KR102106839B1 - 집진 장치 및 집진 방법 - Google Patents

Abstract

실시 형태는, 집진 장치 및 집진 방법에 관한 것이다.
실시 형태의 집진 장치는, 제1 면에 제1 전극의 이면이 배치되는 본체와, 상기 제1 전극 및 상기 본체의 착탈을 제어하는 고정부와, 상기 제1 전극에 전압을 전송하는 제2 전극과, 상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍을 제어하는 제어 기판을 구비한다.

Description

집진 장치 및 집진 방법{DUST COLLECTING APPARATUS AND METHOD}

실시 형태는, 집진 장치 및 집진 방법에 관한 것이다.

근년의 반도체 장치의 고집적화 및 대용량화에 수반하여, 반도체 장치에 요구되는 회로선 폭은 점점 미소해지고 있다. 반도체 장치에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 리소그래피 기술이 사용되고 있다. 이 리소그래피 기술에서는, 마스크(레티클)라고 칭해지는 원화 패턴을 사용한 패턴 전사가 행하여지고 있다. 이 패턴 전사에 사용하는 고정밀도의 마스크를 제조하기 위해서는, 우수한 해상도를 갖는 하전 입자 빔 묘화 장치가 사용되고 있다.

이 하전 입자 빔 묘화 장치에서는, 마스크나 블랭크 등의 시료가 적재되는 스테이지를 수용하는 묘화실, 시료 반송용의 로봇 장치를 수용하는 로봇실, 시료 반출입용의 로드 로크실 등이 마련되어 있고, 그러한 실내는 통상 진공 상태로 유지되어 있다. 시료는 로봇 장치에 의해 로드 로크실로부터 로봇실을 개재하여 묘화실에 반입되고, 묘화 후에 묘화실로부터 반출되어서 로봇실을 거쳐서 로드 로크실로 복귀된다. 패턴의 묘화 시에는, 시료가 적재된 스테이지를 이동시키면서, 스테이지 상의 시료의 소정 위치에 하전 입자 빔을 편향되게 조사하여, 스테이지 상의 시료에 패턴을 묘화한다.

하전 입자 빔 묘화 장치 내에는, 여러가지의 이유에 의해, 티끌(예를 들어, 티끌 등의 불순물)이 존재하는 경우가 있다. 이와 같이, 하전 입자 빔 묘화 장치 내에 티끌이 존재하면, 시료의 반송 중이나, 묘화 시 등에 티끌이 시료에 부착되는 경우가 있다. 예를 들어, 묘화전에 티끌이 시료에 부착되어 있으면, 그 티끌에 의해 묘화 불량이 발생해버린다. 이와 같이 티끌의 부착은 시료 품질, 즉 제품 품질을 저하시키는 요인이 되고 있고, 티끌의 부착에 의한 제품 품질의 저하를 억제할 것이 요구되고 있다. 다른 한편, 장치 내의 티끌을 클리닝하기 위해서는 진공을 깨서 장치 내의 기구를 클리닝할 필요가 있다. 그러나, 하전 입자 빔 묘화 장치 내를 진공화하기 위해서는, 많은 시간이 필요하다. 또한, 하전 입자 빔 묘화 장치 내를 진공화한 후, 하전 입자 빔 묘화 장치 내의 전자 광학계의 조정도 필요해진다. 그 때문에, 하전 입자 빔 묘화 장치를 가동되지 못하는 시간(다운 타임)이 길어져버린다. 다운 타임에 기인하여 수율이 저하되어버릴 가능성이 있다. 수율이 저하됨으로써, 마스크의 제조에 드는 비용이 증대되어버릴 가능성이 있다. 이 때문에, 티끌 기인의 장치 다운 타임 발생을 저감할 것이 요구되고 있다.

실시 형태는, 티끌의 부착에 의한 제품 품질의 저하를 억제할 수 있는 집진 장치 및 집진 방법을 제공한다.

실시 형태의 집진 장치는, 제1 면에 제1 전극의 이면이 배치되는 본체와, 상기 제1 전극 및 상기 본체의 착탈을 제어하는 고정부와, 상기 제1 전극에 전압을 전송하는 제2 전극과, 상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍을 제어하는 제어 기판을 구비한다.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 집진 장치의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 S1 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다.
도 3은, 제1 실시 형태에 따른 집진 장치가 반송되는 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성을 모식적으로 도시한 개략도이다.
도 4는, 집진 장치의 동작예이고, 고전압 발생부가 교환 가능 전극에 인가하는 전압과, 시간의 관계를 도시한 도면이다.
도 5는, 제2 실시 형태에 따른 집진 장치의 사시도이다.
도 6은, 도 5의 S2 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다.
도 7은, 도 1의 S1 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다.
도 8은, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치가 반송되는 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성을 모식적으로 도시한 개략도이다.
도 9는, 도 5의 S2 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다.
도 10은, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치가 반송되는 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성을 모식적으로 도시한 개략도이다.

이하, 실시 형태의 상세를 도면을 참조하여 설명한다. 이 설명 시에, 전체 도면에 걸쳐, 공통되는 부분에는 공통되는 참조 부호를 붙인다.

도면은 모식적인 것이며, 두께와 평면 치수와의 관계, 각 층의 두께 비율 등은 현실의 것과는 상이하다는 것에 유의해야 한다. 따라서, 구체적인 두께나 치수는 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한, 도면 상호 간에 있어서도 서로의 치수 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있음은 물론이다.

각 기능 블록은, 하드 웨어, 컴퓨터 소프트웨어의 어느 것 또는 양자의 조합으로서 실현할 수 있다. 이 때문에, 각 블록은, 이들의 어느 것이기도 한 것이 명확해지도록, 대체로 그것들의 기능의 관점에서 이하에 설명한다. 이러한 기능이, 하드웨어로서 실행되느냐, 또는 소프트웨어로서 실행되느냐는, 구체적인 실시 양태 또는 시스템 전체에 부과되는 설계 제약에 의존한다. 당업자는, 구체적인 실시 양태마다, 다양한 방법으로 이들 기능을 실현할 수 있지만, 그러한 실현을 결정하는 것은 본 발명의 범주에 포함되는 것이다.

이하, 각 실시 형태에서는, 클리닝 대상 장치인 반도체 제조 장치(하전 입자 빔 묘화 장치) 내의 티끌을 클리닝(제거)하는 집진 장치에 대하여 설명한다.

<1> 제1 실시 형태

<1-1> 구성

<1-1-1> 집진 장치

도 1 및 도 2를 사용하여, 제1 실시 형태에 따른 집진 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 집진 장치의 사시도이다. 도 2는, 도 1의 S1 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다. 또한, 도 2는 집진 장치의 일부를 기능 블록으로서 표현하고 있다.

집진 장치(100)의 구성에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 집진 장치(100)는, 본체(101)의 제1 면(D1 방향 및 D2 방향을 포함하는 평면) 상에, 교환 가능 전극(집진부)(110)의 이면이 배치된다. 그리고, 집진 장치(100)의 제1 면에 마련되는 전극(130) 및 고정부(140)(토대부(141), 지지부(142))에 의해, 교환 가능 전극(110)이 본체(101)의 제1 면에 기계적으로 고정된다. 고정부(140)는, 제1 면의 단부에 배치되는 토대부(141)와, 토대부(141)에 접속되고, 교환 가능 전극(110) 표면(이면에 대향하는 면)을 지지하는 지지부(142)를 구비한다. 지지부(142)는 제1 지지부(142a)와, 제2 지지부(142b)를 구비하고 있다. 제1 지지부(142a)는, 예를 들어 교환 가능 전극(110)이 배치되는 영역을 따른 판상의 구조이고, 일단부가 토대부(141)에 고정되어 있다. 제2 지지부(142b)는, 예를 들어 상자 형상의 구조이고, 제1 지지부(142a)의 타단부에 마련된다. 제1 지지부(142a)는, 예를 들어 판 스프링이고, 힘을 가함으로써 변형되고, 힘을 제거하면 원래로 돌아가는 성질을 갖고 있다. 제1 지지부(142a)에 힘이 가해지지 않고 있는 상태에 있어서는, 제2 지지부(142b)는 본체(101)의 제1 면 상에, 교환 가능 전극(110)을 고정하도록 배치된다. 본체(101)의 제1 면 상에, 교환 가능 전극(110)을 고정하는 경우에는, 제1 지지부(142a)에 힘을 가하여 제2 지지부(142b)를 교환 가능 전극(110)이 배치되는 영역으로부터 어긋나게 함으로써 가능하게 된다. 즉, 지지부(142)를 가동시킴으로써 교환 가능 전극(110)을 본체(101)의 제1 면에 대하여 착탈하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본체(101)의 제1 면의 외형은, 예를 들어 묘화되는 시료와 거의 동일하다. 즉, 집진 장치(100)의 D1 방향 및 D2 방향에 평행한 면의 외형은, 묘화되는 시료와 거의 동일하다. 또한, 도 1에서는, 2개의 전극(130) 및 2개의 고정부(140)에 의해, 교환 가능 전극(110)이 본체(101)의 제1 면에 고정되지만 이것에 제한하지 않는다. 즉, 전극(130)의 수와, 고정부(140)의 수는 적절히 변경 가능하다.

교환 가능 전극(110)은 도전성의 기판이고, 일례로서는, 묘화되는 시료와 거의 동일한 형상으로 가공된 실리콘 기판이다. 그리고, 교환 가능 전극(110)은 전극(130)을 개재하여 전압이 인가됨으로써, 교환 가능 전극(110)이 대전된다. 대전 상태의 교환 가능 전극(110)과 티끌 사이에는, 서로 끌어당기는 정전기력이 작용하게 된다. 이에 의해, 교환 가능 전극(110)의 표면(이면과 대향하는 면) 상에 티끌이 흡착된다. 또한, 대전 상태의 교환 가능 전극(110)의 표면에는 전위가 유지되기 때문에, 교환 가능 전극(110)의 표면에 흡착한 티끌은 정전기력에 의해 교환 가능 전극(110)의 표면에 흡착된 상태로 된다.

도 2에 도시한 바와 같이, 본체(101)는 제어 기판(120)을 구비하고 있다. 제어 기판(120)에는 회로가 형성되어 있고, 제어 기판(120)은 회로로부터 실현되는 제어부(121)와, 메모리(122)와, 전원(123)과, 고전압 발생부(124)와, 모니터부(125)와, 타이머(126)를 구비하고 있다.

제어부(121)는 메모리(122)와, 전원(123)과, 고전압 발생부(124)와, 모니터부(125)와, 타이머(126)를 제어한다.

메모리(122)는 여러가지의 정보를 기억하고 있다. 메모리(122)에 기억되는 정보의 일례로서는, 고전압 발생부(124)에 전압을 생성시키는 위한 설정 정보, 방전에 관한 정보 등이다. 메모리(122)는, 예를 들어 불휘발성의 기억 장치이다. 집진 장치의 유저는, 메모리(122)에, 원하는 설정 정보를 기록할 수 있다. 또한, 메모리(122)는 집진 장치(100)의 동작 사이의, 집진 장치(100)에 있어서의 여러가지의 물리량을 기억한다. 유저는 메모리(122)를 개재하여 물리량을 참조함으로써, 예를 들어 교환 가능 전극(110)에 의한 방전의 유무나, 교환 가능 전극(110)에 의한 방전 횟수의 확인을 행하는 것이 가능하다.

전원(123)은, 집진 장치(100)의 각 구성을 동작시키기 위하여 필요한 전원이다. 전원(123)은, 예를 들어 전지 등이다.

고전압 발생부(124)는, 전원(123)으로부터 공급되는 전원에 기초하여 고전압을 생성하고, 전극(130)에 공급한다. 전극(130)이 고전압 발생부(124)로부터의 전압을 전송함으로써, 교환 가능 전극(110)이 대전하고, 교환 가능 전극(110)에 티끌이 흡착된다. 고전압 발생부(124)는, 예를 들어 코크로프트 월턴 회로나, 압전 트랜스를 사용한 승압 회로이다.

모니터부(125)는, 고전압 발생부(124)로부터의 전압의 출력, 및 집진 장치(100)를 흐르는 전류를 모니터한다. 모니터부(125)는, 전류의 값을 예를 들어 메모리(122)에 기억되어 있는 방전 판정용 전류값과 비교한다. 그리고, 모니터부(125)가 방전 판정용 전류값을 초과하여 전류가 흐르고 있다고 판정하는 경우, 모니터부(125)는 제어부(121)를 개재하여, 고전압 발생부(124)에 의한 전압 생성을 정지시킨다. 이에 의해, 방전을 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 여기에서는 제어부(121)와, 모니터부(125)는 다른 구성으로서 설명하고 있지만, 하드웨어로서는 일체로 되어 있어도 된다.

타이머(126)는, 제어부(121)의 명령에 응답하여 계시한다. 그리고, 제어부(121)는, 타이머(126)에 의해 계시된 시각에 기초하여, 고전압 발생부(124)에 의한 전압 생성을 제어한다.

또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 본체(101)의 제1 면에 대향하는 제2 면에는, 접지부(150)가 마련되어 있다. 접지부(150)는, 집진 장치(100)가 반입되는 장치(예를 들어, 하전 입자 빔 묘화 장치) 내의 접지부에 접속된다. 이에 의해, 집진 장치(100)는 접지부(150)를 개재하여 집진 장치(100)가 반입되는 장치의 접지 전압을 공유하는 것이 가능하게 된다. 접지부(150)를 개재하여 얻어진 집진 장치(100)가 반입되는 장치의 접지 전압은 고전압 발생부(124)에 공유된다. 그 때문에, 고전압 발생부(124)는, 집진 장치(100)가 반입되는 장치의 접지 전압을 기준으로 전압을 생성하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 교환 가능 전극(110)은 소정의 전위로 대전되어, 클리닝을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본체(101)의 제2 면에 배치되는 접지부(150)의 수는 적절히 변경 가능하다.

<1-1-2> 하전 입자 빔 묘화 장치

상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 집진 장치는, 예를 들어 하전 입자 빔 묘화 장치로 반송된다. 여기서, 도 3을 사용하여, 본 실시 형태에 따른 집진 장치가 반송되는 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은, 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성을 모식적으로 도시한 개략도이다. 이 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔으로서 예를 들어 전자 빔을 사용한 가변 성형형의 묘화 장치의 일례이다. 또한, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정되는 것은 아니고, 프로세스 장치 등의 일반적인 반도체 제조 장치여도 된다.

도 3에 도시한 바와 같이, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는, 묘화 대상으로 되는 시료 W를 지지하는 스테이지(2a)를 수용하는 묘화실(2)과, 스테이지(2a) 상의 시료 W에 전자 빔 B를 조사하는 광학 경통(3)과, 시료 W 반송용의 로봇 장치(4a)를 수용하는 로봇 실(4)과, 시료 W 반출입용의 로드 로크실(5)과, 각 부를 제어하는 제어 장치(6)를 구비하고 있다. 또한, 묘화실(2), 광학 경통(3) 및 로봇실(4)의 내부는 통상 진공 상태로 유지되어 있다. 또한, 묘화실(2)과 로봇실(4) 사이에는 게이트 밸브(11)가 마련되어 있고, 로봇실(4)과 로드 로크실(5) 사이에는 게이트 밸브(12)가 마련되어 있다.

묘화실(2)은 묘화 대상으로 되는 시료 W가 놓이는 스테이지(2a)를 수용하는 묘화 챔버이다. 묘화 챔버는 기밀성을 갖고 있고, 진공 챔버로서 기능한다. 이 묘화실(2) 내의 스테이지(2a)는 수평면 내에서 서로 직교하는 X축 방향과 Y축 방향으로 이동 기구에 의해 이동 가능하게 형성되어 있다. 스테이지(2a)의 적재면 상에는, 예를 들어 마스크 등의 시료 W가 적재된다.

광학 경통(3)은, 묘화실(2)의 상방에 마련되고, 그 묘화실(2)의 내부에 연결되는 경통이다. 광학 경통(3)은 전자 빔 B를 하전 입자 광학계에 의해 성형 및 편향되고, 묘화실(2) 내의 스테이지(2a) 상의 시료 W에 대하여 조사한다. 이 광학 경통(3)은 전자 빔 B를 출사하는 전자총 등의 빔 출사부(21)와, 그 전자 빔 B를 집광하는 조명 렌즈(22)와, 빔 성형용의 제1 애퍼쳐(23)와, 투영용의 투영 렌즈(24)와, 빔 성형용의 성형 편향기(25)와, 빔 성형용의 제2 애퍼쳐(26)와, 시료 W 상에 빔 초점을 연결하는 대물 렌즈(27)와, 시료 W에 대한 빔 샷 위치를 제어하기 위한 부편향기(28) 및 주편향기(29)를 구비하고 있다.

이 광학 경통(3)에서는, 전자 빔 B가 빔 출사부(21)로부터 출사되고, 조명 렌즈(22)에 의해 제1 애퍼쳐(23)에 조사된다. 이 제1 애퍼쳐(23)는 예를 들어 직사각 형상의 개구를 갖고 있다. 이에 의해, 전자 빔 B가 제1 애퍼쳐(23)를 통과하면, 그 전자 빔의 단면 형상은 직사각 형상으로 성형되고, 투영 렌즈(24)에 의해 제2 애퍼쳐(26)에 투영된다. 또한, 성형 편향기(25)는, 이 투영 위치를 편향하는 것이 가능하다. 성형 편향기(25)는, 투영 위치를 변경함으로써 전자 빔 B의 형상과 치수를 제어할 수 있다. 그 후, 제2 애퍼쳐(26)를 통과한 전자 빔 B는, 그 초점이 대물 렌즈(27)에 의해 스테이지(2a) 상의 시료 W에 합쳐져서 조사된다. 이때, 부편향기(28) 및 주편향기(29)는, 스테이지(2a) 상의 시료 W에 대한 전자 빔 B의 샷 위치를 편향시키는 것이 가능하다.

로봇실(4)은, 묘화실(2)에 인접하는 위치에 마련되고, 게이트 밸브(11)를 개재하여 그 인접하는 묘화실(2)에 접속되어 있다. 이 로봇실(4)은 기밀성을 갖고 있고, 시료 W를 반송하는 로봇 장치(4a)를 수용하는 진공 챔버(반송실)로서 기능한다. 또한, 로봇 장치(4a)는 시료 W를 유지하여 이동시키는 로봇 핸드(31) 및 로봇 암(32)을 갖고 있고, 인접하는 각 실 사이에서의 시료 W의 반송을 행하는 반송 장치로서 기능한다.

이 로봇실(4)에는, 시료 W의 위치 결정을 행하기 위한 얼라인먼트실(도시하지 않음)이나 시료 W에 접지체(기판 커버)를 세팅하기 위한 세팅실(도시하지 않음) 등이 각각 접속되어 있다. 또한, 접지체는, 시료 W의 상면 주연부를 덮는 프레임상(프레임상)의 프레임이나 복수개의 접지 핀을 갖는 것이다. 이 접지체는, 시료 W의 상면에 세팅된 상태에서, 묘화 중에 시료 W의 주연부 근방에서 산란한 전자를 포착하여 시료 주연부에서의 대전을 방지한다.

로드 로크실(5)은, 로봇실(4)에 인접하는 위치이며 묘화실(2)측과 반대측의 위치에 마련되고, 게이트 밸브(12)를 개재하여 로봇실(4)에 접속되어 있다. 이 로드 로크실(5)은 기밀성을 갖고 있으며, 시료 W 대기용의 공간을 제공하는 진공 챔버로서 기능한다. 로드 로크실(5) 내의 압력은 묘화실(2), 광학 경통(3)이나 로봇실(4)과 동일 정도의 진공압과 대기압에 제어된다. 즉, 로드 로크실(5)을 이용하여 시료 W가 놓여 있는 분위기를 진공 분위기와 대기 분위기로 전환하는 것이 가능하다. 이 로드 로크실(5)에 의해 묘화실(2)이나 광학 경통(3), 로봇실(4)의 대기 개방이 방지되고 있고, 그것들의 내부는 진공 상태로 유지되고 있다.

제어 장치(6)는, 묘화에 관한 각 부를 제어하는 묘화 제어부(6a)와, 시스템 전체를 제어하는 시스템 제어부(6b)를 구비하고 있다. 또한, 전자 빔 B에 의한 묘화를 행할 때에는, 묘화용의 샷 데이터가 묘화 제어부(6a)에 입력된다. 이 샷 데이터는, 묘화 데이터에 의해 규정되는 묘화 패턴이 복수의 스트라이프 영역(긴 변 방향이 X축 방향이고, 짧은 변 방향이 Y축 방향임)으로 분할되고, 또한, 각 스트라이프 영역이 행렬상의 다수의 서브 영역으로 분할된 데이터이다.

묘화 제어부(6a)는, 스테이지(2a) 상의 시료 W에 묘화 패턴을 묘화할 때, 스테이지(2a)를 스트라이프 영역의 긴 변 방향(X축 방향)으로 이동시키면서, 샷 데이터에 기초하여 전자 빔 B를 주편향기(29)에 의해 각서브 영역에 위치 결정하고, 부편향기(28)에 의해 서브 영역의 소정 위치에 샷하여 도형을 묘화한다. 그 후, 하나의 스트라이프 영역의 묘화가 완료되면, 스테이지(2a)를 Y축 방향으로 스텝 이동시키고 나서 다음 스트라이프 영역의 묘화를 행하고, 이것을 반복하여 시료 W의 묘화 영역의 전체에 전자 빔 B에 의한 묘화를 행한다(묘화 동작의 일례).

시스템 제어부(6b)는 묘화 제어부(6a)에 가하여, 로봇 장치(4a) 등을 제어한다. 예를 들어, 시스템 제어부(6b)는 묘화 제어부(6a)에 대하여 묘화 개시 지시나 샷 데이터 등을 송신하거나, 로봇 장치(4a)에 의한 시료 W의 반송을 위한 전압 공급 등을 제어하거나 한다.

상술한 바와 같이, 집진 장치(100)의 외형과, 시료 W의 외형은 대략 동일하다. 그 때문에, 집진 장치(100)는, 시료 W와 동일하게 하전 입자 빔 묘화 장치(1)로 반입 또는, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)로부터 반출될 수 있다. 집진 장치(100)는, 묘화실(2) 내, 로봇실(4) 내, 로드 로크실(5), 얼라인먼트실(도시하지 않음) 및 세팅실(도시하지 않음) 내 등으로 반송될 수 있다. 그리고, 각 실 내로 반송되는 집진 장치(100)는, 접지부(150)에서 각 실 내의 접지부에 접속된다. 이에 의해, 집진 장치(100)는, 각 실의 접지 전압을 공유하는 것이 가능하게 된다. 또한, 집진 장치(100)는, 접지부(150)를 개재하여 로봇 장치(4a)에 접지되어도 된다. 이에 의해, 집진 장치(100)는 반송 중이어도 클리닝을 행할 수 있다.

<1-2> 동작

<1-2-1> 하전 입자 빔 묘화 장치의 동작

집진 장치의 동작을 설명하기 전에, 하전 입자 빔 묘화 장치의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 시료 W가 로드 로크실(5)에 투입되어, 로드 로크실(5)이 대기 상태로부터 감압에 의해 진공 상태로 된다. 로드 로크실(5)이 진공 상태가 되면, 게이트 밸브(12)이 열리고, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 로드 로크실(5)로부터 로봇실(4)에 연결되는 얼라인먼트실로 반송되고, 그 후, 게이트 밸브(12)가 폐쇄된다. 얼라인먼트실 내에서 시료 W의 위치 결정이 완료되면, 시료 W 상에 접지체를 세팅할 필요가 없는 경우(예를 들어, 전술한 시료 주변부에서의 대전이 문제가 되지 않을 경우)에는, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 얼라인먼트실로부터 반출되어, 게이트 밸브(11)가 열려서 묘화실(2) 내의 스테이지(2a) 상으로 반송되고, 그 후, 게이트 밸브(11)가 폐쇄된다. 한편, 시료 W 상에 접지체를 세팅할 필요가 있는 경우에는, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 얼라인먼트실로부터 로봇실(4)로 연결되는 세팅실로 반송된다. 세팅실 내에서 시료 W에 접지체가 세팅되면, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 접지체와 함께 세팅실로부터 반출되어, 게이트 밸브(11)가 열려서 묘화실(2) 내의 스테이지(2a) 상으로 반송되고, 그 후, 게이트 밸브(11)가 폐쇄된다. 이와 같이 하여 스테이지(2a) 상에 시료 W가 놓이면, 전자 빔 B에 의한 묘화가 행하여진다.

이어서, 전자 빔 B에 의한 묘화가 완료되면, 게이트 밸브(11)가 열리고, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 묘화실(2)로부터 반출되어서 로봇실(4)로 반송되고, 그 후, 게이트 밸브(11)가 폐쇄된다. 이어서, 접지체가 시료 W 상에 세팅되어 있지 않은 경우에는, 게이트 밸브(12)가 열리고, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 로봇실(4)로부터 로드 로크실(5)로 반송되고, 마지막으로, 게이트 밸브(12)이 폐쇄된다. 한편, 시료 W 상에 접지체가 세팅되어 있는 경우에는, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 로봇실(4)에 연결되는 세팅실에 반송된다. 그 세팅실 내에서 시료 W로부터 접지체가 제거되면, 게이트 밸브(12)가 열리고, 로봇 장치(4a)에 의해 시료 W가 세팅실로부터 로드 로크실(5)로 반송되어, 마지막으로, 게이트 밸브(12)가 폐쇄된다.

이러한 시료 W의 반송 공정에 따라서 반송 경로 A1이 생기게 되고, 이 반송 경로 A1은 기본적으로 동일한 수평면 내에 존재한다. 예를 들어, 반송 경로 A1에 따라 집진 장치(100)가 반송된다.

각 집진 장치(100)는, 각 실 내에 존재하는 티끌이나, 전자 빔 B에 의한 묘화에 의해 발생한 티끌 등을 정전기에 의해 흡착한다.

집진 장치(100)는, 묘화실(2) 및 로봇실(4) 내를 진공 상태로 유지한 상태에서, 티끌을 클리닝하는 것이 가능하게 되어 있다.

또한, 티끌로서는, 예를 들어 10㎛ 이하의 파티클 등이다. 이 파티클 성분의 일례로서는, 금속과 비금속(예를 들어, 카본 등)의 성분을 들 수 있다.

<1-2-2> 집진 장치의 동작예

집진 장치의 동작예를 설명하기 전에, 집진 장치에 의한 방전에 대하여 설명한다. 교환 가능 전극(110)을 대전한 채, 대기화된 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에 집진 장치(100)를 반송하여 진공화를 하는 경우, 집진 장치(100)가 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에서 진공 방전을 일으켜버릴 가능성이 있다. 또한, 교환 가능 전극(110)을 대전한 채, 집진 장치(100)의 반송 중에 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 각 실의 벽면 등(구조물)과, 교환 가능 전극(110)이 접근한 경우, 집진 장치(100)가 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에서 진공 방전을 일으켜버릴 가능성이 있다. 그 결과, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 부품이나, 집진 장치(100)에 대미지를 끼쳐버릴 가능성이 있다.

그래서, 상술한 가능성을 해소하기 위해서, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는, 교환 가능 전극(110)에 인가하는 전압, 또는 전압을 인가하는 타이밍 등을 임의로 결정한다.

이하에, 도 4를 사용하여, 집진 장치(100)의 동작예를 설명한다. 도 4는, 집진 장치(100)의 동작예이고, 고전압 발생부(124)가 교환 가능 전극(110)에 인가하는 전압과, 시간의 관계를 도시한 도면이다. 도 4에서는, 집진 장치(100)가 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에 반입되는 경우에 있어서의 동작에 대하여 설명한다. 또한, 도 4에 도시하는 동작예는 어디까지나 일례이며, 전압의 인가 타이밍이나, 전압값 등은 유저가 임의로 설정할 수 있다. 이 설정은, 예를 들어 메모리(122)에 기억되게 된다.

[시각 T0 내지 시각 T1]

도 4에 도시하는 시각 T0 내지 시각 T1 사이에 있어서, 상술한 바와 같이, 집진 장치(100)는, 시료 W와 동일한 방법으로, 클리닝의 대상이 되는 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에 반입된다. 예를 들어 메모리(122)에는, 시각 T0 내지 시각 T1 사이에는 전압 인가 금지라고 하는 정보(시각 및 전압값)가 기억되어 있다. 또한, 시각 T0 내지 시각 T1의 기간은, 집진 장치(100)의 반송 중에, 압력 변화나 하전 입자 빔 묘화 장치(1)와의 접근에 의해, 방전되어버리는 사고를 피하기 위하여 설정한 기간이다.

[시각 T1 내지 시각 T2]

예를 들어 메모리(122)에는, 시각 T1 내지 시각 T2 사이에 전압 V3을 인가한다는 정보(시각 및 전압값)가 기억되어 있다. 타이머(126)의 계시에 기초하여, 제어부(121)가 시각 T1이 되었다고 판단하면, 고전압 발생부(124)에서, 전압 V3을 발생시킨다. 이에 의해, 전압 V3이 전극(130)에 공급되어, 교환 가능 전극(110)이 대전된다. 그 결과, 교환 가능 전극(110)의 표면에 티끌이 흡착된다.

[시각 T2 내지 시각 T3]

집진 장치(100)가, 예를 들어 게이트 밸브 등이라는, 집진 장치(100)와 구조물이 접근하는 영역을 통과하는 경우에 있어서는, 교환 가능 전극(110)으로의 전압 공급을 멈추는 것이 바람직하다.

예를 들어 메모리(122)에는, 시각 T2 내지 시각 T3 사이에는 전압 인가 금지라고 하는 정보(시각 및 전압값)가 기억되어 있다. 타이머(126)의 계시에 기초하여, 제어부(121)가 시각 T2가 되었다고 판단하면, 고전압 발생부(124)로부터, 전극(130)으로의 전압의 공급을 스톱한다. 이에 의해, 교환 가능 전극(110)으로부터의 방전을 억제할 수 있다.

[시각 T3 내지 시각 T4]

집진 장치(100)가, 절연 성능이 저하되는 진공도의 영역에 반입되는 경우에는, 교환 가능 전극(110)으로의 전압 공급을 적절하게 하는 것이 바람직하다.

예를 들어 메모리(122)에는, 시각 T3 내지 시각 T4 사이에 전압 V1(V1<V3)을 인가한다는 정보(시각 및 전압값)가 기억되어 있다. 타이머(126)의 계시에 기초하여, 제어부(121)가 시각 T3이 되었다고 판단하면, 고전압 발생부(124)에서, 전압 V1을 발생시킨다. 이에 의해, 전압 V1이 전극(130)에 공급되어, 교환 가능 전극(110)이 대전된다.

[시각 T4 내지 시각 T5]

또한, 집진 장치(100)가 시각 T3 내지 시각 T4에 통과한 영역만큼은 아니지만, 절연 성능이 저하되는 진공도의 영역에 반입되는 경우에는, 교환 가능 전극(110)으로의 전압 공급을 적절하게 하는 것이 바람직하다.

예를 들어 메모리(122)에는, 시각 T4 내지 시각 T5 사이에 전압 V2(V1<V2<V3)를 인가한다는 정보(시각 및 전압값)가 기억되어 있다. 타이머(126)의 계시에 기초하여, 제어부(121)가 시각 T4가 되었다고 판단하면, 고전압 발생부(124)에서, 전압 V2를 발생시킨다. 이에 의해, 전압 V2가 전극(130)에 공급되어, 교환 가능 전극(110)이 대전된다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는, 교환 가능 전극(110)에 인가하는 전압값(전압의 크기)과, 그 타이밍을 임의로 결정할 수 있다.

<1-3> 효과

상술한 실시 형태에 따르면, 집진 장치(100)는, 본체(101)의 제1 면에 교환 가능 전극(110)이 배치되고, 제어 기판(120)이 교환 가능 전극(110)으로의 전압의 인가 타이밍 및 인가되는 전압값을 제어한다. 집진 장치(100)는, 진공 하에서 사용 가능하고, 임의의 타이밍으로 교환 가능 전극(110)을 교환하는 것이 가능하다.

이하에, 상술한 실시 형태에 따른 집진 장치(100)의 구체적인 효과 예에 대하여 설명한다.

<1-3-1> 반도체 제조 장치 내에 반송 가능한 것에 의한 효과

하전 입자 빔 묘화 장치 등의 진공을 이용하는 반도체 제조 장치에 있어서, 장치 내에 티끌이 존재하면, 적절하게 장치가 가동되지 못하게 되어버릴 가능성이 있다.

그러나, 장치 내의 티끌을 클리닝하기 위해서는 진공을 깨서 장치 내의 기구를 클리닝할 필요가 있다. 그러나, 이와 같은 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 장치 내를 진공화하기 위해서는, 많은 시간이 필요하다. 또한, 진공화한 후에는 전자 광학계의 조정도 필요해지는 점에서, 장치가 가동되지 못하는 시간(다운 타임)이 길어져버린다. 그 결과, 수율이 저하되어버릴 가능성이 있다.

그런데, 상술한 실시 형태에 따른 집진 장치(100)의 사이즈는, 하전 입자 빔 묘화 장치에서 처리되는 시료 상당의 사이즈이다. 그 때문에, 집진 장치(100)는, 시료와 동일하게 반송될 수 있다. 또한, 집진 장치(100) 내는, 전원(123) 및 고전압 발생부(124)를 구비하고, 진공 하에 있어서도, 클리닝을 행할 수 있다. 이와 같이, 집진 장치(100)는 시료와 동일하게 장치 내로 반송되므로, 장치 내의 진공을 깨지 않고서도 장치 내를 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 장치의 다운 타임을 억제하고, 수율의 저하를 억제할 수 있다.

<1-3-2> 집진부가 교환 가능한 것의 효과

집진부가 본체와 일체화되어 있는 집진 장치가 생각된다. 이러한 집진 장치는, 집진부에 티끌이 축적되어, 티끌의 흡착 효율이 저하된다. 그 때문에, 흡착 효율이 저하되기 전에 집진부로부터 티끌을 클리닝해야만 한다. 그러나, 집진부에 흡착된 티끌의 크기는 매우 작고, 클리닝하는 것이 곤란하다. 그 때문에, 집진부의 청정도를 유지할 수 없다.

또한, 이러한 집진 장치는 클리닝을 행할수록 집진부에 티끌이 축적되어, 집진물의 위치나, 집진물의 종류 등에 기초하는 분석이 곤란해질 가능성이 있다.

그러나, 상술한 실시 형태에 따른 집진 장치(100)에 의하면, 집진부로서, 교환 가능한 교환 가능 전극(110)을 채용하고 있다. 유저는, 임의의 타이밍으로 교환 가능 전극(110)을 새로운 교환 가능 전극(110)으로 교환하는 것이 가능하다. 그 때문에, 유저는, 반도체 제조 장치 내의 클리닝 후에 교환 가능 전극(110)으로부터 티끌을 제거할 필요는 없고, 교환 가능 전극(110) 자체를 새로운 교환 가능 전극(110)으로 교환하면 된다. 이에 의해, 교환 가능 전극(110)의 청정도를 용이하게 유지할 수 있다. 따라서, 교환 가능 전극(110)의 흡착 효율의 저하를 억제하고, 그 결과로서, 항상 하전 입자 빔 묘화 장치 내의 청정도를 높게 유지할 수 있으므로, 극히 미세한 패턴도 수율 좋게 형성 가능하게 된다.

또한, 유저가 집진물의 위치나, 집진물의 종류 등에 기초하는 분석을 할 때는, 임의의 타이밍으로 교환 가능 전극(110)을 제거하면, 적절하게 집진물의 분석을 하는 것이 가능하다. 유저는, 이 집진물의 분석을 함으로써, 어떤 티끌이 어디에서 발생하고 있는지를 분석하는 것이 가능하다. 그 때문에, 유저는 예를 들어 티끌을 발생시키는 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내의 부품을 특정할 수 있다. 그 결과, 유저는 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 고장을 발견할 수 있을 가능성이 있다.

또한, 유저는, 교환 가능 전극(110)에 흡착된 집진물을 분석하고 있는 동안, 새로운 교환 가능 전극(110)을 본체(101)에 마련하고, 반도체 제조 장치 내의 클리닝을 행하는 것이 가능하다. 환언하면, 유저는 집진물의 분석을 기다리지 않고서도 반도체 제조 장치 내의 클리닝을 행하는 것이 가능하다.

또한, 유저는, 클리닝 후의 교환 가능 전극(110)을 본체(101)로부터 제거하고, 새로운 교환 가능 전극(110)을 본체(101)에 마련함으로써, 집진 장치의 클리닝을 행할 수 있다. 그 때문에, 집진 장치의 클리닝 시간은, 교환 가능 전극(110)의 교환 작업에 요하는 시간만이 된다. 그 결과, 집진 장치의 클리닝 시간을 최소한으로 억제하는 것이 가능하게 된다.

<1-3-3> 전압 인가를 제어할 수 있는 것의 효과

교환 가능 전극(110)을 대전한 채, 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내를 진공화하는 경우 또는 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 각 실의 벽면 등과, 교환 가능 전극(110)이 접근할 경우, 집진 장치(100)가 진공 방전을 일으켜버릴 가능성이 있다.

그러나, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)에 의하면, 제어부(121)가 메모리(122)에 기억된 정보에서 교환 가능 전극(110)을 대전시킬 타이밍을 제어한다. 유저는, 집진 장치(100)를 반송하는 개소(예를 들어 하전 입자 빔 묘화 장치의 각 실)에 따라, 메모리(122)에 시각을 설정할 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는, 대기화된 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에 집진 장치(100)를 반송하여 진공화를 하는 기간 또는 집진 장치(100)의 반송 중에 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 각 실의 벽면 등(구조물)과 교환 가능 전극(110)이 접근하는 기간동안, 교환 가능 전극(110)을 대전시키지 않는 것이 가능하다.

또한, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)에 의하면, 제어부(121)가 메모리(122)에 기억된 전압값으로 교환 가능 전극(110)을 대전시킬 수 있다. 유저는, 예를 들어 집진 장치(100)을 반송하는 장소와, 하전 입자 빔 묘화 장치의 각 실 내의 구조물의 거리에 따라, 메모리(122)에 전압값을 설정할 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 각 실의 벽면 등(구조물)과, 교환 가능 전극(110)이 접근되는 경우에도, 진공 방전을 일으키지 않을 정도로 교환 가능 전극(110)을 대전시킬 수 있다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)에 의하면, 진공 방전을 억제하면서, 집진하고 싶은 개소에 따라, 임의의 타이밍, 임의의 전압으로 클리닝을 행할 수 있다.

<1-3-4> 하전 입자 빔 묘화 장치에 접지하는 것의 효과

예를 들어, 집진 장치(100)가 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내와 접지 전압을 공유화하지 않을 경우, 소정의 전위로 대전시키지 못하여, 클리닝을 행할 수 없을 가능성이 있다. 집진 장치(100)의 접지 전압과, 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내의 접지 전압이 어긋나 있는 경우, 예를 들어 집진 장치(100)가 1V의 전위를 교환 가능 전극(110)에 대하여 인가해도, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)과 교환 가능 전극(110)의 전위차가 0.5V가 되는 경우가 있다. 이 경우, 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내에 있어서, 교환 가능 전극(110)은 실질적으로 0.5V가 인가되고 있는 상태와 동일한 상태로 된다. 그 때문에, 본래라면, 교환 가능 전극(110)에 1V를 인가하고 있을 것이, 0.5V밖에 인가되지 않게 된다. 그 결과, 교환 가능 전극(110)은 목표한 전위로 대전되지 못하여, 클리닝을 행할 수 없을 가능성이 있다.

그러나, 본 실시 형태에 따른 집진 장치(100)에 의하면, 접지부(150)를 개재하여, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 각 실 내의 접지 전압을 공유화할 수 있다. 그 때문에, 고전압 발생부(124)는 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 접지 전압을 기준으로 전압을 생성하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 교환 가능 전극(110)은 목표한 전위로 대전되어, 올바르게 클리닝을 행하는 것이 가능하게 된다.

<1-3-5> 마무리

즉, 상술한 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는, 반송되는 장치 내의 진공을 깨지 않고서도 장치 내를 적절한 전압으로 클리닝할 수 있고, 집진부의 청정도를 용이하게 유지할 수 있고, 집진물의 분석을 쉽게 하고, 진공 방전을 억제할 수 있는 집진 장치(100)를 제공하는 것이 가능하게 된다.

그 결과, 티끌의 부착에 의한 제품 품질의 저하를 억제할 수 있는 집진 장치를 제공할 수 있다.

<2> 제2 실시 형태

제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 교환 가능 전극이 기계적으로 본체에 고정되는 경우에 대하여 설명하였다. 제2 실시 형태에서는, 교환 가능 전극을 전기적으로 본체에 고정하는 예에 대하여 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 따른 집진 장치의 기본적인 구성 및 기본적인 동작은, 상술한 제1 실시 형태에 따른 집진 장치와 동일하다. 따라서, 상술한 제1 실시 형태에서 설명한 사항 및 상술한 제1 실시 형태로부터 용이하게 유추 가능한 사항에 관한 설명은 생략한다.

<2-1> 구성

도 5 및 도 6을 사용하여, 제2 실시 형태에 따른 집진 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 5는, 제2 실시 형태에 따른 집진 장치의 사시도이다. 도 6은, 도 5의 S2 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다. 또한, 도 6은 집진 장치를 기능 블록으로서 표현하고 있다.

집진 장치(100)의 구성에 대하여 설명한다. 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 집진 장치(100)는 본체(101)의 제1 면 상에, 교환 가능 전극(110)의 이면이 배치된다. 그리고, 집진 장치(100)의 제1 면에 마련되는 고정부(정전 척부)(160)에 의해, 교환 가능 전극(110)이 본체(101)의 제1 면에 전기적으로 고정된다. 고정부(160)는, 정전 척 제어부(127)에 의해 제어된다. 구체적으로는, 제어부(121)가 정전 척 제어부(127)에 정전 척용 전압을 생성시킨다. 그리고, 정전 척용 전압이 고정부(160)에 공급되고, 교환 가능 전극(110)은 고정부(160)를 통하여 정전 척용 전압이 인가된다. 이에 의해, 교환 가능 전극(110)이 대전되고, 정전 척에 의해, 고정부(160)에 고정된다. 교환 가능 전극(110)을 분리하는 경우에는, 교환 가능 전극(110)으로의 전압의 인가를 정지하면 교환 가능 전극(110)을 분리하는 것이 가능하게 된다.

<2-2> 효과

상술한 실시 형태에 따르면, 정전 척에 의해, 교환 가능 전극을 전기적으로 본체에 고정한다.

정전 척으로 교환 가능 전극(110)을 고정하는 경우, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같은, 기계적으로 교환 가능 전극(110)을 고정하는 경우와 비교하여, 고정부를 보다 간소화할 수 있고, 교환 가능 전극(110)을 고정할 때에 있어서의 접동을 저감시킬 수 있고, 청정도를 높일 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하게 된다.

또한, 정전 척 시에는, 교환 가능 전극(110)은 대전되지만, 교환 가능 전극(110)의 표면은 대전되지 않을 정도의 전압이 인가된다. 이에 의해, 집진 장치(100)가 반송되는 장치 내에 있어서의 방전 등을 억제할 수 있다.

<3> 제3 실시 형태

제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 집진 장치가, 타이머를 사용하여 교환 가능 전극으로의 전압의 인가를 제어하는 경우에 대하여 설명하였다. 제3 실시 형태에서는, 집진 장치가 반송되는 장치에 의해, 교환 가능 전극으로의 전압의 인가를 제어하는 예에 대하여 설명한다. 또한, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치의 기본적인 구성 및 기본적인 동작은, 상술한 제1 및 제2 실시 형태에 따른 집진 장치와 동일하다. 따라서, 상술한 제1 및 제2 실시 형태에서 설명한 사항 및 상술한 제1 및 제2 실시 형태로부터 용이하게 유추 가능한 사항에 관한 설명은 생략한다.

<3-1> 구성

<3-1-1> 집진 장치

도 7을 사용하여, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 7은, 도 1의 S1 방향으로부터 집진 장치를 본 도면이다. 또한, 도 7은 집진 장치를 기능 블록으로서 표현하고 있다.

도 7에 도시하는 바와 같이, 본체(101)는 제어 기판(120)을 구비하고 있다. 제어 기판(120)은 제어부(121)와, 메모리(122)와, 전원(123)과, 고전압 발생부(124)와, 모니터부(125)와, 통신부(128)와, 타이머(126)를 구비하고 있다.

제어부(121)는 메모리(122)와, 전원(123)과, 고전압 발생부(124)와, 모니터부(125)와, 타이머(126)와, 통신부(128)를 제어한다.

통신부(128)는 집진 장치(100)의 외부 장치(예를 들어, 하전 입자 빔 묘화 장치나 퍼스널 컴퓨터 등)와 통신을 행할 수 있다. 통신부(128)는 외부 장치와 통신하기 위한 통신 인터페이스이다. 통신 인터페이스로서는, 예를 들어 적외선 또는 Bluetooth(등록 상표) 등의 근거리 무선 데이터 통신 규격을 채용한 인터페이스가 사용된다. 통신부(128)는 외부 장치로 정보(예를 들어 메모리(122)에 기억되어 있는 정보)를 송신하거나, 외부 장치로부터 정보나 명령(신호)을 수신하거나 한다. 예를 들어 통신부(128)를 통하여 수신한 정보는, 메모리(122)에 기억된다. 또한, 제어부(121)는, 통신부(128)를 통하여 수신한 명령에 기초하여 동작한다.

구체적으로는 유저는, 집진 장치(100)를 반송하는 개소(예를 들어 하전 입자 빔 묘화 장치의 각 실)에 따라, 통신부(128)를 통하여 외부 장치로부터 메모리(122)에 시각을 설정할 수 있다.

또한, 유저는, 통신부(128)를 통하여 외부 장치로부터 명령을 송신함으로써, 타이머(126)에 계시시켜도 된다.

또한, 유저는, 통신부(128)를 통하여 외부 장치로부터 명령을 송신함으로써, 고전압 발생부(124)에 의한 전압 생성을 제어해도 된다.

<3-1-2> 하전 입자 빔 묘화 장치

여기서, 도 8을 사용하여, 집진 장치가 반송되는 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 8은, 하전 입자 빔 묘화 장치의 구성을 모식적으로 도시한 개략도이다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는, 도 3을 사용하여 설명한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)와 비교하여, 대전 조정부(6c)를 더 구비하고 있다.

대전 조정부(6c)는 집진 장치(100)의 통신부(128)에 대하여, 정보나 명령(신호)을 송신할 수 있다. 대전 조정부(6c)는 집진 장치(100)와 통신하기 위한 통신 인터페이스를 구비하고 있다.

<3-2> 동작

<3-2-1> 동작예 1

계속해서, 집진 장치 및 하전 입자 빔 묘화 장치의 동작예 1에 대하여 설명한다. 제어부(121)는 통신부(128)를 통하여 대전 조정부(6c)로부터 수신하는 명령에 기초하여, 고전압 발생부(124)에, 전압을 생성시킨다. 이 명령으로서는, 전압을 생성시키는 명령과, 생성시킬 전압값 등이 포함된다. 이와 같이, 집진 장치(100)는, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)로부터 수신하는 정보에 기초하여, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 클리닝을 행할 수 있다.

<3-2-2> 동작예 2

집진 장치 및 하전 입자 빔 묘화 장치의 동작예 2에 대하여 설명한다. 집진 장치(100)의 메모리(122)에는 진공도의 역치가 기억되어 있다. 제어부(121)는, 통신부(128)를 통하여 대전 조정부(6c)로부터 수신하는 진공도에 기초하여, 메모리(122)에 기억된 역치를 초과하였는지 여부를 판정한다. 제어부(121)는, 진공도가 역치를 초과했다고 판정하는 경우, 고전압 발생부(124)에, 전압을 생성시킨다. 이와 같이, 집진 장치(100)는, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)로부터 수신하는 정보에 기초하여, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 클리닝을 행할 수 있다.

<3-3> 효과

상술한 실시 형태에 따르면, 집진 장치(100)는, 통신부(128)를 통하여 반도체 제조 장치로부터의 명령을 수신하고, 반도체 제조 장치를 클리닝한다.

이와 같이, 집진 장치(100)는, 반도체 제조 장치로부터의 명령에 기초하여 반도체 제조 장치를 클리닝할 수 있으므로, 적절하게 클리닝을 행하는 것이 가능하게 된다.

<4> 변형예

또한, 상술한 각 실시 형태에서는, 집진 장치(100)가 하전 입자 빔 묘화 장치로 반송되는 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한하지 않는다. 즉, 티끌을 흡착할 필요가 있는 장치라면, 어떤 장치라도 집진 장치(100)를 적용하는 것이 가능하다. 또한, 상술한 각 실시 형태에서는, 집진 장치(100)는 하전 입자 빔 묘화 장치로 반송되는 것을 전제로 설명했으므로, 집진 장치(100)의 사이즈를, 하전 입자 빔 묘화 장치에서 처리되는 시료의 사이즈와 동일하다고 기재하였다. 그러나, 하전 입자 빔 묘화 장치와 다른 장치에 집진 장치(100)를 적용하는 경우, 집진 장치(100)의 사이즈 및 형상은, 하전 입자 빔 묘화 장치와 다른 장치에 적용 가능한 사이즈 및 형상으로 해도 된다. 또한, 상술한 각 실시 형태에서는, 집진 장치(100)는, 진공 하에 있어서 집진하는 경우에 대하여 설명했지만, 대기 하에서도 집진 가능하다.

또한, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치(100)로서는, 제2 실시 형태에서 설명한 집진 장치(100)에 통신부(128)를 적용하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 고정부(140)는 아니고, 고정부(160)에서 교환 가능 전극(110)을 고정하는 집진 장치(100)에 통신부(128)를 마련해도 된다. 이 경우, 제2 실시 형태와, 제3 실시 형태의 효과를 얻는 것이 가능하게 된다.

또한, 제3 실시 형태에 따른 집진 장치(100)는 도 10에 도시하는 것처럼, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 대전 조정부(6c)가 아닌, 퍼스널 컴퓨터(7) 등의 클리닝 대상의 장치 이외의 장치로부터의 명령을 따라서 동작해도 된다. 이 경우, 집진 장치(100)는, 통신부(128)를 통하여 퍼스널 컴퓨터(7)로부터의 명령이나, 정보(예를 들어 진공도)에 기초하여, 클리닝 대상의 장치를 클리닝한다.

이상, 본 발명의 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러가지 변형되어서 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상기 실시 형태에는 여러가지 단계의 발명이 포함되어 있고, 개시된 구성 요건을 적절히 조합함으로써 여러가지 발명이 추출된다. 예를 들어, 개시된 구성 요건으로부터 몇 가지의 구성 요건이 삭제되어도, 소정의 효과가 얻어지는 것이면, 발명으로서 추출될 수 있다.

Claims (14)

1. 제1 면에 제1 전극의 이면이 배치되는 본체와,
   상기 제1 전극 및 상기 본체의 착탈을 제어하는 고정부와,
   상기 제1 전극에 전압을 전송하는 제2 전극과,
   상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍을 제어하는 제어 기판을 구비하는 집진 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 고정부는,
   상기 본체의 상기 제1 면에 배치되는 토대부와,
   상기 토대부에 접속되고, 상기 제1 전극의 상기 이면에 대향하는 표면을 지지하는 지지부
   를 구비하는 집진 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 고정부는,
   상기 본체의 상기 제1 면에 배치되는 척부를 구비하고,
   상기 제어 기판은, 상기 제2 전극을 통하여 상기 제1 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 제1 전극과, 상기 척부를 전기적으로 고정하는
   집진 장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 기판은, 상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍에 관한 설정 정보를 기억하고,
   계시한 시각과, 상기 설정 정보에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
   집진 장치.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 클리닝 대상 장치에 접지되는 접지부를 더 구비하고,
   상기 제어 기판은, 상기 접지부를 통하여 전송되는 상기 클리닝 대상 장치의 접지 전압에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
   집진 장치.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 클리닝 대상 장치로부터 신호를 수신하는 통신부를 더 구비하고,
   상기 제어 기판은, 상기 클리닝 대상 장치를 통하여 수신되는 상기 신호에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
   집진 장치.
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 기판은, 상기 제2 전극에 흐르는 전류를 모니터하고, 소정값을 초과하는 전류가 흘렀다고 판정하는 경우, 상기 제2 전극에 인가하는 전압의 생성을 정지하는
   집진 장치.
8. 고정부에 의해, 제1 전극의 이면을 본체의 제1 면에 고정하고,
   제2 전극에 의해, 상기 제1 전극에 전압을 전송함으로써, 상기 제1 전극의 표면에 집진시키고,
   제어 기판에 의해, 상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍을 제어하는,
   것을 구비하는 집진 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 고정부는,
   상기 본체의 상기 제1 면에 배치되는 토대부와,
   상기 토대부에 접속되고, 상기 제1 전극의 상기 이면에 대향하는 표면을 지지하는 지지부
   를 구비하고,
   상기 지지부와, 상기 토대부에 의해, 상기 제1 전극을 집음으로써, 상기 제1 전극을 상기 본체의 상기 제1 면에 고정하는
   집진 방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 고정부는,
    상기 본체의 상기 제1 면에 배치되는 척부를 구비하고,
    상기 제어 기판에 의해, 상기 제2 전극을 통하여 상기 제1 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 제1 전극과, 상기 척부를 전기적으로 고정하는
    집진 방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 제어 기판에 의해, 상기 제2 전극에 인가할 전압의 크기 및 타이밍에 관한 설정 정보를 기억하고,
    계시한 시각과, 상기 설정 정보에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
    집진 방법.
12. 제8항에 있어서, 상기 제어 기판에 의해, 클리닝 대상 장치에 접지되는 접지부를 통하여 전송되는 상기 클리닝 대상 장치의 접지 전압에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
    집진 방법.
13. 제8항에 있어서, 상기 제어 기판에 의해, 클리닝 대상 장치를 통하여 수신되는 신호에 기초하여, 상기 제2 전극에 인가할 전압을 생성하는
    집진 방법.
14. 제8항에 있어서, 상기 제어 기판에 의해, 상기 제2 전극에 흐르는 전류를 모니터하고, 소정값을 초과하는 전류가 흘렀다고 판정하는 경우, 상기 제2 전극에 인가하는 전압의 생성을 정지하는
    집진 방법.

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