KR102100856B1 - 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법 - Google Patents

폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102100856B1
KR102100856B1 KR1020180098725A KR20180098725A KR102100856B1 KR 102100856 B1 KR102100856 B1 KR 102100856B1 KR 1020180098725 A KR1020180098725 A KR 1020180098725A KR 20180098725 A KR20180098725 A KR 20180098725A KR 102100856 B1 KR102100856 B1 KR 102100856B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer substrate
solution
region
bsa
metal electrode
Prior art date
Application number
KR1020180098725A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200022730A (ko
Inventor
황희윤
안태창
Original Assignee
안동대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안동대학교 산학협력단 filed Critical 안동대학교 산학협력단
Priority to KR1020180098725A priority Critical patent/KR102100856B1/ko
Publication of KR20200022730A publication Critical patent/KR20200022730A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102100856B1 publication Critical patent/KR102100856B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법이 개시된다. 본 방법은 폴리머 기판 표면 상의 소정 영역이 산소 플라즈마 프로세스를 통해 친수성 영역으로 세팅되는 단계, 소정 영역에 BSA 솔루션, 팔라듐 솔루션 및 구리 ELD 솔루션을 순차적으로 적용하는 단계 및 팔라듐 나노 입자에서 구리 환원 반응이 유발되어 소정 영역 상에 구리 전극이 소정 영역에 형성되는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 폴리머 기판과 금속 전극 간에 접착력이 향상될 수 있다.

Description

폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법{METHOD FOR FORMING METAL ELECTRODE ON POLYMER SUBSTRATE}
본 발명은 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 무전해 도금 기법 및 선택적 플라즈마 처리 기법을 적용한 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 기판으로 폴리머 기판이 사용될 수 있는데, 폴리머 기판은 금속 전극과의 결합력이 약한 특징을 가진다. 폴리머 기판의 소재 중에서 PVDF(PolyVinylidene DiFluoride)는 압전성을 가지는 소재로 다양한 센서 및 엑추에이터 분야에 응용되고 있다.
PVDF 필름이 압전 센서 및 엑추에이터로 사용되기 위해 패턴된 금속전극이 PVDF 표면에 배치되는 것이 필요하나, PVDF는 재료적 특성으로 인해 대부분의 금속과 접합력이 좋지 않으며 이로 인해 높은 스트레인 영역에서 금속전극의 박리 현상이 발생하고 있다.
이에, PVDF 기판 및 PVDF 를 제외한 폴리머 기판 표면 상에 금속 전극을 용이하게 형성하는 방법이 필요하다 할 것이다.
한편, 상기와 같은 정보는 본 발명의 이해를 돕기 위한 백그라운드(background) 정보로서만 제시될 뿐이다. 상기 내용 중 어느 것이라도 본 발명에 관한 종래 기술로서 적용 가능할지 여부에 관해, 어떤 결정도 이루어지지 않았고, 또한 어떤 주장도 이루어지지 않는다.
공개특허공보 제10-2011-0064326호 (공개일: 2011.6.15)
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 일 실시 예는 고가의 진공 증착 장비를 적용하지 않더라도 폴리머 기판과 금속 전극 간의 결합력을 향상시키는 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법을 제안한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 실시 예와 관련된 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법은 폴리머 기판 표면 상의 소정 영역이 산소 플라즈마 프로세스를 통해 친수성 영역으로 세팅되는 단계; 상기 소정 영역에 BSA(Bovine Serum Albumin) 솔루션, 팔라듐(Pd) 솔루션 및 구리(Cu) ELD(Electroless Deposition) 솔루션을 순차적으로 적용하는 단계; 및 팔라듐(Pd) 나노 입자에서 구리 환원 반응이 유발되어 상기 소정 영역 상에 구리 전극이 상기 소정 영역에 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 솔루션을 순차적으로 적용하는 단계는, 상기 BSA 솔루션이 상기 소정 영역에 인쇄 방식으로 적용되는 단계를 포함하며, 상기 폴리머 기판은 PVDF(PolyVinylidene DiFluoride) 기판을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면 아래와 같은 효과가 도출될 수 있다.
첫째로, 진공 증착 방법을 사용하지 않더라도 폴리머 기판 상에 접합력이 우수하고 전기적 특성이 우수한 금속 전극이 배치될 수 있다.
둘째로, 선택적 플라즈마 처리 기법이 적용되어 에칭 공정 없이 패턴된 금속 전극이 제작될 수 있다.
본 발명에서 얻은 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1(a) 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 폴리머 기판과 금속 전극 간의 접합 능력을 향상시키기 위한 제조 방법을 나타낸다
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 폴리머 기판과 금속 전극 간의 접합 능력을 시험하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시 예가 적용된 례와 본 발명의 일 실시 예가 적용되지 않은 종래의 다양한 비교 례와의 기술적 차이점을 설명하기 위한 도면이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1(a) 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 폴리머 기판과 금속 전극 간의 접합(Adhesion) 능력을 향상시키기 위한 제조 방법을 나타낸다. 본 발명의 일 실시 예는 폴리머 기판이 폴리머 기판 상에 배치되는 금속과 접합력이 떨어지므로, 폴리머 기판과 금속 간의 접학력을 향상시키는 방법을 제안한다.
도 1(a) 내지 도 1(e)는 폴리머 기판 상의 소정 영역을 친수성 영역으로 제조하는 각 단계를 나타낸다.
도 1(a)에 따르면, 폴리머 기판(110)이 클리닝된 상태로 배치된다. 여기서, 폴리머 기판(110)은 일반적인 폴리머 소재의 기판일 수 있으나 본 명세서에서는 PVDF(PolyVinylidene DiFluoride) 기판을 대표적인 예로 하여 설명하기로 한다. 여기서, PVDF는 압전소자로서 스트레인을 받는 특징이 있으므로 사용시 PVDF 와 금속 간에 결합력을 향상시키는 방법이 필요하다.
도 1(b)에 따르면, 폴리머 기판 표면이 친수성으로 변경되는 소정 영역이 아닌 영역에 대해 마스크 작업이 수행될 수 있다. 여기서, 마스크(20A, 20B)는 PR(PhotoRegist) 방식으로 생성될 수 있으나, 실시 예가 이에 국한되는 것은 아니다.
도 1(c) 및 도 1(d)를 참고하면, 폴리머 기판(110) 상의 상기 소정 영역에 대해 산소 플라즈마 공법에 의해 수용액 상에서 음전하 표면을 가지게 되며, 상기 소정 영역에 거칠기가 형성되어 접합 표면적이 향상될 수 있다.
도 1(e)를 참고하면, 생성된 마스크(20A, 20B)가 제거되면, 상기 소정 영역은 친수성 영역이 되며, 마스크(20A, 20B)가 제거된 폴리머 기판(110) 상의 영역은 소수성 영역이 될 수 있다.
도 2를 참고하면, BSA 단백질을 DI(DeIonized) Water 에 일정 비율로 녹인 BSA 솔루션(210)이 폴리머 기판(110)의 친수성 영역에 적용될 수 있다. 여기서, 플라즈마가 처리된 친수성 영역(금속 패턴)과 처리되지 않은 영역의 접촉각의 차이로 인해 플라즈마가 처리된 영역에만 수용액 기반의 BSA가 처리될 수 있다. pH 5 이하에서 BSA 단백질은 양전하를 띠게 되어 음전하를 가지는 친수성 표면과 정적기적인 흡착이 이뤄질 수 있다. 또한, BSA는 접착 기능을 수행함과 동시에 표면 조도를 형성할 수 있으며, BSA는 전기적 신호를 통과시키는 능력이 우수하다.
이경우, 친수성의 소정 영역에 BSA 단백질이 배치되면, 친수성 폴리머 기판(110)에 BSA 단백질이 흡착되어 거칠기를 가지는 표면이 형성될 수 있으며, 표면 거칠기로 인해 접합 표면적 증가하여 접착력이 향상될 수 있다. 아울러, BSA 처리 농도 및 시간에 따라 접합력 및 전기적 특성이 조절될 수 있다. 가령, 접합력을 향상시키기 위해 BSA 단백질의 량을 더 많이 포함시킬 수 있다.
도 1(b) 내지 도 2에서 상술한 바와 같이, PR을 이용하여 폴리머 기판(110)의 친수성 영역과 소수성 영역이 구분되지 않고 먼저 폴리머 기판(110)의 전체 표면에 대해 산소 플라즈마 공정을 통해, 전체 표면을 친수성으로 개질한 후, 특정 영역에만 BSA 단백질을 인쇄 방식으로 인쇄할 수 있다. 이런 경우, PR 공정이 생략될 수 있으며 보다 간편하게 BSA 단백질이 폴리머 기판(110)에 배치될 수 있다.
한편, 도 3을 참고하면, 폴리머 기판(110)의 BSA 단백질이 배치된 소정 영역에 Pd 솔루션(310)이 적용될 수 있다. 본 명세서 상의 솔루션은 용액을 의미한다.
Pd 솔루션(310)이 적용되면 양전하를 가지는 폴리머 기판(110) 표면에 흡착된 BSA 단백질과 [PdCl4]2- 음이온이 정적기적 결합을 하게 되고 Pd 나노입자가 폴리머 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
그 다음으로 도 4를 참고하면, 구리(Cu) ELD(Electroless Deposition) 솔루션이 적용될 수 있다. 구리 ELD 솔루션은 구리 무전해 도금 용액을 의미한다.
여기서, 구리 무전해 도금 용액이 적용되면, 팔라듐(Pd) 나노입자에서 구리 환원반응이 유발되어 소정 영역에 금속 전극(여기서는 구리 전극)이 형성될 수 있다. 다만, 구현시에는 구리 이외에 다양한 금속 전극이 적용될 수 있다.
도 5를 참고하면, 무전해 도금 기법에 의해 구리 전극이 폴리머 기판에 형성될 수 있다. 이에 따라, 폴리머 기판과 구리 전극 간에 접합력이 우수하며, 전기적인 특성이 우수하게 될 수 있다.
이하에서는 표 1 및 도 6 내지 도 9를 참고하여, 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 금속 전극이 배치된 폴리머 기판의 성능을 설명하기로 한다. 아래 표 1을 참고하면, Reference 는 상용 제품이며, 실시 예 1은 본 발명이 적용된 경우, 비교예 1은 플라즈마 표면처리와 무전해 도금이 수행된 경우, 비교예 2는 도파민 코팅과 무전해 도금이 수행된 경우, 비교예 3은 진공 증착이 적용된 경우, 비교예 4는 전도성 고분자 코팅이 적용된 경우를 나타낸다. 시아노 아크릴계 접착제 및 에폭시계 접착제는 폴리머 기판과 금속 전극 간의 접합력을 측정하기 위해 이용되며, E는 Excellent, M은 Moderate, B는 Bad를 나타낸다. 또한, 압전 물성 계수는 D33 Meter 를 이용하여 측정하며, 전극 표면 저항 측정은 전기 표면 저항에 의해 측정될 수 있다.
Figure 112018083775193-pat00001
일단, 도 7(a) 내지 도 7(e)를 참고하면, 실시예 1 내지 비교예들(1~4)의 전극이 형성된 PVDF 필름 사진이 나타난다.
아울러, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 폴리머 기판과 금속 전극 간의 접합 능력을 시험하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 금속 전극(510) 상부에 시아노 아크릴계 또는 에폭시계의 접착제(610)가 배치되어 유리 섬유 에폭시 복합재료(620)와 폴리머 기판(110, 510)이 서로 접착될 수 있다. 유리 섬유 에폭시 복합재료(620)와 폴리머 기판(110, 510)의 분리를 통해서 폴리머 기판(110)과 금속 전극(510)의 접합력의 세기가 측정될 수 있다.
도 8(a) 내지 9(e)을 참고하면, 실시예 1의 경우 시아노 아크릴계 접착제 또는 에폭시계 접착제에서 모두 좋은 접착 성능이 관측됨이 나타난다. 살핀바와 같이, 표 1을 참고하면, 실시예 1의 접착력이 가장 우수하며, 압전 물성 계수도 큰 편이고, 전기 저항도 2.5 옴으로 전기적 특성이 우수하다.
한편, 본 명세서는 그 제시된 구체적인 용어에 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 따라서, 상술한 예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였지만, 당업자라면 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서도 본 예들에 대한 개조, 변경 및 변형을 가할 수 있다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (2)

  1. 압전성 소재인 PVDF(PolyVinylidene DiFluoride)를 포함하는 폴리머 기판 표면 상의 소정 영역이 산소 플라즈마 프로세스를 통해 친수성 영역으로 세팅되는 단계;
    상기 소정 영역에 BSA(Bovine Serum Albumin) 용액, 팔라듐(Pd) 용액 및 구리(Cu) 무전해 도금 용액을 순차적으로 적용하는 단계; 및
    팔라듐(Pd) 나노 입자에서 구리 환원 반응이 유발되어 상기 소정 영역 상에 구리 전극이 상기 소정 영역에 형성되는 단계를 포함하며,
    상기 용액을 순차적으로 적용하는 단계는,
    상기 BSA 용액이 상기 소정 영역에 인쇄 방식으로 적용되는 단계를 포함하며,
    산소 플라즈마가 처리된 친수성 영역과 산소 플라즈마가 처리되지 않은 영역 간 접촉각의 차이에 기초하여, 상기 BSA 용액의 BSA 단백질이 상기 친수성 영역에 접합되며,
    상기 친수성 영역과 상기 BSA 단백질의 접합력은 상기 BSA 단백질의 함량에 따라 달라지는, 폴리머 기판의 구리 전극 형성 방법.
  2. 삭제
KR1020180098725A 2018-08-23 2018-08-23 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법 KR102100856B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180098725A KR102100856B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180098725A KR102100856B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200022730A KR20200022730A (ko) 2020-03-04
KR102100856B1 true KR102100856B1 (ko) 2020-04-14

Family

ID=69783663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180098725A KR102100856B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102100856B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114836802B (zh) * 2022-04-21 2023-06-20 长春理工大学 一种微纳疏水结构的黏附性复合加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090181315A1 (en) * 2006-05-30 2009-07-16 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaflen E.V. Production of micro- and nanopore mass arrangements by self-organization of nanoparticles and sublimation technology

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862149B1 (ko) * 2007-02-06 2008-10-09 성균관대학교산학협력단 선택적 무전해 도금을 이용한 플렉서블 기판의 미세 금속배선 형성 방법
KR101114188B1 (ko) 2009-12-08 2012-02-22 부산대학교 산학협력단 폴리머 광도파로 바이오 센서 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090181315A1 (en) * 2006-05-30 2009-07-16 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaflen E.V. Production of micro- and nanopore mass arrangements by self-organization of nanoparticles and sublimation technology

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200022730A (ko) 2020-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10109411B2 (en) Coil component
KR101268234B1 (ko) 도전 입자 및 도전 입자의 제조 방법
US20170365477A1 (en) Providing a temporary protective layer on a graphene sheet
JP2009076431A (ja) 異方性導電膜およびその製造方法
KR102100856B1 (ko) 폴리머 기판의 금속 전극 형성 방법
DE102008040521A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung, Bauelement und Bauelementanordnung
JP5665169B2 (ja) 金型製造方法およびその方法により形成された金型
US7163885B2 (en) Method of migrating and fixing particles in a solution to bumps on a chip
WO2015189432A1 (en) Method for manufacturing selective surface deposition using a pulsed radiation treatment
JP2008186761A (ja) 粒子転写膜の製造方法および粒子保持膜の製造方法ならびに異方性導電膜
JP5259044B2 (ja) 金表面へのエポキシ接着を強化する方法
TWI570825B (zh) 利用黏合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板及其製造方法
JP2011175956A (ja) 導電粒子
CN110060793B (zh) 一种x射线波带片的制备方法
CN105895523A (zh) 半导体装置的制造方法
CN114127894A (zh) 半导体元件的制造方法以及半导体元件的制造系统
WO2007086268A1 (ja) 微小電極およびその製造方法
DE102015113421A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips
US20180015699A1 (en) Metal-bonded substrate
KR100843617B1 (ko) 저항막 방식 터치스크린 및 그것의 제조방법
KR20150069913A (ko) 박막의 접착 강도 측정용 시편 및 이를 이용한 박막의 접착 강도 측정 방법
US20150114448A1 (en) Solar module and solar module production method
US11289444B2 (en) Sensor systems and methods for providing sensor systems
JP2008186760A (ja) 異方性導電膜およびその製造方法
JP2008112698A (ja) 導電性基盤およびその製造方法並びに電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant