KR102080016B1 - Gaseous nitrogen spray structure to wafer for equipment front end module and equipment front end module comprising the wafer cooling structure for equipment front end module - Google Patents

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Abstract

A disclosed structure of spraying nitrogen gas to a wafer for an EFEM includes an EFEM back wall and a nitrogen gas spraying unit, thereby enabling the nitrogen gas sprayed from the nitrogen gas spraying unit to be intensively sprayed toward the wafer discharged to the front of a load lock chamber unit and enabling the wafer discharged to the front of the load lock chamber unit to be purged and cooled by the nitrogen gas. Therefore, a phenomenon such that remaining gas on the wafer reacts in the EFEM so that by-products are formed is prevented.

Description

이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠{Gaseous nitrogen spray structure to wafer for equipment front end module and equipment front end module comprising the wafer cooling structure for equipment front end module}Gaseous nitrogen spray structure to wafer for equipment front end module and equipment front end module including the wafer cooling structure for equipment front end module }

본 발명은 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer-like nitrogen gas injection structure for a wafer EMP and a wafer-like nitrogen gas injection structure for a wafer EMP.

웨이퍼 가공 설비는 반도체 등의 제조를 위한 웨이퍼를 증착, 노광, 식각, 세정 등 가공하기 위한 것으로, 이러한 웨이퍼 가공 설비에는 로드락 챔버 유닛(load lock chamber unit), 트랜스퍼 챔버 유닛(transfer chamber unit), 프로세스 챔버 유닛(process chamber unit), 이에프이엠(EFEM, Equipment front end module) 등과 함께 사이드 스토리지(side storage)가 적용된다.Wafer processing equipment is for processing the deposition, exposure, etching, cleaning, etc. of the wafer for the manufacture of semiconductors, etc. Such wafer processing equipment includes a load lock chamber unit, a transfer chamber unit, Side storage is applied together with a process chamber unit, an equipment front end module (EFEM), and the like.

상기 이에프이엠은 로드 포트가 설치되어, 상기 로드 포트를 통해 웨이퍼를 상기 웨이퍼 가공 설비 내로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 회수하여 외부로 반출할 수 있는 것이고, 상기 로드락 챔버 유닛은 상기 이에프이엠과 상기 트랜스퍼 챔버 유닛 사이에서 웨이퍼가 통과되는 것이고, 상기 트랜스퍼 챔버 유닛은 로봇 팔 등이 내장되어 있어서 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 투입된 웨이퍼를 상기 프로세스 챔버 유닛으로 투입하거나 공정이 끝난 웨이퍼를 다시 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 상기 이에프이엠으로 되돌려주는 것이고, 상기 프로세스 챔버 유닛은 상기 트랜스퍼 챔버 유닛을 통해 들어온 웨이퍼에 대한 에칭 공정 등의 가공을 수행하는 것이다.The EEPM may be provided with a load port, and the wafer may be introduced into the wafer processing facility through the load port, or the wafer having been processed may be recovered and taken out to the outside. The wafer is passed between the transfer chamber units, and the transfer chamber unit has a robot arm or the like embedded therein to inject the wafer introduced through the load lock chamber unit into the process chamber unit or return the processed wafer back to the load lock chamber. The process chamber unit returns to the EMP through the unit, and the process chamber unit performs processing such as an etching process on the wafer introduced through the transfer chamber unit.

상기 사이드 스토리지는 상기 이에프이엠에 연결되어, 상기 로드락 챔버 유닛과 상기 이에프이엠에 연결되어 있는 로드 포트 사이를 오가는 웨이퍼가 잠시 머물고 그 웨이퍼에 대한 독소 제거 등을 수행하여, 상기 로드락 챔버 유닛과 상기 이에프이엠 사이에서 완충 역할 등을 수행하는 것이다.The side storage may be connected to the EEPM so that a wafer that travels between the load lock chamber unit and the load port connected to the EEPM stays for a while and removes toxins to the wafer, thereby performing It is to play a buffer role and the like between the EMP.

이러한 사이드 스토리지의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.One example of such side storage may be that of the patent document presented below.

상기 이에프이엠의 상부에는 팬 유닛이 설치되어 있어서, 상기 팬 유닛에 의해 상기 이에프이엠의 상부에서 하강되는 기류가 상기 이에프이엠의 내부에 형성되고, 그러한 하강 기류에 의해 상기 이에프이엠의 내부에 있는 웨이퍼에 묻은 퓸(fume) 등의 이물질이 웨이퍼로부터 이탈되어 함께 하강됨과 함께, 상기 웨이퍼에 대한 가공 과정 등에서 상기 웨이퍼에 묻어 있던 브롬화수소(HBr), 염산(HCl) 등의 잔존 가스가 상기 이에프이엠의 내부에서 하강되는 기류 중에 포함되어 함께 하강되었다.A fan unit is installed on the upper part of the e-EM so that the air flow lowered from the upper part of the E-EM by the fan unit is formed inside the E-EM and the wafer in the interior of the E-EM by the lower air flow. Foreign substances such as fume and the like are separated from the wafer and lowered together, and residual gases such as hydrogen bromide (HBr) and hydrochloric acid (HCl) buried in the wafer during the processing of the wafer, etc. It was included in the air stream descending from the inside and descended together.

이러한 잔존 가스는 상기 이에프이엠의 온도 분위기에서 반응을 일으키면서 부산물을 형성하여, 결국 상기 웨이퍼를 오염시키는 원인이 되고 있는데, 종래에는 이에 대한 대책이 마땅치 않았다.Such residual gas forms by-products by causing a reaction in the temperature atmosphere of the EFM, which eventually causes contamination of the wafer, but conventionally, countermeasures against this have not been taken.

공개특허 제 10-2015-0069526호, 공개일자: 2015.06.23., 발명의 명칭: 이에프이엠Publication No. 10-2015-0069526, published date: June 23, 2015, title of the invention: IF 공개특허 제 10-2007-0099185호, 공개일자: 2007.10.09., 발명의 명칭: 반도체 기판 제조 장치에 사용되는 이에프이엠Patent Publication No. 10-2007-0099185, Publication Date: October 9, 2007, Title of the Invention: EPM used in a semiconductor substrate manufacturing apparatus 공개특허 제 10-2015-0091230호, 공개일자: 2015.08.10., 발명의 명칭: 로드 포트 및 ＥＦＥＭPublication No. 10-2015-0091230, published date: August 10, 2015, title of the invention: load port and EFEM

본 발명은 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 이에프이엠의 내부에서 반응하면서 부산물을 형성하는 것을 방지할 수 있는 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention includes an YMPE comprising a wafer-oriented nitrogen gas spraying structure for YEPEM and a wafer-oriented nitrogen gas spraying structure for YEPEM which can prevent the remaining gas deposited on the wafer from reacting inside the EM. It aims to provide.

본 발명의 일 측면에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조는 웨이퍼가 이에프이엠(EFEM)에서 트랜스퍼 챔버 유닛으로 통과되도록 하는 것인 로드락 챔버 유닛이 설치된 이에프이엠 후벽; 및 상기 이에프이엠 후벽 중 상기 로드락 챔버 유닛의 외곽의 적어도 일부에 배치되어, 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 상기 이에프이엠으로 인입되는 상기 웨이퍼를 향해 질소 가스를 분사해주는 질소 가스 분사 유닛;을 포함하고,
상기 질소 가스 분사 유닛은 상기 이에프이엠의 좌우 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 좌우 분사 방향 조절 부재와, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 좌우 분사 방향 조절 부재를 작동시키는 좌우 분사 방향 조절 수단과, 상기 이에프이엠의 상하 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 상하 분사 방향 조절 부재와, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 상하 분사 방향 조절 부재를 작동시키는 상하 분사 방향 조절 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer-oriented nitrogen gas injection structure for EEPM according to an aspect of the present invention includes an EEPEM rear wall in which a load lock chamber unit is installed such that a wafer passes from the EFEM to the transfer chamber unit; And a nitrogen gas injection unit disposed in at least a portion of an outer portion of the load lock chamber unit in the rear wall of the YEPM to inject nitrogen gas toward the wafer introduced into the YEPM through the load lock chamber unit. ,
The nitrogen gas injection unit has a left and right injection direction control member that can change the injection direction of the nitrogen gas in the left and right directions of the EEPM, and left and right to operate the left and right injection direction adjustment member so that the injection direction of the nitrogen gas is changed. Up and down injection direction control means, up and down injection direction adjustment member that can change the injection direction of the nitrogen gas in the vertical direction of the EEPM, and up and down to operate the up and down injection direction adjustment member to change the injection direction of the nitrogen gas It characterized in that it comprises a spray direction adjusting means.

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본 발명의 일 측면에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠에 의하면, 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 이에프이엠 후벽과, 질소 가스 분사 유닛을 포함함에 따라, 상기 질소 가스 분사 유닛에서 분사되는 질소 가스가 로드락 챔버 유닛의 전방으로 토출되는 웨이퍼를 향해 집중 분사될 수 있게 되고, 그에 따라 상기 로드락 챔버 유닛의 전방으로 토출되는 상기 웨이퍼가 상기 질소 가스에 의해 퍼지됨과 함께 냉각될 수 있게 되므로, 상기 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 이에프이엠의 내부에서 반응하면서 부산물을 형성하는 현상이 방지될 수 있게 되는 효과가 있다.According to the IFMP including the YMPEM wafer-oriented nitrogen gas injection structure and the YMPEM wafer-oriented nitrogen gas injection structure according to an aspect of the present invention, the YMPEM wafer-oriented nitrogen gas injection structure has an EMPEM rear wall and nitrogen gas injection. By including a unit, the nitrogen gas injected from the nitrogen gas injection unit can be injected in a concentrated manner toward the wafer discharged in front of the load lock chamber unit, and thus the wafer discharged in front of the load lock chamber unit Since it is possible to cool while being purged by the nitrogen gas, there is an effect that the phenomenon of forming by-products can be prevented while the residual gas buried in the wafer reacts inside the EM.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비의 구성을 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비를 구성하는 사이드 스토리지에 대한 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비를 구성하는 사이드 스토리지 및 이에프이엠에서의 배기 구조를 보이는 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 이에프이엠 후벽을 정면에서 바라본 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조에 대한 단면도.1 is a view showing a configuration of a wafer processing equipment to which a nitrogen gas injection structure for wafers for EMP according to an embodiment of the present invention is applied.
Figure 2 is a perspective view of the side storage constituting the wafer processing equipment to which the nitrogen gas injection structure for the wafer for EMP in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing an exhaust structure in the side storage and the EMP to form a wafer processing equipment to which the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for EEPM in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a front view of the YEPEM rear wall to which a nitrogen gas injection structure for YEPEM wafer is applied according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view of the nitrogen gas injection structure for wafer EMP according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings, a description will be given of an EMP including a nitrogen gas injection structure directed to a wafer for EMP according to an embodiment of the present invention and a nitrogen gas injection structure directed to a wafer for EFM.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비의 구성을 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비를 구성하는 사이드 스토리지에 대한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 웨이퍼 가공 설비를 구성하는 사이드 스토리지 및 이에프이엠에서의 배기 구조를 보이는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 적용된 이에프이엠 후벽을 정면에서 바라본 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조에 대한 단면도이다.1 is a view showing the configuration of the wafer processing equipment to which the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for YEP EM according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a wafer-oriented nitrogen gas injection structure for YEP EM according to an embodiment of the present invention Is a perspective view of a side storage constituting a wafer processing equipment to which the apparatus is applied, and FIG. 3 is a side storage and a exhaust of the wafer storage equipment constituting the wafer processing equipment to which the nitrogen gas injection structure for wafers according to the present invention is applied. Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure, Figure 4 is a front view of the YEPEM back wall to which the wafer-like nitrogen gas injection structure for YEPM in accordance with an embodiment of the present invention, Figure 5 is an EMP for use according to an embodiment of the present invention A cross sectional view of a nitrogen gas injection structure for a wafer.

도 1 내지 도 5를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조는 이에프이엠 후벽(28)과, 질소 가스 분사 유닛(150)을 포함한다.1 to 5 together, the Y-EM wafer-oriented nitrogen gas injection structure according to the present embodiment includes an Y-EM back wall 28 and a nitrogen gas injection unit 150.

상기 이에프이엠 후벽(28)은 로드락 챔버 유닛(60)이 설치된 것으로, 이에프이엠(EFEM)(20)의 후벽을 형성한다.The EMP back wall 28 is a load lock chamber unit 60 is installed, and forms the rear wall of the EFEM (20).

여기서, 상기 이에프이엠(20)에서, 후술되는 로드 포트(50)가 형성되는 벽체가 앞면인 이에프이엠 전벽이고, 후술되는 사이드 스토리지(side storage)(100)가 연결되는 벽체가 측면인 이에프이엠 측벽(21)이고, 웨이퍼(W)가 상기 이에프이엠(20)에서 트랜스퍼 챔버 유닛(30)으로 통과되도록 하는 것인 상기 로드락 챔버 유닛(60)이 설치되는 벽체가 후벽인 상기 이에프이엠 후벽(28)이다.In this case, in the EMP 20, the EMP E side wall in which the wall on which the load port 50 to be described later is formed is the EEP E front wall, and the wall to which the side storage 100 to be described later is connected is the side. And the wall where the load lock chamber unit 60 is installed is a rear wall 28 so as to allow the wafer W to pass from the EP 20 to the transfer chamber unit 30. )to be.

본 실시예에서는, 상기 로드 포트(50) 쪽에서 상기 로드락 챔버 유닛(60)이 설치된 상기 이에프이엠 후벽(28)을 바라볼 때, 상기 이에프이엠 후벽(28)의 중앙에서 좌측단을 향하는 것이 좌측 방향이고, 상기 이에프이엠 후벽(28)의 중앙에서 우측단을 향하는 것이 우측 방향이고, 상기 이에프이엠 후벽(28)의 중앙에서 상단을 향하는 것이 상측 방향이고, 상기 이에프이엠 후벽(28)의 중앙에서 하단을 향하는 것이 하측 방향이다.In the present embodiment, when the load port chamber 50 is viewed from the rear wall 28 in which the load lock chamber unit 60 is installed, the left side of the rear wall 28 facing the left end from the center of the rear wall 28 is left. Direction, the right direction is toward the right end from the center of the EMP back wall 28, the upper direction from the center of the EMP back wall 28 is the upper direction, and in the center of the EMP back wall 28 Toward the bottom is the downward direction.

상기 질소 가스 분사 유닛(150)은 상기 이에프이엠 후벽(28) 중 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 외곽의 적어도 일부에 배치되어, 질소(N2) 가스를 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)으로 인입되는 상기 웨이퍼를 향해 분사해주는 것이다.The nitrogen gas injection unit 150 is disposed on at least a portion of an outer portion of the load lock chamber unit 60 in the rear wall 28 of the EEPM so as to supply nitrogen (N 2 ) gas to the load lock chamber unit 60. It is sprayed toward the wafer introduced into the EMP 20 through.

상기와 같이, 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)으로 인입되는 상기 웨이퍼를 향해 분사된 상기 질소 가스는 상기 웨이퍼에 묻은 이물질을 날려주어 상기 웨이퍼를 세정(purge)시킴과 함께, 상기 웨이퍼를 냉각(cooling)시켜 상기 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 반응하면서 부산물을 형성하는 현상이 방지될 수 있게 된다.As described above, the nitrogen gas injected toward the wafer introduced through the load lock chamber unit 60 into the EEPM 20 blows off the foreign matter on the wafer to purge the wafer. In addition, the phenomenon in which the by-products are formed while the residual gas, which is buried in the wafer, reacts with the wafer 20 may be prevented by cooling the wafer.

상기 로드 포트(50)는 상기 이에프이엠(20)의 상기 이에프이엠 전벽에 형성되어, 상기 웨이퍼를 수용하여 이동시킬 수 있는 웨이퍼 캐리어가 얹히는 것이다.The load port 50 is formed on the front wall of the EEPM 20 so that a wafer carrier capable of receiving and moving the wafer is mounted thereon.

상기 이에프이엠(20)은 상기 웨이퍼 캐리어가 상기 로드 포트(50)에 착탈 가능하게 결합되어, 상기 웨이퍼 캐리어 내의 상기 웨이퍼를 상기 로드 포트(50)를 통해 웨이퍼 가공 설비(10) 내로 투입하거나 공정이 끝난 상기 웨이퍼를 회수하여 상기 웨이퍼 캐리어로 다시 넣어줌으로써 외부로 반출할 수 있도록 하는 것이다.The EMP 20 may be detachably coupled to the wafer carrier to inject the wafer in the wafer carrier into the wafer processing facility 10 through the load port 50. The finished wafer is collected and put back into the wafer carrier so that it can be taken out to the outside.

상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)은 로봇 팔 등이 내장되어 있어서 상기 이에프이엠(20) 및 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 순차적으로 통해 투입된 상기 웨이퍼를 프로세스 챔버 유닛(40)으로 투입하거나 공정이 끝난 상기 웨이퍼를 다시 상기 이에프이엠(20)으로 되돌려주는 것이다.The transfer chamber unit 30 has a robot arm or the like embedded therein to inject the wafer sequentially introduced through the EEPM 20 and the load lock chamber unit 60 into the process chamber unit 40, or the process is completed. The wafer is returned to the ELF 20 again.

상기 로드락 챔버 유닛(60)은 상기 이에프이엠(20)과 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30) 사이에서 상기 웨이퍼가 통과되는 것이다.In the load lock chamber unit 60, the wafer is passed between the ELF 20 and the transfer chamber unit 30.

상기 프로세스 챔버 유닛(40)은 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)에 연결되어, 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 통해 들어온 상기 웨이퍼에 대한 가공 공정을 수행하는 것이다.The process chamber unit 40 is connected to the transfer chamber unit 30 to perform a machining process on the wafer introduced through the transfer chamber unit 30.

상기 이에프이엠(20)에 연결된 상기 웨이퍼 캐리어에 수용된 웨이퍼가 상기 이에프이엠(20), 상기 로드락 챔버 유닛(60) 및 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 순차적으로 거치면서 상기 프로세스 챔버 유닛(40)으로 이동되고, 상기 프로세스 챔버 유닛(40)에 이동된 웨이퍼에 대한 가공 공정이 완료된 다음, 상기 웨이퍼가 외부 반출을 위해, 다시 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30), 상기 로드락 챔버 유닛(60) 및 상기 이에프이엠(20)을 순차적으로 거치게 된다.The process chamber unit 40 while a wafer accommodated in the wafer carrier connected to the EMP 20 passes through the EEP 20, the load lock chamber unit 60, and the transfer chamber unit 30 sequentially. After the processing process for the wafer moved to the process chamber unit 40 is completed, the wafer is again transferred to the transfer chamber unit 30, the load lock chamber unit 60, and the If you go through the FM 20 sequentially.

이 때, 상기 프로세스 챔버 유닛(40)에서 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 통해 상기 이에프이엠(20)으로 이동된 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 캐리어에 수용되기 전에 상기 사이드 스토리지(100)를 경유하면서, 퓸 등의 이물질이 제거될 수 있는데, 이에 대하여는 후술한다.At this time, while the wafer moved from the process chamber unit 40 to the EMP 20 through the transfer chamber unit 30 is received through the side storage 100 before being received in the wafer carrier, Foreign substances such as can be removed, which will be described later.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 질소 가스 분사 유닛(150)은 상기 이에프이엠 후벽(28) 중 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 좌우측 및 상측에 배치되어, 상기 질소 가스를 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)으로 인입되는 상기 웨이퍼를 향해 분사해줌으로써, 상기 질소 가스에 의해 상기 웨이퍼가 퍼지됨과 함께, 상기 웨이퍼가 냉각되도록 하는 것이다.As shown in FIG. 4, the nitrogen gas injection unit 150 is disposed on the left and right sides and the upper side of the load lock chamber unit 60 among the rear walls 28 of the EEPM so as to transfer the nitrogen gas to the load lock chamber unit. By spraying toward the wafer introduced into the EMP 20 through 60, the wafer is purged by the nitrogen gas and the wafer is cooled.

즉, 상기 질소 가스 분사 유닛(150) 중 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 좌우측에 배치된 것은 각각 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방을 향하여 상기 질소 가스를 각각 우측 방향 및 좌측 방향으로 경사지게 분사해주고, 상기 질소 가스 분사 유닛(150) 중 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 상측에 배치된 것은 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방을 향하여 상기 질소 가스를 하향되도록 경사지게 분사해줌으로써, 상기 각 질소 가스 분사 유닛(150)에서 분사되는 상기 각 질소 가스가 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방으로 토출되는 상기 웨이퍼를 향해 집중 분사될 수 있게 되고, 그에 따라 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방으로 토출되는 상기 웨이퍼가 상기 질소 가스에 의해 퍼지와 함께 냉각될 수 있게 된다.That is, each of the nitrogen gas injection units 150 disposed on the left and right sides of the load lock chamber unit 60 may be inclined in the right direction and the left direction toward the front of the load lock chamber unit 60, respectively. The nitrogen gas injection unit 150 is disposed above the load lock chamber unit 60 of the nitrogen gas injection unit 150 by inclining the nitrogen gas downwardly toward the front of the load lock chamber unit 60, thereby Each nitrogen gas injected from each nitrogen gas injection unit 150 may be concentrated injected toward the wafer discharged in front of the load lock chamber unit 60, and thus the load lock chamber unit 60 may be used. The wafer discharged to the front of the can be cooled together with the purge by the nitrogen gas.

상기 로드락 챔버 유닛(60)의 좌우측 및 상측에 배치된 상기 각 질소 가스 분사 유닛(150)은 그 좌우 길이만 다를 뿐 그 구조가 동일하므로, 이하에서는 동일하게 설명한다.Each nitrogen gas injection unit 150 disposed on the left and right sides and the upper side of the load lock chamber unit 60 has the same structure except that only the left and right lengths thereof are different.

상기 질소 가스 분사 유닛(150)은 좌우 분사 방향 조절 부재(156)와, 좌우 분사 방향 조절 수단(166)과, 상하 분사 방향 조절 부재(153)와, 상하 분사 방향 조절 수단(165)을 포함한다.The nitrogen gas injection unit 150 includes a left and right injection direction adjusting member 156, a left and right injection direction adjusting means 166, a vertical injection direction adjusting member 153, and a vertical injection direction adjusting means 165. .

도면 번호 101은 외부의 질소 가스 탱크 등 질소 가스 공급원(미도시)과 상기 질소 가스 분사 유닛(150)을 연결하여 상기 질소 가스를 공급해주는 질소 가스 유동 관이고, 도면 번호 151은 상기 이에프이엠 후벽(28)을 관통하도록 설치되는 유닛 케이스이고, 도면 번호 152는 상기 유닛 케이스(151)의 내부를 관통하고 상기 질소 가스 유동 관(101)과 연통됨으로써 상기 질소 가스 유동 관(101)을 통해 유동된 상기 질소 가스가 상기 질소 가스 분사 유닛(150)의 전방으로 토출되도록 하는 질소 가스 토출구이다.Reference numeral 101 is a nitrogen gas flow tube for supplying the nitrogen gas by connecting a nitrogen gas supply source (not shown) such as an external nitrogen gas tank and the nitrogen gas injection unit 150, and reference numeral 151 denotes the rear wall of the EMPE ( 28 is a unit case installed to penetrate through, and reference numeral 152 passes through the inside of the unit case 151 and is communicated with the nitrogen gas flow tube 101 to flow through the nitrogen gas flow tube 101. It is a nitrogen gas discharge port through which nitrogen gas is discharged to the front of the nitrogen gas injection unit 150.

상기 좌우 분사 방향 조절 부재(156)는 상기 질소 가스 토출구(152) 내에 배치되어, 상기 이에프이엠(20)의 좌우 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 것으로, 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)과, 좌우 분사 방향 조절 루버(158)를 포함한다.The left and right injection direction adjusting member 156 is disposed in the nitrogen gas discharge port 152 to change the injection direction of the nitrogen gas in the left and right directions of the EMP 20, the left and right injection direction adjustment rotating shaft ( 157 and left and right injection direction adjustment louvers 158.

상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)은 상기 질소 가스 토출구(152)를 상하 방향으로 가로질러 상기 유닛 케이스(151)의 상단과 하단에 각각 회전 가능하게 연결되고, 상기 좌우 분사 방향 조절 수단(166)에 의해 회전될 수 있는 것이다.The left and right injection direction adjusting rotation shaft 157 is rotatably connected to the upper and lower ends of the unit case 151 across the nitrogen gas discharge port 152 in the vertical direction, and the left and right injection direction adjusting means 166. It can be rotated by.

상기 좌우 분사 방향 조절 루버(158)는 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)에서 루버(louver) 형태로 연장되는 것으로, 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)의 전체에서 루버 형태로 연장되고, 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)을 기준으로 대칭되도록 한 쌍이 루버 형태로 연장되는 것이 바람직하다.The left and right injection direction adjustment louvers 158 extend in a louver form from the left and right injection direction adjustment rotation shaft 157, extend in a louver form from the entire left and right injection direction adjustment rotation shaft 157, and the left and right Preferably, the pair extends in the shape of a louver so as to be symmetric with respect to the injection direction adjusting rotation shaft 157.

상기와 같이 형성되면, 상기 좌우 분사 방향 조절 수단(166)에 의해 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)이 일정 각도 회전될 수 있고, 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)이 회전된 상태에서 상기 좌우 분사 방향 조절 루버(158)가 향햐는 방향이 상기 질소 가스 토출구(152)를 통해 토출되는 상기 질소 가스의 좌우 방향으로의 분사 방향이 된다.When formed as described above, the left and right injection direction adjustment rotation shaft 157 may be rotated by a predetermined angle by the left and right injection direction adjustment means 166, the left and right injection direction adjustment rotation shaft 157 is rotated in the left and right The direction in which the injection direction control louver 158 faces becomes the injection direction in the left and right directions of the nitrogen gas discharged through the nitrogen gas discharge port 152.

상기 좌우 분사 방향 조절 수단(166)은 상기 유닛 케이스(151)에 설치되는 전기 모터 등으로서, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 좌우 분사 방향 조절 부재(156)를 작동시키는 것이다. 상세히는, 상기 좌우 분사 방향 조절 수단(166)이 상기 좌우 분사 방향 조절 회전축(157)을 회전시켜 줌으로써, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 한다.The left and right injection direction adjusting means 166 is an electric motor or the like installed in the unit case 151 to operate the left and right injection direction adjusting member 156 so that the injection direction of the nitrogen gas is varied. In detail, the left and right injection direction adjusting means 166 rotates the left and right injection direction adjusting rotation shaft 157 so that the injection direction of the nitrogen gas is varied.

상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)는 상기 질소 가스 토출구(152) 내에 배치되어, 상기 이에프이엠(20)의 상하 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 것으로, 상하 분사 방향 조절 회전축(154)과, 상하 분사 방향 조절 루버(155)를 포함한다.The up and down injection direction adjusting member 153 is disposed in the nitrogen gas discharge port 152 to vary the injection direction of the nitrogen gas in the up and down direction of the EMP 20, the up and down injection direction adjustment rotating shaft ( 154, and the vertical injection direction adjustment louver 155.

상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)은 상기 질소 가스 토출구(152)를 좌우 방향으로 가로질러 상기 유닛 케이스(151)의 양 측단에 각각 회전 가능하게 연결되고, 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)에 의해 회전될 수 있는 것이다.The vertical injection direction adjustment rotation shaft 154 is rotatably connected to both side ends of the unit case 151 across the nitrogen gas discharge port 152 in the horizontal direction, and to the vertical injection direction adjustment means 165. It can be rotated by.

상기 상하 분사 방향 조절 루버(155)는 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)에서 루버(louver) 형태로 연장되는 것으로, 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)의 전체에서 루버 형태로 연장되고, 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)을 기준으로 대칭되도록 한 쌍이 루버 형태로 연장되는 것이 바람직하다.The up and down injection direction control louver 155 extends in a louver form from the up and down injection direction control rotation shaft 154, extends in a louver form in the entire up and down injection direction control rotation shaft 154, and the up and down Preferably, the pair extends in the shape of a louver so as to be symmetric with respect to the injection direction adjusting rotation shaft 154.

상기와 같이 형성되면, 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)에 의해 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)이 일정 각도 회전될 수 있고, 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)이 회전된 상태에서 상기 상하 분사 방향 조절 루버(155)가 향햐는 방향이 상기 질소 가스 토출구(152)를 통해 토출되는 상기 질소 가스의 상하 방향으로의 분사 방향이 된다.When formed as described above, the up and down injection direction adjustment rotation shaft 154 may be rotated by a predetermined angle by the up and down injection direction adjustment means 165, the up and down injection direction adjustment rotation shaft 154 is rotated in the state The direction in which the injection direction control louver 155 faces becomes the injection direction in the vertical direction of the nitrogen gas discharged through the nitrogen gas discharge port 152.

본 실시예에서는, 상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)는 상기 이에프이엠(20)의 상하 방향으로 복수 개가 배치될 수 있다.In the present exemplary embodiment, a plurality of vertical injection direction adjusting members 153 may be disposed in the vertical direction of the EEPM 20.

상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)은 상기 유닛 케이스(151)에 설치되는 전기 모터 등으로서, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)를 작동시키는 것이다. 상세히는, 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)이 상기 상하 분사 방향 조절 회전축(154)을 회전시켜 줌으로써, 상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 한다.The vertical injection direction adjusting means 165 is an electric motor or the like installed in the unit case 151 to operate the vertical injection direction adjusting member 153 such that the injection direction of the nitrogen gas is varied. In detail, the up and down injection direction adjusting means 165 rotates the up and down injection direction adjusting rotation shaft 154 so that the injection direction of the nitrogen gas is varied.

한편, 상기 질소 가스 분사 유닛(150)은 상하 분사 방향 동력 전달 수단(160)을 포함한다.On the other hand, the nitrogen gas injection unit 150 includes a vertical injection direction power transmission means 160.

상기 상하 분사 방향 동력 전달 수단(160)은 상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)가 작동될 수 있도록, 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)에서 발생된 동력을 상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)로 전달하는 것이다.The vertical injection direction power transmission means 160 transfers the power generated by the vertical injection direction control means 165 to the vertical injection direction control member 153 so that the vertical injection direction control member 153 can be operated. To convey.

상세히, 상기 상하 분사 방향 동력 전달 수단(160)은 루버 연결 바아(161)와, 랙 기어(162)와, 피니언 기어(163)를 포함한다.In detail, the vertical injection direction power transmission means 160 includes a louver connection bar 161, a rack gear 162, and a pinion gear 163.

상기 루버 연결 바아(161)는 복수 개의 상기 상하 분사 방향 조절 루버(155)가 각각 회동 가능하게 연결되도록 상기 이에프이엠의 상하 방향으로 일정 길이로 형성되는 바아(bar) 형태의 것으로, 상기 루버 연결 바아(161)에 의해 복수 개의 상기 상하 분사 방향 조절 루버(155)가 연결됨으로써, 복수 개의 상기 상하 분사 방향 조절 루버(155)가 연동되어 같은 방향을 향하도록 동작될 수 있게 된다.The louver connection bar 161 is a bar (bar) formed in a predetermined length in the vertical direction of the YF EM so that the plurality of vertical injection direction control louvers 155 are rotatably connected, the louver connection bar The plurality of vertical injection direction adjustment louvers 155 are connected to each other by 161, so that the plurality of vertical injection direction adjustment louvers 155 may be linked to operate in the same direction.

상기 랙 기어(162)는 상기 루버 연결 바아(161)의 일부, 여기서는 상기 루버 연결 바아(161)의 상부 표면에 형성되는 것이고, 상기 피니언 기어(163)는 상기 랙 기어(162)와 맞물리고 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)의 회전축에 연결되어 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)에 의해 회전될 수 있는 것이다.The rack gear 162 is formed on a part of the louver connecting bar 161, here the upper surface of the louver connecting bar 161, the pinion gear 163 meshes with the rack gear 162 and the It is connected to the rotation axis of the vertical injection direction control means 165 can be rotated by the vertical injection direction control means 165.

상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)이 일 방향으로 회전되면, 상기 피니언 기어(163)도 같은 일 방향으로 회전되고, 그에 따라 상기 랙 기어(162) 및 상기 루버 연결 바아(161)가 하강됨으로써, 상기 각 루버 연결 바아(161)가 점진적으로 상측 방향을 향하여 상기 질소 가스가 토출되도록 상측 방향을 향하게 된다.When the vertical injection direction adjustment means 165 is rotated in one direction, the pinion gear 163 is also rotated in the same direction, so that the rack gear 162 and the louver connection bar 161 is lowered, Each of the louver connection bars 161 is gradually directed upward so that the nitrogen gas is discharged upward.

반면, 상기 상하 분사 방향 조절 수단(165)이 타 방향으로 회전되면, 상기 피니언 기어(163)도 같은 타 방향으로 회전되고, 그에 따라 상기 랙 기어(162) 및 상기 루버 연결 바아(161)가 상승됨으로써, 상기 각 루버 연결 바아(161)가 점진적으로 하측 방향을 향하여 상기 질소 가스가 토출되도록 하측 방향을 향하게 된다.On the other hand, when the vertical injection direction control means 165 is rotated in the other direction, the pinion gear 163 is also rotated in the other direction, so that the rack gear 162 and the louver connection bar 161 is raised As a result, each of the louver connection bars 161 is gradually directed downward so that the nitrogen gas is discharged downward.

한편, 상기 사이드 스토리지(100)는 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)와, 하부 케이스 부재(120)와, 배기관 부재(135)와, 전면 패널 부재(130)를 포함하고, 상기 이에프이엠(20)에 연결되는 것이다.Meanwhile, the side storage 100 includes a wafer accommodating cassette member 110, a lower case member 120, an exhaust pipe member 135, and a front panel member 130. It is connected.

상기 사이드 스토리지(100)는 상기 이에프이엠(20)에 연결되어 있는 상기 로드 포트(50)와 상기 로드락 챔버 유닛(60) 사이의 버퍼가 되는 것이다.The side storage 100 serves as a buffer between the load port 50 and the load lock chamber unit 60 connected to the EEPM 20.

상세히, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)는 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 이동되는 상기 웨이퍼가 일정 시간 동안 수용될 수 있는 것으로, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)의 상세 구조는 등록특허 제 10-1075171호, 등록특허 제 10-1682473호 등에서 이미 개시되고 있는 등 일반적인 것이므로, 여기서는 그 구체적인 설명 및 도시를 생략한다.In detail, the wafer accommodating cassette member 110 may be accommodated for a predetermined time in which the wafer moved inside the EMP 20, and the detailed structure of the wafer accommodating cassette member 110 is described in detail. Since it is a general thing etc. already disclosed by -1075171, 10-1682473, etc., the detailed description and illustration are abbreviate | omitted here.

도면 번호 111은 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)의 내부에 형성되어 상기 웨이퍼가 수용될 수 있는 공간인 웨이퍼 수용 홀이고, 도면 번호 112는 상기 웨이퍼 수용 홀(111)의 바닥에 형성되어 상기 웨이퍼 수용 홀(111) 내부의 공기가 배출될 수 있는 카세트측 배기 홀이다.Reference numeral 111 is a wafer accommodating hole which is formed inside the wafer accommodating cassette member 110 to accommodate the wafer, and reference numeral 112 is formed at the bottom of the wafer accommodating hole 111 to accommodate the wafer. It is a cassette side exhaust hole through which air inside the hole 111 can be discharged.

상기 하부 케이스 부재(120)는 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)의 하부에서 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)를 지지하는 것으로, 상기 하부 케이스 부재(120)에 의해 받쳐짐으로써 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)가 상기 사이드 스토리지(100)의 설치면으로부터 일정 높이 상에 위치될 수 있게 된다.The lower case member 120 supports the wafer accommodating cassette member 110 under the wafer accommodating cassette member 110, and is supported by the lower case member 120 to support the wafer accommodating cassette member ( 110 may be located on a predetermined height from the installation surface of the side storage (100).

상기 하부 케이스 부재(120) 내부에는, 상기 웨이퍼 수용 홀(111) 내부의 공기 등을 외부로 배기시키기 위한 배기 구조인 상기 배기관 부재(135) 등이 수용된다.In the lower case member 120, the exhaust pipe member 135, which is an exhaust structure for exhausting air, etc. inside the wafer accommodating hole 111 to the outside, is accommodated.

상기 배기관 부재(135)는 외부의 진공 펌프(미도시)와 상기 카세트측 배기 홀(112)을 연통시키는 배관으로, 상기 하부 케이스 부재(120) 내부에 배치되어, 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)에 수용된 상기 웨이퍼의 퓸(fume) 등의 이물질 제거를 위하여 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110) 내부의 공기를 외부로 배기시킬 수 있는 것이다.The exhaust pipe member 135 is a pipe communicating an external vacuum pump (not shown) and the cassette side exhaust hole 112. The exhaust pipe member 135 is disposed inside the lower case member 120, and the wafer accommodating cassette member 110. The air inside the wafer accommodating cassette member 110 may be exhausted to the outside in order to remove foreign substances such as fume of the wafer accommodated in the wafer.

상기 진공 펌프가 작동되면, 상기 배기관 부재(135)를 통해 상기 카세트측 배기 홀(112)에 부압(negative pressure)이 걸리면서, 상기 웨이퍼 수용 홀(111) 내부의 이물질이 함유된 공기가 상기 카세트측 배기 홀(112) 및 상기 배기관 부재(135)를 통해 외부로 배출될 수 있게 된다.When the vacuum pump is operated, negative pressure is applied to the cassette-side exhaust hole 112 through the exhaust pipe member 135, and air containing foreign matter in the wafer accommodating hole 111 is transferred to the cassette side. It can be discharged to the outside through the exhaust hole 112 and the exhaust pipe member 135.

상기 전면 패널 부재(130)는 상기 하부 케이스 부재(120)에서 상기 이에프이엠(20)과 마주하는 면인 전면을 구성하는 것으로, 일정 면적의 플레이트 형태로 형성된다.The front panel member 130 constitutes a front surface of the lower case member 120 that faces the EGP 20, and is formed in a plate shape having a predetermined area.

본 실시예에서는, 상기 전면 패널 부재(130)에, 상부 배기구(131)와, 하부 배기구(132)가 함께 형성된다.In the present exemplary embodiment, an upper exhaust port 131 and a lower exhaust port 132 are formed together on the front panel member 130.

상기 상부 배기구(131)는 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 상기 이에프이엠(20)의 상측으로부터 하강된 공기가 상기 이에프이엠(20)의 외부로 배출될 수 있도록, 상기 전면 패널 부재(130)에서 상대적으로 상부에 관통 형성된 것이다.The upper exhaust port 131 may allow the air descending from the upper side of the EEP 20 to be discharged to the outside of the EEP 20 in the inside of the EEP 20. In the relatively formed through the upper portion.

여기서, 상기 상부 배기구(131)가 형성된 상기 전면 패널 부재(130)의 상부라 함은, 상기 전면 패널 부재(130)의 중앙부 또는 그 위의 부분을 말한다.Here, the upper portion of the front panel member 130 in which the upper exhaust port 131 is formed refers to a central portion or a portion of the front panel member 130.

상기 하부 배기구(132)는 상기 이에프이엠(20)의 저면부의 이물질이 상기 이에프이엠(20)의 외부로 배출될 수 있도록, 상기 전면 패널 부재(130)에서 상대적으로 하부에 관통 형성된 것이다.The lower exhaust port 132 is formed to penetrate through the lower portion of the front panel member 130 so that foreign matters of the bottom portion of the EMP 20 can be discharged to the outside of the EMP 20.

여기서, 상기 하부 배기구(132)가 형성된 상기 전면 패널 부재(130)의 하부라 함은, 상기 전면 패널 부재(130)의 중앙부 아래의 부분을 말하는 것으로, 상기 상부 배기구(131)에 비해 상기 하부 배기구(132)는 상대적으로 하측에 형성된다.Here, the lower portion of the front panel member 130 in which the lower exhaust port 132 is formed refers to a portion under the center of the front panel member 130, and the lower exhaust port is lower than the upper exhaust port 131. 132 is formed on the relatively lower side.

상기 상부 배기구(131)와 상기 하부 배기구(132)는 상기 이에프이엠(20)의 내부와 서로 다른 높이에서 각각 연통된다.The upper exhaust port 131 and the lower exhaust port 132 communicate with each other at different heights from the inside of the EMP 20.

한편, 상기 사이드 스토리지(100)는 상부 배기 연결관(136)과, 하부 배기 연결관(137)을 포함한다.Meanwhile, the side storage 100 includes an upper exhaust pipe 136 and a lower exhaust pipe 137.

상기 상부 배기 연결관(136)은 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 상기 이에프이엠(20)의 상측으로부터 하강된 공기가 상기 이에프이엠(20)의 외부로 배출되어 상기 배기관 부재(135)를 통해 유동될 수 있도록, 상기 배기관 부재(135)와 상기 상부 배기구(131)를 연통시키는 배관이다.The upper exhaust pipe 136 is the air lowered from the upper side of the EMP 20 in the interior of the EMP 20 is discharged to the outside of the EMP 20 through the exhaust pipe member 135 The exhaust pipe member 135 and the upper exhaust port 131 communicate with each other so as to flow.

상기 하부 배기 연결관(137)은 상기 이에프이엠(20)의 저면부의 이물질이 상기 이에프이엠(20)의 외부로 배출되어 상기 배기관 부재(135)를 통해 유동될 수 있도록, 상기 배기관 부재(135)와 상기 하부 배기구(132)를 연통시키는 배관이다.The lower exhaust connection pipe 137 may allow the foreign matter of the bottom portion of the EMP 20 to be discharged to the outside of the EMP 20 and flow through the exhaust pipe member 135. And the lower exhaust port 132 communicate with each other.

한편, 본 실시예에서는, 상기 이에프이엠(20)이 상기 이에프이엠 측벽(21)과, 상부 연통 홀(23)과, 하부 연통 홀(24)과, 하부 홀 덮개 부재(25)를 포함한다.On the other hand, in the present embodiment, the EEPM 20 includes the EEPM side wall 21, the upper communication hole 23, the lower communication hole 24, and the lower hole cover member 25.

상기 이에프이엠 측벽(21)은 상기 이에프이엠(20)의 측면을 형성하는 것으로서, 상기 사이드 스토리지(100)와 연결된다.The EFM sidewall 21 forms a side surface of the EFM 20 and is connected to the side storage 100.

상기 상부 연통 홀(23)은 상기 이에프이엠 측벽(21)을 관통하여 형성되되, 상기 상부 배기구(131)와 연통되는 것이다.The upper communication hole 23 is formed to penetrate the EEPM side wall 21, and communicates with the upper exhaust port 131.

상기 하부 연통 홀(24)은 상기 이에프이엠 측벽(21)을 관통하여 형성되되, 상기 하부 배기구(132)와 연통되는 것이다.The lower communication hole 24 is formed through the EEPM side wall 21 and communicates with the lower exhaust port 132.

상기 하부 연통 홀(24)이 상기 상부 연통 홀(23)에 비해 상대적으로 하측에 배치되는 것은 물론이다.Of course, the lower communication hole 24 is disposed below the upper communication hole 23 relatively.

상기 하부 홀 덮개 부재(25)는 상기 하부 연통 홀(24)을 가리도록 상기 이에프이엠 측벽(21)으로부터 상기 이에프이엠(20)의 내측으로 일정 길이 연장되는 것이다.The lower hole cover member 25 extends a predetermined length from the EPM sidewall 21 to the inside of the EFM 20 so as to cover the lower communication hole 24.

상세히, 상기 하부 홀 덮개 부재(25)는 상기 하부 연통 홀(24)의 상단에서 상기 이에프이엠 측벽(21)으로부터 일정 길이 연장되는 것으로, 일정 면적의 플레이트 형태로 형성될 수 있고, 상기 이에프이엠 측벽(21)에 대해 수직으로 연장될 수 있다.In detail, the lower hole cover member 25 extends a predetermined length from the EPM sidewall 21 at an upper end of the lower communication hole 24, and may be formed in a plate shape having a predetermined area. It may extend perpendicular to 21.

상기 하부 홀 덮개 부재(25)는 볼트 등의 별도 결합 수단을 이용하여, 상기 이에프이엠 측벽(21)에 착탈 가능하게 결합된다.The lower hole cover member 25 is detachably coupled to the EFM sidewall 21 using a separate coupling means such as a bolt.

상기 하부 홀 덮개 부재(25)는 상기 이에프이엠 측벽(21)과 동일한 금속 재질로 이루어질 수 있다.The lower hole cover member 25 may be made of the same metal material as the EEM sidewall 21.

상기와 같이, 상기 하부 홀 덮개 부재(25)가 형성됨에 따라, 상기 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 상기 이에프이엠(20)의 내부를 따라 하강되는 기류를 타고 하강되다가 상기 하부 홀 덮개 부재(25)에 의해 막힘으로써, 상기 잔존 가스가 상기 이에프이엠(20)의 하부 모서리를 부식시키는 현상이 방지될 수 있게 된다.As described above, as the lower hole cover member 25 is formed, the remaining gas buried in the wafer is lowered by a flow of air descending along the inside of the EMP 20, and then the lower hole cover member 25. By being blocked by, the phenomenon that the remaining gas corrodes the lower edge of the EMP 20 can be prevented.

상기 하부 홀 덮개 부재(25)가 상기 잔존 가스에 의해 부식되면, 부식된 상기 하부 홀 덮개 부재(25)는 상기 이에프이엠 측벽(21)으로부터 분리되고, 새로운 것으로 교체될 수 있다.When the lower hole cover member 25 is corroded by the remaining gas, the corroded lower hole cover member 25 may be separated from the EFM sidewall 21 and replaced with a new one.

한편, 상기 이에프이엠(20)은 덮개 대체 부식 부재(26)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the EMP 20 may further include a cover replacement corrosion member 26.

상기 덮개 대체 부식 부재(26)는 상기 하부 홀 덮개 부재(25)의 상면과 상기 이에프이엠 측벽(21)이 만나는 모서리에 볼트 등의 별도 결합 수단을 이용하여 착탈 가능하게 설치되어, 상기 하부 홀 덮개 부재(25) 대신 부식될 수 있는 것이다.The cover replacement corrosion member 26 is detachably installed at a corner where the upper surface of the lower hole cover member 25 and the EFM sidewall 21 meet by using a separate coupling means such as a bolt, and the lower hole cover It may be corroded instead of the member 25.

상기 덮개 대체 부식 부재(26)는 상기 이에프이엠 측벽(21)과 동일한 금속 재질로 이루어질 수 있다.The cover replacement corrosion member 26 may be made of the same metal material as the EEM sidewall 21.

상기와 같이, 상기 덮개 대체 부식 부재(26)가 형성됨에 따라, 상기 하부 홀 덮개 부재(25) 중 상기 잔존 가스에 의해 가장 심하게 부식되는 부분인 상기 하부 홀 덮개 부재(25)의 상면과 상기 이에프이엠 측벽(21)이 만나는 모서리 부분이 부식되지 않고, 상기 덮개 대체 부식 부재(26)가 대신 부식되고, 부식된 상기 덮개 대체 부식 부재(26)가 상기 하부 홀 덮개 부재(25)로부터 분리되고, 새로운 것으로 교체될 수 있으므로, 상기 하부 홀 덮개 부재(25)의 수명이 연장될 수 있게 된다.As described above, as the cover replacement corrosion member 26 is formed, the upper surface of the lower hole cover member 25, which is the portion of the lower hole cover member 25 which is severely corroded by the remaining gas, The edge portion where the M side wall 21 meets does not corrode, the cover replacement corrosion member 26 is corroded instead, the corroded cover replacement corrosion member 26 is separated from the lower hole cover member 25, Since it can be replaced with a new one, the life of the lower hole cover member 25 can be extended.

한편, 상기 이에프이엠(20)은 벽체 대체 부식 부재(27)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the EMP 20 may further include a wall replacement corrosion member (27).

상기 벽체 대체 부식 부재(27)는 상기 이에프이엠 측벽(21)과 상기 이에프이엠(20)의 저면(22)이 만나는 모서리에 볼트 등의 별도 결합 수단을 이용하여 착탈 가능하게 설치되어, 상기 이에프이엠 측벽(21)과 상기 이에프이엠(20)의 저면(22) 대신 부식될 수 있는 것이다.The wall replacement corrosion member 27 is detachably installed at a corner where the EPM sidewall 21 and the bottom surface 22 of the EPM 20 meet by using a separate coupling means such as a bolt. Instead of the side wall 21 and the bottom 22 of the EMP 20 may be corroded.

상기 벽체 대체 부식 부재(27)는 상기 이에프이엠 측벽(21)과 동일한 금속 재질로 이루어질 수 있다.The wall replacement corrosion member 27 may be made of the same metal material as the EEM sidewall 21.

상기와 같이, 상기 벽체 대체 부식 부재(27)가 형성됨에 따라, 상기 이에프이엠(20) 중 상기 잔존 가스에 의해 가장 심하게 부식되는 부분인 상기 이에프이엠 측벽(21)과 상기 이에프이엠(20)의 저면(22)이 만나는 모서리 부분이 부식되지 않고, 상기 벽체 대체 부식 부재(27)가 대신 부식되고, 부식된 상기 벽체 대체 부식 부재(27)가 상기 이에프이엠(20)으로부터 분리되고, 새로운 것으로 교체될 수 있으므로, 상기 이에프이엠(20)의 수명이 연장될 수 있게 된다.As described above, as the wall replacement corrosion member 27 is formed, the EMP sidewall 21 and the EMP 20 which are the parts which are most severely corroded by the remaining gas among the EMP 20 are formed. The edge portion where the bottom face 22 meets is not corroded, the wall replacement corrosion member 27 is instead corroded, and the corroded wall replacement corrosion member 27 is separated from the EPM 20 and replaced with a new one. As such, the life of the EMP 20 may be extended.

또한, 상기 벽체 대체 부식 부재(27)는 상기 이에프이엠(20)의 저면(22)으로부터 상기 하부 연통 홀(24)의 하단까지 경사면 형태로 형성되고, 그에 따라 상기 이에프이엠 측벽(21)과 상기 이에프이엠(20)의 저면(22)이 만나는 모서리 부분에 쌓이는 이물질이 상기 벽체 대체 부식 부재(27)에 의해 상기 하부 연통 홀(24)로 안내되어 상기 하부 배기구(132)를 통해 외부로 원활하게 배출될 수 있게 된다.In addition, the wall replacement corrosion member 27 is formed in the form of an inclined surface from the bottom surface 22 of the EMP 20 to the bottom of the lower communication hole 24, and thus the EMP side wall 21 and the Foreign matter accumulated at the corner portion where the bottom 22 of the EMP 20 meets is guided to the lower communication hole 24 by the wall replacement corrosion member 27 and smoothly to the outside through the lower exhaust port 132. Can be discharged.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠(20)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described the operation of the YEPM 20 including the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for YEPEM wafer and the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for YEPEM according to the present embodiment.

먼저, 상기 프로세스 챔버 유닛(40)에서 가공 완료된 상기 웨이퍼가 상기 트랜스퍼 챔버 유닛(30)을 거쳐, 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)의 내부로 인입된다.First, the wafer processed in the process chamber unit 40 is introduced into the ELF 20 through the load lock chamber unit 60 through the transfer chamber unit 30.

이 때, 상기 질소 가스 분사 유닛(150)에서 상기 좌우 분사 방향 조절 부재(156) 및 상기 상하 분사 방향 조절 부재(153)에 의해, 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방을 향해 분사되는 상기 질소 가스가 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)의 내부로 인입된 상기 웨이퍼로 분사되고, 그에 따라 상기 로드락 챔버 유닛(60)을 통해 상기 이에프이엠(20)의 내부로 인입된 상기 웨이퍼가 퍼지와 함께 냉각될 수 있게 된다.At this time, the nitrogen is injected toward the front of the load lock chamber unit 60 by the left and right injection direction control member 156 and the vertical injection direction control member 153 in the nitrogen gas injection unit 150. Gas is injected into the wafer drawn through the load lock chamber unit 60 into the EMP 20, and thus into the EMP 20 through the load lock chamber unit 60. The incoming wafer can be cooled with the purge.

상기와 같이 냉각된 상기 웨이퍼는 그러한 냉각 상태로 상기 사이드 스토리지(100)의 상기 웨이퍼 수용 홀(111)로 인입된다.The wafer cooled as described above is introduced into the wafer accommodating hole 111 of the side storage 100 in such a cooling state.

이러한 상태에서, 상기 진공 펌프가 작동되면, 상기 웨이퍼 수용 홀(111)의 내부 공기가 상기 카세트측 배기 홀(112) 및 상기 배기관 부재(135)를 순차적으로 거치면서 빨려들어서 외부로 배출되고, 그러한 과정에서 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)의 내부인 상기 웨이퍼 수용 홀(111)에 수용된 상기 웨이퍼에 묻어 있던 퓸 등의 이물질도 함께 제거되어 외부로 배출된다.In this state, when the vacuum pump is operated, the internal air of the wafer accommodating hole 111 is sucked through the cassette side exhaust hole 112 and the exhaust pipe member 135 sequentially and discharged to the outside. In the process, foreign substances such as fume, which are buried in the wafer accommodated in the wafer accommodating hole 111, which are inside the wafer accommodating cassette member 110, are also removed and discharged to the outside.

한편, 상기 진공 펌프가 작동되면, 상기 상부 배기 연결관(136) 및 상기 하부 배기 연결관(137)에 의해 상기 배기관 부재(135)와 각각 연통된 상기 상부 배기구(131) 및 상기 하부 배기구(132)에도 상기 부압이 형성되고, 그에 따라 상기 이에프이엠(20)의 내부를 따라 하강된 공기가 상기 상부 배기구(131)를 통해 배출되고, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 저면 쪽의 공기가 상기 하부 배기구(132)를 통해 배출된 다음, 상기 배기관 부재(135)를 통해 외부로 배출된다.Meanwhile, when the vacuum pump is operated, the upper exhaust port 131 and the lower exhaust port 132 communicated with the exhaust pipe member 135 by the upper exhaust connection pipe 136 and the lower exhaust connection pipe 137, respectively. Negative pressure is also formed, and thus air lowered along the interior of the EMP 20 is discharged through the upper exhaust port 131, and the air on the bottom side of the EMP 20 is discharged. It is discharged through the lower exhaust port 132, and then is discharged to the outside through the exhaust pipe member 135.

이러한 과정에서, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 저면 쪽의 공기가 상기 하부 배기구(132)를 통해 배출됨으로써, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 저면 쪽, 예를 들어 바닥면, 바닥 모서리 등에 쌓여 있던 퓸 등의 이물질이 함께 제거되어 외부로 배출될 수 있게 된다.In this process, the air on the bottom side is discharged through the lower exhaust port 132 in the interior of the EMP 20, so that the bottom side, for example, the bottom surface, the bottom edge, etc. in the interior of the EFM 20. Foreign matters such as accumulated fumes are removed together and can be discharged to the outside.

상기 사이드 스토리지(100)가 상기 웨이퍼 수용 카세트 부재(110)와, 상기 하부 케이스 부재(120)와, 상기 배기관 부재(135)와, 상기 전면 패널 부재(130)를 포함함에 따라, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 저면 쪽의 공기가 상기 하부 배기구(132)를 통해 배출되는 과정에서, 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 저면 쪽, 예를 들어 바닥면, 바닥 모서리 등에 쌓여 있던 퓸 등의 이물질이 함께 제거되어 배출될 수 있게 되므로, 별다른 크리닝 작업 없이도, 상기 이에프이엠(20)의 하부에 쌓이는 이물질이 제거될 수 있게 되어, 그러한 이물질에 의한 상기 웨이퍼의 재오염이 방지될 수 있게 된다.The side storage 100 includes the wafer receiving cassette member 110, the lower case member 120, the exhaust pipe member 135, and the front panel member 130. In the process of discharging the air from the bottom side through the lower exhaust port 132 in the interior of the 20, foreign matters such as fume accumulated in the bottom side, for example, the bottom surface, the bottom edge, etc. of the IFMP 20. Since it can be removed and discharged together, foreign matters accumulated in the lower part of the EPM 20 can be removed without any other cleaning operation, thereby preventing recontamination of the wafer by such foreign matters.

상기와 같이, 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조가 상기 이에프이엠 후벽(28)과, 상기 질소 가스 분사 유닛(150)을 포함함에 따라, 상기 질소 가스 분사 유닛(150)에서 분사되는 상기 질소 가스가 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방으로 토출되는 상기 웨이퍼를 향해 집중 분사될 수 있게 되고, 그에 따라 상기 로드락 챔버 유닛(60)의 전방으로 토출되는 상기 웨이퍼가 상기 질소 가스에 의해 퍼지됨과 함께 냉각될 수 있게 되므로, 상기 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 상기 이에프이엠(20)의 내부에서 반응하면서 부산물을 형성하는 현상이 방지될 수 있게 된다.As described above, the nitrogen gas injected from the nitrogen gas injection unit 150 as the nitrogen gas injection structure toward the wafer for the EMP comprises the rear wall 28 and the nitrogen gas injection unit 150. May be concentrated toward the wafer discharged to the front of the load lock chamber unit 60, and the wafer discharged to the front of the load lock chamber unit 60 may be purged by the nitrogen gas. Since it can be cooled together, the phenomenon that the by-products remaining on the wafer react with the inside of the EMP 20 can be prevented from being formed.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, those skilled in the art can variously modify the invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And it can be changed. Nevertheless, it will be clearly understood that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠에 의하면, 웨이퍼에 묻어 있던 잔존 가스가 이에프이엠의 내부에서 반응하면서 부산물을 형성하는 것을 방지할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the IFMP comprising the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for the YEPEM wafer and the wafer-oriented nitrogen gas injection structure for the YEPEM in accordance with an aspect of the present invention, the remaining gas buried in the wafer reacts inside the IFEM to form a by-product. It can be prevented from doing so, so the industrial applicability is high.

20 : 이에프이엠
28 : 이에프이엠 후벽
60 : 로드락 챔버 유닛
100 : 사이드 스토리지
150 : 질소 가스 분사 유닛
153 : 상하 분사 방향 조절 부재
156 : 좌우 분사 방향 조절 부재
165 : 상하 분사 방향 조절 수단
166 : 좌우 분사 방향 조절 수단20: if fem
28: UFM back wall
60: load lock chamber unit
100: side storage
150: nitrogen gas injection unit
153: vertical spray direction adjustment member
156: left and right injection direction adjustment member
165: vertical injection direction adjustment means
166: left and right injection direction adjusting means

Claims (4)

웨이퍼가 이에프이엠(EFEM)에서 트랜스퍼 챔버 유닛으로 통과되도록 하는 것인 로드락 챔버 유닛이 설치된 이에프이엠 후벽; 및
상기 이에프이엠 후벽 중 상기 로드락 챔버 유닛의 외곽의 적어도 일부에 배치되어, 상기 로드락 챔버 유닛을 통해 상기 이에프이엠으로 인입되는 상기 웨이퍼를 향해 질소 가스를 분사해주는 질소 가스 분사 유닛;을 포함하고,
상기 질소 가스 분사 유닛은
상기 이에프이엠의 좌우 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 좌우 분사 방향 조절 부재와,
상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 좌우 분사 방향 조절 부재를 작동시키는 좌우 분사 방향 조절 수단과,
상기 이에프이엠의 상하 방향으로 상기 질소 가스의 분사 방향을 가변시켜줄 수 있는 상하 분사 방향 조절 부재와,
상기 질소 가스의 분사 방향이 가변되도록 상기 상하 분사 방향 조절 부재를 작동시키는 상하 분사 방향 조절 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조.An EEM back wall in which a load lock chamber unit is installed to allow the wafer to pass from the EFEM to the transfer chamber unit; And
And a nitrogen gas injection unit disposed in at least a portion of an outer portion of the load lock chamber unit in the rear wall of the YEPM to inject nitrogen gas toward the wafer introduced into the YEPM through the load lock chamber unit.
The nitrogen gas injection unit
A left and right injection direction control member capable of varying the injection direction of the nitrogen gas in the left and right directions of the EMP;
Left and right injection direction adjusting means for operating the left and right injection direction adjusting members so that the injection direction of the nitrogen gas is variable;
An up and down injection direction control member capable of varying the injection direction of the nitrogen gas in the up and down direction of the EMP;
And a vertical ejection direction control means for operating the vertical ejection direction control member so that the ejection direction of the nitrogen gas is variable. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 좌우 분사 방향 조절 부재는
상기 좌우 분사 방향 조절 수단에 의해 회전될 수 있는 좌우 분사 방향 조절 회전축과,
상기 좌우 분사 방향 조절 회전축에서 루버(louver) 형태로 연장되는 좌우 분사 방향 조절 루버를 포함하고,
상기 상하 분사 방향 조절 부재는
상기 상하 분사 방향 조절 수단에 의해 회전될 수 있는 상하 분사 방향 조절 회전축과,
상기 상하 분사 방향 조절 회전축에서 루버 형태로 연장되는 상하 분사 방향 조절 루버를 포함하고,
상기 상하 분사 방향 조절 부재는 상기 이에프이엠의 상하 방향으로 복수 개가 배치되고,
상기 질소 가스 분사 유닛은
상기 상하 분사 방향 조절 부재가 작동될 수 있도록, 상기 상하 분사 방향 조절 수단에서 발생된 동력을 상기 상하 분사 방향 조절 부재로 전달하는 상하 분사 방향 동력 전달 수단을 포함하고,
상기 상하 분사 방향 동력 전달 수단은
복수 개의 상기 상하 분사 방향 조절 루버가 각각 회동 가능하게 연결되도록 상기 이에프이엠의 상하 방향으로 일정 길이로 형성되는 바아(bar) 형태의 루버 연결 바아와,
상기 루버 연결 바아의 일부에 형성되는 랙 기어와,
상기 랙 기어와 맞물리고 상기 상하 분사 방향 조절 수단에 의해 회전될 수 있는 피니언 기어를 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조.The method of claim 1,
The left and right injection direction adjusting member
A left and right injection direction adjustment rotating shaft which can be rotated by the left and right injection direction adjustment means;
And a left and right injection direction control louver extending in a louver form from the left and right injection direction adjustment rotation shafts,
The vertical injection direction adjustment member
An up and down injection direction adjustment rotating shaft which can be rotated by the up and down injection direction adjustment means;
And a vertical injection direction adjustment louver extending in a louver form from the vertical injection direction adjustment axis of rotation,
The vertical injection direction adjusting member is arranged in plurality in the vertical direction of the EEPM,
The nitrogen gas injection unit
And a vertical injection direction power transmission means for transmitting power generated by the vertical injection direction adjusting means to the vertical injection direction adjusting member so that the vertical injection direction adjusting member can be operated.
The vertical injection direction power transmission means
And a bar-shaped louver connection bar is formed in a predetermined length in the vertical direction of the EMP so that the plurality of vertical injection direction louvers are rotatably connected,
A rack gear formed on a part of the louver connection bar,
And a pinion gear that is engaged with the rack gear and rotated by the up and down injection direction adjusting means. 삭제delete
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