KR102074471B1 - 형광 표준 스트립 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 분석기기에 사용되는 형광 스트립의 형광 세기에 대한 신뢰성을 검증하기 위한 것으로, 형광체가 사용되는 기기에 있어 형광 세기에 대한 기기 간 편차를 줄이고, 형광 농도별 형광 신호의 선형성을 확보하며, 기기의 오류, 오차, 편차 등을 주기적으로 체크하여 기기의 신뢰성을 검증할 수 있는 효과가 있다. 또한 본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 광 조사가 빈번한 환경 및 상태에서도 시간에 따른 형광 세기의 감소를 최소화할 수 있는, 즉, 동일한 형광 세기를 장기간 유지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 분석기기에 사용되는 형광 스트립의 형광 세기를 검측하기 위한 장치에 관한 것이다.
종래의 바이오 진단 등의 의학 분야에서, 예컨대 측방유동 스트립(Lateral flow strip), 마이크로플루이딕 칩(Microfluidic chip) 등의 형광 분석법을 이용하는 분석기기에는 형광체가 사용된다.
이러한 형광체(fluorescent substance)가 사용되는 분석기기의 제조에 있어서, 기기 간 장착되는 하드웨어의 구성이 동일하게 설계됨에도 불구하고 구성품의 전자기적 특성의 편차 및 각 구성의 조합의 편차 등 다양한 변수들로 인해, 제조되는 최종 기기들이 동일한 형광 신호에 대하여 동일한 데이터를 획득하지 못하는 문제가 있다. 따라서 형광의 세기를 측정하여 요구 물질을 정량적으로 진단 및 분석함에 있어 그 결과에 대한 신뢰성이 현저히 저하되는 문제가 있다.
이는 형광체를 이용한 분석기기의 제조에 있어, 다수의 형광 분석 기기에 대해 동일한 성능 구현이 어려움을 의미한다. 따라서 다수의 분석기기를 제조할 시 요구 형광 세기를 갖도록 기준이 되는 형광 표준 스트립을 이용하여 기기 간의 형광 세기 편차를 조율하여야 한다. 그러나 종래의 바이오 진단 등의 의학 분야에 사용되는 형광체는 주기적 또는 비주기적으로 광원이 조사될 경우 형광체 특유의 파장으로 발광하여 에너지를 소비하면서 형광소광(Fluorescent quenching)이 일어난다. 이러한 형광소광이 심한 형광체를 이용하여 표준 스트립을 제조할 경우, 기기 간 편차를 줄이기 위해 수~수십 회 정도 반복 측정이 요구되므로 그 사용 목적에 부적합하다.
이에 따라 형광 분석법을 이용하는 기기의 형광 농도 대비 신호 값의 획득에 대한 신호 선형성을 확인 및 검증할 수 있는 방안이 필요하다.
본 발명의 목적은 형광체가 사용되는 기기에 있어 형광 세기에 대한 기기 간 편차를 줄이고, 형광 농도별 형광 신호의 선형성을 확보하며, 기기의 오류, 오차, 편차 등을 주기적으로 체크하여 기기의 신뢰성을 검증할 수 있는 형광 표준 스트립을 제공하는 것이다.
따라서 본 발명의 구체적 목적은 광 조사가 빈번한 환경 및 상태에서도 시간에 따른 형광 세기의 감소를 최소화할 수 있는, 즉, 동일한 형광 세기를 장기간 유지할 수 있는 형광 표준 스트립을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 요구 형광 세기를 갖는 형광 표준 스트립의 제조가 용이한 형광 표준 스트립를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 형광 표준 스트립은, 분석기기에 사용되는 형광 스트립의 형광 세기에 대한 신뢰성을 검증하기 위한 것으로, 기재; 상기 기재 상에 적층되고 형광체를 포함하는 형광층; 및 상기 형광층 상에 적층되어, 형광층으로부터 외부로 노출되는 형광을 일부 차단하는 마스킹층;을 포함한다. 이때 상기 형광 표준 스트립의 형광체에 대한 형광 세기가 검증 대상인 형광 스트립의 형광체에 대한 형광 세기보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 상기 형광 표준 스트립의 형광체의 발광 파장은 상기 분석기기에 사용되는 형광체의 발광 파장의 범위에 속하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 상기 형광 표준 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기를 기준으로 하여 검증 대상인 형광 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기의 신뢰성을 검증할 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 상기 마스킹층은, 상기 형광층에서 마스킹층으로 입사하는 형광을 투과시키되, 패턴이 형성되어 형광 투과율을 제어하는 광투과부; 및 상기 형광을 차단하는 광차단부;을 포함할 수 있으며, 상기 광투과부는 상기 광차단부를 경계로 하나 또는 둘 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 상기 광투과부는, 서로 이격하여 패턴을 형성하는 복수의 마이크로 구조체;를 포함할 수 있으며, 상기 형광층으로부터 입사되는 형광 투과율을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 상기 광투과부는, 상기 마스킹층의 측부에서 타측부로 이어지는 복수의 선이 서로 이격하여 형성되는 선 패턴;을 포함할 수 있으며, 상기 선과 상기 형광층 사이에 상기 마이크로 구조체가 위치하여 상기 형광층에서 상기 광투과부로 입사되는 형광 투과율이 감소될 수 있다.
본 발명에 따른 형광 분석기기 세트는 상기 형광 표준 스트립; 및 형광 분석기기;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 형광 표준 스트립을 이용한 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법은, a) 제1항 내지 제7항에서 선택되는 어느 한 항의 형광 표준 스트립을 분석기기에 적용하여 형광 검출 값을 측정하는 단계 및 b) 상기 형광 검출 값이 분석기기의 요구 표준 값 범위에 속하는지 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 형광 표준 스트립을 이용한 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법은, c) 상기 형광 검출 값 및 분석기기의 요구 표준 값을 비교 계산하여 분석기기 편차 값에 대한 오류를 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 형광체가 사용되는 기기에 있어 형광 세기에 대한 기기 간 편차를 줄이고, 형광 농도별 형광 신호의 선형성을 확보하며, 기기의 오류, 오차, 편차 등을 주기적으로 체크하여 기기의 신뢰성을 검증할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 광 조사가 빈번한 환경 및 상태에서도 시간에 따른 형광 세기의 감소를 최소화할 수 있는, 즉, 동일한 형광 세기를 장기간 유지할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 명세서에서 기재된 효과 및 그 내재적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급된다.
도 1은 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 광원 조사에 의한 형광 발광에 대한 개념도(좌측 이미지)와, 형광 표준 스트립의 형광체 형광 세기, 다양한 문제가 발생할 수 있는 경우에 대한 형광 표준 스트립의 형광층 형광 세기, 기기 센서의 최대 형광 측정 범위 및 형광 표준 스트립의 외부로 방출되는 형광 범위에 대한 비교 그래프(우측 이미지)이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명에 따른 형광 표준 스트립 및 이의 분해도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 광투과부의 선 패턴의 일 예를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 마스킹층의 형광 투과율의 제어를 통해 형광 농도의 세기를 조절할 수 있음을 나타내는 데이터이다.
도 6은 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 광 조사에 따른 형광 세기가 측정 횟수 및 시간이 증가함에도 일정함을 보여주는 데이터이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명에 따른 형광 표준 스트립 및 이의 분해도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 광투과부의 선 패턴의 일 예를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 마스킹층의 형광 투과율의 제어를 통해 형광 농도의 세기를 조절할 수 있음을 나타내는 데이터이다.
도 6은 본 발명에 따른 형광 표준 스트립의 광 조사에 따른 형광 세기가 측정 횟수 및 시간이 증가함에도 일정함을 보여주는 데이터이다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 형광 표준 스트립을 상세히 설명한다.
본 명세서에 기재되어 있는 도면은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 상기 도면들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 용어의 단수 형태는 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 특별한 언급 없이 사용된 %의 단위는 별다른 정의가 없는 한 중량%를 의미한다.
본 명세서에서 언급되는 ‘층’은 플레이트(Plate) 또는 면 형태일 수 있으며, 이는 각 재료가 연속체(continuum)를 이루는 디멘젼(dimension)을 가짐을 의미할 수 있으며, 보다 바람직하게는 각 재료가 연속체를 이루며 폭과 길이 대비 두께가 상대적으로 작은 디멘젼(dimension)을 가짐을 의미할 수 있다. 이에 따라 본 명세서에서 언급되는 ‘층’이 2 차원의 편평한 평면으로 해석되어서는 안 된다.
본 명세서에서 언급되는 ‘형광’은 한 파장의 방사선을 흡수한 후 거의 즉각적으로 상이한 파장으로 재방사함으로써 일어나며, 입사 방사선이 중단되면 그와 거의 동시에 사라지는 발광을 의미한다.
본 발명은 형광체를 사용하는 분석기기에 있어, 형광체의 형광소광(Fluorescent quenching)에 의한 형광 세기의 편차에 의해 기기의 정밀도에 대한 신뢰성이 시간이 지남에 따라 현저히 저하되는 문제를 인식함으로써, 기기 간 형광 세기의 편차를 확인하고 기기의 형광 농도별 신호의 선형성을 검증하여 기기의 신뢰성을 확보할 수 있는 방법 및 이를 위한 형광 표준 스트립을 제공하는 것에 의의가 있다.
이를 위해, 본 발명에서는 형광체를 포함하는 형광층 상에 마스킹층이 적층되고, 이 마스킹층이 상기 형광층의 형광 세기를 물리적으로 감소시킴에 따라, 기기에서 측정되는 형광 세기의 요구 표준 값과 동일하거나 표준 값 범위에 속하는 세기의 형광을 방출하는 형광 표준 스트립을 제공하면서도, 특히 기기의 경우와 비교하여 상대적으로 형광체의 형광소광(Fluorescent quenching)에 의해 시간 경과에 따라 형광 세기가 저하되는 현상을 감소시킬 수 있는 효과가 구현된다.
본 명세서에서 언급되는 ‘요구 표준 값’은 기기의 규모, 목적, 상태 등에 따라 다르므로, 제한되는 값이 아니며, 이때 통상적으로 바이오 의학 분야, 구체적인 일 예로, 항원-항체 반응 등을 이용하여 표적 물질에 형광체를 표지하여 형광체의 형광 농도를 정량적으로 분석하는 기기에서 사용되는 형광체에 의해 설정되는 값일 수 있다.
이하 본 발명에 따른 형광 표준 스트립에 관하여 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 기재; 상기 기재 상에 적층되고 형광체를 포함하는 형광층; 및 상기 형광층 상에 적층되어, 형광층으로부터 외부로 노출되는 형광을 일부 차단하는 마스킹층;을 포함한다. 이때 상기 형광 표준 스트립의 형광체에 대한 형광 세기가 검증 대상인 형광 스트립의 형광체에 대한 형광 세기보다 높을 수 있다.
보다 구체적으로, 기기에 사용되는 형광체보다 형광 세기가 큰 형광체를 사용하는 구성요소와 이들의 형광 세기의 갭을 물리적으로 감소시키는 마스킹층 구성요소를 결합함에 따라, 기기에서 측정되는 형광 세기의 요구 표준 값과 동일한 세기의 형광을 방출하는 형광 표준 스트립을 제공하면서도, 특히 기기의 경우와 비교하여 상대적으로 형광체의 형광소광(Fluorescent quenching)에 의해 시간 경과에 따라 형광 세기가 저하되는 현상을 극소화할 수 있는 효과가 구현된다.
일반적으로 의학 분야에서 분석을 위해 사용되는 형광체는 광이 전혀 조사되지 않는 환경이 아닌 이상 인위적인 광을 조사하지 않더라도 시간 경과에 따라 지속적으로 형광소광에 의해 형광 세기가 저하되며, 사용을 위해 광을 조사할 경우, 형광 세기가 현저히 저하되는 내구성이 매우 나쁜 물질이 사용된다. 하지만 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 형광 표준 스트립은, 이를 이용하여 1 내지 5 회까지 한 달 간격으로 광 조사에 의한 형광 세기를 측정하였음에도, 형광체의 형광소광에 의한 형광 세기 저하가 실질적으로 나타나지 않아 그 효과의 현저함을 구체적으로 알 수 있다.
통상적으로, 검증 대상인 기기에 사용되는 형광체는 ROX(carboxy-X-rhodamine), HEX(hexachlorofluorescein), Cal Fluor Red 610(C46H57F6N5O4P2), Cy2, Cy3, Cy5 등의 시아닌계 형광물질, TAMRA(5-Carboxytetramethylrhodamine), 로다민(Rhodamine), 테트라메틸로다민, 오레곤 그린, R-PE, Bodipy-TMR-X, PBXL-1, 텍사스 레드, 크립토 플루오르 오렌지(Cryptofluor Orange), 비오틴, fluorescein, R6G, HEX, EtBr, SYPRO Ruby, 엄벨리페론(umbelliferone), 플루오레신이소티오시아네이트(fluorescein isothiocyanate; FITC), 디클로로트리아지닐아민플루오레신(dichlorotriazinylamine fluorescein), 단실클로라이드(dansyl chloride), 양자점(quantum dots), 피코에리스린(phycoerythrin), FAM(5-carboxy fluorescein 등의 플루오세인계(fluorescein) 및 AlexaFluor32, Alexafluor488, AlexaFluor546 등의 알렉사 플로어계(alexa fluor) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 바이오 의학 분야에서 사용될 수 있는 형광체라면 무방하다.
즉, 본 발명에 따른 형광 표준 스트립에 사용되는 형광체의 종류는, 검증 대상인 기기에 사용되는 형광체보다 형광세기가 큰 것이면 무방하다. 바람직하게는, 도 1에 도시된 우측 그래프에서와 같이, 형광 표준 스트립의 형광체의 형광 세기가 검증 대상인 기기의 센서의 최대 형광 측정 범위보다 높고, 형광 표준 스트립의 마스킹층을 통과하여 외부로 방출되는 형광 세기가 기기의 요구 표준 값 범위에 속하도록 하면 무방하다. 또한 상기 형광체는 기기에서 요구되는 형광체의 파장에 맞는 것, 즉, 상기 형광 표준 스트립의 형광체의 발광 파장이 상기 분석기기에 사용되는 형광체의 발광 파장의 범위에 속하는 것이라면 무방하다.
구체적인 일 예로, 상기 형광체는 전술한 분석기기에 사용되는 형광체와 적합한 파장을 가지면서 이와 비교하여 내구성 및 형광세기가 우수한 것이라면 무방하다. 예를 들어 대주전자재료의 LuAG(L25, L30, L40, L43, L45, L50, L60), YAG(Y50, Y52, Y54, Y56, Y58, Y60, Y62), G-YAG(GY25, GY28, GY30, GY35, GY45) 등을 들 수 있으며, 이 외에도 다양한 것들이 사용될 수 있다.
본 발명에서는 기기에 사용되는 형광체보다 형광 세기가 큰 형광체가 사용되므로, 설사 제조 과정에서 형광체의 도포가 불균일하게 수행된 경우가 발생하더라도 도 1에 도시된 우측 그래프에서와 같이 형광층에서 발광하는 형광 세기는 기기에 사용되는 센서의 최대 측정 범위를 넘어섬에 따라, 이후 마스킹의 제어를 통해 최종 제조되는 형광 표준 스트립은 기기에서 측정되는 형광 세기의 요구 표준 값과 동일하도록 할 수 있다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예로서 마스킹층의 패턴을 조절하는 형광 투과율의 제어를 통해 외부로 방출되는 형광의 세기를 정밀하게 조절할 수 있음을 알 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 형광층 상에 적층된 마스킹층의 형광 투과율을 제어함에 따라, 원하고자 하는 형광의 농도에 맞추어 기기의 형광에 대한 기준을 제시하여 이를 표준화할 수 있다.
이렇게 상기 형광 표준 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기를 기준으로 하여 검증 대상인 기기의 형광 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기의 신뢰성을 검증할 수 있다. 이때 본 발명에 따른 형광 표준 스트립에서, 형광층에 광이 조사될 시 형광층에서 발광하는 형광은 마스킹층 방향으로 조사되며, 형광층에서 마스킹층으로 입사되는 상기 형광은 빛을 일부 차단하는 역할을 하는 마스킹층을 투과함에 따라 형광세기가 감소된다. 따라서 최종적으로 마스킹층을 통해 외부로 방출되는 형광은 형광층에서 최초 발광하는 형광 세기와 비교하여 낮은 형광 세기로서 외부로 노출되게 된다. 이로부터, 사용자는 형광 표준 스트립의 외부로 노출되는 상기 형광(의 세기)을 기준으로 하여 검증 대상 기기의 형광에 대한 신뢰성을 검증할 수 있다.
본 발명에 따른 형광 표준 스트립을 이용한 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법은, a) 제1항 내지 제7항에서 선택되는 어느 한 항의 형광 표준 스트립을 분석기기에 적용하여 형광 검출 값을 측정하는 단계 및 b) 상기 형광 검출 값이 분석기기의 요구 표준 값 범위에 속하는지 판단하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 상기 방법은, c) 상기 형광 검출 값 및 분석기기의 요구 표준 값을 비교 계산하여 분석기기 편차 값에 대한 오류를 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이러한 방법을 통해, 기기의 형광에 대한 신뢰성을 평가할 수 있으며, 나아가 기기의 요구 표준 값과 기기의 현재 값에 대한 편차에 의한 오류를 보정하여 기기의 형광에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 형광 표준 스트립의 외부로 노출되는 형광의 세기를 기준하여 대상 기기의 형광에 대한 신뢰성을 검증하므로, 광 조사 시 형광층에서 발광하는 형광이 마스킹층을 통하지 않는 경로로 외부에 노출되지 않도록 하는 것이 바람직할 수 있다.
형광체는 빛, 방사선 등의 넓은 개념의 광이 조사됨에 따라 형광을 발하는 물질이므로, 본 발명에 따른 형광 표준 스트립을 이용하여 기기의 형광에 대한 신뢰성을 검증할 시 형광 표준 스트립의 형광층에 광을 조사하기 위한 부분을 가진다. 구체적인 일 예로, 도 1에 도시된 바와 같이, 마스킹층의 광투과부 또는 형광 표준 스트립의 각 측면에 노출된 형광층의 측면을 통해 광이 조사되어 형광층에서 발광하는 형광이 마스킹층을 통해 형광층에서 마스킹층 방향으로 형광이 외부로 노출될 수 있다.
상기 형광층은 검증 대상인 기기에 사용되는 형광체보다 형광세기가 큰 형광체가 도포된 것이거나, 기재와 형광층이 결합된 것, 예를 들어 기재에 형광체가 미리 도포되어 있는 형광 테이프 등이 사용될 수도 있다. 구체적인 일 실시예로, 기재에 형광팬 용액을 도포한 것을 들 수 있고, 형광 테이프인 3M사의 인덱스를 들 수 있다.
상기 마스킹층은 광 조사 시 형광층에서 발광하는 형광을 일부 차단하여 최종적으로 형광 표준 스트립의 마스킹층을 통해 외부로 방출되는 형광의 세기를 형광층의 형광체의 실제 형광 세기보다 감소시키는 역할을 한다. 즉, 상기 마스킹층은 형광층에서 마스킹층으로 입사하는 형광을 투과시키되, 이의 투과율을 감소시켜 최종적으로 외부로 방출되는 형광의 세기를 검증 대상인 기기에서 측정되는 형광 세기의 요구 표준 값과 동일하도록 투과율을 제어한다.
구체적인 일 예로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 마스킹층은, 상기 형광층에서 마스킹층으로 입사하는 형광을 투과시키되, 패턴이 형성되어 형광 투과율을 제어하는 광투과부; 및 상기 형광을 차단하는 광차단부;를 포함할 수 있다. 이때 광투과부는 광차단부를 경계로 하나 또는 둘 이상으로 형성될 수 있다. 또한 광투과부 및 광차단부는 형광층과 대향하여 형성될 수 있으며, 인접하여, 즉, 접할 수도 있고 접하지 않을 수도 있다.
마스킹층의 광투과부는 패턴이 형성되어 형광층으로부터 입사되는 형광의 투과율을 감소시킨다. 이때 패턴을 가지는 광투과부는 일반적인 반도체 제조에서 이용되는 마스킹 방법을 사용하여 제조될 수 있으며, 이는 공지된 다양한 문헌을 참고할 수 있다. 구체적인 일 예로, 패턴을 가지는 광투과부는, 서로 이격하여 패턴을 형성하는 복수의 마이크로 구조체;를 포함할 수 있다. 따라서 상기 복수의 마이크로 구조체의 패턴 형태, 간격 등의 조절을 통해 상기 형광층으로부터 입사되는 형광의 투과율이 요구 값으로 감소되도록 제어할 수 있다. 보다 구체적으로, 광투과부와 형광층이 대향하는 사이의 광투과부 내부에 상기 마이크로 구조체가 3 차원 적으로 위치하여 형광층에서 광투과부로 입사되는 형광의 투과율이 감소될 수 있다. 상기 마이크로 구조체의 패턴 형태는 직사각형, 정사각형, 육각형, 원형, 이들의 조합 등 다양한 것들을 가질 수 있고, 상기 마이크로 구조체들의 간격은 20 내지 200 ㎛일 수 있으나, 전술한 바와 같이 이러한 마스킹의 형성 방법은 반도체 마스킹 제조 분야에 널리 공지된 기술이므로 이를 참고하여도 무방하며 제한되지 않는다.
본 발명의 일 예에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광투과부는, 상기 마스킹층의 측부에서 타측부로 이어지는 복수의 선이 서로 이격하여 형성되는 선 패턴;을 포함할 수 있다. 이때 상기 선과 상기 형광층 사이에 상기 마이크로 구조체가 위치하여 상기 형광층에서 상기 광투과부로 입사되는 형광 투과율이 감소될 수 있다. 상기 복수의 선은 상기 광차단부를 경계로 서로 배열되어 형성될 수 있다.
본 발명의 일 구체 예에 있어서, 상기 선의 평균 두께는 크게 제한되지 않으나, 20 내지 200 ㎛일 수 있고, 복수의 선 간 평균 이격거리는 크게 제한되지 않으나, 1 내지 5 mm일 수 있으며, 이들의 개수는 1 개 일 수도 있고, 바람직하게는 2 내지 5 개일 수 있다. 하지만 이는 바람직한 일 예로서 설명된 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다.
상기 기재, 형광층 및 마스킹층의 평균 두께는 전술한 목적을 달성하여 효과를 구현할 수 있을 정도라면 제한되지 않으며, 일 실시예로서, 기재의 경우 0.5~1.5 mm일 수 있고, 형광층의 경우 50~150 ㎛일 수 있으며, 마스킹층의 경우 0.1~0.5 mm일 수 있다. 하지만 이는 바람직한 일 실시예로서 설명된 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 형광 표준 스트립을 제공하고, 이를 이용한 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법을 제공할 수 있다. 나아가 본 발명에 따른 형광 표준 스트립은 이 외에도 검증 대상인 기기와 함께 세트로 구성되어 제공될 수도 있다. 즉, 본 발명은 전술한 형광 표준 스트립; 및 형광 분석기기;를 포함하는 형광 분석기기 세트를 제공할 수 있다.
100 : 기재, 200 : 형광층,
300 : 마스킹층, 310 : 광투과부,
320 : 광차단부
300 : 마스킹층, 310 : 광투과부,
320 : 광차단부
Claims (10)
- 분석기기에 사용되는 형광 스트립의 형광 세기에 대한 신뢰성을 검증하기 위한 형광 표준 스트립으로,
상기 형광 표준 스트립은,
기재;
상기 기재 상에 적층되고 형광체를 포함하는 형광층; 및
상기 형광층 상에 적층되어, 형광층으로부터 외부로 노출되는 형광을 일부 차단하는 마스킹층;을 포함하며,
상기 형광 표준 스트립의 형광체에 대한 형광 세기가 검증 대상인 형광 스트립의 형광체에 대한 형광 세기보다 높은 것을 특징으로 하는 형광 표준 스트립. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 형광 표준 스트립의 형광체의 발광 파장은 상기 분석기기에 사용되는 형광체의 발광 파장의 범위에 속하는 것인 형광 표준 스트립. - 제1항에 있어서,
상기 형광 표준 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기를 기준으로 하여 검증 대상인 형광 스트립으로부터 외부로 노출되는 형광 세기의 신뢰성을 검증하는 형광 표준 스트립. - 제1항에 있어서,
상기 마스킹층은,
상기 형광층에서 마스킹층으로 입사하는 형광을 투과시키되, 패턴이 형성되어 형광 투과율을 제어하는 광투과부; 및
상기 형광을 차단하는 광차단부;
를 포함하며,
상기 광투과부는 상기 광차단부를 경계로 하나 또는 둘 이상으로 형성되는 형광 표준 스트립. - 분석기기에 사용되는 형광 스트립의 형광 세기에 대한 신뢰성을 검증하기 위한 형광 표준 스트립으로,
상기 형광 표준 스트립은,
기재;
상기 기재 상에 적층되고 형광체를 포함하는 형광층; 및
상기 형광층 상에 적층되어, 형광층으로부터 외부로 노출되는 형광을 일부 차단하는 마스킹층;을 포함하며,
상기 마스킹층은,
상기 형광층에서 마스킹층으로 입사하는 형광을 투과시키되, 패턴이 형성되어 형광 투과율을 제어하는 광투과부; 및
상기 형광을 차단하는 광차단부;를 포함하며,
상기 광투과부는 상기 광차단부를 경계로 하나 또는 둘 이상으로 형성되며,
상기 광투과부는,
서로 이격하여 패턴을 형성하는 복수의 마이크로 구조체;를 포함하여, 상기 형광층으로부터 입사되는 형광 투과율을 감소시키는 것을 특징으로 하는 형광 표준 스트립. - 제6항에 있어서,
상기 광투과부는,
상기 마스킹층의 측부에서 타측부로 이어지는 복수의 선이 서로 이격하여 형성되는 선 패턴;
을 포함하며,
상기 선과 상기 형광층 사이에 상기 마이크로 구조체가 위치하여 상기 형광층에서 상기 광투과부로 입사되는 형광 투과율이 감소되는 형광 표준 스트립. - 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항의 형광 표준 스트립; 및
형광 분석기기;를 포함하는 형광 분석기기 세트. - a) 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항의 형광 표준 스트립을 분석기기에 적용하여 형광 검출 값을 측정하는 단계 및
b) 상기 형광 검출 값이 분석기기의 요구 표준 값 범위에 속하는지 판단하는 단계를 포함하는 형광 표준 스트립을 이용한 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법. - 제9항에 있어서,
c) 상기 형광 검출 값 및 분석기기의 요구 표준 값을 비교 계산하여 분석기기 편차 값에 대한 오류를 보정하는 단계
를 더 포함하는 형광 스트립의 신뢰성을 검증하는 방법.
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