JP2008112698A - 導電性基盤およびその製造方法並びに電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る導電性基盤1は、被処理体11と、この被処理体11の一面(被成膜面)11aに形成された多層構造体12とを備えている。多層構造体12は、被処理体11の一面(被成膜面)11aに、正の電荷をもつ第一の帯電膜13、負の電荷をもつ第二の帯電膜14の順に交互に重ねて配した多層構造を成す。このような多層構造体12は、第一の帯電膜13の正の電荷と、第二の帯電膜14の負の電荷との間で生じるクーロン力によって、第一の帯電膜13と第二の帯電膜14とが互いに強く結び付けられているとともに、被処理体とも強固に密着した形態をなす。
【選択図】図1
Description
また、多層構造体と被処理体(基材)との密着性が高く、耐摩耗性および耐剥離性に優れ、良好な導電性を併せ持つ多層構造体を有する被処理体からなる導電性基盤の製造方法を提供することを第二の目的とする。
更に、本発明は、従来の溶液分散型の単層塗布に比べて、低粘度かつ高密着性であり、段階的に膜厚制御された多層構造体を形成する。ゆえに、耐摩耗性および耐剥離性に優れた電子デバイスを提供することを第三の目的とする。
本発明の請求項2に記載の導電性基盤は、請求項1において、前記第一の帯電膜は、ポリアリルアミン塩酸塩、またはポリエチレンイミンを含むことを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の導電性基盤は、請求項1において、前記多層構造体の膜厚は、50nm〜1000nmの範囲であることを特徴とする。
本発明の請求項4に記載の導電性基盤は、請求項1ないし3のいずれか1項において、前記被処理体は、コロナで帯電処理した基材であることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載の導電性基盤は、請求項1において、前記多層構造体は、前記第一の帯電膜と前記第二の帯電膜の段階成膜法により形成されることを特徴とする。
本発明の請求項6に記載の導電性基盤の製造方法は、少なくとも被成膜面が絶縁性を有する被処理体、前記被処理体の被成膜面上に、正の電荷をもつ第一の帯電膜と、負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に配してなる多層構造体を備えたことを特徴とする導電性基盤の製造方法であって、
前記被処理体にコロナ放電処理を行うA工程と、前記第一の帯電膜を形成するB工程と、前記第二の帯電膜を形成するC工程とを備え、前記A工程を経た前記被処理体の被成膜面に対して、前記B工程、前記C工程の順に繰り返し行い、前記被処理体の被成膜面に前記多層構造体を形成することを特徴とする。
本発明の請求項7に記載の導電性基盤の製造方法は、請求項6において、前記B工程と前記C工程との間に、リンスを行なうD工程を更に備えたことを特徴とする。
本発明の請求項8に記載の導電性基盤の製造方法は、請求項6において、前記多層構造体は、前記第一の帯電膜と前記第二の帯電膜の段階成膜法により形成されることを特徴とする。
本発明の請求項9に記載の導電性基盤の製造方法は、請求項6ないし8のいずれか1項において、前記被処理体として、コロナで帯電処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることを特徴とする。
本発明の請求項10に記載の電子デバイスは、少なくとも被成膜面が絶縁性を有する被処理体、前記被処理体の被成膜面上に、正の電荷をもつ第一の帯電膜と、負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に配してなる多層構造体、を備えた導電性基盤を用いたことを特徴とする。
本発明の請求項10に記載の電子デバイスは、請求項10において、前記被処理体は、コロナで帯電処理した基材であることを特徴とする。
また、本発明によれば、コロナ放電処理により被処理体に負の電荷を帯電させた後、正の電荷を持つ第一の帯電膜と負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に形成する工程を備えているので、被処理体および第一の帯電膜と第二の帯電膜とが互いにクーロン力によって強固に結び付けられた導電性基盤の製造方法を提供できる。
さらに、本発明によれば、被処理体および第一の帯電膜と第二の帯電膜とが互いにクーロン力によって強固に結び付けられた導電性基盤を備えることによって、化学的な内部結合のない単層のみの塗布に比べて機械的強度が高い。例えばタッチパネルなどのように、導電性基盤の表面が圧力や擦動作用なとの物理的衝撃を受けた際に、耐摩耗性および耐剥離性に優れた電子デバイスを提供できる。
図2と図3は、本発明に係る導電性基盤1を用いた電子デバイスであるタッチパネルの一例を示す図である。特に、図2はタッチパネルの主な構成部品を厚み方向に分解して示した斜視図であり、図3は、タッチパネルの動作原理を説明する概略図である。
水を溶媒とした場合、導電性高分子の分類(基本的に水溶性の官能基を持つ高分子)として、カチオン性高分子(第一の帯電膜:PANI−DMAC:ノニオン高分子を錯化し、カチオンとしたもの)、アニオン性高分子(第二の帯電膜:PEDOT−PSS、PANI−DMAC−PSS)などが挙げられる。上記の例のように、一般的にはカチオン性の官能基を有するもの(アミン、イミン、アミド)、アニオン性の官能基を有するもの(カルボキシル、スルホル)と分類される。
非特許文献(1)S.S.Shiratori, M.F.Rubner, Macromolecules.33(2000)4213.
非特許文献(2)J.D.Mendelsohn, C.J.Barrett, V.V.Chan,A.J.Pal, A.M.Mayes, M.F.Rubner Langmuir 16(2000)5017.
非特許文献(3)R.A.MacAlaney, M.Sinyor, V.Duclnik, M.C.Goh, Langmuir,17(2001)6655.
非特許文献(4)S.Fujita, S.Shiratori, Thin solid films.499(2004)59.
非特許文献(5)K.Fujimoto, S.Fujita, S.Shiratori, J.Appl.Phys.44(2005)
非特許文献(6)Decher.G, Hong.J.D. and J.Schmit: Thin Solid Films, 210/211, p.831(1992)
非特許文献(7)A.C.Fon, O.Onitsuka, M.Ferreira, B.R. Hsieh and M.F.Rubner: J.Appl. Phys. 79(10) 15 May(1996)
非特許文献(1)において、第一の帯電膜(カチオン高分子膜)と第二の帯電膜(アニオン高分子膜)を膜厚制御する方法が開示されており、高分子電解質のpHの変化により膜厚が増減することが記載されている。特に、弱電解質(PAH、PEI、PAA)は、特定の溶液条件(分子量、濃度、pH)において溶液中で球状に近い形態(コイル状、ループ状)をとるため、分子量が多い程、凝集した状態で吸着し、膜成長が促進されることが説明されている。これと同様な内容が非特許文献(2)にも開示されている。
本出願人は、本発明の効果を検証した。検証にあたって、本発明に対応する導電性基盤と、従来の導電性基盤とを用意した。そして、これら各実験例の導電性基盤において、導電性、帯電膜の強度、帯電膜の耐剥離性について検証した。
交互吸着法(段階成膜法)によるサンプルの形成は、被処理体にコロナ放電処理を施し、この後、それぞれの実験例に対応する帯電膜を形成した。本発明例による交互吸着膜(多層積層体)の形成は、被処理体にコロナ放電処理を施した後、
1.被処理体を第一の導電膜を形成する槽に浸漬 10分
2.リンス 3分〜リンス 1分〜リンス 1分
3.被処理体を第二の導電膜を形成する槽に浸漬 10分
4.リンス 3分〜リンス 1分〜リンス 1分
上記1〜4を1サイクルとして、各サンプルに対応した積層数だけ繰り返すことによって、交互吸着膜(多層積層体)を形成した。リンスには純水を用いた。
(塗布法)
塗布法によるサンプルの形成は、被処理体にコロナ放電処理を施した後、バーコーターによって帯電膜を塗布形成した。
以上、記載した条件に基づいて、まず検証1として、表1に示すように、4つのサンプル(実験例B−1,B−7,A−1,A−4)を用意した。
(実験例B−1)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PAH)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に30層ずつ形成。
(実験例B−7)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PAH)と第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を交互吸着法によって交互に30層ずつ形成。
(実験例A−1)PET基板上に、PEDOT/PSSをバーコーターにより単層コーティング(実験例B−1に相当する膜厚)。
(実験例A−4)PET基板上に、PANiをバーコーターにより単層コーティングした(実験例B−7に相当する膜厚)。
(1−1)導電性:実験例B−1,B−7は、塗布によって形成した単一の導電膜の実験例A−1,A−4と比較して、導電性は同等に保たれている。
(1−2)膜の強度:実験例A−1,A−4は、10回ラビング後の抵抗値の変化が無限大であった。実験例B−1,B−7では、抵抗値の変化が100%以下にとどまり、優れた膜の強度を実現している。
(1−3)耐剥離性:実験例A−1,A−4がセロハンテープを帯電膜の表面に貼着した後に剥離させた抵抗値の変化が無限大であった。実験例B−1,B−7では、抵抗値の変化が100%以下にとどまり、優れた耐剥離性を実現している。
次に、検証2として、表2に示すように、5つのサンプル(実験例B−1,B−2,B−3,A−2,A−3)を用意した。
(実験例B−1)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PAH)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に10層ずつ形成。
(実験例B−2)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PAH)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に20層ずつ形成。
(実験例B−3)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PAH)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に30層ずつ形成。
(実験例A−2)PET基板上に、第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を塗布法によって1層形成。
(実験例A−3)PET基板上に、第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を塗布法によって1層形成。
(2−1)導電性:実験例B−1,B−2,B−3によれば、多層構造体の積層数を30層にすることによって、実験例A−1,A−4と同等の導電性が保たれる。
(2−2)膜の強度:実験例A−2,A−3は、10回ラビング後の抵抗値の変化がそれぞれ50%以下、無限大であった。実験例B−1,B−2,B−3では、抵抗値の変化がいずれも100%以下にとどまり、優れた膜の強度を実現している。
(2−3)耐剥離性:実験例A−2,A−3は、セロハンテープを帯電膜の表面に貼着した後に剥離させた抵抗値の変化が無限大であった。実験例B−1,B−2,B−3では、抵抗値の変化がいずれも100%以下にとどまり、優れた耐剥離性を実現している。
次に、検証3として、表3に示すように、8つのサンプル(実験例B−4,B−5,B−6,B−8,B−9,B−10,A−2,A−3)を用意した。
(実験例B−4)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に10層ずつ形成。
(実験例B−5)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に20層ずつ形成。
(実験例B−6)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を交互吸着法によって交互に30層ずつ形成。
(実験例B−8)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を交互吸着法によって交互に10層ずつ形成。
(実験例B−9)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を交互吸着法によって交互に20層ずつ形成。
(実験例B−10)PET基板上に、第一の帯電膜(カチオン膜:PEI)と第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を交互吸着法によって交互に30層ずつ形成。
(実験例A−2)PET基板上に、第二の帯電膜(アニオン膜:PEDOT/PSS)を塗布法によって1層形成。
(実験例A−3)PET基板上に、第二の帯電膜(アニオン膜:PANi)を塗布法によって1層形成。
(3−1)導電性:
(3−1−1)実験例A−2,A−3の導電性を100としたとき、第二の帯電膜にPEDOT/PSSを用いた実験例では、交互吸着膜の積層数が20層以下で50〜75に留まった。
(3−1−2)第二の帯電膜にPANiを用いた実験例では、交互吸着膜の積層数が20層以上で従来の実験例と同等の導電性が確保されることが確認された。
(3−2)膜の強度:
(3−2−1)実験例A−2,A−3は、サンプルを10回ラビングした後の抵抗値の変化がそれぞれ50%以下または無限大であった。
(3−2−2)実験例B−4,B−5,B−6および実験例B−8,B−9,B−10のいずれにおいても、抵抗値の変化は100%以下に留まり、優れた膜の強度を実現していることが確認された。
(3−3)耐剥離性:
(3−3−1)実験例A−2,A−3では、セロハンテープを帯電膜の表面に貼着した後に剥離させた抵抗値の変化が50%以下であった。
(3−3−2)実験例B−4,B−5,B−6および実験例B−8,B−9,B−10のいずれにおいても、抵抗値の変化は100%以下に留まり、優れた耐剥離性を実現していることが確認された。
次に、上述した導電性基盤を備えたタッチパネル(電子デバイス)において(図2参照)、その効果を検証4として検証した。検証にあたって、表4に示すように、4つのサンプル(タッチパネルα,β,γ,δ)を用意した。
(タッチパネルα)実験例B−2の交互吸着膜(多層構造体)をもつ導電性基盤を適用した。
(タッチパネルβ)実験例B−3の交互吸着膜(多層構造体)をもつ導電性基盤を適用した。
(タッチパネルγ)実験例A−1の単一膜をもつ導電性基盤を適用した。
(タッチパネルδ)実験例A−2の単一膜をもつ導電性基盤を適用した。
これら4種類のタッチパネルを用いて、平坦性、透明性、打鍵試験、筆記試験、耐熱試験、耐湿熱試験をそれぞれ行った。
透明性は、透過率が80%以上を○、80%以下を×とした。
打鍵試験は、シリコンラバーを用いて250gの加重をかけつつ3回/秒サイクルで200万回の繰り返し打鍵を行い、打鍵前を100とした時に、打鍵後の平坦性の変化が50%未満を○、50%以上100%未満を△、100%以上を×とした。
筆記試験は、0.8Rのペンを用いて、10万文字の筆記を行い、筆記前を100とした時に、筆記前と筆記後の平坦性の変化が50%未満を○、50%以上100%未満を△、100%以上を×とした。
耐熱試験は、80℃の環境下で500時間静置し、経過前を100とした時に、経過前と経過後の平坦性の変化が50%未満を○、50%以上100%未満を△、100%以上を×とした。
耐湿熱試験は、60℃95%RHの環境下で500時間静置し、経過前を100とした時に、経過前と経過後の平坦性の変化が50%未満を○、50%以上100%未満を△、100%以上を×とした。
検証4の結果を表4に示す。
(4−1)平坦性:多層構造体の積層数が30層以上(タッチパネルβ)であれば±1.5%以内に保たれ、単層膜を用いた従来のタッチパネルγ、δと同等の平坦性が保たれることが確認された。
(4−2)透明性:多層構造体を用いたタッチパネルα,βは透過率80%以上を維持した。導電膜としてPANiの単層膜を用いたタッチパネルδは透過率が80%以下であったのと比較して、優れた透明性を維持していることが確認された。
(4−3)打鍵試験:多層構造体を用いたタッチパネルα,βはいずれも200万回の繰り返し打鍵後も平坦性の変化が50%未満であった。単層膜を用いたタッチパネルγ,δでは平坦性の変化が50%以上100%未満,100以上となり、本発明の多層構造体を適用したタッチパネルは、優れた耐打鍵性能が得られた。
(4−4)筆記試験:多層構造体を用いたタッチパネルα,βはいずれも10万文字の筆記試験後も平坦性の変化が50%未満であった。単層膜を用いたタッチパネルγ,δでは、平坦性の変化がそれぞれ100%以上,50%以上100%未満となり、本発明の多層構造体を適用したタッチパネルは、優れた耐筆記性能が得られた。
(4−5)耐熱試験:多層構造体を用いたタッチパネルα,βはいずれも80℃/500時間静置後の平坦性の変化が50%未満であった。単層膜を用いたタッチパネルγ,δでは平坦性の変化がそれぞれ100%以上,50%以上100%未満となり、本発明の多層構造体を適用したタッチパネルは、優れた耐熱性能が得られた。
(4−6)耐湿熱試験:多層構造体を用いたタッチパネルα,βはいずれも60℃95%RH/500時間静置後の平坦性の変化が50%未満であった。単層膜を用いたタッチパネルγ,δでは、いずれも平坦性の変化が100%以上となり、本発明の多層構造体を適用したタッチパネルは、優れた耐湿熱性能が得られた。
筆記試験、耐熱試験、耐湿熱試験など、実際にタッチパネルとして使用される環境において必須とされる項目で、交互吸着膜(多層構造体)をもつ導電性基盤をタッチパネルに用いることによって、従来の単層膜をもつ導電性基盤を適用したタッチパネルと比較して、特に優れた性能を得られることが判明した。
Claims (11)
- 少なくとも被成膜面が絶縁性を有する被処理体、
前記被処理体の被成膜面上に、正の電荷をもつ第一の帯電膜と、負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に配してなる多層構造体、
を備えたことを特徴とする導電性基盤。 - 前記第一の帯電膜は、ポリアリルアミン塩酸塩、またはポリエチレンイミンを含むことを特徴とする請求項1に記載の導電性基盤。
- 前記多層構造体の膜厚は、50nm〜1000nmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の導電性基盤。
- 前記被処理体は、コロナで帯電処理した基材であることを特徴とする請求項1に記載の導電性基盤。
- 前記多層構造体は、前記第一の帯電膜と前記第二の帯電膜の段階成膜法により形成されることを特徴とする請求項1に記載の導電性基盤。
- 少なくとも被成膜面が絶縁性を有する被処理体、前記被処理体の被成膜面上に、正の電荷をもつ第一の帯電膜と、負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に配してなる多層構造体を備えたことを特徴とする導電性基盤の製造方法であって、
前記被処理体にコロナ放電処理を行うA工程と、前記第一の帯電膜を形成するB工程と、前記第二の帯電膜を形成するC工程とを備え、
前記A工程を経た前記被処理体の被成膜面に対して、前記B工程、前記C工程の順に繰り返し行い、前記被処理体の被成膜面に前記多層構造体を形成することを特徴とする導電性基盤の製造方法。 - 前記B工程と前記C工程との間に、リンスを行なうD工程を更に備えたことを特徴とする請求項6に記載の導電性基盤の製造方法。
- 前記多層構造体の作成法として、段階成膜法を用いることを特徴とする請求項6に記載の導電性基盤の製造方法。
- 前記被処理体として、コロナで帯電処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることを特徴とする請求項6に記載の導電性基盤の製造方法。
- 少なくとも被成膜面が絶縁性を有する被処理体、
前記被処理体の被成膜面上に、正の電荷をもつ第一の帯電膜と、負の電荷をもつ第二の帯電膜とを交互に配してなる多層構造体、
を備えた導電性基盤を用いたことを特徴とする電子デバイス。 - 前記被処理体は、コロナで帯電処理した基材であることを特徴とする請求項10に記載の電子デバイス。
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