KR102031603B1 - Method and apparatus for transfferring light emitting diode chip - Google Patents

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Abstract

발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치는 일면에 상기 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지, 상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면을 밀어서 상기 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키기 위한 누름 핀 모듈을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 각각이 상기 제 1 기재의 타면을 밀기 위한 누름 핀을 포함하는 복수의 누름 핀 유닛을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 상기 복수의 누름 핀 유닛의 각 누름 핀에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시킨다.The transfer apparatus for transferring a light emitting diode chip includes a stage on which a first substrate on which a plurality of light emitting diode chips is mounted is seated, a work table on which a second substrate on which the plurality of light emitting diode chips is to be transferred is seated, and the first substrate. And a push pin module for transferring the plurality of light emitting diode chips to the second substrate by pushing the other surface of the first substrate in a state in which one surface of the second substrate and the second substrate face each other. The push pin module includes a plurality of push pin units each including a push pin for pushing the other surface of the first substrate. The push pin module temporarily transfers a plurality of light emitting diode chips corresponding to each push pin of the plurality of push pin units to the second substrate.

Description

발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR TRANSFFERRING LIGHT EMITTING DIODE CHIP}Transfer device and method for transferring a light emitting diode chip {METHOD AND APPARATUS FOR TRANSFFERRING LIGHT EMITTING DIODE CHIP}

본 발명은 발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer apparatus and method for transferring a light emitting diode chip.

일반적으로 발광다이오드 칩은 웨이퍼에 각 칩의 회로를 형성한 후, 다수 개의 개별 칩들로 분리하는 과정으로 진행된다. 이러한 발광다이오드 칩은 패키지 및 모듈 공정에서 여러 번의 전사공정을 거치게 된다.In general, a light emitting diode chip is formed by forming a circuit of each chip on a wafer and then separating the chip into a plurality of individual chips. Such a light emitting diode chip is subjected to several transfer processes in a package and a module process.

이러한 전사공정은 목적에 따라서, 칩의 양품 불량에 따른 분류를 목적으로 하거나 칩 간격을 조절하거나 칩의 방향을 조절하기 위하여 전사테입(Transfer Tape) 또는 기판으로 전사를 하며, 또는 실장하기 위한 목적으로 회로기판으로 전사를 한다. According to the purpose, the transfer process is for the purpose of sorting according to the defect of the good quality of the chip, transferring the transfer tape or the substrate to adjust the chip spacing or the direction of the chip, or for the purpose of mounting. Transfer to the circuit board.

종래의 전사 장치(즉, 픽앤 플레이스(Pick & Place) 장치)는 각 발광다이오드 칩을 집어서(Pick), 기판에 놓음으로써(Place) 각 발광다이오드 칩을 기판으로 전사시킨다. 이와 관련하여, 공개특허공보 제2016-0008187호에는 칩 전사장치 및 전사방법이 개시되어 있다.Conventional transfer devices (i.e. pick and place devices) transfer each LED chip to a substrate by picking each LED chip and placing it on a substrate. In this regard, Japanese Patent Laid-Open No. 2016-0008187 discloses a chip transfer device and a transfer method.

한편, 최근 칩 크기가 5um 내지 300um 수준인 초소형 발광다이오드 칩(예를 들어, 마이크로 LED)이 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다. 이러한 초소형 발광다이오드 칩은 저전력화, 소형화, 경량화가 필요한 광 응용 분야에 적용 가능해 이에 대한 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다.On the other hand, ultra-small light emitting diode chips (eg, micro LEDs) having chip sizes of about 5 μm to 300 μm have been spotlighted as next generation display devices. Such micro LED chips are applicable to optical applications requiring low power, miniaturization, and light weight, and research and development are being actively conducted.

종래의 픽앤 플레이스 방식의 전사장치 및 방법은 픽업(pick up)단계에서 발광다이오드 칩을 흡착할 때의 진공과, 플레이스(place) 단계에서 흡착된 발광다이오드 칩을 플레이스할 수 있도록 중앙에 진공을 파괴하기 위한 공기가 흐르는 홀(Hole)이 있는 콜렛(Collet)을 사용한다. 그러나 콜렛홀(Collet Hole)의 직경이 수 um가 될 때에는 발광다이오드 칩을 잡을 수 있는 충분한 진공압력과 진공을 파괴하기 위한 공기압력을 확보할 수 없다.The conventional pick-and-place transfer apparatus and method breaks the vacuum at the center so as to place the vacuum at the time of adsorbing the light emitting diode chip in the pick-up step and the light-emitting diode chip adsorbed at the place step. Use a collet with a hole through which air flows. However, when the diameter of the collet hole is several um, sufficient vacuum pressure to hold the light emitting diode chip and air pressure to break the vacuum cannot be secured.

발광다이오드 칩의 크기가 수 마이크로까지 작아짐에 따라 종래의 픽앤 플레이스 방식을 이용하여 발광다이오드 칩을 전사하기 어려운 문제점이 생겼다. As the size of the light emitting diode chip is reduced to several microns, it is difficult to transfer the light emitting diode chip using a conventional pick and place method.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재(탑재테입, 웨이퍼 등의 기판을 포함)의 일면과 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재(전사테입, 기판, 회로기판을 포함)가 마주보게 배치된 상태에서 제 1 기재의 타면을 밀어서 발광다이오드 칩을 전사테입으로 전사시키는 전사 장치 및 전사 방법을 제공하고자 한다. 다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.The present invention has been devised to solve such a problem, and includes a surface of a first substrate (including a substrate such as a mounting tape and a wafer) on which a light emitting diode chip is mounted and a second substrate (transfer tape, a substrate, It is intended to provide a transfer device and a transfer method for transferring a light emitting diode chip to a transfer tape by pushing the other surface of the first substrate in a state where the circuit board) is disposed to face each other. However, the technical problem to be achieved by the present embodiment is not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는 발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치에 있어서, 일면에 상기 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지, 상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면을 밀어서 상기 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키기 위한 누름 핀 모듈을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 각각이 상기 제 1 기재의 타면을 밀기 위한 누름 핀을 포함하는 복수의 누름 핀 유닛을 포함한다. 상기 누름 핀 모듈은 상기 복수의 누름 핀 유닛의 각 누름 핀에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시킨다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, an embodiment of the present invention, in the transfer device for transferring the light emitting diode chip, the stage on which the first substrate on which the plurality of light emitting diode chip is mounted is mounted, The plurality of light emitting diode chips may be moved by pushing the other surface of the first substrate while the work table on which the second substrate on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred is seated and the one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other. And a push pin module for transferring to the second substrate. The push pin module includes a plurality of push pin units each including a push pin for pushing the other surface of the first substrate. The push pin module temporarily transfers a plurality of light emitting diode chips corresponding to each push pin of the plurality of push pin units to the second substrate.

본 발명의 다른 실시예는 발광다이오드 칩을 전사하는 방법에 있어서, 일면에 상기 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재를 준비하는 단계, 상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재를 준비하는 단계 및 상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면을 밀어서 상기 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키는 단계를 포함한다. 상기 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키는 단계는 복수의 누름 핀을 이용하여 상기 복수의 누름 핀 각각에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시키는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, in the method of transferring a light emitting diode chip, preparing a first substrate on which one surface of the plurality of light emitting diode chips is mounted, and preparing a second substrate on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred. And transferring the other surface of the first substrate to the second substrate by pushing the other surface of the first substrate while the one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other. The transferring of the plurality of light emitting diode chips to the second substrate includes transferring a plurality of light emitting diode chips corresponding to each of the plurality of pressing pins to the second substrate at one time using a plurality of push pins. do.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-mentioned means for solving the problems are merely exemplary, and should not be construed to limit the present invention. In addition to the exemplary embodiments described above, there may be additional embodiments described in the drawings and detailed description of the invention.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 초소형 발광다이오드 칩을 고정밀도로 전사시키는 것이 가능하다.According to any one of the problem solving means of the present invention described above, it is possible to transfer the ultra-small light emitting diode chip with high accuracy.

또한, 상기 복수의 누름 핀 유닛을 이용하여 발광다이오드 칩을 일시에 전사시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, productivity can be improved by temporarily transferring the light emitting diode chips using the plurality of push pin units.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 장치의 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지의 개략도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기재의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 누름 핀 모듈의 개략도이다.
도 4 및, 5a 및 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 및 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 조절 유닛의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.
1 is a schematic diagram of a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A is a schematic diagram of a stage in accordance with one embodiment of the present invention.
2B is a schematic diagram of the first substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram of a push pin module according to an embodiment of the present invention.
4 and 5A and 5B are views for explaining a transfer method according to an embodiment of the present invention.
6A to 6C are diagrams for describing a transfer method according to another exemplary embodiment of the present invention.
7A and 7B are views for explaining characteristics of the pressure regulating unit according to the exemplary embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components, unless specifically stated otherwise, one or more other features It is to be understood that the present disclosure does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.In the present specification, the term 'unit' includes a unit realized by hardware, a unit realized by software, and a unit realized by both. In addition, one unit may be realized using two or more pieces of hardware, and two or more units may be realized by one piece of hardware.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하여 전사 장치를 설명하기로 한다. 전사 장치는 스테이지(10)를 포함한다. 1 is a schematic diagram of a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. A transfer device will be described with reference to FIG. 1. The transfer apparatus includes a stage 10.

스테이지(10)에는 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착된다. '제 1 기재'는 발광다이오드 칩이 탑재되어 있는 기재로서, 테입(Tape), 웨이퍼, 기판 등을 포함할 수 있다.In the stage 10, a first substrate on which a plurality of light emitting diode chips are mounted is mounted. The first substrate is a substrate on which a light emitting diode chip is mounted, and may include a tape, a wafer, a substrate, and the like.

스테이지(10)는 제 1 기재의 주연부를 지지함으로써 제 1 기재를 보지한다. 본 발명에서 발광다이오드 칩은 크기가 5um 내지 300um인 초소형 반도체 디바이스로서, 패키징되기 전의 제품 및 패키징처리된 제품을 의미할 수 있다. 또한, 본 발명에서 발광다이오드 칩은 마이크로 엘이디(LED; Light Emitting Diode)를 의미할 수도 있다.The stage 10 holds the first substrate by supporting the periphery of the first substrate. In the present invention, the light emitting diode chip is a micro semiconductor device having a size of 5um to 300um, and may refer to a product before packaging and a packaged product. In addition, in the present invention, the light emitting diode chip may mean a micro LED (Light Emitting Diode).

스테이지(10)의 중앙부는 개방되어 있고, 이를 통해 제 1 기재에 탑재된 발광다이오드 칩이 스테이지(10)의 하방에 위치한 제 2 기재로 전사된다. 스테이지(10)는 준비 위치(도 1에서의 위치)와 전사 공정 위치(워크 테이블 상의 위치) 사이를 이동할 수 있다(화살표 참조). The central portion of the stage 10 is open, through which the light emitting diode chip mounted on the first substrate is transferred to the second substrate located below the stage 10. The stage 10 can move between the ready position (position in FIG. 1) and the transfer process position (position on the work table) (see arrow).

스테이지(10)는 전사 공정 시에 누름 핀 모듈(30)이 동일한 위치에서 각 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사시킬 수 있도록 X 축 및 Y 축을 따라 이동한다.The stage 10 moves along the X and Y axes so that the push pin module 30 can transfer each light emitting diode chip to the second substrate at the same position during the transfer process.

전사 장치는 준비 위치의 하방에 위치한 제 1 기재 스캔 유닛(40)을 더 포함한다. The transfer apparatus further includes a first substrate scanning unit 40 located below the preparation position.

제 1 기재 스캔 유닛(40)은 스테이지(10)가 준비 위치에서 대기 중일 때, 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다. 예를 들어, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격을 스캔할 수 있다.The first substrate scanning unit 40 scans the positions of the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate when the stage 10 is waiting at the ready position. For example, the first substrate scanning unit 40 may scan an array interval between a plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate.

전사 장치는 워크 테이블(20)을 더 포함한다. 워크 테이블(20)에는 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착된다. 여기서, '제 2 기재'는 발광다이오드 칩이 전사될 기재로서, 테입, 기판, 회로기판 등을 포함한다.The transfer apparatus further includes a work table 20. On the work table 20, a second substrate on which the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate is to be transferred is mounted. Here, the second substrate is a substrate on which the LED chip is to be transferred, and includes a tape, a substrate, a circuit board, and the like.

워크 테이블(20)은 전사 공정 위치에서 스테이지(10)의 하방에 위치한다. The work table 20 is located below the stage 10 at the transfer process position.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지의 개략도이다. 도 2a를 참조하면, 스테이지(10)는 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 포함한다.2A is a schematic diagram of a stage in accordance with one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2A, the stage 10 includes a main actuator 11, 12 and a sub actuator 13, 14.

메인 액추에이터(11, 12) 상에 서브 액추에이터(13, 14)가 배치되며, 메인 액추에이터(11, 12)는 X축 모터(11) 및 Y축 모터(12)를 포함한다. 서브 액추에이터(13, 14) 또한 X축 모터(13) 및 Y축 모터(14)를 포함한다.Sub-actuators 13 and 14 are disposed on the main actuators 11 and 12, and the main actuators 11 and 12 include an X-axis motor 11 and a Y-axis motor 12. The sub actuators 13 and 14 also include an X axis motor 13 and a Y axis motor 14.

여기서, 메인 액추에이터(11, 12)는 제 1 모터, 예를 들어 리니어 모터(Linear motor), 서보 모터(Servo motor) 또는 스텝 모터(Step motor) 등으로 구성될 수 있다. 이러한 제 1 모터는 다양한 기술 분야에서 사용되는 모터로서 비교적 넓은 작업 영역에서 사용될 수 있도록 제작된다. 다만, 제 1 모터는 비교적 넓은 작업 영역을 커버할 수 있지만, 응답 속도(Response Time)가 느리고, 정확한 동작 제어가 어렵다.Here, the main actuators 11 and 12 may be configured as a first motor, for example, a linear motor, a servo motor, a step motor, or the like. Such a first motor is a motor used in various technical fields, and is manufactured to be used in a relatively large work area. However, although the first motor may cover a relatively large work area, the response time is slow and accurate motion control is difficult.

한편, 서브 액추에이터(13, 14)는 제 2 모터, 예를 들어 보이스 코일 모터(VCM; voice coil motor), 피에조 모터(Piezo motor), 초음파 모터 등으로 구성될 수 있다. 이러한 제 2 모터는 응답 속도가 빠르고, 정확한 동작 제어가 가능하지만, 최대 이동거리가 상대적으로 짧아서 작업영역이 좁아진다.. Meanwhile, the sub actuators 13 and 14 may be configured of a second motor, for example, a voice coil motor (VCM), a piezo motor, an ultrasonic motor, and the like. The second motor has a fast response speed and accurate motion control, but the maximum movement distance is relatively short, thereby narrowing the work area.

스테이지(10)의 액추에이터로서 제 1 모터만이 이용될 경우, 응답 속도가 떨어지고 미세 동작 제어가 어려워 작업의 생산성 및 정확성이 떨어진다는 문제점이 있다.When only the first motor is used as the actuator of the stage 10, there is a problem that the response speed is lowered and the fine motion control is difficult, resulting in a decrease in productivity and accuracy of the work.

또한, 스테이지(10)의 액추에이터로서 제 2 모터만이 이용될 경우, 고속 또는 미세 동작 제어는 가능하나 작업영역이 제한된다는 문제점이 있다.In addition, when only the second motor is used as the actuator of the stage 10, there is a problem that high speed or fine motion control is possible but the working area is limited.

본 발명에서는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 스테이지(10)의 액추에이터로서 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 포함하여 이를 선택적으로 이용한다. 즉, 전사 공정 중 스테이지(10)가 작업 영역 간의 긴 구간을 이동할 필요가 있을 경우에는 메인 액추에이터(11, 12)를 이용하여 스테이지(10)를 제어하고, 스테이지(10)를 고속 또는 정밀하게 제어할 필요가 있을 경우에는 서브 액추에이터(13, 14)를 이용한다In the present invention, the main actuators 11 and 12 and the sub actuators 13 and 14 are selectively used as the actuators of the stage 10 in order to solve the above problems. That is, when the stage 10 needs to move a long section between the work areas during the transfer process, the main actuators 11 and 12 are used to control the stage 10 and the stage 10 is controlled at high speed or precisely. If necessary, the sub-actuators 13 and 14 are used.

도 2b는 제 1 기재를 도시한 도면이다. 도 2b를 참조하면, 제 1 기재는 복수의 영역을 가진다. 예를 들어, 제 1 기재는 제 1 영역(16), 제 2 영역(17) 및 제 3 영역(18)을 포함할 수 있다. 이러한, 제 1 기재의 복수의 영역은 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 복수의 발광다이오드 칩의 위치에 기초하여 결정될 수 있다.2B is a view showing the first substrate. Referring to FIG. 2B, the first substrate has a plurality of regions. For example, the first substrate may include a first region 16, a second region 17, and a third region 18. Such a plurality of regions of the first substrate may be determined based on the positions of the plurality of light emitting diode chips scanned by the first substrate scanning unit 40.

스테이지(10)가 예컨대, 제 1 영역(16)의 대기 위치(제 1 영역에서 작업 수행을 시작하기 위한 지점)로 이동할 때에는, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 스테이지(10)가 제어된다. 한편, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행할 때에는, 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 스테이지(10)가 제어된다. 여기서, 발광다이오드 칩 피치 간 이동이란 스테이지(10)가 발광다이오드 칩의 피치만큼 이동하는 것을 의미한다. 구체적으로, 누름 핀 모듈(30)이 제 1 발광다이오드 칩 상에 위치하고 있을 때, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행하면, 누름 핀 모듈(30)이 제 1 발광다이오드 칩과 인접한 제 2 발광다이오드 칩 상에 위치하게 된다.When the stage 10 moves to, for example, the standby position of the first region 16 (a point for starting work in the first region), the stage 10 is controlled by the main actuators 11 and 12. On the other hand, when the stage 10 moves between the light emitting diode chip pitches, the stage 10 is controlled by the sub actuators 13 and 14. Here, the movement between the LED chip pitch means that the stage 10 moves by the pitch of the LED chip. Specifically, when the push pin module 30 is positioned on the first light emitting diode chip, when the stage 10 performs the movement between the light emitting diode chip pitch, the push pin module 30 is adjacent to the first light emitting diode chip. The second light emitting diode chip is positioned on the chip.

메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)를 이용하여 스테이지(10)가 제어되는 과정을 살펴보면, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 누름 핀 모듈(30)이 제 1 영역(16)의 시작 지점(16-1)상에 위치하도록 스테이지(10)가 이동된다. 여기서, 서브 액추에이터(13, 14)는 동작하지 않는다.Referring to a process in which the stage 10 is controlled using the main actuators 11 and 12 and the sub actuators 13 and 14, the push pin module 30 is driven by the main actuators 11 and 12 to form the first area 16. The stage 10 is moved to be on the starting point 16-1 of. Here, the sub actuators 13 and 14 do not operate.

그 후, 스테이지(10)가 발광다이오드 칩 피치 간 이동을 수행한다. 즉, 제 1 영역(16)에 포함된 복수의 발광다이오드 칩에 대한 전사 공정이 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 순차적으로 수행된다. 제 1 영역(16)에 대한 전사 공정이 수행될 때, 메인 액추에이터(11, 12)는 동작하지 않는다. 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 전사 공정을 수행함으로써 전사 공정에서의 생산성 및 정밀도를 높일 수 있다. Thereafter, the stage 10 performs the movement between the light emitting diode chip pitch. That is, the transfer process for the plurality of light emitting diode chips included in the first region 16 is sequentially performed by the sub actuators 13 and 14. When the transfer process for the first region 16 is performed, the main actuators 11 and 12 do not operate. By performing the transfer process by the sub actuators 13 and 14, productivity and precision in the transfer process can be improved.

제 1 영역(16)의 종료 지점(16-2)에 해당하는 발광다이오드 칩이 전사된 후, 메인 액추에이터(11, 12)에 의해 누름 핀 모듈(30)이 제 2 영역(17)의 시작 지점(17-1)상에 위치하도록 스테이지(10)가 이동된다. 이어서, 제 2 영역(17)에 포함된 복수의 복수의 발광다이오드 칩에 대한 전사 공정이 서브 액추에이터(13, 14)에 의해 순차적으로 수행된다.After the light emitting diode chip corresponding to the end point 16-2 of the first area 16 is transferred, the push pin module 30 is started by the main actuators 11 and 12 to start the second area 17. The stage 10 is moved to be positioned on the 17-1. Subsequently, the transfer process for the plurality of light emitting diode chips included in the second region 17 is sequentially performed by the sub actuators 13 and 14.

이와 같이, 메인 액추에이터(11, 12)와 서브 액추에이터(13, 14)를 선택적으로 사용함으로써, 생산성을 향상시킴과 동시에, 작업의 정확성을 높일 수 있다. Thus, by selectively using the main actuators 11 and 12 and the sub actuators 13 and 14, it is possible to improve the productivity and to increase the accuracy of the work.

한편, 워크 테이블(20)도 스테이지(10)와 마찬가지로, 메인 액추에이터 및 서브 액추에이터를 포함할 수 있다. 즉, 메인 액추에이터 상에 서브 액추에이터가 배치되며, 메인 액추에이터 및 서브 액추에이터는 각각 스테이지(10)의 메인 액추에이터(11, 12) 및 서브 액추에이터(13, 14)와 동일하게 구성될 수 있다.Meanwhile, the work table 20 may also include a main actuator and a sub actuator, similarly to the stage 10. That is, the sub actuator is disposed on the main actuator, and the main actuator and the sub actuator may be configured in the same manner as the main actuators 11 and 12 and the sub actuators 13 and 14 of the stage 10, respectively.

다시 도 1을 참조하면, 전사 장치는 제 2 기재 스캔 유닛(50)을 더 포함할 수 있다. 제 2 기재 스캔 유닛(50)은 워크 테이블(20) 상에 위치하고, 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔한다.Referring back to FIG. 1, the transfer apparatus may further include a second substrate scanning unit 50. The second substrate scanning unit 50 is located on the work table 20 and scans the position of the circuit trace disposed on the second substrate.

전사 장치는 누름 핀 모듈(30)을 더 포함한다. 누름 핀 모듈(30)은 전사 공정 위치에서 하나 또는 복수의 발광다이오드 칩을 선택적으로 제 2 기재로 전사한다.The transfer device further includes a push pin module 30. The push pin module 30 selectively transfers one or more light emitting diode chips to the second substrate at the transfer process position.

본 발명에서 전사는 발광다이오드 칩의 이송 및 발광다이오드 칩의 접착(본딩)을 의미할 수 있다.In the present invention, the transfer may mean the transfer of the light emitting diode chip and the adhesion (bonding) of the light emitting diode chip.

누름 핀 모듈(30)은 제 1 기재의 일면과 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 누름 핀을 이용하여 제 1 기재의 타면을 밀어서 복수의 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사한다.The push pin module 30 transfers the plurality of light emitting diode chips to the second substrate by pushing the other surface of the first substrate using the push pin while the one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other.

전사 장치는 누름 핀 스캔 유닛(60)을 더 포함한다. 누름 핀 스캔 유닛(60)은 누름 핀이 올바른 위치(후술할 누름 핀 하우징의 중앙)에 위치하고 있는지 여부를 주기적으로 스캔한다. 예를 들어, 누름 핀 스캔 유닛(60)은 누름 핀이 교체된 후에 누름 핀이 올바른 위치에 위치하고 있는지 여부를 스캔할 수 있다.The transfer device further includes a push pin scan unit 60. The push pin scan unit 60 periodically scans whether the push pin is located at the correct position (center of the push pin housing to be described later). For example, the push pin scan unit 60 may scan whether the push pin is located in the correct position after the push pin is replaced.

전사 장치는 메모리를 가지는 제어 유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다. 제어 유닛은 전사 장치가 동작하도록 전사 장치의 각 구성을 제어한다. 이하에서는 전사 장치의 각 구성이 동작을 직접 수행하도록 기재되어 있지만, 이러한 기재는 제어 유닛이 각 구성이 해당 동작을 수행하도록 각 구성을 제어하는 것도 포함된다.The transfer device may further comprise a control unit (not shown) having a memory. The control unit controls each component of the transfer apparatus so that the transfer apparatus operates. In the following, each component of the transfer apparatus is described to directly perform an operation, but this description also includes a control unit controlling each component so that each component performs the corresponding operation.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 누름 핀 모듈의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a push pin module according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 누름 핀 모듈(30)은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the push pin module 30 includes a plurality of push pin units 31, 32, and 33.

복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 각각은 누름 핀(34) 및 누름 핀 하우징(35)을 포함한다. 여기서, 누름 핀 하우징(35)은 누름 핀(34)을 보호하고, 제 1 기재와 접촉한다.Each of the plurality of push pin units 31, 32, 33 includes a push pin 34 and a push pin housing 35. Here, the push pin housing 35 protects the push pin 34 and contacts the first substrate.

누름 핀(34)은 상하 방향으로 이동함으로써 제 1 기재의 타면을 밀어 해당 부분에 대응하는 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사한다.The push pin 34 moves in the vertical direction to push the other surface of the first substrate to transfer the light emitting diode chip corresponding to the portion to the second substrate.

복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 각각은 누름 핀(34)에 의해 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된 후, 제 1 기재가 해당 발광다이오드 칩으로부터 분리될 수 있도록 하는 진공 유닛(36)을 더 포함한다.Each of the plurality of push pin units 31, 32, 33 is a vacuum unit for allowing the first substrate to be separated from the corresponding light emitting diode chip after the light emitting diode chip is transferred to the second substrate by the push pin 34 ( 36) further.

다음으로 도 4, 도 5a를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩의 전사 방법을 설명하기로 한다. 도 4를 참조하면, 일면에 타겟 발광다이오드 칩(320)이 탑재된 제 1 기재(300)와 회로 트레이스(330)를 가지는 제 2 기재(310)가 준비된다(a). 여기서, 제 1 기재(300)는 예를 들어, 테입이고, 제 2 기재(310)는 예를 들어, 기판 또는 회로기판일 수 있다.Next, referring to FIGS. 4 and 5A, a method of transferring a light emitting diode chip according to an exemplary embodiment of the present invention will be described. Referring to FIG. 4, a second substrate 310 having a first substrate 300 on which one surface of the target LED chip 320 is mounted and a circuit trace 330 is prepared (a). Here, the first substrate 300 may be, for example, a tape, and the second substrate 310 may be, for example, a substrate or a circuit board.

이어서, 제 1 기재(300)의 스캔 정보에 기초하여 누름 핀 모듈(30)이 제 1 기재(300)의 타면에서 타겟 발광다이오드 칩(320)의 대응하는 위치에 접촉한다(b).Next, the push pin module 30 contacts the corresponding position of the target LED chip 320 on the other surface of the first substrate 300 based on the scan information of the first substrate 300 (b).

이후, 누름 핀(34)이 제 1 기재(300)의 타면을 향해 돌출되고, 이에 따라 타겟 발광다이오드 칩(320)이 제 2 기재(310)로 전사된다(c). 여기서, 누름 핀(34)에 의해 제 1 기재(300)의 일부가 뚫릴 수 있다(d).Thereafter, the push pin 34 protrudes toward the other surface of the first substrate 300, and thus the target LED chip 320 is transferred to the second substrate 310 (c). Here, a part of the first substrate 300 may be drilled by the push pin 34 (d).

이때, 후술하는 압력 조절 유닛(37)을 통해 타겟 발광다이오드 칩(320)과 제 2 기재(310) 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시킨다.At this time, the pressure between the target light emitting diode chip 320 and the second substrate 310 is maintained at a predetermined pressure through the pressure adjusting unit 37 to be described later.

이어서, 누름 핀(34)이 누름 핀 하우징(35) 내로 다시 복귀한다(e). 여기서, 누름 핀(34)의 돌출로 인해 제 1 기재(300)의 일부가 늘어나거나 제 1 기재(300)의 일부가 여전히 타겟 발광다이오드 칩(320)에 부착되어 있을 수 있다. 이때, 진공 유닛(36)을 이용하여 제 1 기재(300)를 압착시켜 제 1 기재(300)를 원위치로 되돌릴 수 있다.The push pin 34 then returns back into the push pin housing 35 (e). Here, due to the protrusion of the push pin 34, a portion of the first substrate 300 may be extended or a portion of the first substrate 300 may still be attached to the target LED chip 320. At this time, the first base material 300 may be compressed using the vacuum unit 36 to return the first base material 300 to its original position.

이후, 누름 핀 모듈(30)이 다른 타겟 발광다이오드 칩 상에 위치하도록 제 1 기재 스테이지(10)와 워크 테이블(20)이 이동한 후, 다른 타겟 발광다이오드 칩이 제 2 기재(310)로 전사된다.Thereafter, after the first substrate stage 10 and the work table 20 are moved so that the push pin module 30 is positioned on the other target LED chip, the other target LED chip is transferred to the second substrate 310. do.

상술한 과정을 반복하면서 제 1 기재(300)에 탑재된 모든 발광다이오드 칩이 제 2 기재(310)로 전사된다.While repeating the above-described process, all the light emitting diode chips mounted on the first base material 300 are transferred to the second base material 310.

도 5b에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 공정이 도시되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 1 기재(400)는 예를 들어, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 테입일 수 있다. 또한, 제 2 기재(410)는 발광다이오드 칩이 전사될 전사테입일 수 있다.5B shows a transfer process according to another embodiment of the present invention. According to another embodiment of the present invention, the first substrate 400 may be, for example, a tape on which a plurality of light emitting diode chips are mounted. In addition, the second substrate 410 may be a transfer tape to which the LED chip is transferred.

다시 도 3을 참조하면, 본 발명에서는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행함으로써 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킬 수 있다. 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용함으로써 발광다이오드 칩을 신속하게 제 2 기재로 전사시킬 수 있다.Referring back to FIG. 3, in the present invention, the plurality of light emitting diode chips may be transferred to the second substrate at a time by performing a transfer process using the plurality of push pin units 31, 32, and 33. By using the plurality of push pin units 31, 32, and 33, the light emitting diode chip can be quickly transferred to the second substrate.

잠시 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 누름 핀 유닛을 이용하여 발광다이오드 칩을 전사하는 방법에 대하여 설명하기로 한다. Referring to FIG. 6, a method of transferring a light emitting diode chip using a plurality of push pin units according to an embodiment of the present invention will be described.

도 6a를 참조하면, 제 1 기재의 일면에는 복수의 발광다이오드 칩이 부착되어 있고, 제 1 기재의 일면과 제 2 기재가 마주보게 배치된다. 이때, 제 1 기재의 타면에 누름 핀 모듈(30)이 접촉한다.Referring to FIG. 6A, a plurality of light emitting diode chips are attached to one surface of the first substrate, and one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other. At this time, the push pin module 30 contacts the other surface of the first substrate.

이후, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)은 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)을 제 1 기재의 타면을 향해 돌출시켜 대응하는 복수의 발광다이오드 칩(도 6에서는 3개)을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다.Thereafter, the plurality of push pin units 31, 32, and 33 protrude the push pins 34-1, 34-2, and 34-3 toward the other surface of the first substrate so that the corresponding plurality of light emitting diode chips (FIG. 3 in 6) is transferred to the second substrate at a time.

이어서, 도 6b를 참조하면, 스테이지(10)와 워크 테이블(20)이 소정 범위만큼 이동하여 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)이 제 1 기재의 상부에서 다음으로 전사될 복수의 발광다이오드 칩에 대응하는 위치에 배치된다.6B, the stage 10 and the work table 20 move by a predetermined range so that each push pin 34-1, 34-2, 34-3 is transferred from the top of the first substrate to the next. It is disposed at a position corresponding to the plurality of light emitting diode chips to be.

이 상태에서 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)은 각 누름 핀(34-1, 34-2, 34-3)을 제 1 기재의 타면을 향해 돌출시켜 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다.In this state, the plurality of push pin units 31, 32, and 33 protrude the push pins 34-1, 34-2, and 34-3 toward the other surface of the first substrate so that the corresponding plurality of light emitting diode chips are formed. Transfer to the second substrate at a time.

상술한 과정을 반복하면서 제 1 기재에 탑재된 대부분의 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된다. 다만, 제 1 기재의 외주부에 탑재된 발광다이오드 칩 또는 발광다이오드 칩 간의 배열 간격(또는 배열 위치)이 고르지 못한 영역에 위치한 발광다이오드 칩은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 제 2 기재로 전사시킬 수 없다. 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사될 수 없는 발광다이오드 칩은 제 1 기재 스캔 유닛(40)을 통한 스캔 과정을 통해 검출될 수 있다.While repeating the above process, most of the light emitting diode chips mounted on the first substrate are transferred to the second substrate. However, the light emitting diode chip mounted on the outer periphery of the first base material or the light emitting diode chip located in an uneven area of the arrangement between the light emitting diode chips (or the arrangement position) may be formed by using the plurality of push pin units 31, 32, and 33. It cannot be transferred to the second substrate. The light emitting diode chip that cannot be transferred using the plurality of push pin units 31, 32, and 33 may be detected through a scanning process through the first substrate scanning unit 40.

따라서, 도 6c와 같이, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)에 의해 전사 처리되지 않은 발광다이오드 칩은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(도 6c에서는 32)를 이용하여 순차적으로 제 2 기재로 전사된다.Therefore, as shown in FIG. 6C, the light emitting diode chip which is not transferred by the plurality of push pin units 31, 32, and 33 is one of the plurality of push pin units 31, 32, and 33 (32 in FIG. 6C). Are sequentially transferred to the second substrate.

다시 도 3을 참조하면, 누름 핀 모듈(30)은 압력 조절 유닛(37)을 더 포함한다. 압력 조절 유닛(37)은 누름 핀(34)이 제 1 기재의 타면을 밀때 발광다이오드 칩과 제 2 기재가 서로 접촉하게 되는데, 이때, 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시킨다. Referring again to FIG. 3, the push pin module 30 further includes a pressure regulation unit 37. The pressure regulating unit 37 makes the light emitting diode chip and the second substrate contact each other when the push pin 34 pushes the other surface of the first substrate. At this time, the pressure between the light emitting diode chip and the second substrate is maintained at a predetermined pressure. Let's do it.

바람직하게는 압력 조절 유닛(37)은 각 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 동일하게 유지시킨다.Preferably, the pressure regulating unit 37 keeps the pressure between each light emitting diode chip and the second substrate the same.

이러한 압력 조절 유닛(37)은 예를 들어, 스프링 또는 보이스 코일 모터를 포함할 수 있다. This pressure regulating unit 37 may comprise a spring or voice coil motor, for example.

이때, 스프링은 도 7a와 같이 특정 변위량(a)까지는 압력이 선형으로 증가하고, 해당 변위량(a) 이후부터는 변위량이 증가하더라도 일정한 압력(b)을 유지하는 특성을 가지며, 특정 변위량(a) 이상 유지함으로써 누름 핀(34)과 제 2 기재 간의 압력을 일정한 압력(b)으로 유지시킬 수 있다.At this time, the spring has a characteristic that the pressure increases linearly to the specific displacement amount (a) as shown in Figure 7a, and maintains a constant pressure (b) even after the displacement amount (a), even after the specific displacement amount (a), the specific displacement amount (a) or more By holding, the pressure between the push pin 34 and the second substrate can be maintained at a constant pressure b.

또한, 보이스 코일 모터는 영구 자석과 코일을 포함하는 선형 모터(Linear motor)로서, 보이스 코일에 흐르는 전류를 통해 직진 운동을 한다.In addition, the voice coil motor is a linear motor including a permanent magnet and a coil, and moves straight through the current flowing through the voice coil.

이러한 보이스 코일 모터는 도 7b와 같이 압력이 보이스 코일 모터에 인가되는 전류(또는 전압)에 비례하는 특성을 가진다.Such a voice coil motor has a characteristic in which pressure is proportional to a current (or voltage) applied to the voice coil motor.

따라서, 보이스 코일 모터로 특정 전류(또는 전압)(a)을 인가함으로써 누름 핀(34)과 제 2 기재 간의 압력을 일정한 압력(b)으로 유지시킬 수 있다.Therefore, by applying a specific current (or voltage) a to the voice coil motor, the pressure between the push pin 34 and the second substrate can be maintained at a constant pressure b.

누름 핀(34)이 제 1 기재의 타면을 밀어 발광다이오드 칩을 제 2 기재로 전사시킬 때, 동일한 압력을 가하지 않을 경우 제 2 기재에 전사된 발광다이오드 칩의 높이가 서로 상이해질 수 있다. 또한, 큰 압력을 가할 경우, 발광다이오드 칩이 파손될 수도 있다.When the push pin 34 pushes the other surface of the first substrate to transfer the light emitting diode chip to the second substrate, the heights of the light emitting diode chips transferred to the second substrate may be different from each other when the same pressure is not applied. In addition, when a large pressure is applied, the LED chip may be damaged.

본 발명에서는 압력 조절 유닛(37)을 이용하여 각 발광다이오드 칩과 제 2 기재 간의 압력을 동일하게 유지시킴으로써, 전사 공정에서 각 발광다이오드 칩이 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the present invention, by using the pressure adjusting unit 37 to maintain the same pressure between each LED chip and the second substrate, it is possible to prevent each LED chip from being damaged in the transfer process.

또한, 압력 조절 유닛(37)에 의해 각 발광다이오드 칩이 균일한 높이로 제 2 기재에 전사될 수 있다.In addition, each light emitting diode chip can be transferred to the second substrate with a uniform height by the pressure adjusting unit 37.

누름 핀 모듈(30)은 폭 가변 유닛(38)을 더 포함한다. 폭 가변 유닛(38)은 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 조정한다.The push pin module 30 further includes a variable width unit 38. The variable width unit 38 adjusts the width between the plurality of push pin units 31, 32, 33 based on the arrangement interval between the light emitting diode chips scanned by the first substrate scanning unit 40.

제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격은 서로 상이할 수 있는데, 발광다이오드 칩 간의 배열 간격을 고려하지 않고 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행할 경우, 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 제대로 전사되지 못하는 경우가 발생한다.Arrangement intervals between the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate may be different from each other, and the transfer process is performed using the plurality of push pin units 31, 32, and 33 without considering the arrangement interval between the light emitting diode chips. In some cases, the light emitting diode chip may not be properly transferred to the second substrate.

예를 들어, 특정 영역에서의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)의 폭(바람직하게는 각 누름 핀(34)의 폭)에 비해 좁거나 넓을 경우, 누름 핀(34)이 발광다이오드 칩의 중앙이 아닌 부분(경우에 따라서는 발광다이오드 칩이 위치하지 않는 부분)을 누르게 되고, 이에 따라 해당 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 제대로 전사될 수 없다.For example, when the spacing between the light emitting diode chips in a specific region is narrower or wider than the width of the plurality of push pin units 31, 32, and 33 (preferably, the width of each push pin 34), The pin 34 is pressed against a portion of the light emitting diode chip that is not the center (in some cases, the portion where the light emitting diode chip is not located), and thus the LED chip cannot be properly transferred to the second substrate.

본 발명에서는 폭 가변 유닛(38)이 전사 공정 시에 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 실시간으로 조정함으로써 상술한 문제점을 해결할 수 있다.In the present invention, the above-described problem can be solved by the variable width unit 38 adjusting the widths of the plurality of push pin units 31, 32, and 33 in real time based on the arrangement interval between the light emitting diode chips in the transfer process.

이하에서는 전사 장치에 의해 수행되는 전사 방법에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 제 2 기재에 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.Hereinafter, the transfer method performed by the transfer apparatus will be described. 8 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip to a second substrate according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 어느 발광다이오드 칩들을 제 2 기재로 전사시킬 것인지 및 제 2 기재 상에서 발광다이오드 칩들을 어디에 위치시킬 것인지를 결정하기 위해, 제어 유닛은 발광다이오드 칩들을 포함하는 제 1 기재의 식별 및 제 2 기재의 식별에 관한 입력을 수신할 수 있다(S801).Referring to FIG. 8, in order to determine which LED chips to transfer to the second substrate and where to place the LED chips on the second substrate, the control unit may identify the first substrate including the LED chips. And an input relating to the identification of the second description (S801).

제어 유닛은 제 1 기재의 식별 및 제 2 기재의 식별에 관한 입력에 기초하여 제 1 기재 관련 데이터 및 제 2 기재 관련 데이터를 메모리로부터 추출할 수 있다(S802). The control unit may extract the first substrate related data and the second substrate related data from the memory based on the input regarding the identification of the first substrate and the identification of the second substrate (S802).

제 2 기재 관련 데이터는 제 2 기재 상에서 회로 트레이스의 패턴(위치 포함), 회로 트레이스로 전사될 발광다이오드 칩의 수 및 발광다이오드 칩의 상대적 위치, 및 발광다이오드 칩의 품질 요건을 포함한다. The second substrate related data includes the pattern (including position) of the circuit trace on the second substrate, the number of light emitting diode chips to be transferred to the circuit trace and the relative position of the light emitting diode chips, and the quality requirements of the light emitting diode chips.

또한, 제 1 기재 관련 데이터는 발광다이오드 칩의 상대적 위치 및 이에 대한 맵을 포함한다.The first substrate related data also includes a relative position of the light emitting diode chip and a map thereof.

이후, 제어 유닛은 발광다이오드 칩의 전사를 위한 제 1 기재 및 제 2 기재의 초기 배향을 결정할 수 있다(S803). Thereafter, the control unit may determine initial orientations of the first substrate and the second substrate for the transfer of the light emitting diode chip (S803).

일단 제 1 기재 및 제 2 기재의 초기 배향이 결정되면, 제어 유닛은 제 1 기재 및 제 2 기재가 전사 공정에서의 동조의 위치로 배향시키도록 스테이지(10) 및 워크 테이블(20)을 제어한다(S804).Once the initial orientation of the first substrate and the second substrate is determined, the control unit controls the stage 10 and the work table 20 to orient the first substrate and the second substrate to the position of tuning in the transfer process. (S804).

단계 S804에서, 제어 유닛은 발광다이오드 칩이 전사될 회로 트레이스의 위치 및 제 1 기재에서 전사될 발광다이오드 칩을 결정한다. In step S804, the control unit determines the position of the circuit trace to which the LED chip is to be transferred and the LED chip to be transferred in the first substrate.

이어서, 제어 유닛은 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사되도록 누름 핀 모듈(30)을 제어한다(S805).Subsequently, the control unit controls the push pin module 30 so that the light emitting diode chip is transferred to the second substrate (S805).

제어 유닛은 해당 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 전사된 후, 다음으로 전사될 발광다이오드 칩이 존재하는지 여부를 결정한다(S806).After the light emitting diode chip is transferred to the second substrate, the control unit determines whether there is a light emitting diode chip to be transferred next (S806).

제어 유닛은 전사될 발광다이오드 칩이 남아있는 경우, 단계 S804로 되돌아가며 전사 공정을 수행한다. 전사될 발광다이오드 칩이 없을 경우, 전사 공정은 종료된다.If the light emitting diode chip to be transferred remains, the control unit returns to step S804 and performs a transfer process. If there is no light emitting diode chip to be transferred, the transfer process is terminated.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 칩을 제 2 기재에 전사하는 방법을 도시한 흐름도이다.9 is a flowchart illustrating a method of transferring a light emitting diode chip to a second substrate according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 먼저, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 예비 기재가 준비 위치에서 대기 중인 스테이지(10)에 안착된다(S900).Referring to FIG. 9, first, a preliminary substrate having a plurality of light emitting diode chips mounted on one surface thereof is seated on a stage 10 waiting at a ready position (S900).

여기서, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격은 고르지 못하다. 이러한 예비 기재를 이용하여 전사 공정을 수행할 경우, 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 고르지 못하므로, 예비 기재를 스캔한 후, 스캔 정보에 기초하여 하나의 누름 핀 유닛(예컨대, 32)으로 발광다이오드 칩 각각을 전사시킬 필요가 있다.Here, the arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate is uneven. When the transfer process is performed using the preliminary substrate, since the arrangement intervals of the plurality of light emitting diode chips are uneven, the preliminary substrate is scanned and then emitted by one push pin unit (eg, 32) based on the scan information. It is necessary to transfer each of the diode chips.

즉, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 전사 공정에서는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용할 수 없게 된다.That is, the plurality of push pin units 31, 32, 33 cannot be used in the transfer process of the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary base material.

본 발명에서는 하나 또는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 공정을 수행하기 위해 재배열 공정을 수행한다.In the present invention, the rearrangement process is performed to perform the transfer process using one or a plurality of push pin units 31, 32, and 33.

한편, 단계 S900에서 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 1 기재가 워크 테이블(20)에 안착된다.In operation S900, a first substrate on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred is seated on the work table 20.

이후, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩을 스캔한다. 이때, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다.Thereafter, the first substrate scanning unit 40 scans the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate. At this time, the first substrate scanning unit 40 scans the positions of the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate.

이어서, 스테이지(10)가 전사 공정 위치로 이동하고, 전사 공정이 수행된다(S910). Subsequently, the stage 10 moves to the transfer process position, and a transfer process is performed (S910).

이러한 재배열 공정에서, 발광다이오드 칩이 최종적으로 전사될 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격과 동조되도록 복수의 발광다이오드 칩이 제 1 기재에 전사된다. In this rearrangement process, a plurality of light emitting diode chips are transferred to the first substrate such that the light emitting diode chips are synchronized with an arrangement interval between circuit traces disposed on the second substrate to be finally transferred.

즉, 재배열 공정을 통해, 제 1 기재의 일면에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배치 간격과 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격이 미리 동조된다.That is, through the rearrangement process, the arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips mounted on one surface of the first substrate and the arrangement interval between the circuit traces arranged on the second substrate are tuned in advance.

상술한 바와 같이, 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 고르지 못하므로, 제 1 기재 스캔 유닛(40)의 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(예를 들어, 32)를 이용하여 발광다이오드 칩 각각을 제 1 기재로 전사시킨다.As described above, since the arrangement intervals between the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate are uneven, among the plurality of push pin units 31, 32, and 33 based on the scan information of the first substrate scanning unit 40. Each of the LED chips is transferred to the first substrate using one (eg, 32).

재배열 공정을 마친 뒤, 일면에 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 준비 위치에서 대기 중인 스테이지(10)에 안착된다. 그리고, 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 워크 테이블(20)에 안착된다(S920).After the rearrangement process, the first base material on which a plurality of light emitting diode chips are mounted is mounted on the stage 10 waiting at the ready position. In operation S920, the second substrate on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred is seated on the work table 20.

이어서, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔한다. 여기서, 제 1 기재 스캔 유닛(40)은 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩의 배치 간격을 확인한다. 이때, 제 1 기재 스캔 유닛(40)에 의해 스캔된 스캔 정보가 메모리에 저장된다. 스캔 정보는 각 발광다이오드 칩 간의 배치 간격를 포함한다.Subsequently, the first substrate scanning unit 40 scans the positions of the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate. Here, the first substrate scanning unit 40 confirms the arrangement interval of the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate. At this time, scan information scanned by the first substrate scanning unit 40 is stored in the memory. The scan information includes an arrangement interval between each light emitting diode chip.

이러한 스캔 정보는 폭 가변 유닛(39)이 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 가변하는데 이용된다. 또한, 스캔 정보는 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)에 의해 전사 처리될 수 없는 발광다이오드 칩들(예컨대, 제 1 기재의 외주부에 위치하거나 배열 간격이 기설정된 범위를 벗어난 경우(즉, 폭 가변 유닛(39)을 통해 보정하기 어려운 경우))을 검출하는데 이용된다.This scan information is used by the variable width unit 39 to vary the width between the plurality of push pin units 31, 32, 33. In addition, the scan information may be located in the light emitting diode chips (for example, located on the outer circumference of the first substrate or the arrangement interval is out of a predetermined range) (ie, not being transferred by the plurality of push pin units 31, 32, 33). Is difficult to correct through the variable width unit 39).

또한, 제 2 기재 스캔 유닛(50)은 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔한다.In addition, the second substrate scanning unit 50 scans the position of the circuit trace disposed on the second substrate.

이후, 스테이지(10)가 전사 공정 위치로 이동하고, 전사 공정이 수행된다(S930). Thereafter, the stage 10 moves to the transfer process position, and the transfer process is performed (S930).

이때, 상술한 재배열 공정을 통해 제 1 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩 간의 배열 간격이 비교적 고르므로, 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 통해 복수의 발광다이오드 칩을 일시에 제 2 기재로 전사시킬 수 있다.In this case, since the arrangement intervals between the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate are relatively even through the above-described rearrangement process, the plurality of light emitting diode chips may be temporarily moved through the plurality of push pin units 31, 32, and 33. The second substrate can be transferred.

전사 공정 시, 폭 가변 유닛(39)이 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 간의 폭을 가변함으로써 복수의 발광다이오드 칩이 제 2 기재로 잘 전사될 수 있다.In the transfer process, the width variable unit 39 varies the width between the plurality of push pin units 31, 32, and 33 based on the scan information, so that the plurality of light emitting diode chips can be transferred to the second substrate well.

또한, 누름 핀 모듈(30)은 스캔 정보에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 전사 처리할 제 1 발광다이오드 칩들과 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(32)를 이용하여 전사 처리할 제 2 발광다이오드 칩들을 분류한다.In addition, the push pin module 30 may include the first light emitting diode chips and the plurality of push pin units 31, 32, and 33 to be transferred using the plurality of push pin units 31, 32, and 33 based on the scan information. Is used to classify the second LED chips to be transferred.

누름 핀 모듈(30)은 분류 결과에 기초하여 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33)을 이용하여 제 1 발광다이오드 칩들을 일시에 제 2 기재로 전사시킨다. 이후, 누름 핀 모듈(30)은 복수의 누름 핀 유닛(31, 32, 33) 중 하나(32)를 이용하여 제 2 발광다이오드 칩들을 제 2 기재로 순차적으로 전사시킨다.The push pin module 30 transfers the first LED chips to the second substrate at one time using the plurality of push pin units 31, 32, and 33 based on the classification result. Then, the push pin module 30 sequentially transfers the second LED chips to the second substrate by using one of the plurality of push pin units 31, 32, and 33.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

10: 스테이지
20: 워크 테이블
30: 누름 핀 모듈
31: 누름 핀 유닛
32: 누름 핀 유닛
33: 누름 핀 유닛
34: 누름 핀
35: 누름 핀 하우징
36: 진공 유닛
37: 압력 조절 유닛
38: 폭 가변 유닛
40: 제 1 기재 스캔 유닛
50: 제 2 기재 스캔 유닛
60: 누름 핀 스캔 유닛
10: stage
20: work table
30: push pin module
31: push pin unit
32: push pin unit
33: push pin unit
34: push pin
35: push pin housing
36: vacuum unit
37: pressure regulation unit
38: variable width unit
40: first substrate scanning unit
50: second substrate scanning unit
60: push pin scan unit

Claims (13)

복수의 발광다이오드 칩을 전사하는 전사 장치에 있어서,
일면에 상기 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 제 1 기재가 안착되는 스테이지;
상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 제 2 기재가 안착되는 워크 테이블; 및
상기 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면을 밀어서 상기 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키기 위한 누름 핀 모듈
을 포함하고,
상기 누름 핀 모듈은 각각이 상기 제 1 기재의 타면을 밀기 위한 누름 핀을 포함하는 복수의 누름 핀 유닛을 포함하고,
상기 누름 핀 모듈이 상기 복수의 누름 핀 유닛의 각 누름 핀에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시킬 수 있도록, 상기 일면에 탑재된 상기 복수의 발광다이오드 칩 간의 배치 간격은 상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격과 미리 동조되어 있는 것인, 전사 장치.
In the transfer device for transferring a plurality of light emitting diode chips,
A stage on which a first substrate on which the plurality of light emitting diode chips are mounted is mounted;
A work table on which a second substrate on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred is seated; And
Push pin module for transferring the plurality of light emitting diode chips to the second substrate by pushing the other surface of the first substrate in a state in which one surface of the first substrate and the second substrate are disposed to face each other.
Including,
The push pin module includes a plurality of push pin units each including a push pin for pushing the other surface of the first substrate,
Arrangement intervals between the plurality of light emitting diode chips mounted on the one surface such that the push pin module may transfer a plurality of light emitting diode chips corresponding to each of the push pins of the plurality of push pin units to the second substrate at a time. Is previously synchronized with an arrangement interval between circuit traces arranged on the second substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 일면에 탑재된 상기 복수의 발광다이오드 칩 간의 배치 간격은, 상기 복수의 발광다이오드 칩을 재배열시켜 상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격과 동조되는 것인, 전사 장치.
The method of claim 1,
And an arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips mounted on the one surface is synchronized with an arrangement interval between circuit traces arranged on the second substrate by rearranging the plurality of light emitting diode chips.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔하기 위한 제 2 기재 스캔 유닛
을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
The method of claim 1,
A second substrate scanning unit for scanning a position of a circuit trace disposed on the second substrate
To further include, the transfer device.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기재에 탑재된 상기 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔하기 위한 제 1 기재 스캔 유닛
을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
The method of claim 1,
A first substrate scanning unit for scanning positions of the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate
To further include, the transfer device.
제 4 항에 있어서,
상기 누름 핀 모듈은 상기 제 1 기재 스캔 유닛에 의해 스캔된 상기 발광다이오드 칩 간의 배열 간격에 기초하여 상기 복수의 누름 핀 유닛 간의 폭을 가변하는 폭 가변 유닛을 더 포함하는 것인, 전사 장치.
The method of claim 4, wherein
And the push pin module further comprises a width varying unit for varying a width between the plurality of push pin units based on an arrangement interval between the light emitting diode chips scanned by the first substrate scanning unit.
제 4 항에 있어서,
상기 누름 핀 모듈은 상기 제 1 기재 스캔 유닛에 의해 스캔된 상기 발광다이오드 칩 간의 배열 위치가 기설정된 범위에 벗어난 발광다이오드 칩을 상기 복수의 누름 핀 유닛 중 하나를 이용하여 상기 제 2 기재로 전사시키는 것인, 전사 장치.
The method of claim 4, wherein
The push pin module transfers a light emitting diode chip whose arrangement position between the light emitting diode chips scanned by the first substrate scanning unit is out of a predetermined range to one of the plurality of push pin units to the second substrate. Which is a transfer device.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 누름 핀 유닛 각각은 상기 발광다이오드 칩과 상기 제 2 기재 간의 압력을 기설정된 압력으로 유지시키기 위한 압력 조절 유닛을 포함하는 것인, 전사 장치.
The method of claim 1,
And each of the plurality of push pin units includes a pressure regulating unit for maintaining a pressure between the light emitting diode chip and the second substrate at a predetermined pressure.
제 7 항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은 보이스 코일 모터(VCM; voice coil motor) 및 스프링 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 전사 장치.
The method of claim 7, wherein
And the pressure regulating unit comprises at least one of a voice coil motor (VCM) and a spring.
복수의 발광다이오드 칩을 전사하는 방법에 있어서,
일면에 상기 복수의 발광다이오드 칩이 탑재된 예비 기재를 준비하는 단계;
제 1 기재를 준비하는 단계;
상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사될 회로 트레이스가 배치된 제 2 기재를 준비하는 단계;
상기 예비 기재의 일면과 상기 제 1 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 예비 기재의 타면을 밀어서 상기 예비 기재의 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 1 기재로 전사시키는 단계; 및
상기 복수의 발광다이오드 칩이 전사된 제 1 기재의 일면과 상기 제 2 기재가 마주보게 배치된 상태에서 상기 제 1 기재의 타면을 밀어서 상기 제 1 기재의 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키는 단계
를 포함하고,
상기 제 1 기재의 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 전사시키는 단계에서 복수의 누름 핀을 이용하여 상기 복수의 누름 핀 각각에 대응하는 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 2 기재로 일시에 전사시킬 수 있도록, 상기 예비 기재의 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 1 기재로 전사시키는 단계는, 상기 제 1 기재로 전사되는 상기 복수의 발광다이오드 칩 간의 배치 간격이 상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스 간의 배치 간격과 동조되도록 상기 예비 기재에 탑재된 복수의 발광다이오드 칩을 상기 제 1 기재로 전사시키는 것인, 방법.
In the method of transferring a plurality of light emitting diode chips,
Preparing a preliminary substrate on which one surface of the plurality of light emitting diode chips is mounted;
Preparing a first substrate;
Preparing a second substrate on which circuit traces on which the plurality of light emitting diode chips are to be transferred are arranged;
Transferring a plurality of light emitting diode chips of the preliminary substrate to the first substrate by pushing the other surface of the preliminary substrate with one surface of the preliminary substrate facing the first substrate; And
The plurality of light emitting diode chips of the first substrate may be pushed to the second substrate by pushing the other surface of the first substrate in a state in which one surface of the first substrate on which the plurality of light emitting diode chips is transferred and the second substrate are disposed to face each other. Transcription Step
Including,
In the step of transferring the plurality of light emitting diode chips of the first substrate to the second substrate, a plurality of light emitting diode chips corresponding to each of the plurality of push pins are temporarily transferred to the second substrate using a plurality of push pins. Transferring the plurality of light emitting diode chips of the preliminary substrate to the first substrate may include a circuit trace in which an arrangement interval between the plurality of light emitting diode chips transferred to the first substrate is arranged on the second substrate. And a plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate to be transferred to the first substrate so as to be synchronized with an arrangement interval therebetween.
제 9 항에 있어서,
상기 예비 기재에 탑재된 상기 복수의 발광다이오드 칩의 위치를 스캔하는 단계;
상기 제 1 기재에 탑재된 상기 복수의 발광다이오드 칩을 스캔하는 단계; 및
상기 제 2 기재에 배치된 회로 트레이스의 위치를 스캔하는 단계
를 더 포함하는 것인, 방법.
The method of claim 9,
Scanning positions of the plurality of light emitting diode chips mounted on the preliminary substrate;
Scanning the plurality of light emitting diode chips mounted on the first substrate; And
Scanning the location of the circuit trace disposed on the second substrate
It further comprises.
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