KR102079052B1 - 레이저 챔버용 내부식성 전극 - Google Patents

레이저 챔버용 내부식성 전극 Download PDF

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Abstract

인이 도핑된 황동으로 형성된 내부식성 전극이 제공되어 있다. 이러한 전극은 약 100 ppm 내지 약 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않다. 이러한 황동은 약 30중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하는 카트리지 황동일 수 있다. 내부식성 전극은 또한 플라즈마 부식에 대한 황동의 내성을 증가시키기 위해 강소성 가공을 황동에 적용함으로써 형성될 수 있다. 이러한 내부식성 전극은 레이저 광을 생성하기 위해 레이저 시스템에서 사용될 수 있다.

Description

레이저 챔버용 내부식성 전극{CORROSION RESISTANT ELECTRODES FOR LASER CHAMBERS}
펄싱된 레이저 광은 다수의 용도, 예를 들어, 이러한 광을 마스크를 통과시킴으로써 웨이퍼 위의 포토레지스트를 노출시키도록 집적회로 포토리소그래피에 사용된다. 이러한 펄싱된 레이저 광은 가스 방전 매체의 매우 짧은 전기 방전에서 초고전압으로 한 쌍의 전극 사이에 가스 방전을 제공함으로써 챔버 안의 가스 방전 매체를 사용하여 생성될 수 있다.
가스 방전 매체가 예를 들어, ArF 레이저 시스템에서 불소를 함유하고 있다면, 불소-함유 플라즈마가 동작 동안 한 쌍의 전극 사이에서 생성될 것이다. 불소-함유 플라즈마는 금속에 부식성이 매우 강하다. 따라서, 전극은 챔버의 작동 동안 시간이 지남에 따라 부식할 것이다. 부식 산물이 기화하거나 전극에서 벗겨져 버리면, 이러한 타입의 전극 부식에 의해 유발된 문제를 처리하는 단계가 취해질 수 있기 때문에 상황은 견딜만 하다. 하지만, 불소가 캐소드로부터 애노드로 전류의 흐름을 따르는 경향이 있기 때문에 전극의 표면 위, 대부분 애노드의 표면 위의 다양한 점에서 금속 불화물 부식 산물이 국부적으로 축적물이 형성되 것이 가끔 일어난다. 이러한 금속 불화물 부식 산물의 국부화된 축적물은 때로 산호초에 대한 부식 얼룩과 유사하게 나타나기 때문에 "암초층(reef layer)" 또는 "리핑(reefing)"의 형성물로 부른다. 이러한 리핑이 전극 위에 일어나는 반점들은 전극의 표면의 나머지 보다 더 플라즈마에 달라붙는다. 그래서, 리핑에 의해 플라즈마에 아킹이 발생할 수 있다.
이러한 플라즈마에서의 아킹은 에너지가 레이저 공동 보다는 아크 방전으로 가서 레이저 챔버로부터 에너지를 빼앗기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상당한 양의 아킹이 플라즈마에서 일어날 때, 전극은 레이저 챔버가 효율적으로 동작 유지되도록 교체되어야 한다. 그래서, 리핑은 전극이 레이저 챔버에서 효율적으로 사용될 수 있는 수명을 단축시킨다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것이다.
실시예에서, 레이저 시스템이 제공되어 있다. 상기 레이저 시스템은 캐소드 및 애노드가 배치되어 있는 챔버를 포함하고 있다. 상기 캐소드는 세장형 캐소드 표면을 갖고 있고, 애노드는 상기 세장형 캐소드 표면과 마주보고 있는 세장형 애노드 표면을 갖고 있다. 상기 세장형 애노드 표면과 세장형 캐소드 표면 사이의 공간은 상기 챔버 내의 방전 영역을 규정하고 있다. 하나의 실시예에서, 상기 애노드는 약 100 ppm 내지 약 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동(microporosity)을 갖고 있지 않다. 하나의 실시예에서, 상기 애노드는 상기 챔버 안에 이동가능하도록 배치되어 있다. 다른 실시예에서, 상기 캐소드는 약 100 ppm 내지 약 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않다.
하나의 실시예에서, 상기 황동은 약 120 ppm 내지 약 370 ppm의 인을 함유하고 있다. 하나의 실시예에서, 상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하고 있는 카트리지 황동이다. 하나의 실시예에서, 상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적다.
하나의 실시예에서, 상기 애노드는 본래 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연, 120 ppm 내지 약 370 ppm의 인, 100 ppm 보다 적은 불순물, 및 나머지 구리로 구성된 재료로 형성되어 있고, 상기 재료는 400 배율에서 아무런 가시적인 미크로포로시티를 갖고 있지 않다. 다른 실시예에서, 상기 캐소드는 본래 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연, 120 ppm 내지 약 370 ppm의 인, 100 ppm 보다 적은 불순물, 및 나머지 구리로 구성된 재료로 형성되어 있고, 상기 재료는 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않다.
다른 실시예에서, 레이저 시스템에서 레이저 광을 생성하기 위한 방법이 제공되어 있다. 이러한 방법에서, 상기 전극은 플라즈마 부식에 대한 상기 황동의 내성을 증가시키는 처리가 적용된 황동으로부터 형성되고, 상기 전극은 레이저 광을 생성하기 위해 레이저 시스템에서 사용된다. 하나의 실시예에서, 상기 전극은 애노드이다. 다른 실시예에서, 상기 전극은 캐소드이다.
하나의 실시예에서, 상기 플라즈마 부식에 대한 상기 황동의 내성을 증가시키는 처리는 상기 황동에 약 120 ppm 내지 약 370 ppm의 인을 도핑하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 상기 플라즈마 부식에 대한 상기 황동의 내성을 증가시키는 처리는 상기 황동에 강소성 가공(severe plastic deformation)을 적용하는 단계를 포함한다. 하나의 실시예에서, 상기 황동에 강소성 가공을 적용하는 단계는 상기 황동에 동등 채널 각 압출(equal channel angular extrusion)을 적용하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 레이저 시스템을 위한 애노드 어셈블리가 제공되어 있다. 상기 애노드 어셈블리는 하부 지지 부재, 상부 절연 부재 및, 세장형 애노드 표면을 갖고 있는 애노드를 포함한다. 상기 애노드는 상기 하부 지지 부재에 배치되어 있고 상기 절연 부재에 의해 둘러싸여 있어서, 세장형 애노드 표면이 상기 상부 절연 부재의 상면 위로 뻗어 있다. 상기 애노드는 약 100 ppm 내지 약 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않다.
상기 황동은 약 120 ppm 내지 약 370 ppm의 인을 함유하고 있다. 하나의 실시예에서, 상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하고 있는 카트리지 황동이다. 하나의 실시예에서, 상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적다. 하나의 실시예에서, 상부 절연 부재는 알루미나로 형성되어 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 본 발명의 원리를 예로써 설명하는 다음의 상세한 설명을 첨부된 도면과 함께 읽을 때 명백할 것이다.
도 1은 가스 방전 레이저 챔버의 단면도이다.
도 2는 전극의 추가 세부를 도시하는 가스 방전 레이저 챔버의 내부의 일부의 단면도이다.
도 3은 가스 방전 레이저 챔버 내의 애노드 어셈블리의 단면도이다.
도 4는 금속과 불소의 부식 반응의 일부로서 일어나는 표면 부식 반응의 개략도이다.
도 5는 금속과 불소의 부식 반응의 일부로서 일어나는 내부 불소화를 통한 박리 부식의 개략도이다.
도 6은 분할된 검사 애노드를 형성하는데 사용된 검사 세그먼트를 도시하는 도면이다.
도 7은 분할된 검사 애노드에서의 검사 세그먼트의 배열을 도시하는 도면이다.
도 8은 분할된 검사 애노드에서의 세그먼트의 각각에 대한 길이 mm 당 중간 폭 암초 핵의 수를 보여주는 막대그래프이다.
도 9는 25배 확대된 인-도핑된 황동 세그먼트의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다.
도 10은 25 배 확대된 C26000 황동 세그먼트의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다.
도 11은 25배 확대된 카트리지 황동으로 형성된 애노드의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다.
도 12는 표면 위에 암초층이 형성된 C26000 황동 전극의 단면도의 현미경 사진이다.
도 13은 표면 위에 암초층이 형성된 순동 전극의 단면의 현미경 사진이다.
다음의 설명에서, 실시예의 완전한 이해를 위해 다수의 특정 세부사항이 제시되어 있다. 그러나, 이러한 특정 세부사항 없이 실시예가 실시될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 다른 예에서, 공정 운영 및 구현 세부사항은 이미 주지된 경우에 상세하게 기술하지 않았다.
도 1은 가스 방전 레이저 챔버의 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 방전 레이저 챔버(100)는 상부 커버(101a) 및 하부 챔버 본체(101b)를 포함하고 있다. 챔보(100) 안에는 2개의 세장형 전극(102, 104)이 배치되어 있다. 캐소드로도 알려진 전극(101)은 캐소스 지지 구조부(108)에 의해 지지되어 있다. 애노드로도 알려진 전극(104)은 애노드 지지 바(122)에 의해 지지되어 있다. 프리이오나이저(110)는 전극(102, 104) 사이에 한정된 방전 영역(112)에서 레이저 가스를 사전 이온화하는 기능을 한다. 크로스 플로 팬(116)은 그 다음 후속 펄스 전에 레이저 가스를 하나의 펄스로부터의 파편으로부터 방전 영역(112)으로 충분히 빠른 속도로 전극(102, 104) 사이에서 순환시킨다. 크로스 플로 팬(116)과 전극(102, 104) 사이의 전기 방전에 의해 레이저 가스에 추가된 열을 제거하기 위해 복수의 열교환기(120)가 하부 챔버 본체(101b)에 제공되어 있다. 가스 방전 레이저 시스템의 구조 및 작동에 대한 추가 세부사항은 내용이 여기에 통합된, "가스 방전 레이저 챔버"라는 표제의 2009년 10월 21일에 출원된 미국 특허 출원 번호 12/603,486, 미국 특허 출원 공개 번호 US 2002/0154670 A1 및 미국 특허 출원 공개 번호 US 2005/0047471 A1에 제시되어 있다.
도 2는 전극의 추가 세부사항을 도시하는 가스 방전 레이저 챔버의 내부의 일부의 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드(104)는 애노드 지지 바(122) 위에 장착되어 있다. 애노드(104)의 세장형 애노드 표면(104a)은 캐소드(102)의 세장형 캐소드 표면(102a)과 마주보고 있다. 세장형 애노드 표면(104a)과 세장형 캐소드 표면(102a) 사이의 공간은 레이저 챔버 내의 방전 영역(112)을 규정하고 있다. 하나의 실시예에서, 캐소드(102) 및 애노드(104)의 길이는 대략 57cm이다. 하나의 실시예에서, 세장형 캐소드 표면(102a)과 세장형 애노드 표면(104a) 사이의 거리는 약 1.3cm이다. 당업자는 전극의 길이 및 전극 사이의 거리가 특정 적용의 필요에 따라 변할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 3은 가스 방전 레이저 챔버 내의 애노드 어셈블리의 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 애노드(104)는 애노드를 위한 지지 부재로서 기능하는 애노드 지지 바(122) 위에 배치되어 있다. 절연 부재(130)는 애노드(104)를 둘러싸고 있어, 세장형 애노드 표면(104a)이 이러한 절연 부재의 상면 바로 위로 뻗어 있다. 절연 부재(130)는 임의의 적절한 절연 재료로 형성될 수 있다. 하나의 실시예에서, 절연 부재(130)는 유전 특성이 탁월한 알루미나로 형성되어 있다. 세장형 애노드 표면(104a)과 절연 부재(130)의 상면 사이의 거리는 도 3에 도시된 "X" 표시에 의해 나타나 있다. 세장형 애노드 표면(104a)이 레이저 챔버의 작동 동안 부식됨에 따라, 거리 X는 애노드 지지 바(122)에 제공된 조정 메커니즘을 사용하여 애노드(104)의 상대 높이를 조정함으로써 유지될 수 있다.
지금까지 이루어진 실험에 기초하여, 암초 형상은 처음에 표면 부식 반응으로서 시작되다가 시간이 지남에 따라 내부 불소화로 알려진 표면아래(subsurface) 부식 반응으로 전이되는 금속과 불소의 부식 반응의 박리 부식 상태로 현재 생각되고 있다. 도 4는 이러한 표면 부식 반응의 개략도이다. 도 4에 도시된 바와 같이 불소는 구리 및 아연 이온과 황동 표면(104a)에서 반응하여 금속 불화물 부식 산물, MxFy를 형성한다. 이러한 부식 산물은 이러한 표면 위의 금속 불화물과 아래의 황동 사이의 격자 불일치와 열적 불일치로 인해 필링-베드워쓰(Pilling-Bedworth) 스트레스를 받아서, 부식 산물의 파쇄(spallation)을 일으킨다. 이러한 플라즈마의 작용은 또한 부식 산물이 기화되도록 할 수 있다. 이러한 파쇄 및 기화에 의해 유발된 재료 손실을 때로 부식으로 부르지만, 입자 충돌이 이러한 재료 손실 현상에 어떠한 역할도 하지 않았다는 것을 당업자는 이해할 것이다.
도 5는 내부 불소화를 통해 박리 부식의 개략 설명도이다. 불화물이 황동을 통해 확산되고 표면아래 간극(void)에 누적될 때 암초 형성 또는 박리 부식이 일어난다. 이러한 간극은 커켄달(Kirkendall) 간극과 유사하게 보이지만, 이러한 현상이 구리와 같은 순금속으로 이루어진 전극에서 발생한다는 것에 주목하는 것이 중요하다(도 13 참조). 따라서, 이러한 간극 형성은 황동 격자를 통한 구리 및 아연의 자체 확산 사이의 임의의 차이로 인한 것이 아니다. 이러한 간극은 강한 전계 및 연관된 높은 전류 밀도의 작용하의 공공 집합체 및 금속 이온의 외측 확산의 결과이다. 이러한 작용은 그 성질이 고온 부식 또는 전기화학 부식 보다는 일렉트로마이그레이션과 훨씬 더 유사하다. 높은 전류 밀도는 또한 황동을 통한 불화물의 이동을 촉진시킨다. 불화물이 황동의 표면 아래의 간극 포켓에 축적될 때, 금속 불화물은 보다 큰 격자로 확대될 공간을 갖고 파쇄 및 기화로부터 보호된다. 이러한 보호에 의해 부식 산물은 강한 부착층으로 두꺼워질 수 있다. 일단 이러한 부식 산물의 층이 두꺼워지고 유전면의 전하 축적을 통해 실질적인 전류를 도출하기 시작하면, 금속 불화물 형성을 위한 구동력이 증가하여 국소, 박리 부식 또는 암초 형성을 가져온다. 도 5에 도시된 바와 같이, 암초 형성은 애노드(104)의 표면(104a) 위에 생성된 높은 전계 밀도의 영역에 나타나는 경향이 있다. 애노드의 표면(104a) 위의 암초 형성의 예가 도 5에 도시되어 있다. 특히, 도 5의 일부로서 포함된 현미경 사진에 도시된 바와 같이, 암초 얼룩(200)은 애노드의 표면(104a) 위에 형성되었다.
전극, 예를 들어, 애노드의 내부식성이 전극이 형성되는 재료에서 미세공동을 제거함으로써, 공동(vacancy)을 고정시킴으로써, 애노드 구성성분의 자체 확산율을 감소시킴으로써, 그리고 불화물 확산에 대한 입자 경계의 민감성을 감소시킴으로써, 상당히 증가될 수 있다는 것이 발견되었다. 황동에서 자연스럽게 일어나는 미소프로시티는 일렉트로마이그레이션 타입의 효과에 대한 공동의 소스를 제공함으로써, 전극이 형성되는 대부분의 황동으로 불화물이 들어가도록 하는 수단을 제공한다. 이러한 방식으로, 미세공동은 내부 불소화 및 전류-지원 확산을 통해 부식을 촉진한다. 불화물은 또한 전극이 입자 경계를 통해 형성되는 대부분의 황동에 들어갈 수 있다. 불화물이 황동 격자 구조에 들어가는 것을 방지함으로써, 암초 형성이 일어나는 정도가 감소될 수 있다.
캐소드의 경우에, 높은 전류 밀도는 일렉트로마이그레이션을 유발할 수 있다. 금속 격자의 공동은 전자의 흐름과 반대로 이동한다. 시간이 지남에 따라, 캐소드의 다공성은 증가할 수 있다. 캐소드의 표면이 부식됨에 따라, 노출된 간극은 전극의 표면을 거칠게 하는 표면 비연속성을 생성하고, 이것은 비연속된 위치에서 (아크 또는 스트리머와 같은) 고전류 방전 이벤트의 확률을 증가시킨다. 불소화는 열적으로 강화되고 암초 얼룩은 캐소드에, 특히 캐소드 구덩이에 형성될 수 있다. 이러한 아크 및 스트리머 활동은 또한 방전 갭의 작은 영역에 연속된 높은 전류 밀도 방전을 위한 기초를 생성한다. 고밀도 전류가 반대 전극 위의 동일한 반점에 반복적으로 종료되면, 최종 줄 발열은 애노드 위에 열점을 생성할 수 있다. 불소화는 또한 이러한 위치에서 열적으로 강화되고 암초 반점이 결국 애노드에 형성된다.
하나의 실시예에서, 전극의 내부식성은 전극이 형성되는 황동에 인을 도핑함으로써 증가된다. 하나의 실시예에서, 이러한 황동은 약 30중량% 구리 및 나머지 아연을 함유한 카트리지 황동이다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "약"은 언급된 양이 수용가능한 허용오차 범위, 예를 들어, ± 1 %에서 변할 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 전극은 카트리지 황동 이외의 황동 재료로 제조될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 인은 금속 격자를 통한 자체 확산을 느리게 하거나 공동을 고정시키는데 사용될 수 있는 유일한 원소가 아니라는 것에 주의해야 한다. 황동에서, 유사한 효과가 비소 또는 안티몬을 단독으로 또는 인과 결합되어, 사용함으로써 얻어질 수 있다. 여기에 기술된 실시예에서, 주조 동안 황동에서 가스를 제거하여 미세공동을 감소시키는 효과를 갖고 있어서 인이 또한 사용된다.
황동을 도핑하는데 사용된 인의 양은 공동 및 불화물이 황동의 격자를 통해 용이하게 이동할 수 있도록 하는 일렉트로마이그레이션 효과를 억제하고 구리 및 아연 이온의 자체 확산을 억제하기에 충분해야 한다. 한편, 사용되는 인의 양은 가스 방전 레이저 시스템의 동작에 역효과를 주지 않아야 한다. 이러한 관점에서, 약 10,000 ppm에 상응하는 약 1 중량%의 인을 사용하면 레이저 챔버의 불화물 소비량이 상당히 증가된다. 하나의 실시예에서, 사용되는 인의 양은 (중량으로) 약 100 ppm으로부터 (중량으로) 약 1,000 ppm의 범위에 있다. 다른 실시예에서, 사용되는 인의 양은 약 120 ppm으로부터 약 370 ppm의 범위에 있다. 황동의 인(P), 아연(Zn), 및 구리(Cu) 함유량은 임의의 적절한 방법, 예를 들어, 유도 결합 플라즈마-광 방출 분광법(inductively coupled plasma-optical emission spectroscopy, ICPOES)에 의해 알 수 있다.
인-도핑된 황동은 전체 불순물 한도가 제어될 수 있는 방식으로 준비되어야 한다. 불순물이 불화물과 용이하게 반응하여 재료의 핵형성 사이트로서 기능하는 금속 불화물의 의도하지 않은 포켓을 형성하는 결과를 가져올 수 있기 때문에 인-도핑된 황동에서 불순물의 양을 제어하는 것이 중요하다. 예로서, 철 불순물은 구리 보다 훨씬 더 용이하게 금속 불화물을 형성한다. 황동 속의 풍부한 철 함유물은 용이하게 FeF2를 형성할 것이기 때문에 철 함유량은 가능한 낮게 유지되어야 한다. 하나의 실시예에서, 이러한 재료의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적다. 용융물 속의 가스 불순물은 고화 동안 용액으로부터 이러한 불순물이 나오기 때문에 미세공동을 유발할 수 있다. 하나의 실시예에서, 이러한 재료 속에 용해된 가스는 산소의 양이 30 ppm 보다 적고, 탄소의 양이 75 ppm 보다 적고, 질소의 양이 15 ppm 보다 적고, 수소의 양이 10 ppm 보다 적도록 제어된다. 이러한 재료 속에 용해된 가스의 양은 임의의 적절한 방법, 예를 들어, 침입형 가스(interstitial gas) 분석에 의해 알아낼 수 있다. 표 1은 개별적인 원소 불순물에 대한 농도 한도(중량 ppm)의 리스트이다. 이러한 원소 불순물의 농도는 임의의 적절한 방법, 예를 들어, 글로 방전 질량 분광분석(GDMS: glow discharge mass spectrometry)에 의해 판정될 수 있다. 당업자는 전체 불순물 한도가 재료에 함유되는 인의 양을 포함하지 않는다는 것을 이해할 것이다.
Figure 112014127256204-pct00001
인-도핑된 황동의 인이 재료의 미세공동을 감소시키도록 가스 제거제로서 기능하는 것을 보장하기 위해, 인-도핑된 황동은 간극 및 함유물의 존재에 대해 예를 들어, 광학 현미경에 의해 시각적으로 조사되어야 한다. 하나의 실시예에서, 아무런 간극도 400 배율에서 보이지 않는다. 즉, 이러한 실시예에서, 인-도핑된 황동은 400 배율에서 아무런 시각적인 미세공동을 갖고 있지 않다. 또한, 하나의 실시예에서, 인-도핑된 황동은 mm2 당 30 보다 적은 함유물을 갖고 있고 각 함유물은 약 5 미크론을 초과하지 않는 직경을 갖고 있다. 또한 밀도 측정값은 미세구조 조사 보다 덜 민감한 측정값이지만 재료 품질을 확인하는데 사용될 수 있다. 사용 전후의 캐소드의 실험적 밀도 측정값은 약 1%의 밀도 강하를 보여준다.
전극, 예를 들어, 인-도핑된 황동으로 형성된 애노드의 내부식성을 확인하기 위해, 인-도핑된 황동 및 C26000 황동의 교차 세그먼트로 구성된 분할 애노드를 사용하여 검사가 이루어졌다. 분할된 애노드를 형성하는데 사용된 세그먼트 P1, P3, P5, S2, S4 및 S6이 도 6에 도시되어 있다. 이러한 세그먼트중에, 세그먼트 P1, P3, P5는 인-도핑된 황동으로 형성되었고 세그먼트 S2, S4, S6은 C26000 황동으로 형성되었다. 이러한 분할된 애노드는 도 7에 도시된 바와 같이 교차 방식으로 세그먼트를 배열함으로써 형성되었다. 이러한 분할된 검사 애노드는 검사실에서 검사된 후에 세그먼트는 암초 형성에 대해 분석되었다. 도 8에 도시된 바와 같이, 인-도핑된 황동에서 발견된 단위 길이당 중간폭 암초 핵의 수(세그먼트 P3 및 P5 참조)는 C26000 황동에서 발견된 단위 길이당 중간폭 암초 핵의 수 보다 상당히 적었다(세그먼트 S2 및 S4 참조). 따라서, 인-도핑된 황동은 C26000 황동에 비해 증가된 내부식성을 나타낸다.
도 9는 25배 확대된 인-도핑된 황동 세그먼트 P3의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 세그먼트 P3의 표면(104a)은 비교적 미끄럽고 에지에 별로 크지 않은 양의 부식만이 나타났다. 또한, 세그먼트 P3의 내부에는 실질상 간극이 없다. 도 10은 25 배 확대된 C26000 황동 세그먼트 S4의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 세그먼트 S4의 표면은 상당한 부식을 나타내기 시작했다. 또한, 금속 불화물 부식 산물의 층(200)(암초 얼룩)은 세그먼트 S4의 에지를 따라 형성되었고 이러한 층은 이러한 표면 위로 돌출되어 있다. 위에 설명된 바와 같이, 이러한 돌출은 시감이 지남에 따라 레이저 챔버에 아킹을 유발할 수 있다. 또한, 세그먼트 P4의 내부는 현미경 사진에 어두운 점으로 나타나는 상당한 수의 간극(220)을 포함하고 있다. 간극(220)은 금속 불화물로 채워지기 시작했고, 위에서 설명된 바와 같이, 파쇄 및 기화로부터 보호되는 금속 불화물이 성장하는 공간을 제공한다.
도 11은 25배 확대된 도핑되지 않은 카트리지 황동으로 형성된 애노드의 플라즈마 대향면의 현미경 사진이다. 이러한 애노드는 기선 검사실에서 검사되었다. 도 11에 도시된 바와 같이, 영역(200)은 애노드의 표면(104a)에 형성된 암초 얼룩이다.
도 12는 표면 위에 암초층이 형성된 C26000 황동 전극의 단면도의 현미경 사진이다. 도 12에 도시된 바와 같이, 다수의 간극(220)이 C26000 황동 전극의 표면 아래에 형성되었고 이러한 간극의 내측벽은 금속 불화물로 덮여 있다. 도 13은 표면에 암초층이 형성된 순동 전극의 단면의 현미경 사진이다. C26000 황동 전극에서 발견된 동일한 표면 아래의 간극이 순동 전극에 존재한다(도 13에 도시된 간극(220) 참조). 그러나, 순동은 합금되어 있지 않기 때문에 커켄달 간극을 나타낼 수 없다. 더욱이, 순동은 처음에 완전히 밀집되어 있었고 미세공동이 없었다. 따라서, 순동 전극에서의 간극의 존재는 부식 현상이 순수하게 고온 부식 현상이기 보다는 일렉트로마이그레이션 현상을 포함한다는 결론을 뒷받침한다. 암초 형성은 전기화학 부식 현상과 상당히 상이하다. 따라서, 상술된 바와 같이, 리핑(reefing)은 여기에서 "플라즈마 부식"으로 부르는 고유 모드의 부식을 나타내는 것으로 생각된다.
상기 예에서, 황동의 내부식성을 증가시키기 위해 인 도핑을 사용하는 것이 설명되었다. 다른 처리가 레이저 챔버 환경에서 일어나는 부식의 타입에 대해 황동의 내구성을 증가시키는데 사용될 수 있다는 것이 발견되었다. 하나의 실시예에서, 황동의 내부식성은 황동의 미세공동을 감소시키는 강소성 가공을 황동에 적용함으로써 증가된다. 하나의 실시예에서, 황동은 강소성 가공 기술인 동등 채널 각 압출(ECAE: equal channel angular extrusion)을 사용하여 강소성 가공된다. 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, ECAE 공정은 미세공동을 닫을 수 있고 낮은 각도 입자 아래의 경계의 회전을 통해 1 미크론 이하의 입자 크기를 갖는 중간 내지 높은 각도 입자 경계를 생성할 수 있다. 따라서, 인 도핑을 통해 얻어지는 산소 제거와 마찬가지로, ECAE 공정은 불화물이 축적되고 보호되는 금속 불화물을 성장시킬 수 있는 표면 아래의 포켓을 제거할 수 있다. 특히, ECAE 공정은 공동 소스로서 기능하는 경향이 적을 수 있는 매우 빽빽한, 낮은 다공성 입자 경계를 생성한다.
그래서, 전극에서의 암초 형성은 플라즈마 부식에 대한 황동의 내성을 증가시키는 처리가 적용된 황동으로부터 전극을 형성함으로써 억제될 수 있다. 하나의 실시예에서, 황동의 내부식성을 증가시키는 처리는 유효 양의 인으로 황동을 도핑하는 단계를 포함하고 있다. 하나의 실시예에서, 인의 양은 약 120 ppm 내지 약 370 ppm이다. 다른 실시예에서, 이러한 처리는 황동에 강소성 가공을 적용하는 단계, 예를 들어, 황동에 ECAE 공정을 거치게 하는 단계를 포함한다. 그다음, 이렇게 형성된 전극은 레이저 광을 생성하기 위해 레이저 시스템에 사용될 수 있다.
실험실 시험에서, 인-도핑된 황동 전극은 300억 펄스를 넘는 수명을 나타냈다. 반대로, 가스 방전 레이저 챔버에서 현재 사용되는 도핑되지 않은 전극은 보통 300억 펄스 보다 짧은 수명을 나타낸다. 따라서, 플라즈마 부식에 대한 황동의 내성을 증가시키도록 처리된 황동으로 형성된 전극을 사용하면, 가스 방전 레이저 챔버의 수명을 확장하도록 도울 수 있다.
여기에 기술된 기술은 카트리지 황동 타입 형성에 반드시 제한되거나 심지어 반드시 황동에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, C12200, C14200, C63200, C95400 및 C96800과 같은 다른 구리 합금, 또는 미국 특허 번호 US 6,584,132 B2에 기술된 것과 같은 스피노달 청동이 전류 지원형 불소 확산 및 일렉트로마이그레이션에 대한 내성을 생성하도록 인 또는 ECAE 또는 이러한 2개의 조합에 의해 처리될 수도 있다. 미국 특허 번호 US 6,584,132 B2의 내용은 모든 목적에 대해 여기에 언급되어 통합되어 있다.
따라서, 본 실시예는 설명을 위한 것이고, 다음의 청구범위 및 그 등가물에 제시된 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 실시예가 이해의 명료화를 위해 일부 상세하게 기술되었지만, 특정 변경 및 수정이 다음의 청구범위 안에서 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 다음의 청구범위에서, 요소 및/또는 단계는 청구범위에서 명확하게 언급되거나 본 명세서에서 요구되지 않으면 임의의 특정 순서의 동작을 암시하는 것은 아니다.

Claims (22)

  1. 챔버;
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 세장형 캐소드 표면을 갖는 캐소드; 및
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 상기 세장형 캐소드 표면과 마주보고 있는 세장형 애노드 표면을 갖는 애노드를 포함하고 있고,
    상기 세장형 애노드 표면과 세장형 캐소드 표면 사이의 공간은 상기 챔버 내의 방전 영역을 규정하고 있고, 상기 애노드는 100 ppm 내지 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 mm2 당 30개 미만의 함유물을 갖고 있고 각각의 함유물은 5 미크론을 초과하지 않는 직경을 가지며, 상기 황동은 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 레이저 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 황동은 120 ppm 내지 370 ppm의 인을 함유하고 있는, 레이저 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하고 있는 카트리지 황동인, 레이저 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적은, 레이저 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 애노드는 상기 챔버 안에 이동가능하도록 배치되어 있는, 레이저 시스템.
  6. 챔버;
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 세장형 캐소드 표면을 갖는 캐소드로서, 상기 캐소드는 100 ppm 내지 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않으며, 상기 황동은 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 캐소드; 및
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 상기 세장형 캐소드 표면과 마주보고 있는 세장형 애노드 표면을 갖는 애노드로서, 상기 세장형 애노드 표면과 세장형 캐소드 표면 사이의 공간은 상기 챔버 내의 방전 영역을 규정하고 있는 애노드를 포함하고 있는, 레이저 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 황동은 120 ppm 내지 370 ppm의 인을 함유하고 있는, 레이저 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하고 있는 카트리지 황동인, 레이저 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적은, 레이저 시스템.
  10. 챔버;
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 세장형 캐소드 표면을 갖는 캐소드; 및
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 상기 세장형 캐소드 표면과 마주보고 있는 세장형 애노드 표면을 갖는 애노드를 포함하고 있고,
    상기 세장형 애노드 표면과 세장형 캐소드 표면 사이의 공간은 상기 챔버 내의 방전 영역을 규정하고 있고, 상기 애노드는 본질적으로 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연, 120 ppm 내지 370 ppm의 인, 100 ppm 보다 적은 불순물, 및 나머지 구리로 구성된 재료로 형성되어 있고, 상기 재료는 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않으며, 상기 재료는 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 레이저 시스템.
  11. 챔버;
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 세장형 캐소드 표면을 갖는 캐소드; 및
    상기 챔버 안에 배치되어 있고, 상기 세장형 캐소드 표면과 마주보고 있는 세장형 애노드 표면을 갖는 애노드를 포함하고 있고,
    상기 세장형 애노드 표면과 세장형 캐소드 표면 사이의 공간은 상기 챔버 내의 방전 영역을 규정하고 있고, 상기 애노드는 100 ppm 내지 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않으며, 상기 세장형 애노드 표면은 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 레이저 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 황동은 120 ppm 내지 370 ppm의 인을 함유하는, 레이저 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하는 카트리지 황동인, 레이저 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적은, 레이저 시스템.
  15. 애노드로서,
    세장형 표면을 갖는 애노드의 본체를 포함하되, 상기 애노드의 본체는 100 ppm 내지 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 mm2 당 30개 미만의 함유물을 갖고 있고 각각의 함유물은 5 미크론을 초과하지 않는 직경을 가지며, 상기 황동은 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 애노드.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 황동은 120 ppm 내지 370 ppm의 인을 함유하는, 애노드.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하는 카트리지 황동인, 애노드.
  18. 제17항에 있어서, 상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적은, 애노드.
  19. 캐소드로서,
    세장형 표면을 갖는 캐소드의 본체를 포함하고, 상기 캐소드는 100 ppm 내지 1,000 ppm의 인을 함유하는 황동으로 형성되어 있고, 상기 황동은 400 배율에서 아무런 가시적인 미세공동을 갖고 있지 않으며, 상기 황동은 인으로 도핑되지 않은 카트리지 황동에 비해 플라즈마 부식에 대해 증가된 내성을 나타내는, 캐소드.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 황동은 120 ppm 내지 370 ppm의 인을 함유하는, 캐소드.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 황동은 29.7 중량% 내지 30.3 중량%의 아연 및 나머지 구리를 함유하는 카트리지 황동인, 캐소드.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 카트리지 황동의 불순물의 전체 양은 100 ppm 보다 적은, 캐소드.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9246298B2 (en) * 2012-06-07 2016-01-26 Cymer, Llc Corrosion resistant electrodes for laser chambers
US10074953B2 (en) * 2015-09-30 2018-09-11 Cymer, Llc Erosion resistant electrodes for use in generating gas discharge laser
US11987871B2 (en) * 2017-05-02 2024-05-21 Cymer, Llc Electrodes for laser chambers having extended lifetime
CN111279562A (zh) * 2017-10-24 2020-06-12 西默有限公司 用于延长激光室中电极寿命的方法和装置
JP6829179B2 (ja) 2017-11-15 2021-02-10 Ｊｘ金属株式会社 耐食性ＣｕＺｎ合金
US11127582B2 (en) * 2018-01-11 2021-09-21 Cymer, Llc Electrode for a discharge chamber
JP7124211B2 (ja) * 2018-09-20 2022-08-23 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 寿命が延長されたレーザチャンバ電極及びこれを有するレーザ
CN109411996A (zh) * 2018-11-29 2019-03-01 北京科益虹源光电技术有限公司 一种准分子激光器电极结构及准分子激光器
JP7273063B2 (ja) 2018-12-03 2023-05-12 Ｊｘ金属株式会社 耐食性ＣｕＺｎ合金
TWI727586B (zh) * 2019-02-28 2021-05-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 銅電極材料
TW202400821A (zh) * 2019-05-10 2024-01-01 美商希瑪有限責任公司 雷射放電設備及在雷射放電腔中之電極上形成保護層之方法
CN111585152B (zh) * 2020-04-08 2022-02-08 中国科学院微电子研究所 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备
CN113053705B (zh) * 2021-02-05 2022-05-10 浙江大学 一种耐电弧烧蚀的铪铜复合电极及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010050939A1 (en) * 2000-06-09 2001-12-13 Ujazdowski Richard C. Gas discharge laser with blade-dielectric electrode
US20040066827A1 (en) * 2001-09-13 2004-04-08 Steiger Thomas D. Cathodes for fluorine gas discharge lasers
US20110129385A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-02 Chan Wen Copper Industry Co., Ltd. Copper-zinc alloy

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2802733A (en) 1954-07-09 1957-08-13 Goldschmidt Ag Th Process for manufacturing brass and bronze alloys containing lead
GB8426746D0 (en) * 1984-10-23 1984-11-28 Bekaert Sa Nv Ferrous substrate
US5462575A (en) * 1993-12-23 1995-10-31 Crs Holding, Inc. Co-Cr-Mo powder metallurgy articles and process for their manufacture
DE19713637C2 (de) 1997-04-02 1999-02-18 Max Planck Gesellschaft Teilchenmanipulierung
US6471792B1 (en) 1998-11-16 2002-10-29 Olin Corporation Stress relaxation resistant brass
US6693443B2 (en) * 1999-04-02 2004-02-17 Worcester Polytechnic Institute Systems for detecting and measuring inclusions
US6466602B1 (en) * 2000-06-09 2002-10-15 Cymer, Inc. Gas discharge laser long life electrodes
US7132123B2 (en) 2000-06-09 2006-11-07 Cymer, Inc. High rep-rate laser with improved electrodes
US6690706B2 (en) 2000-06-09 2004-02-10 Cymer, Inc. High rep-rate laser with improved electrodes
WO2001097343A1 (en) * 2000-06-09 2001-12-20 Cymer, Inc. Gas discharge laser with blade-dielectric electrode
US7230965B2 (en) * 2001-02-01 2007-06-12 Cymer, Inc. Anodes for fluorine gas discharge lasers
US7339973B2 (en) * 2001-09-13 2008-03-04 Cymer, Inc. Electrodes for fluorine gas discharge lasers
CN1236086C (zh) * 2003-12-03 2006-01-11 浙江海亮股份有限公司 耐腐蚀抗失锌黄铜合金
US20050126666A1 (en) 2003-12-15 2005-06-16 Zhu Yuntian T. Method for preparing ultrafine-grained metallic foil
CN101225487B (zh) * 2008-01-15 2011-04-06 胡旭红 含砷低铅黄铜合金
US7767121B2 (en) * 2008-11-10 2010-08-03 Kryron Global, Llc Solid composition having enhanced physical and electrical properties
EP2507401A1 (en) 2009-11-30 2012-10-10 Moen Incorporated Copper corrosion resistant, machinable brass alloy
JP5263266B2 (ja) 2010-11-09 2013-08-14 パナソニック株式会社 プラズマドーピング方法及び装置
US20120155501A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Honeywell International Inc. Angular extrusion of copper alloy anodes
US9246298B2 (en) * 2012-06-07 2016-01-26 Cymer, Llc Corrosion resistant electrodes for laser chambers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010050939A1 (en) * 2000-06-09 2001-12-13 Ujazdowski Richard C. Gas discharge laser with blade-dielectric electrode
US20040066827A1 (en) * 2001-09-13 2004-04-08 Steiger Thomas D. Cathodes for fluorine gas discharge lasers
US20110129385A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-02 Chan Wen Copper Industry Co., Ltd. Copper-zinc alloy

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