 및 제 2 기재 관련 데이터를 메모리로부터 추출할 수 있다(S802). The control unit may extract the first description related data and the second description related data from the memory based on the input related to the identification of the first description and the identification of the second description (S802 ).
제 2 기재 관련 데이터는 제 2 기재 상에서 회로 트레이스의 패턴(위치 포함), 회로 트레이스로 전사될 발광다이오드 칩의 수 및 발광다이오드 칩의 상대적 위치, 및 발광다이오드 칩의 품질 요건을 포함한다. The second substrate related data includes a pattern of circuit traces on the second substrate (including position), the number of light emitting diode chips to be transferred to the circuit trace and the relative position of the light emitting diode chip, and the quality requirements of the light emitting diode chip.
또한, 제 1 기재 관련 데이터는 발광다이오드 칩의 상대적 위치 및 이에 대한 맵을 포함한다.In addition, the data related to the first substrate include a relative position of the light emitting diode chip and a map therefor.
이후, 제어 유닛은 발광다이오드 칩의 전사를 위한 제 1 기재 및 제 2 기재의 초기 배향을 결정할 수 있다(S803). Thereafter, the control unit may determine initial orientations of the first substrate and the second substrate for the transfer of the light emitting diode chip (S803).
일단 제 1 기재 및 제 2 기재의 초기 배향이 결정되면, 제어 유닛은 제 1 기재 및 제 2 기재가 전사 공정에서의 동조의 위치로 배향시키도록 스테이지(10) 및 워크 테이블(20)을 제어한다(S804).Once the initial orientation of the first substrate and the second substrate is determined, the control unit controls the
단계 S804에서, 제어 유닛은 발광다이오드 칩이 전사될 회로 트레이스의 위치 및 제 1 기재에서 전사될 발광다이오드 칩을 결정한다. In step S804, the control unit determines the position of the circuit trace to which the light emitting diode chip is to be transferred and the light emitting diode chip to be transferred in the first substrate.
이어서, 제어 유닛은 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사되도록 누름 핀 모듈(30)을 제어한다(S805).Subsequently, the control unit controls the
제어 유닛은 해당 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된 후, 다음으로 전사될 발광다이오드 칩이 존재하는지 여부를 결정한다(S806).The control unit determines whether the light emitting diode chip to be transferred next exists after the light emitting diode chip is transferred to the second substrate (S806).
제어 유닛은 전사될 발광다이오드 칩이 남아있는 경우, 단계 S804로 되돌아가며 전사 공정을 수행한다. 전사될 발광다이오드 칩이 없을 경우, 전사 공정은 종료된다.If the light emitting diode chip to be transferred remains, the control unit returns to step S804 to perform the transfer process. If there is no light emitting diode chip to be transferred, the transfer process ends.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 제 2 기재에 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.9 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip to a second substrate according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 먼저, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 예비 기재가 준비 위치에서 대기 중인 스테이지(10)에 안착된다(S900).Referring to FIG. 9, first, a preliminary base material having a plurality of light emitting diode chips mounted on one surface is seated on the
여기서, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격은 고르지 못하다. 이러한 예비 기재를 이용하여 전사 공정을 수행할 경우, 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 고르지 못하므로, 예비 기재를 스캔한 후, 스캔 정보에 기초하여 하나의 누름 핀 유닛(예컨대, 32)으로 발광다이오드 칩 각각을 전사시킬 필요가 있다.Here, the arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate is uneven. When the transfer process is performed using such a preliminary substrate, since the arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips is not uniform, after scanning the preliminary substrate, light emission is performed by one push pin unit (for example, 32) based on the scan information It is necessary to transfer each of the diode chips.
즉, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 전사 공정에서는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용할 수 없게 된다.That is, the plurality of
본 발명에서는 하나 또는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행하기 위해 재배열 공정을 수행한다.In the present invention, a rearrangement process is performed to perform a transfer process using one or a plurality of
한편, 단계 S900에서 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 1 기재가 워크 테이블(20)에 안착된다.Meanwhile, in step S900, a first substrate on which a plurality of light emitting diode chips are to be transferred is seated on the work table 20.
이후, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩을 스캔한다. 이때, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다.Thereafter, the first
이어서, 스테이지(10)가 전사 공정 위치로 이동하고, 전사 공정이 수행된다(S910). Subsequently, the
이러한 재배열 공정에서, 발광다이오드 칩이 최종적으로 전사될 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격과 동조되도록 복수의 발광다이오드 칩이 제 1 기재에 전사된다. In this rearrangement process, a plurality of light emitting diode chips are transferred to the first substrate such that the light emitting diode chips are synchronized with the spacing between the circuit traces disposed on the second substrate to be finally transferred.
즉, 재배열 공정을 통해, 제 1 기재의 일면에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배치 간격과 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격이 미리 동조된다.That is, through the rearrangement process, the spacing between the plurality of light emitting diode chips mounted on one surface of the first substrate and the spacing between the circuit traces disposed on the second substrate are previously tuned.
상술한 바와 같이, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 고르지 못하므로, 제 1 기재 스캔 유닛(40)의 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(예를 들어, 32)를 이용하여 발광다이오드 칩 각각을 제 1 기재로 전사시킨다.As described above, since the arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate is not uniform, among the plurality of
재배열 공정을 마친 뒤, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 준비 위치에서 대기 중인 스테이지(10)에 안착된다. 그리고, 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 워크 테이블(20)에 안착된다(S920).After the rearrangement process is completed, a first substrate on which a plurality of light emitting diode chips are mounted on one surface is seated on the
이어서, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다. 여기서, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 배치 간격을 확인한다. 이때, 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 스캔 정보가 메모리에 저장된다. 스캔 정보는 각 발광다이오드 칩 간의 배치 간격를 포함한다.Subsequently, the first
이러한 스캔 정보는 폭 가변 유닛(39)이 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 가변하는데 이용된다. 또한, 스캔 정보는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)에 의해 전사 처리될 수 없는 발광다이오드 칩들(예컨대, 제 1 기재의 외주부에 위치하거나 배열 간격이 기설정된 범위를 벗어난 경우(즉, 폭 가변 유닛(39)을 통해 보정하기 어려운 경우))을 검출하는데 이용된다.This scan information is used by the variable width unit 39 to vary the width between the plurality of
또한, 제 2 기재 스캔 유닛(50)은 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔한다.Further, the second
이후, 스테이지(10)가 전사 공정 위치로 이동하고, 전사 공정이 수행된다(S930). Thereafter, the
이때, 상술한 재배열 공정을 통해 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 비교적 고르므로, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 통해 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킬 수 있다.At this time, since the arrangement interval between the plurality of light-emitting diode chips mounted on the first substrate is relatively uniform through the rearrangement process described above, the plurality of light-emitting diode chips are temporarily held through the plurality of
전사 공정 시, 폭 가변 유닛(39)이 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 가변함으로써 복수의 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 잘 전사될 수 있다.During the transfer process, a plurality of light emitting diode chips can be well transferred to the second substrate by varying the width between the plurality of
또한, 누름 핀 모듈(30)은 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 처리할 제 1 발광다이오드 칩들과 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(32)를 이용하여 전사 처리할 제 2 발광다이오드 칩들을 분류한다.In addition, the
누름 핀 모듈(30)은 분류 결과에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 제 1 발광다이오드 칩들을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다. 이후, 누름 핀 모듈(30)은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(32)를 이용하여 제 2 발광다이오드 칩들을 제 2 기재로 순차적으로 전사시킨다.The
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and it should be interpreted that all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof are included in the scope of the present invention. do.
10: 스테이지
20: 워크 테이블
30: 누름 핀 모듈
31: 누름 핀 유닛
32: 누름 핀 유닛
33: 누름 핀 유닛
34: 누름 핀
35: 누름 핀 하우징
36: 진공 유닛
37: 압력 조절 유닛
38: 폭 가변 유닛
40: 제 1 기재 스캔 유닛
50: 제 2 기재 스캔 유닛
60: 누름 핀 스캔 유닛10: Stage
20: work table
30: Push pin module
31: Push pin unit
32: Push pin unit
33: Push pin unit
34: Push pin
35: Push pin housing
36: vacuum unit
37: pressure regulating unit
38: variable width unit
40: first substrate scanning unit
50: second substrate scanning unit
60: push pin scan unit
Claims (8)
일면에 상기 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지;
상기 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블; 및
상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면에서 상기 발광다이오드 칩에 대응하는 부분을 밀어서 상기 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사하는 누름 핀 모듈
을 포함하고,
상기 누름 핀 모듈은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시키기 위한 압력 조절 유닛을 포함하며,
상기 압력 조절 유닛은 보이스 코일 모터(VCM; voice coil motor)를 포함하며,
상기 누름 핀 모듈은 각각이 상기 제 1 기재의 타면을 밀기 위한 누름 핀을 포함하는 복수의 누름 핀 유닛을 포함하고,
상기 누름 핀 모듈은 상기 복수의 누름 핀 유닛의 각 누름 핀에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시키며,
상기 누름 핀 모듈은 상기 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 상기 복수의 누름 핀 유닛 간의 폭을 가변하는 폭 가변 유닛을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
In the transfer device for transferring a light-emitting diode chip,
A stage on which a first substrate on which the light emitting diode chip is mounted is mounted;
A work table on which a second substrate to which the light emitting diode chip is transferred is seated; And
A push pin module for transferring the light emitting diode chip to the second substrate by pushing a portion corresponding to the light emitting diode chip on the other surface of the first substrate with one surface of the first substrate facing the second substrate
Including,
The push pin module includes a pressure adjusting unit for maintaining the pressure between the light emitting diode chip and the second substrate at a predetermined pressure,
The pressure regulating unit includes a voice coil motor (VCM),
The push pin module includes a plurality of push pin units, each of which includes a push pin for pushing the other surface of the first substrate,
The push pin module temporarily transfers a plurality of light emitting diode chips corresponding to each push pin of the plurality of push pin units to the second substrate,
The push pin module further comprises a variable width unit for varying the width between the plurality of push pin units based on the spacing between the light emitting diode chips.
상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔하기 위한 제 2 기재 스캔 유닛
을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
According to claim 1,
A second substrate scanning unit for scanning the position of the circuit trace disposed on the second substrate
It further comprises, a transfer device.
상기 제 1 기재에 탑재된 상기 발광다이오드 칩의 위치를 스캔하기 위한 제 1 기재 스캔 유닛
을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
According to claim 1,
A first substrate scanning unit for scanning the position of the light emitting diode chip mounted on the first substrate
It further comprises, a transfer device.
상기 누름 핀 모듈은 상기 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 기설정된 범위에 벗어난 발광다이오드 칩을 상기 복수의 누름 핀 유닛 중 하나를 이용하여 상기 제 2 기재로 전사시키는 것인, 전사 장치.
According to claim 1,
The push pin module is a transfer device for transferring the light emitting diode chip out of a predetermined range between the light emitting diode chips to the second substrate using one of the plurality of push pin units.
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