KR102113551B1 - Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same - Google Patents

Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same Download PDF

Info

Publication number
KR102113551B1
KR102113551B1 KR1020147029883A KR20147029883A KR102113551B1 KR 102113551 B1 KR102113551 B1 KR 102113551B1 KR 1020147029883 A KR1020147029883 A KR 1020147029883A KR 20147029883 A KR20147029883 A KR 20147029883A KR 102113551 B1 KR102113551 B1 KR 102113551B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
peeling
film
layer
layer side
Prior art date
Application number
KR1020147029883A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150005560A (en
Inventor
구미꼬 기따무라
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Publication of KR20150005560A publication Critical patent/KR20150005560A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102113551B1 publication Critical patent/KR102113551B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 원하는 박리 필름을 박리할 수 있는 회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법을 제공한다. 제1 접착제층(11)과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)을 갖고, 상온 시(25℃), 제1 접착제층(11)측에 부착된 제1 박리 필름(21)의 박리력이 제2 접착제층(12)측에 부착된 제2 박리 필름(22)의 박리력보다 작다. 이에 의해, 상온 시는, 제1 박리 필름(21)이 박리 가능하게 되고, 가열 시는, 제2 박리 필름(22)이 박리 가능하게 된다.The present invention provides a circuit connecting material capable of peeling a desired peeling film, and a method for manufacturing a mounting body using the circuit connecting material. Of the first release film 21 having a first adhesive layer 11 and a second adhesive layer 12 containing a surface-adjusting agent and adhering to the first adhesive layer 11 side at room temperature (25 ° C) The peeling force is smaller than the peeling force of the second peeling film 22 attached to the second adhesive layer 12 side. Thereby, at normal temperature, the 1st peeling film 21 is peelable, and when heated, the 2nd peeling film 22 is peelable.

Description

회로 접속 재료, 및 이것을 사용한 실장체의 제조 방법{CIRCUIT CONNECTION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD FOR ASSEMBLY USING SAME}Circuit connecting material, and manufacturing method using same {CIRCUIT CONNECTION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD FOR ASSEMBLY USING SAME}

본 발명은, 전자 부품을 접속하는 회로 접속 재료, 및 이것을 사용한 실장체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2012년 3월 30일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원2012-79543을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원을 참조함으로써, 본 출원에 원용된다.The present invention relates to a circuit connecting material for connecting electronic components and a method for manufacturing a mounting body using the same. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-79543 filed on March 30, 2012 in Japan, and is incorporated into this application by referring to this application.

종래, 전자 부품을 기판과 접속하는 회로 접속 재료로서, 예를 들어 도전성 입자가 분산된 바인더 수지가 박리 필름에 도포된 테이프 형상의 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이 사용된다.Conventionally, as a circuit connection material for connecting an electronic component to a substrate, for example, an anisotropic conductive film (ACF) in a tape shape in which a binder resin in which conductive particles are dispersed is applied to a release film is used.

이방성 도전 필름은, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판(FPC)이나 IC칩의 단자와, LCD(Liquid Crystal Display; 액정 디스플레이) 패널의 유리 기판 상에 형성된 ITO(Indium Tin Oxide; 인듐 주석 산화물) 전극을 접합하는, 소위 필름·온·글래스(FOG), 칩·온·글래스(COG) 등에 사용된다.The anisotropic conductive film is, for example, a terminal of a flexible printed circuit board (FPC) or an IC chip, and an ITO (Indium Tin Oxide) electrode formed on a glass substrate of a liquid crystal display (LCD) panel. It is used in so-called film-on-glass (FOG), chip-on-glass (COG), and the like.

또한, 최근 들어, 도전성 입자를 갖는 ACF층과 절연성 수지를 포함하는 NCF층이 적층된 2층 구조의 이방성 도전 필름을 사용하여 도전성 입자의 포착 효율을 향상시키는 기술이 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 내지 3 참조).In addition, recently, a technique of improving the trapping efficiency of conductive particles has been used using an anisotropic conductive film having a two-layer structure in which an ACF layer having conductive particles and an NCF layer containing an insulating resin are stacked (for example, a patent) References 1 to 3).

도 10은, 종래의 2층 구조의 이방성 도전 필름에 의한 접속을 설명하기 위한 단면도이다. 이 이방성 도전 필름은, 도전성 입자를 갖는 ACF층(111)과 절연성 수지를 포함하는 NCF층(112)이 적층된 2층 구조를 갖는다. 또한, 티끌 부착 방지 등의 목적으로, ACF층(111)측에 커버 필름(121), NCF층(112)측에 베이스 필름(122)이 부착된다. 통상, 베이스 필름(122)/NCF층(112)의 박리력이 커버 필름(121)/ACF층(111)의 박리력보다 크게 설정되어, 사용 시에는, 커버 필름(121)측이 박리되도록 되어 있다.10 is a cross-sectional view for explaining a connection by a conventional two-layer anisotropic conductive film. This anisotropic conductive film has a two-layer structure in which an ACF layer 111 having conductive particles and an NCF layer 112 containing an insulating resin are stacked. Further, for the purpose of preventing dust adhesion, a cover film 121 is attached to the ACF layer 111 side and a base film 122 is attached to the NCF layer 112 side. Usually, the peeling force of the base film 122 / NCF layer 112 is set larger than the peeling force of the cover film 121 / ACF layer 111, and when used, the cover film 121 side is peeled off. have.

이 2층 구조의 이방성 도전 필름을 사용하는 경우, 우선, 커버 필름(121)을 박리하고, ACF층(111)을 유리 기판(130)에 부착한다. 이어서, 베이스 필름(122)을 박리하고, NCF층(112)을 FPC(140)에 부착한다.When using this two-layer anisotropic conductive film, first, the cover film 121 is peeled off, and the ACF layer 111 is attached to the glass substrate 130. Next, the base film 122 is peeled off, and the NCF layer 112 is attached to the FPC 140.

압착 시, FPC(140)의 단자(141)가 NCF층(112)에 인입하고, 또한 ACF층(111)에서 도전성 입자를 끼워 넣어서 ITO 전극(131)과 전기적으로 접속된다. 이로 인해, 전자 부품의 단자 간에 유입하는 도전성 입자 수가 감소하고, 단층 구조의 것에 비하여, 도전성 입자가 소량이어도, 접속 단자가 포착하는 도전성 입자의 비율(입자 포착 효율)을 향상시킬 수 있다.Upon compression, the terminal 141 of the FPC 140 is drawn into the NCF layer 112, and conductive particles are inserted in the ACF layer 111 to be electrically connected to the ITO electrode 131. For this reason, the number of conductive particles flowing between the terminals of the electronic component decreases, and the proportion (particle capturing efficiency) of the conductive particles captured by the connection terminal can be improved even when the conductive particles are small in comparison with the single-layer structure.

한편, 도 11에 나타내는 바와 같이, ACF층(111)을 FPC(140)에 부착하고, NCF층(112)을 유리 기판(130)에 부착한 경우, 도전성 입자의 포착 효율이 저하되어 버린다.On the other hand, as shown in Fig. 11, when the ACF layer 111 is attached to the FPC 140 and the NCF layer 112 is attached to the glass substrate 130, the trapping efficiency of the conductive particles is lowered.

따라서, 종래의 2층 구조의 이방성 도전 필름에서는, 유리 기판(130), FPC(140) 중 어느 쪽에 먼저 접착시키는지에 의해, 미리 커버 필름(121)과 베이스 필름(122)의 박리력을 조정할 필요가 있고, 또한 박리력의 조정 후에는 접착 순서가 한정되어 버린다.Therefore, in the conventional anisotropic conductive film having a two-layer structure, it is necessary to adjust the peel force of the cover film 121 and the base film 122 in advance by first attaching to either the glass substrate 130 or the FPC 140. There is, and after the adjustment of the peeling force, the adhesion order is limited.

접착 순서가 한정되지 않는 방법으로서, 도 12에 나타내는 바와 같이, NCF층(112A)/ACF층(111)/NCF층(112B)의 3층 구조로 하는 방법을 생각할 수 있지만, 도전성 입자의 포착 효율이 낮아져 버린다.As a method in which the adhesion order is not limited, as shown in Fig. 12, a method of forming a three-layer structure of the NCF layer 112A / ACF layer 111 / NCF layer 112B is conceivable, but the trapping efficiency of conductive particles It becomes low.

일본 특허 공개 제2009-170898호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-170898 일본 특허 공개 제2008-248065호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-248065 일본 특허 공개 (평)11-241049호 공보Japanese Patent Publication (Pyeong) 11-241049

본 발명은, 이러한 종래의 실정에 감안하여 제안된 것으로, 원하는 박리 필름을 박리할 수 있는 회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법을 제공한다.The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and provides a circuit connecting material capable of peeling a desired release film, and a method of manufacturing a mounting body using the same.

본건 발명자는, 예의 검토를 행한 결과, 회로 접속 재료의 한쪽의 최외층의 접착제층에 가열 시의 박리력의 증가를 억제하는 표면 조정제를 배합함으로써, 원하는 박리 필름을 박리 가능하게 하는 것을 발견하였다.As a result of earnestly examining the inventors of the present invention, it has been found that a desired release film can be peeled by blending a surface-adjusting agent that suppresses an increase in peeling force during heating to an adhesive layer of one outermost layer of a circuit connection material.

즉, 본 발명에 따른 회로 접속 재료는 제1 접착제층과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층을 갖고, 상온 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 작은 것을 특징으로 한다.That is, the circuit connection material according to the present invention has a first adhesive layer and a second adhesive layer containing a surface modifier, and at room temperature, the peeling force of the first release film attached to the first adhesive layer side is the second It is characterized in that it is smaller than the peeling force of the second release film attached to the adhesive layer side.

또한, 본 발명에 따른 실장체의 제조 방법은, 제1 접착제층과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층을 갖고, 상온 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 작은 회로 접속 재료의 상기 제1 박리 필름 또는 상기 제2 박리 필름을 박리하는 박리 공정과, 상기 박리 공정에서 박리된 상기 회로 접속 재료의 제1 접착제층측 또는 제2 접착제층측을 제1 전자 부품에 가부착하고, 상기 제1 전자 부품과 상기 제2 전자 부품을 상기 회로 접속 재료를 개재하여 압착하는 압착 공정을 갖고, 상기 박리 공정에서는, 상온에 의해 상기 제1 박리 필름을 박리되고, 가열에 의해 상기 제2 박리 필름을 박리하는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the mounting body according to the present invention has a first adhesive layer and a second adhesive layer containing a surface modifier, and at room temperature, the peeling force of the first release film attached to the first adhesive layer side is The peeling step of peeling the first peeling film or the second peeling film of a circuit connecting material smaller than the peeling force of the second peeling film attached to the second adhesive layer side, and of the circuit connecting material peeled off in the peeling step It has a crimping process for temporarily attaching the first adhesive layer side or the second adhesive layer side to a first electronic component, and crimping the first electronic component and the second electronic component via the circuit connection material. The first release film is peeled off, and the second release film is peeled off by heating.

본 발명에 따르면, 회로 접속 재료의 한쪽의 최외층의 접착제층에 가열 시의 박리력의 증가를 억제하는 표면 조정제가 배합되고, 다른 쪽의 최외층 접착제층측의 상온 시의 박리력을 작게 하고 있기 때문에, 온도에 따라 원하는 박리 필름을 박리할 수 있다.According to the present invention, a surface-adjusting agent that suppresses an increase in peeling force during heating is blended in the adhesive layer of one outermost layer of the circuit connection material, and the peeling force at room temperature on the other outermost layer adhesive layer side is reduced. Therefore, a desired peeling film can be peeled depending on the temperature.

도 1은, 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 상온 시의 회로 접속 재료에 있어서의 박리 필름의 박리를 설명하는 단면도이다.
도 3은, 가열 시의 회로 접속 재료에 있어서의 박리 필름의 박리를 설명하는 단면도이다.
도 4는, 가열에 의해 제2 박리 필름(22)을 박리하는 경우의 접속을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 상온에 의해 제1 박리 필름(21)을 박리하는 경우의 접속을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 실시예 1의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7은, 실시예 2의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은, 비교예 1의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는, 비교예 2의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은, 종래의 2층 구조의 이방성 도전 필름에 의한 접속을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은, 종래의 2층 구조의 이방성 도전 필름에 의한 접속을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는, 3층 구조의 이방성 도전 필름에 의한 접속을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a circuit connecting material according to the present embodiment.
It is sectional drawing explaining peeling of the peeling film in the circuit connection material at normal temperature.
3 is a cross-sectional view illustrating peeling of the peeling film in the circuit connecting material during heating.
4 is a view for explaining the connection in the case of peeling the second release film 22 by heating.
5 is a view for explaining the connection in the case of peeling the first release film 21 at room temperature.
6 is a graph showing the relationship between the peeling force and temperature of the adhesive sheet of Example 1.
7 is a graph showing the relationship between the peeling force and the temperature of the adhesive sheet of Example 2.
8 is a graph showing the relationship between peeling force and temperature of the adhesive sheet of Comparative Example 1.
9 is a graph showing the relationship between peeling force and temperature of the adhesive sheet of Comparative Example 2.
10 is a cross-sectional view for explaining a connection by a conventional two-layer anisotropic conductive film.
11 is a cross-sectional view for explaining a connection by a conventional two-layer anisotropic conductive film.
12 is a cross-sectional view for explaining a connection by an anisotropic conductive film having a three-layer structure.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 하기 순서로 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail in the following procedure with reference to the drawings.

1. 회로 접속 재료 및 그의 제조 방법1. Circuit connection material and its manufacturing method

2. 실장체의 제조 방법2. Manufacturing method of mounting body

3. 실시예3. Examples

<1. 회로 접속 재료 및 그의 제조 방법><1. Circuit connection material and manufacturing method thereof>

우선, 도 1 내지 도 3을 사용하여, 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료의 접착제층을 선택 가능하게 하는 기능에 대하여 설명한다.First, the function of making the adhesive layer of the circuit connection material according to the present embodiment selectable will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은, 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료를 나타내는 단면도이다. 이 회로 접속 재료는, 제1 접착제층(11)과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)을 갖고, 상온 시(25℃), 제1 접착제층(11)측에 부착된 제1 박리 필름(21)의 박리력이 제2 접착제층(12)측에 부착된 제2 박리 필름(22)의 박리력보다 작아지고 있다.1 is a cross-sectional view showing a circuit connecting material according to the present embodiment. This circuit connection material has a first adhesive layer 11 and a second adhesive layer 12 containing a surface-adjusting agent, and is attached to the first adhesive layer 11 side at room temperature (25 ° C). The peeling force of the peeling film 21 is smaller than that of the second peeling film 22 attached to the second adhesive layer 12 side.

도 2는, 상온 시의 회로 접속 재료에 있어서의 박리 필름(21)의 박리를 설명하는 단면도이다. 상온 시는, 제1 접착제층(11)측에 부착된 제1 박리 필름(21)의 박리력이 제2 접착제층(12)측에 부착된 제2 박리 필름(22)의 박리력보다 작기 때문에, 제1 박리 필름(21)이 박리 가능하게 된다.2 is a cross-sectional view illustrating the peeling of the peeling film 21 in the circuit connecting material at normal temperature. At normal temperature, the peel force of the first release film 21 attached to the first adhesive layer 11 side is smaller than that of the second release film 22 attached to the second adhesive layer 12 side. , The first release film 21 can be peeled.

또한, 도 3은, 가열 시의 회로 접속 재료에 있어서의 박리 필름(22)의 박리를 설명하는 단면도이다. 가열 시는, 제1 접착제층(11)측에 부착된 제1 박리 필름(21)의 박리력이 제2 접착제층(12)측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 크기 때문에, 제2 박리 필름(22)이 박리 가능하게 된다. 이것은, 제2 접착제층(12)에 배합되어 있는 표면 조정제가 가열 시의 박리력의 증가를 억제했기 때문이다.Moreover, FIG. 3 is a sectional view explaining peeling of the peeling film 22 in the circuit connection material at the time of heating. During heating, the peeling force of the first peeling film 21 attached to the first adhesive layer 11 side is greater than the peeling force of the second peeling film attached to the second adhesive layer 12 side. The peeling film 22 becomes peelable. This is because the surface modifier blended in the second adhesive layer 12 suppressed an increase in peeling force during heating.

이렇게 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료는, 상온 시 또는 가열 시의 온도에 의해 원하는 박리 필름(21, 22)을 박리할 수 있기 때문에, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12) 중 어느 쪽을 먼저 접착하는지를 선택할 수 있다.In this way, the circuit connecting material according to the present embodiment can peel the desired release films 21 and 22 at normal temperature or at the time of heating, so the first adhesive layer 11 and the second adhesive layer 12 You can choose which of the first to glue.

본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료의 적용예로서, 제1 접착제층(11) 또는 제2 접착제층(12) 중 어느 한쪽에 도전성 입자를 함유시킨 2층 구조의 이방성 도전 필름을 들 수 있고, 표면 조정제의 기능을 방해할 수 있는 우려를 고려하면, 제1 접착제층(11)에 도전성 입자가 함유되어 있는 것이 바람직하다.As an application example of the circuit connection material according to the present embodiment, an anisotropic conductive film having a two-layer structure in which conductive particles are contained in either the first adhesive layer 11 or the second adhesive layer 12 can be mentioned, and In view of concerns that may interfere with the function of the modifier, it is preferable that the first adhesive layer 11 contains conductive particles.

본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료를 2층 구조의 이방성 도전 필름에 적용시키는 경우, 예를 들어 제1 접착제층(11)이 도전성 입자가 함유된 ACF(이방성 도전 필름)층이고, 제2 접착제층이 도전성 입자가 함유되어 있지 않은 NCF(Non Conductive Film; 비도전성 필름)층인 경우, 상온에 의해 ACF층 표면을 드러내게 할 수 있고, 가열에 의해 NCF층 표면을 드러내게 할 수 있다. 한편, 제1 접착제층(11)이 도전성 입자가 함유되어 있지 않은 NCF층이고, 제2 접착제층이 도전성 입자가 함유된 ACF층인 경우, 상온에 의해 NCF층 표면을 드러내게 할 수 있고, 가열에 의해 ACF층 표면을 드러내게 할 수 있다.When the circuit connection material according to the present embodiment is applied to an anisotropic conductive film having a two-layer structure, for example, the first adhesive layer 11 is an ACF (anisotropic conductive film) layer containing conductive particles, and the second adhesive layer In the case of an NCF (Non Conductive Film) layer that does not contain the conductive particles, the surface of the ACF layer can be exposed by normal temperature, and the surface of the NCF layer can be exposed by heating. On the other hand, when the first adhesive layer 11 is an NCF layer that does not contain conductive particles, and the second adhesive layer is an ACF layer containing conductive particles, the surface of the NCF layer can be exposed by normal temperature and heated. The surface of the ACF layer can be exposed.

계속해서, 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료의 구체예에 대하여 상세하게 설명한다. 구체예로서 나타내는 회로 접속 재료는, 도전성 입자를 함유하는 제1 접착제층(11)과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)이 적층된 2층 구조를 갖고, 제1 접착제층(11)측에 제1 박리 필름(21)이 부착되고, 제2 접착제층(12)측에 제2 박리 필름(22)이 부착되어 있다.Subsequently, a specific example of the circuit connecting material according to the present embodiment will be described in detail. The circuit connection material shown as a specific example has a two-layer structure in which the first adhesive layer 11 containing the conductive particles and the second adhesive layer 12 containing the surface control agent are stacked, and the first adhesive layer 11 ) The first release film 21 is attached to the side, and the second release film 22 is attached to the second adhesive layer 12 side.

제1 접착제층(11)은, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.In the first adhesive layer 11, conductive particles are dispersed in an adhesive composition containing a film-forming resin, a polymerizable resin, and a polymerization initiator.

막 형성 수지는 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 내지 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막 형성 수지로서는 페녹시 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 다양한 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 막 형성 수지의 함유량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 30 내지 80질량부, 바람직하게는 40 내지 70질량부이다.The film-forming resin corresponds to a high molecular weight resin having an average molecular weight of 10000 or more, and is preferably an average molecular weight of about 10000 to 80000 from the viewpoint of film formability. Examples of the film-forming resin include various resins such as phenoxy resin, polyester urethane resin, polyester resin, polyurethane resin, acrylic resin, polyimide resin, and butyral resin, and these can be used alone or in combination of two or more. It can also be used in combination. The content of the film-forming resin is usually 30 to 80 parts by mass, preferably 40 to 70 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the adhesive composition.

중합성 수지는 라디칼 중합성 수지, 양이온 중합성 수지 등이고, 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.The polymerizable resin is a radical polymerizable resin, a cationic polymerizable resin, or the like, and can be appropriately selected depending on the application.

라디칼 중합성 수지는, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물질이고, 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 라디칼 중합성 수지의 함유량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 10 내지 60질량부, 바람직하게는 20 내지 50질량부이다.The radical polymerizable resin is a substance having a functional group that is polymerized by radicals, and examples thereof include epoxy acrylate, urethane acrylate, and polyester acrylate, and these may be used alone or in combination of two or more. have. Content of a radically polymerizable resin is 10-60 mass parts normally with respect to 100 mass parts of adhesive composition, Preferably it is 20-50 mass parts.

양이온 중합성 수지는, 1관능성 에폭시 화합물, 복소환 함유 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 특히 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.As the cationic polymerizable resin, a monofunctional epoxy compound, a heterocyclic epoxy resin, or an aliphatic epoxy resin can be used. In particular, it is preferable to use an epoxy resin such as bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, or novolac-type epoxy resin alone or in combination.

중합 개시제는 중합성 수지 등에 따라, 라디칼 중합 개시제, 양이온 경화제 등을 적절히 선택할 수 있다.The polymerization initiator may appropriately select a radical polymerization initiator, a cationic curing agent, or the like, depending on the polymerizable resin or the like.

라디칼 중합 개시제는, 공지된 것을 사용할 수 있고, 그 중에서도 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 과산화물로서는 퍼옥시케탈류, 디아실퍼옥시드류, 퍼옥시디카르보네이트류, 퍼옥시에스테르류, 디알킬퍼옥시드류, 히드로퍼옥시드류, 실릴퍼옥시드류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 라디칼 중합 개시제의 함유량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 0.1 내지 30질량부, 바람직하게는 1 내지 20질량부이다.As the radical polymerization initiator, a known one can be used, and an organic peroxide can be preferably used. Examples of the organic peroxides include peroxy ketals, diacyl peroxides, peroxydicarbonates, peroxy esters, dialkyl peroxides, hydroperoxides, silyl peroxides, and the like. It can also be used in combination of 2 or more types. Content of a radical polymerization initiator is 0.1-30 mass parts normally with respect to 100 mass parts of adhesive composition, Preferably it is 1-20 mass parts.

양이온 경화제는, 양이온종이 에폭시 수지 말단의 에폭시기를 개환시켜, 에폭시 수지끼리를 자기 가교시키는 것을 사용할 수 있다. 이러한 양이온 경화제로서는, 방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄염, 요오도늄염, 포스포늄염, 셀레노늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. 특히, 방향족 술포늄염은, 저온에서의 반응성이 우수하고, 가용 시간이 길기 때문에, 양이온 경화제로서 적합하다.As the cationic curing agent, a cationic paper can be used to open the epoxy group at the end of the epoxy resin to self-crosslink the epoxy resins. Examples of the cationic curing agent include onium salts such as aromatic sulfonium salts, aromatic diazonium salts, iodonium salts, phosphonium salts, and selenium salts. In particular, the aromatic sulfonium salt is suitable as a cationic curing agent because of its excellent reactivity at low temperatures and long pot life.

또한, 기타의 첨가 조성물로서, 실란 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는 에폭시계, 아미노계, 머캅토·술피드계, 우레이도계 등을 사용할 수 있다. 이에 의해, 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 무기 필러를 첨가시킬 수도 있다. 무기 필러로서는, 실리카, 탈크, 산화티타늄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 사용할 수 있고, 무기 필러의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니다. 무기 필러의 함유량에 의해, 유동성을 제어하고, 입자 포착률을 향상시킬 수 있다. 또한, 고무 성분 등도 접합체의 응력을 완화시키는 목적에서, 적절히 사용할 수 있다.Moreover, it is preferable to add a silane coupling agent as another additive composition. As a silane coupling agent, epoxy type, amino type, mercapto sulfide type, ureido type, etc. can be used. Thereby, adhesiveness at the interface of an organic material and an inorganic material can be improved. In addition, an inorganic filler may be added. As the inorganic filler, silica, talc, titanium oxide, calcium carbonate, magnesium oxide, or the like can be used, and the type of the inorganic filler is not particularly limited. Fluidity can be controlled by the content of the inorganic filler, and the particle trapping rate can be improved. Moreover, rubber components etc. can also be used suitably for the purpose of alleviating the stress of a joined body.

이어서, 제2 접착제층(12)에 대하여 설명한다. 제2 접착제층은, 표면 조정제를 함유하는 접착제 조성물이고, 표면 조정제에 의해 가열 시의 박리력의 증가가 억제된다.Next, the second adhesive layer 12 will be described. The second adhesive layer is an adhesive composition containing a surface-adjusting agent, and an increase in peeling force during heating is suppressed by the surface-adjusting agent.

표면 조정제는 소위 레벨링제이고, 표면으로 이동하여 표면 장력을 저하시키는 기능을 갖는다. 표면 조정제로서는 실리콘계, 아크릴계, 불소계 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 표면 장력 저하능이나 상용성의 관점에서, 실리콘계 표면 조정제가 바람직하게 사용된다.The surface modifier is a so-called leveling agent and has a function of moving to the surface and lowering the surface tension. Examples of the surface modifier include silicone, acrylic, and fluorine, and among these, a silicone-based surface modifier is preferably used from the viewpoint of surface tension lowering ability and compatibility.

실리콘계 표면 조정제의 구체예로서는, 폴리에스테르 변성 메틸알킬폴리실록산, 폴리에스테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 폴리메틸알킬폴리실록산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열 안정성의 관점에서, 폴리에스테르 변성 메틸알킬폴리실록산이 바람직하게 사용된다.Specific examples of the silicone-based surface modifier include polyester-modified methylalkylpolysiloxane, polyester-modified polydimethylsiloxane, polyether-modified polydimethylsiloxane, and polyether-modified polymethylalkylpolysiloxane. Among these, from the viewpoint of thermal stability, polyester-modified methylalkylpolysiloxane is preferably used.

또한, 실리콘계 표면 조정제의 배합량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 0.01 내지 10질량부, 바람직하게는 0.05 내지 5질량부이다. 실리콘계 표면 조정제의 배합량이 너무 적으면, 가열 시의 박리력 증가의 억제 효과가 얻어지지 않고, 배합량이 너무 많으면, 막성이 나빠진다.Moreover, the compounding quantity of a silicone type surface modifier is 0.01-10 mass parts normally with respect to 100 mass parts of adhesive composition, Preferably it is 0.05-5 mass parts. When the blending amount of the silicone-based surface-adjusting agent is too small, an effect of suppressing an increase in peeling force during heating is not obtained, and when the blending amount is too large, the film properties deteriorate.

또한, 제2 접착제층(12)의 접착제 조성물은, 제1 접착제층(11)과 동일하게, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유한다. 또한, 막 형성 수지, 중합성 수지 및 중합 개시제는, 제1 수지와 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, the adhesive composition of the 2nd adhesive layer 12 contains a film forming resin, a polymerizable resin, and a polymerization initiator similarly to the 1st adhesive layer 11. Moreover, it is preferable to use the same thing as 1st resin as a film forming resin, a polymerizable resin, and a polymerization initiator.

제1 박리 필름(21) 및 제2 박리 필름(22)은, 예를 들어 실리콘 등의 박리제를 PET(Poly Ethylene Terephthalate; 폴리에틸렌 테레프탈레이트), OPP(Oriented Polypropylene; 배향 폴리프로필렌), PMP(Poly-4-methylpentene-1; 폴리-4-메틸펜텐-1), PTFE(Polytetrafluoroethylene; 폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 기재 상에 도포한 적층 구조를 포함한다. 또한, 제1 박리 필름(21) 및 제2 박리 필름(22)의 박리력은, 예를 들어 실리콘 등의 박리제의 종류, 기재의 표면 조도(Rz) 등에 의해 조정 가능하다.The first release film 21 and the second release film 22 include, for example, a release agent such as silicone (Poly Ethylene Terephthalate; PET), OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly- It includes a laminated structure coated on a substrate such as 4-methylpentene-1; poly-4-methylpentene-1), PTFE (Polytetrafluoroethylene; polytetrafluoroethylene). In addition, the peeling force of the 1st peeling film 21 and the 2nd peeling film 22 can be adjusted by the kind of peeling agent, such as silicone, the surface roughness (Rz) of a base material, for example.

이어서, 상술한 회로 접속 재료를 포함하는 이방성 도전 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 도전성 입자를 함유하는 제1 접착제층(11)과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)을 접합한다.Next, a method of manufacturing the anisotropic conductive film containing the above-described circuit connection material will be described. In the manufacturing method of the anisotropic conductive film in this embodiment, the 1st adhesive agent layer 11 containing electroconductive particle and the 2nd adhesive agent layer 12 containing a surface adjuster are bonded.

구체적으로는, 도전성 입자를 함유하는 제1 접착제층(11)을 생성하는 공정과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)을 생성하는 공정과, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12)을 부착하는 공정을 갖는다.Specifically, the process of generating the first adhesive layer 11 containing the conductive particles, the process of producing the second adhesive layer 12 containing the surface control agent, and the first adhesive layer 11 and the second It has a process of attaching the adhesive layer 12.

제1 접착제층(11)을 생성하는 공정에서는, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하고, 도전성 입자가 분산된 접착제 조성물을 용제에 용해시킨다. 용제로서는 톨루엔, 아세트산 에틸 등, 또는 이들의 혼합 용제를 사용할 수 있다. 제1 접착제층(11)의 수지 조성물을 조정 후, 바 코터, 도포 장치 등을 사용하여 제1 박리 필름(21) 상에 도포한다.In the process of producing the first adhesive layer 11, an adhesive composition containing a film-forming resin, a polymerizable resin, and a polymerization initiator, and in which conductive particles are dispersed, is dissolved in a solvent. As a solvent, toluene, ethyl acetate, etc., or these mixed solvents can be used. After adjusting the resin composition of the first adhesive layer 11, it is applied onto the first release film 21 using a bar coater, a coating device, or the like.

이어서, 제1 박리 필름(21) 상에 도포된 수지 조성물을 열 오븐, 가열 건조 장치 등에 의해 건조시킨다. 이에 의해, 두께 5 내지 50㎛ 정도의 제1 접착제층(11)을 얻을 수 있다.Subsequently, the resin composition applied on the first release film 21 is dried by a thermal oven, a heating drying device, or the like. Thereby, the 1st adhesive layer 11 of about 5-50 micrometers in thickness can be obtained.

또한, 제2 접착제층(12)을 생성하는 공정은, 제1 접착제층(11)과 동일하게, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제와, 표면 조정제를 함유하는 접착제 조성물을 용제에 용해시켜, 제2 접착제층(12)의 수지 조성물을 조정 후, 이것을 제2 박리 필름 상에 도포하고, 용제를 휘발시켜 제2 접착제층(12)을 얻는다.In addition, in the process of producing the second adhesive layer 12, as in the first adhesive layer 11, an adhesive composition containing a film-forming resin, a polymerizable resin, a polymerization initiator, and a surface modifier is added to the solvent. After dissolving and adjusting the resin composition of the second adhesive layer 12, this is applied onto the second release film, and the solvent is volatilized to obtain the second adhesive layer 12.

이어서, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12)을 부착하는 공정에서는, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12)을 부착하여 적층하여 2층 구조의 이방성 도전 필름을 제작한다.Subsequently, in the step of attaching the first adhesive layer 11 and the second adhesive layer 12, the first adhesive layer 11 and the second adhesive layer 12 are attached and stacked to form a two-layer anisotropic conductive film. To produce.

이렇게 제1 접착제층과 제2 접착제층을 부착함으로써, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12)이 적층되어, 제1 접착제층(11)측에 제1 박리 필름(21)이 부착되고, 제2 접착제층(12)측에 제2 박리 필름(22)이 부착된 구조의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.By attaching the first adhesive layer and the second adhesive layer in this way, the first adhesive layer 11 and the second adhesive layer 12 are stacked, so that the first release film 21 is on the first adhesive layer 11 side. It is possible to obtain an anisotropic conductive film having a structure in which a second release film 22 is attached to the second adhesive layer 12 side.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 제1 접착제층과 제2 접착제층을 부착하여 제조하는 것으로 했지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 한쪽의 접착제층을 형성 후, 다른 쪽의 접착제층의 수지 조성물을 도포하고, 건조시켜서 제조할 수도 있다.In addition, in the above-described embodiment, the first adhesive layer and the second adhesive layer were prepared to be attached, but the present invention is not limited to this, and after forming one adhesive layer, the resin composition of the other adhesive layer is applied. It can also be prepared by drying.

<2. 실장체의 실장 방법><2. Mounting method of mounting body>

이어서, 상술한 회로 접속 재료를 사용한 전자 부품의 실장 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 전자 부품의 실장 방법은, 제1 접착제층(11)과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층(12)을 갖고, 상온 시, 제1 접착제층(11)측에 부착된 제1 박리 필름(21)의 박리력이 제2 접착제층(12)측에 부착된 제2 박리 필름(22)의 박리력보다 작은 회로 접속 재료를 사용하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 접속시킨다.Next, a method for mounting an electronic component using the above-described circuit connection material will be described. The electronic component mounting method in this embodiment has a first adhesive layer 11 and a second adhesive layer 12 containing a surface-adjusting agent, and is attached to the first adhesive layer 11 side at room temperature. The first electronic component and the second electronic component using a circuit connecting material having a peel force of the first peeling film 21 smaller than that of the second peeling film 22 attached to the second adhesive layer 12 side Connect.

즉, 본 실시 형태에 있어서의 전자 부품의 실장 방법은, 회로 접속 재료의 제1 박리 필름(21) 또는 제2 박리 필름(22)을 박리하는 박리 공정과, 박리 공정에서 박리된 회로 접속 재료의 제1 접착제층측 또는 제2 접착제층측을 제1 전자 부품에 가부착하고, 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 회로 접속 재료를 개재하여 압착하는 압착 공정을 갖는다.That is, in the electronic component mounting method in this embodiment, the peeling step of peeling the first peeling film 21 or the second peeling film 22 of the circuit connecting material and the circuit connecting material peeled off in the peeling step It has a crimping step of temporarily attaching the first adhesive layer side or the second adhesive layer side to the first electronic component, and crimping the first electronic component and the second electronic component via a circuit connecting material.

박리 공정에서는, 상온에 의해 제1 박리 필름(21)을 박리되고, 가열에 의해 제2 박리 필름(22)을 박리한다. 또한, 박리 공정에 있어서, 회로 접속 재료를 가열할 때에는, 예기하지 않은 경화 반응을 방지하기 위해서, 제2 박리 필름(22)측으로부터 가열하는 것이 바람직하다.In the peeling process, the 1st peeling film 21 is peeled by normal temperature, and the 2nd peeling film 22 is peeled by heating. In the peeling step, when heating the circuit connection material, it is preferable to heat from the second peeling film 22 side in order to prevent an unexpected curing reaction.

압착 공정에서는, 제1 접착제층측(11) 또는 제2 접착제층(12)측을 제1 전자 부품에 가부착한다. 예를 들어, 제1 접착제층(11)이 도전성 입자를 함유하는 ACF층이고, 제2 접착제층(12)이 도전성 입자를 함유하지 않는 NCF층인 경우, 제1 접착제층측(11)을 접착시키는 전자 부품은, 예를 들어 ITO(인듐 주석 산화물) 코팅 유리, IZO(Indium Zinc Oxide; 인듐 아연 산화물) 코팅 유리, SiNx(실리콘 질화) 코팅 유리 등이다. 또한, 제2 접착제층측(12)을 접착시키는 전자 부품은, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판(FPC), IC칩 등이다.In the crimping step, the first adhesive layer side 11 or the second adhesive layer 12 side is temporarily attached to the first electronic component. For example, when the first adhesive layer 11 is an ACF layer containing conductive particles, and the second adhesive layer 12 is an NCF layer that does not contain conductive particles, electrons bonding the first adhesive layer side 11 The parts are, for example, ITO (indium tin oxide) coated glass, IZO (Indium Zinc Oxide) coated glass, SiN x (silicon nitride) coated glass, and the like. Moreover, the electronic component which bonds the 2nd adhesive layer side 12 is a flexible printed circuit board (FPC), IC chip, etc., for example.

도 4는, 가열에 의해 제2 박리 필름(22)을 박리하는 경우의 접속을 설명하기 위한 도면이다. 제1 접착제층(11)이 도전성 입자를 함유하는 ACF층이고, 제2 접착제층(12)이 도전성 입자를 함유하지 않는 NCF층인 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제2 박리 필름(22)의 박리에 의해, 우선, FPC(40)의 전극(41) 상에 NCF층측이 가부착된다. 이때, 보수가 필요하게 된 경우, 본체측의 유리 기판(30)은 교환하지 않고 부품측의 FPC(40)를 교환할 수 있으므로, 공정상 유리해진다.4 is a view for explaining the connection in the case of peeling the second release film 22 by heating. When the first adhesive layer 11 is an ACF layer containing conductive particles, and the second adhesive layer 12 is an NCF layer not containing conductive particles, as shown in FIG. 4, the second release film 22 is By peeling, first, the NCF layer side is temporarily attached to the electrode 41 of the FPC 40. At this time, when maintenance is required, the glass substrate 30 on the main body side can be replaced without replacing the FPC 40 on the component side, which is advantageous in the process.

또한, 도 5는, 상온에 의해 제1 박리 필름(21)을 박리하는 경우의 접속을 설명하기 위한 도면이다. 제1 접착제층(11)이 도전성 입자를 함유하는 ACF층이고, 제2 접착제층(12)이 도전성 입자를 함유하지 않는 NCF층인 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 박리 필름(21)의 박리에 의해, 우선, 유리 기판(30)의 전극(31) 상에 ACF층측이 가부착된다. 이때, 보수가 필요하게 된 경우, 종래와 동일하게, 본체측의 유리 기판(30)을 교환해야만 한다.Moreover, FIG. 5 is a figure for demonstrating the connection in the case of peeling the 1st peeling film 21 by normal temperature. When the first adhesive layer 11 is an ACF layer containing conductive particles, and the second adhesive layer 12 is an NCF layer containing no conductive particles, as shown in Fig. 5, the first release film 21 is By peeling, first, the ACF layer side is temporarily attached to the electrode 31 of the glass substrate 30. At this time, when maintenance is required, the glass substrate 30 on the main body side must be replaced as in the prior art.

이렇게 본 실시 형태에 있어서의 전자 부품의 실장 방법에서는, 유리 기판(30), FPC(40) 중 어느 쪽에 먼저 회로 접속 재료를 접착시키는지에 의해, 제1 접착제층(11)과 제2 접착제층(12)을 선택할 수 있고, 회로 접속 재료의 피착체에의 접착 순서가 한정되지 않게 된다.In this way, in the electronic component mounting method according to the present embodiment, the first adhesive layer 11 and the second adhesive layer ( 12) can be selected, and the order of adhesion of the circuit connection material to the adherend is not limited.

실시예Example

<3. 실시예><3. Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 도전성 입자를 함유하는 ACF층과, 표면 조정제를 함유하는 NCF층을 적층한 2층 구조의 접착 시트를 제작하고, ACF층측에 부착된 커버 필름 및 NCF층에 부착된 베이스 필름의 박리력의 측정을 행하였다. 또한, 접착 시트를 사용하여 FPC와 ITO 코팅 유리를 접속시킨 실장체에 대해서, 입자 포착 효율의 측정, 및 도통 저항의 측정을 행하였다. 또한, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples of the present invention will be described. In this embodiment, an adhesive sheet having a two-layer structure in which an ACF layer containing conductive particles and an NCF layer containing a surface-adjusting agent are laminated is prepared, and the cover film attached to the ACF layer side and the base film attached to the NCF layer are produced. The peeling force was measured. In addition, for the mounting body in which the FPC and the ITO coated glass were connected using an adhesive sheet, measurement of particle trapping efficiency and conduction resistance were measured. In addition, the present invention is not limited to these examples.

박리력의 측정, 입자 포착 효율의 측정 및 도통 저항의 측정은, 다음과 같이 행하였다.Measurement of peeling force, measurement of particle trapping efficiency, and measurement of conduction resistance were performed as follows.

[박리력의 측정][Measurement of peeling force]

각 접착 시트를 1cm 폭으로 슬릿하고, 이것을 두께 0.7mm의 유리판에 양면 테이프로 고정한다. 커버 필름의 박리력을 측정하는 경우, 베이스 필름을 박리하고, NCF층면을 양면 테이프로 고정한다. 또한, 베이스 필름의 박리력을 측정하는 경우, 커버 필름을 박리하고, ACF층면을 양면 테이프로 고정한다.Each adhesive sheet was slit into a width of 1 cm, and this was fixed to a glass plate having a thickness of 0.7 mm with double-sided tape. When measuring the peeling force of the cover film, the base film is peeled off, and the NCF layer surface is fixed with double-sided tape. Further, when measuring the peeling force of the base film, the cover film is peeled off, and the ACF layer surface is fixed with double-sided tape.

시험 온도로 가열한 핫 플레이트 상에 시험편을 설치하고, 커버 필름 또는 베이스 필름을 속도 300mm/min으로 90° 상측 방향으로 박리하고, 그때의 박리력을 측정하였다.A test piece was installed on a hot plate heated to the test temperature, and the cover film or base film was peeled off at a speed of 300 mm / min in a 90 ° upward direction, and the peel force at that time was measured.

[입자 포착 효율의 측정 및 도통 저항의 측정][Measurement of particle capture efficiency and measurement of conduction resistance]

실장체의 접속 부분의 FPC 단자에 포착되어 있는 입자수를 카운트하고, 단위 면적당의 입자수로부터 입자 포착 효율을 산출하였다. 또한, 실장체에 대해서, 4 단자법을 사용하여 전류 1mA를 흘렸을 때의 접속 저항값을 측정하였다.The number of particles trapped at the FPC terminal of the connecting portion of the mounting body was counted, and the particle trapping efficiency was calculated from the number of particles per unit area. The connection resistance value when a current of 1 mA was applied was measured for the mounting body using a four-terminal method.

[실시예 1][Example 1]

(ACF층의 제작)(Production of ACF layer)

페녹시 수지(품명: YP50, 도토 가세이사 제조)를 60질량부와, 라디칼 중합성 수지(품명: M-315, 도아 고세이사 제조)를 35질량부와, 실란 커플링제(품명: KBM-503, 신에쓰 실리콘사 제조)를 2질량부와, 반응 개시제(품명: 퍼헥사 C, 닛본 유시사 제조)를 2질량부로 구성된 조성물 중에 도전성 입자를 분산시켜, 두께 8㎛의 ACF층을 제작하였다.60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei), 35 parts by mass of radical polymerizable resin (trade name: M-315, manufactured by Toa Kosei), and a silane coupling agent (trade name: KBM-503 , Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. and 2 parts by mass of the reaction initiator (product name: Perhexa C, manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) were dispersed in the conductive particles in a composition consisting of 2 parts by mass to prepare an ACF layer having a thickness of 8 µm.

(NCF층의 제작)(Production of NCF layer)

페녹시 수지(품명: YP50, 도토 가세이사 제조)를 60질량부와, 라디칼 중합성 수지(품명: M-315, 도아 고세이사 제조)를 35질량부와, 실란 커플링제(품명: KBM-503, 신에쓰 실리콘사 제조)를 2질량부와, 반응 개시제(품명: 퍼헥사 C, 닛본 유시사 제조)를 2질량부와, 실리콘계 표면 조정제(품명: BYK315, 빅 케미·재팬사 제조)를 2질량부로 구성된, 두께 16㎛의 NCF층을 제작하였다.60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei), 35 parts by mass of radical polymerizable resin (trade name: M-315, manufactured by Toa Kosei), and a silane coupling agent (trade name: KBM-503 , Shinetsu Silicone Co., Ltd. 2 parts by mass, a reaction initiator (Product name: Perhexa C, manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) 2 parts by mass, and a silicone-based surface modifier (Product Name: BYK315, manufactured by Big Chemical Japan) 2 An NCF layer having a thickness of 16 µm composed of parts by mass was produced.

(접착제 시트의 제작)(Preparation of adhesive sheet)

ACF층과 NCF층을 롤 라미네이터를 사용하여, 롤 온도 45℃에서 라미네이트하여 커버 필름/ACF층/NCF층/베이스 필름의 구성 접착제 시트를 제작하였다.The ACF layer and the NCF layer were laminated at a roll temperature of 45 ° C using a roll laminator to prepare a constituent adhesive sheet of cover film / ACF layer / NCF layer / base film.

커버 필름, 베이스 필름에는 두께 50㎛의 PET(실리콘 처리)를 사용하였다. 또한, 베이스 필름은 상온 상태에서, 커버 필름/ACF층측보다 베이스 필름/NCF층측의 박리력이 커지는 것을 사용하였다.PET (silicon treatment) having a thickness of 50 μm was used for the cover film and the base film. In addition, as the base film, those having a greater peeling force on the base film / NCF layer side than on the cover film / ACF layer side were used at normal temperature.

(실장체의 제작)(Production of mounting body)

실시예 1의 접착제 시트를 사용하여 평가용의 FPC(50㎛P, Cu8㎛t-Sn 도금, 38㎛t)와 평가용의 ITO 코팅 유리(전 표면 ITO 코팅, 유리 두께 0.7mm)와의 접합을 행하였다. 우선, 1.5mm 폭으로 슬릿된 접착 시트를 50℃로 가열하고, 베이스 필름을 박리하고, 접착제 시트의 NCF층측을 FPC에 가부착하였다. 이어서, 커버 필름을 박리하고, 접착제 시트의 ACF층측을 ITO 코팅 유리에 부착하여, 임시 고정하였다. 그 후, 히트 툴 1.5mm 폭으로, 완충재로서 100㎛ 두께의 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 시트를 사용하여, 180℃-3.5MPa-6sec(툴 스피드 10mm/sec, 스테이지 온도 40℃)의 조건에서 압착을 행하여, 실장체를 제작하였다.Using the adhesive sheet of Example 1, bonding of FPC for evaluation (50 μmP, Cu8 μm-Sn plating, 38 μmt) and ITO coated glass for evaluation (all surface ITO coating, glass thickness of 0.7 mm) was performed. Was done. First, the adhesive sheet slit with a width of 1.5 mm was heated to 50 ° C, the base film was peeled off, and the NCF layer side of the adhesive sheet was temporarily attached to the FPC. Next, the cover film was peeled off, and the ACF layer side of the adhesive sheet was attached to the ITO coated glass, and was temporarily fixed. Then, using a sheet containing polytetrafluoroethylene having a thickness of 1.5 mm and a thickness of 100 µm as a cushioning material with a heat tool of 1.5 mm in width, conditions of 180 ° C.-3.5 MPa-6 sec (tool speed 10 mm / sec, stage temperature 40 ° C.) Pressing was performed in to produce a mounting body.

(평가 결과)(Evaluation results)

표 1에, 실시예 1의 평가 결과를 나타내었다. 상온 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 8mN/cm, 27mN/cm이고, 50℃ 가열 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 175mN/cm, 115mN/cm이었다.Table 1 shows the evaluation results of Example 1. The peel force of the cover film and the base film at room temperature was 8 mN / cm and 27 mN / cm, respectively, and the peel strength of the cover film and the base film at 50 ° C heating was 175 mN / cm and 115 mN / cm, respectively.

또한, 도 6에, 실시예 1의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내었다. 이 그래프로부터, 실리콘계 표면 조정제를 함유하는 NCF층측(베이스 필름측)에 있어서, 가열에 의한 박리력의 증대가 억제되고, ACF층측과 NCF층측의 박리력의 강약 관계가 반전하는 것이 확인되었다. 따라서, 실시예 1의 접착제 시트는, 상온 시에 커버 필름이 박리되고, 가열 시에 베이스 필름이 박리되는 것임이 확인되었다.6, the relationship of the peeling force with respect to the temperature of the adhesive sheet of Example 1 was shown. From this graph, it was confirmed that, on the NCF layer side (base film side) containing the silicon-based surface modifier, the increase in peeling force by heating was suppressed, and the strength and weakness relationship between the peeling force on the ACF layer side and the NCF layer side was reversed. Therefore, it was confirmed that the adhesive sheet of Example 1 was that the cover film peeled at normal temperature and the base film peeled at heating.

또한, 실시예 1의 접착제 시트를 사용한 실장체의 FPC 단자의 입자 포착률은 58％이고, 도통 저항은 1.4Ω였다.In addition, the particle trapping rate of the FPC terminal of the mounting body using the adhesive sheet of Example 1 was 58%, and the conduction resistance was 1.4 Ω.

[실시예 2][Example 2]

NCF층의 실리콘계 표면 조정제(품명: BYK315, 빅 케미·재팬사 제조)를 0.1질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 접착제 시트를 제작하였다. 또한, 실시예 2의 접착제 시트를 사용하여, 실시예 1과 동일한 순서로 실장체를 제작하였다.The same adhesive sheet as in Example 1 was produced except that the silicon-based surface modifier of NCF layer (product name: BYK315, manufactured by Big Chemical Japan) was changed to 0.1 parts by mass. Moreover, the mounting body was produced in the same procedure as in Example 1 using the adhesive sheet of Example 2.

(평가 결과)(Evaluation results)

표 1에, 실시예 2의 평가 결과를 나타내었다. 상온 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 10mN/cm, 32mN/cm이고, 50℃ 가열 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 170mN/cm, 148mN/cm이었다.Table 1 shows the evaluation results of Example 2. The peeling force of the cover film and the base film at normal temperature was 10 mN / cm and 32 mN / cm, respectively, and the peeling force of the cover film and base film at 50 ° C heating was 170 mN / cm and 148 mN / cm, respectively.

또한, 도 7에, 실시예 2의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내었다. 이 그래프로부터, 실리콘계 표면 조정제를 함유하는 NCF층측(베이스 필름측)에 있어서, 가열에 의한 박리력의 증대가 억제되고, ACF층측과 NCF층측의 박리력의 강약 관계가 반전하는 것이 확인되었다. 따라서, 실시예 2의 접착제 시트는, 상온 시에 커버 필름이 박리되고, 가열 시에 베이스 필름이 박리되는 것임이 확인되었다.Further, Fig. 7 shows the relationship between the peeling force with respect to the temperature of the adhesive sheet of Example 2. From this graph, it was confirmed that, on the NCF layer side (base film side) containing the silicon-based surface modifier, the increase in peeling force by heating was suppressed, and the strength and weakness relationship between the peeling force on the ACF layer side and the NCF layer side was reversed. Therefore, it was confirmed that the adhesive sheet of Example 2 was that the cover film was peeled at normal temperature and the base film was peeled at heating.

또한, 실시예 2의 접착제 시트를 사용한 실장체의 FPC 단자의 입자 포착률은 54％이고, 도통 저항은 1.4Ω였다.Moreover, the particle trapping rate of the FPC terminal of the mounting body using the adhesive sheet of Example 2 was 54%, and the conduction resistance was 1.4 Ω.

[비교예 1][Comparative Example 1]

(ACF층의 제작)(Production of ACF layer)

페녹시 수지(품명: YP50, 도토 가세이사 제조)를 60질량부와, 라디칼 중합성 수지(품명: M-315, 도아 고세이사 제조)를 35질량부와, 실란 커플링제(품명: KBM-503, 신에쓰 실리콘사 제조)를 2질량부와, 반응 개시제(품명: 퍼헥사 C, 닛본 유시사 제조)를 2질량부로 구성된 조성물 중에 도전성 입자를 분산시켜, 두께 8㎛의 ACF층을 제작하였다.60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei), 35 parts by mass of radical polymerizable resin (trade name: M-315, manufactured by Toa Kosei), and a silane coupling agent (trade name: KBM-503 , Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. and 2 parts by mass of the reaction initiator (product name: Perhexa C, manufactured by Nippon Yushi) to disperse the conductive particles in a composition composed of 2 parts by mass, to prepare an ACF layer having a thickness of 8 μm.

(NCF층의 제작)(Production of NCF layer)

페녹시 수지(품명: YP50, 도토 가세이사 제조)를 60질량부와, 라디칼 중합성 수지(품명: M-315, 도아 고세이사 제조)를 35질량부와, 실란 커플링제(품명: KBM-503, 신에쓰 실리콘사 제조)를 2질량부와, 반응 개시제(품명: 퍼헥사 C, 닛본 유시사 제조)를 2질량부로 구성된, 두께 16㎛의 NCF층을 제작하였다.60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei), 35 parts by mass of radical polymerizable resin (trade name: M-315, manufactured by Toa Kosei), and a silane coupling agent (trade name: KBM-503 , Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., 2 mass parts, and a reaction initiator (trade name: Perhexa C, manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) was composed of 2 parts by mass, and a 16 µm thick NCF layer was prepared.

(접착제 시트의 제작)(Preparation of adhesive sheet)

ACF층과 NCF층을 롤 라미네이터를 사용하여, 롤 온도 45℃에서 라미네이트하여 커버 필름/ACF층/NCF층/베이스 필름의 구성 접착제 시트를 제작하였다.The ACF layer and the NCF layer were laminated at a roll temperature of 45 ° C using a roll laminator to prepare a constituent adhesive sheet of cover film / ACF layer / NCF layer / base film.

커버 필름, 베이스 필름에는 두께 50㎛의 PET(실리콘 처리)를 사용하였다. 또한, 베이스 필름은, 상온 상태에서, 커버 필름/ACF층측보다 베이스 필름/NCF층측의 박리력이 커지는 것을 사용하였다.PET (silicon treatment) having a thickness of 50 μm was used for the cover film and the base film. In addition, as the base film, those having a greater peeling force on the base film / NCF layer side than on the cover film / ACF layer side were used at normal temperature.

(실장체의 제작)(Production of mounting body)

비교예 1의 접착제 시트를 사용하여 평가용의 FPC(50㎛P, Cu8㎛t-Sn 도금, 38㎛t)와 평가용의 ITO 코팅 유리(전 표면 ITO 코팅, 유리 두께 0.7mm)와의 접합을 행하였다. 우선, 1.5mm 폭으로 슬릿된 접착 시트를 50℃로 가열하고, 커버 필름을 박리하여, 접착제 시트의 ACF층측을 FPC에 가부착하였다. 이어서, 베이스 필름을 박리하고, 접착제 시트의 NCF층측을 ITO코팅 유리에 부착하여, 임시 고정하였다. 그 후, 히트 툴 1.5mm 폭으로, 완충재로서 100㎛ 두께의 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 시트를 사용하여, 180℃-3.5MPa-6sec(툴 스피드 10mm/sec, 스테이지 온도 40℃)의 조건에서 압착을 행하여, 실장체를 제작하였다.Using the adhesive sheet of Comparative Example 1, bonding of FPC for evaluation (50 μmP, Cu8 μm-Sn plating, 38 μmt) and ITO coated glass for evaluation (all surface ITO coating, glass thickness of 0.7 mm) was performed. Was done. First, the adhesive sheet slit with a width of 1.5 mm was heated to 50 ° C, the cover film was peeled off, and the ACF layer side of the adhesive sheet was temporarily attached to the FPC. Subsequently, the base film was peeled off, and the NCF layer side of the adhesive sheet was attached to the ITO coated glass, and was temporarily fixed. Then, using a sheet containing polytetrafluoroethylene having a thickness of 1.5 mm and a thickness of 100 µm as a cushioning material with a heat tool of 1.5 mm width, conditions of 180 ° C.-3.5 MPa-6 sec (tool speed 10 mm / sec, stage temperature 40 ° C.) Pressing was performed in to produce a mounting body.

(평가 결과)(Evaluation results)

표 1에, 비교예 1의 평가 결과를 나타내었다. 상온 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 9mN/cm, 35mN/cm이고, 50℃ 가열 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은, 각각 168mN/cm, 255mN/cm이었다.Table 1 shows the evaluation results of Comparative Example 1. The peel force of the cover film and the base film at normal temperature was 9 mN / cm and 35 mN / cm, respectively, and the peel strength of the cover film and the base film at 50 ° C heating was 168 mN / cm and 255 mN / cm, respectively.

또한, 도 8에, 비교예 1의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내었다. 이 그래프로부터, 온도의 상승과 함께 ACF층측과 NCF층측의 양자의 박리력이 증대되고, 박리력의 강약 관계가 반전하지 않는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 1의 접착제 시트는, 상온 시 및 가열 시의 양쪽에 있어서, 커버 필름이 박리되는 것임이 확인되었다.8, the relationship of the peeling force with respect to the temperature of the adhesive sheet of Comparative Example 1 was shown. From this graph, it was confirmed that the peeling force of both the ACF layer side and the NCF layer side increased with increasing temperature, and the strength and weakness relationship of the peeling force was not reversed. Therefore, it was confirmed that the adhesive sheet of Comparative Example 1 peeled the cover film at both normal temperature and heating.

또한, 비교예 1의 접착제 시트를 사용한 실장체의 FPC 단자의 입자 포착률은 35％이고, 도통 저항은 2.4Ω였다.In addition, the particle trapping rate of the FPC terminal of the mounting body using the adhesive sheet of Comparative Example 1 was 35%, and the conduction resistance was 2.4 Ω.

[비교예 2][Comparative Example 2]

비교예 1과 동일하게 한 ACF층 및 NCF층을 제작하였다. 롤 라미네이터를 사용하여, 롤 온도 45℃에서 라미네이트하여 커버 필름/NCF층/ACF층/NCF층/베이스 필름의 구성 접착제 시트를 제작하였다.An ACF layer and an NCF layer were prepared in the same manner as in Comparative Example 1. Using a roll laminator, lamination was carried out at a roll temperature of 45 ° C to prepare a constituent adhesive sheet of cover film / NCF layer / ACF layer / NCF layer / base film.

커버 필름, 베이스 필름에는 두께 50㎛의 PET(실리콘 처리)를 사용하였다. 또한, 베이스 필름은 상온 상태에서, 커버 필름/ACF층측보다 베이스 필름/NCF층측의 박리력이 커지는 것을 사용하였다. 또한, 비교예 2의 접착제 시트를 사용하여 비교예 1과 동일한 순서로 실장체를 제작하였다.PET (silicon treatment) having a thickness of 50 μm was used for the cover film and the base film. In addition, as the base film, those having a greater peeling force on the base film / NCF layer side than on the cover film / ACF layer side were used at normal temperature. In addition, the mounting body was produced in the same procedure as Comparative Example 1 using the adhesive sheet of Comparative Example 2.

(평가 결과)(Evaluation results)

표 1에, 비교예 2의 평가 결과를 나타내었다. 상온 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은 각각 8mN/cm, 30mN/cm이고, 50℃ 가열 시의 커버 필름 및 베이스 필름의 박리력은 각각 172mN/cm, 260mN/cm이었다.Table 1 shows the evaluation results of Comparative Example 2. The peel force of the cover film and the base film at room temperature was 8 mN / cm and 30 mN / cm, respectively, and the peel force of the cover film and the base film at 50 ° C heating was 172 mN / cm and 260 mN / cm, respectively.

또한, 도 9에, 비교예 2의 접착제 시트의 온도에 대한 박리력의 관계를 나타내었다. 이 그래프로부터, 온도의 상승과 함께 NCF층측과 NCF층측의 양자의 박리력이 증대되고, 박리력의 강약 관계가 반전하지 않는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 1의 접착제 시트는, 상온 시 및 가열 시의 양쪽에 있어서, 커버 필름이 박리되는 것임이 확인되었다.In addition, Fig. 9 shows the relationship of the peel force to the temperature of the adhesive sheet of Comparative Example 2. From this graph, it was confirmed that the peeling force of both the NCF layer side and the NCF layer side increased with increasing temperature, and the strength and weakness relationship of the peeling force was not reversed. Therefore, it was confirmed that the adhesive sheet of Comparative Example 1 peeled the cover film at both normal temperature and heating.

또한, 비교예 2의 접착제 시트를 사용한 실장체의 FPC 단자의 입자 포착률은 28％이고, 도통 저항은 3.5Ω였다.The FPC terminal of the mounting body using the adhesive sheet of Comparative Example 2 had a particle trapping ratio of 28% and a conduction resistance of 3.5 Ω.

Figure 112014101925197-pct00001
Figure 112014101925197-pct00001

표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 및 실시예 2에서는, 실리콘계 표면 조정제를 첨가함으로써, 가열 시에 베이스 필름/NCF층의 박리력의 증대가 억제되고, 베이스 필름측이 박리 가능하게 되었다. 또한, 실리콘계 표면 조정제의 배합량이 적은 경우, 가열 시의 박리력 상승 억제 효과가 저하되는 것을 알 수 있었다.As shown in Table 1, in Example 1 and Example 2, by adding a silicone surface modifier, the increase in peel force of the base film / NCF layer during heating was suppressed, and the base film side was able to peel. In addition, it was found that when the blending amount of the silicone-based surface-adjusting agent was small, the effect of suppressing the increase in peeling force during heating was lowered.

비교예 1에서는, 가열 시의 베이스 필름측의 박리는 할 수 없었다. 또한, ACF층측을 FPC에 부착하여 접속한 경우, 입자 포착 효율이 실시예 1 및 실시예 2에 비해 낮아지고, 도통 저항이 높아졌다. 또한, 비교예 2에서는, 3층 구조에 의해 FPC에 NCF층을 부착하는 것이 가능하지만, 비교예 1과 동일하게, 입자 포착 효율이 낮아지고, 도통 저항이 높아졌다.In Comparative Example 1, peeling on the base film side during heating was not possible. Further, when the ACF layer side was attached to the FPC and connected, the particle trapping efficiency was lower than in Examples 1 and 2, and the conduction resistance was increased. In addition, in Comparative Example 2, it is possible to attach the NCF layer to the FPC by the three-layer structure, but in the same manner as in Comparative Example 1, the particle trapping efficiency was lowered and the conduction resistance was increased.

이상 설명한 바와 같이, 한쪽의 최외면의 접착제층에 가열해도 박리 필름에의 밀착력이 올라가기 어려운 표면 조정제를 첨가함으로써, 가열 시에 다른 쪽의 최 외면의 접착제층의 박리력만을 크게 증가시킬 수 있다. 따라서, 상온 시에는, 표면 조정제 비함유층측의 박리 필름이 박리 가능하게 되고, 가열 시에는, 표면 조정제 함유층측의 박리 필름이 박리 가능하게 되는 바와 같이, 최초의 박리면이 선택 가능하게 되고, 회로 접속 재료의 피착체에의 접착 순서가 한정되지 않게 된다.As described above, by adding a surface modifier that is difficult to increase the adhesion to the release film even when heated to the adhesive layer on one outermost surface, the peeling force of only the adhesive layer on the other outermost surface can be greatly increased upon heating. . Therefore, at normal temperature, the release film on the side of the surface-adjusting agent-free layer becomes peelable, and when heated, the initial release surface is selectable, as the release film on the side of the surface-adjusting agent-containing layer becomes peelable. The order of adhesion of the connecting material to the adherend is not limited.

11 제1 접착제층, 12 제2 접착제층, 21 제1 박리 필름, 22 제2 박리 필름, 30 유리 기판, 31 전극, 40 FPC, 41 전극, 111 ACF층, 112 NCF층, 121 커버 필름, 122 베이스 필름, 130 유리 기판, 131 전극, 140 FPC, 141 전극11 1st adhesive layer, 12 2nd adhesive layer, 21 1st release film, 22 2nd release film, 30 glass substrate, 31 electrode, 40 FPC, 41 electrode, 111 ACF layer, 112 NCF layer, 121 cover film, 122 Base film, 130 glass substrate, 131 electrode, 140 FPC, 141 electrode

Claims (8)

제1 접착제층과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층을 갖고,
상온 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 작고,
가열 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 큰 회로 접속 재료.Has a first adhesive layer and a second adhesive layer containing a surface adjuster,
At normal temperature, the peeling force of the first release film attached to the first adhesive layer side is less than the peeling force of the second release film attached to the second adhesive layer side,
Upon heating, a circuit connecting material having a peeling force of the first peeling film attached to the first adhesive layer side greater than a peeling force of the second peeling film attached to the second adhesive layer side. 제1항에 있어서, 상기 표면 조정제가 실리콘계 표면 조정제인 회로 접속 재료.The circuit connection material according to claim 1, wherein the surface modifier is a silicon-based surface modifier. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 접착제층이 도전성 입자를 함유하는 회로 접속 재료.The circuit connecting material according to claim 1 or 2, wherein the first adhesive layer contains conductive particles. 제1 접착제층과, 표면 조정제를 함유하는 제2 접착제층을 갖고, 상온 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 작고, 가열 시, 상기 제1 접착제층측에 부착된 제1 박리 필름의 박리력이 상기 제2 접착제층측에 부착된 제2 박리 필름의 박리력보다 큰 회로 접속 재료의 상기 제1 박리 필름 또는 상기 제2 박리 필름을 박리하는 박리 공정과,
상기 박리 공정에서 박리된 상기 회로 접속 재료의 제1 접착제층측 또는 제2 접착제층측을 제1 전자 부품에 가부착하고, 상기 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 상기 회로 접속 재료를 개재하여 압착하는 압착 공정을 갖고,
상기 박리 공정에서는, 상온에 의해 상기 제1 박리 필름을 박리하고, 가열에 의해 상기 제2 박리 필름을 박리하는 실장체의 제조 방법.A peeling force of the first release film attached to the first adhesive layer side, having a first adhesive layer and a second adhesive layer containing a surface modifier, and at room temperature, of the second release film attached to the second adhesive layer side The first peeling film of the circuit connecting material which is smaller than the peeling force, and when heated, the peeling force of the first peeling film attached to the first adhesive layer side is greater than the peeling force of the second peeling film attached to the second adhesive layer side Or a peeling process for peeling the second peeling film,
Pressing to temporarily attach the first adhesive layer side or the second adhesive layer side of the circuit connecting material peeled off in the peeling step to a first electronic component, and crimping the first electronic component and the second electronic component via the circuit connecting material. Have a fair,
In the said peeling process, the manufacturing method of the mounting body which peels the said 1st peeling film by normal temperature and peels the said 2nd peeling film by heating. 제1항 또는 제2항에 기재된 회로 접속 재료를 개재하여 압착된 실장체.A mounting body crimped via the circuit connecting material according to claim 1 or 2. 제3항에 기재된 회로 접속 재료를 개재하여 이방성 도전 접속된 실장체.An anisotropic conductively connected mounting body via the circuit connecting material according to claim 3. 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 제1항 또는 제2항에 기재된 회로 접속 재료를 개재하여 압착하는 실장체의 제조 방법.The manufacturing method of the mounting body which presses a 1st electronic component and a 2nd electronic component through the circuit connection material of Claim 1 or 2. 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 제3항에 기재된 회로 접속 재료를 개재하여 이방성 도전 접속하는 실장체의 제조 방법.The manufacturing method of the mounting body which connects an 1st electronic component and a 2nd electronic component anisotropically conductively through the circuit connection material of Claim 3.
KR1020147029883A 2012-03-30 2013-03-27 Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same KR102113551B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012079543A JP5972009B2 (en) 2012-03-30 2012-03-30 CIRCUIT CONNECTION MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING MOUNTING BODY USING THE SAME
JPJP-P-2012-079543 2012-03-30
PCT/JP2013/059012 WO2013146888A1 (en) 2012-03-30 2013-03-27 Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150005560A KR20150005560A (en) 2015-01-14
KR102113551B1 true KR102113551B1 (en) 2020-05-21

Family

ID=49260137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147029883A KR102113551B1 (en) 2012-03-30 2013-03-27 Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5972009B2 (en)
KR (1) KR102113551B1 (en)
CN (1) CN104204124B (en)
HK (1) HK1204478A1 (en)
TW (1) TWI596184B (en)
WO (1) WO2013146888A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2539684B (en) * 2015-06-24 2018-04-04 Dst Innovations Ltd Method of surface-mounting components
CN108470687A (en) * 2018-03-22 2018-08-31 江西芯创光电有限公司 A kind of overlay film plate-making method
KR102516292B1 (en) * 2020-06-30 2023-03-31 (주)이녹스첨단소재 Insulation film for electronic device manufacturing

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000178511A (en) * 1997-07-24 2000-06-27 Sony Chem Corp Multi-layer anisotropic conductive adhesive and its preparation

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2173150B (en) * 1985-03-28 1989-06-21 Daimatsu Kagaku Kogyo Kk An easily breakable sticking material
JPH10326958A (en) * 1997-05-23 1998-12-08 Sony Corp Transfer sheet
JP3503735B2 (en) * 1998-02-26 2004-03-08 住友ベークライト株式会社 Anisotropic conductive adhesive film roll
WO2001038085A1 (en) * 1999-11-22 2001-05-31 Sumitomo Chemical Company, Limited Easily delaminatable laminate and resin composition for use therein
JP2001323241A (en) * 2000-05-16 2001-11-22 Tokai Rubber Ind Ltd Adhesive composition and metal-clad laminated board produced by using the same
JP2008248065A (en) 2007-03-30 2008-10-16 Fujitsu Ltd Adhesive and adhesive sheet
JP5181220B2 (en) * 2007-04-19 2013-04-10 日立化成株式会社 Adhesive film for circuit connection, connection structure and manufacturing method thereof
JP2009111340A (en) * 2007-10-11 2009-05-21 Hitachi Chem Co Ltd Wafer with adhesive, adhesive composition, and method for manufacturing wafer with adhesive
JP5067355B2 (en) * 2007-12-17 2012-11-07 日立化成工業株式会社 Circuit connection material and circuit member connection structure
DE102009045812A1 (en) * 2009-10-19 2011-04-28 Tesa Se Process for the production of bonds

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000178511A (en) * 1997-07-24 2000-06-27 Sony Chem Corp Multi-layer anisotropic conductive adhesive and its preparation

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150005560A (en) 2015-01-14
WO2013146888A1 (en) 2013-10-03
TWI596184B (en) 2017-08-21
JP5972009B2 (en) 2016-08-17
JP2013211353A (en) 2013-10-10
CN104204124B (en) 2016-06-01
HK1204478A1 (en) 2015-11-20
TW201406909A (en) 2014-02-16
CN104204124A (en) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9023464B2 (en) Connecting film, and joined structure and method for producing the same
JP5690648B2 (en) Anisotropic conductive film, connection method and connection structure
JP5934528B2 (en) CIRCUIT CONNECTION MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING MOUNTING BODY USING THE SAME
JP5521848B2 (en) Anisotropic conductive film, connection structure and manufacturing method thereof
CN101755025B (en) Adhesive and bonded body
CN106471077B (en) Adhesive film and semiconductor package using the same
JP2008111092A (en) Circuit-connecting material and connection structure using the same
JP5056010B2 (en) Adhesive composition for electronic parts and adhesive film
KR20210134875A (en) Adhesive composition and connected structure
TWI542652B (en) A circuit connecting material and a connecting method using the same, and a connecting structure
KR102113551B1 (en) Circuit connection material and manufacturing method for assembly using same
CN118291047A (en) Adhesive composition for circuit connection and structure
JP2011233633A (en) Circuit connection material, and connection body for circuit member
JP2010278025A (en) Anisotropic conductive film
JP7172991B2 (en) Adhesive composition and structure
JP6408759B2 (en) Adhesive composition and film winding body
KR102098758B1 (en) Circuit connection material
JP2010135255A (en) Anisotropic conductive film, joint body, and manufacturing method thereof
JP2022000530A (en) Adhesive composition and structure
CN110461982B (en) Adhesive composition and structure
TWI734841B (en) Connection structure, circuit connection member and adhesive composition
JP5365666B2 (en) Circuit connection material, circuit terminal connection structure and connection method
WO2014156685A1 (en) Anisotropic conductive film
CN116802243A (en) Film-like adhesive and method for producing connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right