KR102107997B1 - 투명필름의 표면처리 방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법 - Google Patents

투명필름의 표면처리 방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

투명필름의 일 함수를 증가시킬 수 있는 본 발명의 일 측면에 따른 투명필름의 표면처리 방법은, 투명필름을 초음파 세정하는 단계; 및 아로마틱 유기 할로겐 용매로 상기 투명필름의 표면을 처리하여 상기 투명필름을 개질 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

투명필름의 표면처리 방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법{Method for Processing Surface of Transparent Film, Organic Light Emitting Device Manufactured Using That Method, and Method for Manufacturing That Organic Light Emitting Device}
본 발명은 투명필름의 표면처리에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 디스플레이 분야에 이용되는 투명필름의 표면처리에 관한 것이다.
일반적으로 투명필름은 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device), 또는 발광장치(Light-Emitting Device) 등과 같은 디스플레이 장치나 태양전지(Solar Cell)와 같은 소자에서, 전극으로 이용된다.
이러한 투명필름은 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO)과 같은 물질을 이용하여 제조될 수 있다.
상술한 ITO로 제조된 투명필름의 경우, 일함수(Work Function)가 높지 않다는 단점이 있어, 표면처리를 통해 투명필름의 일 함수를 증가시킴으로써 소자의 특성을 향상시키기 위한 다양한 기법들이 제안되었다.
예컨대, ITO로 제조된 투명필름의 표면에 산소 플라즈마 처리를 하거나 UV(Ultra Violet)를 조사함으로써 투명필름의 일 함수를 증가시키는 방법이 제안된 바 있다.
하지만, 이러한 종래의 방법들의 경우 투명필름의 일함수 증가도가 크지 않아 소자의 특성을 향상시키는 데에는 한계가 있다는 문제점이 있다.
또한, 이러한 투명필름이 유기발광장치(Organic Light-Emitting Device)의 양전극으로 이용되는 경우, 투명필름의 일 함수가 크지 않아 원활한 정공의 주입을 위해서는 정공 주입층(Hole Injecting Layer: HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer: HTL)이 반드시 포함되어야 하므로, 유기발광장치를 구성하는 레이어 수의 증가로 인해 유기발광장치의 제조 공정이 복잡해질 뿐만 아니라 유기발광장치의 수명이 감소한다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 투명필름의 일 함수를 증가시킬 수 있는 투명필름의 표면처리방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하지 않는 유기발광장치를 제조할 수 있는 투명필름의 표면처리방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 유기발광장치의 수명 저감 없이도 투명필름의 일 함수를 증가시킬 수 있는 투명필름의 표면처리방법, 그 방법을 이용하여 제조된 유기발광장치, 및 유기발광장치의 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 투명필름의 표면처리 방법은, 투명필름을 초음파 세정하는 단계; 및 아로마틱 유기 할로겐 용매로 상기 투명필름의 표면을 처리하여 상기 투명필름을 개질 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기발광장치는, 기판; 상기 기판상에 상기 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 방법에 의한 표면처리로 할로겐 원소가 침투되어 있는 투명필름으로 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 하나 이상의 발광층; 상기 하나 이상의 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층; 및 상기 전자 주입층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기발광장치의 제조방법은, 기판 상에 투명필름으로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 상기 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 방법에 따라 표면처리 하는 단계; 상기 제1 전극 상에 하나 이상의 발광층을 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 투명필름의 플라즈마 공정 처리시 또는 플라즈마 공정 처리전의 열처리 공정 진행 시 투명필름의 표면을 유기 할로겐 용매로 표면 처리함으로써 투명필름의 일 함수를 증가시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 유기 할로겐 용매로 표면 처리된 투명필름을 이용하여 유기발광장치의 양극을 형성함으로써 정공 주입 장벽을 낮출 수 있어 정공 주입층 및 정공 수송층 없이도 정공을 발광층으로 주입할 수 있음은 물론, 유기발광장치를 저전압으로 구동할 수 있고 이로 인해 유기발광장치의 수명특성을 개선시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 유기발광장치가 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하지 않아 유기발광장치의 레이어 수를 감소시킬 수 있음은 물론 유기발광장치의 제조공정을 단순화시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 유기 할로겐 용매로 투명필름의 표면처리 후 투명필름을 베이킹하여 투명필름에 잔존하는 유기물을 제거함으로써 유기발광장치의 수명 저감을 억제할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트.
도 2는 플라즈마 챔버 내에서 유기 할로겐 용매로 투명필름을 표면처리하는 예를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트.
도 4는 유기 할로겐 용매로 투명필름을 화학적 처리하는 예를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트.
도 6a는 일반적인 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 수명과 제2 실시예에 따른 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 수명을 비교하여 보여주는 그래프.
도 6b는 일반적인 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 구동전압과 제2 실시예에 따른 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 구동전압을 비교하여 보여주는 그래프.
도 7a는 제2 실시예에 따른 투명필름에서 측정된 잔류 가스 분포를 보여주는 그래프.
도 7b는 본 발명의 제3 실시예에 따라 표면처리된 투명필름에서 측정된 잔류 가스 분포를 보여주는 그래프.
도 8은 일반적인 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 수명, 제2 실시예에 따른 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 수명, 및 제3 실시예에 따른 투명필름을 이용하여 제조된 유기발광장치의 수명을 비교하여 보여주는 그래프.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 제조공정을 보여주는 단면도.
이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에" 또는 "바로 아래에"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.
투명필름의 표면처리 방법
제1 실시예
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 투명필름을 초음파 세정한다(S100). 일 실시예에 있어서, 초음파 세정은 아세톤(Acetone), 메탄올(methanol), 또는 순수한 물(Di Water) 등과 같은 세정액을 이용하여 수행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 투명필름은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화인듐아연(Indium Zn Oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 투명필름은 이에 한정되지 않고 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F, , 인듐 산화물(Indium Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 또는 그라핀(Graphene) 등의 다양한 재질로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 질소건을 이용하여 초음파 세정된 투명필름을 건조시킨 후(S110), 아로마틱 유기 할로겐 용매가 투입되어 있는 플라즈마 챔버 내에서 상기 건조된 투명필름을 플라즈마 처리함으로써 상기 투명필름을 개질 시킨다(S120).
구체적으로, 건조된 투명필름의 플라즈마 처리시 플라즈마 챔버 내에 아로마틱 유기 할로겐 용매를 투입시켜 투명필름의 표면이 아로마틱 유기 할로겐 용매로 처리되도록 함으로써 할로겐 원소가 투명필름 내로 침투하게 되고, 이를 통해 투명필름이 개질된다. 이와 같은 투명필름의 개질을 통해 투명필름의 일 함수(Work Function)가 증가된다.
본 발명에서, 투명필름에 할로겐 원소를 침투시켜 투명필름을 개질 시키기 위해 유기 할로겐 용매를 사용하는 이유는, 단순히 할로겐 원소가 용해되어 있는 할로겐 용액을 이용하는 경우 대기 중에서 독성이 강한 할로겐 원소가 증발될 수 있기 때문에, 대기 중에서는 할로겐 성분의 증발이 어려운 유기 할로겐 용매를 사용하는 것이다.
상술한 실시예에서, 건조된 투명필름의 플라즈마 처리시, 플라즈마 챔버 내로 투입되는 유기 할로겐 용매의 양은 1ml일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(200) 내에 위치된 안착대(210, 220) 상에 질소건으로 건조된 투명필름(230)을 안착시키고, 아로마틱 유기 할로겐 용매(240)가 담겨져 있는 용기(250)를 플라즈마 챔버(200)내에 위치시킨 후 플라즈마 처리를 수행함으로써 투명필름(230)을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면 처리할 수 있다.
이때, 투명필름(230)의 플라즈마 처리시, 플라즈마 챔버(200)의 압력은 0.100 내지 0.200 Torr, 바람직하게는 0.130 내지 0.160 Torr로 유지할 수 있고, 플라즈마 노출시간은 1분 내지 10분 이내일 수 있으며, 플라즈마 처리는 아르곤(Ar), 질소(N2), 테트라플로오르메탄(CF4), 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 이용하여 수행될 수 있다.
상술한 실시예에 있어서, 플라즈마 챔버 내로 투입되는 아로마틱 유기 할로곈 용매는, 벤조일 클로라이드(Benzoyl Chloride), 클로로벤조일 클로라이드(Chlorobenzoyl Choride), 및 벤조일 브로마이드(Benzoyl Bromide) 중 어느 하나의 물질이거나, 벤조일 클로라이드, 클로로벤조일 클로라이드, 및 벤조일 브로마이드 중 2 이상의 물질이 혼합된 혼합물일 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 플라즈마 챔버 내로 투입되는 아로마틱 유기 할로곈 용매는, 디클로로벤젠(Dicholorobenzen)과 벤조일 클로라이드(Bebzoyl Chloride)의 혼합물일 수 있고, 이때, 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드 혼합 비율은 1:2, 1:1, 또는 2:1 중 어느 하나일 수 있다.
상술한 바와 같이, 투명필름의 플라즈마 처리시 아로마틱 유기 할로겐 용매로 투명필름을 표면처리 하면 유기 할로겐 용매로 표면처리를 하지 않은 투명필름에 비해 일 함수가 증가된다는 것을 아래의 표 1에서 알 수 있다.
Figure 112012093969575-pat00001
위의 표 1은 투명필름의 일 함수를 켈빈 프로브(Kelvin Prove)를 이용하여 측정한 결과 값을 나타낸 것으로서, 비교예 1은 투명필름을 초음파 세정하고 질소건으로 건조한 후 일 함수를 측정한 결과 값이고, 비교예 2는 투명필름을 초음파 세정 및 질소건으로 건조하고 플라즈마 처리만 수행한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
또한, 실시예 1은 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 플라즈마 처리시 벤조일 클로라이드로 표면처리 한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이고, 실시예 2는 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 플라즈마 처리시 클로로벤조일 클로라이드로 표면처리 한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이며, 실시예 3은 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 플라즈마 처리시 벤조일 브로마이드로 표면처리 한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
위의 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 플라즈마 처리시 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면처리 된 투명필름이 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면처리 되지 않은 투명필름이 비해 일 함수가 크다는 것을 알 수 있고, 아로마틱 유기 할로겐 용매 중에서도 특히, 클로로벤조일 클로라이드로 표면처리 한 투명필름의 일 함수가 가장 크다는 것을 알 수 있다.
한편, 상술한 실시예에 있어서는 투명필름의 초음파 세정 및 건조 공정이 필수적인 것으로 설명하였지만, 이는 투명필름에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 것으로서 선택적으로 포함될 수 있고, 초음파 세정 공정을 수행하는 경우 상술한 아세톤, 메탄올, 또는 순수한 물 이외에 다른 세척액을 이용하여 수행될 수 있고, 건조 공정을 수행하는 경우 질소건 이외에 다른 가스를 이용하여 수행될 수도 있을 것이다.
제2 실시예
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 투명필름을 초음파 세정한다(S300). 일 실시예에 있어서, 초음파 세정은 아세톤, 메탄올, 또는 순수한 물 등과 같은 세정액을 이용하여 수행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 투명필름은 산화인듐주석(ITO) 또는 산화인듐아연(IZO)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투명필름은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화인듐아연(Indium Zn Oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 투명필름은 이에 한정되지 않고 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F, , 인듐 산화물(Indium Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 또는 그라핀(Graphene) 등의 다양한 재질로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 질소건을 이용하여 초음파 세정된 투명필름을 건조시킨 후(S310), 아로마틱 유기 할로겐 용매로 투명필름을 화학적 처리(Chemical Treatment)함으로써 투명필름을 개질 시킨다(S320).
구체적으로, 건조된 투명필름을 유기 할로겐 용매로 화학적 처리 하여 투명필름의 표면이 아로마틱 유기 할로겐 용매로 처리되도록 함으로써 할로겐 원소가 투명필름 내로 침투하게 되고, 이를 통해 투명필름이 개질된다. 이와 같은 투명필름의 개질을 통해 투명필름의 일 함수가 증가된다.
본 발명에서, 투명필름에 할로겐 원소를 침투시켜 투명필름을 개질 시키기 위해 유기 할로겐 용매를 사용하는 이유는, 상술한 바와 같이 할로겐 원소가 용해되어 있는 일반적인 할로겐 용액의 경우 대기 중에서 독성이 강한 할로겐 원소가 증발될 수 있기 때문에, 대기 중에서는 할로겐 성분의 증발이 어려운 유기 할로겐 용매를 사용하는 것이다.
상술한 실시예에서, 건조된 투명필름의 화학적 처리시 이용되는 유기 할로겐 용매의 양은 1ml일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 소정 용기(예컨대, Pyrex Petri Dish)(400) 내에 위치된 안착대(410, 420) 내에 아로마틱 유기 할로겐 용매(430)가 담겨져 있는 용기(440)를 위치시키고, 질소건으로 건조된 투명필름(450)을 안착대(410, 420) 상에 안착시킨 후 소정 용기(400)을 10도 내지 100도의 온도에서 1분 내지 60분 동안 열처리 함으로써 아로마틱 유기 할로겐 용매로 투명필름(450)을 표면처리 할 수 있다.
상술한 실시예에 있어서, 투명필름의 화학적 처리에 이용되는 아로마틱 유기 할로곈 용매는, 디클로로벤젠(Dicholorobenzen)과 벤조일 클로라이드(Bebzoyl Chloride)의 혼합물일 수 있고, 이때, 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드 혼합 비율은 1:2, 1:1, 또는 2:1 중 어느 하나일 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 투명필름의 화학적 처리에 이용되는 아로마틱 유기 할로곈 용매는, 벤조일 클로라이드(Benzoyl Chloride), 클로로벤조일 클로라이드(Chlorobenzoyl Choride), 및 벤조일 브로마이드(Benzoyl Bromide) 중 어느 하나의 물질이거나, 벤조일 클로라이드, 클로로벤조일 클로라이드, 및 벤조일 브로마이드 중 2 이상의 물질이 혼합된 혼합물일 수 있다.
다음으로, 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리된 투명필름을 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마 처리한다(S330).
일 실시예에 있어서, 투명필름의 플라즈마 처리시, 플라즈마 챔버의 압력은 0.100 내지 0.200 Torr, 바람직하게는 0.130 내지 0.160 Torr로 유지할 수 있고, 플라즈마 노출시간은 1분 내지 10분 이내일 수 있으며, 플라즈마 처리는 아르곤(Ar), 질소(N2), 테트라플로오르메탄(CF4), 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 이용하여 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리한 투명필름이유기 할로겐 용매로 화학적 처리를 하지 않은 투명필름에 비해 일 함수가 증가된다는 것을 아래의 표 2에서 알 수 있다.
Figure 112012093969575-pat00002
위의 표 2는 투명필름의 일 함수를 켈빈 프로브를 이용하여 측정한 결과 값을 나타낸 것으로서, 비교예 1은 투명필름을 초음파 세정하고 질소건으로 건조한 후 일 함수를 측정한 결과 값이고, 비교예 2는 투명필름을 초음파 세정 및 질소건으로 건조하고 플라즈마 처리 한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
또한, 실시예 1은 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름을 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드가 2:1로 혼합된 혼합물로 화학적 처리하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이고, 실시예 2는 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름을 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드가 1:1로 혼합된 혼합물로 화학적 처리하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이며, 실시예 3은 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름을 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드가 1:2로 혼합된 혼합물로 화학적 처리하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리된 투명필름이 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리 되지 않은 투명필름에 비해 일 함수가 크다는 것을 알 수 있고, 아로마틱 유기 할로겐 용매 중에서도 디클로로벤젠과 벤조일 클로라이드가 1:2로 혼합된 혼합물로 화학적 처리 한 투명필름의 일 함수가 가장 크다는 것을 알 수 있다.
한편, 상술한 실시예에 있어서는 투명필름의 초음파 세정 및 건조 공정이 필수적인 것으로 설명하였지만, 이는 투명필름에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 것으로서 선택적으로 포함될 수 있고, 초음파 세정 공정을 수행하는 경우 상술한 아세톤, 메탄올, 또는 순수한 물 이외에 다른 세척액을 이용하여 수행될 수 있고, 건조 공정을 수행하는 경우 질소건 이외에 다른 가스를 이용하여 수행될 수도 있을 것이다.
제3 실시예
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법은, 도 5에 도시된 바와 같이, 먼저 투명필름을 초음파 세정하고(S500), 초음파 세정된 투명필름을 질소건을 이용하여 건조시킨 후(S510), 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리하여 투명필름을 개질시킨다(S520). 이때, S500, S510, 및 S520 각각은 도 3에 도시된 투명필름의 초음파 세정공정(S300), 질소건을 이용한 투명필름의 건조공정(S310), 및 투명필름의 개질공정(S320)과 동일하므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거한다(S530). 일 실시예에 있어서, 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물의 제거는, 개질된 투명필름을 핫 플레이트(Hot-Plate)에서 베이킹(Baking)함에 의의해 수행된다. 이하의 설명에서는 설명의 편의를 위해, 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하기 위해 투명필름을 핫 플레이트에서 베이킹하는 것으로 설명하지만, 이는 하나의 예 일뿐 투명필름 상의 잔존 유기물을 제거할 수 있는 방법이라면 어떠한 것이든 가능할 것이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명필름 표면처리 방법에서, 투명필름을 개질 시킨 이후에, 투명필름을 베이킹하는 것은, 도 6a에 도시된 바와 같이 제2 실시예에 따라 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리하게 되면 투명필름 상에 유기물이 잔존할 수 있어, 유기발광장치의 수명이 단축될 수 있기 때문에, 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하기 위한 것이다.
일 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 30도 내지 70도에서 3분 내지 15분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 50도에서 10분 동안 수행될 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 70도 내지 130도에서 3분 내지 15분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 100도에서 10분 동안 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 70도 내지 130도에서 15분 내지 45분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 100도에서 30분 동안 수행될 수 있다.
여기서, 투명필름의 베이킹 공정 진행 시 온도조건의 하한을 30도 설정한 것은 온도가 30도 미만이 되면 상온이어서 베이킹이 수행될 수 없기 때문이고, 온도조건의 상한을 130도로 설정한 것은 온도가 130를 초과하게 되면 투명필름이 손상될 수 있기 때문이다.
상술한 바와 같이, 제3 실시예에 따라 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면처리한 후 베이킹을 수행한 투명필름은 제2 실시예에 따라 유기 할로로겐 용매로 표면처리한 투명필름과 거의 동등한 일 함수를 갖게 되고, 유기 할로겐 용매로 표면처리하지 않은 일반적인 투명필름에 비해서는 일 함수가 증가된다는 것을 아래의 표 3에서 알 수 있다.
Figure 112012093969575-pat00003
위의 표 3은 투명필름의 일 함수를 켈빈 프로브를 이용하여 측정한 결과 값을 나타낸 것으로서, 비교예 1은 투명필름을 초음파 세정 및 질소건으로 건조하고 플라즈마 처리 한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이고, 비교예 2는 제2 실시예에 따라 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
또한, 실시예 1은 제2 실시예에 따라 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리한 후 50도에서 10분간 베이킹하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이고, 실시예 2는 제2 실시예에 따라 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리한 후 100도에서 10분간 베이킹하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이며, 실시예 3은 제2 실시예에 따라 초음파 세정 및 질소건으로 건조된 투명필름의 표면을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리한 후 100도에서 30분간 베이킹하여 플라즈마 처리한 후의 일 함수를 측정한 결과 값이다.
표 3에서 알 수 있는 바와 같이, 제3 실시예에 따라 유기 할로겐 용매로 표면처리된 투명필름을 베이킹하는 실시예 1 내지 3은 유기 할로겐 용매로 투명필름을 표면처리하는 비교예 2와 거의 동등한 수준의 일 함수를 갖게 되고, 유기 할로겐 용매로 투명필름을 표면처리하지 않는 경우에 비해 일 함수가 증가하게 된다는 것을 알 수 있다. 한편, 실시예 1 내지 3 중에서는 실시예 2의 일 함수가 가장 높다는 것을 알 수 있다.
또한, RGA(Residual Gas Analyzer)로 투명필름 상에 잔존하는 가스를 측정하여 보면, 제2 실시예에 따른 투명필름의 경우 도 7a에 도시된 바와 같이, 유기 할로겐 용매의 잔류물로 인한 가스(700)가 투명필름 상에 존재한다는 것을 알 수 있지만, 제3 실시예에 따른 투명필름의 경우 베이킹 공정의 수행을 통해 투명필름 상에서 유기 할로겐 용매의 잔류물이 제거되었기 때문에, 도 7b에 도시된 바와 같이 투명필름 상에서 잔존 유기물로 인한 잔류 가스도 존재하지 않는 다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 제3 실시예의 경우 베이킹 공정을 통해 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거할 수 있기 때문에, 제3 실시예에 따른 투명필름이 적용된 유기발광장치의 경우 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 투명필름을 이용한 유기발광장치에 비해서는 수명이 증가하고, 유기 할로겐 용매로 표면처리하지 않은 일반적인 투명필름을 이용한 유기발광장치와 거의 동등한 수명을 가지게 된다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이 베이킹된 투명필름을 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마 처리한다(S540).
일 실시예에 있어서, 투명필름의 플라즈마 처리시, 플라즈마 챔버의 압력은 0.100 내지 0.200 Torr, 바람직하게는 0.130 내지 0.160 Torr로 유지할 수 있고, 플라즈마 노출시간은 1분 내지 10분 이내일 수 있으며, 플라즈마 처리는 아르곤(Ar), 질소(N2), 테트라플로오르메탄(CF4), 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 이용하여 수행될 수 있다.
한편, 상술한 실시예에 있어서는 투명필름의 초음파 세정 및 건조 공정이 필수적인 것으로 설명하였지만, 이는 투명필름에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 것으로서 선택적으로 포함될 수 있고, 초음파 세정 공정을 수행하는 경우 상술한 아세톤, 메탄올, 또는 순수한 물 이외에 다른 세척액을 이용하여 수행될 수 있고, 건조 공정을 수행하는 경우 질소건 이외에 다른 가스를 이용하여 수행될 수도 있을 것이다.
제4 실시예
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법을 보여주는 플로우차트이다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명필름의 표면처리 방법은, 도 9에 도시된 바와 같이, 먼저 투명필름을 초음파 세정하고(S900), 초음파 세정된 투명필름을 질소건을 이용하여 건조시킨 후(S910), 아로마틱 유기 할로겐 용매가 투입되어 있는 플라즈마 챔버 내에서 상기 건조된 투명필름을 플라즈마 처리함으로써 투명필름을 개질 시킨다(S920). 이때, S900, S910, 및 S920 각각은 도 1에 도시된 투명필름의 초음파 세정공정(S100), 질소건을 이용한 투명필름의 건조공정(S110), 및 투명필름의 개질공정(S120)과 동일하므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거한다(S930). 일 실시예에 있어서, 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물의 제거는, 개질된 투명필름을 핫 플레이트(Hot-Plate)에서 베이킹(Baking)함에 의의해 수행된다.
이하의 설명에서는 설명의 편의를 위해, 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하기 위해 투명필름을 핫 플레이트에서 베이킹하는 것으로 설명하지만, 이는 하나의 예 일뿐 투명필름 상의 잔존 유기물을 제거할 수 있는 방법이라면 어떠한 것이든 가능할 것이다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명필름 표면처리 방법에서, 투명필름을 개질 시킨 이후에 투명필름을 베이킹하는 것은, 제3 실시예에서와 동일하게 투명필름을 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면 처리하게 되면 투명필름 상에 유기물이 잔존할 수 있어, 유기발광장치의 수명이 단축될 수 있기 때문에, 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하기 위한 것이다.
일 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 30도 내지 70도에서 3분 내지 15분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 50도에서 10분 동안 수행될 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 70도 내지 130도에서 3분 내지 15분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 100도에서 10분 동안 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에 있어서, 투명필름의 베이킹 공정은 70도 내지 130도에서 15분 내지 45분 동안 수행될 수 있고, 바람직하게는 100도에서 30분 동안 수행될 수 있다.
여기서, 투명필름의 베이킹 공정 진행 시 온도조건의 하한을 30도 설정한 것은 온도가 30도 미만이 되면 상온이어서 베이킹이 수행될 수 없기 때문이고, 온도조건의 상한을 130도로 설정한 것은 온도가 130를 초과하게 되면 투명필름이 손상될 수 있기 때문이다.
이와 같이, 제4 실시예에 따라 플라즈마 처리 시 아로마틱 유기 할로겐 용매로 표면처리한 후 베이킹을 수행한 투명필름은 제1 실시예에 따라 플라즈마 처리 시 유기 할로로겐 용매로 표면처리한 투명필름과 거의 동등한 일 함수를 갖게 되고, 투명필름 상에 잔존하는 유기물도 제거되기 때문에 이를 이용한 유기발광장치의 수명 저감을 방지할 수 있게 된다.
유기발광장치
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치(500)는 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 포함한다.
제1 전극(520)은, 유리 또는 플라스틱 등의 재질로 이루어진 기판(미도시)상에 형성되어 발광층(530)에 전류(또는 전압)을 공급하는 것으로서, 소정 면적의 발광 영역을 정의한다. 일 실시예에 있어서, 제1 전극(520)은, 기판의 가장자리 부분을 제외한 나머지 영역에 형성될 수 있다.
이러한 제1 전극(520)은 투과율이 높은 투명필름으로 이루어질 수 있다. 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 재질로 이루어진 투명필름으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 전극(520)을 형성하는 투명필름은, 상술한 제1 실시예 내지 제4 실시예서 기재한 바와 같이, 아로마틱 유기 할로겐 용매를 이용한 표면처리를 통해 개질 되어, 할로겐 원소(522)들이 투명필름 내부에 침투되어 있을 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 제1 전극(520)을 아로마틱 유기 할로겐 용매를 이용한 표면처리를 통해 할로겐 원소(522)들이 침투되어 있는 투명필름으로 형성하기 때문에 제1 전극(520)의 일 함수를 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명은, 제1 전극(520)의 일 함수가 증가되기 때문에 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 전극(520)으로부터 공급되는 정공의 주입 장벽을 낮출 수 있게 되어, 기존의 유기발광장치에서 정공의 주입을 위해 이용되는 정공 주입층(Hole Injecting Layer: HIL)과 정공 수송층(Hole Transporting Layer: HTL)을 생략할 수 있다.
또한, 본 발명은 제3 또는 제4 실시에에 따라 개질된 투명필름의 베이킹 공정을 통해 투명필름 상에 잔존하는 유기물이 제거되었기 때문에 개질되지 않은 일반적인 투명필름을 이용하여 제1 전극이 형성된 유기발광장치와 동등한 수명을 갖게 된다.
다음으로, 발광층(530)은 제1 전극(520)과 전자 수송층(540) 사이에 형성되어 제1 전극(520)으로부터 공급되는 정공과 제2 전극(560)으로부터 공급되는 전자의 재결합에 의해 발광한다.
일 실시예에 있어서, 발광층(530)은 순차적으로 적층되어 백색 광을 방출하기 위한 서로 다른 제1 및 제2 발광층(미도시)을 포함할 수 있다. 제1 발광층은 청색 발광층으로써 발광을 통해 청색 광을 방출하고, 제2 발광층은 청색 발광층 이외의 발광층으로써 발광을 통해 청색 광 이외의 광을 방출한다.
이러한, 제1 및 제2 발광층 사이에는 중간층(미도시)이 추가로 형성될 수 있다. 여기서, 중간층은 전하 이동을 조절하여 제1 및 제2 발광층에서의 전하 재결합을 보다 원활하게 하는 것으로, 전하의 이동을 저지(또는 방해)하는 전하 저지층 또는 전하를 발생시키는 전하 발생층이 될 수 있다.
다른 실시예에 따른 발광층(530)은 순차적으로 적층되어 백색 광을 방출하기 위한 적색, 녹색, 및 청색 발광층(미도시)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 각 발광층 사이에도 상술한 바와 같이 중간층(미도시)이 추가로 형성될 수 있다.
전자 수송층(Electron Transporting Layer: ETL, 540)은 발광층(530) 상에 형성되어 전자 주입층(Electron Injecting Layer: EIL, 550)으로부터 주입되는 전자를 발광층(530)으로 수송한다. 일 실시예에 있어서, 이러한 전자 수송층(540)은 전자 이동도가 높은 유기물을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서 전자 수송층(540)은, 제2 전극(560)으로부터 전달된 전자의 누설을 최소화하기 위해 전자 친화도가 큰 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 주입층(550)은 전자 수송층(540) 상에 형성된다. 이러한 전자 주입층(550)은 생략될 수 있다.
제2 전극(560)은 전자 주입층(550) 상에 형성되어 발광층(530)에 전자를 제공한다. 이러한 제2 전극(560)은, 유기발광장치(500)가 기판쪽으로 광을 방출하는 타입인 경우 반사율이 높은 금속 재질로 이루어질 수 있고, 유기발광장치(500)가 양면 발광 타입인 경우 투명 재질로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 유기발광장치(500)는 제1 전극(520)과 제2 전극(560) 사이에 형성된 발광층(530)을 발광시켜 백색 광을 기판(510) 쪽으로 방출하게 된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치(500)는 도 5에는 도시하지는 않았지만, 실링(Sealing) 부재를 더 포함할 수 있다.
실링 부재는 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 실링하도록 기판의 상면에 형성된다.
일 실시예에 있어서, 실링 부재는 보호막으로써, 기판 상에 형성된 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560) 전체를 덮도록 투명 재질로 형성되어 외부의 충격, 산소 및/또는 수분으로부터 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 보호한다.
다른 실시예에 있어서, 실링 부재는 유리 재질의 실캡(Seal Cap)으로써, 접착제(미도시)에 의해 기판의 상면 가장자리에 접착되어, 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 실링함으로써 외부의 충격, 산소 및/또는 수분으로부터 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 보호한다.
상기 실링 부재는 산소 및/또는 수분을 흡수하여 제거하기 위한 흡습제(미도시)를 포함하여 구성될 수도 있다.
유기발광장치의 제조방법
이하, 도 11을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 제조방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 11a에 도시된 바와 같이, 기판(510) 상에 투명필름을 증착하여 제1 전극(515)을 형성한다.
일 실시예에 있어서 제1 전극(505)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 재질로 형성된 투명필름을 통상적인 증착 방법을 이용하여 기판(510) 상에 증착함으로써 형성할 수 있다.
다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 제1 전극(515)을 상술한 제1 실시예 내지 제2 실시예서 기재한 바와 같이, 아로마틱 유기 할로겐 용매를 이용한 표면처리를 통해 할로겐 원소(522)들을 제1 전극(515)을 구성하는 투명필름 내부로 침투시켜 개질시킨다.
이와 같이, 본 발명은 제1 전극(515)을 아로마틱 유기 할로겐 용매를 이용한 표면처리를 통해 할로겐 원소(522)들이 침투되어 있는 제1 전극(520)으로 개질 시키기 때문에 제1 전극(520)의 일 함수를 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명은, 제1 전극(520)의 일 함수가 증가되기 때문에 제1 전극(520)으로부터 공급되는 정공의 주입 장벽을 낮출 수 있게 되어, 기존의 유기발광장치에서 정공의 주입을 위해 이용되는 정공 주입층과 정공 수송층을 생략할 수 있다.
또한, 본 발명은 제3 또는 제4 실시에에 따라 개질된 투명필름의 베이킹 공정을 통해 투명필름 상에 잔존하는 유기물이 제거되었기 때문에 개질되지 않은 일반적인 투명필름을 이용하여 제1 전극이 형성된 유기발광장치와 동등한 수명을 갖게 된다.
다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 제1 전극(520) 상에 발광층(530)을 형성한다. 일 실시예에 있어서, 발광층(530)은, 열 진공 증착(Thermal Evaporation)공정, 스핀 코팅(Spin Coating) 공정, 딥 코팅(Dip Coating) 공정, 닥터 블레이딩(Doctor Blading) 공정, 잉크젯 프린팅(Inkjet Printing) 공정, 또는 열 전사법(Thermal Transfer) 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성할 수 있다.
여기서, 발광층(530)은 순차적으로 적층되어 백색 광을 방출하기 위한 서로 다른 제1 및 제2 발광층을 포함하거나, 순차적으로 적층되어 백색 광을 방출하기 위한 적색, 녹색, 및 청색 발광층을 포함할 수 있다. 이때, 각 발광층 사이에는 상기의 중간층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
다음으로, 11d에 도시된 바와 같이 발광층(530) 상에 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 순차적으로 형성한다. 이때, 전자 주입층(550)은 생략될 수 있다.
또한, 제2 전극(560)은, 유기발광장치가 기판(510)쪽으로 광을 방출하는 타입인 경우 반사율이 높은 금속 재질로 이루어질 수 있고, 유기발광장치가 양면 발광 타입인 경우 투명 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 제조방법은 도 6e에 도시된 바와 같이, 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 실링하도록 기판(510)의 상면에 실링 부재(570)를 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 실링 부재(570)는 보호막으로써, 기판(510) 상에 형성된 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)전체를 덮도록 투명 재질로 형성할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 실링 부재(570)는 유리 재질의 실캡(Seal Cap)으로써, 접착제(미도시)에 의해 기판(510)의 상면 가장자리에 접착되어 제1 전극(520), 발광층(530), 전자 수송층(540), 전자 주입층(550), 및 제2 전극(560)을 실링할 수 있다.
이러한 실링 부재(570)는 산소 및/또는 수분을 흡수하여 제거하기 위한 흡습제(미도시)를 포함하여 구성될 수도 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
200: 플라즈마 챔버 210, 220, 410, 420: 안착대
230, 430: 유기 할로겐 용매 240, 400, 440: 용기
250, 450: 투명필름

Claims (17)

  1. 투명필름을 초음파 세정하는 단계; 및
    아로마틱 유기 할로겐 용매로 상기 투명필름의 표면을 처리하여 상기 투명필름을 개질 시키는 단계를 포함하고,
    상기 아로마틱 유기 할로곈 용매는, 벤조일 클로라이드(Benzoyl Chloride), 클로로벤조일 클로라이드(Chlorobenzoyl Choride), 및 벤조일 브로마이드(Benzoyl Bromide) 중 적어도 하나를 포함하는 물질이거나, 디클로로벤젠(Dicholorobenzen)과 벤조일 클로라이드(Bebzoyl Chloride)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명필름을 개질시키는 단계에서, 상기 투명필름의 플라즈마 처리시 플라즈마 챔버 내에 상기 아로마틱 유기 할로겐 용매를 투입하여 상기 투명필름의 표면처리를 수행하는 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리시, 상기 플라즈마 챔버의 압력은 0.1 내지 0.2 Torr로 유지하고, 노출시간은 1분 내지 10분 이내인 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명필름을 개질시키는 단계에서, 상기 투명필름을 상기 아로마틱 유기 할로겐 용매로 화학적 처리(Chemical Treatment)하여 상기 투명필름의 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학적 처리는 10도 내지 100도의 온도에서 1분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 투명필름을 개질시키는 단계 이후에,
    상기 개질된 투명필름을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리는 아르곤(Ar), 질소(N2), 테트라플로오르메탄(CF4), 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 디클로로벤젠과 상기 벤조일 클로라이드의 혼합 비율은 1:2, 1:1, 또는 2:1 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 투명필름은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화인듐아연(Indium Zn Oxide: IZO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 개질된 투명필름 상에 잔존하는 유기물을 제거하는 단계는, 상기 개질된 투명필름을 베이킹함에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 베이킹은, 30도 내지 70도의 온도에서 3분 내지 15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 베이킹은, 70도 내지 130도의 온도에서 3분 내지 15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 베이킹은, 70도 내지 130도의 온도에서 15분 내지 45분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 투명필름의 표면처리 방법.
  16. 기판;
    상기 기판상에 상기 제1항 내지 제7항 및 제9항 내지 제15항 중 어느 하나의 방법에 의한 표면처리로 할로겐 원소가 침투되어 있는 투명필름으로 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성된 하나 이상의 발광층;
    상기 하나 이상의 발광층 상에 형성된 전자 수송층;
    상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층; 및
    상기 전자 주입층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광장치.
  17. 기판 상에 투명필름으로 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 상기 제1항 내지 제7항 및 제9항 내지 제15항 중 어느 하나의 방법에 따라 표면처리 하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 하나 이상의 발광층을 형성하는 단계;
    상기 하나 이상의 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;
    상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
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