KR102107626B1 - Apparatus for growing silicon carbide single cryatal and method for growing silicon carbide single cryatal - Google Patents

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Abstract

탄화규소 단결정 성장 장치는 하부 공간에 대응하는 저부에 종자정이 안착되는 도가니, 상기 도가니의 상부 공간의 중앙 공간을 둘러싸는 분말 받침대, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 상기 단열재의 외부에 위치하는 가열부, 및 상기 도가니의 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 위치하며 상기 종자정과 중첩하는 다공성 흑연판을 포함한다.The silicon carbide single crystal growth apparatus includes a crucible in which seed crystals are seated at the bottom corresponding to the lower space, a powder pedestal surrounding the central space of the upper space of the crucible, a thermal insulation material surrounding the crucible, and a heating unit located outside the thermal insulation material, And a porous graphite plate located between the upper space and the lower space of the crucible and overlapping the seed crystal.

Description

탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법{APPARATUS FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYATAL AND METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYATAL}Silicon carbide single crystal growth device and silicon carbide single crystal growth method {APPARATUS FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYATAL AND METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYATAL}

본 기재는 탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법에 관한 것이다.The present description relates to a silicon carbide single crystal growth apparatus and a silicon carbide single crystal growth method.

일반적으로, 탄화규소 단결정 성장 장치는 탄화규소 분말을 승화시켜 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 장치이다.In general, a silicon carbide single crystal growth device is a device for sublimating silicon carbide powder to grow a silicon carbide single crystal in a seed crystal.

최근, 열팽창률에 따른 불량 해결을 위해 종자정을 도가니의 저부에 안착시킨 역승화법(Reverse Physical Vapor Transport)을 이용한 탄화규소 단결정 성장 장치가 이용되었다.Recently, a silicon carbide single crystal growth apparatus using a reverse physical vapor transport in which seed crystals are settled at the bottom of a crucible has been used to solve defects due to thermal expansion coefficient.

그런데, 이러한 종래의 탄화규소 단결정 성장 장치는 단결정 성장 시 도가니 내부의 상측으로부터 종자정으로 이동하는 다량의 복사열로 인해 종자정의 중앙 영역의 온도가 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 높음으로써, 역승화된 탄화규소가 종자정의 테두리 영역부터 성장하기 때문에, 종자정 상에 중앙이 오목한 컨케이브(concave) 타입의 탄화규소 단결정이 성장되는 문제점이 있다.However, in the conventional silicon carbide single crystal growth apparatus, the temperature of the central region of the seed crystal is higher than the temperature of the border region of the seed crystal due to the large amount of radiant heat moving from the upper side of the crucible to the seed crystal during single crystal growth, and thus the sublimated carbonization Since silicon grows from the edge region of the seed crystal, there is a problem that a concave type silicon carbide single crystal having a concave center is grown on the seed crystal.

일 실시예는, 도가니의 상측으로부터 종자정으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 차단함으로써, 종자정 상에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법을 제공하고자 한다.One embodiment, a silicon carbide single crystal growth apparatus and silicon carbide single crystal for growing a convex-type silicon carbide single crystal convex in the center on the seed crystal by blocking at least a portion of radiant heat traveling from the upper side of the crucible to the seed crystal We want to provide a way to grow.

또한, 대면적 및 고품질의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시킨 탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법을 제공하고자 한다.In addition, it is intended to provide a silicon carbide single crystal growth apparatus and a silicon carbide single crystal growth method in which a silicon carbide single crystal having a large area and high quality is grown and the growth rate of the silicon carbide single crystal is improved.

일 측면은 내부에 위치하는 상부 공간 및 하부 공간을 포함하며, 상기 하부 공간에 대응하는 저부에 종자정이 안착되는 도가니, 상기 도가니의 상기 상부 공간에 위치하여 탄화규소 분말이 장입되며, 상기 종자정의 중앙 영역과 대응하는 상기 상부 공간의 중앙 공간을 둘러싸는 분말 받침대, 상기 도가니를 둘러싸며, 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하는 개구부들을 포함하는 단열재, 상기 단열재의 외부에 위치하며, 상기 도가니를 가열하는 가열부, 및 상기 도가니의 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 위치하며, 상기 종자정과 중첩하는 다공성 흑연판을 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치를 제공한다.One side includes an upper space and a lower space located inside, a crucible in which seed crystals are seated at a bottom corresponding to the lower space, and silicon carbide powder is charged in the upper space of the crucible, and the seed crystal is centered. A powder pedestal surrounding the central space of the upper space corresponding to the area, an insulating material surrounding the crucible, and including openings corresponding to the central space of the upper space, positioned outside the thermal insulation material, and heating the crucible It provides a silicon carbide single crystal growth apparatus including a heating portion, and a porous graphite plate that is located between the upper space and the lower space of the crucible and overlaps the seed crystal.

상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도는 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮을 수 있다.The temperature of the central region of the seed crystal may be lower than the temperature of the edge region of the seed crystal surrounding the central region of the seed crystal.

상기 다공성 흑연판은 개기공(open pore) 구조를 가질 수 있다.The porous graphite plate may have an open pore structure.

상기 다공성 흑연판의 기공률은 10% 이상일 수 있다.The porosity of the porous graphite plate may be 10% or more.

상기 도가니를 수용하는 석영관을 더 포함하며, 상기 가열부는 상기 석영관 외부에 위치할 수 있다.Further comprising a quartz tube for receiving the crucible, the heating unit may be located outside the quartz tube.

상기 단열재의 상기 개구부들은, 상기 도가니의 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하여 상기 도가니의 상측 외부 표면을 노출하는 제1 개구부, 및 상기 종자정의 상기 중앙 영역과 대응하여 상기 도가니의 하측 외부 표면을 노출하는 제2 개구부를 포함할 수 있다.The openings of the heat insulating material, the first opening exposing the upper outer surface of the crucible corresponding to the central space of the upper space of the crucible, and the lower outer surface of the crucible corresponding to the central region of the seed crystal It may include a second opening to expose.

또한, 일 측면은 상술한 탄화규소 단결정 성장 장치의 상기 분말 받침대에 상기 탄화규소 분말을 장입하고, 상기 도가니의 상기 저부에 상기 종자정을 안착하는 단계, 상기 도가니를 가열하는 단계, 상기 상부 공간으로부터 상기 하부 공간으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 상기 다공성 흑연판으로 차단하는 단계, 및 상기 종자정의 표면에 중앙이 볼록한 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 방법을 제공한다.In addition, one side is charged with the silicon carbide powder to the powder support of the above-described silicon carbide single crystal growth apparatus, the step of seating the seed crystals on the bottom of the crucible, heating the crucible, from the upper space Provided is a method for growing silicon carbide single crystal, comprising blocking at least a portion of radiant heat traveling to the lower space with the porous graphite plate, and growing a convex-type silicon carbide single crystal with a convex center on the surface of the seed crystal. .

상기 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는 상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도가 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮도록 수행할 수 있다.The step of growing the convex type silicon carbide single crystal may be performed such that the temperature of the central region of the seed crystal is lower than the temperature of the edge region of the seed crystal surrounding the central region of the seed crystal.

일 실시예에 따르면, 도가니의 상측으로부터 종자정으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 차단함으로써, 종자정 상에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법이 제공된다.According to an embodiment, a silicon carbide single crystal growth apparatus and silicon carbide for growing a convex type silicon carbide single crystal convex in the center on the seed crystal by blocking at least a portion of radiant heat traveling from the upper side of the crucible to the seed crystal A single crystal growth method is provided.

또한, 대면적 및 고품질의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시킨 탄화규소 단결정 성장 장치 및 탄화규소 단결정 성장 방법이 제공된다.In addition, a silicon carbide single crystal growth apparatus and a silicon carbide single crystal growth method are provided, which increase the growth rate of a silicon carbide single crystal, while growing a large area and high quality silicon carbide single crystal.

도 1은 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 효과 및 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법의 효과를 확인한 실험을 설명하기 위한 사진이다.1 is a cross-sectional view showing a silicon carbide single crystal growth apparatus according to an embodiment.
2 is a flow chart showing a silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment.
3 is a cross-sectional view for describing a silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment.
4 is a photograph for explaining an experiment confirming the effect of the silicon carbide single crystal growth apparatus according to one embodiment and the effect of the silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Also, in the specification, when a part “includes” a certain component, it means that the component may further include other components, not to exclude other components, unless otherwise stated.

이하, 도 1을 참조하여 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치를 설명한다.Hereinafter, a silicon carbide single crystal growth apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIG. 1.

일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치는 역승화법(Reverse Physical Vapor Transport)을 이용한 탄화규소 단결정 성장 장치이나, 이에 한정되지는 않는다.The silicon carbide single crystal growth apparatus according to an embodiment is, but is not limited to, a silicon carbide single crystal growth apparatus using a reverse sublimation method (Reverse Physical Vapor Transport).

도 1은 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a silicon carbide single crystal growth apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)는 탄화규소 분말(20)을 역승화하여 종자정(10) 상에 탄화규소 단결정으로 성장시킨다. 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)는 도가니(100), 분말 받침대(200), 단열재(300), 가열부(400), 석영관(500), 및 다공성 흑연판(600)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 according to an embodiment inverts the silicon carbide powder 20 to grow into a silicon carbide single crystal on the seed crystal 10. The silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 includes a crucible 100, a powder pedestal 200, a heat insulating material 300, a heating part 400, a quartz tube 500, and a porous graphite plate 600.

도가니(100)는 내부에 위치하는 상부 공간(110) 및 하부 공간(120)을 포함한다.The crucible 100 includes an upper space 110 and a lower space 120 located therein.

상부 공간(110)의 중앙 공간을 둘러싸도록 분말 받침대(200)가 위치한다. 상부 공간(110)은 탄화규소 분말(20)이 장입된 분말 받침대(200)가 위치하는 공간이다. 상부 공간(110)의 중앙 공간은 하부 공간(120)에 위치하는 종자정(10)의 중앙 영역과 대응한다. 상부 공간(110)은 하부 공간(120) 대비 넓은 부피를 가질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The powder pedestal 200 is positioned to surround the central space of the upper space 110. The upper space 110 is a space where the powder support 200 in which the silicon carbide powder 20 is loaded is located. The central space of the upper space 110 corresponds to the central region of the seed crystal 10 located in the lower space 120. The upper space 110 may have a larger volume than the lower space 120, but is not limited thereto.

하부 공간(120)은 상부 공간(110)의 하측에 위치한다. 하부 공간(120)은 종자정(10)이 안착되는 저부와 경사진 측벽에 의해 정의될 수 있다. 하부 공간(120)은 종자정(10)이 위치하는 공간이다. 종자정(10)은 도가니(100)의 저부에 부착되지 않고 단순히 놓여진다. 이로 인해, 도가니(100)와 종자정(10) 사이의 열팽창계수 차이에 의해 종자정(10)이 구조적으로 변형되는 것이 억제된다.The lower space 120 is located below the upper space 110. The lower space 120 may be defined by a bottom and an inclined side wall on which the seed crystal 10 is seated. The lower space 120 is a space where the seed crystal 10 is located. The seed crystal 10 is simply attached without being attached to the bottom of the crucible 100. Due to this, structural deformation of the seed crystal 10 is suppressed by a difference in thermal expansion coefficient between the crucible 100 and the seed crystal 10.

분말 받침대(200)는 탄화규소 분말(20)을 저장한다. 분말 받침대(200)에는 탄화규소 분말(20)이 장입된다. 분말 받침대(200)는 도가니(100)의 상부 공간(110)에 위치한다. 분말 받침대(200)는 종자정(10)의 중앙 영역과 대응하는 상부 공간(110)의 중앙 공간을 둘러싼다.The powder pedestal 200 stores the silicon carbide powder 20. The silicon carbide powder 20 is charged in the powder pedestal 200. The powder pedestal 200 is located in the upper space 110 of the crucible 100. The powder pedestal 200 surrounds the central space of the upper space 110 corresponding to the central area of the seed crystal 10.

분말 받침대(200)는 상부가 오픈(open)된 구조를 가질 수 있다. 분말 받침대(200)에 장입된 탄화규소 분말(20)이 Si, Si2C, 및 SiC2 등을 포함하는 탄화규소 가스로 승화될 경우, 분말 받침대(200)의 상부로부터 도가니(100)의 상부 공간(110)의 중앙 공간과 다공성 흑연판(600)을 거쳐 하부 공간(120)에 위치하는 종자정(10) 상으로 이동할 수 있다. 종자정(10) 상으로 이동한 탄화규소 가스는 탄화규소 단결정으로 성장할 수 있다.The powder pedestal 200 may have a structure in which an upper portion is opened. When the silicon carbide powder 20 charged in the powder pedestal 200 is sublimed with silicon carbide gas containing Si, Si 2 C, SiC 2, etc., the upper part of the crucible 100 from the top of the powder pedestal 200 It can be moved over the central space of the space 110 and the seed crystal 10 located in the lower space 120 through the porous graphite plate 600. The silicon carbide gas moved onto the seed crystal 10 may be grown as a silicon carbide single crystal.

단열재(300)는 도가니(100)를 둘러싸며, 도가니(100)의 상부 공간(110)의 중앙 공간과 대응하는 개구부들을 포함한다. 단열재(300)는 도가니(100)의 상부 공간(110)의 중앙 공간과 대응하여 도가니(100)의 상측 외부 표면을 노출하는 제1 개구부(310) 및 종자정(10)의 중앙 영역과 대응하여 도가니(100)의 하측 외부 표면을 노출하는 제2 개구부(320)를 포함한다.The insulating material 300 surrounds the crucible 100 and includes openings corresponding to the central space of the upper space 110 of the crucible 100. The heat insulating material 300 corresponds to the central area of the upper space 110 of the crucible 100 and the first opening 310 exposing the upper outer surface of the crucible 100 and the central area of the seed crystal 10 And a second opening 320 exposing the lower outer surface of the crucible 100.

가열부(400)는 단열재(300)의 외부인 석영관(500)의 외부에 위치하며, 석영관(500) 및 단열재(300)에 둘러싸인 도가니(100)를 가열한다.The heating unit 400 is located outside the quartz tube 500, which is the outside of the heat insulating material 300, and heats the crucible 100 surrounded by the quartz tube 500 and the heat insulating material 300.

석영관(500)은 도가니(100) 및 단열재(300)를 수용한다. 석영관(500)의 외부에는 가열부(400)가 위치한다.The quartz tube 500 accommodates the crucible 100 and the heat insulating material 300. The heating part 400 is located outside the quartz tube 500.

다공성 흑연판(600)은 도가니(100)의 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치한다. 다공성 흑연판(600)은 종자정(10)을 커버하며, 종자정(10)과 완전히 중첩한다. 다공성 흑연판(600)은 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 통하는 복사열의 적어도 일부를 차단한다. 다공성 흑연판(600)은 도가니(100)의 상부로부터 상부 공간(110)을 통하는 제1 복사열(RH1)의 적어도 일부를 차단하여 제1 복사열(RH1) 대비 낮은 제2 복사열(RH2)이 하부 공간(120)을 통해 종자정(10)의 중앙 영역으로 전달되도록 제어한다.The porous graphite plate 600 is located between the upper space 110 and the lower space 120 of the crucible 100. The porous graphite plate 600 covers the seed crystal 10 and completely overlaps the seed crystal 10. The porous graphite plate 600 blocks at least a portion of radiant heat from the upper space 110 to the lower space 120. The porous graphite plate 600 blocks at least a portion of the first radiant heat RH1 through the upper space 110 from the top of the crucible 100 so that the second radiant heat RH2 lower than the first radiant heat RH1 is lower space It is controlled to be transmitted to the central region of the seed crystal 10 through the (120).

다공성 흑연판(600)은 개기공(open pore) 구조를 가지며, 탄화규소 분말(20)로부터 승화된 탄화규소 가스는 상부 공간(110)으로부터 다공성 흑연판(600)의 개기공을 통해 하부 공간(120)의 종자정(10) 상으로 이동한다.The porous graphite plate 600 has an open pore structure, and the silicon carbide gas sublimated from the silicon carbide powder 20 is lower space (through the open pores of the porous graphite plate 600 from the upper space 110) 120).

다공성 흑연판(600)의 기공률은 10% 이상이다. 일례로, 다공성 흑연판(600)의 기공률은 10% 내지 90%일 수 있다. 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 이동하는 제1 복사열(RH1)의 차단량 및 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 이동하는 탄화규소 분말(20)로부터 승화된 탄화규소 가스의 이동량을 제어하기 위해 다공성 흑연판(600)의 기공률 및 다공성 흑연판(600)의 두께를 조절할 수 있다.The porosity of the porous graphite plate 600 is 10% or more. For example, the porosity of the porous graphite plate 600 may be 10% to 90%. The blocking amount of the first radiant heat RH1 moving from the upper space 110 to the lower space 120 and the silicon carbide gas sublimated from the silicon carbide powder 20 moving from the upper space 110 to the lower space 120 The porosity of the porous graphite plate 600 and the thickness of the porous graphite plate 600 can be adjusted to control the amount of movement of the porous graphite plate 600.

다공성 흑연판(600)이 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 이동하는 제1 복사열(RH1)의 적어도 일부를 차단함으로써, 제1 복사열(RH1) 대비 낮은 제2 복사열(RH2)이 하부 공간(120)의 종자정(10)의 중앙 영역으로 전달되기 때문에, 종자정(10)의 중앙 영역의 온도(Tc)는 종자정(10)의 중앙 영역을 둘러싸는 종자정(10)의 테두리 영역의 온도(Te) 대비 낮다. 이와 같이, 종자정(10)의 온도구배(Tc < Te)에 따라 종자정(10)의 테두리 영역 대비 중앙 영역에서 탄화규소 단결정 성장 속도가 향상되기 때문에, 종자정(10) 상에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정이 성장된다.The porous graphite plate 600 blocks at least a portion of the first radiant heat RH1 moving from the upper space 110 to the lower space 120, so that the second radiant heat RH2 lower than the first radiant heat RH1 is lower Since it is transferred to the central region of the seed crystal 10 in the space 120, the temperature Tc of the central region of the seed crystal 10 is the border of the seed crystal 10 surrounding the central region of the seed crystal 10. It is lower than the temperature (Te) of the zone. As described above, since the growth rate of the silicon carbide single crystal in the center region is increased in the center region compared to the edge region of the seed crystal 10 according to the temperature gradient (Tc <Te) of the seed crystal 10, the center of the seed crystal 10 is convex. Convex-type silicon carbide single crystals are grown.

즉, 도가니(100)의 상측으로부터 종자정(10)으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 다공성 흑연판(600)을 이용해 차단함으로써, 종자정(10) 상에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)가 제공된다.That is, by blocking at least a portion of the radiant heat moving from the upper side of the crucible 100 to the seed crystal 10 using a porous graphite plate 600, the center of the seed crystal 10 is convex-type carbonized by blocking it. A silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 for growing a silicon single crystal is provided.

한편, 다공성 흑연판(600)이 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치하지 않을 경우, 도가니(100)의 상부로부터의 제1 복사열(RH1)이 모두 종자정(10)의 중앙 영역으로 전달되기 때문에, 종자정(10)의 중앙 영역의 온도(Tc)가 종자정(10)의 테두리 영역의 온도(Te) 대비 높게 된다. 이 경우, 종자정(10)의 온도구배(Tc > Te)에 따라 종자정(10)의 중앙 영역 대비 테두리 영역에서 탄화규소 단결정 성장 속도가 향상되기 때문에, 종자정(10) 상에 중앙이 오목한 컨케이브(concave) 타입의 탄화규소 단결정이 성장된다. 중앙이 오목한 컨케이브 타입의 탄화규소 단결정은 중앙이 볼록한 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정 대비 대면적으로 형성되기 어려운 동시에 단결정 성장 시 중앙 부분에 불순물 등이 응집되어 고품질의 탄화규소 단결정으로 성장되기 어려운 문제점이 있다.On the other hand, when the porous graphite plate 600 is not located between the upper space 110 and the lower space 120, the first radiant heat (RH1) from the top of the crucible 100 are all the center of the seed crystal 10 Since it is transferred to the region, the temperature Tc of the central region of the seed crystal 10 becomes higher than the temperature Te of the edge region of the seed crystal 10. In this case, the growth rate of the silicon carbide single crystal in the border region compared to the center region of the seed crystal 10 is improved according to the temperature gradient (Tc> Te) of the seed crystal 10, so that the center of the seed crystal 10 is concave. A concave type silicon carbide single crystal is grown. Concave-type silicon carbide single crystals with a concave center are difficult to form in a larger area than convex-type silicon carbide single crystals with a convex center, and impurities are aggregated in the central portion during single crystal growth, making it difficult to grow into high-quality silicon carbide single crystals. have.

또한, 다공성 흑연판(600)이 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치하지 않을 경우, 도가니(100)의 상부로부터의 제1 복사열(RH1)이 모두 종자정(10)의 중앙 영역으로 전달되기 때문에, 탄화규소 분말(20)이 장입된 분말 받침대(200)와 종자정(10) 사이의 온도 차이를 작게 만들어 탄화규소 단결정의 성장 속도를 저하시키는 문제점이 있다.In addition, when the porous graphite plate 600 is not located between the upper space 110 and the lower space 120, all of the first radiant heat RH1 from the top of the crucible 100 is the center of the seed crystal 10. Since it is transferred to the region, there is a problem in that the temperature difference between the powder pedestal 200 and the seed crystal 10 in which the silicon carbide powder 20 is loaded is made small to decrease the growth rate of the silicon carbide single crystal.

그러나, 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)는 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치하는 다공성 흑연판(600)을 포함함으로써, 대면적 및 고품질의 탄화규소 단결정인 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시킨다.However, the silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 according to an embodiment includes a porous graphite plate 600 positioned between the upper space 110 and the lower space 120, and is a large area and high quality silicon carbide single crystal. Convex type silicon carbide single crystal is grown, and at the same time, the growth rate of silicon carbide single crystal is improved.

즉, 대면적 및 고품질인 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시키는 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)가 제공된다.That is, a silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 is provided that grows a large area and high quality convex type silicon carbide single crystal and improves the growth rate of a silicon carbide single crystal.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for growing a silicon carbide single crystal according to another embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법은 상술한 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치를 이용하여 탄화규소 단결정을 성장시킨다.The silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment uses the silicon carbide single crystal growth apparatus according to the above-described embodiment to grow the silicon carbide single crystal.

도 2는 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법을 나타낸 순서도이다. 도 3은 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a flow chart showing a silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment. 3 is a cross-sectional view for describing a silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment.

도 2 및 도 3을 참조하면, 우선, 탄화규소 단결정 성장 장치의 분말 받침대(200)에 탄화규소 분말(20)을 장입하고, 도가니(100)의 저부에 종자정(10)을 안착한다(S100).2 and 3, first, the silicon carbide powder 20 is charged to the powder pedestal 200 of the silicon carbide single crystal growth apparatus, and the seed crystal 10 is seated at the bottom of the crucible 100 (S100). ).

구체적으로, 도가니(100)의 내부의 상부 공간(110)에 위치하는 분말 받침대(200)에 탄화규소 분말(20)을 장입한다. 그리고 탄화규소로 이루어진 종자정(10)을 마련하고, 종자정(10)을 흑연 받침대 위에 단순히 놓고, 이를 도가니(100) 내부의 하부 공간(120)과 대응하는 저부에 안착한다.Specifically, the silicon carbide powder 20 is charged in the powder pedestal 200 positioned in the upper space 110 inside the crucible 100. Then, a seed crystal 10 made of silicon carbide is prepared, and the seed crystal 10 is simply placed on a graphite pedestal and seated on the bottom corresponding to the lower space 120 inside the crucible 100.

다음, 도가니(100)를 가열한다(S200).Next, the crucible 100 is heated (S200).

구체적으로, 가열부(400)를 이용해 도가니(100)를 가열한다. 1000℃ 미만의 온도와 진공 압력으로 2시간 내지 3시간 동안 도가니(100)를 가열하여 도가니(100)에 포함된 불순물을 제거한다. 이후, 아르곤(Ar) 가스 등의 불활성 가스를 주입하여 도가니(100) 내부 및 도가니(100)와 단열재(300) 사이에 남아있는 공기를 제거한다. 여기서, 불활성 가스를 이용한 퍼징(purging) 공정은 2회 내지 3회 반복할 수 있다.Specifically, the crucible 100 is heated using the heating unit 400. The crucible 100 is heated for 2 to 3 hours at a temperature and vacuum pressure of less than 1000 ° C. to remove impurities contained in the crucible 100. Thereafter, an inert gas such as argon (Ar) gas is injected to remove air remaining inside the crucible 100 and between the crucible 100 and the heat insulating material 300. Here, the purging process using an inert gas may be repeated 2 to 3 times.

이어서, 압력을 대기압으로 높인 후, 가열부(400)를 이용하여 도가니(100)를 2000℃ 내지 2300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정 다형의 발생을 방지하기 위한 것일 수 있다.Subsequently, after raising the pressure to atmospheric pressure, the crucible 100 is heated to a temperature of 2000 ° C to 2300 ° C using the heating unit 400. Here, the reason for maintaining atmospheric pressure may be to prevent the generation of unwanted crystal polymorphism at the beginning of crystal growth.

다음, 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 다공성 흑연판(600)으로 차단한다(S300).Next, at least a portion of the radiant heat moving from the upper space 110 to the lower space 120 is blocked with the porous graphite plate 600 (S300).

구체적으로, 도가니(100)를 2000℃ 내지 2300℃의 온도로 가열할 때, 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치하여 종자정(10)과 중첩하는 다공성 흑연판(600)을 이용해, 도가니(100)의 상부로부터 상부 공간(110)을 통하는 제1 복사열(RH1)의 적어도 일부를 차단하여 제1 복사열(RH1) 대비 낮은 제2 복사열(RH2)을 하부 공간(120)을 통해 종자정(10)의 중앙 영역으로 전달한다.Specifically, when heating the crucible 100 to a temperature of 2000 ° C to 2300 ° C, the porous graphite plate 600 positioned between the upper space 110 and the lower space 120 overlaps the seed crystal 10. By using, by blocking at least a portion of the first radiant heat (RH1) through the upper space 110 from the top of the crucible 100, the second radiant heat (RH2) lower than the first radiant heat (RH1) through the lower space 120 It is transferred to the central region of the seed crystal 10.

다음, 종자정(10)의 표면에 중앙이 볼록한 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시킨다(S400).Next, a convex-type silicon carbide single crystal with a convex center is grown on the surface of the seed crystal 10 (S400).

구체적으로, 먼저 대기압을 유지하며 탄화규소 분말(20)을 성장 온도까지 승온 시킨다. 그리고, 도가니(100) 내부를 1토르(torr) 내지 20토르(torr)로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서, 탄화규소 분말(20)을 승화시켜 종자정(10) 상에 탄화규소 단결정을 성장시킨다.Specifically, first, the atmospheric pressure is maintained and the silicon carbide powder 20 is heated up to the growth temperature. And, while maintaining the pressure inside the crucible 100 to 1 torr (torr) to 20 torr (torr) at a growth pressure, sublimate the silicon carbide powder 20 to grow a silicon carbide single crystal on the seed crystal 10. .

이때, 다공성 흑연판(600)이 상부 공간(110)으로부터 하부 공간(120)으로 이동하는 제1 복사열(RH1)의 적어도 일부를 차단하여, 종자정(10)의 중앙 영역의 온도(Tc)가 종자정(10)의 중앙 영역을 둘러싸는 종자정(10)의 테두리 영역의 온도(Te) 대비 낮기 때문에, 종자정(10)의 온도구배(Tc < Te)에 따라 종자정(10) 상에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정이 성장된다.At this time, the porous graphite plate 600 blocks at least a portion of the first radiant heat RH1 moving from the upper space 110 to the lower space 120, so that the temperature Tc of the central region of the seed crystal 10 is On the seed crystal 10 according to the temperature gradient (Tc <Te) of the seed crystal 10, since it is lower than the temperature Te of the border region of the seed crystal 10 surrounding the central region of the seed crystal 10 A convex-type silicon carbide single crystal with a convex center is grown.

이상과 같이, 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법은, 상부 공간(110)과 하부 공간(120) 사이에 위치하는 다공성 흑연판(600)을 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치(1000)를 이용해 탄화규소 단결정을 성장시킴으로써, 대면적 및 고품질의 탄화규소 단결정인 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시킨다.As described above, the silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment uses a silicon carbide single crystal growth apparatus 1000 including a porous graphite plate 600 positioned between the upper space 110 and the lower space 120. By growing a silicon carbide single crystal, a convex type silicon carbide single crystal, which is a large area and high quality silicon carbide single crystal, is grown, and at the same time, the growth rate of the silicon carbide single crystal is improved.

즉, 대면적 및 고품질인 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 동시에, 탄화규소 단결정의 성장 속도를 향상시키는 탄화규소 단결정 성장 방법이 제공된다.That is, a silicon carbide single crystal growth method is provided that grows a large area and high quality convex type silicon carbide single crystal and improves the growth rate of a silicon carbide single crystal.

이하, 도 4를 참조하여 상술한 일 실시예에 따른 탄화규소 성장 장치의 효과 및 다른 실시예에 따른 탄화규소 성장 방법의 효과를 확인한 실험을 설명한다.Hereinafter, an experiment in which the effect of the silicon carbide growth apparatus according to the above-described embodiment and the effect of the silicon carbide growth method according to another embodiment is confirmed will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 효과 및 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법의 효과를 확인한 실험을 설명하기 위한 사진이다.4 is a photograph for explaining an experiment confirming the effect of the silicon carbide single crystal growth apparatus according to one embodiment and the effect of the silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 실험을 통하여 원료 분말과 종자정 사이에 다공성 흑연판을 삽입하지 않은 상태(종래 기술)와 삽입한 상태(발명 기술)에 따라 동일 조건에서 탄화규소 단결정 성장 실험하여 잉곳(ingot)을 얻었다.Referring to FIG. 4, through the experiment, a silicon carbide single crystal growth experiment was performed under the same conditions according to the state in which the porous graphite plate was not inserted between the raw powder and the seed crystal (prior art) and the inserted state (invention technique), and ingot (ingot) ).

종래 기술로 성장한 잉곳(SC2)은 발명 기술로 성장한 잉곳(SC1) 대비 탄화규소 단결정의 성장 속도(성장량)가 현저히 낮은 동시에 잉곳의 외곽 부분이 잉곳의 중심 부분보다 더 빨리 성장한 컨케이브(concave) 형태를 보이고 있다.The ingot (SC2) grown by the prior art has a significantly lower growth rate (growth) of the silicon carbide single crystal than the ingot (SC1) grown by the invention technology, and at the same time, a concave shape in which the outer portion of the ingot grows faster than the center portion of the ingot. Is showing.

발명 기술로 성장한 잉곳(SC1)은 종래 기술로 성장한 잉곳(SC2) 대비 탄화규소 단결정의 성장 속도(성장량)의 급격히 향상된 동시에 잉곳의 중심 부분이 잉곳의 외곽 부분보다 더 빨리 성장한 컨벡스(convex) 형태를 보이고 있다.The ingot (SC1) grown with the invention technology has a sharp improvement in the growth rate (growth) of silicon carbide single crystals compared to the ingot (SC2) grown with the prior art, and has a convex shape in which the central portion of the ingot grows faster than the outer portion of the ingot. Is showing.

즉, 실험을 통해 상술한 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 효과 및 다른 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 방법의 효과를 확인하였다.That is, through the experiment, the effect of the silicon carbide single crystal growth apparatus according to one embodiment described above and the effect of the silicon carbide single crystal growth method according to another embodiment were confirmed.

본 이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited to this, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of the invention.

도가니(100), 분말 받침대(200), 단열재(300), 가열부(400), 다공성 흑연판(600)Crucible 100, powder pedestal 200, heat insulator 300, heating part 400, porous graphite plate 600

Claims (8)

내부에 위치하는 상부 공간 및 하부 공간을 포함하며, 상기 하부 공간에 대응하는 저부에 종자정이 안착되는 도가니;
상기 도가니의 상기 상부 공간에 위치하여 탄화규소 분말이 장입되며, 상기 종자정의 중앙 영역과 대응하는 상기 상부 공간의 중앙 공간을 둘러싸는 분말 받침대;
상기 도가니를 둘러싸며, 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하는 개구부들을 포함하는 단열재;
상기 단열재의 외부에 위치하며, 상기 도가니를 가열하는 가열부; 및
상기 도가니의 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 위치하며, 상기 종자정과 중첩하는 다공성 흑연판
을 포함하며,
상기 다공성 흑연판은 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간으로부터 상기 하부 공간으로 이동하는 복사열의 일부를 차단하며,
상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도는 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮은 탄화규소 단결정 성장 장치.A crucible including an upper space and a lower space located inside, and having a seed crystal seated at a bottom portion corresponding to the lower space;
A powder pedestal positioned in the upper space of the crucible, into which silicon carbide powder is charged, and surrounding the central space of the upper space corresponding to the central region of the seed crystal;
An insulating material surrounding the crucible and including openings corresponding to the central space of the upper space;
A heating unit located outside the heat insulating material and heating the crucible; And
A porous graphite plate located between the upper space and the lower space of the crucible and overlapping the seed crystal
It includes,
The porous graphite plate blocks a portion of radiant heat moving from the central space of the upper space to the lower space,
The temperature of the central region of the seed crystal is lower than the temperature of the edge region of the seed crystal surrounding the central region of the seed crystal silicon carbide single crystal growth apparatus. 제1항에서,
상기 하부 공간은 상기 저부와 상기 저부와 이웃하는 경사진 측벽에 의해 정의되는 탄화규소 단결정 성장 장치.In claim 1,
The lower space is a silicon carbide single crystal growth apparatus defined by the bottom and an inclined side wall adjacent to the bottom. 제1항에서,
상기 다공성 흑연판은 개기공(open pore) 구조를 가지는 탄화규소 단결정 성장 장치.In claim 1,
The porous graphite plate is a silicon carbide single crystal growth apparatus having an open pore (open pore) structure. 제1항에서,
상기 다공성 흑연판의 기공률은 10% 이상인 탄화규소 단결정 성장 장치.In claim 1,
Porosity of the porous graphite plate is a silicon carbide single crystal growth apparatus of 10% or more. 제1항에서,
상기 도가니를 수용하는 석영관을 더 포함하며,
상기 가열부는 상기 석영관 외부에 위치하는 탄화규소 단결정 성장 장치.In claim 1,
Further comprising a quartz tube for receiving the crucible,
The heating unit is a silicon carbide single crystal growth device located outside the quartz tube. 제1항에서,
상기 단열재의 상기 개구부들은,
상기 도가니의 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하여 상기 도가니의 상측 외부 표면을 노출하는 제1 개구부; 및
상기 종자정의 상기 중앙 영역과 대응하여 상기 도가니의 하측 외부 표면을 노출하는 제2 개구부
를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치.In claim 1,
The openings of the heat insulating material,
A first opening exposing an upper outer surface of the crucible corresponding to the central space of the upper space of the crucible; And
A second opening exposing a lower outer surface of the crucible corresponding to the central region of the seed crystal
Silicon carbide single crystal growth apparatus comprising a. 제1항에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 상기 분말 받침대에 상기 탄화규소 분말을 장입하고, 상기 도가니의 상기 저부에 상기 종자정을 안착하는 단계;
상기 도가니를 가열하는 단계;
상기 상부 공간으로부터 상기 하부 공간으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 상기 다공성 흑연판으로 차단하는 단계; 및
상기 종자정의 표면에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계
를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 방법.Charging the silicon carbide powder to the powder support of the silicon carbide single crystal growth apparatus according to claim 1, and seating the seed crystals at the bottom of the crucible;
Heating the crucible;
Blocking at least a portion of radiant heat moving from the upper space to the lower space with the porous graphite plate; And
Growing a convex-type silicon carbide single crystal with a convex center on the surface of the seed crystal;
Silicon carbide single crystal growth method comprising a. 제7항에서,
상기 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는 상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도가 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮도록 수행하는 탄화규소 단결정 성장 방법.In claim 7,
The step of growing the convex type silicon carbide single crystal is a silicon carbide single crystal growth method in which the temperature of the central region of the seed crystal is lower than the temperature of the edge region of the seed crystal surrounding the central region of the seed crystal.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112831840B (en) * 2020-12-30 2022-05-10 湖南三安半导体有限责任公司 Single crystal growing device
CN112877772A (en) * 2021-01-13 2021-06-01 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 Method for efficiently growing low-stress silicon carbide single crystals
CN113337886A (en) * 2021-06-04 2021-09-03 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 Thermal field device and method for high-quality single crystal growth by PVT (physical vapor transport) method
WO2023236025A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-14 眉山博雅新材料股份有限公司 Crystal preparation apparatus and crystal preparation method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200368827Y1 (en) 2004-05-17 2004-12-03 구갑렬 Crucible with inner tube and convex lid for sublimation growth of SiC single crystal
KR100798810B1 (en) 2006-02-27 2008-01-28 네오세미테크 주식회사 Growing device for SiC single crystal growth
KR101619610B1 (en) * 2014-09-18 2016-05-11 주식회사 포스코 Apparatus and method for growing large diameter single crystal

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2851456A1 (en) * 2012-04-20 2015-03-25 II-VI Incorporated Large Diameter, High Quality SiC Single Crystals, Method and Apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200368827Y1 (en) 2004-05-17 2004-12-03 구갑렬 Crucible with inner tube and convex lid for sublimation growth of SiC single crystal
KR100798810B1 (en) 2006-02-27 2008-01-28 네오세미테크 주식회사 Growing device for SiC single crystal growth
KR101619610B1 (en) * 2014-09-18 2016-05-11 주식회사 포스코 Apparatus and method for growing large diameter single crystal

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